KR102357394B1

KR102357394B1 - Light emitting device and apparatus including the same

Info

Publication number: KR102357394B1
Application number: KR1020210012657A
Authority: KR
Inventors: 김동찬; 문지영; 윤희창; 이지혜; 이학충; 이해명; 한명석; 윤지환; 이종혁; 조윤형
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-04-09
Filing date: 2021-01-28
Publication date: 2022-02-09
Also published as: KR20210126486A

Abstract

발광 소자 및 이를 포함하는 장치가 개시된다.A light emitting device and an apparatus including the same are disclosed.

Description

발광 소자 및 이를 포함한 장치{LIGHT EMITTING DEVICE AND APPARATUS INCLUDING THE SAME}Light emitting device and device including same

발광 소자 및 이를 포함한 장치에 관한 것이다.It relates to a light emitting device and a device including the same.

발광 소자는 전기 에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 소자이다. 이러한 발광 소자의 예시로는, 발광층에 유기 재료를 사용하는 유기 발광 소자, 발광층에 양자점을 사용하는 양자점 발광 소자 등이 있다.The light emitting device is a device having a characteristic in which electrical energy is converted into light energy. Examples of such a light emitting device include an organic light emitting device using an organic material for the light emitting layer, a quantum dot light emitting device using quantum dots for the light emitting layer, and the like.

상기 발광 소자는 기판 상부에 제1전극이 배치되어 있고, 상기 제1전극 상부에 정공 수송 영역(hole transport region), 발광층, 전자 수송 영역(electron transport region) 및 제2전극이 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 제1전극으로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 제2전극으로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변하면서 광이 생성된다.In the light emitting device, a first electrode is disposed on a substrate, and a hole transport region, a light emitting layer, an electron transport region, and a second electrode are sequentially formed on the first electrode. can have a structure. Holes injected from the first electrode move to the emission layer via the hole transport region, and electrons injected from the second electrode move to the emission layer via the electron transport region. Carriers such as holes and electrons recombine in the emission layer region to generate excitons. Light is generated as these excitons change from an excited state to a ground state.

정공 및 전자의 균형이 최적화되어 구동 전압이 낮고, 효율 및 수명 특성이 우수한 텐덤형 발광 소자 및 이를 포함한 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a tandem-type light emitting device having a low driving voltage and excellent efficiency and lifetime characteristics by optimizing the balance of holes and electrons, and a device including the same.

일 측면에 따르면, 제1전극,According to one aspect, the first electrode,

상기 제1전극에 대향된 제2전극, 및a second electrode opposite the first electrode; and

상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 유기층을 포함하고,An organic layer interposed between the first electrode and the second electrode,

상기 유기층은 m개의 발광 유닛들 및 인접한 상기 발광 유닛들 사이에 개재된 (m-1)개의 전하 생성 유닛(들)을 포함하고,The organic layer includes m light emitting units and (m-1) charge generating unit(s) interposed between the adjacent light emitting units,

m은 2 이상의 자연수이고,m is a natural number greater than or equal to 2,

상기 (m-1)개의 전하 생성 유닛(들) 중 적어도 하나가 n형 전하 생성층, p형 전하 생성층 및 p형 정공 주입층을 포함하고,At least one of the (m-1) charge generation unit(s) includes an n-type charge generation layer, a p-type charge generation layer, and a p-type hole injection layer,

상기 n형 전하 생성층은 n형 유기 화합물 및 금속 재료를 포함하고,The n-type charge generating layer includes an n-type organic compound and a metal material,

상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층은 각각 서로 독립적으로, 무기 반도체 재료를 포함한, 발광 소자가 제공된다.The p-type charge generation layer and the p-type hole injection layer are each independently of each other, and a light emitting device including an inorganic semiconductor material is provided.

다른 측면에 따르면, 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함한 박막 트랜지스터; 및 상술한 발광 소자;를 포함하고, 상기 발광 소자의 제1전극과 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 서로 전기적으로 연결되어 있는, 장치가 제공된다.According to another aspect, a thin film transistor including a source electrode, a drain electrode and an active layer; and the light emitting device described above, wherein a first electrode of the light emitting device and one of a source electrode and a drain electrode of the thin film transistor are electrically connected to each other.

상기 발광 소자는 전하 생성 유닛이 n형 전하 생성층, p형 전하 생성층 및 p형 정공 주입층을 포함하는 구조를 가지고, 정공 및 전자의 균형이 최적화되어 구동 전압이 낮고, 효율 및 수명 특성이 우수하다.The light emitting device has a structure in which the charge generation unit includes an n-type charge generation layer, a p-type charge generation layer, and a p-type hole injection layer, and the balance of holes and electrons is optimized, so that the driving voltage is low, and efficiency and lifespan characteristics are low. great.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 전하 생성 유닛을 보다 상세히 도시한 단면도이다.
도 3 및 4는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the charge generation unit of FIG. 1 in more detail.
3 and 4 are cross-sectional views schematically illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention, respectively.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another, not in a limiting sense.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components will be added is not excluded in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.In the following embodiments, when it is said that a part such as a film, region, or component is on or on another part, not only when it is directly on the other part, but also another film, region, component, etc. is interposed therebetween. Including cases where there is

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.In the following embodiments, when a film, region, or component is connected, other films, regions, and components are interposed between the films, regions, and components as well as when the films, regions, and components are directly connected. and indirectly connected. For example, in the present specification, when it is said that a film, a region, a component, etc. are electrically connected, not only the case where the film, a region, a component, etc. are directly electrically connected, other films, regions, components, etc. are interposed therebetween. Indirect electrical connection is also included.

본 명세서 중 "(유기층이) 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다"란, "(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.In the present specification, "(organic layer) includes a compound represented by Formula 1", "(organic layer) includes one compound belonging to the category of Formula 1 or two or more different compounds belonging to the category of Formula 1" may include".

본 명세서 중, "족(Group)"은 IUPAC 원소 주기율표 상의 족을 의미한다.As used herein, "Group" means a group on the IUPAC Periodic Table of Elements.

본 명세서 중, "알칼리 금속"은 1족 원소를 의미한다. 구체적으로, 알칼리 금속은 리튬(Li), 소듐(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 또는 세슘(Cs)일 수 있다.In this specification, "alkali metal" means a Group 1 element. Specifically, the alkali metal may be lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), or cesium (Cs).

본 명세서 중, "알칼리 토금속"은 2족 원소를 의미한다. 구체적으로, 알칼리 토금속은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 또는 바륨(Ba)일 수 있다.In this specification, "alkaline earth metal" means a Group 2 element. Specifically, the alkaline earth metal may be magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), or barium (Ba).

본 명세서 중, "란타나이드 금속"은 란타넘 및 주기율표상의 란타넘족 원소를 의미한다. 구체적으로, 란타나이드 금속은 란타넘(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이터븀(Yb), 또는 루테늄(Lu)일 수 있다.In the present specification, "lanthanide metal" means lanthanum and a lanthanide element on the periodic table. Specifically, lanthanide metals are lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium ( Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), or ruthenium (Lu).

본 명세서 중, "전이 금속"은 4주기 내지 7주기에 속하면서, 3족 내지 12족에 속하는 원소를 의미한다. 구체적으로, 전이 금속은 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 크로뮴(Cr), 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 망가니즈(Mn), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 아연(Zn), 또는 카드뮴(Cd)일 수 있다.In the present specification, "transition metal" refers to an element belonging to groups 3 to 12 while belonging to the 4th to 7th cycles. Specifically, the transition metal is titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), chromium (Cr), molybdenum (Mo), Tungsten (W), manganese (Mn), technetium (Tc), rhenium (Re), iron (Fe), ruthenium (Ru), osmium (Os), cobalt (Co), rhodium (Rh), iridium (Ir) , nickel (Ni), palladium (Pd), platinum (Pt), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), zinc (Zn), or cadmium (Cd).

본 명세서 중, "전이후 금속"은 4주기 내지 7주기에 속하면서, 13족 내지 17족에 속하는 금속 원소를 의미한다. 구체적으로, 전이후 금속은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 주석(Sn), 납(Pb), 비스무스(Bi), 또는 폴로늄(Po)일 수 있다.In the present specification, the term “post-transition metal” refers to a metal element belonging to Groups 13 to 17 while belonging to the 4th to 7th cycles. Specifically, the metal after the transition may be aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), thallium (Tl), tin (Sn), lead (Pb), bismuth (Bi), or polonium (Po). .

본 명세서 중, "할로겐"은 17족 원소를 의미한다. 구체적으로, 할로겐은 플루오린(F), 염소(Cl), 브로민(Br), 또는 아이오딘(I)일 수 있다.In the present specification, "halogen" refers to a group 17 element. Specifically, the halogen may be fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), or iodine (I).

본 명세서 중, "무기 반도체 재료"는 무기물이면서, 밴드 갭(band gap)이 4eV 미만인 모든 화합물을 의미한다. 구체적으로, 무기 반도체 재료는 란타나이드 금속의 할로겐화물, 전이 금속의 할로겐화물, 전이후 금속의 할로겐화물, 비스무트, 텔루륨, 란타나이드 금속의 텔루르화물, 전이 금속의 텔루르화물, 전이후 금속의 텔루르화물, 란타나이드 금속의 황화물, 전이 금속의 황화물, 전이후 금속의 황화물, 란타나이드 금속의 셀렌화물, 전이 금속의 셀렌화물, 전이후 금속의 셀렌화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 무기 반도체 재료는 EuI₂, YbI₂, SmI₂, TmI₂, AgI, CuI, NiI₂, CoI₂, BiF₃, BiCl₃, BiBr₃, BiI₃, PbI₂, SnI₂, Bi, Te, EuTe, YbTe, SmTe, TmTe, EuSe, YbSe, SmSe, TmSe, ZnTe, CoTe, Bi₂S₃, Bi₂Se₃, ZnSe, CoSe, Bi₂Te₃, Bi₂Se₃, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.As used herein, the term “inorganic semiconductor material” refers to any compound that is an inorganic material and has a band gap of less than 4 eV. Specifically, the inorganic semiconductor material is a lanthanide metal halide, a transition metal halide, a post-transition metal halide, bismuth, tellurium, a lanthanide metal telluride, a transition metal telluride, and a post-transition metal telluride. carbides, sulfides of lanthanide metals, sulfides of transition metals, sulfides of post-transition metals, selenides of lanthanide metals, selenides of transition metals, selenides of post-transition metals, or any combination thereof. More specifically, the inorganic semiconductor material is EuI ₂ , YbI ₂ , SmI ₂ , TmI ₂ , AgI, CuI, NiI ₂ , CoI ₂ , BiF ₃ , BiCl ₃ , BiBr ₃ , BiI ₃ , PbI ₂ , SnI ₂ , Bi, Te, EuTe, YbTe, SmTe, TmTe, EuSe, YbSe, SmSe, TmSe, ZnTe, CoTe, Bi ₂ S ₃ , Bi ₂ Se ₃ , ZnSe, CoSe, Bi ₂ Te ₃ , Bi ₂ Se ₃ , or any thereof Combinations may be included.

본 명세서 중, "무기 절연체 재료"는 무기물이면서, 밴드 갭이 4eV 이상인 모든 화합물을 의미한다. 구체적으로, 무기 절연체 재료는 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토금속의 할로겐화물, 란타나이드 금속의 할로겐화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 무기 절연체 재료는 NaI, KI, RbI, CsI, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, NaF, KF, RbF, CsF, MgI₂, CaI₂, SrI₂, BaI₂, MgCl₂, CaCl₂, SrCl₂, BaCl₂, MgF₂, CaF₂, SrF₂, BaF₂, EuI₃, YbI₃, SmI₃, TmI₃, EuCl₃, YbCl₃, SmCl₃, TmCl₃, EuF₃, YbF₃, SmF₃, TmF₃, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.In the present specification, "inorganic insulator material" means any compound that is an inorganic material and has a band gap of 4 eV or more. Specifically, the inorganic insulator material may include a halide of an alkali metal, a halide of an alkaline earth metal, a halide of a lanthanide metal, or any combination thereof. More specifically, the inorganic insulator material is NaI, KI, RbI, CsI, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, NaF, KF, RbF, CsF, MgI ₂ , CaI ₂ , SrI ₂ , BaI ₂ , MgCl ₂ , CaCl ₂ , SrCl ₂ , BaCl ₂ , MgF ₂ , CaF ₂ , SrF ₂ , BaF ₂ , EuI ₃ , YbI ₃ , SmI ₃ , TmI ₃ , EuCl ₃ , YbCl ₃ , SmCl ₃ , TmCl ₃ , EuF ₃ , YbF ₃ , SmF ₃ , TmF ₃ , or any combination thereof.

본 명세서 중, "알칼리 금속의 할로겐화물"은 알칼리 금속과 할로겐이 이온 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 알칼리 금속의 할로겐화물은 NaI, KI, RbI, CsI, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, NaF, KF, RbF, CsF, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.In the present specification, "halide of alkali metal" refers to a compound in which an alkali metal and a halogen are ionically bonded. Specifically, the halide of the alkali metal may include NaI, KI, RbI, CsI, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, NaF, KF, RbF, CsF, or any combination thereof.

본 명세서 중, "알칼리 토금속의 할로겐화물"은 알칼리 토금속과 할로겐이 이온 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 알칼리 토금속의 할로겐화물은 MgI₂, CaI₂, SrI₂, BaI₂, MgCl₂, CaCl₂, SrCl₂, BaCl₂, MgF₂, CaF₂, SrF₂, BaF₂, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.In the present specification, "alkaline earth metal halide" refers to a compound in which an alkaline earth metal and a halogen are ionically bonded. Specifically, the halide of the alkaline earth metal is MgI ₂ , CaI ₂ , SrI ₂ , BaI ₂ , MgCl ₂ , CaCl ₂ , SrCl ₂ , BaCl ₂ , MgF ₂ , CaF ₂ , SrF ₂ , BaF ₂ , or any combination thereof. may include

본 명세서 중, "란타나이드 금속의 할로겐화물"은 란타나이드 금속과 할로겐이 이온 결합 및/또는 공유 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 란타나이드 금속의 할로겐화물은 EuI₂, YbI₂, SmI₂, TmI₂, EuI₃, YbI₃, SmI₃, TmI₃, EuCl₃, YbCl₃, SmCl₃, TmCl₃, EuF₃, YbF₃, SmF₃, TmF₃, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.In the present specification, "a halide of a lanthanide metal" refers to a compound in which a lanthanide metal and a halogen are ionic and/or covalently bonded. Specifically, the halide of the lanthanide metal is EuI ₂ , YbI ₂ , SmI ₂ , TmI ₂ , EuI ₃ , YbI ₃ , SmI ₃ , TmI ₃ , EuCl ₃ , YbCl ₃ , SmCl ₃ , TmCl ₃ , EuF ₃ , YbF ₃ , SmF ₃ , TmF ₃ , or any combination thereof.

본 명세서 중, "전이 금속의 할로겐화물"은 전이 금속과 할로겐이 이온 결합 및/또는 공유 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 전이 금속의 할로겐화물은 AgI, CuI, NiI₂, CoI₂, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.As used herein, the term “halide of a transition metal” refers to a compound in which a transition metal and a halogen are ionic and/or covalently bonded. Specifically, the halide of the transition metal may include AgI, CuI, NiI ₂ , CoI ₂ , or any combination thereof.

본 명세서 중, "전이후 금속의 할로겐화물"은 전이후 금속과 할로겐이 이온 결합 및/또는 공유 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 전이후 금속의 할로겐화물은 BiI₃, PbI₂, SnI₂, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.In the present specification, "halide of a metal after transition" refers to a compound in which a metal and a halogen after transition are ionic and/or covalently bonded. Specifically, the halide of the post-transition metal may include BiI ₃ , PbI ₂ , SnI ₂ , or any combination thereof.

본 명세서 중, "란타나이드 금속의 텔루르화물"은 란타나이드 금속과 텔루륨(Te)이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 란타나이드 금속의 텔루르화물은 EuTe, YbTe, SmTe, TmTe, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.In the present specification, "telluride of lanthanide metal" refers to a compound in which lanthanide metal and tellurium (Te) are ionic, covalent, and/or metal-bonded. Specifically, the telluride of the lanthanide metal may include EuTe, YbTe, SmTe, TmTe, or any combination thereof.

본 명세서 중, "전이 금속의 텔루르화물"은 전이 금속과 텔루륨이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 전이 금속의 텔루르화물은 ZnTe, CoTe, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.As used herein, the term “transition metal telluride” refers to a compound in which a transition metal and tellurium are ionic, covalent, and/or metal-bonded. Specifically, the telluride of the transition metal may include ZnTe, CoTe, or any combination thereof.

본 명세서 중, "전이후 금속의 텔루르화물"은 전이후 금속과 텔루륨이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 전이후 금속의 텔루르화물은 Bi₂Te₃을 포함할 수 있다.In the present specification, the term "post-transition metal telluride" refers to a compound in which the post-transition metal and tellurium are ionic, covalent, and/or metal-bonded. Specifically, the telluride of the metal after the transition may include Bi ₂ Te ₃ .

본 명세서 중, "란타나이드 금속의 황화물"은 란타나이드 금속과 황(S)이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 란타나이드 금속의 황화물은 EuS, YbS, SmS, TmS, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.As used herein, "sulfide of lanthanide metal" refers to a compound in which lanthanide metal and sulfur (S) are ionic, covalent and/or metal-bonded. Specifically, the sulfide of the lanthanide metal may include EuS, YbS, SmS, TmS, or any combination thereof.

본 명세서 중, "전이 금속의 황화물"은 전이 금속과 황이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 전이 금속의 황화물은 ZnS, CoS, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.As used herein, the term “sulfide of a transition metal” refers to a compound in which a transition metal and sulfur are ionic, covalent and/or metal-bonded. Specifically, the sulfide of the transition metal may include ZnS, CoS, or any combination thereof.

본 명세서 중, "전이후 금속의 황화물"은 전이후 금속과 황이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 전이후 금속의 황화물은 Bi₂S₃을 포함할 수 있다.As used herein, the term “sulfide of a metal after transition” refers to a compound in which a metal and sulfur after transition are ionic, covalent and/or metal-bonded. Specifically, the sulfide of the metal after the transition may include Bi ₂ S ₃ .

본 명세서 중, "란타나이드 금속의 셀렌화물"은 란타나이드 금속과 셀레늄(Se)이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 란타나이드 금속의 셀렌화물은 EuSe, YbSe, SmSe, TmSe, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.As used herein, the term "selenide of lanthanide metal" refers to a compound in which lanthanide metal and selenium (Se) are ionic, covalent and/or metal-bonded. Specifically, the selenide of the lanthanide metal may include EuSe, YbSe, SmSe, TmSe, or any combination thereof.

본 명세서 중, "전이 금속의 셀렌화물"은 전이 금속과 셀레늄이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 전이 금속의 셀렌화물은 ZnSe, CoSe, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.As used herein, the term "selenide of a transition metal" refers to a compound in which a transition metal and selenium are ionic, covalent and/or metal-bonded. Specifically, the selenide of the transition metal may include ZnSe, CoSe, or any combination thereof.

본 명세서 중, "전이후 금속의 셀렌화물"은 전이후 금속과 셀레늄이 이온 결합, 공유 결합 및/또는 금속 결합된 화합물을 의미한다. 구체적으로, 전이후 금속의 셀렌화물은 Bi₂Se₃을 포함할 수 있다.In the present specification, "selenide of metal after transition" refers to a compound in which the metal and selenium after transition are ionic, covalent and/or metal bonded. Specifically, the selenide of the metal after the transition may include Bi ₂ Se ₃ .

일 구현예에 따른 발광 소자는 제1전극, 상기 제1전극에 대향된 제2전극, 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 유기층을 포함하고,A light emitting device according to an embodiment includes a first electrode, a second electrode facing the first electrode, and an organic layer interposed between the first electrode and the second electrode,

상기 유기층은 m개의 발광 유닛들 및 인접한 상기 발광 유닛들 사이에 개재된 (m-1)개의 전하 생성 유닛(들)을 포함하고, m은 2 이상의 자연수이고,the organic layer includes m light-emitting units and (m-1) charge generation unit(s) interposed between the adjacent light-emitting units, m is a natural number equal to or greater than 2;

상기 p형 전하 생성층 및 p형 정공 주입층은 각각 서로 독립적으로, 무기 반도체 재료를 포함한다.The p-type charge generating layer and the p-type hole injection layer each independently include an inorganic semiconductor material.

상기 발광 소자는 정공 수송 유닛에 포함된 p형 전하 생성층 및 p형 정공 주입층이 각각 서로 독립적으로 무기 반도체 재료를 포함한다. 따라서, 상기 발광 소자는 전하 생성 유닛 계면에서의 전하 생성 및 이동이 원활하며, 또한 각 층 사이의 계면의 열화가 방지되어 구동 전압의 상승이 방지될 수 있고, 향상된 수명 및/또는 휘도를 제공할 수 있다.In the light emitting device, the p-type charge generation layer and the p-type hole injection layer included in the hole transport unit each independently include an inorganic semiconductor material. Accordingly, in the light emitting device, charge generation and movement at the interface of the charge generating unit are smooth, and the deterioration of the interface between each layer can be prevented, thereby preventing an increase in the driving voltage, and providing improved lifespan and/or luminance. can

[도 1에 대한 설명][Description of Fig. 1]

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(1)는 제1전극(110); 상기 제1전극에 대향된 제2전극(190); 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 m개의 발광 유닛들(ELU(1), ELU(m)); 및 인접한 상기 발광 유닛들 사이에 개재된 (m-1)개의 전하 생성 유닛(들)(CGU(m-1));을 포함하고, m은 2 이상의 자연수이고; 상기 발광 유닛들은 각각 발광층을 포함하고, 상기 전하 생성 유닛(들) 중 적어도 하나는 n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a light emitting device 1 according to an embodiment of the present invention includes a first electrode 110 ; a second electrode 190 opposite to the first electrode; m light emitting units ELU(1), ELU(m) interposed between the first electrode and the second electrode; and (m−1) charge generating unit(s) (CGU(m−1)) interposed between the adjacent light emitting units, wherein m is a natural number equal to or greater than 2; Each of the light emitting units may include a light emitting layer, and at least one of the charge generation unit(s) may include an n-type charge generation layer and a p-type charge generation layer.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 따르는 발광 소자(1)를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a light emitting device 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 .

[제1전극][First Electrode]

도 1의 제1전극(110)의 하부 또는 제2전극(190)의 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.A substrate may be additionally disposed on a lower portion of the first electrode 110 or an upper portion of the second electrode 190 of FIG. 1 . As the substrate, a glass substrate or a plastic substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, handling easiness and water resistance may be used.

상기 제1전극(110)은, 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(110)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록, 제1전극용 물질은, 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다.The first electrode 110 may be formed, for example, by providing a material for the first electrode on the upper portion of the substrate using a deposition method or a sputtering method. When the first electrode 110 is an anode, the material for the first electrode may be selected from materials having a high work function to facilitate hole injection.

상기 제1전극(110)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 투과형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO₂), 산화아연(ZnO) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 110 may be a reflective electrode, a transflective electrode, or a transmissive electrode. In order to form the first electrode 110 which is a transmissive electrode, the material for the first electrode is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO ₂ ), zinc oxide (ZnO), and any thereof. It may be selected from a combination of, but is not limited thereto. Alternatively, in order to form the first electrode 110 that is a transflective electrode or a reflective electrode, the material for the first electrode is magnesium (Mg), silver (Ag), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li). ), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver (Mg-Ag), and any combination thereof, but is not limited thereto.

상기 제1전극(110)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(110)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 110 may have a single-layer structure that is a single layer or a multi-layer structure having a plurality of layers. For example, the first electrode 110 may have a three-layer structure of ITO/Ag/ITO, but is not limited thereto.

[전하 생성 유닛][Charge Generation Unit]

상기 발광 소자는 상기 m개의 발광 유닛들 중 인접한 발광 유닛들 사이에 개재된 (m-1)개의 전하 생성 유닛(들)을 포함한다.The light emitting device includes (m-1) charge generating unit(s) interposed between adjacent light emitting units among the m light emitting units.

구체적으로, 상기 제m발광 유닛 및 상기 제(m-1)발광 유닛 사이에는 제(m-1)전하 생성 유닛이 포함된다. Specifically, an (m-1)th charge generating unit is included between the mth light emitting unit and the (m−1)th light emitting unit.

예를 들어, m이 2인 경우, 제1전극, 제1발광 유닛, 제1전하 생성 유닛 및 제2발광 유닛이 차례로 배치될 수 있다. For example, when m is 2, the first electrode, the first light emitting unit, the first charge generating unit, and the second light emitting unit may be sequentially disposed.

다른 예로서, m이 3인 경우, 제1전극, 제1발광 유닛, 제1전하 생성 유닛, 제2발광 유닛, 제2전하 생성 유닛 및 제3발광 유닛이 차례로 배치될 수 있다. As another example, when m is 3, the first electrode, the first light emitting unit, the first charge generating unit, the second light emitting unit, the second charge generating unit, and the third light emitting unit may be sequentially disposed.

다른 예로서, m이 4인 경우, 제1전극, 제1발광 유닛, 제1전하 생성 유닛, 제2발광 유닛, 제2전하 생성 유닛, 제3발광 유닛, 제3전하 생성 유닛 및 제4발광 유닛이 차례로 배치될 수 있다.As another example, when m is 4, the first electrode, the first light emitting unit, the first charge generating unit, the second light emitting unit, the second charge generating unit, the third light emitting unit, the third charge generating unit, and the fourth light emitting unit The units may be placed one after the other.

상기 전하 생성 유닛(들) 중 적어도 하나가 n형 전하 생성층, p형 전하 생성층 및 p형 정공 주입층을 포함한다.At least one of the charge generation unit(s) includes an n-type charge generation layer, a p-type charge generation layer, and a p-type hole injection layer.

일 구현예로서, 상기 (m-1)개의 전하 생성 유닛 중, 제1전극에 (m-1)번째로 가까운 전하 생성 유닛을 제(m-1)전하 생성 유닛으로 지칭할 수 있다.As an embodiment, among the (m-1) charge generating units, the (m−1)th charge generating unit closest to the first electrode may be referred to as an (m−1)th charge generating unit.

도 2를 참조하면, 제(m-1)전하 생성 유닛(CGU(m-1))은 제(m-1) n형 전하 생성층(nCGL(m-1)), 제(m-1) p형 전하 생성층(pCGL(m-1)) 및 제(m-1) p형 정공 주입층(pHIL(m-1))을 포함한다.Referring to FIG. 2 , the (m-1)th charge generation unit CGU(m-1) includes the (m-1)th n-th charge generation layer nCGL(m-1)) and the (m-1)th charge generation layer (nCGL(m-1)). and a p-type charge generation layer (pCGL(m-1)) and a (m-1)th p-type hole injection layer (pHIL(m-1)).

상기 제(m-1)전하 생성 유닛(CGU(m-1)) 중 상기 제(m-1) n형 전하 생성층(nCGL(m-1)), 제(m-1) p형 전하 생성층(pCGL(m-1)) 및 상기 제(m-1) p형 정공 주입층(pHIL(m-1))이 순서대로 적층될 수 있다.The (m-1) n-th charge generation layer (nCGL(m-1)) of the (m-1)-th charge generation unit (CGU(m-1)) generates the (m-1)th p-type charge The layer pCGL(m-1) and the (m-1)th p-type hole injection layer pHIL(m-1) may be sequentially stacked.

일 구현예를 따르면, 상기 제(m-1) p형 전하 생성층(pCGL(m-1))은 상기 제(m-1) n형 전하 수송층(nCGL(m-1)) 및 상기 제(m-1) p형 정공 주입층(pHIL(m-1))과 직접 접할 수 있다.According to one embodiment, the (m-1)th p-type charge generation layer (pCGL(m-1)) includes the (m-1)th n-type charge transport layer (nCGL(m-1)) and the ( m-1) may be in direct contact with the p-type hole injection layer (pHIL(m-1)).

본 명세서 중 제(m-1)전하 생성 유닛에 포함된 각 구성에 관한 설명은 달리 명시되지 않는 한 "제(m-1)"으로 한정되지 않은 구성에 대한 설명을 참조할 수 있다. 예를 들어, "제(m-1) n형 전하 생성층"에 관한 설명은 달리 명시되지 않는 한 본 명세서 중 "n형 전하 생성층"에 관한 일반적인 설명을 참조할 수 있다.In the present specification, descriptions of components included in the (m-1)th charge generating unit may refer to descriptions of components not limited to “(m-1)th” unless otherwise specified. For example, for the description of "the (m-1) n-th n-type charge generation layer", the general description of the "n-type charge generation layer" in the present specification may be referred to unless otherwise specified.

[n형 전하 생성층] [n-type charge generation layer]

상기 n형 전하 생성층은 n형 유기 화합물 및 금속 재료를 포함할 수 있다.The n-type charge generating layer may include an n-type organic compound and a metal material.

일 구현예를 따르면, 상기 n형 유기 화합물은 페난트렌계 화합물 또는 포스핀옥사이드계 화합물일 수 있다.According to one embodiment, the n-type organic compound may be a phenanthrene-based compound or a phosphine oxide-based compound.

일 구현예를 따르면, 상기 n형 유기 화합물은 하기 화합물 N1, N2, N3 및 이와 유사한 페난트롤린계 화합물 중에서 선택될 수 있다:According to one embodiment, the n-type organic compound may be selected from the following compounds N1, N2, N3 and similar phenanthroline compounds:

다른 구현예에 따르면, 상기 n형 유기 화합물에 대한 설명은 본 명세서 중 전자 수송성 유기 화합물에 대한 설명은 참조할 수 있다.According to another embodiment, for the description of the n-type organic compound, reference may be made to the description of the electron transporting organic compound in the present specification.

상기 금속 재료는 알칼리 금속, 알칼리 금속의 합금, 알칼리 토금속, 알칼리 토금속의 합금, 란타나이드 금속 및 란타나이드 금속의 합금 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The metal material may include at least one selected from alkali metals, alkali metal alloys, alkaline earth metals, alkaline earth metal alloys, lanthanide metals, and lanthanide metal alloys.

예를 들어, 상기 금속 재료는 리튬(Li), 소듐(Na), Bi-Li 합금, 또는 Bi-Na 합금, 이터븀(Yb), 사마륨(Sm), 유로븀(Eu), 테르븀(Tb), 홀뮴(Ho) 및 디스프로슘(Dy) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the metal material may be lithium (Li), sodium (Na), a Bi-Li alloy, or a Bi-Na alloy, ytterbium (Yb), samarium (Sm), eurobium (Eu), or terbium (Tb). , and may include at least one selected from holmium (Ho) and dysprosium (Dy).

일 구현예를 따르면, 상기 n형 전하 생성층에 포함된 상기 n형 유기 화합물과 상기 금속 재료 간의 결합 에너지는 1.2 eV 이상, 예를 들어 1.25 eV 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 n형 유기 화합물과 상기 금속 재료 간의 결합 에너지가 1.25 eV 이상 5 eV 이하일 수 있다.According to one embodiment, the binding energy between the n-type organic compound and the metal material included in the n-type charge generation layer may be 1.2 eV or more, for example, 1.25 eV or more. For example, the binding energy between the n-type organic compound and the metal material may be 1.25 eV or more and 5 eV or less.

일 구현예를 따르면, 상기 n형 전하 생성층에 포함된 상기 n형 유기 화합물과 상기 금속 재료의 부피비는 99.9:0.1 내지 80:20일 수 있다.According to an exemplary embodiment, a volume ratio of the n-type organic compound and the metal material included in the n-type charge generation layer may be 99.9:0.1 to 80:20.

상기 결합 에너지 값은 예를 들어 Gaussian 0.9 B0.1을 이용하여 시뮬레이션하여 구할 수 있다.The binding energy value may be obtained by simulation using, for example, Gaussian 0.9 B0.1.

상기 n형 전하 생성층 중 상기 n형 유기 화합물과 상기 금속 재료 간의 결합 에너지가 높게 구성됨으로써, 상기 발광 소자의 전하의 흐름이 원활하고, 시간에 따라 구동 전압이 상승하는 현상이 방지될 수 있다.Since the bonding energy between the n-type organic compound and the metal material in the n-type charge generating layer is configured to be high, the flow of charges in the light emitting device is smooth, and a phenomenon in which the driving voltage increases with time can be prevented.

일 구현예를 따르면, 상기 금속 재료는 알칼리 금속 또는 알칼리 금속의 합금일 수 있고, 상기 n형 전하 생성층이 비스무스(Bi)를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the metal material may be an alkali metal or an alloy of an alkali metal, and the n-type charge generating layer may further include bismuth (Bi).

예를 들어, 상기 금속 재료는 알칼리 금속 및 비스무스(Bi)의 합금일 수 있다.For example, the metal material may be an alloy of an alkali metal and bismuth (Bi).

예를 들어, 상기 금속 재료는 리튬(Li), 소듐(Na), Bi-Li 합금, 또는 Bi-Na 합금일 수 있다.For example, the metal material may be lithium (Li), sodium (Na), a Bi-Li alloy, or a Bi-Na alloy.

상기 n형 전하 생성층이 알칼리 금속을 포함하도록 구성하는 경우에, 알칼리 금속이 공정 중에 쉽게 산화되어 녹는점이 높아지고, 이에 따라 공정 온도가 높아질 수 있다. 이러한 점에서 전술한 바와 같이 알칼리 금속과 비스무스의 합금을 상기 금속 재료로 이용함으로써 안정적으로 n형 전하 생성층을 구성할 수 있으며, 또한 녹는점이 낮아지므로 공정상으로도 이점이 있다.When the n-type charge generating layer is configured to include an alkali metal, the alkali metal is easily oxidized during the process to increase the melting point, and thus the process temperature may be increased. In this respect, as described above, by using an alloy of alkali metal and bismuth as the metal material, the n-type charge generating layer can be stably formed, and the melting point is lowered, so there is an advantage in terms of process.

다른 예를 들어, 상기 금속 재료는 이터븀(Yb), 사마륨(Sm), 유로븀(Eu), 테르븀(Tb), 홀뮴(Ho) 또는 디스프로슘(Dy)일 수 있다.As another example, the metal material may be ytterbium (Yb), samarium (Sm), eurobium (Eu), terbium (Tb), holmium (Ho), or dysprosium (Dy).

상기 n형 전하 생성층의 두께는 0.1 nm 내지 20 nm일 수 있다.The n-type charge generating layer may have a thickness of 0.1 nm to 20 nm.

또한, 상기 n형 전하 생성층은 인접한 발광 유닛의 전자 수송 영역과 직접 접촉할 수 있다. 구체적으로, 제(m-1)전하 생성 유닛(CGU(m-1))에 포함된 제(m-1) n형 전하 생성층(nCGL(m-1))은 제(m-1)발광 유닛(ELU(m-1))에 포함된 전자 주입층 또는 전자 수송층과 직접 접촉할 수 있다.In addition, the n-type charge generation layer may be in direct contact with an electron transport region of an adjacent light emitting unit. Specifically, the (m-1)th luminescence of the (m-1) n-th charge generation layer nCGL(m-1)) included in the (m-1)th charge generation unit CGU(m-1)) It may be in direct contact with the electron injection layer or the electron transport layer included in the unit ELU(m-1).

[p형 전하 생성층 및 p형 정공 주입층][p-type charge generation layer and p-type hole injection layer]

상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층은 각각 서로 독립적으로, 무기 반도체 재료를 포함할 수 있다.The p-type charge generating layer and the p-type hole injection layer may each independently include an inorganic semiconductor material.

일 구현예를 따르면, 상기 무기 반도체 재료는 전이 금속의 할로겐화물, 전이후 금속의 할로겐화물, 비스무트, 텔루륨, 전이 금속의 텔루르화물, 전이후 금속의 텔루르화물, 전이 금속의 황화물, 전이후 금속의 황화물, 전이 금속의 셀렌화물, 전이후 금속의 셀렌화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the inorganic semiconductor material is a transition metal halide, post-transition metal halide, bismuth, tellurium, transition metal telluride, post-transition metal telluride, transition metal sulfide, post-transition metal of sulfide, selenide of transition metal, selenide of post-transition metal, or any combination thereof.

일 구현예에 따른 발광 소자는 상기 전하 생성 유닛이 p형 전하 생성층 및 p형 정공 주입층을 포함하며, 상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층이 각각 서로 독립적으로, 무기 반도체 재료를 포함한다. 따라서, 상기 p형 정공 주입층이 상기 p형 전하 생성층으로터 인접한 발광 유닛으로 전하 생성 및 이동이 원활하도록 전하 생성 유닛과 발광 유닛 사이의 계면의 에너지 레벨을 제어하는 역할을 할 수 있고, 또한 계면에서의 재료의 열화가 방지되어 구동 전압의 상승이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 발광 소자는 향상된 수명 및/또는 휘도를 제공할 수 있다.In the light emitting device according to an embodiment, the charge generation unit includes a p-type charge generation layer and a p-type hole injection layer, and the p-type charge generation layer and the p-type hole injection layer are each independent of each other, and an inorganic semiconductor material includes Accordingly, the p-type hole injection layer may serve to control the energy level of the interface between the charge generation unit and the light emitting unit so that charge generation and movement from the p-type charge generation layer to the adjacent light emitting unit are smooth, and The deterioration of the material at the interface can be prevented, so that the increase of the driving voltage can be prevented. Accordingly, the light emitting device may provide improved lifetime and/or luminance.

예를 들어, 상기 무기 반도체 재료는 Bi, Te, AgI, CuI, NiI₂, CoI₂, PbI₂, SnI₂, AlI₃, GaI₃, InI₃, TiI₃, BiF₃, BiCl₃, BiBr₃, BiI₃, Bi₂S₃, Bi₂Se₃, Bi₂Te₃, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.For example, the inorganic semiconductor material is Bi, Te, AgI, CuI, NiI ₂ , CoI ₂ , PbI ₂ , SnI ₂ , AlI ₃ , GaI ₃ , InI ₃ , TiI ₃ , BiF ₃ , BiCl ₃ , BiBr ₃ , BiI ₃ , Bi ₂ S ₃ , Bi ₂ Se ₃ , Bi ₂ Te ₃ , or a combination thereof.

일 구현예를 따르면, 상기 p형 전하 생성층에 포함된 무기 반도체 재료와 상기 p형 정공 주입층에 포함된 무기 반도체 재료는 서로 동일할 수 있다.According to one embodiment, the inorganic semiconductor material included in the p-type charge generation layer and the inorganic semiconductor material included in the p-type hole injection layer may be the same.

또는, 일 구현예를 따르면, 상기 p형 전하 생성층에 포함된 무기 반도체 재료와 상기 p형 정공 주입층에 포함된 무기 반도체 재료가 서로 상이할 수 있다.Alternatively, according to an embodiment, the inorganic semiconductor material included in the p-type charge generating layer and the inorganic semiconductor material included in the p-type hole injection layer may be different from each other.

일 구현예를 따르면, 상기 p형 전하 생성층은 무기 반도체 재료로서 전이후 금속, 텔루륨, 전이후 금속의 할로겐화물, 전이후 금속의 황화물, 전이후 금속의 셀렌화물, 전이후 금속의 텔루르화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the p-type charge generating layer is an inorganic semiconductor material, and includes a post-transition metal, tellurium, a post-transition metal halide, a post-transition metal sulfide, a post-transition metal selenide, and a post-transition metal telluride. , or a combination thereof.

또한, 일 구현예를 따르면, 상기 p형 전하 생성층은 무기 반도체 재료로서 비스무트, 텔루륨, 비스무트의 할로겐화물, 비스무트의 황화물, 비스무트의 셀렌화물, 비스무트의 텔루르화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.Further, according to an embodiment, the p-type charge generating layer may include bismuth, tellurium, a halide of bismuth, a sulfide of bismuth, a selenide of bismuth, a telluride of bismuth, or a combination thereof as an inorganic semiconductor material. can

예를 들어, 상기 p형 전하 생성층은 Bi, Te, BiF₃, BiCl₃, BiBr₃, BiI₃, Bi₂S₃, Bi₂Se₃, Bi₂Te₃, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.For example, the p-type charge generating layer may include Bi, Te, BiF ₃ , BiCl ₃ , BiBr ₃ , BiI ₃ , Bi ₂ S ₃ , Bi ₂ Se ₃ , Bi ₂ Te ₃ , or a combination thereof. have.

일 구현예를 따르면, 상기 p형 정공 주입층은 무기 반도체 재료로서 전이 금속의 할로겐화물, 예를 들어 전이 금속의 요오드화물을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the p-type hole injection layer may include, as an inorganic semiconductor material, a halide of a transition metal, for example, an iodide of a transition metal.

예를 들어, 상기 p형 정공 주입층은 CuI를 포함할 수 있다.For example, the p-type hole injection layer may include CuI.

일 구현예를 따르면, 상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층은 각각 서로 독립적으로, 정공 수송성 유기 화합물을 더 포함할 수 있다. 정공 수송성 유기 화합물에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.According to an embodiment, the p-type charge generating layer and the p-type hole injection layer may each independently include a hole transporting organic compound. For a description of the hole transporting organic compound, reference may be made to the description herein.

상기 p형 전하 생성층에 포함된 정공 수송성 유기 화합물과 상기 p형 정공 주입층에 포함된 정공 수송성 유기 화합물은 서로 동일할 수 있다. 또는, 상기 p형 전하 생성층에 포함된 정공 수송성 유기 화합물과 상기 p형 정공 주입층에 포함된 정공 수송성 유기 화합물이 서로 상이할 수 있다.The hole transporting organic compound included in the p-type charge generating layer and the hole transporting organic compound included in the p-type hole injection layer may be the same as each other. Alternatively, the hole transporting organic compound included in the p-type charge generating layer and the hole transporting organic compound included in the p-type hole injection layer may be different from each other.

일 구현예를 따르면, 상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층 중 상기 정공 수송성 화합물의 부피가 상기 무기 반도체 재료의 부피 이상일 수 있다.According to an exemplary embodiment, a volume of the hole transporting compound in the p-type charge generating layer and the p-type hole injection layer may be greater than or equal to a volume of the inorganic semiconductor material.

일 구현예를 따르면, 상기 p형 전하 생성층 중, 상기 정공 수송성 화합물에 대한 상기 무기 반도체 재료의 부피비는 99:1 내지 80:20일 수 있다.According to one embodiment, in the p-type charge generating layer, a volume ratio of the inorganic semiconductor material to the hole transporting compound may be 99:1 to 80:20.

일 구현예를 따르면, 상기 p형 정공 주입층 중, 상기 정공 수송성 화합물에 대한 상기 무기 반도체 재료의 부피비는 99.9:0.1 내지 70:30, 예를 들어 99:1 내지 80:20일 수 있다.According to one embodiment, in the p-type hole injection layer, a volume ratio of the inorganic semiconductor material to the hole transporting compound may be 99.9:0.1 to 70:30, for example, 99:1 to 80:20.

상기 정공 수송성 화합물 및 상기 무기 반도체 재료의 부피비는 발광 소자 제작시 각 재료의 증착 속도에 따라 결정될 수 있다. 또한, 발광 소자 내에서 상기 정공 수송성 화합물 및 상기 무기 반도체 재료의 부피비는 상기 각 재료의 질량을 측정하여 그로부터 계산하여 알 수 있다.A volume ratio of the hole transporting compound and the inorganic semiconductor material may be determined according to a deposition rate of each material when manufacturing a light emitting device. In addition, the volume ratio of the hole transporting compound and the inorganic semiconductor material in the light emitting device can be found by measuring the mass of each material and calculating therefrom.

상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층의 두께는 0.1 nm 내지 20 nm일 수 있다.The p-type charge generating layer and the p-type hole injection layer may have a thickness of 0.1 nm to 20 nm.

[발광 유닛][Light emitting unit]

상기 제1전극(110) 상부에는 m개의 발광 유닛들이 배치되어 있다.m light emitting units are disposed on the first electrode 110 .

일 구현예로서, 상기 m개의 발광 유닛들 중, 제1전극에 m번째로 가까운 발광 유닛을 제m발광 유닛(ELU(m))으로 지칭할 수 있다.As an embodiment, among the m light emitting units, the mth light emitting unit closest to the first electrode may be referred to as an m th light emitting unit ELU(m).

도 3을 참조하여, 상기 m개의 발광 유닛들 중 상기 제1전극에 가장 가까운 발광 유닛은 제1발광 유닛(ELU(1))으로 하고, 상기 제1전극에 가장 먼 발광 유닛은 제m발광 유닛(ELU(m))으로 하며, 상기 제1발광 유닛(ELU(1)) 내지 상기 제m발광 유닛(ELU(m))은 차례로 배치된다. 즉, 상기 제1전극(ELU(1))과 상기 제m발광 유닛(ELU(m)) 사이에는 제(m-1)발광 유닛(CGU(m-1)이 개재된다.Referring to FIG. 3 , among the m light emitting units, the light emitting unit closest to the first electrode is the first light emitting unit ELU ( 1 ), and the light emitting unit furthest to the first electrode is the mth light emitting unit. (ELU(m)), the first light emitting unit ELU(1) to the mth light emitting unit ELU(m) are sequentially arranged. That is, the (m−1)th light emitting unit CGU(m−1) is interposed between the first electrode ELU( 1 ) and the mth light emitting unit ELU(m).

도 3 및 4를 참조하여, 일 구현예에 따른 발광 소자는 상기 m개의 발광 유닛들 중, 제1전극에 m번째로 가까운 제m발광 유닛이 제m정공 수송 영역(HT(m)), 제m발광층(EML(m)), 제m전자 수송 영역(ET(m))을 포함한다.3 and 4 , in the light emitting device according to an exemplary embodiment, among the m light emitting units, the mth light emitting unit closest to the mth electrode is the mth hole transport region HT(m), the mth light emitting unit and an m-emission layer EML(m) and an m-th electron transport region ET(m).

본 명세서 중 제m발광 유닛에 포함된 각 구성에 관한 설명은 달리 명시되지 않는 한 "제m"으로 한정되지 않은 구성에 대한 설명을 참조할 수 있다. 예를 들어, "제m발광층"에 관한 설명은 달리 명시되지 않는 한 본 명세서 중 "발광층"에 관한 일반적인 설명을 참조할 수 있다.In the present specification, descriptions of components included in the mth light emitting unit may refer to descriptions of components not limited to “mth” unless otherwise specified. For example, for the description of "the mth light emitting layer", unless otherwise specified, in the present specification, reference may be made to the general description of the "light emitting layer".

상기 정공 수송 영역은, 각각 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고, 상기 전자 수송 영역은, 각각 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.Each of the hole transport regions includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, or any combination thereof, and the electron transport region includes a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, or any combination thereof, respectively. can do.

도 4를 참조하여, 일 구현예를 따르면, 상기 제1전극(110)이 애노드이고, 상기 제2전극(190)이 캐소드이고, 4, according to one embodiment, the first electrode 110 is an anode, the second electrode 190 is a cathode,

상기 제1전극(110) 및 상기 제2전극(190) 사이에 개재된 제m발광 유닛(ELU(m)); 상기 제1전극 및 상기 제m발광 유닛(ELU(m)) 사이에 개재된 제(m-1)발광 유닛(ELU(m-1)); 상기 제m발광 유닛(ELU(m)) 및 상기 제(m-1)발광 유닛(ELU(m-1)) 사이에 개재된 제(m-1)전하 생성 유닛(CGU(m-1));을 포함하고; an m-th light-emitting unit ELU(m) interposed between the first electrode 110 and the second electrode 190; an (m-1)th light emitting unit ELU(m-1) interposed between the first electrode and the mth light emitting unit ELU(m); (m-1)th charge generation unit (CGU(m-1)) interposed between the mth light emitting unit ELU(m) and the (m-1)th light emitting unit ELU(m-1)) including;

상기 제m발광 유닛(ELU(m))은 제m발광층(EML(m))을 포함하고, 상기 제(m-1)발광 유닛(ELU(m-1))은 제(m-1)발광층(EML(m-1))을 포함하고, The m-th light-emitting unit ELU(m) includes an m-th light-emitting layer EML(m), and the (m-1)-th light-emitting unit ELU(m-1)) includes an (m-1)-th light-emitting layer. (EML(m-1)),

상기 제(m-1)발광 유닛(ELU(m-1))은 상기 제1전극(110) 및 상기 제(m-1)발광층(EML(m-1)) 사이에 개재된 제(m-1)정공 수송 영역(HT(m-1)); 및 상기 제m발광층(EML(m)) 및 상기 제(m-1)전하 생성 유닛(CGU(m-1)) 사이에 개재된 제(m-1)전자 수송 영역(ET(m-1));을 더 포함하고, The (m-1)th light emitting unit ELU(m-1)) is an (m−)th light emitting unit interposed between the first electrode 110 and the (m−1)th light emitting layer EML(m−1). 1) hole transport region (HT(m-1)); and an (m-1)th electron transport region ET(m-1) interposed between the mth light emitting layer EML(m) and the (m-1)th charge generation unit CGU(m-1). ); further including;

상기 제m발광 유닛(ELU(m))은 상기 제(m-1)전하 생성 유닛(CGU(m-1)) 및 상기 제m발광층(EML(m)) 사이에 개재된 제m정공 수송 영역(HT(m)); 및 상기 제m발광층(EML(m)) 및 상기 제2전극(190) 사이에 개재된 제m전자 수송 영역(ET(m))을 더 포함하고, The mth light emitting unit ELU(m) is an mth hole transport region interposed between the (m−1)th charge generation unit CGU(m−1) and the mth light emitting layer EML(m). (HT(m)); and an m-th electron transport region ET(m) interposed between the m-th light emitting layer EML(m) and the second electrode 190,

상기 복수의 정공 수송 영역들(HT(m-1), HT(m))은, 각각 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고, 상기 복수의 전자 수송 영역들(ET(m-1), ET(m))은, 각각 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.Each of the plurality of hole transport regions HT(m-1) and HT(m) includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, or any combination thereof, and the plurality of electron transport regions ( ET(m-1) and ET(m)) may each include a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, or any combination thereof.

[정공 수송 영역][Hole transport area]

상기 발광 소자는 상기 제1전극 또는 상기 전하 생성 유닛에 직접 접촉는 정공 수송 영역을 포함할 수 있다. 상기 정공 수송 영역은 정공 수송성 유기 화합물을 포함할 수 있다.The light emitting device may include a hole transport region in direct contact with the first electrode or the charge generating unit. The hole transport region may include a hole transport organic compound.

본 명세서 중, "정공 수송성 유기 화합물"은 정공 수송성을 갖는 유기물을 모두 의미한다.In the present specification, "hole-transporting organic compound" means any organic material having hole-transporting properties.

구체적으로, 상기 정공 수송성 유기 화합물은 m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB(NPD), β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, 메틸화된 NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민)), PANI/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid (폴리아닐린/도데실벤젠술폰산)), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트))), PANI/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid (폴리아닐린/캠퍼술폰산)), PANI/PSS (Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다:Specifically, the hole transporting organic compound is m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB (NPD), β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, methylated NPB, TAPC, HMTPD, TCTA (4, 4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), PANI/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid )), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate) (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate))), PANI/CSA ( Polyaniline/Camphor sulfonic acid (polyaniline/camphorsulfonic acid), PANI/PSS (Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) (polyaniline/poly(4-styrenesulfonate)), a compound represented by the following Chemical Formula 201 and a compound represented by the following Chemical Formula 202 It may include at least one selected from the indicated compounds:

<화학식 201><Formula 201>

<화학식 202><Formula 202>

상기 화학식 201 및 202 중,In Formulas 201 and 202,

L₂₀₁ 내지 L₂₀₄는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,L ₂₀₁ to L ₂₀₄ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cyclo Alkenylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, substituted or unsubstituted It is selected from a cyclic divalent non-aromatic condensed polycyclic group and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,

L₂₀₅는, *-O-*', *-S-*', *-N(Q₂₀₁)-*', 치환 또는 비치환된 C₁-C₂₀알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₂₀알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,L ₂₀₅ is, *-O-*', *-S-*', *-N(Q ₂₀₁ )-*', a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₂₀ alkylene group, a substituted or unsubstituted C ₂ - C ₂₀ alkenylene group, substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group, substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenylene group, A substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, a substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, a substituted or unsubstituted divalent It is selected from a non-aromatic condensed polycyclic group and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,

xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,xa1 to xa4 are each independently selected from an integer of 0 to 3,

xa5는 1 내지 10의 정수 중에서 선택되고,xa5 is selected from an integer of 1 to 10,

R₂₀₁ 내지 R₂₀₄ 및 Q₂₀₁은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.R ₂₀₁ to R ₂₀₄ and Q ₂₀₁ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ Cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, substituted or unsubstituted a C ₆ -C ₆₀ arylthio group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic hetero condensed group It may be selected from a polycyclic group.

예를 들어, 상기 화학식 202 중 R₂₀₁과 R₂₀₂는, 선택적으로(optionally), 단일 결합, 디메틸-메틸렌기 또는 디페닐-메틸렌기를 통하여 서로 연결될 수 있고, R₂₀₃과 R₂₀₄는, 선택적으로, 단일 결합, 디메틸-메틸렌기 또는 디페닐-메틸렌기를 통하여 서로 연결될 수 있다.For example, in Formula 202, R ₂₀₁ and R ₂₀₂ may be optionally connected to each other through a single bond, a dimethyl-methylene group, or a diphenyl-methylene group, and R ₂₀₃ and R ₂₀₄ are optionally, They may be linked to each other through a single bond, a dimethyl-methylene group, or a diphenyl-methylene group.

일 실시예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 중,According to one embodiment, in Formulas 201 and 202,

L₂₀₁ 내지 L₂₀₅는 서로 독립적으로,L ₂₀₁ to L ₂₀₅ are each independently,

페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 오발레닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기 및 피리디닐렌기; 및Phenylene group, pentalenylene group, indenylene group, naphthylene group, azulenylene group, heptalenylene group, indacenylene group, acenaphthylene group, fluorenylene group, spiro-bifluorenylene group, benzofluorene Nylene group, dibenzofluorenylene group, phenalenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, fluoranthenylene group, triphenylenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, naphthacenylene group, picenylene group, phenyl Relenylene group, pentaphenylene group, hexacenylene group, pentacenylene group, rubycenylene group, coronenylene group, ovalenylene group, thiophenylene group, furanylene group, carbazolylene group, indolylene group, isoindolylene group , benzofuranylene group, benzothiophenylene group, dibenzofuranylene group, dibenzothiophenylene group, benzocarbazolylene group, dibenzocarbazolylene group, dibenzosilolylene group and pyridinylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C₁-C₁₀알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃) 및 -N(Q₃₁)(Q₃₂) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 오발레닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기 및 피리디닐렌기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, C ₁ -C ₁₀ phenyl group substituted with an alkyl group, -F substituted phenyl group, pentale Nyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group , phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, Rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazole phenyl, substituted with at least one selected from a diyl group, a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group, a pyridinyl group, -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ) and -N(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ) Rene group, pentalenylene group, indenylene group, naphthylene group, azulenylene group, heptalenylene group, indacenylene group, acenaphthylene group, fluorenylene group, spiro-bifluorenylene group, benzofluorenyl group Ren group, dibenzofluorenylene group, phenalenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, fluoranthenylene group, triphenylenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, naphthacenylene group, picenylene group, perylene group Nylene group, pentaphenylene group, hexacenylene group, pentacenylene group, rubycenylene group, coronenylene group, ovalenylene group, thiophenylene group, furanylene group, carbazolylene group, indolylene group, isoindolylene group, a benzofuranylene group, a benzothiophenylene group, a dibenzofuranylene group, a dibenzothiophenylene group, a benzocarbazolylene group, a dibenzocarbazolylene group, a dibenzosilolylene group, and a pyridinylene group;

중에서 선택되고,is selected from

상기 Q₃₁ 내지 Q₃₃은 서로 독립적으로, C₁-C₁₀알킬기, C₁-C₁₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.The Q ₃₁ to Q ₃₃ may be each independently selected from a C ₁ -C ₁₀ alkyl group, a C ₁ -C ₁₀ alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and a naphthyl group.

다른 실시예에 따르면, xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.According to another embodiment, xa1 to xa4 may each independently be 0, 1, or 2.

또 다른 실시예에 따르면, xa5는 1, 2, 3 또는 4일 수 있다.According to another embodiment, xa5 may be 1, 2, 3 or 4.

또 다른 실시예에 따르면, R₂₀₁ 내지 R₂₀₄ 및 Q₂₀₁은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및According to another embodiment, R ₂₀₁ to R ₂₀₄ and Q ₂₀₁ are each independently selected from a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a pentalenyl group, an indenyl group, a naphthyl group, an azulenyl group, a heptalenyl group, an indacenyl group, Acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, phi Renyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubysenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazole group diary, indolyl group, isoindolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosilolyl group and pyridinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C₁-C₁₀알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃) 및 -N(Q₃₁)(Q₃₂) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, C ₁ -C ₁₀ phenyl group substituted with an alkyl group, -F substituted phenyl group, pentale Nyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group , phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, Rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazole A phenyl group substituted with at least one selected from a diyl group, a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group, a pyridinyl group, -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ) and -N(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ) , biphenyl group, terphenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, Dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group , hexacenyl group, pentacenyl group, rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, dibenzofuranyl group , a dibenzothiophenyl group, a benzocarbazolyl group, a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group and a pyridinyl group;

중에서 선택될 수 있고,can be selected from

상기 Q₃₁ 내지 Q₃₃에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.For the description of Q ₃₁ to Q ₃₃ , refer to the bar described herein.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 201 중 R₂₀₁ 내지 R₂₀₃ 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로,According to another embodiment, at least one of R ₂₀₁ to R ₂₀₃ in Formula 201 may be each independently selected from the group consisting of:

플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및a fluorenyl group, a spiro-bifluorenyl group, a carbazolyl group, a dibenzofuranyl group and a dibenzothiophenyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C₁-C₁₀알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, C ₁ -C ₁₀ phenyl group substituted with an alkyl group, -F substituted phenyl group, naphthyl group , fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, carbazolyl group, dibenzofuranyl group and at least one substituted with dibenzothiophenyl group substituted, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, carbazolyl group, di a benzofuranyl group and a dibenzothiophenyl group;

중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.may be selected from, but is not limited thereto.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 202 중 i) R₂₀₁과 R₂₀₂은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있거나, 및/또는 ii) R₂₀₃과 R₂₀₄은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.According to another embodiment, in Formula 202, i) R ₂₀₁ and R ₂₀₂ may be connected to each other through a single bond, and/or ii) R ₂₀₃ and R ₂₀₄ may be connected to each other through a single bond.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 202 중 R₂₀₁ 내지 R₂₀₄ 중 적어도 하나는,According to another embodiment, at least one of R ₂₀₁ to R ₂₀₄ in Formula 202 is

카바졸일기; 및carbazolyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C₁-C₁₀알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 카바졸일기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, C ₁ -C ₁₀ phenyl group substituted with an alkyl group, -F substituted phenyl group, naphthyl group , a carbazolyl group substituted with at least one selected from a fluorenyl group, a spiro-bifluorenyl group, a carbazolyl group, a dibenzofuranyl group and a dibenzothiophenyl group;

상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있다:The compound represented by Chemical Formula 201 may be represented by the following Chemical Formula 201A:

<화학식 201A><Formula 201A>

예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A(1)로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:For example, the compound represented by Chemical Formula 201 may be represented by the following Chemical Formula 201A(1), but is not limited thereto:

<화학식 201A(1)><Formula 201A(1)>

또 다른 예로서, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A-1로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:As another example, the compound represented by Formula 201 may be represented by Formula 201A-1 below, but is not limited thereto:

<화학식 201A-1><Formula 201A-1>

한편, 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A로 표시될 수 있다:Meanwhile, the compound represented by Chemical Formula 202 may be represented by the following Chemical Formula 202A:

<화학식 202A><Formula 202A>

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A-1로 표시될 수 있다:According to another embodiment, the compound represented by Formula 202 may be represented by Formula 202A-1 below:

<화학식 202A-1><Formula 202A-1>

상기 화학식 201A, 201A(1), 201A-1, 202A 및 202A-1 중,In Formulas 201A, 201A(1), 201A-1, 202A and 202A-1,

L₂₀₁ 내지 L₂₀₃, xa1 내지 xa3, xa5 및 R₂₀₂내지 R₂₀₄에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,For the description of L ₂₀₁ to L ₂₀₃ , xa1 to xa3, xa5 and R ₂₀₂ to R ₂₀₄ refer to the description in the present specification,

R₂₁₁ 및 R₂₁₂에 대한 설명은 본 명세서 중 R₂₀₃에 대한 설명을 참조하고,For the description of R ₂₁₁ and R ₂₁₂ , refer to the description of R ₂₀₃ in the present specification,

R₂₁₃ 내지 R₂₁₇은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C₁-C₁₀알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기 중에서 선택될 수 있다.R ₂₁₃ to R ₂₁₇ are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, an amidino group, a hydrazino group, a hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, C ₁ -C ₁₀ alkyl group substituted phenyl group, -F substituted phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzoflu Orenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group , pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, di It may be selected from a benzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, a benzocarbazolyl group, a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group, and a pyridinyl group.

상기 정공 수송 영역은 하기 화합물 HT1 내지 HT39 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The hole transport region may include at least one compound selected from the following compounds HT1 to HT39, but is not limited thereto:

[정공 수송 영역 중 정공 주입층][Hole injection layer in the hole transport region]

일 구현예를 따르면, 상기 발광 소자의 발광 유닛에 포함된 정공 수송 영역이 정공 주입층을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the hole transport region included in the light emitting unit of the light emitting device may include a hole injection layer.

일 구현예를 따르면, 상기 정공 주입층에 대한 설명은 상기 p형 정공 주입층에 대한 설명을 참조할 수 있다. 예를 들어, 상기 정공 주입층은 무기 반도체 재료를 포함할 수 있다. 무기 반도체 재료에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.According to one embodiment, the description of the hole injection layer may refer to the description of the p-type hole injection layer. For example, the hole injection layer may include an inorganic semiconductor material. A description of the inorganic semiconductor material may be referred to as described herein.

일 구현예를 따르면, 상기 정공 주입층에 포함된 무기 반도체 재료는 상기 p형 정공 주입층에 포함된 무기 반도체 재료와 서로 동일할 수 있다. 또는, 일 구현예를 따르면, 상기 정공 주입층에 포함된 무기 반도체 재료는 상기 p형 정공 주입층에 포함된 무기 반도체 재료와 서로 상이할 수 있다.According to one embodiment, the inorganic semiconductor material included in the hole injection layer may be the same as the inorganic semiconductor material included in the p-type hole injection layer. Alternatively, according to an embodiment, the inorganic semiconductor material included in the hole injection layer may be different from the inorganic semiconductor material included in the p-type hole injection layer.

일 구현예를 따르면, 상기 정공 주입층은 정공 수송성 화합물을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the hole injection layer may further include a hole transport compound.

일 구현예를 따르면, 상기 정공 주입층은 상기 무기 반도체 재료 및 상기 정공 수송성 화합물로 이루어질(consist of) 수 있다.According to an embodiment, the hole injection layer may consist of the inorganic semiconductor material and the hole transport compound.

일 구현예를 따르면, 상기 정공 주입층이 상기 p형 정공 주입층과 실질적으로 동일한 재료를 포함하는 것일 수 있다. 또는, 일 구현예를 따르면, 상기 정공 주입층은 상기 p형 정공 주입층과는 독립적으로 선택된 무기 반도체 재료 및/또는 정공 수송성 화합물을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the hole injection layer may include substantially the same material as the p-type hole injection layer. Alternatively, according to an embodiment, the hole injection layer may include an inorganic semiconductor material and/or a hole transport compound independently selected from the p-type hole injection layer.

도 3 및 4를 참조하여, 상기 제(m-1)정공 수송 영역(HT(m-1))이 제(m-1)정공 주입층을 포함하고, 상기 제(m-1)정공 주입층이 제1전극(110) 및 제(m-1)전하 생성 유닛(CGU(m-1)) 중 적어도 하나와 인접하고, 무기 반도체 재료를 포함할 수 있다.3 and 4 , the (m−1)th hole transport region HT(m−1) includes a (m−1)th hole injection layer, and the (m−1)th hole injection layer It may be adjacent to at least one of the first electrode 110 and the (m−1)th charge generating unit CGU(m−1), and may include an inorganic semiconductor material.

또한, 일 구현예를 따르면, 상기 제(m-1)정공 주입층은 상기 제1전극에 직접 접하는(in direct contact) 것일 수 있다. 예를 들어, 제1발광 유닛(ELU(1))에 포함된 제1정공 수송 영역(HT(1))이 제1정공 주입층을 포함하고, 상기 제1정공 주입층이 제1전극(110)과 직접 접하고, 무기 반도체 재료를 포함할 수 있다.Also, according to an exemplary embodiment, the (m-1)th hole injection layer may be in direct contact with the first electrode. For example, the first hole transport region HT( 1 ) included in the first light emitting unit ELU( 1 ) includes a first hole injection layer, and the first hole injection layer includes the first electrode 110 . ) and may contain an inorganic semiconductor material.

일 구현예에 따른 발광 소자는 상기 정공 주입층이 무기 반도체 재료를 포함할 수 있고, 이에 따라 제1전극 또는 전하 생성 유닛과의 계면에서의 전하 생성 및 이동이 원활하며, 또한 각 층 사이의 계면의 열화가 방지되어 구동 전압의 상승이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 발광 소자는 향상된 수명 및/또는 휘도를 제공할 수 있다.In the light emitting device according to an embodiment, the hole injection layer may include an inorganic semiconductor material, and thus charge generation and movement at the interface with the first electrode or the charge generation unit is smooth, and the interface between each layer Deterioration of the driving voltage may be prevented, thereby preventing an increase in the driving voltage. Accordingly, the light emitting device may provide improved lifetime and/or luminance.

상기 정공 주입층의 두께는 0.1 nm 내지 20 nm, 예를 들어 0.1 nm 내지 10 nm일 수 있다. 상술한 범위를 만족하는 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.The hole injection layer may have a thickness of 0.1 nm to 20 nm, for example, 0.1 nm to 10 nm. When the above-described range is satisfied, a satisfactory level of hole injection characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

[정공 수송 영역 중 정공 수송층][Hole transport layer in hole transport region]

상기 발광 소자 중 발광 유닛은 상기 발광층에 직접 접촉하는 정공 수송층을 구비할 수 있다.Among the light emitting devices, the light emitting unit may include a hole transport layer in direct contact with the light emitting layer.

상기 정공 수송층은 정공 수송성 유기 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The hole transport layer may include at least one selected from hole transporting organic compounds.

일 구현예를 따르면, 상기 정공 수송층이 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토금속의 할로겐화물, 란타나이드 금속의 할로겐화물, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the hole transport layer may further include a halide of an alkali metal, a halide of an alkaline earth metal, a halide of a lanthanide metal, or any combination thereof.

도 3 및 4를 참조하여, 상기 제m정공 수송 영역(HT(m))이 상기 제m발광층(ELU(m))과 인접한 제m정공 수송층을 포함하고, 상기 제m정공 수송층이 정공 수송성 유기 화합물을 포함할 수 있다.3 and 4 , the mth hole transport region HT(m) includes an mth hole transport layer adjacent to the mth light emitting layer ELU(m), and the mth hole transport layer is an organic hole transporting layer compounds may be included.

또한, 예를 들어, 상기 제m정공 수송층이 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토금속의 할로겐화물, 란타나이드 금속의 할로겐화물, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다.Also, for example, the mth hole transport layer may further include a halide of an alkali metal, a halide of an alkaline earth metal, a halide of a lanthanide metal, or any combination thereof.

상기 정공 수송층 100 부피부 중, 상기 정공 수송성 유기 화합물이 50 부피부 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 정공 수송층 중 상기 정공 수송성 유기 화합물이 50 부피부 내지 99.9 부피부로 포함될 수 있다.Among 100 parts by volume of the hole transport layer, the amount of the hole transporting organic compound may be 50 parts by volume or more. For example, 50 to 99.9 parts by volume of the hole transporting organic compound may be included in the hole transporting layer.

상기 정공 수송층의 두께는 0.1 nm 내지 10 nm일 수 있다. 상술한 범위를 만족하면, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.The hole transport layer may have a thickness of 0.1 nm to 10 nm. When the above-described range is satisfied, a satisfactory level of hole transport characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

[정공 수송 영역 중 전하-생성 물질][Charge-generating material in the hole transport region]

상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 또는, 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 중 정공 주입층을 제외한 다른 층에 포함될 수 있다.The hole transport region may further include a charge-generating material to improve conductivity in addition to the above-described material. The charge-generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed in the hole transport region. Alternatively, the charge-generating material may be included in a layer other than the hole injection layer in the hole transport region.

상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다.The charge-generating material may be, for example, a p-dopant.

일 실시예에 따르면, 상기 p-도펀트의 LUMO는 -3.5eV 이하일 수 있다.According to an embodiment, the LUMO of the p-dopant may be -3.5 eV or less.

상기 p-도펀트는, 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The p-dopant may include at least one selected from a quinone derivative, a metal oxide, and a cyano group-containing compound, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 p-도펀트는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체;For example, the p-dopant may include quinone derivatives such as TCNQ (Tetracyanoquinodimethane) and F4-TCNQ (2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane);

텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물;metal oxides such as tungsten oxide and molybdenum oxide;

HAT-CN(1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile); 및HAT-CN (1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile); and

하기 화학식 221로 표시되는 화합물;A compound represented by the following Chemical Formula 221;

중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:It may include at least one selected from, but is not limited thereto:

<HAT-CN> <F4-TCNQ><HAT-CN> <F4-TCNQ>

<화학식 221><Formula 221>

상기 화학식 221 중,In Formula 221,

R₂₂₁ 내지 R₂₂₃은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되되, 상기 R₂₂₁ 내지 R₂₂₃ 중 적어도 하나는 시아노기, -F, -Cl, -Br, -I, -F로 치환된 C₁-C₂₀알킬기, -Cl로 치환된 C₁-C₂₀알킬기, -Br로 치환된 C₁-C₂₀알킬기 및 -I로 치환된 C₁-C₂₀알킬기 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기를 갖는다.R ₂₂₁ to R ₂₂₃ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group , substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent It is selected from a non-aromatic condensed polycyclic group and a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, wherein at least one of R ₂₂₁ to R ₂₂₃ is a cyano group, -F, -Cl, -Br, -I, At least selected from a C ₁ -C ₂₀ alkyl group substituted with -F, a C ₁ -C ₂₀ alkyl group substituted with -Cl, a C ₁ -C ₂₀ alkyl group substituted with -Br and a C ₁ -C ₂₀ alkyl group substituted with -I It has one substituent.

[발광층][Light emitting layer]

도시하지는 않았으나, 상기 발광 유닛들은 각각 발광층을 포함한다. 구체적으로, 상기 발광 유닛 1개 당 1개의 발광층을 포함할 수 있다.Although not shown, each of the light emitting units includes a light emitting layer. Specifically, one light emitting layer may be included per one light emitting unit.

상기 복수의 발광층은 각각 서로 다른 색의 빛을 방출할 수도 있고, 서로 같은 색의 빛을 방출할 수도 있다. 예를 들어, 상기 복수의 발광층들은 모두 청색광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The plurality of light emitting layers may emit light of different colors, respectively, or may emit light of the same color. For example, all of the plurality of emission layers may emit blue light, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광층은 유기 화합물 및 반도체 화합물 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 특히, 상기 발광층이 유기 화합물을 포함하는 경우, 상기 발광 소자는 유기 발광 소자로 지칭될 수 있다.The light emitting layer may include at least one selected from an organic compound and a semiconductor compound, but is not limited thereto. In particular, when the light emitting layer includes an organic compound, the light emitting device may be referred to as an organic light emitting device.

구체적으로, 상기 유기 화합물은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.Specifically, the organic compound may include a host and a dopant.

구체적으로, 상기 반도체 화합물은 양자점일 수 있으며, 즉, 상기 발광 소자는 양자점 발광 소자일 수 있다.Specifically, the semiconductor compound may be a quantum dot, that is, the light emitting device may be a quantum dot light emitting device.

또는, 상기 반도체 화합물은 유기 및/또는 무기 페로브스카이트일 수 있다.Alternatively, the semiconductor compound may be an organic and/or inorganic perovskite.

상기 발광층의 두께는 약 0.1 nm 내지 100 nm일 수 있다. 구체적으로, 상기 발광층의 두께는 15 nm 내지 50 nm일 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 발광층이 청색광을 방출하는 경우 상기 청색 발광층의 두께는 15 nm 내지 20 nm일 수 있고, 상기 발광층이 녹색광을 방출하는 경우, 상기 녹색 발광층의 두께는 20 nm 내지 40 nm일 수 있고, 상기 발광층이 적색광을 방출하는 경우, 상기 적색 발광층의 두께는 40 nm 내지 50nm일 수 있다. 전술한 범위를 만족하는 경우, 상기 발광 소자는 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.The light emitting layer may have a thickness of about 0.1 nm to 100 nm. Specifically, the light emitting layer may have a thickness of 15 nm to 50 nm. More specifically, when the light-emitting layer emits blue light, the thickness of the blue light-emitting layer may be 15 nm to 20 nm, and when the light-emitting layer emits green light, the thickness of the green light-emitting layer may be 20 nm to 40 nm, and , when the light emitting layer emits red light, the thickness of the red light emitting layer may be 40 nm to 50 nm. When the above-described range is satisfied, the light emitting device may exhibit excellent light emitting characteristics without a substantial increase in driving voltage.

상기 유기 발광 소자의 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 인광 도펀트, 형광 도펀트, 지연 형광 도펀트, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The emission layer of the organic light emitting device may include a host and a dopant. The dopant may include a phosphorescent dopant, a fluorescent dopant, a delayed fluorescent dopant, or any combination thereof.

상기 발광층 중 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부에 대하여, 약 0.01 중량부 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The content of the dopant in the emission layer may be generally selected from about 0.01 parts by weight to about 15 parts by weight based on about 100 parts by weight of the host, but is not limited thereto.

상기 호스트는 하기 화학식 301로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The host may include a compound represented by the following Chemical Formula 301.

<화학식 301><Formula 301>

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21 [Ar ₃₀₁ ] _xb11 -[(L ₃₀₁ ) _xb1 -R ₃₀₁ ] _xb21

상기 화학식 301 중,In Formula 301,

Ar₃₀₁은 치환 또는 비치환된 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로시클릭 그룹이고,Ar ₃₀₁ is a substituted or unsubstituted C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group or a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heterocyclic group,

xb11은 1, 2 또는 3이고,xb11 is 1, 2 or 3,

L₃₀₁은, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,L ₃₀₁ is a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenylene group, a substituted or Unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, substituted or unsubstituted divalent non- It is selected from a condensed aromatic polycyclic group and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,

xb1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,xb1 is selected from an integer of 0 to 5,

R₃₀₁은, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀알킬기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₆₀알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₆₀알키닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀알콕시기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃), -N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂), -B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂), -C(=O)(Q₃₀₁), -S(=O)₂(Q₃₀₁) 및 -P(=O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂) 중에서 선택되고,R ₃₀₁ is deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ Alkyl group, substituted or unsubstituted C ₂ -C ₆₀ alkenyl group, substituted or unsubstituted C ₂ -C ₆₀ alkynyl group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ alkoxy group, substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted A substituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, a substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, a substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylthio group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl Group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, -Si(Q ₃₀₁ )(Q ₃₀₂ )(Q ₃₀₃ ), -N(Q ₃₀₁ )(Q ₃₀₂ ), -B(Q ₃₀₁ )(Q ₃₀₂ ), -C(=O)(Q ₃₀₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₃₀₁ ) and -P(=O)(Q ₃₀₁ ) ) (Q ₃₀₂ ),

xb21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,xb21 is selected from an integer of 1 to 5,

Q₃₀₁ 내지 Q₃₀₃는 서로 독립적으로, C₁-C₁₀알킬기, C₁-C₁₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Q ₃₀₁ to Q ₃₀₃ may be each independently selected from a C ₁ -C ₁₀ alkyl group, a C ₁ -C ₁₀ alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and a naphthyl group, but is not limited thereto.

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 301 중 Ar₃₀₁은,According to one embodiment, Ar ₃₀₁ in Formula 301 is,

나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹; 및Naphthalene group, fluorene group, spiro-bifluorene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, phenalene group, phenanthrene group, anthracene group, fluoranthene group, triphenylene group, pyrene group , chrysene group, naphthacene group, picene group, perylene group, pentaphen group, indenoanthracene group, dibenzofuran group and dibenzothiophene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃), -N(Q₃₁)(Q₃₂), -B(Q₃₁)(Q₃₂), -C(=O)(Q₃₁), -S(=O)₂(Q₃₁) 및 -P(=O)(Q₃₁)(Q₃₂) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ), -N(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), -B(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), - C(=O)(Q ₃₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₃₁ ) and -P(=O)(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ) substituted with at least one selected from a naphthalene group, a fluorene group, Spiro-bifluorene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, phenalene group, phenanthrene group, anthracene group, fluoranthene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, naphthacene group, picene group, perylene group, pentaphen group, indenoanthracene group, dibenzofuran group and dibenzothiophene group;

중에서 선택되고,is selected from

Q₃₁ 내지 Q₃₃은 서로 독립적으로, C₁-C₁₀알킬기, C₁-C₁₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Q ₃₁ to Q ₃₃ may be each independently selected from a C ₁ -C ₁₀ alkyl group, a C ₁ -C ₁₀ alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and a naphthyl group, but is not limited thereto.

상기 화학식 301 중 xb11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar₃₀₁은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.In Formula 301, when xb11 is two or more, two or more Ar ₃₀₁ may be connected to each other through a single bond.

다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 301로 표시되는 화합물은 하기 화학식 301-1 또는 301-2로 표시될 수 있다:According to another embodiment, the compound represented by Chemical Formula 301 may be represented by the following Chemical Formula 301-1 or 301-2:

<화학식 301-1><Formula 301-1>

<화학식 301-2><Formula 301-2>

상기 화학식 301-1 내지 301-2 중In Formulas 301-1 to 301-2,

A₃₀₁ 내지 A₃₀₄는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페난트렌 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 벤조카바졸 그룹, 디벤조카바졸 그룹, 퓨란 그룹, 벤조퓨란 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 나프토퓨란 그룹, 벤조나프토퓨란 그룹, 디나프토퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 나프토티오펜 그룹, 벤조나프토티오펜 그룹 및 디나프토티오펜 그룹 중에서 선택되고,A ₃₀₁ to A ₃₀₄ are each independently, a benzene group, a naphthalene group, a phenanthrene group, a fluoranthene group, a triphenylene group, a pyrene group, a chrysene group, a pyridine group, a pyrimidine group, an indene group, fluorene Group, spiro-bifluorene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, indole group, carbazole group, benzocarbazole group, dibenzocarbazole group, furan group, benzofuran group, dibenzofuran group , selected from naphthofuran group, benzonaphthofuran group, dinaphthofuran group, thiophene group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, naphthothiophene group, benzonaphthothiophene group and dinaphthothiophene group become,

X₃₀₁은 O, S 또는 N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]이고,X ₃₀₁ is O, S or N-[(L ₃₀₄ ) _xb4 -R ₃₀₄ ],

R₃₁₁ 내지 R₃₁₄는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기 -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃), -N(Q₃₁)(Q₃₂), -B(Q₃₁)(Q₃₂), -C(=O)(Q₃₁), -S(=O)₂(Q₃₁) 및 -P(=O)(Q₃₁)(Q₃₂) 중에서 선택되고,R ₃₁₁ to R ₃₁₄ are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, an amidino group, a hydrazino group, a hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ), -N(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), - B(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), -C(=O)(Q ₃₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₃₁ ) and -P(=O)(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ); ,

xb22 및 xb23은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2이고,xb22 and xb23 are each independently 0, 1 or 2,

L₃₀₁, xb1, R₃₀₁ 및 Q₃₁ 내지 Q₃₃에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,Description of L ₃₀₁ , xb1, R ₃₀₁ and Q ₃₁ to Q ₃₃ refer to the bar described in the present specification,

L₃₀₂ 내지 L₃₀₄에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 L₃₀₁에 대한 설명을 참조하고,For descriptions of L ₃₀₂ to L ₃₀₄ , refer to the description of L ₃₀₁ , independently of each other,

xb2 내지 xb4에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 xb1에 대한 설명을 참조하고,For the description of xb2 to xb4, independently of each other, refer to the description of xb1,

R₃₀₂ 내지 R₃₀₄에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 R₃₀₁에 대한 설명을 참조한다.For the description of R ₃₀₂ to R ₃₀₄ independently of each other, refer to the description of R ₃₀₁ .

예를 들어, 상기 화학식 301, 301-1 및 301-2 중 L₃₀₁ 내지 L₃₀₄는 서로 독립적으로,For example, in Formulas 301, 301-1 and 301-2, L ₃₀₁ to L ₃₀₄ are each independently

페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기; 및Phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-bifluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, fluoranthenylene group, triphenyl Renylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, perylenylene group, pentaphenylene group, hexacenylene group, pentacenylene group, thiophenylene group, furanylene group, carbazolylene group, indolylene group, isoindolylene group, benzo furanylene group, benzothiophenylene group, dibenzofuranylene group, dibenzothiophenylene group, benzocarbazolylene group, dibenzocarbazolylene group, dibenzosilolylene group, pyridinylene group, imidazolylene group, pyrazolylene group , thiazolylene group, isothiazolylene group, oxazolylene group, isoxazolylene group, thiadiazolylene group, oxadiazolylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, triazinylene group, quinolinyl Ren group, isoquinolinylene group, benzoquinolinylene group, phthalazinylene group, naphthyridinylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group, cinolinylene group, phenanthridinylene group, acridinylene group, phenane Trollinylene group, phenazinylene group, benzoimidazolylene group, isobenzothiazolylene group, benzoxazolylene group, isobenzoxazolylene group, triazolylene group, tetrazollylene group, imidazopyridinylene group, imidazopyrimidi a nylene group and an azacarbazolylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃), -N(Q₃₁)(Q₃₂), -B(Q₃₁)(Q₃₂), -C(=O)(Q₃₁), -S(=O)₂(Q₃₁) 및 -P(=O)(Q₃₁)(Q₃₂) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl Renyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group , dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosilolyl group, pyridinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazole Diary, isoxazolyl group, thiadiazolyl group, oxadiazolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group , isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, azacarbazolyl group, -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ), -N( Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), -B(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), -C(=O)(Q ₃₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₃₁ ), and -P(=O)(Q ₃₁ ) (Q ₃₂ ) substituted with at least one selected from a phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, a spiro-bifluorenylene group, a benzofluorenylene group, a dibenzofluorenylene group, a phenanthrenyl group Ren group, anthracenylene group, fluoranthenylene group, triphenylenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, perylenylene group, pentaphenylene group, hexacenylene group, pentacenylene group, thiophenylene group, furanylene group, carba Zolylene group, indolylene group, isoindolylene group, benzofuranylene group, benzothiophenylene group, dibenzofuranylene group, dibenzothiophenylene group, benzocarbazolylene group, Dibenzocarbazolylene group, dibenzosilolylene group, pyridinylene group, imidazolylene group, pyrazolylene group, thiazolylene group, isothiazolylene group, oxazolylene group, isoxazolylene group, thiadiazolylene group, oxadia Zolylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, triazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, benzoquinolinylene group, phthalazinylene group, naphthyridinylene group, quinoxali Nylene group, quinazolinylene group, cinolinylene group, phenanthridinylene group, acridinylene group, phenanthrolinylene group, phenazinylene group, benzoimidazolylene group, isobenzothiazolylene group, benzoxazolylene group, iso a benzoxazolylene group, a triazolylene group, a tetrazolylene group, an imidazopyridinylene group, an imidazopyrimidinylene group, and an azacarbazolylene group;

중에서 선택되고,is selected from

상기 Q₃₁ 내지 Q₃₃에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.For the description of Q ₃₁ to Q ₃₃ , reference may be made to the bar described in the present specification.

다른 예로서, 상기 화학식 301, 301-1 및 301-2 중 R₃₀₁ 내지 R₃₀₄는 서로 독립적으로,As another example, in Formulas 301, 301-1, and 301-2, R ₃₀₁ to R ₃₀₄ are each independently

페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기; 및Phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl group Nyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, Dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosilolyl group, pyridinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group , isoxazolyl group, thiadiazolyl group, oxadiazolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group , naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, an isobenzooxazolyl group, a triazolyl group, a tetrazolyl group, an imidazopyridinyl group, an imidazopyrimidinyl group, and an azacarbazolyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃), -N(Q₃₁)(Q₃₂), -B(Q₃₁)(Q₃₂), -C(=O)(Q₃₁), -S(=O)₂(Q₃₁) 및 -P(=O)(Q₃₁)(Q₃₂) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl Renyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group , dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosilolyl group, pyridinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazole Diary, isoxazolyl group, thiadiazolyl group, oxadiazolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group , isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, azacarbazolyl group, -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ), -N( Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), -B(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), -C(=O)(Q ₃₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₃₁ ), and -P(=O)(Q ₃₁ ) (Q ₃₂ ) substituted with at least one selected from a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a spiro-bifluorenyl group, a benzofluorenyl group, a dibenzofluorenyl group, a phenanthrenyl group , anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group , isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosyl group rollyl group, pyridinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, thiadiazolyl group, oxadiazolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, Pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, phenanthridinyl group, arc Lidinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, isobenzothiazolyl group, benzooxazolyl group, isobenzoxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyridinyl group midinyl group and azacarbazolyl group;

중에서 선택되고,is selected from

또 다른 예로서, 상기 호스트는 알칼리토 금속 착체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 호스트는 Be 착체 (예를 들면, 하기 화합물 H55), Mg 착체 및 Zn 착체 중에서 선택될 수 있다.As another example, the host may include an alkaline earth metal complex. For example, the host may be selected from a Be complex (eg, compound H55 below), an Mg complex, and a Zn complex.

상기 호스트는 ADN (9,10-Di(2-naphthyl)anthracene), MADN (2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), TBADN (9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene), CBP (4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl), mCP (1,3-di-9-carbazolylbenzene), TCP (1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene) 및 하기 화합물 H1 내지 H55 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The host is ADN (9,10-Di(2-naphthyl)anthracene), MADN (2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), TBADN (9,10-di-(2- naphthyl)-2-t-butyl-anthracene), CBP (4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl), mCP (1,3-di-9-carbazolylbenzene), TCP (1 ,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene) and at least one selected from the following compounds H1 to H55, but is not limited thereto:

또는, 상기 호스트는 실리콘-함유 화합물(예를 들면, 하기 실시예에서 사용된 BCPDS 등) 및 포스핀 옥사이드-함유 화합물(예를 들면, 하기 실시예에서 사용된 POPCPA 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Alternatively, the host may include at least one of a silicon-containing compound (e.g., BCPDS as used in the examples below) and a phosphine oxide-containing compound (e.g., POPCPA as used in the examples below). can

상기 호스트는 1종의 화합물만을 포함하거나, 서로 상이한 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있는 등(예를 들면, 하기 실시예의 호스트는 BCPDS 및 POPCPA로 이루어짐), 다양한 변형이 가능하다.The host may include only one compound or may include two or more different compounds (eg, the host in the following examples is made of BCPDS and POPCPA), and various modifications are possible.

상기 인광 도펀트는 하기 화학식 401로 표시되는 유기금속 착체를 포함할 수 있다:The phosphorescent dopant may include an organometallic complex represented by the following Chemical Formula 401:

<화학식 401><Formula 401>

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2 M(L ₄₀₁ ) _xc1 (L ₄₀₂ ) _xc2

<화학식 402><Formula 402>

상기 화학식 401 및 402 중,In Formulas 401 and 402,

M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 로듐(Rh) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택되고,M is iridium (Ir), platinum (Pt), palladium (Pd), osmium (Os), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), europium (Eu), terbium (Tb), rhodium (Rh) ) and thulium (Tm),

L₄₀₁은 상기 화학식 402로 표시되는 리간드 중에서 선택되고, xc1은 1, 2 또는 3이고, xc1이 2 이상일 경우 2 이상의 L₄₀₁은 서로 동일하거나 상이하고,L ₄₀₁ is selected from the ligands represented by Formula 402, xc1 is 1, 2, or 3, and when xc1 is 2 or more, two or more L ₄₀₁ are the same as or different from each other,

L₄₀₂는 유기 리간드이고, xc2는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고, xc2가 2 이상일 경우 2 이상의 L₄₀₂는 서로 동일하거나 상이하고,L ₄₀₂ is an organic ligand, xc2 is selected from an integer of 0 to 4, and when xc2 is 2 or more, two or more L ₄₀₂ are the same as or different from each other,

X₄₀₁ 내지 X₄₀₄는 서로 독립적으로, 질소 또는 탄소이고,X ₄₀₁ to X ₄₀₄ are each independently nitrogen or carbon,

X₄₀₁과 X₄₀₃은 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되고, X₄₀₂와 X₄₀₄는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되고,X ₄₀₁ and X ₄₀₃ are connected through a single bond or a double bond, X ₄₀₂ and X ₄₀₄ are connected through a single bond or a double bond,

A₄₀₁ 및 A₄₀₂는 서로 독립적으로, C₅-C₆₀카보시클릭 그룹 또는 C₁-C₆₀헤테로시클릭 그룹이고,A ₄₀₁ and A ₄₀₂ are each independently a C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group or a C ₁ -C ₆₀ heterocyclic group,

X₄₀₅는 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q₄₁₁)-*', *-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*', *-C(Q₄₁₁)=C(Q₄₁₂)-*', *-C(Q₄₁₁)=*' 또는 *=C(Q₄₁₁)=*'이고, 상기 Q₄₁₁ 및 Q₄₁₂는, 수소, 중수소, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고,X ₄₀₅ is a single bond, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q ₄₁₁ )-*', *-C(Q ₄₁₁ )( Q ₄₁₂ )-*', *-C(Q ₄₁₁ )=C(Q ₄₁₂ )-*', *-C(Q ₄₁₁ )=*' or *=C(Q ₄₁₁ )=*', wherein Q ₄₁₁ and Q ₄₁₂ is hydrogen, deuterium, a C ₁ -C ₂₀ alkyl group, a C ₁ -C ₂₀ alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or a naphthyl group,

X₄₀₆은 단일 결합, O 또는 S이고,X ₄₀₆ is a single bond, O or S,

R₄₀₁ 및 R₄₀₂는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₂₀알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₂₀알콕시기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃), -N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂), -B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂), -C(=O)(Q₄₀₁), -S(=O)₂(Q₄₀₁) 및 -P(=O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂) 중에서 선택되고, 상기 Q₄₀₁ 내지 Q₄₀₃은 서로 독립적으로, C₁-C₁₀알킬기, C₁-C₁₀알콕시기, C₆-C₂₀아릴기 및 C₁-C₂₀헤테로아릴기 중에서 선택되고,R ₄₀₁ and R ₄₀₂ are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, an amidino group, a hydrazino group, a hydrazono group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₂₀ alkyl group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₂₀ alkoxy group, substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, A substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, a substituted or unsubstituted C ₆ - C ₆₀ aryloxy group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylthio group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, -Si(Q ₄₀₁ )(Q ₄₀₂ )(Q ₄₀₃ ), -N(Q ₄₀₁ )(Q ₄₀₂ ), -B(Q ₄₀₁ )(Q ₄₀₂ ), -C(=O)(Q ₄₀₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₄₀₁ ) and -P(=O)(Q ₄₀₁ )(Q ₄₀₂ ), wherein Q ₄₀₁ to Q ₄₀₃ are independent of each other , selected from a C ₁ -C ₁₀ alkyl group, a C ₁ -C ₁₀ alkoxy group, a C ₆ -C ₂₀ aryl group and a C ₁ -C ₂₀ heteroaryl group,

xc11 및 xc12는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중에서 선택되고,xc11 and xc12 are each independently selected from an integer of 0 to 10;

상기 화학식 402 중 * 및 *'은 상기 화학식 401 중 M과의 결합 사이트이다.In Formula 402, * and *' represent a binding site with M in Formula 401.

일 실시예에 따르면, 상기 화학식 402 중 A₄₀₁ 및 A₄₀₂는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-바이플루오렌 그룹, 인덴 그룹, 피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란(furan) 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸(isoxazole) 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 카바졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조퓨란(benzofuran) 그룹, 벤조티오펜 그룹, 이소벤조티오펜 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 디벤조퓨란(dibenzofuran) 그룹 및 디벤조티오펜 그룹 중에서 선택될 수 있다.According to one embodiment, in Formula 402, A ₄₀₁ and A ₄₀₂ may each independently represent a benzene group, a naphthalene group, a fluorene group, a spiro-bifluorene group, an indene group, a pyrrole group, a thiophene group, furan ( furan) group, imidazole group, pyrazole group, thiazole group, isothiazole group, oxazole group, isoxazole group, pyridine group, pyrazine group, pyrimidine group, pyridazine group, quinoline group, iso Quinoline group, benzoquinoline group, quinoxaline group, quinazoline group, carbazole group, benzoimidazole group, benzofuran group, benzothiophene group, isobenzothiophene group, benzoxazole group, isobenzoxa It may be selected from a sol group, a triazole group, a tetrazole group, an oxadiazole group, a triazine group, a dibenzofuran group and a dibenzothiophene group.

다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 402 중 i) X₄₀₁은 질소이고, X₄₀₂는 탄소이거나, 또는 ii) X₄₀₁과 X₄₀₂가 모두 질소일 수 있다.According to another embodiment, in Formula 402, i) X ₄₀₁ may be nitrogen, X ₄₀₂ may be carbon, or ii) both X ₄₀₁ and X ₄₀₂ may be nitrogen.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 402 중 R₄₀₁ 및 R₄₀₂는 서로 독립적으로,According to another embodiment, in Formula 402, R ₄₀₁ and R ₄₀₂ are each independently

수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기 및 C₁-C₂₀알콕시기;Hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group and C ₁ -C ₂₀ alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 페닐기, 나프틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기 및 노르보네닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₁-C₂₀알킬기 및 C₁-C₂₀알콕시기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, phenyl group, naphthyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, ada a C ₁ -C ₂₀ alkyl group and a C ₁ -C ₂₀ alkoxy group substituted with at least one selected from a mantanyl group, a norbornanyl group and a norbornenyl group;

시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;Cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantanyl group, norbornanyl group, norbornenyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, dibenzofuranyl group and dibenzothiophenyl group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantanyl group, norbornanyl group, norbornenyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyrida substituted with at least one selected from a zinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolinyl group, a carbazolyl group, a dibenzofuranyl group, and a dibenzothiophenyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group Sil group, adamantanyl group, norbornanyl group, norbornenyl group phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, qui a nolinyl group, an isoquinolinyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolinyl group, a carbazolyl group, a dibenzofuranyl group and a dibenzothiophenyl group; and

-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃), -N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂), -B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂), -C(=O)(Q₄₀₁), -S(=O)₂(Q₄₀₁) 및 -P(=O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂);-Si(Q ₄₀₁ )(Q ₄₀₂ )(Q ₄₀₃ ), -N(Q ₄₀₁ )(Q ₄₀₂ ), -B(Q ₄₀₁ )(Q ₄₀₂ ), -C(=O)(Q ₄₀₁ ), -S (=O) ₂ (Q ₄₀₁ ) and -P(=O)(Q ₄₀₁ )(Q ₄₀₂ );

중에서 선택되고,is selected from

상기 Q₄₀₁ 내지 Q₄₀₃은 서로 독립적으로, C₁-C₁₀알킬기, C₁-C₁₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The Q ₄₀₁ to Q ₄₀₃ may be each independently selected from a C ₁ -C ₁₀ alkyl group, a C ₁ -C ₁₀ alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group, but is not limited thereto.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 401 중 xc1이 2 이상일 경우, 2 이상의 L₄₀₁ 중 2개의 A₄₀₁은 선택적으로(optionally), 연결기인 X₄₀₇을 통하여 서로 연결되거나, 2개의 A₄₀₂는 선택적으로, 연결기인 X₄₀₈을 통하여 서로 연결될 수 있다 (하기 화합물 PD1 내지 PD4 및 PD7 참조). 상기 X₄₀₇ 및 X₄₀₈은 서로 독립적으로, 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q₄₁₃)-*', *-C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)-*' 또는 *-C(Q₄₁₃)=C(Q₄₁₄)-*' (여기서, Q₄₁₃ 및 Q₄₁₄는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기임)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to another embodiment, when xc1 in Formula 401 is 2 or more, two A ₄₀₁ of two or more L ₄₀₁ are optionally connected to each other through a linking group X ₄₀₇ , or two A ₄₀₂ are optionally , may be linked to each other through a linking group, X ₄₀₈ (see compounds PD1 to PD4 and PD7 below). The X ₄₀₇ and X ₄₀₈ are each independently a single bond, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q ₄₁₃ )-*', *-C(Q ₄₁₃ )(Q ₄₁₄ )-*' or *-C(Q ₄₁₃ )=C(Q ₄₁₄ )-*', wherein Q ₄₁₃ and Q ₄₁₄ are independently of each other hydrogen, deuterium, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group or naphthyl group), but is not limited thereto.

상기 화학식 401 중 L₄₀₂는 임의의 1가, 2가 또는 3가의 유기 리간드일 수 있다. 예를 들어, 상기 L₄₀₂는 할로겐, 디케톤 (예를 들면, 아세틸아세토네이트), 카르복실산(예를 들면, 피콜리네이트), -C(=O), 이소니트릴, -CN 및 포스포러스 (예를 들면, 포스핀(phosphine), 포스파이트(phosphite)) 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In Formula 401, L ₄₀₂ may be any monovalent, divalent, or trivalent organic ligand. For example, L ₄₀₂ is halogen, diketone (eg, acetylacetonate), carboxylic acid (eg, picolinate), -C(=O), isonitrile, -CN and phosphorus (For example, phosphine, phosphite) may be selected from, but is not limited thereto.

또는, 상기 유기금속 인광 도펀트 화합물은 예를 들어, 하기 화합물 PD1 내지 PD25 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:Alternatively, the organometallic phosphorescent dopant compound may be, for example, selected from the following compounds PD1 to PD25, but is not limited thereto:

상기 형광 도펀트는 아릴아민 화합물 또는 스티릴아민 화합물을 포함할 수 있다.The fluorescent dopant may include an arylamine compound or a styrylamine compound.

상기 형광 도펀트는 하기 화학식 501로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:The fluorescent dopant may include a compound represented by the following Chemical Formula 501:

<화학식 501><Formula 501>

상기 화학식 501 중,In Formula 501,

Ar₅₀₁은 치환 또는 비치환된 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로시클릭 그룹이고,Ar ₅₀₁ is a substituted or unsubstituted C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group or a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heterocyclic group,

L₅₀₁ 내지 L₅₀₃은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,L ₅₀₁ to L ₅₀₃ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cyclo Alkenylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, substituted or unsubstituted It is selected from a cyclic divalent non-aromatic condensed polycyclic group and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,

xd1 내지 xd3는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,xd1 to xd3 are each independently selected from an integer of 0 to 3,

R₅₀₁ 및 R₅₀₂는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,R ₅₀₁ and R ₅₀₂ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group , substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylthio group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group selected,

xd4는 1 내지 6의 정수 중에서 선택될 수 있다.xd4 may be selected from an integer of 1 to 6.

일 실시예에 따르면, 상기 화학식 501 중 Ar₅₀₁은,According to one embodiment, Ar ₅₀₁ in Formula 501 is,

나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 및 인데노페난트렌 그룹; 및Naphthalene group, heptalene group, fluorene group, spiro-bifluorene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, phenalene group, phenanthrene group, anthracene group, fluoranthene group, triphenylene group , pyrene group, chrysene group, naphthacene group, picene group, perylene group, pentaphen group, indenoanthracene group and indenophenanthrene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 및 인데노페난트렌 그룹;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, and naphthyl group substituted with at least one selected from, naphthalene group, heptalene group, fluorene group, spiro-bifluorene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, phenalene group, phenanthrene group, anthracene group, fluoranthene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, naphthacene group, pisene group, perylene group, pentaphene group, indenoanthracene group and indenophenane Tren group;

중에서 선택될 수 있다.can be selected from

다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 501 중 L₅₀₁ 내지 L₅₀₃은 서로 독립적으로,According to another embodiment, L ₅₀₁ to L ₅₀₃ in Formula 501 are each independently

페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기; 및Phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-bifluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, fluoranthenylene group, triphenyl Renylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, perylenylene group, pentaphenylene group, hexacenylene group, pentacenylene group, thiophenylene group, furanylene group, carbazolylene group, indolylene group, isoindolylene group, benzo furanylene group, benzothiophenylene group, dibenzofuranylene group, dibenzothiophenylene group, benzocarbazolylene group, dibenzocarbazolylene group, dibenzosilolylene group, pyridinylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl Renyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group , a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, a benzocarbazolyl group, a dibenzocarbazolyl group, a phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, substituted with at least one selected from a dibenzosilolyl group and a pyridinyl group Rho-bifluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, fluoranthenylene group, triphenylenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, perylene group Nylene group, pentaphenylene group, hexacenylene group, pentacenylene group, thiophenylene group, furanylene group, carbazolylene group, indolylene group, isoindolylene group, benzofuranylene group, benzothiophenylene group, dibenzofuranyl Ren group, dibenzothiophenylene group, benzocarbazolylene group, dibenzocarbazolylene group, dibenzosilolylene group, pyridinylene group;

중에서 선택될 수 있다.can be selected from

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 501 중 R₅₀₁ 및 R₅₀₂는 서로 독립적으로,According to another embodiment, in Formula 501, R ₅₀₁ and R ₅₀₂ are each independently

페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및Phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl group Nyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, a benzocarbazolyl group, a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group and a pyridinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기 및 -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl Renyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group , a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, a benzocarbazolyl group, a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group, a pyridinyl group, and -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ) Substituted with at least one selected from phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, tri Phenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothio a phenyl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, a benzocarbazolyl group, a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group and a pyridinyl group;

중에서 선택되고,is selected from

상기 Q₃₁ 내지 Q₃₃은 C₁-C₁₀알킬기, C₁-C₁₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.Q ₃₁ to Q ₃₃ may be selected from a C ₁ -C ₁₀ alkyl group, a C ₁ -C ₁₀ alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and a naphthyl group.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 501 중 xd4는 2일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to another embodiment, xd4 in Formula 501 may be 2, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물 FD1 내지 FD22 중에서 선택될 수 있다:For example, the fluorescent dopant may be selected from the following compounds FD1 to FD22:

또는, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물들 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Alternatively, the fluorescent dopant may be selected from the following compounds, but is not limited thereto.

상기 지연 형광 도펀트는 하기 화학식 502로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:The delayed fluorescence dopant may include a compound represented by the following Chemical Formula 502:

<화학식 502><Formula 502>

상기 화학식 502 중,In Formula 502,

A₅₀₁ 내지 A₅₀₃은 서로 독립적으로, C₅-C₆₀카보시클릭 그룹 또는 C₁-C₆₀헤테로시클릭 그룹이고,A ₅₀₁ to A ₅₀₃ are each independently a C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group or a C ₁ -C ₆₀ heterocyclic group,

L₅₀₁ 내지 L₅₀₅는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,L ₅₀₁ to L ₅₀₅ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cyclo Alkenylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, substituted or unsubstituted It is selected from a cyclic divalent non-aromatic condensed polycyclic group and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,

a501 내지 a505는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,a501 to a505 are each independently selected from an integer of 0 to 3,

R₅₀₃ 내지 R₅₀₇은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,R ₅₀₃ to R ₅₀₇ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ alkyl group, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, substituted or an unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, a substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylthio group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and substituted or unsubstituted selected from a cyclic monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,

c11 내지 c13는 0 내지 6의 정수 중에서 선택될 수 있다.c11 to c13 may be selected from an integer of 0 to 6.

일 실시예에 따르면, 상기 화학식 502 중, A₅₀₁ 내지 A₅₀₃는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 인데노페난트렌 그룹 및 하기 화학식 503으로 표시되는 그룹; 중에서 선택될 수 있다:According to an embodiment, in Formula 502, A ₅₀₁ to A ₅₀₃ may each independently represent a benzene group, a naphthalene group, a heptalene group, a fluorene group, a spiro-bifluorene group, a benzofluorene group, and a dibenzo Fluorene group, phenalene group, phenanthrene group, anthracene group, fluoranthene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, naphthacene group, pisene group, perylene group, pentaphen group, indeno an anthracene group, an indenophenanthrene group and a group represented by the following formula 503; can be selected from:

<화학식 503><Formula 503>

상기 화학식 503 중,In Formula 503,

A₅₀₄ 내지 A₅₀₆에 대한 설명은 상기 화학식 502 중의 A₅₀₁에 대한 설명을 참조하고,For the description of A ₅₀₄ to A ₅₀₆ , refer to the description of A ₅₀₁ in Formula 502 above,

L₅₀₄ 내지 L₅₀₈에 대한 설명은 상기 화학식 502 중의 L₅₀₁에 대한 설명을 참조하고,For the description of L ₅₀₄ to L ₅₀₈ , refer to the description of L ₅₀₁ in Formula 502 above,

a504 내지 a508에 대한 설명은 상기 화학식 502 중의 a501에 대한 설명을 참조하고,For the description of a504 to a508, refer to the description of a501 in Formula 502 above,

R₅₀₆ 내지 R₅₁₀에 대한 설명은 상기 화학식 502 중의 R₅₀₃에 대한 설명을 참조하고,For the description of R ₅₀₆ to R ₅₁₀ , refer to the description of R ₅₀₃ in Formula 502,

c14 내지 c16에 대한 설명은 상기 화학식 502 중의 c11에 대한 설명을 참조한다.For the description of c14 to c16, refer to the description of c11 in Formula 502 above.

다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 502 중 L₅₀₁ 내지 L₅₀₅에 대한 설명은 전술한 바를 참조한다.According to another embodiment, the description of L ₅₀₁ to L ₅₀₅ in Chemical Formula 502 is as described above.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 502 중 R₅₀₃ 내지 R₅₀₇은 서로 독립적으로,According to another embodiment, in Formula 502, R ₅₀₃ to R ₅₀₇ are each independently

메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및Methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spy Rho-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group , hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, di a benzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group and a pyridinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기 및 -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl Renyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group , a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, a benzocarbazolyl group, a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group, a pyridinyl group, and -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ) Substituted with at least one selected from methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group , spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, Pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group , a dibenzocarbazolyl group, a dibenzosilolyl group and a pyridinyl group;

중에서 선택되고,is selected from

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 502 중, c11 내지 c13은 0 또는 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to another embodiment, in Formula 502, c11 to c13 may be 0 or 1, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 지연 형광 도펀트 화합물은 하기 화합물 FD23 내지 FD25 중에서 선택될 수 있다:For example, the delayed fluorescence dopant compound may be selected from the following compounds FD23 to FD25:

상기 양자점 발광 소자의 발광층은 양자점을 포함할 수 있다. 즉, 상기 양자점 발광 소자는 양자점 발광층을 포함한다. 상기 양자점 발광층은 다수의 양자점(무기 나노 입자)을 단일층 또는 복수의 층으로 배열한 것이다.The light emitting layer of the quantum dot light emitting device may include quantum dots. That is, the quantum dot light emitting device includes a quantum dot light emitting layer. The quantum dot light emitting layer is an arrangement of a plurality of quantum dots (inorganic nanoparticles) in a single layer or a plurality of layers.

본 명세서 중, 양자점은 반도체 화합물의 결정을 의미하며, 결정의 크기에 따라 다른 길이의 발광 파장을 방출하는 모든 물질을 포괄할 수 있다. 따라서, 상기 양자점을 구성하는 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않는다.In the present specification, a quantum dot refers to a crystal of a semiconductor compound, and may encompass all materials emitting light-emitting wavelengths of different lengths depending on the size of the crystal. Therefore, the type of compound constituting the quantum dot is not particularly limited.

구체적으로, 상기 양자점은 III-VI족 반도체 화합물; II-VI족 반도체 화합물; III-V족 반도체 화합물; IV-VI족 반도체 화합물; IV족 원소 또는 화합물; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 반도체 물질을 포함할 수 있다.Specifically, the quantum dot is a group III-VI semiconductor compound; group II-VI semiconductor compounds; III-V semiconductor compounds; group IV-VI semiconductor compounds; Group IV element or compound; and a semiconductor material selected from the group consisting of combinations thereof.

예를 들어, 상기 III-VI족 반도체 화합물은 In₂S₃와 같은 이원소 화합물; AgInS, AgInS₂, CuInS, CuInS₂ 및 이들의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the group III-VI semiconductor compound may include a binary compound such as In ₂ S ₃ ; AgInS, AgInS ₂ , CuInS, CuInS ₂ and may be selected from a three-element compound selected from the group consisting of compounds thereof, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 II-VI족 반도체 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the II-VI semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgZnTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnS, MgZnS and mixtures of three members selected from the group consisting of: bovine compounds; and CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.

예를 들어, 상기 III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the group III-V semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, and mixtures thereof; and GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. However, the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 상기 IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the group IV-VI semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; and a quaternary compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 IV족 원소 또는 화합물은 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 단일원소 화합물; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the group IV element or compound is a single element compound selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; and SiC, SiGe, and a binary compound selected from the group consisting of mixtures thereof, but is not limited thereto.

이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.In this case, the binary compound, the ternary compound, or the quaternary compound may be present in the particle at a uniform concentration, or may be present in the same particle as the concentration distribution is partially divided into different states.

한편, 상기 양자점은 균일한 단일 구조 또는 코어-쉘의 이중 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 코어-쉘은 상이한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 코어와 쉘을 이루는 물질은 서로 다른 반도체 화합물로 이루어질 수 있다.Meanwhile, the quantum dots may have a uniform single structure or a core-shell double structure. For example, the core-shell may include different materials. For example, materials constituting each of the core and the shell may be formed of different semiconductor compounds.

상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.The shell of the quantum dot may serve as a protective layer for maintaining semiconductor properties by preventing chemical modification of the core and/or as a charging layer for imparting electrophoretic properties to the quantum dots. The shell may be single-layered or multi-layered. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of the element present in the shell decreases toward the center.

상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO₂, Al₂O₃, TiO₂, ZnO, MnO, Mn₂O₃, Mn₃O₄, CuO, FeO, Fe₂O₃, Fe₃O₄, CoO, Co₃O₄, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl₂O₄, CoFe₂O₄, NiFe₂O₄, CoMn₂O₄ 등의 삼원소 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 등을 예시할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the shell of the quantum dot may include a metal or non-metal oxide, a semiconductor compound, or a combination thereof. For example, the oxide of the metal or non-metal is SiO ₂ , Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , ZnO, MnO, Mn ₂ O ₃ , Mn ₃ O ₄ , CuO, FeO, Fe ₂ O ₃ , Fe ₃ O ₄ , It may include a binary compound such as CoO, Co ₃ O ₄ , NiO, or a ternary compound such as MgAl ₂ O ₄ , CoFe ₂ O ₄ , NiFe ₂ O ₄ , CoMn ₂ O ₄ , but is not limited thereto. . For example, the semiconductor compound is CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, etc. may be exemplified, but is not limited thereto.

상기 양자점의 직경은 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어 약 1 nm 내지 10 nm일 수 있다. 상기 양자점의 크기를 조절함으로써, 에너지 밴드 갭의 조절이 가능하므로, 양자점 발광층에서 다양한 파장대의 빛을 얻을 수 있다. 따라서 서로 다른 크기의 양자점을 사용함으로써, 여러 파장의 빛을 방출하는 디스플레이를 구현할 수 있다.The diameter of the quantum dots is not particularly limited, but may be, for example, about 1 nm to 10 nm. By controlling the size of the quantum dots, the energy band gap can be adjusted, so that light in various wavelength bands can be obtained from the quantum dot emission layer. Therefore, by using quantum dots of different sizes, it is possible to realize a display emitting light of different wavelengths.

구체적으로, 상기 양자점의 크기는 컬러 디스플레이를 구성할 수 있도록, 적색, 녹색 및 청색광이 방출되도록 선택될 수 있다. 또한, 상기 양자점의 크기는 다양한 색의 빛이 결합되어, 백색광을 방출하도록 구성될 수 있다.Specifically, the size of the quantum dots may be selected to emit red, green, and blue light to constitute a color display. In addition, the size of the quantum dots may be configured to emit white light by combining light of various colors.

또한, 양자점의 형태는 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the shape of the quantum dots may be specifically spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes, nanowires, nanofibers, nanoplatelet particles, etc., The present invention is not limited thereto.

양자점은 약 45nm 이하, 구체적으로 약 40nm 이하, 더욱 구체적으로 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.Quantum dots may have a full width of half maximum (FWHM) of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, specifically about 40 nm or less, more specifically about 30 nm or less, and color purity or color reproducibility can be improved in this range. . In addition, light emitted through the quantum dots is emitted in all directions, so that a wide viewing angle may be improved.

상기 양자점은 습식 화학 공정, 유기 금속 화학 증착 공정, 분자선 에피택시 공정 또는 이와 유사한 공정 등에 의해 합성될 수 있다.The quantum dots may be synthesized by a wet chemical process, an organometallic chemical vapor deposition process, a molecular beam epitaxy process, or a similar process.

상기 습식 화학 공정은 유기 용매에 전구체 물질을 넣어 입자 결정을 성장시키는 방법이다. 상기 결정이 성장할 때, 유기 용매가 자연스럽게 양자점 결정 표면에 배위된 분산제 역할을 하고, 상기 결정의 성장을 조절하기 때문에, 유기 금속 화학 증착(MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이나 분자선 에피택시(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 등의 기상 증착법보다 더 용이하고, 저비용의 공정을 통해, 무기 나노 입자의 성장을 제어할 수 있다.The wet chemical process is a method of growing particle crystals by adding a precursor material to an organic solvent. When the crystal grows, the organic solvent naturally acts as a dispersant coordinated on the surface of the quantum dot crystal and controls the growth of the crystal, so MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) or molecular beam epitaxy (MBE, It is easier than vapor deposition such as Molecular Beam Epitaxy) and it is possible to control the growth of inorganic nanoparticles through a low-cost process.

[전자 수송 영역][electron transport region]

상기 발광 소자는 상기 제2전극 또는 상기 전하 생성 유닛에 직접 접하는 전자 수송 영역을 포함할 수 있다.The light emitting device may include an electron transport region in direct contact with the second electrode or the charge generating unit.

일 구현예를 따르면, 상기 전자 수송 영역은 무기 절연체 재료를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the electron transport region may include an inorganic insulator material.

일 구현예에 따르면, 상기 무기 절연체 재료는 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토금속의 할로겐화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the inorganic insulator material may include a halide of an alkali metal, a halide of an alkaline earth metal, or any combination thereof.

일 구현예를 따르면, 상기 무기 절연체 재료는 약 7 eV 이상의 넓은 밴드 갭을 갖는 화합물일 수 있다. 이에 따라, 상기 무기 절연체 재료는 실질적으로 광흡수를 하지 않을 수 있다.According to one embodiment, the inorganic insulator material may be a compound having a wide band gap of about 7 eV or more. Accordingly, the inorganic insulator material may not substantially absorb light.

또한, 일 구현예를 따르면, 상기 전자 수송 영역은 상기 무기 절연체 재료에 도핑되는 금속 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 금속 도펀트는 예를 들어, 알칼리 토금속, 알칼리 토금속의 합금, 란타나이드 금속 및 란타나이드 금속의 합금 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.Also, according to an embodiment, the electron transport region may further include a metal dopant doped into the inorganic insulator material. The metal dopant may include, for example, at least one selected from an alkaline earth metal, an alloy of an alkaline earth metal, a lanthanide metal, and an alloy of a lanthanide metal.

일 구현예를 따르면, 상기 무기 절연체 재료는 하기 화학식 X로 표시되고, 상기 금속 도펀트는 하기 화학식 Y로 표시될 수 있다:According to one embodiment, the inorganic insulator material may be represented by the following Chemical Formula X, and the metal dopant may be represented by the following Chemical Formula Y:

<화학식 X><Formula X>

A_n1B_m1 A _n1 B _m1

<화학식 Y><Formula Y>

CC

상기 식 X 및 Y 중,In the above formulas X and Y,

A 및 C는 서로 독립적으로, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 란타나이드 금속 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,A and C independently of each other include alkali metal, alkaline earth metal, lanthanide metal, or any combination thereof,

B는 할로겐이고,B is halogen,

n1 및 m1은 서로 독립적으로, 상기 화학식 X의 물질이 전기적으로 중성(electrically neutral)이 되도록 결정되는 1 이상의 정수이고,n1 and m1 are, independently of each other, an integer greater than or equal to 1 determined so that the material of Formula X is electrically neutral,

A 및 C는 서로 상이하다.A and C are different from each other.

예를 들어, 상기 화학식 X 및 Y 중, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 또는 이의 임의의 조합을 포함하고; B는 F, Cl, Br, I, 또는 이의 임의의 조합을 포함하고; n1 및 m1은 각각 1이고; C는 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.For example, in Formulas X and Y, A includes Li, Na, K, Rb, Cs, or any combination thereof; B comprises F, Cl, Br, I, or any combination thereof; n1 and m1 are each 1; C may include La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, or any combination thereof.

더욱 구체적으로, 상기 무기 절연체 재료는 NaI, KI, RbI, CsI, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, NaF, KF, RbF, CsF 또는 이의 임의의 조합을 포함하고, 상기 금속 도펀트는 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.More specifically, the inorganic insulator material comprises NaI, KI, RbI, CsI, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, NaF, KF, RbF, CsF or any combination thereof, and the metal dopant is La, Ce, Pr , Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, or any combination thereof.

일 구현예를 따르면, 상기 금속 도펀트는 약 2.6 eV 이하의 낮은 일함수를 갖는 화합물일 수 있다.According to one embodiment, the metal dopant may be a compound having a low work function of about 2.6 eV or less.

[전자 수송 영역 중 전자 주입층][electron injection layer in electron transport region]

일 구현예를 따르면, 상기 발광 소자의 발광 유닛에 포함된 전자 수송 영역이 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 주입층은 n형 전자 주입층일 수 있다.According to one embodiment, the electron transport region included in the light emitting unit of the light emitting device may further include an electron injection layer. For example, the electron injection layer may be an n-type electron injection layer.

일 구현예를 따르면, 상기 제m전자 수송 영역이 n형 전자 주입층을 포함하고, 상기 n형 전자 주입층이 상기 무기 절연체 재료를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the m-th electron transport region may include an n-type electron injection layer, and the n-type electron injection layer may include the inorganic insulator material.

일 구현예를 따르면, 상기 n형 전자 주입층은 상기 무기 절연체 재료로 이루어질(consist of) 수 있다. 이 경우, 상기 전자 주입층은 상기 무기 절연체 재료 외에 다른 재료는 미포함한다.According to an embodiment, the n-type electron injection layer may consist of the inorganic insulator material. In this case, the electron injection layer does not include a material other than the inorganic insulator material.

다른 구현예를 따르면, 상기 n형 전자 주입층은 금속 도펀트를 더 포함할 수 있다.According to another embodiment, the n-type electron injection layer may further include a metal dopant.

또는, 예를 들어, 상기 n형 전자 주입층은 상기 무기 절연체 재료 및 상기 금속 도펀트로 이루어질(consist of) 수 있다.Alternatively, for example, the n-type electron injection layer may consist of the inorganic insulator material and the metal dopant.

또한, 일 구현예를 따르면, 상기 n형 전자 주입층은 상기 제2전극에 직접 접하는 것일 수 있다. 예를 들어, 도 3 및 4를 참조하여, 상기 제m전자 수송 영역(ET(m))이 n형 전자 주입층을 포함하고, 상기 n형 전자 주입층이 제2전극(190)와 인접하고, 무기 절연체 재료를 포함할 수 있다.Also, according to one embodiment, the n-type electron injection layer may be in direct contact with the second electrode. For example, referring to FIGS. 3 and 4 , the m-th electron transport region ET(m) includes an n-type electron injection layer, and the n-type electron injection layer is adjacent to the second electrode 190 and , inorganic insulator materials.

다른 구현예를 따르면, 상기 n형 전자 주입층은 상기 전하 생성 유닛에 직접 접하는 것일 수 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하여, 상기 제(m-1)전자 수송 영역(ET(m-1))이 n형 전자 주입층을 포함하고, 상기 n형 전자 주입층이 제(m-1)전하 생성 유닛(CGU(m-1))과 인접하고, 무기 절연체 재료를 포함할 수 있다.According to another embodiment, the n-type electron injection layer may be in direct contact with the charge generating unit. For example, referring to FIG. 4 , the (m−1)th electron transport region ET(m−1) includes an n-type electron injection layer, and the n-th electron injection layer includes an (m−1)th electron injection layer. ) adjacent to the charge generating unit CGU(m-1), and may contain an inorganic insulator material.

일 구현예에 따른 발광 소자는 상기 n형 전자 주입층이 무기 화합물로만 이루어져 있고 유기 화합물을 포함하지 않으므로, 제2전극 또는 전하 생성 유닛과의 계면에서의 전하 생성 및 이동이 원활하며, 또한 각 층 사이의 계면의 열화가 방지되어 구동 전압의 상승이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 발광 소자는 향상된 수명 및/또는 휘도를 제공할 수 있다.In the light emitting device according to an embodiment, since the n-type electron injection layer consists only of an inorganic compound and does not contain an organic compound, the generation and movement of charges at the interface with the second electrode or the charge generation unit is smooth, and each layer Deterioration of the interface therebetween can be prevented, so that an increase in the driving voltage can be prevented. Accordingly, the light emitting device may provide improved lifetime and/or luminance.

상기 전자 수송 영역 중 상기 무기 절연체 재료의 부피는 상기 금속 도펀트의 부피 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 주입층 100 부피부 중 상기 금속 도펀트의 부피가 0 부피부 내지 40 부피부일 수 있다.A volume of the inorganic insulator material in the electron transport region may be greater than or equal to a volume of the metal dopant. For example, the volume of the metal dopant in 100 parts by volume of the electron injection layer may be 0 parts by volume to 40 parts by volume.

일 구현예를 따르면, 상기 무기 절연체 재료에 대한 상기 금속 도펀트의 부피비는 100:0 내지 70:30일 수 있다. 상술한 범위를 만족하면, 상기 무기 절연체 재료의 좁은 밴드 갭에 따른 광흡수를 상기 금속 도펀트가 보완하는데 충분할 수 있다.According to an exemplary embodiment, a volume ratio of the metal dopant to the inorganic insulator material may be 100:0 to 70:30. When the above-described range is satisfied, the metal dopant may be sufficient to compensate for light absorption according to a narrow band gap of the inorganic insulator material.

상기 n형 전자 주입층의 두께는 0.1 nm 내지 5 nm일 수 있다. 상술한 범위를 만족하면, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.The n-type electron injection layer may have a thickness of 0.1 nm to 5 nm. When the above-mentioned range is satisfied, a satisfactory level of electron injection characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

[전자 수송 영역 중 전자 수송층][electron transport layer in electron transport region]

상기 발광 소자는 발광 유닛 중 전자 수송 영역에 전자 수송층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자는 상기 발광층에 직접 접촉하는 전자 수송층을 포함할 수 있다.The light emitting device may further include an electron transport layer in an electron transport region of the light emitting unit. For example, the light emitting device may include an electron transport layer in direct contact with the light emitting layer.

상기 전자 수송층은 전자 수송성 유기 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The electron transport layer may include at least one selected from electron transporting organic compounds.

일 구현예를 따르면, 상기 전자 수송층이 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토금속의 할로겐화물, 란타나이드 금속의 할로겐화물, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, the electron transport layer may further include a halide of an alkali metal, a halide of an alkaline earth metal, a halide of a lanthanide metal, or any combination thereof.

도 3 및 4를 참조하여, 상기 제m전자 수송 영역(ET(m))이 제m전자 수송층을 포함하고, 상기 제m전자 수송층이 전자 수송성 유기 화합물을 포함할 수 있다.3 and 4 , the mth electron transport region ET(m) may include an mth electron transport layer, and the mth electron transport layer may include an electron transporting organic compound.

또한, 예를 들어, 상기 전자 수송층은 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토금속의 할로겐화물, 란타나이드 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리 토금속의 유기 착체, 란타나이드 금속의 유기 착체 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다.In addition, for example, the electron transport layer is an alkali metal halide, alkaline earth metal halide, lanthanide metal halide, alkali metal organic complex, alkaline earth metal organic complex, lanthanide metal organic complex or any thereof. It may further include a combination of.

본 명세서 중, "전자 수송성 유기 화합물"은 π 전자 결핍성 함질소 고리를 적어도 하나 포함한 금속-비함유 화합물을 의미한다.As used herein, the term "electron-transporting organic compound" refers to a metal-free compound including at least one π-electron deficient nitrogen-containing ring.

상기 "π 전자 결핍성 함질소 고리"는, 고리-형성 모이어티로서, 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 C₁-C₆₀헤테로시클릭 그룹을 의미한다.The "π electron deficient nitrogen-containing ring" refers to a C ₁ -C ₆₀ heterocyclic group having at least one *-N=*′ moiety as a ring-forming moiety.

예를 들어, 상기 "π 전자 결핍성 함질소 고리"는, i) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹이거나, ii) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹 중 2 이상이 서로 축합되어 있는 헤테로폴리시클릭 그룹이거나, 또는 iii) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹 중 적어도 하나와, 적어도 하나의 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹이 서로 축합되어 있는 헤테로폴리시클릭 그룹일 수 있다.For example, the "π electron deficient nitrogen-containing ring" is i) a 5-7 membered heteromonocyclic group having at least one *-N=*' moiety, or ii) at least one *- two or more of the 5- to 7-membered heteromonocyclic groups having an N=*' moiety are heteropolycyclic groups condensed with each other, or iii) a 5-membered 5-membered group having at least one *-N=*' moiety It may be a heteropolycyclic group in which at least one of the to 7 membered heteromonocyclic group and at least one C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group are condensed with each other.

상기 π 전자 결핍성 함질소 고리의 구체예로는, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인다졸, 푸린(purine), 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 벤조이미다졸, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 트리아진, 티아디아졸, 이미다조피리딘, 이미다조피리미딘, 아자카바졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the π electron deficient nitrogen-containing ring include imidazole, pyrazole, thiazole, isothiazole, oxazole, isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, indazole, purine. , quinoline, isoquinoline, benzoquinoline, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline, quinazoline, cinoline, phenanthridine, acridine, phenanthroline, phenazine, benzoimidazole, isobenzothiazole, benzo oxazole, isobenzoxazole, triazole, tetrazole, oxadiazole, triazine, thiadiazole, imidazopyridine, imidazopyrimidine, azacarbazole, and the like, but are not limited thereto.

구체적으로, 본 명세서 중, "전자 수송성 유기 화합물"은 하기 화학식 601로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:Specifically, in the present specification, "electron-transporting organic compound" may include a compound represented by the following Chemical Formula 601:

<화학식 601><Formula 601>

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21 [Ar ₆₀₁ ] _xe11 -[(L ₆₀₁ ) _xe1 -R ₆₀₁ ] _xe21

상기 화학식 601 중,In Formula 601,

Ar₆₀₁은 치환 또는 비치환된 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로시클릭 그룹이고,Ar ₆₀₁ is a substituted or unsubstituted C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group or a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heterocyclic group,

xe11은 1, 2 또는 3이고,xe11 is 1, 2 or 3,

L₆₀₁은 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,L ₆₀₁ is a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenylene group, a substituted or unsubstituted A substituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, a substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic group It is selected from a condensed polycyclic group and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,

xe1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,xe1 is selected from an integer of 0 to 5,

R₆₀₁은 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃), - -C(=O)(Q₆₀₁), -S(=O)₂(Q₆₀₁) 및 -P(=O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂) 중에서 선택되고,R ₆₀₁ is a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylthio group, A substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, -Si(Q ₆₀₁ ) ( Q ₆₀₂ )(Q ₆₀₃ ), -C(=O)(Q ₆₀₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₆₀₁ ) and -P(=O)(Q ₆₀₁ )(Q ₆₀₂ ),

상기 Q₆₀₁ 내지 Q₆₀₃은 서로 독립적으로, C₁-C₁₀알킬기, C₁-C₁₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고,wherein Q ₆₀₁ to Q ₆₀₃ are each independently a C ₁ -C ₁₀ alkyl group, a C ₁ -C ₁₀ alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or a naphthyl group,

xe21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택된다.xe21 is selected from an integer of 1 to 5;

일 실시예에 따르면, 상기 xe11개의 Ar₆₀₁ 및 xe21개의 R₆₀₁ 중 적어도 하나는, 상술한 바와 같은 π 전자 결핍성 함질소 고리를 포함할 수 있다.According to one embodiment, at least one of xe11 Ar ₆₀₁ and xe21 R ₆₀₁ may include a π-electron deficient nitrogen-containing ring as described above.

일 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 중 Ar₆₀₁은,According to one embodiment, Ar ₆₀₁ in Formula 601 is,

벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹 및 아자카바졸 그룹; 및Benzene group, naphthalene group, fluorene group, spiro-bifluorene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, phenalene group, phenanthrene group, anthracene group, fluoranthene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, naphthacene group, picene group, perylene group, pentaphen group, indenoanthracene group, dibenzofuran group, dibenzothiophene group, carbazole group, imidazole group, pyrazole group , thiazole group, isothiazole group, oxazole group, isoxazole group, pyridine group, pyrazine group, pyrimidine group, pyridazine group, indazole group, purine group, quinoline group, isoquinoline group, benzoquinoline group, Phthalazine group, naphthyridine group, quinoxaline group, quinazoline group, cinoline group, phenanthridine group, acridine group, phenanthroline group, phenazine group, benzimidazole group, isobenzothiazole group , benzoxazole group, isobenzoxazole group, triazole group, tetrazole group, oxadiazole group, triazine group, thiadiazole group, imidazopyridine group, imidazopyrimidine group and azacarbazole group ; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, -Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃), -S(=O)₂(Q₃₁) 및 -P(=O)(Q₃₁)(Q₃₂) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹 및 아자카바졸 그룹;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, -Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ), -S(=O) ₂ (Q ₃₁ ) and -P(=O)(Q ₃₁ )( Q ₃₂ ) substituted with at least one selected from a benzene group, a naphthalene group, a fluorene group, a spiro-bifluorene group, a benzofluorene group, a dibenzofluorene group, a phenalene group, a phenanthrene group, an anthracene group, Fluorantene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, naphthacene group, picene group, perylene group, pentaphene group, indenoanthracene group, dibenzofuran group, dibenzothiophene group, carba azole group, imidazole group, pyrazole group, thiazole group, isothiazole group, oxazole group, isoxazole group, pyridine group, pyrazine group, pyrimidine group, pyridazine group, indazole group, purine group, quinoline group, isoquinoline group, benzoquinoline group, phthalazine group, naphthyridine group, quinoxaline group, quinazoline group, cinoline group, phenanthridine group, acridine group, phenanthroline group, phenazine group, Benzoimidazole group, isobenzothiazole group, benzooxazole group, isobenzoxazole group, triazole group, tetrazole group, oxadiazole group, triazine group, thiadiazole group, imidazopyridine group, imida group dazopyrimidine group and azacarbazole group;

중에서 선택될 수 있고,can be selected from

상기 화학식 601 중 xe11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar₆₀₁은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.In Formula 601, when xe11 is two or more, two or more Ar ₆₀₁ may be connected to each other through a single bond.

다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 중 Ar₆₀₁은 안트라센 그룹일 수 있다.In another embodiment, Ar ₆₀₁ in Formula 601 may be an anthracene group.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 601로 표시되는 화합물은 하기 화학식 601-1로 표시될 수 있다:According to another embodiment, the compound represented by Chemical Formula 601 may be represented by the following Chemical Formula 601-1:

<화학식 601-1><Formula 601-1>

상기 화학식 601-1 중,In Formula 601-1,

X₆₁₄는 N 또는 C(R₆₁₄)이고, X₆₁₅는 N 또는 C(R₆₁₅)이고, X₆₁₆은 N 또는 C(R₆₁₆)이고, X₆₁₄ 내지 X₆₁₆ 중 적어도 하나는 N이고,X ₆₁₄ is N or C(R ₆₁₄ ), X ₆₁₅ is N or C(R ₆₁₅ ), X ₆₁₆ is N or C(R ₆₁₆ ), and at least one of X ₆₁₄ to X ₆₁₆ is N,

L₆₁₁ 내지 L₆₁₃은 서로 독립적으로, 상기 L₆₀₁에 대한 설명을 참조하고,L ₆₁₁ to L ₆₁₃ are each independently, refer to the description of L ₆₀₁ ,

xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 상기 xe1에 대한 설명을 참조하고,xe611 to xe613 refer to the description of xe1 above, independently of each other,

R₆₁₁ 내지 R₆₁₃은 서로 독립적으로, 상기 R₆₀₁에 대한 설명을 참조하고,R ₆₁₁ to R ₆₁₃ are each independently refer to the description of R ₆₀₁ ,

R₆₁₄ 내지 R₆₁₆은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.R ₆₁₄ to R ₆₁₆ are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, an amidino group, a hydrazino group, a hydrazono group, C ₁ It may be selected from a -C ₂₀ alkyl group, a C ₁ -C ₂₀ alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and a naphthyl group.

일 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 L₆₀₁ 및 L₆₁₁ 내지 L₆₁₃은 서로 독립적으로,According to one embodiment, L ₆₀₁ and L ₆₁₁ to L ₆₁₃ in Formulas 601 and 601-1 are each independently

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl Renyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group , dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosilolyl group, pyridinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazole Diary, isoxazolyl group, thiadiazolyl group, oxadiazolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group , an isobenzooxazolyl group, a triazolyl group, a tetrazolyl group, an imidazopyridinyl group, an imidazopyrimidinyl group, and at least one substituted with an azacarbazolyl group, a phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, Spiro-bifluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, fluoranthenylene group, triphenylenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, phenyl Relenylene group, pentaphenylene group, hexacenylene group, pentacenylene group, thiophenylene group, furanylene group, carbazolylene group, indolylene group, isoindolylene group, benzofuranylene group, benzothiophenylene group, dibenzofu Ranylene group, dibenzothiophenylene group, benzocarbazolylene group, dibenzocarbazolylene group, dibenzosilolylene group, pyridinylene group, imidazolylene group, pyrazolylene group, thiazolylene group, isothiazolylene group, oxazolyl Ren group, isoxazolylene group, thiadiazolylene group, oxadiazolylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, Pyridazinylene group, triazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, benzoquinolinylene group, phthalazinylene group, naphthyridinylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group, cinolinylene group , phenanthridinylene group, acridinylene group, phenanthrolinylene group, phenazinylene group, benzoimidazolylene group, isobenzothiazolylene group, benzoxazolylene group, isobenzoxazolylene group, triazolylene group, tetrazolylene group , an imidazopyridinylene group, an imidazopyrimidinylene group, and an azacarbazolylene group;

다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 xe1 및 xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.According to another embodiment, in Formulas 601 and 601-1, xe1 and xe611 to xe613 may each independently be 0, 1, or 2.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 R₆₀₁ 및 R₆₁₁ 내지 R₆₁₃은 서로 독립적으로,According to another embodiment, in Formulas 601 and 601-1, R ₆₀₁ and R ₆₁₁ to R ₆₁₃ are each independently

페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기;Phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl group Nyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, Dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosilolyl group, pyridinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group , isoxazolyl group, thiadiazolyl group, oxadiazolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group , naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, an isobenzooxazolyl group, a triazolyl group, a tetrazolyl group, an imidazopyridinyl group, an imidazopyrimidinyl group, and an azacarbazolyl group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₂₀ alkyl group, C ₁ -C ₂₀ alkoxy group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl Renyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group , dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosilolyl group, pyridinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazole Diary, isoxazolyl group, thiadiazolyl group, oxadiazolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, flu Orenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylene group Nyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, thiophenyl group, furanyl group, carbazolyl group, indolyl group, isoindoleyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarba Zolyl group, dibenzocarbazolyl group, dibenzosilolyl group, pyridinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, thiadiazolyl group, oxadia Zolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoqui Nolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group , isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group and azacarbazolyl group; and

-S(=O)₂(Q₆₀₁) 및 -P(=O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂);-S(=O) ₂ (Q ₆₀₁ ) and -P(=O)(Q ₆₀₁ )(Q ₆₀₂ );

중에서 선택되고,is selected from

상기 Q₆₀₁ 및 Q₆₀₂에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.For the description of Q ₆₀₁ and Q ₆₀₂ , refer to the description herein.

상기 전자 수송 영역은 하기 화합물 ET1 내지 ET36 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The electron transport region may include at least one compound selected from the following compounds ET1 to ET36, but is not limited thereto:

또는, 상기 전자 수송 영역은 BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq₃, BAlq, TAZ(3-(Biphenyl-4-yl)-5-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole) 및 NTAZ 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다.Alternatively, the electron transport region is BCP (2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen (4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline ) , Alq ₃ , BAlq, TAZ ( It may include at least one compound selected from 3-(Biphenyl-4-yl)-5-(4- tert -butylphenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole) and NTAZ .

일 구현예를 따르면, 상기 전자 수송층은 후술하는 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the electron transport layer may further include a metal-containing material to be described later.

예를 들어, 상기 전자 수송층이 상기 전자 수송성 유기 화합물 및 금속-함유 물질을 포함하고, 상기 전자 수송층 100 부피부 중, 상기 전자 수송성 유기 화합물이 50 부피부 이상, 또는 50 부피부 내지 99 부피부로 포함될 수 있다.For example, the electron transporting layer includes the electron transporting organic compound and the metal-containing material, and in 100 parts by volume of the electron transporting layer, 50 parts by volume or more, or 50 to 99 parts by volume of the electron transporting organic compound may be included.

상기 전자 수송층의 두께는 0.1 nm 내지 10 nm일 수 있다. 상술한 범위를 만족하면, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.The electron transport layer may have a thickness of 0.1 nm to 10 nm. When the above-mentioned range is satisfied, it is possible to obtain a satisfactory level of electron transport characteristics without a substantial increase in driving voltage.

[전자 수송 영역 중 금속-함유 물질][Metal-containing material in electron transport region]

상기 전자 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 수송 영역이 금속-함유 물질을 더 포함하고, 상기 금속-함유 물질은 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The electron transport region may further include a metal-containing material in addition to the above-described material. For example, the electron transport region may further include a metal-containing material, and the metal-containing material may include at least one selected from an alkali metal complex and an alkaline earth metal complex.

상기 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디페닐옥사디아졸, 히드록시디페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린 및 시클로펜타다이엔 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The ligand coordinated to the metal ion of the alkali metal complex and the alkaline earth metal complex is, independently of each other, hydroxyquinoline, hydroxyisoquinoline, hydroxybenzoquinoline, hydroxyacridine, hydroxyphenanthridine, hydroxyphenyl Oxazole, hydroxyphenylthiazole, hydroxydiphenyloxadiazole, hydroxydiphenylthiadiazole, hydroxyphenylpyridine, hydroxyphenylbenzoimidazole, hydroxyphenylbenzothiazole, bipyridine, phenanthroline and cyclopentadiene, but is not limited thereto.

예를 들면, 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.For example, the metal-containing material may include a Li complex. The Li complex may include, for example, the following compound ET-D1 (lithium quinolate, LiQ) or ET-D2.

[제2전극(190)] [Second electrode 190]

상술한 바와 같은 제m발광 유닛 상에는 제2전극(190)이 배치되어 있다. 상기 제2전극(190)은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극(190)용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합(combination)을 사용할 수 있다.The second electrode 190 is disposed on the mth light emitting unit as described above. The second electrode 190 may be a cathode that is an electron injection electrode. In this case, as a material for the second electrode 190 , a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a combination thereof having a low work function. (combination) can be used.

상기 제2전극(190)은, 리튬(Li), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), ITO 및 IZO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2전극(190)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.The second electrode 190 includes lithium (Li), silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), and magnesium-indium (Mg-In). ), magnesium-silver (Mg-Ag), may include at least one selected from ITO and IZO, but is not limited thereto. The second electrode 190 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode.

상기 제2전극(190)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The second electrode 190 may have a single-layer structure that is a single layer or a multi-layer structure having a plurality of layers.

상기 제2전극의 두께는 5 nm 내지 20 nm일 수 있다. 전술한 범위를 만족하는 경우, 제2전극에서의 광흡수를 최소화할 수 있으면서, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the second electrode may be 5 nm to 20 nm. When the above-described range is satisfied, light absorption at the second electrode can be minimized, and a satisfactory electron injection characteristic can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

[장치][Device]

상술한 바와 같은 발광 소자는 다양한 장치에 사용될 수 있다.The light emitting device as described above can be used in various devices.

따라서, 다른 측면에 따르면, 상기 발광 소자를 포함한 장치가 제공된다.Accordingly, according to another aspect, an apparatus including the light emitting element is provided.

상기 장치는, 예를 들면, 발광 장치, 인증 장치 또는 전자 장치일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The device may be, for example, a light emitting device, an authentication device, or an electronic device, but is not limited thereto.

[발광 장치][Light-emitting device]

도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치(3)를 상세히 설명한다.Referring to FIG. 5 , a light emitting device 3 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

발광 장치(3)는 컬러 필터(340)가 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 적어도 하나의 진행 방향 상에 위치할 수 있다.In the light emitting device 3 , the color filter 340 may be positioned in at least one traveling direction of the light emitted from the light emitting device.

일 구현예를 따르면, 컬러 필터(340)와 발광 소자는 접착층 등에 의해 직접 접착될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the color filter 340 and the light emitting device may be directly bonded to each other by an adhesive layer or the like.

일 구현예를 따르면, 컬러 필터(340)와 발광 소자가 서로 이격되어 있을 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터(340)와 발광 소자 사이에 투광성의 투명 물질을 포함하는 절연층 또는 에어층으로 구성된 충진층이 배치될 수 있다.According to one embodiment, the color filter 340 and the light emitting device may be spaced apart from each other. For example, an insulating layer including a light-transmitting transparent material or a filling layer including an air layer may be disposed between the color filter 340 and the light emitting device.

예시적으로, 상기 발광 소자는 제1전극(321), 제1발광 유닛(322), 제1전하 생성 유닛(미도시), 제2발광 유닛(323) 및 제2전극(324)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1발광 유닛(322) 및 제2발광 유닛(323)은 각각 청색광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Illustratively, the light emitting device may include a first electrode 321 , a first light emitting unit 322 , a first charge generating unit (not shown), a second light emitting unit 323 , and a second electrode 324 . can For example, the first light emitting unit 322 and the second light emitting unit 323 may each emit blue light, but is not limited thereto.

상기 발광 장치의 제1기판(310)은 복수의 부화소 영역을 구비하고, 컬러 필터(340)는 상기 복수의 부화소 영역 각각 대응하는 복수의 컬러 필터 영역(341, 342, 343)을 구비할 수 있다. 상기 복수의 부화소 영역 사이에 화소 정의막(330)이 형성되어 각각의 부화소 영역이 정의된다. 컬러 필터(340)는 복수의 컬러 필터 영역 사이에 차광 패턴(344)이 형성될 수 있다.The first substrate 310 of the light emitting device may include a plurality of sub-pixel areas, and the color filter 340 may include a plurality of color filter areas 341 , 342 , and 343 corresponding to the plurality of sub-pixel areas, respectively. can A pixel defining layer 330 is formed between the plurality of sub-pixel regions to define each sub-pixel region. In the color filter 340 , a light blocking pattern 344 may be formed between the plurality of color filter areas.

상기 복수의 컬러 필터 영역은, 제1색광을 방출하는 제1컬러 필터 영역(341); 제2색광을 방출하는 제2컬러 필터 영역(342); 및 제3색광을 방출하는 제3컬러 필터 영역(343)을 포함하고, 상기 제1색광, 상기 제2색광 및 상기 제3색광은 서로 상이한 최대 발광 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1색광은 적색광이고, 상기 제2색광은 녹색광이고, 상기 제3색광은 청색광일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The plurality of color filter areas may include: a first color filter area 341 emitting a first color light; a second color filter region 342 emitting a second color light; and a third color filter region 343 emitting a third color light, wherein the first color light, the second color light, and the third color light have different maximum emission wavelengths. For example, the first color light may be red light, the second color light may be green light, and the third color light may be blue light, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 복수의 컬러 필터 영역(341, 342, 343)은 각각 양자점을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 제1컬러 필터 영역(341)은 적색 양자점을 포함하고, 상기 제2컬러 필터 영역(342)은 녹색 양자점을 포함하고, 상기 제3컬러 필터 영역(343)은 양자점을 포함하지 않을 수 있다.For example, each of the plurality of color filter areas 341 , 342 , and 343 may include quantum dots, but is not limited thereto. Specifically, the first color filter region 341 includes red quantum dots, the second color filter region 342 includes green quantum dots, and the third color filter region 343 does not include quantum dots. can

양자점에 대한 설명은 상술한 바를 참조한다.For a description of the quantum dots, refer to the above bar.

상기 제1컬러 필터 영역(341), 상기 제2컬러 필터 영역(342) 및 상기 제3컬러 필터 영역(343)은 각각 산란체를 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Each of the first color filter area 341 , the second color filter area 342 , and the third color filter area 343 may further include a scatterer, but is not limited thereto.

일 구현예를 따르면, 상기 발광 소자는 제1광을 방출하고, 상기 제1컬러 필터 영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제1-1색광을 방출하고, 상기 제2컬러 필터 영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제2-1색광을 방출하고, 상기 제3컬러 필터 영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제3-1색광을 방출할 수 있다. 이 때, 상기 제1-1색광, 상기 제2-1색광 및 상기 제3-1색광은 서로 상이한 최대 발광 파장을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 제1광은 청색광일 수 있고, 상기 제1-1색광은 적색광일 수 있고, 상기 제2-1색광은 녹색광일 수 있고, 상기 제3-1색광은 청색광일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment, the light emitting device emits a first light, the first color filter region absorbs the first light to emit a 1-1 color light, and the second color filter region emits the first light. The first light may be absorbed to emit the second-first color light, and the third color filter region may absorb the first light to emit the third-first color light. In this case, the 1-1 color light, the 2-1 color light, and the 3-1 color light may have different maximum emission wavelengths. Specifically, the first light may be blue light, the 1-1 color light may be red light, the 2-1 color light may be green light, and the 3-1 color light may be blue light. It is not limited.

상기 발광 장치는, 상술한 바와 같은 발광 소자 외에 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함할 수 있고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 상기 발광 소자의 제1전극 및 제2전극 중 어느 하나는 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device may further include a thin film transistor in addition to the light emitting device as described above. The thin film transistor may include a source electrode, a drain electrode, and an active layer, and any one of the source electrode and the drain electrode and any one of the first electrode and the second electrode of the light emitting device may be electrically connected.

상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막 등을 더 포함할 수 있다.The thin film transistor may further include a gate electrode, a gate insulating layer, and the like.

상기 활성층은 결정질 실리콘, 비정질 실리콘, 유기 반도체, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer may include, but is not limited to, crystalline silicon, amorphous silicon, organic semiconductor, oxide semiconductor, and the like.

상기 발광 장치는 발광 소자를 밀봉하는 밀봉부를 더 포함할 수 있다. 상기 밀봉부는 상기 컬러 필터와 상기 발광 소자 사이에 개재될 수 있다. 상기 밀봉부는 상기 발광 소자로부터의 화상이 구현될 수 있도록 하고, 상기 발광 소자로 외기 및 수분이 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉부는 투명한 글라스 또는 플라스틱 기판을 포함하는 밀봉 기판일 수 있다. 상기 밀봉부는 복수의 유기층 및/또는 복수의 무기층을 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 상기 밀봉부가 박막 봉지층이면 상기 평판 표시 장치 전체가 플렉시블하도록 할 수 있다.The light emitting device may further include a sealing unit sealing the light emitting element. The sealing part may be interposed between the color filter and the light emitting device. The sealing part allows the image from the light emitting device to be realized, and blocks the penetration of external air and moisture into the light emitting device. The sealing part may be a sealing substrate including a transparent glass or plastic substrate. The encapsulation unit may be a thin film encapsulation layer including a plurality of organic layers and/or a plurality of inorganic layers. If the sealing portion is a thin film encapsulation layer, the entire flat panel display device may be flexible.

상기 발광 장치는, 각종 디스플레이, 광원 등으로 사용될 수 있다.The light emitting device may be used as various displays, light sources, and the like.

[인증 장치][Authentication Device]

상기 인증 장치는, 예를 들면, 생체(예를 들어, 손가락 끝, 눈동자 등)의 생체 정보를 이용하여 개인을 인증하는 생체 인증 장치일 수 있다.The authentication device may be, for example, a biometric authentication device that authenticates an individual using biometric information of a biometric body (eg, fingertip, pupil, etc.).

상기 인증 장치는 상술한 바와 같은 발광 소자 외에 생체 정보 수집 수단을 더 포함할 수 있다.The authentication device may further include a biometric information collecting means in addition to the light emitting device as described above.

[전자 장치][Electronic Device]

상기 전자 장치는 퍼스널 컴퓨터(예를 들면, 모바일형 퍼스널 컴퓨터), 휴대 전화, 디지털 사진기, 전자 수첩, 전자 사전, 전자 게임기, 의료 기기(예를 들면, 전자 체온계, 혈압계, 혈당계, 맥박 계측 장치, 맥파 계측 장치, 심전표시 장치, 초음파 진단 장치, 내시경용 표시 장치), 어군 탐지기, 각종 측정 기기, 계기류(예를 들면, 차량, 항공기, 선박의 계기류), 프로젝터 등으로 응용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electronic device may include a personal computer (eg, a mobile personal computer), a mobile phone, a digital camera, an electronic notebook, an electronic dictionary, an electronic game machine, a medical device (eg, an electronic thermometer, a blood pressure monitor, a blood glucose meter, a pulse measuring device, Pulse wave measuring device, electrocardiogram display device, ultrasound diagnosis device, endoscope display device), fish finder, various measuring devices, instruments (eg, instruments of vehicles, aircraft, ships), projectors, etc., but limited to this it is not going to be

[제조 방법][Manufacturing method]

상기 발광 유닛에 포함된 각 층 및 상기 전하 생성 유닛에 포함된 각 층은 각각, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 형성될 수 있다.Each layer included in the light emitting unit and each layer included in the charge generating unit are respectively a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a LB method (Langmuir-Blodgett), an inkjet printing method, a laser printing method, a laser thermal transfer method It may be formed in a predetermined area using various methods such as laser induced thermal imaging (LITI).

진공 증착법에 의하여 상기 발광 유닛에 포함된 각 층 및 상기 전하 생성 유닛에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100℃ 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10^-8 torr 내지 약 10^-3 torr의 진공도 및 약 0.01 Å/sec내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.When each layer included in the light emitting unit and each layer included in the charge generating unit are respectively formed by vacuum deposition, deposition conditions are, for example, a deposition temperature of about 100° C. to about 500° C. ^, about 10- Within a vacuum degree of ⁸ torr to about 10 ^-3 torr and a deposition rate of about 0.01 Å/sec to about 100 Å/sec, the material may be selected in consideration of the material to be included in the layer to be formed and the structure of the layer to be formed.

스핀 코팅법에 의하여 상기 발광 유닛에 포함된 각 층 및 상기 전하 생성 유닛에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 코팅 조건은, 예를 들면, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도 및 약 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.When each layer included in the light emitting unit and each layer included in the charge generating unit are respectively formed by spin coating, the coating conditions are, for example, a coating speed of about 2000 rpm to about 5000 rpm and a coating speed of about 80° C. to about 80° C. Within the heat treatment temperature range of 200° C., it may be selected in consideration of the material to be included in the layer to be formed and the structure of the layer to be formed.

[치환기의 일반적인 정의][General definition of a substituent]

본 명세서 중 C₁-C₆₀알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₁-C₆₀알킬렌기는 상기 C₁-C₆₀알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.In the present specification, the C ₁ -C ₆₀ alkyl group refers to a linear or branched aliphatic hydrocarbon monovalent group having 1 to 60 carbon atoms, and specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isobutyl group, sec-butyl group, ter-butyl group, pentyl group, iso-amyl group, hexyl group, and the like. In the present specification, the C ₁ -C ₆₀ alkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C ₁ -C ₆₀ alkyl group.

본 명세서 중 C₂-C₆₀알케닐기는, 상기 C₂-C₆₀알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₂-C₆₀알케닐렌기는 상기 C₂-C₆₀알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C ₂ -C ₆₀ alkenyl group refers to a hydrocarbon group including one or more carbon double bonds in the middle or at the terminal of the C ₂ -C ₆₀ alkyl group, and specific examples thereof include an ethenyl group, a propenyl group, a butenyl group. etc. are included. In the present specification, the C ₂ -C ₆₀ alkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C ₂ -C ₆₀ alkenyl group.

본 명세서 중 C₂-C₆₀알키닐기는, 상기 C₂-C₆₀알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기, 프로피닐기, 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₂-C₆₀알키닐렌기는 상기 C₂-C₆₀알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C ₂ -C ₆₀ alkynyl group refers to a hydrocarbon group including one or more carbon triple bonds in the middle or at the terminal of the C ₂ -C ₆₀ alkyl group, and specific examples thereof include an ethynyl group, a propynyl group, etc. Included. In the present specification, the C ₂ -C ₆₀ alkynylene group refers to a divalent group having the same structure as the C ₂ -C ₆₀ alkynyl group.

본 명세서 중 C₁-C₆₀알콕시기는, -OA₁₀₁(여기서, A₁₀₁은 상기 C₁-C₆₀알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.In the present specification, the C ₁ -C ₆₀ alkoxy group refers to a monovalent group having the formula of -OA ₁₀₁ (here, A ₁₀₁ is the C ₁ -C ₆₀ alkyl group), and specific examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group , an isopropyloxy group, and the like.

본 명세서 중 C₃-C₁₀시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₃-C₁₀시클로알킬렌기는 상기 C₃-C₁₀시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group refers to a monovalent saturated hydrocarbon monocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclo a heptyl group and the like. In the present specification, the C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group.

본 명세서 중 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기는, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 1,2,3,4-옥사트리아졸리디닐기(1,2,3,4-oxatriazolidinyl), 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기는 상기 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group refers to a monovalent monocyclic group having 1 to 10 carbon atoms including at least one hetero atom selected from N, O, Si, P and S as a ring-forming atom, and , and specific examples thereof include a 1,2,3,4-oxatriazolidinyl group (1,2,3,4-oxatriazolidinyl), a tetrahydrofuranyl group (tetrahydrofuranyl), a tetrahydrothiophenyl group, and the like. In the present specification, the C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group.

본 명세서 중 C₃-C₁₀시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기는 상기 C₃-C₁₀시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group is a monovalent monocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and refers to a group having at least one double bond in the ring, but not having aromaticity, and its specific Examples include a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a cycloheptenyl group, and the like. In the present specification, the C ₃ -C ₁₀ cycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group.

본 명세서 중 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기의 구체예에는, 4,5-디히드로-1,2,3,4-옥사트리아졸일기, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group is a monovalent monocyclic group having 1 to 10 carbon atoms including at least one hetero atom selected from N, O, Si, P and S as a ring-forming atom. has at least one double bond in it. Specific examples of the C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group include 4,5-dihydro-1,2,3,4-oxatriazolyl group, 2,3-dihydrofuranyl group, 2,3-dihydro A thiophenyl group and the like are included. In the present specification, the C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group.

본 명세서 중 C₆-C₆₀아릴기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C₆-C₆₀아릴렌기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C₆-C₆₀아릴기의 구체예에는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함된다. 상기 C₆-C₆₀아릴기 및 C₆-C₆₀아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.In the present specification, the C ₆ -C ₆₀ aryl group refers to a monovalent group having a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms, and the C ₆ -C ₆₀ arylene group is a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms. It means a divalent group having Specific examples of the C ₆ -C ₆₀ aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a chrysenyl group, and the like. When the C ₆ -C ₆₀ aryl group and the C ₆ -C ₆₀ arylene group include two or more rings, the two or more rings may be condensed with each other.

본 명세서 중 C₁-C₆₀헤테로아릴기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C₁-C₆₀헤테로아릴렌기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C₁-C₆₀헤테로아릴기의 구체예에는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등이 포함되다. 상기 C₁-C₆₀헤테로아릴기 및 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.In the present specification, the C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group includes at least one hetero atom selected from N, O, Si, P and S as a ring-forming atom and is a monovalent group having a heterocyclic aromatic system having 1 to 60 carbon atoms. means, and the C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group contains at least one hetero atom selected from N, O, Si, P and S as a ring-forming atom and has a heterocyclic aromatic system having 1 to 60 carbon atoms. means group. Specific examples of the C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group include a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, and the like. When the C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group and the C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group include two or more rings, the two or more rings may be condensed with each other.

본 명세서 중 C₆-C₆₀아릴옥시기는 -OA₁₀₂(여기서, A₁₀₂는 상기 C₆-C₆₀아릴기임)를 가리키고, 상기 C₆-C₆₀아릴티오기(arylthio)는 -SA₁₀₃(여기서, A₁₀₃은 상기 C₆-C₆₀아릴기기임)를 가리킨다.In the present specification, the C ₆ -C ₆₀ aryloxy group refers to -OA ₁₀₂ (here, A ₁₀₂ is the C ₆ -C ₆₀ aryl group), and the C ₆ -C ₆₀ arylthio group is -SA ₁₀₃ (here , A ₁₀₃ is the above C ₆ -C ₆₀ aryl group).

본 명세서 중 C₁-C₆₀헤테로아릴옥시기는 -OA₁₀₄(여기서, A₁₀₄는 상기 C₁-C₆₀헤테로아릴기임)를 가리키고, 상기 C₁-C₆₀헤테로아릴티오기는 -SA₁₀₅(여기서, A₁₀₅는 상기 C₁-C₆₀헤테로아릴기임)를 가리킨다.In the present specification, the C ₁ -C ₆₀ heteroaryloxy group refers to -OA ₁₀₄ (here, A ₁₀₄ is the C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group), and the C ₁ -C ₆₀ heteroarylthio group is -SA ₁₀₅ (here, A ₁₀₅ is the C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group).

본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예에는, 플루오레닐기 등이 포함되다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group has two or more rings condensed with each other, contains only carbon as a ring-forming atom, and the entire molecule is non-aromatic. means a monovalent group having (eg, having 8 to 60 carbon atoms). Specific examples of the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group include a fluorenyl group and the like. In the present specification, the divalent non-aromatic condensed polycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group.

본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 1 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 구체예에는, 카바졸일기 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group (non-aromatic condensed heteropolycyclic group) has two or more rings condensed with each other, and at least one selected from N, O, Si, P and S in addition to carbon as a ring forming atom. It includes a hetero atom and refers to a monovalent group (eg, having 1 to 60 carbon atoms) in which the entire molecule is non-aromatic. Specific examples of the monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group include a carbazolyl group and the like. In the present specification, the condensed divalent non-aromatic heteropolycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the condensed monovalent non-aromatic heteropolycyclic group.

본 명세서 중 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹이란, 고리-형성 원자로서 탄소만을 포함한 탄소수 5 내지 60의 모노시클릭 또는 폴리시클릭 그룹을 의미한다. 상기 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹은 방향족 카보시클릭 그룹 또는 비-방향족 카보시클릭 그룹일 수 있다. 상기 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹은 벤젠과 같은 고리, 페닐기와 같은 1가 그룹 또는 페닐렌기와 같은 2가 그룹일 수 있다. 또는, 상기 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹에 연결된 치환기에 개수에 따라, 상기 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹은 3가 그룹 또는 4가 그룹일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.In the present specification, the C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group refers to a monocyclic or polycyclic group having 5 to 60 carbon atoms including only carbon as a ring-forming atom. The C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group may be an aromatic carbocyclic group or a non-aromatic carbocyclic group. The C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group may be a ring such as benzene, a monovalent group such as a phenyl group, or a divalent group such as a phenylene group. Alternatively, depending on the number of substituents connected to the C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group, the C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group may be a trivalent group or a tetravalent group, and various modifications are possible.

본 명세서 중 C₁-C₆₀헤테로시클릭 그룹이란, 상기 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹과 동일한 구조를 갖되, 고리-형성 원자로서, 탄소(탄소수는 1 내지 60일 수 있음) 외에, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함한 그룹을 의미한다.In the present specification, the C ₁ -C ₆₀ heterocyclic group has the same structure as the C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group, but as a ring-forming atom, carbon (the number of carbon atoms may be 1 to 60) other than carbon (which may be 1 to 60), N , means a group including at least one hetero atom selected from O, Si, P and S.

본 명세서 중, 상기 치환된 C₅-C₆₀카보시클릭 그룹, 치환된 C₁-C₆₀헤테로시클릭 그룹, 치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C₁-C₆₀알킬기, 치환된 C₂-C₆₀알케닐기, 치환된 C₂-C₆₀알키닐기, 치환된 C₁-C₆₀알콕시기, 치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴옥시기, 치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴티오기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,In the present specification, the substituted C ₅ -C ₆₀ carbocyclic group, substituted C ₁ -C ₆₀ heterocyclic group, substituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, substituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl Ren group, substituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenylene group, substituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, substituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, substituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, substituted Condensed divalent non-aromatic polycyclic group, substituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, substituted C ₁ -C ₆₀ alkyl group, substituted C ₂ -C ₆₀ alkenyl group, substituted C ₂ -C ₆₀ alkynyl group, Substituted C ₁ -C ₆₀ alkoxy group, substituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, substituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, substituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, substituted C ₁ -C ₁₀ hetero Cycloalkenyl group, substituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, substituted C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, substituted C ₆ -C ₆₀ arylthio group, substituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, substituted C At least one of the substituents of the ₁ -C ₆₀ heteroaryloxy group, the substituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylthio group, the substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and the substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group is,

중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기 및 C₁-C₆₀알콕시기;Deuterium (-D), -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₆₀ alkyl group, C ₂ - C ₆₀ alkenyl group, C ₂ -C ₆₀ alkynyl group and C ₁ -C ₆₀ alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴옥시기, C₁-C₆₀헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃), -N(Q₁₁)(Q₁₂), -B(Q₁₁)(Q₁₂), -C(=O)(Q₁₁), -S(=O)₂(Q₁₁) 및 -P(=O)(Q₁₁)(Q₁₂) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기 및 C₁-C₆₀알콕시기;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, C ₁ -C ₁₀ hetero Cycloalkyl group, C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, C ₆ -C ₆₀ aryl group, C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, C ₆ -C ₆₀ arylthio group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryloxy group, C ₁ -C ₆₀ heteroarylthio group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, -Si(Q ₁₁ )(Q ₁₂ )(Q ₁₃ ), -N(Q ₁₁ )(Q ₁₂ ), -B(Q ₁₁ )(Q ₁₂ ), -C(=O)(Q ₁₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₁₁ ) and -P(=O)(Q ₁₁ )(Q ₁₂ ), C ₁ -C ₆₀ alkyl group, C ₂ -C ₆₀ alkenyl group, C ₂ -C ₆₀ alkynyl group, and C ₁ -C ₆₀ alkoxy group;

C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴옥시기, C₁-C₆₀헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, C ₆ -C ₆₀ aryl group, C ₆ -C ₆₀ aryl Oxy group, C ₆ -C ₆₀ arylthio group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryloxy group, C ₁ -C ₆₀ heteroarylthio group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기, C₁-C₆₀알콕시기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴옥시기, C₁-C₆₀헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃), -N(Q₂₁)(Q₂₂), -B(Q₂₁)(Q₂₂), -C(=O)(Q₂₁), -S(=O)₂(Q₂₁) 및 -P(=O)(Q₂₁)(Q₂₂) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴옥시기, C₁-C₆₀헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₆₀ alkyl group, C ₂ -C ₆₀ alkenyl group , C ₂ -C ₆₀ alkynyl group, C ₁ -C ₆₀ alkoxy group, C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocyclo Alkenyl group, C _{6 -C 60 aryl group, C 6} _-C ₆₀ _aryloxy group, C ₆ -C ₆₀ arylthio group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryloxy group, C ₁ -C ₆₀ heteroarylthio group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed hetero polycyclic group, -Si(Q ₂₁ )(Q ₂₂ )(Q ₂₃ ), -N(Q ₂₁ )(Q ₂₂ ), -B(Q ₂₁ )(Q ₂₂ ), -C(=O)(Q ₂₁ ), -S(=O) ₂ (Q ₂₁ ), and -P(=O)(Q ₂₁ )(Q ₂₂ ) ) substituted with at least one selected from, C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, C ₆ -C ₆₀ aryl group, C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, C ₆ -C ₆₀ arylthio group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryloxy group, C ₁ -C ₆₀ heteroarylthio group, 1 a valent non-aromatic condensed polycyclic group and a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group; and

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃), -N(Q₃₁)(Q₃₂), -B(Q₃₁)(Q₃₂), -C(=O)(Q₃₁), -S(=O)₂(Q₃₁) 및 -P(=O)(Q₃₁)(Q₃₂);-Si(Q ₃₁ )(Q ₃₂ )(Q ₃₃ ), -N(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), -B(Q ₃₁ )(Q ₃₂ ), -C(=O)(Q ₃₁ ), -S (=O) ₂ (Q ₃₁ ) and -P(=O)(Q ₃₁ )(Q ₃₂ );

중에서 선택되고,is selected from

상기 Q₁₁ 내지 Q₁₃, Q₂₁ 내지 Q₂₃ 및 Q₃₁ 내지 Q₃₃은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기, C₁-C₆₀알콕시기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴옥시기, C₁-C₆₀헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C₁-C₆₀알킬기, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C₆-C₆₀아릴기, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택될 수 있다.The Q ₁₁ to Q ₁₃ , Q ₂₁ to Q ₂₃ and Q ₃₁ to Q ₃₃ are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, an amino group dino group, hydrazino group, hydrazono group, C ₁ -C ₆₀ alkyl group, C ₂ -C ₆₀ alkenyl group, C ₂ -C ₆₀ alkynyl group, C ₁ -C ₆₀ alkoxy group, C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, C ₃ -C ₁₀ cycloalkenyl group, C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, C ₆ -C ₆₀ aryl group, C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, C ₁ -C ₆₀ Heteroaryloxy group, C ₁ -C ₆₀ heteroarylthio group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heterocondensed polycyclic group, deuterium, -F and at least one selected from cyano group C ₁ - It may be selected from a C ₆ -C ₆₀ aryl group substituted with at least one selected from a C ₆₀ alkyl group, deuterium, -F, and a cyano group, a biphenyl group, and a terphenyl group.

본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "Bu^t"은 tert-부틸기를 의미하고, "OMe"는 메톡시기를 의미한다.In the present specification, "Ph" means a phenyl group, "Me" means a methyl group, "Et" means an ethyl group, "ter-Bu" or "But ^t " means a tert-butyl group, "OMe"" means a methoxy group.

본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "비페닐기"는, 치환기가 "C₆-C₆₀아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.In the present specification, "biphenyl group" means "a phenyl group substituted with a phenyl group". The "biphenyl group" belongs to a "substituted phenyl group" in which the substituent is a "C ₆ -C ₆₀ aryl group".

본 명세서 중 "터페닐기"는 "비페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "터페닐기"는, 치환기가 "C₆-C₆₀아릴기로 치환된 C₆-C₆₀아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.In the present specification, "terphenyl group" means "a phenyl group substituted with a biphenyl group". The "terphenyl group" belongs to a "substituted phenyl group" in which the substituent is a "C ₆ -C ₆₀ aryl group substituted with a C ₆ -C ₆₀ aryl group".

본 명세서 중 * 및 *'은, 다른 정의가 없는 한, 해당 화학식 중 이웃한 원자와의 결합 사이트를 의미한다.In the present specification, * and *', unless otherwise defined, refer to binding sites with neighboring atoms in the corresponding chemical formula.

이하에서, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to Synthesis Examples and Examples.

[실시예][Example]

실시예 1Example 1

15Ω/cm²(1200Å) ITO/Ag/ITO 유리 기판(코닝사 제품)을 50mm x 50mm x 0.7mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공 증착 장치에 설치하였다.Cut a 15Ω/cm ² (1200Å) ITO/Ag/ITO glass substrate (made by Corning) into a size of 50mm x 50mm x 0.7mm and ultrasonically clean it using isopropyl alcohol and pure water for 5 minutes each, and then UV-ray for 30 minutes. It was irradiated and cleaned by exposure to ozone and installed in a vacuum deposition apparatus.

상기 유리 기판의 ITO/Ag/ITO 애노드 상에 HT3을 1.7 nm 두께로 증착한 이후 HT3 및 CuI를 97:3의 부피비로 공증착하여 8 nm의 두께의 정공 주입층을 형성하고, 상기 정공 주입층 상에 HT3을 증착하여 24 nm 두께의 제1정공 수송층을 형성하고, 상기 제1정공 수송층 상에 TCTA를 증착하여 5 nm 두께의 제2정공 수송층을 형성하고, 상기 제2정공 수송층 상에 H18 및 FD23을 98:2의 부피비로 공증착하여, 17 nm의 발광층을 형성하고, 상기 발광층 상에 T2T를 5 nm 두께의 제1전자 수송층을 형성하고, 상기 제1전자 수송층 상에 TPM-TAZ 및 LiQ를 1:1의 부피비로 공증착하여 25 nm 두께의 제2전자 수송층을 형성함으로써, 제1발광 유닛을 형성하였다.After depositing HT3 to a thickness of 1.7 nm on the ITO/Ag/ITO anode of the glass substrate, HT3 and CuI were co-deposited at a volume ratio of 97:3 to form a hole injection layer having a thickness of 8 nm, and the hole injection layer HT3 was deposited thereon to form a first hole transport layer having a thickness of 24 nm, TCTA was deposited on the first hole transport layer to form a second hole transport layer having a thickness of 5 nm, and H18 and FD23 was co-deposited in a volume ratio of 98:2 to form a 17 nm light emitting layer, T2T to form a 5 nm thick first electron transport layer on the light emitting layer, and TPM-TAZ and LiQ on the first electron transport layer was co-deposited at a volume ratio of 1:1 to form a second electron transport layer having a thickness of 25 nm, thereby forming a first light emitting unit.

상기 제1발광 유닛 상에, 화합물 N1 및 Li를 99:1의 부피비로 공증착하여 5 nm의 두께의 n형 전하 생성층을 형성하고, 상기 n형 전하 생성층 상에 HT3 및 Bi₂Te₃를 90:10의 부피비로 공증착하여 5 nm의 두께의 p형 전하 생성층을 형성하였다. 상기 p형 전하 생성층 상에 HT3 및 CuI 90:10의 부피비로 공증착하여 10nm의 두께의 p형 정공 주입층을 형성함으로써, 제1전하 생성 유닛을 형성하였다.On the first light emitting unit, compounds N1 and Li were co-deposited in a volume ratio of 99:1 to form an n-type charge generation layer with a thickness of 5 nm, and HT3 and Bi ₂ Te ₃ on the n-type charge generation layer was co-deposited at a volume ratio of 90:10 to form a p-type charge generating layer with a thickness of 5 nm. A first charge generating unit was formed by co-depositing HT3 and CuI at a volume ratio of 90:10 on the p-type charge generating layer to form a p-type hole injection layer having a thickness of 10 nm.

상기 제1전하 생성 유닛 상에, HT3을 증착하여 54 nm 두께의 제1정공 수송층을 형성하고, 상기 제1정공 수송층 상에 TCTA를 증착하여 5 nm 두께의 제2정공 수송층을 형성하고, 상기 제2정공 수송층 상에 H18 및 FD23을 98:2의 부피비로 공증착하여, 17 nm의 발광층을 형성하고, 상기 발광층 상에 T2T를 5 nm 두께의 제1전자 수송층을 형성하고, 상기 제1전자 수송층 상에 TPM-TAZ 및 LiQ를 1:1의 부피비로 공증착하여 25 nm 두께의 제2전자 수송층을 형성함으로써, 제2발광 유닛을 형성하였다.On the first charge generating unit, depositing HT3 to form a 54 nm thick first hole transport layer, depositing TCTA on the first hole transport layer to form a 5 nm thick second hole transport layer, and H18 and FD23 were co-deposited on the 2 hole transport layer in a volume ratio of 98:2 to form a 17 nm light emitting layer, T2T to form a 5 nm thick first electron transport layer on the light emitting layer, and the first electron transport layer TPM-TAZ and LiQ were co-deposited at a volume ratio of 1:1 to form a second electron transport layer having a thickness of 25 nm, thereby forming a second light emitting unit.

상기 제2발광 유닛 상에, 화합물 N1 및 Li를 99:1의 부피비로 공증착하여 5 nm의 두께의 n형 전하 생성층을 형성하고, 상기 n형 전하 생성층 상에 HT3 및 Bi₂Te₃를 90:10의 부피비로 공증착하여 5 nm의 두께의 p형 전하 생성층을 형성하였다. 상기 p형 전하 생성층 상에 HT3 및 CuI 90:10의 부피비로 공증착하여 10nm의 두께의 p형 정공 주입층을 형성함으로써, 제2전하 생성 유닛을 형성하였다.On the second light emitting unit, compounds N1 and Li were co-deposited at a volume ratio of 99:1 to form an n-type charge generation layer with a thickness of 5 nm, and HT3 and Bi ₂ Te ₃ on the n-type charge generation layer was co-deposited at a volume ratio of 90:10 to form a p-type charge generating layer with a thickness of 5 nm. A second charge generation unit was formed by co-depositing HT3 and CuI at a volume ratio of 90:10 on the p-type charge generation layer to form a p-type hole injection layer having a thickness of 10 nm.

상기 제2전하 생성 유닛 상에, HT3을 증착하여 44.5 nm 두께의 제1정공 수송층을 형성하고, 상기 제1정공 수송층 상에 TCTA를 증착하여 5 nm 두께의 제2정공 수송층을 형성하고, 상기 제2정공 수송층 상에 H18 및 FD23을 98:2의 부피비로 공증착하여 17 nm의 발광층을 형성하고, 상기 발광층 상에 T2T를 증착하여 5 nm 두께의 제1전자 수송층을 형성하고, 상기 제1전자 수송층 상에 TPM-TAZ 및 LiQ를 1:1의 부피비로 공증착하여 35 nm 두께의 제2전자 수송층을 형성하고, 상기 제2전자 수송층 상에 KI 및 Yb를 95:5의 부피비로 공증착하여 1.1 nm의 전자 주입층을 형성함으로써, 제3발광 유닛을 형성하였다.On the second charge generating unit, depositing HT3 to form a first hole transport layer having a thickness of 44.5 nm, depositing TCTA on the first hole transport layer to form a second hole transport layer having a thickness of 5 nm, H18 and FD23 were co-deposited on the 2 hole transport layer in a volume ratio of 98:2 to form a 17 nm light emitting layer, and T2T was deposited on the light emitting layer to form a 5 nm thick first electron transport layer, and the first electron TPM-TAZ and LiQ were co-deposited on the transport layer in a volume ratio of 1:1 to form a 35 nm thick second electron transport layer, and KI and Yb were co-deposited on the second electron transport layer in a volume ratio of 95:5. By forming an electron injection layer of 1.1 nm, a third light emitting unit was formed.

상기 제3발광 유닛 상에 Ag 및 Mg를 9:1의 부피비로 공증착하여 12 nm의 캐소드를 형성함으로써, 텐덤형 발광 소자를 제작하였다.A tandem light emitting device was manufactured by co-depositing Ag and Mg on the third light emitting unit in a volume ratio of 9:1 to form a 12 nm cathode.

실시예 2 내지 5 및 비교예 1 내지 7Examples 2 to 5 and Comparative Examples 1 to 7

하기 표 1에 기재된 재료를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 발광 소자를 제작하였다.A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the materials shown in Table 1 were used.

평가예 2Evaluation Example 2

상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 7에서 제작된 발광 소자의 구동 전압, 구동 전압 변화, 전류 효율, 수명 및 CIE 색좌표를 Keithley SMU 236 및 휘도계 PR650을 이용하여 측정하여, 그 결과를 표 1에 나타내었다. 수명(T₉₇)은, 발광 소자 구동 후 휘도(@400nit)가 초기 휘도(100%)의 97%가 되는데 걸리는 시간을 측정한 것이다. 구동 전압의 변화는 발광 소자를 구동한지 500 시간 후에 측정된 구동 전압과 초기 구동 전압 사이의 차이를 측정한 것이다.The driving voltage, driving voltage change, current efficiency, lifetime, and CIE color coordinates of the light emitting devices manufactured in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 7 were measured using Keithley SMU 236 and a luminance meter PR650, and the results are shown in Table 1 is shown. The lifetime (T ₉₇ ) is a measure of the time it takes for the luminance (@400nit) to become 97% of the initial luminance (100%) after driving the light emitting device. The change in the driving voltage is a measurement of the difference between the driving voltage measured 500 hours after driving the light emitting device and the initial driving voltage.

<화합물 A><Compound A>

상기 표 2로부터, 실시예 1 내지 5의 발광 소자는 비교예 1 내지 7의 발광 소자보다 구동 전압 상승률이 낮고, 효율 및 수명이 향상됨을 확인할 수 있고, 특히 현저히 향상된 수명을 가질 수 있음을 확인할 수 있다.From Table 2, it can be confirmed that the light emitting devices of Examples 1 to 5 have a lower driving voltage increase rate and improved efficiency and lifespan than the light emitting devices of Comparative Examples 1 to 7, and in particular, can have a significantly improved lifespan. have.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. . Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

1: 발광 소자
110, 321: 제1전극
190, 324: 제2전극
3: 발광 장치
310: 제1기판
322: 제1발광 유닛
323: 제2발광 유닛
330: 화소 정의막
340: 컬러 필터
341, 342, 343: 컬러 필터 영역
344: 차광 패턴1: light emitting element
110, 321: first electrode
190, 324: second electrode
3: light emitting device
310: first substrate
322: first light emitting unit
323: second light emitting unit
330: pixel defining layer
340: color filter
341, 342, 343: color filter area
344: light blocking pattern

Claims

제1전극,
상기 제1전극에 대향된 제2전극, 및
상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 유기층을 포함하고,
상기 유기층은 m개의 발광 유닛들 및 인접한 상기 발광 유닛들 사이에 개재된 (m-1)개의 전하 생성 유닛(들)을 포함하고,
m은 2 이상의 자연수이고,
상기 (m-1)개의 전하 생성 유닛(들) 중 적어도 하나가 n형 전하 생성층, p형 전하 생성층 및 p형 정공 주입층을 포함하고,
상기 n형 전하 생성층은 n형 유기 화합물 및 금속 재료를 포함하고,
상기 n형 유기 화합물이 페난트렌계 화합물, 포스핀옥사이드계 화합물 또는 페난트롤린계 화합물이고,
상기 금속 재료가 알칼리 금속, 알칼리 금속의 합금, 알칼리 토금속, 알칼리 토금속의 합금, 란타나이드 금속 및 란타나이드 금속의 합금 중에서 선택된 1종 이상이고,
상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층은 각각 서로 독립적으로, 무기 반도체 재료를 포함하고,
상기 무기 반도체 재료가 전이 금속의 할로겐화물, 전이후 금속의 할로겐화물, 비스무트, 텔루륨, 비스무트의 할로겐화물, 비스무트의 황화물, 비스무트의 셀렌화물, 비스무트의 텔루르화물, 전이 금속의 텔루르화물, 전이후 금속의 텔루르화물, 전이 금속의 황화물, 전이후 금속의 황화물, 전이 금속의 셀렌화물, 전이후 금속의 셀렌화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,
상기 p형 전하 생성층에 포함된 무기 반도체 재료와 상기 p형 정공 주입층에 포함된 무기 반도체 재료가 서로 동일하거나 상이한, 발광 소자.first electrode;
a second electrode opposite the first electrode; and
An organic layer interposed between the first electrode and the second electrode,
The organic layer includes m light emitting units and (m-1) charge generating unit(s) interposed between the adjacent light emitting units,
m is a natural number greater than or equal to 2,
At least one of the (m-1) charge generation unit(s) includes an n-type charge generation layer, a p-type charge generation layer, and a p-type hole injection layer,
The n-type charge generating layer includes an n-type organic compound and a metal material,
The n-type organic compound is a phenanthrene-based compound, a phosphine oxide-based compound or a phenanthroline-based compound,
The metal material is at least one selected from alkali metals, alkali metal alloys, alkaline earth metals, alkaline earth metal alloys, lanthanide metals, and lanthanide metal alloys,
The p-type charge generation layer and the p-type hole injection layer each independently include an inorganic semiconductor material,
The inorganic semiconductor material is a transition metal halide, post-transition metal halide, bismuth, tellurium, bismuth halide, bismuth sulfide, bismuth selenide, bismuth telluride, transition metal telluride, post-transition a telluride of a metal, a sulfide of a transition metal, a sulfide of a post-transition metal, a selenide of a transition metal, a selenide of a post-transition metal, or any combination thereof;
An inorganic semiconductor material included in the p-type charge generating layer and an inorganic semiconductor material included in the p-type hole injection layer are the same or different from each other.

삭제delete

제1항에 있어서,
상기 n형 전하 생성층에 포함된 상기 금속 재료는 리튬(Li), 소듐(Na), Bi-Li 합금, Bi-Na 합금, 이터븀(Yb), 사마륨(Sm), 유로븀(Eu), 테르븀(Tb), 홀뮴(Ho) 및 디스프로슘(Dy) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한, 발광 소자.According to claim 1,
The metal material included in the n-type charge generating layer may include lithium (Li), sodium (Na), Bi-Li alloy, Bi-Na alloy, ytterbium (Yb), samarium (Sm), eurobium (Eu), A light emitting device comprising at least one selected from terbium (Tb), holmium (Ho) and dysprosium (Dy).

제1항에 있어서,
상기 n형 전하 생성층에 포함된 상기 n형 유기 화합물과 상기 금속 재료 간의 결합 에너지는 1.25 eV 이상인, 발광 소자.According to claim 1,
The binding energy between the n-type organic compound and the metal material included in the n-type charge generation layer is 1.25 eV or more, a light emitting device.

제1항에 있어서,
상기 n형 전하 생성층에 포함된 상기 n형 유기 화합물과 상기 금속 재료의 부피비는 99.9:0.1 내지 80:20인, 발광 소자.According to claim 1,
The volume ratio of the n-type organic compound and the metal material included in the n-type charge generation layer is 99.9:0.1 to 80:20, a light emitting device.

삭제delete

제1항에 있어서,
상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층은 각각 서로 독립적으로, 정공 수송성 유기 화합물을 더 포함한, 발광 소자.According to claim 1,
The p-type charge generating layer and the p-type hole injection layer are each independently of each other, further comprising a hole transporting organic compound, a light emitting device.

제8항에 있어서,
상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층에 포함된 상기 정공 수송성 유기 화합물은, 서로 독립적으로, 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한, 발광 소자:
<화학식 201>

<화학식 202>

상기 화학식 201 및 202 중,
L₂₀₁ 내지 L₂₀₄는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
L₂₀₅은, *-O-*', *-S-*', *-N(Q₂₀₁)-*', 치환 또는 비치환된 C₁-C₂₀알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₂₀알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
xa5는 1 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
R₂₀₁ 내지 R₂₀₄ 및 Q₂₀₁은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.9. The method of claim 8,
The hole-transporting organic compound included in the p-type charge generating layer and the p-type hole injection layer, independently of each other, includes at least one selected from a compound represented by the following Chemical Formula 201 and a compound represented by the following Chemical Formula 202, light emission device:
<Formula 201>

In Formulas 201 and 202,
L ₂₀₁ to L ₂₀₄ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cyclo Alkenylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, substituted or unsubstituted It is selected from a cyclic divalent non-aromatic condensed polycyclic group and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,
L ₂₀₅ is, *-O-*', *-S-*', *-N(Q ₂₀₁ )-*', a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₂₀ alkylene group, a substituted or unsubstituted C ₂ - C ₂₀ alkenylene group, substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkylene group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkylene group, substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkenylene group, A substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenylene group, a substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ arylene group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroarylene group, a substituted or unsubstituted divalent It is selected from a non-aromatic condensed polycyclic group and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group,
xa1 to xa4 are each independently selected from an integer of 0 to 3,
xa5 is selected from an integer of 1 to 10,
R ₂₀₁ to R ₂₀₄ and Q ₂₀₁ are each independently, a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C ₃ -C ₁₀ Cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C ₁ -C ₁₀ heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, substituted or unsubstituted C ₆ -C ₆₀ aryloxy group, substituted or unsubstituted a C ₆ -C ₆₀ arylthio group, a substituted or unsubstituted C ₁ -C ₆₀ heteroaryl group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic hetero condensed group selected from the polycyclic group.

제8항에 있어서,
상기 p형 전하 생성층 및 상기 p형 정공 주입층 중, 상기 정공 수송성 유기 화합물과 상기 무기 반도체 재료의 부피비는 99.9:0.1 내지 80:20인, 발광 소자.9. The method of claim 8,
The volume ratio of the hole transporting organic compound and the inorganic semiconductor material in the p-type charge generating layer and the p-type hole injection layer is 99.9:0.1 to 80:20, a light emitting device.

제1항에 있어서,
상기 m개의 발광 유닛들 중, 제1전극에 m번째로 가까운 제m발광 유닛이 제m정공 수송 영역, 제m발광층, 제m전자 수송 영역을 포함하고,
상기 제m전자 수송 영역이 무기 절연체 재료를 포함한, 발광 소자.According to claim 1,
Among the m light emitting units, an m th light emitting unit closest to the m th electrode includes an m th hole transport region, an m th light emitting layer, and an m th electron transport region,
and the mth electron transport region includes an inorganic insulator material.

제11항에 있어서,
상기 제m전자 수송 영역이 n형 전자 주입층을 포함하고,
상기 n형 전자 주입층이 상기 무기 절연체 재료를 포함한, 발광 소자.12. The method of claim 11,
The m-th electron transport region includes an n-type electron injection layer,
and the n-type electron injection layer includes the inorganic insulator material.

제12항에 있어서,
상기 n형 전자 주입층이 상기 제2전극과 직접 접하는(in direct contact), 발광 소자.13. The method of claim 12,
The n-type electron injection layer is in direct contact with the second electrode, a light emitting device.

제11항에 있어서,
상기 무기 절연체 재료는 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토금속의 할로겐화물, 란타나이드 금속의 할로겐화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 발광 소자.12. The method of claim 11,
The inorganic insulator material comprises a halide of an alkali metal, a halide of an alkaline earth metal, a halide of a lanthanide metal, or any combination thereof.

제12항에 있어서,
상기 n형 전자 주입층이 상기 무기 절연체 재료로 이루어진, 발광 소자.13. The method of claim 12,
and the n-type electron injection layer is made of the inorganic insulator material.

제12항에 있어서,
상기 n형 전자 주입층이 금속 도펀트를 더 포함하고,
상기 금속 도펀트는 알칼리 토금속, 알칼리 토금속의 합금, 란타나이드 금속 및 란타나이드 금속의 합금 중에서 선택된 1종 이상을 포함한, 발광 소자.13. The method of claim 12,
The n-type electron injection layer further comprises a metal dopant,
The metal dopant includes at least one selected from an alkaline earth metal, an alloy of an alkaline earth metal, a lanthanide metal, and an alloy of a lanthanide metal, a light emitting device.

제16항에 있어서,
상기 금속 도펀트는 이터븀(Yb), 사마륨(Sm), 리튬(Li) 및 마그네슘(Mg) 중에서 선택된, 발광 소자.17. The method of claim 16,
The metal dopant is selected from ytterbium (Yb), samarium (Sm), lithium (Li) and magnesium (Mg), a light emitting device.

제16항에 있어서,
상기 무기 절연체 재료와 상기 금속 도펀트의 부피비는 100:0 내지 70:30인, 발광 소자.17. The method of claim 16,
The volume ratio of the inorganic insulator material and the metal dopant is 100:0 to 70:30, a light emitting device.

소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함한 박막 트랜지스터; 및 제1항, 제4항 내지 제6항 및 제8항 내지 제18항 중 어느 한 항의 발광 소자;를 포함하고,
상기 발광 소자의 제1전극과 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 서로 전기적으로 연결되어 있는, 장치.a thin film transistor including a source electrode, a drain electrode, and an active layer; And claim 1, claim 4 to claim 6, and claim 8 to claim 18 of any one of the light emitting device; includes,
A first electrode of the light emitting element and one of a source electrode and a drain electrode of the thin film transistor are electrically connected to each other.

제19항에 있어서,
컬러 필터를 더 포함하고,
상기 컬러 필터는 상기 발광 소자의 광이 취출되는 경로 상에 배치되는, 장치.20. The method of claim 19,
further comprising a color filter,
and the color filter is disposed on a path through which light of the light emitting element is extracted.