KR102315257B1 - 임프린팅 방법, 컴퓨터 프로그램 제품 및 임프린팅 장치 - Google Patents

임프린팅 방법, 컴퓨터 프로그램 제품 및 임프린팅 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102315257B1
KR102315257B1 KR1020167030317A KR20167030317A KR102315257B1 KR 102315257 B1 KR102315257 B1 KR 102315257B1 KR 1020167030317 A KR1020167030317 A KR 1020167030317A KR 20167030317 A KR20167030317 A KR 20167030317A KR 102315257 B1 KR102315257 B1 KR 102315257B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stamp
contact
substrate
flexible
relief
Prior art date
Application number
KR1020167030317A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160138276A (ko
Inventor
마르쿠스 안토니우스 베르스추렌
렘코 반 브라켈
후베르투스 윌헬무스 자코부스 요체프 반 데 라르
Original Assignee
코닌클리케 필립스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리케 필립스 엔.브이. filed Critical 코닌클리케 필립스 엔.브이.
Publication of KR20160138276A publication Critical patent/KR20160138276A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102315257B1 publication Critical patent/KR102315257B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 기판의 수용 표면과 접촉시키기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 상기 방법 및 장치는 임프린팅 방법에 이용될 수 있다. 상기 방법 동안 상기 장치를 이용하여, 국부적으로 휘어진 릴리프 스탬핑 표면이 스탬프 수용 표면과 접촉하는 미리 형성된 접촉 영역의 접촉 프론트(경계부)의 근처에 접촉을 생성하거나 차단하고, 이러한 생성 또는 차단의 속도는 이 접촉 프론트가 스탬프 수용 표면 상의 접촉 프론트 이동 궤도를 따라 상이한 위치들에서 상이한 속도로 스탬프 수용 표면을 통해 이동하도록, 가요성 스탬프의 상이한 부분들에 대해 변화된다. 이것은 이러한 방법 및 장치를 이용하여 처리량을 최적화하는데 이용될 수 있다.

Description

임프린팅 방법, 컴퓨터 프로그램 제품 및 임프린팅 장치{IMPRINTING METHOD, COMPUTER PROGRAM PRODUCT AND APPARATUS FOR THE SAME}
본 발명은, 기판의 스탬프 수용 표면에 가요성 스탬프의 릴리프 스탬프 표면을 접촉하기 위한 및/또는 스탬프 수용 표면으로부터 가요성 스탬프의 릴리프 표면을 해제하기 위한 동작 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 본 발명의 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 기판의 스탬프 수용 표면에 가요성 스탬프의 릴리프 스탬프 표면을 접촉하기 위한 장치를 제어하는 제어 디바이스와 상기 제어 디바이스를 포함하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 마지막으로, 기판을 임프린팅하는 방법에 관한 것이다.
임프린트 리소그래피는, 상당히 낮은 비용으로 비슷한 형상 크기들의 패터닝을 제공할 수 있기 때문에, 반도체 디바이스들의 제조에 이용되는 더욱 전통적인(마스크-기반) 광학 리소그래피 기법들에 대한 가능한 대안으로서 관심을 얻고 있다.
기판 등각 임프린팅 리소그래피(SCIL: Substrate Conformal Imprinting Lithography)와 같은 소프트 스탬프 임프린트 리소그래피 기법들에서, 릴리프 형상 패턴을 그 표면 상에 포함하는 가요성 스탬프는, 통상적으로 형상 패턴에 의해 임프린팅될 (경화 가능한) 레지스트 재료를 가진 기판과 접촉하게 된다. 따라서, 통상적인 임프린트 리소그래피 방법에서, 임프린트 단계는 기판 상의 레지스트 재료의 층이 가요성 스탬프의 릴리프 패턴 표면과 접촉하게 되는 것을 포함한다. 이 단계 다음에, 레지스트 재료는 가요성 스탬프의 릴리프 패턴 표면과 여전히 접촉하는 동안 현상되고(developed), 예를 들면 응고되도록 경화된다. 일단 응고되면, 가요성 스탬프(및 그것의 릴리프 형상 패턴과 함께)는 패터닝된 응고된 레지스트층을 기판 상에 남겨두기 위해 응고된 레지스트 재료로부터 해제된다.
임프린트 리소그래피를 위해 소프트 스탬프들을 이용할 때, 임프린트 단계를 실행하기 위한 일 방법은 미국 특허 출원 제20100083855호에 개시된다. 이 방법은 스탬프 표면의 부분 영역을 기판쪽으로 돌출시키고 그 돌출부에서 가요성 스탬프 표면과 임프린팅될 기판 표면 사이에 초기 접촉 영역을 생성하기 위해 가요성 스탬프가 국부적으로 휘어지는 것을 포함한다. 이러한 초기 접촉이 만들어진 후에, 초기 접촉 영역은, 접촉 영역의 가장자리가 기판 표면을 따라 이동하도록 접촉 영역의 가장자리에 또는 근처에 서서히 부가의 접촉을 만듦으로써 가요성 스탬프 및 기판의 더 큰 부분에 걸쳐 성장(예를 들면, 확장)된다. 레지스트 재료의 응고가 발생한 후에는, 접촉의 점진적 차단의 역공정을 이용하여 스탬프의 해제가 행해진다.
이러한 임프린트 리소그래피 공정을 가능한 상업적으로 실행할 수 있게 만들기 위해, 이러한 공정의 처리량을 최대화하는 것이 바람직하다. 그러나, 예를 들면 패턴이 정확하게 전사되지(transferred) 않기 때문에, 즉 스탬프와 기판 사이의 불충분한 등각 접촉이 생성되기 때문에, 또는 현상된 레지스트로부터의 스탬프의 형상 패턴의 과도하게 신속한 해제가 현상된 레지스트층에 또는 심지어 스탬프 상의 형상 패턴에 손상을 입힐 수 있기 때문에, 증가된 처리량이 레지스트층에 형성된 패턴의 품질에 해를 가할 수 있으므로, 이것은 사소한 것과 거리가 멀다.
이러한 임프린팅 공정의 임프린팅 단계 및 해제 단계의 앙상블의 처리량을 개별적으로 최적화하는 것이 가능하다는 것, 즉 이들 단계들이 상이한 속도로 수행될 수 있다는 것은 본질적으로 알려져 있다. 통상적으로, 임프린팅 단계는 해제 단계보다 높은 속도로 수행될 수 있다. 이것은, 예를 들면 임프린팅 단계 동안 레지스트 재료가 여전히 낮은 점성 상태이고 흐를 수 있는 반면, 해제 공정이 스탬프 재료와 현상된(응고된) 레지스트 사이의 상호작용에 의해 방해를 받는데, 이것이 해제 동안 가요성 스탬프의 손상을 방지하기 위해 해제 공정의 속도를 늦추기 때문일 수 있다. 이것은 스탬프와 경화된 레지스트 사이의 향상된 표면적으로 인한 것이며, 이것은 단위 면적 당 판데르 발스 힘(van der Waals forces)을 증가시킨다.
예를 들면, 미국 특허 제20100083855호에 개시된 장치와 같은 임프린팅 장치 상에서 임프린팅 단계의 속도를 설정하고 해제 단계 동안 상이한 속도를 설정하는 것이 가능하다. 상술된 임프린팅 공정의 처리량을 개선하기 위한 추가적인 필요성이 여전히 존재한다.
본 발명은 소프트 스탬프 임프린팅 방법들에서 개선된 처리량을 제공하는 전술된 목적을 달성하기 위한 것이다.
본 발명은 독립 청구항들에 의해 규정된다. 종속 청구항들은 유리한 실시예들을 제공한다.
본 발명에 따라, 접촉을 생성하거나 차단하기 위한 시스템의 제어는 이동 속도가 접촉 프론트의 이동 방향을 따라 적어도 두 개의 상이한 위치들에 대해 상이한 값을 가지도록 한다. 따라서, 기판의 임프린트를 위해 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면과 기판 표면 사이에 접촉이 생성되는 속도, 또는 임프린트 후 기판으로부터 가요성 스탬프의 해제를 위해 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면과 기판 표면 사이에 접촉이 차단되는 속도는 기판 표면을 따르는 접촉 프론트의 전진 궤도를 따라 변화된다. 접촉 또는 해제 속도는 접촉 프론트가 기판 표면을 따르는 궤도를 따라 이동될 수 있거나 이동되는 속도에 관련된다. 이것은 적절한 방식으로 장치의 시스템을 이용하여 영향을 받을 수 있다. 기존 및 신규 둘다의 많은 종류의 장치들이 있으며 본 발명에 따른 독창적인 것들은 이 발명의 상세한 기술에 및 하기에 설명되는 바와 같이 이러한 방법을 수행할 수 있다.
본 발명은, 종종 기판들 상에 임프린팅될 형상 패턴들이 형상 밀도, 및/또는 형상 심도, 및/또는 형상 폭 등과 같은 상이한 릴리프 토포그래피를 가진 상이한 영역들을 포함하는 인식에 기초한다. 또한, 변형 가능한 임프린트 레지스트층 코팅된 기판을 이용하는 임프린트 리소그래피 방법들로, 임프린트 속도가, 예를 들면 더 조밀한 형상 패턴들을 가진 영역들에서 이러한 릴리프 토포그래피에 의해 영향을 받거나, 결정되거나, 또는 심지어 제한되고, 스탬프를 기판에 흡착하는 접촉 프론트에서 또는 근처에서 더 높은 모세관 힘이 접촉을 더욱 신속하게 확립되게 하고 따라서 이 영역에서 이용될 임프린트 속도가 더 적은 밀도의 형상 패턴들을 가진 영역들에 비해 더 빠르도록 허용한다는 것이 밝혀졌다. 더 깊은 및/또는 더 좁은 형상 크기들을 가진 영역들에 대하여 유사한 논증이 유지된다. 또한, 상이한 릴리프 토포그래피를 가진 영역들에서, 기판으로부터 가요성 스탬프의 해제 속도를 최적화하면서 전사된 패턴의 품질을 보호하기 위해 해제 속도가 조정될 수 있다고 인식되었다. 예를 들면, 더 조밀한 및/또는 더 깊은 형상 패턴들을 가진 영역들에서는, 덜 조밀한 및/또는 덜 깊은 형상 패턴들을 가진 영역들에 비해 기판 상의 응고된 레지스트 재료로부터 스탬프를 해제하는 것이 더욱 어려울 것이다. 따라서, 후자 형태의 영역들에서, 해제 속도는 제 1 타입 영역들에 비해 증가될 수 있다. 반대로, 패턴 밀도가 낮은 영역들은 더욱 신속하게, 즉 더 높은 해제 속도로 해제될 수 있다.
따라서, 본 발명은 임프린트 공정의 처리량을 개선하기 위하여 모든 작고 취약한(㎚ 내지 마이크로미터 규모) 형상들을 가진 가요성 스탬프의 무결성 및/또는 패턴 전사의 품질을 손상시키지 않고 개별적으로 임프린트 속도 및/또는 해제 속도의 최적화를 허용한다.
본 발명은 임프린팅 또는 마이크로 접촉 프린팅 방법 및 장치에서 그것과 함께 유리하게 이용될 수 있다.
본 발명에서 시스템의 제어는 접촉 단계 또는 해제 단계 동안 제 1 단계 및 제 2 단계를 포함할 수 있고, 제 1 단계에서, 이동 속도가 이동 방향을 따라 제 1 미리 결정된 거리에 걸쳐 제 1 상수 값을 가지도록 접촉이 생성되거나(접촉 단계 동안) 차단되고(해제 단계 동안), 제 1 미리 결정된 거리는 적어도 두 개의 상이한 위치들 중 하나를 포함하고, 제 2 단계에서, 이동 속도가 이동 방향을 따라 제 2 미리 결정된 거리에 걸쳐 제 2 상수 값을 가지도록 접촉이 생성되거나(접촉 단계 동안) 차단되고(해제 단계 동안), 제 2 미리 결정된 거리는 적어도 두 개의 상이한 위치들 중 다른 하나를 포함하고, 제 1 상수 값은 제 2 상수 값과 상이하다.
이것은 각각의 영역들에 대한 접촉 프론트 전진 궤도를 따라 미리 결정된 거리의 가요성 스탬프 패턴 내의 상이한 지역적 영역들에 대해 상이한 임프린트 또는 해제 속도의 규정을 허용한다. 따라서, 예를 들면 기판의 주변 영역은 기판의 중앙 영역과 상이한 속도들로 다루어지도록 규정될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 스탬프 상에 존재하는 임프린트 패턴의 디자인 맵은 기판 표면을 따르는 특정 규정된 접촉 프론트 전진 궤도를 따라 미리 결정된 거리들을 설정하기 위해 이용될 수 있다.
본 발명에서, 제 1 미리 결정된 거리는 제 1 릴리프 토포그래피를 가진 릴리프 스탬핑 표면의 제 1 영역의 치수에 대응할 수 있고 제 2 미리 결정된 거리는 제 1 릴리프 토포그래피와 상이한 제 2 릴리프 토포그래피를 가진 릴리프 스탬핑 표면의 제 2 영역의 치수에 대응할 수 있다. 가요성 스탬프의 릴리프 패턴들은 통상적으로, 릴리프 토포그래피가 예를 들면 형상 밀도 및/또는 형상 크기(돌출부들 또는 요면들(indentations)의 폭 또는 길이 치수들) 및/또는 형상 깊이에 관해 상이한 영역들을 가질 수 있다. 이러한 영역들은 통상적으로 본원에서 이전에 또는 다음의 기술에 기술되는 임프린트 및/또는 해제에 대해 상이한 속도를 필요로 할 수 있다. 본원에 이전에 설명한 바와 같이, 예를 들면 임프린팅 패턴이 비교적 조밀한 영역들에서, 더 높은 모세관 힘들은 임프린팅 속도가 이러한 영역들에서 증가될 수 있도록 스탬프와 기판 사이의 등각 접촉을 더욱 신속하게 확립하게 할 것이라고 인식되었다. 유사하게, 이러한 모세관 힘들의 도움이 덜 뚜렷하거나 없는 임프린팅 패턴의 덜 조밀한 영역들에 대해 임프린팅 속도가 감소될 수 있다.
미리 결정된 거리들은 이러한 값들이 저장되는 룩업 테이블로부터 검색하거나 검색 가능할 수 있다. 저장된 값들은 스탬프의 형상 패턴의 디자인 맵에 기초할 수 있고 수동으로 또는 달리 미리 준비될 수 있다.
장치가 릴리프 스탬핑 표면을 검사하기 위한 검사 유닛을 포함하는 경우, 상기 방법은 제 1 영역 및 상기 제 2 영역을 그들의 릴리프 토포그래피에 기초하여 결정하기 위해 검사 유닛으로 릴리프 스탬핑 표면을 검사하는 단계, 및 접촉 프론트의 이동이 발생하는 방향을 따라 제 1 영역으로부터 제 1 미리 결정된 거리를 도출하고 제 2 영역으로부터 제 2 미리 결정된 거리를 도출하는 단계를 포함할 수 있다. 이제 형상 토포그래피의 맵이 미리 이것을 준비하고 저장할 필요 없이 자동으로 획득되고 및/또는 예를 들면 룩업 테이블에 저장될 수 있다. 접촉 및/또는 해제 단계 동안 패턴들의 계속적인 검사와 검사 피드백에 기초하여 접촉 또는 해제 속도의 계속적인 조정이 조합될 수 있다. 이것은 릴-투-릴 임프린팅(reel-to-reel imprinting)에서와 같이 계속적인 접촉 및/또는 해제 공정들에 유리할 것이다.
본 발명으로, 접촉 단계 및 해제 단계 둘다가 있을 수 있다. 이러한 실시예에서, 접촉 단계의 이동 방향 및 해제 단계의 이동 방향은: 동일하고, 서로 대향하고, 서로를 향하게 각도를 만드는 것 중 하나이다. 배경기술 부분에 기술된 바와 같이 레지스트 재료 경화 단계 다음에 접촉 단계를 포함하는 임프린팅 방법에서, 동일 방향의 접촉 및 해제는 릴리프 스탬핑 표면의 각 영역에 대한 임프린트 및 경화 단계 동안 스탬프와 임프린트 레지스트 재료의 접촉 시간을 일정하게 유지하는데 유리하다. 예를 들면, 일부 레지스트 재료들은 스탬프가 응고(경화) 동안에 그것의 성분들(예를 들면 물 및 또는 다른 용제들)의 특정 op를 취하도록 요구하기 때문이다. 대안적으로, 대향 방향의 접촉 및 해제는, 예를 들면 제US8172968호에 기술되는 고정된 위치 스탬프 앵커 표면이 이용될 때와 같이, 장치가 기판 표면으로부터 분리시 스탬프에 대한 양호한 위치를 가질 때 유리할 수 있다. 서로를 향하게 각도를 만드는 방향들(예를 들면 45 또는 90도와 같이)의 임프린팅 및 해제는 형상 패턴들이 특정 대칭을 가질 때, 즉 한 방향으로 긴 트렌치들을 가지면서 다른 방향으로 짧은 디치들(ditches)을 가질 때 유리할 수 있다. 임프린팅은 트렌치들에 수직인 방향에서 최상으로 행해지고 해제는 트랜치들에 수평인 방향에서 더 양호하다고 판명될 수 있다.
장치의 시스템이 가요성 스탬프 및 복수의 스탬프 인게이징 소자들을 유지하기 위한 스탬프 홀더를 포함하는 경우, 스탬프 인게이징 소자들의 각각은 가요성 스탬프가 스탬프 홀더에 부착 및/또는 흡착되는 제 1 구성과 스탬프가 스탬프 홀더로부터 해제되거나 밀려나는 제 2 구성 사이에서 스위칭 가능하고, 상기 방법은 시스템의 제어가 스탬프 인게이지 소자들을 접촉을 생성하기 위해(접촉 단계 동안) 제 1 상태에서 제 2 상태로 연속으로 스위칭하거나, 접촉을 차단하거나 해제하기 위해 반대로 스위칭하는 것을 포함할 수 있다. 바람직하게, 복수의 이러한 소자들은 접촉 프론트의 이동 궤도를 따라 공간적으로 배열된다. 복수의 스탬프 인게이지 소자들은 어레이로 배열될 수 있다. 이러한 시스템 및 방법은 접촉 프론트 전진 궤도를 따라 분산된 복수의 스탬프 인게이지 소자들처럼 양호한 공정 제어를 허용하고, 스탬프의 휨이 제어되고 국부적으로 시프트되어 접촉 프론트가 표면을 따라 이동하게 할 수 있다. 스위칭 소자들은 신장형(예를 들면, 플레이트의 개구 홈들과 같이)이거나 정사각형, 원형 등일 수 있다. 스위칭 소자들의 주기는 1mm 내지 5cm가 바람직하지만, 상이하게 선택될 수 있다. 거리가 5mm 내지 2cm가 더욱 바람직하다.
상기 방법은 접촉 단계 동안, 형상 밀도가 증가된 임프린트 패턴의 일부에 대해 제 2 상태로 연속 스위칭하는 속도에 비해, 형상 밀도가 감소된 임프린팅 패턴의 일부에 대해 제 2 상태로 연속 스위칭하는 속도가 감소되고, 및/또는 형상 밀도가 감소된 임프린트 패턴의 일부에 대해 제 2 상태로 연속 스위칭하는 속도에 비해, 형상 밀도가 증가된 임프린팅 패턴의 일부에 대해 제 2 상태로 연속 스위칭하는 속도가 증가되는 단계를 포함할 수 있다.
더욱 조밀한 영역들에서 더 높은 모세관 힘들은 덜 조밀한 영역들에 비해 더 높은 접촉 속도를 허용한다.
상기 방법은 해제 단계 동안, 형상 밀도가 감소된 임프린트 패턴의 일부에 대해 제 1 상태로 연속 스위칭하는 속도에 비해, 형상 밀도가 증가된 임프린팅 패턴의 일부에 대해 제 1 상태로 연속 스위칭하는 속도가 감소되고, 및/또는 형상 밀도가 증가된 임프린트 패턴의 일부에 대해 제 1 상태로 연속 스위칭하는 속도에 비해, 형상 밀도가 감소된 임프린팅 패턴의 일부에 대해 제 1 상태로 연속 스위칭하는 속도가 증가되는 단계를 포함할 수 있다.
본원에 이전에 설명한 바와 같이, 릴리프 토포그래피가 최적화를 위한 속도의 조정을 요구할 수 있다는 것, 즉 상대적으로 조밀한 패턴 영역들이 현상된 레지스트로부터 해제하기가 더욱 어려울 수 있어서, 이러한 영역들에서의 스탬프의 해제 속도는 전사된 패턴의 품질을 보호하기 위해 감소될 수 있다는 것이 인식되었다. 반대로, 덜 조밀한 패턴 영역들은 더욱 신속히, 즉 더 높은 해제 속도에서 해제될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 방법은 미리 결정된 양의 접촉 영역이 기판과의 접촉 영역이 될 때 제 1 속도를 증가시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 즉, 충분한 품질의 등각 접촉이 확립되었으면, 임프린트 단계의 처리 시간을 감소시키기 위해, 제 1 상태로 스위칭된 스탬프 인게이지 소자들의 풀에 스탬프 인게이지 소자들(예를 들면, 개구부들; 하기 참조)을 추가하는 속도가 증가될 수 있다.
일 실시예에서, 가요성 스탬프와 기판 홀더 사이의 접촉 영역을 증가시키기 위해 상기 어레이의 다음 스탬프 인게이징 소자를 제 2 상태로 제 1 속도로 주기적으로 스위칭하는 단계는 가요성 스탬프와 기판의 외부 영역 사이의 접촉 영역을 생성하는 단계; 및 접촉 영역이 기판의 중앙 영역을 향해 연장할 때 제 1 속도를 감소시키는 단계를 포함한다.
장치의 시스템이 스탬프 인게이징 표면을 구비한 스탬프 홀더 및 기판 인게이징 표면을 구비한 기판 홀더를 포함하는 경우, 상기 방법은 접촉 상태 및/또는 해제 상태 동안, 스탬프 인게이징 표면 및 기판 인게이징 표면이 서로 병렬이고 갭을 두고 서로 이격되도록 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다. 갭은 릴리프 스탬핑 표면과 스탬프 수용 표면이 접촉 단계 전에 서로 접촉을 만들지 않아야 한다.
갭 크기의 설정은 접촉 단계 또는 해제 단계 동안 속도를 결정할 수 있고, 갭을 일정하게 유지하는 것은 임프린팅될 전체 표면에 걸쳐 속도가 다른 파라미터들(갭 크기와 무관)에 의해 잘 제어되는 것을 보장한다.
속도가 접촉 또는 해제하는 동안 변화되는 본 발명과 함께, 그러나 또한 본 발명과 무관하게, 접촉 단계와 해제 단계 사이의 갭 크기를 변경하는 단계가 전체 공정의 속도를 최적화하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 방법은 접촉 단계 후에 및/또는 해제 단계 전에 갭을 증가시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 방법은 레지스트 층을 현상한 후 갭을 증가시키는 단계를 더 포함한다. 이것은 더 큰 힘이 현상된 레지스트와 인게이징하는 임프린팅 패턴에 인가되도록 허용하는데, 이것은 해제 단계의 구간을 더 감소시키기 위해 이용될 수 있고, 그에 의해 임프린팅 공정의 전체 구간을 더 감소시킨다는 것이 밝혀졌다. 또한, 이것은, 스탬프 홀더에서 기판 홀더까지 미치는 스탬프 부분의 증가된 길이가 이러한 영역들의 해제를 개시할 때 생성되는 증가된 힘들을 흡수하도록 이 부분의 기능을 개선함에 따라, 예를 들면 이러한 영역들에서 더 높은 형상 패턴 밀도로 인해, 더 느린 속도에서 영역들을 해제해야 할 때 패턴 변형의 위험을 감소시킨다.
이전 청구항들 중 어느 한 항에 청구된 방법은, 접촉 단계 및 접촉 단계 후에, 시스템의 제어가 레지스트층의 응고를 생기게 하도록 하는 경화 단계, 또는 릴리프 스탬핑 표면과 접촉하는 동안 기판의 수용 표면을 형성하는 단계를 포함한다. 접촉 및 해제 방법은 임프린팅 방법에 대한 속도 및 처리량을 최적화하기 위해 유리하게 이용된다. 이러한 방법은 통상적으로, 접촉 단계에서, 변형 가능한 임프린트 레지스트층 코팅된 기판이 릴리프 스탬핑 표면과 접촉하게 되고, 그 후 경화 단계 동안 임프린팅된 레지스트층이 응고(경화)되고, 때때로 현상된다고 칭하는 단계를 포함한다. 경화 단계는 임프린트 레지스트와 스탬프 사이의 접촉 시간을 결정하는 파라미터를 설정하는 단계를 포함할 수 있고 및/또는 예를 들면 임프린팅된 레지스트층의 방사선(IR과 같은 화학 방사선, 극단적 UV(<20㎚), UV-방사선, 또는 가시광선)으로의 방사를 통해 또는 열의 인가를 통해 능동 경화가 발생하도록 하는 시스템의 제어를 포함할 수 있다.
이전 청구항들 중 어느 한 항에 청구된 방법은 접촉 단계 및 해제 단계를 포함한다. 접촉 단계는 접촉의 생성 동안 미리 결정된 거리를 규정하는 두 단계를 포함할 수 있고 해제 단계는 접촉의 차단 동안 미리 결정된 거리를 규정하는 두 단계를 포함할 수 있다. 접촉 및 해제를 위한 접촉 전면 이동 방향들이 동일한(동일한 위치에서 시작하는) 경우 미리 결정된 거리들은 동일해질 수 있고, 접촉 및 해제를 위한 접촉 전면 이동 방향들이 서로 대향하는 경우 이들은 반대일 수 있다.
본 발명은, 통신 네트워크로부터 다운로드되고 및/또는 컴퓨터-판독 가능한 및/또는 마이크로프로세서-실행 가능한 매체 상에 저장되는 컴퓨터 프로그램 제품으로서, 본 발명에 따른 방법들 중 임의의 방법에 따른 방법을 구현하기 위한 프로그램 코드 명령들을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 컴퓨터 프로그램 제품을 규정한다. 컴퓨터 프로그램 제품은 사용자가 본 발명의 방법들을 수행하는데 필요한 파라미터들 중 임의의 파라미터를 설정하도록 허용하는 코드를 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 파라미터들은, 예를 들면 접촉 프론트 전진이 수행되는 미리 결정된 거리들 및 측면(XY 평면) 방향들 또는 이러한 측면 방향들 사이의 각도들과 같은 방향성 파라미터들을 포함할 수 있다. 파라미터들은 스탬프 인게이지 소자들이 장치에 존재하는 경우, 접촉 프론트가 기판 표면을 따라 전진하게 만들기 위해 스탬프 인게이지 소자들의 스위칭 속도와 같은 접촉 프론트 이동 속도를 결정하는 이동 파라미터들을 포함할 수 있다.
컴퓨터 프로그램 제품은, LAN 또는 WLAN 등과 같은 적합한 데이터 네트워크를 이용하여 예를 들면 제조업체의 웹사이트 또는 저장소를 통해 인터넷 서버와 같은 원격 서버로부터 다운로드함으로써 원격으로 획득될 수 있는 컴퓨터 코드의 형태일 수 있다. 대안적으로, 이것은, RAM, SRAM 등이 내장된 프로세서 유닛을 포함하지만 이에 제한되지 않는 메모리, FLASH 또는 SD와 같은 영구적이지만 재기록 가능한 반도체 메모리와 같은 컴퓨터 판독 가능한 데이터 캐리어 상에, 또는 광(CD, DVD, 블루레이 등) 또는 자기 디스크 또는 테이프 또는 인터넷 서버와 같은 원격 기반 서버 상에 저장될 수 있다.
본 발명은, 기판의 스탬프 수용 표면에 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉하기 위한 장치를 제어하는 제어 디바이스로서, 장치로 하여금 본 발명의 방법을 수행할 수 있도록 구성되는 상기 제어 디바이스를 규정한다. 이러한 제어 디바이스는 본원에서 이전에 설명된 이유들로 유리하다. 바람직하게, 제어 디바이스는 컴퓨터 또는 마이크로프로세서 및 본 발명에 따른 컴퓨터 프로그램 제품을 포함한다.
제어 디바이스는 가요성 스탬프 및/또는 기판 홀더를 유지 및 조작하기 위한 시스템을 포함할 수 있고, 시스템이 가요성 스탬프 및 기판을 유지할 때, 가요성 스탬프는 스탬프 수용 표면의 일부 상에, 릴리프 스탬핑 표면의 일부가 스탬프 수용 표면과 접촉하는 동안 스탬핑 표면의 다른 부분이 스탬프 수용 표면과 접촉하지 않는 접촉 영역을 생성하도록 국부적으로 휘어지거나 휘어질 수 있고, 접촉 영역과 비-접촉 영역 사이의 경계부의 적어도 일부가 접촉 프론트를 규정한다.
컴퓨터 또는 마이크로프로세서는, 스탬프 또는 기판을 조작하기 위한 시스템의 관련 모터들 및 다른 부분들, 및/또는 검사 유닛, 및/또는 능동 경화를 위한 유닛들(하기 참조)에의 접속들(전기 또는 기타)을 가지는 한, 제어 디바이스에 내장되거나 독립형일 수 있다.
제어 디바이스는 가요성 스탬프 및 복수의 스탬프 인게이징 소자들을 유지하기 위한 스탬프 홀더를 포함할 수 있고, 스탬프 인게이징 소자들의 각각은 가요성 스탬프가 스탬프 홀더에 부착 및/또는 흡착되는 제 1 구성과 스탬프가 스탬프 홀더로부터 해제되거나 밀려나는 제 2 구성 사이에서 스위칭 가능하다. 바람직하게, 복수의 이러한 소자들은 접촉 프론트의 이동 궤도를 따라 공간적으로 배열된다. 복수의 스탬프 인게이지 소자들은 어레이로 배열될 수 있다. 이러한 시스템 및 방법은 접촉 프론트 전진 궤도를 따라 분산된 복수의 스탬프 인게이지 소자들처럼 양호한 공정 제어를 허용하고, 스탬프의 휨이 제어되고 국부적으로 시프트되어 접촉 프론트가 표면을 따라 이동하게 할 수 있다. 스위칭 소자들은 신장형(예를 들면, 플레이트의 개구 홈들과 같이)이거나 정사각형, 원형 등일 수 있다. 스위칭 소자들의 주기는 1mm 내지 5cm가 바람직하지만, 상이하게 선택될 수 있다. 거리가 5mm 내지 2cm가 가장 바람직하다.
바람직하게, 스탬프 인게이지 소자들은 가요성 스탬프를 부착 및/또는 흡착하기 위한 저압(underpressure)을 제공하거나 가요성 스탬프를 해제 및/또는 밀어내기 위한 과압(overpressure)을 제공하기 위한 개구부를 포함하고, 제어 디바이스는 복수의 스탬프 인게이징 소자들의 개구부들의 각각의 저압 및/또는 과압을 개별적으로 설정하기 위한 스위칭 가능한 밸브들을 포함하는 압력 조절기를 더 포함한다. 낮은 복잡성과 비용으로 양호한 동작이 달성된다. 스탬프 인게이지 소자들의 인게이징에 적합한 금속 또는 자성 부품들을 구비하지 않는 가요성 스탬프들을 이용할 수 있다.
개구부들은 홈-형상(스탬프 홀더 표면에서의 신장형 트렌치들)일 수 있지만, 예를 들면, 원 형상들, 타원 형상들, 직사각 형상들 등과 같은 임의의 적당한 형상들이 이들 개구부들에 이용될 수 있음을 이해해야 한다.
바람직하게, 각각의 개구부는 제 1 상태에 대한 저압 채널과 제 2 상태에 대한 과압 채널 사이에서 개구부를 스위칭하기 위한 밸브를 포함하고, 상기 밸브는 상기 프로세서 또는 컴퓨터에 의해 제어된다. 밸브들 외에도, 제어 디바이스는 또한 상기 프로세서 또는 컴퓨터에 의해 제어되는 압력 조절기를 포함할 수 있다. 이것은 과압 및/또는 저압을 제공하기 위한 개구부를 구비하는 스탬프 인게이징 소자들에 대한 단순한 제 1 및 제 2 상태 생성을 제공한다.
상기 방법은 임프린팅 단계 동안 및/또는 해제 단계 동안 과압을 변화시키는 단계를 더 포함한다. 예를 들면, 임프린팅 단계 동안, 과압은 등각 접촉을 확립하는데 필요한 시간을 감소시키기 위해 스탬프와 기판 사이의 초기 접촉의 확립 동안 증가될 수 있는 반면, 해제 단계 동안, 과압은 스탬프 홀더로부터 스탬프를 부분적으로 해제하기 위해 감소될 수 있고, 그에 의해 갭을 브리징하는 스탬프의 섹션의 길이를 증가시킨다. 이것은 더 큰 힘이 임프린팅 패턴에 인가되도록 허용하고 이것은 스탬프가 특별히 조밀한 형상 패턴을 가지고 있는 영역들에서의 해제를 돕기 위해 이용될 수 있다. 또한, 해제 단계 동안의 과압을 낮추면 스탬프의 가압된 영역에서 진공으로의 누설이 적어지게 할 것이고, 이것은 개선된 진공을 달성하도록 돕고, 현상된 레지스트로부터의 스탬프의 해제 속도의 증가를 용이하게 하는데 도움을 준다.
대안적으로, 또는 공기 스탬프 인게이지 소자들과 조합하여, 제어 디바이스는 가요성 스탬프를 부착 또는 흡착하기 위한 자기력을 제공하거나 가요성 스탬프를 해제 및/또는 밀어내기 위한 자기력을 제공하기 위한 전자석을 포함하는 복수의 스탬프 인게이징 소자들을 포함하고, 제어 디바이스는 복수의 스탬프 인게이징 소자들의 전자석들의 각각의 개별 자석에 대해 적절한 부착/흡착 및/또는 해제/밀어내기 전기 신호들을 스위칭하기 위한 전기 장비를 포함하는 더 포함한다. 이것은 스탬프 인게이지 소자 부착 부품들로서 금속 또는 자기 부품들을 구비한 가요성 스탬프들의 조작을 허용한다.
제어 디바이스는 바람직하게, 복수의 스탬프 인게이지 소자들의 각각에 대한 설정들을 제공하기 위한 스위칭 유닛을 포함하여 이들 설정들은 접촉 단계 동안 및/또는 해제 단계 동안 가변할 수 있다.
본 발명은, 기판의 스탬프 수용 표면에 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉하기 위한 장치로서, 상기 장치는 가요성 스탬프를 유지 및 조작하기 위한 및/또는 기판 홀더를 조작하기 위한 시스템으로서, 시스템이 가요성 스탬프를 유지하고 기판 홀더가 기판을 유지할 때, 가요성 스탬프는 스탬프 수용 표면의 일부 상에, 릴리프 스탬핑 표면의 일부가 스탬프 수용 표면과 접촉하는 동안 스탬핑 표면의 다른 부분이 스탬프 수용 표면과 접촉하지 않는 접촉 영역을 생성하도록 국부적으로 휘어지거나 휘어질 수 있고, 접촉 영역과 비-접촉 영역 사이의 경계부의 적어도 일부가 접촉 프론트를 규정하는 상기 시스템; 및 본 발명에 따른 제어 디바이스를 포함하는 상기 장치를 규정한다.
스탬프 홀더는 이동 가능하게 장착되어 상기 프로세서에 의해 제어되는 것이 바람직하다. 이러한 임프린팅 장치는 증가된 처리량을 제공할 수 있는 이점이 있고, 그에 의해 장치에 의해 실행되는 임프린팅 공정들의 상당한 비용 감소를 용이하게 한다.
상기 장치는 가요성 스탬프를 유지 및 조작하기 위한 시스템에서 가요성 스탬프가 찍힐(affix) 때 가요성 스탬핑 표면의 릴리프 형상 토포그래피를 검사하기 위한 검사 디바이스를 더 포함할 수 있다. 검사 유닛은 CCD 카메라와 같은 카메라, 또는 릴리프 프로파일 미터일 수 있다.
상기 장치는 능동 경화를 위한 디바이스를 더 포함할 수 있다. 이러한 디바이스는 기판 및 레지스트층에 적절한(상기 참조) 방사선을 제공하기 위한 노광 유닛일 수 있다. 이것은 UV 램프, 또는 가시광 램프를 포함할 수 있다. 대안적으로, 또는 부가적으로, 디바이스는 발열체를 포함할 수 있다. 발열체는 기판 및/또는 스탬프 홀더에 일체화된 직접 발열체일 수 있거나, IR 램프와 같은 복사열을 제공하기 위한 이격 발열체(distanced heating element)일 수 있다.
본 발명의 방법은 접촉 영역을 제공하기 위한 초기 접촉 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 접촉 영역은 스탬프와 기판을 조작하는데 이용되는 것과 동일한 시스템을 이용함으로써 생성될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 홀더는 기판을 둘러싸기 위한 가장자리부를 포함할 수 있고, 가장자리부는 초기 접촉 단계 동안 접촉 영역을 형성하기 위한 것이다.
상기 방법들 중 임의의 방법을 수행하도록 시스템을 제어하기 위한 파라미터들이 버튼들을 이용하여 또는 소프트웨어로 설정될 수 있는 경우에 유리하다. 따라서 상기 방법은 접촉 단계 및/또는 해제 단계에 대해 이동 방향을 결정하는 하나 이상의 방향성 파라미터들을 설정하는 단계 및 접촉 동작 및/또는 해제 동작에 대해 이동 속도를 결정하는 하나 이상의 이동 파라미터들을 설정하는 단계를 포함한다. 장치가 가요성 스탬프를 조작하기 위해 복수의 스탬프 인게이지 소자들을 포함하는 경우, 이동 파라미터들은 연속하는 이들 스탬프 인게이지 소자들이 제 1 상태에서 제 2 상태로 스위칭되는 속도를 포함할 수 있다(하기 참조).
본 발명은, 기판의 스탬프 수용 표면에 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉 및 해제하는 것을 이용하여 임프린팅하는 방법으로서:
- 릴리프 스탬핑 표면을 포함하는 가요성 스탬프를 제공하는 단계;
- 변형 가능한 임프린트층으로 이루어진 스탬프 수용 표면을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
- 스탬프 수용 표면의 일부 상에, 릴리프 스탬핑 표면의 일부가 스탬프 수용 표면과 접촉하는 동안 스탬핑 표면의 다른 부분이 스탬프 수용 표면과 접촉하지 않는 접촉 영역을 생성하도록 릴리프 스탬핑 표면을 국부적으로 휘게 하기 위해 가요성 스탬프를 유지 및 조작하기 위한 및/또는 기판을 유지 및 조작하기 위한 시스템 이용하는 단계로서, 접촉 영역의 경계부의 적어도 일부가 접촉 프론트를 규정하는, 상기 시스템 이용 단계;
- 릴리프 스탬핑 표면을 스탬프 수용 표면에 접촉하는 단계로서, 접촉 프론트가 접촉 프론트에 실질적으로 수직이고 접촉 영역으로부터 멀어지는 이동 방향을 따라 기판의 스탬프 수용 표면을 따라 어떤 이동 속도로 이동하도록, 접촉 프론트에 또는 주변에 접촉을 생성하기 위한 시스템의 제어를 포함하는 상기 접촉 단계;
- 스탬프 수용 표면이 릴리프 스탬핑 표면과 접촉하는 동안 변형 가능한 임프린트층을 응고시키는 단계;
- 접촉 영역에서 스탬프 수용 표면으로부터 릴리프 스탬핑 표면을 해제하는 단계로서, 접촉 프론트가 접촉 프론트에 실질적으로 수직이고 접촉 영역을 향하는 이동 방향을 따라 기판의 스탬프 수용 표면을 따라 어떤 이동 속도로 이동하도록, 접촉 프론트에서 또는 주변에서 접촉을 차단하기 위한 시스템의 제어를 포함하는 상기 해제 단계를 포함하고,
접촉을 생성하거나 차단하기 위한 시스템의 제어는 이동 속도가 이동 방향을 따라 적어도 두 개의 상이한 위치들에 대해 상이한 값들을 가지도록 하는, 상기 기판 임프린팅 방법을 제공한다.
따라서 본 발명은 릴리프 스탬핑 표면으로 변형 가능한 기판 표면층을 임프린팅하는 방법을 제공한다.
이 방법은 기판 등각 임프린팅 리소그래피(SCIL) 방법 또는 임의의 다른 적당한 임프린팅 방법일 수 있다.
본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 비-제한적인 예들에 의해 더욱 상세히 기술된다. 도면들은 개략적일 뿐, 비례하여 도시되지 않는다. 도면들 전반에 걸쳐, 동일한 참조 번호들은 동일하거나 유사한 부분들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린팅 장치를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 도 1의 임프린팅 장치를 이용하여 임프린팅 사이클을 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 도 1의 임프린팅 장치를 이용하여 해제 사이클을 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린팅 공정을 개략적으로 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린팅 공정을 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 도 5의 임프린팅 공정을 용이하게 하는데 적합한 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린팅 장치의 일 양태를 개략적으로 도시한 도면.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린팅 장치(100)를 도시한다. 특정 임프린팅 장치(100)는 제S20100083855호 또는 제US8172968호 또는 제US20050173049호에 개시된 장치와 동류이다. 그러나 본 발명은 하기에 더 설명하는 바와 같이, 예를 들면 제US20040011231호 또는 제US20040197712호에 개시된 바와 같이 나노미터 내지 마이크로미터 크기의 형상 패턴 스케일 임프린팅 패턴을 가요성 스탬프에서 기판으로 전사하기에 적합한 다른 임프린팅 장치에 동일하게 적용할 수 있다. 이들 개시내용들은 참조로서 본원에 포함된다.
임프린팅 장치(100)는 가요성 스탬프 및 기판을 유지 및 홀딩하기 위한 시스템을 포함한다. 시스템은 가요성 스탬프(10)의 릴리프 스탬핑 표면의 형태인 임프린팅 패턴(12)을 포함하는 가요성 스탬프(10)를 유지하기 위한 제 1 홀더 또는 캐리어(110)를 포함한다.
임프린팅 장치(100)는 세 개의 데카르트 좌표 X, Y 및 Z로 표현되는 삼차원을 포함하는 기판 홀더(120)에 대해 스탬프 홀더(110)를 배치 및 재배치하기 위한 수단을 더 포함한다. 또한, 병진(translation) 및 방향 둘 다를 이용하여 상대 위치들을 측면으로(기판 홀더(120)에 평행한 방향으로), 수직으로(기판 홀더(120)에 Z-방향 수직으로) 조정하기 위한 수단이 제공될 수 있다. 따라서 명확성을 위해, Z-방향은 XY 평면에 수직이고 도 1에 도시된 이격 방향(30)에 평행하다. 이 예에서, 장치는 자동 변위 디바이스들을 포함한다. 자동 변위 수단은, 예를 들면 기판 홀더(120)에 대한 스탬프 홀더(110)의 방향과 상대적 XYZ 위치들을 정밀하게 제어하기 위한 기계적 또는 전기적 피드백 메커니즘들을 제공하는 기계적 또는 전기적 유닛들을 포함할 수 있다. 이러한 변위 수단은 그 자체로 알려져 있으므로 단지 간략화를 위해 더 이상 상세하게 기술되지 않는다.
기판 홀더(120)는 선택적으로 시스템의 일부일 수 있지만 이것은 필수적인 것이 아니다. 이것은 임프린팅 장치(100)의 자유도를 증가시키기 위해 스탬프 홀더(110)에 대한 상기 제어 수단과 유사한 방식으로 독립적으로 제어될 수 있다. 그러나, 정지된 또는 고정된 기판 홀더(120)를 구비한 임프린팅 장치(100)를 제공하는 것도 동일하게 가능하다.
스탬프는 릴리프 패턴에 따라 임프린트 패턴을 형성하기 위해 달리 평평한 스탬프에 돌출부들 및/또는 홈들의 형태의 형상들을 가질 수 있다. 가요성 스탬프(10) 및 임프린팅 패턴(12)은 임의의 적절한 재료, 예를 들면 폴리실록산-계 재료, 예컨대 폴리디메틸실록산(PDMS)과 같은 적합한(합성) 고무 재료로 실현될 수 있다. 제US20110094403호는 이러한 PDMS 가요성 스탬프들을 제조하는 재료들 및 방법들을 상세하게 개시한다. 본 경우에, 가요성 스탬프(10)는 가요성 스탬프(10)의 릴리프 측에 대향인 배면측에서 지지부로서 얇은 가요성 유리판을 포함한다. 그러나 이 판은 명확성을 위해 도 1에 도시되지 않고, 가요성 스탬프(10)의 본체의 일부인 것으로 가정한다. 임프린팅 패턴(즉, 돌출부들 및/또는 홈들)의 형상 크기는 임의의 적합한 크기일 수 있고, 나노미터 내지 마이크로미터 규모, 즉 10nm 내지 최대 1mm 초과 정도의 형상 크기들을 가진 패턴인 것이 바람직하고, 여기서 형상들의 종횡비(폭 치수로 나누어진 수직 치수)는 8 이상이 될 수 있다. 그러나, 다른 형상 크기들도 역시 고려될 수 있고, 본 발명은 더 작은 종횡비들을 가진 패턴들을 전사하기 위해 동일하게 잘 적용될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들면, 본 발명의 적어도 일부의 실시예들은 0.001 내지 10의 범위의 종횡비를 가진 임프린팅 패턴들을 전사하는데 적합하다.
스탬프 홀더(110)는 스탬프 홀더의 표면에 걸쳐 어레이 또는 그리드로 배열(도면 평면에 수직으로 연장)될 수 있는 복수의 스탬프 인게이징 소자들(112)을 포함한다. 이러한 스탬프 인게이징 소자들(112)은 통상적으로 제 1 구성에서 스탬프 홀더(110)를 향해 가요성 스탬프(10)의 일부를 당기도록, 그리고 제 2 구성에서 스탬프 홀더(110)로부터 가요성 스탬프의 일부를 해제하거나 밀어내도록 구성된다. 도 1에서, 스탬프 인게이징 소자들(112)은 제 1 및 제 2 구성을 각각 제공하기 위해 저압(진공)과 과압 사이에서 스위칭될 수 있는 개구부들에 의해 구현된다. 그러나, 다른 형태들의 스탬프 인게이징 소자들(112), 예를 들면 대응하는 힘을 적합한 가요성 스탬프에 발휘하기 위해 자기 및/또는 전기 활성화를 이용하는 기계 스탬프 인게이징 소자들 및/또는 전기 스탬프 인게이징 소자들을 이용하는 것이 동일하게 가능하다.
개구부들(112)은 임의의 적합한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 개구부들(112)은 홈-형상일 수 있고, 홈들은 스탬프 홀더(110)의 실질적으로 전체 길이 또는 폭에 걸쳐 연장하고; 개구부들(112)은 원-형상일 수 있고, 개구부들(112)은 도 6에 도시된 2-차원 그리드를 규정한다. 다른 적합한 형상들이 당업자에게 명백할 것이다. 홈-형상 개구부들(112)은 예를 들면 가요성 스탬프의 임프린트 방향 및 해제 방향이 동일하거나 서로 대향하는 경우에 적합하며, 하기에 더욱 상세히 기술될 것이다. 도 6에 도시된 원 또는 다른 형상(정사각과 같이)의 개구부들(112)의 2차원 그리드는 예를 들면 가요성 스탬프(10)의 임프린트 방향 및 해제 방향이 서로 상이한 경우에 특히 적합하며, 하기에 더욱 상세히 기술될 것이다.
본 발명의 스탬프 인게이징 소자들 사이의 거리들은 수 cm 내지 수 mm의 범위에 있도록 선택될 수 있다.
각각의 개구부(112)는 제 1 채널(140)(이후 과압 채널로 칭해짐)을 통해 제공되는 과압 소스와 제 2 채널(150)(이후 저압 채널로 칭해짐)을 통해 제공되는 저압 소스, 예를 들면 진공 펌프, 사이에서 개구부(112)를 스위칭할 수 있는 밸브(114)를 포함한다. 각각의 밸브(114)와 저압 채널(150) 사이의 접속은 실선으로 도시되고 각각의 밸브(114)와 과압 채널(140) 사이의 접속은 점선으로 도시된다.
각각의 밸브들(114)은 제어 디바이스에 의해 제어된다. 제어 디바이스는 프로세싱 소자 또는 마이크로프로세서(130)를 포함하고, 이것은 임의의 적합한 형상 또는 형태를 취할 수 있지만, 통상적으로 분리된 전기 부품들로 이루어진 반도체 집적 회로 또는 집적 회로의 형태를 가진다. 프로세싱 소자(130)는 통상적으로 임프린팅 공정 동안 밸브들(114)과 스탬프 홀더(110) 및/또는 기판 홀더(120)를 제어하는 방법에 관해 프로세싱 소자(130)에게 명령하는 컴퓨터 프로그램 코드를 실행한다. 제어 디바이스는 바람직하게 컴퓨터 프로그램 코드를 포함하는 반도체 메모리(RAM 또는 FLASH 또는 기타 유형) 또는 자기 디스크 또는 광 디스크와 같은 컴퓨터 판독 가능한 매체를 포함한다.
부가적으로 또는 상기 제어 디바이스에 대한 대안으로서, 제어 디바이스는 스탬프 인게이징 소자들의 각각에 대한 압력들을 개별적으로 설정하는 것을 허용하는 밸브 시스템을 포함할 수 있다. 본 발명의 방법을 수행하기 위해, 가요성 스탬프(10)는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭함으로써 스탬프 홀더(110)에 부착될 수 있다. 부가의 부착 수단들은 예를 들면 가요성 스탬프(10)의 가장자리 부분 주위에 제공될 수 있다. 이러한 부착 수단은 예를 들면 가요성 스탬프(10)의 가장자리를 스탬프 홀더(110)에 클램핑하는 클램프들을 포함할 수 있지만, 적어도 일부의 실시예들에서는 부가의 부착 수단이 이용되지 않음을 이해해야 한다.
상기 장치를 이용하여 실행될 방법은 임의의 적합한 기판(20)에 대해 수행될 수 있고, 예를 들면 실리콘 기판, 실리콘-상-절연체(SOI) 기판, 실리콘 게르마늄 기판, 유리 또는 석영 또는 고분자 또는 플라스틱 기판과 같은 임의의 반도체 기판이 이용될 수 있고, 모두, 기판의 일부이거나 이에 적용된 적합한 임프린팅 가능한 층과 협력한다. 이러한 기판은 유리, 강성 고분자들(폴리카보네이트) 또는 석영과 같이, 평평하거나 (부분적으로) 곡선이거나, 투명하거나 투명하지 않다.
임프린팅을 가능하게 하기 위해, 이 경우의 기판(20)은 임프린팅을 위한 임의의 적합한 재료일 수 있는 레지스트층(22)을 가질 수 있다. 예를 들면, 레지스트층(22)은 레지스트층(22)에서 임프린팅 패턴(12)을 고정하기 위해 응고(경화)될 수 있는 액체(어떤 적합한 점도의) 경화 가능한 재료를 포함할 수 있다. 이 예에서, 레지스트층(22)은 졸-겔 재료를 포함한다. 이러한 재료의 적합한 예는 제WO09/141774A1호에 개시된다. 적합한 레지스트 재료들의 다른 예들은 예를 들면 제US 2004/0261981A1호, 제WO2005/101466A2호, 제US2005/0230882A1호, 제US2004/0264019호 및 비-특허 출판 고급 재료들, 1998년, 제10(8)권, 571페이지에서 찾을 수 있다. 상기 예에서, 스탬프 홀더(110)는 특정 명령들에 따라 제어 디바이스의 프로세싱 소자(130)에 의해 제어된다.
스탬프 홀더(110)는 가요성 스탬프가 기판으로부터 갭(30)에 의해 분리되도록 기판 홀더(120)에 대해 배치되고, 갭 크기는 프로세싱 소자(130)에 의해, 예를 들면 기판 홀더(120)에 대해 스탬프 홀더(110)를 배치 및 재배치하기 위한 수단을 인게이징함으로써 제어될 수 있다.
특정 실시예에서, 별개의 임프린팅 및 프로세싱 단계들에 있을 때, 프로세싱 소자(130)는 임프린팅 단계와 해제 단계 사이에서 갭의 크기를 변경하도록 프로그래밍될 수 있다. 구체적으로, 프로세싱 소자(130)는, 갭 크기를 증가시키는 것이 현상된 레지스트층(22)으로부터 임프린팅 패턴(12)의 해제를 도울 수 있으므로 임프린팅 단계의 완료시(레지스트층(22)을 현상한 후) 갭의 크기를 증가시키도록 프로그래밍될 수 있고, 이것은 하기에 더욱 상세히 설명될 것이다.
상기 예에서, 과압 채널(140)은 프로세싱 소자(130)의 제어하에 있는 압력 조절기(140)를 포함한다. 이것은 예를 들면, 임프린팅 또는 해제 단계 동안 과압을 변화시키는 것을 용이하게 하며, 하기에 더욱 상세히 설명될 것이다.
임프린팅 장치(100)는 사용자가 원하는 임프린팅 공정에 따라 임프린팅 장치(100)를 구성하도록 허용하기 위해 사용자 인터페이스, 예를 들면 키보드, 마우스, 트랙볼 등과 같은 적어도 하나의 명령들 입력 디바이스를 포함하는 사용자 단말기를 구비할 수 있다. 임의의 적합한 사용자 인터페이스가 이용될 수 있음을 이해해야 한다.
상기 언급된 바와 같이, 프로세싱 소자(130)는 본 발명의 임프린팅 방법의 일 실시예에 따라 스탬프 홀더(110), 밸브들(114) 및/또는 압력 조절기(142)를 제어하도록 구성된다. 이를 위해, 임프린팅 장치(100)는 제어 디바이스의 일부로서 메모리 디바이스, 예를 들면 플래시 메모리, RAM 또는 ROM, 반도체 디스크, 자기 디스크 등과 같은 컴퓨터-판독 가능한 데이터 저장 매체들(도시되지 않음)을 더 포함할 가능성이 있다. 데이터 저장 매체는 프로세싱 소자(130)에 의한 실행을 위한 컴퓨터 프로그램 코드를 포함하고, 컴퓨터 프로그램 코드는 프로세싱 소자(130)로 하여금 본 발명의 실시예들에 따른 임프린팅 방법의 다양한 단계들을 구현하게 한다. 데이터 저장 매체는 임프린팅 장치(100)의 임의의 적합한 위치에 저장될 수 있고; 데이터 저장 매체는 프로세싱 소자(130)에 통합될 수 있거나, 또는 예를 들면, 프로세싱 소자(130)와 데이터 저장 매체 사이의 데이터 통신 버스 또는 점-대-점 접속을 통해, 임의의 적합한 방식으로 프로세싱 소자(130)에 의해 액세스 가능한 별도의 구성요소일 수 있다. 프로세싱 소자는 데이터를 전송하기 위해 및/또는 컴퓨터 프로그램 제품을 전송 또는 다운로드 또는 실행하기 위해 LAN, 무선 LAN 등과 같은 데이터 네트워크에 접속될 수 있다.
기판 및 가요성 스탬프가 상술된 장치에 삽입되었을 때, 본 발명에 따라 임프린팅 장치(100)를 이용하는 임프린팅 공정은 다음과 같을 수 있다. 릴리프 패턴(12)을 포함하는 가요성 스탬프(10)가, 예를 들면 개구부들(112)이 저압 채널(150)에 접속되도록 밸브들(114)을 스위칭함으로써, 스탬프 홀더(110)에 부착되고, 채널이 진공 펌프와 같은 저압-공급 소스에 접속될 수 있다. 스탬프 홀더(110)는 후속적으로 적합한 레지스트층(22)으로 코팅된 기판(20)을 가지는 기판 홀더(120)에 대해 릴리프 패턴(12)이 레지스트층(22)에 면하도록 배치된다. 스탬프 홀더(110)는 통상적으로 갭(30)이 존재하도록 기판 홀더(120)에 대해 배치되고, 갭(30)은 임프린팅 동안 가요성 스탬프(10)와 기판(20) 사이에 양호한 등각 접촉을 형성하는 것을 보장하기 위해 임프린팅 장치(100)의 사용자에 의해 규정될 수 있다. 갭(30)은 임의의 적합한 범위에서 선택될 수 있다; 예를 들면 임프린팅 패턴(12)이 나노미터 규모의 형상 패턴인 공정에서, 갭(30)은 10 내지 500㎛의 범위에서, 바람직하게 20 내지 200㎛의 범위에서, 더욱 바람직하게 10 내지 100㎛의 범위에서 선택될 수 있다. 또한, 갭을 설정하는 방법에 관한 부가의 세부사항들에 대해서는 제US20100083855호를 참조한다. 기판 홀더(120)에 대해 스탬프 홀더(110)를 배치할 때, 임프린팅 공정은 임프린팅 단계로 진행하고, 여기서 가요성 스탬프(10)의 릴리프 스탬핑 표면(12)과 기판(20)의 수용 표면이 서로 접촉하는 (초기) 접촉 영역(24)이 생성된다. 이 예에서, 릴리프 스탬핑 표면은 이 접촉 영역의 레지스트층에 임베딩될 것이다. 접촉 영역(24)은 기판(20)을 접촉하려는 전체 임프린팅 패턴(12)이 한 시점에서 이 기판과 접촉하게 될 때까지 기판 표면 위에서 점차적으로 확장되거나 변위된다. 이를 위한 상세한 공정은 도 2의 도움으로 설명된다. 도 2에서 임프린팅 패턴(12)은 단지 명확성을 위해 생략되었고; 이것은 임프린팅 패턴이 없는 것으로 해석되어서는 안됨을 유념한다.
도 2의 상단부에서도 볼 수 있는 바와 같이, 과압 채널(140) 위의 수평 화살표 방향으로 선택된 개구부들(112)을 저압에서 과압으로 개별적으로 스위칭함으로써, 초기 접촉 영역(24)이 가요성 스탬프(10)와 기판(20) 사이에 생성된다. 도 2에서, 명확성을 위해 밸브들(114)과 각각의 채널들(140 및 150) 사이의 선택된 접속들만이 도시된다. 이것은, 레지스트층(22)을 가지는 기판(20)을 포함하는 기판 홀더(120)와 가요성 스탬프(10) 사이의 접촉 영역(14)을 확립하기 위해 스탬프 홀더(110)에서 기판 홀더(120) 쪽으로 가요성 스탬프(10)의 일부를 팽창시킨다(bulge). 접촉 영역의 가장자리들은 접촉 영역의 한계를 정하며, 즉 이들은 기판과 접촉하는 스탬프의 부분(들)과 기판과 접촉하지 않는 스탬프의 부분들의 한계를 정한다. 일부 또는 전체 가장자리는 기판 표면을 따라 이동될 수 있는 접촉 프론트인 것으로 규정될 수 있다.
접촉 영역(24)은 이제 접촉 영역(24)의 하나 이상의 가장자리들을 이동시킴으로써 확장된다. 본 예에서 접촉 영역의 우측 상의 하나의 접촉 프론트는, 도 2의 하단부에 도시된 바와 같이, 밸브(114)를 제어함으로써 이전 개구부의 우측에 있는 다음 개구부(112)를 저압에서 과압으로 순차적으로 및 후속적으로 스위칭함으로써 상술된 화살표(우측에)의 방향으로 이동된다. 이 공정은 접촉 영역(24)이 기판(20)의 전체 원하는 영역에 걸쳐 확립될 때까지, 즉 임프린팅 패턴(12)의 원하는 부분이 레지스트층(22)과 접촉하게 될 때까지 반복된다.
스탬프가 레지스트층과 접촉하지만, 경화 공정은 릴리프 패턴에 굳어지도록 레지스트층이 응고되게 수행될 수 있다. 경화 공정들은 본원의 하기에 기술될 것이다.
대안적인 임프린팅 단계에서, 접촉 영역은 임프린팅될 전체 기판 영역에 미치도록 확장되지 않거나 완전히 확장되지 않지만, 기판 표면을 따라 변위되기도 한다. 이것이 발행하는 경우, 상기 이동하는 접촉 프론트의 대향측의 가장자리는 또한 팽창된 영역 내의 개구부들을 저압으로 순차적으로 및 후속적으로 스위칭함으로써 동일한 방향으로 이동되어야 한다. 레지스트층의 응고는 스탬프가 레지스트 재료와 접촉할 때 접촉 영역에서 수행되어야 한다.
도 1과 함께 기술된 장치 및 기술된 방법에서 스탬프는 기판 위에 위치되어 그 패턴을 기판에 아래로 향하게 한다. 다른 예에서, 스탬프 및 기판 홀더들의 전체 구성은 스탬프가 기판 아래에 있으면서 여전히 기판을 릴리프 측면과 대면하게 하도록 뒤집어진다. 그 후에 갭(30)을 브리징하도록 스탬프를 올리기 위해 스탬프를 유지하는 밸브들의 적어도 일부에 힘(과압)을 인가함으로써 기판과 스탬프 사이의 초기 접촉이 만들어진다. 나머지 방법은 여전히 동일할 수 있다.
접촉 프론트의 이동 속도(접촉 영역(24)의 생성 속도에 관련됨)는 통상적으로 다음 개구부들(112)이 과압으로 스위칭되는 속도에 의해 및 갭(30)의 크기에 의해 결정된다. 접촉 프론트 이동의 통상적 속도들은 5 내지 100mbar의 범위의 압력을 개구부들(진공 노즐들)에 인가할 때 0.25 내지 1cm/s일 수 있다. 부가의 세부사항들은 제US20100083855호에서 찾을 수 있다. 스탬프가 스탬프 홀더(110) 또는 기판(20)에 의해 접촉되지 않는 접촉 프론트와 연관되는 브리지 폭 W는 예를 들면 10 내지 50mm에서 선택될 수 있다. 주로 갭 크기, 가요성 스탬프(10)의 휨 강도 및 인가된 압력의 함수인 브리지 폭은, 개구부 피치가 충분히 작게 선택되고 따라서 브리지를 제한하지 않는다고 가정하면, 획득 가능한 임프린트 속도 및 스탬프 해제 속도에 영향을 미친다. 갭이 클수록 기판의 총 두께 편차(TTV)(휜 기판들에 중요)를 많이 허용하고 갭 설정을 덜 중요하게 만든다(예를 들면, 허용된 더 많은 편차, 웨지). 갭이 작을수록 임프린팅 속도들을 더 고속으로 허용한다. 비-제한적인 예를 들면, 임프린트 속도(개구부(112)를 저압에서 과압으로 스위칭하는 사이의 지연)는100micron의 갭(30)에 대한 개구부당 ~0.8 내지 1.5sec, 예를 들면 1.92mm/sec이지만, 갭(30)이 50micron일 때 최대 8.33mm/sec(0.3sec 지연)일 수 있다. 상이한 속도들 및 상이한 개구부 거리들이 동일한 것도 당연히 가능하다.
개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 속도는 통상적으로 임프린팅 패턴(12)과 기판(20) 사이에서 양호한 등각 접촉이 확립되는 것을 보장하도록 선택된다. 예를 들면, 가요성 스탬프(10)의 임프린팅 패턴(12)에서의 리세스들로부터 비롯되는 특히 모세관 힘들에 의해 레지스트층(22)으로, 또는 예를 들면 판데르 발스 힘과 같은 재료 간섭력들 또는 다른 분자간 힘들에 의해 건식 기판(20) 상으로 당겨지도록 가요성 스탬프(10)의 일부가 기판(20)에 접촉하게 허용하도록 선택될 때 이러한 양호한 등각 접촉은 스위칭 속도가 달성된다.
스탬프 상의 패턴이 가지는 모세관 힘들과 같은 힘이 기판 레지스트가 이러한 패턴으로 임프린팅될 수 있는 고유 속도에 큰 영향을 미치는 것으로 나타난다. 흔히, 임프린팅될 패턴은 전체 스탬프에 걸쳐 균일하지 않고 따라서 이러한 고유 속도는 전체 패턴으로 기판을 임프린팅하는 동안 변화할 수 있다.
임프린트 단계의 속도를 일률적으로 올리기 위해 이러한 변동들을 이용할 수 있기 위해, 본 발명의 적어도 일부의 실시예들에 따라, 프로세싱 소자(130) 및 또는 제어 디바이스는 개구부들(112)을 가진 소자들과 같은 스탬프 인게이징 소자들이 특정 공정 파라미터들에 의존하여 과압으로 스위칭되는 속도를 변화시키도록 구성되고, 이것은 하기에 더욱 상세히 설명될 것이다. 이것은 종래 기술의 임프린팅 방법들에 비해 임프린팅 단계 동안 상당히 감소될 수 있고, 이 속도는 통상적으로 임프린팅 단계 동안 최악의 경우의 시나리오, 즉 그 단계의 속도가 특정 패턴 부분에 관련된 가장 느린 고유 속도에 기초하는 경우에 기초하여 일정하다. 이에 반해, 본 발명의 적어도 일부의 실시예들에 따라, 이 속도는 임프린팅 단계의 특정 시기들 동안 증가될 수 있고, 그에 의해 이 단계의 전체 구간을 감소시킨다고 인식되었다.
임프린팅 패턴(12)과 기판(20) 사이에 원하는 접촉 영역이 확립되었으면, 레지스트층(22)은 스탬프가 레지스트/기판과 접촉하는 동안 예를 들면 UV 또는 가시광, 열과 같은 외부 자극들 또는 본 기술분야에 알려진 다른 자극에의 노출에 의해 후속적으로 임의의 적합한 방식으로 현상, 예를 들면 경화된다. 이것은 레지스트층(22)을 응고하며, 이것은 현상된 레지스트층(22)에 임프린팅 패턴(12)을 고정한다.
이 방법 단계에서, 갭(30)은 임프린팅 패턴(12)이 현상된 레지스트층(22)으로부터 해제되는 해제 속도의 구간을 감소시키기 위해 조정, 즉 증가될 수 있다. 모든 갭 설정들이 스탬프의 자동 해제를 용이하게 하는 것은 아니다. 임프린팅 패턴(12) 및 레지스트층(22)의 형태에 의존하여, 스탬프(10)는 응고된 레지스트와 스탬프 사이의 비교적 높은 힘에 의해 임프린팅된 현상된 레지스트층(22)에 부착될 수 있다. 생성될 수 있는 해제력은 더 큰 갭(30)에 대해 더 높다. 예를 들면, 스탬프(10)는 갭(30)이 50micron으로 설정되는 경우 현상된 레지스트층(22)으로부터 해제될 수 있지만, 이 갭이 100micron인 경우 해제될 수 있다는 것이 가능하다. 이것은 스탬프가 해제되는 방식으로 인한 것이며, 도 3의 도움으로 더욱 상세히 설명되는 바와 같다.
이 해제 단계 동안, 개별 개구부들(112)은 프로세싱 소자(130)가 각각의 밸브들(114)을 제어함으로써 과압 채널(140)에서 저압 채널(진공)(150)로 스위칭되고, 이것은 가요성 스탬프(10)로 하여금 상향 이동되게 하며, 즉 가요성 스탬프(10)가 현상된 레지스트층(22)으로부터 박리되고, 그에 의해 진공을 밀봉하고 브리지 길이 W를 하나의 개구부 피치만큼 단축시킨다. 이것은 접촉 영역(24) 상의 힘을 증가시키고 더 많은 개구부들(112)이 도 3의 하단부에 도시된 바와 같이, 해제 측면에서 수평 화살표의 방향으로 접촉 영역(24)의 접촉 프론트를 변위시키기 위해 저압으로 스위칭될 때, 브리지는 그 힘이 기판 홀더(120)에 의해 운반되는 기판(20)상의 현상된 레지스트층(22)으로부터의 가요성 스탬프(10)의 임프린팅 패턴(12)의 해제력과 동일할 때까지 더 단축된다. 이것은 그 후에 스탬프의 해제에 의해 완화된다. 갭(30)이 클수록, 기판 웨이퍼에 수직인 힘이 크고, 그에 의해 스탬프 해제를 용이하게 한다. 또한, 이러한 더 큰 갭(30)에 의해 유발되는 더 긴 브리지 길이는 예를 들면 가요성 스탬프(10)의 외부 가장자리와 접촉하는 개구부들(112) 대신에 가요성 스탬프(10)를 유지하는 스탬프 홀더(110)의 개구부들(112)과 스탬프(10)의 일부 사이의 진공 밀봉이 손상되기 전에 더 많은 힘이 인가되도록 허용한다.
이 점에서, 스탬프 해제 동안, 가요성 스탬프(10)는 스탬프를 해제하는데 필요한 힘과 평형 상태에 있음을 유념한다. 다음 개구부(112)는 개구부-대-개구부 간격에 필적하는 크기를 가진 가요성 스탬프(10)(평균적으로)의 일부가 해제된 후에만 저압, 예를 들면 진공으로 스위칭될 수 있다. 따라서, 기판(20)으로부터 가요성 스탬프(10)의 해제 속도(해제 접촉 프론트의 이동 속도)는 마찬가지로 갭 설정에 의해 결정될 것이다. 예를 들면, 가요성 스탬프(10)가 50micron 및 100micron의 갭을 이용하여 해제될 수 있는 경우, 100micron의 갭에 대한 해제 속도는 50micron 갭의 속도보다 높을 것이므로, 더 높은 해제 속도, 즉 개별 개구부들(112)이 수평선으로 표시된 방향을 따라 저압으로 스위칭되는 속도는 프로세싱 소자(130)에 의해, 즉 대응하는 밸브들(114)을 저압 채널(150)로 주기적으로 스위칭함으로써 인가될 수 있다. 본 발명자들은 전체 임프린팅 공정의 가장 높은 처리량에 대해, 임프린팅 단계에 대해 설정한 갭(30)이 도 3에 도시된 해제 단계 동안 최적의 스탬프 해제에 필요한 갭(30)과 상이할 수 있다고 인식되었다.
종래 기술의 임프린팅 장치(100)에서, 프로세싱 소자(130)는 통상적으로 해제 동안 현상된 레지스트층(22)을 포함하는 기판(20)으로부터 가요성 스탬프(10)를 일정한 속도로 해제하도록 구성된다. 본 발명의 적어도 일부의 실시예들에 따라, 프로세싱 소자(130)는, 하기에 더욱 상세히 설명되는 바와 같이, 개구부들(112)이 특정 공정 파라미터들에 의존하여 저압으로 스위칭되는 속도를 변화시키도록 구성된다. 이것은 종래 기술의 임프린팅 방법들에 비해 해제 단계의 구간을 상당히 감소시킬 수 있고, 이 속도는 통상적으로 전체 해제 단계 동안 최악의 경우의 시나리오(또한 상기 임프린트 단계에 대한 추론을 비교)에 기초하여 일정하다. 이에 반해, 본 발명의 적어도 일부의 실시예들에 따라, 이 속도는 해제 단계의 특정 시기들 동안 증가될 수 있고, 그에 의해 이 단계의 전체 구간을 감소시킨다고 인식되었다.
접촉 형성의 속도가 임프린팅 단계 동안 변화될 수 있는 가능한 시나리오들의 제 1 세트가 기판 홀더(120)의 평면(상단부) 및 단면(하단부)을 도시한 도 4에 도시된다. 도 4는 하기에 더욱 상세히 설명하게 될 여러 실시예들을 조합하지만, 이 실시예들은 본 발명의 개시내용들을 벗어나지 않고 별개로 동일하게 적용될 수 있음을 이해해야 한다. 도 4에서, 기판 홀더(120)는 가장자리부(122)를 포함하고, 이것은 통상적으로 기판(20)이 놓여야 할 영역의 범위를 정하는 가장자리이다. 즉, 가장자리부(122)는 기판(20)에 대한 홀더로서 기능한다. 도 4에서, 가장자리부(122)는 단지 비-제한적인 예로서 기판(20)과 동일한 높이를 가지도록 도시된다. 가장자리부(122)는 기판(20)과 상이한 높이를 가질 수 있고, 특히 가장자리부(122)가 임프린팅 공정 동안 가장자리부(122)에 인접한 기판(20)의 가장자리 영역과 가요성 스탬프(10) 사이의 접촉과 방해하지 않도록 낮은 높이를 가질 수 있음을 이해해야 한다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 접촉 프론트가 도 2에 도시된 임프린팅 단계 동안 접촉 영역(24)을 확장하기 위해 이동될 수 있는 속도는 기판 홀더(120)의 어떤 구역 또는 영역으로 접촉 영역(24)이 연장되는지에 따라 변화될 수 있다.
도 4는 5개의 상이한 구역들(Z1 내지 Z5)을 도시한다. 임프린팅 공정은 통상적으로 구역 Z1에서 가요성 스탬프(10)와 기판 홀더(120) 사이의 초기 접촉 영역(24)을 확립함과 함께 또한 제 1 접촉 프론트들을 규정함으로써 시작한다. 이를 위해, 구역 Z1은 선택적으로 기판 홀더(120)에 대해 스탬프 홀더(110)를 바르게 정렬하기 위한 하나 이상의 정렬 마커들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 가요성 스탬프(10)와 기판 홀더(120) 사이의 접촉의 품질이 이 구역에서 결정적으로 중요하지 않으므로, 구역 Z1에서 접촉 영역(14)은 상대적으로 높은 속도로 확립될 수 있고, 즉 후속 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 지연이 상대적으로 짧을 수 있다.
접촉 영역(14)의 접촉 프론트가 영역 Z2에 도달할 때, 가요성 스탬프(10)와 기판(20) 사이의 접촉이 개시된다. 이 시점에서, 가요성 스탬프(10)와 기판(20) 사이의 양호한 등각 접촉이 확립되는 것과, 이 부분의 접촉 영역에의 기포들의 포함이 회피되는 것이 중요하다. 따라서, 구역 Z2에 도달할 때, 대응하는 밸브(114)의 제어에 의해 다음의 라인 내의 개구부(112)를 과압으로 주기적으로 스위칭함으로써 접촉 영역(24)을 확장하는 속도가 적절하게 감소되는 것이 바람직하다. 선택적으로, 선택된 개구부들(112)에 의해 인가된 과압은 이 구역에서 가요성 스탬프(10)와 기판(20) 사이의 접촉을 더욱 개선하기 위해, 접촉 영역(114)의 접촉 프론트가 구역 Z2를 통해 이동하는 동안 일시적으로 증가될 수 있다. 이것은 임프린팅 단계의 이 단계에서 압력 조절기(142)를 적절하게 구성하는 프로세싱 소자(130)에 의해 달성될 수 있다. 과압의 이러한 증가는 저압(진공)으로 스위칭되는 개구부들(112)의 적어도 일부를 통한 누설을 증가시킬 수 있고, 이것은 가요성 스탬프(10)의 스탬프 홀더(110)에의 고정 강도를 감소시킬 수 있음을 유념한다. 그러나, 이것은 접촉 영역(24)이 상대적으로 작은 한 무시할 수 있는 문제이다.
접촉 영역(24)의 접촉 프론트가 구역 Z3으로 확장할 때, 가요성 스탬프(10)와 기판(20) 사이의 등각 접촉이 잘-확립되어서, 이 시점에서 접촉 프론트 이동 속도(접촉 영역(24)의 확장 속도)는, 즉 다음의 라인 내의 개구부들(112)의 밸브들(114)이 과압 채널(140)로 스위칭되는 속도를 증가시킴으로써 다시 증가될 수 있다. 동시에, 이 과압이 이전에 설명된 바와 같이 일시적으로 증가된 경우에 프로세싱 소자(130)가 압력 조절기(142)를 적절하게 제어함으로써 과압을 초기 값으로 감소시키는 것이 바람직하다. 접촉 프론트 이동 속도는 통상적으로 접촉 영역(24)의 미리 결정된 양이 확립되었을 때 증가된다. 미리 결정된 양은 실험을 통해 결정될 수 있고, 가요성 스탬프(10) 및 레지스트층(22)의 재료와 같이 통상적으로 이용된 재료에 의존할 것이다. 임프린팅 단계 동안, 이러한 더 높은 속도는 구역 Z5에 도달될 때까지 유지될 수 있다.
유사하게, 해제 단계 동안, 현상된 레지스트층(22)으로부터 가요성 스탬프(10)를 해제하기 위해 극복해야 할 힘들은 가장자리에서부터 기판(20)의 중심을 향해 점진적으로 증가한다. 결과적으로, 가요성 스탬프(10)와 현상된 레지스트층(22) 사이의 접촉 영역을 점진적으로 감소시키기 위해, 선택된 개구부들(112)에 저압이 인가되는 속도는 가장자리 구역들 Z3 및 Z5에 비해 중앙 구역 Z4에서 감소될 수 있다.
이 시점에서, 기판으로부터 스탬프의 해제 동안 접촉 프론트의 변동은, 즉 개구부들(112)이 중앙 구역 Z4에 비해 외부 구역들 Z3 및 Z5에서 저압으로 스위칭되는 속도는, Z1 내지 Z3에서, 접촉 프론트 형성 프론트의 변동에, 즉 개구부들(112)이 과압으로 스위칭되는 속도에 무관할 수 있음을 유념한다. 즉, 이들 변동들은 본 발명의 실시예들과 무관하고, 실시예들은 선택적으로 서로 조합될 수 있다.
도 5는 구역들이 상이한 형상 밀도들을 가진 임프린팅 패턴(12)을 가진 가요성 스탬프(10)를 개략적으로 도시한다. 도 5에서, 높은 형상 밀도를 가진 제 1 구역 R1 및 낮은 형상 밀도(예를 들면, 무형상)를 가진 제 2 구역 R2가 비-제한적인 예의 방식으로 도시되고; 본 발명의 임프린팅 방법의 실시예들에 따른 사용을 위한 통상적인 가요성 스탬프(10)가 상이한 형상 밀도들에 의해 특징지워지는 많은 상이한 구역들을 포함할 수 있다는 것이 본 기술분야의 통상의 기술자에 의해 즉시 이해될 것이다. 도 5는 하기에 더욱 상세하게 설명하게 될 여러 실시예들을 조합하고, 실시예들은 본 발명의 개시내용을 벗어나지 않고 별개로 동일하게 적용될 수 있음을 이해해야 한다.
가요성 스탬프(10)가 이러한 상이한 구역들이 상이한 형상 밀도들을 가지는 임프린팅 패턴(12)을 포함하는 경우에, 현상된 레지스트층(22)으로부터 임프린팅 패턴을 해제하기 위해 개별 개구부들(112)이 저압으로 스위칭되는 속도는 이들 상이한 구역들에 따라 변화될 수 있다고 본 발명자들에 의해 인식되었다. 특히, 상대적으로 높은 형상 밀도를 가진 구역들 R1은 더 높은 유효 접촉 영역을 나타낸다(이 유효 접촉 영역은 접촉 영역(24)과 혼동되어서는 안된다). 유효 접촉 영역을 이용하는 것은, 더 조밀한 형상들로 인해, 임프린팅 패턴(12) 및 현상된 레지스트층(22)의 대응하는 형상들 사이(스탬프 재료와 레지스트/기판 사이)의 더 큰 영역의 접촉을 제공하는 더 많은 릴리프가 존재할 수 있고, 이것은 현상된 레지스트층(22)으로부터 가요성 스탬프(10)의 구역 R1을 해제하는데 더 높은 힘이 요구될 것임을 의미하는 것을 의미한다. 따라서, 이 구역은 가요성 스탬프(10)가 현상된 레지스트층(22)으로부터 악영향 없이 해제되는 것을 보장하기 위해 구역 R2보다 낮은 속도로 해제되는 것이 바람직하다.
선택적으로, (아직) 저압으로 스위칭되지 않은 개구부들(112)에 적용된 과압은 해제 단계 동안 감소될 수 있는데, 이것이 더 적은 누설을 유발할 것이고 따라서 저압으로 스위칭된 개구부들(112)에 대한 양호한 진공을 유발할 것이기 때문이다. 이것은, 특히 높은 종횡비 임프린팅 패턴들(12)을 가진 가요성 스탬프들(10)을 해제하는데 도움을 줄 더 높은 해제력을 생성한다.
일 실시예에서, 또한, 특정 형태들의 임프린팅 패턴들(12)에 대해, 임프린팅 단계 동안 접촉 영역(24)의 접촉 프론트가 향하여 이동하는 방향은 접촉 영역(24)의 접촉 프론트가 해제 단계 동안 현상된 레지스트층(22)으로부터 해제되어야 하는 방향과 상이할 수 있다고 인식된다. 이러한 맥락에서, 상이한 방향은 해제 단계 동안 접촉 프론트가 따르는 경로가 임프린팅 단계 동안 접촉 프론트가 따르는 경로와 상이하다는 것을 의미하기 위한 것이고; 즉 상이한 방향은 임프린팅 단계의 역방향을 포함하지 않는다.
이러한 임프린팅 패턴의 비-제한적인 실시예는 도 5에 개략적으로 도시된 격자(grating)이다. 가요성 스탬프(10)와 기판(20) 사이의 등각 접촉의 형성을 지원하는 모세관 힘들의 전적인 이점을 취하기 위해, 임프린팅 단계는 격자선들과 평행하게 수행되어야 한다. 대조적으로, 현상된 레지스트층(22)으로부터 임프린팅 패턴(12)의 해제는 현상된 레지스트층(22)으로부터 임프린팅 패턴(12)을 격자선들(도 5의 구역들 R1에서 음영선들)에 수직인 방향으로 해제할 때 더욱 쉽게 달성될 수 있다. 임프린팅과 해제 사이의 이러한 상이한 방향이 유리한 임프린팅 패턴들의 다른 예들은 당업자에게 명백할 것이다. 이전에 설명된 바와 같이, 이러한 다방향 임프린팅 및 해제는 도 6에 도시된 스탬프 홀더(110)에 의해 용이해질 수 있다.
이 시점에서, 본 발명의 임프린팅 장치(100)의 실시예들은 단지 비-제한적인 예의 방식으로 개구부들(112)을 가요성 스탬프(10)의 스탬프 인게이징 소자들로서 가지도록 도시됨을 유념한다. 예를 들면, 개구부들(112)을 기계적 스탬프 인게이징 소자들, 예를 들면 플런저들(plungers) 등에 의해 대체하는 것이 동일하게 가능하며, 기계적 스탬프 인게이징 소자들은, 제 1 구성에서, 기계적 스탬프 인게이징 소자들이 가요성 스탬프의 부분을 스탬프 홀더(110)쪽으로 당기고, 제 2 구성에서, 기계적 스탬프 인게이징 소자들이 기판(20)에 대해 가요성 스탬프의 부분을 밀도록
프로세싱 소자(130)에 의해 개별적으로 제어될 수 있다. 또한, 전기 소자들이 예를 들면 자석들 또는 전자석들에 기초하여 이용될 수 있다. 전기 소자들은 자력에 반응하는 백플레인, 예를 들면 적합한 금속으로 이루어진 백플레인을 구비한 가요성 스탬프와 함께 이용될 수 있다. 본 기술 분야의 통상의 기술자는 이들 스탬프 인게이지 소자들 및 대응하는 구동 수단을 구현하는 방법을 알 것이다.
이러한 기계적 스탬프 인게이징 소자들 또는 전기적 스탬프 인게이징 소자들 등은 완전히 유사한 방식으로, 예를 들면 이들 기계적 스탬프 인게이징 소자들이 임프린팅 단계 동안 제 1 및 제 2 구성들 사이에서 스위칭되는 속도 및/또는 이들 기계적 스탬프 인게이징 소자들이 해제 단계 동안 제 2 및 제 1 구성들 사이에서 스위칭되는 속도를 변화시킴으로써 제어될 수 있다고 본 기술 분야의 통상의 기술자에 의해 즉시 인식될 것이다. 또한, 의심의 소지를 피하기 위해 가요성 스탬프(10)가 임의의 적합한 방식으로, 예를 들면 클램핑 수단, 접착 수단, 흡입 수단 등을 이용하여 이러한 기계적 스탬프 인게이징 소자들 상에 고정될 수 있음을 유념한다. 이러한 고정 수단이 그 자체로 잘 알려져 있으므로, 이것은 단지 간략화를 위해 더 상세히 설명되지 않을 것이다.
데이터 네트워크로부터 다운로드 가능하고 컴퓨터-판독 가능한 데이터 캐리어 상에 저장되며, 프로세싱 소자(130) 상에서 실행될 때 본 발명의 방법의 하나 이상의 실시예들을 구현하는 컴퓨터 프로그램 코드를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품이 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 코드는 통상적으로 임프린팅 장치(100)에 존재하는 제어 디바이스의 프로세싱 소자(130) 상에서 실행될 수 있고, 이 방법의 하나 이상의 실시예들에 따라, 프로세싱 소자(130)로 하여금 제어 디바이스와 함께 이러한 디바이스를 포함하는 임프린팅 장치(100)를 제어하게 하는 코드이다. 따라서, 제어 디바이스 및/또는 임프린팅 장치(100)는 컴퓨터 프로그램 제품을 포함할 수 있다. 임의의 적합한 컴퓨터 판독 가능한 데이터 캐리어가 이용될 수 있고; 이러한 컴퓨터-판독 가능한 데이터 캐리어의 비-제한적인 예들은 CD, DVD, 플래시 메모리, 반도체 또는 자기 디스크와 같은 인터넷-액세스 가능한 데이터 캐리어 등을 포함하며, 디스크는 인터넷 서버에 위치될 수 있다.
일 실시예에서, 컴퓨터 프로그램 코드의 양태들은 GDSII 파일과 같은 가요성 스탬프(10)의 임프린팅 패턴(12)을 지정하는 디자인 파일로부터 도출될 수 있다. 특히, 이러한 파일은, 임프린팅 패턴(12)의 형상 변동들을 설정하고, 임프린팅 단계에서 요구된 속도 변동들, 임프린팅 방향, 임프린팅 단계와 해제 단계 사이의 갭 치수의 변경, 해제 단계에서 요구된 속도 변동들, 접촉 프론트 이동 속도가 일정하게 유지되어야 하는 미리 결정된 거리들을 결정하는 해제 방향, 등과 같은 최적의 임프린팅 공정 파라미터들을 도출하기 위해 자동으로 평가될 수 있다. 이들 도출된 파라미터들은 프로세싱 소자(130)에 의해 실행될 임프린팅 장치 제어 프로그램에 포함될 수 있다. 공정 파라미터들의 이러한 포함은 룩업 테이블의 형태로 행해질 수 있다.
룩업 테이블은 디자인 파일 업 프론트(design file up front)에 기초하여 파라미터들이 주어질 수 있지만, 대안적으로 장치는 프린팅 패턴 디자인에 관련된 정보를 도출하기 위해 설치된 가요성 스탬프를 검사하기 위한 카메라와 같은 검사 디바이스를 포함할 수 있다. 이러한 파일로부터 상술된 파라미터들을 결정하는 소프트웨어가 다시 이용될 수 있다.
본 발명은 지금부터 다음의 예들의 도움으로 설명될 것이다. 이들 예들은 단지 예시의 목적일 뿐 어떤 방식으로든 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아님을 이해해야 한다.
다음의 예들에서, 졸-겔 레지스트층(네덜란드, 아인트호벤에서 필립스 혁신 서비스로부터 이용 가능한 필립스 UV 졸-겔 V4)을 포함하는 실리콘 기판을 임프린탕하기 위해 지정된 패턴을 가진 PDMS 스탬프를 이용하여 다수의 패턴들이 프린팅되었다. 각각의 예에서, 일정한 임프린팅 및 해제 속도가 이용되는 임프린팅 사이클(고정 공정으로 라벨이 붙여진)의 처리 시간은 임프린팅 속도와 해제 속도 중 적어도 하나가 변화되는 임프린팅 사이클(동적 공정으로 라벨이 붙여진)에 비교된다.
예 1
PDMS 스탬프: 400nm 피치, 100nm 깊이의 바둑판 패턴.
고정 공정:
- 임프린트 사이클: 100micron 갭, 20mBar 과압, 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 1sec 지연.
- 해제 사이클: 100micron 갭, 20mBar 과압, 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 1sec 지연.
총 공정 시간: 160sec.
동적 공정:
- 임프린트 사이클: 50micron 갭; 20mBar 과압; 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 0.3sec 지연.
- 해제 사이클: 100micron 갭; 20mBar 과압; 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 0.5sec 지연.
총 공정 시간: 64sec.
예 2
예 1에서와 동일한 스탬프 및 고정 공정이 이용되었다. 동적 공정 조건들은 다음과 같이 변경되었다:
동적 공정:
- 임프린트 사이클: 50micron 갭; 20mBar 과압; 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 0.2sec 지연.
- 해제 사이클: 100micron 갭; 10mBar 과압; 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 0.3sec 지연.
총 공정 시간: 40sec.
예 3
예 1에서와 동일한 스탬프가 도 4에 도시된 셋업에서 이용되었다. 동적 공정 조건들은 다음과 같이 변경되었다. 임프린팅 단계는 5단계들로 분할되었다:
a. 기판 홀더(120)를 접촉;
b. 기판 홀더(120)에서 기판(20) 상으로 스탬프를 전진;
c. 주로 기판(20)을 통해 전진;
d. 기판(20)에서 기판 홀더(120) 상으로 스탬프를 전진; 및
e. 기판 홀더(120)를 또 접촉.
해제 단계는 5단계들로 분할되었다:
a. 기판 홀더(120)로부터 해제;
b. 기판 홀더(120)에서 기판(20)으로 스탬프를 해제;
c. 주로 패터닝된 기판(20)을 통해 해제;
d. 기판(20)에서 기판 홀더(120)로 스탬프를 해제; 및
e. 기판 홀더(120)로부터 최종 해제.
고정 공정:
- 임프린트 사이클: 75micron 갭, 20mBar 과압, 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 1sec 지연.
- 해제 사이클: 75micron 갭; 20mBar 과압; 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 1.3sec 지연.
총 공정 시간: 184sec.
동적 공정:
- 임프린트 사이클: 100micron 갭; 20mBar 과압;
단계 a: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 0.15sec 지연(23x);
단계 b: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 1sec 지연(4x);
단계 c: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 0.3sec 지연(26x);
단계 d: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 1sec 지연(4x);
단계 e: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 0.15sec 지연(23x);
총 구간 임프린팅 단계: 22.7sec.
- 해제 사이클: 100micron 갭, 20mBar 과압
단계 a: 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 0.15sec 지연(23x);
단계 b: 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 0.3sec 지연(4x);
단계 c: 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 0.3sec 지연(26x);
단계 d: 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 0.3sec 지연(4x);
단계 e: 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 0.15sec 지연(23x);
총 구간 해제 단계: 14.1sec.
총 공정 시간: 36.8sec.
예 4
예 3과 동일한 스탬프 및 고정 공정이 이용되었다. 동적 공정은 다음과 같이 변경되었다:
동적 공정:
- 임프린트 사이클: 50micron 갭; 20mBar 과압;
단계 a: 0.1sec 지연(23x);
단계 b: 0.3sec 지연(4x);
단계 c: 0.2sec 지연(26x);
단계 d: 0.3sec 지연(4x);
단계 e: 0.1sec 지연(23x);
총 구간 임프린트 단계; 12.2sec
- 해제 사이클: 100micron 갭; 10mBar 과압;
단계 a: 0.1sec 지연(23x);
단계 b: 0.3sec 지연(4x);
단계 c: 0.3sec 지연(26x)
단계 d: 0.3sec 지연(4x);
단계 e: 0.1sec 지연(23x);
총 구간 해제 단계: 14.8sec.
총 공정 시간: 27sec.
예 5
예 3과 동일한 스탬프 및 고정 공정이 이용되었다. 정렬 마커들이 기판 중심에서 4cm 좌측 및 우측에 추가되었다.
임프린팅 단계는 5단계들로 분할되었다:
a. 기판 상에서 스탬프를 접촉 및 전진;
b. 기판 상에 제 1 정렬 마커 영역;
c. 기판 상에서 스탬프를 전진;
d. 기판 상에 제 2 정렬 마커 영역;
e. 기판 상에서 스탬프를 전진.
스탬프가 마이크로미터-크기의 패턴들의 작은 영역들 및 나노-패턴들로 주로 패터닝된 기판으로부터 해제된 단일 단계의 해제 단계가 적용되었다.
고정 공정:
- 임프린트 사이클: 100micron 갭, 20mBar 과압, 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 1sec 지연.
- 해제 사이클: 100micron 갭; 20mBar 과압; 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 1.3sec 지연.
총 공정 시간: 184sec.
동적 공정:
- 임프린트 사이클: 50micron 갭; 25mBar 과압;
단계 a: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 0.15sec 지연(23x);
단계 b: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 1sec 지연(4x);
단계 c: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 0.3sec 지연(26x);
단계 d: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 1sec 지연(4x);
단계 e: 이웃하는 개구부들(112)을 과압으로 스위칭하는 사이의 0.15sec 지연(23x);
총 구간 임프린팅 단계: 22.7sec.
- 해제 사이클: 100micron 갭; 10mBar 과압, 이웃하는 개구부들(112)을 저압으로 스위칭하는 사이의 0.3sec 지연(80x).
총 공정 시간: 46.7sec.
모든 상기 예들에서, 동적 공정을 이용하여 기판 상에 임프린팅된 패턴은 정적 공정을 이용하여 임프린팅된 패턴에 필적하는 품질인 것으로 입증되었다.
상기 예들은, 스탬프 홀더(110)와 기판 홀더(120) 사이의 갭(30)과 같은 공정 파라미터들의 동적 제어, 임프린팅 단계 및 해제 단계 동안 임프린팅 속도 및 해제 속도의 각각의 변동 및/또는 임프린팅 단계와 해제 단계 사이의 과압의 변동이 기판(20) 상에 임프린팅된 패턴의 품질에 악영향을 미치지 않고 단일 임프린팅 사이클의 전체 공정 시간을 상당히 감소시킬 수 있음을 명확히 입증한다.
상기 예에서, 임프린팅 및 해제 장치 및 방법은 연속 단계들로 수행되도록 기술되었다. 대안적인 셋업에서, 이들 단계들은 릴 투 릴 형 방식에서와같이 부분적으로 병렬 또는 완전히 병렬로 수행될 수 있다. 이러한 방법의 예에서, 스탬프의 해제는 이미 생성된 접촉 영역의 한 단부로부터 해제 접촉 프론트를 이동시킴으로써(접촉 영역을 효과적으로 축소하기 위해) 시작되는 반면 임프린트는 동일한 접촉 영역의 다른 접촉 프론트를 이동시킴으로써 수행되고 그에 의해 적어도 부분적으로 해제의 효과를 상쇄한다. 이러한 동작 효과는 접촉 영역이 기판을 가로질러 이동하여 연속하는 임프린트 공정을 허용한다는 점이다(릴 투 릴). 접촉 영역들의 이동 속도가 동일한 경우, 정상 상태(비-확장 또는 축소)이지만 이동하는 접촉 영역이 생성된다. 이 경우, 두 이동하는 접촉 프론트들에 대한 속도들의 조정들은 정상 상태의 상황을 방해하지 않도록 동시에 행해져야 한다.
또한, 해제 및 임프린트 접촉 프론트들의 상이한 이동 속도들을 가지는 것이 가능하다. 그러나, 후자가 전자보다 높은 경우, 접촉 영역은 축소될 것이고, 접촉 영역이 작아지는 경우 해제의 시간 제한을 필요로 한다. 상이한 속도들을 가진 연속하는 임프린트가 여전히 가능하지 않지만, 해제는 주기적으로 수행된다. 이러한 경우, 본 발명의 이점들을 즐길 수 있으면서 접촉 영역 크기가 제어될 수 있고, 즉 연속 공정에서 특정 크기보다 아래로 또는 심지어 원하는 크기들 사이에서 유지될 수 있다.
본 발명은, 시스템이 접촉 또는 해제 속도를 제어하기 위한 복수의 스탬프 인게이징 소자들을 포함하는 제US20100083855호, 제US8172968호 또는 제US20050173049호에 기술된 수정된 디바이스를 이용하여 기술되었다. 그러나, 본 발명은 예를 들면 제US20040011231호 또는 제US20040197712호에 기술된 장치들에도 동일하게 잘 적용될 수 있고, 여기서 그들은 다시 기판 홀더들 및 스탬프 홀더들을 구비하더라도, 복수의 스탬프 인게이지 소자들이 존재하지 않지만 기계적 수단 및/또는 기압을 이용하여 기판 쪽으로 제US20040011231호를 드레이프(drape)하거나 제US20040197712호를 강제하도록 전체 스탬프를 조작할 수 있는 더 큰 스탬프 인게이지 소자들이 존재한다는 점에서 상기 예들과 상이하다. 본 발명의 개념은 이러한 장치들에 적용될 때 동일하게 유지된다. 스탬프들을 조작하기 위한 수단은 상술된 바와 같이 스탬프의 접촉 및/또는 기판으로부터 스탬프의 해제 동안 가변하는 이동 속도를 제공하도록 동작되어야 한다. 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 디바이스를 만드는 방법, 대응하는 장치들의 조작 시스템들의 관련 부분들을 제어할 수 있는 본 발명에 따른 제어 디바이스로 장치를 수정할 수 있기 위하여 임프린트 또는 해제 단계를 수행하는 방법의 설명을 찾을 것이므로, 이를 수행할 상세한 방식은 장치들의 대응하는 개시내용들로부터 명백할 것이다.
요약하면, 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 기판의 수용 표면과 접촉시키기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 상기 방법 및 장치는 임프린팅 방법에 이용될 수 있다. 상기 방법 동안 상기 장치를 이용하여, 국부적으로 휘어진 릴리프 스탬핑 표면이 스탬프 수용 표면과 접촉하는 미리 형성된 접촉 영역의 접촉 프론트(경계부)의 근처에 접촉을 생성하거나 차단하고, 이러한 생성 또는 차단의 속도는 이 접촉 프론트가 스탬프 수용 표면 상의 접촉 프론트 이동 궤도를 따라 상이한 위치들에서 상이한 속도로 스탬프 수용 표면을 통해 이동하도록, 가요성 스탬프의 상이한 부분들에 대해 변화된다. 이것은 이러한 방법 및 장치를 이용하여 처리량을 최적화하는데 이용될 수 있다.
상기-언급된 실시예들은 본 발명을 제한하기보다는 예시하기 위한 것이고, 본 기술분야의 통상의 기술자들은 첨부된 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 많은 대안적인 실시예들을 설계할 수 있을 것임을 유념해야 한다. 청구항들에서, 괄호 안의 임의의 참조 부호들은 청구항을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 단어 "포함(comprising)"은 청구항에 나열된 소자들 또는 단계들 이외의 소자들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 소자 앞의 부정관사("a" 또는 "an")는 복수의 이러한 소자들의 존재를 배제하지 않는다. 본 발명은 여러 개별 소자들을 포함하는 하드웨어에 의해 구현될 수 있다. 여러 수단을 열거하는 장치 청구항에서, 이들 수단의 몇몇은 하나 및 동일 항목의 하드웨어에 의해 구현될 수 있다. 특정 방안들이 서로 다른 종속 청구항들에 언급되어 있다는 사실은 이들 방안들의 조합이 유리하게 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.

Claims (18)

  1. 임프린트 리소그래피 공정 내에서 기판(20)의 스탬프 수용 표면(22)에 가요성 스탬프(10)의 릴리프 스탬핑 표면(relief stamping surface)을 접촉 또는 해제하기 위한 장치(100)를 동작시키는 방법에 있어서,
    상기 장치는:
    - 상기 가요성 스탬프(10)를 유지 및 조작하기 위한 또는 상기 기판(20)을 유지 및 조작하기 위한 시스템을 포함하여, 상기 시스템이 상기 가요성 스탬프 및 상기 기판을 유지할 때, 상기 가요성 스탬프는 상기 스탬프 수용 표면(22)의 일부 상에, 상기 릴리프 스탬핑 표면의 일부가 상기 스탬프 수용 표면(22)과 접촉하는 동안 상기 릴리프 스탬핑 표면의 다른 부분이 상기 스탬프 수용 표면과 접촉하지 않는 접촉 영역(14)을 생성하도록 국부적으로 휘어질 수 있고, 상기 접촉 영역의 경계부의 적어도 일부가 접촉 프론트(contact front)를 규정하고,
    상기 방법은:
    접촉 영역(14)을 제공하는 단계를 포함하고, 다음의 단계들:
    - 상기 스탬프 수용 표면(22)에 상기 릴리프 스탬핑 표면의 접촉을 위한 접촉 단계로서, 상기 접촉 프론트가 상기 접촉 프론트에 실질적으로 수직이고 상기 접촉 영역(14)으로부터 멀어지는 이동 방향을 따라 상기 기판(20)의 상기 스탬프 수용 표면(22)을 따라 어떤 이동 속도(a movement rate)로 이동하도록, 상기 접촉 프론트에 또는 주변에 접촉을 생성하는 시스템의 제어를 포함하는, 상기 접촉 단계, 및
    - 접촉 영역(14)에서 상기 스탬프 수용 표면(22)으로부터 상기 릴리프 스탬핑 표면을 해제하기 위한 해제 단계로서, 상기 접촉 프론트가 상기 접촉 프론트에 실질적으로 수직이고 상기 접촉 영역을 향하는 이동 방향을 따라 상기 기판(20)의 상기 스탬프 수용 표면(22)을 따라 어떤 이동 속도로 이동하도록, 상기 접촉 프론트에서 또는 주변에서 접촉을 차단하는 상기 시스템의 제어를 포함하는 상기 해제 단계 중 적어도 하나를 포함하고,
    접촉을 생성하거나 차단하기 위한 상기 시스템의 상기 제어는 제 1 단계 및 제 2 단계를 포함하고, 상기 제 1 단계에서, 상기 이동 속도가 상기 이동 방향을 따라 제 1 미리 결정된 거리에 걸쳐 제 1 상수 값을 가지도록 접촉이 생성하거나 차단되고, 상기 제 1 미리 결정된 거리는 적어도 두 개의 상이한 위치들 중 하나를 포함하고, 상기 제 2 단계에서, 상기 이동 속도가 상기 이동 방향을 따라 제 2 미리 결정된 거리에 걸쳐 제 2 상수 값을 가지도록 접촉이 생성되거나 차단되고, 상기 제 2 미리 결정된 거리는 상기 적어도 두 개의 상이한 위치들 중 다른 하나를 포함하고, 상기 제 1 상수 값은 상기 제 2 상수 값과 상이하고,
    상기 제 1 미리 결정된 거리는 제 1 릴리프 토포그래피를 가진 상기 릴리프 스탬핑 표면(22)의 제 1 영역의 치수에 대응하고 상기 제 2 미리 결정된 거리는 상기 제 1 릴리프 토포그래피와 상이한 제 2 릴리프 토포그래피를 가진 상기 릴리프 스탬핑 표면(22)의 제 2 영역의 치수에 대응하는, 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉 또는 해제하기 위한 장치를 동작시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 미리 결정된 거리들은 상기 제 1 미리 결정된 거리 및 상기 제 2 미리 결정된 거리에 대한 값들이 저장되는 룩업 테이블에서 검색되는, 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉 또는 해제하기 위한 장치를 동작시키는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 릴리프 스탬핑 표면(22)을 검사하기 위한 검사 유닛을 포함하고, 상기 방법은:
    - 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역을 상기 제 1 릴리프 토포그래피 및 상기 제 2 릴리프 토포그래피에 기초하여 결정하기 위해 상기 검사 유닛으로 상기 릴리프 스탬핑 표면을 검사하는 단계; 및
    - 상기 접촉 프론트의 이동이 발생하는 방향을 따라 상기 제 1 영역으로부터 상기 제 1 미리 결정된 거리를 도출하고 상기 제 2 영역으로부터 상기 제 2 미리 결정된 거리를 도출하는 단계를 포함하는, 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉 또는 해제하기 위한 장치를 동작시키는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 접촉 단계와 상기 접촉 단계 후에, 상기 시스템의 상기 제어가 레지스트층의 응고를 생기게 허용하는 경화 단계, 또는 상기 레지스트층이 상기 릴리프 스탬핑 표면과 접촉하는 동안 상기 기판의 상기 수용 표면을 형성하는 단계를 포함하는, 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉 또는 해제하기 위한 장치를 동작시키는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 접촉 단계 및 상기 해제 단계를 포함하고, 상기 접촉 단계의 상기 이동 방향 및 상기 해제 단계의 상기 이동 방향은: 동일하고, 서로 대향하고, 서로를 향하게 각도를 만드는 것 중 하나가 되도록 선택되는, 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉 또는 해제하기 위한 장치를 동작시키는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 가요성 스탬프(10) 및 복수의 스탬프 인게이징 소자들(112)을 유지하기 위한 스탬프 홀더(110)를 포함하고, 상기 스탬프 인게이징 소자들의 각각은 상기 가요성 스탬프가 상기 스탬프 홀더에 부착 또는 흡착되는 제 1 구성과 상기 스탬프가 상기 스탬프 홀더로부터 해제되거나 밀려나는 제 2 구성 사이에서 스위칭 가능하고, 상기 방법은:
    - 상기 시스템의 상기 제어가 스탬프 인게이징 소자들(112)을 접촉을 생성하기 위해 제 1 상태에서 제 2 상태로 연속으로 스위칭하거나, 접촉을 차단하기 위해 반대로 스위칭하는 것을 포함하는, 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉 또는 해제하기 위한 장치를 동작시키는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 시스템은 스탬프 인게이징 표면을 갖는 스탬프 홀더(110) 및 기판 인게이징 표면을 갖는 기판 홀더(120)를 더 포함하고, 상기 방법은, 상기 접촉 단계 또는 상기 해제 단계 동안, 상기 제어가 상기 스탬프 인게이징 표면 및 상기 기판 인게이징 표면이 서로 병렬이고 갭을 두고 서로 이격되도록 하는 것을 더 포함하는, 가요성 스탬프의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉 또는 해제하기 위한 장치를 동작시키는 방법.
  8. 통신 네트워크로부터 다운로드되고 또는 컴퓨터-판독 가능한 또는 마이크로프로세서-실행 가능한 매체 상에 저장되는 컴퓨터 프로그램 제품에 있어서, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 구현하기 위한 프로그램 코드 명령들을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램 제품.
  9. 기판(20)의 스탬프 수용 표면(22)에 가요성 스탬프(10)의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉하기 위한 장치를 제어하는 제어 디바이스에 있어서, 상기 장치로 하여금 제 7 항의 방법을 수행하게 하도록 구성되는, 제어 디바이스.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 가요성 스탬프(10) 또는 상기 기판 홀더(120)를 유지 및 조작하기 위한 시스템을 더 포함하여, 상기 시스템이 상기 가요성 스탬프 및 상기 기판(20)을 유지할 때, 상기 가요성 스탬프는 상기 스탬프 수용 표면(22)의 일부 상에, 상기 릴리프 스탬핑 표면의 일부가 상기 스탬프 수용 표면과 접촉하는 동안 상기 릴리프 스탬핑 표면의 다른 부분이 상기 스탬프 수용 표면과 접촉하지 않는 접촉 영역(14)을 생성하도록 국부적으로 휘어지거나 휘어질 수 있고, 상기 접촉 영역과 비-접촉 영역 사이의 경계부의 적어도 일부가 접촉 프론트를 규정하는, 제어 디바이스.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 가요성 스탬프(10) 및 복수의 스탬프 인게이징 소자들(112)을 유지하기 위한 스탬프 홀더(110)를 더 포함하고, 상기 스탬프 인게이징 소자들의 각각은 상기 가요성 스탬프가 상기 스탬프 홀더에 부착 또는 흡착되는 제 1 구성과 상기 스탬프가 상기 스탬프 홀더로부터 해제되거나 밀려나는 제 2 구성 사이에서 스위칭 가능한, 제어 디바이스.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 스탬프 인게이징 소자들(112)의 각각은, 상기 가요성 스탬프(10)를 부착 또는 흡착하기 위한 저압(underpressure)을 제공하거나 상기 가요성 스탬프를 해제 또는 밀어내기 위한 과압(overpressure)을 제공하기 위한 개구부(aperture)를 포함하고, 상기 제어 디바이스는 상기 복수의 스탬프 인게이징 소자들의 상기 개구부들의 각각의 상기 저압 또는 과압을 개별적으로 설정하기 위한 스위칭 가능한 밸브들(114)을 포함하는 압력 조절기를 더 포함하는, 제어 디바이스.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 스탬프 인게이징 소자들(112)의 각각은, 상기 가요성 스탬프(10)를 부착 또는 흡착하기 위한 자기력을 제공하거나 상기 가요성 스탬프를 해제 또는 밀어내기 위한 자기력을 제공하기 위한 전자석을 포함하고, 상기 제어 디바이스는 상기 복수의 스탬프 인게이징 소자들의 각각의 전자석에 대해 부착/흡착 또는 해제/밀어내기 전기 신호들을 스위칭하기 위한 전기 장비를 더 포함하는, 제어 디바이스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 복수의 스탬프 인게이지 소자들(112)의 각각에 대한 스위칭 설정들을 제공하기 위한 스위치 유닛을 포함하여, 상기 설정들이 접촉 단계 동안 또는 해제 단계 동안 가변할 수 있는, 제어 디바이스.
  16. 기판(20)의 스탬프 수용 표면(22)에 가요성 스탬프(10)의 릴리프 스탬핑 표면을 접촉하기 위한 장치에 있어서:
    - 상기 가요성 스탬프를 유지 및 조작하기 위한 또는 상기 기판 홀더(120)를 조작하기 위한 시스템으로서, 상기 시스템이 상기 가요성 스탬프를 유지하고 상기 기판 홀더가 상기 기판을 유지할 때, 상기 가요성 스탬프는 상기 스탬프 수용 표면의 일부 상에, 상기 릴리프 스탬핑 표면의 일부가 상기 스탬프 수용 표면과 접촉하는 동안 상기 릴리프 스탬핑 표면의 다른 부분이 상기 스탬프 수용 표면과 접촉하지 않는 접촉 영역(14)을 생성하도록 국부적으로 휘어지거나 휘어질 수 있고, 상기 접촉 영역과 비-접촉 영역 사이의 경계부의 적어도 일부가 접촉 프론트를 규정하는, 상기 시스템; 및
    - 제 9 항에 따른 제어 디바이스를 포함하는, 릴리프 스탬핑 표면 접촉 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    가요성 스탬프(10)를 유지 및 조작하기 위한 상기 시스템에서 상기 가요성 스탬프가 고정될(affix) 때 가요성 스탬핑 표면의 릴리프 형상 토포그래피(relief feature topography)를 검사하기 위한 검사 디바이스를 더 포함하는, 릴리프 스탬핑 표면 접촉 장치.
  18. 삭제
KR1020167030317A 2014-03-31 2015-03-20 임프린팅 방법, 컴퓨터 프로그램 제품 및 임프린팅 장치 KR102315257B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14162774.5 2014-03-31
EP14162774 2014-03-31
PCT/EP2015/055867 WO2015150110A1 (en) 2014-03-31 2015-03-20 Imprinting method, computer program product and apparatus for the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160138276A KR20160138276A (ko) 2016-12-02
KR102315257B1 true KR102315257B1 (ko) 2021-10-21

Family

ID=50439188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167030317A KR102315257B1 (ko) 2014-03-31 2015-03-20 임프린팅 방법, 컴퓨터 프로그램 제품 및 임프린팅 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10088747B2 (ko)
EP (1) EP3126909B1 (ko)
JP (1) JP6387107B2 (ko)
KR (1) KR102315257B1 (ko)
CN (1) CN106462054B (ko)
WO (1) WO2015150110A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101853871B1 (ko) * 2016-10-31 2018-05-03 한국기계연구원 임프린트 리소그래피 장치 및 이를 이용한 임프린트 리소그래피 방법
DK3662325T3 (da) * 2018-10-12 2021-02-01 Morphotonics B V Fleksibelt stempel med afstemmelig højdimensionel stabilitet
US11981052B2 (en) 2018-11-14 2024-05-14 Koninklijke Philips N.V. Pneumatic system, imprint apparatus and use thereof
EP3654101A1 (en) 2018-11-15 2020-05-20 Koninklijke Philips N.V. Pneumatic system, imprint apparatus and use thereofs
WO2023001795A1 (en) 2021-07-21 2023-01-26 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4123374A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4123378A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4123379A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4123377A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4123376A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4123373A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4123375A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4250006A1 (en) 2022-03-23 2023-09-27 Koninklijke Philips N.V. Quality control method for imprint lithography
EP4390539A1 (en) 2022-12-19 2024-06-26 Koninklijke Philips N.V. Alignment method for imprint method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050173049A1 (en) 2002-05-27 2005-08-11 Koninkijkle Phillips Electronics N.V Method and device for transferring a pattern from stamp to a substrate
US20090140445A1 (en) 2007-12-04 2009-06-04 Molecular Imprints High Throughput Imprint Based on Contact Line Motion Tracking Control
US20090314414A1 (en) 2007-01-16 2009-12-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and system for contacting of a flexible sheet and a substrate
US20100102469A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Strain and Kinetics Control During Separation Phase of Imprint Process
US20100244326A1 (en) 2009-03-25 2010-09-30 Hiroshi Tokue Imprint pattern forming method

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6757116B1 (en) 2001-08-16 2004-06-29 Seagate Technology Llc Disk biasing for manufacture of servo patterned media
US6792856B2 (en) 2002-07-16 2004-09-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for accurate, micro-contact printing
ITMI20021961A1 (it) 2002-09-16 2004-03-17 Consiglio Nazionale Ricerche Procedimento per la fabbricazione ed il controllo mediante stampaggio su scale micro- e nanometriche di strutture e motivi di sostanze solubili e colloidali con riduzione delle dimensioni dei motivi dello stampo.
US20040261981A1 (en) 2002-11-13 2004-12-30 Surface Logix, Inc. Thermal interface composit structure and method of making same
US20040197712A1 (en) 2002-12-02 2004-10-07 Jacobson Joseph M. System for contact printing
AU2004318602B2 (en) 2003-12-19 2009-12-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods for fabricating isolated micro- and nano- structures using soft or imprint lithography
US7168939B2 (en) * 2004-02-26 2007-01-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv System, method, and apparatus for multilevel UV molding lithography for air bearing surface patterning
US20050230882A1 (en) 2004-04-19 2005-10-20 Molecular Imprints, Inc. Method of forming a deep-featured template employed in imprint lithography
JP4775942B2 (ja) * 2005-08-19 2011-09-21 公立大学法人大阪府立大学 ナノインプリント方法及びその装置
CN101547748B (zh) 2006-12-04 2012-10-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于将薄片应用到基板的方法和设备
CN101086614B (zh) * 2007-07-03 2010-11-10 西安交通大学 一种微米级特征的三维辊压模具及其制造方法
WO2009141774A1 (en) 2008-05-20 2009-11-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Aqueous curable imprintable medium and patterned layer forming method
KR101618589B1 (ko) 2008-06-06 2016-05-09 코닌클리케 필립스 엔.브이. 연성 리소그래피용 실리콘 고무 재료
CN101776851B (zh) * 2010-01-15 2011-07-20 天津大学 用于纳米压印光刻***的三自由度微定位工作台
US8691134B2 (en) 2010-01-28 2014-04-08 Molecular Imprints, Inc. Roll-to-roll imprint lithography and purging system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050173049A1 (en) 2002-05-27 2005-08-11 Koninkijkle Phillips Electronics N.V Method and device for transferring a pattern from stamp to a substrate
US20090314414A1 (en) 2007-01-16 2009-12-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and system for contacting of a flexible sheet and a substrate
US20090140445A1 (en) 2007-12-04 2009-06-04 Molecular Imprints High Throughput Imprint Based on Contact Line Motion Tracking Control
US20100102469A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Strain and Kinetics Control During Separation Phase of Imprint Process
US20100244326A1 (en) 2009-03-25 2010-09-30 Hiroshi Tokue Imprint pattern forming method

Also Published As

Publication number Publication date
EP3126909A1 (en) 2017-02-08
EP3126909B1 (en) 2021-12-01
CN106462054B (zh) 2020-07-07
CN106462054A (zh) 2017-02-22
US10088747B2 (en) 2018-10-02
JP6387107B2 (ja) 2018-09-05
WO2015150110A1 (en) 2015-10-08
KR20160138276A (ko) 2016-12-02
JP2017511604A (ja) 2017-04-20
US20170192350A1 (en) 2017-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102315257B1 (ko) 임프린팅 방법, 컴퓨터 프로그램 제품 및 임프린팅 장치
US11981052B2 (en) Pneumatic system, imprint apparatus and use thereof
JP5039145B2 (ja) シートを基板に適用するための方法及び装置
US10578964B2 (en) Asymmetric template shape modulation for partial field imprinting
CN107978548A (zh) 微元件的巨量转移方法
JP2010507230A (ja) コンタクトリソグラフィ装置、システム及び方法
JP2006013453A (ja) リソグラフィのための装置および方法
KR102552850B1 (ko) 전사 방법 및 장치 그리고 컴퓨터 프로그램 제품
KR102214830B1 (ko) 마스터 몰드 제조 방법
WO2015011110A1 (en) Patterned stamp manufacturing method, patterned stamp imprinting method and imprinted article
KR102377588B1 (ko) 블록 공중합체 템플릿을 이용한 단일 양자 입자 해상도를 갖는 양자 나노입자 배열 자기 조립 및 제작된 배열의 나노-전사 프린팅 방법
US9180608B2 (en) Stamp, method of manufacturing the same, and imprinting method using the stamp
KR20150131976A (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR20140076947A (ko) 몰드 구조체 및 이를 이용한 임프린트 리소그래피 방법
EP3654101A1 (en) Pneumatic system, imprint apparatus and use thereofs
KR101071308B1 (ko) 임프린팅용 가압 장치, 이를 포함하는 임프린팅 장치 및 이를 이용한 임프린팅 방법
KR20220024619A (ko) 고 스루풋 마이크로프린팅 프로세스

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant