KR102321085B1 - 접촉 프로브 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 접촉 프로브에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수직형 접촉 프로브에 관한 것이다. 본 발명은 전자 장치의 테스트에 사용되며, 팁부, 헤드부, 및 상기 팁부와 상기 헤드부 사이에 길게 연장된 탄성부를 포함하는 접촉 프로브로서, 상기 팁부는 다층 구조를 포함하며, 상기 팁부의 다층 구조를 이루는 층들 중에서 적어도 하나가 길게 돌출되어 형성된 스케이트부를 더 구비하며, 상기 탄성부는 상기 탄성부의 길이방향을 따라서 연장된 적어도 2개의 빔들을 포함하며, 인접하는 상기 빔들은 슬릿에 의해서 분리되며, 상기 빔들 중에서 적어도 하나의 적어도 일부분은 상기 스케이트부에 비해서 단면적이 작은 것을 특징으로 하는 접촉 프로브를 제공한다.
Description
본 발명은 접촉 프로브에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수직형 접촉 프로브에 관한 것이다.
액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광다이오드(Organic Light Emitting Diode)를 포함하는 평판표시장치와, 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자의 성능 검사에는 복수의 접촉 프로브를 구비한 프로브 카드가 널리 사용되고 있다.
프로브 카드는 구조에 따라 크게 캔틸레버형과 수직형으로 분류된다. 이중 수직형 프로브 카드는 수직형 접촉 프로브의 양단부를 지지하는 플레이트 형태의 제1 지지체와 제2 지지체를 포함한다. 수직형 접촉 프로브의 양단부는 제1 지지체와 제2 지지체에 형성된 관통구멍에 삽입된다. 피검사체의 단자를 수직형 접촉 프로브의 팁부에 대하여 누르면, 수직형 접촉 프로브가 관통구멍 내에서 미끄러지고, 수직형 접촉 프로브의 탄성부가 구부려진다.
종래의 수직형 프로브 카드에는 금속 와이어를 압착하여, 탄성부를 형성한 코브라 핀이 주로 사용되었으며, 최근에는 멤즈(MEMS) 기술로 제조된 수직형 접촉 프로브가 사용된다.
본 발명은 수직형 접촉 프로브를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 전자 장치의 테스트에 사용되며, 팁부, 헤드부, 및 상기 팁부와 상기 헤드부 사이에 길게 연장된 탄성부를 포함하는 접촉 프로브로서, 상기 팁부는 다층 구조를 포함하며, 상기 팁부의 다층 구조를 이루는 층들 중에서 적어도 하나가 길게 돌출되어 형성된 스케이트부를 더 구비하며, 상기 탄성부는 상기 탄성부의 길이방향을 따라서 연장된 적어도 2개의 빔들을 포함하며, 인접하는 상기 빔들은 슬릿에 의해서 분리되며, 상기 빔들 중에서 적어도 하나의 적어도 일부분은 상기 스케이트부에 비해서 단면적이 작은 것을 특징으로 하는 접촉 프로브를 제공한다.
이러한 구성을 통해서, 접촉 프로브에 고전류가 흐를 경우에 단면적이 작은 빔이 먼저 용융된다. 따라서 스케이트부가 용융되면서 측정 대상 소자의 단자를 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 접촉 프로브에 의한 스크럽 사이즈를 줄일 수 있다.
이를 위해서, 상기 빔들 중에서 적어도 하나의 적어도 일부분의 단면은 상기 스케이트부에 비해서 단면적이 작아지도록 적어도 일면에 홈이 형성될 수 있다.
여기서, 상기 스케이트부는 상기 팁부의 중심축에 대해서 경사져 있을 수 있다. 이러한 구성을 통해서 스크럽 시의 마찰력을 조절할 수 있다.
상기 스케이트부의 평면형상은 일 측은 대체로 직선형이고, 상기 일 측과 마주보는 타 측은 상기 일 측과 나란한 직선부와, 상기 직선부와 연결되며 상기 팁부와 가까워질수록 상기 일 측과의 거리가 멀어지도록 굽어 있는 곡선부를 포함할 수 있다.
상기 빔들은 상이한 폭을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 빔들은 상기 팁부와 상기 헤드부가 가까워지는 방향으로 압력이 가해질 때, 상기 빔들이 돌출되는 방향에 위치하는 빔이 반대 방향에 위치하는 빔에 비해서 폭이 넓을 수 있다. 이러한 구성들을 통해서, 접촉 프로브에 압력이 가해질 때 헤드부와 빔의 연결 부위가 끊어지는 현상을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명은 적어도 일부는 고전도성 층과, 상기 고전도성 층에 비해서 전기전도도가 낮으며 경도가 큰 고경도 층이 교대로 적층된 다층 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브를 제공한다.
또한, 상기 고경도 층에 비해서 전기전도도가 높으며, 적어도 일부의 상기 다층 구조를 둘러싸는 외부 코팅 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브를 제공한다.
또한, 상기 외부 코팅 층은 상기 헤드부의 상기 다층 구조를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브를 제공한다.
이러한 구성들을 통해서 접촉 프로브의 접촉저항을 줄이거나, 전류 용량을 늘릴 수 있다.
상기 고전도성 층은 구리 또는 구리 합금이며, 상기 고경도 층은 팔라듐 또는 파라듐 합금일 수 있다. 그리고 상기 외부 코팅 층은 금 또는 금 합금일 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 고경도 층은 상기 고전도성 층에 비해서 두께가 두꺼운 것을 특징으로 하는 접촉 프로브를 제공한다. 이러한 구성을 통해서 접촉 프로브의 경도를 높일 수 있다.
이때, 상기 고경도 층의 두께는 상기 고전도성 층의 두께의 1.5 내지 2배일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 고전도성 층은 상기 고경도 층에 비해서 두께가 두꺼운 것을 특징으로 하는 접촉 프로브를 제공한다. 이러한 구성을 통해서 접촉 프로브의 전류 용량을 높일 수 있다.
이때, 상기 고전도성 층의 두께는 상기 고경도 층의 두께의 1.5 내지 2배일 수 있다.
상기 다층 구조의 최상층과 최하층은 상기 고경도 층인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 헤드부의 일측면과 배면에서 돌출된 스토퍼부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브를 제공한다. 이러한 구성을 통해서, 접촉 프로브의 대각선 정렬 시에 접촉 프로브가 좀 더 안정적으로 지지될 수 있다.
또한, 본 발명은 복수의 제1 관통구멍이 형성된 제1 지지체와, 상기 제1 지지체와 일정한 간격으로 나란하게 배치되며, 복수의 제2 관통구멍이 형성된 제2 지지체와, 상기 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍에 삽입되는 복수의 접촉 프로브를 포함하는 프로브 조립체를 제공한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 접촉 프로브를 구비한 프로브 조립체를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 5와 6은 스케이트부의 다른 예들을 나타낸 도면들이다.
도 7은 팁부와 스케이트부의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 9는 탄성부의 다른 예들의 단면을 간단히 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 제6 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 접촉 프로브를 구비한 프로브 조립체를 나타낸 도면이다.
도 13은 도 12에 도시된 프로브 조립체를 위에서 바라보았을 때 제1 지지체의 제1 관통구멍과 제2 지지체의 제2 관통구멍이 겹친 상태를 나타낸다.
도 14는 도 12에 도시된 프로브 조립체의 접촉 프로브의 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍 내에서의 접촉 프로브의 위치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 접촉 프로브를 구비한 프로브 조립체를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 5와 6은 스케이트부의 다른 예들을 나타낸 도면들이다.
도 7은 팁부와 스케이트부의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 9는 탄성부의 다른 예들의 단면을 간단히 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 제6 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 접촉 프로브를 구비한 프로브 조립체를 나타낸 도면이다.
도 13은 도 12에 도시된 프로브 조립체를 위에서 바라보았을 때 제1 지지체의 제1 관통구멍과 제2 지지체의 제2 관통구멍이 겹친 상태를 나타낸다.
도 14는 도 12에 도시된 프로브 조립체의 접촉 프로브의 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍 내에서의 접촉 프로브의 위치를 설명하기 위한 도면이다.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1에 도시된 접촉 프로브를 구비한 프로브 조립체를 나타낸 도면이다. 도 1의 (a)는 접촉 프로브의 정면도이며, (b)는 측면도이며, (c)는 위치별 단면의 형상을 나타내는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 프로브 조립체(1)는 제1 지지체(10), 제2 지지체(20) 및 복수의 접촉 프로브(100)을 구비한다.
제1 지지체(10)와 제2 지지체(20)는 실질적으로 평행하며, 서로 일정한 간격으로 떨어져 있다. 제1 지지체(10)에는 복수의 제1 관통구멍(11)들이 형성되며, 제2 지지체(20)에는 복수의 제2 관통구멍(21)들이 형성된다. 프로브 조립체(1)에서, 제1 관통구멍(11) 및 이에 대응하는 제2 관통구멍(21)은 서로 약간 어긋나 있을 수 있다.
제1 지지체(10)는 프로브 카드의 스페이스 트랜스포머(미도시) 쪽에 배치되며, 제2 지지체(20)는 반도체 디바이스와 같은 피검사체(미도시) 쪽으로 배치된다. 제1 관통구멍(11)과 제2 관통구멍(21)은 각각의 지지체의 면에 대체로 수직으로 형성된다. 제1 관통구멍(11)과 제2 관통구멍(21)는 사각형 관통구멍일 수 있다.
도 1의 (a)와 (b)에 도시된 바와 같이, 접촉 프로브(100)는 프로브 카드의 회로기판에 접하는 헤드부(110), 피검사체에 접촉하는 팁부(130) 및 헤드부(110)와 팁부(130) 사이에 위치하며, 팁부(130)에 압력이 가해지면 탄성 변형되는 탄성부(120)를 포함한다.
팁부(130)는 제2 관통구멍(21)에 끼워지며, 헤드부(110)는 제1 관통구멍(11)에 끼워진다.
도 1과 2를 참고하면, 헤드부(110), 탄성부(120) 및 팁부(130)는 Z축 방향으로 연장되어 있으며, 탄성부(120)는 Y축 방향으로 살짝 굽어 있다.
제2 관통구멍(21) 내에 배치되는 팁부(130) 또는 탄성부(120)의 폭과 두께는 제2 관통구멍(21)의 폭과 두께에 비해서 작아서, 탄성 프로브(100)는 제2 관통구멍(21) 내에서 Z축 방향으로 이동할 수 있다. 팁부(130)의 끝단은 제2 지지체(20)의 외부로 노출된다. 팁부(130)는 끝단으로 진행할수록 가늘어지도록 경사져있다.
또한, 제1 관통구멍(11) 내에 배치되는 헤드부(110) 또는 탄성부(120)의 폭과 두께는 제1 관통구멍(11)의 폭과 두께에 비해서 작아서, 탄성 프로브(100)는 제1 관통구멍(11) 내에서 Z 방향으로 이동할 수 있다. 헤드부(110)의 끝단(115)이 제1 지지체(10)의 외부로 노출된다.
헤드부(110)의 끝 단부에는 헤드부(110)가 제1 관통구멍(11)에서 빠지는 것을 방지하도록 헤드부(110)의 일측면으로부터 돌출된 스토퍼부(115)가 형성된다. 스토퍼부(115)의 하단은 제1 지지체(10)의 상면(13)에 걸린다.
헤드부(110)는 끝단으로 진행할수록 가늘어지도록 경사져있다.
도 1의 (b)와 (c)에 도시된 바와 같이, 헤드부(110), 탄성부(120) 및 팁부(130)는 서로 다른 전도성 물질로 이루어진 복수의 층을 포함하는 다층 구조를 포함한다.
다층 구조는 고전도성 층(110b, 120b, 130b)과, 고경도 층(110a, 120a, 130a)이 교대로 적층된 구조이다. 본 실시예에서는 헤드부(110), 탄성부(120) 및 팁부(130)가 모두 다층 구조를 포함한다. 다층 구조의 최상층과 최하층은 고경도 층(110a, 120a, 130a)인 것이 바람직하다.
고경도 층(110a, 120a, 130a)은 고전도성 층(110b, 120b, 130b)에 비해서 전기전도도가 낮으며 경도가 큰 물질로 이루어진다. 예를 들어, 고전도성 층(110b, 120b, 130b)은 구리 또는 구리 합금이며, 고경도 층(110a, 120a, 130a)은 파라듐 또는 파라듐 합금으로 이루어질 수 있다.
접촉 프로브의 경도 향상을 위해서 고경도 층(110a, 120a, 130a)은 고전도성 층(110b, 120b, 130b)에 비해서 두께가 두꺼울 수 있다. 좀 더 구체적으로, 고경도 층(110a, 120a, 130a)의 두께는 고전도성 층(110b, 120b, 130b)의 두께의 1.5 내지 2배일 수 있다.
도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 헤드부(110), 팁부(130) 및 탄성부(120)는 사각형 단면을 가진다.
도 1의 (b)와 (c)에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 접촉 프로브(100)는 적어도 일부의 다층 구조를 둘러싸는 코팅 층(140)을 더 포함한다.
코팅 층(140)은 고경도 층(110a, 120a, 130a)에 비해서 전기전도도가 높다. 예를 들어, 코팅 층(140)은 금 또는 금 합금일 수 있다. 코팅 층(140)은 다층 구조의 사면 전체를 덮는다. 본 실시예에서 코팅 층(140)은 헤드부(110)의 다층 구조의 적어도 일부를 둘러싼다. 본 실시예에서 코팅 층(140)은 접촉 저항을 낮추는 역할을 한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
본 실시예는 코팅 층(250)이 접촉 프로브(200) 전체에 형성된다는 점에서 도 1에 도시된 실시예와 차이가 있다. 본 실시예는 고경도 층(210a, 220a, 230a)에 비해서 전기전도도가 높은 고팅 층(250)이 접촉 프로브(200) 전체를 덮기 때문에 전류 용량(current carrying capacity, CCC)이 향상된다. 또한, 다층 구조의 측면을 코팅 층(250)으로 덮기 때문에 층들 사이에 발생할 수 있는 틈이 외부로 노출되지 않아서 다층 구조의 산화를 방지할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 본 실시예는 접촉 프로브(200)의 전류 용량 향상을 위해서 고전도성 층(210b, 220b, 230b)이 고경도 층(210a, 220a, 230a)에 비해서 두께가 두꺼울 수 있다. 좀 더 구체적으로, 고전도성 층(210b, 220b, 230b)의 두께는 고경도 층(210a, 220a, 230a)의 두께의 1.5 내지 2배일 수 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 실시예는 탄성부(320)가 듀얼 빔 구조라는 점에서 도 1에 도시된 실시예와 차이가 있다.
본 실시예의 탄성부(320)는 슬릿(325)에 의해서 구분되는 한 쌍의 빔(321, 323)을 구비한다.
또한, 팁부(330)의 다층 구조를 이루는 층들 중에서 적어도 하나가 길게 돌출되어 형성되며, 팁부(330)에 비해서 두께가 얇은 스케이트부(335)를 더 구비한다는 점에서도 도 1에 도시된 실시예와 차이가 있다. 스케이트부(335)의 끝단은 측정 대상 소자의 단자와 접촉한다. 스케이트부(335)는 팁부(330)에 비해서 두께가 얇기 때문에, 스케이트부(335)를 적용하면 스크럽 사이즈를 줄일 수 있다는 장점이 있다. 또한, 스케이트부(335)의 길이를 길게 하면 측정 대상 소자의 단자 주변에 마이크로 범프와 같이, 돌출된 구조가 존재할 경우에 돌출된 구조를 피해서 단자와 접촉할 수 있다는 점에서 장점이 있다.
본 실시예에서 스케이트부(335)는 두 개의 고경도 층(335a)과 하나의 고전도성 층(335b)으로 이루어진다.
도 5와 6은 스케이트부의 다른 예들을 나타낸 도면들이다. 도 4의 스케이트부는 도 5와 6의 스케이트부들로 대체할 수 있다.
본 예들은 스케이트부(336, 337)가 팁부(330)의 중심축에 대해서 기울어져 있다는 점에서도 도 3에 도시된 실시예와 차이가 있다. 스크럽시에 마찰력을 조절하기 위해서 기울어져 있다.
도 5에 도시된 예에서, 스케이트부(336)는 정면에서 바라본 스케이트부(336)의 평면형상을 기준으로, 팁부(330)로부터 연장된 일 측(3361)은 대체로 팁부의 중심축과 각을 이루는 직선형이다. 그리고 일 측(3361)과 마주보는 타 측(3362)은 서로 연결된 곡선부(3332a)와 직선부(3332b)를 포함한다. 곡선부(3332a)는 팁부(330)로부터 연장되며, 팁부(330)와 가까워질수록 상기 일 측(3361)과의 거리가 멀어지도록 굽어있다. 직선부(3332b)는 일 측(3361)과 나란하며, 곡선부(3332a)와 연결된다.
도 6에 도시된 예는 스케이트부(337)가 하나의 고경도층(337a)로 이루어진다는 점에서 도 5에 도시된 실시예와 차이가 있다.
도 7은 팁부와 스케이트부의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7에 도시된 실시예는, 인서트부(350)를 포함한다. 인서트부(350)는 대체로 직사각형 플레이트 형태이다. 인서트부(350)은 팁부(340) 내측에 위치하는 결합부(354)와, 결합부(354)로부터 연장되어 팁부(340) 외측으로 돌출된 스케이트부(355)를 포함한다.
결합부(354)는 팁부(340) 끝 부분의 다층 구조의 일부를 대체한다. 본 예에서, 결합부(354)는 팁부(340)를 구성하는 다층 구조 중에서 두 개의 고경도 층(340a)과 하나의 고전도성 층(340b)을 대체한다.
인서트부(350)는 고경도 층(340a)에 비해서 경도가 더 높을 수 있다. 예를 들어, 고경도 층(340a)으로 팔라듐을 사용하고, 인서트부(340)로 로듐을 사용할 수 있다. 본 실시예는 스케이트부(355)의 기계적 마모에 따른 수명 단축을 개선할 수 있다는 장점이 있다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 8에 도시된 실시예는 탄성부(420)의 한 쌍의 빔(421, 423)의 일부 구간에 홈(427, 428)이 형성된다는 점에서 도 4에 도시된 실시예와 차이가 있다. 홈(427, 428)이 형성된 구간의 빔의 단면적(AB1, AB2) 중 적어도 하나는 스케이트부(435)의 단면적(AS)에 비해서 작은 것이 바람직하다. 접촉 프로브(400)에 순간적으로 고전류가 흐를 경우에 접촉 프로브(400)가 용융되면서 측정 대상 소자의 단자를 오염시키는 것을 최소화하기 위합니다.
접촉 프로브(400)에 순간적으로 고전류가 흐를 경우에 접촉 프로브(400)에서 단면적이 가장 작은 부분이 줄 열(Joule's heat)에 의해서 용융되기 때문에, 측정 대상 소자의 단자로부터 멀리 떨어진 탄성부(420)의 빔들(421, 423)의 단면적(AB1, AB2) 중에서 적어도 하나는 측정 대상 소자의 단자와 접촉하는 스케이트부(435)의 단면적(AS)에 비해서 작도록 한다. 그러면, 고전류가 흐를 때에 단자에서 먼 빔(421 또는 423)이 스케이트부(435)에 비해서 먼저 녹기 때문에 스케이트부(435)가 녹으면서 측정 대상 소자의 단자를 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
도 8에서는 접촉 프로브(400)가 다층 구조인 것으로 표시되어 있지 않지만, 제4 실시예에 따른 접촉 프로브(400)도 다층 구조일 수 있다.
도 9는 탄성부의 다른 예들의 단면을 간단히 나타낸 도면이다.
도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 홈(427, 428)을 빔들(421, 423)의 안쪽 면에 형성할 수도 있으며, (b)에 도시된 바와 같이, 같은 방향을 향하는 면에 형성할 수도 있으며, (c)와 (d)에 도시된 바와 같이, 한쪽 빔(421)에만 형성할 수도 있다.
도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이다.
도 10에 도시된 실시예는 좌측 빔(521)과 우측 빔(523)이 상이한 폭을 가진다는 점에서 도 4에 도시된 실시예와 차이가 있다.
빔들(521, 523)은 전기적 특성을 측정하기 위해서 팁부(530)와 헤드부(510)가 가까워지는 방향으로 압력이 가해질 때, 굽어서 돌출되는 방향(-y 방향)에 위치하는 빔(521)이 반대 측에 위치하는 빔(523)에 비해서 폭이 좁을 수 있다. 헤드부(510)와 빔(521)의 연결 부위에서 반대 측에 위치하는 빔(523)이 끊어지는 현상을 개선하기 위함이다.
도 11은 본 발명의 제6 실시예에 따른 접촉 프로브를 나타낸 도면이며, 도 12는 도 11에 도시된 접촉 프로브를 구비한 프로브 조립체를 나타낸 도면이며, 도 13는 도 12에 도시된 프로브 조립체를 위에서 바라보았을 때 제1 지지체의 제1 관통구멍과 제2 지지체의 제2 관통구멍이 겹친 상태를 나타낸다.
도 11에 도시된 실시예는 도 11의 (c)에서 가장 잘 도시된 바와 같이, 스토퍼(615, 617)가 헤드부(610)의 측면뿐 아니라 배면에도 형성된다는 점에서 도 1에 도시된 실시예와 차이가 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 프로브 조립체(2)를 위에서 바라보았을 때, 제1 지지체(10)의 제1 관통구멍(11)과 제2 지지체(20)의 제2 관통구멍(21)은 사각형이며, 제1 관통구멍(11)과 제2 관통구멍(21)은 제1 관통구멍(또는 제2 관통구멍)의 대각선 방향으로 거리 L만큼 오프셋되어 있다. 이는 제1 관통구멍(11)과 제2 관통구멍(21)을 정렬한 상태에서 접촉 프로브(600)를 제1 관통구멍(11)과 제2 관통구멍(21)에 삽입한 후에 제1 지지체(10)를 제2 지지체(20)에 대해서 대각선 방향으로 거리 L만큼 상대 이동시키는 방법으로 달성할 수 있다.
도 14는 도 12에 도시된 프로브 조립체의 접촉 프로브의 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍 내에서의 접촉 프로브의 위치를 설명하기 위한 도면이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 이렇게 제1 관통구멍(11)과 제2 관통구멍(21)이 대각선 방향으로 오프셋되면, 접촉 프로브(600)의 헤드부(610)는 제1 관통구멍(11)의 한쪽 모서리 측에 밀착된다. 그리고 팁부(630)는 제1 관통구멍(11)의 한쪽 모서리와 대각선상으로 배치되는 제2 관통구멍(21)의 반대쪽 모서리 측에 밀착된다. 이때, 스토퍼(615, 617)의 아랫면은 제1 지지체(10)의 윗면(13)에 밀착된다. 본 실시예에서는 헤드부(610)의 측면뿐 아니라 배면에도 스토퍼(615, 617)가 형성되어 있으므로, 접촉 프로브(600)의 헤드부(610)가 한쪽으로 치우치지 않도록 접촉 프로브(600)를 좀 더 안정적으로 지지할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
예를 들어, 도 4에서 탄성부가 한 쌍의 빔을 구비하는 것으로 도시되어 있지만, 3개 이상의 빔들을 구비할 수도 있다.
또한, 각각의 실시예의 팁부나 스케이트부는 다른 실시예의 팁부나 스케이트부로 대체할 수 있다.
1, 2: 프로브 조립체
10: 제1 지지체
20: 제2 지지체
100, 200, 300, 400, 500, 600: 접촉 프로브
110, 210, 310, 410, 510, 610: 헤드부
120, 220, 320, 420, 520, 620: 탄성부
130, 230, 330, 430, 530, 630: 팁부
10: 제1 지지체
20: 제2 지지체
100, 200, 300, 400, 500, 600: 접촉 프로브
110, 210, 310, 410, 510, 610: 헤드부
120, 220, 320, 420, 520, 620: 탄성부
130, 230, 330, 430, 530, 630: 팁부
Claims (18)
- 전자 장치의 테스트에 사용되며, 팁부, 헤드부, 및 상기 팁부와 상기 헤드부 사이에 길게 연장된 탄성부를 포함하는 접촉 프로브로서,
상기 팁부는 다층 구조를 포함하며,
상기 팁부의 다층 구조를 이루는 층들 중에서 적어도 하나가 길게 돌출되어 형성된 스케이트부를 더 구비하며,
상기 탄성부는 상기 탄성부의 길이방향을 따라서 연장된 적어도 2개의 빔들을 포함하며, 인접하는 상기 빔들은 슬릿에 의해서 분리되며,
상기 빔들 중에서 적어도 하나의 적어도 일부분은 상기 스케이트부에 비해서 단면적이 작은 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제1항에 있어서,
상기 빔들 중에서 적어도 하나의 적어도 일부분의 단면은 상기 스케이트부에 비해서 단면적이 작아지도록 적어도 일면에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제1항에 있어서,
상기 스케이트부는 상기 팁부의 중심축에 대해서 경사져 있는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제3항에 있어서,
상기 스케이트부의 평면형상은 일 측은 직선형이고, 상기 일 측과 마주보는 타 측은 상기 일 측과 나란한 직선부와, 상기 직선부와 연결되며 상기 팁부와 가까워질수록 상기 일 측과의 거리가 멀어지도록 굽어 있는 곡선부를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제1항에 있어서,
상기 빔들은 상이한 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제5항에 있어서,
상기 빔들은 상기 팁부와 상기 헤드부가 가까워지는 방향으로 압력이 가해질 때, 상기 빔들이 돌출되는 방향에 위치하는 빔이 반대 방향에 위치하는 빔에 비해서 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제1항에 있어서,
적어도 일부는 고전도성 층과, 상기 고전도성 층에 비해서 전기전도도가 낮으며 경도가 큰 고경도 층이 교대로 적층된 다층 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제7항에 있어서,
상기 고경도 층에 비해서 전기전도도가 높으며, 적어도 일부의 상기 다층 구조를 둘러싸는 외부 코팅 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제8항에 있어서,
상기 외부 코팅 층은 상기 헤드부의 상기 다층 구조를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제7항에 있어서,
상기 고전도성 층은 구리 또는 구리 합금이며, 상기 고경도 층은 팔라듐 또는 파라듐 합금인 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제8항에 있어서,
상기 외부 코팅 층은 금 또는 금 합금인 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제7항에 있어서,
상기 고경도 층은 상기 고전도성 층에 비해서 두께가 두꺼운 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제12항에 있어서,
상기 고경도 층의 두께는 상기 고전도성 층의 두께의 1.5 내지 2배인 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제7항에 있어서,
상기 고전도성 층은 상기 고경도 층에 비해서 두께가 두꺼운 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제14항에 있어서,
상기 고전도성 층의 두께는 상기 고경도 층의 두께의 1.5 내지 2배인 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제7항에 있어서,
상기 다층 구조의 최상층과 최하층은 상기 고경도 층인 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 제1항에 있어서,
상기 헤드부의 일측면과 배면에서 돌출된 스토퍼부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브. - 복수의 제1 관통구멍이 형성된 제1 지지체와,
상기 제1 지지체와 일정한 간격으로 나란하게 배치되며, 복수의 제2 관통구멍이 형성된 제2 지지체와,
상기 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍에 삽입되는 복수의 접촉 프로브를 포함하며,
상기 접촉 프로브는 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 접촉 프로브인 프로브 조립체.
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