KR102353359B1

KR102353359B1 - Transparent electrode and manufacturing method of the same

Info

Publication number: KR102353359B1
Application number: KR1020140175681A
Authority: KR
Inventors: 이신복; 류순성; 김철호; 문태형; 국윤호; 최성우; 한용희
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-12-09
Filing date: 2014-12-09
Publication date: 2022-01-20
Also published as: KR20160069726A

Abstract

본원의 일 실시예는 투광성 및 도전성을 갖고 영상표시장치 또는 광학소자에 구비될 수 있는 투명전극에 관한 것으로, 본원의 일 실시예에 따른 투명전극은 투명 도전성 산화물질로 이루어진 복수의 산화물층; 상기 복수의 산화물층 중 이웃한 두 개의 산화물층 사이에 삽입되고, 상기 복수의 산화물층보다 얇은 두께이며, 금속물질로 이루어진 적어도 하나의 금속층; 및 상기 적어도 하나의 금속층 각각의 측면을 감싸는 보강부재를 포함한다. 이러한 투명전극에 있어서, 적어도 하나의 금속층이 보강부재로 커버됨에 따라, 금속층이 부식되거나 또는 금속층을 이루는 금속물질이 이온화하여 주위로 확산되는 전자이동(electro chemical migration 또는 ion migration)이 방지될 수 있으므로, 투명전극의 신뢰도 및 균일도가 향상될 수 있다.An embodiment of the present application relates to a transparent electrode having light transmittance and conductivity and which may be provided in an image display device or an optical device, and the transparent electrode according to an embodiment of the present application includes a plurality of oxide layers made of a transparent conductive oxide material; at least one metal layer inserted between two adjacent oxide layers among the plurality of oxide layers, the thickness of which is thinner than the plurality of oxide layers, and made of a metal material; and a reinforcing member surrounding each side surface of the at least one metal layer. In such a transparent electrode, as the at least one metal layer is covered with the reinforcing member, it is possible to prevent electrochemical migration or ion migration in which the metal layer is corroded or the metal material constituting the metal layer is ionized and diffuses to the surroundings. , the reliability and uniformity of the transparent electrode can be improved.

Description

투명전극 및 그의 제조방법{TRANSPARENT ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}Transparent electrode and manufacturing method thereof

본원은 투광성 및 도전성을 갖고 영상표시장치 또는 광학소자에 구비될 수 있는 투명전극에 관한 것으로, 특히, 투명 도전성 산화물질보다 낮은 저항을 갖도록, 복수의 산화물층 사이마다 삽입된 금속막을 포함하는 다중층 구조로 이루어진 투명전극에 관한 것이다.The present application relates to a transparent electrode that has light transmittance and conductivity and can be provided in an image display device or an optical device. In particular, a multilayer including a metal film inserted between a plurality of oxide layers to have a lower resistance than a transparent conductive oxide material. It relates to a transparent electrode made of a structure.

일반적인 영상표시장치 및 광전소자는 광 경로에 형성되는 투명전극을 포함한다. A general image display device and a photoelectric device include a transparent electrode formed in an optical path.

영상표시장치는 고유의 발광물질 또는 편광물질을 사이에 둔 한 쌍의 기판이 대면 합착된 구조로 이루어진 평판표시패널을 포함하는 평판표시장치인 것이 일반적이다. The image display device is generally a flat panel display device including a flat panel display panel having a structure in which a pair of substrates facing each other with a unique light emitting material or a polarizing material interposed therebetween.

평판표시장치의 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro Luminescence Display device: ELD), 전기습윤표시장치(Electro-Wetting Display device: EWD) 및 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display device: OLED) 등을 들 수 있다. 이러한 평판표시장치는 고유의 발광물질 또는 편광물질을 제어하기 위한 전계 또는 전류를 발생시키는 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. Examples of the flat panel display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), and an electroluminescence display device (Electro Luminescence). display device: ELD), electro-wetting display device (EWD), organic light emitting display device (OLED), and the like. Such a flat panel display device includes first and second electrodes for generating an electric field or current for controlling a unique light emitting material or a polarizing material.

제 1 및 제 2 전극 중 적어도 하나는 광 경로에 배치될 수 있다. 이와 같이 광 경로에 배치된 전극으로 인한 영상표시장치의 휘도 저하를 최소화하려면, 광 경로에 배치되는 전극은 되도록 높은 투광성을 가질 필요가 있다. At least one of the first and second electrodes may be disposed in the light path. In order to minimize the decrease in luminance of the image display device due to the electrodes disposed in the optical path as described above, the electrodes disposed in the optical path need to have as high a light-transmitting property as possible.

더불어, 광전소자의 예로는 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양전지 및 전기 에너지를 광 에너지로 변환하는 발광소자 등을 들 수 있다. 이러한 광전소자는 광 에너지를 전기 에너지로 변환하거나 또는 전기 에너지를 광 에너지로 변환하는 반도체 물질로 이루어진 액티브층과, 액티브층을 사이에 두고 상호 대향하는 제 1 및 제 2 전극을 포함하는 것이 일반적이다. In addition, examples of the photoelectric device include a solar cell that converts light energy into electrical energy, a light emitting device that converts electrical energy into light energy, and the like. Such an optoelectronic device generally includes an active layer made of a semiconductor material that converts light energy into electric energy or converts electric energy into light energy, and first and second electrodes facing each other with the active layer interposed therebetween. .

제 1 및 제 2 전극 중 적어도 하나는 광 경로에 배치된다. 이와 같이 광 경로에 배치된 전극으로 인한 광전소자의 광전 효율의 저하를 최소화하려면, 광 경로에 배치되는 전극은 되도록 높은 투광성을 가질 필요가 있다.At least one of the first and second electrodes is disposed in the light path. In order to minimize the decrease in photoelectric efficiency of the photoelectric device due to the electrode disposed in the optical path as described above, the electrode disposed in the optical path needs to have as high a light-transmitting property as possible.

이러한 영상표시장치 또는 광전소자에 구비되는 투명전극은 ITO 등과 같은 투명 도전성 산화물질로 형성되는 것이 일반적이다. A transparent electrode provided in such an image display device or a photoelectric device is generally formed of a transparent conductive oxide material such as ITO.

그런데, 투명 도전성 산화물질은 금속에 비해 저항이 높으므로, 투명전극을 투명 도전성 산화물질로 형성하는 경우, 투명전극의 높은 저항으로 인해 영상표시장치 또는 광전소자의 소비전력이 증가하는 문제점이 있다.However, since the transparent conductive oxide material has a higher resistance than the metal, when the transparent electrode is formed of the transparent conductive oxide material, there is a problem in that the power consumption of the image display device or the photoelectric device increases due to the high resistance of the transparent electrode.

이에 따라, 영상표시장치 또는 광전소자의 소비전력이 증가되는 것을 방지하기 위하여, 투명전극의 저항을 낮추기 위한 방안이 연구되고 있다. 그 중 하나로서, 복수의 투명 도전성 산화물층 사이마다 박막의 금속층이 끼워진 다중층 구조의 투명전극이 제안되었다.Accordingly, in order to prevent an increase in power consumption of the image display device or the photoelectric device, a method for lowering the resistance of the transparent electrode is being studied. As one of them, a transparent electrode having a multi-layer structure in which a thin metal layer is sandwiched between a plurality of transparent conductive oxide layers has been proposed.

도 1은 일반적인 다중층 구조의 투명전극을 나타낸 단면도이고, 도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 투명전극의 불량 예시들을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a transparent electrode having a general multi-layer structure, and FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating defective examples of the transparent electrode illustrated in FIG. 1 .

도 1에 도시한 바와 같이, 기판(SUB) 상에 형성되는 투명전극(10)은 투명 도전성 산화물질로 이루어진 제 1 및 제 2 층(11, 12)과, 제 1 및 제 2 층(11, 12) 사이에 끼워지고 금속물질로 이루어진 제 3 층(13)을 포함하는 다중층 구조이다. 이때, 제 1 및 제 2 층(11, 12) 사이에 끼워진 금속물질의 제 3 층(13)을 포함함으로써, 다중층 구조를 갖는 투명전극(10)의 저항이 투명 도전성 산화물질의 저항보다 낮아진다. As shown in FIG. 1 , the transparent electrode 10 formed on the substrate SUB includes first and second layers 11 and 12 made of a transparent conductive oxide material, and first and second layers 11 , 12) It is a multi-layer structure including a third layer (13) sandwiched between and made of a metallic material. At this time, by including the third layer 13 of the metal material sandwiched between the first and second layers 11 and 12 , the resistance of the transparent electrode 10 having a multi-layer structure is lower than that of the transparent conductive oxide material.

여기서, 제 3 층(13)은 적어도 제 1 및 제 2 층(11, 12)보다 얇은 두께로 형성함으로써, 투명전극(10)의 투과도가 과도하게 낮아지는 것을 방지할 수 있다.Here, by forming the third layer 13 to have a thickness smaller than that of at least the first and second layers 11 and 12 , it is possible to prevent excessively low transmittance of the transparent electrode 10 .

한편, 투명전극(10)을 기판(SUB) 상에 선택적으로 형성하기 위해서는, 제 1 내지 제 3 층(11, 12, 13)을 한번에 식각하는 공정이 필요하다. 이때, 투명 도전성 산화물질과 금속물질은 각 식각조건에 대해 서로 다른 식각비를 가지므로, 투명전극(10)의 각 측면에서 제 1 및 제 2 층(11, 12)이 제 3 층(13)에 비해 돌출되는 언더컷 영역(A1)이 용이하게 발생된다. Meanwhile, in order to selectively form the transparent electrode 10 on the substrate SUB, it is necessary to etch the first to third layers 11, 12, and 13 at once. At this time, since the transparent conductive oxide material and the metal material have different etching ratios for each etching condition, the first and second layers 11 and 12 on each side of the transparent electrode 10 are formed by the third layer 13 . The undercut area A1 that protrudes compared to that is easily generated.

이에 따라, 도 2a에 도시한 바와 같이, 제 1 층(11)과 제 3 층(13) 사이의 언더컷 영역(A1)에 의해, 제 1 층(11)과 제 3 층(13) 사이의 접착력이 약화되므로, 제 1 층(11)이 제 3 층(13)으로부터 용이하게 박리될 수 있는 문제점이 있다.Accordingly, as shown in FIG. 2A , the adhesive force between the first layer 11 and the third layer 13 is due to the undercut area A1 between the first layer 11 and the third layer 13 . As this weakens, there is a problem that the first layer 11 can be easily peeled off from the third layer 13 .

그리고, 제 3 층(13)의 측면은 제 1 및 제 2 층(11, 12)에 의해 가려지지 않으므로, 용이하게 부식될 수 있고, 그로 인해, 투명전극(10)의 저항에 대한 균일도 및 신뢰도가 저하되는 문제점이 있다.And, since the side surface of the third layer 13 is not covered by the first and second layers 11 and 12 , it can be easily corroded, and therefore, the uniformity and reliability of the resistance of the transparent electrode 10 . There is a problem that is lowered.

이 뿐만 아니라, 제 3 층의 금속물질이 고온 및 고습 분위기에 노출된 상태에서 구동 전압에 따른 전기장의 영향으로 용이하게 이온화될 수 있고, 이때 이온화된 금속물질이 주위로 확산되는 전자이동(electro chemical migration 또는 ion migration) 현상이 용이하게 발생될 수 있다. 이러한 전자이동 현상으로 인해, 투명전극(10)과 다른 도전체(10') 간의 쇼트 불량(A2)이 유발되는 문제점이 있다.In addition to this, the metal material of the third layer can be easily ionized under the influence of an electric field according to the driving voltage in a state where it is exposed to high temperature and high humidity atmosphere, and at this time, the ionized metal material diffuses to the surroundings. migration or ion migration) can easily occur. Due to this electron transfer phenomenon, there is a problem in that a short circuit defect A2 between the transparent electrode 10 and the other conductor 10 ′ is induced.

또한, 도 2c에 도시한 바와 같이, 제 3 층(13)의 금속물질에 대한 전자이동 현상을 방지하기 위하여, 투명전극(10)은 제 1 내지 제 3 층(11, 12, 13)을 덮는 보호막(14)을 더 포함할 수 있다. 즉, 도 2c의 A3에 나타낸 바와 같이, 보호막(14)은 제 1 및 제 2 층(11, 12)으로 가려지지 않는 제 3 층의 측면을 커버하기 위한 것이다. In addition, as shown in FIG. 2C , in order to prevent electron migration of the metal material of the third layer 13 , the transparent electrode 10 covers the first to third layers 11 , 12 , and 13 . A protective layer 14 may be further included. That is, as shown in A3 of FIG. 2C , the protective film 14 is for covering the side surfaces of the third layer that are not covered by the first and second layers 11 and 12 .

그런데, 앞서 언급한 바와 같이, 제 1 층(11)과 제 3 층(13) 사이에 발생되는 언더컷 영역(도 1의 A1)으로 인해, 제 3 층(13)의 측면 중 일부(A4)가 보호막(14)으로 커버되지 않을 수 있는 문제점이 있다. However, as mentioned above, due to the undercut region (A1 in FIG. 1 ) generated between the first layer 11 and the third layer 13 , some of the side surfaces A4 of the third layer 13 are There is a problem that it may not be covered by the protective film 14 .

또한, 별도의 보호막(14)을 포함함에 따라, 구조가 더 복잡해지고, 보호막(14)의 형성을 위한 절연재료의 증착과 패터닝 과정이 필요하므로, 제조 공정의 단순화에 불리한 문제점이 있다.In addition, since a separate protective layer 14 is included, the structure becomes more complicated, and a process of depositing and patterning an insulating material for forming the protective layer 14 is required, which is disadvantageous in simplifying the manufacturing process.

이상과 같이, 일반적인 다중층 구조의 투명전극(10)은 투명 도전성 산화물질과 금속물질 간의 식각비 차이로 인해 제 1 층(11)과 제 3 층(13) 사이에 발생되는 언더컷 영역에 의해, 균일도 및 신뢰도를 개선하는 데에 한계가 있는 문제점이 있다.As described above, the transparent electrode 10 having a general multi-layer structure is formed by an undercut region generated between the first layer 11 and the third layer 13 due to the difference in the etch rate between the transparent conductive oxide material and the metal material, There is a problem in that there is a limit to improving the uniformity and reliability.

본원은 투명 도전성 산화물질보다 낮은 저항을 갖도록, 복수의 산화물층 사이마다 삽입된 금속막을 포함하는 다중층 구조로 이루어진 투명전극에 있어서, 균일도 및 신뢰도를 개선할 수 있는 투명전극 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.The present application provides a transparent electrode capable of improving uniformity and reliability in a transparent electrode having a multilayer structure including a metal film inserted between a plurality of oxide layers to have a lower resistance than a transparent conductive oxide material, and a method for manufacturing the same it is to do

이와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본원은 투명 도전성 산화물질로 이루어진 복수의 산화물층 사이마다 삽입된 금속층; 및 상기 금속층의 측면을 감싸는 보강부재를 포함하는 투명전극을 제공한다.In order to solve the above problems, the present application provides a metal layer inserted between a plurality of oxide layers made of a transparent conductive oxide material; and a reinforcing member surrounding the side surface of the metal layer.

상기 보강부재는 상기 복수의 산화물층과 상기 적어도 하나의 금속층 사이에 발생되는 언더컷 영역을 채우고, 각 금속층의 양면에 배치된 두 개의 산화물층의 측면과 접하는 형태이며, 상기 금속물질보다 부식 저항성이 더 높은 원소를 포함하는 합금으로 형성된다.The reinforcing member fills an undercut region generated between the plurality of oxide layers and the at least one metal layer, is in contact with the side surfaces of two oxide layers disposed on both surfaces of each metal layer, and has more corrosion resistance than the metal material It is formed from alloys containing high elements.

본원의 실시예에 따른 투명전극은 투명 도전성 산화물질로 이루어진 복수의 산화물층 사이마다 삽입된 금속층을 포함하는 다중층 구조로 이루어짐으로써, 투명 도전성 산화물질보다 낮은 저항을 가질 수 있다.The transparent electrode according to the embodiment of the present application has a multilayer structure including a metal layer inserted between a plurality of oxide layers made of a transparent conductive oxide material, and thus may have a lower resistance than that of the transparent conductive oxide material.

본원의 실시예에 따른 투명전극은 각 금속층의 측면을 감싸는 보강부재를 더 포함한다. 즉, 투명 도전성 산화물질과 금속물질 사이의 식각비 차이에 의해 복수의 산화물층과 적어도 하나의 금속층 사이에 발생되는 언더컷 영역이 보강부재로 채워진다. The transparent electrode according to the embodiment of the present application further includes a reinforcing member surrounding the side surface of each metal layer. That is, the undercut region generated between the plurality of oxide layers and the at least one metal layer due to the difference in the etch rate between the transparent conductive oxide material and the metal material is filled with the reinforcing member.

이러한 보강부재에 의해 복수의 산화물층과 적어도 하나의 금속층 사이의 언더컷 영역이 제거됨으로써, 산화물층과 금속층 간의 접착력이 강화되므로, 복수의 산화물층, 특히 기판으로부터 가장 멀리 이격된 최상의 산화물층의 박리가 방지될 수 있다. Since the undercut region between the plurality of oxide layers and the at least one metal layer is removed by this reinforcing member, the adhesion between the oxide layer and the metal layer is strengthened, so that the peeling of the plurality of oxide layers, especially the best oxide layer farthest from the substrate, is achieved. can be prevented.

그리고, 각 금속층의 측면이 각 금속층을 형성하는 금속물질보다 부식 저항성이 더 높은 원소를 포함하는 합금으로 이루어진 보강부재로 커버되므로, 금속층의 금속물질이 부식되거나 이온화되어 주위로 확산되는 것이 방지될 수 있다. 즉, 금속층의 부식이 방지되고, 금속층의 전자이동 (electro chemical migration 또는 ion migration) 현상이 방지되어, 투명전극의 저항 균일도가 향상될 수 있으며, 투명전극과 다른 도전체 간의 쇼트 불량이 방지될 수 있다.And, since the side surface of each metal layer is covered with a reinforcing member made of an alloy containing an element having a higher corrosion resistance than the metal material forming each metal layer, it can be prevented that the metal material of the metal layer is corroded or ionized and diffused to the surroundings. have. That is, corrosion of the metal layer is prevented, the phenomenon of electro chemical migration or ion migration of the metal layer is prevented, so that the resistance uniformity of the transparent electrode can be improved, and a short circuit defect between the transparent electrode and another conductor can be prevented. have.

또한, 언더컷 영역이 보강부재로 채워짐으로써, 언더컷 영역을 커버하기 위한 보호막이 불필요하므로, 투명전극의 구조가 보다 단순해질 수 있다.In addition, since the undercut region is filled with the reinforcing member, a protective film for covering the undercut region is unnecessary, and thus the structure of the transparent electrode can be simplified.

이상과 같이, 본원의 실시예에 따른 투명전극은 각 금속층의 측면을 감싸는 보강부재를 포함함으로써, 균일도 및 신뢰도가 용이하게 개선될 수 있다.As described above, since the transparent electrode according to the embodiment of the present application includes a reinforcing member surrounding the side surface of each metal layer, uniformity and reliability can be easily improved.

더불어, 본원의 실시예에 따르면, 보강부재를 형성하는 단계는 적어도 하나의 금속층의 측면에 도금재료를 도금하는 단계를 포함한다. In addition, according to the embodiment of the present application, the step of forming the reinforcing member includes plating the plating material on the side surface of the at least one metal layer.

즉, 언더컷 영역을 커버하기 위한 보호막을 형성 시에 별도의 증착 공정 및 마스크 공정이 필요했던 것과 달리, 보강부재를 형성 시에는 별도의 마스크 공정이 불필요하므로, 공정의 단순화에 보다 유리하다.That is, unlike the need for a separate deposition process and a mask process to form a protective film to cover the undercut region, a separate mask process is not required to form the reinforcing member, which is more advantageous in simplification of the process.

도 1은 일반적인 다중층 구조의 투명전극을 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 투명전극의 불량 예시들을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 투명전극을 나타낸 단면도이다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 투명전극을 구비한 영상표시장치의 예시를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 투명전극을 구비한 광전소자의 예시를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본원의 다른 일 실시예에 따른 투명전극을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본원의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 8a 내지 도 8f는 도 7의 각 단계를 나타낸 공정도이다.1 is a cross-sectional view showing a transparent electrode having a general multi-layer structure.
2A to 2C are cross-sectional views illustrating defective examples of the transparent electrode shown in FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view illustrating a transparent electrode according to an embodiment of the present application.
4 is a cross-sectional view illustrating an example of an image display device having a transparent electrode according to an embodiment of the present application.
5 is a cross-sectional view illustrating an example of an optoelectronic device having a transparent electrode according to an embodiment of the present application.
6 is a cross-sectional view showing a transparent electrode according to another embodiment of the present application.
7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transparent electrode according to an embodiment of the present application.
8A to 8F are process diagrams illustrating each step of FIG. 7 .

이하, 본원의 일 실시예에 따른 투명전극에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a transparent electrode according to an embodiment of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 3 내지 도 6를 참조하여 본원의 일 실시예에 따른 투명전극과, 이를 구비한 영상표시장치 및 광전소자에 대해 설명한다.First, a transparent electrode according to an embodiment of the present application, an image display device and a photoelectric device having the same will be described with reference to FIGS. 3 to 6 .

도 3은 본원의 일 실시예에 따른 투명전극을 나타낸 단면도이다. 도 4는 본원의 일 실시예에 따른 투명전극을 구비한 영상표시장치의 예시를 나타낸 단면도이고, 도 5는 본원의 일 실시예에 따른 투명전극을 구비한 광전소자의 예시를 나타낸 단면도이다. 그리고, 도 6은 본원의 다른 일 실시예에 따른 투명전극을 나타낸 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating a transparent electrode according to an embodiment of the present application. 4 is a cross-sectional view illustrating an example of an image display device having a transparent electrode according to an embodiment of the present application, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an example of an optoelectronic device having a transparent electrode according to an embodiment of the present application. And, FIG. 6 is a cross-sectional view showing a transparent electrode according to another embodiment of the present application.

도 3에 도시한 바와 같이, 본원의 일 실시예에 따르면, 기판(SUB) 상에 형성되는 투명전극(100)은 투명 도전성 산화물질로 이루어진 복수의 산화물층(111, 112), 복수의 산화물층(111, 112) 사이에 삽입되는 적어도 하나의 금속층(121) 및 복수의 산화물층(111, 112)에 접하고 적어도 각 금속층(121)의 측면을 감싸는 보강부재(130)를 포함한다. As shown in FIG. 3 , according to an exemplary embodiment of the present application, the transparent electrode 100 formed on the substrate SUB includes a plurality of oxide layers 111 and 112 made of a transparent conductive oxide material, and a plurality of oxide layers. and a reinforcing member 130 that is in contact with at least one metal layer 121 and the plurality of oxide layers 111 and 112 inserted between the 111 and 112 and surrounds at least a side surface of each metal layer 121 .

복수의 산화물층(111, 112) 각각은 투명성 및 도전성을 갖는 산화물질로 형성된다. 예시적으로, 각 산화물층(111, 112)은 ITO, FTO, GZO 및 ZnO 중 어느 하나일 수 있다. 특히, 재료 접근성을 고려하여, 각 산화물층(111, 112)은 ITO일 수 있다.Each of the plurality of oxide layers 111 and 112 is formed of an oxide material having transparency and conductivity. For example, each of the oxide layers 111 and 112 may be any one of ITO, FTO, GZO, and ZnO. In particular, in consideration of material accessibility, each oxide layer 111 , 112 may be ITO.

적어도 하나의 금속층(121) 각각은 복수의 산화물층 중 이웃한 두 개의 산화물층(111, 112) 사이에 삽입되고, 복수의 산화물층(111, 112)보다 얇은 두께이며, 금속물질로 이루어진다. Each of the at least one metal layer 121 is inserted between two adjacent oxide layers 111 and 112 among the plurality of oxide layers, has a thickness smaller than that of the plurality of oxide layers 111 and 112, and is made of a metal material.

예시적으로, 투명전극(100)의 저항을 고려하여, 각 금속층(121)의 두께는 2㎚ 이상일 수 있다. 그리고, 투명전극(100)의 투광성을 고려하여, 각 금속층(121)의 두께는 50㎚ 이하일 수 있다.For example, in consideration of the resistance of the transparent electrode 100 , the thickness of each metal layer 121 may be 2 nm or more. In addition, in consideration of the light transmittance of the transparent electrode 100 , the thickness of each metal layer 121 may be 50 nm or less.

또한, 각 금속층(121)은 투명 도전성 산화물질보다 낮은 저항을 갖는 금속물질이라면 어느 것으로든 이루어질 수 있다. 예시적으로, 각 금속층(121)은 Au, Ag, Cu, Al 및 Pt 중에서 선택되는 단일원소 또는 적어도 하나를 포함한 합금일 수 있다. 특히, 재료 접근성 및 저항을 고려하여, 각 금속층(121)은 Ag일 수 있다. In addition, each metal layer 121 may be formed of any metal material having a lower resistance than that of a transparent conductive oxide material. For example, each metal layer 121 may be a single element selected from Au, Ag, Cu, Al, and Pt or an alloy including at least one. In particular, in consideration of material accessibility and resistance, each metal layer 121 may be Ag.

보강부재(130)는 적어도 각 금속층(121)의 측면을 감싼다. 그리고, 보강부재(130)는 각 금속층(121)의 양면에 배치된 두 개의 산화물층(111, 112)의 측면과 접할 수도 있다. The reinforcing member 130 covers at least a side surface of each metal layer 121 . In addition, the reinforcing member 130 may be in contact with the side surfaces of the two oxide layers 111 and 112 disposed on both surfaces of each metal layer 121 .

즉, 투명 도전성 산화물질과 금속물질 간의 식각비 차이로 인해 복수의 산화물층(111, 112)과 적어도 하나의 금속층(121) 사이에 발생되는 언더컷 영역은 보강부재(130)로 채워진다.That is, the undercut region generated between the plurality of oxide layers 111 and 112 and the at least one metal layer 121 is filled with the reinforcing member 130 due to the difference in the etch rate between the transparent conductive oxide material and the metal material.

이에 따라, 각 금속층(121)의 양면은 산화물층(111, 112)으로 커버되고, 측면은 보강부재(130)로 커버된다. 이때, 보강부재는 적어도 하나의 금속층(121)을 이루는 금속물질보다 부식 저항성이 더 높은 부식 방지용 원소와, 금속층(121)의 금속물질에 포함된 적어도 하나의 원소를 포함하는 합금이다. Accordingly, both surfaces of each metal layer 121 are covered with the oxide layers 111 and 112 , and the side surfaces are covered with the reinforcing member 130 . In this case, the reinforcing member is an alloy including an element for preventing corrosion having a higher corrosion resistance than a metal material constituting the at least one metal layer 121 and at least one element included in the metal material of the metal layer 121 .

이와 같이 보강부재(130)에 의해 각 금속층(121)의 측면이 커버됨으로써, 금속층(121)의 부식이 방지될 수 있고, 고온 또는 고습 분위기에서 전기장에 의해 이온화된 금속물질이 주위로 확산되는 전자이동(electro chemical migration 또는 ion migration) 현상 또한 방지될 수 있다.As such, the side surface of each metal layer 121 is covered by the reinforcing member 130, so that corrosion of the metal layer 121 can be prevented, and the metal material ionized by an electric field in a high temperature or high humidity atmosphere is diffused to the surroundings. Migration (electro chemical migration or ion migration) can also be prevented.

예시적으로, 적어도 하나의 금속막(121)이 Ag인 경우, 보강부재(130)는 주석(Tin; Sn)과 은(Silver; Ag)의 합금으로 형성될 수 있다. For example, when the at least one metal layer 121 is made of Ag, the reinforcing member 130 may be formed of an alloy of tin (Sn) and silver (Silver; Ag).

이러한 투명전극은 영상표시장치 또는 광전소자에서 광 경로에 배치되는 전극으로 구비된다. Such a transparent electrode is provided as an electrode disposed in an optical path in an image display device or a photoelectric device.

예시적으로, 도 4에 도시한 바와 같이, 영상표시장치(DISPLAY)는 상호 대향하는 제 1 및 제 2 지지기판(BASE1, BASE2), 제 1 지지기판(BASE1) 상에 형성되는 복수의 박막트랜지스터(TFT), 복수의 박막트랜지스터(TFT)를 커버하는 보호막(PASSI), 및 보호막(PASSI) 상에 형성되고 콘택홀(CT)을 통해 각 박막트랜지스터(TFT)에 연결되는 투명전극(100)을 포함할 수 있다. 여기서, 투명전극(100)은 제 1 지지기판(BASE1)과 보호막(PASSI)을 포함하는 기판(SUB) 상에 형성되고, 각 화소영역에 대응하는 화소전극이 될 수 있다.Exemplarily, as shown in FIG. 4 , the image display device DISPLAY includes first and second support substrates BASE1 and BASE2 and a plurality of thin film transistors formed on the first support substrate BASE1 opposite to each other. (TFT), a passivation layer (PASSI) covering the plurality of thin film transistors (TFT), and a transparent electrode (100) formed on the passivation layer (PASSI) and connected to each thin film transistor (TFT) through a contact hole (CT) may include Here, the transparent electrode 100 is formed on the substrate SUB including the first support substrate BASE1 and the passivation layer PASSI, and may be a pixel electrode corresponding to each pixel area.

도 5에 도시한 바와 같이, 광전소자(100)는 제 3 지지기판(BASE3), 제 3 지지기판(BASE3) 상에 형성되는 제 1 및 제 2 전극(E1, E2)과, 이들 사이에 끼워지는 액티브층(ACT)을 포함할 수 있다. 여기서, 투명전극(100)은 제 3 지지기판(BASE3), 제 2 전극(E2) 및 액티브층(ACT)을 포함하는 기판(SUB) 상에 형성되는 제 1 전극(E1)이 될 수 있다. 5, the optoelectronic device 100 includes a third support substrate BASE3, first and second electrodes E1 and E2 formed on the third support substrate BASE3, and sandwiched between them. The layer may include an active layer ACT. Here, the transparent electrode 100 may be the first electrode E1 formed on the substrate SUB including the third support substrate BASE3, the second electrode E2, and the active layer ACT.

이상과 같이, 본원의 일 실시예에 따른 투명전극(100)은 복수의 산화물층(111, 112) 사이마다 금속층(121)이 끼워진 다중층 구조이고, 각 금속층(121)의 측면을 감싸는 보강부재(130)를 포함한다.As described above, the transparent electrode 100 according to an embodiment of the present application has a multi-layer structure in which a metal layer 121 is sandwiched between the plurality of oxide layers 111 and 112 , and a reinforcing member surrounding the side surface of each metal layer 121 . (130).

여기서, 복수의 산화물층(111, 112)과 적어도 하나의 금속층(121) 사이에는 투명 도전성 산화물질과 금속물질 사이의 식각비 차이에 따른 언더컷 영역이 발생된다. Here, an undercut region is formed between the plurality of oxide layers 111 and 112 and the at least one metal layer 121 according to an etch ratio difference between the transparent conductive oxide material and the metal material.

그러나, 언더컷 영역은 보강부재(130)에 의해 채워지므로, 복수의 산화물층(111, 112)과 적어도 하나의 금속층(121) 사이의 접착력이 강화될 수 있다. 그리고, 복수의 산화물층(111, 112), 특히 기판(SUB)로부터 가장 멀리 이격된 최상부의 산화물층(111)이 박리되는 것이 방지될 수 있다. However, since the undercut region is filled by the reinforcing member 130 , the adhesive force between the plurality of oxide layers 111 and 112 and the at least one metal layer 121 may be strengthened. In addition, the plurality of oxide layers 111 and 112, in particular, the uppermost oxide layer 111 that is farthest from the substrate SUB may be prevented from peeling off.

그리고, 보강부재(130)는 각 금속층(121)의 측면을 커버하므로, 금속층(121)의 부식이 방지된다. 또한, 금속층(121)을 이루는 금속물질이 이온화되더라도 주위로 확산되는 것이 방지되어, 전자이동(electro chemical migration 또는 ion migration) 현상 및 그로 의한 쇼트 불량이 방지될 수 있다. And, since the reinforcing member 130 covers the side surface of each metal layer 121 , corrosion of the metal layer 121 is prevented. In addition, even if the metal material constituting the metal layer 121 is ionized, it is prevented from diffusing to the surroundings, so that an electro-chemical migration or ion migration phenomenon and a short circuit caused thereby can be prevented.

이 뿐만 아니라, 보강부재(130)는 금속층(121)을 이루는 금속물질보다 부식 저항성이 높은 원소를 포함하는 합금으로 형성되므로, 보강부재(130) 자체의 부식 또한 방지될 수 있다. 이로써, 투명전극의 저항에 대한 신뢰도 및 균일도가 향상될 수 있고, 수명 또한 증가될 수 있다.In addition to this, since the reinforcing member 130 is formed of an alloy containing an element having a higher corrosion resistance than the metal material constituting the metal layer 121 , corrosion of the reinforcing member 130 itself can also be prevented. Accordingly, reliability and uniformity of resistance of the transparent electrode may be improved, and lifetime may also be increased.

이와 같이, 본원의 일 실시예에 따르면, 보강부재(130)에 의해 산화물층(111, 112)의 박리 및 금속층(121)의 부식이 방지되므로, 투명전극(100)의 균일도 및 신뢰도가 용이하게 개선될 수 있다.As described above, according to an embodiment of the present application, since peeling of the oxide layers 111 and 112 and corrosion of the metal layer 121 are prevented by the reinforcing member 130 , the uniformity and reliability of the transparent electrode 100 can be easily achieved can be improved.

더불어, 금속층(121)의 측면을 커버하기 위한 별도의 보호막이 불필요해져서, 투명전극(100)의 구조가 보다 단순해질 수 있다.In addition, since a separate protective layer for covering the side surface of the metal layer 121 becomes unnecessary, the structure of the transparent electrode 100 may be simplified.

한편, 도 3은 두 개의 산화물층(111, 112)과 하나의 금속층(121)을 포함하는 삼중층구조의 투명전극(100)을 도시하고 있으나, 본원의 일 실시예에 따른 투명전극은 세 개 이상의 적층구조일 수 있다.Meanwhile, FIG. 3 shows the transparent electrode 100 having a triple layer structure including two oxide layers 111 and 112 and one metal layer 121, but the transparent electrode according to an embodiment of the present application has three transparent electrodes. It may have a laminated structure of more than one.

즉, 도 6에 도시한 바와 같이, 본원의 다른 일 실시예에 따른 투명전극(100')은 세 개의 산화물층(111, 112, 113)과, 이들 중 이웃한 두 개의 산화물층 사이에 각각 개재되는 두 개의 금속층(121, 122)을 포함하는 오중층구조이다. 이와 같이, 도 4에 도시된 투명전극(100')은 복수의 산화물층과 적어도 하나의 금속층이 적층된 개수가 다르다는 점을 제외하면, 도 3의 투명전극(100)과 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.That is, as shown in FIG. 6 , the transparent electrode 100 ′ according to another exemplary embodiment of the present application is interposed between three oxide layers 111 , 112 , and 113 and two adjacent oxide layers among them. It is a five-layer structure including two metal layers 121 and 122 that become As described above, since the transparent electrode 100 ′ shown in FIG. 4 is the same as the transparent electrode 100 of FIG. 3 , except that the number of a plurality of oxide layers and at least one metal layer stacked is different, the overlapping description is given. omit

다음, 도 7 및 도 8a 내지 도 8f를 참조하여, 본원의 일 실시예에 따른 투명전극을 제조하는 방법에 대해 설명한다.Next, a method of manufacturing a transparent electrode according to an embodiment of the present application will be described with reference to FIGS. 7 and 8A to 8F .

도 7은 본원의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타낸 순서도이고, 도 8a 내지 도 8f는 도 7의 각 단계를 나타낸 공정도이다.7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transparent electrode according to an embodiment of the present application, and FIGS. 8A to 8F are process diagrams illustrating each step of FIG. 7 .

도 7에 도시한 바와 같이, 본원의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법은 투명 도전성 산화물질로 이루어진 복수의 산화물 재료층과, 금속물질로 이루어진 적어도 하나의 금속 재료층을 교번하여, 기판의 전면 상에 적층하는 단계(S10), 복수의 산화물 재료층 중 기판으로부터 가장 멀리 이격된 최상층 상에 패턴마스크를 형성하는 단계(S20), 패턴마스크를 이용하는 상태에서, 복수의 산화물 재료층과 적어도 하나의 금속 재료층을 일괄적으로 패터닝하여, 복수의 산화물층과 적어도 하나의 금속층이 교번하여 적층된 다중층 구조물을 형성하는 단계(S30), 다중층 구조물의 측면에 보강재료를 형성하는 단계(S40) 및 패턴마스크를 제거하는 단계(S50)를 포함한다. As shown in FIG. 7 , in the method of manufacturing a transparent electrode according to an embodiment of the present application, a plurality of oxide material layers made of a transparent conductive oxide material and at least one metal material layer made of a metal material are alternately formed of a substrate. Laminating on the entire surface (S10), forming a pattern mask on the uppermost layer farthest from the substrate among the plurality of oxide material layers (S20), in the state of using the pattern mask, a plurality of oxide material layers and at least one forming a multi-layer structure in which a plurality of oxide layers and at least one metal layer are alternately stacked by patterning the metal material layers of ) and removing the pattern mask (S50).

그리고, 보강재료를 형성하는 단계(S40)는 다중층 구조물의 측면에 도금재료를 도금하는 단계(S41)를 포함한다. 또는, 보강재료를 형성하는 단계(S40)는 도금 단계(S41) 이후에, 열처리를 실시하는 단계(S42)를 더 포함할 수 있다.And, the step of forming the reinforcing material (S40) includes plating the plating material on the side surface of the multi-layer structure (S41). Alternatively, the step of forming the reinforcing material ( S40 ) may further include a step ( S42 ) of performing a heat treatment after the plating step ( S41 ).

구체적으로, 도 8a에 도시한 바와 같이, 기판(SUB)의 전면 상에 투명 도전성 산화물질과 금속물질을 번갈아 적층하여, 복수의 산화물 재료층(110)과 각 산화물 재료층(110) 사이에 개재되는 적어도 하나의 금속 재료층(120)을 형성한다. (S10)Specifically, as shown in FIG. 8A , a transparent conductive oxide material and a metal material are alternately stacked on the entire surface of the substrate SUB, and interposed between the plurality of oxide material layers 110 and each oxide material layer 110 . At least one metal material layer 120 is formed. (S10)

도 8b에 도시한 바와 같이, 기판(SUB)으로부터 가장 멀리 이격된 최상부의 산화물 재료층 상에 패턴마스크(MASK)를 형성한다. (S20)As shown in FIG. 8B , a pattern mask MASK is formed on the uppermost oxide material layer that is farthest from the substrate SUB. (S20)

도 8c에 도시한 바와 같이, 패턴마스크(MASK)를 이용한 상태에서, 복수의 산화물 재료층(110)과 적어도 하나의 금속 재료층(120)을 일괄적으로 패터닝한다. 이로써, 복수의 산화물층(111, 112)과 적어도 하나의 금속층(121)이 교번하여 적층된 다중층 구조물(111, 112, 121)이 형성된다. (S30)As shown in FIG. 8C , the plurality of oxide material layers 110 and at least one metal material layer 120 are collectively patterned while using the pattern mask MASK. Accordingly, the multilayer structures 111 , 112 , and 121 in which a plurality of oxide layers 111 , 112 and at least one metal layer 121 are alternately stacked are formed. (S30)

다음, 각 금속층(121)의 측면을 감싸는 보강부재(130)를 형성한다. (S40)Next, the reinforcing member 130 surrounding the side surface of each metal layer 121 is formed. (S40)

도 8d에 도시한 바와 같이, 보강부재(130)를 형성하는 단계(S40)는 다중층 구조물(111, 112, 121)의 측면에 도금재료(PM)를 도금하는 단계(S41)를 포함한다. As shown in FIG. 8D , the step of forming the reinforcing member 130 ( S40 ) includes plating the side surfaces of the multi-layer structures 111 , 112 , and 121 with a plating material PM ( S41 ).

이때, 도금재료(PM)는 하나의 금속층(121)을 이루는 금속물질보다 부식 저항성이 더 높은 부식 방지용 원소를 포함한다. 또는, 도금재료(PM)는 금속물질에 포함된 적어도 하나의 원소를 더 포함할 수도 있다.In this case, the plating material PM includes a corrosion-preventing element having a higher corrosion resistance than a metal material constituting one metal layer 121 . Alternatively, the plating material PM may further include at least one element included in the metal material.

예시적으로, 금속층(121)이 Ag인 경우, 도금재료(PM)는 Sn이거나, 또는 Sn과 Ag일 수 있다.For example, when the metal layer 121 is Ag, the plating material PM may be Sn or Sn and Ag.

더불어, 도금재료(PM)는 투명 도전성 산화물질보다 금속물질과 더 큰 접착성을 가지므로, 외부에 노출된 적어도 하나의 금속층(121) 각각의 측면에 우선적으로 부착된다. 그리고, 금속층(121)의 측면에 부착된 도금재료(PM)는 금속층(121)의 금속물질과 결합함으로써, 합금으로 이루어진 보강부재(130)가 형성된다.In addition, since the plating material PM has greater adhesion to the metal material than the transparent conductive oxide material, it is preferentially attached to each side of the at least one metal layer 121 exposed to the outside. In addition, the plating material PM attached to the side surface of the metal layer 121 is combined with the metal material of the metal layer 121 to form the reinforcing member 130 made of an alloy.

더불어, 도 8e에 도시한 바와 같이, 보강부재(130)를 형성하는 단계(S40)는 도금 공정(S41) 이후에, 도금재료(PM)의 내부확산을 위한 열처리를 실시하는 단계(S42)를 더 포함할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 8e, the step (S40) of forming the reinforcing member 130 is a step (S42) of performing a heat treatment for internal diffusion of the plating material (PM) after the plating process (S41). may include more.

이때, 열처리 공정(S42)은 도금재료(PM)의 녹는점 이상의 고온에서 실시될 수 있다. 그리고, 열처리 공정(S42)은 금속층(121)의 손상을 방지하기 위해, 금속층(121)을 이루는 금속물질의 녹는점 미만의 온도에서 실시될 수 있다.In this case, the heat treatment process S42 may be performed at a high temperature higher than the melting point of the plating material PM. In addition, the heat treatment process ( S42 ) may be performed at a temperature lower than the melting point of the metal material constituting the metal layer 121 in order to prevent damage to the metal layer 121 .

이러한 열처리 공정(S42)에 의해, 각 금속층(121)의 금속물질과 도금재료(PM) 간의 결합이 보다 견고해질 수 있으므로, 보강부재(130)와 금속층(121) 간의 점착력이 향상될 수 있다. By the heat treatment process ( S42 ), the bond between the metal material and the plating material PM of each metal layer 121 can be made stronger, so that the adhesive force between the reinforcing member 130 and the metal layer 121 can be improved.

이상과 같이, 보강부재(130)를 형성하는 단계(S40)는 증착공정과 마스크공정을 수반하지 않으므로, 공정의 단순화에 보다 적합하다.As described above, since the step S40 of forming the reinforcing member 130 does not involve a deposition process and a mask process, it is more suitable for simplification of the process.

이어서, 도 8f에 도시한 바와 같이, 패턴마스크(MASK)를 제거함(S50)으로써, 투명전극(100)의 제조가 완료된다. Subsequently, as shown in FIG. 8F , the transparent electrode 100 is manufactured by removing the pattern mask MASK ( S50 ).

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is known in the art to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of

100: 투명전극 SUB: 기판
111, 112, 113: 복수의 산화물층
121, 122: 적어도 하나의 금속층
130: 보강부재 110: 복수의 산화물 재료층
120: 적어도 하나의 금속 재료층
MASK: 패턴마스크 PM: 도금재료100: transparent electrode SUB: substrate
111, 112, 113: a plurality of oxide layers
121, 122: at least one metal layer
130: reinforcing member 110: a plurality of oxide material layers
120: at least one metal material layer
MASK: Pattern mask PM: Plating material

Claims

각각 주석(Sn)을 포함한 투명 도전성 산화물질로 이루어지며, 제 1 폭을 갖는 제 1 및 제 2 산화물층;
상기 제 1 및 제 2 산화물층 사이에 상기 제 1 및 제 2 산화물층 각각보다 얇은 두께로 삽입되고, 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 가지며 은(Ag)을 포함한 금속물질로 이루어진 제 1 금속층; 및
상기 제 1 금속층의 측면 전체에서, 상기 제 1 금속층과 상기 제 1 및 제 2 산화물층의 폭 차이를 갖는 영역을 채우고 하부 및 상부로 연장되어 상기 제 1 및 제 2 산화물층의 측면 일부에 구비된 제 1 보강부재를 포함하며,
상기 제 1 보강부재는 주석(Sn)과 은(Ag)의 합금으로 형성되는 투명전극.first and second oxide layers each made of a transparent conductive oxide material including tin (Sn) and having a first width;
The first metal layer is inserted between the first and second oxide layers to a thickness smaller than each of the first and second oxide layers, has a second width smaller than the first width, and is made of a metallic material including silver (Ag). ; and
On the entire side surface of the first metal layer, it fills a region having a width difference between the first metal layer and the first and second oxide layers and extends downward and upward, provided on a portion of the side surface of the first and second oxide layers It includes a first reinforcing member,
The first reinforcing member is a transparent electrode formed of an alloy of tin (Sn) and silver (Ag).

제 1 항에 있어서,
상기 제 2 산화물층 상에 상기 제 2 폭이며 상기 제 1 금속층과 동일 물질의 제 2 금속층;
상기 제 2 금속층 상에 주석을 포함한 투명 도전성 산화물질로 이루어지며, 의 상기 제 1 폭의 제 3 산화물층; 및
상기 제 2 금속층의 측면 전체에서, 상기 제 2 금속층과 상기 제 2 및 제 3 산화물층의 폭 차이를 갖는 영역을 채우고 하부 및 상부로 연장되어 상기 제 2 및 제 3 산화물층의 측면 일부에 구비된 제 2 보강부재를 더 포함하고,
상기 제 1 보강 부재와 상기 제 2 보강 부재는 서로 이격되며, 동일한 합금으로 이루어지는 투명전극.The method of claim 1,
a second metal layer of the second width and of the same material as that of the first metal layer on the second oxide layer;
a third oxide layer of the first width made of a transparent conductive oxide material including tin on the second metal layer; and
On the entire side surface of the second metal layer, it fills a region having a width difference between the second metal layer and the second and third oxide layers, and extends downward and upward, provided on a portion of the side surface of the second and third oxide layers Further comprising a second reinforcing member,
The first reinforcing member and the second reinforcing member are spaced apart from each other, and a transparent electrode made of the same alloy.

제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 산화물층은 각각 ITO 또는, FTO로 이루어지는 투명전극.
The method of claim 1,
The first and second oxide layers are each made of ITO or FTO, a transparent electrode.

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주석을 포함한 투명 도전성 산화물질로 이루어진 복수의 산화물 재료층과, 은을 포함한 금속물질로 이루어진 적어도 하나의 금속 재료층을 교번하되 최상층과 최하층이 상기 산화물 재료층이 되도록 하여, 기판의 전면 상에 적층하는 단계;
상기 복수의 산화물 재료층 중 기판으로부터 가장 멀리 이격된 상기 최상층의 산화물 재료층 상에 패턴마스크를 형성하는 단계;
상기 패턴마스크를 이용한 상태에서, 상기 복수의 산화물 재료층과 상기 적어도 하나의 금속 재료층을 일괄적으로 패터닝하여, 제 1 폭의 복수의 산화물층과 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭의 적어도 하나의 금속층이 교번하여 적층된 다중층 구조물을 형성하는 단계;
상기 다중층 구조물에서, 상기 적어도 하나의 금속층의 측면 전체에 대해, 상기 적어도 하나의 금속층과 상기 복수의 산화물층간 폭 차이를 갖는 영역을 채우고 상기 금속층에서 상하로 연장되어 상기 금속층과 접한 2개의 산화물층의 측면 일부에 보강부재를 형성하는 단계; 및
상기 패턴마스크를 제거하는 단계를 포함하며,
상기 보강부재를 형성하는 단계는, 상기 다중층 구조물의 측면에 주석(Sn)과 은(Ag)의 합금의 도금재료를 도금하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법.
A plurality of oxide material layers made of a transparent conductive oxide material including tin and at least one metal material layer made of a metallic material including silver are alternately laminated on the entire surface of the substrate such that the uppermost layer and the lowermost layer are the oxide material layers to do;
forming a pattern mask on the uppermost oxide material layer farthest from the substrate among the plurality of oxide material layers;
In a state in which the pattern mask is used, the plurality of oxide material layers and the at least one metal material layer are collectively patterned to form a plurality of oxide layers having a first width and at least one having a second width smaller than the first width. forming a multi-layer structure in which metal layers are alternately stacked;
In the multi-layer structure, with respect to the entire side surface of the at least one metal layer, two oxide layers extending vertically from the metal layer and in contact with the metal layer and filling a region having a width difference between the at least one metal layer and the plurality of oxide layers Forming a reinforcing member on a portion of the side of the; and
removing the pattern mask,
The forming of the reinforcing member comprises plating a plating material of an alloy of tin (Sn) and silver (Ag) on the side surface of the multi-layer structure.

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제 5 항에 있어서,
상기 복수의 산화물층은 각각 ITO 또는 FTO인 투명전극의 제조방법.
6. The method of claim 5,
The plurality of oxide layers are each ITO or FTO manufacturing method of a transparent electrode.

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제 5 항에 있어서,
상기 보강부재를 형성하는 단계는, 상기 도금재료를 도금하는 단계 이후에 상기 도금재료의 내부확산을 위한 열처리를 실시하는 단계를 더 포함하는 투명전극의 제조방법.
6. The method of claim 5,
The forming of the reinforcing member may further include performing heat treatment for internal diffusion of the plating material after the plating of the plating material.

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상호 대향한 제 1 및 제 2 지지기판;
상기 제 1 지지기판 상에 구비된 복수개의 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막; 및
상기 보호막 내의 콘택홀을 통해 상기 복수개의 박막 트랜지스터 중 하나와 접속되며, 청구항 제 1 항 내지 제 3항 중 어느 하나에 따른 투명 전극으로 이루어진 화소 전극을 포함한 영상표시장치.first and second support substrates opposed to each other;
a plurality of thin film transistors provided on the first support substrate;
a protective film covering the thin film transistor; and
An image display device including a pixel electrode connected to one of the plurality of thin film transistors through a contact hole in the passivation layer and made of the transparent electrode according to any one of claims 1 to 3.

서로 대향되어 구비된 제 1 전극 및 제 2 전극;
상기 제 2 전극 측에 인접한 지지기판; 및
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 끼워진 액티브층을 포함하며,
상기 제 1 전극은 청구항 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나에 따른 투명 전극인 광전소자.a first electrode and a second electrode provided to face each other;
a support substrate adjacent to the second electrode; and
an active layer sandwiched between the first electrode and the second electrode;
The first electrode is an optoelectronic device that is a transparent electrode according to any one of claims 1 to 3.