KR102328866B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102328866B1
KR102328866B1 KR1020190175757A KR20190175757A KR102328866B1 KR 102328866 B1 KR102328866 B1 KR 102328866B1 KR 1020190175757 A KR1020190175757 A KR 1020190175757A KR 20190175757 A KR20190175757 A KR 20190175757A KR 102328866 B1 KR102328866 B1 KR 102328866B1
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박귀수
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방병선
윤강섭
김경환
최예진
이무현
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세메스 주식회사
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Abstract

기판의 측면에 에지 링을 설치하여, 약액이 기판의 에지 부분에 체류하는 시간을 증가시킬 수 있으며, 기판의 에지 부분에 대한 E/R을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는, 몸체 상에 안착되는 기판을 지지하며, 몸체의 상부에 형성되는 복수 개의 지지 핀을 이용하여 기판을 지지하는 지지 부재; 기판을 세정하기 위해 기판 상에 약액을 분사하는 분사 부재; 및 기판 상에 분사되는 약액을 회수하는 컵을 포함하며, 지지 부재는, 지지 핀의 외측을 따라 밴드 형태로 형성되며, 기판의 높이보다 더 높게 형성되는 에지 링을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 {Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판을 세정 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자는 기판 상에 소정의 패턴을 형성함으로써 제조될 수 있다. 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때에는 다수의 공정이 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있다.
일반적으로 반도체 제조 설비가 위치한 공간을 팹(FAB)으로 정의할 수 있다. 이러한 팹의 내부에서는 반도체 기판 상에 막을 형성하는 증착 공정(deposition process), 막을 평탄화하는 연마 공정(polishing process), 막 상에 포토레지스트 패턴(photo-resist pattern)을 형성하는 포토리소그래피 공정(photo-lithography process), 포토레지스트 패턴을 이용하여 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하는 식각 공정(etching process), 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하는 이온 주입 공정(ion implantation process), 반도체 기판 상의 오염원을 제거하는 세정 공정(cleaning process), 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하는 검사 공정 등 다수의 공정이 순차적으로 수행될 수 있다.
한국공개특허 제10-2019-0015412호 (공개일: 2019.02.13.)
세정 공정에서는 약액(예를 들어, 고온의 케미칼(chemical))을 사용하여 기판 상에서 오염원을 제거할 수 있다. 이때, 기판을 스테이지(stage)에 형성되어 있는 복수 개의 지지 핀 상에 안착시킨 후, 복수 개의 지지 핀을 이용하여 기판을 회전시킴으로써, 약액이 기판의 에지 부분(edge part)까지 도달하도록 할 수 있다.
그런데, 약액이 기판의 에지 부분에 도달하기 전에, 약액의 온도가 기류에 의해 저하될 수 있으며, 약액이 기판의 센터 부분에서 에지 부분으로 이동하는 동안, 약액의 온도가 저하될 수도 있다. 이와 같이 약액의 온도가 기판의 에지 부분에서 저하되면, 기판의 에지 부분에 대한 E/R(Etch Rate)이 감소할 수가 있다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 기판의 측면에 에지 링(edge ring)을 설치하여, 약액이 기판의 에지 부분에 체류하는 시간을 증가시킬 수 있으며, 기판의 에지 부분에 대한 E/R을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 몸체 상에 안착되는 기판을 지지하며, 상기 몸체의 상부에 형성되는 복수 개의 지지 핀을 이용하여 상기 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 기판을 세정하기 위해 상기 기판 상에 약액을 분사하는 분사 부재; 및 상기 기판 상에 분사되는 상기 약액을 회수하는 컵을 포함하며, 상기 지지 부재는, 상기 지지 핀의 외측을 따라 밴드 형태로 형성되며, 상기 기판의 높이보다 더 높게 형성되는 에지 링을 포함한다.
상기 에지 링은, 상기 에지 링의 상부 일측에 위치하며, 상기 몸체 상에서 안쪽에 배치되는 제1 영역부; 및 상기 에지 링의 상부 타측에 위치하며, 상기 제1 영역부보다 상기 기판에 먼 제2 영역부를 포함할 수 있으며, 상기 제2 영역부는 상기 제1 영역부보다 더 높게 형성될 수 있다.
상기 제1 영역부는 상기 기판에서 멀어질수록 높이가 높아지는 경사를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 제1 영역부는, 상기 제1 영역부의 상부 일측에 위치하며, 상기 제2 영역부에 가까운 제1 단부; 및 상기 제1 영역부의 상부 타측에 위치하며, 상기 기판에 가까운 제2 단부를 포함할 수 있으며, 상기 제1 단부는 상기 제2 단부보다 더 높게 형성될 수 있다.
상기 에지 링은, 상기 몸체 상에 형성되며, 상기 기판의 측면에 측벽 형태로 근접하여 형성되는 바디 부재; 및 상기 바디 부재의 측면으로부터 상기 기판이 위치한 방향으로 길게 연장되어 형성되는 돌출 부재를 포함할 수 있으며, 상기 돌출 부재는 상기 기판의 높이보다 더 낮은 위치에 형성될 수 있다.
상기 돌출 부재는 그 일부가 상기 기판의 저면에 위치하도록 상기 바디 부재의 측면으로부터 연장되어 형성될 수 있다.
상기 돌출 부재는 그 상부가 경사를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 바디 부재는 그 하부 일측에서 타측을 관통하는 홀이 형성될 수 있다.
상기 에지 링은 보온성이 있는 물질을 소재로 하여 형성될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 기판 세정에 이용되는 기판 처리 시스템의 내부 구조를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제1 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 기능 및 효과를 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 기능 및 효과를 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제2 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제3 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제4 예시도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 예시도이다.
도 10은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제1 예시도이다.
도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 기능 및 효과를 설명하기 위한 예시도이다.
도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제2 예시도이다.
도 13은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제3 예시도이다.
도 14는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제4 예시도이다.
도 15는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제5 예시도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 기능 및 효과를 설명하기 위한 제3 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 기판을 세정하는 데에 이용되는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 측면에 설치되는 에지 링(edge ring)을 구비할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 이를 통해 약액(예를 들어, 고온의 케미칼(chemical))이 기판의 에지 부분(edge part)에 체류하는 시간을 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 기판의 에지 부분에 대한 E/R(Etch Rate)을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판에 대한 E/R 균일성(E/R uniformity)을 확보하는 효과도 얻을 수 있다.
이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.
도 1은 기판 세정에 이용되는 기판 처리 시스템의 내부 구조를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 1에 따르면, 기판 처리 시스템(100)은 인덱스 모듈(110) 및 공정 처리 모듈(120)을 포함하여 구성될 수 있다.
인덱스 모듈(110) 및 공정 처리 모듈(120)은 일 방향으로 순차적으로 배열될 수 있다. 본 실시예에서는 인덱스 모듈(110) 및 공정 처리 모듈(120)이 배열된 방향을 제1 방향(10)으로 정의하기로 한다. 또한, 위쪽에서 바라볼 때 제1 방향(10)에 수직이 되는 방향을 제2 방향(20)으로 정의하며, 제1 방향(10)과 제2 방향(20)을 포함하는 평면에 수직이 되는 방향을 제3 방향(30)으로 정의하기로 한다.
인덱스 모듈(110)은 공정 처리 모듈(120)의 전방에 배치되는 것이다. 이러한 인덱스 모듈(110)은 로드 포트(111) 및 이송 프레임(112)을 포함하여 구성될 수 있다.
로드 포트(111)는 기판이 수납되는 캐리어(130)가 안착되는 것이다. 이러한 로드 포트(111)는 이송 프레임(112)의 전방에 복수 개 제공될 수 있으며, 복수 개의 로드 포트(111)는 제2 방향(20)을 따라 일렬로 배치될 수 있다.
도 1에서는 인덱스 모듈(110)에 네 개의 로드 포트(111)가 제공되는 것으로 도시하였다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 로드 포트(111)의 개수는 공정 처리 모듈(120)의 공정 효율 및 풋 프린트(foot-print) 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
캐리어(130)는 복수 개의 기판(예를 들어, 웨이퍼(wafer))이 수납되는 것이다. 이러한 캐리어(130)는 그 내부에 기판의 가장자리를 지지하도록 제공되는 슬롯(slot; 미도시)을 구비할 수 있다.
슬롯은 제3 방향(30)으로 복수 개 제공될 수 있다. 이때 기판은 제3 방향(30)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되어 캐리어(130) 내에 위치할 수 있다. 캐리어(130)는 예를 들어, 전면 개방 일체형 포드(FOUP; Front Opening Unified Pod)으로 구현될 수 있다.
이송 프레임(112)은 로드 포트(111)에 안착되는 캐리어(130)와 버퍼 유닛(121) 사이에서 기판을 반송하는 것이다. 이러한 이송 프레임(112)은 인덱스 레일(113) 및 인덱스 로봇(114)을 포함하여 구성될 수 있다.
인덱스 레일(113)은 인덱스 로봇(114)이 이동하는 경로를 제공하는 것이다. 이러한 인덱스 레일(113)은 그 길이 방향이 제2 방향(20)과 나란하도록 배치될 수 있다.
인덱스 로봇(114)은 기판을 직접 반송하는 것이다. 이러한 인덱스 로봇(114)은 인덱스 레일(113) 상에 설치될 수 있으며, 인덱스 레일(113) 상에서 제2 방향(20)을 따라 직선 이동할 수 있다.
인덱스 로봇(114)은 제1 베이스(114a), 제1 바디(114b) 및 인덱스 암(114c)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 제1 베이스(114a)는 인덱스 레일(113)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다.
제1 바디(114b)는 제1 베이스(114a)에 결합될 수 있다. 제1 바디(114b)는 제1 베이스(114a) 상에서 제3 방향(30)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 제1 바디(114b)는 제1 베이스(114a) 상에서 회전 가능하도록 제공되는 것도 가능하다.
인덱스 암(114c)은 제1 바디(114b)에 결합되며, 제1 바디(114b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 이러한 인덱스 암(114c)은 제1 바디(114b) 상에 복수 개 제공되어, 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다.
복수 개의 인덱스 암(114c)은 제3 방향(30)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되어 배치될 수 있다. 복수 개의 인덱스 암(114c) 중 그 일부는 공정 처리 모듈(120)에서 캐리어(130)로 기판을 반송할 때 사용되며, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(120)로 기판을 반송할 때 사용될 수 있다. 복수 개의 인덱스 암(114c)이 이와 같이 구성되면, 인덱스 로봇(114)이 기판을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판으로부터 발생된 입자가 공정 처리 후의 기판에 부착되는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
공정 처리 모듈(120)은 버퍼 유닛(121), 이송 챔버(122) 및 공정 챔버(125)를 포함하여 구성될 수 있다.
버퍼 유닛(121)은 이송 프레임(112)과 이송 챔버(122) 사이에서 기판이 반송되기 전에 머무르는 공간을 제공하는 것이다. 버퍼 유닛(121)은 이를 위해 이송 프레임(112)과 이송 챔버(122) 사이에 배치될 수 있다.
버퍼 유닛(121)은 그 내부에 기판이 안착되는 슬롯(미도시)이 제공될 수 있다. 슬롯은 버퍼 유닛(121) 내에 복수 개 제공될 수 있으며, 복수 개의 슬롯은 상호 간에 제3 방향(30)을 따라 이격되도록 제공될 수 있다. 한편, 버퍼 유닛(121)에서, 이송 프레임(112)과 마주보는 면, 이송 챔버(122)와 마주보는 면 등은 그 각각이 개방될 수 있다.
이송 챔버(122)는 버퍼 유닛(121)과 공정 챔버(125) 사이에서 기판을 반송하는 것이다. 이러한 이송 챔버(122)는 가이드 레일(123) 및 메인 로봇(124)을 포함하여 구성될 수 있다. 한편, 이송 챔버(122)는 서로 다른 두 공정 챔버(125) 사이에서 기판을 반송하는 것도 가능하다.
가이드 레일(123)은 메인 로봇(124)이 이동하는 경로를 제공하는 것이다. 이러한 가이드 레일(123)은 그 길이 방향이 제1 방향(10)과 나란하도록 배치될 수 있다.
메인 로봇(124)은 기판을 직접 반송하는 것이다. 이러한 메인 로봇(124)은 가이드 레일(123) 상에 설치될 수 있으며, 가이드 레일(123) 상에서 제1 방향(10)을 따라 직선 이동할 수 있다.
메인 로봇(124)은 제2 베이스(124a), 제2 바디(124b) 및 메인 암(124c)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 제2 베이스(124a)는 가이드 레일(123)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다.
제2 바디(124b)는 제2 베이스(124a)에 결합될 수 있다. 제2 바디(124b)는 제2 베이스(124a) 상에서 제3 방향(30)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 제2 바디(124b)는 제2 베이스(124a) 상에서 회전 가능하도록 제공되는 것도 가능하다.
메인 암(124c)은 제2 바디(124b)에 결합되며, 제2 바디(124b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 이러한 메인 암(124c)은 제2 바디(124b) 상에 복수 개 제공되어, 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다.
복수 개의 메인 암(124c)은 제3 방향(30)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되어 배치될 수 있다. 복수 개의 메인 암(124c) 중 그 일부는 버퍼 유닛(121)에서 공정 챔버(125)로 기판을 반송할 때 사용될 수 있으며, 다른 일부는 공정 챔버(125)에서 버퍼 유닛(121)으로 기판을 반송할 때 사용될 수도 있다.
이송 챔버(122)는 그 길이 방향이 제1 방향(10)과 평행하게 배치될 수 있다. 이때, 제2 방향(20)을 따라 이송 챔버(122)의 양측에는 복수 개의 공정 챔버(125)가 각각 배치될 수 있으며, 이송 챔버(122)의 각 측에는 제1 방향(10)을 따라 복수 개의 공정 챔버(125)가 배치될 수도 있다.
복수 개의 공정 챔버(125)는 서로 적층되어 배치될 수 있다. 즉, 복수 개의 공정 챔버(125)는 이송 챔버(122)의 일측에 X * Y의 배열로 배치될 수 있다. 여기서, X는 1 이상의 자연수로서, 제1 방향(10)을 따라 일렬로 제공되는 공정 챔버(125)의 수를 의미하며, Y는 1 이상의 자연수로서, 제3 방향(30)을 따라 일렬로 제공되는 공정 챔버(125)의 수를 의미한다.
예를 들어, 이송 챔버(122)의 일측에 공정 챔버(125)가 네 개 제공되는 경우, 네 개의 공정 챔버(125)는 2 * 2의 배열로 배치될 수 있으며, 이송 챔버(122)의 일측에 공정 챔버(125)가 여섯 개 제공되는 경우, 여섯 개의 공정 챔버(125)는 3 * 2의 배열로 배치될 수 있다.
한편, 공정 챔버(125)의 개수는 증가하거나 감소할 수 있다. 또한, 공정 챔버(125)는 이송 챔버(122)의 일측에만 제공되거나, 이송 챔버(122)의 일측 또는 양측에 단층으로 제공될 수도 있다.
기판 처리 장치는 약액을 이용하여 기판을 세정 처리하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치는 공정 챔버(125) 내에 제공될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 이하 설명은 도 1 및 도 2를 참조한다.
기판 처리 장치(200)는 복수 개의 공정 챔버(125) 내에 동일한 구조를 가지는 것으로 제공될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 처리 장치(200)는 약액의 종류, 공정 방식의 종류 등에 따라 복수 개의 공정 챔버(125) 내에 서로 다른 구조를 가지는 것으로 제공되는 것도 가능하다.
복수 개의 공정 챔버(125)는 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 이 경우, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버들 내 기판 처리 장치들은 동일한 구조를 가질 수 있으며, 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버들 내 기판 처리 장치들은 상이한 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 이송 챔버(122)의 일측에 제1 그룹에 속하는 제1 공정 챔버들이 배치되고, 이송 챔버(122)의 타측에 제2 그룹에 속하는 제2 공정 챔버들이 배치되는 경우, 제1 공정 챔버들 내의 기판 처리 장치들끼리 동일한 구조를 가질 수 있으며, 제2 공정 챔버들 내의 기판 처리 장치들끼리 동일한 구조를 가질 수 있다. 그리고, 제1 공정 챔버들 내의 기판 처리 장치들은 제2 공정 챔버들 내의 기판 처리 장치들과 상이한 구조를 가질 수 있다.
또한, 예를 들어, 이송 챔버(122)의 일측 및 타측 각각에서 그 하층에 제3 그룹에 속하는 제3 공정 챔버들이 배치되고, 이송 챔버(122)의 일측 및 타측 각각에서 그 상층에 제4 그룹에 속하는 제4 공정 챔버들이 배치되는 경우, 제3 공정 챔버들 내의 기판 처리 장치들끼리 동일한 구조를 가질 수 있으며, 제4 공정 챔버들 내의 기판 처리 장치들끼리 동일한 구조를 가질 수 있다. 그리고, 제3 공정 챔버들 내의 기판 처리 장치들은 제4 공정 챔버들 내의 기판 처리 장치들과 상이한 구조를 가질 수 있다.
기판 처리 장치(200)는 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 컵(210), 지지 부재(220), 승강 유닛(230), 분사 부재(240) 및 제어기(250)를 포함하여 구성될 수 있다.
컵(210)은 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 것이다. 이러한 컵(210)은 그 상부가 개방되도록 형성될 수 있다.
컵(210)은 내부 회수통(211), 중간 회수통(212) 및 외부 회수통(213)을 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 각각의 회수통(211, 212, 213)은 공정에서 사용되는 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수할 수 있다.
내부 회수통(211)은 지지 부재(220)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때 내부 회수통(211)의 내측 공간(214)은 처리액이 내부 회수통(211)으로 유입되게 하는 유입구로서 기능할 수 있다.
중간 회수통(212)은 내부 회수통(211)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때 내부 회수통(211)과 중간 회수통(212) 사이의 공간(215)은 처리액이 중간 회수통(212)으로 유입되게 하는 유입구로서 기능할 수 있다.
외부 회수통(213)은 중간 회수통(212)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때 중간 회수통(212)과 외부 회수통(213) 사이의 공간(216)은 처리액이 외부 회수통(213)으로 유입되게 하는 유입구로서 기능할 수 있다.
각각의 회수통(211, 212, 213)은 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인(217, 218, 219)과 각각 연결될 수 있다. 각각의 회수 라인(217, 218, 219)은 각각의 회수통(211, 212, 213)을 통해 유입되는 처리액을 외부로 배출할 수 있다. 외부로 배출되는 처리액은 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용되도록 처리될 수 있다.
지지 부재(220)는 공정 진행 중에 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시키는 것이다. 이러한 지지 부재(220)는 컵(210)의 내부에 배치될 수 있다.
지지 부재(220)는 몸체(221), 지지 핀(222), 척 핀(223) 및 제1 지지 축(224)을 포함하여 구성될 수 있다.
몸체(221)는 위쪽에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가질 수 있다. 이러한 몸체(221)의 저면에는 모터(225)에 의해 회전될 수 있는 제1 지지 축(224)이 고정 결합될 수 있다.
지지 핀(222)은 몸체(221) 상에서 기판(W)을 지지하는 것이다. 이러한 지지 핀(222)은 몸체(221) 상에 복수 개 제공될 수 있다.
복수 개의 지지 핀(222)은 몸체(221)의 상부면으로부터 위쪽 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 또한, 복수 개의 지지 핀(222)은 몸체(221)의 상부면 가장자리에 소정 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 복수 개의 지지 핀(222)은 예를 들어, 서로 간의 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 복수 개의 지지 핀(222)은 이와 같은 구성을 통해 기판(W)이 몸체(221)의 상부면으로부터 일정 거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지할 수 있다.
척 핀(223)은 지지 부재(220)가 회전할 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지하는 것이다. 이러한 척 핀(223)은 지지 핀(222)과 마찬가지로 몸체(221) 상에 복수 개 제공될 수 있으며, 몸체(221)의 상부면으로부터 위쪽 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.
척 핀(223)은 몸체(221)의 중심에서 지지 핀(222)보다 멀리 떨어지게 배치될 수 있다. 척 핀(223)은 몸체(221)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 여기서, 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(221)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치를 의미한다.
척 핀(223)은 기판(W)이 지지 부재(220)에 로딩시/언로딩시 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시 지지 위치에 위치될 수 있다. 척 핀(223)은 지지 위치에서 기판(W)의 측부와 접촉될 수 있다.
승강 유닛(230)은 컵(210)을 상하 방향으로 직선 이동시키는 것이다. 컵(210)이 상하 방향으로 직선 이동함에 따라, 지지 부재(220)에 대한 컵(210)의 상대 높이가 변경될 수 있다.
승강 유닛(230)은 브라켓(231), 이동 축(232) 및 제1 구동기(233)를 포함하여 구성될 수 있다.
브라켓(231)은 컵(210)의 외벽에 고정 설치되는 것이다. 이러한 브라켓(231)은 제1 구동기(233)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(232)과 결합할 수 있다.
기판(W)이 지지 부재(220) 상에 놓이거나, 지지 부재(220)로부터 들어올려질 때, 지지 부재(220)가 컵(210)의 상부로 돌출되도록 컵(210)은 하강될 수 있다. 또한, 공정이 진행될 때, 기판(W)에 공급되는 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 회수통(211, 212, 213)으로 유입될 수 있도록 컵(210)의 높이가 조절될 수 있다.
예를 들어, 제1 처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안, 기판(W)은 내부 회수통(211)의 내측 공간(214)과 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 또한, 제2 처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안, 기판(W)은 내부 회수통(211)과 중간 회수통(212) 사이의 공간(215)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 또한, 제3 처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안, 기판(W)은 중간 회수통(212)과 외부 회수통(213) 사이의 공간(216)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다.
한편, 승강 유닛(230)은 컵(210) 대신 지지 부재(220)를 상하 방향으로 이동시키는 것도 가능하다.
분사 부재(240)는 기판 처리 공정시 기판(W)으로 처리액을 공급하는 것이다. 분사 부재(240)는 이를 위해 노즐 지지대(241), 노즐(242), 제2 지지 축(243) 및 제2 구동기(244)를 포함하여 구성될 수 있다.
분사 부재(240)는 한 개 또는 복수 개 제공될 수 있다. 분사 부재(240)가 복수 개 제공되는 경우, 약액, 린스액, 유기용제 등은 서로 상이한 분사 부재(240)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 제1 유체일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나, 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
노즐 지지대(241)는 그 길이 방향이 제2 방향(20)을 따라 제공될 수 있다. 노즐 지지대(241)는 제2 지지 축(243)의 길이 방향에 수직이 되는 방향으로 제2 지지 축(243)의 일단부에 결합될 수 있다. 제2 구동기(244)는 제2 지지 축(243)의 타단부에 결합될 수 있다.
노즐(242)은 노즐 지지대(241)의 끝단 저면에 설치될 수 있다. 이러한 노즐(242)은 제2 구동기(244)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동될 수 있다. 여기서, 공정 위치는 노즐(242)이 기판(W) 상에 처리액을 토출할 수 있게 하는 지지 부재(220)의 수직 상방 영역을 의미하며, 대기 위치는 지지 부재(220)의 수직 상방 영역을 제외한 영역, 즉 지지 부재(220)의 수직 상방 영역에서 외측으로 벗어난 영역을 의미한다.
제2 지지 축(243)은 그 길이 방향이 제3 방향(30)을 따라 제공될 수 있다. 이러한 제2 지지 축(243)은 그 하단에서 제2 구동기(244)와 결합될 수 있다.
제2 구동기(244)는 제2 지지 축(243)을 회전 및 승강 운동시키는 것이다. 이러한 제2 구동기(244)는 제어기(250)와 연결되어, 제어기(250)에 의해 제어될 수 있다.
한편, 도 2에서 제어기(250)는 제2 구동기(244)에 연결되는 것으로 도시되어 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제어기(250)는 제2 구동기(244)뿐만 아니라 제1 구동기(233)에도 연결되어, 제1 구동기(233)도 제어할 수 있다.
한편, 기판 처리 장치(200)는 약액(예를 들어, 고온의 케미칼(chemical))이 기판(W)의 에지 부분(edge part)에 체류하는 시간을 증가시키기 위해, 기판(W)의 측면에 에지 링(edge ring)이 배치되도록 지지 부재(220) 상에 에지 링을 설치할 수 있다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제1 예시도이다. 이하 설명은 도 3을 참조한다.
에지 링(310)은 약액이 기판(W)의 에지 부분에 체류하는 시간을 증가시키기 위해, 지지 부재(220)의 몸체(221) 상에서 기판(W)의 측면에 배치되는 것이다. 이러한 에지 링(310)은 기판(W)을 지지하는 복수 개의 지지 핀(222)을 따라 복수 개의 지지 핀(222)의 외측에 밴드(band) 형태로 설치될 수 있다.
에지 링(310)은 기판(W)에 밀착되어 형성될 수 있다. 이러한 에지 링(310)은 지지 핀(222) 상에 안착되어 있는 기판(W)보다 더 높게 형성될 수 있다. 에지 링(310)이 이와 같이 형성되면, 도 4에 도시된 바와 같이 약액(320)이 에지 링(310)의 높이(h1)에 도달하기 전까지 에지 링(310)의 내측에 위치하는 기판(W) 상에 잔류하게 되어, 약액(320)이 기판(W)의 에지 부분(330)에 체류하는 시간을 증가시킬 수 있다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 기능 및 효과를 설명하기 위한 제1 예시도이다.
다시 도 3을 참조하여 설명한다.
에지 링(310)은 보온성이 있는 물질을 소재로 하여 형성될 수 있다. 에지 링(310)은 예를 들어, 쿼츠(quartz)를 소재로 하여 형성될 수 있다.
에지 링(310)은 그 상부 일측과 그 상부 타측이 서로 다른 높이를 가지도록 형성될 수 있다. 에지 링(310)의 상부 일측을 제1 영역부(341)라 하고, 에지 링(310)의 상부 타측을 제2 영역부(342)라 하면, 제1 영역부(341)와 제2 영역부(342) 중 어느 하나의 영역부는 다른 하나의 영역부보다 더 높게 형성될 수 있다.
제2 영역부(342)가 제1 영역부(341)보다 더 높게 형성되는 경우, 제1 영역부(341)는 지지 부재(220)의 몸체(221) 상에서 제2 영역부(342)보다 안쪽에 배치될 수 있으며, 제2 영역부(342)보다 기판(W)에 가깝도록 배치될 수 있다. 반면, 제2 영역부(342)는 지지 부재(220)의 몸체(221) 상에서 제1 영역부(341)보다 바깥쪽에 배치될 수 있으며, 제1 영역부(341)보다 기판(W)에 멀도록 배치될 수 있다.
제1 영역부(341) 및 제2 영역부(342)가 이와 같이 배치되면, 도 5에 도시된 바와 같이 약액(320)이 기류(350)를 따라 기판(W)의 에지 부분(330)과 에지 링(310)을 차례대로 통과하여 외부로 배출되더라도, 제1 영역부(341)와 제2 영역부(342) 간 높이차로 인해 약액(320)이 기판(W)의 에지 부분(330)에 체류하는 시간을 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 기류(350)의 영향을 최소화할 수 있다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 기능 및 효과를 설명하기 위한 제2 예시도이다.
다시 도 3을 참조하여 설명한다.
제1 영역부(341)가 제2 영역부(342)보다 더 낮게 형성되는 경우, 제1 영역부(341)는 경사(slope)를 가지도록 형성될 수 있다. 이때, 제1 영역부(341)는 이차 곡선 형태의 제1 경사(361)를 가지도록 형성될 수 있으나, 도 6에 도시된 바와 같이 일차 직선 형태의 제2 경사(362)를 가지도록 형성되는 것도 가능하다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제2 예시도이다.
한편, 제1 영역부(341)는 경사를 가지도록 형성되는 경우, 제2 영역부(342)에 가까운 제1 단부(341a)가 기판(W)에 가까운 제2 단부(341b)보다 더 높도록 형성될 수 있다. 즉, 제1 영역부(341)는 제2 단부(341b)에서 제1 단부(341a)로 갈수록 상승하는 경사를 가지도록 형성될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 에지 링(310)은 제2 영역부(342)가 제1 영역부(341)보다 더 높게 형성되는 경우, 제2 영역부(342)는 평탄하게 형성되고, 제1 영역부(341)는 제2 영역부(342)가 위치한 방향으로 상승 경사를 가지도록 형성될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 에지 링(310)은 도 7에 도시된 바와 같이 계단 형상으로 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 제1 영역부(341) 및 제2 영역부(342)는 평탄하게 형성될 수 있으며, 제2 영역부(342)는 제1 영역부(341)보다 더 높게 형성될 수 있다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제3 예시도이다.
지지 부재(220)의 몸체(221) 내에는 도 8에 도시된 바와 같이 복수 개의 램프(lamp; 370)가 설치될 수 있다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제4 예시도이다.
복수 개의 램프(370)는 지지 부재(220)의 몸체(221) 상에 안착되는 기판(W)을 가열하기 위한 것이다. 이러한 복수 개의 램프(370)는 몸체(221)의 너비 방향으로 배치될 수 있으며, 적외선 램프(IR lamp)로 구현될 수 있다.
한편, 본 실시예에서 에지 링(310)은 지지 핀(222) 상에 안착되어 있는 기판(W)보다 더 높게 형성되는 것에 한정되지 않는다. 에지 링(310)은 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이 지지 핀(222) 상에 안착되어 있는 기판(W)과 동일한 높이를 가지도록 형성되는 것도 가능하다. 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 예시도이다.
에지 링(310)이 지지 핀(222) 상에 안착되어 있는 기판(W)보다 더 높게 형성되거나, 기판(W)과 동일한 높이로 형성되는 경우, 약액(320)은 기류(350)를 따라 이동하여, 기판(W)의 상부 및 에지 링(310)의 상부를 차례대로 거쳐 외부로 배출될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 약액(320)은 기판(W)의 상부 및 에지 링(310)의 측부를 차례대로 거쳐 외부로 배출되는 것도 가능하다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
도 10은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제1 예시도이다.
도 10에 따르면, 에지 링(310)은 바디 부재(410) 및 돌출 부재(420)를 포함하여 구성될 수 있다.
바디 부재(410)는 에지 링(310)의 몸체를 구성하는 것이다. 이러한 바디 부재(410)는 지지 부재(220)의 몸체(221) 상에서 기판(W)의 외곽에 밴드 형태로 배치될 수 있다.
바디 부재(410)는 기판(W)에 밀착되지 않고, 단지 기판(W)의 에지 부분(330)에 근접하도록 형성될 수 있다. 이러한 바디 부재(410)는 기판(W)의 에지 부분(330) 측면에 측벽부(411)가 형성될 수 있도록 기판(W)의 높이보다 더 높게 형성될 수 있다.
돌출 부재(420)는 바디 부재(410)의 측면으로부터 측 방향으로 소정 길이 돌출되어 형성되는 것이다. 이러한 돌출 부재(420)는 지지 부재(220)의 몸체(221)의 내측 방향, 즉 기판(W)이 위치하는 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.
돌출 부재(420)는 기판(W)의 높이(h2)보다 낮은 위치(h3)에 형성될 수 있다. 또한, 돌출 부재(420)는 에지 링(310)에 근접하는 기판(W)의 에지 부분(330)을 통과하여 그 내측까지 연장되어 형성될 수 있다.
돌출 부재(420)가 이와 같이 형성되면, 도 11에 도시된 바와 같이 약액(320)이 기류(350)를 따라 이동할 때, 약액(320)의 이동이 바디 부재(410)의 측벽부(411)에 의해 저지될 수 있으며, 이에 따라 약액(320)이 기판(W)의 에지 부분(330)에 체류하는 시간을 증가시킬 수 있으며, 기류(350)의 영향을 최소화할 수 있다.
또한, 약액(320)이 기판(W)의 에지 부분(330)과 에지 링(310)의 돌출 부재(420)에 의해 형성되는 지그재그 형태의 경로(zigzag path)를 통과하게 되어, 약액(320)의 이동 속도를 저하시킬 수 있으므로, 약액(320)이 기판(W)의 에지 부분(330)에 체류하는 시간을 더욱 증가시킬 수 있다. 도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 기능 및 효과를 설명하기 위한 예시도이다.
다시 도 10을 참조하여 설명한다.
돌출 부재(420)는 그 상부면이 평탄하도록 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 돌출 부재(420)는 약액(320)이 아래쪽 방향으로 잘 흘러갈 수 있도록 그 상부면이 경사를 가지도록 형성되는 것도 가능하다.
돌출 부재(420)는 그 상부면이 경사를 가지도록 형성되는 경우, 도 12에 도시된 바와 같이 직선 형태의 경사(431)를 가지도록 형성될 수 있다. 도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제2 예시도이다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 돌출 부재(420)는 도 13에 도시된 바와 같이 곡선 형태의 경사(432)를 가지도록 형성되거나, 도 14에 도시된 바와 같이 계단 형태의 경사(433)를 가지도록 형성되는 것도 가능하다. 도 13은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제3 예시도이며, 도 14는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제4 예시도이다.
한편, 돌출 부재(420)는 그 상부면이 경사를 가지도록 형성되는 경우, 바디 부재(410)에 가까운 거리에 위치하는 상부면 일측(441)이 바디 부재(410)로부터 먼 거리에 위치하는 상부면 타측(442)보다 높도록 형성될 수 있다.
한편, 바디 부재(410)는 약액(320)이 기판(W)의 에지 부분(330)과 에지 링(310)의 돌출 부재(420)에 의해 형성되는 지그재그 형태의 경로를 따라 지지 부재(220)의 몸체(221) 상으로 이동된 뒤 외부로 배출될 수 있도록, 도 15에 도시된 바와 같이 그 저면에 약액(320)이 통과할 수 있는 통로(450)가 형성될 수 있다. 도 15는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 설치 형태를 보여주는 제5 예시도이다.
이상 도 3 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 에지 링(310)에 대하여 설명하였다. 본 실시예에 따른 에지 링(310)은 다음과 같이 정의될 수 있다.
첫째, 에지 링(310)은 고온용 Chuck 구성시 Wafer Edge에 부분적으로 열에너지를 추가할 수 있는 기구이다.
둘째, 에지 링(310)은 기판 Edge 부분에 각도를 준 Ring 형태의 기구이다.
셋째, 에지 링(310)은 기판 Edge 부분 하부에서 Chemical이 정체하여 온도 보상하는 기구이다.
넷째, 에지 링(310)은 대류에 의한 기판 Edge 부분 냉각을 최소화하는 기구이다.
다섯째, 에지 링(310)은 기판 Edge 부분 전체 혹은 부분적으로 구성될 수 있다.
여섯째, 에지 링(310)은 보온이 가능한 소재(쿼츠 등)로 구성될 수 있다.
본 실시예에 따른 에지 링(310)을 구비하는 기판 처리 장치(200)는 기판 Edge 부분에 Ring을 설치하여 고온 Chemical이 기판 Edge 부분에서 머무르는 시간을 증가시켜 E/R을 향상시킬 수 있다.
도 16에 따르면, Chemical 체류 시간 증가로 종래(510)보다 본 실시예(520)의 경우 Edge E/R 향상이 기대되며, Edge 부분 E/R 향상으로 E/R Uniformity 확보도 가능해질 수 있다. 또한, 기판 Edge 부분 기류 최소화로 인하여 온도 Drop 현상도 방지할 수 있다. 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 에지 링의 기능 및 효과를 설명하기 위한 제3 예시도이다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 처리 시스템 110: 인덱스 모듈
111: 로드 포트 112: 이송 프레임
120: 공정 처리 모듈 121: 버퍼 유닛
122: 이송 챔버 125: 공정 챔버
130: 캐리어 200: 기판 처리 장치
210: 컵 220: 지지 부재
221: 몸체 222: 지지 핀
223: 척 핀 224: 제1 지지축
230: 승강 유닛 240: 분사 부재
250: 제어기 310: 에지 링
320: 약액 330: 기판의 에지 부분
341: 제1 영역부 341a: 제1 단부
341b: 제2 단부 342: 제2 영역부
350: 기류 370: 램프
410: 바디 부재 420: 돌출 부재

Claims (9)

  1. 몸체 상에 안착되는 기판을 지지하되, 상기 몸체의 상부에 형성되는 복수 개의 지지 핀을 이용하여 상기 기판을 지지하며, 상기 지지 핀의 외측을 따라 밴드 형태로 형성되며 상기 기판의 높이보다 더 높게 형성되는 에지 링을 포함하는 지지 부재;
    상기 기판을 세정하기 위해 상기 기판 상에 약액을 분사하는 분사 부재; 및
    상기 기판 상에 분사되는 상기 약액을 회수하는 컵을 포함하며,
    상기 에지 링은,
    상기 몸체 상에 형성되며, 상기 기판의 측면에 측벽 형태로 근접하여 형성되는 바디 부재; 및
    상기 바디 부재의 측면으로부터 상기 기판이 위치한 방향으로 길게 연장되어 형성되는 돌출 부재를 포함하며,
    상기 돌출 부재는 상기 기판의 높이보다 더 낮은 위치에 형성되고, 그 상부가 경사를 가지도록 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출 부재는 그 일부가 상기 기판의 저면에 위치하도록 상기 바디 부재의 측면으로부터 연장되어 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 바디 부재는 그 하부 일측에서 타측을 관통하는 홀이 형성되는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 링은 보온성이 있는 물질을 소재로 하여 형성되는 기판 처리 장치.
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