KR102297741B1 - Large volume cvd apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다양한 형태와 크기의 다수의 기재에 증착을 수행할 수 있는 대용량 CVD 장치로서, 내부에 기재가 설치되는 CVD 반응챔버; 상기 CVD 반응챔버의 측벽에 설치되어 중심을 향하여 반응가스를 분사하는 가스주입부; 및 상기 CVD 반응챔버의 상면과 하면 중에 하나 이상의 중심에서 CVD 반응챔버 내부로 돌출되도록 설치된 가스배출부를 포함하며, 상기 가스배출부는 높이를 달리하는 복수의 배기구를 통해서 CVD 반응챔버 내부의 가스가 흡기되어, 복수의 배기구 각각에 연결된 복수의 외부 배기관을 통해서 CVD 반응챔버의 외부로 배출되고, 상기 복수의 외부 배기관을 개별적으로 개폐하여 복수의 배기구 중에서 흡기되는 배기구의 위치를 변경함으로써, CVD 반응챔버 내부에서 가스의 흐름과 방향을 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 대용량 CVD 반응챔버의 측면에서 중심을 향하여 반응가스를 분사하는 노즐이 설치된 가스주입부와 중심부에 설치된 가스배출부를 포함함으로써, 대용량 CVD 반응챔버 내부에서 제어된 반응가스 분사를 통하여 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성하여 다양한 형태와 크기의 기재 면에 균일한 두께의 후막 또는 성형체를 제조할 수 있는 효과가 있다.The present invention provides a large-capacity CVD apparatus capable of performing deposition on a plurality of substrates of various shapes and sizes, comprising: a CVD reaction chamber in which a substrate is installed; a gas injection unit installed on a side wall of the CVD reaction chamber to inject a reaction gas toward the center; and a gas discharge unit installed to protrude into the CVD reaction chamber from the center of at least one of the upper surface and the lower surface of the CVD reaction chamber, wherein the gas discharge unit is inhaled with gas inside the CVD reaction chamber through a plurality of air outlets having different heights. , is discharged to the outside of the CVD reaction chamber through a plurality of external exhaust pipes connected to each of the plurality of exhaust ports, and by individually opening and closing the plurality of external exhaust pipes to change the position of the exhaust ports to be sucked in from among the plurality of exhaust ports, inside the CVD reaction chamber It is characterized in that the flow and direction of the gas can be controlled.
The present invention is optimized through controlled reaction gas injection in the large-capacity CVD reaction chamber by including a gas injection unit provided with a nozzle for injecting a reactive gas toward the center from the side of the large-capacity CVD reaction chamber, and a gas discharge unit installed at the center. By forming the supply, flow, and distribution of the reaction gas, there is an effect of producing a thick film or a molded article having a uniform thickness on the surface of the substrate of various shapes and sizes.

Description

대용량 CVD 장치{LARGE VOLUME CVD APPARATUS}Large capacity CVD apparatus {LARGE VOLUME CVD APPARATUS}

본 발명은 대용량 화학기상증착 장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 다양한 크기와 형태의 기재가 다수 배치된 반응챔버 내에 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성하여 균일한 후막 증착을 수행할 수 있는 대용량 화학기상증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a large-capacity chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to a large-capacity chemical vapor deposition apparatus capable of uniformly depositing a thick film by forming an optimized reaction gas supply, flow, and distribution in a reaction chamber in which a plurality of substrates of various sizes and shapes are disposed. It relates to a chemical vapor deposition apparatus.

일반적으로 탄화규소는 강한 공유결합 물질로서 고온 및 저압에서 고순도 단결정 혹은 다결정 분말의 형태로 제조되어 다양한 소결기술을 통하여 벌크형태의 부품으로 제조되어 왔으며, 특히 고순도 분말의 승화를 통한 단결정 탄화규소 웨이퍼 제작 기술이 발전하여 SiC 반도체 산업의 발전을 견인하고 있다. 또한 최근에는 반도체 기술의 초고집적화 및 초미세화 기술의 발전으로 인해 반도체 제조공정에 사용되는 공정장비 및 부품 특성 향상, 수율 향상 및 최종 제조원가의 감소를 위하여 반도체 공정장비 부품으로서 다결정 탄화규소 성형체의 사용이 증가하고 있다.In general, silicon carbide is a strong covalent material, manufactured in the form of high purity single crystal or polycrystalline powder at high temperature and low pressure, and has been manufactured as bulk type parts through various sintering technologies. In particular, single crystal silicon carbide wafer production through sublimation of high purity powder Advances in technology are driving the development of the SiC semiconductor industry. In addition, in recent years, due to the development of ultra-high integration and ultra-miniaturization of semiconductor technology, the use of polycrystalline silicon carbide molded bodies as semiconductor process equipment parts has been reduced to improve the characteristics of process equipment and parts used in the semiconductor manufacturing process, improve yield, and reduce final manufacturing costs. is increasing

반도체 부품으로 사용되는 난소결성 탄화규소는 고순도 탄화규소 분말을 원료로 사용하여 상압소결 또는 가압소결 및 용융 실리콘(Si, Silicon)과 탄소(C, Carbon)의 반응에 의해 탄화규소를 합성하는 반응소결법 등의 방법 및 추가적인 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 탄화규소 코팅 방법을 통하여 사용되어 왔지만, 소결체가 갖는 공극, 불순물, 낮은 재료특성 등의 한계로 인하여 CVD 후막증착을 통하여 제작된 다결정의 탄화규소 성형체가 부품으로 제작되어 사용되고 있다.Non-sintering silicon carbide used for semiconductor parts is a reaction sintering method that uses high-purity silicon carbide powder as a raw material and synthesizes silicon carbide by atmospheric sintering or pressure sintering and reaction of molten silicon (Si, Silicon) and carbon (C, Carbon). Although it has been used through methods such as CVD (Chemical Vapor Deposition) and silicon carbide coating method, polycrystalline carbonization produced through CVD thick film deposition has been used due to limitations such as voids, impurities, and low material properties of the sintered body. A silicon molded body is manufactured and used as a part.

CVD 방법은 반응성이 강한 기체 상태의 원료물질을 반응장치의 챔버 안에 주입하고, 빛, 열, 플라즈마, 마이크로파, X-ray, 전기장 등을 이용하여 활성화 및 분해시켜 화학반응을 통해 기재 위에 양질의 박막 및 후막을 형성하는 기술이다. 이러한 CVD 공정은 다결정 탄화규소 성형체를 형성하는 경우 이외에도 단결정, 에피막 및 다결정 등의 형태로 기존 반도체 및 전력반도체, LED, 자율자동차 및 에너지 분야 등에서 광범위하게 다양한 분야에서 사용되고 있다. The CVD method injects a highly reactive gaseous raw material into the chamber of the reactor, activates and decomposes it using light, heat, plasma, microwave, X-ray, electric field, etc. and a technique for forming a thick film. In addition to the case of forming a polycrystalline silicon carbide molded body, the CVD process is used in a wide variety of fields in the form of single crystal, epi film, and polycrystal, etc. in existing semiconductors, power semiconductors, LEDs, autonomous vehicles, and energy fields.

대용량 CVD 방법으로 균일한 박막 및 후막을 형성하기 위해서는 반응가스 종류, 가스혼합비율, 가스혼합 균일도 및 반응챔버로의 가스투입 방법, 증착온도 및 챔버 내 온도균일도 혹은 온도구배, 증착압력, 반응가스 흐름속도 및 반응챔버 내 기재중에서의 흐름속도 분포, 증착속도, 반응챔버구조, 반응성 가스 및 반응부산물 배기 및 챔버 내 기재의 적재방식 등의 다양한 공정조건의 최적화가 필요하며, 그 중에서도 CVD 반응챔버 내에서 원료기체가 고르게 주입 및 분사되어 대용량 CVD 반응챔버 내에 적재된 모든 기재 상에 균일하게 분포되는 것이 매우 중요하다. 특히 대용량 CVD 반응챔버 내에 적재되는 다양한 형태와 크기의 기재 상에 균일하게 원료가스가 공급되어야 하며, 층류(Laminar Flow) 또는 난류(Turbulent Flow) 또는 층류와 난류의 혼합된 흐름 등이 조절되어야 하며, 반응되지 않은 원료가스 및 반응부산물 가스들은 배기구를 통하여 적시에 배출되어야 한다. In order to form a uniform thin film and thick film by the high-capacity CVD method, the reaction gas type, gas mixing ratio, gas mixing uniformity, gas injection method, deposition temperature and temperature uniformity or temperature gradient in the chamber, deposition pressure, reaction gas flow It is necessary to optimize various process conditions such as velocity and flow rate distribution in the substrate in the reaction chamber, deposition rate, reaction chamber structure, exhaust of reactive gases and reaction by-products, and loading method of the substrate in the chamber. It is very important that the raw material gas is evenly injected and sprayed and uniformly distributed on all the substrates loaded in the large-capacity CVD reaction chamber. In particular, the raw material gas should be uniformly supplied to the substrates of various shapes and sizes loaded in the large-capacity CVD reaction chamber, and laminar flow or turbulent flow or a mixed flow of laminar and turbulent flow should be controlled. The unreacted raw material gas and reaction by-product gas should be discharged in a timely manner through the exhaust port.

균일한 증착을 위해 대용량 CVD 반응챔버 내로 다수의 가스공급 노즐을 설치하여 반응챔버 상부에서 하부로 또는 하부에서 상부로 또는 측면에서 측면으로 또는 측면에서 하부로 또는 하부에서 상부로 다시 하부로 원료가스의 주입 및 흐름을 조절하며, 균일하게 기재 상에 반응가스가 공급되는 다양한 방식(미국 등록특허 5,474,613, 미국 등록특허 6,299,683) 또는 대형 CVD 반응챔버 내 다수의 독립된 삼각형태의 내부셀 챔버구조를 이용하여 반응가스 흐름의 수직방향으로 방사형태의 탄화규소 성형체를 형성하는 방식(미국 등록특허 5,354,580) 또는 대용량 CVD 반응챔버 내에서 수평 방향으로 반응가스를 주입 및 배기하여 반응가스 흐름에 수직으로 적층된 기재 전면에 탄화규소 성형체를 대량으로 제조하는 장치(대한민국 등록특허 10-1631796) 등의 방법이 개발되어왔다. 일반적으로 대용량 CVD 후막 증착동안 기재 또는 적층된 기재를 회전시키는 방법을 통하여 보다 균일한 다결정 탄화규소 후막을 증착하고 있으나, 대량 생산을 위한 대용량 CVD 장치는 반응챔버 내부에 수십에서 수백 개의 기재를 장착하여 고온에서 CVD 공정을 실행하기 때문에, 다양한 형태와 크기의 기재 표면으로 균일하게 원료가스를 공급하기 어려우며, 적재된 고중량의 기재부와 이를 고정하기 위한 흑연 부품 등의 무게를 고려하면 기재를 저속으로 회전시키는 구조를 적용하는 방식만으로는 고수율의 균일한 후막 증착을 실시하기 어려운 한계가 있다.For uniform deposition, a plurality of gas supply nozzles are installed into the large-capacity CVD reaction chamber so that the source gas flows from the top to the bottom or from the bottom to the top or from the side to the side or from the side to the bottom or from the bottom to the bottom again. Injection and flow are controlled, and reaction is performed using various methods (US Patent No. 5,474,613, US Patent No. 6,299,683) in which the reaction gas is uniformly supplied on the substrate, or a plurality of independent triangular internal cell chamber structures in a large CVD reaction chamber. A method of forming a radial silicon carbide molded body in the vertical direction of the gas flow (US Patent No. 5,354,580) or injecting and exhausting the reaction gas in the horizontal direction in a large-capacity CVD reaction chamber to the front surface of the substrate stacked vertically in the reaction gas flow Methods such as an apparatus for mass-producing silicon carbide compacts (Korean Patent Registration No. 10-1631796) have been developed. In general, a more uniform polycrystalline silicon carbide thick film is deposited through a method of rotating a substrate or stacked substrates during large-capacity CVD thick film deposition. Since the CVD process is performed at high temperature, it is difficult to uniformly supply the raw material gas to the surface of the substrate of various shapes and sizes. There is a limitation in that it is difficult to carry out uniform thick film deposition with high yield only by applying the structure of the present invention.

따라서 대용량 CVD 반응챔버 내부에 다양한 형태와 크기의 수십에서 수백 개의 기재를 장착할 수 있으면서, 대용량 CVD 반응챔버의 전체 공간에 대하여 반응기체의 주입, 흐름 및 분포를 조절하여 균일한 두께의 다결정 탄화규소 후막 또는 성형체를 제조할 수 있는 대용량 CVD 장치의 개발이 계속하여 요구되고 있는 실정이다.Therefore, tens to hundreds of substrates of various shapes and sizes can be mounted inside the large-capacity CVD reaction chamber, and the injection, flow, and distribution of the reaction gas are controlled for the entire space of the large-capacity CVD reaction chamber to have a uniform thickness of polycrystalline silicon carbide. The development of a large-capacity CVD apparatus capable of producing a thick film or a molded article is continuously being demanded.

미국 등록특허 5,474,613US Patent 5,474,613 미국 등록특허 6,299,683US Patent 6,299,683 미국 등록특허 5,354,580US Patent 5,354,580 대한민국 등록특허 10-1631796Republic of Korea Patent Registration 10-1631796

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 대용량 CVD 반응챔버 내부에 다양한 형태와 크기의 기재를 대량으로 설치할 수 있으면서, 반응챔버의 중심으로 반응가스가 배출되는 가스배출부를 형성함으로써 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성하여, 균일한 두께의 후막 또는 성형체를 제조할 수 있는 대용량의 CVD 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the problems of the prior art described above, and it is possible to install a large amount of substrates of various shapes and sizes inside a large-capacity CVD reaction chamber, and it is optimized by forming a gas outlet through which the reaction gas is discharged at the center of the reaction chamber. An object of the present invention is to provide a large-capacity CVD apparatus capable of producing a thick film or a molded article having a uniform thickness by forming a reaction gas supply, flow, and distribution.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 대용량 CVD 장치는, 다양한 형태와 크기의 다수의 기재에 증착을 수행할 수 있는 대용량 CVD 장치로서, 내부에 기재가 설치되는 CVD 반응챔버; 상기 CVD 반응챔버의 측벽에 설치되어 중심을 향하여 반응가스를 분사하는 가스주입부; 및 상기 CVD 반응챔버의 상면과 하면 중에 하나 이상의 중심에서 CVD 반응챔버 내부로 돌출되도록 설치된 가스배출부를 포함하며, 상기 가스배출부는 높이를 달리하는 복수의 배기구를 통해서 CVD 반응챔버 내부의 가스가 흡기되어, 복수의 배기구 각각에 연결된 복수의 외부 배기관을 통해서 CVD 반응챔버의 외부로 배출되고, 상기 복수의 외부 배기관을 개별적으로 개폐하여 복수의 배기구 중에서 흡기되는 배기구의 위치를 변경함으로써, CVD 반응챔버 내부에서 가스의 흐름과 방향을 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다.A large-capacity CVD apparatus according to the present invention for achieving the above object is a large-capacity CVD apparatus capable of performing deposition on a plurality of substrates of various shapes and sizes, comprising: a CVD reaction chamber in which a substrate is installed; a gas injection unit installed on a side wall of the CVD reaction chamber to inject a reaction gas toward the center; and a gas discharge unit installed to protrude into the CVD reaction chamber from the center of at least one of the upper surface and the lower surface of the CVD reaction chamber, wherein the gas discharge unit is a gas in the CVD reaction chamber through a plurality of air outlets having different heights. , is discharged to the outside of the CVD reaction chamber through a plurality of external exhaust pipes connected to each of the plurality of exhaust ports, and by individually opening and closing the plurality of external exhaust pipes to change the position of the exhaust ports to be sucked in among the plurality of exhaust ports, inside the CVD reaction chamber It is characterized in that the flow and direction of the gas can be controlled.

본 발명에 의한 대용량 CVD 장치는, 다결정 탄화규소만이 아니라 탄화붕소(보론 카바이드, B4C), 탄탈륨카바이드(TaC), 탄화텅스텐(WC) 등의 다양한 물질을 후막 또는 성형체 형태로 제조할 수 있다.The large-capacity CVD apparatus according to the present invention can manufacture not only polycrystalline silicon carbide, but also various materials such as boron carbide (boron carbide, B 4 C), tantalum carbide (TaC), and tungsten carbide (WC) in the form of thick films or compacts. have.

이때, 가스배출부는 일단에 배기구가 형성된 복수의 내부 배기관과 복수의 내부 배기관 각각에 연결된 복수의 외부 배기관을 포함하며, 복수의 내부 배기관은 상대적으로 두껍고 길이가 짧은 내부 배기관의 내부에 상대적으로 얇고 길이가 긴 내부 배기관이 삽입 설치된 구조인 것이 바람직하다. 이러한 구조에서는, CVD 반응챔버의 측벽으로부터 등간격인 중심부에 배기구가 위치됨으로써 반응가스를 고르게 분포시킬 수 있고, 최종적으로 내부에 설치된 모든 기재 면에 균일한 가스 흐름 및 분포를 조성하여 균일한 두께의 후막 또는 성형체를 제작할 수 있다.In this case, the gas discharge unit includes a plurality of internal exhaust pipes having exhaust ports formed at one end and a plurality of external exhaust pipes connected to each of the plurality of internal exhaust pipes, and the plurality of internal exhaust pipes are relatively thick and relatively thin inside the short internal exhaust pipe. It is preferable to have a structure in which a long internal exhaust pipe is inserted. In this structure, the reaction gas can be evenly distributed by locating the exhaust port at the center that is equally spaced from the sidewall of the CVD reaction chamber, and a uniform gas flow and distribution is created on all the surfaces of the substrate installed therein to create a thick film of uniform thickness. Alternatively, a molded body can be produced.

가스배출부는 상기 CVD 반응챔버의 상면과 하면 중에 하나에만 설치될 수 있으며, 이때는 배기구가 다양한 높이로 분포될 수 있도록 3개 이상의 내부 배기관과 외부 배기관을 포함하는 것이 바람직하다. 높이를 달리하는 3개 이상의 배기구의 개방 위치를 조절함으로써 반응가스를 고르게 분포시킬 수 있고, 최종적으로 내부에 설치된 모든 기재 면에 균일한 가스 흐름 및 분포를 조성하여 균일한 두께의 후막 또는 성형체를 제작할 수 있다.The gas discharge unit may be installed only on one of the upper and lower surfaces of the CVD reaction chamber, and in this case, it is preferable to include three or more internal exhaust pipes and external exhaust pipes so that the exhaust ports can be distributed at various heights. By adjusting the open positions of three or more exhaust ports of different heights, the reaction gas can be evenly distributed, and a uniform gas flow and distribution can be created on all the surfaces of the substrate installed therein to produce a thick film or molded body of uniform thickness. can

가스배출부는 CVD 반응챔버의 상면에 설치된 상부 가스배출부와 하면에 설치된 하부 가스배출부를 포함할 수 있고, 이때는 배기구가 다양한 높이로 분포될 수 있도록 상부 가스배출부와 하부 가스배출부 중에 적어도 하나는 2개 이상의 내부 배기관과 외부 배기관을 포함하는 것이 좋으며, 상부 가스배출부와 하부 가스배출부 각각이 2개 이상의 내부 배기관과 외부 배기관을 포함할 수도 있다. 상부 가스배출부와 하부 가스배출부 중에 하나가 2개 이상의 내부 배기관을 구비할 경우에는 높이를 달리하는 3개 이상의 배기구가 형성되고, 상부 가스배출부와 하부 가스배출부 모두가 2개 이상의 내부 배기관을 구비할 경우에는 높이를 달리하는 4개 이상의 배기구가 형성된다. 이들 배기구의 개방 위치를 조절함으로써 반응가스를 고르게 분포시킬 수 있고, 최종적으로 내부에 설치된 모든 기재 면에 균일한 가스 흐름 및 분포를 조성하여 균일한 두께의 후막 또는 성형체를 제작할 수 있다.The gas discharge unit may include an upper gas discharge unit installed on the upper surface of the CVD reaction chamber and a lower gas discharge unit installed on the lower surface, in this case, at least one of the upper gas discharge unit and the lower gas discharge unit is configured such that the exhaust ports can be distributed at various heights. It is preferable to include two or more internal exhaust pipes and external exhaust pipes, and each of the upper gas discharge part and the lower gas discharge part may include two or more internal exhaust pipes and external exhaust pipes. When one of the upper gas discharge part and the lower gas discharge part has two or more internal exhaust pipes, three or more exhaust ports of different heights are formed, and both the upper gas discharge part and the lower gas discharge part have two or more internal exhaust pipes When provided with four or more exhaust ports having different heights are formed. By controlling the opening positions of these exhaust ports, the reaction gas can be evenly distributed, and a uniform gas flow and distribution can be created on all the surfaces of the substrate installed therein, thereby making it possible to manufacture a thick film or a molded article having a uniform thickness.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, 대용량 CVD 반응챔버의 측면에서 중심을 향하여 반응가스를 분사하는 노즐이 설치된 가스주입부와 중심부에 설치된 가스배출부를 포함함으로써, 대용량 CVD 반응챔버 내부에서 제어된 반응가스 분사를 통하여 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성하여 다양한 형태와 크기의 기재 면에 균일한 두께의 후막 또는 성형체를 제조할 수 있는 효과가 있다.The present invention configured as described above includes a gas injection unit provided with a nozzle for injecting a reaction gas from the side of the large-capacity CVD reaction chamber toward the center and a gas discharge unit installed at the center, thereby controlling the reaction gas inside the large-capacity CVD reaction chamber. By forming an optimized reaction gas supply, flow and distribution through spraying, there is an effect that a thick film or a molded body having a uniform thickness can be manufactured on the surface of a substrate of various shapes and sizes.

도 1은 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 대한 정단면도이다.
도 2는 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 대한 외관을 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 CVD 장치의 반응챔버에 설치된 가스배출부에 대한 단면도 및 분해 사시도이다.
도 4는 첫번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 CVD 후막 증착을 위한 다양한 크기 및 모양의 기재가 대량으로 설치된 모습을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 두번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 대한 정단면도이다.
도 6은 본 발명의 두번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 대한 외관을 도시한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 두번째 실시예에 따른 CVD 장치의 반응챔버에 설치된 상부 가스배출부와 하부 가스배출부에 대한 단면도 및 분해 사시도이다.
도 8은 두번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 CVD 후막 증착을 위한 다양한 크기 및 모양의 기재가 대량으로 설치된 모습을 도시한 단면도이다.1 is a front cross-sectional view of a reaction chamber of a large-capacity CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing the exterior of the reaction chamber of the large-capacity CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view and an exploded perspective view of a gas discharge unit installed in the reaction chamber of the CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a state in which substrates of various sizes and shapes for CVD thick film deposition are installed in large quantities in the reaction chamber of the large-capacity CVD apparatus according to the first embodiment.
5 is a front cross-sectional view of a reaction chamber of a large-capacity CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
6 is a perspective view showing an external appearance of a reaction chamber of a large-capacity CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view and an exploded perspective view of an upper gas outlet and a lower gas outlet installed in a reaction chamber of a CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view illustrating a state in which substrates of various sizes and shapes for CVD thick film deposition are installed in large quantities in the reaction chamber of the large-capacity CVD apparatus according to the second embodiment.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. An embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

그러나 본 발명의 실시형태는 여러 가지의 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로만 한정되는 것은 아니다. 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. However, the embodiment of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited only to the embodiments described below. The shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description, and elements indicated by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

그리고 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 또는 "구비"한다고 할 때, 이는 특별이 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함하거나 구비할 수 있는 것을 의미 한다.And throughout the specification, when a part is "connected" with another part, it includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "electrically connected" with another element interposed therebetween. In addition, when a part "includes" or "includes" a certain component, it means that other components may be further included or provided without excluding other components unless otherwise stated. do.

또한, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.In addition, terms such as “first” and “second” are for distinguishing one component from other components, and the scope of rights should not be limited by these terms. For example, a first component may be termed a second component, and similarly, a second component may also be termed a first component.

도 1은 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 대한 정단면도이고, 도 2는 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 대한 외관을 도시한 사시도이며, 도 3은 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 CVD 장치의 반응챔버에 설치된 가스배출부에 대한 단면도 및 분해 사시도이다.1 is a front sectional view of a reaction chamber of a large-capacity CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing an external appearance of the reaction chamber of a large-capacity CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view and an exploded perspective view of a gas discharge unit installed in the reaction chamber of the CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 CVD 장치의 CVD 반응챔버(10)는, 측면에 복수의 가스주입부(100)가 형성되고, 상면의 중심부에서 아래쪽을 향하여 가스배출부(200)가 삽입 설치됨으로써, 가스주입부(100)를 통해서 CVD 반응챔버(10)의 내부로 반응가스를 주입하면 반응가스가 CVD 반응챔버(10)의 중심부로 이동하여 가스배출부(200)를 통해서 외부로 배출되는 구조이다.In the CVD reaction chamber 10 of the CVD apparatus according to this embodiment, a plurality of gas injection units 100 are formed on the side surface, and the gas discharge unit 200 is inserted and installed from the center of the upper surface downwardly, thereby injecting gas. When the reaction gas is injected into the CVD reaction chamber 10 through the unit 100 , the reaction gas moves to the center of the CVD reaction chamber 10 and is discharged to the outside through the gas discharge unit 200 .

이하에서는 본 실시예에 따른 대용량 CVD 장치를, 다결정 탄화규소 후막을 형성하기 위한 다양한 형태와 크기의 기재를 대량으로 설치할 수 있는 장치를 기준으로 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니며, 탄화붕소(보론 카바이드, B4C), 탄탈륨카바이드(TaC), 탄화텅스텐(WC) 등의 다양한 물질의 증착에도 적용이 가능하다.Hereinafter, the large-capacity CVD apparatus according to this embodiment will be described based on an apparatus capable of installing a large amount of substrates of various shapes and sizes for forming a polycrystalline silicon carbide thick film, but is not limited thereto, and boron carbide (boron carbide, B 4 C), tantalum carbide (TaC), tungsten carbide (WC) can be applied to the deposition of various materials.

도시된 실시예의 CVD 반응챔버(10)는 측면의 평단면이 원통 형상으로 구성된 경우이고 이러한 형태에 한정되는 것은 아니지만, CVD 반응챔버(10)의 측면에서 중심을 향하여 반응가스가 이동하는 구성임을 고려할 때에 측면의 평단면이 원통형인 경우에 효율이 더 높을 것이다. The CVD reaction chamber 10 of the illustrated embodiment is a case in which the flat cross-section of the side has a cylindrical shape and is not limited to this shape, but consider that the reaction gas is configured to move from the side of the CVD reaction chamber 10 toward the center. The efficiency will be higher when the flat cross section of the side is cylindrical.

가스주입부(100)는 측벽에서 CVD 반응챔버(10)의 내부로 반응가스를 주입할 수 있는 구조이면 특별히 제한되지 않고 적용이 가능하다. 다만, CVD 반응챔버(10)의 중심을 향하서 이동하는 반응가스가 챔버 전체에 고르게 분포될 수 있도록, 서로 다른 위치에 복수의 가스주입부(100)가 등간격으로 이격되어 형성되는 것이 좋으며, 특히 설치 높이가 서로 다른 복수의 가스주입부(100)를 다층으로 형성하는 것이 바람직하다. CVD 공정 중에는 전부 또는 선택된 일부의 가스주입부(100)를 통해서 반응가스를 챔버 내부로 주입할 수 있도록, 개별적으로 또는 그룹으로 개방과 폐쇄를 조절할 수 있도록 구성한다.The gas injection unit 100 is not particularly limited and can be applied as long as it has a structure capable of injecting a reaction gas into the CVD reaction chamber 10 from the sidewall. However, it is preferable that a plurality of gas injection units 100 at different positions are spaced apart from each other at equal intervals so that the reaction gas moving toward the center of the CVD reaction chamber 10 can be evenly distributed throughout the chamber, In particular, it is preferable to form a plurality of gas injection units 100 having different installation heights in multiple layers. During the CVD process, the reaction gas may be injected into the chamber through all or selected part of the gas injection unit 100, and the opening and closing may be controlled individually or in groups.

가스배출부(200)는 측벽의 가스주입부(100)를 통해서 CVD 반응챔버(10)의 내부로 주입된 반응가스와 부산물가스가 중심으로 이동한 뒤에 배출될 수 있도록, CVD 반응챔버(10) 상면의 중심부에서 아래쪽을 향하여 돌출되도록 설치된다. 이때, 가스배출부(200)는 가스가 흡기되는 배기구를 복수로 구비하고, 배기구는 서로 다른 높이에서 흡기가 수행되도록 높이를 달리하여 위치하며, 복수의 배기구 각각에 대하여 별도의 외부 배기관이 연결된다.The gas discharge unit 200 is a CVD reaction chamber 10 so that the reaction gas and by-product gas injected into the CVD reaction chamber 10 through the gas injection unit 100 of the side wall can be discharged after moving to the center. It is installed so as to protrude downward from the center of the upper surface. At this time, the gas discharge unit 200 is provided with a plurality of exhaust ports through which gas is inhaled, the exhaust ports are located at different heights so that intake is performed at different heights, and a separate external exhaust pipe is connected to each of the plurality of exhaust ports. .

구체적으로, 본 실시예에서 가스배출부(200)는 CVD 반응챔버(10) 상면의 중심부에서 아래쪽을 향하여 돌출되도록 설치된 제1내부 배기관(211)과 제2내부 배기관(212) 및 제3내부 배기관(213)을 포함한다. 각 내부 배기관은 하단부가 개방되어 반응가스와 부산물가스가 흡기되는 배기구를 구비한다. 그리고 제1내부 배기관(211)은 제1외부 배기관(221)에 연결되고 제2내부 배기관(212)은 제2외부 배기관(222)에 연결되며 제3내부 배기관(213)은 제3외부 배기관(223)에 연결된다.Specifically, in the present embodiment, the gas discharge unit 200 includes a first internal exhaust pipe 211 , a second internal exhaust pipe 212 and a third internal exhaust pipe installed to protrude downward from the center of the upper surface of the CVD reaction chamber 10 . (213). Each internal exhaust pipe is provided with an exhaust port through which the lower end is opened and the reaction gas and the by-product gas are inhaled. And the first internal exhaust pipe 211 is connected to the first external exhaust pipe 221, the second internal exhaust pipe 212 is connected to the second external exhaust pipe 222, the third internal exhaust pipe 213 is a third external exhaust pipe ( 223) is connected.

3개의 내부 배기관(211, 212, 213)의 하단부에 형성된 배기구가 서로 다른 높이에 설치되도록, 3개의 내부 배기관(211, 212, 213)의 길이를 다르게 구성하였다. 또한 3개의 내부 배기관(211, 212, 213)이 설치되는 모양은 배기구의 높이를 다르게 할 수 있는 구성이 다양하게 적용될 수 있지만, 본 실시예에서는 제1내부 배기관(211)이 제2내부 배기관(212)의 내부에 위치하고 제2내부 배기관(212)은 제3내부 배기관(213)의 내부에 위치하도록, 내부 배기관의 내경은 제3내부 배기관(213)이 가장 크고 제2내부 배기관(212)과 제1내부 배기관(211)이 순차적으로 감소 구성하였다. 그리고 내부 배기관의 길이는 제3내부 배기관(213)이 가장 짧고 제2내부 배기관(212)과 제1내부 배기관(211)이 순차적으로 길어지도록 구성하였다. 이러한 내부 배기관의 배치 구조로 인하여 평단면이 원통 형상인 측면의 중심에서 반응가스와 부산물가스가 고르게 흡기될 수 있다. The lengths of the three internal exhaust pipes 211 , 212 , and 213 are configured differently so that the exhaust ports formed at the lower ends of the three internal exhaust pipes 211 , 212 , and 213 are installed at different heights. In addition, the shape in which the three internal exhaust pipes (211, 212, 213) are installed can be variously applied to a configuration that can have different heights of the exhaust ports, but in this embodiment, the first internal exhaust pipe 211 is the second internal exhaust pipe ( 212) and the second internal exhaust pipe 212 is located inside the third internal exhaust pipe 213, the inner diameter of the internal exhaust pipe is the third internal exhaust pipe 213 is the largest and the second internal exhaust pipe 212 and The first internal exhaust pipe 211 was sequentially reduced. And, the length of the internal exhaust pipe is configured such that the third internal exhaust pipe 213 is the shortest, and the second internal exhaust pipe 212 and the first internal exhaust pipe 211 are sequentially long. Due to the arrangement structure of the internal exhaust pipe, the reaction gas and the by-product gas can be evenly sucked in from the center of the side having a cylindrical shape in a flat cross section.

그리고 3개의 내부 배기관이 겹쳐진 상부에 위치하는 결합부(230)를 통해서 각 내부 배기관이 3개의 외부 배기관과 각각 연결된다. 제1내부 배기관(211)의 하단부에 형성된 배기구를 통해서 흡기된 가스는 제1외부 배기관(221)을 통해서만 배출되고, 제2내부 배기관(212)의 하단부에서 제1내부 배기관(211)과의 틈으로 구성된 배기구를 통해서 흡기된 가스는 제2외부 배기관(222)을 통해서만 배출되며, 제3내부 배기관(213)의 하단부에서 제2내부 배기관(212)과의 틈으로 구성된 배기구를 통해서 흡기된 가스는 제3외부 배기관(223)을 통해서만 배출된다.In addition, each of the internal exhaust pipes is connected to the three external exhaust pipes through the coupling portion 230 positioned at the upper portion of the three internal exhaust pipes overlapping each other. The gas sucked in through the exhaust port formed at the lower end of the first internal exhaust pipe 211 is discharged only through the first external exhaust pipe 221 , and a gap with the first internal exhaust pipe 211 at the lower end of the second internal exhaust pipe 212 . The gas sucked through the exhaust port composed of It is discharged only through the third external exhaust pipe 223 .

이때, 복수의 내부 배기관(211, 212, 213) 각각이 분리된 외부 배기관으로 연결되기 때문에, 외부 배기관(221, 222, 223)을 개방하고 폐쇄하는 것에 의해서 3개의 내부 배기관 중에서 흡기되는 위치를 조절할 수 있다.At this time, since each of the plurality of internal exhaust pipes 211 , 212 , and 213 is connected to a separate external exhaust pipe, by opening and closing the external exhaust pipes 221 , 222 , and 223 , the position of intake among the three internal exhaust pipes can be adjusted. can

예를 들면, 제1외부 배기관(221)을 폐쇄하면 가장 아래에 위치하는 제1내부 배기관(211)의 배기구를 통한 가스의 배출은 수행되지 않고, 중간에 위치하는 제2내부 배기관(212)의 배기구를 통한 가스의 배출 및 가장 위에 위치하는 제3내부 배기관(213)의 배기구를 통한 가스의 배출만 수행된다. 제1외부 배기관(221)과 제2외부 배기관(222)을 동시에 폐쇄하면 가장 아래에 위치하는 제1내부 배기관(211)의 배기구를 통한 가스의 배출과 중간에 위치하는 제2내부 배기관(212)의 배기구를 통한 가스의 배출은 수행되지 않고, 가장 위에 위치하는 제3내부 배기관(213)의 배기구를 통한 가스의 배출만 수행된다. For example, when the first external exhaust pipe 221 is closed, the gas is not discharged through the exhaust port of the first internal exhaust pipe 211 located at the bottom, and the second internal exhaust pipe 212 located in the middle is not discharged. Only the discharge of gas through the exhaust port and the discharge of gas through the exhaust port of the third internal exhaust pipe 213 positioned at the top are performed. When the first external exhaust pipe 221 and the second external exhaust pipe 222 are simultaneously closed, the gas is discharged through the exhaust port of the first internal exhaust pipe 211 located at the bottom and the second internal exhaust pipe 212 located in the middle. The gas is not discharged through the exhaust port of the , but only the gas is discharged through the exhaust port of the third internal exhaust pipe 213 located at the top.

결국, 높이를 달리하여 위치하는 복수의 배기구 중에서 흡기가 수행되는 위치를 조절할 수 있으며, CVD 반응챔버(10) 내부에서 가스의 이동방향은 흡기가 수행되는 배기구를 향해서 이동할 수밖에 없으므로, CVD 반응챔버(10) 내부에서 가스가 상하 방향으로 이동하도록 흐름을 조절할 수 있다.As a result, it is possible to adjust the position at which intake is performed among a plurality of exhaust ports located at different heights, and the direction of movement of the gas in the CVD reaction chamber 10 has no choice but to move toward the exhaust port where intake is performed, so the CVD reaction chamber ( 10) The flow can be adjusted so that the gas moves up and down from the inside.

최종적으로 높이를 달리하는 3단의 배기구 중에서 개방되는 배기구를 조절함으로써, 기재의 형태와 설치 방향 및 설치 간격에 따라서 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성할 수 있으며, 최종적으로 균일한 두께의 다결정 탄화규소 후막 또는 성형체를 모든 기재의 표면에 제작할 수 있다. Finally, by adjusting the open exhaust port among the three exhaust ports of different heights, it is possible to form an optimized reaction gas supply, flow, and distribution according to the shape, installation direction, and installation interval of the substrate, and finally achieve a uniform thickness. Polycrystalline silicon carbide thick films or compacts can be fabricated on the surface of any substrate.

도 1에 도시된 것과 같은 CVD 반응챔버(10)는 챔버 외벽의 내부에 형성된 단열층과 중심에 삽입되어 위치하는 가스배출부(200)를 제외하고는 내부에 다른 기구 등이 설치되지 않기 때문에, 가스배출부(200)를 둘러싸는 위치에 CVD 후막 증착을 위한 다양한 크기 및 모양의 기재가 설치되는 공간이 충분히 확보된다.In the CVD reaction chamber 10 as shown in FIG. 1 , other than the heat insulating layer formed on the inside of the outer wall of the chamber and the gas discharge part 200 inserted and located in the center, no other mechanism is installed therein. A space for installing various sizes and shapes of substrates for CVD thick film deposition is sufficiently secured at a position surrounding the discharge unit 200 .

도 4는 첫번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 CVD 후막 증착을 위한 다양한 크기 및 모양의 기재가 대량으로 설치된 모습을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a state in which substrates of various sizes and shapes for CVD thick film deposition are installed in large quantities in the reaction chamber of the large-capacity CVD apparatus according to the first embodiment.

도 4에는 링 모양의 기재가 수평하게 설치된 경우가 도시되었으나, 이외에 판 형상의 기재 또는 크기가 다른 판 형상이나 링 형상의 기재를 적용할 수도 있고, 판 형상이나 링 형상의 기재가 수직하게 세워서 설치될 수도 있는 등, 다양한 크기 및 모양의 기재가 다수 적층된 형태로 대용량 CVD 반응챔버(10)의 내부에 대량으로 설치된다. 생산성을 높이기 위해서는 기재와 기재의 사이 간격을 적절히 조절할 수 있고, 앞서 살펴본 CVD 반응챔버(10)의 중심부에 삽입 설치된 가스배출부(200)에서 높이를 달리하는 3단의 배기구에서 흡기되는 위치와 개수를 조절하여 기재의 형태와 설치 방향 및 설치 간격에 따라서 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성할 수 있으며, 최종적으로 균일한 두께의 다결정 탄화규소 후막 또는 성형체를 모든 기재의 표면에 제작할 수 있다. 4 shows a case in which the ring-shaped substrate is installed horizontally, but other plate-shaped substrates or plate-shaped or ring-shaped substrates having different sizes may be applied, and the plate-shaped or ring-shaped substrate is installed vertically upright A large number of substrates of various sizes and shapes are installed in the interior of the large-capacity CVD reaction chamber 10 in a stacked form. In order to increase productivity, the interval between the substrate and the substrate can be appropriately adjusted, and the position and number of intakes from the three-stage exhaust ports having different heights in the gas discharge unit 200 inserted and installed in the center of the CVD reaction chamber 10 as described above By controlling the .

이때, 종래 기술과 같이 기재를 회전시키는 구성을 고려할 수 있으며, 회전은 자전, 공전 또는 일정한 각도 범위 내에서 왕복회전을 포함할 수 있다. 도시된 것과 같이 대용량 CVD 반응챔버 내부에 다수의 기재를 동시에 설치한 경우에는 각 축 또는 각 층에 적층된 기재를 저속 회전을 시키는 형태가 가능할 수 있다. 그러나 각 적층된 기재를 전체적으로 혹은 일정한 각도 범위 내에서 회전시키는 형태는 전체 기재의 중량 및 CVD 공정 중 후막 증착에 의해 증가되는 중량까지 고려하면 쉽지 않으며, 회전속도가 너무 느려서 전체 기재에 균일한 증착을 수행하기 어려울 수도 있다. 또한 다양한 모양과 크기의 기재에 따라서 최적의 회전 형태를 선택해야 하며, 다수의 적층된 기재를 회전시키는 과정에서 발생될 수 있는 적층된 기재의 흔들림 또는 진동 또는 기재의 무너짐에 유의해야만 대용량 CVD 공정에 의해 형성된 후막을 얻을 수 있다. 그러나 본 발명에 의하면 기재가 회전을 하지 않거나 한정된 범위에서 조금만 회전을 하더라도 제어된 가스배출부(200)의 동작을 통하여 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성하여 균일한 두께의 다결정 탄화규소 후막 또는 성형체를 제조할 수 있다. In this case, a configuration for rotating the substrate may be considered as in the prior art, and the rotation may include rotation, revolution, or reciprocating rotation within a certain angle range. As shown in the figure, when a plurality of substrates are installed in a large-capacity CVD reaction chamber at the same time, it may be possible to rotate the substrates stacked on each axis or each layer at a low speed. However, it is not easy to rotate each stacked substrate as a whole or within a certain angular range considering the weight of the entire substrate and the weight increased by thick film deposition during the CVD process, and the rotation speed is too slow to achieve uniform deposition on the entire substrate. It may be difficult to perform. In addition, it is necessary to select the optimal rotation form according to the substrates of various shapes and sizes, and it is necessary to pay attention to the shaking or vibration of the laminated substrates or the collapse of the substrates that may occur in the process of rotating multiple laminated substrates. A thick film formed by However, according to the present invention, even if the substrate does not rotate or rotates a little within a limited range, an optimized reaction gas supply, flow, and distribution are formed through the operation of the controlled gas discharge unit 200 to form a polycrystalline silicon carbide thick film of uniform thickness. Alternatively, a molded body may be manufactured.

한편, 상기한 첫번째 실시예에서는 가스배출부(200)가 CVD 반응챔버(10)의 상면에 설치된 경우를 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 CVD 반응챔버(10)의 하면에 설치될 수도 있다.Meanwhile, in the first embodiment described above, the case where the gas discharge unit 200 is installed on the upper surface of the CVD reaction chamber 10 has been described, but the present invention is not limited thereto and may be installed on the lower surface of the CVD reaction chamber 10 .

또한, 내부 배기관의 개수를 줄이거나 늘림으로써 높이가 다른 배기구가 2단이나 4단 이상으로 구성하는 것도 가능하다. In addition, by reducing or increasing the number of internal exhaust pipes, it is also possible to configure the exhaust ports having different heights into two or more stages.

도 5는 본 발명의 두번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 대한 정단면도이고, 도 6은 본 발명의 두번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 대한 외관을 도시한 사시도이며, 도 7은 본 발명의 두번째 실시예에 따른 CVD 장치의 반응챔버에 설치된 상부 가스배출부와 하부 가스배출부에 대한 단면도 및 분해 사시도이다.5 is a front cross-sectional view of a reaction chamber of a large-capacity CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a perspective view showing an external appearance of the reaction chamber of a large-capacity CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention. 7 is a cross-sectional view and an exploded perspective view of an upper gas outlet and a lower gas outlet installed in the reaction chamber of the CVD apparatus according to the second embodiment of the present invention.

두번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치는, CVD 반응챔버(10)의 상면과 하면 각각에 상부 가스배출부(200a) 하부 가스배출부(200b)가 설치되고, 각 가스배출부(200a, 200b)는 높이를 달리하는 배기구가 2단으로 구성되어, 전체적으로 배기구가 4단으로 구성된다. In the large-capacity CVD apparatus according to the second embodiment, an upper gas discharge unit 200a and a lower gas discharge unit 200b are installed on the upper and lower surfaces of the CVD reaction chamber 10, respectively, and each gas discharge unit 200a, 200b is The exhaust port of different height is composed of two stages, and the exhaust port is composed of four stages as a whole.

상부 가스배출부(200a)는 CVD 반응챔버(10) 상면의 중심부에서 아래쪽을 향하여 돌출되도록 설치된 제4내부 배기관(214)과 제5내부 배기관(215)을 포함하고, 하부 가스배출부(200b)는 CVD 반응챔버(10) 하면의 중심부에서 위쪽을 향하여 돌출되도록 설치된 제6내부 배기관(216)과 제7내부 배기관(217)을 포함한다.The upper gas discharge part 200a includes a fourth internal exhaust pipe 214 and a fifth internal exhaust pipe 215 installed to protrude downward from the center of the upper surface of the CVD reaction chamber 10, and the lower gas discharge part 200b. includes a sixth internal exhaust pipe 216 and a seventh internal exhaust pipe 217 installed to protrude upward from the center of the lower surface of the CVD reaction chamber 10 .

4개의 내부 배기관(214, 215, 216, 217)의 단부에 형성된 배기구가 서로 다른 높이에 설치되도록, 제4내부 배기관(214)이 제5내부 배기관(215)의 내부에 위치하고 제4내부 배기관(214)이 제5내부 배기관(215)보다 길게 구성되며, 제6내부 배기관(216)이 제7내부 배기관(217)의 내부에 위치하고 제6내부 배기관(216)이 제7내부 배기관(215)보다 길게 구성된다.The fourth internal exhaust pipe 214 is located inside the fifth internal exhaust pipe 215 and the fourth internal exhaust pipe ( 214 is longer than the fifth internal exhaust pipe 215 , and the sixth internal exhaust pipe 216 is located inside the seventh internal exhaust pipe 217 and the sixth internal exhaust pipe 216 is longer than the seventh internal exhaust pipe 215 . made up of long

그리고 2개의 내부 배기관이 겹쳐진 상부와 하부에 각각 위치하는 결합부(230a, 230b)를 통해서 각 내부 배기관이 4개의 외부 배기관과 각각 연결된다. 제4내부 배기관(214)의 하단부에 형성된 배기구를 통해서 흡기된 가스는 제4외부 배기관(224)을 통해서만 배출되고, 제5내부 배기관(215)의 하단부에서 제4내부 배기관(214)과의 틈으로 구성된 배기구를 통해서 흡기된 가스는 제5외부 배기관(225)을 통해서만 배출된다. 그리고 제6내부 배기관(216)의 하단부에 형성된 배기구를 통해서 흡기된 가스는 제6외부 배기관(226)을 통해서만 배출되고, 제7내부 배기관(217)의 하단부에서 제6내부 배기관(216)과의 틈으로 구성된 배기구를 통해서 흡기된 가스는 제7외부 배기관(227)을 통해서만 배출된다.In addition, each of the internal exhaust pipes is connected to the four external exhaust pipes through coupling portions 230a and 230b respectively positioned at the upper and lower portions of the two internal exhaust pipes overlapping each other. The gas sucked in through the exhaust port formed at the lower end of the fourth internal exhaust pipe 214 is discharged only through the fourth external exhaust pipe 224 , and a gap with the fourth internal exhaust pipe 214 at the lower end of the fifth internal exhaust pipe 215 . The gas sucked through the exhaust port composed of is discharged only through the fifth external exhaust pipe 225 . And the gas sucked in through the exhaust port formed at the lower end of the sixth internal exhaust pipe 216 is discharged only through the sixth external exhaust pipe 226, and at the lower end of the seventh internal exhaust pipe 217, the sixth internal exhaust pipe 216 and The gas sucked in through the exhaust port constituted by the gap is discharged only through the seventh external exhaust pipe 227 .

이때, 복수의 내부 배기관(214, 215, 216, 217) 각각이 분리된 외부 배기관으로 연결되기 때문에, 외부 배기관(224, 225, 226, 227)을 개폐하는 것에 의해서 4개의 내부 배기관 중에서 흡기되는 위치를 조절할 수 있다.At this time, since each of the plurality of internal exhaust pipes 214 , 215 , 216 , and 217 is connected to a separate external exhaust pipe, by opening and closing the external exhaust pipes 224 , 225 , 226 , and 227 , the position of intake among the four internal exhaust pipes can be adjusted.

결국, 높이를 달리하여 위치하는 복수의 배기구 중에서 흡기가 수행되는 위치를 조절할 수 있으며, CVD 반응챔버(10) 내부에서 가스의 이동방향은 흡기가 수행되는 배기구를 향해서 이동할 수밖에 없으므로, CVD 반응챔버(10) 내부에서 가스가 상하 방향으로 이동하도록 흐름을 조절할 수 있다.As a result, it is possible to adjust the position at which intake is performed among a plurality of exhaust ports located at different heights, and the direction of movement of the gas in the CVD reaction chamber 10 has no choice but to move toward the exhaust port where intake is performed, so the CVD reaction chamber ( 10) The flow can be adjusted so that the gas moves up and down from the inside.

최종적으로 높이를 달리하는 4단의 배기구 중에서 개방되는 배기구를 조절함으로써, 기재의 형태와 설치 방향 및 설치 간격에 따라서 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성할 수 있으며, 최종적으로 균일한 두께의 다결정 탄화규소 후막 또는 성형체를 모든 기재의 표면에 제작할 수 있다. Finally, by adjusting the open exhaust port among the four exhaust ports of different heights, it is possible to form an optimized reaction gas supply, flow, and distribution according to the shape, installation direction, and installation interval of the substrate, and finally achieve a uniform thickness. Polycrystalline silicon carbide thick films or compacts can be fabricated on the surface of any substrate.

도 5에 도시된 것과 같은 CVD 반응챔버(10)는 챔버 외벽의 내부에 형성된 단열층과 중심에 삽입되어 위치하는 가스배출부(200a, 200b)를 제외하고는 내부에 다른 기구 등이 설치되지 않기 때문에, 가스배출부(200a, 200b)를 둘러싸는 위치에 CVD 후막 증착을 위한 다양한 크기 및 모양의 기재가 설치되는 공간이 충분히 확보된다.In the CVD reaction chamber 10 as shown in FIG. 5 , other than the heat insulating layer formed inside the outer wall of the chamber and the gas outlets 200a and 200b inserted and located in the center, other mechanisms are not installed therein. , a space in which substrates of various sizes and shapes for CVD thick film deposition are installed at positions surrounding the gas discharge portions 200a and 200b are sufficiently secured.

도 8은 두번째 실시예에 따른 대용량 CVD 장치의 반응챔버에 CVD 후막 증착을 위한 다양한 크기 및 모양의 기재가 대량으로 설치된 모습을 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a state in which substrates of various sizes and shapes for CVD thick film deposition are installed in large quantities in the reaction chamber of the large-capacity CVD apparatus according to the second embodiment.

도 8에는 링 모양의 기재가 수평하게 설치된 경우가 도시되었으나, 이외에 판 형상의 기재 또는 크기가 다른 판 형상이나 링 형상의 기재를 적용할 수도 있고, 판 형상이나 링 형상의 기재가 수직하게 세워서 설치될 수도 있는 등, 다양한 크기 및 모양의 기재가 다수 적층된 형태로 대용량 CVD 반응챔버(10)의 내부에 대량으로 설치된다. 생산성을 높이기 위해서는 기재와 기재의 사이 간격을 적절히 조절할 수 있고, 앞서 살펴본 CVD 반응챔버(10)의 중심부에 삽입 설치된 가스배출부(200a, 200b)에서 높이를 달리하는 4단의 배기구에서 흡기되는 위치와 개수를 조절하여 기재의 형태와 설치 방향 및 설치 간격에 따라서 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성할 수 있으며, 최종적으로 균일한 두께의 다결정 탄화규소 후막 또는 성형체를 모든 기재의 표면에 제작할 수 있다. Although the case where the ring-shaped substrate is installed horizontally is illustrated in FIG. 8, a plate-shaped substrate or a plate-shaped or ring-shaped substrate having a different size may be applied, and the plate-shaped or ring-shaped substrate is installed vertically A large number of substrates of various sizes and shapes are installed in the interior of the large-capacity CVD reaction chamber 10 in a stacked form. In order to increase productivity, the interval between the substrate and the substrate can be appropriately adjusted, and the position where the intake is from the four-stage exhaust ports having different heights in the gas discharge units 200a and 200b inserted and installed in the center of the CVD reaction chamber 10 as described above By controlling the number and shape of the substrate, it is possible to form an optimized reaction gas supply, flow, and distribution according to the shape, installation direction, and installation interval of the substrate. can

이때, 종래 기술과 같이 기재를 회전시키는 구성을 고려할 수 있으며, 회전은 자전, 공전 또는 일정한 각도 범위 내에서 왕복회전을 포함할 수 있다. 도시된 것과 같이 대용량 CVD 반응챔버 내부에 다수의 기재를 동시에 설치한 경우에는 각 축 또는 각 층에 적층된 기재를 저속 회전을 시키는 형태가 가능할 수 있다. 그러나 각 적층된 기재를 전체적으로 혹은 일정한 각도 범위 내에서 회전시키는 형태는 전체 기재의 중량 및 CVD 공정 중 후막 증착에 의해 증가되는 중량까지 고려하면 쉽지 않으며, 회전속도가 너무 느려서 전체 기재에 균일한 증착을 수행하기 어려울 수도 있다. 또한 다양한 모양과 크기의 기재에 따라서 최적의 회전 형태를 선택해야 하며, 다수의 적층된 기재를 회전시키는 과정에서 발생될 수 있는 적층된 기재의 흔들림 또는 진동 또는 기재의 무너짐에 유의해야만 대용량 CVD 공정에 의해 형성된 후막을 얻을 수 있다. 그러나 본 발명에 의하면 기재가 회전을 하지 않거나 한정된 범위에서 조금만 회전을 하더라도 제어된 가스배출부(200a, 200b))의 동작을 통하여 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성하여 균일한 두께의 다결정 탄화규소 후막 또는 성형체를 제조할 수 있다. In this case, a configuration for rotating the substrate may be considered as in the prior art, and the rotation may include rotation, revolution, or reciprocating rotation within a certain angle range. As shown in the figure, when a plurality of substrates are installed in a large-capacity CVD reaction chamber at the same time, it may be possible to rotate the substrates stacked on each axis or each layer at a low speed. However, it is not easy to rotate each stacked substrate as a whole or within a certain angular range considering the weight of the entire substrate and the weight increased by thick film deposition during the CVD process, and the rotation speed is too slow to achieve uniform deposition on the entire substrate. It may be difficult to perform. In addition, it is necessary to select the optimal rotation form according to the substrates of various shapes and sizes, and it is necessary to pay attention to the shaking or vibration of the laminated substrates or the collapse of the substrates that may occur in the process of rotating multiple laminated substrates. A thick film formed by However, according to the present invention, even if the substrate does not rotate or rotates a little in a limited range, an optimized reaction gas supply, flow, and distribution are formed through the operation of the controlled gas discharge units 200a and 200b) to form polycrystals of uniform thickness. Silicon carbide thick films or compacts can be produced.

이상에서 살펴본 것과 같이, 본 발명은 반응챔버의 측면에서 중심을 향하여 반응가스를 분사하는 가스주입부와 높이를 달리하는 복수의 배기구를 구비한 가스배출부를 반응챔버의 중심에 설치한 뒤에, 복수의 배기구와 개별적으로 연결된 외부 배기관 중에서 개방된 배가관의 개수 또는 위치를 제어하는 방법을 통해서, CVD 후막 증착을 위한 다양한 크기 및 모양의 기재가 대량으로 설치된 대용량 CVD 반응챔버 내부에 고르게 가스가 분포하도록 할 수 있다.As described above, the present invention provides a gas injection unit for injecting a reaction gas from the side of the reaction chamber toward the center and a gas discharge unit having a plurality of exhaust ports having different heights in the center of the reaction chamber, Through a method of controlling the number or position of open exhaust pipes among the external exhaust pipes individually connected to the exhaust ports, the gas can be evenly distributed inside the large-capacity CVD reaction chamber in which substrates of various sizes and shapes for CVD thick film deposition are installed in large quantities. can

이상에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 대용량 CVD 장치를 사용하여, 다양한 크기와 형태를 가지는 기재들에 대하여 탄화규소 성형체를 제조한 결과, 각 기재의 형태와 크기 및 설치 상태에 최적화된 가스배출부(200, 200a, 200b))의 조절을 통해서 균일한 두께의 다결정 탄화규소 후막 또는 성형체가 모든 기재 상에 제작되었다.As a result of manufacturing a silicon carbide molded body for substrates having various sizes and shapes using the large-capacity CVD apparatus according to the embodiment of the present invention described above, the gas discharge unit optimized for the shape, size, and installation state of each substrate (200, 200a, 200b)), a polycrystalline silicon carbide thick film or molded body of uniform thickness was fabricated on all substrates.

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention has been described through preferred embodiments, but the above-described embodiments are merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various changes are possible without departing from the technical spirit of the present invention in this field. Those of ordinary skill in the art will be able to understand. Therefore, the protection scope of the present invention should be interpreted by the matters described in the claims, not specific embodiments, and all technical ideas within the equivalent range should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

10: 반응챔버
100: 가스주입부
200, 200a, 200b: 가스배출부
211, 212, 213, 214, 215, 216, 217: 내부 배기관
221, 222, 223, 224, 225, 226, 227: 외부 배기관
230, 230a, 230b: 결합부10: reaction chamber
100: gas injection unit
200, 200a, 200b: gas outlet
211, 212, 213, 214, 215, 216, 217: internal exhaust pipe
221, 222, 223, 224, 225, 226, 227: external exhaust pipe
230, 230a, 230b: coupling part

Claims (6)

다양한 형태와 크기의 다수의 기재에 증착을 수행할 수 있는 대용량 CVD 장치로서,
내부에 기재가 설치되는 CVD 반응챔버;
상기 CVD 반응챔버의 측벽에 설치되어 중심을 향하여 반응가스를 분사하는 복수의 가스주입부; 및
상기 CVD 반응챔버의 상면과 하면 중에 하나 이상의 중심에서 CVD 반응챔버 내부로 돌출되도록 설치된 가스배출부를 포함하며,
상기 가스배출부는 높이를 달리하는 복수의 배기구를 통해서 CVD 반응챔버 내부의 가스가 흡기되어, 복수의 배기구 각각에 연결된 복수의 외부 배기관을 통해서 CVD 반응챔버의 외부로 배출되고,
상기 복수의 외부 배기관을 개별적으로 개폐하여 복수의 배기구 중에서 흡기되는 배기구의 위치를 변경함으로써, CVD 반응챔버 내부에서 가스의 흐름과 방향을 조절할 수 있으며,
상기 가스배출부는 일단에 배기구가 형성된 복수의 내부 배기관과 복수의 내부 배기관 각각에 연결된 외부 배기관을 포함하고, 상기 복수의 내부 배기관은 상대적으로 두껍고 길이가 짧은 내부 배기관의 내부에 상대적으로 얇고 길이가 긴 내부 배기관이 삽입 설치되어, 내부 배기관의 길이에 따라서 높이가 다른 복수의 배기구가 위치하는 것을 특징으로 하는 대용량 CVD 장치.
A high-capacity CVD apparatus capable of performing deposition on multiple substrates of various shapes and sizes, comprising:
a CVD reaction chamber having a substrate installed therein;
a plurality of gas injection units installed on a side wall of the CVD reaction chamber to inject a reaction gas toward the center; and
a gas discharge unit installed to protrude into the CVD reaction chamber from the center of at least one of the upper and lower surfaces of the CVD reaction chamber;
In the gas discharge unit, gas inside the CVD reaction chamber is sucked in through a plurality of exhaust ports having different heights, and is discharged to the outside of the CVD reaction chamber through a plurality of external exhaust pipes connected to each of the plurality of exhaust ports,
By individually opening and closing the plurality of external exhaust pipes to change the position of the intake port among the plurality of exhaust ports, the flow and direction of the gas inside the CVD reaction chamber can be controlled,
The gas discharge unit includes a plurality of internal exhaust pipes having an exhaust port formed at one end and an external exhaust pipe connected to each of the plurality of internal exhaust pipes, wherein the plurality of internal exhaust pipes are relatively thick and relatively long inside the short internal exhaust pipe. A large-capacity CVD apparatus, characterized in that an internal exhaust pipe is inserted, and a plurality of exhaust ports having different heights are located according to the length of the internal exhaust pipe.
 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 가스배출부는 상기 CVD 반응챔버의 상면과 하면 중에 하나에만 설치된 것을 특징으로 하는 대용량 CVD 장치.
The method according to claim 1,
The large-capacity CVD apparatus, characterized in that the gas discharge unit is installed only on one of the upper surface and the lower surface of the CVD reaction chamber.
 청구항 3에 있어서,
상기 가스배출부는 3개 이상의 내부 배기관과 외부 배기관을 포함하는 것을 특징으로 하는 대용량 CVD 장치.
4. The method according to claim 3,
The large-capacity CVD apparatus, characterized in that the gas discharge unit includes three or more internal exhaust pipes and external exhaust pipes.
 청구항 1에 있어서,
상기 가스배출부는 상기 CVD 반응챔버의 상면에 설치된 상부 가스배출부와 하면에 설치된 하부 가스배출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 대용량 CVD 장치.
The method according to claim 1,
and the gas discharge unit includes an upper gas discharge unit installed on an upper surface of the CVD reaction chamber and a lower gas discharge unit installed on a lower surface of the CVD reaction chamber.
 청구항 5에 있어서,
상기 상부 가스배출부와 상기 하부 가스배출부 중에 적어도 하나는 2개 이상의 내부 배기관과 외부 배기관을 포함하는 것을 특징으로 하는 대용량 CVD 장치. 6. The method of claim 5,
At least one of the upper gas outlet and the lower gas outlet includes two or more internal and external exhaust pipes.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243861A (en) * 2011-05-17 2012-12-10 Philtech Inc Film growth device and light-emitting diode

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109626A (en) * 1991-10-14 1993-04-30 Nec Kansai Ltd Reduced pressure cvd device
US5374412A (en) 1992-07-31 1994-12-20 Cvd, Inc. Highly polishable, highly thermally conductive silicon carbide
US5354580A (en) 1993-06-08 1994-10-11 Cvd Incorporated Triangular deposition chamber for a vapor deposition system
DE19603323A1 (en) 1996-01-30 1997-08-07 Siemens Ag Method and device for producing SiC by CVD with improved gas utilization
KR101631796B1 (en) 2015-04-13 2016-06-20 주식회사 티씨케이 Manufacturing device for focus ring of dry etching apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243861A (en) * 2011-05-17 2012-12-10 Philtech Inc Film growth device and light-emitting diode

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