KR102322926B1 - Recover method of electrostatic chuck assembly - Google Patents

Recover method of electrostatic chuck assembly Download PDF

Info

Publication number
KR102322926B1
KR102322926B1 KR1020200027404A KR20200027404A KR102322926B1 KR 102322926 B1 KR102322926 B1 KR 102322926B1 KR 1020200027404 A KR1020200027404 A KR 1020200027404A KR 20200027404 A KR20200027404 A KR 20200027404A KR 102322926 B1 KR102322926 B1 KR 102322926B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic
electrostatic puck
chuck assembly
damaged area
bonding
Prior art date
Application number
KR1020200027404A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210112177A (en
Inventor
손욱철
문병훈
Original Assignee
손욱철
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 손욱철 filed Critical 손욱철
Priority to KR1020200027404A priority Critical patent/KR102322926B1/en
Publication of KR20210112177A publication Critical patent/KR20210112177A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102322926B1 publication Critical patent/KR102322926B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명에 의한 정전 퍽을 구비하는 정천 척 어셈블리의 재생 방법은 정전 퍽의 일부가 손상되는 손상 영역을 서칭하고, 손상 영역이 서칭되면, 손상 영역을 세정 및 준비하는 단계, 세정된 손상 영역을 측정하고, 이에 대응되도록 가공/제조된 피스를 성형하는 단계, 성형된 피스를 손상 영역에 접합하여 재생 정전 퍽을 형성하는 단계, 정전 퍽을 기설정된 접합 환경 내에서 베이크 아웃하는 단계 및 베이크 아웃된 재생 정전 퍽을 기설정된 진공 환경 내에서 가열 냉각하는 단계를 포함한다.A method of regenerating a static chuck assembly having an electrostatic puck according to the present invention searches a damaged area where a part of the electrostatic puck is damaged, and when the damaged area is searched, cleaning and preparing the damaged area, and measuring the cleaned damaged area and forming a processed/manufactured piece to correspond thereto, bonding the molded piece to the damaged area to form a regenerated electrostatic puck, baking out the electrostatic puck within a preset bonding environment, and baked-out regenerated and heating and cooling the electrostatic puck in a predetermined vacuum environment.

Description

정전 척 어셈블리의 재생 방법{Recover method of electrostatic chuck assembly}Recover method of electrostatic chuck assembly

본 발명은 정전 척 어셈블리의 재생/리펍 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of regenerating/refurbishing an electrostatic chuck assembly.

정전 척 어셈블리는 물리 증착용 챔버(PVD(Physical vapor deposition) chamber)의 안에 설치되는 부품이다. 정전 척 어셈블리는 히터 어셈블리라 칭할 수 있다. 정전 척 어셈블리는 반도체 웨이퍼(wafer) 위에 주로 메탈 라인(Metal line)을 증착하는 물리 증착용 챔버(PVD chamber) 안에 위치하되, 그 표면 위에 웨이퍼(wafer)를 놓도록 구성된다.The electrostatic chuck assembly is a component installed in a physical vapor deposition (PVD) chamber. The electrostatic chuck assembly may be referred to as a heater assembly. The electrostatic chuck assembly is located in a physical vapor deposition chamber (PVD chamber) that mainly deposits a metal line on a semiconductor wafer, and is configured to place a wafer on the surface thereof.

정전 척 어셈블리는 표면 위에 놓인 웨이퍼를 높은 온도로 균일한 조건을 유지시키면서 정확한 위치에서 흔들림 없이 놓이도록 하는 이척 기능을 가진다.The electrostatic chuck assembly has a chuck function that allows a wafer placed on a surface to be placed without shaking in an accurate position while maintaining a uniform condition at a high temperature.

정전 척 어셈블리의 표면은 보통 500,000만장 약 평균 2년 정도 쓰고 나면 표면 위의 Pads 부분들이 닳아서 폐기하였다.The surface of the electrostatic chuck assembly is usually 500,000 sheets, and after 2 years on average, the pads on the surface wear out and are discarded.

또는 PM(주기적인 점검) 동안에 작업자의 실수 혹은 로봇(Robot) 등의 외부 요인으로 정전 척 어셈블리의 표면에 상처 또는 손상 예를 들어 부분 파손 깨짐이 발생하면 더 이상 쓸 수 없어서 폐기하였다.Alternatively, if a wound or damage, for example, partial breakage, occurs on the surface of the electrostatic chuck assembly due to an external factor such as a human error or a robot during PM (periodic inspection), it can no longer be used and is discarded.

상술한 바와 같이, 정전 척 어셈블리에 상처 또는 손상이 발생되거나 표면 위의 Pads 부분들이 닳으면, 정전 척 어셈블리의 제조 단가가 매우 높음에도 불구하고 폐기해야 하는 어려움이 있다.As described above, when the electrostatic chuck assembly is scratched or damaged or the pads on the surface are worn, there is a difficulty in discarding the electrostatic chuck assembly despite the very high manufacturing cost.

본 발명은 손상된 정전 척 어셈블리를 효율적으로 재생할 수 있는 정전 척 어셈블리의 재생/보수 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a method for regenerating/repairing an electrostatic chuck assembly capable of efficiently regenerating a damaged electrostatic chuck assembly.

특히, 본 발명은 파손된 정전 척 어셈블리를 재생할 수 있는 정전 척 어셈블리의 재생/보수 방법을 제공하기 위한 것이다.In particular, an object of the present invention is to provide a method for regenerating/repairing an electrostatic chuck assembly capable of regenerating a damaged electrostatic chuck assembly.

본 발명에 의한 정전 퍽을 구비하는 정천 척 어셈블리의 재생 방법은 상기 정전 퍽의 일부가 손상되는 손상 영역을 서칭하고, 상기 손상 영역이 서칭되면, 상기 손상 영역을 세정 및 준비하는 단계; 세정된 상기 손상 영역을 측정하고, 이에 대응되도록 가공 제조된 피스를 성형하는 단계; 성형된 상기 피스를 손상 영역에 접합하여 재생 정전 퍽을 형성하는 단계; 상기 재생 정전 퍽을 기설정된 접합 환경 내에서 베이크 아웃하는 단계; 및 베이크 아웃된 상기 재생될 정전 퍽을 기설정된 진공 환경 내에서 가열 냉각하는 단계;를 포함한다.A method of regenerating a static chuck assembly having an electrostatic puck according to the present invention includes: searching a damaged area in which a part of the electrostatic puck is damaged, and cleaning and preparing the damaged area when the damaged area is searched; measuring the cleaned damaged area and forming a processed piece to correspond thereto; bonding the molded piece to the damaged area to form a regenerative electrostatic puck; baking out the regenerative electrostatic puck in a predetermined bonding environment; and heating and cooling the baked-out electrostatic puck to be regenerated in a predetermined vacuum environment.

또한, 상기 세정하는 단계는 정제수(DI water)에 약산을 혼합하여 불산/IPA　화학(chemical) 처리하는 것을 포함할 수 있다.In addition, the washing step may include mixing a weak acid with purified water (DI water) and performing hydrofluoric acid/IPA 　 chemical treatment.

상기 기설정된 접합 환경은 질소 분위기 또는 질소 환경에서 적어도 24시간 이상 동안 21℃ 내지 400℃를 유지하는 것을 포함할 수 있다.The preset bonding environment may include maintaining 21° C. to 400° C. for at least 24 hours in a nitrogen atmosphere or a nitrogen environment.

또한, 상기 기설정된 진공 환경은 96 시간에서 144 시간 동안 10E-8~9 Torr 진공 상태와 340℃ 내지 360℃를 유지하는 것을 포함할 수 있다.In addition, the preset vacuum environment may include maintaining a vacuum state of 10E-8 to 9 Torr and 340°C to 360°C for 96 hours to 144 hours.

또한, 성형된 상기 가공/제조된 피스는 액상 ALN 세라믹 본드를 이용하여 상기 손상 영역에 접합되는 것을 포함할 수 있다.In addition, the molded machined/manufactured piece may include bonding to the damaged area using a liquid ALN ceramic bond.

본 발명은 손상된 정전 척 어셈블리를 용이하게 재생할 수 있다.The present invention can easily regenerate a damaged electrostatic chuck assembly.

본 발명은 파손된 정전 척 어셈블리를 재생함으로써, 교체비용을 절감할 수 있다.The present invention can reduce replacement cost by regenerating the damaged electrostatic chuck assembly.

본 발명은 파손된 정전 척 어셈블리를 재생/보수함으로써, 유지 비용을 절감할 수 있다.The present invention can reduce maintenance costs by regenerating/repairing a damaged electrostatic chuck assembly.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 정전 척 어셈블리를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 정전 척 어셈블리의 재생 방법을 설명하기 위한 것이다.
도 3은 발명의 일실시 예에 따라 재생되기 전의 정전 척 어셈블리와 그 후의 정전 척 어셈블리를 보여주는 것이다.1 is a diagram illustrating an electrostatic chuck assembly according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram for describing a method of regenerating an electrostatic chuck assembly according to an embodiment of the present invention.
3 shows an electrostatic chuck assembly before and after being regenerated according to an embodiment of the invention.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present specification and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present specification is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only these embodiments allow the disclosure of the present specification to be complete, and those of ordinary skill in the art to which this specification belongs It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and this specification is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present specification can be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment may be independently implemented with respect to each other or implemented together in a related relationship. may be

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 정전 척 어셈블리를 간략하게 도시한 것이다.1 schematically illustrates an electrostatic chuck assembly according to an embodiment of the present invention.

도 1을 살펴보면, 정전 척 어셈블리(100)는 정전 퍽(Puck, 110)과 지지 플레이트(130)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the electrostatic chuck assembly 100 may include an electrostatic puck 110 and a support plate 130 .

정전 퍽(Puck, 110)과 지지 플레이트(130)는 일체형으로 형성될 수 있다.The electrostatic puck 110 and the support plate 130 may be integrally formed.

정전 퍽(110)은 제1 정전 퍽 플레이트(111)와 제2 정적 퍽 플레이트(112)를 포함할 수 있다.The electrostatic puck 110 may include a first electrostatic puck plate 111 and a second static puck plate 112 .

제1 정전 퍽 플레이트(111)는 상부 퍽 플레이트(111)라 칭할 수 있다. 제1 정전 퍽 플레이트(111)는 제2 정전 퍽 플레이트(112)에 본딩될 수 있다. 예를 들어, 제1 정전 퍽 플레이트(111)는 다양한 방식에 의해 제2 정전 퍽 플레이트(112)에 본딩될 수 있다.The first electrostatic puck plate 111 may be referred to as an upper puck plate 111 . The first electrostatic puck plate 111 may be bonded to the second electrostatic puck plate 112 . For example, the first electrostatic puck plate 111 may be bonded to the second electrostatic puck plate 112 by various methods.

제1 정전 퍽 플레이트(111)는 기판을 정전기적으로 고정시키기 위한 적어도 하나 이상의 전극들 및 적어도 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다. The first electrostatic puck plate 111 may include at least one or more electrodes and at least one or more heating elements for electrostatically fixing the substrate.

전극은 전기를 인가 했을 때 전하가 충전되면서 반대쪽인 웨이퍼에 반대 전하가 충전되면서 서로 인력을 작용할 수 있다. 정전 척 어셈블리(100)는 전극이 항상 일정한 유전율을 유지할 수 있도록 전극의 전면이 균일하도록 제어할 수 있다.When electricity is applied, the electrodes are charged and the opposite side of the wafer is charged with opposite charges, which can act as an attraction to each other. The electrostatic chuck assembly 100 may control the front surface of the electrode to be uniform so that the electrode can always maintain a constant dielectric constant.

제1 정전 퍽 플레이트(111)는 180 ℃ 및 그 초과의 온도에서의 반도체 프로세스들을 위해 사용 가능한 유전체 또는 전기적으로 절연성인 재료(예컨대, 1014 Ohm·meter보다 큰 전기 저항률을 가짐)일 수 있다. 예를 들어, 제1 정전 퍽 플레이트(111)는 약 20 ℃ 내지 약 500 ℃에서 사용 가능한 재료들로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 정전 퍽 플레이트(111)는 AlN일 수 있다. AlN의 제1 정전 퍽 플레이트(111)에 도핑되거나 도핑되지 않을 수 있다. 예를 들어, AlN은 사마륨 산화물(Sm2O3), 세륨 산화물(CeO2), 티타늄 이산화물(TiO2), 또는 전이 금속 산화물로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 정전 퍽 플레이트(111)는 Al2O3일 수 있다. Al2O3의 제1 정전 퍽 플레이트(111)는 도핑되거나 도핑되지 않을 수 있다. 예를 들어, Al2O3은 티타늄 이산화물(TiO2) 또는 전이 금속 산화물로 도핑될 수 있다.The first electrostatic puck plate 111 may be a dielectric or electrically insulating material (eg, having an electrical resistivity greater than 1014 Ohm·meter) usable for semiconductor processes at temperatures of 180° C. and above. For example, the first electrostatic puck plate 111 may be made of materials usable at about 20 °C to about 500 °C. For example, the first electrostatic puck plate 111 may be AlN. The first electrostatic puck plate 111 of AlN may be doped or undoped. For example, AlN may be doped with samarium oxide (Sm 2 O 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), titanium dioxide (TiO 2 ), or transition metal oxide. For example, the first electrostatic puck plate 111 may be Al 2 O 3 . The first electrostatic puck plate 111 of Al 2 O 3 may be doped or undoped. For example, Al 2 O 3 may be doped with titanium dioxide (TiO2) or transition metal oxide.

제2 정전 퍽 플레이트(112)는 하부 퍽 플레이트(112)라 칭할 수 있다. The second electrostatic puck plate 112 may be referred to as a lower puck plate 112 .

제2 정전 퍽 플레이트(112)는 제1 정전 퍽 플레이트(111)의 열 팽창 계수에 매칭되는 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 정전 퍽 플레이트(112)는 AlSi 합금으로 침윤되는 SiC 다공성 바디(AlSiSiC로 지칭됨)이다. 예를 들어, 제2 정전 퍽 플레이트(112)는 AlN, 도핑되지 않은 AlN, Al2O3 또는 도핑되지 않은 Al2O3일 수 있다. The second electrostatic puck plate 112 may have a coefficient of thermal expansion matching that of the first electrostatic puck plate 111 . For example, the second electrostatic puck plate 112 is a SiC porous body (referred to as AlSiSiC) impregnated with an AlSi alloy. For example, the second electrostatic puck plate 112 may be AlN, undoped AlN, Al 2 O 3 , or undoped Al 2 O 3 .

제2 정전 퍽 플레이트(112)는 제1 정전 퍽 플레이트(111)와 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 반응성 에칭 환경들 또는 불활성 환경들에서, AlSiSiC 재료, AlN 또는 Al2O3이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제2 정전 퍽 플레이트(112)는 몰리브덴일 수 있다. 예를 들어, 몰리브덴은 정전 퍽이 불활성 환경에서 사용될 경우 사용될 수 있다. 불활성 환경들의 예들은, Ar, O2, N 등과 같은 불활성 가스들이 유동되는 환경들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몰리브덴은 정전 퍽(110)이 증착을 위해 기판을 척킹할 경우에 사용될 수 있다. 또한, 몰리브덴은 부식성 환경에서의 애플리케이션들(예컨대, 에칭 애플리케이션들)을 위한 제2 정전 퍽 플레이트(112)에 대해 사용될 수 있다. 제2 정전 퍽 플레이트(112)의 노출된 표면들은 제2 정전 퍽 플레이트(112)가 제1 정전 퍽 플레이트(111)에 본딩된 이후에 플라즈마 내성 코팅으로 코팅될 수 있다.The second electrostatic puck plate 112 may be made of the same material as the first electrostatic puck plate 111 . For example, in reactive etching environments or inert environments, an AlSiSiC material, AlN or Al 2 O 3 may be used. For example, the second electrostatic puck plate 112 may be molybdenum. For example, molybdenum may be used if the electrostatic puck is used in an inert environment. Examples of inert environments may include environments in which inert gases such as Ar, O 2 , N, and the like are flowed. For example, molybdenum may be used when the electrostatic puck 110 chucks a substrate for deposition. Molybdenum may also be used for the second electrostatic puck plate 112 for applications in a corrosive environment (eg, etching applications). The exposed surfaces of the second electrostatic puck plate 112 may be coated with a plasma resistant coating after the second electrostatic puck plate 112 is bonded to the first electrostatic puck plate 111 .

플라즈마 코팅은 플라즈마 분무(spray) 프로세스를 통해 수행될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 내성 코팅은 제2 정전 퍽 플레이트(112)의 측벽들 및 제2 정전 퍽 플레이트(112)의 노출된 수평 스텝(step)을 커버할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 내성 코팅은 Al2O3이다. 또한, 플라즈마 내성 코팅은 Y2O3 또는 Y2O3을 함유하는 산화물일 수 있다. 또한, 플라즈마 내성 코팅은 보호층을 참조하여 설명된 재료들 중 임의의 재료일 수 있다. Plasma coating may be performed through a plasma spray process. For example, the plasma resistant coating may cover the sidewalls of the second electrostatic puck plate 112 and an exposed horizontal step of the second electrostatic puck plate 112 . For example, the plasma resistant coating is Al 2 O 3 . In addition, the plasma resistant coating may be an oxide containing Y 2 O 3 or Y 2 O 3 . Further, the plasma resistant coating may be any of the materials described with reference to the protective layer.

또한, 정전 퍽(110)은 상부에 포지셔닝된 기판의 형상 및 사이즈에 실질적으로 매칭할 수 있는 환형 주변부를 갖는 디스크형 형상을 가질 수 있다. 정전 퍽(110)의 상부 표면은 외측 링, 다수의 메사(113)들, 및 메사(113)들 간의 채널(114)들을 가질 수 있다. Further, the electrostatic puck 110 can have a disk-like shape with an annular perimeter that can substantially match the shape and size of a substrate positioned thereon. The top surface of the electrostatic puck 110 may have an outer ring, a plurality of mesas 113 , and channels 114 between the mesas 113 .

제1 정전 퍽 플레이트(111)는 전기적으로 절연성인 세라믹 재료에 의해 제조될 수 있다. 세라믹 재료들의 적절한 예들은, 알루미늄 질화물(AlN), 알루미나(Al2O3) 등을 포함할 수 있다.The first electrostatic puck plate 111 may be made of an electrically insulating ceramic material. Suitable examples of ceramic materials may include aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3 ), and the like.

제2 정전 퍽 플레이트(112)에 대해 사용되는 재료는 제2 정전 퍽 플레이트(112)의 재료에 대한 열팽창 계수(CTE)가 전기적으로 절연성인 제1 정전 퍽 플레이트(111) 재료의 CTE에 실질적으로 매칭함으로써 열 사이클링 동안 정전 퍽을 손상시킬 수 있는 열-기계적 응력들이 회피되도록 그리고 CTE 미스매치(mismatch)가 최소화되도록 적절하게 선택될 수 있다. The material used for the second electrostatic puck plate 112 has a coefficient of thermal expansion (CTE) for the material of the second electrostatic puck plate 112 substantially equal to the CTE of the electrically insulating first electrostatic puck plate 111 material. Matching can be appropriately selected so that thermo-mechanical stresses that can damage the electrostatic puck during thermal cycling are avoided and CTE mismatches are minimized.

앞에서 상술한 바와 같이, 제2 정전 퍽 플레이트(112)는 몰리브덴일 수 있다. 예를 들어, 제2 정전 퍽 플레이트(112)는 알루미나이다. 일 실시예에서, 제2 정전 퍽 플레이트(112)는 AlN일 수 있다. 예를 들어, 전기적으로 전도성인 금속 매트릭스 합성물(MMC; metal matrix composite) 재료가 제2 정전 퍽 플레이트(112)에 대해 사용될 수 있다. MMC 재료는 금속 매트릭스, 및 매트릭스 전체에 걸쳐 매립 및 분산되는 보강(reinforcing) 재료를 포함할 수 있다. 금속 매트릭스는 단일 금속, 또는 2개 또는 그 초과의 금속들, 또는 금속 합금들을 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 금속들은, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 코발트-니켈 합금(CoNi), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 은(Ag), 또는 이들의 다양한 결합들을 포함할 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 보강 재료는 MMC에 대해 원하는 구조적 강도를 제공하도록 선택될 수 있고, 또한, 예를 들어, 열 전도도 및 CTE와 같은 MMC의 다른 속성들에 대해 원하는 값들을 제공하도록 선택될 수 있다.As described above, the second electrostatic puck plate 112 may be molybdenum. For example, the second electrostatic puck plate 112 is alumina. In one embodiment, the second electrostatic puck plate 112 may be AlN. For example, an electrically conductive metal matrix composite (MMC) material may be used for the second electrostatic puck plate 112 . The MMC material may include a metal matrix and a reinforcing material embedded and dispersed throughout the matrix. The metal matrix may include a single metal, or two or more metals, or metal alloys. Metals that may be used include aluminum (Al), magnesium (Mg), titanium (Ti), cobalt (Co), cobalt-nickel alloy (CoNi), nickel (Ni), chromium (Cr), gold (Au), silver (Ag), or various combinations thereof. The reinforcing material may be selected to provide a desired structural strength for the MMC, and may also be selected to provide desired values for other properties of the MMC, such as, for example, thermal conductivity and CTE.

사용될 수 있는 보강 재료들의 예들은, 실리콘(Si), 탄소(C), 또는 실리콘 탄화물(SiC)을 포함할 수 있지만, 다른 재료들이 또한 사용될 수 있다.Examples of reinforcing materials that may be used include silicon (Si), carbon (C), or silicon carbide (SiC), although other materials may also be used.

제2 정전 퍽 플레이트(112)에 대한 MMC 재료는 바람직하게는 원하는 전기 전도도를 제공하도록 선택되고, 그리고 정전 척 어셈블리(100)에 대한 동작 온도 범위에 걸쳐 제1 정전 퍽 플레이트(111) 재료의 CTE에 실질적으로 매칭하도록 선택될 수 있다. The MMC material for the second electrostatic puck plate 112 is preferably selected to provide the desired electrical conductivity, and the CTE of the first electrostatic puck plate 111 material over the operating temperature range for the electrostatic chuck assembly 100 . may be selected to substantially match.

예를 들어, 온도는 약 섭씨 20° 내지 약 섭씨 500°의 범위에 있을 수 있다. MMC 재료가 CTE들을 매칭시킬 수 있는 것은 제1 정전 퍽 플레이트(111)의 재료에서 또한 사용되는 적어도 하나의 재료를 포함하도록 MMC 재료를 선택하는 것에 기초할 수 있다. 예를 들어, 제1 정전 퍽 플레이트는 AlN을 포함할 수 있다. 예를 들어, MMC 재료는 AlSi 합금으로 침윤되는 SiC 다공성 바디를 포함할 수 있다.For example, the temperature may range from about 20 degrees Celsius to about 500 degrees Celsius. The ability of the MMC material to match the CTEs may be based on selecting the MMC material to include at least one material that is also used in the material of the first electrostatic puck plate 111 . For example, the first electrostatic puck plate may include AlN. For example, the MMC material may include a SiC porous body infiltrated with an AlSi alloy.

MMC의 구성 재료들 및 조성 비율들은 원하는 설계 목적들을 충족시키는 조작된(engineered) 재료를 제공하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 제2 정전 퍽 플레이트(112) 및 제1 정전 퍽 플레이트(111)의 CTE들이 근접하게 매칭되도록 MCC 재료를 적절하게 선택함으로써, 제2 정전 퍽 플레이트(112)와 제1 정전 퍽 플레이트(111) 간의 계면에서의 열-기계적 응력들이 감소될 수 있다.The constituent materials and compositional ratios of the MMC may be selected to provide an engineered material that meets desired design objectives. For example, by appropriately selecting the MCC material such that the CTEs of the second electrostatic puck plate 112 and the first electrostatic puck plate 111 closely match, the second electrostatic puck plate 112 and the first electrostatic puck plate 111 . Thermo-mechanical stresses at the interface between (111) can be reduced.

정전 퍽(110) 아래에 부착되는 지지 플레이트(130)는 디스크형 메인 부분(132) 및 페디스털(150) 상에 포지셔닝되고 메인 부분(132)으로부터 외향으로 연장되는 환형 플랜지(flange)를 가질 수 있다. A support plate 130 attached below the electrostatic puck 110 has a disc-shaped main portion 132 and an annular flange positioned on the pedestal 150 and extending outwardly from the main portion 132 . can

예를 들어, 지지 플레이트(130)는 알루미늄, 또는 스테인리스 강, 또는 다른 적절한 재료들과 같은 금속으로 제조될 수 있다. 지지 플레이트(130)는 정전 퍽(110)의 열 팽창 계수에 매칭되도록, 알루미늄-실리콘 합금 침윤된 SiC 또는 몰리브덴과 같은 합성 세라믹으로 제조될 수 있다. 지지 플레이트(130)는 양호한 강도 및 내구성뿐만 아니라 열 전달 특성들을 제공할 수 있다.For example, the support plate 130 may be made of metal, such as aluminum, or stainless steel, or other suitable materials. The support plate 130 may be made of a synthetic ceramic such as aluminum-silicon alloy impregnated SiC or molybdenum to match the coefficient of thermal expansion of the electrostatic puck 110 . The support plate 130 may provide good strength and durability as well as heat transfer properties.

지지 플레이트(130)는 베이스 척이라 칭할 수 있다. 베이스 척은 He/Ar 가스를 주입할 수 있도록 패스라인이 형성되어 있으며 전극에 전기를 인가할 수 있도록 전원 공급 패스가 형성될 수 있다. The support plate 130 may be referred to as a base chuck. In the base chuck, a pass line may be formed to inject He/Ar gas, and a power supply path may be formed to apply electricity to the electrode.

정전 척 어셈블리(100)는 정전 퍽(Puck, 110)과 지지 플레이트(130)를 일체형으로 형성되며, 일체형 조립을 위해서 메탈(Metal)과 브레이징(Brazing)할 수 있다. 즉, 정전 척 어셈블리(100)는 정전 퍽(Puck, 110)과 지지 플레이트(130)를 일체형으로 형성하기 위해 PVD 공정 챔버에서 일정 온도와 고진공 조건(10E-8~9 Torr)을 필요할 수 있으며, 이에 메탈(Metal)과 브레이징(Brazing)할 수 있다.The electrostatic chuck assembly 100 is integrally formed with the electrostatic puck 110 and the support plate 130 , and may be brazed with metal for integral assembly. That is, the electrostatic chuck assembly 100 may require a constant temperature and high vacuum conditions (10E-8 to 9 Torr) in a PVD process chamber to integrally form the electrostatic puck 110 and the support plate 130, This can be brazed with metal.

또한, 정전 퍽(110)은 히터를 포함할 수 있다. 히터는 ALN 세라믹 내부에 전극과 함께 삽입하여 ESC에 필요한 온도를 유지시킬 수 있다. 히터는 제1 정전 퍽 플레이트(111)과 제2 정전 퍽 플레이트(112) 사이에 배치되거나, 제1 정전 퍽 플레이트(111) 또는 제2 정전 퍽 플레이트(112) 내에 배치될 수 있다.In addition, the electrostatic puck 110 may include a heater. The heater can be inserted together with the electrode inside the ALN ceramic to maintain the required temperature for the ESC. The heater may be disposed between the first electrostatic puck plate 111 and the second electrostatic puck plate 112 , or may be disposed within the first electrostatic puck plate 111 or the second electrostatic puck plate 112 .

히터는 ALN 세라믹 내부에 Heater와 전극을 삽입하여 ESC에 필요한 온도를 유지시키는 역할을 하는 핵심 요소 임, 물론 히터와 전극사이에 누설 전류가 생기지 않도록 일정 거리와 저항을 유지해야한다.정전 퍽(110)은 도시되지 않았지만 보호층으로 코팅될 수 있다. 보호층은 세라믹, 이를테면, Y2O3(이트리어 또는 이트륨 산화물), Y4Al2O9(YAM), Al2O3(알루미나), Y3Al5O12(YAG), YAlO3(YAP), 석영, SiC(실리콘 탄화물), Si3N4(실리콘 질화물) 사이알론(Sialon), AlN(알루미늄 질화물), AlON(알루미늄 산질화물), TiO2(티타니아), ZrO2(지르코니아), TiC(티타늄 탄화물), ZrC(지르코늄 탄화물), TiN(티타늄 질화물), TiCN(티타늄 탄소 질화물), Y2O3 안정화된 ZrO2(YSZ) 등일 수 있다.The heater is a key element that maintains the temperature required for the ESC by inserting the heater and electrode inside the ALN ceramic. Of course, a certain distance and resistance must be maintained to prevent leakage current between the heater and the electrode. ) is not shown, but may be coated with a protective layer. The protective layer may be a ceramic, such as Y 2 O 3 (yttrium or yttrium oxide), Y 4 Al 2 O 9 (YAM), Al 2 O 3 (alumina), Y 3 Al 5 O 12 (YAG), YAlO 3 ( YAP), quartz, SiC (silicon carbide), Si 3 N 4 (silicon nitride) Sialon, AlN (aluminum nitride), AlON (aluminum oxynitride), TiO 2 (titania), ZrO 2 (zirconia), TiC (titanium carbide), ZrC (zirconium carbide), TiN (titanium nitride), TiCN (titanium carbon nitride), Y 2 O 3 stabilized ZrO 2 (YSZ), or the like.

또한, 보호층은 세라믹 합성물, 예를 들면, Al2O3 매트릭스, Y2O3-ZrO2 고용체(solid solution) 또는 SiC-Si3N4 고용체에 분포된 Y3Al5O12일 수 있다. 또한, 보호층은 이트륨 산화물(이트리어 및 Y2O3로 또한 알려져 있음)을 함유하는 고용체를 포함하는 세라믹 합성물일 수 있다. 예를 들어, 보호층은 화합물 Y4Al2O9(YAM) 및 고용체 Y2-xZrxO3(Y2O3-ZrO2 고용체)로 구성되는 세라믹 합성물일 수 있다. 순수한 이트륨 산화물뿐만 아니라 이트륨 산화물을 함유한 고용체들이 ZrO2, Al2O3, SiO2, B2O3, Er2O3, Nd2O3, Nb2O5, CeO2, Sm2O3, Yb2O3 또는 다른 산화물들 중 하나 또는 그 초과로 도핑될 수 있음을 유의한다. 또한, 순수한 알루미늄 질화물뿐만 아니라 ZrO2, Al2O3, SiO2, B2O3, Er2O3, Nd2O3, Nb2O5, CeO2, Sm2O3, Yb2O3 또는 다른 산화물들 중 하나 또는 그 초과로 도핑된 알루미늄 질화물이 사용될 수 있음을 유의한다. 그리고 보호층은 사파이어 또는 MgAlON일 수 있다.In addition, the protective layer may be a ceramic composite, for example Y 3 Al 5 O 12 distributed in an Al 2 O 3 matrix, Y 2 O 3 -ZrO 2 solid solution or SiC-Si 3 N 4 solid solution. . The protective layer may also be a ceramic composite comprising a solid solution containing yttrium oxide (also known as yttrium and Y2O3). For example, the protective layer may be a ceramic composite composed of the compound Y 4 Al 2 O 9 (YAM) and a solid solution Y 2 -xZrxO 3 (Y 2 O 3 -ZrO 2 solid solution). Pure yttrium oxide as well as solid solutions containing yttrium oxide are formed by ZrO 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 , B 2 O 3 , Er 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Nb 2 O 5 , CeO 2 , Sm 2 O 3 , Yb 2 O 3 or other oxides. Moreover, as well as pure aluminum nitride, ZrO 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 , B 2 O 3 , Er 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Nb 2 O 5 , CeO 2 , Sm 2 O 3 , Yb 2 O 3 . Note that aluminum nitride doped with one or more of the other oxides may be used. And the protective layer may be sapphire or MgAlON.

상술한 바와 같이, 정전 퍽(110)은 보호층에 의해 코팅되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 정전 퍽(110)은 보호층에 코팅되지 않을 수 있다.As described above, it has been described that the electrostatic puck 110 is coated with the passivation layer, but the present invention is not limited thereto, and the electrostatic puck 110 may not be coated with the passivation layer.

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 정전 척 어셈블리의 재생 방법을 설명하기 위한 것이다. 도 3은 발명의 일실시 예에 따라 재생되기 전의 정전 척 어셈블리와 그 후의 정전 척 어셈블리를 보여주는 것이다.2 is a diagram for describing a method of regenerating an electrostatic chuck assembly according to an exemplary embodiment of the present invention. 3 shows an electrostatic chuck assembly before and after being regenerated according to an embodiment of the invention.

도 2를 살펴보면, 본 발명의 일실시 예에 따른 정전 척 어셈블리의 재생 방법은 다음과 같다.Referring to FIG. 2 , a method of regenerating an electrostatic chuck assembly according to an embodiment of the present invention is as follows.

먼저, 세정 및 준비 단계(S110)는 정전 퍽의 일부가 손상되는 손상 영역을 서칭 또는 센싱하고, 손상 영역이 서칭 또는 센싱되면, 손상 영역을 세정 및 준비할 수 있다.First, in the cleaning and preparation step ( S110 ), a damaged area in which a part of the electrostatic puck is damaged may be searched or sensed, and when the damaged area is searched or sensed, the damaged area may be cleaned and prepared.

정전 퍽은 상부 퍽 플레이트와 하부 퍽 플레이트를 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 정전 퍽은 PM(주기적인 점검) 동안에 작업자의 실수 혹은 로봇(Robot) 등의 외부 요인으로 일부가 파손되거나 손상이 발생될 수 있다. 이와 같이, 정전 퍽의 일부 영역이 손상되면, 손상된 일부 영역을 세정 및 준비할 수 있다.The electrostatic puck may include an upper puck plate and a lower puck plate. As shown in FIG. 3 , the electrostatic puck may be partially damaged or damaged due to an external factor such as a human error or a robot during PM (periodic inspection). As such, if a partial area of the electrostatic puck is damaged, the damaged partial area can be cleaned and prepared.

상술한 손상 영역을 세정 단계는 반도체 장비에 들어 가기 때문에 SEMI 기준 세정에 따를 수 있다.The cleaning step of the above-mentioned damaged area can follow the SEMI standard cleaning because it enters the semiconductor equipment.

또한, 세정 단계는 손상 영역이 오염될 확률이 높기 때문에 오염 방지를 위하여 손상 영역을 정제수(DI water)를 약산과 혼합하여 불산/IPA　chemical 처리하여 세정할 수 있다. In addition, in the cleaning step, since there is a high probability of contamination of the damaged area, the damaged area may be cleaned by mixing purified water (DI water) with weak acid and performing hydrofluoric acid/IPA 　chemical treatment to prevent contamination.

또한, 준비 단계는 손상 영역을 초음파 세척 및 샌딩 등을 하여 전처리 과장을 통해 준비할 수 있다.In addition, in the preparation step, the damaged area may be prepared through pretreatment exaggeration by ultrasonically cleaning and sanding the damaged area.

성형 단계(S120)는 세정된 손상 영역을 측정하고, 이에 대응되도록 가공/제조된 피스를 성형할 수 있다. 성형 단계는 다양한 측정 기구 또는 센싱 기기를 이용하여 손상 영역을 비교적 정밀하게 측정 값을 산출하고, 산출된 측정 값을 기초하여 가공/제조된 피스를 성형할 수 있다. 이러한 피스는 ALN 피스(Piece)라 칭할 수 있다. 가공/제조된 피스는 정전 퍽과 실질적으로 동일한 물질일 수 있다.In the forming step ( S120 ), the cleaned damaged area may be measured, and a processed/manufactured piece may be formed corresponding thereto. In the forming step, a measured value of the damaged area may be relatively precisely calculated using various measuring instruments or sensing devices, and a processed/manufactured piece may be molded based on the calculated measured value. Such a piece may be referred to as an ALN piece (Piece). The machined/fabricated piece may be substantially the same material as the electrostatic puck.

형성 단계(S130)는 가공/제조된 피스를 손상 영역에 접합하여 재생 정전 퍽을 형성할 수 있다. 도 3의 (a)와 (b)에 도시된 바와 같이, 형성 단계는 액상 ALN 세라믹 본드를 이용하여 정밀하게 성형 가공/제조된 피스를 손상 영역에 접합할 수 있다. 도 3의 (a)는 가공/제조된 피스가 손상 영역에 접합하기 전의 형상이고, 도 3의 (b)는 가공/제조된 피스가 손상 영역에 접합한 후의 형상이다.In the forming step ( S130 ), a regenerated electrostatic puck may be formed by bonding the processed/manufactured piece to the damaged area. As shown in (a) and (b) of FIG. 3 , the forming step may bond the precisely molded/manufactured piece to the damaged area using the liquid ALN ceramic bond. 3A is a shape before the processed/manufactured piece is joined to the damaged area, and FIG. 3B is a shape after the machined/manufactured piece is joined to the damaged area.

액상 ALN 세라믹 본드는 스페셜 본드라 칭할 수 있다. 형성 단계는 액상 ALN 세라믹 본드를 이용함으로써, 손상 영역과 가공/제조된 피스 간에 빈틈이 발생하더라도 발생된 빈틈을 용이하게 채울 수 있다.The liquid ALN ceramic bond may be referred to as a special bond. In the forming step, by using the liquid ALN ceramic bond, even if a gap occurs between the damaged area and the machined/manufactured piece, the generated gap can be easily filled.

접합은 본딩이라 칭할 수 있다. 예를 들어, 본딩(Bonding)은 스퍼터링 타켓(Sputtering target)과 백킹 플레이트(backing plate)를 접합하는 공정일 수 있다. 이때 백킹 플레이트(backing plate)는 타켓(target) 장착과 타켓(target) 표면에서 발생하는 열을 방출하는 역할을 할 수 있다. 본딩(bonding) 공정에서의 불량은 장비 내에서 타켓(target)이 떨어지거나 열 방출 저하로 인한 증착막 특성 저하 등의 요인이 될 수 있다.The bonding may be referred to as bonding. For example, bonding may be a process of bonding a sputtering target and a backing plate. In this case, the backing plate may serve to mount the target and dissipate heat generated from the surface of the target. A defect in the bonding process may be a factor, such as a drop in a target in the equipment, or deterioration of properties of a deposition film due to a decrease in heat emission.

본딩(Bonding) 공정은 접합 물질과 방식에 따라 에폭시 본딩(Epoxy bonding), 솔더 본딩(Solder bonding), 디퓨젼 본딩(Diffusion Bonding) 등을 포함할 수 있다. The bonding process may include epoxy bonding, solder bonding, diffusion bonding, and the like, depending on the bonding material and method.

에폭시 본딩은 고분자 물질인 전도성 epoxy를 사용하는 방식으로 epoxy의 선택에 통해 bonding 공정 온도를 조절 가능하므로 온도변화에 의해 깨어지기 쉬운 재질의 재료를 본딩함으로써, 고온에서의 안정성이 뛰어나고 전기전도도와 열전도도가 높은 장점을 가질 수 있다.Epoxy bonding uses conductive epoxy, which is a polymer material, and the bonding process temperature can be controlled through the selection of epoxy. may have a high advantage.

솔더 본딩은 스퍼터링 타켓(sputtering target) 접합 물질로서의 특성이 뛰어나며 납땜과 같이 녹는점이 낮은 금속 물질이 열에 의해 녹았다가 굳으면서 bonding이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 솔더 본딩은 Al, Cr, ITO타겟 등 거의 모든 타겟을 이용할 수 있다.Solder bonding has excellent properties as a sputtering target bonding material, and bonding can be achieved as a metal material with a low melting point, such as solder, melts and hardens by heat. For example, for solder bonding, almost all targets such as Al, Cr, and ITO targets can be used.

디퓨젼 본딩(Diffusion Bonding)은 상술한 본딩(Bonding) 방식 중 기술적으로 가장 어려운 방식으로 작업온도가 높은 반도체 공정에서 사용되는 스퍼터링 타켓(sputtering target)에 적용될 수 있다. 디퓨젼 본딩(Diffusion Bonding)은 접합물질이 없이 타켓(target)과 백킹 프레이트(backing plate)를 맞댄 상태에서 고온과 고압을 가하여 타켓(target)과 백킹 프레이트(backing plate)간의 물질 확산(diffusion)에 의해 접합이 이루어지므로 본딩(bonding) 비율, 열전도도 측면에서 가장 유리할 수 있다. Diffusion bonding is the most technically difficult method among the above-described bonding methods and may be applied to a sputtering target used in a semiconductor process having a high working temperature. Diffusion bonding is a process for material diffusion between a target and a backing plate by applying high temperature and high pressure in a state where a target and a backing plate are placed face to face without a bonding material. Since bonding is made by a bonding method, it may be most advantageous in terms of bonding ratio and thermal conductivity.

베이크 아웃 단계(S140)는 재생될 정전 퍽을 기설정된 접합 환경 내에서 베이크 아웃할 수 있다. 기설정된 접합 환경은 질소 분위기 또는 질소 환경에서 적어도 24시간 이상 동안 21℃ 내지 400℃를 유지할 수 있다.The bake-out step S140 may bake out the electrostatic puck to be regenerated within a preset bonding environment. The predetermined bonding environment may be maintained at 21° C. to 400° C. for at least 24 hours in a nitrogen atmosphere or a nitrogen environment.

액상 ALN 세라믹 본드는 상온에서 굳을 수 있으나 상술한 기설정된 접합 환경 또는 접합 조건에 만족하는 경우 좀 더 치밀한 결합력을 가질 수 있다. 이에 재생될 정전 퍽은 기설정된 접합 환경 또는 접합 조건인 고온 조건에서 소정의 시간을 두고 접합 소결하는 것이 바람직하다.　The liquid ALN ceramic bond may be hardened at room temperature, but may have a more dense bonding force if it satisfies the above-described predetermined bonding environment or bonding conditions. Accordingly, it is preferable that the electrostatic puck to be regenerated is bonded and sintered for a predetermined time in a predetermined bonding environment or high temperature condition, which is a bonding condition.

또한, 베이크 아웃 단계(S140)는 액상 ALN 세라믹 본드를 이용하여 본딩시 재생될 접합부분의 정전 퍽이 수축하는 현상이 발생될 수 있다. 베이크 아웃 단계(S140)는 본딩시 정전 퍽이 수축하는 현상이 발생되는 것을 방지하기 위해 가압에 높은 온도를 가해 여러 번 반복할 수 있다.In addition, in the bake-out step ( S140 ), a phenomenon in which the electrostatic puck of the bonding portion to be regenerated is contracted may occur during bonding using the liquid ALN ceramic bond. The bake-out step ( S140 ) may be repeated several times by applying a high temperature to the pressurization in order to prevent the phenomenon of the electrostatic puck from being contracted during bonding.

즉, 베이크 아웃 단계(S140)는 재생 정전 퍽이 좋은 결과물이 나올 때까지 앞의단계를 반복할 수 있다.That is, in the bake-out step ( S140 ), the previous step may be repeated until a good result of the regenerative electrostatic puck is obtained.

가열 냉각 단계(S150)는 베이크 아웃된 정전 퍽을 기설정된 진공 환경 내에서 가열 냉각할 수 있다. 여기서 기설정된 진공 환경은 96 시간에서 144 시간 동안 10E-8~9 Torr 진공 상태와 340℃ 내지 360℃를 유지할 수 있다. 즉, 가열 냉각 단계(S150)는 10E-8~9 Torr의 Base Pressure와 같이 고진공을 유지함으로써, 불순물에 의한 오염을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 박막 특성이 우수해질 수 있다.In the heating and cooling step ( S150 ), the baked-out electrostatic puck may be heated and cooled in a predetermined vacuum environment. Here, the preset vacuum environment may maintain a vacuum state of 10E-8 to 9 Torr and 340° C. to 360° C. for 96 hours to 144 hours. That is, in the heating and cooling step (S150), by maintaining a high vacuum such as a base pressure of 10E-8 to 9 Torr, contamination by impurities can be prevented and thin film properties can be improved.

가열 냉각 단계(S150)까지 모두 마친 접합된 정전 퍽은 실제 공정하는 PVD 진공 챔버에 투입하여 성능 테스트받을 수 있다. The bonded electrostatic puck, which has completed all the heating and cooling steps (S150), can be put into a PVD vacuum chamber that is actually processed and subjected to a performance test.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 명세서의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art through the above description will be able to see that various changes and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present specification. Accordingly, the technical scope of the present specification should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100: 정전 척 어셈블리
110: 정전 퍽(Puck)
130: 지지 플레이트100: electrostatic chuck assembly
110: electrostatic puck (Puck)
130: support plate

Claims (5)

정전 퍽을 구비하는 정천 척 어셈블리의 재생/보수 방법에 있어서,
상기 정전 퍽의 일부가 손상되는 손상 영역을 서칭하고, 상기 손상 영역이 서칭되면, 상기 손상 영역을 세정 및 준비하는 단계;
세정된 상기 손상 영역을 측정하고, 이에 대응되도록 가공/제조된 피스를 성형하는 단계;
성형된 상기 피스를 손상 영역에 접합하여 재생될 정전 퍽을 형성하는 단계;
상기 재생될 정전 퍽을 기설정된 접합 환경 내에서 베이크 아웃하는 단계; 및
베이크 아웃된 상기 정전 퍽을 기설정된 진공 환경 내에서 가열 냉각하는 단계;를 포함하고,
상기 세정하는 단계는
정제수(DI water)에 약산을 혼합하여 불산/IPA　화학(chemical) 처리하는 것을 특징으로 하는 정전 척 어셈블리의 재생 방법.A method of regenerating/repairing an electrostatic chuck assembly having an electrostatic puck, the method comprising:
searching a damaged area in which a part of the electrostatic puck is damaged, and cleaning and preparing the damaged area when the damaged area is searched;
measuring the cleaned damaged area and forming a processed/manufactured piece corresponding thereto;
bonding the molded piece to the damaged area to form an electrostatic puck to be regenerated;
baking out the electrostatic puck to be regenerated in a predetermined bonding environment; and
Including; heating and cooling the baked-out electrostatic puck in a predetermined vacuum environment;
The cleaning step
A method of regenerating an electrostatic chuck assembly, characterized in that hydrofluoric acid/IPA chemical treatment is performed by mixing a weak acid with purified water (DI water). 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 기설정된 접합 환경은
질소 분위기 또는 질소 환경에서
적어도 24시간 이상 동안 21℃ 내지 400℃를 유지하는 것을 특징으로 하는 정전 척 어셈블리의 재생 방법.According to claim 1,
The predetermined bonding environment is
in a nitrogen atmosphere or in a nitrogen atmosphere
A method of regenerating an electrostatic chuck assembly, characterized in that the temperature is maintained at 21°C to 400°C for at least 24 hours. 제1 항에 있어서,
상기 기설정된 진공 환경은
96 시간에서 144 시간 동안 10E-8~9 Torr 진공 상태와 340℃ 내지 360℃를 유지하는 것을 특징으로 하는 정전 척 어셈블리의 재생 방법.According to claim 1,
The preset vacuum environment is
A method of regenerating an electrostatic chuck assembly, comprising maintaining a vacuum state of 10E-8 to 9 Torr and 340° C. to 360° C. for 96 hours to 144 hours. 제1 항에 있어서,
성형된 상기 가공/제조된 피스는
액상 ALN 세라믹 본드를 이용하여 상기 손상 영역에 접합되는 것을 특징으로 하는 정전 척 어셈블리의 재생 방법.According to claim 1,
The molded processed/manufactured piece is
A method of regenerating an electrostatic chuck assembly, characterized in that it is bonded to the damaged area using a liquid ALN ceramic bond.
KR1020200027404A 2020-03-04 2020-03-04 Recover method of electrostatic chuck assembly KR102322926B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200027404A KR102322926B1 (en) 2020-03-04 2020-03-04 Recover method of electrostatic chuck assembly

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200027404A KR102322926B1 (en) 2020-03-04 2020-03-04 Recover method of electrostatic chuck assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210112177A KR20210112177A (en) 2021-09-14
KR102322926B1 true KR102322926B1 (en) 2021-11-08

Family

ID=77774465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200027404A KR102322926B1 (en) 2020-03-04 2020-03-04 Recover method of electrostatic chuck assembly

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102322926B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101323645B1 (en) * 2013-07-05 2013-11-05 주식회사 템네스트 Regeneration method for side of electrostatic chuck using aerosol coating and electrostatic chuck regenerated by the same
JP2018518060A (en) * 2015-05-01 2018-07-05 コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド Method for repairing equipment parts used in semiconductor processing

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101934340B1 (en) * 2016-05-18 2019-01-03 (주)코리아스타텍 Bipolar type electrostatic chuck manufacturing method
KR102071674B1 (en) * 2017-07-19 2020-01-30 주식회사 임나노텍 Recycling system of semiconductor sputtering electrostatic chuck using laser welding

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101323645B1 (en) * 2013-07-05 2013-11-05 주식회사 템네스트 Regeneration method for side of electrostatic chuck using aerosol coating and electrostatic chuck regenerated by the same
JP2018518060A (en) * 2015-05-01 2018-07-05 コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド Method for repairing equipment parts used in semiconductor processing

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210112177A (en) 2021-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101831665B1 (en) Substrate support assembly having metal bonded protective layer
KR102422715B1 (en) Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
KR101491437B1 (en) Coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings which reduce arcing and corrosion within a processing chamber
KR102183029B1 (en) Single-body electrostatic chuck
US7416793B2 (en) Electrostatic chuck and manufacturing method for the same, and alumina sintered member and manufacturing method for the same
US10103410B2 (en) Method for joining ceramic to metal, and sealing structure thereof
TW201626497A (en) Electrostatic chuck assembly for high temperature processes
JP3851489B2 (en) Electrostatic chuck
EP2071610B1 (en) Corrosion-resistant multilayer ceramic member
JP3699349B2 (en) Wafer adsorption heating device
US7837798B2 (en) Semiconductor processing apparatus with a heat resistant hermetically sealed substrate support
JP2005317749A (en) Holding body for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus loaded therewith
JPH0750736B2 (en) Wafer heating apparatus and manufacturing method thereof
KR102322926B1 (en) Recover method of electrostatic chuck assembly
JP2020512691A (en) Ceramic material assembly for use in highly corrosive or erosive semiconductor processing applications
KR20210131150A (en) Plasma resistance coating layer and forming method thereof
JP2010016304A (en) Corrosion-resistant laminated ceramics member
US20210074569A1 (en) Electrostatic puck and method of manufacture
JP3545866B2 (en) Wafer holding device
JP6840450B2 (en) Joining method
JP6848008B2 (en) Joining method
US20220169575A1 (en) Joining Method
KR102130442B1 (en) Method of manufacturing mobile glass chuck, mobile glass chuck using the same and method of attaching mobile glass to mobile panel of smartphone
JP3941542B2 (en) Hermetic bonding structure of ceramics and metal and apparatus parts having the structure
JP2022111783A (en) Electrode embedded member, substrate holding member, and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant