KR102342718B1 - Red light emitting device and lighting system - Google Patents
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Abstract
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치에 관한 것이다.
실시예는 오믹층(141)을 포함하는 제2 전극층(140); 상기 제2 전극층(140) 상에 배치되며, 상기 오믹층(141)과 전기적으로 연결되는 발광구조물(110); 상기 발광구조물(110) 상에 배치되는 패드전극(174); 및 상기 오믹층(141)과 상기 발광구조물(110)사이에 배치되는 제1 반사층(150);을 포함할 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device.
The embodiment includes a second electrode layer 140 including an ohmic layer 141; a light emitting structure 110 disposed on the second electrode layer 140 and electrically connected to the ohmic layer 141; a pad electrode 174 disposed on the light emitting structure 110; and a first reflective layer 150 disposed between the ohmic layer 141 and the light emitting structure 110 .
Description
실시예는 적색 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a red light emitting device, a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.
발광소자(Light Emitting diode: LED)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 반도체화합물의 도펀트가 화합하여 생성될 수 있고, 반도체화합물의 조성비를 조절함으로써 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 또는 적색(RED) 발광소자 등 다양한 색상 구현이 가능하다.A light emitting diode (LED) is a pn junction diode that converts electrical energy into light energy. It can be created by combining dopants of a semiconductor compound on the periodic table, and by controlling the composition ratio of the semiconductor compound, blue (Blue) Various colors such as a light emitting device, a green light emitting device, an ultraviolet (UV) light emitting device, or a red (RED) light emitting device can be implemented.
예를 들어, 적색 발광소자로서 AlGaInP계 발광다이오드가 있으며, 이는 주입되는 전기에너지를 약 570nm 내지 약 630nm 범위 내의 파장을 가진 광으로 변환시킬 수 있다. 파장변화는 발광다이오드가 가지는 밴드 갭에너지 크기에 의해 좌우되는데, 밴드갭 크기는 Al과 Ga의 조성비를 변화시킴으로써 조절될 수 있고, Al의 조성비를 증가시킬수록 파장이 짧아질 수 있다.For example, there is an AlGaInP-based light emitting diode as a red light emitting device, which can convert injected electric energy into light having a wavelength within a range of about 570 nm to about 630 nm. The change in wavelength depends on the size of the band gap energy of the light emitting diode, and the size of the band gap can be adjusted by changing the composition ratio of Al and Ga, and the wavelength can be shortened as the composition ratio of Al is increased.
한편, 최근 AlGaInP계 적색 LED는 High CRI(Color Rendering Index) 조명광원 또는 차량용 광원으로 적용영역이 확대되고 있으며, 이에 따른 시장경쟁이 심화되고 있어, 높은 광 출력 확보 또는 전기적 신뢰성 확보가 중요한 이슈로 대두되고 있다.On the other hand, recently, AlGaInP-based red LEDs are being applied to high CRI (Color Rendering Index) lighting sources or vehicle light sources, and market competition is intensifying accordingly. is becoming
종래기술의 적색 LED에는 본딩 타입(Bonding Type)의 AlGaInP LED와 성장타입(As Grown type) LED가 있는데, 본딩 타입의 AlGaInP LED의 구조는 금속 반사층(Metal Reflector)과 에피층(Epi layer) 계면에 오믹 컨택(Ohmic contact)을 위해 메탈 도트(Metal Dot)을 형성한다.The prior art red LED includes a bonding type AlGaInP LED and an As Grown type LED. The structure of the bonding type AlGaInP LED is at the interface between the metal reflector and the epi layer. A metal dot is formed for an ohmic contact.
이러한 메탈도트는 동작전압(VF3)에 밀접한 관계가 있는데, 안정적인 동작전압을 확보하기 위해서는 메탈도트의 수 또는 면적을 증가 시켜야 한다.These metal dots are closely related to the operating voltage VF3, and in order to secure a stable operating voltage, the number or area of the metal dots must be increased.
그런데 이러한 메탈도트는 광흡수 성질이 있어서 메탈도트의 수 또는 면적이 증가함에 따라 광흡수에 의해 광추출 효율(Light Extraction Efficiency) 저하되는 문제가 있다.However, since these metal dots have light absorption properties, there is a problem in that light extraction efficiency decreases due to light absorption as the number or area of the metal dots increases.
실시예는 광추출 효율이 우수한 적색 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치를 제공하고자 한다.Embodiments are to provide a red light emitting device having excellent light extraction efficiency, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device.
또한 실시예는 광추출 효율이 우수하면서 전기적 특성도 향상된 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치를 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device having excellent light extraction efficiency and improved electrical properties, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device.
실시예에 따른 적색 발광소자는 오믹층(141)을 포함하는 제2 전극층(140); 상기 제2 전극층(140) 상에 배치되며, 상기 오믹층(141)과 전기적으로 연결되는 발광구조물(110); 상기 발광구조물(110) 상에 배치되는 패드전극(174); 및 상기 오믹층(141)과 상기 발광구조물(110)사이에 배치되는 제1 반사층(150);을 포함할 수 있다. 상기 제1 반사층(150)은 반도체 반사층을 포함할 수 있다.A red light emitting device according to an embodiment includes a
실시예에 따른 조명장치는 상기 적색 발광소자를 구비하는 발광유닛을 포함할 수 있다.The lighting device according to the embodiment may include a light emitting unit including the red light emitting device.
실시예는 광추출 효율이 우수한 적색 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a red light emitting device having excellent light extraction efficiency, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device.
또한 실시예는 광추출 효율이 우수하면서 전기적 특성도 향상된 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment can provide a light emitting device having excellent light extraction efficiency and improved electrical properties, a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device.
도 1은 제1 실시예에 따른 적색 발광소자의 단면도.
도 2는 실시예에 따른 적색 발광소자의 부분 확대도.
도 3은 제2 실시예에 따른 적색 발광소자의 단면도.
도 4는 제3 실시예에 따른 적색 발광소자의 단면도.
도 5는 제4 실시예에 따른 적색 발광소자의 단면도.
도 6 내지 도 11은 실시예에 따른 적색 발광소자의 제조공정 단면도.
도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 13은 실시예에 따른 조명 장치의 사시도.1 is a cross-sectional view of a red light emitting device according to a first embodiment;
2 is a partially enlarged view of a red light emitting device according to an embodiment;
3 is a cross-sectional view of a red light emitting device according to a second embodiment.
4 is a cross-sectional view of a red light emitting device according to a third embodiment.
5 is a cross-sectional view of a red light emitting device according to a fourth embodiment.
6 to 11 are cross-sectional views of a manufacturing process of a red light emitting device according to an embodiment.
12 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment;
13 is a perspective view of a lighting device according to an embodiment;
실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is “on/over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on, “on/over” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another layer. do. In addition, the reference for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings.
(실시예)(Example)
도 1은 제1 실시예에 따른 적색 발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a red light emitting device according to a first embodiment.
실시예에 따른 적색 발광소자는 제2 전극층(140), 발광구조물(110), 패드전극(174), 제1 반사층(150)을 포함할 수 있다. 상기 제1 반사층(150)은 반도체 반사층을 포함할 수 있다.The red light emitting device according to the embodiment may include a
예를 들어, 실시예에 따른 발광소자는 오믹층(141)을 포함하는 제2 전극층(140)과, 상기 제2 전극층(140) 상에 배치되며, 상기 오믹층(141)과 전기적으로 연결되는 발광구조물(110)과, 상기 발광구조물(110) 상에 배치되는 패드전극(174) 및 상기 오믹층(141)과 상기 발광구조물(110)사이에 배치되는 제1 반사층(150)을 포함할 수 있다.For example, the light emitting device according to the embodiment includes a
실시예에서 상기 제2 전극층(140)은 오믹층(141), 제2 반사층(142), 본딩층(144), 지지기판(146) 및 하부전극(148)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(142)은 금속 반사층을 포함할 수 있다.In an embodiment, the
상기 오믹층(141)은 반도체와 전기적인 접촉인 우수한 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층(141)은 Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다. The
상기 제2 반사층(142)은 전기적인 접촉이 우수하며 반사성이 높은 물질로 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(142)은 Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Ag, Ni, Al, Rh, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The second
상기 본딩층(144)은 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 니켈(Ni), 티탄(Ti), 금(Au) 또는 이들의 합금일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 지지부재(146)는 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등), 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The
상기 하부전극(148)은 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The
실시예에서 상기 발광구조물(110)은 제1 도전형 제1 반도체층(112), 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112) 아래에 배치되는 AlGaInP 계열 활성층(114) 및 상기 활성층(114) 아래에 배치되는 제2 도전형 제2 반도체층(116)을 포함하는 적색 발광구조물일 수 있다.In the embodiment, the
실시예는 상기 제2 도전형 제2 반도체층(116) 아래에 배치되는 제2 도전형 제3 반도체층(123), 제2 도전형 제4 반도체층(124), 및 제2 도전형 제5 반도체층(125)을 포함할 수 있다.In the embodiment, the second conductivity type
상기 제2 도전형 제3 반도체층(123)과 상기 제2 도전형 제4 반도체층(124)은 AlGaInP 계열 반도체층을 포함할 수 있고, 상기 제5 반도체층(125)은 제2 농도의 p형 GaP 계열층을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second conductivity type
실시예에서 상기 오믹층(141)은 상기 제1 반도체층(150)의 저면과 접하며, 상기 오믹층(141) 사이에 제3 반사층(132)이 배치될 수 있다. In an embodiment, the
실시예에서 상기 제3 반사층(132)은 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 금속계열 반사층(미도시)과 상기 금속계열 반사층 상에 배치되는 절연성 저굴절률층(미도시)를 포함한 구조일 수 있다. 상기 제3 반도체층(132)은 ODR(omni-directional reflectror) 기능을 할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the third
상기 금속계열 반사층은 예를 들어 Ag 또는 Al을 포함할 수 있으며, 상기 절연성 저굴절률층(미도시)은 SiO2, Si3N4, MgO과 같은 투명물질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The metal-based reflective layer may include, for example, Ag or Al, and the insulating low refractive index layer (not shown) may be a transparent material such as SiO 2 , Si 3 N 4 , or MgO, but is not limited thereto.
실시예에 따른 발광소자는 상기 오믹층(141)과 상기 발광구조물(110)사이에 배치되는 제1 반사층(150)을 포함할 수 있다. 상기 제1 반사층(150)은 반도체 반사층을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a first
도 2는 실시예에 따른 적색 발광소자의 제1 반사층(150)의 확대이다.2 is an enlarged view of the first
실시예에서 상기 제1 반사층(150)은 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(150)은 제1 굴절율을 갖는 제 1굴절층(150a)과 제1 굴절율보다 큰 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절층(150b)을 교대로 1쌍이상으로 적층한 초격자층을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 반사층(150)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the first
다시 도1을 참조하면, 실시예에서 상기 제1 반사층(150)은 단면을 기준으로 상호 이격된 복수의 영역을 포함할 수 있으며, 상기 제1 반사층(150)의 복수의 영역 사이에 상기 제3 반사층(132)이 배치될 수 있다.Referring back to FIG. 1 , in the embodiment, the first
종래기술에 의하면 ODR(omni directional reflector)형성 시 오믹컨택을 위해 형성된 메탈 도트(Metal Dot)들에 의하여 발광된 빛의 흡수가 발생하는 문제가 있다. 즉, 종래기술에 의하면 오믹컨택에 기여하는 오믹층이 발광된 빛의 흡수 부작용이 있어서 광추출 효율을 저하시키는 문제가 있다.According to the prior art, there is a problem in that light emitted by metal dots formed for ohmic contact is absorbed when an omni directional reflector (ODR) is formed. That is, according to the prior art, there is a problem in that the ohmic layer contributing to the ohmic contact has a side effect of absorbing the emitted light, thereby reducing the light extraction efficiency.
실시예에 의하면, 오믹층(141) 상에 반도체 반사층을 포함하는 제1 반사층(150)을 배치함으로써 오믹층으로 반사되는 빛을 반사시킴으로써 흡수될 광을 반사시켜 광추출 효율이 우수한 적색 발광소자를 제공할 수 있다.According to the embodiment, by disposing the first
이에 따라 실시예는 광추출 효율이 우수하면서 전기적 특성도 향상된 적색 발광소자를 제공할 수 있다.Accordingly, the embodiment can provide a red light emitting device having excellent light extraction efficiency and improved electrical characteristics.
다시 도 1을 기준으로 설명하면, 실시예는 상기 발광구조물(110) 상에 형성된 소정의 광추출 패턴(R)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 제1 반도체층(112) 상면에 건식 또는 습식 식각공정에 의해 러프니스를 형성하여 광추출 패턴(R)을 형성하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 광추출 패턴(R)은 오목 또는 볼록부를 포함하여 형성될 수 있으며, 제1 도전형 제1 반도체층(112)의 상면 전체 또는 일부에 형성될 수 있다.Referring back to FIG. 1 , the embodiment may include a predetermined light extraction pattern R formed on the
상기 제1 도전형 제1 반도체층(112) 상에 패드 전극(174)이 배치될 수 있다.A
실시예는 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112) 상에 상부 오믹층(171)을 개재하여, 가지전극(172)이 형성되고, 상기 가지전극(172) 상에 상기 패드 전극(174)이 형성될 수 있다.In the embodiment, a
상기 패드 전극(174)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 상기 제1 도전형 제2 반도체층(112) 및 상기 가지 전극(172)과 동시에 접할 수 있으며, 상기 패드 전극(174)이 상기 제1 도전형 제2 반도체층(112)과 접하는 부분은 쇼트키컨택(schottky contact) 등으로 인해 오믹컨택이 되지 않아 전류주입률이 낮아 전류확산이 이루어져 광 출력이 향상될 수 있다. 도 1에서는 상기 패드 전극(174)와 상기 제1 도전형 제2 반도체층(112)이 접하는 부분에는 광추출 패턴(R)이 형성되지 않은 것으로 도시되어 있으나 이에 한정하지 않고 광추출 패턴(R)이 형성되어 있는 영역에 상기 패드 전극(174)이 형성될 수도 있다. The
상기 상부 오믹층(171)은 반도체와 전기적인 접촉인 우수한 물질로 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 오믹층(171)은 Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The upper
상기 패드 전극(174)과 상기 가지 전극(172)은 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 발광구조물(110) 상면과 측면에 제1 패시베이션층(160)이 형성될 수 있으며, 상기 패드 전극(174) 측면과 상면의 일부에 제2 패시베이션층(162)이 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(110)의 측면 및 상기 패드 전극(174)의 측면은 경사지게 형성될 수도 있으며 이 경우 상기 제1 패시베이션층(160)과 제2 패시베이션층(162)는 경사진 측면을 따라 형성될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.A
상기 제1 패시베이션층(160), 상기 제2 패시베이션층(162)은 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 산화물, 질화물 등의 절연물로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
도 3은 제2 실시예에 따른 적색 발광소자의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a red light emitting device according to a second embodiment.
제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제2 실시예의 주된 특징 위주로 설명하기로 한다.The second embodiment may adopt the technical features of the first embodiment, and the main features of the second embodiment will be mainly described below.
제2 실시예에서 제1 반사층(152)의 수평폭은 제3 반사층(132)의 수평폭 보다 넓게 설정됨으로써, 오믹층(141)의 수평폭도 제3 반사층(132)의 수평폭 보다 넓게 설정될 수 있다. 이에 따라 실시예는 종래기술에 비해 넓은 분포를 가지는 오믹층(141)을 배치함으로써 오믹특성이 현저히 개선됨에 따라 전기적인 특성이 개선되어 발광효율이 향상될 수 있다.In the second embodiment, the horizontal width of the first
또한 실시예에 의하면 제1 반사층(152)의 수평폭을 제3 반사층(132)의 수평폭보다 넓게 설정됨으로써 빛이 상측으로 반사되는 영역을 넓힘으로써 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment, by setting the horizontal width of the first
도 4는 제3 실시예에 따른 적색 발광소자(103)의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the red light emitting device 103 according to the third embodiment.
제3 실시예는 제1 실시예 또는 제2 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제3 실시예의 기술적인 특징 위주로 설명하기로 한다.The third embodiment may employ the technical features of the first or second embodiment, and the technical features of the third embodiment will be mainly described below.
제3 실시예에서의 제1 반사층(154)의 수평폭은 상기 오믹층(141)의 수평폭 보다 넓을 수 있다.In the third embodiment, the horizontal width of the first
이에 따라 실시예에 의하면 제1 반사층(154)의 수평폭을 제3 반사층(132)의 수평폭뿐만 아니라 오믹층(141)의 수평폭에 보다 넓게 설정하여 오믹층(141)의 측면에 흡수될 수도 있는 빛도 차단하여 반사시킴으로써 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.Accordingly, according to the embodiment, the horizontal width of the first
도 5는 제4 실시예에 따른 적색 발광소자(104)의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the red light emitting device 104 according to the fourth embodiment.
제4 실시예는 제1 실시예, 제2 실시예 또는 제3 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제4 실시예의 기술적인 특징 위주로 설명하기로 한다.The fourth embodiment may employ the technical features of the first, second, or third embodiment, and will be mainly described below with respect to the technical features of the fourth embodiment.
제4 실시예에의 제1 반사층(156)은 오믹층(141)의 상면과 측면을 감쌀 수 있다.The first
이에 따라 실시예에 의하면 제1 반사층(156)의 수평폭이 제3 반사층(132)의 수평폭 및 오믹층(141)의 수평폭에 비해 넓게 설정함과 아울러 오믹층(141)의 측면을 감쌈으로써 오믹층(141)의 측면에 흡수될 수도 있는 빛을 더욱 차단하여 반사시킴으로써 광추출 효율을 매우 향상시킬 수 있다.Accordingly, according to the embodiment, the horizontal width of the first
이하, 도 6 내지 도 11을 참조하여 실시예에 따른 적색 발광소자의 제조방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a red light emitting device according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 6 to 11 .
먼저, 도 6과 같이 기판(102)을 준비한다. 상기 기판(102)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판일수 있다. 예를 들어, 상기 기판(102)은 GaAs, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge 및 Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 상기 기판(102)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다. 상기 기판(102) 상에 제1 도전형 제1 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 제2 반도체층(116)을 포함하는 발광구조물(110)이 형성될 수 있다.First, the
예를 들어, 실시예에서 상기 발광구조물(110)은 제1 도전형 제1 반도체층(112), 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112) 상에 배치되는 AlGaInP계열 활성층(114) 및 상기 활성층(114) 상에 배치되는 제2 도전형 제2 반도체층(116)을 포함하는 적색 발광구조물일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, in the embodiment, the
상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 반도체 화합물, 예를 들어 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity-type
상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 InxAlyGa1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 또는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. The first conductivity type
예를 들어, 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.For example, the first conductivity type
상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first conductivity type
이후, 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112) 상에 활성층(114)이 형성될 수 있다.Thereafter, an
상기 활성층(114)은 제1 도전형 제1 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 제2 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. In the
상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The
상기 활성층(114)은 양자우물/양자벽 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(114)은 GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The
실시예에서 활성층(114)의 양자우물의 조성은 (AlpGa1 -p)qIn1 - qP층(단, 0≤p≤1, 0≤q≤1)일 수 있으며, 양자벽의 조성은 (Alp1Ga1 - p1)q1In1 - q1P층(단, 0≤p1≤1, 0≤q1≤1)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The composition of the quantum well of the
다음으로, 상기 제2 도전형 제2 반도체층(116)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.Next, the second conductivity type
예를 들어, 상기 제2 도전형 제2 반도체층(116)은 InxAlyGa1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 또는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 제2 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.For example, the second conductivity type
실시예에서 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 제2 반도체층(116)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 실시예에서 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 p형 반도체층, 상기 제2 도전형 제2 반도체층(116)은 n형 반도체층으로 구현될 수도 있다.In an embodiment, the first conductivity type
또한 상기 제2 도전형 제2 반도체층(116) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(110)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현될 수 있다.In addition, a semiconductor having a polarity opposite to that of the second conductivity type, for example, an n-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductivity type
다음으로, 상기 제2 도전형 제2 반도체층(116) 상에 제2 도전형 제3 반도체층(123), 제2 도전형 제4 반도체층(124), 제2 도전형 제5 반도체층(125)이 형성될 수 있다.Next, on the second conductivity type
상기 제2 도전형 제3 반도체층(123)과 상기 제2 도전형 제4 반도체층(124)은 AlGaInP 계열 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제5 반도체층(125)은 제2 농도의 p형 GaP 계열층을 포함할 수 있다.The second conductivity type
실시예에 따른 적색 발광소자에게 상기 제2 도전형 제4 반도체층(124)의 Al의 조성은 상기 제2 도전형 제3 반도체층(123)의 Al의 조성보다 낮을 수 있다. In the red light emitting device according to the embodiment, the Al composition of the second conductivity-type
상기 제2 도전형 제4 반도체층(124)의 밴드갭 에너지는 상기 제2 도전형 제3 반도체층(123)의 밴드갭 에너지보다 작을 수 있다. 또한 상기 제2 도전형 제4 반도체층(124)의 밴드갭 에너지는 상기 제2 도전형 제5 반도체층(125)의 밴드갭 에너지보다 클 수 있다.The bandgap energy of the second conductivity type
실시예에 의하면, 상기 제2 도전형 제3 반도체층(123)과 상기 제2 도전형 제5 반도체층(125) 사이에 제2 도전형 제4 반도체층(124)을 배치하여 에너지 밴드갭(Energy Band Gap) 버퍼층(buffer Layer) 역할을 할 수 있다.According to the embodiment, the second conductivity type
또한 실시예에 의하면, 상기 제2 도전형 제3 반도체층(123)과 상기 제2 도전형 제5 반도체층(125) 사이에 제2 도전형 제4 반도체층(124)을 배치하여 상기 제2 도전형 제3 반도체층(123)과 상기 제2 도전형 제5 반도체층(125) 사이의 스트레인(strain) 완화로 발광소자의 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment, a second conductivity type
실시예에서 상기 제2 도전형 제5 반도체층(125)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, GaP층/InxGa1 - xP층의 초격자구조를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the second conductivity-type
상기 제2 도전형 제5 반도체층(125)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 제3 GaP층(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도전형 도펀트일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second conductivity-type
다음으로, 도 7과 같이, 상기 상기 제2 도전형 제5 반도체층(125) 상에 제1 반사층(150)과 오믹층(141)을 순차적으로 형성하고, 소정의 식각마스크(미도시)를 이용하여 상기 제1 반사층(150)과 상기 오믹층(141)을 패터닝한 후, 제3 반사층(132)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 7 , a first
상기 제1 반사층(150)은 제1 굴절율을 갖는 제 1굴절층(150a)과 제1 굴절율보다 큰 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절층(150b)을 교대로 1쌍이상 적층하여 초격자층을 형성할 수 있다.The first
또한 상기 제1 반사층(150)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Also, the first
상기 제1 반사층(150)은 기존 형성된 발광구조물(110)과 함께 MOCVD에서 인시튜(in situ)로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first
상기 제1 반사층(150)은 AlAs층/AlGaAs층을 포함할 수 있고, 상기 제1 반사층(150)에는 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first
상기 오믹층(141)은 반도체와 전기적인 접촉인 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층(141)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The
실시예에서 상기 오믹층(141)은 상기 제2 도전형 제5 반도체층(125)과 부분적으로 접촉할 수 있으며, 상기 오믹층(141) 사이에 제3 반사층(132)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층(141)은 반도체와 전기적인 접촉인 우수한 물질로 형성될 수 있다. In an embodiment, the
실시예에서 상기 제3 반사층(132)은 금속계열 반사층(미도시)과 상기 금속계열 반사층 상에 배치되는 절연성 저굴절률층(미도시)를 포함한 구조일 수 있다. 상기 금속계열 반사층은 Ag 또는 Al일 수 있으며, 상기 절연성 저굴절률층은 SiO2, Si3N4, MgO과 같은 투명물질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the third
종래기술에 의하면 오믹컨택에 기여하는 오믹층이 발광된 빛의 흡수 부작용이 있어서 광추출 효율을 저하시키는 문제가 있다.According to the prior art, there is a problem in that the ohmic layer contributing to the ohmic contact has a side effect of absorbing the emitted light, thereby reducing the light extraction efficiency.
실시예에 의하면, 도 1을 기준으로 오믹층(141) 상에 제1 반사층(150)을 배치함으로써 오믹층으로 반사되는 빛을 반사시킴으로써 흡수될 광을 반사시켜 광추출 효율이 우수한 적색 발광소자를 제공할 수 있다. 이에 따라 실시예는 광추출 효율이 우수하면서 전기적 특성도 향상된 적색 발광소자를 제공할 수 있다.According to the embodiment, by arranging the first
또한 도 3을 기준으로 제2 실시예에서 제1 반사층(152)의 수평폭은 제3 반사층(132)의 수평폭 보다 넓게 설정됨으로써, 오믹층(141)의 수평폭도 제3 반사층(132)의 수평폭 보다 넓게 설정될 수 있다. 이에 따라 실시예는 종래기술에 비해 넓은 분포를 가지는 오믹층(141)을 배치함으로써 오믹특성이 현저히 개선됨에 따라 전기적인 특성이 개선되어 발광효율이 향상될 수 있다.In addition, in the second embodiment based on FIG. 3 , the horizontal width of the first
또한 도 4를 기준으로 제3 실시예에서의 제1 반사층(154)의 수평폭은 상기 오믹층(141)의 수평폭 보다 넓을 수 있고, 이에 따라 제1 반사층(154)의 수평폭을 제3 반사층(132)의 수평폭뿐만 아니라 오믹층(141)의 수평폭에 보다 넓게 설정하여 오믹층(141)의 측면에 흡수될 수도 있는 빛도 차단하여 반사시킴으로써 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, based on FIG. 4 , the horizontal width of the first
또한 도 5를 기준으로, 제4 실시예에 의하면 제1 반사층(156)의 수평폭이 제3 반사층(132)의 수평폭 및 오믹층(141)의 수평폭에 비해 넓게 설정함과 아울러 오믹층(141)의 측면을 감쌈으로써 오믹층(141)의 측면에 흡수될 수도 있는 빛을 더욱 차단하여 반사시킴으로써 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.5, according to the fourth embodiment, the horizontal width of the first
다음으로, 도 8과 같이, 발광구조물(110) 상측에 제2 전극층(140)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 8 , the
상기 제2 전극층(140)은 상기 오믹층(141), 제2 반사층(142), 본딩층(144), 지지기판(146) 및 하부전극(148)을 포함할 수 있다.The
상기 제2 반사층(142)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전기적인 접촉이 우수하며 반사성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(142)은 Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Ag, Ni, Al, Rh, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The second
상기 본딩층(144)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 니켈(Ni), 티탄(Ti), 금(Au) 또는 이들의 합금일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 지지부재(146)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등), 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The
상기 하부전극(148)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The
다음으로, 도 9와 같이, 상기 기판(102)을 제거하여 제1 도전형 제1 반도체층(112)을 노출시킬 수 있다. 상기 기판(102)을 제거하는 방법은 고출력의 레이저를 이용하여 기판을 분리하거나 화학적 식각 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(102)은 물리적으로 갈아냄으로써 제거할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 9 , the
예를 들어, 레이저 리프트 오프 방법은 상온에서 소정의 에너지를 가해주게 되면 상기 기판(102)과 발광구조물(110)의 계면에서 에너지가 흡수되어 발광구조물의 접합표면이 열분해 되어 기판(102)과 발광구조물(110)을 분리할 수 있다.For example, in the laser lift-off method, when a predetermined energy is applied at room temperature, energy is absorbed at the interface between the
다음으로, 도 10과 같이, 상기 제1 도전형 제1 반동체층(112) 상에 소정의 광추출 패턴(R)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 제1 반도체층(112) 상면에 건식 또는 습식 식각공정에 의해 러프니스를 형성하여 광추출 패턴(R)을 형성하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.Next, as shown in FIG. 10 , a predetermined light extraction pattern R may be formed on the first conductive type
다음으로 도 11과 같이, 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112) 상에 패드 전극(174)이 배치될 수 있다.Next, as shown in FIG. 11 , a
실시예는 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112) 상에 상부 오믹층(171)을 개재하여, 가지전극(172)이 형성되고, 상기 가지전극(172) 상에 상기 패드 전극(174)이 형성될 수 있다.In the embodiment, a
상기 패드 전극(174)은 상기 제1 도전형 제2 반도체층(112) 및 상기 가지 전극(172)과 동시에 접할 수 있으며, 상기 패드 전극(174)이 상기 제1 도전형 제2 반도체층(112)과 접하는 부분은 쇼키컨택 등으로 인해 오믹컨택이 되지 않아 전류주입률이 낮아 전류확산이 이루어져 광 출력이 향상될 수 있다. The
상기 상부 오믹층(171)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 반도체와 전기적인 접촉인 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 오믹층(171)은 Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The upper
상기 패드 전극(174)과 상기 가지 전극(172)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 발광구조물(110) 상면과 측면에 제1 패시베이션층(160)이 형성될 수 있으며, 상기 패드 전극(174) 측면과 상면의 일부에 제2 패시베이션층(162)이 형성될 수 있다.A
상기 제1 패시베이션층(160), 상기 제2 패시베이션층(162)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 산화물, 질화물 등의 절연물로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
실시예에 따른 발광소자는 패키지 형태로 복수개가 기판 상에 어레이될 수 있으며, 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다.A plurality of light emitting devices according to the embodiment may be arrayed on a substrate in the form of a package, and optical members such as a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, etc. may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package.
실시예에 따른 발광소자는 백라이트 유닛, 조명 유닛, 디스플레이 장치, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device according to the embodiment may be applied to a backlight unit, a lighting unit, a display device, an indicator device, a lamp, a street lamp, a vehicle lighting device, a vehicle display device, a smart watch, and the like, but is not limited thereto.
도 12는 실시예들에 따른 적색 발광소자가 설치된 발광소자 패키지(200)를 설명하는 도면이다.12 is a view for explaining a light emitting
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 적색 발광소자(100)와, 형광체(232)를 구비하여 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(240)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 제3 전극층(213)은 와이어(230)에 의해 상기 적색 발광소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 적색 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 적색 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The
상기 적색 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The red
실시예에 따른 적색 발광소자는 백라이트 유닛, 조명 유닛, 디스플레이 장치, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The red light emitting device according to the embodiment may be applied to a backlight unit, a lighting unit, a display device, an indicator device, a lamp, a street lamp, a vehicle lighting device, a vehicle display device, a smart watch, and the like, but is not limited thereto.
도 13은 실시예에 따른 조명시스템의 분해 사시도이다.13 is an exploded perspective view of a lighting system according to an embodiment.
실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to the embodiment may include a
상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다. 상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. The light source module 2200 may include a light source unit 2210 , a
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다. 상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The power supply unit 2600 may include a
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment pertains may find several not illustrated above within the range that does not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.
제2 전극층(140), 오믹층(141), 제2 반사층(142), 본딩층(144), 지지기판(146),
하부전극(148), 제2 도전형 제3 반도체층(123),
제2 도전형 제4 반도체층(124), 제2 도전형 제5 반도체층(125),
발광구조물(110), 제1 도전형 제1 반도체층(112), AlGaInP계열 활성층(114),
제2 도전형 제2 반도체층(116), 패드전극(174), 제1 반사층(150)The
The
The second conductivity type
The second conductivity type
Claims (11)
상기 제2 전극층 상에 배치되며, 상기 오믹층과 전기적으로 연결되는 발광구조물;
상기 발광구조물 상에 배치되는 패드전극; 및
상기 오믹층과 상기 발광구조물 사이에 배치되는 복수의 제1 반사층;을 포함하며,
상기 발광구조물은
제1 도전형 제1 반도체층;
상기 제1 도전형 제1 반도체층 상에 배치되는 활성층; 및
상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형 제2 반도체층;을 포함하고,
상기 제1 반사층은 반도체 반사층을 포함하고,
상기 복수의 제1 반사층 사이 영역에 배치되는 제3 반사층을 포함하고,
상기 제1 반사층의 수평 폭은 상기 오믹층의 수평 폭보다 크고,
상기 제3 반사층은 상기 오믹층의 측면과 접하는 제1 영역 및 상기 제1 반사층의 측면과 접하는 제2 영역을 포함하고,
상기 제3 반사층에서 상기 제1 영역의 수평 폭은 상기 제2 영역의 수평 폭보다 작고,
상기 제1 반사층의 일부는 상기 제3 반사층의 제1 영역과 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치되는 적색 발광소자.a second electrode layer including an ohmic layer;
a light emitting structure disposed on the second electrode layer and electrically connected to the ohmic layer;
a pad electrode disposed on the light emitting structure; and
a plurality of first reflective layers disposed between the ohmic layer and the light emitting structure;
The light emitting structure is
a first conductive type first semiconductor layer;
an active layer disposed on the first conductivity type first semiconductor layer; and
a second conductivity-type second semiconductor layer disposed on the active layer;
The first reflective layer includes a semiconductor reflective layer,
a third reflective layer disposed in a region between the plurality of first reflective layers;
A horizontal width of the first reflective layer is greater than a horizontal width of the ohmic layer,
The third reflective layer includes a first region in contact with a side surface of the ohmic layer and a second region in contact with a side surface of the first reflective layer,
In the third reflective layer, a horizontal width of the first region is smaller than a horizontal width of the second region,
A portion of the first reflective layer is disposed in a region overlapping the first region of the third reflective layer in a vertical direction.
상기 제1 반사층은
제1 굴절율을 갖는 제 1굴절층과 제1 굴절율보다 큰 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절층을 교대로 1쌍이상으로 적층한 초격자층을 포함하는 적색 발광소자.According to claim 1,
The first reflective layer is
A red light emitting device comprising a superlattice layer in which one or more pairs of a first refractive layer having a first refractive index and a second refractive layer having a second refractive index greater than the first refractive index are alternately stacked.
상기 제1 반사층의 수평폭은 상기 제3 반사층의 수평폭보다 넓은 적색 발광소자.According to claim 1,
A horizontal width of the first reflective layer is wider than a horizontal width of the third reflective layer.
상기 제2 전극층은 상기 오믹층 아래에 배치되는 제2 반사층을 더 포함하고,
상기 오믹층 및 상기 제3 반사층은 상기 제2 반사층의 상면과 직접 접촉하고,
상기 제1 반사층은 상기 제2 반사층과 이격되는 적색 발광소자.According to claim 1,
The second electrode layer further includes a second reflective layer disposed under the ohmic layer,
The ohmic layer and the third reflective layer are in direct contact with the upper surface of the second reflective layer,
The first reflective layer is a red light emitting device spaced apart from the second reflective layer.
상기 제2 전극층 상에 배치되며, 상기 오믹층과 전기적으로 연결되는 발광구조물;
상기 발광구조물 상에 배치되는 패드전극; 및
상기 오믹층과 상기 발광구조물 사이에 배치되는 복수의 제1 반사층;을 포함하며,
상기 발광구조물은
제1 도전형 제1 반도체층;
상기 제1 도전형 제1 반도체층 상에 배치되는 활성층; 및
상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형 제2 반도체층;을 포함하고,
상기 제1 반사층은 반도체 반사층을 포함하고,
상기 복수의 제1 반사층 사이 영역에 배치되는 제3 반사층을 포함하고,
상기 제3 반사층의 수평 폭은, 상기 오믹층 및 상기 제1 반사층의 수평 폭과 상이하고,
상기 제1 반사층은 상기 오믹층의 상면과 측면을 감싸는 적색 발광소자.a second electrode layer including an ohmic layer;
a light emitting structure disposed on the second electrode layer and electrically connected to the ohmic layer;
a pad electrode disposed on the light emitting structure; and
a plurality of first reflective layers disposed between the ohmic layer and the light emitting structure;
The light emitting structure is
a first conductive type first semiconductor layer;
an active layer disposed on the first conductivity type first semiconductor layer; and
a second conductivity-type second semiconductor layer disposed on the active layer;
The first reflective layer includes a semiconductor reflective layer,
a third reflective layer disposed in a region between the plurality of first reflective layers;
A horizontal width of the third reflective layer is different from a horizontal width of the ohmic layer and the first reflective layer,
The first reflective layer is a red light emitting device that surrounds an upper surface and a side surface of the ohmic layer.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |