KR102315907B1

KR102315907B1 - Manufacturing Method For Large Area Anisotropic Electrical Conductor and Pressure Sensing Material Array Therefrom

Info

Publication number: KR102315907B1
Application number: KR1020190141654A
Authority: KR
Inventors: 김종백; 배규빈; 김원도
Original assignee: 연세대학교 산학협력단
Priority date: 2019-11-07
Filing date: 2019-11-07
Publication date: 2021-10-21
Also published as: KR20210055335A

Abstract

본 발명은 메쉬 구조체를 이용하여 대면적 이방성 전도체를 대량 생산할 수 있는 방법과 이를 통해 제조된 감압 소재 어레이에 관한 것으로, 본 발명의 대면적 이방성 전도체 제조 방법은, 복수개의 관통공이 형성된 메쉬 구조체를 이용하여 메쉬 구조의 관통공에 전도성 구조물을 채워 넣어 대면적 이방성 전도체를 제조하는 것을 특징으로 하며, 메쉬 구조체를 이용하여 제조된 대면적 이방성 전도체의 상하에 전극을 부착하여 감압 소재 어레이를 형성함으로써, 분해능이 높은 대면적의 감압 센서를 대량으로 생산할 수 있는 장점이 있다. The present invention relates to a method capable of mass-producing a large-area anisotropic conductor using a mesh structure and a pressure-sensitive material array manufactured through the method. to produce a large-area anisotropic conductor by filling the through-holes of the mesh structure, and by attaching electrodes above and below the large-area anisotropic conductor manufactured using the mesh structure to form a pressure-sensitive material array, the resolution There is an advantage in that this large-area pressure-sensitive sensor can be mass-produced.

Description

대면적 이방성 전도체 제조 방법 및 이를 통해 제조된 이방성 전도체를 이용한 감압 소재 어레이 {Manufacturing Method For Large Area Anisotropic Electrical Conductor and Pressure Sensing Material Array Therefrom}{Manufacturing Method For Large Area Anisotropic Electrical Conductor and Pressure Sensing Material Array Therefrom}

본 발명은 대면적 이방성 전도체 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 메쉬를 이용하여 대면적 이방성 전도체를 대량 생산할 수 있는 방법과 이를 통해 제조된 감압 소재 어레이에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a large-area anisotropic conductor, and more particularly, to a method capable of mass-producing a large-area anisotropic conductor using a mesh and a pressure-sensitive material array manufactured through the method.

감압 소재는 접촉으로부터 압력 정보를 추출할 수 있는 소재로서, 종래의 대면적 감압 소재 생산 방법은 크게 섬유를 뽑아낸 후 감압 소재로 코팅하는 방식과, 롤 투 롤 공정을 이용하여 컨베이어 벨트를 통해 제작하는 방식과, 스크린 프린팅 기술을 이용하여 생산하는 방식 등이 사용되고 있다. A pressure-sensitive material is a material that can extract pressure information from contact, and the conventional method for producing a large-area pressure-sensitive material is manufactured through a conveyor belt using a method of extracting fibers and then coating with a pressure-sensitive material, and a roll-to-roll process method and a method of producing using screen printing technology are being used.

하지만, 섬유를 뽑아낸 후 감압 소재를 코팅하는 방식은 코팅하는 과정에서 많은 시간이 필요하여 대량생산에 한계가 있고, 롤 투 롤 공정을 이용하여 대면적의 감압 소재를 생산하기 위해서는 롤 투 롤 공정에 사용되는 장비들이 생산하고자 하는 소재의 면적에 대응하여 크기가 커져야 하는 문제가 있으며, 스크린 프린팅 기술을 이용하여 감압 소재를 생산하는 방식은 프린팅 소재의 점도와 특성에 영향을 받아 소재 선정이 제한될 뿐만 아니라, 미세패턴 제작 시 소재의 점도에 영향을 받기 때문에 제작되는 감압 소재가 높은 공간 분해능을 갖기 어렵고, 제작할 수 있는 감압 소재의 면적 크기가 스크린 프린팅 기기의 크기에 영향을 받는 한계를 가지고 있다.However, the method of coating the pressure-sensitive material after extracting the fibers requires a lot of time during the coating process, so there is a limit to mass production. There is a problem that the size of the equipment used for printing must be increased to correspond to the area of the material to be produced, and the method of producing a pressure-sensitive material using screen printing technology is affected by the viscosity and characteristics of the printing material, so material selection is limited. In addition, since it is affected by the viscosity of the material when making micropatterns, it is difficult for the pressure-sensitive material to have high spatial resolution, and the area size of the pressure-sensitive material that can be produced has a limit that is affected by the size of the screen printing device.

따라서, 종래의 제조 방법의 한계를 극복하여 대면적의 이방성 전도체를 대량으로 생산하고 이를 통해 높은 분해능을 갖는 대면적 감압 소재를 제조하는 기술에 대한 요구가 증대되고 있다. Accordingly, there is an increasing demand for a technique for producing a large-area anisotropic conductor by overcoming the limitations of the conventional manufacturing method and manufacturing a large-area pressure-sensitive material having a high resolution through this.

일본등록특허공보 제1993-226054호 (1993.09.03. 공고)Japanese Patent Publication No. 1993-226054 (published on March 3, 1993)

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 생산 시설의 크기를 최소화 한 상태에서 감압 소재 어레이로 사용될 수 있는 대면적 이방성 전도체를 대량 생산 가능한 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of mass-producing a large-area anisotropic conductor that can be used as a pressure-sensitive material array in a state where the size of the production facility is minimized. will be.

또한, 대면적 이방성 전도체 생산에 소요되는 시간을 최소화할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of minimizing the time required to produce a large-area anisotropic conductor.

또한, 크로스 토크(cross-talk)를 최소화 하여 높은 공간 분해능을 가질 수 있는 대면적 이방성 전도체 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a large-area anisotropic conductor that can have high spatial resolution by minimizing cross-talk.

또한, 보다 높은 내구성을 가질 수 있는 대면적 이방성 전도체를 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing a large-area anisotropic conductor having higher durability.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 대면적 이방성 전도체 제조 방법은, 복수의 홀을 포함하는 복수의 메쉬 구조체를 준비하고, 상기 메쉬 구조체의 홀이 관통공을 형성하도록 복수의 메쉬 구조체를 적층하여 메쉬 적층체를 준비하는 메쉬 구조 준비 단계(S100); 상기 메쉬 구조 준비 단계(S100)에서 준비된 메쉬 적층체를 비전도성 물질로 코팅하는 메쉬 코팅 단계(S200); 메쉬 적층체의 관통공 상에 전도성 물질을 채워 전도성 구조물을 형성하는 구조물 형성 단계(S300); 메쉬 적층체의 최상측과 최하측에 배치된 메쉬 구조체를 뜯어내어 제거하는 전도체 구조 형성 단계(S400) 및 구조체 표면의 전도체를 노출시키는 전도체 노출 단계(S500);를 포함하여 구성된다. In the method for manufacturing a large-area anisotropic conductor of the present invention for achieving the above object, a plurality of mesh structures including a plurality of holes are prepared, and a plurality of mesh structures are formed so that the holes of the mesh structure form through holes. A mesh structure preparation step of preparing a mesh laminate by laminating (S100); A mesh coating step (S200) of coating the mesh laminate prepared in the mesh structure preparation step (S100) with a non-conductive material; A structure forming step of forming a conductive structure by filling a conductive material on the through-holes of the mesh laminate (S300); It is configured to include; a conductor structure forming step (S400) of tearing off and removing the mesh structure disposed on the uppermost and lower sides of the mesh laminate and a conductor exposing step (S500) of exposing the conductors on the surface of the structure.

이 때, 상기 메쉬 구조 준비 단계(S100)는, 복수개의 홀이 관통공을 형성하도록 복수개의 홀이 천공된 메쉬 구조체를 적층하여 메쉬 적층체를 준비할 수 있다.At this time, in the mesh structure preparation step (S100), the mesh structure may be prepared by stacking the mesh structure in which the plurality of holes are perforated so that the plurality of holes form the through-holes.

이 경우, 상기 구조물 형성 단계(S300) 이후에, 메쉬 적층체의 최상측과 최하측에 배치된 메쉬 구조체를 제거하는 전도체 구조 형성 단계(S400)를 더 포함할 수 있다. In this case, after the structure forming step (S300), it may further include a conductor structure forming step (S400) of removing the mesh structure disposed at the uppermost and lowermost sides of the mesh laminate.

또한, 상기 메쉬 구조체 적층시 양측의 모서리에 간격 유지부를 형성하여 메쉬 구조체 간의 접촉을 최소화하는 것을 특징으로 한다.In addition, when the mesh structure is laminated, it is characterized in that the contact between the mesh structures is minimized by forming gap maintaining portions at both edges of the mesh structure.

또한, 상기 메쉬 구조체를 비전도성 용액에 담갔다 빼는 제1 디핑단계, 상기 관통공에 위치된 비전도성 용액을 제거하는 구조물 수용 공간 확보단계, 및 상기 메쉬 구조체를 감싸는 비전도성 용액을 경화시켜 비전도성 벽면을 형성하는 제1 경화단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, a first dipping step of immersing the mesh structure in a non-conductive solution, securing a structure accommodating space for removing the non-conductive solution located in the through hole, and curing the non-conductive solution surrounding the mesh structure to cure the non-conductive wall surface It is characterized in that it comprises a first curing step to form a.

또한, 상기 구조물 형성 단계(S300)는, 비전도성 벽면이 형성된 메쉬 구조체를 전도성 용액에 담갔다 빼는 제2 디핑단계 및 상기 관통공에 위치된 전도성 용액을 경화시켜 전도성 구조물을 형성하는 제2 경화단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the structure forming step (S300) includes a second dipping step of immersing the mesh structure on which the non-conductive wall surface is formed in a conductive solution and taking it out, and a second curing step of curing the conductive solution located in the through hole to form a conductive structure. characterized by including.

본 발명에 따라 제조된 대면적 이방성 전도체는 복수개의 관통공이 형성된 메쉬 구조체, 및 상기 관통공 상에 채워진 전도체를 포함하여 구성된다.The large-area anisotropic conductor manufactured according to the present invention includes a mesh structure in which a plurality of through-holes are formed, and a conductor filled in the through-holes.

또한, 상기 전도체는, 폴리머-나노입자 복합재, 나노입자가 코팅된 다공성 폴리머, 또는 나노입자가 정렬된 폴리머 복합재인 것을 특징으로 한다.In addition, the conductor is a polymer-nanoparticle composite, a porous polymer coated with nanoparticles, or a polymer composite in which nanoparticles are aligned.

또한, 상기 전도체는 평면, 오목 표면 또는 볼록 표면을 갖는 것을 특징으로 한다.In addition, the conductor is characterized in that it has a flat, concave surface or a convex surface.

한편, 본 발명에 따른 대면적 이방성 전도체의 상부와 하부에 전극판을 배치하여 압력을 감지하는 감압 소재 어레이를 형성할 수 있다.On the other hand, it is possible to form a pressure-sensitive material array for sensing pressure by disposing electrode plates on the upper and lower portions of the large-area anisotropic conductor according to the present invention.

본 발명의 대면적 이방성 전도체 제조 방법은, 메쉬 구조체의 코팅과 전도성 구조물 형성이 디핑 방식으로 이루어지므로, 넓은 면적을 가지는 이방성 전도체를 제조할 경우 이방성 전도체의 면적에 대응하여 제조장치의 크기가 커지는 문제를 해결 가능한 장점이 있다.In the method for manufacturing a large-area anisotropic conductor of the present invention, since the coating of the mesh structure and the formation of the conductive structure are made in a dipping method, when an anisotropic conductor having a large area is manufactured, the size of the manufacturing apparatus increases in response to the area of the anisotropic conductor There are advantages that can be solved.

또한, 메쉬 구조체가 각각의 전도성 구조물을 서로 격리하므로 전도성 구조물 간의 크로스 토크(cross-talk)를 줄일 수 있고, 대면적 이방성 전도체를 이용하여 제작되는 감압 소재 어레이의 공간 분해능을 극대화 가능한 장점이 있다.In addition, since the mesh structure isolates each conductive structure from each other, cross-talk between the conductive structures can be reduced, and the spatial resolution of the pressure-sensitive material array manufactured using the large-area anisotropic conductor can be maximized.

그리고, 대면적 이방성 전도체를 이용하여 감압 소재 어레이 제작 시 대면적 이방성 전도체의 메쉬 구조체가 보강재 역할을 수행 하여, 감압 소재 어레이의 내구성을 크게 향상 시킬 수 있다.In addition, when a pressure-sensitive material array is manufactured using a large-area anisotropic conductor, the mesh structure of the large-area anisotropic conductor serves as a reinforcing material, thereby greatly improving the durability of the pressure-sensitive material array.

도 1은 본 발명의 대면적 이방성 전도체 제조 방법의 순서도
도 2는 본 발명을 통해 제조된 대면적 이방성 전도체의 사시도
도 3은 본 발명의 메쉬 구조 준비 단계를 설명하기 위한 개념도
도 4 내지 도 6은 본 발명의 메쉬 코팅 단계를 설명하기 위한 개념도
도 7 및 도 8은 본 발명의 메쉬 코팅 단계를 설명하기 위한 개념도
도 9 및 도 10은 본 발명의 전도체 구조 형성 단계를 설명하기 위한 개념도
도 11은 본 발명의 전도체 노출 단계를 설명하기 위한 개념도
도 12는 본 발명을 통해 제조된 이방성 전도체를 이용한 감압 소재 어레이의 사시도
도 13은 본 발명의 감압 소재 어레이의 압력에 대한 단면 변화를 나타낸 개념도
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예를 통해 이방성 전도체를 형성하는 방법을 나타낸 개념도
도 15는 다른 방법으로 제조된 감압 소재 어레이와 본 발명에 의해 제조된 감압 소재 어레이의 비교 사시도
도 16은 본 발명의 감압 소재 어레이의 다양한 변형예를 나타낸 개념도1 is a flowchart of a method for manufacturing a large-area anisotropic conductor of the present invention;
2 is a perspective view of a large-area anisotropic conductor manufactured through the present invention;
Figure 3 is a conceptual diagram for explaining the mesh structure preparation step of the present invention
4 to 6 are conceptual views for explaining the mesh coating step of the present invention
7 and 8 are conceptual views for explaining the mesh coating step of the present invention
9 and 10 are conceptual views for explaining the step of forming a conductor structure of the present invention.
11 is a conceptual diagram for explaining the conductor exposure step of the present invention.
12 is a perspective view of a pressure-sensitive material array using an anisotropic conductor manufactured through the present invention;
13 is a conceptual diagram illustrating a cross-sectional change with respect to pressure of the pressure-sensitive material array of the present invention;
14 is a conceptual diagram illustrating a method of forming an anisotropic conductor through another embodiment of the present invention;
15 is a comparative perspective view of a pressure-sensitive material array manufactured by another method and a pressure-sensitive material array manufactured by the present invention;
16 is a conceptual diagram showing various modifications of the pressure-sensitive material array of the present invention;

본 발명의 구체적인 실시예와 특징에 대해 첨부된 도면을 통해 자세히 설명한다. 그러나 본 발명은 도면과 구체적인 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구범위에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Specific embodiments and features of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the drawings and specific embodiments, but may be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a well-known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the terms to be described later are terms defined in consideration of functions in an embodiment of the present invention, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, the definition should be made based on the content throughout this specification.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 대면적 이방성 전도체 제조 방법과, 이를 통해 제조된 대면적 이방성 전도체(1000)에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a method for manufacturing a large-area anisotropic conductor according to the present invention and a large-area anisotropic conductor 1000 manufactured through this method will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 대면적 이방성 전도체 제조 방법의 순서도이고, 도 2는 본 발명의 제조 방법을 통해 제조된 대면적 이방성 전도체(1000)의 사시도를 나타낸다. 도 1 및 도 2를 참조하면 본 발명의 대면적 이방성 전도체 제조 방법은, 복수 개의 관통공이 형성된 메쉬 구조체를 준비하는 메쉬 구조 준비 단계(S100), 메쉬 구조 준비 단계(S100)에서 준비된 메쉬 구조체를 비전도성 물질로 코팅하는 메쉬 코팅 단계(S200), 메쉬 구조체의 관통공 상에 전도성 물질을 채워 전도성 구조물을 형성하는 구조물 형성 단계(S300)와, 메쉬 적층체의 최상측과 최하측에 배치된 메쉬 구조체를 제거하는 전도체 구조 형성 단계(S400) 및 구조체 표면의 전도체를 노출시키는 전도체 노출 단계(S500)를 포함하여 구성된다. 1 is a flowchart of a method for manufacturing a large-area anisotropic conductor of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of a large-area anisotropic conductor 1000 manufactured through the manufacturing method of the present invention. 1 and 2, in the method for manufacturing a large-area anisotropic conductor of the present invention, the mesh structure prepared in the mesh structure preparation step (S100), the mesh structure preparation step (S100) of preparing a mesh structure having a plurality of through-holes is visualized A mesh coating step of coating with a conductive material (S200), a structure forming step (S300) of filling a conductive material on the through-holes of the mesh structure to form a conductive structure, and a mesh structure disposed on the uppermost and lowermost sides of the mesh laminate It is configured to include a conductor structure forming step (S400) to remove the conductor and a conductor exposing step (S500) to expose the conductor of the structure surface.

각 단계에 대해 좀 더 자세히 설명하면, 먼저 본 발명의 메쉬 구조 준비 단계(S100)는 복수개의 홀이 천공된 메쉬 구조체를 준비하는 단계이다. 일례로 복수개, 바람직하게는 3개의 메쉬 구조체가 적층되어 메쉬 적층체를 형성하는 것이 좋으나, 필요에 따라 3개 이상의 메쉬 구조체가 적층될 수도 있고, 2개의 메쉬 구조체를 적층하여 제조할 수 있다. 먼저 복수 개의 메쉬 구조체를 적층하여 이방성 전도체를 제조하는 방법에 대해 설명하고, 1개의 메쉬 구조체를 이용하여 이방성 전도체를 형성하는 다른 실시예에 대해서 설명한다. When describing each step in more detail, first, the mesh structure preparation step (S100) of the present invention is a step of preparing a mesh structure in which a plurality of holes are perforated. For example, a plurality of, preferably three mesh structures are laminated to form a mesh laminate, but if necessary, three or more mesh structures may be laminated, and may be manufactured by laminating two mesh structures. First, a method of manufacturing an anisotropic conductor by laminating a plurality of mesh structures will be described, and another embodiment of forming an anisotropic conductor using one mesh structure will be described.

다음으로 메쉬 코팅 단계(S200)에서는 폴리디메틸실록산(PDMS)과 같은 비전도성 용액으로 적층된 메쉬 구조체를 코팅하여 각각의 관통공을 서로 격리시키게 되며, 후속되는 구조물 형성 단계(S300)에서 서로 격리된 각각의 관통공 상에 전도성을 가지는 구조물을 채워 넣음으로써 인가되는 전류가 전도성 구조물을 통해 일정 방향으로 흐를 수 있게 되며, 전도체 구조 형성 단계(S400)에서 최상측과 최하측에 배치된 메쉬 구조체를 제거하여 전도성 구조물이 서로 전기적으로 이격되어 형성되게 된다. Next, in the mesh coating step (S200), the laminated mesh structure is coated with a non-conductive solution such as polydimethylsiloxane (PDMS) to isolate each of the through-holes from each other, and in the subsequent structure formation step (S300), isolated from each other By filling each through hole with a conductive structure, an applied current can flow through the conductive structure in a predetermined direction, and the mesh structure disposed on the uppermost and lowermost sides is removed in the conductor structure forming step (S400). Thus, the conductive structures are formed to be electrically spaced apart from each other.

본 발명의 메쉬 코팅 단계(S200)는 세부적으로 제1 디핑단계, 수용 공간 확보단계, 제1 경화단계를 포함하여 구성될 수 있고, 메쉬 코팅 단계(S300)는 제2 디핑단계, 제2 경화단계, 전도성 구조물 배열 결정단계를 포함하여 구성될 수 있으며, 전도체 구조 형성 단계(S400)는 상부 메쉬 제거단계, 하부 메쉬 제거단계를 포함할 수 있다. 이하에서는 개념도를 활용하여 각 단계에 대해 좀 더 자세히 설명한다. The mesh coating step (S200) of the present invention may be configured to include a first dipping step, a receiving space securing step, and a first curing step in detail, and the mesh coating step (S300) is a second dipping step, a second curing step , a conductive structure arrangement determination step may be included, and the conductive structure forming step ( S400 ) may include an upper mesh removing step and a lower mesh removing step. Hereinafter, each step will be described in more detail using a conceptual diagram.

도 3은 본 발명의 메쉬 구조 준비 단계(S100)를 나타낸 개념도로서, 3장의 메쉬 구조체를 적층하는 실시예를 도시하고 있다. 도 3을 참조하면 본 발명의 메쉬 구조 준비 단계(S100)는 메쉬 구조체(100A)를 적층하여 메쉬 적층체(100)를 형성하는 단계로, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 복수 개의 홀(110A)이 형성된 메쉬 구조체(100A)를 상하 방향으로 적층하면, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 상하 방향으로 적층된 복수 개의 홀(110A)이 연통되어 관통공(110)을 형성하는 메쉬 적층체(100)가 형성된다. 이때, 메쉬 적층체(100)는 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 서로 인접한 메쉬 구조체(100A)의 가장자리가 밀착되는 구조일 수 있으나, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 메쉬 구조체(100A)의 가장자리에 간격 유지부(120A)가 형성되어 메쉬 구조체(100A) 간의 접촉이 최소화 되는 형태로 적층될 수 있으며, 간격 유지부(120A)를 통해 메쉬 구조체(100A)가 서로 일정거리 이격 배치될 경우 메쉬 구조체(100A) 사이에 공간이 형성되어 후속 메쉬 코팅 단계(S200)에서 비전도성 물질이 빈 공간을 채울 수 있으며, 이를 통해 전도체 구조 형성 단계(S400)에서 상측과 하측에 위치된 메쉬 구조체(100A)를 보다 쉽게 제거할 수 있다. Figure 3 is a conceptual diagram showing the mesh structure preparation step (S100) of the present invention, showing an embodiment of stacking three mesh structures. Referring to Figure 3, the mesh structure preparation step (S100) of the present invention is a step of stacking the mesh structure (100A) to form the mesh stack body 100, as shown in Figure 3 (a), a plurality of holes When the mesh structure 100A in which 110A is formed is stacked in the vertical direction, a plurality of holes 110A stacked in the vertical direction are communicated to form a through hole 110 as shown in FIG. 3 (b). A mesh laminate 100 is formed. At this time, the mesh stack 100 may have a structure in which the edges of the adjacent mesh structures 100A are in close contact with each other as shown in FIG. 3B , but as shown in FIG. 3C , the mesh structure A gap maintaining portion 120A is formed on the edge of 100A and stacked in a form in which contact between the mesh structures 100A is minimized. When arranged, a space is formed between the mesh structures 100A, and the non-conductive material can fill the empty space in the subsequent mesh coating step (S200), and through this, the mesh located on the upper and lower sides in the conductive structure forming step (S400) The structure 100A can be more easily removed.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 메쉬 코팅 단계(S200)의 세부 단계를 설명하기 위한 개념도이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면 본 발명의 메쉬 코팅 단계(S200)는 도 4와 같이 메쉬 적층체(100)를 비전도성 용액에 담갔다 빼는 제1 디핑단계와, 도 5와 같이 상기 관통공(110)에 삽입된 비전도성 용액을 제거하는 구조물 수용 공간 확보단계와, 도 6과 같이 메쉬 적층체(100)를 감싸는 비전도성 용액을 경화시켜 비전도성 벽면(200)을 형성하는 제1 경화단계를 포함하여 형성된다. 보다 상세히 설명하면, 상기 제1 디핑단계에서는 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 PDMS와 같은 비전도성 용액(1)이 담겨 있는 탱크(2) 상에 메쉬 적층체(100)를 담갔다 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 빼내게 되며, 이를 통해 메쉬 적층체(100)의 표면이 비전도성 용액(1)으로 코팅된다. 이때, 상기 관통공(110) 상에 비전도성 용액(1)이 채워질 경우 후속 단계에서 관통공(110) 상에 전도성 구조물을 채워 넣을 수 없으므로, 관통공(110) 상에 전도성 구조물을 수용할 수 있는 수용 공간을 확보하는 것이 필요하다. 4 to 6 are conceptual views for explaining the detailed steps of the mesh coating step (S200) of the present invention. 4 to 6, the mesh coating step (S200) of the present invention includes a first dipping step of immersing the mesh laminate 100 in a non-conductive solution as shown in FIG. 4 and taking it out, and the through-hole 110 as shown in FIG. ) including a first curing step of forming a non-conductive wall surface 200 by curing the non-conductive solution surrounding the mesh laminate 100 as shown in FIG. 6 and securing a space for receiving the structure to remove the non-conductive solution inserted in is formed by More specifically, in the first dipping step, the mesh laminate 100 was immersed in the tank 2 containing the non-conductive solution 1 such as PDMS as shown in FIG. It is taken out as shown in (b) of, through which the surface of the mesh laminate 100 is coated with the non-conductive solution (1). At this time, when the non-conductive solution 1 is filled on the through hole 110 , since the conductive structure cannot be filled in the through hole 110 in a subsequent step, the conductive structure cannot be accommodated on the through hole 110 . It is necessary to secure an accommodation space.

수용 공간 확보단계는 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 제1 디핑단계를 통해 관통공(110)에 비전도성 용액(1)이 채워진 메쉬 적층체(100)에 공기를 불어 넣어 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 관통공(110) 상에 삽입된 비전도성 용액(1)을 제거하는 단계이다. 도면에는 도시되지 않았지만 메쉬 적층체(100)에 코팅된 비전도성 용액(1)은 제1 경화단계를 통해 경화되어 메쉬 적층체(100)를 감싸는 비전도성 벽면(200)을 형성하며, 도 6은 비전도성 벽면(200)으로 감싸인 메쉬 적층체(100)의 단면을 도시하고 있다. 도 6의 단면도에서와 같이 비전도성 벽면(200)은 메쉬 적층체(100)를 형성하는 메쉬 구조체(100A)를 감싸는 형태일 수 있으며, 앞서 설명한 바와 같이 간격유지부(120A)에 메쉬 구조체(100A)가 의해 서로 일정거리 이격 배치될 경우 비전도성 벽면(200)이 메쉬 구조체(100A) 사이에 형성된 빈 공간을 채워줄 수도 있다.The receiving space securing step is performed by blowing air into the mesh stack 100 filled with the non-conductive solution 1 through the first dipping step through the first dipping step as shown in FIG. As shown in (b), it is a step of removing the non-conductive solution 1 inserted on the through hole 110 . Although not shown in the drawings, the non-conductive solution 1 coated on the mesh laminate 100 is cured through a first curing step to form a non-conductive wall surface 200 surrounding the mesh laminate 100, FIG. A cross-section of the mesh laminate 100 wrapped with the non-conductive wall surface 200 is shown. As shown in the cross-sectional view of Figure 6, the non-conductive wall surface 200 may be in the form of enclosing the mesh structure 100A forming the mesh laminate 100, and as described above, the mesh structure 100A on the gap maintaining unit 120A. ) may be spaced apart from each other by a predetermined distance, and the non-conductive wall surface 200 may fill the empty space formed between the mesh structures 100A.

도 7 및 도 8은 본 발명의 전도체 구조 형성 단계(S300)의 세부 단계를 설명하기 위한 개념도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면 본 발명의 전도체 구조 형성 단계(S300)는 비전도성 벽면(200)이 형성된 메쉬 적층체(100)를 전도성 용액(2)에 담갔다 빼는 제2 디핑단계와, 상기 관통공(110)에 위치된 전도성 용액을 경화시켜 전도성 구조물을 형성하는 제2 경화단계를 포함할 수 있다. 제2 디핑단계는 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이 폴리디메틸실록산(PDMS)과 탄소 나노튜브를 혼합하여 만든 전도성 용액(2)에 비전도성 벽면(200)으로 코팅된 메쉬 적층체(100)를 담근 후, 일정 시간 후 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 빼내는 단계이다. 제2 디핑단계를 통해 관통공(110) 상에 전도성 용액을 채운 후, 후속의 제2 경화단계를 통하여 관통공(110)에 채워진 전도성 용액을 경화시켜 주면 전도성 용액(2)이 경화되어 전도성 구조물(300)을 형성하게 되는 것이다.7 and 8 are conceptual views for explaining the detailed steps of the conductor structure forming step (S300) of the present invention. 7 and 8, the conductive structure forming step (S300) of the present invention includes a second dipping step of immersing and withdrawing the mesh laminate 100 on which the non-conductive wall surface 200 is formed in the conductive solution 2, and the penetration A second curing step of curing the conductive solution positioned on the ball 110 to form a conductive structure may be included. The second dipping step is a mesh laminate 100 coated with a non-conductive wall surface 200 in a conductive solution 2 made by mixing polydimethylsiloxane (PDMS) and carbon nanotubes, as shown in (a) of FIG. 7 . ), and after a certain period of time, it is a step of withdrawing as shown in (b) of FIG. After filling the conductive solution on the through hole 110 through the second dipping step, the conductive solution 2 is cured by curing the conductive solution filled in the through hole 110 through the subsequent second curing step. (300) will be formed.

제2 디핑단계를 거치게 되면 비전도성 벽면(200)으로 코팅된 메쉬 적층체(100)의 표면이 전도성 용액(2)에 의해 코팅되고, 제2 경화단계를 통해 전도성 용액(2)을 경화시키면 도 8의 (a) 사시도에 도시된 바와 같이 비전도성 벽면(200)의 외부를 전도성 구조물(300)이 감싸는 형태의 구조물이 형성된다. 도 8의 (b)는 비전도성 벽면(200)의 외부를 전도성 구조물(300)이 감싸는 형태의 구조물의 단면을 도시한 것으로, 후속 전도체 구조 형성 단계(S400)를 통해 최상층과 최하층의 메쉬 구조체(100A)를 제거하게 된다. When the second dipping step is passed, the surface of the mesh laminate 100 coated with the non-conductive wall surface 200 is coated with the conductive solution 2, and when the conductive solution 2 is cured through the second curing step, As shown in the perspective view of Fig. 8 (a), a structure in which the conductive structure 300 surrounds the outside of the non-conductive wall surface 200 is formed. 8 (b) shows a cross-section of a structure in which the conductive structure 300 surrounds the outside of the non-conductive wall surface 200, and through the subsequent conductive structure forming step (S400), the uppermost layer and the lowermost layer of the mesh structure ( 100A) is removed.

도 9는 본 발명의 전도체 구조 형성 단계(S400)의 세부 단계를 설명하기 위한 개념도이다. 앞서 설명한 바와 같이 구조물 형성 단계(S300)를 거치면 도 8의 (b)에서와 같이 전도성 구조물(300)이 비전도성 벽면(200)을 감싸고 있는 형태의 구조물이 형성되며, 이러한 형태는 각각의 관통공(110)에 위치된 전도성 구조물(300)이 비전도성 벽면(200)을 감싸고 있는 전도성 구조물(300)에 의해 서로 연결되어 이방성 전도체를 형성하지 못하게 되므로, 도 9에 도시된 바와 같이 중심측에 위치된 최상측에 위치된 메쉬 구조체(100A)를 뜯어내는 상부 메쉬 제거단계와, 최하측에 위치된 메쉬 구조체(100A)를 뜯어내는 하부 메쉬 제거단계를 통해 최외곽에 배치된 메쉬 구조체를 제거하게 되고, 이를 통해 최상측, 최하측에 배치된 메쉬 구조체의 프레임과 연결되어 있던 전도성 구조물이 함께 제거되어, 도 10과 같이 관통공(110) 상에 위치된 전도성 구조물(300)이 중앙에 배치되어 있던 메쉬 구조체에 의해 지지된 형태의 이방성 전도체가 형성되는 것이다. 즉 각각의 관통공(110) 상에 위치된 전도성 구조물(300)은 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 중앙에 위치되어 있던 메쉬 구조체(100A)에 의해 지지되어 서로 격리 배치되며, 이때의 단면 형상은 도 10의 (b)에 도시된 바와 메쉬 구조체(100A)를 비전도성 벽면(200)이 감싸는 구조를 가지는 비전도성 구조물에 사이에 전도성 구조물(300)이 구획 배치되는 형태를 갖게 된다. 9 is a conceptual diagram for explaining the detailed steps of the conductor structure forming step (S400) of the present invention. As described above, when the structure forming step (S300) is performed, a structure in which the conductive structure 300 surrounds the non-conductive wall surface 200 is formed as shown in FIG. Since the conductive structures 300 located at 110 are connected to each other by the conductive structures 300 surrounding the non-conductive wall surface 200 to form an anisotropic conductor, it is located on the central side as shown in FIG. 9 . The upper mesh removing step of tearing off the mesh structure 100A located at the uppermost side, and the lower mesh removing step of tearing off the mesh structure 100A located at the lowermost side, the mesh structure disposed on the outermost side is removed. , through which the conductive structure connected to the frame of the mesh structure disposed at the uppermost and lower sides is removed together, and the conductive structure 300 positioned on the through hole 110 is disposed in the center as shown in FIG. An anisotropic conductor of the form supported by the mesh structure is formed. That is, the conductive structures 300 located on each through-hole 110 are supported by the mesh structure 100A located in the center as shown in FIG. The cross-sectional shape has a form in which the conductive structure 300 is partitioned between the non-conductive structure having a structure in which the non-conductive wall surface 200 surrounds the mesh structure 100A as shown in FIG.

도 11은 본 발명의 대면적 이방성 전도체 제조 방법의 마무리 공정인 전도체 노출 단계(S500)를 도시하고 있다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 전도체 노출 단계(S500)는 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이 제작된 대면적 이방성 전도체(M)를 TBAF-DMF 혼합 용액과 같은 폴리머 용제(4)에 담갔다가 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이 빼내는 제3 디핑단계와, 제3 디핑단계를 거친 대면적 이방성 전도체의 표면을 경화하는 제3 경화단계를 포함하여 형성된다. 11 illustrates a conductor exposing step (S500), which is a finishing process of the method for manufacturing a large-area anisotropic conductor of the present invention. Referring to FIG. 11, in the conductor exposure step (S500) of the present invention, the large-area anisotropic conductor (M) prepared as shown in FIG. It is formed including a third dipping step of immersion and then taking it out as shown in FIG. 11(b), and a third curing step of hardening the surface of the large-area anisotropic conductor that has undergone the third dipping step.

도 12는 본 발명의 제조 방법을 통해 제조된 대면적 이방성 전도체 상부와 하부에 상부 전극(410)과 하부 전극(420)의 전극(400)을 결합하여 감압 소재 어레이(PA)를 형성한 사시도를 나타내며, 도 13은 본 발명의 감압 소재 어레이(PA)가 외력에 대응하여 변화되는 단면 구조를 도시하고 있다. 좀 더 상세히 설명하면, 본 발명의 외부에서 가해지는 압력에 따라 , 감압 소재의 길이, 단면적, 비저항이 변화됨에 따라 저항이 변화되어 통과하는 전류의 크기가 변화되는 것을 이용하는 소재로, 압력에 대응하여 변화되는 전류 신호 변화를 통해 압력이 인가되는 위치와 세기를 측정 가능하며, 이러한 감압 소재의 경우 전류가 지정된 일정 방향으로 흐르고, 전류가 통과하는 소재가 외력에 대응하여 변형 가능한 일정 이상의 탄성력을 가지면 충분하므로, 도 13에 도시된 바와 같이 상기 대면적 이방성 전도체 제조 방법을 통해 제조된 대면적 이방성 전도체(1000)의 상부와 하부에 전극(400)을 위치시켜, 감압 소재 어레이(PA)를 형성 가능한 것이다.12 is a perspective view of a pressure-sensitive material array (PA) formed by combining the electrodes 400 of the upper electrode 410 and the lower electrode 420 on the upper and lower portions of the large-area anisotropic conductor manufactured through the manufacturing method of the present invention. 13 shows a cross-sectional structure in which the pressure-sensitive material array PA of the present invention is changed in response to an external force. More specifically, according to the pressure applied from the outside of the present invention, as the length, cross-sectional area, and specific resistance of the decompression material change, the resistance is changed and the size of the current passing through it is changed. It is possible to measure the position and strength of pressure applied through the changing current signal. In the case of such a decompression material, it is sufficient if the current flows in a specified predetermined direction and the material through which the current passes has an elastic force of a certain amount or more that can be deformed in response to an external force. Therefore, as shown in FIG. 13, the electrode 400 is positioned above and below the large-area anisotropic conductor 1000 manufactured through the method for manufacturing the large-area anisotropic conductor, and a pressure-sensitive material array (PA) can be formed. .

도 13을 참조하여 본 발명의 대면적 이방성 전도체(1000)를 이용하여 제조된 감압 소재 어레이(PA)의 작동을 설명하면, 외력을 받지 않을 시 전류가 도 13의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 전도성 구조물(300)을 통해 미세 전류가 하부 전극(410)에서 상부 전극(420)으로 흐르게 되나, 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이 상, 하부의 전극판에 가해지는 압력이 증가하면 전도성 구조물(300)과 하부 전극(410) 및 상부 전극(420)의 접촉 면적이 늘어나게 되어 전류의 흐름이 증가되며, 또한 도 13의 (c)에 도시된 바와 같이 하부 전극(410)과 상부 전극(420) 간의 거리가 짧아질수록 전류 흐름이 강해지게 된다.The operation of the pressure-sensitive material array PA manufactured using the large-area anisotropic conductor 1000 of the present invention will be described with reference to FIG. 13. When no external force is applied, the current flows as shown in FIG. 13(a). A minute current flows from the lower electrode 410 to the upper electrode 420 through the conductive structure 300, but as the pressure applied to the upper and lower electrode plates increases as shown in FIG. 13(b), As the contact area between the conductive structure 300 and the lower electrode 410 and the upper electrode 420 is increased, the flow of current is increased. Also, as shown in FIG. 13C , the lower electrode 410 and the upper electrode The shorter the distance between the 420 , the stronger the current flow.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예로서, 1개의 메쉬 구조체를 이용하여 이방성 전도체를 형성하는 방법을 개념적으로 도시하고 있다. 도 14를 참조하면, 1개의 메쉬 구조체를 이용하여 이방성 전도체를 형성하는 방법은 메쉬 구조체(100A)를 전도성 용액(2)에 침지하는 단계, 전도성 용액(2)이 메쉬 구조의 내부에 채워진 메쉬 구조체(100A)를 경화하는 단계, 메쉬 구조체(100A)의 표면에 부착된 비전도체를 제거하여 전도체를 노출하는 전도체 노출 단계를 포함하여 구성된다. FIG. 14 conceptually illustrates a method of forming an anisotropic conductor using one mesh structure as another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 14 , the method of forming an anisotropic conductor using one mesh structure includes immersing the mesh structure 100A in a conductive solution 2 , the conductive solution 2 is a mesh structure filled inside the mesh structure. It is configured to include a step of curing (100A), and exposing a conductor by removing the non-conductor attached to the surface of the mesh structure (100A) to expose the conductor.

도 15는 본 발명을 통해 제조된 감압 소재 어레이와, 타 방법으로 제조된 감압 소재 어레이의 사시도를 나타낸다. 도 15(a)는 메쉬 구조없이 스핀코팅으로 감압물질을 제작한 이후 폴리머 용제를 이용하여 표면의 전도물질을 노출시킨 감압 소재 어레이이고, 도 15(b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 1개의 메쉬 구조체를 이용하여 형성된 이방성 전도체로 제작된 감압 소재 어레이이고, 도 15(c)는 본 발명의 일실시예에 따라 3개의 메쉬 구조체를 적층하여 형성된 이방성 전도체로 제작된 감압 소재 어레이를 나타낸다.15 is a perspective view of a pressure-sensitive material array manufactured through the present invention and a pressure-sensitive material array manufactured by another method. 15 (a) is a pressure-sensitive material array in which a conductive material on the surface is exposed using a polymer solvent after producing a pressure-sensitive material by spin coating without a mesh structure, and FIG. 15 (b) is another embodiment of the present invention. It is a pressure-sensitive material array made of an anisotropic conductor formed using one mesh structure, and FIG. 15 ( c ) shows a pressure-sensitive material array made of an anisotropic conductor formed by stacking three mesh structures according to an embodiment of the present invention .

도 16은 본 발명의 감압 소재 어레이의 다양한 변형예를 나타낸 것으로, 전도체의 종류를 폴리머-나노입자 복합재(Polymer-nanoparticle composite), 나노입자가 코팅된 다공성 폴리머(Porous polymer & nanoparticle coating), 또는 나노입자가 정렬된 폴리머 복합재(Polymer & aligned nanoparticle composite)로 다양하게 사용할 수 있으며, 전도체의 종류를 변경함으로써 용도와 사용조건에 적합한 감압 소재 어레이를 제조할 수 있다. 또한, 메쉬 구조체를 코팅하는 과정에서, 또는 별도의 식각 공정을 통해 메쉬 상의 전도체 표면 형태를 변경할 수 있다. 일례로 친수성(hydrophilic) 메쉬 구조를 통해 오목 표면을 형성하거나, 소수성(hydrophobic) 메쉬 구조를 통해 볼록 표면을 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 메쉬 표면의 표면 처리를 통해 감도를 변경하거나 센서의 표면 질감을 다양하게 변경하는 것도 가능하다.16 shows various modifications of the pressure-sensitive material array of the present invention, and the type of conductor is a polymer-nanoparticle composite, a porous polymer coated with nanoparticles (Porous polymer & nanoparticle coating), or a nano It can be used in a variety of ways as a polymer & aligned nanoparticle composite, and by changing the type of conductor, a pressure-sensitive material array suitable for use and conditions of use can be manufactured. In addition, the shape of the surface of the conductor on the mesh may be changed in the process of coating the mesh structure or through a separate etching process. For example, it is also possible to form a concave surface through a hydrophilic mesh structure or a convex surface through a hydrophobic mesh structure. As described above, it is also possible to change the sensitivity or variously change the surface texture of the sensor through the surface treatment of the mesh surface.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the scope of application is varied, and anyone with ordinary knowledge in the field to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims It goes without saying that various modifications are possible.

1 : 비전도성 용액 2 : 전도성 용액
3 : 전도성 물질 4 : 폴리머 용제
100A : 메쉬 구조체 100 : 메쉬 적층체
110A : 홀 110 : 관통공
120A : 간격 유지부
200 : 비전도성 벽면
300 : 전도성 구조물
400 : 전극
410 : 상부 전극 420 : 하부 전극
1000 : 이방성 전도체
M : 대면적 이방성 전도체 PA : 감압 소재 어레이
S100 : 메쉬 구조 준비 단계
S200 : 메쉬 코팅 단계
S300 : 구조물 형성 단계
S400 : 전도체 구조 형성 단계
S500 : 전도체 노출 단계 1: Non-conductive solution 2: Conductive solution
3: conductive material 4: polymer solvent
100A: mesh structure 100: mesh laminate
110A: hole 110: through hole
120A: gap maintaining part
200: non-conductive wall
300: conductive structure
400: electrode
410: upper electrode 420: lower electrode
1000: anisotropic conductor
M: Large-area anisotropic conductor PA: Pressure-sensitive material array
S100: Mesh structure preparation stage
S200: mesh coating step
S300: Structure formation stage
S400: Conductor structure formation step
S500 : Conductor exposure stage

Claims

복수의 홀을 포함하는 복수의 메쉬 구조체를 준비하고, 상기 메쉬 구조체의 홀이 관통공을 형성하도록 복수의 메쉬 구조체를 적층하여 메쉬 적층체를 준비하는 메쉬 구조 준비 단계(S100);
상기 메쉬 구조 준비 단계(S100)에서 준비된 메쉬 적층체를 비전도성 물질로 코팅하는 메쉬 코팅 단계(S200);
메쉬 적층체의 관통공 상에 전도성 물질을 채워 전도성 구조물을 형성하는 구조물 형성 단계(S300);
메쉬 적층체의 최상측과 최하측에 배치된 메쉬 구조체를 뜯어내어 제거하는 전도체 구조 형성 단계(S400) 및
구조체 표면의 전도체를 노출시키는 전도체 노출 단계(S500);를 포함하는 것을 특징으로 하는, 대면적 이방성 전도체 제조 방법
A mesh structure preparation step (S100) of preparing a plurality of mesh structures including a plurality of holes, and stacking a plurality of mesh structures so that the holes of the mesh structure form through holes;
A mesh coating step (S200) of coating the mesh laminate prepared in the mesh structure preparation step (S100) with a non-conductive material;
A structure forming step of forming a conductive structure by filling a conductive material on the through-holes of the mesh laminate (S300);
A conductor structure forming step (S400) of tearing off and removing the mesh structure disposed on the uppermost and lowermost sides of the mesh laminate and
Method for manufacturing a large-area anisotropic conductor comprising a; conductor exposing step (S500) of exposing the conductor on the surface of the structure

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제1항에 있어서,
상기 메쉬 구조체 적층시 양측의 모서리에 간격 유지부를 형성하여 메쉬 구조체 간의 접촉을 최소화하는 것을 특징으로 하는, 대면적 이방성 전도체 제조 방법.
According to claim 1,
A method of manufacturing a large-area anisotropic conductor, characterized in that the mesh structure is stacked, and the contact between the mesh structures is minimized by forming gap maintaining portions at both edges of the mesh structure.

제1항에 있어서,
상기 메쉬 코팅 단계(S300)는,
상기 메쉬 구조체를 비전도성 용액에 담갔다 빼는 제1 디핑단계,
상기 관통공에 위치된 비전도성 용액을 제거하는 구조물 수용 공간 확보단계, 및
상기 메쉬 구조체를 감싸는 비전도성 용액을 경화시켜 비전도성 벽면을 형성하는 제1 경화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 대면적 이방성 전도체 제조 방법.
According to claim 1,
The mesh coating step (S300),
A first dipping step of immersing the mesh structure in a non-conductive solution,
A step of securing a structure accommodation space for removing the non-conductive solution located in the through hole, and
A method of manufacturing a large-area anisotropic conductor comprising a first curing step of curing the non-conductive solution surrounding the mesh structure to form a non-conductive wall surface.

제1항에 있어서,
상기 구조물 형성 단계(S300)는,
비전도성 벽면이 형성된 메쉬 구조체를 전도성 용액에 담갔다 빼는 제2 디핑단계 및
상기 관통공에 위치된 전도성 용액을 경화시켜 전도성 구조물을 형성하는 제2 경화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 대면적 이방성 전도체 제조 방법.
According to claim 1,
The structure forming step (S300),
A second dipping step of immersing the mesh structure on which the non-conductive wall surface is formed in a conductive solution and taking it out;
A method for manufacturing a large-area anisotropic conductor, comprising a second curing step of curing the conductive solution located in the through hole to form a conductive structure.

제1항에 의해 제조된 대면적 이방성 전도체로서,
복수개의 관통공이 형성된 메쉬 구조체, 및
상기 관통공 상에 채워진 전도체를 포함하는, 대면적 이방성 전도체.
As a large-area anisotropic conductor prepared by claim 1,
A mesh structure in which a plurality of through holes are formed, and
A large area anisotropic conductor comprising a conductor filled on the through hole.

제7항에 있어서,
상기 전도체는,
폴리머-나노입자 복합재, 나노입자가 코팅된 다공성 폴리머, 또는 나노입자가 정렬된 폴리머 복합재인 것을 특징으로 하는, 대면적 이방성 전도체.
8. The method of claim 7,
The conductor is
A large-area anisotropic conductor, characterized in that it is a polymer-nanoparticle composite, a porous polymer coated with nanoparticles, or a polymer composite in which nanoparticles are aligned.

제7항에 있어서,
상기 전도체는 평면, 오목 표면 또는 볼록 표면을 갖는 것을 특징으로 하는, 대면적 이방성 전도체.
8. The method of claim 7,
A large area anisotropic conductor, characterized in that the conductor has a planar, concave or convex surface.

제1항에 의해 제조된 대면적 이방성 전도체; 및
상기 대면적 이방성 전도체의 상부와 하부에 배치되는 전극판을 포함하는, 감압 소재 어레이.A large-area anisotropic conductor manufactured by claim 1; and
A pressure-sensitive material array comprising an electrode plate disposed above and below the large-area anisotropic conductor.