KR102333617B1 - Substrate processing system - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 효율적으로 형성하는 것을 목적으로 한다.
소성 장치(132), 온도 조절 장치(134) 및 기판 반송 장치(122)는, 각각, 내부의 분위기가, 대기보다 낮은 미리 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 미리 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되는 처리 용기(200, 300, 400)와, 처리 용기(200, 300, 400) 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부(240, 320, 420)와, 처리 용기(200, 300, 400) 내를 배기하는 배기부(250, 330, 430)와, 처리 용기(200, 300, 400) 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기(263, 341, 441)를 구비하고, 상기 정제기(263, 341, 441)로 정제된 분위기를 처리 용기(200, 300, 400) 내로 되돌리는 가스 순환 시스템(260, 340, 440)을 갖는다. An object of the present invention is to efficiently form an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate.
The firing apparatus 132 , the temperature control apparatus 134 , and the substrate transfer apparatus 122 are a process in which the internal atmosphere is maintained in an atmosphere of a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere and a predetermined dew point temperature lower than the atmosphere, respectively. The vessels 200 , 300 , 400 , the gas supply units 240 , 320 , 420 for supplying an inert gas into the processing vessels 200 , 300 , and 400 , and a vessel for exhausting the interior of the processing vessels 200 , 300 , 400 . It has a base (250, 330, 430) and purifiers (263, 341, 441) for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the processing vessel (200, 300, 400), and the purifier (263, 341, 441) It has a gas circulation system (260, 340, 440) that returns the purified atmosphere into the processing vessel (200, 300, 400).
Description
본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 형성하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system for forming an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate.
유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는, 유기 EL(Electroluminescence)의 발광을 이용한 발광 다이오드이다. 최근, 이 유기 발광 다이오드를 이용한 유기 EL 디스플레이는, 박형 경량, 저소비전력이며, 또한 응답 속도, 시야각, 콘트라스트비의 면에서 우수하다는 등의 이점을 갖고 있기 때문에, 차세대의 플랫 패널 디스플레이(FPD)로서 주목받고 있다.An organic light emitting diode (OLED: Organic Light Emitting Diode) is a light emitting diode using light emission of organic EL (Electroluminescence). In recent years, organic EL displays using this organic light emitting diode have advantages such as thinness, light weight, low power consumption, and excellent response speed, viewing angle, and contrast ratio. is attracting attention.
유기 발광 다이오드는, 예컨대 기판 상의 양극과 음극 사이에, 유기층인 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 양극측으로부터 이 순서로 적층된 구조를 갖고 있다. 이러한 유기 발광 다이오드를 제조할 때, 특정한 유기층에 대해서는, 상기 유기층의 발광 효율이 저하되거나, 발광 수명이 짧아지는 등의 유기층의 열화를 억제하기 위해, 저산소 또한 저이슬점의 분위기하에서의 처리가 요구된다.The organic light emitting diode has, for example, a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, which are organic layers, are laminated in this order from the anode side between an anode and a cathode on a substrate. When manufacturing such an organic light emitting diode, for a specific organic layer, in order to suppress deterioration of the organic layer, such as a decrease in the luminous efficiency of the organic layer or a shortened light emission lifetime, treatment in an atmosphere of low oxygen and low dew point is required.
그래서, 예컨대 특허문헌 1에는, 이러한 저산소 저이슬점 분위기를 유지하는 것을 목적으로 한 유기 EL 디스플레이의 제조 장치가 개시되어 있다. 구체적으로는, 특허문헌 1의 제조 장치는, 밀봉 챔버 내부에 설치된 유기 EL 제조 라인과, 밀봉 챔버 내부에 질소 가스를 공급하는 수단과, 밀봉 챔버 내부에 공급된 질소 가스를 필터에 통과시켜 밀봉 챔버 내부로 되돌리는 수단을 갖고 있다.Then, the manufacturing apparatus of the organic electroluminescent display aimed at maintaining such a low oxygen low dew point atmosphere is disclosed by
그러나, 특허문헌 1에 기재된 제조 장치에서는, 유기 EL 제조 라인의 모든 처리에 있어서 저산소 저이슬점 분위기가 유지되기 때문에, 이러한 분위기 제어가 필요하지 않은 처리에 대해서도 저산소 저이슬점 분위기가 유지된다. 이 때문에, 예컨대 제조 장치의 기동시에는, 대량의 질소 가스가 필요하게 되어, 유기 EL 디스플레이의 제조 비용이 고액화한다. 특히, 최근의 유기 EL 디스플레이의 대형화에 따라, 챔버의 사이즈가 커지고 있으며, 질소 가스의 소비량의 영향은 현저히 나타난다.However, in the manufacturing apparatus of
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 효율적으로 형성하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to efficiently form an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 형성하는 기판 처리 시스템으로서, 상기 유기층을 기판 상에 도포하고, 또한 상기 유기층을 건조시킨 후, 상기 유기층을 소성하는 소성 장치와, 상기 소성 장치로 상기 유기층을 소성한 후, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와, 상기 소성 장치와 상기 온도 조절 장치에 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 가지며, 상기 소성 장치, 상기 온도 조절 장치 및 상기 기판 반송 장치는, 각각, 내부의 분위기가, 대기보다 낮은 미리 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 미리 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부와, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리는 가스 순환 시스템을 갖는 것을 특징으로 하고 있다. In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate processing system for forming an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate, wherein the organic layer is coated on the substrate and the organic layer is dried, followed by firing the organic layer an apparatus, a temperature control device for regulating a temperature of a substrate after firing the organic layer with the firing device; Each of the adjusting device and the substrate transport device includes: a processing vessel in which an atmosphere therein is maintained in an atmosphere having a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere and a predetermined dew point temperature lower than the atmosphere; and supplying an inert gas into the processing vessel A gas circulation system comprising: a gas supply unit; an exhaust unit for exhausting the inside of the processing container; is characterized by
발명자들이 예의 검토한 결과, 특정한 유기층, 예컨대 정공 수송층과 발광층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리할 때에, 저산소 또한 저이슬점의 분위기가 필요한 것을 알 수 있었다. 본 발명의 기판 처리 시스템에서는, 열처리를 행하는 소성 장치와 온도 조절 장치, 및 이들 소성 장치와 온도 조절 장치에 기판을 반송하는 기판 반송 장치에 있어서, 가스 순환 시스템이 설치되어 있다. 그러면, 이들 장치에 있어서는, 예컨대 가스 공급부를 이용하여 처리 용기의 분위기를 불활성 가스로 치환한 후, 가스 순환 시스템을 이용하여 처리 용기의 분위기를 리사이클할 수 있다. 그리고, 처리 용기의 분위기의 리사이클을 행하고 있는 동안, 처리 용기 내의 분위기가 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 기판의 열처리를 적절히 행할 수 있다. As a result of intensive studies by the inventors, it was found that a low oxygen and low dew point atmosphere is required when a specific organic layer, for example, a hole transport layer and a light emitting layer is applied on a substrate and then the substrate is heat treated. In the substrate processing system of the present invention, a gas circulation system is provided in a firing apparatus and a temperature control apparatus for performing heat treatment, and a substrate conveying apparatus for conveying a substrate to the firing apparatus and the temperature control apparatus. Then, in these apparatuses, after replacing the atmosphere of the processing vessel with an inert gas using, for example, a gas supply unit, the atmosphere of the processing vessel may be recycled using a gas circulation system. Then, while the atmosphere of the processing container is being recycled, the heat treatment of the substrate can be appropriately performed while the atmosphere in the processing container is maintained at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature.
게다가, 예컨대 소성 장치, 온도 조절 장치, 기판 반송 장치의 기동시, 즉 처리 용기 내의 분위기를 대기 분위기의 상태로부터 기동시킬 때에만, 가스 공급부로부터 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급한다. 한편, 통상 조업시에는, 처리 용기의 분위기를 리사이클하고, 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지할 수 있다. 따라서, 불활성 가스의 소비량을 소량으로 억제할 수 있고, 기판의 열처리를 효율적으로 행할 수 있다. In addition, the inert gas is supplied from the gas supply unit into the processing container only when, for example, the firing apparatus, the temperature control apparatus, and the substrate transfer apparatus are started, that is, when the atmosphere in the processing container is started from the atmospheric atmosphere. On the other hand, during normal operation, the atmosphere of the processing container can be recycled and the supply of the inert gas from the gas supply unit can be stopped. Therefore, the consumption amount of the inert gas can be suppressed to a small amount, and the heat treatment of the substrate can be performed efficiently.
상기 소성 장치에서의 처리 용기 내의 분위기 제어와, 상기 온도 조절 장치에서의 처리 용기 내의 분위기 제어와, 상기 기판 반송 장치에서의 처리 용기 내의 분위기 제어는 각각 개별적으로 행해져도 된다. The atmosphere control in the processing chamber in the firing apparatus, the atmosphere control in the processing chamber in the temperature control apparatus, and the atmosphere control in the processing chamber in the substrate transfer apparatus may be individually performed.
상기 소성 장치의 처리 용기 내의 압력과 상기 온도 조절 장치의 처리 용기 내의 압력은, 각각 대기보다 양압이고, 또한 상기 기판 반송 장치의 처리 용기 내의 압력보다 음압이어도 된다. The pressure in the processing container of the firing apparatus and the pressure in the processing container of the temperature control device may be a positive pressure than atmospheric pressure, respectively, and a negative pressure than a pressure inside the processing container of the substrate transport apparatus.
상기 기판 처리 시스템은, 상기 소성 장치의 처리 용기 내의 분위기, 상기 온도 조절 장치의 처리 용기 내의 분위기 및 상기 기판 반송 장치의 처리 용기 내의 분위기를 제어하는 제어부를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 행하도록, 상기 가스 공급부, 상기 배기부 및 상기 가스 순환 시스템을 제어해도 된다. The substrate processing system further includes a control unit configured to control an atmosphere in the processing chamber of the firing apparatus, an atmosphere in the processing chamber of the temperature control device, and an atmosphere in the processing chamber of the substrate transfer apparatus, wherein the control unit is configured to An atmosphere in which an inert gas is supplied into the processing vessel, the interior of the processing vessel is exhausted by the exhaust unit, and the atmosphere in the processing vessel is replaced with an inert gas, wherein the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere and the dew point temperature is lower than that of the atmosphere. a first step of: stopping the supply of the inert gas from the gas supply unit, returning the atmosphere purified by the purifier into the processing vessel using the gas circulation system, and changing the atmosphere in the processing vessel to a predetermined value The gas supply unit, the exhaust unit, and the gas circulation system may be controlled to perform the second step of maintaining the oxygen concentration at a predetermined dew point temperature.
상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 배관을 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어해도 된다.The gas circulation system further includes a pipe connecting the processing vessel and the purifier, and in the first step, the control unit converts the atmosphere in the pipe to the inert gas by the inert gas supplied from the gas supply unit in the first step. Alternatively, the oxygen concentration may be lower than that of the atmosphere, and control may be performed in an atmosphere having a dew point temperature lower than that of the atmosphere.
상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기가 상기 정제기를 통과하지 않도록 제어해도 된다.In the first step, the control unit may control so that the atmosphere in the processing container does not pass through the purifier.
상기 정제기는, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 복수의 정제통과, 상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와, 상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생하도록, 다른 가스 공급부와 상기 다른 배기부를 제어해도 된다. The purifier includes a plurality of purification tubes for removing oxygen and moisture from the atmosphere in the processing container, another gas supply unit for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas to the purification cylinder, and another exhaust unit for exhausting the interior of the purification cylinder. wherein, in the second process, the control unit supplies the regeneration gas from the other gas supply unit to the other purification cylinder while purifying the atmosphere in the processing vessel in one purification cylinder, and uses the other exhaust unit to provide the regenerated gas. The other gas supply unit and the other exhaust unit may be controlled so that the inside of the tablet cylinder is exhausted to regenerate the other tablet cylinder.
상기 기판 처리 시스템은, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계와, 상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과와 상기 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어해도 된다. The substrate processing system further includes an oxygen concentration meter for measuring an oxygen concentration of an atmosphere in the processing container, and a dew point thermometer for measuring a dew point temperature of an atmosphere in the processing container, wherein the control unit includes: a measurement result of the oxygen concentration meter and the You may control the atmosphere in the said processing container based on the measurement result of a dew point thermometer.
상기 기판 처리 시스템은, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 도어의 개폐를 제어해도 된다. The substrate processing system may further include a door for opening and closing the inside of the processing container to the outside, and the control unit may control opening and closing of the door based on a measurement result of the oxygen concentration meter.
상기 소성 장치가 구비하는 상기 가스 순환 시스템은, 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기를 냉각하는 냉각기와, 상기 냉각기로 냉각된 후이며 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기 중의 이물질을 제거하는 필터를 더 갖고 있어도 된다. The gas circulation system provided in the firing apparatus may further include a cooler for cooling the atmosphere before purification by the purifier, and a filter for removing foreign substances in the atmosphere after being cooled by the cooler and before purification by the purifier. .
상기 온도 조절 장치가 구비하는 상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절하는 온도 조절기를 더 갖고 있어도 된다.The gas circulation system included in the temperature controller may further include a temperature controller for adjusting the temperature of the atmosphere in the processing container.
본 발명에 의하면, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 적절하고 효율적으로 형성할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic layer of an organic light emitting diode can be formed suitably and efficiently on a board|substrate.
도 1은 유기 발광 다이오드의 제조 방법의 주된 공정을 도시한 플로우차트이다.
도 2는 유기 발광 다이오드의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 3은 유기 발광 다이오드의 격벽의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 5는 소성 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 6은 소성 장치, 온도 조절 장치, 및 제3 기판 반송 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 7은 정제기의 구성의 개략을 도시한 모식도이다.
도 8은 제1 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 9는 제1 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 10은 제2 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 11은 제2 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 12는 기판 처리 시스템 내에 발생하는 기류의 설명도이다. 1 is a flowchart showing the main steps of a method for manufacturing an organic light emitting diode.
2 is a side view schematically showing the configuration of an organic light emitting diode.
3 is a plan view schematically showing the configuration of a barrier rib of an organic light emitting diode.
4 is a plan view schematically showing the configuration of the substrate processing system according to the present embodiment.
Fig. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the firing apparatus.
It is explanatory drawing which showed the outline of the structure of a baking apparatus, a temperature control apparatus, and a 3rd board|substrate conveyance apparatus.
It is a schematic diagram which shows the outline of the structure of a refiner|purifier.
8 is an explanatory diagram illustrating atmosphere control in the first operation mode.
9 is an explanatory diagram illustrating atmosphere control in the first operation mode.
10 is an explanatory diagram illustrating atmosphere control in the second operation mode.
11 is an explanatory diagram illustrating atmosphere control in the second operation mode.
12 is an explanatory diagram of an airflow generated in the substrate processing system.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.
<1. 유기 발광 다이오드의 제조 방법><1. Manufacturing method of organic light emitting diode>
먼저, 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 도 1은 유기 발광 다이오드의 제조 방법의 주된 처리 플로우를 도시하고 있다.First, a method for manufacturing an organic light emitting diode will be described. 1 shows a main processing flow of a method for manufacturing an organic light emitting diode.
먼저, 도 2에 도시한 바와 같이 유기 발광 다이오드(1)를 제조할 때에는, 기판으로서의 유리 기판(G) 상에 양극(애노드)(10)이 형성된다(도 1의 공정 S1). 양극(10)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 한편, 양극(10)에는, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 투명 전극이 이용된다. First, when manufacturing the organic
그 후, 양극(10) 상에 도 3에 도시한 바와 같이 격벽(20)이 형성된다(도 1의 공정 S2). 격벽(20)은, 예컨대 포토리소그래피 처리 및 에칭 처리를 행함으로써 미리 정해진 패턴으로 패터닝되어 있다. 그리고 격벽(20)에는, 슬릿형의 개구부(21)가 열방향(X방향)과 행방향(Y방향)으로 복수개 나란히 형성되어 있다. 이 개구부(21)의 내부에 있어서, 후술하는 바와 같이 복수의 유기층(30∼34)과 음극(40)이 적층되어 화소가 형성된다. 한편, 격벽(20)에는, 예컨대 감광성 폴리이미드 수지가 이용된다. Thereafter, a
그 후, 격벽(20)의 개구부(21) 내에 있어서, 도 2에 도시한 바와 같이 양극(10) 상에 복수의 유기층(30∼34)이 형성된다. 구체적으로는, 양극(10) 상에 유기층인 정공 주입층(30)이 형성되고(도 1의 공정 S3), 정공 주입층(30) 상에 유기층인 정공 수송층(31)이 형성되며(도 1의 공정 S4), 정공 수송층(31) 상에 유기층인 발광층(32)이 형성되고(도 1의 공정 S5), 발광층(32) 상에 유기층인 전자 수송층(33)이 형성되며(도 1의 공정 S6), 전자 수송층(33) 상에 유기층인 전자 주입층(34)이 형성된다(도 1의 공정 S7). Thereafter, in the
그 후, 전자 주입층(34) 상에 음극(캐소드)(40)이 형성된다(도 1의 공정 S8). 음극(40)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 한편, 음극(40)에는, 예컨대 알루미늄이 이용된다. Thereafter, a cathode (cathode) 40 is formed on the electron injection layer 34 (step S8 in Fig. 1). The
이렇게 하여 제조된 유기 발광 다이오드(1)에서는, 양극(10)과 음극(40) 사이에 전압을 인가함으로써, 정공 주입층(30)에서 주입된 정해진 수량의 정공이 정공 수송층(31)을 통해 발광층(32)에 수송되고, 또한 전자 주입층(34)에서 주입된 정해진 수량의 전자가 전자 수송층(33)을 통해 발광층(32)에 수송된다. 그리고, 발광층(32) 내에서 정공과 전자가 재결합해서 여기 상태의 분자를 형성하여, 상기 발광층(32)이 발광한다.In the organic
<2. 기판 처리 시스템><2. Substrate Processing System>
다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(100)에 대해서 설명한다. 도 4는 기판 처리 시스템(100)의 구성의 개략을 도시한 설명도이다. 한편, 기판 처리 시스템(100)에서 처리되는 유리 기판(G) 상에는 미리 양극(10), 격벽(20) 및 정공 주입층(30)이 형성되어 있고, 상기 기판 처리 시스템(100)에서는 정공 수송층(31)이 형성된다.Next, the
기판 처리 시스템(100)은, 외부와의 사이에서 복수의 유리 기판(G)을 카세트 단위로 외부로부터 반입 및 반출하는 반입 반출 스테이션(101)과, 유리 기판(G)에 대하여 미리 정해진 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(102)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.The
반입 반출 스테이션(101)에는, 카세트 배치대(110)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(110)는, 복수의 카세트(C)를 X방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 즉, 반입 반출 스테이션(101)은, 복수의 유리 기판(G)을 보유 가능하게 구성되어 있다.In the carrying-in/out
반입 반출 스테이션(101)에는, X방향으로 연장되는 반송로(111) 상을 이동 가능한 기판 반송체(112)가 설치되어 있다. 기판 반송체(112)는, 연직 방향 및 연직 주위로도 이동 가능하며, 카세트(C)와 처리 스테이션(102) 사이에서 유리 기판(G)을 반송할 수 있다. 한편 기판 반송체(112)는, 예컨대 유리 기판(G)을 흡착 유지하여 반송한다. The carrying-in/out
처리 스테이션(102)에는, 제1 기판 반송 장치(120)와, 제2 기판 반송 장치(121)와, 제3 기판 반송 장치(122)가, 반입 반출 스테이션(101)측으로부터 Y방향으로 이 순서대로 나란히 배치되어 있다. 각 기판 반송 장치(120, 121, 122)에는, 유리 기판(G)을 반송하는 기판 반송체(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 기판 반송체는, 수평 방향, 연직 방향 및 연직 주위로도 이동 가능하며, 이들 기판 반송 장치(120, 121, 122)에 인접하여 설치되는 각 장치에 유리 기판(G)을 반송할 수 있다.In the
한편, 제3 기판 반송 장치(122)에는 후술하는 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 버퍼 장치(136)가 인접되어 설치되어 있고, 이들 장치(132, 134, 136)의 내부는 저산소 또한 저이슬점의 분위기(이하, 저산소 저이슬점 분위기라고 한다.)로 유지된다. 이 때문에, 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 그 내부가 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 이하의 설명에 있어서, 저산소 분위기란 대기보다 산소 농도가 낮은 분위기, 예컨대 산소 농도가 10 ppm 이하인 분위기를 말하고, 또한 저이슬점 분위기란 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기, 예컨대 이슬점 온도가 -70℃ 이하인 분위기를 말한다. 그리고, 이러한 저산소 저이슬점 분위기로서, 예컨대 질소 가스 등의 불활성 가스가 이용된다.On the other hand, the third
반입 반출 스테이션(101)과 제1 기판 반송 장치(120) 사이, 및 제1 기판 반송 장치(120)와 제2 기판 반송 장치(121) 사이에는, 각각 유리 기판(G)을 전달하기 위한 트랜지션 장치(123, 124)가 설치되어 있다. 제2 기판 반송 장치(121)와 제3 기판 반송 장치(122) 사이에는, 유리 기판(G)을 일시적으로 수용 가능한 로드록 장치(125)가 설치되어 있다. 로드록 장치(125)는, 내부 분위기를 전환 가능, 즉 대기 분위기와 저산소 저이슬점 분위기로 전환 가능하게 구성되어 있다. 로드록 장치(125)는, 게이트 밸브(126)를 통해 제3 기판 반송 장치(122)에 접속되어 있다. 그리고, 처리 스테이션(102)[기판 처리 시스템(100)]에 있어서, 로드록 장치(125)의 상류측(Y방향 마이너스 방향측)에서는 대기 분위기하에서 유리 기판(G)의 처리와 반송이 행해지고, 로드록 장치(125)의 하류측(Y방향 플러스 방향측)에서는 저산소 저이슬점 분위기하에서 유리 기판(G)의 처리와 반송이 행해진다. Between the carrying-in/out
제1 기판 반송 장치(120)의 X방향 플러스 방향측에는, 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에 정공 수송층(31)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포하는 도포 장치(130)가 설치되어 있다. 도포 장치(130)에서는, 잉크젯 방법으로 유리 기판(G) 상의 미리 정해진 위치, 즉 격벽(20)의 개구부(21)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 한편, 본 실시형태의 유기 재료는, 정공 수송층(31)을 형성하기 위한 미리 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다. On the X-direction plus direction side of the 1st
제2 기판 반송 장치(121)의 X방향 플러스 방향측과 X방향 마이너스 방향측에는, 도포 장치(130)에 의해 도포된 유기 재료를 감압 건조하는 감압 건조 장치(131)가 복수 적층되며, 전부해서 예컨대 5개 설치되어 있다. 감압 건조 장치(131)는, 예컨대 터보 분자 펌프(도시하지 않음)를 가지며, 그 내부 분위기를 예컨대 1 ㎩ 이하까지 감압하여, 유기 재료가 건조되도록 되어 있다.A plurality of reduced
제3 기판 반송 장치(122)의 X방향 플러스 방향측에는, 감압 건조 장치(131)에서 건조된 유기 재료를 열처리하여 소성하는, 열처리 장치로서의 소성 장치(132)가 게이트 밸브(133)를 통해 설치되어 있다. 소성 장치(132)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 소성 장치(132)의 구성에 대해서는, 후술한다. 한편, 게이트 밸브(133)를 대신하여, 셔터를 이용해도 된다.On the positive X-direction side of the third
제3 기판 반송 장치(122)의 X방향 마이너스 방향측에는, 소성 장치(132)에서 열처리된 유리 기판(G)을 미리 정해진 온도, 예컨대 상온(23℃±1℃)으로 조절하는, 열처리 장치로서의 온도 조절 장치(134)가 게이트 밸브(135)를 통해 설치되어 있다. 온도 조절 장치(134)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고, 온도 조절 장치(134)에는, 그 내부에 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(도시하지 않음)이 복수 단으로 설치되고, 상기 배치판 상의 유리 기판(G)이 미리 정해진 온도로 조절된다. 한편, 게이트 밸브(135)를 대신하여, 셔터를 이용해도 된다.On the X-direction minus direction side of the 3rd
제3 기판 반송 장치(122)의 Y방향 플러스 방향측에는, 복수의 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하는 버퍼 장치(136)가 게이트 밸브(137)를 통해 설치되어 있다. 온도 조절 장치(134)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 한편, 게이트 밸브(137)를 대신하여, 셔터를 이용해도 된다.On the Y-direction plus direction side of the 3rd
한편, 처리 스테이션(102)에 있어서, 이들 도포 장치(130), 감압 건조 장치(131), 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 버퍼 장치(136)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. On the other hand, in the
이상의 기판 처리 시스템(100)에는, 제어부(140)가 설치되어 있다. 제어부(140)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(100)에서의 유리 기판(G)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 한편, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(140)에 인스톨된 것이어도 된다.The
다음으로, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(100)을 이용하여 행해지는 유리 기판(G)의 처리 방법에 대해서 설명한다.Next, the processing method of the glass substrate G performed using the
먼저, 복수의 유리 기판(G)을 수용한 카세트(C)가, 반입 반출 스테이션(101)에 반입되어, 카세트 배치대(110) 상에 배치된다. 그 후, 기판 반송체(112)에 의해, 카세트 배치대(110) 상의 카세트(C)로부터 유리 기판(G)이 순차 취출된다.First, the cassette C which accommodated the some glass substrate G is carried in to the carrying-in/out
카세트(C)로부터 취출된 유리 기판(G)은, 기판 반송체(112)에 의해 처리 스테이션(102)의 트랜지션 장치(123)에 반송되고, 또한 제1 기판 반송 장치(120)에 의해 도포 장치(130)에 반송된다. 그리고 도포 장치(130)에서는, 잉크젯 방법으로 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에, 정공 수송층(31)용의 유기 재료가 도포된다. 이 도포 장치(130)에서의 도포 처리는, 저산소 저이슬점 분위기에서 행할 필요는 없다. The glass substrate G taken out from the cassette C is conveyed to the
다음으로 유리 기판(G)은, 제1 기판 반송 장치(120)에 의해 트랜지션 장치(124)에 반송되고, 또한 제2 기판 반송 장치(121)에 의해 감압 건조 장치(131)에 반송된다. 그리고 감압 건조 장치(131)에서는, 그 내부 분위기가 감압되고, 유리 기판(G) 상에 도포된 유기 재료가 건조된다. 이 감압 건조 장치(131)에서의 도포 처리는, 저산소 저이슬점 분위기에서 행할 필요는 없다.Next, the glass substrate G is conveyed to the
다음으로 유리 기판(G)은, 제2 기판 반송 장치(121)에 의해 로드록 장치(125)에 반송된다. 로드록 장치(125)에 유리 기판(G)이 반입되면, 그 내부가 저산소 또한 저이슬점 분위기로 전환된다. 그 후, 로드록 장치(125)의 내부와, 마찬가지로 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지된 제3 기판 반송 장치(122)의 내부가 연통시켜진다.Next, the glass substrate G is conveyed by the 2nd board|
다음으로 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 소성 장치(132)에 반송된다. 이 소성 장치(132)의 내부도 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고 소성 장치(132)에서는, 열판 상에 배치된 유리 기판(G)이 미리 정해진 온도, 예컨대 200℃∼250℃로 가열되어, 상기 유리 기판(G)의 유기 재료가 소성된다. Next, the glass substrate G is conveyed by the 3rd board|
다음으로 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 온도 조절 장치(134)에 반송된다. 이 온도 조절 장치(134)의 내부도 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고 온도 조절 장치(134)에서는, 유리 기판(G)이 미리 정해진 온도, 예컨대 상온으로 온도 조절된다. 이렇게 해서, 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에 정공 수송층(31)이 형성된다. Next, the glass substrate G is conveyed by the 3rd board|
정공 수송층(31)이 형성된 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 로드록 장치(125)에 반송된다. 로드록 장치(125)에 유리 기판(G)이 반입되면, 그 내부가 대기 분위기로 전환된다. 그 후, 로드록 장치(125)의 내부와 제2 기판 반송 장치(121)의 내부가 연통시켜진다.The glass substrate G on which the positive
다음으로 유리 기판(G)은, 제2 기판 반송 장치(121), 제1 기판 반송 장치(120), 기판 반송체(112)에 의해 순차 반송되어, 카세트 배치대(110) 상의 카세트(C)에 수용된다. 이렇게 해서, 기판 처리 시스템(100)에서의 일련의 유리 기판(G)의 처리가 종료된다.Next, the glass substrate G is sequentially transferred by the second
한편, 온도 조절 장치(134)에서의 온도 조절이 종료되고, 정공 수송층(31)이 형성된 유리 기판(G)은, 반입 반출 스테이션(101)의 카세트(C)로 되돌아가지 않고, 버퍼 장치(136)로부터 기판 처리 시스템(100)의 외부로 반출되어도 된다.On the other hand, the temperature control in the
<3. 저산소 저이슬점 분위기의 제어><3. Control of Low Oxygen Low Dew Point Atmosphere>
다음으로, 로드록 장치(125)의 하류측의 장치, 즉 저산소 저이슬점 분위기가 요구되는 장치에서의 분위기 제어에 대해서 설명한다. 이러한 분위기 제어를 설명하는 데 있어서, 저산소 저이슬점 분위기가 요구되는 소성 장치(132)의 구성에 대해서 설명한다. Next, the atmosphere control in the apparatus downstream of the
도 5에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)는, 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(200)를 갖고 있다. 처리 용기(200)의 내부에는, 유리 기판(G)을 수용하여 열처리하는 처리부(210)가 형성되어 있다. 처리부(210)에는, 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(211)이 연직 방향으로 복수 단, 예컨대 15단으로 설치되어 있다. 또한, 처리부(210)의 측방에는, 배치판(211) 상의 유리 기판(G)을 가열하는 히터(212)가 연직 방향으로 복수, 예컨대 2개 설치되어 있다.As shown in FIG. 5 , the
또한, 처리 용기(200)의 내부에는, 처리부(210)에 미리 정해진 기체를 공급하는 급기부(220)가 형성되어 있다. 급기부(220)에는, 기체 중의 이물질을 제거하는 필터(221)가 연직 방향으로 복수, 예컨대 3개 설치되어 있다. 필터(221)에는, 예컨대 HEPA 필터(High Efficiency ㎩rticulate Air Filter)가 이용된다. 또한, 급기부(220)의 측방에는, 상기 급기부(220)로부터 필터(221)를 통해 처리부(210)에 기체를 송풍하기 위한 팬(222)이 설치되어 있다. In addition, an
한편, 처리 용기(200)에 있어서, 배치판(211), 히터(212), 필터(221), 팬(222)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. In addition, in the
도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 처리 용기(200)에는, 청정한 건조 공기를 공급하는 공기 공급부(230)가 급기관(231)을 통해 설치되어 있다. 공기 공급부(230)에는, 예컨대 산소 농도가 대기와 동일한 21%, 또한 수분 농도가 1.029 ppm 이하, 즉 이슬점 온도가 -76℃ 이하이며, 상온(23℃±1℃)의 건조 공기가 저류되어 있다. 급기관(231)은, 후술하는 정제기(263)를 통해 급기부(220)에 접속되어 있다. 그리고, 공기 공급부(230)로부터 급기부(220)에 공급된 건조 공기는, 필터(221)를 통해 이물질이 제거된 후, 팬(222)에 의해 처리부(210)에 공급된다. 한편, 급기관(231)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(231)은 급기부(220)에 직접 접속되어 있어도 된다. 5 and 6 , in the
처리 용기(200)에는, 불활성 가스인 질소 가스를 공급하는 가스 공급부(240)가 급기관(241)을 통해 설치되어 있다. 가스 공급부(240)에는, 예컨대 산소 농도가 10 ppm 이하, 또한 수분 농도가 1.029 ppm 이하, 즉 이슬점 온도가 -76℃ 이하이며, 상온(23℃±1℃)의 질소 가스가 저류되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 불활성 가스로서 질소 가스를 이용하지만, 저산소 저이슬점 분위기를 실현할 수 있으면, 예컨대 아르곤 가스 등의 다른 불활성 가스를 이용해도 된다. 급기관(241)은, 후술하는 정제기(263)를 통해 급기부(220)에 접속되어 있다. 그리고, 가스 공급부(240)로부터 급기부(220)에 공급된 질소 가스는, 필터(221)를 통해 이물질이 제거된 후, 팬(222)에 의해 처리부(210)에 공급된다. 한편, 급기관(241)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(241)은 급기부(220)에 직접 접속되어 있어도 된다. A
처리 용기(200)에는, 상기 처리 용기(200) 내의 분위기, 보다 엄밀하게는 처리부(210) 내의 분위기를 배기하는 배기부(250)가 설치되어 있다. 배기부(250)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치가 이용된다. 배기부(250)와 처리부(210)는, 배기관(251)을 통해 접속되어 있다.The
처리 용기(200)에는, 상기 처리 용기(200) 내의 분위기, 보다 엄밀하게는 처리부(210) 내의 분위기를 정제하여 되돌리는 가스 순환 시스템(260)이 설치되어 있다. 이 가스 순환 시스템(260)에서 순환되는 분위기는 주로 질소 가스이기 때문에, 이하의 설명에서, 가스 순환 시스템(260)은 질소 가스를 정제하여 되돌리는 것으로서 설명한다. 가스 순환 시스템(260)은, 냉각기(261), 필터(262), 정제기(263)를 갖고 있다. 이들 냉각기(261), 필터(262), 정제기(263)는, 처리부(210)와 급기부(220)를 접속하는 배관(264)에 있어서, 처리부(210)측(상류측)으로부터 이 순서대로 설치되어 있다.The
냉각기(261)는, 처리부(210)로부터의 질소 가스를 미리 정해진 온도, 예컨대 상온까지 냉각한다. 이 미리 정해진 온도는, 필터(262)나 정제기(263)에 열에 의한 손상을 주지 않는 온도이다. 필터(262)는, 냉각기(261)로 냉각된 질소 가스 중의 유기 용매 등의 이물질을 제거한다.The cooler 261 cools the nitrogen gas from the
정제기(263)는, 필터(262)에 의해 이물질이 제거된 질소 가스 중의 산소와 수분을 제거한다. 도 7에 도시한 바와 같이 정제기(263)에는, 전술한 공기 공급부(230)의 급기관(231)과 가스 공급부(240)의 급기관(241)이 접속되어 있다. 이들 급기관(231, 241)은, 각각 정제기(263) 내의 배관(264)에 있어서 상류측에 접속되어 있다. 또한, 각 급기관(231, 241)에는, 각각 밸브(232, 242)가 설치되어 있다.The
배관(264)은, 급기관(231, 241)의 하류측에 있어서, 배관(264a)과 배관(264b)으로 분기되어 있다. 각 배관(264a, 264b)에는, 각각 질소 가스의 흐름을 제어하는 밸브(265, 265)가 설치되어 있다. 배관(264a)측으로 흐른 질소 가스는, 정제되어 급기부(220)에 공급된다. 한편, 배관(264b)측으로 흐른 질소 가스는, 정제되지 않고 그대로 급기부(220)에 공급된다. The
배관(264a)은, 밸브(266, 266)를 통해 또한 2개의 배관으로 분기되고, 2개의 정제통(267, 267)에 접속되어 있다. 정제통(267)의 내부에는, 산소나 수분을 제거하기 위한 촉매가 충전되어 있다. 그리고, 질소 가스가 정제통(267)을 통과함으로써, 질소 가스 중의 산소나 수분이 제거되어, 상기 질소 가스가 정제된다. 본 실시형태에서는, 정제통(267)에 의해 질소 가스는, 정제통(267)에 들어가기 전의 질소 가스의 산소 농도 이하까지 정제된다. 한편, 정제통(267) 내에서 정해진 량의 질소 가스를 정제하면 촉매가 열화되기 때문에, 한쪽의 정제통(267)에서 질소 가스를 정제하면서, 다른쪽의 정제통(267)의 촉매를 교환한다. 이 때문에, 정제통(267, 267)을 2개 설치하고 있다.The
2개의 배관(264a)에는, 정제통(267)의 하류측에 있어서, 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 가스 공급부(268)가 급기관(269)을 통해 설치되어 있다. 급기관(269)에는, 재생 가스의 흐름을 제어하는 밸브(270, 270)가 설치된다. 그리고, 가스 공급부(268)로부터 공급되는 재생 가스는, 급기관(269)과 배관(264a)을 통해 정제통(267)에 공급된다. 이 재생 가스에 의해, 정제통(267) 내의 열화된 촉매가 재생되어, 상기 정제통(267)이 재생된다. In the two
또한, 2개의 배관(264a)에는, 정제통(267)의 상류측에 있어서, 정제통(267) 내의 재생 가스를 회수하여 배기하는 배기부(271)가 배기관(272)을 통해 설치되어 있다. 배기관(272)에는, 재생 가스의 흐름을 제어하는 밸브(273, 273)가 설치된다. 배기부(271)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치가 이용된다. 그리고, 가스 공급부(268)로부터 공급된 재생 가스는, 정제통(267)을 재생한 후, 배관(264a)과 배기관(272)을 통해 배기부(271)에 배기된다.Further, on the upstream side of the
한편, 정제기(263)에는, 새로운 질소 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. 예컨대 이 가스 공급부로부터 공급되는 새로운 질소 가스의 산소 농도가 10 ppm 이하인 경우, 상기 가스 공급부는 정제통(267)의 하류측의 배관(264a)에 접속된다. 그리고, 정제통(267)에서 정제된 질소 가스에, 적절한 산소 농도의 새로운 질소 가스가 더해짐으로써, 미리 정해진 산소 농도의 질소 가스가 처리 용기(200) 내에 공급된다. 한편, 예컨대 가스 공급부로부터 공급되는 새로운 질소 가스의 산소 농도가 10 ppm보다 큰 경우, 상기 가스 공급부는 정제통(267)의 상류측의 배관(264a)에 접속된다. 그리고, 가스 공급부로부터의 새로운 질소 가스와 처리 용기(200) 내의 질소 가스가 정제통(267)에 있어서 정제됨으로써, 미리 정해진 산소 농도의 질소 가스가 처리 용기(200) 내에 공급된다. On the other hand, the
도 6에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에는, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계(280, 281)와, 처리 용기(200) 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계(282)가 설치되어 있다. 하나의 산소 농도계(280)와 이슬점 온도계(282)는, 각각 예컨대 가스 순환 시스템(260)의 정제기(263)의 하류측에서의 배관(264)에 설치된다. 또한, 다른 산소 농도계(281)는, 예컨대 처리 용기(200)에 설치된 도어(290)에 설치된다. 한편, 산소 농도계와 이슬점 온도계의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. As shown in FIG. 6 , the
산소 농도계(280, 281)의 계측 결과와 이슬점 온도계(282)의 계측 결과는, 각각 제어부(140)에 송신된다. 제어부(140)에서는, 이들 계측 결과에 기초하여, 처리 용기(200) 내의 분위기가 미리 정해진 산소 농도(10 ppm 이하)와 미리 정해진 이슬점 온도(-70℃ 이하)가 되도록, 가스 공급부(240), 배기부(250), 가스 순환 시스템(260)을 제어한다. 한편, 산소 농도계(280, 281)에서 계측 결과가 상이한 경우에는, 양방의 계측 결과가 미리 정해진 산소 농도가 되도록 제어한다. The measurement result of the
또한, 예컨대 소성 장치(132)의 메인터넌스시에는, 처리 용기(200) 내의 저산소 저이슬점 분위기를 대기 분위기로 치환하고 나서 도어(290)를 개방한다. 즉, 제어부(140)는, 산소 농도계(280, 281)의 양방의 계측 결과가 21%에 도달했을 때에, 도어(290)를 개방하도록 제어한다. 이러한 경우, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 21%에 도달하지 않는 동안에는 도어(290)가 개방되지 않기 때문에, 소성 장치(132)의 메인터넌스를 안전하게 행할 수 있다. 한편, 도어(290)에는, 산소 농도계(280, 281)의 계측 결과가 표시되는 디스플레이(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. Further, for example, during maintenance of the
한편, 소성 장치(132)에서의 각부의 동작은, 전술한 제어부(140)에 의해 제어된다. On the other hand, the operation of each part in the
다음으로, 온도 조절 장치(134)에 대해서 설명한다. 온도 조절 장치(134)는, 도 6에 도시한 바와 같이 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(300)를 갖고 있다. 처리 용기(300)의 내부에는, 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(도시하지 않음)이 복수 단으로 설치되고, 또한 처리 용기(300) 내에 공급되는 기체 중의 이물질을 제거하는 필터(도시하지 않음)나 처리 용기(300) 내에 기체를 송부하기 위한 팬(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 한편, 처리 용기(300)의 내부 구성은 임의적이며, 여기서는 상세한 설명을 생략한다. Next, the
처리 용기(300)에는, 청정한 건조 공기를 공급하는 공기 공급부(310)가 급기관(311)을 통해 설치되어 있다. 이들 공기 공급부(310)와 급기관(311)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 공기 공급부(230)와 급기관(231)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 급기관(311)은, 후술하는 정제기(341)를 통해 처리 용기(300)에 접속되어 있으나, 급기관(311)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(311)은 처리 용기(300)에 직접 접속되어 있어도 된다. In the
처리 용기(300)에는, 불활성 가스인 질소 가스를 공급하는 가스 공급부(320)가 급기관(321)을 통해 설치되어 있다. 이들 가스 공급부(320)와 급기관(321)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 가스 공급부(240)와 급기관(241)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 급기관(321)은, 후술하는 정제기(341)를 통해 처리 용기(300)에 접속되어 있으나, 급기관(321)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(321)은 처리 용기(300)에 직접 접속되어 있어도 된다. In the
한편, 처리 용기(300)에는, 건조 공기용의 이오나이저나, 질소 가스용의 이오나이저가 설치되어 있어도 된다. In addition, the ionizer for dry air and the ionizer for nitrogen gas may be provided in the
처리 용기(300)에는, 상기 처리 용기(300) 내의 분위기를 배기하는 배기부(330)가 배기관(331)을 통해 설치되어 있다. 이들 배기부(330)와 배기관(331)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 배기부(250)와 배기관(251)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. In the
처리 용기(300)에는, 상기 처리 용기(300) 내의 분위기를 정제하여 되돌리는 가스 순환 시스템(340)이 설치되어 있다. 이 가스 순환 시스템(340)에서 순환되는 분위기는 주로 질소 가스이기 때문에, 이하의 설명에서는, 가스 순환 시스템(340)은 질소 가스를 정제하여 되돌리는 것으로서 설명한다. 가스 순환 시스템(340)은, 정제기(341)와 온도 조절기(342)를 갖고 있다. 이들 정제기(341)와 온도 조절기(342)는, 처리 용기(300)에 접속되는 배관(343)에 있어서, 상류측으로부터 이 순서대로 설치되어 있다. 한편, 온도 조절기(342)의 배치는 본 실시형태에 한정되지 않고, 온도 조절기(342)는 정제기(341)의 상류측에 설치되어 있어도 된다.The
정제기(341)는, 처리 용기(300)로부터 배기된 질소 가스 중의 산소와 수분을 제거한다. 정제기(341)의 구성은, 전술한 도 7에 도시한 소성 장치(132)의 정제기(263)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 정제기(341)에는, 전술한 공기 공급부(310)의 급기관(311)과 가스 공급부(320)의 급기관(321)이 접속되어 있다. 또한, 정제기(341)에는, 상기 정제기(341)의 정제통을 재생하기 위한 재생 가스를 공급하는 가스 공급부(344)가 급기관(345)을 통해 설치되고, 또한 정제통을 재생한 후의 재생 가스를 배기하는 배기부(346)가 배기관(347)을 통해 설치된다. 이들 가스 공급부(344), 급기관(345), 배기부(346), 배기관(347)도, 각각 전술한 소성 장치(132)의 가스 공급부(268), 급기관(269), 배기부(271), 배기관(272)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. The
온도 조절기(342)는, 정제기(341)를 통과한 질소 가스를 미리 정해진 온도, 예컨대 상온(23℃±1℃)으로 조절한다.The
온도 조절 장치(134)에는, 처리 용기(300) 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계(350, 351)와, 처리 용기(300) 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계(352)가 설치되어 있다. 이들 산소 농도계(350, 351)와 이슬점 온도계(352)의 구성이나 배치는, 각각 전술한 소성 장치(132)의 산소 농도계(280, 281)와 이슬점 온도계(282)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 이들 산소 농도계(350, 351)와 이슬점 온도계(352)를 이용한, 처리 용기(300) 내의 분위기 제어와 처리 용기(300)에 설치된 도어(360)의 제어도, 전술한 소성 장치(132)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. The
한편, 온도 조절 장치(134)에서의 각부의 동작은, 전술한 제어부(140)에 의해 제어된다. On the other hand, the operation of each part in the
다음으로, 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서 설명한다. 제3 기판 반송 장치(122)는, 도 6에 도시한 바와 같이 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(400)를 갖고 있다. 처리 용기(400)의 내부에는, 유리 기판(G)을 반송하는 기판 반송체(도시하지 않음)가 설치되어 있다.Next, the 3rd board|
처리 용기(400)에는, 청정한 건조 공기를 공급하는 공기 공급부(410)가 급기관(411)을 통해 설치되어 있다. 이들 공기 공급부(410)와 급기관(411)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 공기 공급부(230)와 급기관(231)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 급기관(411)은, 후술하는 정제기(441)를 통해 처리 용기(400)에 접속되어 있으나, 급기관(411)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(411)은 처리 용기(400)에 직접 접속되어 있어도 된다. In the
처리 용기(400)에는, 불활성 가스인 질소 가스를 공급하는 가스 공급부(420)가 급기관(421)을 통해 설치되어 있다. 이들 가스 공급부(420)와 급기관(421)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 가스 공급부(240)와 급기관(241)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 급기관(421)은, 후술하는 정제기(441)를 통해 처리 용기(400)에 접속되어 있으나, 급기관(421)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(421)은 처리 용기(400)에 직접 접속되어 있어도 된다.A
처리 용기(400)에는, 상기 처리 용기(400) 내의 분위기를 배기하는 배기부(430)가 배기관(431)을 통해 설치되어 있다. 이들 배기부(430)와 배기관(431)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 배기부(250)와 배기관(251)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. In the
처리 용기(400)에는, 상기 처리 용기(400) 내의 분위기를 정제하여 되돌리는 가스 순환 시스템(440)이 설치되어 있다. 이 가스 순환 시스템(440)에서 순환되는 분위기는 주로 질소 가스이기 때문에, 이하의 설명에서는, 가스 순환 시스템(440)은 질소 가스를 정제하여 되돌리는 것으로서 설명한다. 가스 순환 시스템(440)은, 정제기(441)를 갖고 있다. 정제기(441)는, 처리 용기(400)에 접속되는 배관(442)에 설치되어 있다.The
정제기(441)는, 처리 용기(400)로부터 배기된 질소 가스 중의 산소와 수분을 제거한다. 정제기(441)의 구성은, 전술한 도 7에 도시한 소성 장치(132)의 정제기(263)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 정제기(441)에는, 전술한 공기 공급부(410)의 급기관(411)과 가스 공급부(420)의 급기관(421)이 접속되어 있다. 또한, 정제기(441)에는, 상기 정제기(441)의 정제통을 재생하기 위한 재생 가스를 공급하는 가스 공급부(443)가 급기관(444)을 통해 설치되고, 또한 정제통을 재생한 후의 재생 가스를 배기하는 배기부(445)가 배기관(446)을 통해 설치된다. 이들 가스 공급부(443), 급기관(444), 배기부(445), 배기관(446)도, 각각 전술한 소성 장치(132)의 가스 공급부(268), 급기관(269), 배기부(271), 배기관(272)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.The
한편, 가스 순환 시스템(440)에는, 전술한 소성 장치(132)의 필터(262)와 마찬가지로, 정제기(441)로 정제하기 전의 질소 가스 중의 이물질을 제거하는 필터(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다.On the other hand, in the
제3 기판 반송 장치(122)에는, 처리 용기(400) 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계(450)와, 처리 용기(300) 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계(451)가 설치되어 있다. 이들 산소 농도계(450)와 이슬점 온도계(451)의 구성이나 배치는, 각각 전술한 소성 장치(132)의 산소 농도계(280)와 이슬점 온도계(282)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 이들 산소 농도계(450)와 이슬점 온도계(451)를 이용한 처리 용기(400) 내의 분위기 제어도, 전술한 소성 장치(132)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.The third
한편, 제3 기판 반송 장치(122)에서의 각부의 동작은, 전술한 제어부(140)에 의해 제어된다. 또한, 버퍼 장치(136)에 있어서도, 제3 기판 반송 장치(122)와 동일한 분위기 제어가 행해지며, 즉 제3 기판 반송 장치(122)와 마찬가지로 공기 공급부(410), 가스 공급부(420), 배기부(430), 가스 순환 시스템(440)이 설치되어 있다.On the other hand, the operation of each part in the third
다음으로, 이상과 같이 구성된 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서 행해지는 분위기 제어에 대해서 설명한다. 상기 분위기 제어는, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드의 2단계로 행해진다. 제1 운전 모드는, 예컨대 각 장치(132, 134, 122)의 기동시에 행해지는 운전 모드이며, 구체적으로는 처리 용기(200, 300, 400) 내의 분위기가 대기 분위기의 상태로부터 각 장치(132, 134, 122)를 기동시킬 때의 운전 모드이다. 제2 운전 모드는, 통상 조업시의 운전 모드이다. Next, the atmosphere control performed in the
먼저, 제1 운전 모드에 대해서 설명한다. 도 8에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에서는, 가스 공급부(240)로부터 처리 용기(200) 내에 질소 가스를 공급하고, 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기한다. 그리고, 처리 용기(200) 내의 분위기가, 산소 농도 21%의 대기 분위기로부터 질소 가스로 치환된다. First, the first operation mode will be described. As illustrated in FIG. 8 , in the
마찬가지로 가스 순환 시스템(260)에 있어서도, 배관(264) 내의 분위기를 질소 가스로 치환한다. 이때, 도 9에 도시한 바와 같이 가스 순환 시스템(260)에서는, 질소 가스를 배관(264b)측으로 흘리며, 정제통(267)을 통과시키지 않는다. 산소 농도가 높은 분위기를 정제통(267)에 통과시키면, 상기 정제통(267)의 촉매가 곧 열화되어 버리기 때문에, 제1 운전 모드에서는, 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스를 이용하여 배관(264) 내의 분위기를 질소 가스로 치환한다.Similarly, also in the
그리고, 제1 운전 모드는, 처리 용기(200) 내의 분위기와 배관(264) 내의 분위기의 산소 농도가 각각 예컨대 100 ppm이 될 때까지 행해진다. 여기서, 제1 운전 모드에서는 가스 공급부(240)로부터 질소 가스를 공급하지만, 제2 운전 모드에서는 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스의 공급을 정지한다. 그러면, 질소 가스의 소비량을 가능한 한 적게 하기 위해서는, 제1 운전 모드의 운전 시간을 가능한 한 짧게 하는 것이 바람직하다. 그래서, 제1 운전 모드는, 산소 농도가 목표인 10 ppm 이하에 도달할 때까지는 행하지 않고, 제2 운전 모드에서 산소 농도를 목표인 10 ppm 이하로 할 수 있을 정도로 행한다. 한편, 제1 운전 모드에서 산소 농도를 어디까지 낮출지는, 임의로 설정할 수 있다. Then, the first operation mode is performed until the oxygen concentrations of the atmosphere in the
한편, 제1 운전 모드를 행함으로써, 처리 용기(200) 내의 분위기와 배관(264) 내의 분위기의 이슬점 온도에 대해서는, 각각 목표 이슬점 온도인 -70℃ 이하가 된다.On the other hand, by performing the first operation mode, the dew point temperatures of the atmosphere in the
제1 운전 모드에서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 전술한 소성 장치(132)에 대한 분위기 제어와 동일한 분위기 제어가 행해지며, 각각 처리 용기(300, 400) 내의 분위기의 산소 농도는 100 ppm이 된다. 또한, 처리 용기(300, 400) 내의 분위기의 이슬점 온도도 -70℃ 이하가 된다.In the first operation mode, also in the
다음으로, 제2 운전 모드에 대해서 설명한다. 도 10에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에서는, 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스의 공급과 배기부(250)에 의한 배기를 각각 정지한다. Next, the second operation mode will be described. As shown in FIG. 10 , in the
또한, 가스 순환 시스템(260)을 이용하여, 처리 용기(200) 내의 질소 가스를 정제하고, 정제된 질소 가스를 처리 용기(200) 내로 되돌린다. 구체적으로는, 처리 용기(200)로부터 배기된 질소 가스를 냉각기(261)로 미리 정해진 온도까지 냉각한다. 계속해서, 냉각된 질소 가스는 필터(262)를 통과하여, 상기 질소 가스 중의 유기 용매 등의 이물질이 제거된다. 그리고, 도 11에 도시한 바와 같이 정제기(263)에 있어서, 질소 가스를 배관(264a)측으로 흘려, 정제통(267)을 통과시킨다. 정제통(267)에서는 질소 가스의 산소와 수분이 제거되어, 질소 가스가 정제된다. 정제통(267)에서 정제된 질소 가스의 산소 농도는, 정제통(267)에 들어가기 전의 질소 가스의 산소 농도 이하로 되어 있다. 이와 같이 정제된 질소 가스는, 처리 용기(200)로 되돌아간다. 이 가스 순환 시스템(260)에서의 질소 가스의 정제를 계속해서 행하며, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도는, 목표인 10 ppm 이하가 된다.Further, the nitrogen gas in the
한편, 본 실시형태에서는, 처리 용기(200)로부터 배기된 질소 가스는 하나의 정제통(267)을 통과하여 정제되지만, 상기 질소 가스의 정제시에는 2개의 정제통(267, 267)을 동시에 이용해도 된다. 전술한 바와 같이 제1 운전 모드에서 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 100 ppm이 되고, 제2 운전 모드에서 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 10 ppm 이하가 된다. 이 산소 농도를 100 ppm으로부터 10 ppm으로 하기까지의 동안, 예컨대 2개의 정제통(267, 267)에 질소 가스를 통과시키면, 상기 질소 가스를 효율적으로 정제할 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, the nitrogen gas exhausted from the
또한, 제2 운전 모드에 있어서, 한쪽의 정제통(267)에서 질소 가스를 정제하고 있는 동안에, 다른쪽의 열화된 정제통(267)을 재생해도 된다. 예컨대 도 10 및 도 11에 있어서 점선으로 나타낸 바와 같이, 가스 공급부(268)로부터 공급되는 재생 가스는, 급기관(269)과 배관(264a)을 통해 정제통(267)에 공급된다. 이 재생 가스에 의해, 정제통(267) 내의 열화된 촉매가 재생되어, 상기 정제통(267)이 재생된다. 또한 정제통(267)을 재생한 후의 재생 가스는, 배관(264a)과 배기관(272)을 통해 배기부(271)에 배기된다. 이러한 경우, 예컨대 정제통(267)이 열화된 경우, 상기 정제통(267)을 재생하고 있는 동안에, 다른 정제통(267)을 이용하여 질소 가스를 정제할 수 있다. 즉, 정제통(267)을 재생 중에도 운전을 정지시킬 필요가 없어, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.Further, in the second operation mode, while nitrogen gas is being purified in one
그리고, 제2 운전 모드에 있어서, 처리 용기(200) 내의 분위기가 미리 정해진 산소 농도와 미리 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 유리 기판(G)의 소성 처리가 적절히 행해진다.And in the 2nd operation mode, the baking process of the glass substrate G is performed suitably in the state in which the atmosphere in the
제2 운전 모드에서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 전술한 소성 장치(132)에 대한 분위기 제어와 동일한 분위기 제어가 행해지며, 각각 처리 용기(300, 400) 내의 분위기의 산소 농도는 목표인 10 ppm 이하가 된다. 따라서, 온도 조절 장치(134)에서의 유리 기판(G)의 온도 조절과, 제3 기판 반송 장치(122)에서의 유리 기판(G)의 반송이 각각 적절히 행해진다.In the second operation mode, also in the
제2 운전 모드는, 처리 용기(200, 300, 400) 내의 분위기가 목표의 산소 농도와 목표의 이슬점 온도에 도달한 후에도, 계속해서 행해진다. 즉, 통상 조업시에는, 제2 운전 모드는 계속해서 행해진다.The second operation mode is continued even after the atmosphere in the
한편, 제2 운전 모드를 종료하고, 예컨대 소성 장치(132)의 메인터넌스를 행할 때에는, 가스 순환 시스템(260)에 의한 처리 용기(200) 내의 분위기의 리사이클을 정지한다. 그리고, 공기 공급부(230)로부터 건조 공기를 공급하고, 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기한다. 그리고, 처리 용기(200) 내의 분위기가, 질소 가스(저산소 저이슬점 분위기)로부터 산소 농도 21%의 건조 공기로 치환된다. 그 후, 대기 분위기하에서 소성 장치(132)의 메인터넌스를 행하고, 상기 메인터넌스가 종료되면, 재차, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드를 행하여, 처리 용기(200) 내를 미리 정해진 저산소 저이슬점 분위기로 유지한다. 한편, 이 제2 운전 모드를 종료한 후의 분위기 제어에 대해서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서도 동일하게 행해진다.On the other hand, when the second operation mode is ended and, for example, maintenance of the
본 실시형태에 의하면, 제1 운전 모드에 있어서 처리 용기(200, 300, 400) 내의 분위기를 질소 가스로 치환하여, 상기 분위기의 산소 농도를 어느 정도까지 낮춘다. 계속해서, 제2 운전 모드에 있어서, 가스 순환 시스템(260, 340, 440)을 이용하여 처리 용기(200, 300, 400) 내의 분위기를 정제하고, 상기 분위기를 미리 정해진 산소 농도와 미리 정해진 이슬점 온도로 한다. 이 때문에, 제2 운전 모드에 있어서, 처리 용기(200, 300, 400) 내의 분위기가 적절한 저산소 저이슬점 분위기로 유지되고, 상기 처리 용기(200, 300, 400) 내에서의 유리 기판(G)의 열처리나 반송을 적절히 행할 수 있다. According to the present embodiment, in the first operation mode, the atmosphere in the
또한, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드에서는, 산소 농도계(280, 281)의 계측 결과와 이슬점 온도계(282)의 계측 결과에 기초하여, 처리 용기(200, 300, 400) 내의 분위기가 제어되기 때문에, 상기 분위기가 보다 확실하게 저산소 저이슬점 분위기로 유지된다. In addition, in the first operation mode and the second operation mode, based on the measurement results of the
게다가, 예컨대 각 장치(132, 134, 122)의 기동시, 즉 처리 용기(200, 300, 400) 내의 분위기가 대기 분위기의 상태로부터 각 장치(132, 134, 122)를 기동시킬 때에만, 제1 운전 모드를 실행하여 가스 공급부(240, 320, 420)로부터 처리 용기(200, 300, 400) 내에 질소 가스를 공급하고, 통상 조업시에는, 제2 운전 모드를 실행하여 가스 공급부(240, 320, 420)로부터의 질소 가스의 공급을 정지하고 있다. 따라서, 질소 가스의 소비량을 소량으로 억제할 수 있고, 유리 기판(G)의 열처리와 반송을 효율적으로 행할 수 있다. In addition, for example, when each
또한, 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서, 전술한 제1 운전 모드와 제2 운전 모드의 분위기 제어는 개별적으로 행해진다. 이 때문에, 예컨대 소성 장치(132)만을 메인터넌스하는 경우라도, 다른 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서는, 통상 조업을 계속할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)에서의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.In addition, in the
또한, 기판 처리 시스템(100)에서는, 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서만, 저산소 저이슬점 분위기가 되고 있다. 그리고, 다른 장치인 제1 기판 반송 장치(120), 제2 기판 반송 장치(121), 도포 장치(130), 감압 건조 장치(131)에는, 질소 가스가 공급되지 않으며, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있지 않다. 이와 같이 저산소 저이슬점 분위기가 필요한 열처리(반송)에만 질소 가스가 이용되기 때문에, 질소 가스의 소비량을 보다 소량으로 억제할 수 있고, 유리 기판(G)에 대한 정공 수송층(31)의 형성 처리를 더욱 효율적으로 행할 수 있다.In addition, in the
다음으로, 전술한 제2 운전 모드에서의 기류에 대해서, 도 12에 기초하여 설명한다. 도 12 중의 화살표는 기류의 방향을 나타내고 있다. 제2 운전 모드에서는, 도 12에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내의 압력은, 대기보다 양압이며, 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(400) 내의 압력보다 음압으로 되어 있다. 즉, 제3 기판 반송 장치(122)로부터 소성 장치(132)로 향하는 기류가 발생한다. 마찬가지로 온도 조절 장치(134)의 처리 용기(300) 내의 압력도, 대기보다 양압이며, 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(400) 내의 압력보다 음압으로 되어 있다. 즉, 제3 기판 반송 장치(122)로부터 온도 조절 장치(134)로 향하는 기류가 발생한다.Next, the airflow in the above-described second operation mode will be described with reference to FIG. 12 . The arrow in FIG. 12 has shown the direction of an airflow. In the second operation mode, as shown in FIG. 12 , the pressure in the
한편, 이들 처리 용기(200, 300, 400) 내의 압력을 상기 관계로 유지하기 위해, 가스 공급부(268, 344, 443)로부터 공급되는 질소 가스를 이용하여, 처리 용기(200, 300, 400) 내의 압력을 미세 조절해도 된다. 또한, 배기부(250) 또는 배기부(271)에 의해 처리 용기(200) 내의 분위기를 배기해도 되고, 또는 가스 순환 시스템(260)을 흐르는 분위기를, 처리 용기(300)와 처리 용기(400)에 공급해도 된다. On the other hand, in order to maintain the pressures in the
이러한 경우, 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내나 온도 조절 장치(134)의 처리 용기(300) 내의 청정하지 않은 분위기가, 각각 제3 기판 반송 장치(122)로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 그러면, 이 청정하지 않은 분위기가, 제3 기판 반송 장치(122)를 통해, 상기 제3 기판 반송 장치(122)의 상류측으로 흐르는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)에서의 유리 기판(G)의 처리를 적절히 행할 수 있다. In this case, it is possible to suppress an unclean atmosphere in the
한편, 제3 기판 반송 장치(122) 내의 분위기는 상온이기 때문에, 상기 분위기가 소성 장치(132)에 대량으로 흐르면, 소성 장치(132) 내의 분위기의 온도가 저하되어 버린다. 이 때문에, 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내의 압력과, 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(400) 내의 압력의 압력차는, 약간 정도인 것이 바람직하다.On the other hand, since the atmosphere in the 3rd
<4. 다른 실시형태><4. Another embodiment>
이상의 기판 처리 시스템(100)은, 유리 기판(G)에 정공 수송층(31)을 형성하는 처리를 행하고 있었으나, 상기 기판 처리 시스템(100)을 이용하여, 유리 기판(G)에 발광층(32)을 형성해도 된다. 발광층(32)을 형성할 때에도, 유리 기판(G)의 열처리[발광층(32)의 소성 처리와 유리 기판(G)의 온도 조절 처리]에 있어서, 저산소 저이슬점 분위기가 요구된다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)을 이용하면, 유리 기판(G)에 대한 발광층(32)의 형성 처리를 적절히 또한 효율적으로 행할 수 있다. In the above
또한, 유리 기판(G)에 정공 수송층(31)을 형성하는 기판 처리 시스템(100)과, 유리 기판(G)에 발광층(32)을 형성하는 기판 처리 시스템(100)을 접속하여 일체화해도 된다. 또한, 유리 기판(G)에 정공 주입층(30)을 형성하는 기판 처리 시스템을 접속하여 일체화해도 된다. 한편, 정공 주입층(30)을 형성하는 처리는 저산소 저이슬점 분위기가 불필요하며, 상기 정공 주입층(30)을 형성하는 기판 처리 시스템은, 상기 기판 처리 시스템(100)에서의 질소 가스의 공급이나 질소 가스의 리사이클이 생략된 것이 된다.Moreover, you may connect and integrate the
한편, 전자 수송층(33)과 전자 주입층(34)은, 기판 처리 시스템(100)의 외부에 있어서 증착법에 의해 유리 기판(G) 상에 형성되어도 되고, 정공 수송층(31)과 마찬가지로 기판 처리 시스템(100)에 있어서 유리 기판(G) 상에 형성되어도 된다.On the other hand, the
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. It is clear that those skilled in the art can imagine various changes or modifications within the scope of the idea described in the claims, and it is understood that these naturally also fall within the technical scope of the present invention.
1: 유기 발광 다이오드 10: 양극
30: 정공 주입층 31: 정공 수송층
32: 발광층 33: 전자 수송층
34: 전자 주입층 40: 음극
100: 기판 처리 시스템 101: 반입 반출 스테이션
102: 처리 스테이션 120: 제1 기판 반송 장치
121: 제2 기판 반송 장치 122: 제3 기판 반송 장치
130: 도포 장치 131: 감압 건조 장치
132: 소성 장치 134: 온도 조절 장치
140: 제어부 200, 300, 400: 처리 용기
230, 310, 410: 공기 공급부 240, 320, 420: 가스 공급부
250, 330, 430: 배기부
260, 340, 440: 가스 순환 시스템 261: 냉각기
262: 필터 263, 341, 441: 정제기
264, 343, 442: 배관 267: 정제통
268, 344, 443: 가스 공급부 271, 346, 445: 배기부
280, 281, 350, 351, 450: 산소 농도계
282, 352, 451: 이슬점 온도계 290, 360: 도어
342: 온도 조절기 G: 유리 기판1: organic light emitting diode 10: anode
30: hole injection layer 31: hole transport layer
32: light emitting layer 33: electron transport layer
34: electron injection layer 40: cathode
100: substrate processing system 101: carry-in/out station
102: processing station 120: first substrate transfer device
121: second substrate transport device 122: third substrate transport device
130: application device 131: reduced pressure drying device
132: firing unit 134: temperature control unit
140:
230, 310, 410:
250, 330, 430: exhaust
260, 340, 440: gas circulation system 261: cooler
262:
264, 343, 442: pipe 267: tablet canister
268, 344, 443:
280, 281, 350, 351, 450: oximeter
282, 352, 451:
342: temperature controller G: glass substrate
Claims (22)
상기 유기층을 기판 상에 도포하고, 상기 유기층을 건조시킨 후, 상기 유기층을 소성하는 소성 장치와,
상기 소성 장치로 상기 유기층을 소성한 후, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와,
상기 소성 장치와 상기 온도 조절 장치에 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 가지며,
상기 소성 장치, 상기 온도 조절 장치 및 상기 기판 반송 장치는, 각각, 내부의 분위기가, 대기보다 낮은 미리 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 미리 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되는 처리 용기와,
상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부와,
상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제통을 갖는 정제기와, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 제1 배관을 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리는 가스 순환 시스템과,
상기 소성 장치의 처리 용기 내와 제1 배관 내의 분위기, 상기 온도 조절 장치의 처리 용기 내와 제1 배관 내의 분위기, 및 상기 기판 반송 장치의 처리 용기 내와 제1 배관 내의 분위기를 제어하는 제어부를 가지며,
상기 제1 배관에는 상기 가스 공급부가 접속되어,
상기 제1 배관은 상기 정제기의 내부에 있어서, 상기 정제통이 설치되는 제2 배관과, 상기 정제통이 설치되지 않는 제3 배관으로 분기하고,
상기 제어부는,
상기 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과,
상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정
을 행하도록, 상기 가스 공급부, 상기 배기부 및 상기 가스 순환 시스템을 제어하고,
상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 제1 배관 내 및 제3 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어하고,
상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기가 상기 제2 배관 및 상기 정제통을 통과하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. A substrate processing system for forming an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate, comprising:
a firing apparatus for applying the organic layer on a substrate, drying the organic layer, and then firing the organic layer;
a temperature control device for controlling the temperature of the substrate after firing the organic layer with the firing device;
a substrate transport device for transporting a substrate to the firing device and the temperature control device;
each of the firing apparatus, the temperature control apparatus, and the substrate transfer apparatus comprises: a processing container in which an internal atmosphere is maintained in an atmosphere having a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere and a predetermined dew point temperature lower than the atmosphere;
a gas supply unit for supplying an inert gas into the processing vessel;
an exhaust unit for exhausting the inside of the processing container;
Gas circulation for returning the atmosphere purified by the purifier into the processing container, comprising: a purifier having a purification cylinder for removing oxygen and moisture from the atmosphere in the processing container; and a first pipe connecting the processing container and the purification machine; system and
a control unit for controlling the atmosphere in the processing vessel and the first pipe of the firing apparatus, the atmosphere in the processing vessel and the first pipe of the temperature control device, and the atmosphere in the processing vessel and the first pipe of the substrate transfer apparatus, ,
The gas supply unit is connected to the first pipe,
The first pipe branches into a second pipe in which the tablet cylinder is installed and a third pipe in which the tablet cylinder is not installed, in the inside of the purifier,
The control unit is
An inert gas is supplied into the processing vessel from the gas supply unit, the interior of the processing vessel is exhausted by the exhaust unit, and the atmosphere in the processing vessel is replaced with an inert gas, so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere and the dew point is lower than that of the atmosphere. A first step of creating an atmosphere with a low temperature;
The supply of the inert gas from the gas supply unit is stopped, and the atmosphere purified by the purifier is returned into the processing vessel by using the gas circulation system, and the atmosphere in the processing vessel is adjusted to a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature. 2nd process to maintain
to control the gas supply unit, the exhaust unit and the gas circulation system to perform
In the first step, the control unit replaces the atmosphere in the first pipe and the third pipe with an inert gas by the inert gas supplied from the gas supply unit, so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere, and the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere. Controlled in an atmosphere with a low dew point temperature,
In the first step, the control unit controls the atmosphere in the processing container not to pass through the second pipe and the purification cylinder.
상기 온도 조절 장치에서의 처리 용기 내의 분위기 제어와,
상기 기판 반송 장치에서의 처리 용기 내의 분위기 제어는 각각 개별적으로 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The method according to claim 1, further comprising: controlling an atmosphere in the processing vessel in the firing apparatus;
controlling the atmosphere in the processing vessel in the temperature control device;
The substrate processing system according to any one of the preceding claims, wherein the atmosphere control in the processing chamber in the substrate transfer apparatus is performed individually.
복수의 상기 정제통과,
상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와,
상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며,
상기 제어부는, 상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고,
상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생하도록, 다른 가스 공급부와 상기 다른 배기부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. According to claim 1 or 2, wherein the purifier,
passing through a plurality of said tablets;
Another gas supply unit for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas to the refinery;
It has another exhaust for exhausting the inside of the tablet cylinder,
In the second step, the control unit supplies the regenerating gas from the other gas supply unit to the other purification cylinder while purifying the atmosphere in the processing vessel in one purification cylinder;
and controlling another gas supply unit and the other exhaust unit so that the inside of the purification cylinder is exhausted by the other exhaust unit to regenerate the other purification cylinder.
상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계를 더 가지며,
상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과와 상기 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The oxygen concentration meter according to claim 1 or 2, wherein the oxygen concentration meter measures the oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel;
Further comprising a dew point thermometer for measuring the dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel,
The control unit controls the atmosphere in the processing vessel based on a measurement result of the oxygen concentration meter and a measurement result of the dew point thermometer.
상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 도어의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. According to claim 5, further comprising a door for opening and closing the inside of the processing vessel to the outside,
The control unit controls opening and closing of the door based on a measurement result of the oxygen concentration meter.
상기 정제기로 정제되기 전의 분위기를 냉각하는 냉각기와,
상기 냉각기로 냉각된 후이며 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기 중의 이물질을 제거하는 필터를 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The gas circulation system according to claim 1 or 2, wherein the gas circulation system provided in the firing apparatus comprises:
A cooler for cooling the atmosphere before purification by the purifier;
and a filter for removing foreign substances in the atmosphere after being cooled by the cooler and before being purified by the purifier.
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