KR102332794B1 - Manufacturing method for two dimensional nano structure - Google Patents

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Abstract

본원은 나이오븀 전구체 및 아이오딘 전구체를 반응시켜 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계; 및, 상기 벌크 이차원 구조체로부터 단층의 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계를 포함하고, 상기 이차원 나노 구조체는 Nb3I8 구조식을 포함하는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법에 대한 것이다.The present application includes the steps of preparing a bulk two-dimensional structure by reacting a niobium precursor and an iodine precursor; And, comprising the step of peeling the two-dimensional nanostructure of the single layer from the bulk two-dimensional structure, wherein the two-dimensional nanostructure is Nb 3 I 8 It relates to a method for manufacturing a two-dimensional nanostructure, which includes the structural formula.

Description

이차원 나노 구조체의 제조 방법 {MANUFACTURING METHOD FOR TWO DIMENSIONAL NANO STRUCTURE}Manufacturing method of two-dimensional nanostructure {MANUFACTURING METHOD FOR TWO DIMENSIONAL NANO STRUCTURE}

본원은 이차원 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.The present application relates to a method for manufacturing a two-dimensional nanostructure.

이차원 물질은 평면방향으로는 강한 공유결합(covalent bond)으로 이루어져 있으며 수직 방향으로는 약한 반데르발스(van der Waals)결합으로 이루어져 있는 층상 구조를 공통적으로 가지고 있다. 이러한 특성에 의해 이차원 물질들은 전기적, 기계적 특성이 뛰어나고, 두께가 원자 몇 층 단위로 매우 얇기 때문에, 유연소자, 투명소자 뿐만 아니라 정밀 제품 등에 적용이 가능한 차세대 물질로 주목받고 있다. 이러한 이차원 물질은 일반 벌크 물질과 마찬가지로 전기적 특성에 따라 도체, 반도체, 절연체로 분류될 수 있다. 예를 들어, 이차원 도체 물질에는 그래핀 등이 있고, 이차원 반도체 물질에는 전이금속 칼코겐 화합물, 흑린(black phosphorus) 등이 있을 수 있다. Two-dimensional materials have a common layered structure consisting of strong covalent bonds in the planar direction and weak van der Waals bonds in the vertical direction. Due to these characteristics, two-dimensional materials have excellent electrical and mechanical properties and are very thin in the order of several atoms, so they are attracting attention as next-generation materials that can be applied not only to flexible devices and transparent devices, but also to precision products. Such a two-dimensional material may be classified into a conductor, a semiconductor, and an insulator according to electrical characteristics, like a general bulk material. For example, the two-dimensional conductor material may include graphene, and the two-dimensional semiconductor material may include a transition metal chalcogen compound, black phosphorus, and the like.

그래핀은 높은 전하 이동도, 기계적 강도를 갖고 있으나, 밴드 갭을 형성하는 것이 매우 어렵기 어렵고, 밴드 갭을 형성하기 위해 나노 리본 형태로 제조하면 두께가 균일하지 못한 단점이 존재한다. . 이러한 특성을 이유로, 그래핀은 보호필름, 또는 컨덕터 등으로의 사용이 예상되고 있다. 또한, 전이 금속 칼코겐 화합물 및 흑린은 전자 장치에서 사용할 수 있을 정도로 작은 밴드 갭이 형성되어 잇으나, 기존의 반도체 물질인 Si 에 비해 매우 낮은 전하 이동도를 갖고 있는 문제점이 존재한다.Although graphene has high charge mobility and mechanical strength, it is very difficult to form a band gap, and when manufactured in the form of a nanoribbon to form a band gap, the thickness is not uniform. . Due to these characteristics, graphene is expected to be used as a protective film or a conductor. In addition, the transition metal chalcogenide compound and black phosphorus have a band gap that is small enough to be used in electronic devices, but there is a problem in that they have a very low charge mobility compared to Si, which is a conventional semiconductor material.

상기한 이차원 물질의 단점을 극복하기 위하여, Nb3X8 (단, X 는 Cl, Br, 또는 I)가 제안되었다. 상기 Nb3X8 은, 이차원 물질이 약한 반데르발스 힘에 의해 결합된 형태를 갖고 있어 박리가 용이하고, DFT(Denstiy Function theory) 계산 결과 1 eV 이하의 매우 낮은 밴드갭 및 강자성 성질을 갖고 있을 것으로 예측되었으나, 실제로 박리된 Nb3X8 이 어떠한 전기적 또는 자기적 특성을 갖는지는 확인되지 않았다.In order to overcome the disadvantages of the two-dimensional material, Nb 3 X 8 (provided that X is Cl, Br, or I) has been proposed. The Nb 3 X 8 has a form in which the two-dimensional material is combined by a weak van der Waals force, so it is easy to peel, and as a result of DFT (Denstiy Function theory) calculation, it has a very low band gap and ferromagnetic properties of 1 eV or less. It was predicted, but it was not confirmed whether the actually exfoliated Nb 3 X 8 had any electrical or magnetic properties.

본원의 배경이 되는 기술인 논문(Jiang, Junke, et al. "Exploration of New Ferromagnetic, Semiconducting and Biocompatible Nb3X8 (X = Cl, Br or I) Monolayers with Considerable Visible and Infrared Light Absorption." Nanoscale, vol. 9, no. 9, 2017, pp. 2992-3001) 은 Nb3X8 에 대한 것이다. 상기 논문은 Nb3X8 의 다양한 특성을 시뮬레이션을 통해 예측하고 있으나, Nb3X8 의 이차원 물질층을 박리하는 방법 및 Nb3X8 의 이차원 물질의 실제 특성을 개시하고 있지 않다.The technology behind this application (Jiang, Junke, et al. "Exploration of New Ferromagnetic, Semiconducting and Biocompatible Nb 3 X 8 (X = Cl, Br or I) Monolayers with Considerable Visible and Infrared Light Absorption." Nanoscale, vol. 9, no. 9, 2017, pp. 2992-3001) is for Nb 3 X 8 . The above paper predicts various properties of Nb 3 X 8 through simulation, but does not disclose a method for exfoliating the Nb 3 X 8 2D material layer and the actual properties of the Nb 3 X 8 2D material.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이차원 나노 구조체를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present application is to provide a method for manufacturing a two-dimensional nanostructure in order to solve the problems of the prior art described above.

또한, 본원은 상기 제조 방법에 의해 제조된 이차원 나노 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present application is to provide a two-dimensional nanostructure manufactured by the above manufacturing method.

다만, 본원의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.However, the technical problems to be achieved by the embodiments of the present application are not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may exist.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면은, 나이오븀 전구체 및 아이오딘 전구체를 반응시켜 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계; 및, 상기 벌크 이차원 구조체로부터 단층의 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계를 포함하고, 상기 이차원 나노 구조체는 Nb3I8 구조식을 포함하는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법을 제공한다.As a technical means for achieving the above technical problem, a first aspect of the present application comprises the steps of preparing a bulk two-dimensional structure by reacting a niobium precursor and an iodine precursor; And, it provides a method of manufacturing a two-dimensional nanostructure comprising the step of peeling the single-layer two-dimensional nanostructure from the bulk two-dimensional structure, wherein the two-dimensional nanostructure includes the Nb 3 I 8 structural formula.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 이차원 나노 구조체의 제조 방법은 상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체를 화학 기상 수송 반응(Chemical Vapor Transport Reaction)시켜 상기 벌크 이차원 구조체를 제조하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the method for manufacturing the two-dimensional nanostructure may be to prepare the bulk two-dimensional structure by performing a chemical vapor transport reaction between the niobium precursor and the iodine precursor, but is limited thereto. it's not going to be

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체는 단결정 구조를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the bulk two-dimensional structure may have a single crystal structure, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체의 전기적 특성은 온도에 따라 변화되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the electrical characteristics of the bulk two-dimensional structure may be changed according to temperature, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체로부터 상기 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계는 물리적 박리법 또는 화학적 박리법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to the exemplary embodiment of the present application, the step of peeling the two-dimensional nanostructure from the bulk two-dimensional structure may be performed by a physical peeling method or a chemical peeling method, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 물리적 박리법은 기계적 박리, 층간 물질 삽입, 초음파 공정, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 박리법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the physical peeling method may be performed by a peeling method selected from the group consisting of mechanical peeling, interlayer material insertion, ultrasonic process, and combinations thereof, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기계적 박리는 접착성 폴리머 상에 상기 벌크 이차원 구조체를 접착 시키는 단계; 상기 접착성 폴리머의 상기 벌크 이차원 구조체가 접착된 면을 기판 상에 접착시키는 단계; 및 상기 기판 상의 상기 접착성 폴리머를 제거하는 단계를 포함하는 공정에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the mechanical peeling comprises bonding the bulk two-dimensional structure on an adhesive polymer; adhering the surface to which the bulk two-dimensional structure of the adhesive polymer is adhered on a substrate; and removing the adhesive polymer on the substrate, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기판은 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the substrate is silicon, silicon carbide, germanium, silicon germanium, silicon carbide, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP and combinations thereof It may include one selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 화학적 박리법은 전기 화학적 박리, 습식 화학 박리, 환원 박리, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 박리법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the chemical peeling method may be performed by a peeling method selected from the group consisting of electrochemical peeling, wet chemical peeling, reducing peeling, and combinations thereof, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체는 상기 단층의 이차원 나노 구조체들이 반데르발스 힘에 의해 적층되어 있는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the bulk two-dimensional structure may be one in which the two-dimensional nanostructures of the single layer are stacked by van der Waals force, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체의 몰 비율은 3 : 8 내지 3 : 10 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the molar ratio of the niobium precursor and the iodine precursor may be 3:8 to 3:10, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계는 500℃ 내지 750℃ 의 온도 범위에서 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the manufacturing of the bulk two-dimensional structure may be performed in a temperature range of 500°C to 750°C, but is not limited thereto.

또한, 본원의 제 2 측면은 본원의 제 1 측면에 의한 방법에 의해 제조되고, Nb3I8 구조식을 포함하는 이차원 나노 구조체를 제공한다.In addition, the second aspect of the present application is prepared by the method according to the first aspect of the present application, and provides a two-dimensional nanostructure comprising the Nb 3 I 8 structural formula.

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described problem solving means are merely exemplary, and should not be construed as limiting the present application. In addition to the exemplary embodiments described above, additional embodiments may exist in the drawings and detailed description.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 본원에 따른 이차원 나노 구조체의 제조 방법은, 반데르발스 힘에 의해 결합된 벌크 이차원 구조체로부터 단층 이차원 나노 구조체를 분리하는 방법을 제공할 수 있다.According to the above-described means for solving the problems of the present application, the method for manufacturing a two-dimensional nanostructure according to the present application may provide a method of separating a single-layered two-dimensional nanostructure from a bulk two-dimensional structure bonded by van der Waals force.

또한, 본원에 따른 이차원 나노 구조체의 제조 방법에 의해 제조된 단층의 이차원 나노 구조체는 밴드 갭이 매우 작기 때문에, 상기 단층의 이차원 나노 구조체을 반도체 소자 등에 활용할 수 있다.In addition, since the single-layered two-dimensional nanostructure manufactured by the method for manufacturing a two-dimensional nanostructure according to the present application has a very small band gap, the single-layered two-dimensional nanostructure can be utilized in a semiconductor device or the like.

또한, 본원에 따른 이차원 나노 구조체의 제조 방법은 벌크 이차원 구조체는 고순도의 단결정 물질로서, 상기 제조 방법에 의해 수 cm 의 크기를 갖도록 제조될 수 있기 때문에, 단층의 이차원 나노 구조체를 대량으로 생산할 수 있다.In addition, in the method for manufacturing a two-dimensional nanostructure according to the present application, the bulk two-dimensional structure is a high-purity single-crystal material, and can be manufactured to have a size of several cm by the manufacturing method, so that a single-layered two-dimensional nanostructure can be mass-produced. .

다만, 본원에서 얻을 수 있는 효과는 상기된 바와 같은 효과들로 한정되지 않으며, 또 다른 효과들이 존재할 수 있다.However, the effects obtainable herein are not limited to the above-described effects, and other effects may exist.

도 1 은 본원의 구현예에 따른 이차원 나노 구조체의 제조 방법의 순서도이다.
도 2 는 본원의 일 구현예에 따른 벌크 이차원 구조체의 모식도이다.
도 3 은 본원의 일 구현예에 따른 벌크 이차원 구조체로부터 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계를 표현한 모식도이다.
도 4 는 본원의 일 실시예에 따른 벌크 이차원 구조체의 SEM 분석 이미지이다.
도 5 는 본원의 일 실시예에 따른 벌크 이차원 구조체의 SEM 분석 이미지 및 결정 구조의 모식도이다.
도 6 은 본원의 일 실시예에 따른 벌크 이차원 구조체의 XRD 분석 결과이다.
도 7 은 본원의 일 비교예에 따른 파우더의 XRD 분석 결과이다.
도 8 의 (a) 및 (b) 는 본원의 일 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 AFM 이미지이고, 도 8 의 (c) 는 본원의 일 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 평면도를 나타낸 그래프이다.
도 9 는 본원의 일 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 SKPM 이미지이다.
도 10 의 (a) 내지 (c) 는 본원의 일 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 표면 포텐셜 에너지에 대한 그래프이고, 도 10 의 (d) 는 본원의 일 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 일함수에 대한 그래프이다.
도 11 은 본원의 일 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 온도에 따른 전기 전도도에 대한 그래프이다.1 is a flowchart of a method for manufacturing a two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application.
2 is a schematic diagram of a bulk two-dimensional structure according to an embodiment of the present application.
3 is a schematic diagram illustrating a step of peeling a two-dimensional nanostructure from a bulk two-dimensional structure according to an embodiment of the present application.
4 is an SEM analysis image of a bulk two-dimensional structure according to an embodiment of the present application.
5 is a schematic diagram of a SEM analysis image and a crystal structure of a bulk two-dimensional structure according to an embodiment of the present application.
6 is an XRD analysis result of a bulk two-dimensional structure according to an embodiment of the present application.
7 is an XRD analysis result of a powder according to a comparative example of the present application.
8A and 8B are AFM images of a two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application, and FIG. 8C is a graph showing a plan view of the two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application.
9 is an SKPM image of a two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application.
10A to 10C are graphs of the surface potential energy of a two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application, and FIG. 10D is a work function of a two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application. is a graph for
11 is a graph of electrical conductivity according to temperature of a two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art to which the present application pertains can easily implement them.

그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.However, the present application may be embodied in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present application in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우 뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a part is said to be "connected" to another part, it includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "electrically connected" with another element interposed therebetween. do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when it is said that a member is positioned "on", "on", "on", "under", "under", or "under" another member, this means that a member is positioned on the other member. It includes not only the case where they are in contact, but also the case where another member exists between two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 또한, 본원 명세서 전체에서, "~ 하는 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다. As used herein, the terms "about," "substantially," and the like are used in a sense at or close to the numerical value when the manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning are presented, and to aid in the understanding of the present application. It is used to prevent an unconscionable infringer from using the mentioned disclosure in an unreasonable manner. Also, throughout this specification, "step to" or "step to" does not mean "step for".

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term "combination of these" included in the expression of the Markush form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of the components described in the expression of the Markush form, and the components It is meant to include one or more selected from the group consisting of.

본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B" 의 기재는, "A 또는 B, 또는, A 및 B" 를 의미한다.Throughout this specification, reference to “A and/or B” means “A or B, or A and B”.

본원 명세서 전체에서, "물질의 단차"는 상기 물질의 높낮이를 측정하였을 때, 상기 측정된 영역에서 가장 높은 높이와 가장 낮은 높이의 차를 의미한다.Throughout this specification, "step difference of material" means the difference between the highest height and the lowest height in the measured area when the height of the material is measured.

이하에서는 본원의 이차원 나노 구조체의 제조 방법에 대하여, 구현예 및 실시예와 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the manufacturing method of the two-dimensional nanostructure of the present application will be described in detail with reference to embodiments, examples, and drawings. However, the present application is not limited to these embodiments and examples and drawings.

도 1 은 본원의 구현예에 따른 이차원 나노 구조체의 제조 방법의 순서도이다. 1 is a flowchart of a method for manufacturing a two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면은, 나이오븀 전구체 및 아이오딘 전구체를 반응시켜 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계; 및, 상기 벌크 이차원 구조체로부터 단층의 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계를 포함하고, 상기 이차원 나노 구조체는 Nb3I8 구조식을 포함하는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법을 제공한다.As a technical means for achieving the above technical problem, a first aspect of the present application comprises the steps of preparing a bulk two-dimensional structure by reacting a niobium precursor and an iodine precursor; And, it provides a method of manufacturing a two-dimensional nanostructure comprising the step of peeling the single-layer two-dimensional nanostructure from the bulk two-dimensional structure, wherein the two-dimensional nanostructure includes the Nb 3 I 8 structural formula.

동일한 할로겐 족에 속하는 아이오딘, 염소, 및 브롬에 있어서, 상기 염소 또는 상기 브롬은 상온에서 고체로 존재하지 않기 때문에, 화학양론적 제어가 어렵고, 유독한 특성이 있다. 반면, 상기 아이오딘은 상온에서 고체로 존재하여 상기 이차원 나노 구조체의 제조 방법에 사용될 양을 정량화할 수 있고, 무독한 특성을 갖고 있다. 이에, 본원에서는 이차원 나노 구조체 중 하나인 Nb3I8 의 제조 방법을 개시한다.In iodine, chlorine, and bromine belonging to the same halogen group, since the chlorine or the bromine does not exist as a solid at room temperature, it is difficult to control the stoichiometry and has toxic properties. On the other hand, the iodine exists as a solid at room temperature so that the amount to be used in the manufacturing method of the two-dimensional nanostructure can be quantified and has non-toxic properties. Accordingly, the present application discloses a method of manufacturing Nb 3 I 8 , which is one of the two-dimensional nanostructures.

이와 관련하여, 나노 물질은 벌크 물질이 갖지 못한 전기적, 물리적, 화학적 등 새로운 특성을 가질 수 있기 때문에, 나노 물질에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 그러나 상기 나노 물질은 높은 표면 에너지를 가지면서 표면 결함을 갖기 때문에, 층상 반데르발스 결합을 이루는 물질로부터 층상 이차원 물질을 얻는 연구가 진행되고 있다.In this regard, because nanomaterials may have new properties, such as electrical, physical, and chemical, which bulk materials do not have, research on nanomaterials is being actively conducted. However, since the nanomaterial has a high surface energy and a surface defect, research on obtaining a layered two-dimensional material from a material forming a layered van der Waals bond is in progress.

본원에 따른 벌크 이차원 구조체는, 단층의 이차원 나노 구조체가 반데르발스 힘에 의해 적층되어 있는 구조체를 의미한다. The bulk two-dimensional structure according to the present application means a structure in which single-layered two-dimensional nanostructures are stacked by van der Waals forces.

본원에 따른 이차원 나노 구조체는 이차원 평면 구조를 가지는 물질을 의미한다.The two-dimensional nanostructure according to the present application refers to a material having a two-dimensional planar structure.

구체적으로, 상기 이차원 나노 구조체는 이차원 평면 구조를 갖고, 상기 벌크 이차원 구조체는 상기 이차원 평면 구조를 가지는 나노 구조체들이 반데르발스 결합을 하여 서로 적층되어 있는 것일 수 있다.Specifically, the two-dimensional nanostructure may have a two-dimensional planar structure, and the bulk two-dimensional structure may be one in which the nanostructures having the two-dimensional planar structure are stacked with each other through van der Waals bonding.

본원에 따른 이차원 나노 구조체의 제조 방법에 있어서, 먼저 나이오븀 전구체 및 아이오딘 전구체를 반응시켜 벌크 이차원 구조체를 제조한다 (S100).In the method for manufacturing a two-dimensional nanostructure according to the present application, a bulk two-dimensional structure is prepared by first reacting a niobium precursor and an iodine precursor (S100).

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 이차원 나노 구조체의 제조 방법은 상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체를 화학 기상 수송 반응(Chemical Vapor Transport Reaction)시켜 상기 벌크 이차원 구조체를 제조하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the method for manufacturing the two-dimensional nanostructure may be to prepare the bulk two-dimensional structure by performing a chemical vapor transport reaction between the niobium precursor and the iodine precursor, but is limited thereto. it's not going to be

화학 기상 수송 반응이란 화학적으로 물질을 합성하는 방법의 일종으로서, 본원에서는 상기 화학 기상 수송 반응 공정을 통해 상기 나이오븀 전구체와 상기 아이오딘 전구체를 반응시켜 Nb3I8 구조식을 포함하는 벌크 이차원 구조체를 제조할 수 있다.Chemical vapor transport reaction is a kind of method for chemically synthesizing a material, and in the present application, the niobium precursor and the iodine precursor are reacted through the chemical vapor transport reaction process to form a bulk two-dimensional structure containing the Nb 3 I 8 structural formula. can be manufactured.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 아이오딘 전구체는 상기 나이오븀 전구체와 반응하여 중간물질을 형성하기 위한 아이오딘 기체 및 아이오딘 분말을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the iodine precursor may include iodine gas and iodine powder for reacting with the niobium precursor to form an intermediate material, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 중간 물질은 상기 아이오딘 기체에 의해 열역학적으로 안정된 지점으로 수송될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the intermediate material may be transported to a thermodynamically stable point by the iodine gas, but is not limited thereto.

구체적으로, 상기 나이오븀 전구체, 상기 아이오딘 분말 및 상기 아이오딘 기체와 반응하여 상기 중간 물질을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 중간 물질을 형성하는 반응 후 남은 아이오딘 기체에 의해 상기 중간 물질은 열역학적으로 Nb3I8 이 가장 안정한 온도를 갖는 영역으로 수송될 수 있다.Specifically, the intermediate material may be formed by reacting with the niobium precursor, the iodine powder, and the iodine gas. Subsequently, the intermediate material may be thermodynamically transported to a region in which Nb 3 I 8 has the most stable temperature by the iodine gas remaining after the reaction to form the intermediate material.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체는 수 cm 스케일의 판형 단결정 물질일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to the exemplary embodiment of the present application, the bulk two-dimensional structure may be a plate-shaped single crystal material having a scale of several cm, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체의 몰 비율은 3 : 8 내지 3 : 10 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는, 상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체의 몰 비율은 3 : 9 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the molar ratio of the niobium precursor and the iodine precursor may be 3:8 to 3:10, but is not limited thereto. Preferably, the molar ratio of the niobium precursor and the iodine precursor may be 3:9, but is not limited thereto.

상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체의 몰 비율은 3 : 9 일 경우, 상기 벌크 이차원 구조체는 Nb3I9 구조식을 갖는 판형 단결정 물질로서 제조될 수 있다.When the molar ratio of the niobium precursor and the iodine precursor is 3:9, the bulk two-dimensional structure may be prepared as a plate-shaped single crystal material having the Nb 3 I 9 structural formula.

예를 들어, 상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체의 몰 비율이 3 : 8 미만 또는 3 : 10 초과일 경우에도, 상기 Nb3I8 이차원 나노 구조체는 생성될 수 있으나, 최종 결과물은 NbI4 또는 NbI5 의 구조식을 갖는 불순물을 포함하거나 Nb3I8 가 수득되는 정도가 낮을 수 있다. For example, even when the molar ratio of the niobium precursor and the iodine precursor is less than 3:8 or greater than 3:10, the Nb 3 I 8 two-dimensional nanostructure may be generated, but the final result is NbI 4 or An impurity having the structural formula of NbI 5 may be included or the degree of obtaining Nb 3 I 8 may be low.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계는 500℃ 내지 750℃ 의 온도 범위에서 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the manufacturing of the bulk two-dimensional structure may be performed in a temperature range of 500°C to 750°C, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 벌크 이차원 구조체가 500℃ 미만의 온도에서 제조될 경우, 상기 벌크 이차원 구조체는 Nb, Nb4, 또는 NbI5 등의 불순물을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, when the bulk 2D structure is manufactured at a temperature of less than 500° C., the bulk 2D structure may include impurities such as Nb, Nb 4 , or NbI 5 , but is not limited thereto.

또한, 예를 들어 상기 벌크 이차원 구조체가 750℃ 초과의 온도에서 제조될 경우, 상기 벌크 이차원 구조체의 성장이 원활하게 이루어지지 않을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, for example, when the bulk two-dimensional structure is manufactured at a temperature of more than 750° C., the growth of the bulk two-dimensional structure may not be made smoothly, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체는 단결정 구조를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the bulk two-dimensional structure may have a single crystal structure, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체의 전기적 특성은 온도에 따라 변화되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 벌크 이차원 구조체의 온도가 증가함에 따라 상기 벌크 이차원 구조체의 전도도 역시 증가할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다..According to one embodiment of the present application, the electrical characteristics of the bulk two-dimensional structure may be changed according to temperature, but is not limited thereto. For example, as the temperature of the bulk two-dimensional structure increases, the conductivity of the bulk two-dimensional structure may also increase, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체의 전기적 특성이 변화되는 온도의 범위는 100 K 내지 300 K 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the range of the temperature at which the electrical characteristics of the bulk two-dimensional structure is changed may be 100 K to 300 K, but is not limited thereto.

상기 벌크 이차원 구조체가 저온일 경우, 상기 벌크 이차원 구조체 상의 전하 운반체의 이동도가 크더라도 전하 운반체의 농도가 낮아 전기적 특성은 낮을 수 있다. When the bulk two-dimensional structure is at a low temperature, even if the mobility of the charge carriers on the bulk two-dimensional structure is high, the concentration of the charge carriers is low, and thus electrical characteristics may be low.

상기 벌크 이차원 구조체가 저온일 경우, 상기 벌크 이차원 구조체 상의 전하 운반체의 이동도가 크더라도 전하 운반체의 농도가 낮아 전기적 특성은 낮을 수 있다. 그러나 상기 벌크 이차원 구조체의 온도를 높여줄 경우, 전자가 보유한 열 에너지가 증가하여 밸런스 밴드(valance band)의 전자가 컨덕션 밴드(conduction band)로 쉽게 여기될 수 있기 때문에, 전기적 특성이 향상될 수 있다. When the bulk two-dimensional structure is at a low temperature, even if the mobility of the charge carriers on the bulk two-dimensional structure is high, the concentration of the charge carriers is low, and thus electrical characteristics may be low. However, when the temperature of the bulk two-dimensional structure is increased, the thermal energy possessed by electrons increases so that the electrons of the valance band can be easily excited into the conduction band, so that the electrical properties can be improved. have.

도 2 는 본원의 일 구현예에 따른 벌크 이차원 구조체의 모식도이다.2 is a schematic diagram of a bulk two-dimensional structure according to an embodiment of the present application.

도 2 를 참조하면, 상기 벌크 이차원 구조체는 나이오븀(Nb) 및 아이오딘(I)가 결합된 이차원 나노 구조체가 적층되어 형성된 것을 파악할 수 있다.Referring to FIG. 2 , it can be seen that the bulk two-dimensional structure is formed by stacking two-dimensional nanostructures in which niobium (Nb) and iodine (I) are bonded.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 이차원 나노 구조체가 적층된 정도가 클수록 표면 포텐셜 에너지 또는 일함수가 증가할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to the exemplary embodiment of the present application, as the degree of stacking of the two-dimensional nanostructures increases, the surface potential energy or work function may increase, but is not limited thereto.

본원에 따른 층간 차폐 효과(interlayer screening effect)는 전이금속 칼코게나이드 화합물, 그래핀과 같은 일반적인 이차원 물질에서도 흔히 발견되는 현상이며, 상기 이차원 나노 구조체의 두께가 일정 수준 이하로 얇아질 경우, 상기 층간 차폐 효과가 기하급수적으로 증가하여 상기 이차원 나노 구조체가 위치한 기판 및 상기 이차원 나노 구조체 사이의 표면 전위차 및 일함수가 감소하는 효과를 의미한다. The interlayer screening effect according to the present application is a phenomenon commonly found in general two-dimensional materials such as transition metal chalcogenide compounds and graphene. The shielding effect increases exponentially, so that the surface potential difference and the work function between the substrate on which the two-dimensional nanostructure is positioned and the two-dimensional nanostructure are reduced.

예를 들어, Si 기판은 표면에 자연적으로 형성된 SiO2 층을 포함할 수 있다. 상기 SiO2 층은 다수의 전하 포착 상태(charge trapping state)를 갖기 때문에 강한 전하 이동 현상(charge transfer behavior)이 발생할 수 있으며, 상기 전하 이동 현상은 Si 기판 및 Si 기판 상에 형성된 상기 이차원 나노 구조체, 예를 들어 Nb3I8- 사이에서 발생할 수 있다.For example, the Si substrate may include a SiO 2 layer formed naturally on the surface. Since the SiO 2 layer has a plurality of charge trapping states, a strong charge transfer behavior may occur, and the charge transfer phenomenon is the Si substrate and the two-dimensional nanostructure formed on the Si substrate, For example, it can occur between Nb 3 I 8-.

이와 관련하여, 상기 이차원 나노 구조체의 두께가 증가할 경우, 전하가 팁(tip) 부분으로 이동하는 정도가 감소하게 되기 때문에, 상기 기판 및 상기 이차원 나노 구조체 사이의 포텐셜 에너지의 차이 및 일함수는 증가하여 상기 벌크 이차원 구조체의 포텐셜 에너지 또는 일함수와 유사한 수치를 가질 수 있다. 그러나 상기 이차원 나노 구조체의 두께가 얇을 경우, 전하가 팁으로 이동하는 정도가 증가하기 때문에, 상기 기판 및 상기 이차원 나노 구조체 사이의 포텐셜 에너지의 차이 및 일함수는 감소하게 된다.In this regard, when the thickness of the two-dimensional nanostructure increases, the degree of transfer of electric charges to the tip portion decreases, and thus the difference in potential energy and the work function between the substrate and the two-dimensional nanostructure increases. Thus, it may have a value similar to the potential energy or work function of the bulk two-dimensional structure. However, when the thickness of the two-dimensional nanostructure is thin, since the degree of transfer of electric charges to the tip increases, a difference in potential energy and a work function between the substrate and the two-dimensional nanostructure is reduced.

예를 들어, 기판이 SiO2/Si 이고, 상기 이차원 나노 구조체가 Nb3I8 일 경우, 상기 기판은 표면에서 습기를 흡수하며, 상기 이차원 나노 구조체와 상기 기판 사이의 전하 이동에 큰 영향을 미치도록 높은 전하 포집 상태 밀도를 유지한다. 따라서, 상기 이차원 나노 구조체의 층 두께가 증가할수록 상기 이차원 나노 구조체의 층간 차폐 효과가 미치는 범위가 좁아지기 때문에, 상기 이차원 나노 구조체의 두께가 일정 수치, 예를 들어 20 nm 이상이 되면, 상기 이차원 나노 구조체의 표면 포텐셜 에너지 또는 일함수는 상기 벌크 이차원 구조체의 표면 포텐셜 에너지 또는 일함수와 유사한 수치를 가질 수 있다.For example, when the substrate is SiO 2 /Si and the two-dimensional nanostructure is Nb 3 I 8 , the substrate absorbs moisture from the surface, and has a large effect on charge transfer between the two-dimensional nanostructure and the substrate. to maintain a high density of charge trapping states. Therefore, as the layer thickness of the two-dimensional nanostructure increases, the range of the interlayer shielding effect of the two-dimensional nanostructure decreases. The surface potential energy or work function of the structure may have a value similar to the surface potential energy or work function of the bulk two-dimensional structure.

이어서, 상기 벌크 이차원 구조체로부터 단층의 이차원 나노 구조체를 박리한다 (S200).Then, the single-layered two-dimensional nanostructure is peeled from the bulk two-dimensional structure (S200).

도 3 은 본원의 일 구현예에 따른 벌크 이차원 구조체로부터 이차원 나노 구조체을 박리하는 단계를 표현한 모식도이다.3 is a schematic diagram illustrating a step of peeling a two-dimensional nanostructure from a bulk two-dimensional structure according to an embodiment of the present application.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 벌크 이차원 구조체로부터 상기 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계는 물리적 박리법 또는 화학적 박리법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to the exemplary embodiment of the present application, the step of peeling the two-dimensional nanostructure from the bulk two-dimensional structure may be performed by a physical peeling method or a chemical peeling method, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 물리적 박리법은 기계적 박리, 층간 물질 삽입, 초음파 공정, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 박리법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the physical peeling method may be performed by a peeling method selected from the group consisting of mechanical peeling, interlayer material insertion, ultrasonic process, and combinations thereof, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 화학적 박리법은 전기 화학적 박리, 습식 화학 박리, 환원 박리, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 박리법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the chemical peeling method may be performed by a peeling method selected from the group consisting of electrochemical peeling, wet chemical peeling, reducing peeling, and combinations thereof, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 단층의 이차원 나노 구조체를 고품질로 수득하기 위해서 상기 벌크 이차원 구조체를 기계적으로 박리할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the bulk two-dimensional structure may be mechanically peeled off in order to obtain a high-quality two-dimensional nanostructure of the single layer, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기계적 박리는 접착성 폴리머 상에 상기 벌크 이차원 구조체를 접착 시키는 단계; 상기 접착성 폴리머의 상기 벌크 이차원 구조체가 접착된 면을 기판 상에 접착시키는 단계; 및 상기 기판 상의 상기 접착성 폴리머를 제거하는 단계를 포함하는 공정에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the mechanical peeling comprises bonding the bulk two-dimensional structure on an adhesive polymer; adhering the surface to which the bulk two-dimensional structure of the adhesive polymer is adhered on a substrate; and removing the adhesive polymer on the substrate, but is not limited thereto.

도 3 을 참조하면, 상기 기계적 박리를 통해 단층의 상기 이차원 나노 구조체를 수득할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the single-layered two-dimensional nanostructure may be obtained through the mechanical exfoliation.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기판은 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the substrate is silicon, silicon carbide, germanium, silicon germanium, silicon carbide, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP and combinations thereof It may include one selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

또한, 본원의 제 2 측면은 본원의 제 1 측면에 의한 방법에 의해 제조되고, Nb3I8 구조식을 포함하는 이차원 나노 구조체를 제공한다.In addition, the second aspect of the present application is prepared by the method according to the first aspect of the present application, and provides a two-dimensional nanostructure comprising the Nb 3 I 8 structural formula.

본원의 제 2 측면에 따른 이차원 나노 구조체에 대하여, 본원의 제 1 측면과 중복되는 부분들에 대해서는 상세한 설명을 생략하였으나, 그 설명이 생략되었더라도 본원의 제 1 측면에 기재된 내용은 본원의 제 2 측면에 동일하게 적용될 수 있다With respect to the two-dimensional nanostructure according to the second aspect of the present application, detailed descriptions of parts overlapping with the first aspect of the present application are omitted, but even if the description is omitted, the content described in the first aspect of the present application is the second aspect of the present application The same can be applied to

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 이차원 나노 구조체는 밴드 갭이 0.1 eV 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to the exemplary embodiment of the present application, the two-dimensional nanostructure may have a band gap of 0.1 eV or less, but is not limited thereto.

상기 이차원 나노 구조체는 밴드 갭이 0.1 eV 이하로 매우 작기 때문에, 상온에서 밸런스 밴드(valance band)의 전자가 컨덕션 밴드(conduction band)로 전이될 수 있다.Since the two-dimensional nanostructure has a very small band gap of 0.1 eV or less, electrons of a balance band may be transferred to a conduction band at room temperature.

이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본원의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail through the following examples, but the following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the present application.

[실시예] [Example]

이송제로서 과량의 아이오딘(9.35 mg/cm-3)를 포함하는 나이오븀 분말 (99.99%, 325 mesh, AlfaAesar) 0.2323 g 및 아이오딘(99.99%, AlfaAesar) 0.8460 g 을 혼합하였다. 이어서, 상기 혼합된 펠릿을 진공화된 석영 튜브에 주입하고, 32.5℃/h의 속도로 승온하며, 650℃에서 72 시간 동안 가열하고 자연 냉각하여 벌크 Nb3I8 및 작은 결정 Nb3I8 을 수득하였다. 상기 생성물들은 아세톤으로 세척하여 반응이 되지 않은 아이오딘을 제거하였다.0.2323 g of niobium powder (99.99%, 325 mesh, AlfaAesar) and 0.8460 g of iodine (99.99%, AlfaAesar) containing an excess of iodine (9.35 mg/cm -3 ) as a transport agent were mixed. Then, the mixed pellets were injected into a vacuumed quartz tube, heated at a rate of 32.5° C./h, heated at 650° C. for 72 hours and cooled naturally to obtain bulk Nb 3 I 8 and small crystals Nb 3 I 8 . obtained. The products were washed with acetone to remove unreacted iodine.

이어서, 상기 벌크 Nb3I8 을 박리하기 위해, 웨이퍼 다이싱 테이프(BT150EKL, Nitto) 및 상기 벌크 Nb3I8 을 여러 번 접착 및 분리하여 상기 테이프 상에 판상 Nb3I8 을 얇게 형성하였다. 상기 판상 Nb3I8 이 얇게 형성된 테이프를 SiO2/Si 기판 상에 접착하고, 상기 테이프 만을 제거하고, 이러한 과정을 반복하여 이차원 나노 구조체인 Nb3I8 을 수득하였다.Then, in order to peel the bulk Nb 3 I 8 , a wafer dicing tape (BT150EKL, Nitto) and the bulk Nb 3 I 8 were adhered and separated several times to form a thin plate-shaped Nb 3 I 8 on the tape. The plate-shaped Nb 3 I 8 thinly formed tape was adhered to the SiO 2 /Si substrate, only the tape was removed, and this process was repeated to obtain Nb 3 I 8 , a two-dimensional nanostructure.

도 4 는 본원의 상기 실시예에 따른 벌크 이차원 구조체의 SEM 분석 이미지이고, 도 5 는 본원의 상기 실시예에 따른 벌크 이차원 구조체의 SEM 분석 이미지 및 결정 구조의 모식도이다.Figure 4 is an SEM analysis image of the bulk two-dimensional structure according to the embodiment of the present application, Figure 5 is a schematic diagram of the SEM analysis image and crystal structure of the bulk two-dimensional structure according to the embodiment of the present application.

도 4 및 도 5 를 참조하면, 상기 벌크 Nb3I8 은 약 4 cm 크기의 물질로 제조될 수 있으며, 상기 벌크 Nb3I8 은 상기 판상 Nb3I8 이 다수 적층되어 형성되어 있음을 확인할 수 있다.4 and 5 , the bulk Nb 3 I 8 may be made of a material having a size of about 4 cm, and it is confirmed that the bulk Nb 3 I 8 is formed by stacking a plurality of the plate-shaped Nb 3 I 8 can

[비교예][Comparative example]

실시예와 동일한 과정을 수행하되, 600℃ 미만의 온도에서 열처리를 수행하여 Nb 및 I 를 반응시킴으로써 파우더를 수득하였다.A powder was obtained by reacting Nb and I by performing a heat treatment at a temperature of less than 600° C., but performing the same procedure as in Example.

[실험예 1][Experimental Example 1]

도 6 은 상기 실시예에 따른 벌크 이차원 구조체의 XRD 분석 결과이고, 도 7 은 상기 비교예에 따른 파우더의 XRD 분석 결과이다.6 is an XRD analysis result of the bulk two-dimensional structure according to the embodiment, and FIG. 7 is an XRD analysis result of the powder according to the comparative example.

도 6 을 참조하면, 상기 벌크 이차원 구조체를 형성할 때의 온도가 600℃ 이상일 경우, Nb3I8 의 구조식을 갖는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6 , when the temperature at the time of forming the bulk two-dimensional structure is 600° C. or higher, it can be confirmed that Nb 3 I 8 has a structural formula.

그러나, 도 7 을 참조하면, 상기 파우더를 형성할 때의 온도가 600℃ 미만일 경우, 상기 파우더는 Nb, Nb4 또는 NbI5 만을 포함하기 때문에, Nb3I8 이차원 나노 구조체를 수득할 수 없다.However, referring to FIG. 7 , when the temperature at the time of forming the powder is less than 600° C., since the powder contains only Nb, Nb 4 or NbI 5 , an Nb 3 I 8 two-dimensional nanostructure cannot be obtained.

[실험예 2][Experimental Example 2]

도 8 의 (a) 및 (b) 는 상기 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 AFM 이미지이고, 도 8 의 (c) 는 상기 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 평면도를 나타낸 그래프이다.8A and 8B are AFM images of the two-dimensional nanostructure according to the embodiment, and FIG. 8C is a graph showing a plan view of the two-dimensional nanostructure according to the embodiment.

도 8 를 참조하면, P1, P2, P3 부분의 단차의 Rq(root-mean-square roughness)는 각각 0.059 nm, 0.057 nm, 0.063 nm 이고, P1 과 P2 사이 및 P2 와 P3 사이의 두께는 0.9 nm 로 매우 얇기 때문에, 본원에 따른 이차원 나노 구조체는 매우 평탄한 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 8 , the root-mean-square roughness (R q) of the steps of the portions P1, P2, and P3 is 0.059 nm, 0.057 nm, and 0.063 nm, respectively, and the thickness between P1 and P2 and between P2 and P3 is 0.9 Since it is very thin in nm, it can be confirmed that the two-dimensional nanostructure according to the present application is very flat.

[실험예 3][Experimental Example 3]

도 9 는 상기 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 SKPM 이미지이고, 도 10 의 (a) 내지 (c) 는 상기 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 표면 포텐셜 에너지에 대한 그래프이며, 도 10 의 (d) 는 본원의 일 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 일함수에 대한 그래프이다.9 is an SKPM image of the two-dimensional nanostructure according to the embodiment, and FIGS. 10 (a) to (c) are graphs of the surface potential energy of the two-dimensional nanostructure according to the embodiment, and (d) of FIG. is a graph of the work function of the two-dimensional nanostructure according to an embodiment of the present application.

이 때, 상기 표면 포텐셜 에너지 및 상기 일함수는 두 종류의 물질을 접촉시켰을 때 발생하는 정전기적인 전위차인 접촉 전위차(Contact potential difference)에 의해 측정될 수 있다.In this case, the surface potential energy and the work function may be measured by a contact potential difference, which is an electrostatic potential difference generated when two types of materials are brought into contact.

도 9 및 도 10 을 참조하면, 이차원 나노 구조체가 4 층 또는 5 층 적층된 영역(L1)의 표면 포텐셜 에너지 차이는 80 mV 인 반면, 50 층 적층된 영역(L2)의 표면 포텐셜 에너지 차이는 210 mV 인 것을 확인할 수 있다.9 and 10 , the surface potential energy difference of the region L1 in which the two-dimensional nanostructure is stacked 4 or 5 layers is 80 mV, whereas the difference in surface potential energy of the 50 layer stacked region L2 is 210 It can be confirmed that mV is

이 때, 상기 Si 기판은 표면 상에 SiO2 를 형성하고, 습기를 흡수하며, 상기 이차원 나노 구조체와 상기 기판 사이의 전하 이동에 큰 영향을 미치도록 높은 전하 포집 상태 밀도를 유지한다. 따라서, 상기 이차원 나노 구조체의 층 두께가 증가할수록 상기 이차원 나노 구조체의 층간 차폐 효과가 미치는 범위가 좁아지기 때문에, 상기 이차원 나노 구조체의 두께가 일정 수치, 예를 들어 20 nm 이상이 되면, 상기 이차원 나노 구조체의 표면 포텐셜 에너지 또는 일함수가 증가하여, 상기 벌크 이차원 구조체의 표면 포텐셜 에너지 또는 일함수와 유사한 수치를 가질 수 있다At this time, the Si substrate forms SiO 2 on the surface, absorbs moisture, and maintains a high density of charge trapping states to have a great influence on charge transfer between the two-dimensional nanostructure and the substrate. Therefore, as the layer thickness of the two-dimensional nanostructure increases, the range of the interlayer shielding effect of the two-dimensional nanostructure decreases. By increasing the surface potential energy or work function of the structure, it may have a value similar to the surface potential energy or work function of the bulk two-dimensional structure.

즉, 상기 이차원 나노 구조체가 적층된 정도가 클수록, 상기 이차원 나노 구조체의 일함수 역시 증가하여 약 5.05 eV 까지 증가할 수 있다. That is, as the stacking degree of the two-dimensional nanostructure increases, the work function of the two-dimensional nanostructure may also increase and increase to about 5.05 eV.

[실험예 4][Experimental Example 4]

도 11 은 상기 실시예에 따른 이차원 나노 구조체의 온도에 따른 전기 전도도에 대한 그래프이다.11 is a graph of electrical conductivity according to temperature of the two-dimensional nanostructure according to the embodiment.

도 11 을 참조하면, 온도가 높아질수록 상기 이차원 나노 구조체의 전기 전도도는 증가할 수 있다. 이 때, 온도가 낮은 영역에서는 상기 이차원 나노 구조체의 전기 전도도의 예측값과 측정값이 상이한 것을 확인할 수 있다. 상기 이차원 나노 구조체의 온도가 낮을 경우, 상기 이차원 나노 구조체의 전하 운반체(charge carrier)의 농도가 낮아 상기 전하 운반체끼리의 충돌이 적은 반면, 상기 전하 운반체의 이동도(mobility)는 크기 때문에, 상기 이차원 나노 구조체의 전기 전도도의 예측값과 측정값은 상이할 수 있다.Referring to FIG. 11 , as the temperature increases, the electrical conductivity of the two-dimensional nanostructure may increase. At this time, it can be confirmed that the predicted value and the measured value of the electrical conductivity of the two-dimensional nanostructure are different in the region where the temperature is low. When the temperature of the two-dimensional nanostructure is low, the concentration of charge carriers of the two-dimensional nanostructure is low and collisions between the charge carriers are small, whereas the mobility of the charge carriers is large, so that the two-dimensional nanostructure has a low concentration. The predicted value and the measured value of the electrical conductivity of the nanostructure may be different.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present application is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present application pertains will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a dispersed form, and likewise components described as distributed may be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present application.

Claims (13)

나이오븀 전구체 및 아이오딘 전구체를 반응시켜 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계; 및
상기 벌크 이차원 구조체로부터 단층의 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계;
를 포함하고,
상기 이차원 나노 구조체는 Nb3I8 구조식을 포함하는 것인,
이차원 나노 구조체의 제조 방법에 있어서,
상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체를 화학 기상 수송 반응(Chemical Vapor Transport Reaction)시켜 상기 벌크 이차원 구조체를 제조하는 것인
이차원 나노 구조체의 제조 방법..
preparing a bulk two-dimensional structure by reacting a niobium precursor and an iodine precursor; and
peeling the single-layered two-dimensional nanostructure from the bulk two-dimensional structure;
including,
The two-dimensional nanostructure will include the Nb 3 I 8 structural formula,
In the manufacturing method of a two-dimensional nanostructure,
To prepare the bulk two-dimensional structure by chemical vapor transport reaction (Chemical Vapor Transport Reaction) of the niobium precursor and the iodine precursor
Method for manufacturing two-dimensional nanostructure..
 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 벌크 이차원 구조체는 단결정 구조를 가지는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The bulk two-dimensional structure will have a single crystal structure, a method of manufacturing a two-dimensional nanostructure.
 제 1 항에 있어서,
상기 벌크 이차원 구조체의 전기적 특성은 온도에 따라 변화되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The electrical properties of the bulk two-dimensional structure will change with temperature, a method of manufacturing a two-dimensional nanostructure.
 제 1 항에 있어서,
상기 벌크 이차원 구조체로부터 상기 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계는 물리적 박리법 또는 화학적 박리법에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The step of peeling the two-dimensional nanostructure from the bulk two-dimensional structure will be performed by a physical exfoliation method or a chemical exfoliation method, a method of manufacturing a two-dimensional nanostructure.
 제 5 항에 있어서,
상기 물리적 박리법은 기계적 박리, 층간 물질 삽입, 초음파 공정, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 박리법에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
6. The method of claim 5,
The physical exfoliation method is a method of manufacturing a two-dimensional nanostructure, which is performed by a peeling method selected from the group consisting of mechanical peeling, interlayer material insertion, ultrasonic process, and combinations thereof.
 제 6 항에 있어서,
상기 기계적 박리는 접착성 폴리머 상에 상기 벌크 이차원 구조체를 접착 시키는 단계; 상기 접착성 폴리머의 상기 벌크 이차원 구조체가 접착된 면을 기판 상에 접착시키는 단계; 및 상기 기판 상의 상기 접착성 폴리머를 제거하는 단계를 포함하는 공정에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
7. The method of claim 6,
The mechanical peeling may include bonding the bulk two-dimensional structure onto an adhesive polymer; adhering the surface to which the bulk two-dimensional structure of the adhesive polymer is adhered on a substrate; and removing the adhesive polymer on the substrate.
 제 7 항에 있어서,
상기 기판은 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
wherein the substrate comprises one selected from the group consisting of silicon, silicon carbide, germanium, silicon germanium, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, and combinations thereof, A method for manufacturing a two-dimensional nanostructure.
 제 5 항에 있어서,
상기 화학적 박리법은 전기 화학적 박리, 습식 화학 박리, 환원 박리, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 박리법에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
6. The method of claim 5,
The chemical exfoliation method is to be performed by an exfoliation method selected from the group consisting of electrochemical exfoliation, wet chemical exfoliation, reduction exfoliation, and combinations thereof, a method of manufacturing a two-dimensional nanostructure.
 제 1 항에 있어서,
상기 벌크 이차원 구조체는 상기 단층의 이차원 나노 구조체들이 반데르발스 힘에 의해 적층되어 있는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
In the bulk two-dimensional structure, the two-dimensional nanostructures of the single layer are stacked by van der Waals force, a method of manufacturing a two-dimensional nanostructure.
 제 1 항에 있어서,
상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체의 몰 비율은 3 : 8 내지 3 : 10 인 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The molar ratio of the niobium precursor and the iodine precursor is 3: 8 to 3: 10, the method of manufacturing a two-dimensional nanostructure.
 제 1 항에 있어서,
상기 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계는 500℃ 내지 750℃ 의 온도 범위 에서 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the two-dimensional nanostructure, the step of preparing the bulk two-dimensional structure is carried out in a temperature range of 500 ℃ to 750 ℃.
 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고, Nb3I8 구조식을 포함하는 이차원 나노 구조체.
A two-dimensional nanostructure prepared by the method according to any one of claims 1 and 3 to 12, and comprising the Nb 3 I 8 structural formula.
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Beyond Graphene(Advanced Science News, 2019,01.)*
Exploration of New Ferromagnetic, Semiconducting and Biocompatible Nb3X8(nanoscale, 2017)*
Scanning Tunneling and Atomic Force Microscopy Study(J. Am. Chem. Soc., Vol. 115, No. 6, 1993)*

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