KR102291670B1

KR102291670B1 - 플렉서블 전자소자 제작방법

Info

Publication number: KR102291670B1
Application number: KR1020190108670A
Authority: KR
Inventors: 조관현; 최준; 강경태
Original assignee: 한국생산기술연구원
Priority date: 2019-09-03
Filing date: 2019-09-03
Publication date: 2021-08-23
Also published as: KR20210027791A

Abstract

본 발명은 캐리어 플레이트를 제공하는 단계; 상기 캐리어 플레이트 상면에 플렉서블 기판을 형성하는 단계; 상기 플렉서블 기판 상에 전자소자층을 형성하는 단계; 및 상기 캐리어 플레이트의 하면에 IPL(Intense pulsed light)을 조사하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법을 제공한다.

Description

플렉서블 전자소자 제작방법{Method for flexible electric device}

본 발명은 플렉서블 전자소자 제작방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 광열변환층을 포함하는 캐리어 플레이트 하면에 IPL을 조사하여, 캐리어 플레이트와 플렉서블 기판을 분리하는 공정을 포함한 전자소자 제작방법에 관한 것이다.

플라스틱과 같은 플렉서블 기판은 유리와는 달리 가볍고 충격에 강하여 쉽게 깨질 염려가 없으며 휘어진 면에 부착할 수 있으며, 궁극적으로는 말거나 접을 수 있는 장점이 있다. 이에 의해, 이러한 플렉서블 기판을 포함하는 플렉서블 전자소자를 제조하게 되면 기존의 유리 기반 전자소자에 비하여 쉽게 깨지지 않고 가벼우므로 휴대용 전자소자로 사용할 수 있고, 사용자가 원하는 대로 설계할 수 있기 때문에, 매우 다양한 사용이 가능하다.

이러한 플렉서블 기판의 유연성은 전술과 같은 여러 가지 장점을 가지고 있는 반면에, 실제 공정을 진행하는 과정에서 여러 가지 어려운 문제를 안고 있다. 우선, 플렉서블 기판은 쉽게 휘어지게 되므로 취급이 용이하지 않으며, 기판 자체가 열처리 공정에 의해 쉽게 휘어지게 되므로 플렉서블 기판의 편평도를 유지하는 것이 용이하지 않다. 특히, 플렉서블 전자소자에 이용되는 박막이 플렉서블 기판 상에 도포되는 경우에는 이러한 현상은 더 두드러지게 되므로, 후 공정을 진행하는 것이 어렵게 된다.

이러한 이유로, 플렉서블 전자소자 제조 기술을 사용하면서 플렉서블 기판을 사용하기 위해서는, 플렉서블 기판의 이용이 용이하고 취급이 용이하도록 플렉서블 기판의 하부에 플렉서블 기판을 충분히 지지해줄 수 있는 이송 가능한 지지기판을 부착하여 공정을 진행하게 된다. 최근에는 지지기판과 상기 플라스틱 등의 플렉서블 기판을 분리하기 위하여, 상기 플렉서블 기판의 하부에 희생층을 형성하거나, 레이저, UV등을 조사하여 플렉서블 기판을 분리하는 방법을 사용한다. 그러나, 상기 나열한 방법들의 경우, 공정이 복잡하고, 특히, 엑시머 레이저를 이용한 레이저리프트오프(LLO)방식을 사용하여 상기 플렉서블 기판을 분리하는 경우, 분리 영역이 약 1 mm²정도로 매우 작아 분리 속도가 느리고, 상기 엑시머 레이저가 매우 비싸다는 문제가 있다.

본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 캐리어 플레이트를 제공하는 단계; 상기 캐리어 플레이트 상면에 플렉서블 기판을 형성하는 단계; 상기 플렉서블 기판 상에 전자소자층을 형성하는 단계; 및 상기 캐리어 플레이트의 하면에 IPL(Intense pulsed light)을 조사하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계; 를 포함하는 플렉서블 전자소자 제작방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하는 광열변환층; 및 상기 광열변환층 상에 위치하는 보호층; 을 포함하는 캐리어 플레이트를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 양태는, 캐리어 플레이트를 제공하는 단계; 상기 캐리어 플레이트 상면에 플렉서블 기판을 형성하는 단계; 상기 플렉서블 기판 상에 전자소자층을 형성하는 단계; 및 상기 캐리어 플레이트의 하면에 IPL(Intense pulsed light)을 조사하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계; 를 포함하는 플렉서블 전자소자 제작방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하는 광열변환층(light to heat conversion; LTHC); 및 상기 광열변환층 상에 위치하는 보호층; 을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 지지기판은 광 투과성을 가질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 지지기판은 유리기판 또는 석영기판일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층은 금속층을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층은, 상기 지지기판 상에 위치하는 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 2 금속층; 을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층의 제 1 금속층의 두께는 제 2 금속층의 두께보다 얇고, 상기 제1 금속층과 제2 금속층은 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱(n x k)이 550nm 에서 2 이상일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층 또는 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al₂O₃), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 보호층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al₂O₃), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 플렉서블 기판은 PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycylicolefin), 폴리노보넨(polyorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polyer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 고분자를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 플렉서블 전자소자는 유기발광다이오드(OLED)일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 전자소자층을 형성하는 단계는, 상기 플렉서블 기판 상에 배리어(barrier)층을 형성하는 단계; 상기 배리어층 상에 TFT(Thin Film Transistor)층을 형성하는 단계; 상기 TFT층 상에 OLED층을 형성하는 단계; 상기 OLED층 상에 TFE(Thin Film Encapsulation)층을 형성하는 단계; 를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계는 상기 IPL광원의 열에너지로 인하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판이 서로 분리될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL의 조사는, 제논(xenon) 플래시 램프를 이용하여 수행될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계의 IPL조사의 펄스 폭(pulse width)은 0.1 ms 내지 10 ms일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 IPL 조사의 펄스당 에너지는 1 J/cm2 내지 15 J/ cm2 일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계의 IPL조사의 주파수는 1 Hz 내지 10 Hz일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계의 IPL조사의 펄스 수(pulse number)는 1 개 내지 50 개일 수 있다.

본 발명의 일 양태는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하는 광열변환층(light to heat conversion; LTHC); 및 상기 광열변환층 상에 위치하는 보호층; 을 포함하는 캐리어 플레이트를 제공한다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층은 상기 지지기판 상에 위치하는 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 2 금속층; 을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층의 제 1 금속층의 두께는 제 2 금속층의 두께보다 얇고, 상기 제1 금속층과, 제2 금속층은 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱(n x k)이 550nm 에서 2 이상일 수 있다.

상술한 본 발명의 플렉서블 전자소자 제조방법은, 광열변환층(LTHC)을 포함한 캐리어 플레이트의 상면에 플렉서블 기판을 형성하고, IPL 를 조사하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 공정을 포함한다.

상기 광열변환층 및 IPL을 이용한 전자소자 제조방법은, 상기 IPL에 의하여 대면적의 광 조사가 가능하고 상기 광열변환층에 의하여 짧은 시간에 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판의 분리가 가능하다는 장점이 있다.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예의 플렉서블 전자소자 제작방법의 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 캐리어 플레이트, 플렉서블 기판 및 전자소자층 적층구조 단면의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예의 캐리어 플레이트의 단면의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에서, 복소수 굴절율에서 흡수율을 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에서, 빛이 조사되는 경우 캐리어 플레이트 단면의 모식도 이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예의 플렉서블 기판을 형성하는 단계의 구체적인 공정의 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예의 전자소자층을 형성하는 단계의 구체적인 공정의 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예의 전자소자층의 단면의 모식도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예의 캐리어 플레이트와 플렉서블 기판을 분리하는 단계의 모식도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예의 캐리어 플레이트의 광의 파장에 따른 광 흡수율을 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트의 플렉서블 기판코팅의 전과 후의 사진(a), 및 플렉서블 기판이 분리가 되지 않은 사진(b) 및 플렉서블 기판이 분리 된 사진(c)이다.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예의 플렉서블 전자소자 제작방법의 흐름도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예의 캐리어 플레이트(1), 플렉서블 기판(2) 및 전자소자층(3)의 적층구조 단면의 모식도 이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 플렉서블 전자소자 제작방법은 캐리어 플레이트(1)를 제공하는 단계(S10); 상기 캐리어 플레이트(1) 상면에 플렉서블 기판(2)을 형성하는 단계(S20); 상기 플렉서블 기판(2) 상에 전자소자층(3)을 형성하는 단계(S30); 및 상기 캐리어 플레이트(1)의 하면에 IPL(Intense pulsed light)을 조사하여 상기 캐리어 플레이트(1)와 상기 플렉서블 기판(2)을 분리하는 단계(S40); 를 포함한다.

먼저, 본 발명의 플렉서블 전자소자 제작방법은 캐리어 플레이트(1)를 제공하는 단계(S10)를 포함한다.

본 명세서에서, 캐리어 플레이트(1)란, 플렉서블 전자소자의 제작에 있어서, 플렉서블 기판의 이용 및 취급이 용이하도록 상기 플렉서블 기판과 합착되는 기판을 의미한다. 상기 캐리어 플레이트(1)는 상기 플렉서블 기판을 충분히 지지할 수 있고 이송이 가능해야 하며, 본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트(1)는 본 발명의 플렉서블 전자소자를 제조하기 위한 플렉서블 기판(2)이 합착되는 기판을 의미한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예의 캐리어 플레이트(1)의 단면의 모식도이다.

도 3의 a)를 참조하면, 상기 캐리어 플레이트(1)는 지지기판(10); 상기 지지기판(10) 상에 위치하는 광열변환층(20); 및 상기 광열변환층(20) 상에 위치하는 보호층(30)을 포함할 수 있고, 상기 지지기판(10)의 하부면인 광 조사면(BW) 및 상기 보호층(30)의 상부면인 코팅면(FW)를 포함할 수 있다.

먼저, 상기 캐리어플레이트(1)는 지지기판(10)을 포함한다. 상기 지지기판(10)은 상부에 광열변환층(20)및 보호층(30)을 차례로 적층할 수 있고, 상기 지지기판(10)의 하부면은 IPL의 조사를 직접 받는 광 조사면(BW)에 해당된다. 따라서, 상기 지지기판(10)은 광 투과성을 가질 수 있고, 상기 지지기판(10)의 재질은 광이 투과하는 재질, 예를 들면 유리기판 또는 석영기판일 수 있다.

다음으로, 상기 캐리어 플레이트(1)는 광열변환층(20)을 포함한다. 상기 광열변환층(20)은 상기 지지기판(10)의 상부에 형성된 것으로, 상기 광열변환층(20)의 특정 지점에 광이 조사되면, 상기 광열변환층(20)에 광이 흡수되어 열이 발생할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층(20)에 의하여 발생한 열은 플렉서블 기판(2) 및 상기 캐리어 플레이트(1)를 서로 분리시킬 수 있다.

도 3의 b)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층(20)은 금속층(21)을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층(20)은 금속층(21)의 단층구조로 형성될 수 있다.

이때, 상기 금속층(21)의 두께는 10 nm 내지 200 nm로 설정되는 것이 바람직하다.

만일, 상기 금속층(21)의 두께가 10 nm 미만이면, 광 투과율이 높아 IPL에서 조사된 빛이 소자기판에 손상을 줄 수 있고, 상기 금속층(21)의 두께가 200 nm를 초과하면, 광 흡수율에 문제가 있을 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 금속층(21)은 넓은 영역대(broadband)의 가시광(350 nm 내지 800 nm)을 흡수할 수 있는 금속, 예를 들면, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성될 수 있다.

도 3의 c)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층(20)은 제 1 금속층(22), 버퍼층(23) 및 제 2 금속층(24)이 차례로 적층된 구조를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층(22)의 두께는 상기 제 2 금속층(24)의 두께보다 얇을 수 있고, 상기 제1 금속층과 제2 금속층은 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱(n x k)이 550nm 에서 2 이상일 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 제 1 금속층(22) 및 제 2 금속층(24)은 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)로 이루어진 복소수 굴절률(complex refractive index) = n + jk 값으로 나타낼 수 있다.

도 4는 550 nm 파장에서 각각 금속의 두께가10 nm 일 때, 복소수 굴절율에서 흡수율을 나타낸다.

도 4를 참조하면, 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱 (n x k) 이 클 수록 광흡수율이 증가하고 넓은 영역대(broadband)의 가시광(350 nm 내지800 nm)에서 높은 광흡수율 특성을 가지는 것을 알 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 금속층(22) 및 제2 금속층(24)은 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱 (n x k) 이 550 nm 에서 2 이상일 수 있고, 이로 인해 높은 광 흡수율의 특성을 가질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 제 1금속층(22) 및 제 2 금속층(24)의 두께는 각각 1 nm 내지 20 nm일 수 있고, 제 2 금속층(24)의 두께는 반사역할을 위해서 제 1 금속층(22) 보다 두께가 두꺼울 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층(22) 및 제 2 금속층(24)은 넓은 영역대(broadband)의 가시광(350 nm 내지800 nm)을 흡수할 수 있는 금속, 예를 들면, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층(22) 및 제 2 금속층(24)은 같은 재질의 금속을 포함할 수 있으나, 다른 종류의 금속을 포함하여도 무방하다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층(22) 및 제 2 금속층(24)의 사이에 버퍼층(23)을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 버퍼층(23)은 투명한 산화물, 예를 들면, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al₂O₃), ITO 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에서, 빛이 조사되는 경우 캐리어 플레이트(1)의 단면의 모식도이다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층(20)은 광 간섭 (optical interference), 금속층의 흡수(absorption) 및 분산(dispersion)의 최적 조건에서 광 흡수를 최대로 만들 수 있다.

예를 들면, 상기 제2 금속층(24)은 상기 제 1 금속층(22)에 비하여 두꺼운 금속층으로 주로 반사 역할을 하며, 버퍼층(23)은 phase-matching층으로 제2 금속층에서 반사된 빛의 위상(phase)을 조절하는 역할을 할 수 있다. 이때, 제1 금속층(22)은 제 2 금속층(24)에 비하여 얇은 금속층으로 투과, 반사 및 흡수가 일어날 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 제1금속층(22)에서 반사된 빛(도 5의 ① 및 ②)의 세기와 제2금속층(24)에서 반사된 빛(도 5의 ③)의 세기를 동일하게 만들고, 버퍼층(23)의 두께 조절을 통해서 위상차를 180 도로 만들어 제1금속층(22)과 지지기판(10) 사이에 반사된 빛의 세기를 최소화, 예를 들면, 0으로 만들 수 있고, 이를 통해 광 흡수를 최대로 할 수 있다.

다음으로, 상기 캐리어 플레이트(1)는 보호층(30)을 포함한다. 상기 보호층(30)의 상면은 플렉서블 기판(2)이 직접 코팅되어 적층되는 코팅면(FW)에 해당한다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 보호층(30)은 상기 광열변환층(20)의 상면에 적층되고, 상기 광열변환층(20)의 표면이 노출되어 산화되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 캐리어 플레이트(1)는 재사용(recycle)이 가능 할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 보호층(30)은 예를 들면, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al₂O₃), ITO 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.

다음으로, 본 발명의 플렉서블 전자소자 제작방법은 상기 캐리어 플레이트(1) 상면에 플렉서블 기판(2)을 형성하는 단계(S20)를 포함한다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 플렉서블 기판(2)은 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 전자소자의 플렉서블 기판이 될 수 있고, 상기 플렉서블 기판(2)은 예를 들면, 박형 유리 기판, 메탈호일 기판 또는 고분자(플라스틱) 기판일 수 있고, 예를 들면, PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycylicolefin), 폴리노보넨(polyorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polyer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 고분자를 포함할 수 있다.

도 6은 본 발명의 일 실시예의, 플렉서블 기판(2)을 형성하는 단계(S20)의 구체적인 공정의 흐름도이다.

도 6을 참조하면, 상기 플렉서블 기판(2)을 형성하는 단계(S20)는 액상의 고분자를 코팅하는 단계(S21) 및 상기 코팅된 액상의 고분자를 경화하는 단계(S22)를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 플렉서블 기판은 예를 들면, PI를 포함할 수 있고, 예를 들면, 상기 코팅면(FW)에 PAA(poly amic acid)를 직접 코팅한 후, 이를 이미드 경화하여 PI를 포함한 플렉서블 기판을 형성할 수 있다.

상기 PI는 비교적 결정화도가 낮거나 대부분 비결정성 구조를 가지고, 합성이 용이하고 박막형 필름을 만들 수 있으며 경화를 위한 가교기가 필요하지 않은 장점뿐 아니라 투명성, 강직한 사슬구조에 의해 뛰어난 내열성과 내화학성, 우수한 기계적 물성, 전기적 특성 및 치수안정성을 갖고 있는 고분자 재료이다.

본 발명의 구체적인 실시예에서, 상기 PAA는 다이아민 단량체 및 다이안하이드라이드 단량체를 약 1.0: 1.05의 몰비로 상온에서 반응시켜 수득할 수 있다.

본 발명의 구체적인 실시예에서, 상기 다이아민 단량체는 4,4'-ODA, M-Toludine, FDA, Bis-AP-AF, FFDA, HFBAPP 또는 TFDB/TFMB 중 어느 하나일 수 있고, 예를 들면, 상기 다이안하이드라이드 단량체는 PMDA, 2,2'-BPDA 또는 1,2-BPDA 중 어느 하나 일 수 있다. 이때, 용매는 NMP 또는 DMAC중 어느 하나 일 수 있다.

본 발명의 구체적인 실시예에서, 상기 PAA를 수득하는 공정에서, 상기 PAA의 점도값이 약 30cP이상이 될 때까지 상온에서 반응시킬 수 있고, 상기 용매로 DMAC를 사용한 경우에는 단량체 종류에 따라 충분히 녹지 않을 경우 약 50 ℃ 내지 60 ℃로 가열할 수 있다. 또한, 보통 전체 고형분 함량을 약 30 wt%를 유지하는 것이 바람직하나, 단량체의 종류에 따라 점도가 너무 높아질 경우에는 20 wt%까지 낮출 수 있다.

본 발명의 구체적인 실시예에서, 상기 수득한 PAA를 상기 코팅면(FW)에 코팅 할 수 있고, 상기 PAA가 코팅된 코팅면(FW)을 열처리 하여 이미드 경화하고, 플렉서블 기판(2)이 코팅된 캐리어 플레이트(1)를 수득할 수 있다.

다음으로, 본 발명의 플렉서블 전자소자 제작방법은 상기 플렉서블 기판 상에 전자소자층을 형성하는 단계(S30)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 플렉서블 전자소자는 유기발광다이오드(OLED)일 수 있다.

도 7은 본 발명의 일 실시예의 전자소자층(3)을 형성하는 단계(S30)의 구체적인 공정의 흐름도이다.

도 8은 본 발명의 일 실시예의 전자소자층(3)의 단면의 모식도이다.

도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 전자소자층(3)를 형성하는 단계(S30)는, 상기 플렉서블 기판 상에 배리어(barrier)층(3a)을 형성하는 단계(S31); 상기 배리어층(3a) 상에 TFT층(3b)을 형성하는 단계(S32); 상기 TFT층(3b) 상에 OLED층(3c)을 형성하는 단계(S33); 상기 OLED층(3c) 상에 TFE층(3d)을 형성하는 단계(S34); 를 포함할 수 있다.

먼저, 본 발명의 상기 전자소자층를 형성하는 단계(S30)는 상기 플렉서블 기판 상에 배리어층(3a)을 형성하는 단계(S31)를 포함할 수 있다.

상기 배리어층(3a)을 형성하는 단계(S31)는 예를 들면, 스퍼터링, PECVD, ALD 등의 공정에 의해 이루어 질 수 있으나, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이라면, 이를 한정하지 않는다.

예를 들면, 상기 배리어층(3a)은 대기중의 산소, 수분, 질소 산화물, 황 산화물 또는 오존의 투과를 방지하는 갖는 층을 의미할 수 있다. 상기 배리어층(3a)의 재료는 수분 및 산소 등의 소자 열화를 촉진하는 물질들이 소자로 들어가는 것을 방지하는 기능을 갖는 재료일 수 있으며, 예를 들면, In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti 및 Ni 등의 금속; TiO, TiO₂, Ti₃O₃, Al₂O₃, MgO, SiO, SiO₂, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe₂O₃, Y₂O₃, ZrO₂, Nb₂O₃및 CeO₂및 등의 금속 산화물; SiN 등의 금속 질화물; SiON 등의 금속 산질화물; MgF₂, LiF, AlF₃ 및 CaF₂등의 금속 불화물; 을 포함할 수 있다. 상기 배리어층(3a)의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 의도된 용도에 따라 적합하게 선택될 수 있다.

다음으로, 본 발명의 상기 전자소자층(3)을 형성하는 단계(S30)는 상기 배리어층(3a) 상에 TFT층(3b)을 형성하는 단계(S32)를 포함할 수 있다.

상기 TFT(Thin Film Transistor)는 박막 트랜지스터를 의미한다. 상기 TFT는 작은 반도체의 일종으로 전기적인 신호를 제어하여 스위치 역할을 하는 소자를 의미하고, 예를 들면, 픽셀전극을 포함하여 구성될 수 있다.

상기 TFT층(3b)을 형성하는 단계(S32)는 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이라면, 이를 한정하지 않는다.

다음으로, 본 발명의 상기 전자소자층(3)을 형성하는 단계(S30)는 상기 TFT층(3b) 상에 OLED층(3c)을 형성하는 단계(S33)를 포함한다.

상기 OLED(Organic Light Emitting Diodes)는 디스플레이의 기본 단위인 픽셀에 유기 발광 물질을 사용해 이미지를 표현하는 소자를 의미하며, 전류가 흐를 때 스스로 빛을 내는 유기 물질을 활용하여 빛을 내는 방식을 사용한다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 OLED층(3c)을 형성하는 단계(S33)는 상기 TFT층의 픽셀전극에 유기형광물질을 Evaporation 공정법으로 증착하여 형성 될 수 있으나, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이라면, 이를 한정하지 않는다.

다음으로, 본 발명의 상기 전자소자층(3)을 형성하는 단계(S30)는 상기 OLED층(3c) 상에 TFE층(3d)을 형성하는 단계(S34)를 포함한다.

상기 TFE층(3d)을 형성하는 단계는 캡슐화공정(Encapsulation)을 통하여 수행된다. 상기 캡슐화 공정은 상기 OLED층(3c)을 형성하는 단계(S33)에서 형성된 OLED소자를 감싸서 내부의 유기물질과 전극을 대기중의 산소와 수분으로부터 보호하기 위한 공정이다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 TFE층(3d)은 유기층 및 무기층을 다층 구조로 적층한 형태의 구조일 수 있고, 이때 유기층은 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 재질, 무기층은, SiO₂, SiNx 및 Al₂O₃ 중에서 선택된 하나의 재질일 수 있다.

상기 TFE층(3d)을 형성하는 단계(S34)는 ALD를 통하여 수행될 수 있으나, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이라면, 이를 한정하지 않는다.

다음으로, 본 발명의 플렉서블 전자소자 제작방법은 상기 캐리어 플레이트(1)의 하면, 즉 광 조사면(BW)에 IPL(Intense pulsed light)을 조사하여 상기 캐리어 플레이트(1)와 상기 플렉서블 기판(2)을 분리하는 단계(S40)를 포함한다.

도 9는 본 발명의 일 실시예의 캐리어 플레이트(1)와 상기 플렉서블 기판(2)을 분리하는 단계(S40)의 모식도이다.

참고적으로, 도 9는 본 명세서에서 설명하는 상·하를 반전하여 도시한 것으로, 도 9의 하면에 위치하는 전자소자층(3)은 실제로 상면에 위치하는 것일 수 있다.

본 명세서에서 광 조사면(BW)란 IPL이 조사되는 부분을 의미하며, 상기 캐리어 플레이트(1)의 하면, 즉 지지기판(10)의 광변환층(20)이 적층되는 면의 반대면을 의미한다.

도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의하여, 상기 광조사부에 IPL을 조사하여 상기 캐리어 플레이트(1)와 상기 플렉서블 기판(2) 및 상기 플렉서블 기판(2)의 상에 위치하는 전자소자층(3)을 분리할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트(1)와 상기 플렉서블 기판(2)을 분리하는 단계(S40)는 대면적 조사가 가능한 IPL(Intense pulsed light), 예를 들면, 제논(xenon) 플래시 램프를 이용하여 수행 될 수 있다.

본 명세서에서, IPL(Intense pulsed light)이란 400 nm 내지 1200 nm의 다양한 파장의 빛을 강한 펄스 형태로 주기적으로 방출시키는 플래시 램프를 의미하고, 대면적 조사가 가능한 장점이 있다.

종래에는 상기 캐리어 플레이트(1)와 상기 플렉서블 기판(2)을 분리하기 위하여, 상기 플렉서블 기판(2)의 하부에 희생층을 형성하거나, 레이져, UV등을 조사하는 방법을 수행하였다. 특히, 엑시머 레이저를 이용한 레이저리프트오프(LLO)방식을 사용하여 상기 플렉서블 기판(2)을 분리하는 방법은 분리 영역이 약 1 mm²정도로 매우 작아 분리 속도가 느리고, 상기 엑시머 레이저가 매우 비싸다는 단점이 있었다.

본 발명의 플렉서블 전자소자 제작방법은 제논 플래시 램프형태의 IPL을 사용하여, 대면적 조사가 가능 하고, 광열변환층(20)을 이용하여 빠르게 분리할 수 있으며, 경제적 이라는 장점이 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐리어 플레이트(1)와 상기 플렉서블 기판(2)을 분리하는 단계(S40)는 상기 IPL광원의 열에너지로 인하여 수행될 수 있다.

예를 들면, 상기 캐리어 플레이트(1)의 하면, 즉 상기 지지기판(10)의 광 조사면(BW)에 상기 IPL을 조사하면, 상기 광원을 상기 광열변환층(20)이 열에너지로 변환하게 되고, 상기 열에너지는 상기 보호층(30) 상면에 적층된 플라스틱기판(2)을 가열 하게 되고, 상기 가열로 인하여, 순간적으로 상기 플렉서블 기판(2)은 상기 캐리어 플레이트(1)로부터 분리 될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 IPL조사의 구동 파형을 조절하여, 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리할 수 있다. 예를 들면, IPL조사의 펄스 폭(pulse width)은 0.1 ms 내지 10 ms일 수 있고, 이때, 펄스당 에너지는 1 J/cm² 내지 15 J/ cm²일 수 있고, 주파수는 1 Hz 내지 10 Hz일 수 있고, 펄스 수(pulse number)는 1 개 내지 50 개일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계(S40)이후, 상기 플렉서블 기판(2)이 분리된 상기 캐리어 플레이트(1)는 상기 보호층(30)으로 인하여, 상기 광열변환층(20)이 외부에 노출되는 것을 방지 할 수 있고, 이로 인하여, 상기 캐리어 플레이트(1)를 재사용(recycle)할 수 있다.

본 발명의 일 양태는 지지기판(10); 상기 지지기판 상에 위치하는 광열변환층(20); 및 상기 광열변환층(20) 상에 위치하는 보호층(30); 을 포함하는 캐리어 플레이트(1)를 제공한다.

상기 캐리어플레이트(1)에 대한 설명은 상기 양태에서 설명한 것으로 갈음한다.

실시예 1.

2.5 cm X 2.5 cm의 유리기판인 지지기판의 상부에 제 1금속층으로 Mo을 5 nm, 버퍼층으로 SiO₂ 를 80 nm, 제 2 금속층으로 Mo을 200 nm 및 보호층으로 100 nm를 차례로 적층하여 캐리어 플레이트를 제작하였다.

실시예2.

상기 실시예 1에서, 제 1 금속층으로 Cr을 4 nm, 버퍼층으로 SiO₂를 90 nm, 제 2 금속층으로 Cr을 100 nm로 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 캐리어 플레이트를 제작하였다.

실험예 1. 광흡수 특성

상기 실시예 1및 실시예 2에서 제조한 캐리어 플레이트의 광 흡수율을 측정하기 위하여, 파장을 달리하여 광원을 조사하였다.

도 10은 실시예 1에서 제조한 캐리어 플레이트(a) 및 실시예 2에서 제조한 캐리어 플레이트 (b)의 광의 파장에 따른 광 흡수율을 나타낸 그래프이다.

도 10의 a)를 참조하면, 약 450 nm이상의 파장의 광원을 조사하면, 약 90 % 이상의 광 흡수율을 보이는 것을 확인할 수 있었다.

도 10의 b)를 참조하면, 가시광 영역대 파장에서 광 흡수율이 95 %이상이 되는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 제 1 금속층과 지지기판 사이에 반사된 빛이 거의 0이 되고, 공기층(Air)과 지지기판 사이에 대략 4 % 정도의 반사율이 형성되는 것을 알 수 있었다.

실험예 2. 플렉서블 기판의 탈착

플렉서블 기판의 탈착여부를 실험하기 위하여, 상기 실시예 1에서 제조한 캐리어 플레이트(1)에 PI를 코팅하였다.

먼저, PAA를 합성하기 위하여, 다이안하이드라이드로 PMDA, 다이아민으로 TFDB/TFMB, 용매로 DMAC를 사용하여, 다이안하이드라이드 및 다이아민을 1.05: 1.0의 몰비로 하여, 점도값이 30cP이상 될 때까지 상온에서 반응 시켰다.

상기 합성한 PAA를 상기 실시예 1에서 제조한 캐리어 플레이트(1)의 코팅면(FW)에 캐스팅 한 후, 100 ℃에서 건조하고, 이미드화를 위해 200 ℃에서, 10분간 열처리 한 후, 350 ℃에서, 5분간 열처리 하였다.

실험 i) 상기 PI가 코팅된 캐리어 플레이트(1)의 광 조사면(BW)에 IPL을 하기의 조건으로 조사하였다: Voltage: 500V, 펄스 폭: 0.5ms, 주파수: 10 Hz, 펄스 수: 50 EA

실험 ii) 상기 PI가 코팅된 캐리어 플레이트(1)의 하면에 IPL을 하기의 조건으로 조사하였다: Voltage: 500V, 펄스 폭: 5ms, 주파수: 1 Hz, 펄스 수: 1 EA

도 11은 상기 캐리어 플레이트(1)의 플렉서블 기판(2) 코팅의 전과 후의 사진(a), 및 상기 실험 i)의 결과, 플렉서블 기판(2)이 분리가 되지 않은 사진(b) 및 상기 실험 ii)의 결과, 플렉서블 기판(2)이 분리 된 사진(c)이다.

실험결과, 상기 실험 i)의 조건의 경우, 상기 캐리어 플레이트(1)에서 플렉서블 기판(2)이 분리 되지 않은 것을 확인할 수 있었고(b), 상기 실험 ii)의 조건의 경우, 상기 캐리어 플레이트(1)에서 플렉서블 기판(2)이 분리 된 것을 확인할 수 있었다(c). 상기 IPL의 구동파형을 조절하여, 상기 플렉서블 기판(2)의 분리가 가능한 것을 확인할 수 있었다.

상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술적 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

1: 캐리어 플레이트
10 지지기판
20: 광열변환층
21: 금속층
22: 제 1 금속층
23: 버퍼층
24: 제 2 금속층
30: 보호층
FW: 코팅면
BW: 광 조사면
2: 플라스틱층
3: 전자소자층
3a: 배리어층
3b: TFT층
3c: OLED층
3d: TFE층

Claims

캐리어 플레이트를 제공하는 단계;
상기 캐리어 플레이트 상면에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;
상기 플렉서블 기판 상에 전자소자층을 형성하는 단계; 및
상기 캐리어 플레이트의 하면에 IPL(Intense pulsed light)을 조사하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계;
를 포함하고,
상기 캐리어 플레이트는 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하고, 조사된 IPL을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층; 및 상기 광열변환층 상에 위치하고, 상기 광열변환층의 표면이 노출되어 산화되는 것을 방지하는 보호층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 지지기판은 광 투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 지지기판은 유리기판 또는 석영기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 광열변환층은,
금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 5 항에 있어서,
상기 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 광열변환층은,
상기 지지기판 상에 위치하는 제 1 금속층;
상기 제 1 금속층 상에 위치하는 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 위치하는 제 2 금속층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 7 항에 있어서,
상기 광열변환층의 제 1 금속층의 두께는 제 2 금속층의 두께보다 얇고, 상기 제1 금속층과 제2 금속층은 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱(n x k)이 550nm 에서 2 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 금속층 또는 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 7 항에 있어서,
상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al₂O₃), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 보호층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al₂O₃), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판은 PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycylicolefin), 폴리노보넨(polyorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polyer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 플렉서블 전자소자는 유기발광다이오드(OLED)인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 전자소자층을 형성하는 단계는,
상기 플렉서블 기판 상에 배리어(barrier)층을 형성하는 단계;
상기 배리어층 상에 TFT(Thin Film Transistor)층을 형성하는 단계;
상기 TFT층 상에 OLED층을 형성하는 단계;
상기 OLED층 상에 TFE(Thin Film Encapsulation)층을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계는 상기 IPL의 열에너지로 인하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판이 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL의 조사는, 제논(xenon) 플래시 램프를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL조사의 펄스 폭(pulse width)은 0.1 ms 내지 10 ms인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL조사의 펄스당 에너지는 1 J/cm2 내지 15 J/ cm2인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL조사의 주파수는 1 Hz 내지 10 Hz인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL조사의 펄스 수(pulse number)는 1 개 내지 50 개인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법.
지지기판;
상기 지지기판 상에 위치하는 광열변환층(light to heat conversion; LTHC); 및
상기 광열변환층 상에 위치하는 보호층을 포함하고,
상기 보호층 상에 플렉서블 기판을 형성한 후, IPL을 조사하여 상기 플렉서블 기판을 분리할 수 있고,
상기 광열변환층은 조사된 IPL을 흡수하여 열을 발생시키고,
상기 보호층은 상기 광열변환층의 표면이 노출되어 산화되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 21 항에 있어서,
상기 지지기판은 광 투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 21 항에 있어서,
상기 지지기판은 유리기판 또는 석영기판인 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 21 항에 있어서,
상기 광열변환층은,
금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 24 항에 있어서,
상기 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 21 항에 있어서,
상기 광열변환층은,
상기 지지기판 상에 위치하는 제 1 금속층;
상기 제 1 금속층 상에 위치하는 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 위치하는 제 2 금속층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 26 항에 있어서,
상기 광열변환층의 제 1 금속층의 두께는 제 2 금속층의 두께보다 얇고, 상기 제1 금속층과 제2 금속층은 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱(n x k)이 550nm 에서 2 이상인 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 26 항에 있어서,
상기 제 1 금속층 또는 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 26 항에 있어서,
상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al₂O₃), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.
제 21 항에 있어서,
상기 보호층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al₂O₃), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트.