KR102295260B1 - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 164
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 39
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 21
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/82—Interconnections, e.g. terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/84—Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
본 발명은 제2 전극의 저항을 감소시키고, 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서 패드 전극의 부식 및 금속 전이 현상을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극, 및 상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극을 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선, 상기 보조 배선과 상기 보조 전극 사이에 구비되며 상기 화소 영역에서 상기 패드 영역까지 연장된 제1 보호층, 및 상기 기판의 패드 영역에 구비된 패드 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 보호층은 상기 패드 전극의 상면을 노출시키는 패드 콘택홀을 구비한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display capable of reducing resistance of a second electrode and preventing corrosion and metal transition of a pad electrode without adding a separate mask process.
According to an aspect of the present invention, an organic light emitting display device includes a substrate including a pixel region and a pad region, a thin film transistor provided in the pixel region of the substrate, a first electrode electrically connected to the thin film transistor, and the An organic light emitting layer provided on the first electrode, a second electrode provided on the organic light emitting layer, and an auxiliary electrode connected to the second electrode and provided on the same layer as the first electrode. In addition, in the organic light emitting display device according to the present invention, an auxiliary line is connected to the auxiliary electrode and is provided under the auxiliary electrode, and a first first line is provided between the auxiliary line and the auxiliary electrode and extends from the pixel area to the pad area. and a protective layer, and a pad electrode provided in a pad region of the substrate, wherein the first protective layer has a pad contact hole exposing an upper surface of the pad electrode.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to a top emission type organic light emitting display device and a method of manufacturing the same.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있어, 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다. BACKGROUND ART Organic light emitting diodes (OLEDs) are self-luminous devices, and have low power consumption, high response speed, high luminous efficiency, high luminance, and wide viewing angle, and thus are attracting attention as a next-generation flat panel display device.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 빛의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 개구율이 저하되는 문제가 발생되기 때문에, 최근에는 상부 발광 방식이 주로 이용되고 있다. An organic light emitting diode display (OLED) is divided into a top emission type and a bottom emission type according to a transmission direction of light emitted through an organic light emitting device. Since the bottom emission method has a problem in that the aperture ratio is lowered, the top emission method is mainly used in recent years.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional top emission type organic light emitting display device.
종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치는 기판(10), 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(20), 평탄화층(30), 제1 전극(40), 보조 전극(50), 뱅크(60), 유기 발광층(70) 및 제2 전극(80)을 포함하여 이루어진다. A conventional top emission type organic light emitting display device includes a
상기 기판(10) 상에는 도면에 도시되지는 않았으나 게이트 라인 및 데이터 라인이 서로 교차하도록 구비되어 화소 영역을 정의하고, 각 화소 영역에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)(T)가 구비되어 있다. Although not shown in the drawing, a gate line and a data line are provided on the
상기 패시베이션층(20)은 상기 박막 트랜지스터(T)를 덮으며 상기 기판(10) 전면에 구비되고, 평탄화층(30)은 상기 패시베이션층(20) 전면을 덮는다. The
상기 제1 전극(40)은 상기 평탄화층(30) 상에 구비되며, 상기 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결되어 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(40)은 반사율이 높은 물질 예를 들어, 은합금(Ag alloy)층을 포함할 수 있다.The
상기 보조 전극(50)은 상기 제1 전극(40)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 전극(50)은 상기 제2 전극(80)과 연결되어 상기 제2 전극(80)의 저항을 낮춰주는 역할을 한다. The
상기 뱅크(60)는 각각의 화소 영역의 경계에 구비되어 있다. 상기 뱅크(60)는 상기 제1 전극(40) 및 보조 전극(50) 사이에 구비되어, 상기 제1 전극(40) 및 보조 전극(50)을 절연시킨다. The
상기 유기 발광층(70)은 상기 제1 전극(40) 상에 구비된다. The
상기 제2 전극(80)은 상기 기판(10) 전면에 구비되며, 상기 보조 전극(50)과 연결된다. 상기 제2 전극(80)은 수백 옴스트롱(Å) 이하의 두께로 얇게 형성된 금속성 물질로 이루어질 수 있다. The
이러한 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치에서는 상기 제2 전극(80)의 두께가 얇게 형성되기 때문에 상대적으로 저항이 높아 질 수 있다. 이러한 제2 전극(80)의 저항을 낮춰주기 위해 상술한 바와 같이 상기 제2 전극(80)과 상기 보조 전극(50)을 연결해줄 수 있으나, 상기 제1 전극(40)과 동일한 층에 보조 전극(50)을 구비하여야 하기 때문에 상기 보조 전극(50)의 크기를 증가시키는데 공간적 제약이 따른다. 이에 따라, 상기 제2 전극(80)의 저항을 낮추는 데에 한계가 있다. In the conventional top emission type organic light emitting display device, since the thickness of the
또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 기판(10) 상의 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)이 구비될 때, 상기 기판(10) 상의 패드 영역에는 패드 전극이 구비될 수 있다. 그러나 상기 패드 전극은 부식에 취약하여, 이후 공정이 진행됨에 따라 패드 영역에 부식 및 금속 전이(Migration)가 발생될 수 있다. 상기 패드 영역의 부식 및 금속 전이를 방지하기 위하여 상기 패드 영역 만을 위한 별도의 공정을 추가 할 수 있으나, 이 경우, 공정 추가에 따른 표시 장치의 생산성이 저하될 수 있다. In addition, although not shown in the drawings, when the
본 발명은 제2 전극의 저항을 감소시키고, 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서 패드 전극의 부식 및 금속 전이를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display capable of reducing the resistance of a second electrode and preventing corrosion and metal transition of a pad electrode without adding a separate mask process.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical problems of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention will be described below or will be clearly understood by those skilled in the art from such description and description.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극, 및 상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극을 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선, 상기 보조 배선과 상기 보조 전극 사이에 구비되며 상기 화소 영역에서 상기 패드 영역까지 연장된 제1 보호층, 및 상기 기판의 패드 영역에 구비된 패드 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 보호층은 상기 패드 전극의 상면을 노출시키는 패드 콘택홀을 구비한다. According to an aspect of the present invention, an organic light emitting display device includes a substrate including a pixel region and a pad region, a thin film transistor provided in the pixel region of the substrate, a first electrode electrically connected to the thin film transistor, and the An organic light emitting layer provided on the first electrode, a second electrode provided on the organic light emitting layer, and an auxiliary electrode connected to the second electrode and provided on the same layer as the first electrode. In addition, in the organic light emitting display device according to the present invention, an auxiliary line is connected to the auxiliary electrode and is provided under the auxiliary electrode, and a first first line is provided between the auxiliary line and the auxiliary electrode and extends from the pixel area to the pad area. and a protective layer, and a pad electrode provided in a pad region of the substrate, wherein the first protective layer has a pad contact hole exposing an upper surface of the pad electrode.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상의 화소 영역에 박막 트랜지스터를 형성하고 상기 기판 상의 패드 영역에 패드를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 상에 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선과 이격되는 보조 배선을 형성하고, 상기 패드와 연결되는 패드 전극을 형성하는 단계, 및 상기 패드 전극, 상기 연결 배선 및 상기 보조 배선 상에 제1 보호층과 제2 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 제2 보호층 상에 상기 연결 배선과 연결되는 제1 전극 및 상기 보조 배선과 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계, 및 상기 유기 발광층 상에 상기 보조 전극과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. A method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention for achieving the above technical problem includes forming a thin film transistor in a pixel region on a substrate and forming a pad in a pad region on the substrate, and forming a planarization layer on the thin film transistor. forming, on the planarization layer, a connection wiring connected to the thin film transistor and an auxiliary wiring spaced apart from the connection wiring, forming a pad electrode connected to the pad, and the pad electrode and the connection wiring and forming a first passivation layer and a second passivation layer on the auxiliary wiring. In addition, the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention includes the steps of: forming a first electrode connected to the connection line and an auxiliary electrode connected to the auxiliary line on the second passivation layer; and forming an organic light emitting layer, and forming a second electrode connected to the auxiliary electrode on the organic light emitting layer.
본 발명의 일 실시예에서는 상기 보조 전극 하부에 상기 보조 전극과 연결되는 보조 배선이 구비되고, 상기 보조 배선이 상기 보조 전극을 통해 상기 제2 전극과 연결되기 때문에 상기 제2 전극의 저항을 줄일 수 있다. In an embodiment of the present invention, since an auxiliary line connected to the auxiliary electrode is provided under the auxiliary electrode, and the auxiliary line is connected to the second electrode through the auxiliary electrode, the resistance of the second electrode can be reduced. have.
또한, 상기 패드 전극의 측면을 덮도록 상기 제1 보호층을 구비할 수 있기 때문에, 상기 패드 전극에서의 부식이 발생하지 않을 수 있으며, 이에 따른 금속 전이를 방지할 수 있다. 이에 따라, 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다. In addition, since the first protective layer may be provided to cover the side surface of the pad electrode, corrosion may not occur in the pad electrode, and thus, metal transition may be prevented. Accordingly, reliability and productivity of the organic light emitting diode display may be improved without adding a separate mask process.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional top emission type organic light emitting display device.
2 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.
4 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
5A to 5G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are exemplary, and thus the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between the two parts unless 'directly' is used.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예가 상세히 설명된다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(AA)과 패드 영역(PA)을 포함하여 이루어진다. As shown in FIG. 2 , the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment includes a pixel area AA and a pad area PA.
상기 기판(100) 상의 화소 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(135), 평탄화층(145), 연결 배선(161), 보조 배선(165), 보호층(150), 제1 전극(171), 보조 전극(175), 뱅크(180), 유기 발광층(173), 제2 전극(172)이 구비되어 있다. In the pixel area AA on the
상기 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(130), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(110), 층간 절연막(125), 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 포함하여 이루어진다. The thin film transistor T includes an
상기 액티브층(130)은 상기 게이트 전극(110)과 중첩되도록 상기 기판(100) 상에 구비된다. 상기 액티브층(130)은 상기 소스 전극(141) 측에 위치한 일단 영역(131), 상기 드레인 전극(142) 측에 위치한 타단 영역(132), 및 상기 일단 영역(131) 및 타단 영역(133) 사이에 위치한 중심 영역(133)으로 구성될 수 있다. 상기 중심 영역(133)은 도펀트가 도핑되지 않은 반도체물질로 이루어지고, 상기 일단 영역(131)과 타단 영역(132)은 도펀트가 도핑된 반도체물질로 이루어질 수 있다. The
상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(130)상에 구비된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(130)과 게이트 전극(110)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(130)을 덮으며, 상기 화소 영역(AA) 전면에 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The
상기 게이트 전극(110)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 구비된다. 상기 게이트 전극(110)은 상기 게이트 절연막(120)을 사이에 두고, 상기 액티브층(130)의 중심 영역(133)과 중첩되도록 구비된다. 상기 게이트 전극(110)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The
상기 층간절연막(125)은 상기 게이트 전극(110) 상에 구비된다. 상기 층간 절연막(125)은 상기 게이트 전극(110)을 포함한 화소 영역(AA) 전면에 구비된다. 상기 층간 절연막(125)은 상기 게이트 절연막(120)과 동일한 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다.The interlayer insulating
상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)은 상기 층간 절연막(125) 상에서 서로 이격되어 구비된다. 전술한 게이트 절연막(120)과 층간 절연막(125)에는 상기 액티브층(130)의 일단 영역(131)의 일부를 노출시키는 제1 콘택홀(CH1)이 구비되며, 상기 액티브층(130)의 타단 영역(132)의 일부를 노출시키는 제2 콘택홀(CH2)이 구비된다. 그에 따라, 상기 소스 전극(141)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 액티브층(130)의 일단 영역(131)과 연결되고, 상기 드레인 전극(142)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 액티브층(130)의 타단 영역(132)과 연결된다. The
상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. The
상기한 바와 같이 구성되는 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 기판(100) 상에서 각각의 화소 영역(AA) 마다 형성될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(T)의 구성은 앞서 설명한 예에 한정되지 않고, 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다. The thin film transistor T configured as described above may be formed for each pixel area AA on the
상기 패시베이션층(135)은 상기 박막 트랜지스터(T) 상에 구비된다. 상기 패시베이션층(135)은 상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 포함한 화소 영역(AA) 전면에 구비되어 있다. 상기 패시베이션층(135)은 상기 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 기능을 한다. 상기 패시베이션층(135)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The
상기 평탄화층(145)은 상기 패시베이션층(135) 상에 구비된다. 상기 평탄화층(145)은 상기 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 있는 상기 기판(100) 상부를 평탄하게 해주는 기능을 수행한다. 상기 평탄화층(145)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The
전술한 상기 패시베이션층(135)과 평탄화층(145)에는 상기 드레인 전극(142)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)이 구비되어 있다. 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통하여, 상기 드레인 전극(142)과 상기 연결 배선(161)이 연결된다. A third contact hole CH3 exposing the
상기 연결 배선(161)은 상기 평탄화층(145) 상에 구비된다. 상기 연결 배선(161)은 상기 드레인(142) 전극과 상기 제1 전극(171)을 연결시키는 기능을 한다.The
상기 연결 배선(161)은 차례로 적층된 하부 연결 배선(161a), 중앙 연결 배선(161b), 및 상부 연결 배선(161c)으로 이루어진다. 여기서, 상기 상부 연결 배선(161c)의 산화도는 중앙 연결 배선(161b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 상부 연결 배선(161c)을 이루는 물질이 상기 중앙 연결 배선(161b)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어 질 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 연결 배선(161)은 예를 들어, 차례로 적층된 MoTi/Cu/MoTi 3중 레이어로 이루어 질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층으로 이루어질 수 있다. The
상기 보조 배선(165)은 상기 연결 배선(161)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 배선(165)은 상기 연결 배선(161)과 이격되어 구비된다. 상기 보조 배선(165)은 상기 연결 배선(161)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 상기 보조 배선(165)은 상기 보조 전극(175)과 연결된다. The
상기 보호층(150)은 연결 배선(161) 및 보조 배선(165) 상부를 덮으며 구비된다. 상기 보호층(150)에는 상기 연결 배선(161)의 일부를 노출시키는 제4 콘택홀(CH4) 및 상기 보조 배선(165)의 일부를 노출시키는 제5 콘택홀(CH5)이 구비되어 있다. 상기 보호층(150)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The
상기 제1 전극(171)은 상기 보호층(150) 상에 구비된다. 상기 제1 전극(171)은 상기 기판(100) 상의 화소 영역에 구비되며, 상기 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결된다. 상기 제1 전극(171)은 상기 제4 콘택홀(CH4)을 통해서 노출된 연결 배선(161)과 연결된다. 상기 연결 배선(161)이 상기 드레인 전극(142)과 연결되어 있기 때문에, 상기 제1 전극(171)은 상기 연결 배선(161)을 통해 상기 드레인 전극(142)과 연결된다. The
상기 제1 전극(171)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 타입에 따라 애노드 전극 또는 캐소드 전극의 역할을 한다. 본 발명의 경우, 상기 제1 전극(171)은 유기 발광 소자의 애노드 기능을 수행하는 것으로서, 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진다. 또한, 상기 제1 전극(171)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 적어도 둘 이상의 층으로 구성될 수 있다. The
상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 전극(175)과 상기 제1 전극(171)은 서로 이격되어 구비된다. 상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다. The
상기 보조 전극(175)은 제5 콘택홀(CH5)을 통하여 노출되어 있는 상기 보조 배선(165)과 연결된다. 상기 보조 전극(175)은 후술되는 바와 같이 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮춰주기 위하여 상기 제2 전극(172)과 접촉되도록 구비된다. 또한, 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮추기 위하여 상술한 보조 배선(165)과 접촉되도록 구비된다. The
상기 뱅크(180)는 상기 제1 전극(171)과 상기 보조 전극(175) 사이에 배치되며, 상기 제1 전극(171)과 상기 보조 전극(175)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 뱅크(180)는 예를 들어, 폴리이미드계 수지(polyimides resin), 아크릴계 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기막으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The
상기 유기 발광층(173)은 상기 제1 전극(171) 상에 구비된다. 상기 유기 발광층(173)은 정공 수송층/ 발광층/ 전자 수송층의 구조, 또는 정공 주입층/ 정공 수송층/ 발광층/ 전자 수송층/ 전자 주입층의 구조를 가지도록 구비될 수 있다. 나아가, 상기 유기 발광층(173)에는 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 적어도 하나 이상의 기능층이 더 포함될 수도 있다The
상기 제2 전극(172)은 상기 유기 발광층(173) 및 상기 뱅크(180)의 상부를 덮도록 구비된다. 상기 제2 전극(172)은 상기 뱅크(180)를 덮도록 연장되어 상기 보조 전극(175)과 연결된다. The
상기 제1 전극(171)이 애노드 전극의 역할을 하는 경우, 상기 제2 전극(172)은 캐소드 전극의 역할을 한다. 상기 제2 전극(172)으로는 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(172)으로는 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등과 같은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 또한, 상기한 바와 같은 금속성 물질들이 수백 옴스트롱(Å) 이하의 두께, 예를 들어, 200Å 이하로 형성되어 상기 제2 전극(172)으로 사용될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 전극(172)은 반투과층이 되어, 실질적으로 투명한 캐소드로 사용될 수 있다. When the
상기 제2 전극(172)이 투명한 캐소드로 사용되는 경우, 두께가 얇아지기 때문에 상대적으로 저항이 높아 질 수 있다. 이러한 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮춰주기 위해 상기 제2 전극(172)과 보조 전극(175)이 연결된다. 그러나, 상기 보조 전극(175)이 상기 제1 전극(171)과 동일한 층에 구비되기 때문에, 상기 보조 전극(175)을 구비하기 위한 공간에 제약이 있다. 즉, 상기 제2 전극(172)과 접촉하는 상기 보조 전극(175)의 면적이 넓을수록 상기 제2 전극(172)의 저항이 더욱 감소될 수 있다. 그러나, 상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)이 구비되어 있지 않은 영역에만 배치될 수 있기 때문에, 상기 보조 전극(175)의 크기를 증가시키는데 제약이 있어 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮추는 데에 한계가 있다. When the
본 발명의 일 실시예에서는 이를 해결하기 위하여, 상기 보조 전극(175) 하부에 상기 보조 전극(175)과 연결되는 보조 배선(165)을 구비한다. 상기 제2 전극(172)이 상기 보조 전극(175) 및 상기 보조 배선(165)과 연결되어 있기 때문에, 상기 제2 전극(172)과 보조 전극(175)이 연결되는 종래와 비교하여 상기 제2 전극(172)의 저항이 더욱 감소할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in order to solve this problem, an
도면에 도시되지는 않았으나, 상기 제2 전극(172) 상에는 밀봉부가 추가로 구비될 수 있다. 상기 밀봉부는 외부의 충격으로부터 유기 발광 소자 및 상기 구동 트랜지스터(T) 등의 소자들을 보호하고, 수분의 침투를 방지한다. Although not shown in the drawings, a sealing part may be additionally provided on the
상기 기판(100) 상의 패드 영역(PA)에는 게이트 절연막(120), 층간 절연막(125), 패드(240), 패시베이션층(135) 및 패드 전극(261)이 구비되어 있다. A
상기 게이트 절연막(120)은 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면에 구비된다. The
상기 층간 절연막(125)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 배치되며, 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면에 구비된다. The interlayer insulating
상기 패드(240)는 상기 패드 영역(PA)에 위치되며, 상기 층간 절연막(125) 상에 구비된다. 상기 패드(240)는 상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The
상기 패시베이션층(135)은 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면을 덮도록 구비된다. 다만, 상기 패시베이션층(135)에는 상기 패드(240)의 일부를 노출시키는 제6 콘택홀(CH6)이 구비되어 있다. The
상기 패드 전극(261)은 상기 패드(240)와 중첩되도록 상기 패시베이션층(135) 상에 구비된다. 상기 패드 전극(261)은 상기 제6 콘택홀(CH6)을 통하여 상기 패드(240)와 연결된다. 상기 패드 전극(261)은 상기 연결 배선(161) 및 보조 배선(165)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. The
상기 패드 전극(261)은 차례로 적층된 하부 패드 전극(261a), 중앙 패드 전극(261b), 및 상부 패드 전극(261c)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 상부 패드 전극(261c)의 산화도는 중앙 패드 전극(261b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 상부 패드 전극(261c)이 상기 중앙 패드 전극(261b) 보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있기 때문에, 상기 상부 패드 전극(261c)에서 보다 상기 중앙 패드 전극(261b)에서의 부식이 더 빠르게 진행될 수 있다. The
상기 패드 전극(261)은 예를 들어, 차례로 적층된 MoTi/Cu/MoTi 3중 레이어로 이루어 질 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층으로 이루어질 수 있다. The
상기 패드 전극(261)이 차례로 적층된 MoTi/Cu/MoTi 3중 레이어로 이루어 지는 경우, 이 후 포토 마스크 공정에서 사용되는 에칭 용액에 의해 구리(Cu)층 즉, 중앙 패드 전극(261b)에 부식이 발생할 수 있다. 또한, 상기 패드 전극(261)이 외부의 대기 중에 노출되는 경우, 내식성이 약한 구리(Cu)층 즉, 중앙 패드 전극(261b)은 공기 중의 수분에 노출되어 쉽게 산화될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 패드 영역(PA)에 부식 및 금속전이(Migration) 현상이 발생할 수 있다. When the
상기한 바와 같은 패드 영역(PA)의 부식 및 금속전이 현상을 방지하기 위해, 클래드(clad)등을 사용하여 상기 패드 전극(261)을 밀봉할 수 있으나, 이 경우 별도의 포토 마스크 공정이 추가되며, 생산성이 저하될 수 있다. 이에 따라, 후술되는 본 발명의 다른 실시예에서는 포토 마스크의 추가 없이 상기 패드 영역(PA)의 부식을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치가 설명된다. In order to prevent corrosion and metal transition of the pad area PA as described above, the
이하에서는, 먼저 마스크 수를 비교하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법을 설명하고, 이 후 본 발명의 다른 실시예 및 그의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, a manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be first described in order to compare the number of masks, and then another embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof will be described in detail.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이며, 이는 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment, which relates to the manufacturing method of the organic light emitting display device according to FIG. 2 described above. Accordingly, the same reference numerals are assigned to the same components, and repeated descriptions of parts that are repeated in the materials and structures of each component are omitted.
우선, 도 3a에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100) 상의 화소 영역(AA)에 박막 트랜지스터(T)를 형성하고, 상기 기판(100) 상의 패드 영역(PA)에 패드(240)를 형성한다. 상기 패드(240)는 상기 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성된다. 설명의 편의상, 상기 패드(240), 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 형성하는 공정을 제1 마스크 공정이라 한다. First, as shown in FIG. 3A , the thin film transistor T is formed in the pixel area AA on the
다음, 도 3b에서 알 수 있듯이, 상기 박막 트랜지스터(T)를 포함하는 화소 영역(AA) 및 상기 패드(240)를 포함하는 패드 영역(PA) 전면에 패시베이션층(135)을 형성한다. 상기 패시베이션층(135)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(142)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)과 상기 패드(240)를 노출시키는 제6 콘택홀(CH6)을 구비하도록 형성한다. 이와 같은 제3 콘택홀(CH3)과 제6 콘택홀(CH6)을 구비하도록 상기 패시베이션층(135)을 형성하는 공정을 제2 마스크 공정이라 한다. Next, as shown in FIG. 3B , a
다음, 상기 화소 영역(PA)에 위치된 패시베이션층(135) 상에 평탄화층(145)을 형성한다. 이 경우, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 평탄화층(145)이 형성되지 않는다. 상기 평탄화층(145)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(142)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)을 구비하도록 형성한다. 이와 같은 제3 콘택홀(CH3)을 구비하도록 상기 화소 영역(PA)에 상기 평탄화층(145)을 형성하는 공정을 제3 마스크 공정이라 한다. Next, a
다음, 상기 평탄화층(145) 상에 상기 박막 트랜지스터(T)와 연결되는 연결 배선(161) 및 상기 연결 배선(161)과 이격되도록 배치되는 보조 배선(165)을 형성한다. 또한, 상기 연결 배선(161) 및 보조 배선(165)과 동일한 공정을 통하여 상기 패드(240)와 연결되는 패드 전극(261)을 형성한다. 상기 연결 배선(161), 보조 배선(165) 및 패드 전극(261)을 형성하는 공정을 제4 마스크 공정이라 한다. Next, a
다음, 도 3c에서 알 수 있듯이, 상기 화소 영역(AA)에 보호층(150)을 형성한다. 이 경우, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 보호층(150)이 형성되지 않는다. 상기 보호층(150)은 상기 연결 배선(161)을 노출시키는 제4 콘택홀(CH4) 및 상기 보조 배선(165)을 노출시키는 제5 콘택홀(CH5)을 구비하도록 형성한다. 이와 같은 제4 콘택홀(CH4)과 제5 콘택홀(CH5)을 구비하도록 상기 보호층(150)을 형성하는 공정을 제5 마스크 공정이라 한다. Next, as shown in FIG. 3C , a
다음, 상기 보호층(150) 상에 상기 연결 배선(161)과 연결되는 제1 전극(171) 및 상기 보조 배선(165)과 연결되는 보조 전극(175)을 형성한다. 상기 제1 전극(171)과 보조 전극(175)은 이격되어 배치된다. 이를 제6 마스크 공정이라 한다. Next, a
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성하는 과정에서 상기 패드 전극(261)에 부식이 발생할 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성하기 위해서는 금속 물질 예를 들어, ITO/Ag alloy/ITO를 에칭 용액으로 에칭하는 과정을 거치게 되는데, 이 과정에서 상기 에칭 용액에 의해 상기 패드 전극(261)에 부식이 발생할 수 있다. 특히, 상기 패드 전극(261)은 상술한 바와 같이 차례로 적층된 하부 패드 전극(261a), 중앙 패드 전극(261b), 및 상부 패드 전극(261c)으로 이루어지는데, 이 중 상대적으로 내식성이 약한 중앙 패드 전극(261b)에서 부식이 발생할 수 있다. 더 상세하게 설명하자면, 상기 패드 전극(261)의 측면으로 중앙 패드 전극(261b)이 노출되어 있기 때문에, 상기 에칭 용액이 상기 중앙 패드 전극(261b)과 접촉하여 상기 중앙 패드 전극(261b)에 부식이 발생할 수 있다. 또한, 상기 부식이 상기 패드 전극(261) 주변으로 전이되는 금속 전이(migration) 현상이 발생할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, corrosion may occur in the
마지막으로, 도 3d에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극(171)과 보조 전극(175)을 구분하기 위한 뱅크(180)를 형성하고, 상기 제1 전극(171) 상에 유기 발광층(173)을 형성하고, 상기 유기 발광층(173) 상에 제2 전극(172)을 형성한다. 이 경우, 상기 제2 전극(172)은 상기 뱅크(180)를 타고 연장되어 상기 보조 전극(175)과 연결된다. Finally, as shown in FIG. 3D , a
상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에서는 상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(172)을 형성하는 공정부터 상기 제1 전극(172)을 형성하는 공정까지 총 6개의 포토 마스크가 사용된다. As described above, in one embodiment of the present invention, a total of six photomasks are used from the process of forming the
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보호층(150)이 제1 보호층(151) 및 제2 보호층(152)으로 이루어지고, 상기 제1 보호층(151)이 패드 영역(PA)으로 연장되어 상기 패드 전극(261)의 측면을 덮는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 일 실시예와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.4 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. In an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention, the
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판(100) 상의 화소 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(135), 평탄화층(145), 연결 배선(161), 보조 배선(165), 보호층(150), 제1 전극(171), 보조 전극(175), 뱅크(180), 유기 발광층(173) 및 제2 전극(172)이 구비되어 있다. In the pixel area AA on the
이 중, 상기 보호층(150)은 상기 제1 보호층(151) 및 제2 보호층(152)을 포함하여 이루어진다. Among them, the
상기 제1 보호층(151)은 상기 연결 배선(161) 및 보조 배선(165) 상부를 덮으며 구비된다. 더 상세하게 설명하자면, 상기 제1 보호층(151)은 상기 연결 배선(161) 및 상기 제1 전극(171) 사이에 구비되며, 상기 보조 배선(165) 및 상기 보조 전극(175) 사이에 구비된다. 상기 제1 보호층(151)은 후술되는 바와 같이 상기 화소 영역(AA)으로부터 상기 패드 영역(PA)까지 연장되어 구비된다. 상기 제1 보호층(151)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The first
상기 제2 보호층(152)은 상기 제1 보호층(151) 상에 구비된다. 상기 제2 보호층(152)은 상기 화소 영역(AA)에 구비되고, 상기 패드 영역(PA)에는 구비되지 않는다. 상기 제2 보호층(150)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The
상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)은 상기 제2 보호층(152) 상에 구비되며, 서로 이격되어 있다. 상기 제1 전극(171) 상에는 유기 발광층(173)이 구비되고, 상기 유기 발광층(173) 상에는 상기 보조 전극(175)과 연결되는 제2 전극(172)이 구비된다. The
상기 기판(100) 상의 패드 영역(PA)에는 게이트 절연막(120), 층간 절연막(125), 패드(240), 패시베이션층(135), 패드 전극(261) 및 제1 보호층(151)이 구비되어 있다.A
상기 제1 보호층(151)은 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 전극(261)을 포함하는 패드 영역(PA) 전면에 구비된다. 다만, 상기 제1 보호층(151)에는 상기 패드 전극(261)의 상면을 노출시키는 패드 콘택혹(CHp)이 구비되어 있다. 이에 따라, 상기 제1 보호층(151)은 상기 패드 전극(261)의 양쪽 측면을 가리도록 구비된다. 상기 패드 콘택홀(CHp)을 통해서 노출되는 패드 전극(261)의 상면은 상기 제1 보호층(151)에 의해서 가려지는 패드 전극(261)의 측면보다 산화도가 작을 수 있다. The
상기 패드 전극(261)은 차례로 적층된 하부 패드 전극(261a), 중앙 패드 전극(261b), 및 상부 패드 전극(261c)으로 이루어진다. 상기 제1 보호층(151)은 중앙 패드 전극(261b)의 측면을 가리도록 구비된다. The
이 경우, 상기 제1 보호층(151)이 상기 패드 전극(261)의 측면 즉, 외곽 영역을 덮도록 구비되기 때문에, 산화도가 높은 물질 예를 들어, 구리(Cu)로 이루어진 중앙 패드 전극(261b)은 외부로 노출되지 않는다. 이에 따라, 이 후 마스크 공정이 진행되더라도 상기 패드 전극(261)에서는 부식이 일어나지 않을 수 있다. 또한, 상기 패드 콘택홀(CHp)에 의해 노출되는 패드 전극(261)의 상면은 상기 상부 패드 전극(261c)으로 산화도가 작은 물질 예를 들어, 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)으로 이루어지기 때문에, 이 후 마스크 공정에 의해 영향을 받지 않을 수 있다. In this case, since the first
상기한 바와 같이 상기 패드 전극(261)의 측면을 덮도록 상기 제1 보호층(151)이 구비되기 때문에, 상기 패드 전극(261)에서의 부식이 발생하지 않을 수 있으며, 이에 따른 금속 전이 현상이 방지될 수 있다. As described above, since the first
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이며, 이는 전술한 도 4에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다. 5A to 5G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment, which relates to the manufacturing process of the organic light emitting display device according to FIG. 4 described above. Accordingly, the same reference numerals are assigned to the same components, and repeated descriptions of parts that are repeated in the materials and structures of each component are omitted.
우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 제1 마스크 공정을 이용하여 상기 기판(100) 상의 화소 영역(AA)에 박막 트랜지스터(T)를 형성하고, 상기 기판(100) 상의 패드 영역(PA)에 패드(240)를 형성한다. First, as shown in FIG. 5A , a thin film transistor T is formed in the pixel area AA on the
다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 제2 마스크 공정을 이용하여 상기 박막 트랜지스터(T)를 포함한 화소 영역(AA) 및 상기 패드(240)를 포함한 패드 영역(PA) 전면에 패시베이션층(135)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 5B , a
다음, 제3 마스크 공정을 이용하여 상기 화소 영역(PA)에 위치된 패시베이션층(135) 상에 평탄화층(145)을 형성한다.Next, a
다음, 제4 마스크 공정을 통하여 연결 배선(161), 보조 배선(165) 및 패드 전극(261)을 형성한다. Next, the
다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100) 전면에 제1 보호물질(151a) 및 제2 보호물질(152a)을 순차적으로 도포하고, 상기 제2 보호물질(152a) 상부에 배치된 하프톤 마스크(300)를 이용하여 광을 조사한다. Next, as shown in FIG. 5C , a first
좀 더 상세하게 설명하자면, 상기 하프톤 마스크(300)는 상기 제2 보호물질(152a) 상부에서 상기 제2 보호물질(152a)과 이격되어 배치된다. 상기 하프톤 마스크(300)에는 광이 투과하지 못하는 비투과영역(330), 광의 일부만이 투과하는 반투과영역(320) 및 광이 투과하는 투과영역(310)이 구비되어 있다. 상기 광은 상기 하프톤 마스크(300)의 투과영역(310) 및 반투과영역(320)을 투과하여 상기 제2 보호물질(152a)로 조사된다. 이 경우, 상기 반투과영역(320)으로는 상기 투과영역(310)보다 적은 량의 광이 투과된다. In more detail, the
다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 광이 조사된 상기 제2 보호물질(도 5c의 152a)을 현상하여 제2 패드 보호 패턴(152b) 및 제2 화소 보호 패턴(152c)을 형성한다. 제2 보호물질(도 5c의 152a)을 현상하면, 상기 하프톤 마스크(도 5c의 300)의 비투과영역(도 5c의 330)에 대응하는 상기 제2 보호물질(도 5c의 152a)은 그대로 잔존하고, 상기 하프톤 마스크(도 5c의 300)의 반투과영역(도 5c의 320)에 대응하는 제2 보호물질(도 5c의 152a)은 일부만이 잔존하고, 상기 하프톤 마스크(도 5c의 300)의 투과영역(도 5c의 310)에 대응하는 제2 보호물질(도 5c의 152a)은 모두 제거된다.Next, as shown in FIG. 5D , the second protective material ( 152a in FIG. 5C ) irradiated with light is developed to form a second pad
이에 따라, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 제2 패드 보호 패턴(152b)이 형성되고, 상기 화소 영역(AA)에는 상기 제2 화소 보호 패턴(152c)이 형성된다. Accordingly, the second
다음, 도 5e에서 알 수 있듯이, 상기 제2 패드 보호 패턴(152b) 및 제2 화소 보호 패턴(152c)을 마스크로 이용하여 상기 제1 보호물질(도 5d의 151a)을 식각하여 상기 제1 보호층(151)을 형성한다. 이 경우, 상기 제1 보호층(151)은 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA)에 구비된 패드 전극(261)의 양쪽 측면을 덮도록 구비된다. 이에 따라, 패드 영역(PA)에 위치된 상기 제1 보호층(151)에는 상기 패드 전극(261)의 상면을 노출시키는 패드 콘택혹(CHp)이 구비된다.Next, as shown in FIG. 5E , the first protection material ( 151a in FIG. 5D ) is etched using the second
다음, 도 5f에서 알 수 있듯이, 상기 제2 패드 보호 패턴(152b) 및 제2 화소 보호 패턴(152c)을 에싱(ashing) 처리한다. 이에 따라, 상기 패드 영역(PA)에 구비된 상기 제2 패드 보호 패턴(152b)은 제거되고, 상기 화소 영역(AA)에 구비된 상기 제2 화소 보호 패턴(152c)의 폭 및 높이가 줄어들어 제2 보호층(152)이 형성된다.Next, as shown in FIG. 5F , the second
상기 도 5c 내지 도 5f를 참조하여 설명된 공정은 하나의 하프톤 마스크를 사용하여 이루어질 수 있다. 이를 제5 마스크 공정이라 한다. The process described with reference to FIGS. 5C to 5F may be performed using one halftone mask. This is referred to as a fifth mask process.
마지막으로, 도 5g에서 알 수 있듯이, 제 6 마스크를 이용하여 제1 전극(171)을 형성하고, 상기 제1 전극(171) 상에 유기 발광층(173)을 형성하고, 상기 유기 발광층(173) 상에 제2 전극(172)을 형성한다. Finally, as can be seen from FIG. 5G , the
상기한 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 형성하는 공정부터 상기 제1 전극(171)을 형성하는 공정까지 총 6개의 포토 마스크가 사용된다. 즉, 본 발명의 일 실시예와 비교하여 동일한 개수의 마스크를 이용하여 상기 패드 전극(261)의 측면을 덮도록 상기 제1 보호층(151)을 형성하는 것이 가능하다. 이에 따라, 별도의 마스크 추가 없이도 상기 패드 전극(26)1에서의 부식 및 금속 전이 현상을 방지할 수 있으며, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다. As described above, in another embodiment of the present invention, a total of six photomasks are used from the process of forming the
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.
100 : 기판 145 : 패시베이션층
151 : 제1 보호층 152 : 제2 보호층
161 : 연결 배선 165 : 보조 배선
261 : 패드 전극 171 : 제1 전극100: substrate 145: passivation layer
151: first protective layer 152: second protective layer
161: connection wiring 165: auxiliary wiring
261: pad electrode 171: first electrode
Claims (10)
상기 기판의 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극;
상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극;
상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선;
상기 보조 배선과 상기 보조 전극 사이에 구비되며 상기 화소 영역에서 상기 패드 영역까지 연장된 제1 보호층;
상기 보조 배선과 동일한 물질로 이루어져 상기 보조 배선과 동일한 층에 구비되며, 상기 제1 전극과 상기 박막 트랜지스터를 연결하는 연결 배선; 및
상기 기판의 패드 영역에 구비된 패드 전극을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 보호층은 상기 보조 배선 및 상기 연결 배선을 덮고, 상기 패드 전극의 상면을 노출시키는 패드 콘택홀을 구비하고 있는 유기 발광 표시 장치. a substrate including a pixel region and a pad region;
a thin film transistor provided in a pixel region of the substrate;
a first electrode electrically connected to the thin film transistor;
an organic light emitting layer provided on the first electrode;
a second electrode provided on the organic light emitting layer;
an auxiliary electrode connected to the second electrode and provided on the same layer as the first electrode;
an auxiliary wire connected to the auxiliary electrode and provided under the auxiliary electrode;
a first protective layer provided between the auxiliary wiring and the auxiliary electrode and extending from the pixel area to the pad area;
a connection line made of the same material as the auxiliary line and provided on the same layer as the auxiliary line and connecting the first electrode and the thin film transistor; and
and a pad electrode provided in a pad region of the substrate;
and the first passivation layer covers the auxiliary line and the connection line, and includes a pad contact hole exposing a top surface of the pad electrode.
상기 패드 전극은 상기 보조 배선과 동일한 재료로 이루어진 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The pad electrode is made of the same material as the auxiliary wiring.
상기 제1 보호층은 상기 패드 전극의 측면을 가리도록 구비된 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The first passivation layer is provided to cover a side surface of the pad electrode.
상기 패드 콘택홀을 통해서 노출되는 패드 전극의 상면은 상기 제1 보호층에 의해서 가려지는 패드 전극의 측면보다 산화도가 작은 유기 발광 표시 장치. 4. The method of claim 3,
An upper surface of the pad electrode exposed through the pad contact hole has a lower oxidation degree than a side surface of the pad electrode covered by the first passivation layer.
상기 패드 전극은 차례로 적층된 하부 패드 전극, 중앙 패드 전극, 및 상부 패드 전극으로 이루어지고, 상기 상부 패드 전극의 산화도는 상기 중앙 패드 전극의 산화도보다 작은 유기 발광 표시 장치. 5. The method of claim 4,
The pad electrode includes a lower pad electrode, a center pad electrode, and an upper pad electrode that are sequentially stacked, and an oxidation degree of the upper pad electrode is smaller than an oxidation degree of the center pad electrode.
상기 패드 전극 아래에 구비되며 상기 패드 전극과 연결된 패드를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
and a pad provided under the pad electrode and connected to the pad electrode.
상기 박막 트랜지스터 상에 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선과 이격되는 보조 배선을 형성하고, 상기 패드와 연결되는 패드 전극을 형성하는 단계;
상기 패드 전극, 상기 연결 배선 및 상기 보조 배선 상에 제1 보호층 및 제2 보호층을 형성하는 단계;
상기 제1 보호층 및 제2 보호층 상에 상기 연결 배선과 연결되는 제1 전극 및 상기 보조 배선과 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 상기 보조 전극과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.forming a thin film transistor in a pixel region on a substrate and forming a pad in a pad region on the substrate;
forming a planarization layer on the thin film transistor;
forming a connection wiring connected to the thin film transistor and an auxiliary wiring spaced apart from the connection wiring on the planarization layer, and forming a pad electrode connected to the pad;
forming a first passivation layer and a second passivation layer on the pad electrode, the connection line, and the auxiliary line;
forming a first electrode connected to the connection line and an auxiliary electrode connected to the auxiliary line on the first passivation layer and the second passivation layer;
forming an organic light emitting layer on the first electrode; and
and forming a second electrode connected to the auxiliary electrode on the organic light emitting layer.
상기 제1 보호층 및 제2 보호층을 형성하는 단계는,
상기 패드 전극, 상기 연결 배선 및 상기 보조 배선 상에 제1 보호물질 및 제2 보호물질을 순차적으로 도포하고, 하프톤 마스크를 이용하여 상기 제2 보호물질을 노광하는 단계;
상기 제2 보호물질을 현상하여 제2 패드 보호 패턴 및 제2 화소 보호 패턴을 형성하는 단계;
상기 제2 패드 보호 패턴 및 제2 화소 보호 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제1 보호물질을 식각하여 제1 보호층을 형성하는 단계;
상기 제2 패드 보호 패턴을 에싱(ashing)하여 제거하고, 상기 제2 화소 보호 패턴을 에싱(ashing)하여 제2 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. 9. The method of claim 8,
The step of forming the first protective layer and the second protective layer,
sequentially coating a first protective material and a second protective material on the pad electrode, the connection wire, and the auxiliary wire, and exposing the second protective material to light using a halftone mask;
forming a second pad protection pattern and a second pixel protection pattern by developing the second protection material;
forming a first protective layer by etching the first protective material using the second pad protective pattern and the second pixel protective pattern as a mask;
and removing the second pad protective pattern by ashing, and forming a second protective layer by ashing the second pixel protective pattern.
상기 제1 보호층은 상기 패드 전극의 측면을 가리도록 형성된 유기 발광 표시 장치의 제조방법. 9. The method of claim 8,
The first passivation layer is formed to cover a side surface of the pad electrode.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140186343A KR102295260B1 (en) | 2014-12-22 | 2014-12-22 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140186343A KR102295260B1 (en) | 2014-12-22 | 2014-12-22 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160076295A KR20160076295A (en) | 2016-06-30 |
| KR102295260B1 true KR102295260B1 (en) | 2021-08-30 |
Family
ID=56352765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140186343A KR102295260B1 (en) | 2014-12-22 | 2014-12-22 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102295260B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102666872B1 (en) * | 2016-11-30 | 2024-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
| EP4206808A4 (en) * | 2021-04-08 | 2024-01-03 | BOE Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130056784A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same |
-
2014
- 2014-12-22 KR KR1020140186343A patent/KR102295260B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160076295A (en) | 2016-06-30 |
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