KR102322284B1 - Touch sensor - Google Patents

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KR102322284B1
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Abstract

본 발명은 터치 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴; 상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하며, 몸체부 및 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및 상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층;을 포함함으로써, 브릿지 전극의 면적을 좁게 하면서도 제2 메쉬 패턴에 대한 접촉은 용이하게 하여, 브릿지 전극이 시인되는 것은 줄이면서, 우수한 터치 감도도 동시에 구현할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor, and more particularly, to a sensing pattern including a first mesh pattern formed in a first direction and a second mesh pattern formed in a second direction; a bridge electrode connecting the spaced unit patterns of the second mesh pattern and having a body portion and a tip portion in contact with the second mesh pattern; and an insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode, thereby reducing the area of the bridge electrode while facilitating contact with the second mesh pattern, reducing the visibility of the bridge electrode, and excellent touch sensitivity It relates to a touch sensor that can be implemented at the same time.

Description

터치 센서{TOUCH SENSOR}touch sensor {TOUCH SENSOR}

본 발명은 터치 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor.

디지털 기술을 이용하는 컴퓨터가 발달함에 따라 컴퓨터의 보조 장치들도 함께 개발되고 있으며, 개인용 컴퓨터, 휴대용 전송장치, 그 밖의 개인 전용 정보처리장치 등은 키보드, 마우스와 같은 다양한 입력장치(Input Device)를 이용하여 텍스트 및 그래픽 처리를 수행한다.As computers using digital technology develop, computer auxiliary devices are also being developed. Personal computers, portable transmission devices, and other personal information processing devices use various input devices such as keyboards and mice. to perform text and graphic processing.

하지만, 정보화 사회의 급속한 진행에 따라 컴퓨터의 용도가 점점 확대되는 추세에 있는 바, 현재 입력장치 역할을 담당하는 키보드 및 마우스만으로는 효율적인 제품의 구동이 어려운 문제점이 있다. 따라서, 간단하고 오조작이 적을 뿐 아니라, 누구라도 쉽게 정보입력이 가능한 기기의 필요성이 높아지고 있다.However, with the rapid progress of the information society, the use of computers is gradually expanding, and there is a problem in that it is difficult to efficiently drive products only with the keyboard and mouse, which currently serve as input devices. Accordingly, there is a growing need for a device that is simple and has fewer erroneous operations, and that anyone can easily input information.

또한, 입력장치에 관한 기술은 일반적 기능을 충족시키는 수준을 넘어서 고 신뢰성, 내구성, 혁신성, 설계 및 가공 관련기술 등으로 관심이 바뀌고 있으며, 이러한 목적을 달성하기 위해서 텍스트, 그래픽 등의 정보 입력이 가능한 입력장치로서 터치 센서(Touch Panel)이 개발되었다.In addition, the technology related to the input device goes beyond the level that satisfies the general function and the interest is changing to high reliability, durability, innovation, design and processing related technology, etc. In order to achieve this purpose, information input such as text and graphics is required As a possible input device, a touch sensor (Touch Panel) was developed.

이러한 터치 센서는 전자수첩, 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), El(Electroluminescence) 등의 평판 디스플레이 장치 및 CRT(Cathode Ray Tube)와 같은 화상표시장치의 표시면에 설치되어, 사용자가 화상표시장치를 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 이용되는 도구이다.Such a touch sensor is a display surface of a flat panel display device such as an electronic organizer, a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), an electroluminescence (El), and an image display device such as a cathode ray tube (CRT). It is a tool that is installed on the screen and used to allow the user to select desired information while viewing the image display device.

한편, 터치 센서의 종류는 저항막방식(Resistive Type), 정전용량방식(Capacitive Type), 전기자기장방식(Electro-Magnetic Type), 소오방식(SAW Type, Surface Acoustic Wave Type) 및 인프라레드방식(Infrared Type)으로 구분된다. 이러한 다양한 방식의 터치 센서는 신호 증폭의 문제, 해상도의 차이, 설계 및 가공 기술의 난이도, 광학적 특성, 전기적 특성, 기계적 특성, 내환경 특성, 입력 특성, 내구성 및 경제성을 고려하여 전자제품에 채용되는데, 현재 가장 광범위한 분야에서 사용하는 방식은 저항막 방식 터치 센서와 정전용량방식 터치 센서가 있다.On the other hand, the types of touch sensors are resistive type, capacitive type, electro-magnetic type, source type (SAW type, surface acoustic wave type) and infrared type. Type). These various types of touch sensors are employed in electronic products in consideration of the problem of signal amplification, the difference in resolution, the difficulty of design and processing technology, optical characteristics, electrical characteristics, mechanical characteristics, environmental resistance characteristics, input characteristics, durability and economic feasibility. , The methods currently used in the widest range of fields include a resistive touch sensor and a capacitive touch sensor.

이러한 터치 센서에서 두께를 줄이고 광 특성을 향상하기 위해 연결(bridge) 전극을 활용한 1층(1 layer) 터치 센서가 각광받고 있다. 그러나 X, Y 전극을 연결하는 브릿지 전극을 형성할 때, 브릿지 전극과 X 전극 또는 Y 전극과의 접촉 면적을 넓혀 터치 감도를 민감하기 위해 브릿지 전극의 면적을 넓게 하면 브릿지 전극이 시인되는 문제가 있다.In such a touch sensor, a one-layer touch sensor using a bridge electrode to reduce thickness and improve optical characteristics is in the spotlight. However, when forming a bridge electrode connecting the X and Y electrodes, if the area of the bridge electrode is widened to increase the contact area between the bridge electrode and the X electrode or the Y electrode to increase touch sensitivity, there is a problem in that the bridge electrode is visually recognized. .

한국공개특허 제2012-44268호에는 정전용량 터치 패널의 제조 방법이 개시되어 있으나, 상기 문제점에 대한 대안을 제시하지 못하였다.Korean Patent Application Laid-Open No. 2012-44268 discloses a method for manufacturing a capacitive touch panel, but does not provide an alternative to the above problem.

한국공개특허 제2012-44268호Korea Patent Publication No. 2012-44268

본 발명은 우수한 터치 민감도를 가지면서도 시인성 저하는 줄일 수 있는 터치 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a touch sensor capable of reducing visibility deterioration while having excellent touch sensitivity.

1. 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴;1. A sensing pattern including a first mesh pattern formed in a first direction and a second mesh pattern formed in a second direction;

상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하며, 몸체부 및 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및a bridge electrode connecting the spaced unit patterns of the second mesh pattern and having a body portion and a tip portion in contact with the second mesh pattern; and

상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층;을 포함하는, 터치 센서.Including; an insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode.

2. 위 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.2. The method of 1 above, wherein the sensing pattern includes molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten, or an alloy of two or more thereof; or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly(3,4-) ethylenedioxythiophene)), a touch sensor formed of carbon nanotubes (CNT) or graphene.

3. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.3. The above 1, wherein the bridge electrode is molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten, or an alloy of two or more thereof; or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly(3,4-) ethylenedioxythiophene)), a touch sensor formed of carbon nanotubes (CNT) or graphene.

4. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 서로 다른 방향으로 형성된 2개 이상의 첨단부를 가지며, 각 첨단부가 제2 메쉬 패턴과 접촉하는, 터치 센서.4. The touch sensor according to the above 1, wherein the bridge electrode has two or more tips formed in different directions, and each tip is in contact with the second mesh pattern.

5. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 제1 방향 및 제2 방향으로 형성된 2개 이상의 첨단부를 가지며, 각 첨단부가 제2 메쉬 패턴과 접촉하는, 터치 센서.5. The touch sensor according to the above 1, wherein the bridge electrode has two or more tip portions formed in the first direction and the second direction, and each tip portion is in contact with the second mesh pattern.

6. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 제1 메쉬 패턴과는 절연되는, 터치 센서.6. The touch sensor of 1 above, wherein the bridge electrode is insulated from the first mesh pattern.

7. 위 1에 있어서, 상기 첨단부는 그 폭이 1 내지 100㎛인, 터치 센서.7. The touch sensor according to 1 above, wherein the tip portion has a width of 1 to 100 μm.

8. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몸체부의 장변 길이가 30 내지 1000㎛인, 터치 센서.8. The touch sensor according to the above 1, wherein the bridge electrode has a body length of 30 to 1000 μm.

9. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몸체부가 메쉬 구조를 갖는, 터치 센서.9. The touch sensor according to the above 1, wherein the bridge electrode has a body portion having a mesh structure.

10. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몸체부가 2개 이상의 브릿지를 갖는, 터치 센서.10. The touch sensor according to the above 1, wherein the bridge electrode has two or more bridges in the body.

11. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 층 형태로 위치하고, 상기 첨단부는 절연층에 형성된 컨택홀을 통해 제2 메쉬 패턴과 연결된, 터치 센서.11. The touch sensor of 1 above, wherein the insulating layer is positioned in a layered form, and the tip is connected to the second mesh pattern through a contact hole formed in the insulating layer.

12. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차부에만 섬 형태로 위치하고, 상기 첨단부는 절연층에 형성된 컨택홀을 통해 제2 매쉬 패턴과 연결된, 터치 센서.12. The touch sensor of 1 above, wherein the insulating layer is located in an island shape only at the intersection of the sensing pattern and the bridge electrode, and the tip is connected to the second mesh pattern through a contact hole formed in the insulating layer.

13. 위 1 내지 12중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치.13. An image display device comprising the touch sensor of any one of 1 to 12 above.

본 발명의 터치 센서는 브릿지 전극이 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 가져, 브릿지 전극의 면적을 좁게 하면서도 제2 메쉬 패턴과 접촉할 수 있다. 이에, 브릿지 전극이 시인되는 것은 줄이면서, 우수한 터치 감도도 동시에 구현할 수 있다.In the touch sensor of the present invention, the bridge electrode has a tip portion in contact with the second mesh pattern, so that the area of the bridge electrode can be narrowed and in contact with the second mesh pattern. Accordingly, while reducing the visibility of the bridge electrode, excellent touch sensitivity can be realized at the same time.

또한, 본 발명의 터치 센서는 브릿지 전극의 면적을 줄일 수 있어, 이에 따라 굴곡성을 개선할 수 있다.In addition, the touch sensor of the present invention can reduce the area of the bridge electrode, thereby improving flexibility.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서에서 브릿지 전극을 확대하여 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서에서 브릿지 전극을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged perspective view of a bridge electrode in a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
5 is an enlarged cross-sectional view illustrating a bridge electrode in a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴; 상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하며, 몸체부 및 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및 상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층;을 포함함으로써, 브릿지 전극의 면적을 좁게 하면서도 제2 메쉬 패턴에 대한 접촉은 용이하게 하여, 브릿지 전극이 시인되는 것은 줄이면서, 우수한 터치 감도도 동시에 구현할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.The present invention provides a sensing pattern including a first mesh pattern formed in a first direction and a second mesh pattern formed in a second direction; a bridge electrode connecting the spaced unit patterns of the second mesh pattern and having a body portion and a tip portion in contact with the second mesh pattern; and an insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode, thereby reducing the area of the bridge electrode while facilitating contact with the second mesh pattern, reducing the visibility of the bridge electrode, and excellent touch sensitivity It relates to a touch sensor that can be implemented at the same time.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

감지 패턴은 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴(20)을 구비할 수 있다.The sensing pattern may include a first mesh pattern 10 formed in a first direction and a second mesh pattern 20 formed in a second direction.

제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)은 서로 다른 방향으로 배치된다. 예를 들면, 상기 제1 방향은 X축 방향일 수 있고, 제2 방향은 이와 수직으로 교차하는 Y축 방향일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20 are disposed in different directions. For example, the first direction may be an X-axis direction, and the second direction may be a Y-axis direction perpendicular to it, but is not limited thereto.

제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)은 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 커버 윈도우 기판에 접촉되면, 제1 메쉬 패턴(10), 제2 메쉬 패턴(20) 및 위치 검출라인을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.The first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20 provide information on the X coordinate and Y coordinate of the touched point. Specifically, when a human hand or an object comes into contact with the cover window substrate, the capacitance changes according to the contact position toward the driving circuit via the first mesh pattern 10 , the second mesh pattern 20 , and the position detection line. is transmitted Then, the change in capacitance is converted into an electric signal by the X and Y input processing circuit (not shown), and the contact position is grasped.

이와 관련하여, 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 메쉬 패턴(20)은 동일층에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각각의 패턴들이 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 메쉬 패턴(10)은 서로 연결된 형태이지만 제2 메쉬 패턴(20)은 단위 패턴들이 섬(island) 형태로 서로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 메쉬 패턴(20)을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 브릿지 전극(30)이 필요하다. 브릿지 전극(30)에 대해서는 후술하도록 한다.In this regard, the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20 are formed on the same layer, and each of the patterns must be electrically connected to detect a touched point. By the way, although the first mesh pattern 10 is connected to each other, since the second mesh pattern 20 has a structure in which unit patterns are separated from each other in an island form, to electrically connect the second mesh pattern 20 For this, a separate bridge electrode 30 is required. The bridge electrode 30 will be described later.

본 발명에 있어서, 메쉬 구조의 구체적인 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 직각 사각형 메쉬 구조, 마름모 메쉬 구조, 육각형 메쉬 구조 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 각 구조에서 장변의 길이는 예를 들면 2 내지 500㎛일 수 있고, 상기 범위 내에서 전기 전도도, 투과율 등에 따라 적절히 조절될 수 있다.In the present invention, the specific form of the mesh structure is not particularly limited. For example, a right-angled rectangular mesh structure, a rhombus mesh structure, a hexagonal mesh structure, etc. may be mentioned, but the present invention is not limited thereto. The length of the long side in each structure may be, for example, 2 to 500 μm, and may be appropriately adjusted according to electrical conductivity, transmittance, etc. within the above range.

메쉬 패턴의 폭은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 30㎛일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 20㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 금속 메쉬 패턴의 폭이 1 내지 30㎛일 경우에, 패턴의 시인성을 감소시키고 적정 전기 저항을 가질 수 있다.The width of the mesh pattern is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 30 μm, preferably 1 to 20 μm, but is not limited thereto. When the width of the metal mesh pattern is 1 to 30 μm, visibility of the pattern may be reduced and an appropriate electrical resistance may be obtained.

감지 패턴의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 각각 10 내지 350nm 일 수 있다. 감지 패턴의 두께가 10nm 미만이면 전기저항이 커져 터치 민감도가 저하될 수 있고, 350nm 초과이면 반사율이 커져 시인성의 문제가 생길 수 있다.The thickness of the sensing pattern is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 350 nm, respectively. If the thickness of the sensing pattern is less than 10 nm, the electrical resistance may be increased to decrease touch sensitivity, and if the thickness of the sensing pattern is greater than 350 nm, the reflectivity may be increased to cause a problem of visibility.

감지 패턴은 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속이 제한 없이 적용될 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 들 수 있다.The sensing pattern may be a metal having excellent electrical conductivity and low resistance, without limitation, for example, molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, or an alloy of two or more thereof. can

이 외에도 당 분야에 공지된 투명 전극 소재가 더 사용될 수 있다. 예를 들면 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있다.In addition to this, a transparent electrode material known in the art may be further used. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly(3, 4-ethylenedioxythiophene)), carbon nanotubes (CNT), graphene, and the like.

감지 패턴의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical VaporDeposition, CVD) 등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 물리적 증착법의 한 예인 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의하여 형성될 수 있다. A method of forming the sensing pattern is not particularly limited, and for example, it may be formed by various thin film deposition techniques such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD). For example, it may be formed by reactive sputtering, which is an example of a physical vapor deposition method.

또한, 감지 패턴은 인쇄 공정으로 형성될 수 있다. 이러한 인쇄 공정 시, 그라비아 오프 셋(gravure off set), 리버스 오프 셋(reverse off set), 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄 및 그라비아(gravure) 인쇄 등 다양한 인쇄 방법이 이용될 수 있다. 상기 방법 외에 포토리소그래피에 의해서 형성될 수도 있다.In addition, the sensing pattern may be formed by a printing process. During this printing process, various printing methods such as gravure off set, reverse off set, inkjet printing, screen printing, and gravure printing may be used. In addition to the above method, it may be formed by photolithography.

브릿지 전극(30)은 제2 메쉬 패턴(20)의 이격된 단위 패턴을 연결한다. 이때, 브릿지 전극(30)은 감지 패턴 중 제1 메쉬 패턴(10)과는 절연되어야 하므로, 이를 위해 절연층(40)이 형성된다. 이에 대해서는 후술하도록 한다.The bridge electrode 30 connects the spaced unit patterns of the second mesh pattern 20 . At this time, since the bridge electrode 30 must be insulated from the first mesh pattern 10 among the sensing patterns, the insulating layer 40 is formed for this purpose. This will be described later.

브릿지 전극(30)은 몸체부(31) 및 첨단부(32)를 갖는다.The bridge electrode 30 has a body portion 31 and a tip portion 32 .

통상 터치 센서에서 브릿지 전극(30)과 이에 의해 연결되는 감지 패턴 사이의 접촉 면적이 넓어야 터치 감도가 개선된다. 그러나, 이를 위해 브릿지 전극(30)의 면적을 넓게 하는 경우 브릿지 전극(30)이 사용자에게 시인되는 문제가 있고, 터치 센서의 굴곡성이 저하되는 문제가 있다.In general, in a touch sensor, the touch sensitivity is improved when the contact area between the bridge electrode 30 and the sensing pattern connected thereto is wide. However, when the area of the bridge electrode 30 is widened for this purpose, there is a problem in that the bridge electrode 30 is visually recognized by a user, and there is a problem in that the flexibility of the touch sensor is reduced.

그러나, 본 발명에 따른 브릿지 전극(30)은 첨단부(32)가 제2 메쉬 패턴과 접촉하여, 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결할 수 있다.However, in the bridge electrode 30 according to the present invention, the tip portion 32 may contact the second mesh pattern to connect the spaced unit patterns of the second mesh pattern.

즉, 첨단부(32)가 제2 메쉬 패턴과 접촉하므로, 제2 메쉬 패턴과 접촉을 위해 넓은 면적의 몸체부(31)를 요하지 않는다. 이에, 몸체부(31)의 면적을 좁게 하여, 브릿지 전극(30)이 시인되는 것을 줄일 수 있다.That is, since the tip portion 32 is in contact with the second mesh pattern, the body portion 31 having a large area is not required to contact the second mesh pattern. Accordingly, by making the area of the body part 31 narrow, it is possible to reduce the visibility of the bridge electrode 30 .

브릿지 전극(30)은 2개 이상의 첨단부(32)를 가질 수 있다. 각 첨단부(32)는 서로 다른 방향으로 형성된 것일 수 있다. 서로 다른 방향은 예를 들면 제1 방향 및 제2 방향일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 복수개의 첨단부(32)를 가지는 경우 각 첨단부(32)가 제2 메쉬 패턴과 접촉할 수 있다.The bridge electrode 30 may have two or more tip portions 32 . Each of the tip portions 32 may be formed in different directions. The different directions may be, for example, the first direction and the second direction, but is not limited thereto. In the case of having a plurality of tip portions 32 , each tip portion 32 may be in contact with the second mesh pattern.

첨단부(32)의 폭은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 100㎛일 수 있다. 첨단부(32)의 폭이 상기 범위 내인 경우 브릿지 전극(30)의 면적은 줄이면서 접촉 저항을 적정 수준으로 조절할 수 있다. 상기 범위 내에서 메쉬 패턴의 폭, 장변 길이 등에 따라 적절하게 조절될 수 있다.The width of the tip portion 32 is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 100 μm. When the width of the tip portion 32 is within the above range, the area of the bridge electrode 30 may be reduced while the contact resistance may be adjusted to an appropriate level. Within the above range, it may be appropriately adjusted according to the width of the mesh pattern, the length of the long side, and the like.

추가로, 브릿지 전극(30)의 몸체부(31)도 제2 메쉬 패턴과 연결될 수 있다. 그러한 경우 제2 메쉬 패턴과의 접촉 면적이 더 넓어져 터치 감도를 더욱 개선할 수 있다.In addition, the body portion 31 of the bridge electrode 30 may also be connected to the second mesh pattern. In such a case, a contact area with the second mesh pattern may be increased to further improve touch sensitivity.

브릿지 전극(30)의 몸체부(31)는 예를 들면 바(bar) 구조를 가질 수 있다.The body portion 31 of the bridge electrode 30 may have, for example, a bar structure.

브릿지 전극(30)의 몸체부(31)는 예를 들면 도 1 및 도 2에 예시된 것처럼 단일 브릿지를 가질 수도 있고, 도 3에 예시된 것처럼 2개 이상의 브릿지를 가질 수도 있다. 몸체부(31)가 2개 이상의 브릿지를 갖는 경우 저항 및 신뢰성 측면에서 유리하다.The body portion 31 of the bridge electrode 30 may have, for example, a single bridge as illustrated in FIGS. 1 and 2 , or may have two or more bridges as illustrated in FIG. 3 . When the body portion 31 has two or more bridges, it is advantageous in terms of resistance and reliability.

또한, 도 6에 예시된 바와 같이 몸체부(31)는 메쉬 구조를 가지는 것일 수도 있다. 그러한 경우, 브릿지 전극(30)의 면적을 더욱 줄여 터치 센서의 굴곡성을 개선할 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 6 , the body part 31 may have a mesh structure. In such a case, the flexibility of the touch sensor may be improved by further reducing the area of the bridge electrode 30 .

브릿지 전극(30)은 몸체부(31)의 장변 길이가 30 내지 1000㎛일 수 있다. 몸체부(31)의 장변 길이가 상기 범위 내인 경우 브릿지 전극(30)의 면적은 줄이면서 이와 동시에 저저항을 구현할 수 있다. 상기 범위 내에서 메쉬 패턴의 장변 길이에 따라 적절하게 조절될 수 있다.The bridge electrode 30 may have a long side length of 30 to 1000 μm of the body part 31 . When the length of the long side of the body 31 is within the above range, the area of the bridge electrode 30 may be reduced while simultaneously implementing a low resistance. Within the above range, it may be appropriately adjusted according to the length of the long side of the mesh pattern.

브릿지 전극(30)은 당 분야에 알려진 투명 전극 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 사용될 수 있다.The bridge electrode 30 may be a transparent electrode material known in the art without limitation. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) , carbon nanotubes (CNT), graphene, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more. Preferably, indium tin oxide (ITO) may be used.

이 외에도 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속이 제한 없이 적용될 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 들 수 있다.In addition, metals with good electrical conductivity and low resistance can be applied without limitation, for example, molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two of these. and alloys of more than one species.

본 발명의 터치 센서에 있어서, 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 적층 순서는 특별히 한정되지 않고, 도 1 내지 도 3에 예시된 바와 같이 감지 패턴 상측에 브릿지 전극(30)이 위치할 수도 있고, 도 4에 예시된 바와 같이 감지 패턴 하측에 브릿지 전극(30)이 위치할 수도 있다.In the touch sensor of the present invention, the stacking order of the sensing pattern and the bridge electrode 30 is not particularly limited, and the bridge electrode 30 may be positioned above the sensing pattern as illustrated in FIGS. 1 to 3 , As illustrated in FIG. 4 , the bridge electrode 30 may be positioned below the sensing pattern.

브릿지 전극(30)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 전술한 감지 패턴의 형성 방법으로 예시한 방법을 사용할 수 있다.A method of forming the bridge electrode 30 is not particularly limited, and, for example, the method exemplified as a method of forming the above-described sensing pattern may be used.

절연층(40)은 감지 패턴과 브릿지 전극(30) 사이에 개재되어 제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)을 절연시키는 기능을 한다.The insulating layer 40 is interposed between the sensing pattern and the bridge electrode 30 to insulate the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20 .

절연층(40)은 도 1 내지 도 4에 예시된 것처럼 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 교차부에만 섬 형태로 위치할 수도 있고, 도 5에 예시된 것처럼 층 형태로 전체에 위치할 수도 있다.The insulating layer 40 may be located only in the form of an island at the intersection of the sensing pattern and the bridge electrode 30 as illustrated in FIGS. 1 to 4 , or may be located entirely in the form of a layer as illustrated in FIG. .

절연층(40)이 섬 형태로 위치하는 경우 제2 메쉬 패턴(20)은 브릿지 전극(30)과 직접 연결되고, 절연층(40)이 층 형태로 위치하는 경우 제2 메쉬 패턴(20)은 절연층(40)에 형성된 컨택홀(50)(contact hole)을 통해 브릿지와 연결된다.When the insulating layer 40 is positioned in the form of an island, the second mesh pattern 20 is directly connected to the bridge electrode 30 , and when the insulating layer 40 is positioned in the form of a layer, the second mesh pattern 20 is It is connected to the bridge through a contact hole 50 formed in the insulating layer 40 .

컨택홀(50)의 개수, 위치는 특별히 한정되지 않고 터치 영역 전 영역에 걸쳐 다수 존재하는 것이 터치 감도 개선의 측면에서는 바람직하나, 컨택홀(50)이 사용자에게 시인되는 문제가 발생할 수도 있으므로, 컨택홀(50)은 전계가 집중되는 위치(예를 들면 제1 메쉬 패턴(10)과 브릿지 전극(30)의 교차점 주변)에 집중되어 형성되고, 그리고 전체 터치 영역에 분산되어 형성되는 것이 바람직하다.The number and positions of the contact holes 50 are not particularly limited, and it is preferable to have a plurality of contact holes over the entire touch area in terms of improving touch sensitivity. It is preferable that the holes 50 are formed concentrated at a location where the electric field is concentrated (eg, around the intersection of the first mesh pattern 10 and the bridge electrode 30 ), and distributed over the entire touch area.

절연층(40)은 당분야에서 사용되는 재료 및 방법을 특별한 제한 없이 사용하여 형성될 수 있다.The insulating layer 40 may be formed using materials and methods used in the art without particular limitation.

본 발명의 터치 센서는 기판(100) 상에 형성될 수 있다.The touch sensor of the present invention may be formed on the substrate 100 .

기판(100)은 당 분야에서 통상적으로 사용되는 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP) 등을 들 수 있다.The substrate 100 may be a material commonly used in the art without limitation, for example, glass, polyether sulfone (PES, polyethersulphone), polyacrylate (PAR, polyacrylate), polyether imide (PEI, polyetherimide), polyethylene naphthalate (PEN, polyethyelenen napthalate), polyethylene terephthalate (PET, polyethyelene terepthalate), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate ( PC, polycarbonate), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP), and the like.

이상, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Above, preferred embodiments are presented to help the understanding of the present invention, but these examples are merely illustrative of the present invention and do not limit the appended claims, and are within the scope and spirit of the present invention. It is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications are possible, and it is natural that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.

10: 제1 메쉬 패턴 20: 제2 메쉬 패턴
30: 브릿지 전극 31: 몸체부
32: 첨단부 40: 절연층
50: 컨택홀 100: 기판10: first mesh pattern 20: second mesh pattern
30: bridge electrode 31: body part
32: tip 40: insulating layer
50: contact hole 100: substrate

Claims (6)

제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴들 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴들을 포함하는 감지 패턴;
이웃하는 상기 제2 메쉬 패턴들을 서로 연결하고, 2개 이상의 브릿지들을 포함하는 몸체부 및 상기 몸체부의 단부에 연결되며 상기 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및
상기 감지 패턴과 상기 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층을 포함하고,
상기 브릿지들 각각은 상기 제2 방향으로 연장하는 바(bar) 형상을 갖는, 터치 센서.a sensing pattern including first mesh patterns formed in a first direction and second mesh patterns formed in a second direction;
a bridge electrode connecting the adjacent second mesh patterns to each other and having a body portion including two or more bridges and a tip portion connected to an end of the body portion and in contact with the second mesh pattern; and
An insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode,
Each of the bridges has a bar shape extending in the second direction, a touch sensor. 청구항 1에 있어서, 상기 몸체부의 양 단부들에 각각 상기 첨단부들이 일체로 형성되는, 터치 센서.The touch sensor according to claim 1, wherein the tip portions are integrally formed at both ends of the body portion, respectively. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 서로 다른 방향으로 형성된 2개 이상의 상기 첨단부들을 가지며, 각 첨단부가 제2 메쉬 패턴과 접촉하는, 터치 센서.The touch sensor according to claim 1, wherein the bridge electrode has two or more tip portions formed in different directions, and each tip portion is in contact with the second mesh pattern. 청구항 4에 있어서, 상기 브릿지 전극은 제1 방향 및 제2 방향으로 형성된 2개 이상의 상기 첨단부들을 가지며, 각 첨단부가 제2 메쉬 패턴과 접촉하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 4 , wherein the bridge electrode has two or more tip portions formed in a first direction and a second direction, and each tip portion is in contact with the second mesh pattern. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 내부에 컨택 홀을 포함하며, 상기 첨단부는 상기 컨택 홀을 통해 상기 제2 메쉬 패턴과 연결되는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 1 , wherein the insulating layer includes a contact hole therein, and the tip is connected to the second mesh pattern through the contact hole.
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