KR102292501B1 - Electrostatic chuck - Google Patents

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Abstract

개시되는 정전척이 베이스 부재와, 절연 코팅층과, 전극 패턴층과, 상부 유전층을 포함하고, 상기 상부 유전층은 정전력 및 가공성이 우수한 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시 중 적어도 하나로 이루어짐에 따라, 상기 정전척의 상면이 공차없이 요구되는 곡면으로 성형될 수 있게 되어, 엣지 형태의 스마트폰의 디스플레이용 글래스 등의 피흡착체에 대응되는 형태로 정확하게 성형될 수 있고, 상기 상부 유전층의 두께 조절 등에 의해 정전력을 요구되는 수준으로 조절하여 상기 정전척을 제조할 수 있게 되는 장점이 있다.As the disclosed electrostatic chuck includes a base member, an insulating coating layer, an electrode pattern layer, and an upper dielectric layer, the upper dielectric layer is made of at least one of polyurethane, silicone, and epoxy having excellent electrostatic power and processability, Since the upper surface can be molded into a required curved surface without tolerance, it can be precisely molded into a shape corresponding to an adsorbent such as an edge-shaped smartphone display glass, and electrostatic force is required by adjusting the thickness of the upper dielectric layer. There is an advantage in that it is possible to manufacture the electrostatic chuck by adjusting the level to the desired level.

Description

정전척{Electrostatic chuck}Electrostatic chuck

본 발명은 정전척에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck.

정전척은 정전기의 힘인 정전력을 이용하여 피흡착체를 고정시켜주는 것인데, 이러한 정전척은 반도체 웨이퍼를 수평으로 고정하거나, 디스플레이 패널용 글래스를 수평으로 유지하는 데 주로 사용된다.The electrostatic chuck fixes an adsorbent by using electrostatic force, which is the force of static electricity. Such an electrostatic chuck is mainly used for horizontally fixing a semiconductor wafer or horizontally holding glass for a display panel.

이러한 정전척의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것들이다.Those of the patent literature presented below that can be presented as examples of such an electrostatic chuck.

종래에는, 정전척을 세라믹 또는 폴리이미드로 주로 제조하고 있다.Conventionally, electrostatic chucks are mainly made of ceramic or polyimide.

그러나, 상기와 같이 정전척을 세라믹으로 제조하는 경우, 정전척의 취성으로 인해 잘 깨지게 되고, 그에 따라 파티클이 발생되거나 터짐 문제가 발생되어, 피흡착체의 불량의 원인이 되고 있다.However, when the electrostatic chuck is made of ceramic as described above, it is easily broken due to the brittleness of the electrostatic chuck, thereby generating particles or bursting, which causes defects in the adsorbed body.

또한, 정전척을 폴리이미드로 제조하는 경우, 임의적인 외부 충격에 의해 정전척의 표면이 잘 찍혀 손상이 발생되고, 그 손상된 부분의 복원이 잘 되지 않고, 그에 따라 내구성이 떨어짐은 물론, 그 손상 시 발생되는 파티클이 피흡착체의 불량의 원인이 되고 있다.In addition, when the electrostatic chuck is made of polyimide, the surface of the electrostatic chuck is well stamped by an arbitrary external impact, and damage occurs, the damaged part is not well restored, and thus durability is lowered. The generated particles are the cause of the defect of the adsorbent.

또한, 종래에는, 정전척을 구성하는 여러 층을 진공에서 합착 시에, 그 각 층 사이 등의 내부의 기포를 제거하기 위하여, 쿠션층(cushion layer)을 별도로 적층시켜주어야 하는 문제가 있었다.Also, in the prior art, when several layers constituting the electrostatic chuck are bonded in a vacuum, there is a problem in that a cushion layer must be separately laminated in order to remove air bubbles inside, such as between the respective layers.

또한, 최근 스마트폰의 디스플레이용 글래스의 가장자리가 엣지(edge) 형태라고 하여 곡면으로 형성되는 경우가 많은데, 정전력이 떨어지는 종래의 정전척에서는, 이러한 엣지 형태의 스마트폰의 디스플레이용 글래스를 집어주기 위해서 집게 형태인 클램프가 필수로 구비되어야 하였고, 그에 따라 상기 클램프가 삽입될 수 있는 클램프 삽입홈이 정전척 상에 형성되어야 했는데, 상기 스마트폰의 디스플레이용 글래스를 상기 정전척 쪽으로 눌러주는 실리콘 재질의 가압체가 상기 클램프 삽입홈의 모서리에 찍히면서 손상되어, 상기 가압체를 자주 교체해주어야 하는 문제가 있었다.In addition, in recent years, the edge of the display glass of a smartphone is often formed in a curved surface called an edge shape. For this, a clamp in the form of tongs was essential, and accordingly, a clamp insertion groove into which the clamp could be inserted had to be formed on the electrostatic chuck. The pressing body was damaged while being stamped on the edge of the clamp insertion groove, and there was a problem that the pressing body had to be replaced frequently.

또한, 엣지 형태의 스마트폰의 디스플레이용 글래스에 대응하기 위하여, 상기 정전척의 상면이 요구되는 곡면으로 형성되어져야 하는데, 종래 정전척의 제조 방식에 의하면, 위와 같이 클램프 삽입홈 형성을 위해 해당 부분을 가공성이 우수한 별도 물질로 제작한 다음 정전척에 결합시켜주어야 하였고, 그에 따라 클램프 삽입홈 형성을 위한 부분과 정전척의 상면이 완전한 곡면으로 이루어지기 곤란하였고, 그에 따라 공차율이 증가하는 문제가 있었다.In addition, in order to correspond to the edge-shaped smartphone display glass, the upper surface of the electrostatic chuck must be formed as a required curved surface. It had to be manufactured from this excellent separate material and then coupled to the electrostatic chuck, and accordingly, it was difficult to form the part for forming the clamp insertion groove and the upper surface of the electrostatic chuck to have a perfectly curved surface, and accordingly, there was a problem in that the tolerance rate was increased.

공개특허 제 10-2017-0073055호, 공개일자: 2017.06.28., 발명의 명칭: 정전척Patent Publication No. 10-2017-0073055, Publication Date: 2017.06.28., Title of Invention: Electrostatic Chuck 공개특허 제 10-2016-0047403호, 공개일자: 2016.05.02., 발명의 명칭: 정전척 및 그 정전척에 사용되는 베이스 부재Laid-Open Patent Publication No. 10-2016-0047403, Publication Date: May 2, 2016, Title of Invention: Electrostatic chuck and a base member used in the electrostatic chuck 공개특허 제 10-2017-0039781호, 공개일자: 2017.04.12., 발명의 명칭: 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치Korean Patent Publication No. 10-2017-0039781, Publication Date: 2017.04.12., Title of the Invention: Electrostatic chuck and substrate processing apparatus including same

본 발명은 파손에 강하고 내구성이 우수하여 파티클 발생이 방지되고, 쿠션층의 별도 적용이 요구되지 아니하며, 정전력 향상을 통해 클램프의 적용이 요구되지 아니하며, 정전척의 표면 형태에 대한 가공성이 우수한 정전척을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention is an electrostatic chuck that is resistant to breakage and has excellent durability, prevents particle generation, does not require a separate application of a cushion layer, does not require the application of a clamp through improved electrostatic power, and has excellent workability for the surface shape of the electrostatic chuck Its purpose is to provide

본 발명의 일 측면에 따른 정전척은 피흡착체를 정전력에 의해 고정시켜주는 것으로서,An electrostatic chuck according to an aspect of the present invention is to fix an adsorbent by electrostatic force,

베이스 부재; 상기 베이스 부재 상에 절연을 위해 코팅되는 절연 코팅층; 상기 절연 코팅층 상에 요구되는 전극 패턴으로 형성되는 전극 패턴층; 및 상기 전극 패턴층 상에 형성되는 유전체인 상부 유전층;을 포함하고,base member; an insulating coating layer coated on the base member for insulation; an electrode pattern layer formed in a required electrode pattern on the insulating coating layer; and an upper dielectric layer that is a dielectric formed on the electrode pattern layer;

상기 상부 유전층은 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시 중 적어도 하나로 이루어지고,
상기 상부 유전층을 이루는 물질은 상기 상부 유전층 100중량부에 대해, 사이클로실라잔, 메틸 하이드로진, 메틸 비닐(cyclosilazanes, methyl hydrogen, methyl vinyl) 20 내지 45중량부와, 터트-부틸 아세테이트(tert-butyl acetate) 55 내지 80 중량부를 포함하고, 경도 Shore A type이 90 내지 99이고, 100% modulus가 140 내지 160 Kgf/cm2이고, 300% modulus가 380 내지 430 Kgf/cm2이고, 인장 강도가 500 내지 550 Kgf/cm2이고, 인열 강도가 170 내지 190 Kgf/cm2이고, 신장율이 350 내지 400 %이고, 반발탄성이 42 내지 43 %인 특성을 가지는 것을 특징으로 한다.The upper dielectric layer is made of at least one of polyurethane, silicone, and epoxy,
The material constituting the upper dielectric layer includes 20 to 45 parts by weight of cyclosilazanes, methyl hydrogen, methyl vinyl, and tert-butyl acetate, based on 100 parts by weight of the upper dielectric layer. acetate) 55 to 80 parts by weight, hardness Shore A type is 90 to 99, 100% modulus is 140 to 160 Kgf/cm 2 , 300% modulus is 380 to 430 Kgf/cm 2 , and tensile strength is 500 to 550 Kgf/cm 2 , and a tear strength of 170 to 190 Kgf/cm 2 , an elongation of 350 to 400%, and a rebound elasticity of 42 to 43%.

본 발명의 일 측면에 따른 정전척에 의하면, 상기 정전척이 베이스 부재와, 절연 코팅층과, 전극 패턴층과, 상부 유전층을 포함하고, 상기 상부 유전층은 정전력 및 가공성이 우수한 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시 중 적어도 하나로 이루어짐에 따라, 상기 정전척의 상기 상부 유전층이 파손에 강하고 그 내구성이 우수하여 파티클 발생이 방지되고, 상기 상부 유전층이 그 자체로 쿠션층으로 기능하기 때문에 별도의 쿠션층이 적용될 필요가 없고, 상기 정전척의 정전력이 우수하기 때문에, 상기 정전척에 집게 형태인 클램프의 적용없이 흡착식으로 피흡착체를 집을 수 있게 되고, 그에 따라 클램프 삽입홈이 상기 정전척 상에 형성될 필요가 없게 되어, 상기 피흡착체를 누르는 실리콘 재질의 가압체가 상기 클램프 삽입홈의 모서리에 찍혀 손상되는 현상이 방지될 수 있게 되고, 상기 정전척의 표면 형태에 대한 가공성이 우수하기 때문에, 상기 정전척의 상면을 일체로 성형할 수 있고, 그에 따라 상기 정전척의 상면이 공차없이 요구되는 곡면으로 성형될 수 있게 되어, 엣지 형태의 스마트폰의 디스플레이용 글래스 등의 상기 피흡착체에 대응되는 형태로 정확하게 성형될 수 있고, 상기 상부 유전층의 두께 조절 등에 의해 정전력을 요구되는 수준으로 조절하여 상기 정전척을 제조할 수 있게 되는 효과가 있다.According to an electrostatic chuck according to an aspect of the present invention, the electrostatic chuck includes a base member, an insulating coating layer, an electrode pattern layer, and an upper dielectric layer, and the upper dielectric layer includes polyurethane, silicon, and excellent electrostatic power and processability; As it is made of at least one of epoxy, the upper dielectric layer of the electrostatic chuck is resistant to breakage and has excellent durability to prevent particle generation, and since the upper dielectric layer itself functions as a cushion layer, there is no need to apply a separate cushion layer Because the electrostatic force of the electrostatic chuck is excellent, it is possible to pick up an adsorbed body in an adsorption type without applying a clamp in the form of tongs to the electrostatic chuck, and thus there is no need for a clamp insertion groove to be formed on the electrostatic chuck. , it is possible to prevent a phenomenon in which a silicone pressing body pressing the adsorbent is stamped on the edge of the clamp insertion groove and damaged, and since the workability of the surface shape of the electrostatic chuck is excellent, the upper surface of the electrostatic chuck is integrally molded As a result, the upper surface of the electrostatic chuck can be molded into a required curved surface without tolerance, so that it can be precisely molded into a shape corresponding to the adsorbed body, such as an edge-shaped smartphone display glass, and the upper surface of the electrostatic chuck. There is an effect that the electrostatic chuck can be manufactured by adjusting the electrostatic force to a required level by controlling the thickness of the dielectric layer or the like.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 구조를 개략적으로 보이는 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 A부분에 대한 확대도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 구성하는 상부 유전층에 대한 표면 평탄화 테스트에 대한 결과값을 보이는 표.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 구성하는 절연 코팅층에 대한 표면 평탄화 테스트에 대한 결과값을 보이는 표.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 구성하는 상부 유전층이 폴리우레탄으로 이루어진 경우에 대한 척킹력을 일반적인 폴리이미드 정전척의 척킹력과 비교 테스트한 결과값을 보이는 표.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척에 대한 쇼트 테스트에 대한 결과값을 보이는 표.
도 7은 종래의 일반적인 폴리이미드 정전척에 대한 쇼트 테스트에 대한 결과값을 보이는 표.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is an enlarged view of the portion A shown in Figure 1;
3 is a table showing results of a surface planarization test for an upper dielectric layer constituting an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention;
4 is a table showing results of a surface planarization test for an insulating coating layer constituting an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention;
5 is a table showing a comparison test result of a chucking force for a case in which an upper dielectric layer constituting an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention is made of polyurethane and that of a general polyimide electrostatic chuck;
6 is a table showing result values of a short test for an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention;
7 is a table showing results of a short test for a conventional general polyimide electrostatic chuck.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척에 대하여 설명한다.Hereinafter, an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 A부분에 대한 확대도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 구성하는 상부 유전층에 대한 표면 평탄화 테스트에 대한 결과값을 보이는 표이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 구성하는 절연 코팅층에 대한 표면 평탄화 테스트에 대한 결과값을 보이는 표이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 구성하는 상부 유전층이 폴리우레탄으로 이루어진 경우에 대한 척킹력을 일반적인 폴리이미드 정전척의 척킹력과 비교 테스트한 결과값을 보이는 표이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척에 대한 쇼트 테스트에 대한 결과값을 보이는 표이고, 도 7은 종래의 일반적인 폴리이미드 정전척에 대한 쇼트 테스트에 대한 결과값을 보이는 표이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 1 , and FIG. 3 is an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention. is a table showing the results of the surface planarization test for the upper dielectric layer constituting , FIG. 5 is a table showing a comparison test result of a chucking force for a case in which an upper dielectric layer constituting an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention is made of polyurethane and that of a general polyimide electrostatic chuck; FIG. 6 is a table showing result values for a short test for an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a table showing result values for a short test for a conventional general polyimide electrostatic chuck.

도 1 내지 도 7을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 정전척(100)은 베이스 부재(110)와, 절연 코팅층(120)과, 전극 패턴층(130)과, 상부 유전층(140)을 포함하고, 반도체 웨이퍼, 디스플레이 패널용 글래스 등의 피흡착체를 정전력에 의해 고정시켜주는 것이다.1 to 7 , the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment includes a base member 110 , an insulating coating layer 120 , an electrode pattern layer 130 , and an upper dielectric layer 140 . and to fix an adsorbent such as a semiconductor wafer or glass for a display panel by electrostatic force.

상기 베이스 부재(110)는 상기 정전척(100)의 하부를 이루고, 상기 정전척(100)의 설치면에 놓이는 것으로, 알루미늄 등의 금속으로 이루어질 수 있다.The base member 110 forms a lower portion of the electrostatic chuck 100 , and is placed on an installation surface of the electrostatic chuck 100 , and may be made of a metal such as aluminum.

상기 절연 코팅층(120)은 상기 베이스 부재(110) 상에 절연을 위해 코팅되는 것이다.The insulating coating layer 120 is coated on the base member 110 for insulation.

상기 베이스 부재(110) 상에 상기 절연 코팅층(120)을 이루는 절연 물질이 코팅된 상태에서 평면으로 연마되어짐으로써, 상기 절연 코팅층(120)이 형성될 수 있다.The insulating coating layer 120 may be formed by grinding the insulating material constituting the insulating coating layer 120 on the base member 110 in a coated state in a flat surface.

상기 전극 패턴층(130)은 상기 절연 코팅층(120) 상에 요구되는 소정 전극 패턴으로 형성되는 것으로, 동박 등의 전극을 인쇄하는 방법 등에 의해 형성될 수 있다.The electrode pattern layer 130 is formed in a predetermined electrode pattern required on the insulating coating layer 120 , and may be formed by a method of printing an electrode such as copper foil.

도면 번호 150은 상기 베이스 부재(110)와 상기 절연 코팅층(120)을 관통하여, 외부 전원(미도시)과 상기 전극 패턴층(130)을 통전시키는 DC port 등의 전극 포트이다.Reference numeral 150 denotes an electrode port such as a DC port that passes through the base member 110 and the insulating coating layer 120 to conduct an external power source (not shown) and the electrode pattern layer 130 .

상기 상부 유전층(140)은 상기 전극 패턴층(130) 상에 형성되는 유전체이다.The upper dielectric layer 140 is a dielectric formed on the electrode pattern layer 130 .

상기 전극 패턴층(130) 상에 상기 상부 유전층(140)을 이루는 유전 물질이 코팅된 상태에서 평면으로 연마되어짐으로써, 상기 상부 유전층(140)이 형성될 수 있다.The dielectric material constituting the upper dielectric layer 140 is coated on the electrode pattern layer 130 and polished in a planar state to form the upper dielectric layer 140 .

본 실시예에서는, 상기 상부 유전층(140)이 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시 중 적어도 하나로 이루어진다.In this embodiment, the upper dielectric layer 140 is made of at least one of polyurethane, silicone, and epoxy.

상세히, 상기 상부 유전층(140)을 이루는 물질은 상기 상부 유전층(140) 100중량부에 대해, 사이클로실라잔, 메틸 하이드로진, 메틸 비닐(cyclosilazanes, methyl hydrogen, methyl vinyl) 20 내지 45중량부와, 터트-부틸 아세테이트(tert-butyl acetate) 55 내지 80 중량부를 포함하고, 경도 Shore A type이 90 내지 99이고, 100% modulus가 140 내지 160 Kgf/cm2이고, 300% modulus가 380 내지 430 Kgf/cm2이고, 인장 강도가 500 내지 550 Kgf/cm2이고, 인열 강도가 170 내지 190 Kgf/cm2이고, 신장율이 350 내지 400 %이고, 반발탄성이 42 내지 43 %인 특성을 가지는 것이다.In detail, the material constituting the upper dielectric layer 140 includes 20 to 45 parts by weight of cyclosilazanes, methyl hydrogen, and methyl vinyl based on 100 parts by weight of the upper dielectric layer 140, It contains 55 to 80 parts by weight of tert-butyl acetate, a hardness Shore A type of 90 to 99, a 100% modulus of 140 to 160 Kgf/cm 2 , and a 300% modulus of 380 to 430 Kgf/ cm 2 , the tensile strength is 500 to 550 Kgf/cm 2 , the tear strength is 170 to 190 Kgf/cm 2 , the elongation is 350 to 400%, and the rebound elasticity is 42 to 43%.

여기서, 상기 100% modulus는 상기 상부 유전층(140)을 이루는 물질을 100% 늘렸을 때 들어가는 힘의 크기이고, 상기 300% modulus는 상기 상부 유전층(140)을 이루는 물질을 300% 늘렸을 때 들어가는 힘의 크기이다.Here, the 100% modulus is the amount of force applied when the material constituting the upper dielectric layer 140 is stretched by 100%, and the 300% modulus is the force applied when the material constituting the upper dielectric layer 140 is stretched by 300%. is the size of

또한, 본 실시예에서는, 상기 절연 코팅층(120)이 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시 중 적어도 하나로 이루어진다.In addition, in this embodiment, the insulating coating layer 120 is made of at least one of polyurethane, silicone, and epoxy.

상세히, 상기 절연 코팅층(120)을 이루는 물질은 상기 절연 코팅층(120) 100중량부에 대해, 사이클로실라잔, 메틸 하이드로진, 메틸 비닐(cyclosilazanes, methyl hydrogen, methyl vinyl) 20 내지 45중량부와, 터트-부틸 아세테이트(tert-butyl acetate) 55 내지 80 중량부를 포함하고, 경도 Shore A type이 90 내지 99이고, 100% modulus가 140 내지 160 Kgf/cm2이고, 300% modulus가 380 내지 430 Kgf/cm2이고, 인장 강도가 500 내지 550 Kgf/cm2이고, 인열 강도가 170 내지 190 Kgf/cm2이고, 신장율이 350 내지 400 %이고, 반발탄성이 42 내지 43 %인 특성을 가지는 것이다.In detail, the material constituting the insulating coating layer 120 includes 20 to 45 parts by weight of cyclosilazanes, methyl hydrogen, and methyl vinyl based on 100 parts by weight of the insulating coating layer 120, It contains 55 to 80 parts by weight of tert-butyl acetate, a hardness Shore A type of 90 to 99, a 100% modulus of 140 to 160 Kgf/cm 2 , and a 300% modulus of 380 to 430 Kgf/ cm 2 , the tensile strength is 500 to 550 Kgf/cm 2 , the tear strength is 170 to 190 Kgf/cm 2 , the elongation is 350 to 400%, and the rebound elasticity is 42 to 43%.

상기와 같이, 상기 정전척(100)이 상기 베이스 부재(110)와, 상기 절연 코팅층(120)과, 상기 전극 패턴층(130)과, 상기 상부 유전층(140)을 포함하고, 상기 상부 유전층(140)은 정전력 및 가공성이 우수한 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시 중 적어도 하나로 이루어짐에 따라, 상기 정전척(100)의 상기 상부 유전층(140)이 파손에 강하고 그 내구성이 우수하여 파티클 발생이 방지되고, 상기 상부 유전층(140)이 그 자체로 쿠션층으로 기능하기 때문에 별도의 쿠션층이 적용될 필요가 없고, 상기 정전척(100)의 정전력이 우수하기 때문에, 상기 정전척(100)에 집게 형태인 클램프의 적용없이 흡착식으로 상기 피흡착체를 집을 수 있게 되고, 그에 따라 클램프 삽입홈이 상기 정전척(100) 상에 형성될 필요가 없게 되어, 상기 피흡착체를 누르는 실리콘 재질의 가압체가 상기 클램프 삽입홈의 모서리에 찍혀 손상되는 현상이 방지될 수 있게 되고, 상기 정전척(100)의 표면 형태에 대한 가공성이 우수하기 때문에, 상기 정전척(100)의 상면을 일체로 성형할 수 있고, 그에 따라 상기 정전척(100)의 상면이 공차없이 요구되는 곡면으로 성형될 수 있게 되어, 엣지 형태의 스마트폰의 디스플레이용 글래스 등의 상기 피흡착체에 대응되는 형태로 정확하게 성형될 수 있고, 상기 상부 유전층(140)의 두께 조절 등에 의해 정전력을 요구되는 수준으로 조절하여 상기 정전척(100)을 제조할 수 있게 된다.As described above, the electrostatic chuck 100 includes the base member 110 , the insulating coating layer 120 , the electrode pattern layer 130 , and the upper dielectric layer 140 , and the upper dielectric layer ( 140) is made of at least one of polyurethane, silicone, and epoxy having excellent electrostatic power and processability, so that the upper dielectric layer 140 of the electrostatic chuck 100 is resistant to breakage and has excellent durability to prevent particle generation, Since the upper dielectric layer 140 functions as a cushion layer by itself, there is no need to apply a separate cushion layer. It is possible to pick up the adsorbed body in an adsorption manner without applying a clamp, and accordingly, there is no need for a clamp insertion groove to be formed on the electrostatic chuck 100, so that a silicone pressing body that presses the adsorbed body is the clamp insertion groove It is possible to prevent damage caused by being stamped on the edge of the electrostatic chuck 100 , and since the workability of the surface shape of the electrostatic chuck 100 is excellent, the upper surface of the electrostatic chuck 100 can be integrally molded, and accordingly, the Since the upper surface of the electrostatic chuck 100 can be molded into a required curved surface without tolerance, it can be precisely molded into a shape corresponding to the adsorbed body such as edge-shaped smartphone display glass, and the upper dielectric layer 140 ) by adjusting the thickness of the electrostatic chuck 100 by adjusting the electrostatic force to a required level.

여기서, 상기 흡착식이라 함은 부압(negative pressure)이 걸린 흡착 수단(미도시)을 상기 피흡착체의 표면에 접촉시켜, 그 부압을 이용하여 상기 피흡착체를 들어올리는 방식으로, 상기 클램프처럼 상기 피흡착체의 측면에서 접근이 필요없고 상기 피흡착체의 상면에서 그대로 접근 가능하기 때문에, 상기 클램프 삽입홈이 요구되지 않게 된다.Here, the adsorption type refers to a method in which a negative pressure applied adsorption means (not shown) is brought into contact with the surface of the adsorbed body, and the adsorbed body is lifted using the negative pressure, like the clamp. Since access is not required from the side of the body and can be accessed as it is from the upper surface of the adsorbent, the clamp insertion groove is not required.

상기 정전척(100)을 구성하는 상기 상부 유전층(140)에 대한 표면 평탄화 테스트에 대한 결과값을 보이는 표가 도 3에 제시되어 있고, 상기 정전척(100)을 구성하는 상기 절연 코팅층(120)에 대한 표면 평탄화 테스트에 대한 결과값을 보이는 표가 도 4에 제시되어 있다.A table showing results of the surface planarization test for the upper dielectric layer 140 constituting the electrostatic chuck 100 is shown in FIG. 3 , and the insulating coating layer 120 constituting the electrostatic chuck 100 . A table showing the results of the surface planarization test is shown in FIG. 4 .

상기와 같은 도 3을 참조하면, 상기 상부 유전층(140)에 대한 표면 평탄화의 측정된 오차값, 즉 상기 상부 유전층(140)에 대한 표면 평탄화의 측정된 최대값(MAX)과 상기 상부 유전층(140)에 대한 표면 평탄화의 측정된 최소값(MIN)의 차이(MAX - MIN)가 0.009 mm여서, 상기 상부 유전층(140)에 대한 표면 평탄화의 측정된 오차값이 상기 상부 유전층(140)에 대한 표면 평탄화의 요구되는 오차값(SPEC)인 0.010 mm 이내임을 알 수 있다.Referring to FIG. 3 as described above, the measured error value of the surface planarization of the upper dielectric layer 140, that is, the measured maximum value of the surface planarization of the upper dielectric layer 140 (MAX) and the upper dielectric layer 140 ), the difference (MAX - MIN) of the measured minimum value (MIN) of the surface planarization for the upper dielectric layer 140 is 0.009 mm, so that the measured error value of the surface planarization for the upper dielectric layer 140 is the surface planarization for the upper dielectric layer 140 . It can be seen that the required error value (SPEC) of is within 0.010 mm.

상기와 같은 도 4를 참조하면, 상기 절연 코팅층(120)에 대한 표면 평탄화의 측정된 오차값, 즉 상기 절연 코팅층(120)에 대한 표면 평탄화의 측정된 최대값(MAX)과 상기 절연 코팅층(120)에 대한 표면 평탄화의 측정된 최소값(MIN)의 차이(MAX - MIN)가 0.020 mm여서, 상기 절연 코팅층(120)에 대한 표면 평탄화의 측정된 오차값이 상기 절연 코팅층(120)에 대한 표면 평탄화의 요구되는 오차값(SPEC)인 0.030 mm 이내임을 알 수 있다.Referring to FIG. 4 as described above, the measured error value of the surface planarization of the insulating coating layer 120, that is, the measured maximum value (MAX) of the surface planarization of the insulating coating layer 120 and the insulating coating layer 120 ), the difference (MAX - MIN) of the measured minimum value (MIN) of the surface planarization is 0.020 mm, so that the measured error value of the surface planarization for the insulating coating layer 120 is the surface planarization for the insulating coating layer 120 . It can be seen that the required error value (SPEC) of is within 0.030 mm.

상기 정전척(100)을 구성하는 상기 상부 유전층(140)이 폴리우레탄으로 이루어진 경우의 척킹력(chucking force)을 일반적인 폴리이미드(PI) 정전척의 척킹력과 비교 테스트한 결과값을 보이는 표가 도 5에 제시되어 있다.A table showing the results of a comparison test of the chucking force when the upper dielectric layer 140 constituting the electrostatic chuck 100 is made of polyurethane with that of a general polyimide (PI) electrostatic chuck is shown in FIG. 5 is presented.

도 5의 (a)는 상기 상부 유전층(140)이 폴리우레탄으로 이루어진 본 실시예에 따른 정전척(100)의 척킹력을 보이는 표이고, 도 5의 (b)는 종래의 일반적인 폴리이미드 정전척의 척킹력을 보이는 표이다.FIG. 5A is a table showing the chucking force of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment in which the upper dielectric layer 140 is made of polyurethane, and FIG. 5B is a table showing the chucking force of a conventional polyimide electrostatic chuck This is a table showing the chucking power.

상기와 같은 도 5의 (a) 및 (b)를 참조하면, 상기 상부 유전층(140)이 폴리우레탄으로 이루어진 본 실시예에 따른 정전척(100)의 척킹력은 3.78 kgf이고, 종래의 일반적인 폴리이미드 정전척의 척킹력은 2.8 kgf여서, 본 실시예에 따른 정전척(100)의 척킹력이 종래의 일반적인 폴리이미드 정전척의 척킹력에 비해 상대적으로 더 우수함을 알 수 있다.Referring to (a) and (b) of FIG. 5 as described above, the chucking force of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment in which the upper dielectric layer 140 is made of polyurethane is 3.78 kgf, and the conventional general poly Since the chucking force of the mid electrostatic chuck is 2.8 kgf, it can be seen that the chucking force of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment is relatively superior to that of the conventional polyimide electrostatic chuck.

여기서, 상기 척킹력은 각 정전척에 시편인 패널 및 윈도우 안착 후 푸쉬 풀 게이지(push full gauge)를 수평 방향으로 밀어서 그 시편이 슬립되는 시점의 피크 수치를 측정하는 방법에 의해 측정되었다.Here, the chucking force was measured by a method of measuring the peak value at the time when the specimen slips by pushing a push full gauge in the horizontal direction after the panel and window, which are specimens, are seated on each electrostatic chuck.

상기 정전척(100)에 대한 쇼트 테스트(short test)에 대한 결과값을 보이는 표가 도 6에 제시되어 있고, 종래의 일반적인 폴리이미드 정전척에 대한 쇼트 테스트에 대한 결과값이 도 7에 제시되어 있다.A table showing the results of the short test on the electrostatic chuck 100 is shown in FIG. 6 , and the results of the short test on the conventional polyimide electrostatic chuck are shown in FIG. 7 . have.

상기와 같은 도 6을 참조하면, 상기 상부 유전층(140)이 폴리우레탄으로 이루어진 본 실시예에 따른 정전척(100)(도 6의 상측의 '우레탄 ESC(상)'의 경우임)에 대한 쇼트 테스트 결과, 쇼트가 발생되지 아니하였고, 상기 절연 코팅층(120)이 폴리우레탄으로 이루어진 본 실시예에 따른 정전척(100)(도 6의 하측의 '우레탄 ESC(하)'의 경우임)에 대한 쇼트 테스트 결과, 쇼트가 발생되지 아니하였음을 알 수 있다.Referring to FIG. 6 as described above, the electrostatic chuck 100 according to this embodiment in which the upper dielectric layer 140 is made of polyurethane (in the case of 'urethane ESC (upper)' in FIG. 6 ) is a short shot. As a result of the test, no short circuit occurred, and the electrostatic chuck 100 according to this embodiment in which the insulating coating layer 120 is made of polyurethane (in the case of 'urethane ESC (lower)' in FIG. 6 ) As a result of the short test, it can be seen that no short circuit occurred.

이에 비해, 상기와 같은 도 7을 참조하면, 상부 유전층이 폴리이미드로 이루어진 종래의 일반적인 폴리이미드 정전척(도 7의 상측의 'PI ESC(상)'의 경우임)에 대한 쇼트 테스트 결과, 쇼트가 발생되었고, 절연 코팅층이 폴리이미드로 이루어진 종래의 일반적인 폴리이미드 정전척(도 7의 하측의 'PI ESC(하)'의 경우임)에 대한 쇼트 테스트 결과, 쇼트가 발생되었음을 알 수 있다.On the other hand, referring to FIG. 7 as described above, as a result of a short test for a conventional general polyimide electrostatic chuck (in the case of 'PI ESC (top)' on the upper side of FIG. 7), the upper dielectric layer is made of polyimide. was generated, and as a result of a short test for a conventional general polyimide electrostatic chuck (in the case of 'PI ESC (bottom)' in the lower part of FIG. 7), it can be seen that a short circuit occurred.

여기서, 상기 쇼트 테스트는 각 정전척에 파티클(particle) 합착 후 해당 정전척에 전기를 인가하여, 쇼트가 발생되는지 여부를 확인하는 방법에 의해 측정되었다.Here, the short test was measured by a method of confirming whether a short circuit occurred by applying electricity to the electrostatic chuck after particles were attached to each electrostatic chuck.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.In the above, the present invention has been shown and described with respect to specific embodiments, but those of ordinary skill in the art can variously modify the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. and can be changed. However, it is intended to clearly state that all such modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 정전척에 의하면, 파손에 강하고 내구성이 우수하여 파티클 발생이 방지되고, 쿠션층의 별도 적용이 요구되지 아니하며, 정전력 향상을 통해 클램프의 적용이 요구되지 아니하며, 정전척의 표면 형태에 대한 가공성이 우수할 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the electrostatic chuck according to one aspect of the present invention, it is resistant to breakage and has excellent durability to prevent particle generation, does not require a separate application of a cushion layer, does not require application of a clamp through improvement of electrostatic power, and Since the workability of the surface shape can be excellent, it can be said that the industrial applicability is high.

100 : 정전척
110 : 베이스 부재
120 : 절연 코팅층
130 : 전극 패턴층
140 : 상부 유전층100: electrostatic chuck
110: base member
120: insulation coating layer
130: electrode pattern layer
140: upper dielectric layer

Claims (4)

피흡착체를 정전력에 의해 고정시켜주는 것으로서,
베이스 부재;
상기 베이스 부재 상에 절연을 위해 코팅되는 절연 코팅층;
상기 절연 코팅층 상에 요구되는 전극 패턴으로 형성되는 전극 패턴층; 및
상기 전극 패턴층 상에 형성되는 유전체인 상부 유전층;을 포함하고,
상기 상부 유전층은 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시 중 적어도 하나로 이루어지고,
상기 상부 유전층을 이루는 물질은
상기 상부 유전층 100중량부에 대해, 사이클로실라잔, 메틸 하이드로진, 메틸 비닐(cyclosilazanes, methyl hydrogen, methyl vinyl) 20 내지 45중량부와, 터트-부틸 아세테이트(tert-butyl acetate) 55 내지 80 중량부를 포함하고,
경도 Shore A type이 90 내지 99이고, 100% modulus가 140 내지 160 Kgf/cm2이고, 300% modulus가 380 내지 430 Kgf/cm2이고, 인장 강도가 500 내지 550 Kgf/cm2이고, 인열 강도가 170 내지 190 Kgf/cm2이고, 신장율이 350 내지 400 %이고, 반발탄성이 42 내지 43 %인 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 정전척.As an adsorbent is fixed by an electrostatic force,
base member;
an insulating coating layer coated on the base member for insulation;
an electrode pattern layer formed in a required electrode pattern on the insulating coating layer; and
and an upper dielectric layer that is a dielectric formed on the electrode pattern layer;
The upper dielectric layer is made of at least one of polyurethane, silicone, and epoxy,
The material constituting the upper dielectric layer is
Based on 100 parts by weight of the upper dielectric layer, 20 to 45 parts by weight of cyclosilazanes, methyl hydrogen, methyl vinyl and 55 to 80 parts by weight of tert-butyl acetate including,
Hardness Shore A type is 90 to 99, 100% modulus is 140 to 160 Kgf/cm 2 , 300% modulus is 380 to 430 Kgf/cm 2 , and tensile strength is 500 to 550 Kgf/cm 2 , and tear strength is 170 to 190 Kgf/cm 2 , an elongation of 350 to 400%, and a rebound elasticity of 42 to 43%. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 절연 코팅층은 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척.The method of claim 1,
The insulating coating layer is an electrostatic chuck, characterized in that made of at least one of polyurethane, silicone, and epoxy. 제 3 항에 있어서,
상기 절연 코팅층을 이루는 물질은
상기 절연 코팅층 100중량부에 대해, 사이클로실라잔, 메틸 하이드로진, 메틸 비닐(cyclosilazanes, methyl hydrogen, methyl vinyl) 20 내지 45중량부와, 터트-부틸 아세테이트(tert-butyl acetate) 55 내지 80 중량부를 포함하고,
경도 Shore A type이 90 내지 99이고, 100% modulus가 140 내지 160 Kgf/cm2이고, 300% modulus가 380 내지 430 Kgf/cm2이고, 인장 강도가 500 내지 550 Kgf/cm2이고, 인열 강도가 170 내지 190 Kgf/cm2이고, 신장율이 350 내지 400 %이고, 반발탄성이 42 내지 43 %인 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 정전척.4. The method of claim 3,
The material constituting the insulating coating layer is
Based on 100 parts by weight of the insulating coating layer, 20 to 45 parts by weight of cyclosilazanes, methyl hydrogen, methyl vinyl and 55 to 80 parts by weight of tert-butyl acetate including,
Hardness Shore A type is 90 to 99, 100% modulus is 140 to 160 Kgf/cm 2 , 300% modulus is 380 to 430 Kgf/cm 2 , and tensile strength is 500 to 550 Kgf/cm 2 , and tear strength is 170 to 190 Kgf/cm 2 , an elongation of 350 to 400%, and a rebound elasticity of 42 to 43%.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294852A (en) * 2006-03-29 2007-11-08 Shinko Electric Ind Co Ltd Electrostatic chuck
JP2013523074A (en) * 2010-03-19 2013-06-13 エスアールアイ インターナショナル Materials for electroadhesion and laminating
KR101542149B1 (en) * 2014-02-06 2015-08-05 코리아세미텍 주식회사 Method of manufacturing electrostatic chuck

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6349228B2 (en) 2014-10-22 2018-06-27 新光電気工業株式会社 Electrostatic chuck and base member used for the electrostatic chuck
KR20170039781A (en) 2015-10-01 2017-04-12 삼성디스플레이 주식회사 Electrostatic chuck and substrate processing apparatus including the same
KR102496166B1 (en) 2015-12-18 2023-02-03 엘지디스플레이 주식회사 Substrate Processing Apparatus having Electrostatic chuck

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294852A (en) * 2006-03-29 2007-11-08 Shinko Electric Ind Co Ltd Electrostatic chuck
JP2013523074A (en) * 2010-03-19 2013-06-13 エスアールアイ インターナショナル Materials for electroadhesion and laminating
KR101542149B1 (en) * 2014-02-06 2015-08-05 코리아세미텍 주식회사 Method of manufacturing electrostatic chuck

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