KR102311930B1 - 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치 - Google Patents

반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102311930B1
KR102311930B1 KR1020210055004A KR20210055004A KR102311930B1 KR 102311930 B1 KR102311930 B1 KR 102311930B1 KR 1020210055004 A KR1020210055004 A KR 1020210055004A KR 20210055004 A KR20210055004 A KR 20210055004A KR 102311930 B1 KR102311930 B1 KR 102311930B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
collecting
plate
reaction
gas
products
Prior art date
Application number
KR1020210055004A
Other languages
English (en)
Inventor
조재효
이연주
김진웅
한지은
Original Assignee
주식회사 미래보
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 미래보 filed Critical 주식회사 미래보
Priority to KR1020210055004A priority Critical patent/KR102311930B1/ko
Priority to JP2021115875A priority patent/JP7200304B2/ja
Priority to US17/377,202 priority patent/US20220349052A1/en
Priority to TW110126334A priority patent/TWI789831B/zh
Priority to CN202110815995.7A priority patent/CN115249607A/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR102311930B1 publication Critical patent/KR102311930B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/0027—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with additional separating or treating functions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/005—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2258/00—Sources of waste gases
    • B01D2258/02—Other waste gases
    • B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치에 관한 것으로, 반도체 제조 공정 중 프로세스 챔버에서 서로 다른 박막층을 다중 증착하는 공정 수행 후 배출되는 미반응가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 하나의 포집장치에서 분리하기 위해 각 반응부산물의 포집 영역을 분리하도록 유입되는 미반응 가스의 이동 방향 흐름을 제어하면서 열의 분포 영역을 분리시키는 포집영역분리부를 구비하여 이를 기준으로 전면 영역에서는 제 1 내부포집타워를 통해 상대적으로 고온영역에서 박막 형태로 응집되는 반응부산물이 포집되도록 하고, 후면 영역에서는 제 2 내부포집타워를 통해 상대적으로 저온영역에서 분말형태로 응집되는 반응부산물이 포집되도록 구성된 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치를 발명의 특징으로 한다.

Description

반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치{Apparatus for multi trapping of reaction by-product for semiconductor process}
본 발명은 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치에 관한 것으로, 자세하게는 반도체 제조 공정 중 프로세스 챔버에서 다중 박막 증착 공정을 수행 후 배출되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 하나의 포집장치에서 각각의 포집온도 영역대에 맞게 박막 또는 분말 형태로 포집할 수 있는 다중 포집장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.
이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내로 가스주입 시스템을 통해 실란(Silane), 아르신(Arsine), 염화 붕소, 수소, 질소, 가스상태 물 등의 필요로 하는 공정 가스 또는 박막 증착을 위한 전구체 가스와 같은 필요로 하는 공정 가스를 주입하여 고온에서 수행된다. 이때 프로세스 챔버 내부에는 각종 증착되지 않은 반응부산물, 미반응 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.
이 때문에 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버에서 배출된 미반응 가스를 정화하여 방출하기 위해 상기 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 프로세스 챔버에서 배출되는 미반응 가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크러버(Scrubber)가 설치한다.
하지만, 이와 같은 스크러버는 단지 가스 형태의 반응부산물 만을 정화처리하기 때문에 프로세스 챔버에서 배출된 미반응 가스 중에 포함된 입자형태의 반응부산물을 사전에 포집하지 않으면, 프로세스 챔버에서 증착에 사용되지 않고 배출된 미반응 가스 중에 포함된 반응부산물이 배관에 고착되어 배기압력이 상승하는 문제, 또는 진공펌프로 유입되어 발생되는 펌프의 고장 문제, 또는 프로세스 챔버로 역류하여 웨이퍼를 오염시키는 문제 등이 있다.
이 때문에 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버와 진공펌프 사이에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 미반응 가스를 응집시키는 다양한 구조의 반응부산물 포집장치가 설치된다.
하지만 종래의 부산물 포집장치는 프로세스 챔버에서 서로 다른 박막을 증착하는 다중 증착 공정을 수행할 경우 배출되는 미반응 가스 중에 포함된 반응부산물이 혼합 반응부산물 형태를 이루기 때문에 각 반응부산물의 응집 온도가 달라 하나의 포집장치로는 효율적으로 포집하기 어렵다는 구조적 문제점이 있었다.
따라서 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 각각 포집할 수 있도록 서로 다른 온도 영역의 포집구성을 가지는 포집장치가 각각 구비해야 하는데 이와 같은 이유로 인해 추가적인 포집장치가 구비되어야 하고, 각 포집대상 반응부산물에 맞는 포집 온도 영역대를 맞추기 위한 온도제어기 필요하여 전체적인 공정장치와 공정제어가 복잡해진다는 문제점이 있다.
따라서 이러한 문제점을 해결 할 수 있는 반응부산물 포집장치의 개발이 필요한 실정이다.
한국 등록특허공보 등록번호 10-0717837(2007.05.07.등록) 한국 등록특허공보 등록번호 10-0862684(2008.10.02.등록) 한국 등록특허공보 등록번호 10-1447629(2014.09.29.등록) 한국 등록특허공보 등록번호 10-1806480(2017.12.01.등록)
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 제조 공정 중 프로세스 챔버에서 서로 다른 박막층을 다중 증착하는 공정 수행 후 배출되는 미반응가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 하나의 포집장치에서 분리하기 위해 각 반응부산물의 포집 영역을 분리하도록 유입되는 미반응 가스의 이동 방향 흐름을 제어하면서 열의 분포 영역을 분리시키는 포집영역분리부를 구비하여 이를 기준으로 전면 영역에서는 제 1 내부포집타워를 통해 상대적으로 고온영역에서 박막 형태로 응집되는 반응부산물이 포집되도록 하고, 후면 영역에서는 제 2 내부포집타워를 통해 상대적으로 저온영역에서 분말형태로 응집되는 반응부산물이 포집되도록 한 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치를 제공하는데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하고 종래의 결점을 제거하기 위한 과제를 수행하는 본 발명은 반도체 제조공정 중 프로세스 챔버에서 다중 박막 증착 과정을 거친 후 배출되는 미반응가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 포집하는 장치에 있어서,
하우징의 내부에 위치하여 온냉형 히터에 의해 가열되면서 유입된 미반응 가스의 흐름을 제어하여 열의 분포 영역을 분리시키는 포집영역분리부와;
상기 포집영역분리부의 전면 영역에 위치하여 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 상대적으로 고온에 반응하는 반응부산물을 박막형태로 포집시키는 제 1 내부포집타워와;
상기 포집영역분리부의 후면 영역에 위치하여 전면 영역보다 상대적으로 저온이 유지된 공간영역에서 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 상대적으로 저온에 반응하는 반응부산물을 분말 형태로 포집시키는 제 2 내부포집타워;를 포함하여 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 하나의 장치에서 영역을 분리하여 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치를 제공함으로써 달성된다.
바람직한 실시예로, 상기 하우징은 가스유입구가 측방향에 형성되어 유입된 미반응 가스를 수용하는 하우징본체와; 가스배출구가 상방향으로 설치되고 하부에는 타공형 가스 유도부가 돌출되어 형성된 상판과; 포집영역분리부, 제 1 내부포집타워, 제 2 내부포집타워를 체결하여 지지하는 하판 및 상기 상판에 설치되어 상판 및 하우징 외부 표면 온도를 냉각시켜 조절하는 냉각수유로부로 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 온냉형 히터는 전원공급부와 연결된 전원배관 둘레를 감싸는 하부 냉각수유로로 냉각수유로부의 냉각수 외부배관이 연결되어 냉각수가 순환하면서 열전도되도록 하여 하우징 외부 표면 온도를 조절하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 포집영역분리부의 상부에 위치하여 제 2 내부포집타워를 거친 가스의 유로 방향을 전환시키면서 연장하여 미반응 가스 중에 포함된 잔여 반응부산물을 포집시키는 유로전환플레이트;를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 유로전환플레이트의 일지점 영역을 통해 상부로 배출된 미반응 가스 중에 포함된 잔여 반응부산물을 포집시킨 후 미반응 가스만 상판의 가스배출구를 통해 배출시키는 메쉬형 포집부;를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 포집영역분리부는 가열 후 유입되는 미반응 가스의 열을 가두고 이동방향 흐름을 제어하여 반응부산물 포집 공간을 분리하는 전면차단판과;
전면차단판의 상부를 막아 유입된 미반응 가스의 상부방향 이동 흐름을 차단하는 상부차단판과;
상기 전면차단판의 하부에 형성되어 미반응 가스의 흐름을 하부로 유도하여 배출시키는 가스 이동부를 포함하여 형성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 제 1 내부포집타워는 전방에 위치한 제 1 포집플레이트와 이와 일정간격 이격된 지점에 위치하는 제 2 포집플레이트로 구성되고,
상기 제 1 포집플레이트와 제 2 포집플레이트는 각각 면상에 다수의 홀이 천공되어 이루어진 가스이동부;가 일영역 이상에 형성되어 유입되는 미반응가스의 흐름을 상하로 가이드하고,
상기 제 1 포집플레이트와 제 2 포집플레이트는 각각 면상의 전면 방향으로 돌출된 복수개의 구조형 포집플레이트가 형성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 제 1 포집플레이트에 형성된 가스이동부는 상부, 중앙 및 하부에 형성되고, 상기 제 2 포집플레이트에 형성된 가스이동부는 상부에만 형성되어 미반응가스의 흐름을 가이드 하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 제 1 포집플레이트는 면상의 후면 방향으로 돌출된 복수개의 구조형 포집플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 구조형 포집플레이트는 십자단면 또는 이중 십자단면을 가지게 형성한 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 제 2 내부포집타워는 후단 일지점 영역에 다수의 홀이 천공되어 이루어진 가스이동부가 형성된 반원판 형상의 제 1 포집플레이트와;
전단 일지점 영역에 다수의 홀이 천공되어 이루어진 가스이동부가 형성된 반원판 형상의 제 2 포집플레이트와;
상부 방향으로 복수개 적층되는 상기 제 1 포집플레이트와 제 2 포집플레이트 사이에 설치되어 상하 일정간격으로 이격시키고, 면상에 다수의 홀이 천공된 평면 포집플레이트로 구성되어 미반응 가스의 흐름을 상부방향으로 지그재그 방향으로 전환시키면서 포집하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 제 2 내부포집타워는 최하단에 제 1 포집플레이트를 위치시키고, 최상단에 제 2 포집플레이트가 위치시켜 유입된 미반응 가스의 유로를 연장하고,
상기 평면 포집플레이트는 각 제 1 포집플레이트 및 각 제 2 포집플레이트의 중앙부에 폭방향으로 가로지르게 설치하되, 최상단에 위치한 평면 포집플레이트는 복수개의 평면 포집플레이트로 구성한 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 유로전환플레이트는 하우징 본체의 내부 공간을 상부와 하부로 분리하는 원판 형상의 플레이트본체와; 플레이트본체의 일영역에 형성되어 미반응 가스의 통로로 사용되는 다수의 홀이 천공되어 이루어진 가스이동부;로 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 메쉬형 포집부는 하부면은 막히고 측면은 미반응 가스가 유입되도록 망 형태로 구성되고, 상부면은 중앙부에만 일정 깊이의 망형태 삽입부가 형성되어 하우징의 상판의 하부로 돌출되어 형성된 타공형 가스 유도부가 삽입되도록 구성된 본체와;
상기 본체 내부 수납되어 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 잔여 반응부산물을 저온 조건하에서 분말형태로 포집하는 메쉬 필터로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치는 반도체 제조 공정 중 프로세스 챔버에서 서로 다른 박막층을 다중 증착하는 공정 수행 후 배출되는 미반응 가스의 이동 방향 흐름을 제어하면서 열의 분포 영역을 분리시키는 포집영역분리부를 구비하여 이를 기준으로 전면 영역에서는 제 1 내부포집타워를 통해 상대적으로 고온영역에서 박막 형태로 응집되는 반응부산물이 포집되도록 하고, 후면 영역에서는 제 2 내부포집타워를 통해 상대적으로 저온영역에서 분말형태로 응집되는 반응부산물이 포집되도록 함으로써 미반응가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 하나의 포집장치에서 분리하여 포집할 수 있다는 장점을 가진다.
본 발명은 상기와 같은 다중 포집장치가 구비됨으로써 반도체 제조공정용 장치구성과 공정제어가 간소화되면서 내구성도 6개월 이상 연속사용 할 수 있을 정도로 증대되어 진공펌프의 유지관리 주기를 감소시킬 수 있다는 장점을 가진다.
이처럼 본 발명은 다양한 장점을 가진 유용한 발명으로 산업상 그 이용이 크게 기대되는 발명이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 다중 포집장치의 구성을 보인 사시도이고,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 다중 포집장치의 내부 구성을 보인 단면도이고,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 다중 포집장치의 구성을 보인 분해 사시도이고,
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 하우징 및 히터의 구성을 보인 사시도이고,
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 포집영역분리부의 구성을 보인 사시도이고,
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 내부포집타워의 일측 방향 구성을 보인 사시도이고,
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 내부포집타워의 타측 방향 구성을 보인 사시도이고,
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 내부포집타워의 일측 방향 구성을 보인 사시도이고,
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 내부포집타워의 타측 방향 구성을 보인 사시도이고,
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 유로전환플레이트를 보인 사시도이고,
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 메쉬형 포집부를 보인 사시도이고,
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 포집경향을 보인 예시도이고,
도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 가스 흐름을 보인 예시도이다.
이하 본 발명의 실시 예인 구성과 그 작용을 첨부도면에 연계시켜 상세히 설명하면 다음과 같다. 또한 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 다중 포집장치의 구성을 보인 사시도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 다중 포집장치의 내부 구성을 보인 단면도이고, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 다중 포집장치의 구성을 보인 분해 사시도이다.
도시된 바와 같이 본 발명에 따른 다중 포집장치는 프로세스 챔버(도시 생략)에서 다중 박막 증착공정을 수행 후 배출된 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 온도 영역별로 분리하여 박막 또는 분말 형태로 포집한 후 나머지 가스만 진공펌프 배출하는 장치로, 다중 포집장치로 하우징(1), 온냉형(Hot & Cold Type) 히터(2), 포집영역분리부(3), 제 1 내부포집타워(4), 제 2 내부포집타워(5), 유로전환플레이트(6) 및 메쉬형 포집부(7)를 포함하여 구성된다.
이하 본 발명에서 고온 또는 저온이라 함은 혼합반응부산물 중 응집 온도가 다른 포집온도에 따른 상대적인 온도를 말하는 것이다. 예시적으로 본 발명에서 고온이라 함은 150℃ 이상을 말하고, 저온이라 함은 150℃ 미만을 말한다.
하우징(1)은 프로세스 챔버에서 배출되는 미반응 가스를 측방향으로 유입하여 수용하고 상방향으로 배출하도록 구성된다.
온냉형(Hot & Cold Type) 히터(2)는 하우징의 내부로 유입되는 미반응 가스의 온도를 조절하도록 구성된다.
포집영역분리부(3)는 하우징(1)의 내부에 위치하여 유입된 미반응 가스의 이동 방향 흐름을 제어하면서 열의 분포 영역을 분리시키도록 구성된다.
제 1 내부포집타워(4)는 상기 포집영역분리부(3)의 전면 영역에 위치하여 후면 영역보다 상대적으로 고온이 유지된 공간영역에서 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 고온에 반응하여 박막형태로 응집되는 반응부산물을 포집시키도록 구성된다.
제 2 내부포집타워(5)는 상기 포집영역분리부(3)의 후면 영역에 위치하여 전면 영역보다 상대적으로 저온이 유지된 공간영역에서 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 저온에 반응하여 분말 형태로 응집되는 반응부산물을 포집시키도록 구성된다.
유로전환플레이트(6)는 상기 포집영역분리부(3)의 상부에 위치하여 제 2 내부포집타워(5)를 거친 가스의 유로 방향을 전환시키면서 연장하여 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 저온에 반응하여 분말 형태로 응집하는 잔여 반응부산물을 포집시키도록 구성된다.
메쉬형 포집부(7)는 유로전환플레이트(6)의 일지점 영역을 통해 상부로 배출된 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 저온에 반응하여 분말 형태로 응집하는 잔여 반응부산물을 포집시킨 후 미반응 가스만 상판의 가스배출구를 통해 배출시키도록 구성된다.
상기 각 구성은 프로세스 챔버에서 배출되는 미반응 가스에 의한 부식 등을 방지할 수 있도록 대부분의 구성요소가 부식을 막을 수 있는 스테인리스 강, 알루미늄 등의 소재를 사용하여 제작되는 것이 바람직하다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 반응부산물 다중 포집장치가 포집하는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 한 실시예로 설명하면, 반도체 제조를 위한 프로세스 챔버에서 산화물(Oxide) 증착 공정 즉, Al2O3, TiO2 박막 반복 증착 공정을 수행 후 배출되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물은 Al2O3 반응부산물과 TiO2 반응부산물일 수 있다.
참고로 적용 공정을 설명하면 Al2O3 증착 공정 사용 가스로는 TMA, N2, H2O가 사용되고, TiO2 증착 공정 사용 가스로는 TiCl4, N2, H2O가 사용된다.
이와 같은 공정가스 및 전구체를 사용하여 프로세스 챔버에서 Al2O3, TiO2 증착 공정 시, 비휘발성 반응부산물이 형성된다. 아래는 박막 증착과정의 반응식이다.
(a) 2Al(CH3)3+H2O/O3 → Al2O3(s)+3C2H6(g)↑
(b) TiCl4(g)+H2O(g) → TiO2(s) + HCl(g)↑
따라서 다중 포집장치는 미반응 가스 중에 포함된 Al2O3와 TiO2 혼합 반응부산물을 하나의 포집장치에서 응집시켜 박막 또는 분말 형태로 형성시키는 구성이 필요하다.
다만, Al2O3와 TiO2 혼합 반응부산물은 응집되어 포집되는 온도 영역대가 다르기 때문에 본 발명에 따른 다중 포집장치는 박막 및 분말(Powder) 형태의 반응부산물 포집 공간을 분리하고 히터에 의해 가열되는 미반응가스의 열을 가둘 수 있도록 구성함으로써 하나의 포집장치에서 Al2O3, TiO2 동시 포집이 가능하게 구성된다.
이를 위해 비교적 히터에 의한 고온이 제공되는 전면 고온 영역에서는 Al2O3 반응부산물이 박막 형태로 포집되도록 구성하였고, 후면 저온영역에서는 TiO2 반응부산물이 분말(Powder) 형태로 포집되도록 구성하였다.
또한 유로를 확장하여 배출되기 전까지 잔존하는 혼합 반응부산물을 최대한 포집할 수 있도록 효율적인 포집구성을 포함하여 구성하였다.
이하 보다 구체적으로 각 구성을 설명한다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 하우징 및 히터의 구성을 보인 사시도이다.
도시된 바와 같이 하우징(1)은 가스유입구(11a)가 측방향에 형성되어 유입된 미반응 가스를 수용하는 하우징본체(11)와; 가스배출구(12a)가 상방향으로 설치되고 하부에는 타공형 가스 유도부(12b)가 돌출되어 형성된 상판(12)과; 포집영역분리부(3), 제 1 내부포집타워(4), 제 2 내부포집타워(5)를 체결하여 지지하는 하판(13) 및 상기 상판(12)에 설치되어 상판 및 하우징 외부 표면 온도를 냉각시켜 조절하는 냉가수유로부(14)로 구성된다.
또한 온냉형(Hot & Cold Type) 히터(2)는 상기 하우징본체의 내부에서 측방향으로 열원을 제공하도록 설치되고, 하우징의 상판(12)에 설치된 냉각수유로부(14)의 냉각수 외부배관(14a)이 하우징 본체(11) 외부에 설치된 온냉형히터(2)에 홈구조 유로로 순환하게 형성된 하부 냉각수유로(14b)와 연결되어 순환하도록 구성함으로써 하우징 본체 외부 표면 온도를 조절하도록 구성된다.
한 실시예에 따라 도시된 하우징본체(11), 상판(12) 및 하판(13)은 원통형 으로 도시되었지만, 이와 같은 형상만이 본 발명을 한정하는 것은 아니고 사각통형 또는 다각통형과 같이 필요로 하는 형상으로 구성될 수 있음은 물론이다. 다만, 이하 본 발명에서는 설명의 편의상 원통형 형상을 기준으로 설명 한다.
상기 하우징본체(11)는 속이 빈 함체 형상으로 내부에 설치되는 포집영역분리부(3), 제 1 내부포집타워(4), 제 2 내부포집타워(5), 유로전환플레이트(6) 및 메쉬형 포집부(7)에 유입된 미반응가스 중에 포함된 혼합반응부산물이 박막 또는 분말 형태로 응집되어 포집되도록 유입된 미반응 가스를 저장하는 역할을 하도록 구성된다.
하우징본체(11)의 측방향에 설치된 가스유입구(11a)는 유입되는 미반응가스의 흐름을 수평방향으로 공급되도록 하여 상판(12)에 상방향으로 형성된 가스배출구(12a)로 배출되는 가스 흐름을 가지도록 한다. 가스유입구는 곡률로 형성된 하우징본체의 측면 형상에 따라 접합부가 가공후 용접 또는 기타 공지의 체결방법으로 고정시키면 된다. 설치위치는 다양한 지점에 설치할 수 있으나 바람직하게는 하우징 본체 내부에 설치된 제 1 내부포집타워(4)의 포집플레이트 및 가스 유로에 맞추어 설치하면 된다.
또한 하우징본체(11)에는 온냉형 히터(2)에 전원을 공급하는 전원공급부(21)가 외부에 설치되어 전원을 공급하면서 온도를 제어하도록 한다. 이때 냉각수유로부(14)의 냉각수 외부배관(14a)이 하우징본체 외부에서 온냉형 히터(2)의 전원공급부(21)에 홈구조 순환 유로 형태로 형성되는 냉각수 유로부(14b)와 연결되어 순환하도록 구성함으로써 하우징 본체 외부 표면 온도를 조절하도록 구성된다.
또한 하우징본체(11)의 내벽에는 유로전환플레이트(6)의 거치 및 고정을 위한 복수개의 지지편(11b)이 내벽 둘레를 따라 형성된다. 도시된 한 실시예에서는 유로전환플레이트(6)의 둘레를 따라 복수개 형성된 체결홈을 따라 볼트가 지지편에 체결되는 방식으로 예시되어 있다, 하지만 이와 같은 방식 뿐만 아니라 용접을 포함한 다양한 공지의 체결방식으로 체결할 수 있음은 물론이다.
상기 상판(12)은 상부가 개방된 하우징본체(11)의 상부를 덮는 덮개 역할을 하면서 가스배출구(12a)를 통해 혼합반응부산물의 포집이 끝난 미반응가스를 진공펌프쪽으로 배출하도록 하고, 이때 하부에는 설치된 타공형 가스 유도부(12b)는 돌출되어 메쉬형 포집부(7)의 중앙부에 삽입됨으로써 둘레에 위치하는 메쉬형 포집부를 통과한 미반응 가스를 중앙부에서 상판의 상부에 돌출된 가스배출구로 유도하는 역할을 하게 구성된다.
또한 상판(12)에는 하우징본체(11) 내부 공간이 가열될 때 상판 하부에 설치되는 미도시된 오링(O-Ring)이 변형되는 것을 방지하고, 하우징 본체 상부 영역에서 반응부산물 포집시 적절한 온도 영역을 제공하기 위한 냉각수유로부(14)가 상부면에 홈 형태로 가공되어 형성된다. 이때 홈이 형성된 냉각수유로부의 상부는 유로덮개로 막는다. 이때 유로덮개는 미도시되었으나 수밀을 위한 실링처리를 포함하여 체결할 수 있고, 체결방법은 끼움식, 용접식, 볼트체결 방식 등등의 공지 기술로 체결하면 충분하다.
상기 하판(13)은 하우징본체(11)의 개방된 하부를 덮는 덮개 역할을 하면서 상부면에 지지부(13a)가 돌출되어 그 상부에 위치하는 제 1 내부포집타워(4), 제 2 내부포집타워(5), 유로전환플레이트(6)를 고정하게 구성된다. 고정방법은 제 1 내부포집타워(4), 제 2 내부포집타워(5), 포집영역 분리부(3)에 각각 형성된 체결부 또는 체결홀에 체결봉을 삽입하여 지지부와 나사체결하는 방식으로 체결할 수 있다. 물론 이와 같은 체결방법은 바람직한 하나의 실시예로 끼움방식, 용접 방식 등과 같은 다양한 공지의 체결방법으로 체결할 수 있음은 물론이다.
하판의 하부면에는 이동형 바퀴 등이 설치되어 필요한 위치로 편리하게 포집장치를 이동시킬 수 있게 구성할 수 있다. 물론 하판을 공장의 바닥면 또는 프레임에 고정하여 고정형으로 구성할 수 있음은 물론이다.
상기 냉각수유로부(14)는 상판(12)에 형성되어 냉각수 유입구 및 냉각수 배출구를 구비하여 외부의 냉각수탱크(도시 생략)에서 공급된 냉각수를 상판에 형성된 냉각수 유로를 통해 순환 공급 및 배출하도록 구성한다.
또한 냉각수유로부(14)는 상기 온냉형(Hot & Cold Type) 히터(2)에 전원을 공급하는 전선을 보호하는 전원공급부(21) 하부에 홈구조 형태로 순환하도록 형성되어 위치한 냉각수유로(14b)에 냉각수 외부배관(14a)이 연결되어 순환한 후 냉각수 배출구를 통해 배출하도록 구성된다. 냉각수유로(14b)는 홈구조의 냉각수가 순환시 누수되지 않도록 덮개가 씰링되어 처리된다.
이와 같이 냉각수의 유로를 온냉형히터와 유기적으로 연결하여 순환하도록 구성함으로써 고온의 히터로부터 하우징 표면이 가열되는 것을 방지시켜 주는 역할을 한다.
또한 상판에 형성된 냉각수유로부(14)는 냉각수가 냉각수유입구(13)을 통해 유입된 후 냉각수배출구(14)를 통해 배출되게 구성시 유입된 냉각수와 배출되는 냉각수가 서로 섞이지 않도록 경계부를 가지게 형성된다.
냉각수유로부에 사용되는 냉각수는 물 또는 냉매를 사용하면 된다.
상기 온냉형 히터(2)는 전원공급부(21)로부터 전원이 인가되면 발열되면서 히터에 구비되는 디퓨져 구조(확산 구조)가 하우징 본체(11)에 측방향으로 설치된 가스유입구(11a)를 통해 유입되는 미반응 가스의 온도를 가열시키게 된다.
한편, 온냉형 히터(2)는 전원공급부(21)와 연결된 전원배관(22) 둘레를 감싸는 하부 냉각수유로(14b)로 냉각수유로부(14)의 냉각수 외부배관(14a)이 연결되어 냉각수가 순환하면서 열전도되도록 하여 하우징 본체 외부 표면 온도를 조절하도록 구성된다.
상기 온냉형 히터(2)는 하우징본체(11)를 연통되게 설치된 가스유입구(11a)와 평행하게 하우징 본체의 내벽쪽과 볼트 또는 용접 등의 체결방식으로 부착되어 설치된다. 온냉형 히터(2)의 열원은 전열배관의 내부에 전원선에 전원이 인가되면 설정된 온도로 발열되게 된다. 온냉형 히터(2)의 소재는 유입된 가스로 인한 부식을 방지하기 위하여 세라믹 또는 인코넬 등의 소재가 사용된다.
상기와 같이 구성된 온냉형 히터(2)는 프로세스 챔버에서 배출된 미반응 가스가 가스유입구(11a)를 통해 유입될 때 응집되어 막히지 않고 제 1 내부포집타워(4)에 도달할 때 미반응 가스 중에 포함된 혼합반응부산물 중 상대적으로 고온에 반응하여 응집하는 고체 반응부산물이 박막 형태로 포집되게 된다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 포집영역분리부의 구성을 보인 사시도이다,
도시된 바와 같이 포집영역분리부(3)는 온냉형 히터(2)에 의해 가열 후 유입되는 미반응 가스의 열을 가두고 이동방향 흐름을 제어하여 반응부산물 포집 공간을 분리하도록 형성된 전면차단판(31)과;
전면차단판의 상부를 막아 유입된 미반응 가스의 상부방향 이동 흐름을 차단하는 상부차단판(32)과;
상기 전면차단판(31)의 하부에 형성되어 미반응 가스의 흐름을 하부로 유도하여 배출시키도록 형성된 가스 이동부(33)를 포함하여 형성된다.
상기 전면차단판(31)은 사각 플레이트 형태로 구성되어 좌우 폭이 하우징본체의 내경에 해당하는 크기로 형성되어 밀폐작용을 하도록 형성하는 것이 바람직하다.
상부차단판(32)은 하우징본체의 내경 크기에 해당하는 직경을 가진 반원형태로 형성하여 전면차단판(31)에 의해 포집공간이 분리된 전면 영역의 상부를 밀폐하도록 구성한다.
또한 상기 상부차단판에는 체결홀(34)이 형성되어 하판(13)에 형성된 지지부(13a)에 체결봉을 삽입하여 지지부와 나사체결하는 방식으로 체결할 수 있다. 물론 이와 같은 체결방법은 바람직한 하나의 실시예로 끼움방식, 용접 방식 등과 같은 다양한 공지의 체결방법으로 체결할 수 있음은 물론이다.
상기 가스 이동부(33)는 상기 전면차단판의 전면 영역에 설치된 제 1 내부포집타워(4)를 통해 이동하면서 미반응가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 상대적으로 고온의 환경하에서 박막형태로 포집되는 반응부산물이 포집된 나머지 반응부산물을 포함한 미반응 가스를 하부로 배출시키기 위해 형성된다. 이때 가스 이동부는 가스 유입구에서 유입된 가스의 풍력에 의한 부하를 저감하면서 원활한 배출을 통해 개구 형태로 구성하는 것이 바람직하다. 하지만 복수개의 홀로 구성할 수도 있다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 내부포집타워의 일측 방향 구성을 보인 사시도이고, 도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 내부포집타워의 타측 방향 구성을 보인 사시도이다.
도시된 바와 같이 제 1 내부포집타워(4)는 포집영역분리부(3)에 의해 포집영역이 온도에 따라 분리된 전면 영역에 위치하여 유입되는 미반응 가스와 마주하여 가스의 흐름을 상하로 가이드하면서 미반응 가스 중에 포함된 혼합반응부산물 중 고온 영역에서 박막형태로 반응부산물을 포집하도록 수평방향으로 형성된 하나 이상의 포집플레이트로 구성된다.
한 실시예로 본 발명은 전방에 위치한 제 1 포집플레이트(41)와 이와 일정간격 이격된 지점에 위치하는 제 2 포집플레이트(42)로 구성되어 면상에서 포집이 이루어지도록 한다.
상기 제 1 포집플레이트(41)와 제 2 포집플레이트(42)는 각각 면상에 다수의 홀(411a, 421a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(411, 421);가 일영역 이상에 형성되어 유입되는 미반응가스의 흐름을 상하로 가이드하여 체류시간을 연장시켜 보다 많은 반응시간을 제공하여 박막형태로 반응부산물이 포집되도록 구성된다.
제 1 포집플레이트(41)에 형성된 가스이동부(411)는 한 실시예로 상부, 중앙 및 하부에 형성될 수 있는데 하부쪽에 더 많은 홀(411a)이 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 제 2 포집 플레이트(42) 상부 홀에 의해 가스의 흐름이 상부쪽으로 집중될 수 있다. 이런 경우 가스 유로의 불균형으로 유속 차에 의한 와류 발생이 적고 또한 온도 저하 편차가 커져 트랩 포집 성능이 저하될 수 있기 때문에 상부, 중앙 및 하부로 형성하는 것이 바람직하다.
또한 제 2 포집플레이트(42)에 형성된 가스이동부(421)는 한 실시예로 상부에만 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 형성하면 제 1 포집플레이트(41)의 하부에 형성된 주 유동 흐름에 의한 미반응 가스가 상부로 이동하는 가스 흐름을 유도할 수 있고, 가스 유로 길이를 증가시켜 가스 체류 시간을 늘리고 유속차에 의한 와류 발생 효율을 향상시켜 포집 효율을 증가시킨다. 제 2 포집플레이트(42)의 상부 가스이동부(421)에 형성된 홀(421a)은 제 1 포집플레이트(41)에 형성된 홀 보다 상대적으로 크게 형성하는 것이 미반응 가스의 부하를 막을 수 있어서 바람직하다.
상기 제 1 포집플레이트(41)와 제 2 포집플레이트(42)는 각각 면상의 전면 방향으로 돌출된 복수개의 구조형 포집플레이트(412, 422)가 형성된다.
또한 제 1 포집플레이트(41)는 면상의 후면 방향으로 돌출된 복수개의 구조형 포집플레이트(412)를 더 포함하여 구성할 수 있다. 이와 같이 구성하면 제 1 포집플레이트(41)희 후면에 형성된 구조형 플레이트(412)와 제 2 포집플레이트(42)의 전면에 형성된 구조형플레이트(52) 간에 형성하는 와류 발생이 증대되면서 반응부산물 포집효율이 증대될 수 있다.
이러한 구조형 포집플레이트(412, 422)는 유입되는 미반응가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 고효율로 포집하기 위해 단위면적 당 넓은 표면적과 포집시간 증대를 위해 와류발생 구조를 가지도록 십자단면 또는 이중 십자단면을 가지게 형성하는 것이 바람직하다.
또한 전면에 형성된 구조형 포집플레이트(412, 422)가 후면에 형성된 구조형 포집플레이트(412) 보다 더 많이 형성하여 주된 포집이 이루어지도록 한다.
제 1 내부포집타워(4)에서의 포집은 제 1 포집플레이트(41) 및 제 2 포집플레이트(42)의 전면과 후면 그리고 상기 구조형 포집플레이트(412 422)에서 포집되게 된다.
상기 제 1 포집플레이트(41)와 제 2 포집플레이트(42)의 후면에는 체결부(413, 423)가 형성되어 하우징의 하판에 형성된 지지부(13a)에 체결되게 된다. 체결방법은 체결봉을 체결부(413, 423)에 삽입하여 지지부와 나사체결하는 방식으로 체결할 수 있다. 물론 이와 같은 체결방법은 바람직한 하나의 실시예로 끼움방식, 용접 방식 등과 같은 다양한 공지의 체결방법으로 체결할 수 있음은 물론이다.
상기와 같이 구성된 제 1 내부포집타워(4)는 상기 포집영역분리부(3)의 전면 영역에 위치하여 후면 영역보다 상대적으로 고온이 유지된 공간영역에서 유입되는 미반응 가스의 이동 흐름을 상하로 이동시키면서 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 고온에 반응하여 박막형태로 응집되는 반응부산물을 제 1 내부포집타워(4)에서의 포집은 제 1 포집플레이트(41) 및 제 2 포집플레이트(42)의 전면과 후면 평면과 상기 구조형 포집플레이트(412 422)에서 고효율로 포집되게 된다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 내부포집타워의 일측 방향 구성을 보인 사시도이고, 도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 내부포집타워의 타측 방향 구성을 보인 사시도이다.
도시된 바와 같이 제 2 내부포집타워(5)는 포집영역분리부(3)에 의해 포집영역이 온도에 따라 분리된 후면 영역에 위치하여 유입되는 미반응 가스와 마주하여 가스의 흐름을 상부방향으로 지그재그 방향으로 전환하면서 가이드하면서 미반응 가스 중에 포함된 혼합반응부산물 중 저온 영역에서 분말형태로 반응부산물을 포집하도록 수직방향으로 반원판 형상의 포집플레이트 복수개가 평면 포집플레이트에 의해 일정간격 이격되어 적층된 포집플레이트로 구성된다.
한 실시예로 본 발명은 전단이 선분이고 후단이 호 형상을 가지는 반원판 형상을 기준으로 할 경우, 후단 일지점 영역에 다수의 홀(511a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(511)가 형성된 반원판 형상의 제 1 포집플레이트(51)와;
전단 일지점 영역에 다수의 홀(521a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(521)가 형성된 반원판 형상의 제 2 포집플레이트(52)와;
상부 방향으로 복수개 적층되는 상기 제 1 포집플레이트(51)와 제 2 포집플레이트(52) 사이에 설치되어 상하 일정간격으로 이격시키고, 면상에 다수의 홀(53a)이 천공된 평면 포집플레이트(53)로 구성된다.
이와 같이 구성됨으로써 상하부에 위치하는 가스이동부(511) 및 가스이동부(521)가 번갈아 위치하여 지그재그 방향으로 미반응 가스의 흐름을 가이드 하도록 구성된다.
바람직하게는 최하단에는 후단 일지점 영역에 다수의 홀(511a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(511)가 형성된 반원판 형상의 제 1 포집플레이트(51)가 위치하게 하고, 최상단에는 전단 일지점 영역에 다수의 홀(521a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(521)가 형성된 반원판 형상의 제 2 포집플레이트(52)가 위치하도록 구성한다. 이와 같이 구성하면 포집영역분리부(3)의 하부 가스 이동부(33)를 통해 하부로 유입된 미반응 가스의 유로를 최대한 먼 지점까지 연장되어 이동한 후 상부로 이동하기 때문에 보다 많은 체류시간과 포집효율을 가지게 된다.
상기 평면 포집플레이트(53)는 각 제 1 포집플레이트(51) 및 각 제 2 포집플레이트(52)의 중앙부에 폭방향으로 가로지르게 설치하여 각 가스이동부(511) 및 가스이동부(521)를 통과하여 상부로 이동한 미반응가스가 수평방향으로 이동시 재차 와류를 발생시켜 연장된 면상의 유로를 이동하면서 보다 많은 반응부산물이 저온환경하에서 분말 형태로 포집되면서 지그재그 방식으로 이동 및 상승하도록 한다.
한편, 최상단에 위치한 평면 포집플레이트(53)는 추가적인 복수개의 평면 포집플레이트(53)로 구성하여 와류를 다중 발생시키면서 포집효율을 높인 다음 유로전환플레이트(6)로 이동하도록 한다.
상기 상하로 일정간격 이격되어 적층된 제 1 포집플레이트(51)와 제 2 포집플레이트(52)에는 다수 지점에 체결홀(54)과 이를 상하로 관통하는 봉 형상의 체결부(55)가 형성되어 하우징의 하판에 형성된 지지부(13a)에 체결되게 된다.
체결방법은 각 지점에 위치한 체결부(54)의 하부를 지지부에 삽입하여 나사체결하는 방식으로 체결할 수 있다. 물론 이와 같은 체결방법은 바람직한 하나의 실시예로 끼움방식, 용접 방식 등과 같은 다양한 공지의 체결방법으로 체결할 수 있음은 물론이다.
상기와 같이 구성된 제 2 내부포집타워(5)는 상기 포집영역분리부(3)의 후면 영역에 위치하여 전면 영역보다 상대적으로 저온이 유지된 공간영역에서 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 저온에 반응하여 분말 형태로 응집되는 반응부산물을 포집시키도록 구성된다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 유로전환플레이트를 보인 사시도이다.
도시된 바와 같이 유로전환플레이트(6)는 하우징 본체의 내부 공간을 상부와 하부로 최대한 밀폐하여 분리하는 원판 형상의 플레이트본체(61)와; 플레이트본체의 일영역에 형성되어 미반응 가스의 통로로 사용되는 다수의 홀(62a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(62);로 구성된다.
상기 플레이트본체(61)의 외경은 바람직하게는 하우징 본체의 내경에 해당하는 크기를 가지면 가장 좋지만 조립 설치를 위해 가장 근접된 크기로 제작되면 된다.
플레이트본체의 고정은 하우징본체(11)의 내벽 둘레를 따라 설치된 복수개의 지지편(11b)에 안치 후, 이에 대응하게 플레이트 본체의 둘레를 따라 형성된 체결홈(61a)에 볼트를 삽입하여 체결하면 된다. 하지만 이와 같은 방식 뿐만 아니라 용접을 포함한 다양한 공지의 체결방식으로 체결할 수 있음은 물론이다.
또한 상기 플레이트본체(61)를 하우징 내부로 삽입시는 상면에 형성된 손잡이(61b)를 사용하면 된다.
상기와 같이 구성된 유로전환플레이트(6)는 상기 포집영역분리부(3)의 상부에 위치하여 제 2 내부포집타워(5)를 거쳐 상부방향으로 이동하는 미반응 가스의 유로를 가스이동부(62)가 형성되지 않은 플레이트본체(61)가 막아 가스의 흐름을 유로 방향을 전환시키면서 연장한 후 다수의 홀(62a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(62)를 통해 상부로 배출되도록 가이드 한다.
이때 유로전환플레이트는 미반응 가스의 방향전환 및 유로연장 작용뿐만 아니라 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 저온에 반응하여 분말 형태로 응집하는 잔여 반응부산물을 재차 포집시키는 역할을 하게 된다.
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 메쉬형 포집부를 보인 사시도이다.
도시된 바와 같이 메쉬형 포집부(7)는 하부면은 막히고 측면은 미반응 가스가 유입되도록 망 형태로 구성되고, 상부면은 중앙부에만 일정 깊이의 망형태 삽입부(71a)가 형성되어 하우징의 상판(12)의 하부로 돌출되어 형성된 타공형 가스 유도부(12b)가 삽입되도록 구성된 본체(71)와; 상기 본체 내부 수납되어 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 잔여 반응부산물을 저온 조건하에서 분말형태로 포집하는 메쉬 필터(72)로 구성된다.
본체(71)는 상면의 둘레에 복수개 형성된 체결구를 하우징의 상판 하부와 체결하면 된다. 물론 이와 같은 방식이 본 발명을 한정하는 것은 아니고 끼움, 용접 등과 같은 다양한 공지의 체결방법 중 어느 것을 사용하여 체결할 수 있음은 물론이다.
메쉬 필터(72)는 메쉬울과 같은 형태로 구성되어 복잡하게 얽힌 내부 기공을 따라 미반응 가스가 이동되도록 하여 잔여 반응부산물을 재차 미세하게 포집하게 된다.
상기와 같이 구성된 메쉬형 포집부(7)는 유로전환플레이트(6)의 일지점 영역을 통해 상부로 배출된 미반응 가스가 측면을 통해 내부에 수납된 메쉬 필터(72)에서 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 저온에 반응하여 분말 형태로 응집하는 잔여 반응부산물을 포집시킨 후 미반응 가스만 중앙부에 형성된 망형태 삽입부(71a)를 통해 측면으로 타공형 가스 유도부(12b)로 유입된 후 상부에 위치한 상판(12)의 가스배출구(12a)를 통해 배출된다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반응부산물 다중 포집장치는 프로세스 챔버에서 배출된 미반응 가스를 하우징(1)의 측방향을 통해 하우징본체(11) 내측으로 공급하면 온냉형 히터(2)에 의해 가열된 미반응 가스가 포집 영역을 분리하도록 유입되는 미반응 가스의 이동 방향 흐름을 제어하면서 열의 분포 영역을 분리시키는 포집영역분리부(3)에 의해 전면 영역에서는 제 1 내부포집타워(4)를 통해 상하로 이동하면서 상대적으로 고온영역에서 박막 형태로 응집되는 반응부산물이 포집되고, 후면 영역에서는 제 2 내부포집타워(5)를 통해 하부에서 상부방향으로 지그재그방식으로 이동하면서 상대적으로 저온영역에서 분말형태로 응집되는 반응부산물이 포집되고,
재차 유로전환플레이트(6)거치면서 연장된 유로 및 메쉬형 포집부(7)의 메쉬필터에 의해 잔여 반응부산물을 세밀하게 포집한 후 배출하게 된다.
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 포집경향을 보인 예시도이고, 도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 가스 흐름을 보인 예시도이다.
도 12 중 (A)는 반응부산물 포집영역이고, (B)는 혼합반응부산물 중 주로 Al2O3가 포집되는 영역을 표시한 것이고, (C)는 혼합반응부산물 중 주로 TiO2 포집되는 영역을 표시한 것이다. 또한 도 13중 (D)는 가스유로를 나타낸다. 또한 이하 설명엔 나오는 구성은 도 1 내지 11의 설명을 참조하면 된다.
도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반응부산물 다중 포집장치는 하우징 내부로 유입된 미반응 가스가 포집 영역을 분리하도록 유입되는 미반응 가스의 이동 방향 흐름을 제어하면서 열의 분포 영역을 분리시키는 포집영역분리부(3)에 의해 전면 영역에서는 제 1 내부포집타워(4)를 통해 상하로 이동하면서 상대적으로 고온영역에서 박막 형태로 응집되는 반응부산물이 포집되고, 후면 영역에서는 제 2 내부포집타워(5)를 통해 하부에서 상부방향으로 지그재그방식으로 이동하면서 상대적으로 저온영역에서 분말형태로 응집되는 반응부산물이 포집흐 배출되는 포집경향과 가스흐름을 가지는 것을 알 수 있다.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
(1) : 하우징 (2) : 온냉형히터
(3) : 포집영역분리부 (4) : 제 1 내부포집타워
(5) : 제 2 내부포집타워 (6) : 유로전환플레이트
(7) : 메쉬형 포집부 (11) : 하우징본체
(11a) : 가스유입구 (11b) : 지지편
(12) : 상판 (12a) : 가스배출구
(12b) : 타공형 가스 유도부 (13) : 하판
(13a) : 지지부 (14) : 냉각수유로부
(14a) : 냉각수 외부배관 (14b) : 하부 냉각수유로
(21) : 전원공급부 (22) : 전원배관
(31) : 전면차단판 (32) : 상부차단판
(33) : 가스 이동부 (34) : 체결홀
(41) : 제 1 포집플레이트 (42) : 제 2 포집플레이트
(51) : 제 1 포집플레이트 (52) : 제 2 포집플레이트
(53) : 평면 포집플레이트 (53a) : 홀
(54) : 체결홀 (55) : 체결부
(61) : 플레이트본체 (61a) : 체결홈
(61b) : 손잡이 (62) : 가스이동부
(62a) : 홀 (71) : 본체
(71a) : 삽입부 (72) : 메쉬 필터
(411, 421) : 가스이동부 (411a, 421a) : 홀
(412, 422) : 구조형 포집플레이트 (413, 423) : 체결부
(511, 521) : 가스이동부 (511,521a) : 홀

Claims (14)

  1. 반도체 제조공정 중 프로세스 챔버에서 다중 박막 증착 과정을 거친 후 배출되는 미반응가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 포집하는 장치에 있어서,
    하우징(1)의 내부에 위치하여 온냉형 히터(2)에 의해 가열되면서 유입된 미반응 가스의 흐름을 제어하여 열의 분포 영역을 분리시키는 포집영역분리부(3)와;
    상기 포집영역분리부(3)의 전면 영역에 위치하여 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 상대적으로 고온에 반응하는 반응부산물을 박막형태로 포집시키는 제 1 내부포집타워(4)와;
    상기 포집영역분리부(3)의 후면 영역에 위치하여 전면 영역보다 상대적으로 저온이 유지된 공간영역에서 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물 중 상대적으로 저온에 반응하는 반응부산물을 분말 형태로 포집시키는 제 2 내부포집타워(5);를 포함하여 미반응 가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 하나의 장치에서 영역을 분리하여 포집하도록 구성하되,
    상기 포집영역분리부(3)의 상부에 위치하여 제 2 내부포집타워(5)를 거친 가스의 유로 방향을 전환시키면서 연장하여 미반응 가스 중에 포함된 잔여 반응부산물을 포집시키는 유로전환플레이트(6);를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 하우징(1)은 가스유입구(11a)가 측방향에 형성되어 유입된 미반응 가스를 수용하는 하우징본체(11)와; 가스배출구(12a)가 상방향으로 설치되고 하부에는 타공형 가스 유도부(12b)가 돌출되어 형성된 상판(12)과; 포집영역분리부(3), 제 1 내부포집타워(4), 제 2 내부포집타워(5)를 체결하여 지지하는 하판(13) 및 상기 상판(12)에 설치되어 상판 및 하우징 외부 표면 온도를 냉각시켜 조절하는 냉각수유로부(14)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 온냉형 히터(2)는 전원공급부(21)와 연결된 전원배관(22) 둘레를 감싸는 하부 냉각수유로(14b)로 냉각수유로부(14)의 냉각수 외부배관(14a)이 연결되어 냉각수가 순환하면서 열전도되도록 하여 하우징 외부 표면 온도를 조절하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 유로전환플레이트(6)의 일지점 영역을 통해 상부로 배출된 미반응 가스 중에 포함된 잔여 반응부산물을 포집시킨 후 미반응 가스만 상판의 가스배출구를 통해 배출시키는 메쉬형 포집부(7);를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 포집영역분리부(3)는 가열 후 유입되는 미반응 가스의 열을 가두고 이동방향 흐름을 제어하여 반응부산물 포집 공간을 분리하는 전면차단판(31)과;
    전면차단판의 상부를 막아 유입된 미반응 가스의 상부방향 이동 흐름을 차단하는 상부차단판(32)과;
    상기 전면차단판(31)의 하부에 형성되어 미반응 가스의 흐름을 하부로 유도하여 배출시키는 가스 이동부(33)를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 내부포집타워(4)는 전방에 위치한 제 1 포집플레이트(41)와 이와 일정간격 이격된 지점에 위치하는 제 2 포집플레이트(42)로 구성되고,
    상기 제 1 포집플레이트(41)와 제 2 포집플레이트(42)는 각각 면상에 다수의 홀(411a, 421a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(411, 421);가 일영역 이상에 형성되어 유입되는 미반응가스의 흐름을 상하로 가이드하고,
    상기 제 1 포집플레이트(41)와 제 2 포집플레이트(42)는 각각 면상의 전면 방향으로 돌출된 복수개의 구조형 포집플레이트(412, 422)가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 포집플레이트(41)에 형성된 가스이동부(411)는 상부, 중앙 및 하부에 형성되고, 상기 제 2 포집플레이트(42)에 형성된 가스이동부(421)는 상부에만 형성되어 미반응가스의 흐름을 가이드 하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 포집플레이트(41)는 면상의 후면 방향으로 돌출된 복수개의 구조형 포집플레이트(412)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 구조형 포집플레이트(412, 422)는 십자단면 또는 이중 십자단면을 가지게 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 내부포집타워(5)는 후단 일지점 영역에 다수의 홀(511a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(511)가 형성된 반원판 형상의 제 1 포집플레이트(51)와;
    전단 일지점 영역에 다수의 홀(521a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(521)가 형성된 반원판 형상의 제 2 포집플레이트(52)와;
    상부 방향으로 복수개 적층되는 상기 제 1 포집플레이트(51)와 제 2 포집플레이트(52) 사이에 설치되어 상하 일정간격으로 이격시키고, 면상에 다수의 홀(53a)이 천공된 평면 포집플레이트(53)로 구성되어 미반응 가스의 흐름을 상부방향으로 지그재그 방향으로 전환시키면서 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제 2 내부포집타워(5)는 최하단에 제 1 포집플레이트(51)를 위치시키고, 최상단에 제 2 포집플레이트(52)가 위치시켜 유입된 미반응 가스의 유로를 연장하고,
    상기 평면 포집플레이트(53)는 각 제 1 포집플레이트(51) 및 각 제 2 포집플레이트(52)의 중앙부에 폭방향으로 가로지르게 설치하되, 최상단에 위치한 평면 포집플레이트(53)는 복수개의 평면 포집플레이트(53)로 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 유로전환플레이트(6)는 하우징 본체의 내부 공간을 상부와 하부로 분리하는 원판 형상의 플레이트본체(61)와; 플레이트본체의 일영역에 형성되어 미반응 가스의 통로로 사용되는 다수의 홀(62a)이 천공되어 이루어진 가스이동부(62);로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
  14. 청구항 5에 있어서,
    상기 메쉬형 포집부(7)는 하부면은 막히고 측면은 미반응 가스가 유입되도록 망 형태로 구성되고, 상부면은 중앙부에만 일정 깊이의 망형태 삽입부(71a)가 형성되어 하우징의 상판(12)의 하부로 돌출되어 형성된 타공형 가스 유도부(12b)가 삽입되도록 구성된 본체(71)와;
    상기 본체 내부 수납되어 유입되는 미반응 가스 중에 포함된 잔여 반응부산물을 저온 조건하에서 분말형태로 포집하는 메쉬 필터(72)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
KR1020210055004A 2021-04-28 2021-04-28 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치 KR102311930B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210055004A KR102311930B1 (ko) 2021-04-28 2021-04-28 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치
JP2021115875A JP7200304B2 (ja) 2021-04-28 2021-07-13 半導体工程用反応副産物多重捕集装置
US17/377,202 US20220349052A1 (en) 2021-04-28 2021-07-15 Apparatus for trapping multiple reaction by-products for semiconductor process
TW110126334A TWI789831B (zh) 2021-04-28 2021-07-16 半導體製程用反應副產物多重捕獲裝置
CN202110815995.7A CN115249607A (zh) 2021-04-28 2021-07-20 半导体工程用反应副产物多重捕获装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210055004A KR102311930B1 (ko) 2021-04-28 2021-04-28 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102311930B1 true KR102311930B1 (ko) 2021-10-13

Family

ID=78150749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210055004A KR102311930B1 (ko) 2021-04-28 2021-04-28 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220349052A1 (ko)
JP (1) JP7200304B2 (ko)
KR (1) KR102311930B1 (ko)
CN (1) CN115249607A (ko)
TW (1) TWI789831B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220203289A1 (en) * 2020-12-31 2022-06-30 J-Solution Co., Ltd. Cobalt-carbon gas collection apparatus
KR102622343B1 (ko) 2023-06-21 2024-01-08 주식회사 미래보 고온 영역에서의 열분해와 저온 영역에서의 산화 반응 유도를 통한 반도체 공정용 반응부산물 포집장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102508977B1 (ko) * 2021-06-24 2023-03-14 주식회사 미래보 에칭 공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치
KR20230130785A (ko) * 2022-03-04 2023-09-12 주식회사 미래보 가스 흐름 유도를 통해 포집가용 영역 확장이 가능한 반응부산물 포집장치
KR102439402B1 (ko) * 2022-03-29 2022-09-02 주식회사 미래보 포집 가용 영역이 확장된 반응부산물 포집장치

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200211274Y1 (ko) * 1998-03-31 2001-03-02 김영환 반도체웨이퍼증착장비의잔류부산물포집장치
KR100717837B1 (ko) 2006-11-21 2007-05-14 주식회사 이노시스템 반도체 공정의 반응부산물 포집장치
KR100858046B1 (ko) * 2007-06-11 2008-09-10 주식회사 엠아이 반도체 제조장비용 트랩
KR100862684B1 (ko) 2008-02-19 2008-10-10 (주)화인 반도체공정의 부산물 포집장치
KR20110006874U (ko) * 2009-12-31 2011-07-07 주식회사 케이씨텍 다중막의 증착을 위한 원자층 증착장치
KR20130036452A (ko) * 2011-10-04 2013-04-12 주식회사 뉴프로테크 반도체 제조장치용 부산물 포집 장치
KR101447629B1 (ko) 2014-01-10 2014-10-08 (주) 엠엠티케이 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치
KR101806480B1 (ko) 2016-03-28 2018-01-10 주식회사 미래보 반도체 제조 공정 중 발생하는 부산물 포집장치
KR20200062901A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 주식회사 미래보 반도체 공정의 반응부산물 포집장치
KR20200116705A (ko) * 2019-04-02 2020-10-13 주식회사 미래보 반도체 공정의 반응부산물 포집장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3651140B2 (ja) * 1996-09-18 2005-05-25 ソニー株式会社 トラップシステム及びこれを用いた半導体成長装置
JP3567070B2 (ja) * 1997-12-27 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
KR100631924B1 (ko) * 2005-01-24 2006-10-04 삼성전자주식회사 반도체 설비의 잔류부산물 포집장치
JP5036354B2 (ja) * 2006-04-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
KR100937160B1 (ko) * 2009-05-15 2010-01-15 우주쎄미텍 주식회사 반도체 부산물 트랩 장치
KR101840332B1 (ko) * 2017-01-17 2018-05-04 주식회사 미래보 반도체 공정 부산물 포집장치
CN112546799B (zh) * 2019-09-25 2023-01-17 未来宝株式会社 配备冷却流路的半导体工程反应副产物收集装置
TWI721595B (zh) * 2019-10-09 2021-03-11 南韓商未來寶股份有限公司 配備冷卻流路的半導體工程反應副產物收集裝置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200211274Y1 (ko) * 1998-03-31 2001-03-02 김영환 반도체웨이퍼증착장비의잔류부산물포집장치
KR100717837B1 (ko) 2006-11-21 2007-05-14 주식회사 이노시스템 반도체 공정의 반응부산물 포집장치
KR100858046B1 (ko) * 2007-06-11 2008-09-10 주식회사 엠아이 반도체 제조장비용 트랩
KR100862684B1 (ko) 2008-02-19 2008-10-10 (주)화인 반도체공정의 부산물 포집장치
KR20110006874U (ko) * 2009-12-31 2011-07-07 주식회사 케이씨텍 다중막의 증착을 위한 원자층 증착장치
KR20130036452A (ko) * 2011-10-04 2013-04-12 주식회사 뉴프로테크 반도체 제조장치용 부산물 포집 장치
KR101447629B1 (ko) 2014-01-10 2014-10-08 (주) 엠엠티케이 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치
KR101806480B1 (ko) 2016-03-28 2018-01-10 주식회사 미래보 반도체 제조 공정 중 발생하는 부산물 포집장치
KR20200062901A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 주식회사 미래보 반도체 공정의 반응부산물 포집장치
KR20200116705A (ko) * 2019-04-02 2020-10-13 주식회사 미래보 반도체 공정의 반응부산물 포집장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220203289A1 (en) * 2020-12-31 2022-06-30 J-Solution Co., Ltd. Cobalt-carbon gas collection apparatus
US11517847B2 (en) * 2020-12-31 2022-12-06 J-Solution Co., Ltd. Cobalt-carbon gas collection apparatus
KR102622343B1 (ko) 2023-06-21 2024-01-08 주식회사 미래보 고온 영역에서의 열분해와 저온 영역에서의 산화 반응 유도를 통한 반도체 공정용 반응부산물 포집장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP7200304B2 (ja) 2023-01-06
US20220349052A1 (en) 2022-11-03
TWI789831B (zh) 2023-01-11
TW202241576A (zh) 2022-11-01
CN115249607A (zh) 2022-10-28
JP2022170635A (ja) 2022-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102311930B1 (ko) 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치
CN111223790B (zh) 半导体工艺的反应副产物收集装置
US7988755B2 (en) Byproduct collecting apparatus of semiconductor apparatus
KR102311939B1 (ko) 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치
TW201927390A (zh) 半導體工藝副產物捕集裝置
US11462422B2 (en) Apparatus having cooling line for collecting by-product in semiconductor manufacturing process
KR102228180B1 (ko) 유기막 증착 공정 시 발생하는 반응 부산물 포집 장치
US11623175B1 (en) Apparatus for trapping of reaction by-product having self regenerating function for used inner collecting tower
US11562943B2 (en) Apparatus for collecting by-product in semiconductor manufacturing process
CN112546799B (zh) 配备冷却流路的半导体工程反应副产物收集装置
US11872515B2 (en) Apparatus for trapping of reaction by-product capable of expanding the area for collection by inducing gas flow
US11872516B2 (en) Apparatus for trapping of reaction by-product with extended available collection area
TWI721595B (zh) 配備冷卻流路的半導體工程反應副產物收集裝置
KR102209662B1 (ko) 코발트-탄소 가스 포집장치
KR102622343B1 (ko) 고온 영역에서의 열분해와 저온 영역에서의 산화 반응 유도를 통한 반도체 공정용 반응부산물 포집장치
CN112546798B (zh) 配备冷却流路的半导体工程反应副产物收集装置
TWI721594B (zh) 配備冷卻流路的半導體工程反應副產物收集裝置
JP2021064665A (ja) 冷却流路を備えた半導体プロセスの反応副産物捕集装置
US11517847B2 (en) Cobalt-carbon gas collection apparatus
KR20230090985A (ko) 반도체 공정 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant