KR102355576B1 - Photosensitive adhesive composition and semiconductor device - Google Patents

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히로미치 스기야마
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Abstract

본 발명의 감광성 접착제 조성물은, (A) 알칼리 가용성 수지와, (B) 광산발생제와, (C) 에폭시 화합물과, (D) 융점이 50~150℃인 페놀 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 감광성 접착제 조성물의 경화물을, 반도체 소자끼리를 접착하는 접착층으로서 이용함으로써, 반도체 소자와 접착층의 계면에 기포(보이드)가 발생하는 것을 저감시킬 수 있으며, 또 계면에 기포가 발생해도 그 발생한 기포를 제거할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자끼리의 접착성(밀착성)을 높일 수 있다.The photosensitive adhesive composition of the present invention comprises (A) an alkali-soluble resin, (B) a photo-acid generator, (C) an epoxy compound, and (D) a phenol compound having a melting point of 50 to 150° C. . By using the cured product of the photosensitive adhesive composition of the present invention as an adhesive layer for bonding semiconductor elements to each other, the occurrence of bubbles (voids) at the interface between the semiconductor element and the adhesive layer can be reduced, and even if bubbles are generated at the interface, the The generated air bubbles can be removed. As a result, the adhesiveness (adhesiveness) between semiconductor elements can be improved.

Figure R1020177010967
Figure R1020177010967

Description

감광성 접착제 조성물 및 반도체 장치{PHOTOSENSITIVE ADHESIVE COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR DEVICE}Photosensitive adhesive composition and semiconductor device TECHNICAL FIELD

본 발명은, 감광성 접착제 조성물 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive adhesive composition and a semiconductor device.

반도체 장치의 집적도는, 이른바 무어의 법칙이라고 하는 예측을 따라, 지금까지 해를 거듭할 때마다 높아졌다. 그러나, 최근 반도체 소자에 형성되는 구조의 미세화가 물리적인 한계에 가까워진 이유도 있어, 반도체 장치의 고집적화의 페이스가 둔화되고 있다. 따라서, 1개의 반도체 소자에 대하여 고밀도화를 도모하는 것이 아닌, 복수의 반도체 소자를 적층함으로써, 반도체 장치의 외관의 집적도를 높이는 방법이 제안되고 있다.The degree of integration of semiconductor devices has increased from year to year according to the prediction of so-called Moore's Law. However, in recent years, there is a reason that the miniaturization of structures formed in semiconductor devices is approaching the physical limit, and the pace of high integration of semiconductor devices is slowing down. Accordingly, there has been proposed a method of increasing the degree of integration of the appearance of a semiconductor device by stacking a plurality of semiconductor elements instead of increasing the density of one semiconductor element.

복수의 반도체 소자의 적층은, 예를 들면 필름 형상 접착제를 통하여 반도체 소자(실리콘편(片))끼리를 접착함으로써 행해지고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).Lamination of a plurality of semiconductor elements is performed by, for example, bonding semiconductor elements (silicon pieces) to each other via a film adhesive (for example, refer to Patent Document 1).

또, 최근에는, 예를 들면 모바일 기기의 보급에 의하여, 반도체 장치의 고집적화에 더하여 반도체 장치의 소형화나 박형화가 요망되고 있다. 이로 인하여, 상기와 같은 복수의 반도체 소자를 적층한 구성의 반도체 장치에서는, 개개의 반도체 소자의 박육화(薄肉化)가 진행되고 있다.Moreover, in addition to high integration of a semiconductor device, size reduction and thickness reduction of a semiconductor device are desired in recent years, for example with the spread of mobile devices. For this reason, in the semiconductor device of the structure which laminated|stacked the some semiconductor element as mentioned above, thickness reduction of each semiconductor element is progressing.

박육의 반도체 소자는, 반도체 소자가 되는 웨이퍼를 에칭하여 박육화함으로써 형성할 수 있다. 그리고, 이 에칭은, 웨이퍼의 파손을 방지하기 위하여, 웨이퍼에 필름 형상 접착제를 접착한 상태에서 행해진다.A thin semiconductor element can be formed by etching and thinning the wafer used as a semiconductor element. And this etching is performed in the state which adhere|attached the film adhesive to the wafer in order to prevent breakage of a wafer.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2004-051970호Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-051970

그러나, 상기와 같이 에칭할 때, 에칭 시간이 길어지면, 웨이퍼와 필름 형상 접착제의 계면에 기포(보이드)가 발생한다는 문제가 본 발명자에 의하여 발견되었다. 이와 같은 문제가 일어나면, 웨이퍼를 개편화(個片化)한 후에, 필름 형상 접착제를 통하여 반도체 소자끼리를 접착하면, 상기 기포에 의하여 반도체 소자끼리의 접착성(밀착성)이 저하되어 버린다. 그 결과, 반도체 장치의 신뢰성이 저하되는 경우가 있다.However, when etching as mentioned above, when etching time becomes long, the problem that a bubble (void) generate|occur|produces at the interface of a wafer and a film adhesive was discovered by this inventor. When such a problem arises, when semiconductor elements are adhere|attached through a film adhesive after a wafer is divided into pieces, the adhesiveness (adhesion property) of semiconductor elements will fall by the said bubble. As a result, the reliability of a semiconductor device may fall.

본 발명의 목적은, 반도체 소자끼리의 접착성(밀착성)을 높일 수 있는 감광성 접착제 조성물, 및 이러한 감광성 접착제 조성물의 경화물에 의하여 반도체 소자끼리를 접착한 적층형 반도체 소자를 구비한 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is a highly reliable semiconductor device comprising a photosensitive adhesive composition capable of increasing the adhesion (adhesion) between semiconductor elements, and a laminated type semiconductor element in which semiconductor elements are adhered to each other by means of a cured product of the photosensitive adhesive composition. is to provide

이와 같은 목적은, 하기 (1) 내지 (18)의 본 발명에 의하여 달성된다.Such an object is achieved by the present invention of the following (1) to (18).

(1) (A) 알칼리 가용성 수지와,(1) (A) an alkali-soluble resin;

(B) 광산발생제와,(B) a photoacid generator;

(C) 에폭시 화합물과,(C) an epoxy compound;

(D) 융점이 50~150℃인 페놀 화합물(D) a phenolic compound having a melting point of 50 to 150° C.

을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 접착제 조성물.A photosensitive adhesive composition comprising a.

(2) 상기 (D) 페놀 화합물보다 융점이 높은 (X) 페놀 화합물을 더 포함하는 상기 (1)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(2) The photosensitive adhesive composition as described in said (1) which further contains the (X) phenolic compound which melting|fusing point is higher than the said (D) phenolic compound.

(3) 상기 (X) 페놀 화합물은, 그 융점이 151~250℃인 상기 (2)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(3) The said (X) phenolic compound is the photosensitive adhesive composition as described in said (2) whose melting|fusing point is 151-250 degreeC.

(4) 상기 (X) 페놀 화합물은, 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물을 포함하는 상기 (2) 또는 (3)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(4) The photosensitive adhesive composition according to (2) or (3), wherein the (X) phenol compound contains a phenol compound having a plurality of phenol skeletons.

(5) 상기 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물은, 환상 구조를 포함하는 치환기로서, 적어도 하나의 상기 페놀 골격에 결합한 치환기를 갖는 상기 (4)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(5) The photosensitive adhesive composition according to (4), wherein the phenol compound having a plurality of phenol skeletons has a substituent having a cyclic structure and a substituent bonded to at least one of the phenol skeletons.

(6) 상기 (D) 페놀 화합물은, 지방족 탄화 수소기를 포함하는 치환기를 갖는 페놀 화합물 및 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물 중 적어도 한쪽을 포함하는 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 감광성 접착제 조성물.(6) The (D) phenolic compound is described in any one of (1) to (5) above, wherein the phenol compound contains at least one of a phenol compound having a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group and a phenol compound having a plurality of phenol skeletons. A photosensitive adhesive composition.

(7) 상기 지방족 탄화 수소기를 포함하는 치환기를 갖는 페놀 화합물은, 그 수산기 당량이 150~250g/eq인 상기 (6)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(7) The photosensitive adhesive composition according to (6), wherein the phenol compound having a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group has a hydroxyl equivalent of 150 to 250 g/eq.

(8) 상기 (D) 페놀 화합물의 상기 복수의 페놀 골격은, 연결형의 다환 구조를 형성하고 있는 상기 (6) 또는 (7)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(8) The photosensitive adhesive composition according to (6) or (7), wherein the plurality of phenol skeletons of the (D) phenol compound form a linking polycyclic structure.

(9) 상기 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물은, 그 수산기 당량이 50~150g/eq인 상기 (6) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 감광성 접착제 조성물.(9) The photosensitive adhesive composition in any one of said (6)-(8) whose hydroxyl equivalent is 50-150 g/eq, as for the phenol compound which has said some phenol skeleton.

(10) 상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 환상 올레핀계 수지를 포함하는 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 감광성 접착제 조성물.(10) The photosensitive adhesive composition in any one of said (1)-(9) in which said (A) alkali-soluble resin contains cyclic olefin resin.

(11) 상기 환상 올레핀계 수지는, 노보넨계 수지를 포함하는 상기 (10)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(11) The photosensitive adhesive composition according to (10), wherein the cyclic olefin-based resin contains a norbornene-based resin.

(12) 상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 산성기를 갖는 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 감광성 접착제 조성물.(12) The photosensitive adhesive composition according to any one of (1) to (11), wherein the (A) alkali-soluble resin has an acidic group.

(13) 상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 탄소수가 2~30인 직쇄상의 치환기를 갖는 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 감광성 접착제 조성물.(13) The photosensitive adhesive composition according to any one of (1) to (12), wherein the (A) alkali-soluble resin has a linear substituent having 2 to 30 carbon atoms.

(14) 상기 직쇄상의 치환기는, 알킬에터 구조를 포함하는 상기 (13)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(14) The photosensitive adhesive composition according to (13), wherein the linear substituent includes an alkyl ether structure.

(15) 상기 직쇄상의 치환기는, 하기 식 (1)로 나타나는 기인 상기 (13) 또는 (14)에 기재된 감광성 접착제 조성물.(15) The photosensitive adhesive composition according to (13) or (14), wherein the linear substituent is a group represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017039533487-pct00001
Figure 112017039533487-pct00001

(식 (1) 중, z는, 1 이상 10 이하의 정수이다.)(In formula (1), z is an integer of 1 or more and 10 or less.)

(16) 상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 상기 직쇄상의 치환기를 갖는 반복 단위를 20~60mol%로 포함하는 상기 (13) 내지 (15) 중 어느 하나에 기재된 감광성 접착제 조성물.(16) The photosensitive adhesive composition according to any one of (13) to (15), wherein the (A) alkali-soluble resin contains 20 to 60 mol% of the linear substituent-containing repeating unit.

(17) 상기 (C) 에폭시 화합물은, 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 상기 (1) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 감광성 접착제 조성물.(17) The photosensitive adhesive composition according to any one of (1) to (16), wherein the (C) epoxy compound has two or more glycidyl groups.

(18) 적층형 반도체 소자를 구비하는 반도체 장치로서,(18) A semiconductor device comprising a stacked-type semiconductor element, comprising:

상기 적층형 반도체 소자는, 복수의 반도체 소자와, 상기 반도체 소자끼리의 사이에 마련되어, 이들을 접합하는 상기 (1) 내지 (17) 중 어느 하나에 기재된 감광성 접착제 조성물의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.The laminated semiconductor element has a plurality of semiconductor elements and a cured product of the photosensitive adhesive composition according to any one of (1) to (17), which is provided between the semiconductor elements and bonds them. Device.

본 발명의 감광성 접착제 조성물의 경화물을, 반도체 소자끼리를 접착하는 접착층으로서 이용함으로써, 반도체 소자와 접착층의 계면에 기포(보이드)가 발생하는 것을 저감시킬 수 있으며, 또 계면에 기포가 발생해도 그 발생한 기포를 제거할 수 있다. 이로 인하여, 반도체 소자끼리의 접착성(밀착성)을 높일 수 있다.By using the cured product of the photosensitive adhesive composition of the present invention as an adhesive layer for bonding semiconductor elements to each other, the occurrence of bubbles (voids) at the interface between the semiconductor element and the adhesive layer can be reduced, and even if bubbles are generated at the interface, the The generated air bubbles can be removed. For this reason, the adhesiveness (adhesion property) of semiconductor elements can be improved.

또, 본 발명에 의하면, 반도체 소자끼리의 접착성이 높은 적층형 반도체 소자를 구비한 신뢰성이 높은 반도체 장치가 얻어진다.Moreover, according to this invention, the highly reliable semiconductor device provided with the laminated-type semiconductor element with high adhesiveness between semiconductor elements is obtained.

도 1은, 본 발명의 반도체 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 3은, 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 4는, 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 5는, 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor device of this invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 .
FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 .
FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 .
FIG. 5 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 .

이하, 본 발명의 감광성 접착제 조성물 및 반도체 장치에 대하여 첨부 도면에 나타내는 적합 실시형태에 근거하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the photosensitive adhesive composition of this invention and a semiconductor device are demonstrated in detail based on suitable embodiment shown to an accompanying drawing.

<반도체 장치><Semiconductor device>

먼저, 본 발명의 반도체 장치의 일례에 대하여 설명한다.First, an example of the semiconductor device of the present invention will be described.

도 1은, 본 발명의 반도체 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor device of this invention.

도 1에 나타내는 반도체 장치(10)는, BGA(Ball Grid Array)형의 반도체 패키지를 갖는 일례이다. 반도체 장치(10)는, 적층된 복수의 반도체 칩(20)(반도체 소자)과, 반도체 칩(20)끼리를 접착하는 접착층(601)과, 반도체 칩(20)을 지지하는 패키지 기판(30)과, 반도체 칩(20)과 패키지 기판(30)을 접착하는 접착층(101)과, 반도체 칩(20)을 밀봉하는 몰드부(50)와, 패키지 기판(30)의 하방에 마련된 솔더볼(80)을 갖고 있다. 이하, 각부의 구성에 대하여 순차적으로 상세하게 설명한다.The semiconductor device 10 shown in FIG. 1 is an example which has a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor package. The semiconductor device 10 includes a plurality of stacked semiconductor chips 20 (semiconductor elements), an adhesive layer 601 for bonding the semiconductor chips 20 to each other, and a package substrate 30 supporting the semiconductor chips 20 . And, an adhesive layer 101 for bonding the semiconductor chip 20 and the package substrate 30 , a mold part 50 for sealing the semiconductor chip 20 , and a solder ball 80 provided below the package substrate 30 . has a Hereinafter, the configuration of each part will be sequentially described in detail.

반도체 칩(20)은, 어떠한 종류의 소자여도 되고, 예를 들면 NAND(Not AND) 플래시 메모리, DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 같은 메모리 소자, IC(Integrated Circuit), LSI(Large Scale Integration)와 같은 집적 회로 소자 등을 들 수 있다.The semiconductor chip 20 may be any type of device, for example, a memory device such as a NAND (Not AND) flash memory, a DRAM (Dynamic Random Access Memory), an IC (Integrated Circuit), LSI (Large Scale Integration) and The same integrated circuit element etc. are mentioned.

반도체 칩(20)의 구성 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 실리콘, 탄화 규소, 화합물 반도체 등의 단결정 재료, 다결정 재료, 어모퍼스 재료 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a structural material of the semiconductor chip 20, For example, Single crystal materials, such as silicon, silicon carbide, and a compound semiconductor, polycrystalline material, an amorphous material, etc. are mentioned.

복수의 반도체 칩(20)은, 그 면내 방향에 있어서 서로 조금씩 어긋나 적층되어 있으며, 이것에 의하여 칩 적층체(200)(적층형 반도체 소자)가 구성되어 있다. 또, 반도체 칩(20)끼리는 접착층(601)을 통하여 접착되어 있다. 접착층(601)은, 칩 적층체(200)의 상면에도 마련되어 있다. 또, 접착층(601)은, 본 발명의 감광성 접착제 조성물의 경화물(경화 후의 감광성 접착제 조성물)로 구성되어 있다. 또한, 감광성 접착제 조성물에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.The plurality of semiconductor chips 20 are stacked while shifting each other little by little in the in-plane direction, thereby forming the chip stack 200 (stacked semiconductor element). Moreover, the semiconductor chips 20 are adhere|attached via the adhesive layer 601 . The adhesive layer 601 is also provided on the upper surface of the chip laminated body 200 . Moreover, the adhesive layer 601 is comprised from the hardened|cured material (photosensitive adhesive composition after hardening) of the photosensitive adhesive composition of this invention. In addition, the photosensitive adhesive composition is demonstrated in detail later.

도 1에 나타내는 패키지 기판(30)은, 코어 기판(31)과, 절연층(32)과, 솔더레지스트층(33)과, 배선(34)과, 도통 바이어(35)를 구비하는 빌드업 기판이다.The package board 30 shown in FIG. 1 is a buildup board|substrate provided with the core board 31, the insulating layer 32, the soldering resist layer 33, the wiring 34, and the conduction|electrical_connection via|electrical_connection via 35. to be.

코어 기판(31)은, 패키지 기판(30)을 지지하는 기판이며, 예를 들면 유리 클로스에 수지 재료를 충전한 복합 재료로 구성되어 있다.The core board 31 is a board|substrate which supports the package board|substrate 30, and is comprised from the composite material which filled the resin material in the glass cloth.

또, 절연층(32)은, 배선(34)끼리나 배선(34)과 도통 바이어(35)를 절연하는 층간 절연층이며, 예를 들면 수지 재료로 구성되어 있다. 또, 솔더레지스트층(33)은, 패키지 기판(30)의 최표면에 형성된 배선을 보호하는 표면 보호층이며, 예를 들면 수지 재료로 구성되어 있다.Moreover, the insulating layer 32 is an interlayer insulating layer which insulates the wiring 34 comrades, the wiring 34, and the conduction|conduction via 35, and is comprised, for example from a resin material. Moreover, the soldering resist layer 33 is a surface protection layer which protects the wiring formed in the outermost surface of the package substrate 30, and is comprised from a resin material, for example.

또, 배선(34) 및 도통 바이어(35)는, 각각 전기 신호의 전송로이며, 예를 들면 Au, Ag, Cu, Al, Ni의 단체(單體) 또는 합금과 같은 금속 재료로 구성되어 있다.In addition, the wiring 34 and the conduction via 35 are electric signal transmission paths, respectively, and are composed of, for example, a single substance of Au, Ag, Cu, Al, Ni, or a metal material such as an alloy. .

솔더볼(80)은, 배선(34)과 전기적으로 접속되어 있으며, 외부의 전기 회로에 융착됨으로써, 배선(34)을 다른 전기 회로와 접속하기 위한 전극으로서 기능한다.The solder ball 80 is electrically connected to the wiring 34 and functions as an electrode for connecting the wiring 34 to another electrical circuit by being fused to an external electric circuit.

복수의 반도체 칩(20)을 적층하여 이루어지는 칩 적층체(200)는, 패키지 기판(30)의 상면에 재치되어 있다. 칩 적층체(200)와 패키지 기판(30)은, 접착층(101)에 의하여 접착되어 있다.A chip stack 200 formed by stacking a plurality of semiconductor chips 20 is placed on an upper surface of a package substrate 30 . The chip laminate 200 and the package substrate 30 are adhered to each other by the adhesive layer 101 .

또, 패키지 기판(30)의 배선(34)의 일부는, 패키지 기판(30)의 상면에 노출되어 있으며, 노출부를 구성하고 있다. 이 노출부와 각 반도체 칩(20)의 전극부가, 본딩 와이어(70)에 의하여 접속되어 있다.Moreover, a part of the wiring 34 of the package substrate 30 is exposed on the upper surface of the package substrate 30, and comprises the exposed part. The exposed portion and the electrode portion of each semiconductor chip 20 are connected by a bonding wire 70 .

도 1에 나타내는 몰드부(50)는, 칩 적층체(200)의 측면 및 상면을 덮음과 함께, 패키지 기판(30)의 상면 전체를 덮도록 구성되어 있다. 이로써, 외부 환경으로부터 칩 적층체(200)를 보호할 수 있다. 이와 같은 몰드부(50)는, 예를 들면 에폭시계 수지, 페놀계 수지 등의 각종 수지 재료로 구성되어 있다.The mold part 50 shown in FIG. 1 is comprised so that the whole upper surface of the package substrate 30 may be covered while covering the side surface and the upper surface of the chip laminated body 200 . Accordingly, the chip stack 200 may be protected from the external environment. Such a mold part 50 is comprised from various resin materials, such as an epoxy resin and a phenol resin, for example.

<반도체 장치의 제조 방법><Method for manufacturing semiconductor device>

다음으로, 반도체 장치(10)의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, the manufacturing method of the semiconductor device 10 is demonstrated.

도 2~5는, 각각 도 1에 나타내는 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도이다. 또한, 이하의 설명에서는, 설명의 편의상, 도 2~5의 상방을 "상"라고 하고, 하방을 "하"라고 한다.2-5 are diagrams for explaining the manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG. 1, respectively. In addition, in the following description, for convenience of description, the upper part of FIGS. 2-5 is called "upper", and the lower part is called "bottom".

반도체 장치(10)의 제조 방법은, 감광성 접착제 조성물을 포함하는 액체를 웨이퍼(반도체 기판) 상에 도포하여, 도막을 얻는 도포 공정과, 얻어진 도막을 노광하는 노광 공정과, 현상에 의하여 도막을 패터닝하는 현상 공정과, 도막이 마련된 웨이퍼에 에칭 처리 및 애싱 처리를 실시하는 처리 공정과, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 백 그라인드 공정과, 웨이퍼를 다이싱하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는 다이싱 공정과, 반도체 칩을 픽업하여 패키지 기판 상에 마운트한 후, 다른 반도체 칩을 픽업하여 먼저 마운트한 반도체 칩(피접합 부재) 상에 압착하는 마운트 공정을 갖는다. 이하, 각 공정에 대하여 순차 설명한다.In the manufacturing method of the semiconductor device 10, a liquid containing a photosensitive adhesive composition is applied on a wafer (semiconductor substrate) to obtain a coating film, an exposure process of exposing the obtained coating film, and patterning the coating film by development A developing process of performing an etching process and an ashing process on the wafer provided with a coating film, a back grinding process of grinding the back surface of the wafer, a dicing process of dicing the wafer into a plurality of semiconductor chips; After picking up a semiconductor chip and mounting it on a package substrate, it has a mounting process of picking up another semiconductor chip and compressing it on the semiconductor chip (to-be-joined member) mounted previously. Hereinafter, each process is sequentially demonstrated.

[1] 도포 공정[1] Application process

먼저, 반도체 칩(20)을 잘라내기 위한 웨이퍼(201)(도 2(a) 참조)를 준비하고, 그 위(한쪽의 면측)에 감광성 접착제 조성물을 포함하는 액체를 도포한다. 이로써, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(201) 상에 도막(601a)이 형성된다. 또한, 웨이퍼(201) 상에는, 각 반도체 칩(20)에 대응하여, 미리 반도체 회로나 전극 패드 등이 형성되어 있다. 즉, 웨이퍼(201)는, 반도체 제조 공정의 이른바 전공정에 제공되고 있다. 따라서, 웨이퍼(201)를 후술하는 공정에서 절단하여, 개편화함으로써, 웨이퍼(201)로부터 복수의 반도체 칩(20)을 잘라낼 수 있다.First, a wafer 201 (refer to Fig. 2(a)) for cutting out the semiconductor chip 20 is prepared, and a liquid containing a photosensitive adhesive composition is applied thereon (on one surface side). Thereby, the coating film 601a is formed on the wafer 201, as shown in FIG.2(b). Moreover, on the wafer 201, a semiconductor circuit, an electrode pad, etc. are previously formed in correspondence with each semiconductor chip 20. As shown in FIG. That is, the wafer 201 is provided in the so-called pre-process of the semiconductor manufacturing process. Accordingly, the plurality of semiconductor chips 20 can be cut out from the wafer 201 by cutting and separating the wafer 201 in a process to be described later.

도포 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 잉크젯법, 롤 코팅법, 인쇄법 등을 들 수 있다.Although the application|coating method is not specifically limited, The spin coating method, the spray coating method, the inkjet method, the roll coating method, the printing method, etc. are mentioned.

필요에 따라, 도포한 감광성 접착제 조성물을 포함하는 액체(액상 피막)를 가열하여 건조시키도록 해도 된다. 이 경우, 가열 온도는, 70~160℃인 것이 바람직하고, 80~150℃인 것이 보다 바람직하다. 또, 가열 시간은, 가열 온도에 따라 적절히 설정되지만, 5초~30분인 것이 바람직하고, 10초~15분인 것이 보다 바람직하다.You may make it dry by heating the liquid (liquid film) containing the apply|coated photosensitive adhesive composition as needed. In this case, it is preferable that it is 70-160 degreeC, and, as for heating temperature, it is more preferable that it is 80-150 degreeC. Moreover, although heating time is suitably set according to heating temperature, it is preferable that they are 5 second - 30 minutes, and it is more preferable that they are 10 second - 15 minutes.

감광성 접착제 조성물을 포함하는 액체는, 본 발명의 감광성 접착제 조성물에 이것을 용해 가능한 용매 등을 적절히 첨가함으로써 조제된다. 또, 이용하는 용매는, 후술하는 공정에 있어서 가열되었을 때, 휘발에 의하여 제거 가능한 것이 바람직하다. 구체적으로는, 이러한 용매로서는, 톨루엔, 자일렌, 벤젠, 다이메틸폼아마이드, 테트라하이드로퓨란, 에틸셀로솔브, 아세트산 에틸, N-메틸-2-피롤리돈, γ-뷰티로락톤, N,N-다이메틸아세트아마이드, 다이메틸설폭사이드, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이에틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 다이프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 뷰틸, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 테트라하이드로퓨란, 메틸-1,3-뷰틸렌글라이콜아세테이트, 1,3-뷰틸렌글라이콜-3-모노메틸에터, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트 등을 들 수 있으며, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 용해성이 높고, 또한 휘산에 의하여 제거하기 쉬운 점에서, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, γ-뷰티로락톤 및 사이클로헥산온 중 어느 하나를 포함하는 용매가 특히 바람직하다.The liquid containing the photosensitive adhesive composition is prepared by adding suitably the solvent etc. which can melt|dissolve this to the photosensitive adhesive composition of this invention. Moreover, when the solvent to be used is heated in the process mentioned later, it is preferable that it is removable by volatilization. Specifically, as such a solvent, toluene, xylene, benzene, dimethylformamide, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl acetate, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether , dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, tetrahydrofuran, methyl-1,3-butylene lycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxypropionate, etc., and one or two or more of these Can be used in combination. Among these, any one of propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, γ-butyrolactone and cyclohexanone is included from the viewpoint of high solubility and easy removal by volatilization. solvents are particularly preferred.

[2] 노광 공정[2] Exposure process

이어서, 웨이퍼(201) 상에 형성한 도막(601a)에 접하도록 마스크(4)를 마련하고, 도막(601a)의 원하는 영역(노광 영역)에 노광 처리를 실시한다(도 2(c) 참조). 이로써, 노광 영역의 도막(601a)에 있어서 광반응이 발생하고, 잠재적으로 패터닝이 실시된다(잠상이 형성된다).Next, the mask 4 is prepared so as to be in contact with the coating film 601a formed on the wafer 201, and exposure processing is performed on a desired region (exposure region) of the coating film 601a (refer to Fig. 2(c)). . Thereby, a photoreaction occurs in the coating film 601a in the exposure region, and patterning is potentially performed (a latent image is formed).

노광 처리에 이용되는 광으로서는, 다양한 파장의 전자파나 입자선 등이 이용되며, 예를 들면 i선과 같은 자외선, 가시광선, 레이저광, X선, 전자선 등을 들 수 있다. 이 중, 파장 200~700μm 정도의 자외선 또는 가시광선이 바람직하게 이용된다. 또, 노광 처리는, 예를 들면 공기 분위기하, 불활성 가스 분위기하, 감압 분위기하에 있어서 행할 수 있다.Electromagnetic waves, particle beams, etc. of various wavelengths are used as light used for exposure processing, For example, ultraviolet-ray like i-ray, visible light, a laser beam, X-ray, an electron beam, etc. are mentioned. Among these, ultraviolet rays or visible rays having a wavelength of about 200 to 700 µm are preferably used. Moreover, an exposure process can be performed in air atmosphere, inert gas atmosphere, and reduced pressure atmosphere, for example.

이 노광 공정에서는, 도막(601a)에 접하여 마련된 마스크(4) 대신에, 도막(601a)으로부터 분리하여 마련된 마스크를 이용하도록 해도 된다. 다만, 지향성이 높은 X선이나 전자선을 노광 처리에 이용하는 경우에는, 마스크의 사용을 생략할 수 있다.In this exposure process, you may make it use the mask provided separately from the coating film 601a instead of the mask 4 provided in contact with the coating film 601a. However, when X-rays or electron beams with high directivity are used for exposure processing, the use of a mask can be omitted.

노광 처리에 있어서의 노광량은, 도막(601a)의 두께나 감광성 접착제 조성물의 감도 등에 따라 적절히 설정되지만, 일례로서 30~3000mJ/cm2 정도인 것이 바람직하다.Although the exposure amount in an exposure process is suitably set according to the thickness of the coating film 601a, the sensitivity of the photosensitive adhesive composition, etc., it is preferable that it is about 30-3000 mJ/cm<2> as an example.

[3] 현상 공정[3] Development process

이어서, 노광 처리를 실시한 도막(601a)에 대하여, 현상 처리를 실시한다. 이로써, 노광부(도막(601a)의 노광 영역)가 제거되어, 도 2(d)에 나타내는 바와 같이, 원하는 패터닝이 실시된다. 이와 같은 현상 처리에 의하여, 예를 들면 반도체 칩(20)에 본딩 와이어(70)를 접속하기 위한 전극 패드를 노출시킬 수 있다. 또, 후술하는 다이싱 공정에 있어서 절단 마진이 되는 다이싱 라인 상의 도막(601a)을 제거할 수 있다.Next, a developing process is performed with respect to the coating film 601a which performed the exposure process. Thereby, the exposure part (exposed area|region of the coating film 601a) is removed, and desired patterning is implemented as shown in FIG.2(d). By such a developing process, the electrode pad for connecting the bonding wire 70 to the semiconductor chip 20 can be exposed, for example. Moreover, in the dicing process mentioned later, the coating film 601a on the dicing line used as a cutting margin can be removed.

현상 처리에서는, 노광 처리를 실시한 도막(601a)에 대하여 현상액을 접촉시킨다. 이로써, 노광부의 도막(601a)이 현상액에 용해되어 제거된다. 이로써, 도막(601a)에 개구부(601b)가 형성된다. 현상액으로서는, 예를 들면 알칼리 금속의 탄산염, 알칼리 금속의 수산화물, 테트라암모늄하이드록사이드와 같은 알칼리 현상액, 다이메틸폼아마이드, N-메틸-2-피롤리돈과 같은 유기계 현상액 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 현상액으로서는, 알칼리 현상액이 특히 바람직하게 이용된다. 다만, 알칼리 현상액은, 환경에 대한 부하가 작고, 잔사가 발생하기 어렵다는 특징을 갖는다.In the developing treatment, the developer is brought into contact with the coating film 601a subjected to the exposure treatment. Accordingly, the coating film 601a of the exposed portion is dissolved in the developer and removed. Thereby, the opening 601b is formed in the coating film 601a. Examples of the developer include alkali metal carbonate, alkali metal hydroxide, and tetraammonium hydroxide, and organic developer such as dimethylformamide and N-methyl-2-pyrrolidone. Among these, as a developing solution, an alkali developing solution is used especially preferably. However, the alkali developer has the characteristics that the load on the environment is small and the residue is hardly generated.

또, 현상액의 공급 방법으로서는, 예를 들면 스프레이, 퍼들, 침지, 초음파 등의 방식을 들 수 있다.Moreover, as a supply method of a developing solution, systems, such as spray, puddle, immersion, and ultrasonic wave, are mentioned, for example.

또한, 본 실시형태에서는, 도막(601a)이 이른바 포지티브형의 감광성을 갖고 있지만, 도막(601a)은 이른바 네거티브형의 감광성을 갖고 있어도 된다.In addition, in this embodiment, although the coating film 601a has a so-called positive photosensitivity, the coating film 601a may have a so-called negative photosensitivity.

[4] 처리 공정[4] treatment process

이어서, 도막(601a)이 마련된 웨이퍼(201)에 대하여, 에칭 처리를 실시한다. 이때, 개구부(601b)를 구비하는 도막(601a)이 에칭 마스크로서 기능한다. 이로써, 개구부(601b)에 대응하는 영역의 웨이퍼(201)의 표면(상면)에 대하여 선택적으로 에칭 처리가 실시된다. 그 결과, 웨이퍼(201)의 표면에 패시베이션막이 형성되어 있는 경우, 그것을 제거하여, 본딩 와이어(70)를 접속하기 위한 전극 패드를 노출시킬 수 있다.Next, the wafer 201 on which the coating film 601a was provided is etched. At this time, the coating film 601a provided with the opening part 601b functions as an etching mask. Thereby, the etching process is selectively performed with respect to the surface (top surface) of the wafer 201 in the area|region corresponding to the opening part 601b. As a result, when the passivation film is formed on the surface of the wafer 201 , it can be removed to expose the electrode pad for connecting the bonding wire 70 .

에칭 처리로서는, 예를 들면 도 3(f)에 나타내는 바와 같이 플라즈마의 웨이퍼(201)로의 공급에 의한 플라즈마 에칭 처리(드라이 에칭 처리), 각종 웨트 에칭 처리 등을 들 수 있다. 플라즈마 에칭 처리는, 일반적으로 알려진 조건으로 행할 수 있는데, 예를 들면 처리 가스로서 불소 화합물 가스(CF4, CHF3), 불소 화합물 가스(CF4, CHF3)와 산소 가스(O2)의 혼합물 가스, 또는 불소 화합물 가스(CF4, CHF3)와 아르곤 가스(Ar)의 혼합물 가스를 이용하고, 출력은 200~2000W, 시간은 0.2~15분, 가스 유량은 50~1000sccm의 조건으로 행할 수 있다.Examples of the etching treatment include plasma etching treatment by supplying plasma to the wafer 201 (dry etching treatment), various wet etching treatments, and the like, as shown in FIG. 3(f) . The plasma etching treatment can be performed under generally known conditions. For example, a mixture of a fluorine compound gas (CF 4 , CHF 3 ), a fluorine compound gas (CF 4 , CHF 3 ), and an oxygen gas (O 2 ) as a processing gas. Using gas or a mixture of fluorine compound gas (CF 4 , CHF 3 ) and argon gas (Ar), the output is 200 to 2000 W, the time is 0.2 to 15 minutes, and the gas flow rate is 50 to 1000 sccm. have.

그 후, 필요에 따라 도막(601a)이 마련된 웨이퍼(201)에 애싱 처리를 실시한다. 이로써, 에칭 처리에 의하여 발생한 처리 잔사 등을 제거하여, 도막(601a) 표면이나 전극 패드 표면을 청정(淸淨)할 수 있다. 그 결과, 후술하는 접착층(601)의 접착력을 높이거나, 전극 패드에 대한 본딩 와이어(70)의 접합력을 높이거나 할 수 있다.After that, an ashing process is performed on the wafer 201 provided with the coating film 601a as needed. Thereby, the process residue etc. which generate|occur|produced by the etching process can be removed, and the surface of the coating film 601a and the electrode pad surface can be cleaned. As a result, it is possible to increase the adhesive force of the adhesive layer 601 , which will be described later, or to increase the adhesive force of the bonding wire 70 to the electrode pad.

애싱 처리로서는, 예를 들면 플라즈마 처리, 약제를 이용한 웨트 처리 등을 들 수 있다. 플라즈마 처리는, 예를 들면 처리 가스로서 산소 가스(O2), 산소 가스(O2)와 아르곤 가스(Ar)의 혼합물 가스 등을 이용하고, 출력은 200~2000W, 처리 시간은 0.2~15분, 가스 유량은 50~1000sccm과 같은 조건으로 행할 수 있다.As an ashing process, a plasma process, the wet process using a chemical|medical agent, etc. are mentioned, for example. Plasma treatment uses, for example, oxygen gas (O 2 ), a mixture gas of oxygen gas (O 2 ) and argon gas (Ar) as the processing gas, and the output is 200 to 2000 W, and the processing time is 0.2 to 15 minutes. , the gas flow rate can be performed under the same conditions as 50 to 1000 sccm.

[5] 백 그라인드 공정[5] Back grind process

이어서, 도 3(g)에 나타내는 바와 같이, 도막(601a) 상에 백 그라인드 필름(90)을 첩부한다. 백 그라인드 필름(90)은, 백 그라인드 처리 시에 웨이퍼(201)를 지지하여, 웨이퍼(201)에 결락이나 균열 등의 문제가 발생하는 것을 억제한다.Next, as shown in FIG.3(g), the back grind film 90 is affixed on the coating film 601a. The back grind film 90 supports the wafer 201 at the time of the back grind process, and suppresses the occurrence of problems such as chipping and cracking in the wafer 201 .

이어서, 웨이퍼(201)의 이면(다른 한쪽의 면측)을 연삭한다(백 그라인드 처리). 이로써, 도 3(h)의 파선(破線) 부분이 제거되어, 웨이퍼(201)의 두께를 얇게 할 수 있다. 백 그라인드 처리에 의하여, 웨이퍼(201)의 두께를, 원래의 웨이퍼(201)의 두께에 따라 다르지만, 20~100μm 정도로까지 얇게 할 수 있다.Next, the back surface (the other surface side) of the wafer 201 is ground (back grinding process). Accordingly, the broken line portion in FIG. 3H is removed, and the thickness of the wafer 201 can be reduced. By the back grind process, the thickness of the wafer 201 can be made as thin as about 20 to 100 µm, although depending on the thickness of the original wafer 201 .

백 그라인드 처리에는, 예를 들면 백 그라인딩 휠이라고 불리는 장치가 이용된다.For the back grinding process, for example, an apparatus called a back grinding wheel is used.

또한, 본 발명의 감광성 접착제 조성물로부터 얻어진 도막(601a)을 절단함으로써, 반도체 칩(20)과의 사이에서 충분한 접착력을 발현하는 접착층(601)을 잘라낼 수 있다. 그에 더하여, 본 발명의 감광성 접착제 조성물로부터 얻어진 도막(601a)은, 백 그라인드 필름(90)에 대해서도 충분한 접착력을 발현한다. 따라서, 도막(601a) 상에 백 그라인드 필름(90)을 첩부함으로써, 백 그라인드 필름(90)은, 도막(601a) 및 웨이퍼(201)를 확실히 지지할 수 있다. 이로써, 백 그라인드 처리 시에 백 그라인드 필름(90)에 대한 웨이퍼(201)의 위치 어긋남이 발생하지 않기 때문에, 고정밀도의 백 그라인드 처리를 웨이퍼(201)에 대하여 행할 수 있다. 이로 인하여, 웨이퍼(201)의 두께의 불균일을 억제할 수 있다. 그 결과, 적층했을 때에 기울어짐 등이 발생하기 어려운 반도체 칩(20)을 얻을 수 있다.Moreover, by cutting the coating film 601a obtained from the photosensitive adhesive composition of this invention, the adhesive layer 601 which expresses sufficient adhesive force with the semiconductor chip 20 can be cut out. In addition, the coating film 601a obtained from the photosensitive adhesive composition of this invention expresses sufficient adhesive force also to the back grind film 90. Therefore, by affixing the back grind film 90 on the coating film 601a, the back grind film 90 can support the coating film 601a and the wafer 201 reliably. Thereby, since the position shift of the wafer 201 with respect to the back grind film 90 does not generate|occur|produce during a back grind process, a high precision back grind process can be performed with respect to the wafer 201. FIG. For this reason, the nonuniformity of the thickness of the wafer 201 can be suppressed. As a result, it is possible to obtain a semiconductor chip 20 that is less prone to inclination or the like when stacked.

또, 본 실시형태의 경우, 백 그라인드 공정에 제공되는 웨이퍼(201)에 대하여 도막(601a)을 성막하고, 그 상태에서 백 그라인드 처리를 행하고 있다. 상술한 바와 같이, 도막(601a)은, 반도체 칩(20)끼리를 확실히 접착할 수 있는 기계적 특성을 구비하고 있다. 따라서, 도막(601a)은, 웨이퍼(201)와 백 그라인드 필름(90)의 사이에 개재하여, 웨이퍼(201)를 기계적으로 지지하는 기능도 겸비한다. 또, 도막(601a)은, 액상 상태로 웨이퍼(201)에 성막된 후, 약간 경화되어 있기 때문에, 웨이퍼(201)와의 밀착성이 양호하다. 따라서, 도막(601a)이 마련된 웨이퍼(201)에 백 그라인드 처리를 실시함으로써, 보다 균일한 처리가 가능해진다Moreover, in the case of this embodiment, the coating film 601a is formed into a film with respect to the wafer 201 used for a back grinding process, and the back grinding process is performed in that state. As described above, the coating film 601a has mechanical properties capable of reliably bonding the semiconductor chips 20 to each other. Accordingly, the coating film 601a is interposed between the wafer 201 and the back grind film 90 , and also has a function of mechanically supporting the wafer 201 . In addition, since the coating film 601a is slightly cured after being formed on the wafer 201 in a liquid state, adhesion to the wafer 201 is good. Therefore, by performing the back grind process to the wafer 201 provided with the coating film 601a, a more uniform process becomes possible.

백 그라인드 필름(90)에는, UV 박리 타입의 백 그라인드 필름을 이용할 수 있다. 이와 같은 백 그라인드 필름(90)을 이용함으로써, 백 그라인드 처리 후에 도막(601a)으로부터 백 그라인드 필름(90)을 박리할 때, 백 그라인드 필름(90)을 통하여 도막(601a)에 UV 조사 처리를 실시하는 것만으로, 백 그라인드 필름(90)과 도막(601a)의 사이의 접착력을 큰 폭으로 저감시킬 수 있다. 그 결과, 도막(601a)에 큰 부담을 끼치지 않고, 백 그라인드 필름(90)을 도막(601a)으로부터 원활히 박리할 수 있다.As the back grind film 90 , a UV peeling type back grind film can be used. By using such a back grind film 90, when peeling the back grind film 90 from the coating film 601a after the back grind process, UV irradiation treatment is performed on the coating film 601a through the back grind film 90 Only by doing so, the adhesive force between the back grind film 90 and the coating film 601a can be reduced significantly. As a result, it is possible to smoothly peel the back grind film 90 from the coating film 601a without putting a large burden on the coating film 601a.

[6] 다이싱 공정[6] Dicing process

이어서, 웨이퍼(201)에 다이싱 처리를 실시한다. 이로써, 웨이퍼(201)가 복수의 반도체 칩(20)으로 개편화된다(분리된다).Next, a dicing process is performed on the wafer 201 . As a result, the wafer 201 is divided (separated) into a plurality of semiconductor chips 20 .

다이싱 처리는, 웨이퍼(201)를 다이싱·다이 어태치 필름 혹은 다이싱 필름에 첩부한 상태에서 행한다. 이 다이싱·다이 어태치 필름 혹은 다이싱 필름은, 다이싱 처리 시에 웨이퍼(201)를 고정하기 위하여 이용된다.The dicing process is performed in a state in which the wafer 201 is adhered to a dicing die attach film or a dicing film. This dicing die attach film or dicing film is used in order to fix the wafer 201 at the time of a dicing process.

도 3(i1) 및 도 3(i2)는, 각각 백 그라인드 공정에 있어서 연삭된 웨이퍼(201)의 이면측에 다이싱 필름(100a)을 첩부한 예를 나타내는 도이다. 또한, 도 3(i1)은, 칩 적층체(200)의 최하층(패키지 기판(30)에 가장 가까운 층)에 이용되는 반도체 칩(20)을 잘라내기 위한 웨이퍼(201) 등을 도시하고 있다. 한편, 도 3(i2)는, 칩 적층체(200)의 최하층 이외의 층에 이용되는 반도체 칩(20)을 잘라내기 위한 웨이퍼(201) 등을 도시하고 있다.3(i1) and 3(i2) are diagrams each showing an example in which the dicing film 100a is affixed to the back surface side of the wafer 201 ground in the back grinding step. Fig. 3(i1) shows a wafer 201 or the like for cutting out the semiconductor chip 20 used for the lowest layer (the layer closest to the package substrate 30) of the chip stack 200 . On the other hand, Fig. 3(i2) shows a wafer 201 or the like for cutting out the semiconductor chip 20 used for a layer other than the lowest layer of the chip stack 200 .

도 3(i1)에서는, 다이싱 필름(100a)과 다이 어태치 필름(100b)의 적층체인 다이싱·다이 어태치 필름(100)이 웨이퍼(201)의 이면에 첩부되어 있다. 한편, 도 3(i2)에서는, 웨이퍼(201)의 이면에 다이싱 필름(100a)이 첩부되어 있다.In FIG. 3(i1) , a dicing die attach film 100 which is a laminate of a dicing film 100a and a die attach film 100b is affixed to the back surface of a wafer 201 . On the other hand, in FIG. 3( i2 ), the dicing film 100a is affixed on the back surface of the wafer 201 .

이어서, 도 4(j1) 및 도 4(j2)에 나타내는 바와 같이, 도막(601a)으로부터 백 그라인드 필름(90)을 박리한다.Next, as shown to FIG.4(j1) and FIG.4(j2), the back grind film 90 is peeled from the coating film 601a.

이어서, 도막(601a)이 마련된 웨이퍼(201)에 대하여 다이싱 처리를 실시한다. 다이싱 처리는, 도 4(k1) 및 도 4(k2)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 블레이드(110)가 다이싱 필름(100a)에 도달하도록 행한다. 그 결과, 도막(601a), 웨이퍼(201) 및 다이 어태치 필름(100b)이 각각 개편화되어, 도 4(k1)에 나타내는 바와 같이, 접착층(601), 반도체 칩(20)(제1 반도체 소자) 및 접착층(101)이 적층하여 이루어지는 개편(21)이 잘라진다. 마찬가지로, 도막(601a) 및 웨이퍼(201)가 각각 개편화되어, 도 4(k2)에 나타내는 바와 같이, 접착층(601) 및 반도체 칩(20)(제2 반도체 소자)이 적층하여 이루어지는 개편(22)이 잘라진다.Next, the dicing process is performed with respect to the wafer 201 on which the coating film 601a was provided. A dicing process is performed so that the dicing blade 110 may reach|attain the dicing film 100a, as shown to FIG.4(k1) and FIG.4(k2). As a result, the coating film 601a, the wafer 201, and the die attach film 100b are separated into individual pieces, respectively, and as shown in FIG. 4(k1), the adhesive layer 601, the semiconductor chip 20 (first semiconductor) element) and the individual piece 21 formed by laminating|stacking the adhesive layer 101 are cut. Similarly, the coating film 601a and the wafer 201 are separated into individual pieces, respectively, and as shown in Fig. 4(k2), the individual pieces 22 formed by laminating the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20 (second semiconductor element). ) is cut off.

또한, 본 실시형태에서는, 1매의 웨이퍼(201)(복수의 반도체 칩(20)의 접합체)에 다이싱 처리를 실시하여 복수의 반도체 칩(20)을 잘라내고 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 미리 개편화되어 있는 복수의 반도체 칩(20)을 이용해도 된다. 이 경우, 다이싱 공정을 생략할 수 있다. 또, 웨이퍼(201)나 반도체 칩(20)이 당초부터 얇은 경우에는, 백 그라인드 공정을 생략할 수 있다.In the present embodiment, a plurality of semiconductor chips 20 are cut out by dicing one wafer 201 (a joined body of a plurality of semiconductor chips 20 ). However, the present invention is not limited to this, and, for example, a plurality of semiconductor chips 20 separated in advance may be used. In this case, the dicing process can be omitted. Moreover, when the wafer 201 or the semiconductor chip 20 is thin from the beginning, the back grinding process can be abbreviate|omitted.

또, 백 그라인드 공정과 다이싱 공정의 공정 순서는, 상술한 순서에 한정되지 않으며, 그들의 순서를 바꿔도 된다. 즉, 웨이퍼(201)에 다이싱 처리를 실시한 후, 백 그라인드 처리를 실시하도록 해도 된다.In addition, the process order of a back grinding process and a dicing process is not limited to the order mentioned above, You may change those order. That is, after performing the dicing process on the wafer 201, you may make it perform a back grind process.

[7] 마운트 공정[7] Mounting process

도 4(L1) 및 도 4(L2)는, 각각 잘라진 개편(21) 및 개편(22)을 본딩 장치(120)의 콜릿(121)으로 픽업하는 예를 나타내는 도이다.4(L1) and 4(L2) are diagrams showing an example of picking up the cut piece 21 and piece 22 with the collet 121 of the bonding apparatus 120, respectively.

먼저, 개편(21)을 본딩 장치(120)의 콜릿(121)으로 픽업하여, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 패키지 기판(30) 상에 압착(마운트)한다. 이때, 반도체 칩(20)의 이면과 패키지 기판(30)은, 접착층(101)을 통하여 접착된다. 또한, 이 접착층(101)은, 다이 어태치 필름(100b)을 개편화하여 형성된다. 단, 접착층(101)은, 예를 들면 본 발명의 감광성 접착제 조성물의 미경화물 또는 반경화물(완전 경화에 이르지 않은 감광성 접착제 조성물)로 형성되어도 된다. 이 경우, 패키지 기판(30)도 반도체 소자(20)에 접합되는 비접합 부재에 상당한다. 즉, 본 발명의 감광성 접착제 조성물은, 반도체 소자(20)와 반도체 소자(피접합 부재)(20)의 접합뿐만 아니라, 반도체 소자(20)와 패키지 기판(피접합 부재)(30)의 접합에도 이용할 수 있다. 또한, 피접합 부재는 이들에 한정되지 않는다.First, the piece 21 is picked up by the collet 121 of the bonding apparatus 120, and is crimped|compressed-bonded (mounted) on the package board|substrate 30, as shown to FIG. At this time, the back surface of the semiconductor chip 20 and the package substrate 30 are adhered through the adhesive layer 101 . In addition, this adhesive layer 101 is formed by separating the die attach film 100b into pieces. However, the adhesive layer 101 may be formed, for example from the uncured material or semi-hardened|cured material (photosensitive adhesive composition which does not reach complete curing) of the photosensitive adhesive composition of this invention. In this case, the package substrate 30 also corresponds to a non-bonding member bonded to the semiconductor element 20 . That is, the photosensitive adhesive composition of the present invention is not only for bonding the semiconductor element 20 and the semiconductor element (member to be joined) 20 , but also for bonding the semiconductor element 20 and the package substrate (member to be joined) 30 . Available. In addition, the to-be-joined member is not limited to these.

계속해서, 먼저 마운트한 개편(21) 상에, 개편(22)을 압착한다. 이로써, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 접착층(601)을 통하여 2매의 반도체 칩(20)을 적층할 수 있다. 그 후, 이 공정을 반복함으로써, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 다수의 반도체 칩(20)을 적층하여 이루어지는 칩 적층체(200)가 얻어진다. 이때, 반도체 칩(20)의 위치를 서로 어긋나게 하면서 적층함으로써, 반도체 칩(20)에 있어서 본딩 와이어(70)를 접속하는 영역(도막(601a)의 개구부(601b)에 대응하는 영역)을 확보할 수 있다. 즉, 반도체 칩(20)의 위치를 서로 어긋나게 하면서 적층함으로써, 반도체 칩(20)의 전극부를 노출시킬 수 있다.Then, the piece 22 is crimped on the piece 21 mounted earlier. Thereby, as shown in FIG.5(b), the two semiconductor chips 20 can be laminated|stacked via the adhesive layer 601. As shown in FIG. Then, by repeating this process, as shown in FIG.5(c), the chip laminated body 200 formed by laminating|stacking many semiconductor chips 20 is obtained. At this time, by stacking the semiconductor chips 20 while shifting their positions from each other, the region for connecting the bonding wires 70 in the semiconductor chip 20 (the region corresponding to the opening 601b of the coating film 601a) can be secured. can That is, by stacking the semiconductor chips 20 while shifting the positions of the semiconductor chips 20 , the electrode portions of the semiconductor chips 20 can be exposed.

또, 반도체 칩(20)을 마운트할 때에는, 접착층(601)을 가열하면서 행하도록 한다. 이로써, 접착층(601)이 충분한 접착력을 발현하여, 반도체 칩(20)끼리를 강고하게 접착할 수 있다. 이 경우의 가열 온도는, 30~150℃ 정도인 것이 바람직하다. 또, 마운트 시의 압착 하중은 0.1~100N 정도, 압착 시간은 0.1~10초 정도인 것이 바람직하다.In addition, when the semiconductor chip 20 is mounted, it is carried out while heating the adhesive layer 601 . Thereby, the adhesive layer 601 can express sufficient adhesive force, and can adhere|attach the semiconductor chips 20 comrades firmly. It is preferable that the heating temperature in this case is about 30-150 degreeC. Moreover, it is preferable that the crimping|compression-bonding load at the time of mounting is about 0.1-100N, and it is preferable that the crimping|compression-bonding time is about 0.1-10 second.

그 후, 각 반도체 칩(20)의 전극부와 패키지 기판(30)의 배선(34)의 노출부를, 도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 본딩 와이어(70)에 의하여 접속한다.Then, the electrode part of each semiconductor chip 20 and the exposed part of the wiring 34 of the package substrate 30 are connected by the bonding wire 70, as shown in FIG.5(d).

그리고, 칩 적층체(200) 및 패키지 기판(30)을 덮도록 몰드부(50)를 성형함으로써, 도 1에 나타내는 반도체 장치(10)가 얻어진다.And the semiconductor device 10 shown in FIG. 1 is obtained by shape|molding the mold part 50 so that the chip laminated body 200 and the package board|substrate 30 may be covered.

몰드부(50)의 성형은, 예를 들면 트랜스퍼 성형기를 이용하여 밀봉 재료를 성형형(成形型) 내에 주입함으로써 행할 수 있다. 그 경우, 성형형의 온도를 130~250℃ 정도, 주입 압력을 3~10MPa 정도, 주입 후의 유지 시간을 10초~10분 정도로 하는 것이 바람직하다.The molding of the mold portion 50 can be performed by, for example, injecting a sealing material into a molding die using a transfer molding machine. In that case, it is preferable to set the temperature of the molding die to about 130 to 250° C., to set the injection pressure to about 3 to 10 MPa, and to set the holding time after injection to about 10 seconds to 10 minutes.

이형(離型) 후, 필요에 따라 성형체를 가열함으로써, 몰드부(50) 및 접착층(601)을 최종 경화(완전 경화)시킬 수 있다. 그 경우의 가열 온도는 130~250℃ 정도인 것이 바람직하고, 가열 시간은 10분~10시간 정도인 것이 바람직하다.After mold release, the molded part 50 and the adhesive layer 601 can be finally cured (completely cured) by heating the molded body as needed. It is preferable that the heating temperature in that case is about 130-250 degreeC, and it is preferable that the heating time is about 10 minutes - about 10 hours.

또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 [3] 현상 공정과 [4] 처리 공정의 사이에 가열 공정을 갖고 있어도 된다. 이 가열 공정에서는, 현상 처리가 실시된 도막(601a)을 가열한다(도 2(e) 참조). 이로써, 도막(601a)을 구성하는 감광성 접착제 조성물에 있어서 소정의 경화 반응(열경화 반응)이 발생한다. 그 결과, 감광성 접착제 조성물이 약간 경화(반경화)하여, 도막(601a)의 접착성이 증대한다.In addition, the semiconductor device manufacturing method of the present invention may include a heating step between the [3] developing step and the [4] treatment step. In this heating process, the developed coating film 601a is heated (refer FIG.2(e)). Thereby, in the photosensitive adhesive composition which comprises the coating film 601a, a predetermined|prescribed hardening reaction (thermosetting reaction) generate|occur|produces. As a result, the photosensitive adhesive composition cures slightly (semi-cured), and the adhesiveness of the coating film 601a increases.

도막(601a)의 가열 온도는, 특별히 한정되지 않지만, 80~170℃인 것이 바람직하고, 120~160℃인 것이 보다 바람직하다. 또, 가열 시간은, 가열 온도에 따라 적절히 설정되지만, 35~120분인 것이 바람직하고, 40~100분인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 도막(601a)의 탄성률 등의 기계적 특성이 최적화됨과 함께, 도막(601a)에 에칭 처리나 애싱 처리에 대한 충분한 내성이 부여된다.Although the heating temperature of the coating film 601a is not specifically limited, It is preferable that it is 80-170 degreeC, and it is more preferable that it is 120-160 degreeC. Moreover, although heating time is set suitably according to heating temperature, it is preferable that it is 35 to 120 minutes, and it is more preferable that it is 40 to 100 minutes. Thereby, while mechanical properties, such as an elastic modulus of the coating film 601a are optimized, sufficient resistance with respect to an etching process and an ashing process is provided to the coating film 601a.

또, 도막(601a)은, 본 발명의 감광성 접착제 조성물로 형성되어 있으며, 이와 같은 도막(601a)으로부터 형성된 접착층(601)은, 유기 용제에 대하여 비교적 높은 용해성을 나타낸다. 이로 인하여, 예를 들면 웨이퍼(201)에 도막(601a)을 성막한 후, 이 도막(601a)을 제거할 필요가 발생한 경우라도, 잔사(잔류물)의 발생을 억제하면서, 도막(601a)을 효율적으로 용해시켜, 제거할 수 있다. 이로 인하여, 웨이퍼(201)를 낭비하지 않고, 재차 접착 프로세스에 제공(리워크)할 수 있다. 그 결과, 반도체 장치(10)의 공정 수율의 개선을 도모할 수 있다.Moreover, the coating film 601a is formed from the photosensitive adhesive composition of this invention, The adhesive layer 601 formed from this coating film 601a shows comparatively high solubility with respect to an organic solvent. For this reason, for example, even when it is necessary to remove the coating film 601a after forming the coating film 601a on the wafer 201, the coating film 601a is removed while suppressing the generation of residues (residues). It can be efficiently dissolved and removed. For this reason, it is possible to provide (rework) the wafer 201 to the bonding process again without wasting it. As a result, the process yield of the semiconductor device 10 can be improved.

또한, 반도체 장치의 제조 방법은, 가열 공정에 더하여, 또는 가열 공정 대신에, 도막의 전체면에 광을 조사하는 공정(광조사 공정)을 갖고 있어도 된다.Moreover, the manufacturing method of a semiconductor device may have the process (light irradiation process) of irradiating light to the whole surface of a coating film in addition to a heating process, or instead of a heating process.

<감광성 접착제 조성물><Photosensitive adhesive composition>

다음으로, 접착층(601)을 구성하는 감광성 접착제 조성물(본 발명의 감광성 접착제 조성물)에 대하여 설명한다.Next, the photosensitive adhesive composition (photosensitive adhesive composition of this invention) which comprises the adhesive layer 601 is demonstrated.

<<조성>><<Composition>>

감광성 접착제 조성물은, (A) 알칼리 가용성 수지와, (B) 광산발생제와, (C) 에폭시 화합물과, (D) 페놀 화합물을 포함한다.The photosensitive adhesive composition contains (A) alkali-soluble resin, (B) a photo-acid generator, (C) an epoxy compound, and (D) a phenol compound.

이하, 감광성 접착제 조성물을 구성하는 각 재료에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each material which comprises the photosensitive adhesive composition is demonstrated in detail.

<(A) 알칼리 가용성 수지><(A) alkali-soluble resin>

(A) 알칼리 가용성 수지는, 접착층(601)의 기재(基材)가 되는 재료이다. 또, 감광성 접착제 조성물은, (A) 알칼리 가용성 수지를 포함함으로써, 접착층(601)의 반도체 칩(20)에 대한 접착력(밀착력)을 높일 수 있다. 이로 인하여, 접착층(601)에 의하여 반도체 칩(20)끼리를 보다 강고하게 접착할 수 있다. 또한 감광성 접착제 조성물이 (A) 알칼리 가용성 수지를 포함함으로써, 도막(601a)에 알칼리 현상액에 대한 가용성을 부여할 수 있다. 이로 인하여, 환경 부하가 작은 알칼리 현상액을 이용할 수 있으며, 현상 공정에 있어서의 환경 부하의 저감을 도모할 수 있다.(A) Alkali-soluble resin is a material used as a base material of the contact bonding layer 601 . Moreover, the photosensitive adhesive composition can raise the adhesive force (adhesive force) with respect to the semiconductor chip 20 of the adhesive layer 601 by including (A) alkali-soluble resin. For this reason, the semiconductor chips 20 can be more firmly adhere|attached by the adhesive layer 601 . Moreover, when the photosensitive adhesive composition contains (A) alkali-soluble resin, solubility with respect to an alkali developing solution can be provided to the coating film 601a. For this reason, an alkaline developing solution with a small environmental load can be used, and reduction of the environmental load in a developing process can be aimed at.

(A) 알칼리 가용성 수지로서는, 구체적으로는, 예를 들면 페놀계 수지, 아크릴계 수지, 환상 올레핀계 수지, 폴리아마이드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리바이닐페놀계 수지 등을 들 수 있으며, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도 (A) 알칼리 가용성 수지로서는, 환상 올레핀계 수지인 것이 특히 바람직하다. 환상 올레핀계 수지로서는, 예를 들면 노보넨계 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 환상 올레핀계 수지로서는, 노보넨계 수지가 바람직하다. 환상 올레핀계 수지를 포함하는 감광성 접착제 조성물을 이용함으로써, 반도체 칩(20)에 대한 접착력이 특히 우수한 접착층(601)을 얻을 수 있다. 특히, 노보넨계 수지를 포함하는 감광성 접착제 조성물을 이용함으로써, 접착층(601)의 반도체 칩(20)에 대한 접착력을 더 높일 수 있다. 또, 노보넨계 수지는, 높은 소수성을 갖기 때문에, 노보넨계 수지를 포함하는 감광성 접착제 조성물을 이용함으로써 흡수에 의한 치수 변화 등을 발생시키기 어려운 접착층(601)을 형성할 수 있다.(A) Specific examples of the alkali-soluble resin include a phenol-based resin, an acrylic resin, a cyclic olefin-based resin, a polyamide-based resin, a polyimide-based resin, and a polyvinylphenol-based resin. It can be used 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, as (A) alkali-soluble resin, it is especially preferable that it is cyclic olefin resin. As cyclic olefin-type resin, norbornene-type resin, benzocyclobutene-type resin, etc. are mentioned, for example. Among these, as cyclic olefin resin, norbornene-type resin is preferable. By using the photosensitive adhesive composition containing cyclic olefin resin, the adhesive layer 601 excellent in the adhesive force with respect to the semiconductor chip 20 can be obtained especially. In particular, by using the photosensitive adhesive composition including the norbornene-based resin, the adhesive force of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 may be further increased. Moreover, since the norbornene-based resin has high hydrophobicity, it is possible to form the adhesive layer 601 in which the dimensional change due to absorption hardly occurs by using the photosensitive adhesive composition containing the norbornene-based resin.

이하, (A) 알칼리 가용성 수지가 환상 올레핀계 수지인 경우를 대표로 설명한다. 환상 올레핀계 수지는, 산성기(산성을 나타내는 치환기)를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로, 환상 올레핀계 수지는 산성기를 갖는 반복 단위(제1 반복 단위)를 적어도 1개 갖는 것이 바람직하다.Hereinafter, the case where (A) alkali-soluble resin is cyclic olefin resin is demonstrated representatively. It is preferable that cyclic olefin resin has an acidic group (substituent which shows acidity). Specifically, it is preferable that cyclic olefin resin has at least 1 repeating unit (1st repeating unit) which has an acidic group.

제1 반복 단위는, 주골격으로서의 환상 올레핀(환상 올레핀 모노머)에서 유래하는 구조와, 이 구조에 결합하여, 산성기를 갖는 치환기를 구비한다.A 1st repeating unit is equipped with the structure derived from a cyclic olefin (cyclic olefin monomer) as a main skeleton, and the substituent which couple|bonded with this structure and has an acidic group.

환상 올레핀에서 유래하는 구조로서는, 사이클로헥센, 사이클로옥텐 등의 단환체, 노보넨, 노보나다이엔, 다이사이클로펜타다이엔, 다이하이드로다이사이클로펜타다이엔, 테트라사이클로도데센, 트라이사이클로펜타다이엔, 다이하이드로트라이사이클로펜타다이엔, 테트라사이클로펜타다이엔, 다이하이드로테트라사이클로펜타다이엔 등의 다환체 등에서 유래하는 구조를 들 수 있다. 이들 중에서도 환상 올레핀에서 유래하는 구조로서는, 노보넨에서 유래하는 구조인 것이 특히 바람직하다. 노보넨에서 유래하는 구조는, 접착층(601)의 반도체 칩(20)에 대한 접착력의 향상에 기여한다. 또, 노보넨에서 유래하는 구조는, 감광성 접착제 조성물의 내열성, 및 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 유연성의 향상에도 기여한다.Examples of structures derived from cyclic olefins include monocyclic compounds such as cyclohexene and cyclooctene, norbornene, norbornadiene, dicyclopentadiene, dihydrodicyclopentadiene, tetracyclododecene, tricyclopentadiene, and structures derived from polycyclic bodies such as dihydrotricyclopentadiene, tetracyclopentadiene and dihydrotetracyclopentadiene. Among these, as a structure derived from a cyclic olefin, it is especially preferable that it is a structure derived from norbornene. The structure derived from norbornene contributes to the improvement of the adhesive force of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 . Moreover, the structure derived from norbornene also contributes to the improvement of the heat resistance of the photosensitive adhesive composition and the softness|flexibility of the photosensitive adhesive composition after hardening.

산성기를 갖는 치환기로서는, 카복실기, 페놀성 수산기, -C(OH)-(CF3)2, -N(H)-S(O)2-CF3 등을 갖는 치환기를 들 수 있으며, 이들 중에서도, 카복실기, -C(OH)-(CF3)2 중 어느 하나를 갖는 치환기인 것이 특히 바람직하다. 환상 올레핀계 수지가, 이와 같은 산성기를 갖는 치환기를 포함함으로써, 감광성 접착제 조성물의 알칼리 현상액에 대한 가용성을 높일 수 있다. 이로 인하여, 반도체 장치의 제조에 있어서, 현상 후의 감광성 접착제 조성물이 용해 잔사를 저감시킬 수 있어, 현상 시의 패터닝성을 보다 높일 수 있다.As a substituent which has an acidic group, the substituent which has a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, -C(OH)-(CF 3 ) 2 , -N(H)-S(O) 2 -CF 3 etc. is mentioned, Among these, , a carboxyl group, or a substituent having any one of -C(OH)-(CF 3 ) 2 is particularly preferred. When cyclic olefin resin contains the substituent which has such an acidic group, the solubility with respect to the alkali developing solution of the photosensitive adhesive composition can be improved. For this reason, manufacture of a semiconductor device WHEREIN: The photosensitive adhesive composition after image development can reduce a melt|dissolution residue, and can improve the patterning property at the time of image development more.

이와 같은 점에서, 제1 반복 단위는, 특히, 하기 식 (2) 및 하기 식 (3) 중 적어도 1종인 것이 바람직하다. 환상 올레핀계 수지가 이와 같은 제1 반복 단위를 포함함으로써, 접착층(601)의 반도체 칩(20)에 대한 접착성, 및 감광성 접착제 조성물의 알칼리 현상액에 대한 가용성을 보다 향상시킬 수 있다.From such a point, it is preferable that a 1st repeating unit is especially at least 1 type of following formula (2) and following formula (3). When the cyclic olefin resin includes such a first repeating unit, the adhesiveness of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 and the solubility of the photosensitive adhesive composition to an alkali developer can be further improved.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017039533487-pct00002
Figure 112017039533487-pct00002

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017039533487-pct00003
Figure 112017039533487-pct00003

상기 식 (2) 및 상기 식 (3)에 있어서, x, y는, 각각, 0 이상 10 이하의 정수인 것이 바람직하고, 1 이상 5 이하의 정수인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 반도체 칩(20)끼리를 보다 강고하게 접착할 수 있는 접착층(601)을 얻을 수 있다.In said Formula (2) and said Formula (3), it is preferable that it is each preferably an integer of 0 or more and 10 or less, respectively, and, as for x and y, it is more preferable that it is an integer of 1 or more and 5 or less. Thereby, the adhesive layer 601 which can adhere|attach the semiconductor chips 20 comrades more firmly can be obtained.

환상 올레핀계 수지는, 적어도 1종의 제1 반복 단위를 가지면 되는데, 다른 2종 이상의 제1 반복 단위를 갖는 것이 바람직하고, 상기 식 (2) 및 상기 식 (3)의 쌍방의 제1 반복 단위를 갖는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 접착층(601)의 반도체 칩(20)에 대한 접착성, 및 감광성 접착제 조성물의 알칼리 현상액에 대한 가용성을 더 향상시킬 수 있다.Cyclic olefin resin should just have at least 1 type of 1st repeating unit, It is preferable to have other 2 or more types of 1st repeating unit, It is a 1st repeating unit of both said Formula (2) and said Formula (3) It is more preferable to have Accordingly, it is possible to further improve the adhesion of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 and the solubility of the photosensitive adhesive composition to an alkali developer.

환상 올레핀계 수지 중에 있어서의 제1 반복 단위의 함유율은, 감광성 접착제 조성물의 알칼리 현상액에 대한 용해성을 고려하여 최적값을 결정할 수 있지만, 예를 들면 10~80mol%인 것이 바람직하고, 20~70mol%인 것이 보다 바람직하다. 제1 반복 단위의 함유율이 상기 하한값 미만이면, 감광성 접착제 조성물의 알칼리 현상액에 대한 가용성을 충분히 발현시키는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 또, 제1 반복 단위의 함유율이 상기 상한값을 넘으면, 제1 반복 단위의 종류에 따라서는, 환상 올레핀계 수지 중의 제1 반복 단위 이외의 구성이 구비하는 특성을 충분히 발현할 수 없을 우려가 있다.Although the content rate of the 1st repeating unit in cyclic olefin resin considers the solubility with respect to the alkali developing solution of the photosensitive adhesive composition, and can determine an optimal value, it is preferable that it is 10-80 mol%, for example, and it is 20-70 mol% It is more preferable that When the content rate of a 1st repeating unit is less than the said lower limit, it may become difficult to fully express the solubility with respect to the alkaline developing solution of the photosensitive adhesive composition. Moreover, when the content rate of a 1st repeating unit exceeds the said upper limit, depending on the kind of 1st repeating unit, there exists a possibility that the characteristic with which structures other than the 1st repeating unit in a cyclic olefin resin cannot fully express may exist.

환상 올레핀계 수지 중에 있어서의 산성기는, 폴리머 1g당 0.001~0.01몰인 것이 바람직하다. 0.0015~0.006몰인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 감광성 접착제 조성물의 알칼리 현상액에 대한 가용성을 특히 높일 수 있다.It is preferable that the acidic group in cyclic olefin resin is 0.001-0.01 mol per 1g of polymer. It is more preferable that it is 0.0015-0.006 mol. Thereby, the solubility with respect to the alkali developing solution of the photosensitive adhesive composition can be especially improved.

또한 환상 올레핀계 수지는, 상술한 제1 반복 단위와는 다른 제2 반복 단위도 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that cyclic olefin resin also has a 2nd repeating unit different from the 1st repeating unit mentioned above.

제2 반복 단위는, 주골격으로서의 환상 올레핀에서 유래하는 구조와, 이 구조에 결합하여, 상기 제1 반복 단위가 갖는 치환기와는 다른 치환기를 구비한다.The second repeating unit includes a structure derived from a cyclic olefin as a main skeleton, and a substituent different from the substituent of the first repeating unit by bonding to the structure.

제2 반복 단위의 주골격으로서는, 상술한 제1 반복 단위에서 예를 든 구조를 이용할 수 있다. 이들 중에서도 제2 반복 단위의 주골격으로서는, 감광성 접착제 조성물의 내열성이나, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 유연성 등의 관점에서, 노보넨에서 유래하는 구조인 것이 특히 바람직하다. 또, 제1 및 제2 반복 단위의 주골격은, 각각 서로 달라도 되지만, 동일한 것이 바람직하다. 특히, 제1 및 제2 반복 단위의 주골격은, 모두 노보넨에서 유래하는 구조인 것이 바람직하다. 이로써, 접착층(601)의 반도체 칩(20)에 대한 접착력을 보다 높일 수 있음과 함께, 접착층(601)의 탄성률을 적절히 낮출 수 있다. 이로 인하여, 접착층(601)에 의하여, 반도체 칩(20)끼리를 보다 강고하게 접착할 수 있음과 함께, 접착층(601)의 유연성을 적절히 높임으로써 반도체 칩(20)끼리의 접합 계면에 발생하는 응력 집중을 완화할 수 있다.As the main skeleton of the second repeating unit, the structure exemplified in the above-described first repeating unit can be used. Among these, as the main skeleton of the second repeating unit, from the viewpoints of heat resistance of the photosensitive adhesive composition and flexibility of the photosensitive adhesive composition after curing, a structure derived from norbornene is particularly preferable. The main skeletons of the first and second repeating units may be different from each other, but the same is preferable. In particular, it is preferable that the main skeletons of the first and second repeating units all have structures derived from norbornene. As a result, the adhesive force of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 can be further increased, and the elastic modulus of the adhesive layer 601 can be appropriately lowered. For this reason, while being able to adhere|attach the semiconductor chips 20 comrades more firmly by the adhesive layer 601, the stress which arises in the bonding interface of the semiconductor chips 20 comrades by increasing the flexibility of the adhesive layer 601 suitably. It can relieve concentration.

제2 반복 단위가 갖는 치환기는, 탄소수가 2~30인 것이 바람직하고, 탄소수가 4~15인 것이 더 바람직하다. 탄소수가 상기 범위 내이면, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률이 저하되고, 접착층(601)의 유연성을 높일 수 있다. 이로써, 반도체 칩(20)끼리의 접합 계면에서의 응력 집중에 따른 반도체 칩(20)이나 접착층(601)에 발생하는 크랙이나, 반도체 칩(20)과 접착층(601)의 박리를 더 억제할 수 있다. 또, 외부로부터의 충격에 의한 반도체 칩(20)이나 접착층(601)의 파손 등의 발생을 억제할 수 있다.It is preferable that carbon number is 2-30, and, as for the substituent which a 2nd repeating unit has, it is more preferable that carbon number is 4-15. When carbon number is in the said range, the elasticity modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening may fall, and the softness|flexibility of the adhesive layer 601 can be improved. Accordingly, cracks occurring in the semiconductor chip 20 or the adhesive layer 601 due to stress concentration at the bonding interface between the semiconductor chips 20 , and peeling of the semiconductor chip 20 and the adhesive layer 601 can be further suppressed. have. In addition, it is possible to suppress the occurrence of damage to the semiconductor chip 20 or the adhesive layer 601 due to an impact from the outside.

또, 제2 반복 단위가 갖는 치환기는, 환상 구조, 분기상 구조 등이어도 되지만, 직쇄상 구조인 것이 바람직하다. 이로써, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률을 보다 낮출 수 있으며, 접착층(601)의 유연성을 보다 높일 수 있다.Moreover, although a cyclic structure, a branched structure, etc. may be sufficient as the substituent which the 2nd repeating unit has, it is preferable that it is a linear structure. Accordingly, the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after curing can be lowered, and the flexibility of the adhesive layer 601 can be further increased.

탄소수가 2~30인 직쇄상의 치환기로서는, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 아랄킬기, 알킬에터 구조를 갖는 기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 탄소수가 2~30인 직쇄상의 치환기로서는, 알킬에터 구조를 갖는 기인 것이 특히 바람직하다. 이로써, 경화 후의 감광성 접착제 조성물이, 우수한 유연성을 가질 수 있다.Examples of the linear substituent having 2 to 30 carbon atoms include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a group having an alkylether structure. Among these, as a C2-C30 linear substituent, the thing of group which has an alkylether structure is especially preferable. Thereby, the photosensitive adhesive composition after hardening can have the outstanding flexibility.

알킬에터 구조를 갖는 기로서는, 특히, 하기 식 (1)로 나타나는 기인 것이 바람직하다. 이로써, 접착층(601)의 유연성을 보다 높일 수 있다.As group which has an alkylether structure, it is especially preferable that it is group represented by following formula (1). Accordingly, the flexibility of the adhesive layer 601 can be further increased.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017039533487-pct00004
Figure 112017039533487-pct00004

상기 식 (1)에 있어서, z는, 1 이상 10 이하의 정수인 것이 바람직하고, 2 이상 6 이하의 정수인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 더 적합한 유연성을 갖는 접착층(601)이 얻어진다.In said Formula (1), it is preferable that it is an integer of 1 or more and 10 or less, and, as for z, it is more preferable that it is an integer of 2 or more and 6 or less. Thereby, the adhesive layer 601 having more suitable flexibility is obtained.

이와 같은 점에서, 제2 반복 단위는, 특히, 하기 식 (4)인 것이 바람직하다. (A) 알칼리 가용성 수지가, 상술한 제1 반복 단위에 더하여, 하기 식 (4)에 나타내는 제2 반복 단위를 가짐으로써, 제1 반복 단위에 의한 알칼리 현상액에 대한 감광성 접착제 조성물의 용해성을 충분히 높일 수 있다는 기능과, 제2 반복 단위에 의한 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률을 적절한 값으로 하는 기능을 적합하게 양립시킬 수 있다.From such a point, it is preferable that a 2nd repeating unit is especially a following formula (4). (A) By having the alkali-soluble resin, in addition to the above-mentioned first repeating unit, a second repeating unit represented by the following formula (4), the solubility of the photosensitive adhesive composition in the alkali developer by the first repeating unit is sufficiently increased It is possible to suitably achieve both the function of being able to perform and the function of setting the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after curing by the second repeating unit to an appropriate value.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017039533487-pct00005
Figure 112017039533487-pct00005

특히, 상기 식 (4)에 있어서, z는, 1 이상 10 이하의 정수인 것이 바람직하고, 2 이상 5 이하의 정수인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률을 보다 적합한 값으로 할 수 있다.In particular, in said Formula (4), it is preferable that it is an integer of 1 or more and 10 or less, and, as for z, it is more preferable that it is an integer of 2 or more and 5 or less. Thereby, the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening can be made into a more suitable value.

또, 환상 올레핀계 수지가 제2 반복 단위를 포함하는 경우, 환상 올레핀계 수지 중에 있어서의 제2 반복 단위의 함유율은, 예를 들면 20~60mol%인 것이 바람직하고, 25~50mol%인 것이 보다 바람직하다. 제2 반복 단위의 함유율이 상기 하한값 미만이면, 제2 반복 단위의 종류에 따라서는, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률을 원하는 값으로 조정하는 것이 곤란한 경우가 있다. 또, 제2 반복 단위의 함유율이 상기 상한값을 넘으면, 제2 반복 단위의 종류에 따라서는, 환상 올레핀계 수지 중의 제2 반복 단위 이외의 구성이 구비하는 특성을 충분히 발현할 수 없을 우려가 있다.Moreover, when cyclic olefin resin contains a 2nd repeating unit, it is preferable that the content rate of the 2nd repeating unit in cyclic olefin resin is 20-60 mol%, for example, It is more preferable that it is 25-50 mol% desirable. When the content rate of a 2nd repeating unit is less than the said lower limit, it may be difficult to adjust the elasticity modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening to a desired value depending on the kind of 2nd repeating unit. Moreover, when the content rate of a 2nd repeating unit exceeds the said upper limit, depending on the kind of 2nd repeating unit, there exists a possibility that the characteristic with which structures other than the 2nd repeating unit in cyclic olefin resin are unable to fully express may exist.

이상과 같은 점에서, 이하의 식 (5)로 나타나는 환상 올레핀계 수지가 적합하게 이용된다. 감광성 접착제 조성물은, 식 (5)로 나타나는 환상 올레핀계 수지를 포함함으로써, 접착층(601)에 필요한 기계적 강도와, 보다 적절한 유연성(응력 완화성)을 부여할 수 있다. 또한 감광성 접착제 조성물은, 알칼리 현상액에 대한 특히 우수한 용해성을 발휘할 수 있다. 이에 더하여, 반도체 칩(20)에 대한 접착력이 특히 우수한 접착층(601)을 얻을 수 있다.From the above points, cyclic olefin resin represented by the following formula (5) is used suitably. The photosensitive adhesive composition can provide the mechanical strength required for the contact bonding layer 601, and a more suitable softness|flexibility (stress relaxation property) by including the cyclic olefin resin represented by Formula (5). Moreover, the photosensitive adhesive composition can exhibit the especially outstanding solubility with respect to an alkaline developing solution. In addition, the adhesive layer 601 having particularly excellent adhesion to the semiconductor chip 20 can be obtained.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017039533487-pct00006
Figure 112017039533487-pct00006

상기 식 (5)에 있어서 l, m, n은, 1 이상 100 이하의 정수이다. 또한, 상술한 바와 같이, x는, 0 이상 10 이하의 정수인 것이 바람직하고, y는, 0 이상 10 이하의 정수인 것이 바람직하며, z는, 1 이상 10 이하의 정수인 것이 바람직하다.In the formula (5), l, m, and n are integers of 1 or more and 100 or less. Further, as described above, x is preferably an integer of 0 or more and 10 or less, y is preferably an integer of 0 or more and 10 or less, and z is preferably an integer of 1 or more and 10 or less.

식 (5)에 있어서, 제1 반복 단위의 중합도에 대한, 제2 반복 단위의 중합도(즉, n/(l+m))로서는, 0.3~2.0인 것이 바람직하고, 0.4~1.5인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 반도체 칩(20)끼리의 접합 계면에 발생하는 응력 집중을 특히 완화할 수 있음과 함께, 반도체 칩(20)끼리를 보다 강고하게 접착할 수 있는 접착층(601)을 얻을 수 있다.In the formula (5), the degree of polymerization of the second repeating unit with respect to the degree of polymerization of the first repeating unit (that is, n/(l+m)) is preferably 0.3 to 2.0, more preferably 0.4 to 1.5. do. Thereby, while being able to relieve|moderate especially the stress concentration which arises in the bonding interface of the semiconductor chips 20 comrades, the adhesive layer 601 which can adhere|attach the semiconductor chips 20 comrades more firmly can be obtained.

또, 환상 올레핀계 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 5,000~500,000인 것이 바람직하고, 7,000~200,000인 것이 보다 바람직하며, 8,000~100,000인 것이 더 바람직하다. 이로써, 반도체 칩(20)에 대한 접착력이 특히 우수한 접착층(601)을 얻을 수 있다.Moreover, it is preferable that it is 5,000-500,000, as for the weight average molecular weight (Mw) of cyclic olefin resin, it is more preferable that it is 7,000-200,000, It is more preferable that it is 8,000-100,000. Accordingly, the adhesive layer 601 having particularly excellent adhesion to the semiconductor chip 20 can be obtained.

또한, 환상 올레핀계 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, ASTMDS3536-91에 준거하여, 표준으로 하는 환상 올레핀계 수지를 이용하여, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)를 이용하여 측정할 수 있다.In addition, the weight average molecular weight (Mw) of cyclic olefin resin can be measured using gel permeation chromatography (GPC) using cyclic olefin resin used as a standard based on ASTMDS3536-91.

또, 환상 올레핀계 수지의 유리 전이 온도는, 100~250℃인 것이 바람직하다. 이와 같은 유리 전이 온도의 환상 올레핀계 수지를 이용함으로써, 감광성 접착제 조성물의 내열성이 보다 높아져, 고온하에서의 반도체 장치(10)의 신뢰성을 보다 높일 수 있다.Moreover, it is preferable that the glass transition temperature of cyclic olefin resin is 100-250 degreeC. By using the cyclic olefin resin of such a glass transition temperature, the heat resistance of the photosensitive adhesive composition becomes higher, and the reliability of the semiconductor device 10 under high temperature can be improved more.

환상 올레핀계 수지의 유리 전이 온도는, 예를 들면 시차 주사 열량 측정법에 의하여, 상온으로부터 승온 속도 5℃/분으로 승온시켰을 때, 발열 반응이 발생하는 온도로서 구할 수 있다.The glass transition temperature of cyclic olefin resin can be calculated|required as the temperature which an exothermic reaction generate|occur|produces, when it heats up at a temperature increase rate of 5 degree-C/min from normal temperature by differential scanning calorimetry, for example.

또한, 환상 올레핀계 수지 이외의 (A) 알칼리 가용성 수지도, 환상 올레핀계 수지에서 설명한 것과 동일한 조건을 만족하도록 합성함으로써, 상기와 동일한 효과가 얻어진다.Moreover, the effect similar to the above is acquired by synthesize|combining so that (A) alkali-soluble resin other than cyclic olefin resin may also satisfy|fill the conditions similar to what was demonstrated by cyclic olefin resin.

<(B) 광산발생제><(B) Photo-acid generator>

(B) 광산발생제는, 에너지선 조사에 의한 노광 시의 광반응으로 산을 생성하고, 노광부의 알칼리 현상액에 대한 감광성 접착제 조성물의 용해성을 증가시킬 수 있는 포지티브형의 광산발생제로서의 기능을 갖는다. 이로써, 반도체 장치의 제조에 있어서, 감광성 접착제 조성물(도막(601a)) 중의 노광된 부분인 노광부에 있어서, 현상 후의 용해 잔사가 발생하는 것을 보다 저감시킬 수 있다. 이로 인하여, 현상 시의 패터닝성을 향상시킬 수 있다. 또한, 감광성 접착제 조성물은, (B) 광산발생제를 포함함으로써, 반도체 장치의 제조에 있어서, 에너지선 조사에 의하여 후술하는 (C) 에폭시 화합물에 의한 (A) 알칼리 가용성 수지를 가교시키는 반응을 촉진할 수 있는 네거티브형의 광산발생제로서의 기능을 갖고 있어도 된다.(B) The photo-acid generator generates an acid through a photoreaction during exposure by energy ray irradiation, and has a function as a positive photo-acid generator capable of increasing the solubility of the photosensitive adhesive composition in an alkali developer in the exposed part . Thereby, in manufacture of a semiconductor device WHEREIN: In the exposed part which is an exposed part in the photosensitive adhesive composition (coating film 601a), generation|occurrence|production of the dissolution residue after image development can be reduced more. For this reason, the patterning property at the time of image development can be improved. Moreover, the photosensitive adhesive composition accelerates|stimulates the reaction which bridge|crosslinks (A) alkali-soluble resin by the (C) epoxy compound mentioned later by energy-beam irradiation in manufacture of a semiconductor device by including (B) a photo-acid generator. You may have a function as a negative photo-acid generator that can do this.

(B) 광산발생제로서는, 구체적으로는, 예를 들면 오늄염, 할로젠화 유기 화합물, 퀴논다이아자이드 화합물, α,α-비스(설폰일)다이아조메테인계 화합물, α-카보닐-α-설폰일-다이아조메테인계 화합물, 설폰 화합물, 유기산 에스터 화합물, 유기산 아마이드 화합물, 유기산 이미드 화합물 등을 들 수 있으며, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도 (B) 광산발생제로서는, 퀴논다이아자이드 화합물을 이용하는 것이 특히 바람직하다. 퀴논다이아자이드 화합물로서는, 예를 들면 1,2-벤조퀴논다이아자이드 혹은 1,2-나프토퀴논다이아자이드 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, (B) 광산발생제는, 1,2-나프토퀴논-2-다이아지도-5-설폰산 혹은 1,2-나프토퀴논-2-다이아지도-4-설폰산과 페놀 화합물의 에스터 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이들은, 에너지선 조사(특히, 방사선 조사)에 의한 노광 시의 광반응으로 카복실기를 생성하기 때문에, 노광부의 알칼리 현상액에 대한 용해성을 보다 증가시킬 수 있다. 이로 인하여, 감광성 접착제 조성물은, 특히 작은 노광량으로도 알칼리 현상액에 대한 보다 높은 용해성을 발휘할 수 있다. 그 결과, 현상 시의 패터닝성을 보다 향상시킬 수 있다.(B) Specific examples of the photoacid generator include onium salts, halogenated organic compounds, quinonediazide compounds, α,α-bis(sulfonyl)diazomethane compounds, α-carbonyl-α -sulfonyl-diazomethane type compound, a sulfone compound, an organic acid ester compound, an organic acid amide compound, an organic acid imide compound, etc. are mentioned, One type or a combination of 2 or more types among these can be mentioned. Among these, it is especially preferable to use a quinonediazide compound as (B) photo-acid generator. As a quinone diazide compound, the compound etc. which have a 1,2-benzoquinone diazide or a 1,2- naphthoquinone diazide structure are mentioned, for example. More specifically, (B) the photoacid generator is 1,2-naphthoquinone-2-diajido-5-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinone-2-diaazido-4-sulfonic acid and a phenol compound. It is preferable to include an ester compound of Since these generate a carboxyl group by a photoreaction at the time of exposure by energy ray irradiation (especially radiation irradiation), the solubility with respect to the alkali developing solution of an exposure part can be increased more. For this reason, the photosensitive adhesive composition can exhibit the higher solubility with respect to an alkali developing solution especially even with a small exposure amount. As a result, the patternability at the time of image development can be improved more.

(B) 광산발생제의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, (A) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 1~50질량부인 것이 바람직하고, 5~30질량부인 것이 보다 바람직하다. (B) 광산발생제의 함유량이 상기 하한값 미만이면, (B) 광산발생제의 종류 등에 따라서는, 감광성 접착제 조성물의 노광, 현상 특성이 저하될 가능성이 있다. 또, (B) 광산발생제의 함유량이 상기 상한값을 넘어도, 그 이상의 효과의 증대는 기대할 수 없으며, (B) 광산발생제의 종류에 따라서는, 감광성 접착제 조성물 중에 있어서의 (B) 광산발생제 이외의 재료가 구비하는 특성을 충분히 발현할 수 없을 우려가 있다.(B) Although content of a photo-acid generator is not specifically limited, It is preferable that it is 1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) alkali-soluble resin, and it is more preferable that it is 5-30 mass parts. (B) When content of a photo-acid generator is less than the said lower limit, depending on the kind etc. of (B) photo-acid generator, exposure and image development characteristics of the photosensitive adhesive composition may fall. Moreover, even if content of (B) photo-acid generator exceeds the said upper limit, increase in the effect further cannot be expected, (B) photo-acid generation in (B) photo-acid composition in the photosensitive adhesive composition depending on the kind of (B) photo-acid generator. There exists a possibility that the characteristic with which materials other than this material are equipped cannot fully be expressed.

<(C) 에폭시 화합물><(C) Epoxy compound>

(C) 에폭시 화합물은, (A) 알칼리 가용성 수지(특히, 환상 올레핀계 수지)를 가교하는 기능을 갖는다.(C) Epoxy compound has a function which bridge|crosslinks (A) alkali-soluble resin (especially cyclic olefin resin).

(C) 에폭시 화합물로서는, 분자 중에 방향환을 포함하는 방향족 에폭시 화합물이나, 분자 중에 방향환을 포함하지 않는 지방족 에폭시 화합물 중 어느 것이어도 된다. 단, (C) 에폭시 화합물로서는, 지방족 에폭시 화합물인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 감광성 접착제 조성물 중의 (A) 알칼리 가용성 수지의 가교 밀도를 적절한 값으로 할 수 있음과 함께, 접착층(601)의 유연성을 적절히 높일 수 있다.(C) As an epoxy compound, either the aromatic epoxy compound which contains an aromatic ring in a molecule|numerator, or the aliphatic epoxy compound which does not contain an aromatic ring in a molecule|numerator may be sufficient. However, as (C) an epoxy compound, it is more preferable that it is an aliphatic epoxy compound. Thereby, while being able to make the crosslinking density of (A) alkali-soluble resin in the photosensitive adhesive composition an appropriate value, the softness|flexibility of the contact bonding layer 601 can be raised suitably.

또, (C) 에폭시 화합물은, 분기상 구조 또는 직쇄상 구조인 것이 바람직하고, 분기상 구조인 것이 보다 바람직하다. 감광성 접착제 조성물이 분기상 구조를 이루는 (C) 에폭시 화합물을 포함함으로써, 감광성 접착제 조성물 중의 (A) 알칼리 가용성 수지의 가교 밀도를 적절한 값으로 할 수 있음과 함께, 접착층(601)의 유연성을 적절히 높일 수 있다. 이로써, 필요한 기계적 강도를 구비하면서, 반도체 칩(20)끼리의 접합 계면에 발생하는 응력 집중을 완화하는 응력 완화성이 보다 우수한 접착층(601)이 얻어진다.Moreover, it is preferable that it is a branched structure or a linear structure, and, as for (C) an epoxy compound, it is more preferable that it is a branched structure. By including the (C) epoxy compound forming the branched structure in the photosensitive adhesive composition, the crosslinking density of the alkali-soluble resin (A) in the photosensitive adhesive composition can be made to an appropriate value, and the flexibility of the adhesive layer 601 can be appropriately increased can Thereby, the adhesive layer 601 excellent in the stress relaxation property which relieves the stress concentration which generate|occur|produces at the bonding interface of the semiconductor chips 20 comrades while providing the required mechanical strength is obtained.

또, (C) 에폭시 화합물은, 분자 내에 2개 이상의 글리시딜기를 함유하는 것이 바람직하고, 분자 내에 3개 이상 9개 이하의 글리시딜기를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 감광성 접착제 조성물 중의 (A) 알칼리 가용성 수지의 가교 밀도를 적절한 값으로 할 수 있으며, 필요한 기계적 강도를 구비하면서 응력 완화성이 보다 우수한 접착층(601)을 얻을 수 있다.Moreover, it is preferable to contain 2 or more glycidyl groups in a molecule|numerator, and, as for (C) an epoxy compound, it is more preferable to contain 3 or more and 9 or less glycidyl groups in a molecule|numerator. Thereby, the crosslinking density of (A) alkali-soluble resin in the photosensitive adhesive composition can be made into an appropriate value, and the adhesive layer 601 excellent in stress relaxation property can be obtained while providing the required mechanical strength.

이와 같은 (C) 에폭시 화합물로서는, 예를 들면 에틸렌글라이콜다이글리시딜에터, 프로필렌글라이콜다이글리시딜에터, 폴리에틸렌글라이콜다이글리시딜에터, 폴리프로필렌글라이콜다이글리시딜에터, 트라이메틸올프로페인트라이글리시딜에터, 트라이메틸올에테인트라이글리시딜에터, 소비톨폴리글리시딜에터, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에터, EXA-830CRP, EXA-830VLP, EXA-835LV, EXA-850CRP, 에피클론(EPICLON)-830-S, 에피클론-840-S, 에피클론-850-S, 에피클론-850-CRP, 에피클론-850-LC, HP-7200, HP-7200L, HP-7200H(DIC 가부시키가이샤제), YH-300, YH-301, YD-8125G, YDF-8170G, YD-825GS, YD-825GSH, YD-870GS, ZX-1059, ZX-1542, PG-207GS, ZX-1658GS(신닛테쓰 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제), YL980, YL983U, YL6810, YL7410, YX7700, YX8000, YX8034, YED216D, jER152, jER157S70, jER1032H60(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제), EP-3300S, EP-3950L, EP-4000L, EP-4010L, EP-4088L(가부시키가이샤 아데카(ADEKA)), 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081(가부시키가이샤 다이셀), EPPN-201-L, EPPN-501H, EPPN-501HY, EPPN-502H, XD-1000(닛폰 가야쿠), LX-01(다이소 가부시키가이샤), PG-100, EG-200, EG-280, CG-400, CG-500(오사카 가스 케미컬 가부시키가이샤), EX-211L, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, EX-946L(나가세 켐텍스 가부시키가이샤), VG3101L(가부시키가이샤 프린텍), SR-14BJ, SR-16H, SR-TMPL, SR-PG, SR-PTMG, SR-8EGS(사카모토 야쿠힌 고교 가부시키가이샤), 사이클로헥센옥사이드형 에폭시 수지 등을 들 수 있으며, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도 (C) 에폭시 화합물로서는, 트라이메틸올프로페인트라이글리시딜에터, 1,6-헥세인다이올다이글리시딜에터, 폴리프로필렌글라이콜다이글리시딜에터, 폴리에틸렌글라이콜다이글리시딜에터, 폴리테트라메틸렌글라이콜다이글리시딜에터, 수소 첨가 비스페놀 A 다이글리시딜에터인 것이 특히 바람직하다. 이로써, 감광성 접착제 조성물 중의 (A) 알칼리 가용성 수지의 가교 반응을 촉진할 수 있으며, 응력 완화성이 보다 우수한 접착층(601)을 보다 용이하고 또한 보다 확실하게 얻을 수 있다.As such (C) epoxy compound, for example, ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol Diglycidyl ether, trimethylol propane triglycidyl ether, trimethylol ethane triglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, EXA -830CRP, EXA-830VLP, EXA-835LV, EXA-850CRP, EPICLON-830-S, Epiclone-840-S, Epiclone-850-S, Epiclone-850-CRP, Epiclone-850 -LC, HP-7200, HP-7200L, HP-7200H (manufactured by DIC Corporation), YH-300, YH-301, YD-8125G, YDF-8170G, YD-825GS, YD-825GSH, YD-870GS, ZX-1059, ZX-1542, PG-207GS, ZX-1658GS (manufactured by New Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd.), YL980, YL983U, YL6810, YL7410, YX7700, YX8000, YX8034, YED216D, jER152, jER157S70, jER1032H60 (Mitsubishi) Chemicals Co., Ltd.), EP-3300S, EP-3950L, EP-4000L, EP-4010L, EP-4088L (ADEKA, Ltd.), Celoxide 2021P, Celoxide 2081 (Daily, Ltd.) Cell), EPPN-201-L, EPPN-501H, EPPN-501HY, EPPN-502H, XD-1000 (Nippon Kayaku), LX-01 (Daiso Corporation), PG-100, EG-200, EG -280, CG-400, CG-500 (Osaka Gas Chemical Co., Ltd.), EX-211L, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, EX-946L (Nagase Chemtex) Co., Ltd.), VG3101L (PRINTEC Co., Ltd.), SR-14BJ, SR-16H, SR-TMPL, SR-PG, SR-PTMG, SR-8EGS (Sakamoto Yakuhin High School Co., Ltd.) Sha), a cyclohexene oxide type epoxy resin, etc. are mentioned, Among these, it can use 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, (C) epoxy compound is trimethylol propane triglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol It is especially preferable that they are lycol diglycidyl ether, polytetramethylene glycol diglycidyl ether, and hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether. Thereby, the crosslinking reaction of (A) alkali-soluble resin in the photosensitive adhesive composition can be accelerated|stimulated, and the adhesive layer 601 excellent in stress relaxation property can be obtained more easily and more reliably.

(C) 에폭시 화합물의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, (A) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 1~100질량부인 것이 바람직하고, 5~50질량부인 것이 보다 바람직하다. (C) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한값 미만이면, (C) 에폭시 화합물의 종류 등에 따라서는, 접착층(601)의 응력 완화성이 저하될 가능성이 있다. 한편, (C) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한값을 넘으면, 감광성 접착제 조성물의 점도가 필요 이상으로 너무 높아지는 경우가 있다.(C) Although content of an epoxy compound is not specifically limited, It is preferable that it is 1-100 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) alkali-soluble resin, and it is more preferable that it is 5-50 mass parts. (C) When content of an epoxy compound is less than the said lower limit, depending on the kind etc. of (C) epoxy compound, the stress relaxation property of the contact bonding layer 601 may fall. On the other hand, (C) When content of an epoxy compound exceeds the said upper limit, the viscosity of the photosensitive adhesive composition may become high too much more than necessary.

<(D) 융점이 50~150℃인 페놀 화합물><(D) Phenolic compound having a melting point of 50 to 150°C>

감광성 접착제 조성물은, (D) 융점이 50~150℃인 페놀 화합물(이하, 간단하게 "(D) 페놀 화합물"이라고 하는 경우도 있음)을 포함함으로써, 예를 들면 도막(601a)을 구비한 웨이퍼(201)를 에칭할 때나, 접착층(601)을 통하여 반도체 칩(20)끼리를 압착할 때에, 접착층(601)과 반도체 칩(20)의 사이에 기포가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 접착층(601)과 반도체 칩(20)의 사이에 기포가 발생한 경우라도, 그 발생한 기포를 제거할 수 있다. 이와 같이 접착층(601)과 반도체 칩(20)의 계면에 기포가 남기 어려워짐으로써, 접착층(601)의 반도체 칩(20)에 대한 접착력을 높일 수 있으며, 따라서, 반도체 칩(20)끼리를 강고하게 접착할 수 있다. 따라서, 최종적으로, 신뢰성이 높은 칩 적층체(200)를 얻을 수 있다.The photosensitive adhesive composition contains (D) a phenolic compound having a melting point of 50 to 150°C (hereinafter, simply referred to as "(D) phenolic compound"), for example, a wafer provided with the coating film 601a. When 201 is etched or when the semiconductor chips 20 are pressed together through the adhesive layer 601 , it is possible to suppress the occurrence of air bubbles between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20 . Moreover, even when bubbles are generated between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20, the generated bubbles can be removed. As described above, it is difficult to leave bubbles at the interface between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20 , so that the adhesive force of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 can be increased, and thus the semiconductor chips 20 can be strengthened. can be firmly attached. Therefore, finally, the highly reliable chip laminated body 200 can be obtained.

또한, (D) 페놀 화합물을 포함하는 감광성 접착제 조성물을 이용함으로써, 유기 용제에 대하여 비교적 높은 용해성을 나타내는 접착층(601)이 얻어진다. 이로 인하여, 예를 들면 웨이퍼(201)에 감광성 접착제 조성물을 도포하여 얻어진 도막(601a)을 제거할 필요가 발생한 경우라도, 잔사(잔류물)의 발생을 억제하면서, 도막(601a)을 효율적으로 용해시켜, 제거할 수 있다. 이로써, 웨이퍼(201)를 낭비하지 않고, 재차 접착 프로세스에 제공(리워크)할 수 있다. 따라서, 반도체 장치(10)의 공정 수율의 개선을 도모할 수 있다.Moreover, (D) the adhesive layer 601 which shows comparatively high solubility with respect to an organic solvent is obtained by using the photosensitive adhesive composition containing a phenol compound. For this reason, for example, even when it is necessary to remove the coating film 601a obtained by applying the photosensitive adhesive composition to the wafer 201, the coating film 601a is efficiently dissolved while suppressing the generation of a residue (residue). and can be removed. Thereby, the wafer 201 can be provided (reworked) to the bonding process again without wasting it. Accordingly, it is possible to improve the process yield of the semiconductor device 10 .

또, (D) 페놀 화합물은, 융점이 50~150℃이지만, 융점이 60~130℃인 것이 바람직하고, 융점이 70~120℃인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 감광성 접착제 조성물이 (D) 페놀 화합물을 포함하는 것에 의한 상술한 효과를 보다 현저하게 발휘할 수 있다. 이와 같은 (D) 페놀 화합물은, 지방족 탄화 수소기를 포함하는 치환기를 갖는 페놀 화합물 및 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다.Moreover, (D) Although melting|fusing point is 50-150 degreeC, it is preferable that melting|fusing point is 60-130 degreeC, and, as for (D) a phenol compound, it is more preferable that melting|fusing point is 70-120 degreeC. Thereby, the effect mentioned above by the photosensitive adhesive composition containing (D) a phenol compound can be exhibited more notably. It is preferable that such (D) phenol compound contains at least one of the phenol compound which has a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group, and the phenol compound which has some phenol skeleton.

또, (D) 페놀 화합물(특히, 지방족 탄화 수소기를 포함하는 치환기를 갖는 페놀 화합물)은, 수산기 당량이 150~250g/eq인 것이 바람직하고, 수산기 당량이 160~240g/eq인 것이 보다 바람직하며, 수산기 당량이 180~220g/eq인 것이 더 바람직하다. 수산기 당량이 상기 범위 내이면, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 보다 최적인 감광성 접착제 조성물이 얻어진다. 이에 비하여, 수산기 당량이 상기 하한값 미만이면, (D) 페놀 화합물의 종류나 첨가량 등에 따라서는, 감광성 접착제 조성물의 흡수율이 높아져, 그 신뢰성이 저하될 가능성이 있다. 또 수산기 당량이 상기 상한값을 넘으면, 감광성 접착제 조성물의 알칼리 현상액으로의 용해성이 현저하게 저하되어, 현상 후에 감광성 접착제 조성물이 용해 잔사가 발생해 버릴 우려가 있다.Further, (D) the phenol compound (particularly, a phenol compound having a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group) preferably has a hydroxyl equivalent of 150 to 250 g/eq, more preferably a hydroxyl equivalent of 160 to 240 g/eq, , it is more preferable that the hydroxyl equivalent is 180-220 g/eq. The photosensitive adhesive composition with more optimal solubility with respect to an alkali developing solution as a hydroxyl equivalent being in the said range will be obtained. On the other hand, when a hydroxyl equivalent is less than the said lower limit, depending on the kind, addition amount, etc. of (D) phenolic compound, the water absorption of the photosensitive adhesive composition may become high, and the reliability may fall. Moreover, when a hydroxyl equivalent exceeds the said upper limit, the solubility to the alkali developing solution of the photosensitive adhesive composition may fall remarkably, and there exists a possibility that the photosensitive adhesive composition may generate|occur|produce a melt|dissolution residue after image development.

또한, (D) 페놀 화합물의 수산기 당량은, 표준 알칼리 용액 중에 (D) 페놀 화합물을 혼합한 용액을 적정(滴定)하는 방법에 의하여 측정할 수 있다.In addition, (D) the hydroxyl equivalent of a phenol compound can be measured by the method of titrating the solution which mixed the (D) phenol compound in the standard alkali solution.

(D) 페놀 화합물이, 지방족 탄화 수소기를 포함하는 치환기(알킬쇄 (-CH2-)n을 갖는 치환기)를 갖는 페놀 화합물을 포함하는 경우, 접착층(601)의 유기 용제에 대한 용해성을 보다 높일 수 있다. 이로 인하여, 도막(601a)을 제거할 필요가 발생한 경우라도, 도막(601a)을 보다 효율적으로 용해시켜 제거할 수 있으므로, 리워크성을 높일 수 있다.(D) When the phenol compound contains a phenol compound having a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group ( a substituent having an alkyl chain (-CH 2 -)n), the solubility of the adhesive layer 601 in an organic solvent is improved. can For this reason, even when it is necessary to remove the coating film 601a, since the coating film 601a can be melt|dissolved and removed more efficiently, rework property can be improved.

알킬쇄 (-CH2-)n은, n의 값이 1~6이 바람직하고, 2~4가 더 바람직하다. 이로써, 접착층(601)의 유기 용제에 대한 용해성을 더 높일 수 있다.Alkyl chains (-CH 2 -) n has the value of n 1 ~ 6 are preferable, and more preferably 2-4. Accordingly, the solubility of the adhesive layer 601 in the organic solvent can be further increased.

이와 같은 지방족 탄화 수소기를 포함하는 치환기로서는, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 트라이메틸렌기, 뷰틸기, 2,2-다이메틸뷰틸기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent containing such an aliphatic hydrocarbon group include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a butyl group, and a 2,2-dimethylbutyl group.

또, (D) 페놀 화합물은, 벤조산에서 유래하는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 벤조산, 2-하이드록시벤조산, 3-하이드록시벤조산 등의 모노하이드록시벤조산, 2,4-하이드록시벤조산 등의 다이하이드록시벤조산 등에서 유래하는 구조를 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that (D) a phenol compound has a structure derived from benzoic acid. Specifically, it is preferable to have a structure derived from monohydroxybenzoic acid such as benzoic acid, 2-hydroxybenzoic acid and 3-hydroxybenzoic acid, and dihydroxybenzoic acid such as 2,4-hydroxybenzoic acid.

이와 같은 (D) 페놀 화합물로서는, 구체적으로는, 예를 들면 4-(1,1-다이메틸프로필)페놀, 4-사이클로헥실페놀, 4-(1,1,3,3-테트라메틸뷰틸)페놀, 4-(4-하이드록시페닐)-2-뷰탄온, 4'-하이드록시뷰티로페논, 4'-하이드록시발레로페논, 4'-하이드록시헥사노페논, 3-(4-하이드록시페닐)프로피온산, 3-하이드록시벤조산 메틸, 3-하이드록시벤조산 에틸, 4-하이드록시벤조산 메틸, 4-하이드록시벤조산 에틸, 4-하이드록시벤조산 프로필, 4-하이드록시벤조산 아이소프로필, 4-하이드록시벤조산 뷰틸, 4-하이드록시벤조산 아이소뷰틸, 4-하이드록시벤조산 헥실, 4-하이드록시벤조산 벤질, 1,3-비스[2-(4-하이드록시페닐)-2-프로필]벤젠, BisP-DED(혼슈 가가쿠 고교 가부시키가이샤제) 등을 들 수 있으며, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도 (D) 페놀 화합물로서는, 4-하이드록시벤조산 프로필, 4-하이드록시벤조산 메틸, 4-하이드록시벤조산 뷰틸, 4-하이드록시벤조산 헥실인 것이 특히 바람직하다. 이로써, 반도체 칩(20)에 대한 접착력이 특히 높고, 유기 용제에 대한 용해성이 보다 우수한 접착층(601)을 얻을 수 있다.Specific examples of the (D) phenol compound include 4-(1,1-dimethylpropyl)phenol, 4-cyclohexylphenol, and 4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl). Phenol, 4- (4-hydroxyphenyl) -2-butanone, 4'-hydroxybutyrophenone, 4'-hydroxyvalerophenone, 4'-hydroxyhexanophenone, 3- (4-hydroxy Roxyphenyl) propionic acid, 3-hydroxybenzoate methyl, 3-hydroxybenzoate ethyl, 4-hydroxybenzoate methyl, 4-hydroxybenzoate ethyl, 4-hydroxybenzoic acid propyl, 4-hydroxybenzoic acid isopropyl, 4- Butyl hydroxybenzoate, isobutyl 4-hydroxybenzoate, hexyl 4-hydroxybenzoate, benzyl 4-hydroxybenzoate, 1,3-bis[2-(4-hydroxyphenyl)-2-propyl]benzene, BisP -DED (made by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) etc. are mentioned, Among these, it can use 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, as (D) a phenol compound, it is especially preferable that they are 4-hydroxybenzoic acid propyl, 4-hydroxybenzoate methyl, 4-hydroxybenzoate butyl, and 4-hydroxybenzoate hexyl. Thereby, the adhesive layer 601 which is especially high in adhesive force with respect to the semiconductor chip 20, and the solubility with respect to the organic solvent is more excellent can be obtained.

또, (D) 페놀 화합물이, 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물을 포함하는 경우, 그 수산기 당량이 50~150g/eq인 것이 바람직하고, 70~130g/eq인 것이 보다 바람직하며, 90~110g/eq인 것이 특히 바람직하다. 또, 복수의 페놀 골격은, 페놀 골격끼리가 단결합으로 연결되고, 서로 직접 결합되어 있지 않은 연결형의 다환 구조, 또는 페놀 골격끼리가 단결합을 통하지 않고, 서로 직접 결합한 축합형(융합형)의 다환 구조 중 어느 것이어도 되지만, 연결형의 다환 구조인 것이 바람직하다. 이로써, 반도체 칩(20)에 대한 접착력이 특히 높고, 유기 용제에 대한 용해성이 보다 우수한 접착층(601)을 얻을 수 있다.Moreover, when (D) a phenol compound contains the phenol compound which has a some phenol skeleton, it is preferable that the hydroxyl equivalent is 50-150 g/eq, It is more preferable that it is 70-130 g/eq, It is 90-110 g It is particularly preferred that it is /eq. A plurality of phenol skeletons have a polycyclic structure in which phenol skeletons are connected by a single bond and are not directly bonded to each other, or a condensed (fusion type) in which phenol skeletons are directly bonded to each other without a single bond. Although any polycyclic structure may be sufficient, it is preferable that it is a linking type polycyclic structure. Thereby, the adhesive layer 601 which is especially high in adhesive force with respect to the semiconductor chip 20, and the solubility with respect to the organic solvent is more excellent can be obtained.

(D) 페놀 화합물의 함유량은, (A) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.5~30질량부인 것이 바람직하고, 1~20질량부인 것이 보다 바람직하다. (D) 페놀 화합물의 함유량이 상기 하한값 미만이면, (D) 페놀 화합물의 종류 등에 따라서는, 감광성 접착제 조성물의 유기 용제에 대한 용해성이 저하될 가능성이 있다. (D) 페놀 화합물의 함유량이 상기 상한값을 넘어도, 그 이상의 효과의 증대는 기대할 수 없다. 또, 이 경우, (D) 페놀 화합물의 종류에 따라서는, 감광성 접착제 조성물 중에 있어서의 (D) 페놀 화합물 이외의 재료가 구비하는 특성이 충분히 발현되지 않을 우려가 있다.(D) It is preferable that it is 0.5-30 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) alkali-soluble resin, and, as for content of a phenol compound, it is more preferable that it is 1-20 mass parts. (D) If content of a phenol compound is less than the said lower limit, depending on the kind etc. of (D) phenol compound, the solubility with respect to the organic solvent of the photosensitive adhesive composition may fall. (D) Even if content of a phenol compound exceeds the said upper limit, increase in the effect further cannot be anticipated. Moreover, there exists a possibility that the characteristic with which materials other than the (D) phenol compound in the photosensitive adhesive composition are not fully expressed depending on the kind of (D) phenolic compound in this case.

또, 감광성 접착제 조성물은, 상기와 같은 (D) 페놀 화합물을 2종 이상 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 서로 다른 융점인 (D) 페놀 화합물을 2종 이상 포함하는 것이 바람직하고, 서로 다른 융점인 (D) 페놀 화합물을 2종 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 감광성 접착제 조성물(접착층(601))의 접착성, 응력 완화성, 및 유기 용제에 대한 용해성을 보다 높일 수 있다.Moreover, it is preferable that the photosensitive adhesive composition contains 2 or more types of the above (D) phenolic compounds. Specifically, it is preferable to contain two or more types of (D) phenolic compounds which are mutually different melting|fusing points, and it is more preferable to include two types of (D) phenolic compounds which are mutually different melting|fusing points. Thereby, the adhesiveness of the photosensitive adhesive composition (adhesive layer 601), stress relaxation property, and the solubility with respect to the organic solvent can be improved more.

또한, (D) 페놀 화합물을 2종 이상 포함하는 경우, 그들의 합계 함유량은, 상술한 범위 내인 것이 바람직하다.Moreover, when 2 or more types of (D) phenolic compounds are included, it is preferable that those total content exists in the above-mentioned range.

이상과 같은 (A) 알칼리 가용성 수지와, (B) 광산발생제와, (C) 에폭시 화합물과, (D) 페놀 화합물을 감광성 접착제 조성물이 포함함으로써, 반도체 장치의 제조에 있어서, 예를 들면 도막(601a)을 구비한 웨이퍼(201)를 에칭할 때나, 접착층(601)을 통하여 반도체 칩(20)끼리를 압착할 때에, 접착층(601)과 반도체 칩(20)의 계면에 기포가 남기 어려워진다. 이로 인하여, 접착층(601)에 의하여 반도체 칩(20)끼리를 강고하게 접착할 수 있으며, 따라서, 신뢰성이 높은 칩 적층체(200)를 얻을 수 있다. 또, 접착층(601)은, 1층 구조임에도 불구하고, 충분한 접착성에 더하여, 응력 완화성을 구비하고 있다. 이로 인하여, 반도체 칩(20)끼리의 사이에, 접착성이 우수한 층과, 응력 완화성이 우수한 층의 2층을 마련할 필요가 없고, 따라서, 칩 적층체(200)의 전체의 두께가 현저하게 두꺼워지는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 저배(低背)이고, 또한 접착성 및 응력 완화성이 우수한 신뢰성이 높은 반도체 장치(10)를 얻을 수 있다. 이와 같은 반도체 장치(10)는, 예를 들면 모바일 기기와 같이 내용적이 매우 작고, 또한 운반하면서 사용되는 전자 기기에 있어서 특히 유용하다. 즉, 이와 같은 반도체 장치(10)는, 전자 기기의 소형화, 박형화, 경량화에 기여함과 함께, 전자 기기를 떨어뜨리거나 휘두르거나 한 경우라도, 반도체 장치(10)의 기능이 손상되기 어렵다는 점에서 유용하다.When the photosensitive adhesive composition contains the above (A) alkali-soluble resin, (B) photo-acid generator, (C) epoxy compound, and (D) phenol compound, in manufacture of a semiconductor device, for example, a coating film When the wafer 201 provided with the 601a is etched or when the semiconductor chips 20 are pressed together through the adhesive layer 601 , it becomes difficult to leave bubbles at the interface between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20 . . For this reason, the semiconductor chips 20 can be strongly adhere|attached by the adhesive layer 601, and, therefore, the chip laminated body 200 with high reliability can be obtained. Moreover, although the adhesive layer 601 is a one-layer structure, in addition to sufficient adhesiveness, it is equipped with stress relaxation property. For this reason, it is not necessary to provide two layers, a layer excellent in adhesiveness, and a layer excellent in stress relaxation property, between the semiconductor chips 20 comrades. Therefore, the overall thickness of the chip laminate 200 is remarkable. It can be prevented from thickening. As a result, it is possible to obtain a highly reliable semiconductor device 10 having a low magnification and excellent in adhesiveness and stress relaxation properties. Such a semiconductor device 10 has a very small internal volume, such as a mobile device, and is particularly useful in an electronic device used while carrying it. That is, such a semiconductor device 10 contributes to miniaturization, thickness reduction, and weight reduction of the electronic device, and the function of the semiconductor device 10 is not easily impaired even when the electronic device is dropped or wielded. useful in

또, (A) 알칼리 가용성 수지와, (B) 광산발생제와, (C) 에폭시 화합물과, (D) 페놀 화합물을 포함하는 감광성 접착제 조성물의 경화물은, 유기 용제에 대한 용해성, 및 리워크성이 우수하다.Further, the cured product of the photosensitive adhesive composition containing (A) alkali-soluble resin, (B) photo-acid generator, (C) epoxy compound, and (D) phenol compound has solubility in an organic solvent, and rework castle is excellent

또, 이와 같은 감광성 접착제 조성물은, (D) 페놀 화합물보다 융점이 높은 (X) 페놀 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이로써, 접착층(601)의 접착성을 특히 향상시킬 수 있다. 또한, (X) 페놀 화합물의 융점은, 151~250℃인 것이 바람직하고, 181~230℃인 것이 보다 바람직하다. 또, (X) 페놀 화합물은, 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물은, 환상 구조를 포함하는 치환기로서, 적어도 하나의 상기 페놀 골격에 결합한 치환기를 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 효과를 보다 현저하게 발휘할 수 있다.Moreover, it is preferable that such a photosensitive adhesive composition further contains the (X) phenolic compound with melting|fusing point higher than the (D) phenolic compound. Thereby, the adhesiveness of the adhesive layer 601 can be especially improved. Moreover, it is preferable that it is 151-250 degreeC, and, as for melting|fusing point of (X) phenol compound, it is more preferable that it is 181-230 degreeC. Moreover, it is preferable that (X) a phenol compound contains the phenol compound which has a some phenol skeleton. It is preferable that the phenolic compound which has these several phenol skeletons has the substituent couple|bonded with at least 1 said phenol skeleton as a substituent containing a cyclic structure. Thereby, the said effect can be exhibited more notably.

또, (X) 페놀 화합물의 함유량은, (A) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.2~20질량부인 것이 바람직하고, 0.5~10질량부인 것이 보다 바람직하다. (X) 페놀 화합물의 함유량이 상기 범위 내인 것에 의하여, 상술한 효과를 보다 현저하게 발휘할 수 있다.Moreover, it is preferable that it is 0.2-20 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) alkali-soluble resin, and, as for content of (X) phenolic compound, it is more preferable that it is 0.5-10 mass parts. (X) When content of a phenol compound exists in the said range, the effect mentioned above can be exhibited more notably.

또, 감광성 접착제 조성물은, (D) 페놀 화합물을 2종 포함하고, (X) 페놀 화합물을 더 포함하는 것이 특히 바람직하다. 이로써, 접착성, 응력 완화성, 및 유기 용제에 대한 용해성이 특히 우수한 접착층(601)을 얻을 수 있다.Moreover, it is especially preferable that the photosensitive adhesive composition contains 2 types of (D) phenolic compounds, and also contains (X) phenolic compound. Thereby, the adhesive layer 601 which is especially excellent in adhesiveness, stress relaxation property, and solubility with respect to an organic solvent can be obtained.

또, 감광성 접착제 조성물은, 필요에 따라, (D) 페놀 화합물 및 (X) 페놀 화합물 이외의 페놀 화합물, 레벨링제, 난연제, 가소제, 경화 촉진제, 산화 방지제, 밀착 조제(助劑) 등을 더 포함하고 있어도 된다.Moreover, the photosensitive adhesive composition further contains (D) phenolic compound and (X) phenolic compounds other than a phenolic compound, a leveling agent, a flame retardant, a plasticizer, a hardening accelerator, antioxidant, an adhesive agent, etc. as needed may be doing

산화 방지제로서는, 예를 들면 페놀계 산화 방지제, 아민계 산화 방지제, 인계 산화 방지제 및 싸이오에터계 산화 방지제를 들 수 있으며, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 단, 이들 중에서도 산화 방지제로서는, 페놀계 산화 방지제와 아민계 산화 방지제를 조합하여 이용하는 것이 바람직하다.Examples of the antioxidant include a phenol-based antioxidant, an amine-based antioxidant, a phosphorus-based antioxidant, and a thioether-based antioxidant, which can be used alone or in combination of two or more thereof. However, among these, as antioxidant, it is preferable to use combining a phenol type antioxidant and an amine type antioxidant.

이와 같은 산화 방지제를 포함함으로써, 감광성 접착제 조성물의 경화 시의 산화, 및 그 후의 프로세스 등에 있어서의 감광성 접착제 조성물(도막(601a))의 산화를 억제할 수 있다.By including such an antioxidant, oxidation at the time of hardening of the photosensitive adhesive composition, oxidation of the photosensitive adhesive composition (coating film 601a) in a subsequent process, etc. can be suppressed.

페놀계 산화 방지제로서는, 펜타에리트리틸-테트라키스〔3-(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트〕, 3,9-비스{2-〔3-(3-t-뷰틸-4-하이드록시-5-메틸페닐)프로피온일옥시〕-1,1-다이메틸에틸}2,4,8,10-테트라옥사스파이로〔5,5〕운데케인, 옥타데실-3-(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 1,6-헥세인다이올-비스〔3-(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트〕, 1,3,5-트라이메틸-2,4,6-트리스(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시벤질)벤젠, 2,6-다이-t-뷰틸-4-메틸페놀, 2,6-다이-t-뷰틸-4-에틸페놀, 2,6-다이페닐-4-옥타데실옥시페놀, 2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀, 스테아릴(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 다이스테아릴(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시벤질)포스포네이트, 싸이오다이에틸렌글라이콜비스〔(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트〕, 4,4'-싸이오비스(6-t-뷰틸-m-크레졸), 2-옥틸싸이오-4,6-다이(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시페녹시)-s-트라이아진, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-뷰틸-6-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-t-뷰틸페놀), 비스〔3,3-비스(4-하이드록시-3-t-뷰틸페닐)뷰티릭 애시드〕글라이콜에스터, 4,4'-뷰틸리덴비스(6-t-뷰틸-m-크레졸), 2,2'-에틸리덴비스(4,6-다이-t-뷰틸페놀), 2,2'-에틸리덴비스(4-s-뷰틸-6-t-뷰틸페놀), 1,1,3-트리스(2-메틸-4-하이드록시-5-t-뷰틸페닐)뷰테인, 비스〔2-t-뷰틸-4-메틸-6-(2-하이드록시-3-t-뷰틸-5-메틸벤질)페닐〕테레프탈레이트, 1,3,5-트리스(2,6-다이메틸-3-하이드록시-4-t-뷰틸벤질)아이소사이아누레이트, 1,3,5-트리스(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시벤질)-2,4,6-트라이메틸벤젠, 1,3,5-트리스〔(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시페닐)프로피온일옥시에틸〕아이소사이아누레이트, 테트라키스〔메틸렌-3-(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트〕메테인, 2-t-뷰틸-4-메틸-6-(2-아크릴로일옥시-3-t-뷰틸-5-메틸벤질)페놀, 3,9-비스(1,1-다이메틸-2-하이드록시에틸)-2,4,8,10-테트라옥사스파이로[5,5]운데케인-비스〔β-(3-t-뷰틸-4-하이드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트〕, 트라이에틸렌글라이콜비스〔β-(3-t-뷰틸-4-하이드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트〕, 1,1'-비스(4-하이드록시페닐)사이클로헥세인, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-t-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(6-(1-메틸사이클로헥실)-4-메틸페놀), 4,4'-뷰틸리덴비스(3-메틸-6-t-뷰틸페놀), 3,9-비스(2-(3-t-뷰틸-4-하이드록시-5-메틸페닐프로피온일옥시) 1,1-다이메틸에틸)-2,4,8,10-테트라옥사스파이로(5,5)운데케인, 4,4'-싸이오비스(3-메틸-6-t-뷰틸페놀), 4,4'-비스(3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시벤질)설파이드, 4,4'-싸이오비스(6-t-뷰틸-2-메틸페놀), 2,5-다이-t-뷰틸하이드로퀴논, 2,5-다이-t-아밀하이드로퀴논, 2-t-뷰틸-6-(3-t-뷰틸-2-하이드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트, 2,4-다이메틸-6-(1-메틸사이클로헥실, 스타이렌네이티드페놀, 2,4-비스((옥틸싸이오)메틸)-5-메틸페놀 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀 등의 페놀계 산화 방지제가 바람직하다.Examples of the phenolic antioxidant include pentaerythrityl-tetrakis [3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 3,9-bis{2-[3-( 3-t-Butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionyloxy]-1,1-dimethylethyl}2,4,8,10-tetraoxaspiro[5,5]undecane, octadecyl -3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, 1,6-hexanediol-bis[3-(3,5-di-t-butyl-4- Hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)benzene, 2,6-di- t-butyl-4-methylphenol, 2,6-di-t-butyl-4-ethylphenol, 2,6-diphenyl-4-octadecyloxyphenol, 2,6-bis[(2-hydroxy- 5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol, stearyl (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, distearyl (3,5-di-t-butyl-4 -Hydroxybenzyl) phosphonate, thiodiethylene glycol bis [(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 4,4'-thiobis (6-t -Butyl-m-cresol), 2-octylthio-4,6-di (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenoxy)-s-triazine, 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-t-butyl-6-butylphenol), 2,2'-methylenebis(4-ethyl-6-t-butylphenol), bis[3,3-bis(4-hydroxy- 3-t-butylphenyl)butyric acid]glycol ester, 4,4'-butylidenebis(6-t-butyl-m-cresol), 2,2'-ethylidenebis(4,6- di-t-butylphenol), 2,2'-ethylidenebis(4-s-butyl-6-t-butylphenol), 1,1,3-tris(2-methyl-4-hydroxy-5- t-Butylphenyl)butane, bis[2-t-butyl-4-methyl-6-(2-hydroxy-3-t-butyl-5-methylbenzyl)phenyl]terephthalate, 1,3,5- Tris(2,6-dimethyl-3-hydroxy-4-t-butylbenzyl)isocyanurate, 1,3,5-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -2,4,6-trimethylbenzene, 1,3,5-tris [(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxyethyl] isocyanurate t, tetrakis [methylene-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] methane, 2-t-butyl-4-methyl-6- (2-acrylo Iloxy-3-t-butyl-5-methylbenzyl)phenol, 3,9-bis(1,1-dimethyl-2-hydroxyethyl)-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5 ,5]undecane-bis[β-(3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionate], triethyleneglycolbis[β-(3-t-butyl-4-hydride) hydroxy-5-methylphenyl)propionate], 1,1'-bis(4-hydroxyphenyl)cyclohexane, 2,2'-methylenebis(4-methyl-6-t-butylphenol), 2, 2'-methylenebis(4-ethyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylenebis(6-(1-methylcyclohexyl)-4-methylphenol), 4,4'-butylidene Bis(3-methyl-6-t-butylphenol), 3,9-bis(2-(3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenylpropionyloxy)1,1-dimethylethyl)- 2,4,8,10-tetraoxaspiro (5,5) undecane, 4,4'-thiobis (3-methyl-6-t-butylphenol), 4,4'-bis (3,5) -di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) sulfide, 4,4'-thiobis (6-t-butyl-2-methylphenol), 2,5-di-t-butylhydroquinone, 2,5 -di-t-amylhydroquinone, 2-t-butyl-6- (3-t-butyl-2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate, 2,4-dimethyl-6- (1-methylcyclohexyl, styrenated phenol, 2,4-bis((octylthio)methyl)-5-methylphenol, etc. are mentioned. Of these, phenolic antioxidants such as 2,6-bis[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol are preferable.

아민계 산화 방지제로서는, N,N'-다이-sec-뷰틸-p-페닐렌다이아민, 4,4'-다이메톡시다이페닐아민, 4-아이소프로폭시다이페닐아민, N-아이소프로필-N'-페닐-p-페닐렌다이아민, N-(1,3-다이메틸뷰틸)-N'-페닐-p-페닐렌다이아민, 4,4'-다이(α,α-다이메틸벤질)다이페닐아민 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 아민계 산화 방지제로서는, 4,4'-다이메톡시다이페닐아민, 4-아이소프로폭시다이페닐아민, 4,4'-다이(α,α-다이메틸벤질)다이페닐아민 등의 다이페닐아민계 화합물이 바람직하다.As amine antioxidant, N,N'-di-sec-butyl-p-phenylenediamine, 4,4'-dimethoxydiphenylamine, 4-isopropoxydiphenylamine, N-isopropyl- N'-phenyl-p-phenylenediamine, N-(1,3-dimethylbutyl)-N'-phenyl-p-phenylenediamine, 4,4'-di(α,α-dimethylbenzyl) ) and diphenylamine. Among these, examples of the amine antioxidant include diphenylamine such as 4,4'-dimethoxydiphenylamine, 4-isopropoxydiphenylamine, and 4,4'-di(α,α-dimethylbenzyl)diphenylamine. Phenylamine-based compounds are preferred.

인계 산화 방지제로서는, 비스-(2,6-다이-t-뷰틸-4-메틸페닐)펜타펜타에리트리톨다이포스파이트, 트리스(2,4-다이-t-뷰틸페닐포스파이트), 테트라키스(2,4-다이-t-뷰틸-5-메틸페닐)-4,4'-바이페닐렌다이포스포나이트, 3,5-다이-t-뷰틸-4-하이드록시벤질포스포네이트-다이에틸에스터, 비스-(2,6-다이큐밀페닐)펜타에리트리톨다이포스파이트, 2,2-메틸렌비스(4,6-다이-t-뷰틸페닐)옥틸포스파이트, 트리스(믹스드 모노 앤드(and) 다이-노닐페닐포스파이트), 비스(2,4-다이-t-뷰틸페닐)펜타펜타에리트리톨-다이-포스파이트, 비스(2,6-다이-t-뷰틸-4-메톡시카보닐에틸-페닐)펜타에리트리톨다이포스파이트, 비스(2,6-다이-t-뷰틸-4-옥타데실옥시카보닐에틸-페닐)펜타에리트리톨다이포스파이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 인계 산화 방지제로서는, 포스파이트 및 포스페이트가 바람직하다.As phosphorus antioxidant, bis-(2,6-di-t-butyl-4-methylphenyl)pentapentaerythritol diphosphite, tris(2,4-di-t-butylphenylphosphite), tetrakis(2) , 4-di-t-butyl-5-methylphenyl) -4,4'-biphenylenediphosphonite, 3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzylphosphonate-diethyl ester, Bis-(2,6-dicumylphenyl)pentaerythritol diphosphite, 2,2-methylenebis(4,6-di-t-butylphenyl)octylphosphite, tris(mixed mono and die -nonylphenylphosphite), bis(2,4-di-t-butylphenyl)pentapentaerythritol-di-phosphite, bis(2,6-di-t-butyl-4-methoxycarbonylethyl- phenyl)pentaerythritol diphosphite, bis(2,6-di-t-butyl-4-octadecyloxycarbonylethyl-phenyl)pentaerythritol diphosphite, etc. are mentioned. Among these, as a phosphorus antioxidant, a phosphite and a phosphate are preferable.

싸이오에터계 산화 방지제로서는, 다이라우릴 3,3'-싸이오다이프로피오네이트, 비스(2-메틸-4-(3-n-도데실)싸이오프로피온일옥시)-5-t-뷰틸페닐)설파이드, 다이스테아릴-3,3'-싸이오다이프로피오네이트, 펜타에리트리톨-테트라키스(3-라우릴)싸이오프로피오네이트 등을 들 수 있다.As the thioether-based antioxidant, dilauryl 3,3'-thiodipropionate, bis(2-methyl-4-(3-n-dodecyl)thiopropionyloxy)-5-t-butylphenyl ) sulfide, distearyl-3,3'-thiodipropionate, pentaerythritol-tetrakis(3-lauryl)thiopropionate, and the like.

감광성 접착제 조성물이 산화 방지제를 포함하는 경우, 산화 방지제의 함유량은, (A) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1~50질량부인 것이 바람직하고, 0.5~30질량부인 것이 보다 바람직하다.When the photosensitive adhesive composition contains antioxidant, it is preferable that it is 0.1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) alkali-soluble resin, and, as for content of antioxidant, it is more preferable that it is 0.5-30 mass parts.

또, 밀착 조제로서는, 바이닐트라이메톡시실레인, 바이닐트라이에톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실레인, 5,6-에폭시헥실트라이에톡시실레인, p-스타이릴트라이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이에톡시실레인, 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, 비스[3-(트라이에톡시실릴)프로필]테트라설파이드, 비스[3-(트라이에톡시실릴)프로필]다이설파이드, 3-아이소사이아네이토프로필트라이에톡시실레인, 페닐트라이메톡시실레인, 페닐트라이에톡시실레인, 벤조일옥시프로필트라이메톡시실레인, 벤조일옥시프로필트라이에톡시실레인, 1,6-비스(트라이메톡시실릴)헥세인, 노보넨일트라이메톡시실레인, 노보넨일트라이에톡시실레인, 3-(트라이에톡시실릴)프로필석신산 무수물, 6-아지도설폰일헥실트라이에톡시실레인, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이에톡시실레인, 트리스(3-트라이메톡시실릴프로필)아이소사이아누레이트, [2-(3-사이클로헥센일)에틸]트라이메톡시실레인, [2-(3-사이클로헥센일)에틸]트라이에톡시실레인, (3-사이클로펜타다이엔일프로필)트라이에톡시실레인, 펜틸트라이메톡시실레인, 펜틸트라이에톡시실레인, n-헥실트라이메톡시실레인, n-헥실트라이에톡시실레인, n-옥틸트라이메톡시실레인, n-옥틸트라이에톡시실레인, 데실트라이메톡시실레인, 데실트라이에톡시실레인, 도데실트라이메톡시실레인, 도데실트라이에톡시실레인, 비스(트라이에톡시실릴)메테인, 비스(트라이메톡시실릴)에테인, 비스(트라이에톡시실릴)에테인, 비스(트라이메톡시실릴)헥세인, 비스(트라이에톡시실릴)헥세인, 비스(트라이메톡시실릴)옥테인, 비스(트라이에톡시실릴)옥테인, 비스(트라이메톡시실릴)벤젠, 비스[(3-메틸다이메톡시실릴)프로필]폴리프로필렌옥사이드, 폴리메타크릴산 트라이메톡시실릴에스터, 폴리메타크릴산 트라이에톡시실릴에스터, 트라이플루오로프로필트라이메톡시실레인, 1,3-다이메틸테트라메톡시다이실록세인 등을 들 수 있다. 단, 밀착 조제는 이들에 한정되지 않는다. 이들은 단독으로도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 이와 같은 밀착 조제를 감광성 접착제 조성물에 포함함으로써, 접착층(601)의 반도체 칩(20)에 대한 접착력(밀착력)을 보다 높일 수 있다.Moreover, as an adhesion adjuvant, vinyl trimethoxysilane, vinyl triethoxysilane, 3-glycidoxy propyl trimethoxysilane, 3-glycidoxy propylmethyl diethoxy silane, 3-glycidoxy Propyltriethoxysilane, 5,6-epoxyhexyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrime Toxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, bis[3-(triethoxysilyl) Propyl]tetrasulfide, bis[3-(triethoxysilyl)propyl]disulfide, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, benzoyloxypropyl Trimethoxysilane, benzoyloxypropyltriethoxysilane, 1,6-bis(trimethoxysilyl)hexane, norbornenyltrimethoxysilane, norbornenyltriethoxysilane, 3-(trie Toxysilyl) propyl succinic anhydride, 6-azidosulfonylhexyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl Triethoxysilane, tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate, [2-(3-cyclohexenyl)ethyl]trimethoxysilane, [2-(3-cyclohexenyl)ethyl ] Triethoxysilane, (3-cyclopentadienylpropyl) triethoxysilane, pentyl trimethoxysilane, pentyl triethoxysilane, n-hexyl trimethoxysilane, n- Hexyltriethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, decyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane Siltriethoxysilane, bis(triethoxysilyl)methane, bis(trimethoxysilyl)ethane, bis(triethoxysilyl)ethane, bis(trimethoxysilyl)hexane, bis(triethoxy Silyl) hexane, bis (trimethoxysilyl) octane, bis (triethoxysilyl) octane, bis (trimethoxysilyl) benzene, bis [(3-methyldimethoxysilyl) propyl] polypropylene oxide , polymethacrylic acid trimethoxysilyl ester, polymethacr lylic acid triethoxysilyl ester, trifluoropropyl trimethoxysilane, 1,3-dimethyltetramethoxydisiloxane, etc. are mentioned. However, the adhesion aid is not limited to these. These may be used individually or in mixture of 2 or more types. By including such an adhesion aid in the photosensitive adhesive composition, the adhesive force (adhesion force) of the adhesive layer 601 with respect to the semiconductor chip 20 can be raised more.

감광성 접착제 조성물이 밀착 조제를 포함하는 경우, 밀착 조제의 함유량은, (A) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여, 0.1~30질량부인 것이 바람직하고, 0.2~20질량부인 것이 보다 바람직하다.When the photosensitive adhesive composition contains an adhesion adjuvant, it is preferable that it is 0.1-30 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) alkali-soluble resin, and, as for content of adhesion adjuvant, it is more preferable that it is 0.2-20 mass parts.

<<물성>><<Physical Properties>>

다음으로, 감광성 접착제 조성물의 물성(접착층(601)의 물성)에 대하여 상세하게 설명한다.Next, the physical properties of the photosensitive adhesive composition (the physical properties of the adhesive layer 601) will be described in detail.

경화 후의 감광성 접착제 조성물, 즉 접착층(601)의 25℃에서의 탄성률은, 2.0~3.5GPa인 것이 바람직하다. 또, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 25℃에서의 탄성률은, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 25℃에서의 탄성률의 70~120%인 것이 바람직하다. 또, 에칭 처리 및 애싱 처리에 제공된 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 반도체 칩(20)에 대한 25℃에서의 접착력은, 20.0~200.0N인 것이 바람직하다. 환언하면, 감광성 접착제 조성물을 이용하여, 평면에서 봤을 때의 사이즈가 4mm×4mm인 반도체 칩(20) 상에 막을 형성하고, 막을 경화(완전 경화)시키지 않으며, 미경화 혹은 반경화 상태의 막(경화 전의 감광성 접착제 조성물)을 구비하는 반도체 칩(20)에 에칭 처리 및 애싱 처리를 실시했을 때, 막의 반도체 칩(20)에 대한 25℃에서의 접착력이, 20.0~200.0N인 것이 바람직하다. 이 점착력을 반도체 칩(20)의 평면에서 봤을 때의 사이즈의 단위 면적당으로 환산하면, 1.25~12.5MPa(N/mm2)가 된다.It is preferable that the photosensitive adhesive composition after hardening, ie, the elastic modulus in 25 degreeC of the adhesive layer 601, is 2.0-3.5 GPa. Moreover, it is preferable that the elastic modulus in 25 degreeC of the photosensitive adhesive composition before hardening is 70 to 120% of the elastic modulus in 25 degreeC of the photosensitive adhesive composition after hardening. Moreover, it is preferable that the adhesive force in 25 degreeC with respect to the semiconductor chip 20 of the photosensitive adhesive composition before hardening given to an etching process and an ashing process is 20.0-200.0N. In other words, using the photosensitive adhesive composition, a film is formed on the semiconductor chip 20 having a size of 4 mm × 4 mm in plan view, the film is not cured (completely cured), and the film in an uncured or semi-cured state ( When an etching process and an ashing process are performed to the semiconductor chip 20 provided with the photosensitive adhesive composition before hardening, it is preferable that the adhesive force at 25 degreeC with respect to the semiconductor chip 20 of a film|membrane is 20.0-200.0N. When this adhesive force is converted into per unit area of the size of the planar view of the semiconductor chip 20, it will be 1.25-12.5 MPa (N/mm<2>).

이와 같은 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 25℃에서의 탄성률이 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 25℃에서의 탄성률에 대하여 소정의 범위 내인 것에 의하여, 예를 들면 경화 전의 감광성 접착제 조성물이 현저하게 변형되거나, 웨이퍼(201)로부터 유출되거나 할 우려가 작아진다. 이로 인하여, 반도체 칩(20)을 적층할 때의 위치 맞춤의 정밀도를 높일 수 있다. 또한 경화 전후에서의 탄성률의 변화량이 비교적 작은 점에서, 감광에 따른 수축량도 작게 할 수 있다. 그 결과, 경화 수축에 따라 접착층(601)과 반도체 칩(20)의 계면에 발생하는 응력을 저감시킬 수 있다. 이러한 관점에서도, 칩 적층체(200)의 신뢰성 향상에 기여한다.When the elastic modulus at 25° C. of the photosensitive adhesive composition before curing is within a predetermined range with respect to the elastic modulus at 25° C. of the photosensitive adhesive composition after curing, for example, the photosensitive adhesive composition before curing is significantly deformed, or the wafer ( 201), and the possibility that it will leak from it becomes small. For this reason, the precision of the alignment at the time of laminating|stacking the semiconductor chip 20 can be improved. Further, since the amount of change in the elastic modulus before and after curing is relatively small, the amount of shrinkage due to photosensitivity can also be made small. As a result, stress generated at the interface between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20 due to curing shrinkage can be reduced. Also from this point of view, it contributes to the improvement of the reliability of the chip stack 200 .

그 한편, 에칭 처리 및 애싱 처리에 제공된 경화 전의 감광성 접착제 조성물은, 반도체 칩(20)에 대하여, 다이본딩에 있어서 필요한 충분한 밀착력을 갖는다. 이로 인하여, 접착층(601)은, 반도체 칩(20)끼리를 보다 강고하게 고정하여, 칩 적층체(200)의 신뢰성 향상에 기여하고 있다.On the other hand, the photosensitive adhesive composition before hardening provided for an etching process and an ashing process has sufficient adhesive force required in die bonding with respect to the semiconductor chip 20. For this reason, the adhesive layer 601 fixes the semiconductor chips 20 comrades more firmly, and contributes to the reliability improvement of the chip laminated body 200 .

이상과 같은 조건을 충족시키는 감광성 접착제 조성물을 이용함으로써, 충분한 접착성과 응력 완화성을 양립한 접착층(601)을 용이하게 얻을 수 있다. 환언하면, 접착층(601)은, 그 1층으로 버퍼 코트막의 소자 보호 기능(버퍼 코트 기능)과 다이본딩 필름의 접착 기능(다이본딩 기능)을 겸비하고 있다. 이로 인하여, 칩 적층체(200)의 신뢰성을 저하시키지 않고 칩 적층체(200)를 형성 가능하게 함과 함께, 2층을 이용하고 있던 종래에 비하여 칩 적층체(200)를 얇게 할 수 있다. 또, 칩 적층체(200)의 박형화에 따라, 몰드부(50)의 체적을 줄이거나, 본딩 와이어(70)의 단축화를 도모하거나 할 수 있기 때문에, 그것에 따른 경량화, 저비용화에도 기여한다.By using the photosensitive adhesive composition which satisfies the above conditions, the adhesive layer 601 which made sufficient adhesiveness and stress relaxation property compatible can be obtained easily. In other words, the adhesive layer 601 has, as one layer, an element protection function (buffer coat function) of a buffer coating film and an adhesion function (die bonding function) of a die bonding film. For this reason, while making it possible to form the chip laminated body 200 without reducing the reliability of the chip laminated body 200, compared with the prior art which used two layers, the chip laminated body 200 can be made thin. Moreover, since the volume of the mold part 50 can be reduced and the shortening of the bonding wire 70 can be aimed at with reduction of the thickness of the chip laminated body 200, it also contributes to weight reduction and cost reduction accompanying it.

또, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 25℃에서의 탄성률은, 보다 바람직하게는 2.2~3.2GPa가 되고, 더 바람직하게는 2.4~3.0GPa가 된다. 또한, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률이 상기 하한값을 하회하면, 감광성 접착제 조성물의 조성에 따라서는, 접착층(601)의 접착력이 약간 저하될 우려가 있다. 또, 몰드부(50) 중에 필러가 포함되어 있는 경우에는 그 필러가 접착층(601)을 관통하여 반도체 칩(20)에 악영향을 미치거나 할 우려도 있다. 한편, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률이 상기 상한값을 상회하면, 감광성 접착제 조성물의 조성에 따라서는, 접착층(601)의 유연성이 저하되기 때문에, 응력 완화성이 저하된다. 이로 인하여, 예를 들면 반도체 칩(20)의 적층에 따라 발생한 잔류 응력이나 반도체 칩(20)과 접착층(601)의 열팽창차에 따른 열응력의 국소 집중을 완화할 수 없어, 반도체 칩(20)에 크랙을 발생시킬 우려가 있다.Moreover, the elastic modulus in 25 degreeC of the photosensitive adhesive composition after hardening becomes like this. More preferably, it becomes 2.2-3.2 GPa, More preferably, it becomes 2.4-3.0 GPa. Moreover, when the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening is less than the said lower limit, there exists a possibility that the adhesive force of the adhesive layer 601 may fall slightly depending on the composition of the photosensitive adhesive composition. Moreover, when a filler is contained in the mold part 50, there exists a possibility that the filler may penetrate the adhesive layer 601 and exert a bad influence on the semiconductor chip 20. On the other hand, when the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening exceeds the said upper limit, depending on the composition of the photosensitive adhesive composition, since the softness|flexibility of the adhesive layer 601 falls, stress relaxation property falls. For this reason, for example, the local concentration of the residual stress generated by the stacking of the semiconductor chips 20 or the thermal stress caused by the difference in thermal expansion between the semiconductor chip 20 and the adhesive layer 601 cannot be alleviated, and the semiconductor chip 20 There is a risk that cracks may occur.

또한, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률은, 예를 들면 초미소 경도계 ENT-1000(가부시키가이샤 엘리오닉스제)을 이용하여, 측정 온도 25℃, 하중 2mN, 유지 시간 1초로 하고, 베르코비치 압자(삼각뿔, 대능각 115°)를 이용하여, ISO14577에 준거하여 측정함으로써 구할 수 있다.In addition, the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening is 25 degreeC of measurement temperature, 2 mN load, holding time 1 second using, for example, ultra micro hardness tester ENT-1000 (made by Elionix Co., Ltd.), Berkovich indenter It can be calculated|required by measuring based on ISO14577 using (triangular pyramid, argonal angle 115 degrees).

또, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률은, 마운트 공정 후의 도막(601a)의 탄성률로서 구할 수 있다.In addition, the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening can be calculated|required as an elastic modulus of the coating film 601a after a mounting process.

또, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 25℃에서의 탄성률은, 보다 바람직하게는 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 25℃에서의 탄성률에 대하여, 75~115%가 되고, 더 바람직하게는 80~110%가 된다. 또한, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 탄성률이 상기 하한값을 하회하는 경우, 감광성 접착제 조성물의 점착성이 커지지만, 감광성 접착제 조성물의 피막이 변형되기 쉬워진다. 그 결과, 예를 들면 이 피막을 통하여 반도체 칩(20)을 가배치했을 때에, 그 위치가 어긋나기 쉬워지거나, 혹은 감광성 접착제 조성물이 웨이퍼(201)로부터 유출되거나 할 우려가 있다. 한편, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 탄성률이 상기 상한값을 상회하는 경우, 점착성이 저하되고, 반도체 칩(20)을 가배치하기 어려워질 우려가 있다.Moreover, the elastic modulus at 25 degreeC of the photosensitive adhesive composition before hardening becomes more preferably 75-115% with respect to the elastic modulus at 25 degreeC of the photosensitive adhesive composition after hardening, More preferably, it becomes 80-110% . Moreover, when the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition before hardening is less than the said lower limit, the adhesiveness of the photosensitive adhesive composition becomes large, but the film of the photosensitive adhesive composition becomes easy to deform|transform. As a result, for example, when the semiconductor chip 20 is temporarily placed through this film, the position may easily shift or the photosensitive adhesive composition may flow out from the wafer 201 . On the other hand, when the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition before hardening exceeds the said upper limit, there exists a possibility that adhesiveness may fall and it may become difficult to temporarily arrange|position the semiconductor chip 20.

또한, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 탄성률도, 경화 후의 감광성 접착제 조성물의 탄성률과 마찬가지로 측정할 수 있다.In addition, the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition before hardening can also be measured similarly to the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening.

또, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 탄성률은, 처리 공정 후이자 마운트 공정 전의 도막(601a)의 탄성률로서 구할 수 있다.In addition, the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition before hardening can be calculated|required as the elastic modulus of the coating film 601a after a processing process and before a mounting process.

한편, 에칭 처리 및 애싱 처리에 제공된 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 반도체 칩(20)에 대한 25℃에서의 접착력은, 보다 바람직하게는 30~180N(1.875~11.25MPa)이 되고, 더 바람직하게는 40~160N(2.5~10MPa)이 된다. 또한, 접착력이 상기 하한값을 하회하는 경우, 접착층(601)과 반도체 칩(20)의 계면에 기포가 들어가기 쉬워질 우려가 있다. 한편, 접착력이 상기 상한값을 상회하는 경우, 접착층(601)과 반도체 칩(20)의 계면에 기포가 들어가 버린 경우, 그것이 빠지기 어려워질 우려가 있다.On the other hand, the adhesive force at 25° C. of the photosensitive adhesive composition before curing subjected to the etching treatment and the ashing treatment to the semiconductor chip 20 is more preferably 30 to 180 N (1.875 to 11.25 MPa), more preferably 40 It becomes ~160N (2.5~10MPa). Moreover, when the adhesive force is less than the said lower limit, there exists a possibility that a bubble may easily enter into the interface of the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20. As shown in FIG. On the other hand, when the adhesive force exceeds the upper limit, when bubbles enter the interface between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20, there is a fear that it becomes difficult to escape.

또한, 에칭 처리 및 애싱 처리에 제공된 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 반도체 칩(20)에 대한 접착력은, 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 먼저, 에칭 처리 및 애싱 처리에 제공된 경화 전의 본 발명의 감광성 접착제 조성물을 통하여 반도체 칩(20)끼리를 접착하여, 반도체 칩 접착체를 얻는다. 그 후, 만능형 본드 테스터 데이지(Dage)4000(데이지·재팬 가부시키가이샤제)를 이용하여, 그 반도체 칩 접착체의 다이 시어 강도를 반도체 칩(20)에 대한 접착력으로서 구한다. 다이 시어 강도는, 반도체 칩 접착체의 가로(측면)로부터 시어 툴로 한쪽의 반도체 칩(20)을 수평 방향(반도체 칩(20)의 면내 방향)으로 눌러, 반도체 칩(20) 사이의 접합면이 파단되었을 때의 강도로서 구해진다.In addition, the adhesive force with respect to the semiconductor chip 20 of the photosensitive adhesive composition before hardening given to an etching process and an ashing process can be measured as follows. First, semiconductor chips 20 comrades are adhere|attached through the photosensitive adhesive composition of this invention before hardening given to an etching process and an ashing process, and a semiconductor chip adhesive body is obtained. Then, the die shear strength of the semiconductor chip adhesive body is calculated|required as adhesive force with respect to the semiconductor chip 20 using a universal bond tester Dage 4000 (made by Daisy Japan). The die shear strength is determined by pressing one of the semiconductor chips 20 in the horizontal direction (in-plane direction of the semiconductor chip 20) with a shear tool from the side (side) of the semiconductor chip adhesive body, so that the bonding surface between the semiconductor chips 20 is It is calculated|required as the intensity|strength at the time of fracture|rupture.

또, 에칭 처리 및 애싱 처리에 제공된 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 반도체 칩(20)에 대한 접착력은, 처리 공정 후이자 마운트 공정 전의 도막(601a)의 반도체 칩(20)에 대한 접착력으로서 구할 수 있다.In addition, the adhesive force to the semiconductor chip 20 of the photosensitive adhesive composition before hardening given to the etching process and ashing process can be calculated|required as adhesive force to the semiconductor chip 20 of the coating film 601a after a processing process and before a mounting process.

또한, 상기 에칭 처리란, 예를 들면 반도체 칩(20)의 표면의 패시베이션막을 제거하여, 본딩 와이어(70)를 접속하기 위한 전극 패드를 노출시키는 처리이다. 구체적으로는, 가스로서 불소 화합물 가스(CF4)와 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)의 혼합 가스를 이용하고, 출력은 2500W, 시간은 6분, CF4 유량/Ar 유량/O2 유량은 200sccm/200sccm/50sccm으로 하는 조건으로 행하는 에칭 처리를 들 수 있다.In addition, the said etching process is a process which removes the passivation film of the surface of the semiconductor chip 20, and exposes the electrode pad for connecting the bonding wire 70, for example. Specifically, a mixed gas of fluorine compound gas (CF 4 ), argon gas (Ar), and oxygen gas (O 2 ) is used as the gas, the output is 2500 W, the time is 6 minutes, CF 4 flow rate/Ar flow rate/O As for 2 flow volume, the etching process performed on the conditions made into 200 sccm/200 sccm/50 sccm is mentioned.

또, 상기 애싱 처리란, 예를 들면 에칭 처리에 의하여 발생한 처리 잔사 등을 제거하여, 접착층(601) 표면이나 전극 패드 표면을 청정화하는 처리이다. 구체적으로는, 산소 가스(O2)를 이용하여 출력은 600W, 시간은 12분, O2 유량은 200sccm으로 하는 조건으로 행하는 플라즈마 처리를 들 수 있다.In addition, the said ashing process is a process which removes the process residue etc. which generate|occur|produced by an etching process, for example, and cleans the surface of the adhesive layer 601 and the electrode pad. Specifically, using oxygen gas (O 2 ), the output is 600 W, the time is 12 minutes, and the plasma treatment performed under the conditions of making the O 2 flow rate 200 sccm is mentioned.

또한, 이와 같은 에칭 처리 및 애싱 처리는, 유기 재료의 열화를 촉진시키는 경우가 있다. 이로 인하여, 에칭 내성 및 애싱 내성이 낮은 도막(접착층)인 경우, 반도체 칩(20)끼리를 충분히 접착할 수 없을 우려가 있다. 이것에 대하여, 감광성 접착제 조성물을 이용하여 형성된 도막(601a)(접착층(601))은, 충분한 에칭 내성 및 애싱 내성을 갖고 있다. 이로 인하여, 이와 같은 에칭 처리와 애싱 처리를 거친 후이더라도, 도막(601a)의 접착력의 저하가 억제되고, 그 결과, 상술한 바와 같은 접착력을 발현한다. 따라서, 이와 같은 감광성 접착제 조성물은, 접착 프로세스에서의 각종 처리에 있어서 접착성의 저하를 고려하지 않아도 되기 때문에, 반도체 장치(10)의 제조 공정의 간략화, 저비용화를 용이하게 도모할 수 있다는 점에서 유용하다.In addition, such an etching process and an ashing process may accelerate|stimulate deterioration of an organic material. For this reason, in the case of a coating film (adhesive layer) with low etching resistance and ashing resistance, there exists a possibility that the semiconductor chips 20 comrades cannot fully adhere|attach. On the other hand, the coating film 601a (adhesive layer 601) formed using the photosensitive adhesive composition has sufficient etching resistance and ashing resistance. For this reason, even after passing through such an etching process and an ashing process, the fall of the adhesive force of the coating film 601a is suppressed, As a result, the adhesive force as mentioned above is expressed. Therefore, such a photosensitive adhesive composition is useful in that it is possible to simplify the manufacturing process of the semiconductor device 10 and to achieve low cost easily, since it is not necessary to consider the fall of adhesiveness in the various processes in an adhesion process. do.

또, 감광성 접착제 조성물의 탄성률의 처리 공정의 전후에서의 변화율은, 일정한 범위 내인 것이 바람직하다. 이로 인하여, 이 변화율이 일정한 범위 내가 되도록, 처리 공정에 대한 내성(에칭 내성 및 애싱 내성)에 영향을 미친다고 생각되는 가열 공정에 있어서의 가열 조건을 적절히 설정하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the change rate before and behind the processing process of the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition exists in a fixed range. For this reason, it is preferable to set appropriately the heating conditions in the heating process which are considered to have influence on the tolerance (etching resistance and ashing resistance) with respect to a processing process so that this change rate may become in a certain range.

구체적으로는, 감광성 접착제 조성물의 가열 공정 후이자 처리 공정 전에 있어서의 25℃에서의 탄성률을 X[GPa]로 하고, 처리 공정 후에 있어서의 25℃에서의 탄성률을 Y[GPa]로 했을 때, X와 Y가, 0.7≤X/Y≤1.5인 관계를 만족시키는 것이 바람직하고, 0.8≤X/Y≤1.3인 관계를 만족시키는 것이 보다 바람직하다. 처리 공정 전후에서의 탄성률의 변화율이 상기 관계를 만족시킴으로써, 감광성 접착제 조성물로 구성된 도막(601a)은, 패터닝된 형상을 유지하는 데에 충분한 기계적 특성을 가짐과 함께, 반도체 칩(20)끼리를 접착하는 데에 충분한 접착성을 갖는다. 즉, 에칭 처리 및 애싱 처리가 행해지는 처리 공정에서는, 도막(601a)의 열화가 촉진되지만, 처리 공정의 전후에 있어서의 탄성률의 변화율이 상기 관계를 만족시키는 경우에는, 그 도막(601a)은, 패터닝된 형상을 충분히 유지하면서, 마운트 공정에 있어서는 접착층(601)으로서 충분히 기능한다. 이로 인하여, 처리 공정의 전후에 있어서의 탄성률의 변화율이 상기 관계를 만족시킬 때, 그와 같은 감광성 접착제 조성물로 구성된 도막(601a)은, 에칭 마스크로서의 기능과 접착층(601)으로서의 기능을 양립할 수 있다.Specifically, when the elastic modulus at 25°C after the heating step and before the treatment step of the photosensitive adhesive composition is X [GPa], and the elastic modulus at 25° C. after the treatment step is Y [GPa], X and Y preferably satisfy the relation of 0.7≤X/Y≤1.5, and more preferably satisfy the relation of 0.8≤X/Y≤1.3. When the rate of change of the elastic modulus before and after the treatment process satisfies the above relationship, the coating film 601a composed of the photosensitive adhesive composition has sufficient mechanical properties to maintain the patterned shape, and the semiconductor chips 20 are adhered to each other. It has sufficient adhesion to That is, in the processing process in which the etching process and the ashing process are performed, the deterioration of the coating film 601a is accelerated, but when the rate of change of the elastic modulus before and after the processing process satisfies the above relationship, the coating film 601a is, While sufficiently maintaining the patterned shape, it sufficiently functions as the adhesive layer 601 in the mounting process. For this reason, when the rate of change of the elastic modulus before and after the treatment process satisfies the above relationship, the coating film 601a composed of such a photosensitive adhesive composition can function as an etching mask and function as an adhesive layer 601 compatible. have.

또한, 상기 처리 공정에서는, 상술한 처리 조건을 만족시키는 에칭 처리와 애싱 처리가 행해진다.Moreover, in the said processing process, the etching process and ashing process which satisfy|fill the above-mentioned process conditions are performed.

또, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 100~200℃에서의 최소 용융 점도는, 20~500Pa·s인 것이 바람직하다. 이와 같은 감광성 접착제 조성물은, 반도체 칩(20)에 대한 습윤성이 우수하기 때문에, 접착층(601)에 보이드 등이 발생하기 어려워진다. 따라서, 물성의 불균일이 적은 균질한 접착층(601)을 형성할 수 있다. 그 결과, 접착층(601)을 통하여 반도체 칩(20)끼리를 접착했을 때, 응력의 국소 집중을 초래하기 어렵고, 반도체 칩(20)에 있어서의 크랙의 발생이나, 반도체 칩(20)과 접착층(601)의 사이의 박리의 발생 등을 더 억제할 수 있다. 또한, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 최소 용융 점도는, 레오미터에 의하여 측정할 수 있으며, 처리 공정 후이자 마운트 공정 전의 도막(601a)의 최소 용융 점도로서 구할 수 있다.Moreover, it is preferable that the minimum melt viscosity in 100-200 degreeC of the photosensitive adhesive composition before hardening is 20-500 Pa*s. Since such a photosensitive adhesive composition is excellent in wettability with respect to the semiconductor chip 20, it becomes difficult to generate|occur|produce a void etc. in the adhesive layer 601. FIG. Accordingly, it is possible to form a homogeneous adhesive layer 601 having little non-uniformity in physical properties. As a result, when the semiconductor chips 20 are adhered to each other through the adhesive layer 601, it is difficult to cause local concentration of stress, and cracks are generated in the semiconductor chip 20, and the semiconductor chip 20 and the adhesive layer ( 601), it is possible to further suppress the occurrence of peeling. In addition, the minimum melt viscosity of the photosensitive adhesive composition before hardening can be measured with a rheometer, and can be calculated|required as the minimum melt viscosity of the coating film 601a after a processing process and before a mounting process.

또한, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 최소 용융 점도는, 보다 바람직하게는 25~400Pa·s가 되고, 더 바람직하게는 30~300Pa·s가 된다.Moreover, the minimum melt viscosity of the photosensitive adhesive composition before hardening becomes like this. More preferably, it is set to 25-400 Pa.s, More preferably, it is set to 30-300 Pa.s.

또, 경화 전의 감광성 접착제 조성물은, 일정한 점착성을 갖고 있는 한편, 그에 대하여 UV 조사 처리를 실시함으로써, 그 점착성을 저감시킬 수 있다. 따라서, UV 조사 처리의 유무에 의하여, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 점착성(점착력)을 제어할 수 있다.Moreover, while the photosensitive adhesive composition before hardening has fixed adhesiveness, the adhesiveness can be reduced by performing UV irradiation treatment with respect to it. Therefore, the adhesiveness (adhesive force) of the photosensitive adhesive composition before hardening can be controlled by the presence or absence of UV irradiation treatment.

구체적으로, 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 백 그라인드 필름(90)에 대한 점착력에 대하여 설명한다. 먼저, 감광성 접착제 조성물을 이용하여, 웨이퍼(201) 상에 도막(601a)을 형성한다. 다음으로, 도막(601a)을 경화(완전 경화)시키지 않고, 미경화 또는 반경화 상태의 도막(601a)(경화 전의 감광성 접착제 조성물)을 구비하는 웨이퍼(201)에 상술한 에칭 처리 및 애싱 처리를 실시한다. 그 후, 도막(601a) 상에 UV 박리 타입의 백 그라인드 필름(90)을 첩착하고, 백 그라인드 필름(90)의 도막(601a)에 대한 25℃에서의 점착력을 측정한다. 이러한 점착력은, 바람직하게는 3.0N/25mm 이상이다. 이와 같은 감광성 접착제 조성물은, 에칭 처리나 애싱 처리와 같은 유기 재료의 열화를 촉진시키는 처리에 제공된 후에도, 백 그라인드 필름(90)에 대하여 충분한 점착력을 발현할 수 있다. 이로 인하여, 예를 들면 감광성 접착제 조성물의 도막(601a)이 형성된 웨이퍼(201)에 백 그라인드 처리를 실시할 때, 웨이퍼(201)를 확실히 고정할 수 있어, 백 그라인드 처리의 정밀도를 보다 높일 수 있다.Specifically, the adhesive force of the photosensitive adhesive composition to the back grind film 90 before curing will be described. First, a coating film 601a is formed on the wafer 201 using the photosensitive adhesive composition. Next, the above-described etching treatment and ashing treatment are applied to the wafer 201 provided with the uncured or semi-cured coating film 601a (photosensitive adhesive composition before curing) without curing (completely curing) the coating film 601a. Conduct. Thereafter, a UV peeling type back grind film 90 is affixed on the coating film 601a, and the adhesive force of the back grind film 90 to the coating film 601a at 25°C is measured. Such adhesive force becomes like this. Preferably it is 3.0 N/25 mm or more. Such a photosensitive adhesive composition can express sufficient adhesive force with respect to the back grind film 90 even after being provided to the process which accelerates|stimulates deterioration of organic material, such as an etching process or an ashing process. For this reason, for example, when back-grinding the wafer 201 on which the coating film 601a of the photosensitive adhesive composition is formed, the wafer 201 can be securely fixed, and the precision of the back-grinding process can be further improved. .

또한, 상기 점착력은, 보다 바람직하게는 3.5N/25mm 이상 10.0N/25mm 이하가 된다.Moreover, the said adhesive force becomes like this. More preferably, they are 3.5 N/25 mm or more and 10.0 N/25 mm or less.

또, 상기 점착력은, 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 먼저, 감광성 접착제 조성물의 도막(601a)에 대하여 점착면이 접하도록 UV 박리 타입의 백 그라인드 필름(90)(폭 25mm, 길이 75mm)을 첩합한다. 다음으로, 측정 온도를 25℃로 하고, 박리 속도를 10.0±0.2mm/s로 설정하며, 박리각이 180°가 되도록 백 그라인드 필름(90)의 길이 방향의 일단을 당겨, 감광성 접착제 조성물의 도막(601a)으로부터 백 그라인드 필름(90)을 박리한다. 이때의 박리에 필요한 하중의 평균값(180° 박리 점착력, 단위: N/25mm, JIS Z 0237 준거)을 측정함으로써 상기 점착력을 구할 수 있다.In addition, the said adhesive force can be measured as follows. First, a back grind film 90 (width 25 mm, length 75 mm) of the UV peeling type is bonded so that the adhesive surface is in contact with the coating film 601a of the photosensitive adhesive composition. Next, the measurement temperature is set to 25°C, the peeling rate is set to 10.0±0.2 mm/s, and one end in the longitudinal direction of the back grind film 90 is pulled so that the peeling angle is 180°, and a coating film of the photosensitive adhesive composition The back grind film 90 is peeled from (601a). The said adhesive force can be calculated|required by measuring the average value (180 degree peeling adhesive force, unit: N/25mm, JISZ0237 conformance) of the load required for peeling at this time.

한편, UV 조사 처리에 제공된 후의 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 백 그라인드 필름(90)에 대한 50℃에서의 점착력은, 바람직하게는 0.5N/25mm 이하이다. 이로써, UV 조사 처리에 제공된 후의 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 백 그라인드 필름(90)에 대한 점착력을 충분히 작게 할 수 있다. 이로 인하여, 예를 들면 백 그라인드 처리 후, 감광성 접착제 조성물의 도막(601a)으로부터 백 그라인드 필름(90)을 박리할 때, 도막(601a)에 큰 부하를 미치지 않고 백 그라인드 필름(90)을 원활히 박리할 수 있다. 이에 더하여, 도막(601a)과 반도체 칩(20)의 밀착성을 손상시키지 않고, 백 그라인드 필름(90)을 박리할 수 있다. 그 결과, 예를 들면 다이싱 처리 후, 개편(21, 22)을 픽업할 때에, 반도체 칩(20)의 결락 등의 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, the adhesive force at 50 degreeC with respect to the back grind film 90 of the photosensitive adhesive composition before hardening after being subjected to UV irradiation treatment is preferably 0.5 N/25 mm or less. Thereby, the adhesive force to the back grind film 90 of the photosensitive adhesive composition before hardening after being subjected to UV irradiation treatment can be sufficiently reduced. For this reason, for example, when peeling the back grind film 90 from the coating film 601a of the photosensitive adhesive composition after the back grind process, the back grind film 90 is peeled smoothly without exerting a large load on the coating film 601a. can do. In addition, the back grind film 90 can be peeled off without impairing the adhesiveness of the coating film 601a and the semiconductor chip 20. As a result, when picking up the individual pieces 21 and 22 after a dicing process, for example, it can prevent that problems, such as missing|missing of the semiconductor chip 20, generate|occur|produce.

또, UV 조사 처리 후의 상기 점착력을 작게 함으로써, 예를 들면 다이싱 공정에 있어서 감광성 접착제 조성물이 다이싱 블레이드(110)에 부착되거나, 마운트 공정에 있어서 감광성 접착제 조성물이 콜릿(121)에 부착되거나 하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 다이싱 불량이나 픽업 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다.In addition, by reducing the adhesive force after UV irradiation treatment, for example, the photosensitive adhesive composition is attached to the dicing blade 110 in the dicing process, or the photosensitive adhesive composition is attached to the collet 121 in the mounting process. can be restrained As a result, it can suppress that a dicing defect or a pick-up defect generate|occur|produces.

또한, UV 조사 처리 후의 상기 점착력은, 보다 바람직하게는 0.05N/25mm 이상 0.40N/25mm 이하가 된다.Moreover, the said adhesive force after a UV irradiation process becomes like this. More preferably, they are set to 0.05 N/25 mm or more and 0.40 N/25 mm or less.

또, UV 조사 처리에서는, 파장이 365nm의 광을, 적산 광량이 600mJ/cm2가 되도록 백 그라인드 필름(90)을 통하여 도막(601a)에 조사한다.In addition, in the UV irradiation treatment, the coating film 601a is irradiated with light having a wavelength of 365 nm through the back grind film 90 so that the accumulated light amount becomes 600 mJ/cm 2 .

또, 상기 UV 박리 타입의 백 그라인드 필름(90)은, 아크릴계 수지제이다.In addition, the back grind film 90 of the said UV peeling type is made from an acrylic resin.

또한, UV 조사 처리 후의 상기 점착력의 측정은, 에칭 처리 및 애싱 처리에 제공된 후의 경화 전의 감광성 접착제 조성물의 백 그라인드 필름(90)에 대한 25℃에서의 점착력의 상술한 측정 방법과 동일한 방법으로 행할 수 있다.In addition, the measurement of the adhesive force after UV irradiation treatment can be carried out in the same way as the above-described measuring method of the adhesive force at 25° C. of the photosensitive adhesive composition before curing after being subjected to etching treatment and ashing treatment to the back grind film 90. Can be performed have.

이상, 본 발명에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 감광성 접착제 조성물에는 임의의 성분이 첨가되어 있어도 된다. 또, 반도체 장치에는 임의의 구조체가 부가되어 있어도 된다.As mentioned above, although this invention was demonstrated, this invention is not limited to this. For example, arbitrary components may be added to the photosensitive adhesive composition. In addition, arbitrary structures may be added to the semiconductor device.

실시예Example

다음으로, 본 발명의 구체적 실시예에 대하여 설명한다.Next, specific examples of the present invention will be described.

(실시예 1)(Example 1)

[1] (A) 알칼리 가용성 수지(환상 올레핀계 수지 A-1)의 합성[1] (A) Synthesis of alkali-soluble resin (cyclic olefin resin A-1)

복수의 유리 기기를 준비하고, 이들을 60℃, 0.1토르(Torr)하에서 18시간 건조했다. 그 후, 모든 유리 기기를 글로브 박스 내에 구비했다.A plurality of glass instruments were prepared, and these were dried at 60°C under 0.1 Torr for 18 hours. Then, all the glass equipment was equipped in the glove box.

다음으로, 1개의 유리 기기(유리 기기 X)에 톨루엔(992g), 다이메톡시에테인(116g), 1,1-비스트라이플루오로메틸-2-(바이사이클로[2.2.1]헵트-2-엔-5-일)에틸알코올(이하, HFANB)(148g, 0.54mol), 에틸 3-(바이사이클로[2.2.1]헵트-2-엔-2-일)프로파네이트(이하, EPEsNB)(20.7g, 0.107mol), 5-((2-(2-메톡시에톡시)에톡시)메틸)바이사이클로[2.2.1]헵트-2-엔(이하, NBTON)(61.9g, 0.274mol)을 도입하여, 각 모노머를 포함하는 혼합물을 얻었다. 그 후, 이 혼합물을 45℃에서 가열하면서 30분간 질소를 흐르게 함으로써 퍼지(질소 퍼지)를 행했다.Next, in one glass instrument (Glass instrument X), toluene (992 g), dimethoxyethane (116 g), 1,1-bistrifluoromethyl-2-(bicyclo[2.2.1]hept-2- En-5-yl)ethyl alcohol (hereinafter, HFANB) (148 g, 0.54 mol), ethyl 3- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-2-yl) propanate (hereinafter, EPEsNB) ( 20.7 g, 0.107 mol), 5-((2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)methyl)bicyclo[2.2.1]hept-2-ene (hereinafter NBTON) (61.9 g, 0.274 mol) was introduced to obtain a mixture containing each monomer. Then, purging (nitrogen purge) was performed by flowing nitrogen for 30 minutes while heating this mixture at 45 degreeC.

또, 다른 유리 기기(유리 기기 Y)로, EPEsNB(14.2g, 0.073mol)와 NBTON(46.7g, 0.159mol)을 혼합하고, 질소 퍼지를 행했다. 완전하게 질소 퍼지가 끝난 후, 60.5ml의 톨루엔에 용해시킨 비스(톨루엔)비스(퍼플루오로페닐)니켈(5.82g, 0.012mol)을 유리 기기 Y 내에 투입했다. 동시에, 상술한 유리 기기 X 내의 혼합물을, 중합 반응이 일정한 레벨로 진행되는 속도로, 3시간 동안, 유리 기기 Y 내에 첨가하여, 반응 용액을 얻었다.Moreover, as another glass device (glass device Y), EPEsNB (14.2 g, 0.073 mol) and NBTON (46.7 g, 0.159 mol) were mixed, and nitrogen purging was performed. After nitrogen purge was completed completely, bis(toluene)bis(perfluorophenyl)nickel (5.82 g, 0.012 mol) dissolved in 60.5 ml of toluene was charged into the glass apparatus Y. Simultaneously, the mixture in the glass device X described above was added into the glass device Y for 3 hours at a rate at which the polymerization reaction proceeds at a constant level, to obtain a reaction solution.

다음으로, 반응 용액을 약 1L의 메탄올/테트라하이드로퓨란(THF)(=4몰/5몰) 용액에 용해시킴으로써, 반응 용액 중의 미반응 모노머를 제거했다. 다음으로, 60℃에서 4시간, 수산화 나트륨/아세트산 나트륨(=4.8몰/1몰)의 수산화 나트륨 용액에 의하여 반응 용액 중의 에스터를 가수분해하여, 용액 A를 얻었다. 그 후, 메탄올(405g), THF(87g), 아세트산(67g), 폼산(67g), 탈이온수(21g)를 용액 A에 첨가하고, 50℃, 15분간 교반했다. 교반을 멈추면 용액 A는 수층과 유기층으로 분리되기 때문에, 위의 층인 수층을 제거하고, 유기층을 60℃, 15분간, 메탄올/탈이온수(=390g/2376g) 용액으로 3회 세정했다. 그리고, 얻어진 폴리머를 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트 중에 희석하여, 폴리머의 농도가 40%가 되도록 용매 치환했다. 이와 같이 하여, 식 (7)로 나타내는, 용액 상태의 폴리머(환상 올레핀계 수지 A-1)를 얻었다.Next, the unreacted monomer in the reaction solution was removed by dissolving the reaction solution in about 1 L of methanol/tetrahydrofuran (THF) (=4 mol/5 mol) solution. Next, the ester in the reaction solution was hydrolyzed with a sodium hydroxide solution of sodium hydroxide/sodium acetate (=4.8 mol/1 mol) at 60°C for 4 hours to obtain a solution A. Thereafter, methanol (405 g), THF (87 g), acetic acid (67 g), formic acid (67 g), and deionized water (21 g) were added to the solution A, followed by stirring at 50° C. for 15 minutes. When the stirring was stopped, the solution A was separated into an aqueous layer and an organic layer. The aqueous layer, which is the upper layer, was removed, and the organic layer was washed three times with a methanol/deionized water (=390 g/2376 g) solution at 60° C. for 15 minutes. And the obtained polymer was diluted in propylene glycol methyl ether acetate, and solvent substitution was carried out so that the density|concentration of a polymer might be set to 40%. In this way, the polymer (cyclic olefin resin A-1) of a solution state represented by Formula (7) was obtained.

환상 올레핀계 수지 A-1의 수율은 93.1%였다. 환상 올레핀계 수지 A-1의 중량 평균 분자량(Mw)은 85,900이었다. 환상 올레핀계 수지 A-1의 분자량 분산(PD)은 2.52였다.The yield of cyclic olefin resin A-1 was 93.1 %. The weight average molecular weight (Mw) of cyclic olefin resin A-1 was 85,900. The molecular weight dispersion (PD) of cyclic olefin resin A-1 was 2.52.

또, 환상 올레핀계 수지 A-1의 조성은, 1H-NMR에 있어서, HFANB가 45.0몰%, 2-(바이사이클로[2.2.1]헵트-2-엔-5-일)프로피온산(이하, EPENB)이 15.0몰%, NBTON이 40.0몰%였다.Moreover, as for the composition of cyclic olefin resin A-1, in <1> H-NMR, HFANB is 45.0 mol%, 2-(bicyclo[2.2.1]hept-2-en-5-yl)propionic acid (hereinafter, EPENB) was 15.0 mol% and NBTON was 40.0 mol%.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017039533487-pct00007
Figure 112017039533487-pct00007

(식 (7) 중, l:m:n=45:15:40이다.)(In formula (7), l:m:n=45:15:40.)

[2] 감광성 접착제 조성물의 제작[2] Preparation of photosensitive adhesive composition

상기 [1]에서 얻어진 (A) 알칼리 가용성 수지로서의 환상 올레핀계 수지 A-1(고형분으로서 22.0질량부)과, (B) 광산발생제로서의 광산발생제 B-1(4.0질량부)과, (C) 에폭시 화합물로서의 에폭시 화합물 C-1(5.0질량부)과, (D) 페놀 화합물로서의 페놀 화합물 D-1(3.0질량부)과, 산화 방지제 E-1(2.0질량부)과, 산화 방지제 E-2(3.0질량부)와, 용매(용제)로서의 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트(환상 올레핀계 수지 A-1의 용액에 포함되어 있는 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트도 포함시켜 61.0질량부)를 혼합하여, 균일한 감광성 접착제 조성물을 얻었다.(A) Cyclic olefin resin A-1 (22.0 mass parts as solid content) obtained in said [1] as alkali-soluble resin, (B) Photo-acid generator B-1 (4.0 mass parts) as a photo-acid generator, ( C) Epoxy compound C-1 (5.0 parts by mass) as an epoxy compound, (D) Phenolic compound D-1 (3.0 parts by mass) as a phenol compound, antioxidant E-1 (2.0 parts by mass), and antioxidant E -2 (3.0 parts by mass) and propylene glycol methyl ether acetate as a solvent (solvent) (61.0 parts by mass including propylene glycol methyl ether acetate contained in the solution of cyclic olefin resin A-1) ) was mixed to obtain a uniform photosensitive adhesive composition.

이 실시예 1의 감광성 접착제 조성물로 이용한 재료를 이하에 나타낸다.The material used for the photosensitive adhesive composition of this Example 1 is shown below.

<광산발생제 B-1><Mine generator B-1>

광산발생제 B-1로서, 하기 식 (8)로 나타나는 화합물을 준비했다.As photo-acid generator B-1, the compound represented by following formula (8) was prepared.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017039533487-pct00008
Figure 112017039533487-pct00008

<에폭시 화합물 C-1><Epoxy compound C-1>

에폭시 화합물 C-1로서, 하기 식 (9)로 나타나는 화합물을 준비했다.As the epoxy compound C-1, the compound represented by the following formula (9) was prepared.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112017039533487-pct00009
Figure 112017039533487-pct00009

<페놀 화합물 D-1><Phenolic compound D-1>

페놀 화합물 D-1로서, 하기 식 (10)으로 나타나는 화합물(4-하이드록시벤조산 뷰틸)을 준비했다.As the phenol compound D-1, the compound (butyl 4-hydroxybenzoate) represented by the following formula (10) was prepared.

페놀 화합물 D-1의 융점은 70℃였다. 페놀 화합물 D-1의 중량 평균 분자량(Mw)은 194였다. 페놀 화합물 D-1의 수산기 당량은 194g/eq였다.The melting point of phenol compound D-1 was 70°C. The weight average molecular weight (Mw) of phenol compound D-1 was 194. The hydroxyl equivalent of phenol compound D-1 was 194 g/eq.

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112017039533487-pct00010
Figure 112017039533487-pct00010

<산화 방지제 E-1><Antioxidant E-1>

산화 방지제 E-1로서, 하기 식 (11)로 나타나는 화합물(4,4'-다이(α,α-다이메틸벤질)다이페닐아민)을 준비했다.As the antioxidant E-1, a compound (4,4'-di(α,α-dimethylbenzyl)diphenylamine) represented by the following formula (11) was prepared.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112017039533487-pct00011
Figure 112017039533487-pct00011

<산화 방지제 E-2><Antioxidant E-2>

산화 방지제 E-2로서, 하기 식 (12)로 나타나는 화합물(2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀)을 준비했다.As antioxidant E-2, the compound (2,6-bis[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol) represented by following formula (12) was prepared.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112017039533487-pct00012
Figure 112017039533487-pct00012

(실시예 2~18, 비교예 1~4)(Examples 2-18, Comparative Examples 1-4)

감광성 접착제 조성물을 구성하는 재료를 표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같이 변경하고, 그 각 재료의 함유량을 표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같이 설정한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 접착제 조성물을 얻었다.The material constituting the photosensitive adhesive composition was changed as shown in Tables 1 and 2, and the content of each material was set as shown in Tables 1 and 2, except that it was carried out in the same manner as in Example 1, and the photosensitive adhesive composition got

또한, 각 실시예 및 각 비교예의 감광성 접착제 조성물로 이용한 재료를 이하에 나타낸다.In addition, the material used for the photosensitive adhesive composition of each Example and each comparative example is shown below.

<환상 올레핀계 수지 A-2><Cyclic olefin resin A-2>

환상 올레핀계 수지 A-2((A) 알칼리 가용성 수지)로서, 하기 식 (13)으로 나타나는 화합물을 준비했다.As cyclic olefin resin A-2 ((A) alkali-soluble resin), the compound represented by following formula (13) was prepared.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112017039533487-pct00013
Figure 112017039533487-pct00013

(식 (13) 중, l:m:n=25:15:60이다.)(In formula (13), l:m:n=25:15:60.)

<환상 올레핀계 수지 A-3><Cyclic olefin resin A-3>

환상 올레핀계 수지 A-3((A) 알칼리 가용성 수지)으로서, 하기 식 (14)로 나타나는 화합물을 준비했다.As cyclic olefin resin A-3 ((A) alkali-soluble resin), the compound represented by following formula (14) was prepared.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112017039533487-pct00014
Figure 112017039533487-pct00014

(식 (14) 중, l:m:n=25:35:40이다.)(In formula (14), l:m:n=25:35:40.)

<페놀 화합물 D-2><Phenolic compound D-2>

페놀 화합물 D-2((D) 페놀 화합물)로서, 하기 식 (15)로 나타나는 화합물(4-하이드록시벤조산 헥실)을 준비했다.As phenol compound D-2 ((D) phenol compound), the compound (hexyl 4-hydroxybenzoate) represented by following formula (15) was prepared.

페놀 화합물 D-2의 융점은 53℃였다. 페놀 화합물 D-2의 중량 평균 분자량(Mw)은 222였다. 페놀 화합물 D-2의 수산기 당량은 222g/eq였다.The melting point of phenol compound D-2 was 53°C. The weight average molecular weight (Mw) of phenol compound D-2 was 222. The hydroxyl equivalent of phenol compound D-2 was 222 g/eq.

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112017039533487-pct00015
Figure 112017039533487-pct00015

<페놀 화합물 D-3><Phenolic compound D-3>

페놀 화합물 D-3((D) 페놀 화합물)으로서, 하기 식 (16)으로 나타나는 화합물(4-하이드록시벤조산 메틸)을 준비했다.As phenol compound D-3 ((D) phenol compound), the compound (methyl 4-hydroxybenzoate) represented by following formula (16) was prepared.

페놀 화합물 D-3의 융점은 127℃였다. 페놀 화합물 D-3의 중량 평균 분자량(Mw)은 152였다. 페놀 화합물 D-3의 수산기 당량은 152g/eq였다.The melting point of phenol compound D-3 was 127°C. The weight average molecular weight (Mw) of phenol compound D-3 was 152. The hydroxyl equivalent of phenol compound D-3 was 152 g/eq.

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112017039533487-pct00016
Figure 112017039533487-pct00016

<페놀 화합물 D-4><Phenolic compound D-4>

페놀 화합물 D-4((D) 페놀 화합물)로서, 하기 식 (17)로 나타나는 화합물(2-도데실페놀)을 준비했다.As phenol compound D-4 ((D) phenol compound), the compound (2-dodecyl phenol) represented by following formula (17) was prepared.

페놀 화합물 D-4의 융점은 42℃였다. 페놀 화합물 D-4의 중량 평균 분자량(Mw)은 262였다. 페놀 화합물 D-4의 수산기 당량은 262g/eq였다.The melting point of phenol compound D-4 was 42°C. The weight average molecular weight (Mw) of phenol compound D-4 was 262. The hydroxyl equivalent of phenol compound D-4 was 262 g/eq.

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112017039533487-pct00017
Figure 112017039533487-pct00017

<페놀 화합물 D-5><Phenolic compound D-5>

페놀 화합물 D-5((D) 페놀 화합물)로서, 하기 식 (18)로 나타나는 화합물(1,8,9-트라이하이드록시안트라센)을 준비했다.As phenol compound D-5 ((D) phenol compound), the compound (1,8,9- trihydroxyanthracene) represented by following formula (18) was prepared.

페놀 화합물 D-5의 융점은 181℃였다. 페놀 화합물 D-5의 중량 평균 분자량(Mw)은 226이었다. 페놀 화합물 D-5의 수산기 당량은 113g/eq였다.The melting point of phenol compound D-5 was 181°C. The weight average molecular weight (Mw) of phenol compound D-5 was 226. The hydroxyl equivalent of phenol compound D-5 was 113 g/eq.

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112017039533487-pct00018
Figure 112017039533487-pct00018

<페놀 화합물 D-6><Phenolic compound D-6>

페놀 화합물 D-6((D) 페놀 화합물)으로서, 하기 식 (19)로 나타나는 화합물(2,2'-다이하이드록시다이페닐메테인)을 준비했다.As phenol compound D-6 ((D) phenol compound), the compound (2,2'- dihydroxydiphenylmethane) represented by following formula (19) was prepared.

페놀 화합물 D-6의 융점은 120℃였다. 페놀 화합물 D-6의 중량 평균 분자량(Mw)은 200이었다. 페놀 화합물 D-6의 수산기 당량은 100g/eq였다.The melting point of phenol compound D-6 was 120°C. The weight average molecular weight (Mw) of phenol compound D-6 was 200. The hydroxyl equivalent of phenol compound D-6 was 100 g/eq.

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112017039533487-pct00019
Figure 112017039533487-pct00019

<페놀 화합물 X-1><Phenolic compound X-1>

페놀 화합물 X-1((X) 페놀 화합물)로서, 하기 식 (20)으로 나타나는 화합물(4,4'-[(2-하이드록시페닐)메틸렌]비스[2-사이클로헥실-5-메틸페놀])을 준비했다.As phenolic compound X-1 ((X) phenolic compound), the compound (4,4'-[(2-hydroxyphenyl)methylene]bis[2-cyclohexyl-5-methylphenol] represented by following formula (20) ) was prepared.

페놀 화합물 X-1의 융점은 222℃였다. 페놀 화합물 X-1의 중량 평균 분자량(Mw)은 484였다. 페놀 화합물 X-1의 수산기 당량은 161g/eq였다.The melting point of phenol compound X-1 was 222°C. The weight average molecular weight (Mw) of phenol compound X-1 was 484. The hydroxyl equivalent of phenol compound X-1 was 161 g/eq.

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112017039533487-pct00020
Figure 112017039533487-pct00020

<에폭시 화합물 C-2><Epoxy compound C-2>

에폭시 화합물 C-2로서, 하기 식 (21)로 나타나는 방향족 에폭시 화합물을 준비했다.As the epoxy compound C-2, the aromatic epoxy compound represented by the following formula (21) was prepared.

Figure 112017039533487-pct00021
Figure 112017039533487-pct00021

[3] 평가용 테스트 피스의 제작[3] Fabrication of test pieces for evaluation

먼저, 각 실시예 및 각 비교예에서 사용한 감광성 접착제 조성물을 실리콘제의 반도체 칩 상에 도포하고, 120℃, 5분간의 프리베이크를 행했다. 이로써, 도막을 얻었다.First, the photosensitive adhesive composition used by each Example and each comparative example was apply|coated on the semiconductor chip made from silicone, and 120 degreeC and prebaking for 5 minutes were performed. Thereby, a coating film was obtained.

이어서, 얻어진 도막에 대하여, 150℃, 40분간의 가열 처리를 행하여, 반경화(경화 전)의 도막을 얻었다.Subsequently, the obtained coating film was heat-processed at 150 degreeC for 40 minutes, and the coating film of semi-hardening (before hardening) was obtained.

이어서, 도막을 구비하는 반도체 칩에 대하여, 에칭 처리 및 애싱 처리를 순차 실시했다. 에칭 처리는, 불소 화합물 가스(CF4)와 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)의 혼합 가스를 이용하고, 출력은 2500W, 시간은 6분, CF4 유량/Ar 유량/O2 유량은 200sccm/200sccm/50sccm의 조건으로 행했다. 또, 애싱 처리는, O2와 Ar의 혼합 가스를 이용하고, 출력은 600W, 시간은 12분, O2 유량은 200sccm의 조건으로 행했다.Next, the etching process and the ashing process were performed sequentially with respect to the semiconductor chip provided with a coating film. The etching process uses a mixed gas of fluorine compound gas (CF 4 ), argon gas (Ar), and oxygen gas (O 2 ), the output is 2500 W, time is 6 minutes, CF 4 flow rate/Ar flow rate/O 2 flow rate Silver was performed under the conditions of 200 sccm/200 sccm/50 sccm. Further, an ashing process, a mixed gas of O 2 and Ar, and the output is 600W, time 12 minutes, O 2 flow rate was carried out under the conditions of 200sccm.

이어서, 도막 상에 다른 반도체 칩을 중첩하고, 온도 150℃에서 가열하면서, 5초간, 하중 10N으로 압착했다.Next, another semiconductor chip was superposed|stacked on the coating film, and it crimped|bonded under load 10N for 5 second, heating at the temperature of 150 degreeC.

이와 같이 하여, 2개의 반도체 칩이 접착층을 통하여 접착된 평가용 테스트 피스를 제작했다.In this way, the test piece for evaluation in which two semiconductor chips were adhere|attached through the adhesive layer was produced.

[4] 감광성 접착제 조성물 및 평가용 테스트 피스의 평가[4] Evaluation of photosensitive adhesive composition and test piece for evaluation

[4. 1] 접착성의 평가[4. 1] Evaluation of adhesion

[4. 1. 1] 현상 시 밀착성의 평가[4. 1. 1] Evaluation of adhesion during development

먼저, 각 실시예 및 각 비교예에서 사용한 감광성 접착제 조성물을 실리콘제의 반도체 칩 상에 도포하고, 120℃, 5분간의 프리베이크를 행했다. 이로써, 두께 10μm의 도막을 얻었다.First, the photosensitive adhesive composition used by each Example and each comparative example was apply|coated on the semiconductor chip made from silicone, and 120 degreeC and prebaking for 5 minutes were performed. Thereby, a 10 micrometer-thick coating film was obtained.

이어서, 얻어진 도막에 대하여, 폭 100μm의 라인·앤드·스페이스 패턴의 마스크를 통하여, 노광 처리를 행했다. 이 노광 처리는, 파장이 365nm이고 광 강도가 5mW/cm2인 광을, 1매의 도막 내의 부분마다 다른 시간으로 공기 중에서 조사함으로써 행했다.Next, with respect to the obtained coating film, exposure processing was performed through the mask of the line and space pattern of 100 micrometers in width. This exposure treatment was performed by irradiating light with a wavelength of 365 nm and a light intensity of 5 mW/cm 2 in the air at different times for each portion in one coating film.

이어서, 노광 처리를 실시한 도막에 대하여, 알칼리 현상액(2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액)으로, 23℃, 40초 현상한 후, 순수로 20초 린스했다. 현상 후의 폭 100μm의 개구부가 형성된 도막(접착층)을 광학 현미경으로 관찰하고, 도막이 반도체 칩으로부터 박리된 정도(패턴 박리의 유무)를 하기 평가 기준에 근거하여 평가했다.Then, with respect to the coating film which gave the exposure process, after developing for 40 second at 23 degreeC with alkaline developing solution (2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution), it rinsed with pure water for 20 second. After development, the coating film (adhesive layer) having an opening having a width of 100 µm was observed under an optical microscope, and the degree of peeling of the coating film from the semiconductor chip (presence or absence of pattern peeling) was evaluated based on the following evaluation criteria.

<평가 기준><Evaluation criteria>

A: 도막의 전체가, 반도체 칩으로부터 박리되지 않았다.A: The whole of the coating film did not peel from the semiconductor chip.

B: 도막의 30% 미만이, 반도체 칩으로부터 박리되었다.B: Less than 30% of the coating film peeled from the semiconductor chip.

C: 도막의 30% 이상 50% 미만이, 반도체 칩으로부터 박리되었다.C: 30% or more and less than 50% of the coating film peeled from the semiconductor chip.

D: 도막의 50% 이상이, 반도체 칩으로부터 박리되었다.D: 50% or more of the coating film peeled from the semiconductor chip.

또한, 비교예 1, 2, 4에 대해서는, 폭 100μm의 패턴을 개구할 수 없었기 때문에, 현상 시 밀착성의 평가를 행할 수 없었다. 또, 비교예 3에 대해서도, 도막의 50% 이상이 반도체 칩으로부터 박리되어 있어, 원하는 패턴을 개구할 수 없었다.Moreover, about Comparative Examples 1, 2, and 4, since the 100-micrometer-wide pattern could not be opened, evaluation of the adhesiveness at the time of image development could not be performed. Moreover, also about the comparative example 3, 50% or more of the coating film peeled from the semiconductor chip, and the desired pattern could not be opened.

[4. 1. 2] 접착 강도의 평가[4. 1. 2] Evaluation of adhesive strength

얻어진 평가용 테스트 피스에 대하여, 데이지4000(데이지·재팬 가부시키가이샤제)를 이용하여 반도체 칩의 가로(측면)로부터 시어 툴로, 한쪽의 반도체 칩을 수평 방향으로 눌러, 칩 사이의 접합면이 파단되었을 때의 칩당 다이 시어 강도를 측정했다. 칩 사이즈는 4mm×4mm였다.With respect to the obtained test piece for evaluation, using a Daisy 4000 (manufactured by Daisy Japan Co., Ltd.), one semiconductor chip was pressed horizontally with a shear tool from the width (side) of the semiconductor chip, and the bonding surface between the chips was broken The die shear strength per chip when finished was measured. The chip size was 4 mm x 4 mm.

그리고, 측정한 다이 시어 강도를, 이하의 평가 기준에 근거하여 평가했다.And the measured die shear strength was evaluated based on the following evaluation criteria.

<평가 기준><Evaluation criteria>

A: 다이 시어 강도가 매우 높다.A: The die shear strength is very high.

B: 다이 시어 강도가 높다.B: The die shear strength is high.

C: 다이 시어 강도가 낮다.C: The die shear strength is low.

D: 다이 시어 강도가 매우 낮다.D: The die shear strength is very low.

또한, 비교예 4에 대해서는, 도막(접착층)이 반도체 칩으로부터 박리되어, 접착 강도의 평가를 행할 수 없었다.In addition, about the comparative example 4, the coating film (adhesive layer) peeled from a semiconductor chip, and evaluation of adhesive strength was not able to be performed.

[4. 2] 리워크성의 평가[4. 2] Evaluation of reworkability

먼저, 각 실시예 및 각 비교예에서 사용한 감광성 접착제 조성물을 실리콘제의 반도체 칩 상에 도포하고, 120℃, 5분간의 프리베이크를 행했다. 이로써, 도막을 얻었다.First, the photosensitive adhesive composition used by each Example and each comparative example was apply|coated on the semiconductor chip made from silicone, and 120 degreeC and prebaking for 5 minutes were performed. Thereby, a coating film was obtained.

이어서, 얻어진 도막에 대하여, 150℃, 40분간의 가열 처리를 행했다.Subsequently, the obtained coating film was heat-processed at 150 degreeC for 40 minutes.

이어서, 가열 처리 후의 도막이 형성된 반도체 칩을, 프로필렌글라이콜-1-모노메틸에터-2-아세테이트 중에 침지하고, 20시간 방치했다.Next, the semiconductor chip with the coating film after heat processing was immersed in propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate, and it was left to stand for 20 hours.

이어서, 반도체 칩을 프로필렌글라이콜-1-모노메틸에터-2-아세테이트 중으로부터 취출하여, 도막의 잔사의 유무를 육안으로 관찰하고, 이하의 평가 기준에 근거하여 리워크성을 평가했다.Next, the semiconductor chip was taken out from the inside of propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate, the presence or absence of the residue of the coating film was observed visually, and rework property was evaluated based on the following evaluation criteria.

<평가 기준><Evaluation criteria>

A: 도막의 잔사가 전혀 확인되지 않는다.A: The residue of the coating film is not recognized at all.

B: 도막의 잔사가 약간 확인된다.B: A little residue of the coating film is confirmed.

C: 도막의 잔사가 많이 확인된다.C: Many residues of the coating film are confirmed.

D: 도막이 거의 제거되어 있지 않다.D: The coating film is hardly removed.

[4. 3] 감광성 접착제 조성물의 감광성의 평가[4. 3] Evaluation of photosensitivity of the photosensitive adhesive composition

먼저, 각 실시예 및 각 비교예에서 사용한 감광성 접착제 조성물을 실리콘제의 반도체 칩 상에 도포하고, 120℃, 5분간의 프리베이크를 행했다. 이로써, 두께 10μm의 도막을 얻었다.First, the photosensitive adhesive composition used by each Example and each comparative example was apply|coated on the semiconductor chip made from silicone, and 120 degreeC and prebaking for 5 minutes were performed. Thereby, a 10 micrometer-thick coating film was obtained.

이어서, 얻어진 도막에 대하여, 폭 100μm의 라인·앤드·스페이스 패턴의 마스크를 통하여, 노광 처리를 실시했다. 이 노광 처리는, 파장이 365nm이고 광 강도가 5mW/cm2인 광을, 도막 내의 부분마다 시간을 변경하면서 공기 중에서 조사함으로써 행했다.Next, with respect to the obtained coating film, exposure processing was performed through the mask of the line and space pattern of 100 micrometers in width. This exposure treatment was performed by irradiating light with a wavelength of 365 nm and a light intensity of 5 mW/cm 2 in the air while changing the time for each portion in the coating film.

이어서, 노광 처리를 실시한 도막에 대하여, 현상 처리를 실시했다. 그리고, 이하와 같이 하여 정의되는 미노광부의 잔막률이 90% 이상이며, 또한 노광부의 잔막률이 0%가 될 때의 최소의 노광량(단위: mJ/cm2)을 구했다.Next, the development process was performed with respect to the coating film which gave the exposure process. And the minimum exposure amount (unit: mJ/cm<2> ) when the remaining-film rate of the unexposed part defined as follows is 90 % or more and the remaining-film rate of an exposed part will be 0% was calculated|required.

미노광부의 잔막률=100×미노광부의 현상 후의 막두께/프리베이크 후의 막두께Film thickness after image development of unexposed part = 100 x film thickness of unexposed part / film thickness after prebaking

노광부의 잔막률=100×노광부의 현상 후의 막두께/프리베이크 후의 막두께Residual film rate of exposure part = 100* film thickness after development of exposure part / film thickness after prebaking

구한 노광량을 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the calculated|required exposure dose.

또한, 각 비교예의 도막은, 노광 시에 광반응하지 않고, 현상 처리에 의하여 도막을 제거할 수 없었다. 이로 인하여, 각 비교예의 도막에 대해서는, 감광성의 평가(노광량의 측정)를 행할 수 없었다.In addition, the coating film of each comparative example did not photoreact at the time of exposure, and the coating film could not be removed by developing treatment. For this reason, about the coating film of each comparative example, evaluation of photosensitivity (measurement of exposure amount) was not able to be performed.

[4. 5] 감광성 접착제 조성물의 잔막률(잔존율)의 평가[4. 5] Evaluation of the remaining film rate (residual rate) of the photosensitive adhesive composition

먼저, [4. 4]와 동일하게 하여, 각 실시예 및 각 비교예에 대하여 노광 처리를 실시한 도막을 준비했다. 이어서, 노광 처리를 실시한 도막에 대하여 현상 처리를 행한 후, 150℃, 40분간의 가열 처리를 행했다. 그리고, 이하와 같이 하여 정의되는 미노광부의 잔막률을 구했다.First, [4. 4], the coating film which performed the exposure process about each Example and each comparative example was prepared. Next, after developing the coating film to which the exposure process was performed, it heat-processed for 150 degreeC and 40 minutes. And the remaining-film rate of the unexposed part defined as follows was calculated|required.

잔막률=100×미노광부의 현상 후의 막두께/프리베이크 후의 막두께Remaining film rate = 100 x film thickness after image development of unexposed part / film thickness after prebaking

구한 잔막률을 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the calculated|required residual film rate.

또한, 각 비교예의 도막은, 노광 시에 광반응하지 않고, 현상 처리에 의하여 도막을 제거할 수 없었다. 이로 인하여, 각 비교예의 도막에 대해서는, 잔막률의 평가를 행할 수 없었다.In addition, the coating film of each comparative example did not photoreact at the time of exposure, and the coating film could not be removed by developing treatment. For this reason, about the coating film of each comparative example, evaluation of the remaining-film rate could not be performed.

[표 1][Table 1]

Figure 112017039533487-pct00022
Figure 112017039533487-pct00022

[표 2][Table 2]

Figure 112017039533487-pct00023
Figure 112017039533487-pct00023

표 1 및 표 2로부터 명확한 바와 같이, 각 실시예의 감광성 접착제 조성물 및 평가용 테스트 피스에서는, 반도체 칩과의 계면에 기포가 잔존하는 것을 억제하면서, 반도체 칩과 접착층의 사이에 충분한 접착력(밀착력)이 있는 것이 확인되었다. 또, 소정의 가열 처리 후의 각 실시예에서 이용한 도막(접착층)은, 유기 용제에 대한 충분한 용해성을 갖고 있어, 이른바 리워크성이 양호했다. 또한 각 실시예의 평가용 테스트 피스는, 미노광부의 잔존율이 높은 것이 확인되었다. 또한, 각 실시예의 감광성 접착제 조성물의 경화물에 의하여 반도체 소자끼리를 접착한 적층형 반도체 소자를 구비한 반도체 장치는, 높은 신뢰성을 갖고 있었다. 한편, 각 비교예의 감광성 접착제 조성물을 이용하여 형성된 도막은, 상기 [4. 3]에서 설명한 바와 같이, 현상 처리에 의하여 도막을 제거할 수 없었다. 이로 인하여, 적층형 반도체 소자를 구비한 반도체 장치를 얻을 수 없었다.As is clear from Tables 1 and 2, in the photosensitive adhesive composition and the test piece for evaluation of each Example, while suppressing bubbles from remaining at the interface with the semiconductor chip, sufficient adhesive force (adhesion force) between the semiconductor chip and the adhesive layer It has been confirmed that there is Moreover, the coating film (adhesive layer) used in each Example after predetermined|prescribed heat processing had sufficient solubility with respect to the organic solvent, and so-called rework property was favorable. Moreover, it was confirmed that the residual ratio of the unexposed part was high in the test piece for evaluation of each Example. Moreover, the semiconductor device provided with the laminated-type semiconductor element which adhere|attached semiconductor elements with the hardened|cured material of the photosensitive adhesive agent composition of each Example had high reliability. On the other hand, the coating film formed using the photosensitive adhesive composition of each comparative example is the said [4. 3], the coating film could not be removed by the developing treatment. For this reason, the semiconductor device provided with the stacked-type semiconductor element could not be obtained.

산업상 이용가능성Industrial Applicability

본 발명의 감광성 접착제 조성물의 경화물을, 반도체 소자끼리를 접착하는 접착층으로서 이용함으로써, 반도체 소자와 접착층의 계면에 기포(보이드)가 발생하는 것을 저감시킬 수 있으며, 또 계면에 기포가 발생해도 그 발생한 기포를 제거할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자끼리의 접착성(밀착성)을 높일 수 있다. 따라서, 본 발명은 산업상의 이용 가능성을 갖는다.By using the cured product of the photosensitive adhesive composition of the present invention as an adhesive layer for bonding semiconductor elements to each other, the occurrence of bubbles (voids) at the interface between the semiconductor element and the adhesive layer can be reduced, and even if bubbles are generated at the interface, the The generated air bubbles can be removed. As a result, the adhesiveness (adhesiveness) between semiconductor elements can be improved. Accordingly, the present invention has industrial applicability.

Claims (19)

(A) 알칼리 가용성 수지와,
(B) 광산발생제와,
(C) 에폭시 화합물과,
(D) 융점이 50~150℃인 페놀 화합물
을 포함하고,
상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 환상 올레핀계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 접착제 조성물.(A) alkali-soluble resin,
(B) a photoacid generator;
(C) an epoxy compound;
(D) a phenolic compound having a melting point of 50 to 150 °C
including,
Said (A) alkali-soluble resin contains cyclic olefin resin, The photosensitive adhesive composition characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서,
상기 (D) 페놀 화합물보다 융점이 높은 (X) 페놀 화합물을 더 포함하는 감광성 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The photosensitive adhesive composition further comprising (X) a phenol compound having a higher melting point than the (D) phenol compound. 청구항 2에 있어서,
상기 (X) 페놀 화합물은, 그 융점이 151~250℃인 감광성 접착제 조성물.3. The method according to claim 2,
The said (X) phenolic compound is the photosensitive adhesive composition whose melting|fusing point is 151-250 degreeC. 청구항 2에 있어서,
상기 (X) 페놀 화합물은, 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물을 포함하는 감광성 접착제 조성물.3. The method according to claim 2,
The photosensitive adhesive composition in which the said (X) phenol compound contains the phenol compound which has a some phenol skeleton. 청구항 4에 있어서,
상기 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물은, 환상 구조를 포함하는 치환기로서, 적어도 하나의 상기 페놀 골격에 결합한 치환기를 갖는 감광성 접착제 조성물.5. The method according to claim 4,
The photosensitive adhesive composition in which the said phenolic compound which has a plurality of phenol skeletons has a substituent couple|bonded with the said phenol skeleton as a substituent containing a cyclic structure. 청구항 1에 있어서,
상기 (D) 페놀 화합물은, 지방족 탄화 수소기를 포함하는 치환기를 갖는 페놀 화합물 및 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물 중 적어도 한쪽을 포함하는 감광성 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The photosensitive adhesive composition in which said (D) phenol compound contains at least one of the phenol compound which has a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group, and the phenol compound which has a some phenol skeleton. 청구항 6에 있어서,
상기 지방족 탄화 수소기를 포함하는 치환기를 갖는 페놀 화합물은, 그 수산기 당량이 150~250g/eq인 감광성 접착제 조성물.7. The method of claim 6,
The photosensitive adhesive composition of the phenol compound which has a substituent containing the said aliphatic hydrocarbon group whose hydroxyl equivalent is 150-250 g/eq. 청구항 6에 있어서,
상기 (D) 페놀 화합물의 상기 복수의 페놀 골격은, 연결형의 다환 구조를 형성하고 있는 감광성 접착제 조성물.7. The method of claim 6,
The photosensitive adhesive composition in which the said some phenol skeleton of the said (D) phenol compound forms the polycyclic structure of a connection type. 청구항 6에 있어서,
상기 복수의 페놀 골격을 갖는 페놀 화합물은, 그 수산기 당량이 50~150g/eq인 감광성 접착제 조성물.7. The method of claim 6,
The phenolic compound which has said some phenol skeleton is the photosensitive adhesive agent composition whose hydroxyl equivalent is 50-150 g/eq. 청구항 1에 있어서,
상기 환상 올레핀계 수지는, 노보넨계 수지를 포함하는 감광성 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The said cyclic olefin-type resin is a photosensitive adhesive composition containing a norbornene-type resin. 청구항 1에 있어서,
상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 산성기를 갖는 감광성 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The said (A) alkali-soluble resin is a photosensitive adhesive composition which has an acidic group. 청구항 1에 있어서,
상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 탄소수가 2~30인 직쇄상의 치환기를 갖는 감광성 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The photosensitive adhesive composition in which the said (A) alkali-soluble resin has a C2-C30 linear substituent. 청구항 12에 있어서,
상기 직쇄상의 치환기는, 알킬에터 구조를 포함하는 감광성 접착제 조성물.13. The method of claim 12,
The linear substituent is a photosensitive adhesive composition comprising an alkyl ether structure. 청구항 12에 있어서,
상기 직쇄상의 치환기는, 하기 식 (1)로 나타나는 기인 감광성 접착제 조성물.
[화학식 1]
Figure 112021101450222-pct00024

(식 (1) 중, z는, 1 이상 10 이하의 정수이다.)13. The method of claim 12,
The said linear substituent is group represented by following formula (1) The photosensitive adhesive agent composition.
[Formula 1]
Figure 112021101450222-pct00024

(In formula (1), z is an integer of 1 or more and 10 or less.) 청구항 12에 있어서,
상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 상기 직쇄상의 치환기를 갖는 반복 단위를 20~60mol%로 포함하는 감광성 접착제 조성물.13. The method of claim 12,
Said (A) alkali-soluble resin, the photosensitive adhesive composition containing the repeating unit which has the said linear substituent in 20-60 mol%. 청구항 1에 있어서,
상기 (C) 에폭시 화합물은, 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 감광성 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The photosensitive adhesive composition in which the said (C) epoxy compound has two or more glycidyl groups. (A) 알칼리 가용성 수지와,
(B) 광산발생제와,
(C) 에폭시 화합물과,
(D) 융점이 50 ∼ 150 ℃ 인 페놀 화합물
을 포함하고,
상기 (A) 알칼리 가용성 수지는, 탄소수가 2 ∼ 30 인 직쇄상의 치환기를 갖는 것을 특징으로 하는 감광성 접착제 조성물.(A) alkali-soluble resin,
(B) a photoacid generator;
(C) an epoxy compound;
(D) a phenolic compound having a melting point of 50 to 150°C
including,
Said (A) alkali-soluble resin has a C2-C30 linear substituent, The photosensitive adhesive composition characterized by the above-mentioned. (A) 알칼리 가용성 수지와,
(B) 광산발생제와,
(C) 에폭시 화합물과,
(D) 융점이 50 ∼ 150 ℃ 인 페놀 화합물
을 포함하고,
상기 (C) 에폭시 화합물은, 2 개 이상의 글리시딜기를 갖는 것을 특징으로 하는 감광성 접착제 조성물.(A) alkali-soluble resin,
(B) a photoacid generator;
(C) an epoxy compound;
(D) a phenolic compound having a melting point of 50 to 150°C
including,
Said (C) epoxy compound has two or more glycidyl groups, The photosensitive adhesive composition characterized by the above-mentioned. 적층형 반도체 소자를 구비하는 반도체 장치로서,
상기 적층형 반도체 소자는, 복수의 반도체 소자와, 상기 반도체 소자끼리의 사이에 마련되어, 이들을 접합하는 청구항 1 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 기재된 감광성 접착제 조성물의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising a stacked semiconductor device, comprising:
The said laminated type semiconductor element has several semiconductor elements and the hardened|cured material of the photosensitive adhesive agent composition of any one of Claims 1-18 provided between the said semiconductor elements, and bonding them, The semiconductor device characterized by the above-mentioned.
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CN114555674A (en) * 2019-10-17 2022-05-27 普罗米鲁斯有限责任公司 Photosensitive composition and application thereof
US11537045B2 (en) * 2019-10-17 2022-12-27 Promerus, Llc Photosensitive compositions and applications thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013122005A (en) 2011-12-09 2013-06-20 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd Photosensitive adhesive film for semiconductor, and method of manufacturing semiconductor device using the film

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3422691B2 (en) * 1997-07-30 2003-06-30 住友ベークライト株式会社 Positive photosensitive resin composition
JP4213998B2 (en) 2002-05-30 2009-01-28 三井化学株式会社 Adhesive resin composition and film adhesive using the same
JP2005307037A (en) * 2004-04-22 2005-11-04 Nagase Chemtex Corp Film-shaped epoxy resin composition
JP5488001B2 (en) * 2010-01-28 2014-05-14 日立化成株式会社 Method for manufacturing semiconductor chip with adhesive and method for manufacturing semiconductor device
CN103250099B (en) * 2010-09-28 2015-07-22 普罗米鲁斯有限责任公司 Norbornane-based PAC Ballast and positive-one photosensitive resin composition encompassing the PAC
TWI632163B (en) * 2013-02-04 2018-08-11 日商日本傑恩股份有限公司 Radiation-sensitive resin composition and electronic component

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013122005A (en) 2011-12-09 2013-06-20 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd Photosensitive adhesive film for semiconductor, and method of manufacturing semiconductor device using the film

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