KR102307550B1

KR102307550B1 - A microphone package

Info

Publication number: KR102307550B1
Application number: KR1020190119763A
Authority: KR
Inventors: 윤상영; 민철규
Original assignee: (주)파트론
Priority date: 2019-09-27
Filing date: 2019-09-27
Publication date: 2021-09-30
Also published as: KR20210037297A

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크론 패키지는, 하부로 개방된 케이스, 상기 케이스의 하부에 위치하는 기판, 상기 기판 상에 위치하여, 외부에서 입력되는 음파를 전기 신호로 변환하는 MEMS 트랜듀서(MEMS Transducer) 및 상기 기판 상에 위치하여, 상기 MEMS 트랜듀서로부터 입력되는 상기 전기 신호를 처리하여 출력하는 신호처리부를 포함하고, 상기 기판은 상기 MEMS 트랜듀서가 실장되는 실장영역 및 상기 실장영역을 둘러싸는 주변영역으로 구분되고, 상기 기판은 내부에 복수의 금속층을 포함하되, 상기 금속층은 상기 주변영역에 위치하고, 상기 실장영역에는 위치하지 않는다.The micron package according to an embodiment of the present invention includes a case open to the bottom, a substrate positioned under the case, and a MEMS transducer (MEMS) positioned on the substrate to convert sound waves input from the outside into electrical signals. transducer) and a signal processing unit positioned on the substrate to process and output the electrical signal input from the MEMS transducer, wherein the substrate surrounds a mounting region in which the MEMS transducer is mounted and the mounting region It is divided into a peripheral region, and the substrate includes a plurality of metal layers therein, wherein the metal layer is located in the peripheral region and is not located in the mounting region.

Description

마이크로폰 패키지{A microphone package}Microphone package {A microphone package}

본 발명은 마이크로폰 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 중 금속층이 존재하지 않는 실장영역에 MEMS 트랜듀서 및 백챔버가 안착되는 마이크로폰 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a microphone package, and more particularly, to a microphone package in which a MEMS transducer and a back chamber are seated in a mounting area in which a metal layer does not exist in a substrate.

최근 휴대폰, 스마트폰 등의 이동 통신용 단말기나, 태블릿PC, MP3 플레이어 등과 같은 전자 장치는 보다 소형화되고 있다. 이에 따라 전자 장치의 부품 또한 더욱 소형화되고 있다. 따라서, 부품의 물리적 한계를 해결할 수 있는 멤스(Micro Electro Mechanical System: MEMS) 기술 개발이 진행되고 있다.Recently, mobile communication terminals such as mobile phones and smart phones, and electronic devices such as tablet PCs and MP3 players are becoming smaller. Accordingly, components of electronic devices are also becoming smaller. Accordingly, the development of a micro electro mechanical system (MEMS) technology capable of solving the physical limitations of parts is in progress.

멤스 기술은, 집적 회로 기술을 응용한 마이크로 머시닝(micro machining) 기술을 이용하여 마이크로 단위의 초소형 센서, 액츄에이터 또는 전기 기계적 구조체를 제작하는데 응용될 수 있다. 이와 같은 멤스 기술이 적용된 멤스 마이크로폰은 초소형의 소자를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 하나의 웨이퍼 상에 다수의 멤스 마이크로폰을 제조할 수 있어 대량 생산이 가능하다.MEMS technology can be applied to fabricating micro-scale sensors, actuators, or electromechanical structures by using micro-machining technology to which integrated circuit technology is applied. The MEMS microphone to which such MEMS technology is applied can not only implement a micro-sized device, but also can manufacture multiple MEMS microphones on a single wafer, enabling mass production.

상기한 멤스 기술은 비금속층인 기판의 내부에 금속층이 실장되는 것이 일반적인데, 이러한 결합구조에 열이 전달되는 경우 서로 다른 열팽창계수에 의해 뒤틀림 현상이 발생하는 문제점이 있었다.In the MEMS technology described above, it is common that a metal layer is mounted on the inside of a substrate, which is a non-metal layer. When heat is transferred to such a bonding structure, there is a problem in that distortion occurs due to different coefficients of thermal expansion.

(특허문헌 1) KR10-1141176 B1(Patent Document 1) KR10-1141176 B1

(특허문헌 2) KR10-2007-0053763 A(Patent Document 2) KR10-2007-0053763 A

본 발명이 해결하려는 과제는, 기판 중 금속층이 존재하지 않는 실장영역에 MEMS 트랜듀서 및 백챔버가 안착되어 동일한 전기용량을 구현하면서도 금속층의 면적을 낮출 수 있는 마이크로폰 패키지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a microphone package in which a MEMS transducer and a back chamber are seated in a mounting area in which a metal layer does not exist in a substrate to realize the same capacitance while reducing the area of the metal layer.

또한, 본 발명이 해결하려는 과제는, 비금속층인 기판의 내부에 실장되는 금속층의 면적을 최소화시킴에 따라 서로 다른 열팽창계수를 지닌 비금속층 및 비금속층의 내부에 실장되는 금속층의 결합으로 인하여 발생할 수 있는 뒤틀림(warpage) 현상을 개선하는 마이크로폰 패키지를 제공하는 것이다.In addition, the problem to be solved by the present invention is due to the combination of the non-metal layer and the metal layer mounted on the inside of the non-metal layer having different coefficients of thermal expansion as the area of the metal layer mounted on the inside of the substrate, which is a non-metal layer, is minimized. It is to provide a microphone package that improves the warpage phenomenon.

또한, 본 발명이 해결하려는 과제는, 기판의 적어도 일부를 함몰시킨 함몰부를 형성하고 함몰부에 MEMS 트랜듀서를 안착시켜서 결과적으로 제품의 전체 높이를 낮게 구현함에 따라 제품의 슬림화를 구현하는 마이크로폰 패키지를 제공하는 것이다.In addition, the problem to be solved by the present invention is to form a depression in which at least a portion of the substrate is depressed, and to seat the MEMS transducer in the depression, thereby reducing the overall height of the product as a result. will provide

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크론 패키지는, 하부로 개방된 케이스, 상기 케이스의 하부에 위치하는 기판, 상기 기판 상에 위치하여, 외부에서 입력되는 음파를 전기 신호로 변환하는 MEMS 트랜듀서(MEMS Transducer) 및 상기 기판 상에 위치하여, 상기 MEMS 트랜듀서로부터 입력되는 상기 전기 신호를 처리하여 출력하는 신호처리부를 포함하고, 상기 기판은 상기 MEMS 트랜듀서가 실장되는 실장영역 및 상기 실장영역을 둘러싸는 주변영역으로 구분되고, 상기 기판은 내부에 복수의 금속층을 포함하되, 상기 금속층은 상기 주변영역에 위치하고, 상기 실장영역에는 위치하지 않는다.Micron package according to an embodiment of the present invention for solving the above problems, a case open to the bottom, a substrate located under the case, located on the substrate, converting sound waves input from the outside into electrical signals a MEMS transducer, and a signal processing unit positioned on the substrate to process and output the electrical signal input from the MEMS transducer, wherein the substrate includes a mounting region on which the MEMS transducer is mounted; It is divided into a peripheral region surrounding the mounting region, and the substrate includes a plurality of metal layers therein, wherein the metal layer is located in the peripheral region and not in the mounting region.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 상기 케이스를 관통하는 음향홀이 형성될 수 있다.In the microphone package according to an embodiment of the present invention, an acoustic hole passing through the case may be formed.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 상기 실장영역을 관통하는 음향홀이 형성될 수 있다.In the microphone package according to an embodiment of the present invention, an acoustic hole passing through the mounting area may be formed.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 상기 실장영역은 상부가 상기 주변영역보다 함몰되어 형성될 수 있다.In the microphone package according to an embodiment of the present invention, an upper portion of the mounting region may be recessed than that of the peripheral region.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 상기 금속층은 상기 실장영역에 해당하는 관통홀을 포함할 수 있다.In the microphone package according to an embodiment of the present invention, the metal layer may include a through hole corresponding to the mounting region.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 상기 주변영역은 상기 복수의 금속층과 상기 복수의 금속층 사이에 위치하는 절연층이 적층되어 형성되고, 상기 실장영역은 적어도 한 층의 절연층으로 형성될 수 있다.In the microphone package according to an embodiment of the present invention, the peripheral region may be formed by stacking the plurality of metal layers and an insulating layer positioned between the plurality of metal layers, and the mounting region may be formed of at least one insulating layer. have.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 상기 복수의 금속층은 절연층을 사이에 두고 위치하고, 커패시턴스를 형성할 수 있다.In the microphone package according to an embodiment of the present invention, the plurality of metal layers may be positioned with an insulating layer interposed therebetween to form a capacitance.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 기판 중 금속층이 존재하지 않는 실장영역에 MEMS 트랜듀서 및 백챔버가 안착되어 동일한 전기용량을 구현하면서도 금속층의 면적을 낮출 수 있는 마이크로폰 패키지를 제공하는 것이다.The microphone package according to an embodiment of the present invention is to provide a microphone package capable of reducing the area of the metal layer while realizing the same capacitance by seating the MEMS transducer and the back chamber in a mounting area of a substrate where the metal layer does not exist.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 비금속층인 기판의 내부에 실장되는 금속층의 면적을 최소화시킴에 따라 서로 다른 열팽창계수를 지닌 비금속층 및 비금속층의 내부에 실장되는 금속층의 결합으로 인하여 발생할 수 있는 뒤틀림(warpage) 현상을 개선할 수 있다.In addition, the microphone package according to an embodiment of the present invention minimizes the area of the metal layer mounted on the inside of the substrate, which is a non-metal layer, so that the non-metal layer having different coefficients of thermal expansion and the metal layer mounted on the inside of the non-metal layer are combined. A warpage phenomenon that may occur due to this may be improved.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 본 발명이 해결하려는 과제는, 기판의 적어도 일부를 함몰시킨 함몰부를 형성하고 함몰부에 MEMS 트랜듀서를 안착시켜서 결과적으로 제품의 전체 높이를 낮게 구현함에 따라 제품의 슬림화를 구현할 수 있다.In addition, in the microphone package according to an embodiment of the present invention, the problem to be solved by the present invention is to form a depression in which at least a portion of the substrate is depressed, and to seat the MEMS transducer in the depression to lower the overall height of the product as a result. Accordingly, it is possible to realize slimming of the product.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지를 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.
도 2는 도 1의 신호처리부를 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.
도 3은 도 1에서 함몰된 기판에 MEMS 트랜듀서 및 백챔버가 안착된 것을 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.
도 4는 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로폰 패키지를 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.
도 5는 도 4에서 함몰된 기판에 MEMS 트랜듀서 및 백챔버가 안착된 것을 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.1 is a cross-sectional view in one direction showing a microphone package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view in one direction showing the signal processing unit of FIG. 1 .
FIG. 3 is a cross-sectional view in one direction showing that the MEMS transducer and the back chamber are seated on the substrate recessed in FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view in one direction showing a microphone package according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view in one direction showing that the MEMS transducer and the back chamber are seated on the substrate recessed in FIG. 4 .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, if it is determined that adding a detailed description of a technique or configuration already known in the relevant field may make the gist of the present invention unclear, some of these will be omitted from the detailed description. In addition, the terms used in this specification are terms used to properly express the embodiments of the present invention, which may vary according to a person or custom in the relevant field. Accordingly, definitions of these terms should be made based on the content throughout this specification.

여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함하는'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of referring to specific embodiments only, and is not intended to limit the invention. As used herein, the singular forms also include the plural forms unless the phrases clearly indicate the opposite. As used herein, the meaning of 'comprising' specifies a particular characteristic, region, integer, step, operation, element and/or component, and other specific characteristic, region, integer, step, operation, element, component, and/or group. It does not exclude the existence or addition of

이하, 첨부된 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지에 대해서 설명하도록 한다.Hereinafter, a microphone package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지를 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.1 is a cross-sectional view in one direction showing a microphone package according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 케이스(100), 기판(200), MEMS 트랜듀서(300), 신호처리부(400), 백챔버(500), 금속층(600), 터미널패드(700), 결합부(800) 및 음향홀(900)을 포함한다.A microphone package according to an embodiment of the present invention includes a case 100 , a substrate 200 , a MEMS transducer 300 , a signal processing unit 400 , a back chamber 500 , a metal layer 600 , and a terminal pad 700 . , a coupling part 800 and a sound hole 900 .

케이스(100)는 내부가 비어 있고 하부로 개방될 수 있다. 또한, 케이스(100)는 기판(200)과 결합부(800)의 접착층(810)을 통해서 연결될 수 있다. The case 100 has an empty interior and may be opened downward. In addition, the case 100 may be connected to the substrate 200 through the adhesive layer 810 of the coupling part 800 .

한편, 케이스(100)는 금속 재질 등으로 형성된 캔(can) 타입일 수 있다. 그러나 케이스(100)의 재질은 상기한 것에 한정되는 것이 아니며, 경우에 따라 플라스틱 사출물 또는 기판(200)과 동일한 소재 등으로 형성될 수도 있다. 이를 위한 케이스(100)는 상부벽(110), 측벽(120) 및 하부벽(130)을 포함한다.Meanwhile, the case 100 may be of a can type formed of a metal material or the like. However, the material of the case 100 is not limited to the above, and in some cases, it may be formed of a plastic injection molding or the same material as the substrate 200 . The case 100 for this purpose includes an upper wall 110 , a side wall 120 , and a lower wall 130 .

상부벽(110)은 소정의 두께를 가지는 평평한 평판이다. 상부벽(110)의 모서리에는 측벽(120)이 형성된다.The upper wall 110 is a flat plate having a predetermined thickness. A side wall 120 is formed at an edge of the upper wall 110 .

측벽(120)은 상부벽(110)의 양단으로부터 외측 하방으로 경사지도록 연장된다. 이에 따른 측벽(120)은 상부벽(110)을 보다 안정적으로 지지할 수 있고, 측벽(120)의 하단에는 하부벽(130)이 형성된다.The side wall 120 extends from both ends of the upper wall 110 to be inclined outwardly and downwardly. Accordingly, the side wall 120 can support the upper wall 110 more stably, and the lower wall 130 is formed at the lower end of the side wall 120 .

하부벽(130)은 측벽(120)의 하단으로부터 외측으로 연장되고, 상부벽(110)과 평행하도록 형성된다. 하부벽(130)만 본다면, 상부에서 바라보았을 때 소정의 두께를 가지는 액자의 프레임 형상을 가질 수 있다.The lower wall 130 extends outward from the lower end of the side wall 120 and is formed to be parallel to the upper wall 110 . If only the lower wall 130 is viewed, it may have a frame shape of a picture frame having a predetermined thickness when viewed from the top.

하부벽(130)은 기판(200) 상에 위치할 수 있고 하부벽(130)과 기판(200) 사이에는 후술될 결합부(800)의 땜납부(820)가 위치한다.The lower wall 130 may be positioned on the substrate 200 , and a solder part 820 of a coupling part 800 to be described later is positioned between the lower wall 130 and the substrate 200 .

기판(200)은 본 발명의 마이크로폰 패키지의 하부를 이루는 구성으로, 판(plate) 형태로 형성된다. 기판(200)은 인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board)로 형성될 수 있다. 기판은 구체적으로 경성의 인쇄회로기판, 반도체기판, 세라믹 기판 등으로 형성될 수 있다.The substrate 200 is a component constituting the lower portion of the microphone package of the present invention, and is formed in the form of a plate. The substrate 200 may be formed of a printed circuit board (PCB). The substrate may be specifically formed of a rigid printed circuit board, a semiconductor substrate, a ceramic substrate, or the like.

기판(200)은 케이스(110)의 하부에 위치한다. 구체적으로 기판(200)의 상면과 케이스(110)의 하부면인 하부벽(130) 사이에는 땜납부(820)가 위치한다. 기판(200)의 상면과 하부벽(130)은 땜납부(820)에 의해 밀착될 수 있다.The substrate 200 is positioned under the case 110 . Specifically, the solder portion 820 is positioned between the upper surface of the substrate 200 and the lower wall 130 that is the lower surface of the case 110 . The upper surface and the lower wall 130 of the substrate 200 may be in close contact with the solder portion 820 .

기판(200)은 금속층(600)이 실장되는 주변영역(S1, S2) 및 주변영역(S1, S2)을 제외한 실장영역(A)으로 구획된다. 도 1을 참조하면, 금속층(600)은 기판(200)의 중심부에 위치하는 실장영역(A)에 형성되지 않고, 실장영역(A)의 주변에 위치하는 주변영역(S1, S2)에 형성될 수 있다.The substrate 200 is divided into peripheral regions S1 and S2 on which the metal layer 600 is mounted and a mounting region A excluding the peripheral regions S1 and S2. Referring to FIG. 1 , the metal layer 600 is not formed in the mounting region A located in the center of the substrate 200 , but is formed in the peripheral regions S1 and S2 located in the periphery of the mounting region A. can

상기한 기판(200)은 제1 기판(210), 제2 기판(220) 및 제3 기판(230)을 포함하고 복수 개가 적층된다.The above-described substrate 200 includes a first substrate 210 , a second substrate 220 , and a third substrate 230 , and a plurality of substrates are stacked.

제1 기판(210)은 가장 상부에 위치하는 기판이다. 제1 기판(210)의 하부에는 제2 기판(220)이 결합된다.The first substrate 210 is an uppermost substrate. A second substrate 220 is coupled to a lower portion of the first substrate 210 .

제2 기판(220)은 제1 기판(210)의 하부에 위치하고 제1 기판(210)의 하면과 결합한다. 상기한 제2 기판(220)의 하부에는 제3 기판(230)이 결합된다.The second substrate 220 is positioned under the first substrate 210 and is coupled to the lower surface of the first substrate 210 . A third substrate 230 is coupled to a lower portion of the second substrate 220 .

제3 기판(230)은 제2 기판(220)의 하부에 위치하고 제2 기판(220)의 하면과 결합한다.The third substrate 230 is positioned under the second substrate 220 and is coupled to the lower surface of the second substrate 220 .

제1, 2 기판(210, 220)의 내부에는 금속층(600)이 각각 실장되고 제1, 2 기판(210, 220)의 내부에 각각 실장된 금속층(600)은 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제3 기판(230)에는 터미널패드(700)가 실장되고 터미널패드(700)는 금속층(600)과 전기적으로 연결된다.A metal layer 600 may be mounted on the inside of the first and second substrates 210 and 220 , respectively, and the metal layer 600 mounted on the inside of the first and second substrates 210 and 220 may be electrically connected to each other. In addition, the terminal pad 700 is mounted on the third substrate 230 , and the terminal pad 700 is electrically connected to the metal layer 600 .

도 2는 도 1의 MEMS 트랜듀서를 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view in one direction showing the MEMS transducer of FIG. 1 .

MEMS 트랜듀서(300)(MEMS Transducer)는 기판(200) 상에 위치하여, 외부에서 입력되는 음파를 전기 신호로 변환한다. 또한, MEMS 트랜듀서(300)는 와이어(W) 등을 통해 기판(200) 또는 신호처리부(400)와 전기적으로 연결될 수 있다. MEMS 트랜듀서(300)는 변환된 전기신호를 신호처리부(400)로 제공한다.The MEMS transducer 300 (MEMS transducer) is positioned on the substrate 200 and converts a sound wave input from the outside into an electrical signal. Also, the MEMS transducer 300 may be electrically connected to the substrate 200 or the signal processing unit 400 through a wire W or the like. The MEMS transducer 300 provides the converted electrical signal to the signal processing unit 400 .

MEMS 트랜듀서(300)는 실장영역(A) 중 실장영역(A)의 상부에 위치한다. 또한, MEMS 트랜듀서(300)의 하단은 결합부(800)의 접착층(810)을 통해 제1 기판(210)의 상면과 결합할 수 있다. MEMS transducer 300 is located above the mounting area (A) of the mounting area (A). In addition, the lower end of the MEMS transducer 300 may be coupled to the upper surface of the first substrate 210 through the adhesive layer 810 of the coupling portion 800 .

MEMS 트랜듀서(300)의 구성에 대해서는 도 2를 참조하여 상세하게 설명하도록 한다. 도 2를 참조하면, MEMS 트랜듀서(300)는 바디(310), 백플레이트(320) 및 진동판(330)을 포함한다.The configuration of the MEMS transducer 300 will be described in detail with reference to FIG. 2 . Referring to FIG. 2 , the MEMS transducer 300 includes a body 310 , a back plate 320 , and a diaphragm 330 .

백플레이트(320)와 진동판(330)은 서로 이격되어 있고 커패시터를 구성한다. 여기서, 백플레이트(320)와 진동판(330) 사이에는 캐비티(cavity)가 위치한다.The back plate 320 and the diaphragm 330 are spaced apart from each other and constitute a capacitor. Here, a cavity is positioned between the back plate 320 and the diaphragm 330 .

따라서, 외부로부터 유입되는 음향(즉, 소리)에 따른 음압에 의해, 진동판(330)이 진동하면, MEMS 트랜듀서(300)는 백플레이트(320)와의 커패시턴스를 측정하여 음향신호를 센싱한다. 도면에서는, 백플레이트(320)가 진동판(330)의 위쪽에 배치된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 백플레이트(320)가 진동판(330)의 아래쪽에 배치되어도 무방하다.Accordingly, when the diaphragm 330 vibrates by the sound pressure according to the sound (ie, sound) introduced from the outside, the MEMS transducer 300 measures the capacitance with the back plate 320 to sense the sound signal. In the drawings, the back plate 320 is illustrated as being disposed above the diaphragm 330 , but the present invention is not limited thereto. That is, the back plate 320 may be disposed below the diaphragm 330 .

신호처리부(400)는 기판(200) 상에 위치하여, MEMS 트랜듀서(300)로부터 입력되는 전기 신호를 처리하여 출력한다. 신호처리부(400)는 예를 들어, 주문형 반도체 집적 회로(ASIC, Application-Specific Integrated Circuit)로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 신호처리부(400)는 기판(200)의 상면에 다이 본딩(die bonding) 또는 와이어 본딩(wire bonding) 등에 의해 고정될 수 있다.The signal processing unit 400 is positioned on the substrate 200 to process and output an electrical signal input from the MEMS transducer 300 . The signal processing unit 400 may be configured as, for example, an Application-Specific Integrated Circuit (ASIC), but is not limited thereto. The signal processing unit 400 may be fixed to the upper surface of the substrate 200 by die bonding or wire bonding.

백챔버(500)는 기판(200)과 MEMS 트랜듀서(300) 사이에 위치한다. 구체적으로 백챔버(500)는 MEMS 트랜듀서(300), 기판(200) 및 접착층(810)에 둘러싸여 밀폐된다.The back chamber 500 is positioned between the substrate 200 and the MEMS transducer 300 . Specifically, the back chamber 500 is enclosed and sealed by the MEMS transducer 300 , the substrate 200 , and the adhesive layer 810 .

MEMS 트랜듀서(300)의 하단은 전술한 것과 같이 결합부(800)의 접착층(810)과 결합되어 있으며, 이에 따라 기판(200), MEMS 트랜듀서(300) 및 접착층(810)은 밀폐된 내부공간을 형성할 수 있다. 백챔버(500)는 기판(200), MEMS 트랜듀서(300) 및 접착층(810)과 밀착되도록 상기한 내부공간에 위치한다.The lower end of the MEMS transducer 300 is coupled to the adhesive layer 810 of the coupling portion 800 as described above, and accordingly, the substrate 200, the MEMS transducer 300 and the adhesive layer 810 are sealed inside. space can be formed. The back chamber 500 is positioned in the above-described inner space so as to be in close contact with the substrate 200 , the MEMS transducer 300 , and the adhesive layer 810 .

금속층(600)은 적어도 일부가 관통형성되고 기판(200)의 내부에 실장된다. 금속층(600)의 관통된 부분은 기판(200)의 실장영역(A)에 해당하는 것이다.At least a portion of the metal layer 600 is formed through and is mounted inside the substrate 200 . The penetrating portion of the metal layer 600 corresponds to the mounting region A of the substrate 200 .

구체적으로 금속층(600)은 제1 금속층(610) 및 제2 금속층(620)을 포함한다. 제1 금속층(610) 및 제2 금속층(620)은 절연층을 사이에 두고 위치하여 커패시턴스를 형성할 수 있다.Specifically, the metal layer 600 includes a first metal layer 610 and a second metal layer 620 . The first metal layer 610 and the second metal layer 620 may be positioned with an insulating layer therebetween to form a capacitance.

제1 금속층(610)은 제1 기판(210)의 내부에 적어도 일부가 관통되어 실장된다. 도 1을 참조하면, 제1 금속층(610)은 중앙부가 관통형성되고, 제1 기판(210)의 양측부에 실장된다. 또한, 제1 금속층(610)은 제1 기판(210)의 내부 하단에 위치하며, 제2 금속층(620)의 상부에 위치한다.At least a portion of the first metal layer 610 is mounted through the inside of the first substrate 210 . Referring to FIG. 1 , a central portion of the first metal layer 610 is formed through, and is mounted on both sides of the first substrate 210 . In addition, the first metal layer 610 is located on the inner lower end of the first substrate 210 and is located on the second metal layer 620 .

제2 금속층(620)은 제2 기판(220)의 내부에 적어도 일부가 관통되어 실장된다. 도 1을 참조하면, 제2 금속층(620)은 중앙부가 관통형성되고, 제2 기판(220)의 양측부에 실장된다. 또한, 제2 금속층(620)은 제2 기판(220)의 내부 하단에 위치하며, 터미널패드(700)의 상부에 위치한다.At least a portion of the second metal layer 620 is mounted through the inside of the second substrate 220 . Referring to FIG. 1 , a central portion of the second metal layer 620 is formed through, and the second metal layer 620 is mounted on both sides of the second substrate 220 . In addition, the second metal layer 620 is positioned on the inner bottom of the second substrate 220 and positioned on the terminal pad 700 .

전술한 제1 금속층(610) 및 제2 금속층(620)은 실장되는 위치만 다를 뿐 크기, 재질 및 관통위치 등이 동일할 수 있고, 도 1에는 2개의 금속층을 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니다.The above-described first metal layer 610 and second metal layer 620 may have the same size, material, penetration position, etc. only different from the mounting position, and two metal layers are illustrated in FIG. 1 , but the present invention is not limited thereto.

또한, 제1, 2 금속층(610, 620)은 각각 비금속층인 제1, 2 기판(210, 220)의 내부에 실장된다. 상기한 구조는 금속층과 비금속층의 결합으로 인하여 종래기술에서 발생하던 뒤틀림(warpage) 현상을 개선에 도움을 줄 수 있다.In addition, the first and second metal layers 610 and 620 are mounted inside the first and second substrates 210 and 220 that are non-metal layers, respectively. The above structure can help to improve the warpage phenomenon occurring in the prior art due to the combination of the metal layer and the non-metal layer.

터미널패드(700)는 제3 기판(230)의 내부에 적어도 일부가 관통되어 실장된다. 도 1을 참조하면, 터미널패드(700)는 중앙부가 관통형성되고, 제3 기판(230)의 양측부에 실장된다. 이때, 터미널패드(700)의 중앙부는 제1, 2 금속층(610, 620)의 중앙부보다 더 크게 관통됨에 따라 터미널패드(700)의 크기는 제1, 2 금속층(610, 620)의 크기보다 작게 형성된다.The terminal pad 700 is mounted through at least a part inside the third substrate 230 . Referring to FIG. 1 , a central portion of the terminal pad 700 is formed through, and is mounted on both sides of the third substrate 230 . At this time, as the central portion of the terminal pad 700 penetrates larger than the central portion of the first and second metal layers 610 and 620 , the size of the terminal pad 700 is smaller than the size of the first and second metal layers 610 and 620 . is formed

결합부(800)는 접착층(810) 및 땜납부(820)를 포함한다.The bonding portion 800 includes an adhesive layer 810 and a solder portion 820 .

접착층(810)은 MEMS 트랜듀서(300)와 기판(200)을 결합시킨다. 이를 위한 접착층(810)은 에폭시 본딩으로 MEMS 트랜듀서(300)와 기판(200) 사이를 연결한다. 그에 따라 접착층(810)은 MEMS 트랜듀서(300) 및 기판(200)과 함께 밀폐된 내부공간을 형성하고, 형성된 내부공간에는 백챔버(500)가 위치한다.The adhesive layer 810 bonds the MEMS transducer 300 and the substrate 200 to each other. The adhesive layer 810 for this purpose connects the MEMS transducer 300 and the substrate 200 by epoxy bonding. Accordingly, the adhesive layer 810 forms a sealed inner space together with the MEMS transducer 300 and the substrate 200, and the back chamber 500 is located in the formed inner space.

땜납부(820)는 기판(200)과 MEMS 트랜듀서(300)를 결합시킨다. 이를 위한 땜납부(820)는 솔더(solder)로 기판(200)과 MEMS 트랜듀서(300) 사이를 연결한다.The solder portion 820 couples the substrate 200 and the MEMS transducer 300 . The solder portion 820 for this purpose connects the substrate 200 and the MEMS transducer 300 with solder.

음향홀(900)은 케이스(100)를 관통하도록 형성되어 음파가 입력된다.The sound hole 900 is formed to pass through the case 100 to receive a sound wave.

이하, 도 3을 참조하여 도 1에서 변형된 일 실시예를 설명하되, 전술한 일 실시예와의 차이점에 대하여 집중적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, an exemplary embodiment modified from FIG. 1 will be described with reference to FIG. 3 , but differences from the above-described exemplary embodiment will be described intensively.

도 3은 도 1에서 함몰된 기판에 MEMS 트랜듀서 및 백챔버가 안착된 것을 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view in one direction showing that the MEMS transducer and the back chamber are seated on the substrate recessed in FIG. 1 .

도 3에 도시된 변형된 일 실시예는 기판의 형상, 함몰부의 형성, 백챔버의 형상 및 위치가 도 1에 도시된 일 실시예와 다르며, 그외의 구성요소는 동일하다.The modified embodiment shown in FIG. 3 is different from the embodiment shown in FIG. 1 in the shape of the substrate, the formation of the depression, and the shape and position of the back chamber, but other components are the same.

본 발명의 변형된 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지에서 기판(200)은 적어도 일부가 함몰되는 함몰부(240)가 형성될 수 있다. 도 3을 참조하면, 기판(200)의 적어도 일부는 기판(200)의 상부 중 어느 한 부분일 수 있다. 여기서, 기판(200)의 적어도 일부는 제1 기판(210)의 중앙부일 수 있다. 다만, 함몰부(240)는 전술한 것과 같이 기판(200)의 적어도 일부가 함몰되는 것 이외에도 제1 기판(210)을 상하방향으로 관통형성될 수도 있다.In the microphone package according to the modified embodiment of the present invention, the substrate 200 may be formed with a recessed portion 240 in which at least a portion is recessed. Referring to FIG. 3 , at least a portion of the substrate 200 may be any one portion of the upper portion of the substrate 200 . Here, at least a portion of the substrate 200 may be a central portion of the first substrate 210 . However, the recessed portion 240 may be formed through the first substrate 210 in the vertical direction in addition to at least a portion of the substrate 200 being depressed as described above.

그리고 기판(200)의 적어도 일부는 실장영역(A) 내에 위치한다. 이에 따라 MEMS 트랜듀서(300)의 적어도 일부는 함몰부(240)에 수용되고 실장영역(A) 내에 위치하게 된다. 상기한 MEMS 트랜듀서(300)가 함몰부(240)에 안착되는 구조는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예보다 제품의 전체 높이를 낮게 형성할 수 있어 제품을 슬림화시킬 수 있는 장점이 있다.And at least a portion of the substrate 200 is located in the mounting area (A). Accordingly, at least a portion of the MEMS transducer 300 is accommodated in the depression 240 and is located in the mounting area (A). The structure in which the above-described MEMS transducer 300 is seated in the depression 240 has an advantage in that the overall height of the product can be lower than that of the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 , so that the product can be slimmed down. .

접착층(810)은 기판(200)의 함몰된 내부 하단에 형성되어 MEMS 트랜듀서(300)와 기판(200)을 밀착시킨다.The adhesive layer 810 is formed at the bottom of the recessed inner side of the substrate 200 to bring the MEMS transducer 300 and the substrate 200 into close contact.

이하, 첨부된 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로폰 패키지에 대해서 설명하도록 하되, 본 발명의 일 실시예와 다른 구성요소에 대하여 집중적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, a microphone package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 , but components other than one embodiment of the present invention will be intensively described.

도 4는 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로폰 패키지를 나타낸 일 방향에서의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view in one direction showing a microphone package according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 케이스(100), 기판(200), MEMS 트랜듀서(300), 신호처리부(400), 백챔버(500), 금속층(600), 터미널패드(700) 및 음향홀(900)을 포함한다.A microphone package according to another embodiment of the present invention includes a case 100 , a substrate 200 , a MEMS transducer 300 , a signal processing unit 400 , a back chamber 500 , a metal layer 600 , and a terminal pad 700 . and a sound hole 900 .

케이스(100)는 내부가 비어 있고 하부로 개방되며, 본 발명의 일 실시예에 따른 케이스(100)와 동일하므로 구체적인 설명은 전술한 바를 참고한다.The case 100 has an empty interior and is opened downward, and is the same as the case 100 according to an embodiment of the present invention.

기판(200)은 케이스(100)의 하부면에 결합된다. 또한, 기판(200)은 금속층(600)이 실장되는 주변영역(A) 및 주변영역(A)을 제외한 실장영역(S1, S2)으로 구획될 수 있으며, 상세한 설명은 상술한 것을 참조하도록 한다. 이러한 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판(200)은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(200)과 달리 음향홀(900)이 관통형성된다.The substrate 200 is coupled to the lower surface of the case 100 . In addition, the substrate 200 may be divided into the peripheral region A on which the metal layer 600 is mounted and the mounting regions S1 and S2 excluding the peripheral region A, for a detailed description, refer to the above. Unlike the substrate 200 according to an embodiment of the present invention, the sound hole 900 is formed through the substrate 200 according to another embodiment of the present invention.

음향홀(900)은 기판(200)을 관통하도록 형성되어 음파가 입력된다. 또한, 음향홀(900)은 입력된 음파를 전기 신호로 변환하기 위한 MEMS 트랜듀서(300)와 마주보도록 형성된다.The acoustic hole 900 is formed to penetrate the substrate 200 to receive a sound wave. In addition, the acoustic hole 900 is formed to face the MEMS transducer 300 for converting the input sound wave into an electrical signal.

그리고 음향홀(900)은 실장영역(A) 내에 위치할 수 있다.And the sound hole 900 may be located in the mounting area (A).

MEMS 트랜듀서(300)는 기판 상에 위치하여, 외부에서 입력되는 음파를 전기 신호로 변환한다.The MEMS transducer 300 is positioned on a substrate and converts sound waves input from the outside into electrical signals.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로폰 패키지는 결합부가 형성되지 않는다. 따라서, MEMS 트랜듀서(300)의 하단은 기판(200)의 상면과 직접 결합할 수 있다.On the other hand, in the microphone package according to another embodiment of the present invention, the coupling portion is not formed. Accordingly, the lower end of the MEMS transducer 300 may be directly coupled to the upper surface of the substrate 200 .

또한, MEMS 트랜듀서(300)는 음향홀(900)로 입력되는 음파를 효과적으로 전달받기 위해 음향홀(900)의 상부에 위치하고 실장영역(A)의 상부에 위치한다.In addition, the MEMS transducer 300 is positioned above the acoustic hole 900 to effectively receive the sound wave input to the acoustic hole 900 , and is positioned above the mounting area (A).

신호처리부(400)는 기판(200) 상에 위치하여, MEMS 트랜듀서(300)로부터 입력되는 전기 신호를 처리하여 출력하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 신호처리부(400)와 동일하므로 구체적인 설명은 생략하도록 한다.The signal processing unit 400 is located on the substrate 200, processes and outputs an electrical signal input from the MEMS transducer 300, and is the same as the signal processing unit 400 according to an embodiment of the present invention, so detailed description should be omitted.

백챔버(500)는 MEMS 트랜듀서(300) 및 기판(200)에 둘러싸여 밀폐된다. 구체적으로 백챔버(500)는 케이스(100)와 기판(200)과 신호처리부(400)가 이루는 공간에 형성된다. 도 4를 참조하면, 백챔버(500)는 케이스(100), 기판(200) 및 신호처리부(400)와 밀착되도록 상기 공간을 가득 채울 수 있다.The back chamber 500 is enclosed and sealed by the MEMS transducer 300 and the substrate 200 . Specifically, the back chamber 500 is formed in a space formed by the case 100 , the substrate 200 , and the signal processing unit 400 . Referring to FIG. 4 , the back chamber 500 may fill the space so as to be in close contact with the case 100 , the substrate 200 , and the signal processing unit 400 .

상기한 백챔버(500)는 본 발명의 일 실시예에 따른 백챔버(500)보다 더 크게 형성되고, 백챔버의 크기가 커질수록 신호대비 잡음비Signal to Noise Ratio)가 좋아진다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 백챔버(500)는 본 발명의 일 실시예에 따른 백챔버(500)보다 신호가 뚜렷하게 출력되고 성능이 향상될 수 있다.The back chamber 500 is formed to be larger than the back chamber 500 according to an embodiment of the present invention, and the larger the size of the back chamber, the better the signal to noise ratio. Accordingly, in the back chamber 500 according to another embodiment of the present invention, a signal is clearly output and the performance can be improved compared to the back chamber 500 according to the embodiment of the present invention.

금속층(600)은 적어도 일부가 관통형성되고 기판(200)의 내부에 실장된다.At least a portion of the metal layer 600 is formed through and is mounted inside the substrate 200 .

이하, 도 5를 참조하여 도 4에서 변형된 다른 실시예를 설명하되, 전술한 일 실시예와의 차이점에 대하여 집중적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, another embodiment modified in FIG. 4 will be described with reference to FIG. 5, but differences from the above-described embodiment will be intensively described.

도 5는 도 4에서 함몰된 기판에 MEMS 트랜듀서 및 백챔버가 안착된 것을 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view in one direction showing that the MEMS transducer and the back chamber are seated on the substrate recessed in FIG. 4 .

도 5에 도시된 변형된 다른 실시예는 기판의 형상, 함몰부의 형성, 백챔버의 형상 및 위치가 도 4에 도시된 다른 실시예와 다르며, 그외의 구성요소는 동일하다.The other modified embodiment shown in Fig. 5 is different from the other embodiment shown in Fig. 4 in the shape of the substrate, the formation of the depression, the shape and position of the back chamber, and other components are the same.

도 1에 도시된 변형된 일 실시예와 도 5에 도시된 변형된 다른 실시예를 비교해보면, 기판(200)에 함몰부(240)가 형성된다는 점에서 동일하다.Comparing the modified embodiment shown in FIG. 1 with another modified embodiment shown in FIG. 5 , it is the same in that the depression 240 is formed in the substrate 200 .

본 발명의 변형된 다른 실시예에 따른 마이크로폰 패키지에서 기판(200)은 적어도 일부가 함몰되는 함몰부(240)가 형성될 수 있다. 도 5를 참조하면, 기판(200)의 적어도 일부는 기판(200)의 상부 중 어느 한 부분일 수 있다. 여기서, 기판(200)의 적어도 일부는 제1 기판(210)의 중앙부일 수 있다. 다만, 함몰부(240)는 전술한 것과 같이 기판(200)의 적어도 일부가 함몰되는 것 이외에도 제1 기판(210)을 상하방향으로 관통형성될 수도 있다.In the microphone package according to another modified embodiment of the present invention, the substrate 200 may have a recessed portion 240 in which at least a portion is recessed. Referring to FIG. 5 , at least a portion of the substrate 200 may be any one portion of the upper portion of the substrate 200 . Here, at least a portion of the substrate 200 may be a central portion of the first substrate 210 . However, the recessed portion 240 may be formed through the first substrate 210 in the vertical direction in addition to at least a portion of the substrate 200 being depressed as described above.

그리고 기판(200)의 적어도 일부는 실장영역(A) 내에 위치한다. 이에 따라 MEMS 트랜듀서(300)의 적어도 일부는 함몰부(240)에 수용되고 실장영역(A) 내에 위치하게 된다.And at least a portion of the substrate 200 is located in the mounting area (A). Accordingly, at least a portion of the MEMS transducer 300 is accommodated in the depression 240 and is located in the mounting area (A).

상기한 것에 따른 본 발명은 전기용량(capacitance)을 구현하기 위한 금속층의 면적을 최소화시킴에 따라 서로 다른 열팽창계수를 지닌 비금속층 및 비금속층의 내부에 실장되는 금속층의 결합으로 인하여 발생할 수 있는 뒤틀림(warpage) 현상을 개선할 수 있다. 또한, 본 발명은 기판의 적어도 일부를 함몰시킨 함몰부를 형성하고 함몰부에 MEMS 트랜듀서를 안착시켜서 결과적으로 제품의 전체 높이를 낮게 구현함에 따라 제품의 슬림화를 구현할 수 있다.According to the present invention according to the above, as the area of the metal layer for implementing capacitance is minimized, the non-metal layer having different coefficients of thermal expansion and the distortion that may occur due to the combination of the metal layer mounted inside the non-metal layer ( warpage) can be improved. In addition, the present invention forms a depression in which at least a portion of the substrate is depressed, and by seating the MEMS transducer in the depression, as a result, the overall height of the product is lowered, so that the product can be slimmed down.

이상, 본 발명의 마이크로폰 패키지의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the above, embodiments of the microphone package of the present invention have been described. The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various modifications and variations will be possible from the point of view of those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the scope of the present invention should be defined not only by the claims of the present specification, but also by those claims and their equivalents.

100: 케이스
110: 상부벽
120: 측벽
130: 하부벽
200: 기판
210: 제1 기판
220: 제2 기판
230: 제3 기판
240: 함몰부
300: MEMS 트랜듀서
400: 신호처리부
410: 바디
420: 백플레이트
430: 진동판
500: 백챔버
600: 금속층
610: 제1 금속층
620: 제2 금속층
700: 터미널패드
800: 결합부
810: 접착층
820: 땜납부
900: 음향홀
W: 와이어
A: 실장영역
S1: 제1 주변영역
S2: 제2 주변영역100: case
110: upper wall
120: side wall
130: lower wall
200: substrate
210: first substrate
220: second substrate
230: third substrate
240: depression
300: MEMS transducer
400: signal processing unit
410: body
420: back plate
430: diaphragm
500: back chamber
600: metal layer
610: first metal layer
620: second metal layer
700: terminal pad
800: coupling part
810: adhesive layer
820: solder part
900: sound hall
W: wire
A: Mounting area
S1: first peripheral area
S2: second peripheral area

Claims

복수 개의 금속층을 구비하는 기판;
상기 기판 상에 위치하여, 외부에서 입력되는 음파를 전기 신호로 변환하는 MEMS 트랜듀서(MEMS Transducer);
상기 기판 상에 위치하여, 상기 MEMS 트랜듀서로부터 입력되는 상기 전기 신호를 처리하여 출력하는 신호처리부; 및
상기 기판 상에 위치하고, 상기 MEMS 트랜듀서와 상기 신호처리부를 에워싸고 있는 케이스
를 포함하고,
상기 기판은 가운데 부분에 위치하고, 상기 MEMS 트랜듀서가 실장되어 상기 MEMS 트랜듀서와 대면하고 있는 실장영역 및 가장자리 부분에 위치하여 상기 실장영역을 둘러싸고 있는 주변영역으로 구분되고,
상기 복수 개의 금속층은 상기 주변영역에만 위치하고 상기 실장영역에는 위치하지 않아, 상기 MEMS 트랜듀서의 하부에는 상기 금속층이 위치하지 않는 마이크로폰 패키지.
a substrate having a plurality of metal layers;
a MEMS transducer positioned on the substrate to convert a sound wave input from the outside into an electrical signal;
a signal processing unit positioned on the substrate to process and output the electrical signal input from the MEMS transducer; and
A case positioned on the substrate and enclosing the MEMS transducer and the signal processing unit
including,
The substrate is located in the middle, and the MEMS transducer is mounted and divided into a mounting area facing the MEMS transducer and a peripheral area located at the edge and surrounding the mounting area,
The plurality of metal layers are located only in the peripheral area and not in the mounting area, so that the metal layer is not located under the MEMS transducer.

제1 항에 있어서,
상기 케이스를 관통하는 음향홀을 더 포함하는 마이크로폰 패키지.
According to claim 1,
A microphone package further comprising a sound hole penetrating the case.

제1 항에 있어서,
상기 실장영역을 관통하는 음향홀을 더 포함하는 마이크로폰 패키지.
According to claim 1,
The microphone package further comprising a sound hole penetrating the mounting area.

제1 항에 있어서,
상기 실장영역은 상부가 상기 주변영역보다 함몰되어 형성되는 마이크로폰 패키지.
According to claim 1,
The mounting area is a microphone package in which an upper portion is recessed than the peripheral area.

제1 항에 있어서,
상기 금속층은 상기 실장영역에 해당하는 관통홀을 포함하는 마이크로폰 패키지.
According to claim 1,
wherein the metal layer includes a through hole corresponding to the mounting region.

제1 항에 있어서,
상기 주변영역은 상기 복수의 금속층과 상기 복수의 금속층 사이에 위치하는 절연층이 적층되어 형성되고,
상기 실장영역은 적어도 한 층의 절연층으로 형성되는 마이크로폰 패키지.
According to claim 1,
The peripheral region is formed by stacking the plurality of metal layers and an insulating layer positioned between the plurality of metal layers,
The mounting region is a microphone package formed of at least one insulating layer.

제1 항에 있어서,
상기 복수의 금속층은 절연층을 사이에 두고 위치하고, 커패시턴스를 형성하는 마이크로폰 패키지.According to claim 1,
The plurality of metal layers are positioned with an insulating layer interposed therebetween and form a capacitance.