KR102290572B1

KR102290572B1 - Printed wiring board

Info

Publication number: KR102290572B1
Application number: KR1020150023589A
Authority: KR
Inventors: 시게오 나카무라; 겐진 마고
Original assignee: 아지노모토 가부시키가이샤
Priority date: 2014-02-19
Filing date: 2015-02-16
Publication date: 2021-08-19
Also published as: CN113068320A; JP2015154064A; TW201941670A; TWI674043B; CN113038700A; CN104853538A; TWI708528B; KR20150098216A; KR20210100574A; KR102572916B1; KR20220144351A; JP6761224B2; TW201540138A

Abstract

[과제] 부품의 실장 공정에서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 박형의 프린트 배선판을 제공한다.
[해결 수단] 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 포함하는 프린트 배선판으로서, 제1 솔더 레지스트 층의 두께를 t₁(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₁(GPa)로 하고, 제2 솔더 레지스트 층의 두께를 t₂(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₂(GPa)로 하고, 프린트 배선판의 두께를 Z(㎛)로 할 때, 하기 조건 (1) 내지 (3):
(1) Z ≤ 250;
(2) (t₁＋t₂)/Z ≥ 0.1; 및
(3) G₁×[t₁/(t₁＋t₂)]＋G₂×[t₂/(t₁＋t₂)] ≥ 6
을 만족시키고, G₁이 6 이상인, 프린트 배선판.[Problem] To provide a thin printed wiring board capable of suppressing warpage in the component mounting process.
[Solution Means] A printed wiring board including first and second solder resist layers, wherein the thickness of the first solder resist layer is t ₁ (μm), the elastic modulus (23° C.) after curing is G ₁ (GPa), 2 When the thickness of the solder resist layer is t ₂ (μm), the elastic modulus (23° C.) after curing is G ₂ (GPa), and the thickness of the printed wiring board is Z (μm), the following conditions (1) to (3) ):
(1) Z ≤ 250;
(2) (t ₁ +t ₂ )/Z ≥ 0.1; and
(3) G ₁ ×[t ₁ /(t ₁ +t ₂ )]+G ₂ ×[t ₂ /(t ₁ +t ₂ )] ≥ 6
is satisfied, and G ₁ is 6 or more, a printed wiring board.

Description

프린트 배선판 {PRINTED WIRING BOARD}Printed wiring board {PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은 프린트 배선판에 관한 것이다.The present invention relates to a printed wiring board.

프린트 배선판의 최외층에는, 반도체 칩(이하, 「부품」이라고도 함)의 실장공정에서 땜납이 불필요한 부분에 부착하는 것을 방지하는 동시에, 회로 기판이 부식되는 것을 방지하기 위해, 통상, 보호막으로서 솔더 레지스트 층이 제공된다. 솔더 레지스트 층은, 일반적으로, 회로 기판 위에 광경화성 수지 조성물의 층을 제공하고, 당해 층을 노광·현상하여 형성된다(예를 들어, 특허문헌 1).In the outermost layer of a printed wiring board, in order to prevent solder from adhering to unnecessary parts in the mounting process of a semiconductor chip (hereinafter also referred to as "components") and to prevent corrosion of the circuit board, a solder resist is usually used as a protective film layers are provided. Generally, a soldering resist layer provides the layer of a photocurable resin composition on a circuit board, exposes and develops the said layer, and is formed (for example, patent document 1).

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개2009-258613호Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-258613

최근의 함납 땜납으로부터 납 프리 땜납으로의 대체에 따라, 부품의 실장 공정에서의 땜납 리플로우 온도는 상승하고 있다. 또한 최근, 전자 기기의 소형화를 달성하기 위해, 프린트 배선판을 더욱 박형화하는 것이 진행되고 있다.With the recent replacement from solder-containing solder to lead-free solder, the solder reflow temperature in the component mounting process is rising. Moreover, in order to achieve size reduction of an electronic device, further thinning of a printed wiring board is progressing in recent years.

프린트 배선판의 박형화가 진행됨에 따라, 부품의 실장 공정에서 프린트 배선판에 휘어짐이 발생하여, 회로 변형이나 부품의 접촉 불량 등의 문제가 생기는 것을 본 발명자들은 발견하였다.As the thickness of the printed wiring board progresses, the inventors of the present invention have found that warpage occurs in the printed wiring board in the component mounting process, resulting in problems such as circuit deformation and poor contact of components.

본 발명은, 부품의 실장 공정에서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 박형의 프린트 배선판을 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a thin printed wiring board capable of suppressing warpage in the component mounting process.

본 발명자들은, 상기 과제에 대해 예의 검토한 결과, 특정한 두께와 탄성율을 갖는 2개의 솔더 레지스트 층을 조합하여 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining the said subject, the present inventors discovered that the said subject could be solvable by using combining two soldering resist layers which have specific thickness and elastic modulus, and came to complete this invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 포함하는 프린트 배선판으로서,[1] A printed wiring board comprising first and second solder resist layers, comprising:

제1 솔더 레지스트 층의 두께를 t₁(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₁(GPa)로 하고, 제2 솔더 레지스트 층의 두께를 t₂(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₂(GPa)로 하고, 프린트 배선판의 두께를 Z(㎛)로 할 때, 하기 조건 (1) 내지 (3):Let the thickness of the first solder resist layer be t ₁ (μm) and the elastic modulus (23° C.) after curing be G ₁ (GPa), the thickness of the second solder resist layer to be t ₂ (μm), and the elastic modulus after curing (23° C.) ) is G ₂ (GPa) and the thickness of the printed wiring board is Z (μm), the following conditions (1) to (3):

(1) Z ≤ 250;(1) Z ≤ 250;

(2) (t₁＋t₂)/Z ≥ 0.1; 및(2) (t ₁ +t ₂ )/Z ≥ 0.1; and

(3) G₁×[t₁/(t₁＋t₂)]＋G₂×[t₂/(t₁＋t₂)] ≥ 6(3) G ₁ ×[t ₁ /(t ₁ +t ₂ )]+G ₂ ×[t ₂ /(t ₁ +t ₂ )] ≥ 6

을 만족시키고, G₁이 6 이상인, 프린트 배선판.is satisfied, and G ₁ is 6 or more, a printed wiring board.

[2] [1]에 있어서, 제1 솔더 레지스트 층의 경화 후의 유리 전이 온도(Tg)가 150℃ 이상인, 프린트 배선판.[2] The printed wiring board as described in [1] whose glass transition temperature (Tg) after hardening of a 1st soldering resist layer is 150 degreeC or more.

[3] [1] 또는 [2]에 있어서, 제1 솔더 레지스트 층이, 무기 충전재 함유량이 60질량% 이상인 수지 조성물을 경화하여 형성되는, 프린트 배선판.[3] The printed wiring board according to [1] or [2], wherein the first solder resist layer is formed by curing the resin composition having an inorganic filler content of 60% by mass or more.

[4] [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 있어서, 조건 (2)에 대해, 0.1 ≤ (t₁＋t₂)/Z ≤ 0.5인, 프린트 배선판.[4] The printed wiring board according to any one of [1] to [3], wherein, for condition (2), 0.1 ≤ (t ₁ +t ₂ )/Z ≤ 0.5.

[5］[1] 내지 [4] 중 어느 하나에 있어서, G₂가 6 이상인, 프린트 배선판.[5] The printed wiring board according to any one of [1] to [4], wherein G ₂ is 6 or more.

[6] [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 제1 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(200℃)을 G₁'(GPa), 제2 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(200℃)을 G₂'(GPa)로 할 때, 하기 조건 (4):[6] The modulus of elasticity after curing of the first solder resist layer (200° C.) is G ₁ ′ (GPa), and the modulus of elasticity after curing of the second solder resist layer (200° C.) according to any one of [1] to [5] When is G ₂ '(GPa), the following condition (4):

(4) G₁'×[t₁/(t₁＋t₂)]＋G₂'×[t₂/(t₁＋t₂)] ≥ 0.2(4) G ₁ '×[t ₁ /(t ₁ +t ₂ )]+G ₂ '×[t ₂ /(t ₁ +t ₂ )] ≥ 0.2

를 추가로 만족시키는, 프린트 배선판.A printed wiring board that further satisfies the

[7] [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판을 포함하는 반도체 장치.[7] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to any one of [1] to [6].

[8] 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층용 수지 시트 세트로서,[8] A resin sheet set for a solder resist layer of a printed wiring board, comprising:

제1 지지체와, 당해 제1 지지체와 접합하고 있는 제1 수지 조성물 층을 포함하는 제1 수지 시트와,A first resin sheet comprising a first support and a first resin composition layer bonded to the first support;

제2 지지체와, 당해 제2 지지체와 접합하고 있는 제2 수지 조성물 층을 포함하는 제2 수지 시트를 포함하고,A second resin sheet comprising a second support and a second resin composition layer bonded to the second support,

제1 수지 조성물 층의 두께를 t_1p(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₁(GPa)로 하고, 제2 수지 조성물 층의 두께를 t_2p(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₂(GPa)로 하고, 프린트 배선판의 두께를 Z(㎛)로 할 때, 하기 조건 (1') 내지 (3'):Let the thickness of the first resin composition layer be t _1p (μm), the modulus of elasticity after curing (23° C.) as G ₁ (GPa), the thickness of the second resin composition layer as t _2p (μm), and the modulus of elasticity after curing (23° C.) ) is G ₂ (GPa) and the thickness of the printed wiring board is Z (μm), the following conditions (1') to (3'):

(1') Z ≤ 250;(1') Z ≤ 250;

(2') (t_1p＋t_2p)/Z ≥ 0.1; 및(2') (t _1p +t _2p )/Z ≥ 0.1; and

(3') G₁×[t_1p/(t_1p＋t_2p)]＋G₂×[t_2p/(t_1p＋t_2p)] ≥ 6(3') G ₁ ×[t _1p /(t _1p +t _2p )]+G ₂ ×[t _2p /(t _1p +t _2p )] ≥ 6

을 만족시키고, G₁이 6 이상인, 수지 시트 세트.is satisfied, and G ₁ is 6 or more, a resin sheet set.

본 발명에 의하면, 부품의 실장 공정에서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 박형의 프린트 배선판을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the thin printed wiring board which can suppress the curvature in the mounting process of a component can be provided.

[프린트 배선판][Printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판은, 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 포함하고, 제1 솔더 레지스트 층의 두께를 t₁(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₁(GPa)로 하고, 제2 솔더 레지스트 층의 두께를 t₂(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₂(GPa)로 하고, 프린트 배선판의 두께를 Z(㎛)로 할 때, 하기 조건 (1) 내지 (3):The printed wiring board of the present invention includes the first and second solder resist layers, the thickness of the first solder resist layer is t ₁ (μm), the elastic modulus (23° C.) after curing is G ₁ (GPa), 2 When the thickness of the solder resist layer is t ₂ (μm), the elastic modulus (23° C.) after curing is G ₂ (GPa), and the thickness of the printed wiring board is Z (μm), the following conditions (1) to (3) ):

(1) Z ≤ 250;(1) Z ≤ 250;

(2) (t₁＋t₂)/Z ≥ 0.1; 및(2) (t ₁ +t ₂ )/Z ≥ 0.1; and

을 만족시키고, G₁이 6 이상인 것을 특징으로 한다.is satisfied, and G ₁ is 6 or more.

이러한 특정의 두께와 탄성율을 갖는 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 조합하여 포함하는 본 발명의 프린트 배선판은, 높은 땜납 리플로우 온도를 채용하는 부품의 실장 공정에서도 휘어짐을 억제할 수 있고, 회로 변형이나 부품의 접촉 불량 등의 문제의 발생을 억제할 수 있다.The printed wiring board of the present invention including the first and second solder resist layers having such a specific thickness and elastic modulus in combination can suppress warpage even in the mounting process of components employing a high solder reflow temperature, and circuit deformation It is possible to suppress the occurrence of problems such as poor contact of parts and components.

- 조건 (1) -- Condition (1) -

조건 (1)은, 본 발명의 프린트 배선판의 두께 Z(㎛)에 관한 것이다. 프린트 배선판의 두께 Z란, 회로 기판과, 당해 회로 기판의 양측에 제공된 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 포함하는 프린트 배선판 전체의 두께를 말한다. 본 발명의 프린트 배선판의 두께(Z)는, 박형화의 관점에서, 250㎛ 이하이고, 바람직하게는 240㎛ 이하, 보다 바람직하게는 230㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 220㎛ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 210㎛ 이하, 특히 바람직하게는 200㎛ 이하, 190㎛ 이하, 180㎛ 이하, 170㎛ 이하, 160㎛ 이하 또는 150㎛ 이하이다. 본 발명의 프린트 배선판에서는, 이와 같이 두께가 얇은 경우라도, 실장 공정에서의 휘어짐을 억제할 수 있다. 두께(Z)의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 20㎛ 이상, 또는 30㎛ 이상으로 할 수 있다.Condition (1) relates to the thickness Z (micrometer) of the printed wiring board of this invention. The thickness Z of a printed wiring board means the thickness of the whole printed wiring board containing a circuit board and the 1st and 2nd soldering resist layer provided on the both sides of the said circuit board. The thickness Z of the printed wiring board of the present invention is 250 µm or less, preferably 240 µm or less, more preferably 230 µm or less, still more preferably 220 µm or less, still more preferably from the viewpoint of reducing the thickness. 210 µm or less, particularly preferably 200 µm or less, 190 µm or less, 180 µm or less, 170 µm or less, 160 µm or less, or 150 µm or less. In the printed wiring board of this invention, even when thickness is thin in this way, the curvature in a mounting process can be suppressed. Although the lower limit of the thickness Z is not specifically limited, Usually, it can be 20 micrometers or more, or 30 micrometers or more.

- 조건 (2) -- Condition (2) -

조건 (2)는, 본 발명의 프린트 배선판에 포함되는 제1 및 제2 솔더 레지스트 층의 두께 t₁(㎛) 및 t₂(㎛)에 관한 것이다. 여기서, 제1 및 제2 솔더 레지스트 층의 두께 t₁(㎛) 및 t₂(㎛)는, 회로 기판의 베이스면(회로 기판의 표면 중, 표면 회로가 없는 부분)으로부터의 두께이다. 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제하는 관점에서, 프린트 배선판의 두께 Z에 대한 제1 및 제2 솔더 레지스트 층의 두께의 합(t₁＋t₂)의 비, 즉 (t₁＋t₂)/Z 비는 0.1 이상이고, 조건 (3)의 우변의 값에도 따르지만, 바람직하게는 0.15 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 0.22 이상, 0.24이상, 0.26 이상, 0.28 이상 또는 0.3 이상이다. (t₁＋t₂)/Z 비의 상한은, 소기의 배선 밀도를 갖는 프린트 배선판을 수득하는 관점에서, 바람직하게는 0.5 이하, 보다 바람직하게는 0.45 이하, 더욱 바람직하게는 0.4 이하, 0.39 이하, 0.38 이하, 0.37 이하, 0.36 이하, 0.36 이하 또는 0.34 이하이다.Condition (2), to a first and a second thickness t ₁ of the solder resist layer (㎛) and t ₂ (㎛) contained in the printed wiring board of the present invention. _{Here, thickness t 1} (micrometer) and t ₂ (micrometer) of a 1st and 2nd soldering resist layer are thicknesses from the base surface (part without a surface circuit among the surfaces of a circuit board) of a circuit board. From the viewpoint of suppressing warpage of the printed wiring board in the mounting process, the ratio of the sum (t ₁ +t ₂ ) of the thicknesses of the first and second solder resist layers to the thickness Z of the printed wiring board, that is, (t ₁ +t ₂ )/ The Z ratio is 0.1 or more and also depends on the value on the right side of condition (3), but is preferably 0.15 or more, more preferably 0.2 or more, 0.22 or more, 0.24 or more, 0.26 or more, 0.28 or more, or 0.3 or more. The upper limit of the (t ₁ +t ₂ )/Z ratio is preferably 0.5 or less, more preferably 0.45 or less, still more preferably 0.4 or less, 0.39 or less, from the viewpoint of obtaining a printed wiring board having a desired wiring density; 0.38 or less, 0.37 or less, 0.36 or less, 0.36 or less, or 0.34 or less.

제1 솔더 레지스트 층의 두께 t₁는, 상기 특정의 (t₁＋t₂)/Z 비를 만족시키는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 15㎛ 이상, 20㎛ 이상 또는 25㎛ 이상이다. 두께 t₁의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 상기 특정의 (t₁＋t₂)/Z 비를 만족시키는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 120㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 80㎛ 이하, 70㎛ 이하, 60㎛ 이하, 50㎛ 이하, 40㎛ 이하 또는 30㎛ 이하이다. _{The thickness t 1} of the first solder resist layer is not particularly limited as long as the above specific (t ₁ +t ₂ )/Z ratio is satisfied, but is preferably 5 µm or more, more preferably 10 µm or more, still more preferably is 15 µm or more, 20 µm or more, or 25 µm or more. The upper limit of the thickness t ₁ is not particularly limited, but is not particularly limited as long as the above specific (t ₁ +t ₂ )/Z ratio is satisfied, but is preferably 120 μm or less, more preferably 100 μm or less, and still more preferably It is preferably 80 μm or less, 70 μm or less, 60 μm or less, 50 μm or less, 40 μm or less, or 30 μm or less.

제2 솔더 레지스트 층의 두께 t₂는, 상기 특정의 (t₁＋t₂)/Z 비를 만족시키는 한 특별히 한정되지 않으며, 제1 솔더 레지스트 층의 두께 t₁과 프린트 배선판의 두께 Z를 고려하여 결정하면 좋다. 제2 솔더 레지스트 층의 두께 t₂의 상한은, 통상, 120㎛ 이하 또는 100㎛ 이하로 할 수 있고, 두께 t₂의 하한은, 통상, 5㎛ 이상 또는 10㎛ 이상으로 할 수 있다. _{The thickness t 2} of the second solder resist layer is not particularly limited as long as it satisfies the specific (t ₁ +t ₂ _{)/Z ratio, and considering the thickness t 1} of the first solder resist layer and the thickness Z of the printed wiring board, It's good to decide The second upper limit of the thickness t ₂ of the solder resist layer is, usually, may be less than or more than 100㎛ 120㎛, the lower limit of the thickness t is _2, may be a conventional, over 5㎛ 10㎛ or more.

- 조건 (3) -- Condition (3) -

조건 (3)은, 본 발명의 프린트 배선판에 포함되는 제1 및 제2 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(23℃)에 관한 것이다. 제1 및 제2 솔더 레지스트 층은, 후술하는 바와 같이, 수지 조성물을 경화하여 형성된다. 경화 후의 탄성율(23℃)이란, 수지 조성물을 경화시킨 후의, 23℃에서의 솔더 레지스트 층의 탄성율을 나타낸다. 제1 및 제2 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(23℃)을 각각 G₁(GPa) 및 G₂(GPa)로 할 때, 식: G₁×[t₁/(t₁＋t₂)]＋G₂×[t₂/(t₁＋t₂)]의 값(이하, 「G₁ 및 G₂의 두께 가중 평균값」이라고도 함)은, 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제하는 관점에서, 6 이상이고, 바람직하게는 6.2 이상, 보다 바람직하게는 6.4 이상, 더욱 바람직하게는 6.6 이상, 보다 더욱 바람직하게는 6.8 이상이다. G₁ 및 G₂의 두께 가중 평균값이 6.8 이상이면, 프린트 배선판의 두께 Z가 200㎛ 이하로 더욱 얇은 경우라도, 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제할 수 있다. G₁ 및 G₂의 두께 가중 평균값은, 프린트 배선판의 두께 Z를 작게 하면서 (t₁＋t₂)/Z 비를 더욱 낮게 하는 경우라도 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제할 수 있는 관점에서, 7 이상, 7.5 이상, 8 이상, 8.5 이상, 9 이상, 9.5 이상, 10 이상, 10.5 이상, 11 이상, 11.5 이상, 12 이상, 12.5 이상 또는 13 이상인 것이 특히 바람직하다. G₁ 및 G₂의 두께 가중 평균값의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 40 이하, 30 이하 등으로 할 수 있다. 제1 및 제2 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(23℃)은 인장 시험기를 사용하여 인장 가중법에 의해 23℃에서 측정할 수 있다. 인장 시험기로서는, 예를 들어, (주)오리엔테크 제조 「RTC-1250A」를 들 수 있다.Condition (3) relates to the elastic modulus (23 degreeC) after hardening of the 1st and 2nd soldering resist layer contained in the printed wiring board of this invention. A 1st and 2nd soldering resist layer hardens and forms a resin composition so that it may mention later. The elastic modulus (23 degreeC) after hardening shows the elastic modulus of the soldering resist layer in 23 degreeC after hardening a resin composition. The first and when the second to cure after modulus each G ₁ a (23 ℃) (GPa) and G ₂ (GPa) of the solder resist layer, the _{_{formula: G 1 × [t 1 /}} (t 1 + t 2)] + G _{The value of 2} × [t ₂ /(t ₁ +t ₂ )] (hereinafter _{also referred to as “thickness weighted average value of G 1} and G ₂ ”) is 6 or more from the viewpoint of suppressing warpage of the printed wiring board in the mounting process. and preferably 6.2 or more, more preferably 6.4 or more, still more preferably 6.6 or more, and still more preferably 6.8 or more. When _{the thickness-weighted average of G 1} and G ₂ is 6.8 or more, warpage of the printed wiring board in the mounting step can be suppressed even when the printed wiring board has a thinner thickness Z of 200 µm or less. The thickness-weighted average value of G ₁ and G ₂ is from the viewpoint of suppressing the warpage of the printed wiring board in the mounting process even when _{the (t 1} +t _{2 )/Z ratio is further lowered while reducing the thickness Z of the printed wiring board.} It is especially preferable that it is 7 or more, 7.5 or more, 8 or more, 8.5 or more, 9 or more, 9.5 or more, 10 or more, 10.5 or more, 11 or more, 11.5 or more, 12 or more, 12.5 or more, or 13 or more. The upper limit of the thickness-weighted average of the G ₁ and G _2, can be made not particularly limited, but usually 40 or less, 30 or less or the like. The elastic modulus (23°C) after curing of the first and second solder resist layers can be measured at 23°C by a tensile weighting method using a tensile tester. As a tensile tester, "RTC-1250A" manufactured by Orientech Co., Ltd. is mentioned, for example.

제1 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(23℃), 즉 G₁(GPa)은 6 이상이다. G₁의 값은, 6 이상이고 또한 G₁ 및 G₂의 두께 가중 평균값이 상기 특정의 범위에 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점에서, 바람직하게는 6.2 이상, 보다 바람직하게는 6.4 이상, 더욱 바람직하게는 6.6 이상, 보다 더 바람직하게는 6.8 이상, 특히 바람직하게는 7 이상, 7.5 이상, 8 이상, 8.5 이상, 9 이상, 9.5 이상, 10 이상, 10.5 이상, 11 이상, 11.5 이상, 12 이상, 12.5 이상 또는 13 이상이다. G₁의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 40 이하, 30 이하 등으로 할 수 있다.The elastic modulus (23°C) after curing of the first solder resist layer, that is, G ₁ (GPa) is 6 or more. _{The value of G 1} is not particularly limited as long as the value of G ₁ is 6 or more and the thickness-weighted average value of G 1 and G ₂ is within the specified range. From the viewpoint of sufficiently suppressing warpage of the printed wiring board in the mounting process, it is preferably 6.2 or more, more preferably 6.4 or more, still more preferably 6.6 or more, still more preferably 6.8 or more, particularly preferably 7 or more, 7.5 or more, 8 or more, 8.5 or more, 9 or more, 9.5 or more, 10 or more, 10.5 or more, 11 or more, 11.5 or more, 12 or more, 12.5 or more, or 13 or more. Although the upper limit of G<_1> is not specifically limited, Usually, it can be 40 or less, 30 or less, etc.

제2 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(23℃), 즉 G₂(GPa)는, G₁ 및 G₂의 두께 가중 평균값이 상기 특정의 범위에 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, G₂의 값은, G₁ 및 G₂의 두께 가중 평균값이 상기 특정의 범위에 있는 한에서, 1 내지 30의 범위에서 결정하면 좋다. 프린트 배선판의 두께 Z를 작게 하면서 (t₁＋t₂)/Z 비를 더욱 낮게 하는 경우라도 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 용이하게 억제할 수 있는 관점에서, G₂의 값은 6 이상인 것이 특히 바람직하다.Second _two-modulus after curing of the solder resist layer (23 ℃), i.e. G (GPa) is the G ₁ and G ₂ in the thickness weighted average value is not a particular limitation on the scope of the particular. For example, the value of G is _2, the average thickness of the weight G ₁ and G ₂ in as far as the range of the predetermined, may be determined in the range of 1 to 30. _{Even when the (t 1} +t ₂ )/Z ratio is further lowered while reducing the thickness Z of the printed wiring board, from the viewpoint of easily suppressing the warpage of the printed wiring board in the mounting process, _{the value of G 2} is particularly preferably 6 or more. desirable.

실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 더욱 억제할 수 있는 관점에서, 제1 및 제2 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(200℃)을 각각 G₁'(GPa) 및 G₂'(GPa)로 할 때, 하기 조건 (4):From the viewpoint of further suppressing the warpage of the printed wiring board in the mounting process, the elastic modulus (200° C.) after curing of the first and second solder resist layers is set to G ₁ ′ (GPa) and G ₂ ′ (GPa), respectively. When, the following conditions (4):

를 만족시키는 것이 바람직하다.It is desirable to satisfy

G₁'×[t₁/(t₁＋t₂)]＋G₂'×[t₂/(t₁＋t₂)]의 값(이하, 「G₁' 및 G₂'의 두께 가중 평균값」이라고도 함)은, 0.22 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.24 이상인 것이 더욱 바람직하다. G1' 및 G2'의 두께 가중 평균값이 0.24 이상이면, 프린트 배선판의 두께 Z가 200㎛ 이하로 더욱 얇은 경우라도, 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제할 수 있다. G₁' 및 G₂'의 두께 가중 평균값은, 프린트 배선판의 두께 Z를 작게 하면서 (t₁＋t₂)/Z 비를 더욱 낮게 하는 경우라도 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제할 수 있는 관점에서, 0.3 이상, 0.4 이상, 0.5 이상, 0.6 이상, 0.7 이상, 0.8 이상, 0.9 이상, 1.0 이상, 1.1 이상, 1.2 이상, 1.3 이상 또는 1.4 이상인 것이 특히 바람직하다. G₁' 및 G₂'의 두께 가중 평균값의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 15 이하, 10 이하 등으로 할 수 있다. 또한, 경화 후의 탄성율(200℃)이란, 수지 조성물을 경화시킨 후의, 200℃에서의 솔더 레지스트 층의 탄성율을 나타내고, 인장 시험기를 사용하여 인장 가중법에 의해 200℃에서 측정할 수 있다.The value of G ₁ '×[t ₁ /(t ₁ +t ₂ )]+G ₂ '×[t ₂ /(t ₁ +t ₂ )] (hereinafter also referred to as “thickness-weighted average of _{G 1} ’ and G _{2 ’)} ) is more preferably 0.22 or more, and still more preferably 0.24 or more. When the thickness-weighted average of G1' and G2' is 0.24 or more, warpage of the printed wiring board in the mounting process can be suppressed even when the printed wiring board has a thinner thickness Z of 200 µm or less. The thickness-weighted average value of G ₁ ' and G ₂ ' is from a viewpoint that the warpage of the printed wiring board in the mounting process can be suppressed even when _{the (t 1} +t ₂ )/Z ratio is further lowered while the thickness Z of the printed wiring board is reduced. , 0.3 or more, 0.4 or more, 0.5 or more, 0.6 or more, 0.7 or more, 0.8 or more, 0.9 or more, 1.0 or more, 1.1 or more, 1.2 or more, 1.3 or more, or 1.4 or more. The upper limit of the average thickness of the weight G ₁ 'and G _2', can be made is not particularly limited, usually 15 or less, 10 or less or the like. In addition, the elastic modulus (200 degreeC) after hardening shows the elasticity modulus of the soldering resist layer in 200 degreeC after hardening a resin composition, and can measure at 200 degreeC by the tensile weighting method using a tensile tester.

제1 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(200℃), 즉 G₁'(GPa)은, 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점에서, 0.2 이상인 것이 바람직하고, 0.22 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.24 이상인 것이 더욱 바람직하고, 0.3 이상, 0.4 이상, 0.5 이상, 0.6 이상, 0.7 이상, 0.8 이상, 0.9 이상, 1.0 이상, 1.1 이상, 1.2 이상, 1.3 이상 또는 1.4 이상인 것이 특히 바람직하다. G₁'의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 15 이하, 10 이하 등으로 할 수 있다.The elastic modulus (200° C.) after curing of the first solder resist layer, that is, G ₁ '(GPa), is preferably 0.2 or more, more preferably 0.22 or more, from the viewpoint of sufficiently suppressing warpage of the printed wiring board in the mounting process. , more preferably 0.24 or more, and particularly preferably 0.3 or more, 0.4 or more, 0.5 or more, 0.6 or more, 0.7 or more, 0.8 or more, 0.9 or more, 1.0 or more, 1.1 or more, 1.2 or more, 1.3 or more, or 1.4 or more. The upper limit of the G ₁ 'is not particularly limited, and can be a conventional, 15 or less, 10 or less or the like.

제2 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(200℃), 즉 G₂'(GPa)는, G₁'과의 관계에 있어서 G₁'및 G₂'의 두께 가중 평균값이 상기 특정의 범위가 되도록 하는 값인 것이 바람직하다. 예를 들어, G₂'의 값은 G₁' 및 G₂'의 두께 가중 평균값이 상기 특정의 범위에 있는 한에서 0.1 내지 10의 범위에 있는 것이 바람직하다. 프린트 배선판의 두께 Z를 작게 하면서 (t₁＋t₂)/Z 비를 더욱 낮게 하는 경우라도 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 용이하게 억제할 수 있는 관점에서, G₂'의 값은 0.2 이상인 것이 특히 바람직하다.The second modulus of elasticity after curing of the solder resist layer (200 ℃), i.e., G ₂ '(GPa) is, G _1', which in the relationship with the average value weighted thickness of G ₁ 'and G _2' so that the range of the specific It is preferably a value. For example, G ₂ 'is the value of G _1' is preferred that the weighted mean value of the thickness and G ₂ 'is in the range of 0.1 to 10 in which the range of the specific. _{Even when the (t 1} +t ₂ )/Z ratio is further lowered while reducing the thickness Z of the printed wiring board, from the viewpoint of easily suppressing the warpage of the printed wiring board in the mounting process, _{the value of G 2} ' should be 0.2 or more. Especially preferred.

상기 조건 (1), (2) 및 (3)을 만족시키는 본 발명의 프린트 배선판에 있어서는, 높은 땜납 리플로우 온도를 채용하는 실장 공정에서도 휘어짐을 억제할 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 피크 온도가 260℃로 높은 땜납 리플로우 온도를 채용하는 실장 공정에 있어서, 프린트 배선판의 휘어짐을 50㎛ 이하로 억제할 수 있다. 본 발명에 있어서, 프린트 배선판의 휘어짐은, 프린트 배선판 중앙의 25mm 각 부분의 휘어짐 거동을 쉐도우 모아레 장치로 관찰했을 때의, 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차의 값이다. 측정시에는, IPC/JEDEC J-STD-020C(「Moisture/Reflow Sensitivity Classification For Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices」, 2004년 7월)에 기재된 리플로우 온도 프로파일(납 프리 어셈블리용 프로파일; 피크 온도 260℃, 25℃부터 피크 온도까지의 승온 소요 시간 5분간)을 재현하는 리플로우 장치에 프린트 배선판을 1회 통과시킨 후, 상기 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 프린트 배선판의 한 면을 가열 처리하고, 프린트 배선판의 다른 쪽 면에 제공한 격자선에 대해 변위 데이터를 구하였다. 또한, 리플로우 장치로서는, 예를 들어, 니혼 안토무(주) 제조 「HAS-6116」을 들 수 있고, 쉐도우 모아레 장치로서는, 예를 들어, Akrometrix 제조 「Thermoire AXP」를 들 수 있다. 조건 (3)에서의 우변의 값을 상기의 적합한 값으로 함으로써, 프린트 배선판의 두께 Z를 작게 하면서 (t₁＋t₂)/Z 비를 더욱 낮게 하는 경우라도 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 48㎛ 이하, 46㎛ 이하, 44㎛ 이하, 42㎛ 이하 또는 40㎛ 이하로까지 억제할 수 있다.In the printed wiring board of the present invention that satisfies the above conditions (1), (2) and (3), warpage can be suppressed even in the mounting process employing a high solder reflow temperature. In one embodiment, the printed wiring board of this invention can suppress the curvature of a printed wiring board to 50 micrometers or less in the mounting process employ|adopting the solder reflow temperature as high as 260 degreeC of peak temperature. In the present invention, the warpage of the printed wiring board is a value of the difference between the maximum height and the minimum height of the displacement data when the warpage behavior of each 25 mm portion in the center of the printed wiring board is observed with a shadow moiré device. During measurement, the reflow temperature profile (profile for lead-free assembly; peak temperature of 260°C) described in IPC/JEDEC J-STD-020C (“Moisture/Reflow Sensitivity Classification For Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices”, July 2004) , after passing the printed wiring board once through a reflow device that reproduces the temperature increase time from 25° C. to the peak temperature for 5 minutes), the reflow temperature profile in accordance with the IPC/JEDEC J-STD-020C One side was heat-treated, and displacement data were obtained for the grid lines provided on the other side of the printed wiring board. Moreover, as a reflow apparatus, Nippon Antomu Co., Ltd. product "HAS-6116" is mentioned, for example, As a shadow moire apparatus, the Akrometrix product "Thermoire AXP" is mentioned, for example. By setting the value on the right side in condition (3) to the above suitable value, the warpage of the printed wiring board in the mounting process _{can be reduced even when the (t 1} +t _{2 )/Z ratio is further lowered while reducing the thickness Z of the printed wiring board.} It can be suppressed down to a micrometer or less, 46 micrometers or less, 44 micrometers or less, 42 micrometers or less, or 40 micrometers or less.

[프린트 배선판의 솔더 레지스트 층용 수지 시트 세트][Resin sheet set for solder resist layer of printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판은 특정한 두께 및 탄성율을 갖는 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 회로 기판의 양면에 제공하여 제조할 수 있다.The printed wiring board of the present invention can be manufactured by providing first and second solder resist layers having a specific thickness and elastic modulus on both surfaces of the circuit board.

이하, 본 발명의 프린트 배선판을 제조할 때에 적합하게 사용할 수 있는 1세트의 수지 시트(「수지 시트 세트」라고도 함)에 대해 설명한다.Hereinafter, when manufacturing the printed wiring board of this invention, one set of resin sheets (also called "resin sheet set") which can be used suitably is demonstrated.

본 발명의 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층용 수지 시트 세트는,The resin sheet set for soldering resist layers of the printed wiring board of this invention,

(1') Z ≤ 250;(1') Z ≤ 250;

(2') (t_1p＋t_2p)/Z ≥ 0.1; 및(2') (t _1p +t _2p )/Z ≥ 0.1; and

이러한 수지 시트 세트를 사용하여 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 형성함으로써, 조건 (1), (2) 및 (3)을 만족시키는 본 발명의 프린트 배선판을 간편하게 제조할 수 있다.By forming the 1st and 2nd soldering resist layers using such a resin sheet set, the printed wiring board of this invention which satisfy|fills conditions (1), (2), and (3) can be manufactured simply.

조건 (1')은 상기 조건 (1)과 대응한다. Z의 적합한 범위는 조건 (1)에 대해 설명한 바와 같다.Condition (1') corresponds to condition (1) above. Suitable ranges for Z are as described for condition (1).

조건 (2')는 상기 조건 (2)와 대응한다. 회로 기판 위에 수지 조성물 층을 적층하여 솔더 레지스트 층을 형성하는 경우, 회로 기판의 표면 회로의 존재에 기인하여, 통상, 수득되는 솔더 레지스트 층의 두께는 수지 조성물 층의 두께보다 두꺼워진다. 따라서 조건 (2')를 만족시킴으로써, 회로 기판의 표면 회로의 두께나 표면 회로의 밀도에 의하지 않고, 조건 (2)를 용이하게 만족시킬 수 있다. 조건 (2')에 있어서, (t_1p＋t_2p)/Z 비의 적합한 범위를 결정할 때에는, 조건 (2)에서의 「t₁」및 「t₂」를 각각 「t_1p」 및 「t_2p」로 바꿔 읽어서 적용할 수 있다. 마찬가지로, t_1p 및 t_2p의 적합한 범위를 결정할 때에는, 상기 조건 (2)에 부수되어서 설명한 t₁ 및 t₂의 적합한 범위의 설명에서, 「t₁」및 「t₂」를 각각 「t_1p」 및 「t_2p」로 바꿔 읽어서 적용할 수 있다. 또한, t_1p 및 t_2p의 결정시에는, 이들이 회로 기판의 표면 회로의 두께와 동일하거나 더 두꺼워지도록 결정하는 것이 바람직하다.Condition (2') corresponds to condition (2) above. When forming a solder resist layer by laminating|stacking a resin composition layer on a circuit board, it originates in the presence of a surface circuit of a circuit board, and normally the thickness of the soldering resist layer obtained becomes thicker than the thickness of a resin composition layer. Therefore, by satisfying the condition (2'), the condition (2) can be easily satisfied regardless of the thickness of the surface circuits of the circuit board or the density of the surface circuits. In condition (2'), _{when determining a suitable range of (t 1p} + t _2p )/Z ratio, “t ₁ ” and “t ₂ ” in _{condition (2) are replaced with} “t 1p ” and “t _2p ”, respectively can be read and applied. Similarly, _{when determining the suitable ranges of t 1p} and t _2p , in the description of the suitable ranges of _{t 1} and t ₂ described in conjunction with the above condition (2) _{, “t 1} ” and “t ₂ ” are respectively _{replaced with} “t 1p” and “t _2p ” can be read and applied. Further, _{in determining t 1p} and t _2p , it is preferable to determine so that they are equal to or thicker than the thickness of the surface circuit of the circuit board.

조건 (3')은 상기 조건 (3)과 대응한다. 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(23℃)이, 솔더 레지스트 층을 구성하는 것에 사용한 수지 조성물의 경화 후의 탄성율(23℃)을 나타내는 것은 앞서 기술한 바와 같고, G₁ 및 G₂의 적합한 범위는 조건 (3)에 대해 설명한 바와 같다. 또한, 조건 (3')의 우변의 값의 적합한 범위는 조건 (3)에 대해 기재한 바와 같다.Condition (3') corresponds to condition (3) above. It is as described above that the elastic modulus (23° C.) after curing of the solder resist layer represents the elastic modulus (23° C.) after curing of the resin composition used for constituting the solder resist layer, and the suitable ranges of _{G 1} and G _{2 are conditions} It is the same as described for (3). In addition, suitable ranges of the values on the right side of condition (3') are as described for condition (3).

실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 더욱 억제할 수 있는 관점에서, 제1 및 제2 수지 조성물 층의 경화 후의 탄성율(200℃)을 각각 G₁'(GPa) 및 G₂'(GPa)로 할 때, 하기 조건 (4'):From the viewpoint of further suppressing the warpage of the printed wiring board in the mounting process, the elastic modulus (200° C.) after curing of the first and second resin composition layers is set to G ₁ '(GPa) and G ₂ '(GPa), respectively. When, under the condition (4'):

(4') G₁'×[t_1p/(t_1p＋t_2p)]＋G₂'×[t_2p/(t_1p＋t_2p)] ≥ 0.2(4') G ₁ '×[t _1p /(t _1p +t _2p )]+G ₂ '×[t _2p /(t _1p +t _2p )] ≥ 0.2

를 만족시키는 것이 바람직하다. 조건 (4')의 우변의 값의 적합한 범위에 대해서는, 조건 (4)에 대해 기재한 바와 같고, G₁' 및 G₂'의 적합한 범위는 조건 (4)에 대해 설명한 바와 같다.It is desirable to satisfy Suitable ranges of the values on the right side of condition (4') are as described for condition (4), _{and suitable ranges of G 1} ' and G ₂ ' are as described for condition (4).

<수지 조성물><Resin composition>

제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은, 경화 후에 상기 특정의 탄성율을 나타내는 동시에 충분한 내약품성과 절연성을 갖는 것이면 좋고, 열경화성 수지 조성물이라도 광경화성 수지 조성물이라도 좋다. 예를 들어, 열경화성 수지 조성물로서는, 열경화성 수지 및 경화제를 포함하는 수지 조성물을 들 수 있다. 열경화성 수지로서는, 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 사용되는 종래 공지의 열경화성 수지를 사용할 수 있고, 그 중에서도 에폭시 수지가 바람직하다. 따라서, 일 실시형태에 있어서, 제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 열경화성 수지 조성물은, (a) 에폭시 수지 및 (b) 경화제를 포함한다. 또한, 적합한 광경화성 수지 조성물은, 상기의 열경화성 수지 조성물에 추가로 광경화성 수지를 첨가함으로써 형성할 수 있다. 광경화성 수지로서는, 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 사용되는 종래 공지의 광경화성 수지를 사용할 수 있고, 노광·현상(포토리소그래피)에 의한 개구 형성을 용이하게 실시할 수 있는 관점에서, 광경화형 알칼리 가용성 수지가 바람직하다. 따라서, 일 실시형태에 있어서, 제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 광경화성 수지 조성물은, (a) 에폭시 수지, (b) 경화제, 및 (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지를 포함한다. 광경화성 수지 조성물은 추가로 (d) 광중합 개시제, (e) 광증감제 및 (f) 희석제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 포함해도 좋다. 또한, 본 발명에 있어서는, 광경화성 수지를 포함하고, 포트리소그래피에 의해 개구 형성이 가능한 수지 조성물은, 이것이 열경화성을 갖는 경우라도 「광경화성 수지 조성물」이라고 칭한다. 제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용할 수 있는 수지 조성물은, 열경화성 수지 조성물, 광경화성 수지 조성물을 구별하지 않고, 필요에 따라, 추가로, (g) 무기 충전재, (h) 열가소성 수지, (i) 경화 촉진제, (j) 난연제 및 (k) 유기 충전재 등의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다.The resin composition used for the 1st and 2nd resin composition layers should just show the said specific elastic modulus after hardening and have sufficient chemical-resistance and insulation, and may be a thermosetting resin composition or a photocurable resin composition. For example, as a thermosetting resin composition, the resin composition containing a thermosetting resin and a hardening|curing agent is mentioned. As a thermosetting resin, the conventionally well-known thermosetting resin used when forming the soldering resist layer of a printed wiring board can be used, Especially, an epoxy resin is preferable. Accordingly, in one embodiment, the thermosetting resin composition used for the first and second resin composition layers includes (a) an epoxy resin and (b) a curing agent. In addition, a suitable photocurable resin composition can be formed by adding a photocurable resin further to said thermosetting resin composition. As a photocurable resin, the conventionally well-known photocurable resin used when forming the soldering resist layer of a printed wiring board can be used, From a viewpoint which can perform easily opening formation by exposure and image development (photolithography), photo A flame-type alkali-soluble resin is preferable. Therefore, in one embodiment, the photocurable resin composition used for the 1st and 2nd resin composition layer contains (a) an epoxy resin, (b) a hardening|curing agent, and (c) a photocurable alkali-soluble resin. The photocurable resin composition may further contain at least one selected from the group consisting of (d) a photoinitiator, (e) a photosensitizer, and (f) a diluent. In addition, in this invention, even when this has thermosetting, the resin composition which contains a photocurable resin and can open-formation by photolithography is called "photocurable resin composition." The resin composition that can be used for the first and second resin composition layers does not distinguish between a thermosetting resin composition and a photocurable resin composition, and, if necessary, additionally (g) an inorganic filler, (h) a thermoplastic resin, (i ) additives such as a curing accelerator, (j) a flame retardant, and (k) an organic filler may be included.

이하, 제1 및 제2 수지 조성물 층에 있어서, 수지 조성물의 재료로서 사용할 수 있는 에폭시 수지, 경화제, 광경화형 알칼리 가용성 수지, 광중합 개시제, 광증감제, 희석제 및 첨가제에 대해 설명한다.Hereinafter, in the first and second resin composition layers, an epoxy resin, a curing agent, a photocurable alkali-soluble resin, a photoinitiator, a photosensitizer, a diluent, and an additive that can be used as a material of the resin composition will be described.

- (a) 에폭시 수지 -- (a) Epoxy resin -

에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지 및 트리메틸롤형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type Epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, Cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naph A thylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, etc. are mentioned. An epoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 하는 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 함)와, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 함)를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써, 우수한 가요성을 갖는 수지 조성물을 수득할 수 있다. 또한, 수지 조성물을 경화해서 형성되는 솔더 레지스트 층의 파단 강도도 향상된다. 특히, 수지 조성물이 열경화성 수지 조성물인 경우에, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 수지 조성물이 광경화성 수지 조성물인 경우, 에폭시 수지로서 고체상 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable that an epoxy resin contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100 mass %, it is preferable that at least 50 mass % or more is an epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. Among them, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule, liquid at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”), and three or more epoxy groups in one molecule, and having a solid phase at a temperature of 20°C It is preferable to contain an epoxy resin (henceforth "solid epoxy resin"). As the epoxy resin, a resin composition having excellent flexibility can be obtained by using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together. Moreover, the breaking strength of the soldering resist layer formed by hardening|curing a resin composition also improves. In particular, when the resin composition is a thermosetting resin composition, it is preferable to use a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together. When the resin composition is a photocurable resin composition, it is preferable to use a solid epoxy resin as the epoxy resin.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」,「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠(주) 제조의 「jER828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨 카가쿠(주) 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세 케무텍스(주) 제조의 「EX-721」(글리시딜 에스테르형 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.As the liquid epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin are preferable, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin is more preferable. As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "jER828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bisphenol A type epoxy resin), "jER807" (bisphenol F type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak type epoxy resin), "ZX1059" manufactured by Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. (bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin) mixture) and "EX-721" by Nagase Chemutex Co., Ltd. (glycidyl ester type epoxy resin) are mentioned. These may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 또는 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 또는 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「EXA7311」, 「EXA7311-G3」, 「EXA7311-G4」, 「EXA7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌 에테르형 에폭시 수지), 니혼 카야쿠(주) 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨 노볼락 에폭시 수지), 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨 카가쿠(주) 제조의 「ESN475」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지), 「ESN485V」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠(주) 제조의 「YX4000H」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 오사카 가스 케미카루(주) 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지)등을 들 수 있다.Examples of the solid-state epoxy resin include a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolac-type epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, a trisphenol-type epoxy resin, a naphthol novolac-type epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin, or a naphthylene ether. A type epoxy resin is preferable, a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, or a naphthylene ether type epoxy resin is more preferable, A naphthalene type tetrafunctional epoxy resin and a biphenyl type epoxy resin are still more preferable. As a specific example of a solid-state epoxy resin, "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "N-690" (cresol novolac type epoxy resin), "N- 695" (cresol novolak type epoxy resin), "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin), "EXA7311", "EXA7311-G3", "EXA7311-G4", "EXA7311-G4S", "HP6000" " (naphthylene ether type epoxy resin), "EPPN-502H" (trisphenol epoxy resin), "NC7000L" (naphthol novolac epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., "NC3000H", "NC3000", " NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin), "ESN475" (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Shin-Nittetsu Chemical Co., Ltd., "ESN485V" (naphthol novolak type epoxy resin), Mitsubishi "YX4000H", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin), "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin) manufactured by Kagaku Co., Ltd., "PG-100", "CG" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd. -500", Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YL7800" (fluorene type epoxy resin), etc. are mentioned.

에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 이들의 양비(量比)(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.1 내지 1:4의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, i) 수지 시트의 형태로 사용하는 경우에 적당한 점착성을 가져올 수 있고, ⅱ) 수지 시트의 형태로 사용하는 경우에 충분한 가요성을 얻을 수 있고, 취급성이 향상되며, ⅲ) 충분한 파단 강도를 갖는 솔더 레지스트 층을 수득할 수 있는 등의 효과를 얻을 수 있다. 상기 ⅰ) 내지 ⅲ)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.6 내지 1:3의 범위가 더욱 바람직하고, 1:0.8 내지 1:2.5의 범위가 특히 바람직하다.As an epoxy resin, when using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together, these ratios (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) are mass ratio, and the range of 1:0.1 - 1:4 is preferable. By setting the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin within this range, i) it is possible to bring about adequate adhesion when used in the form of a resin sheet, and ii) to obtain sufficient flexibility when used in the form of a resin sheet. and handling properties are improved, and iii) a solder resist layer having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects of i) to iii), the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is, in terms of mass ratio, more preferably in the range of 1:0.3 to 1:3.5, 1 The range of :0.6 to 1:3 is more preferable, and the range of 1:0.8 to 1:2.5 is particularly preferable.

수지 조성물 중의 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 7질량% 이상 또는 9질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 45질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 40질량% 이하 또는 35질량% 이하이다.Content of the epoxy resin in a resin composition becomes like this. Preferably it is 3 mass % or more, More preferably, it is 5 mass % or more, More preferably, it is 7 mass % or more, or 9 mass % or more. Although the upper limit of content of an epoxy resin is not specifically limited, Preferably it is 50 mass % or less, More preferably, it is 45 mass % or less, More preferably, it is 40 mass % or less or 35 mass % or less.

또한, 본 발명에 있어서, 수지 조성물을 구성하는 각 성분의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분의 합계를 100질량%로 했을 때의 값이다.In addition, in this invention, content of each component which comprises a resin composition is a value when the sum total of the non-volatile component in a resin composition is 100 mass %.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 3000, 보다 바람직하게는 80 내지 2000, 더욱 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 경화물의 가교 밀도가 충분해지고 내열성이 우수한 솔더 레지스트 층을 형성할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있으며, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다.The epoxy equivalent of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 50-3000, More preferably, it is 80-2000, More preferably, it is 110-1000. By becoming this range, the crosslinking density of hardened|cured material becomes sufficient and the soldering resist layer excellent in heat resistance can be formed. In addition, an epoxy equivalent can be measured according to JISK7236, It is the mass of resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of an epoxy resin is the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

- (b) 경화제 -- (b) hardener -

경화제로서는, 에폭시 수지를 경화하는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조 옥사진계 경화제, 및 시아네이트 에스테르계 경화제를 들 수 있다. 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.The curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the epoxy resin, and examples thereof include a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent. A hardening|curing agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성이 우수한 솔더 레지스트 층을 수득하는 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 회로 기판과의 밀착성이 우수한 솔더 레지스트 층을 수득하는 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 내열성, 내수성, 및 회로 기판과의 밀착성을 고도로 만족시키는 솔더 레지스트 층을 수득하는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락 수지가 바람직하다.As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoint of obtaining a solder resist layer excellent in heat resistance and water resistance. Moreover, a nitrogen-containing phenolic hardening|curing agent is preferable from a viewpoint of obtaining the soldering resist layer excellent in adhesiveness with a circuit board, and a triazine skeleton containing phenolic hardening|curing agent is more preferable. Among them, a triazine skeleton-containing phenol novolac resin is preferable from the viewpoint of obtaining a solder resist layer that highly satisfies heat resistance, water resistance, and adhesion to a circuit board.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이(주) 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼 카야쿠(주) 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 토토 카세이(주) 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN375」, 「SN395」, DIC(주) 제조의 「LA7052」, 「LA7054」, 「LA3018」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenol type hardening|curing agent and a naphthol type hardening|curing agent, For example, Meiwa Kasei Co., Ltd. product "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", Nippon Kayaku Co., Ltd. product " NHN", "CBN", "GPH", manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN375", "SN395", DIC Corporation "LA7052", "LA7054", "LA3018", etc. are mentioned.

내열성이 우수한 솔더 레지스트 층을 수득하는 관점에서, 활성 에스테르계 경화제도 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀 에스테르류, 티오페놀 에스테르류, N-하이드록시아민 에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들어 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다.From the viewpoint of obtaining a solder resist layer excellent in heat resistance, an active ester curing agent is also preferable. Although there is no restriction|limiting in particular as an active ester type hardening|curing agent, Generally, ester groups with high reaction activity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and heterocyclic hydroxy compound esters, are 2 in 1 molecule. Compounds having at least one compound are preferably used. It is preferable that the said active ester type hardening|curing agent is obtained by the condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac, etc. are mentioned. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol to one molecule of dicyclopentadiene.

구체적으로는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합이 바람직하고, 그 중에서도 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜탈렌-페닐로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoyl product of phenol novolac. Active esterification is preferable, and among these, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentalene-phenyl.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」(DIC(주) 제조), 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC(주) 제조), 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미츠비시 카가쿠(주) 제조), 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미츠비시 카가쿠(주) 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester curing agents are active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, such as "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", and "HPC-8000-65T" (manufactured by DIC Corporation). , "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing a naphthalene structure, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, phenol "YLH1026" (made by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) etc. are mentioned as an active ester compound containing the benzoyl compound of novolak.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와 코분시(주) 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠 카세이코교(주) 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.As a specific example of a benzoxazine type hardening|curing agent, "HFB2006M" by Showa Kobunshi Co., Ltd., "P-d" by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. product, and "F-a" are mentioned.

시아네이트 에스테르계 경화제로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀 노볼락 및 크레졸 노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트 에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 쟈판(주) 제조의 「PT30」및 「PT60」(모두 페놀 노볼락형 다관능 시아네이트 에스테르 수지), 「BA230」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylenebis (2,6- Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4- Cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cya Bifunctional cyanate resins such as natephenyl)thioether and bis(4-cyanatephenyl)ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac and cresol novolac, etc., in which these cyanate resins are partially triazined A prepolymer etc. are mentioned. As a specific example of a cyanate ester type hardening|curing agent, "PT30" and "PT60" (all are phenol novolak-type polyfunctional cyanate ester resin) manufactured by Ronza Japan Co., Ltd., "BA230" (part or all of bisphenol A dicyanate) prepolymer) etc. which were triazine-formed and became a trimer are mentioned.

에폭시 수지와 경화제의 양비는, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수]:[경화제의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.2 내지 1:2의 범위가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:1.5가 보다 바람직하고, 1:0.4 내지 1:1.2가 더욱 바람직하다. 여기서, 경화제의 반응기란, 활성 수산기, 활성 에스테르기 등이며, 경화제의 종류에 따라 상이하다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대해 합계한 값이고, 경화제의 반응기의 합계수란, 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 대해 합계한 값이다. 에폭시 수지와 경화제의 양비를 이러한 범위로 함으로써, 수득되는 솔더 레지스트 층의 내열성이 보다 향상한다.The amount ratio of the epoxy resin and the curing agent is [the total number of epoxy groups in the epoxy resin]: [the total number of reactive groups in the curing agent] in a ratio of 1:0.2 to 1:2, preferably 1:0.3 to 1:1.5 is more preferable, and 1:0.4 to 1:1.2 are still more preferable. Here, the reactive group of a hardening|curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group, etc., and differs with the kind of hardening|curing agent. In addition, the total number of epoxy groups of the epoxy resin is a value obtained by dividing the solid content mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent for all epoxy resins, and the total number of reactive groups of the curing agent is the solid content mass of each curing agent equal to the reactor equivalent. The value divided by , is the sum of all curing agents. By making quantity ratio of an epoxy resin and a hardening|curing agent into such a range, the heat resistance of the soldering resist layer obtained improves more.

- (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지 -- (c) photocurable alkali-soluble resin -

광경화형 알칼리 가용성 수지로서는, 알칼리 가용기(예를 들어, 카복실기, 페놀성 수산기 등)을 포함하는 광경화성 수지인 한 특별히 한정되지 않으며, 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 사용되는 종래 공지의 광경화형 알칼리 가용성 수지를 사용해도 좋다. 그 중에서도, 광경화형 알칼리 가용성 수지로서는, 알칼리 가용기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지가 바람직하고, 카복실기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지, 페놀성 수산기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지가 보다 바람직하다. 광경화형 알칼리 가용성 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.The photocurable alkali-soluble resin is not particularly limited as long as it is a photocurable resin containing an alkali-soluble group (for example, a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, etc.), Conventionally known used when forming a solder resist layer of a printed wiring board of photocurable alkali-soluble resin may be used. Among them, as the photocurable alkali-soluble resin, a resin containing an alkali soluble group and a radically polymerizable unsaturated group is preferable, a resin containing a carboxyl group and a radically polymerizable unsaturated group, and a resin containing a phenolic hydroxyl group and a radically polymerizable unsaturated group are more desirable. Photocurable alkali-soluble resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

카복실기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지에 불포화 카복실산을 반응시키고, 추가로 산무수물을 반응시켜 형성되는 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지 등을 들 수 있다.As resin containing a carboxyl group and a radically polymerizable unsaturated group, the acid pendant type unsaturated epoxy ester resin etc. which are formed by making an epoxy resin react an unsaturated carboxylic acid, and also making an acid anhydride react are mentioned, for example.

에폭시 수지로서는, (a) 성분과 동일한 것을 사용하면 좋고, 양호한 현상성, 절연 신뢰성을 수득할 수 있는 관점에서, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.As the epoxy resin, the same thing as that of component (a) may be used, and from the viewpoint of obtaining good developability and insulation reliability, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol A-type epoxy resin, and cresol novolac-type epoxy resin are preferable. , a bisphenol F-type epoxy resin and a cresol novolac-type epoxy resin are more preferable. An epoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

불포화 카복실산으로서는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 계피산, 크로톤산 등을 들 수 있고, 양호한 광경화 특성을 얻을 수 있는 관점에서, 아크릴산, 메타크릴산이 바람직하다. 불포화 카복실산은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, and crotonic acid, and from the viewpoint of obtaining good photocuring properties, acrylic acid and methacrylic acid are preferable. Unsaturated carboxylic acid may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

카복실산 무수물로서는, 예를 들어, 무수 말레산, 무수 석신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 헥사하이드로프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논 테트라카복실산 2무수물 등을 들 수 있고, 양호한 현상성, 절연 신뢰성을 얻을 수 있는 관점에서, 무수 석신산, 무수 테트라하이드로프탈산이 바람직하다. 산무수물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.As carboxylic acid anhydride, for example, maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, etc. and succinic anhydride and tetrahydrophthalic anhydride are preferable from the viewpoint of obtaining good developability and insulation reliability. An acid anhydride may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

산펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지는, 촉매의 존재하에, 불포화 카복실산과 에폭시 수지를 반응시켜 불포화 에폭시 에스테르 수지를 형성하고, 당해 불포화 에폭시 에스테르 수지를 산무수물과 반응시킴으로써 수득할 수 있다. 이러한 반응은 공지이며, 반응 온도, 반응 시간, 촉매의 종류나 사용량 등의 반응 조건은 당업자가 적절히 결정해도 좋다.The acid pendant type unsaturated epoxy ester resin can be obtained by reacting an unsaturated carboxylic acid with an epoxy resin in the presence of a catalyst to form an unsaturated epoxy ester resin, and reacting the unsaturated epoxy ester resin with an acid anhydride. Such a reaction is well-known, and a person skilled in the art may determine suitably reaction conditions, such as reaction temperature, reaction time, and the kind and usage-amount of a catalyst.

산펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지는 시판품을 사용해도 좋다. 시판품으로서는, 예를 들어, 니혼 카야쿠(주) 제조 「ZFR-1533H」(비스페놀 F형 에폭시 수지, 아크릴산, 및 무수 테트라하이드로프탈산의 반응물), 「ZAR-2000」(비스페놀 A형 에폭시 수지, 아크릴산, 및 무수 석신산의 반응물), 쇼와 덴코(주) 제조 「PR-30000」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 아크릴산, 및 카복실산 무수물의 반응물) 등을 들 수 있다.A commercial item may be used for acid pendant type unsaturated epoxy ester resin. As a commercial item, Nihon Kayaku Co., Ltd. product "ZFR-1533H" (a reaction product of a bisphenol F-type epoxy resin, acrylic acid, and tetrahydrophthalic anhydride), "ZAR-2000" (bisphenol A-type epoxy resin, acrylic acid), for example, is a commercial item, for example. and succinic anhydride), Showa Denko Co., Ltd. "PR-30000" (reactant of a cresol novolac-type epoxy resin, acrylic acid, and carboxylic acid anhydride), etc. are mentioned.

페놀성 수산기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지는, 예를 들어, 페놀성 수산기를 포함하는 수지에, 라디칼 중합성 불포화기와 이소시아네이트기를 포함하는 화합물을 반응시켜 합성할 수 있다.Resin containing a phenolic hydroxyl group and a radically polymerizable unsaturated group can make resin containing a phenolic hydroxyl group react with the compound containing a radically polymerizable unsaturated group and an isocyanate group, and can be synthesize|combined, for example.

페놀성 수산기를 포함하는 수지로서는, 예를 들어, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지를 들 수 있고, 양호한 현상성, 절연 신뢰성을 수득할 수 있는 관점에서, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지가 바람직하다. 페놀성 수산기를 포함하는 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the resin containing a phenolic hydroxyl group include a phenol novolac resin, a cresol novolak resin, a bisphenol A novolac resin, and a naphthol novolac resin, from the viewpoint of obtaining good developability and insulation reliability. In this case, phenol novolac resins and cresol novolac resins are preferred. Resin containing a phenolic hydroxyl group may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

라디칼 중합성 불포화기와 이소시아네이트기를 포함하는 화합물로서는, 예를 들어, (메타)아크릴로일이소시아네이트; 이소시아네이트에틸(메타)아크릴레이트; 및 폴리이소시아네이트 화합물과, 이소시아네이트기와 반응할 수 있는 관능기(예를 들어, 수산기)를 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물을 부분적으로 부가 반응시켜 수득되는 반응 생성물 등을 들 수 있다. 여기서, 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 3-이소시아네이트-3,5,5-트리메틸사이클로헥실이소시아네이트, 트릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 메틸렌비스페닐이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐폴리이소시아네이트 등을 들 수 있고, 이소시아네이트기와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물로서는, 예를 들어, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, N-메틸롤아크릴아미드, 글리세롤디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a compound containing a radically polymerizable unsaturated group and an isocyanate group, For example, (meth)acryloyl isocyanate; isocyanate ethyl (meth)acrylate; and a reaction product obtained by partially addition-reacting a polyisocyanate compound with a (meth)acrylate compound having a functional group capable of reacting with an isocyanate group (eg, a hydroxyl group). Here, as the polyisocyanate compound, for example, 3-isocyanate-3,5,5-trimethylcyclohexyl isocyanate, torylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, methylenebisphenyl isocyanate, polymethylene polyphenyl poly Isocyanate etc. are mentioned, As a (meth)acrylate compound which has a functional group which can react with an isocyanate group, For example, pentaerythritol tri(meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, N -Methylol acrylamide, glycerol di(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, etc. are mentioned.

페놀성 수산기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지는, 촉매의 존재하에, 페놀성 수산기를 포함하는 수지에, 라디칼 중합성 불포화기와 이소시아네이트기를 포함하는 화합물을 반응시킴으로써 수득할 수 있다. 이러한 반응은 공지이며, 반응 온도, 반응 시간, 촉매의 종류나 사용량 등의 반응 조건은 당업자가 적절히 결정해도 좋다.Resin containing a phenolic hydroxyl group and a radically polymerizable unsaturated group can be obtained by making resin containing a phenolic hydroxyl group react with the compound containing a radically polymerizable unsaturated group and an isocyanate group in presence of a catalyst. Such a reaction is well-known, and a person skilled in the art may determine suitably reaction conditions, such as reaction temperature, reaction time, and the kind and usage-amount of a catalyst.

광경화형 알칼리 가용성 수지의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량(Mn)은, 양호한 해상성을 수득할 수 있는 관점에서, 바람직하게는 500 내지 1000000, 보다 바람직하게는 1000 내지 50000, 더욱 바람직하게는 1500 내지 35000이다. 광경화형 알칼리 가용성 수지의 Mn은, 예를 들어, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정할 수 있다. (GPC)법(폴리스티렌 환산)으로 측정된다. Mn은, 예를 들어, 측정 장치로서 (주)시마즈 세사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 컬럼으로서 쇼와 덴코(주) 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 컬럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene of the photocurable alkali-soluble resin is preferably 500 to 1000000, more preferably 1000 to 50000, still more preferably 1500 to 35000 from the viewpoint of obtaining good resolution. am. Mn of photocurable alkali-soluble resin can be measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, for example. It is measured by the (GPC) method (in terms of polystyrene). Mn is, for example, LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, Shodex K-800P/K-804L/K-804L manufactured by Showa Denko Corporation as a column, Chloroform etc. are used as a mobile phase, and it can measure at a column temperature of 40 degreeC, and can calculate using the calibration curve of standard polystyrene.

광경화형 알칼리 가용성 수지의 고형분 산가는, 양호한 절연 신뢰성을 나타내는 솔더 레지스트 층을 수득할 수 있는 관점에서, 바람직하게는 100mg KOH/g 이하, 보다 바람직하게는 90mg KOH/g 이하, 더욱 바람직하게는 80mg KOH/g 이하 또는 70mg KOH/g 이하이다. 충분한 현상성을 얻을 수 있는 한에서 고형분 산가는 더욱 낮은 것이 바람직하고, 이러한 관점에서, 광경화형 알칼리 가용성 수지로서는, 페놀성 수산기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지가 특히 바람직하다.The solid content acid value of the photocurable alkali-soluble resin is preferably 100 mg KOH/g or less, more preferably 90 mg KOH/g or less, still more preferably 80 mg from the viewpoint of obtaining a solder resist layer exhibiting good insulation reliability. KOH/g or less or 70 mg KOH/g or less. As long as sufficient developability can be obtained, it is preferable that the solid content acid value is still lower, and from this viewpoint, as a photocurable alkali-soluble resin, resin containing a phenolic hydroxyl group and a radically polymerizable unsaturated group is especially preferable.

수지 조성물 중의 광경화형 알칼리 가용성 수지의 함유량은, 양호한 현상성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 15질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상이다. 광경화형 알칼리 가용성 수지의 함유량의 상한은, 내열성이 우수한 솔더 레지스트 층을 수득하는 관점에서, 바람직하게는 60질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하이다.From a viewpoint of obtaining favorable developability, content of photocurable alkali-soluble resin in a resin composition becomes like this. Preferably it is 10 mass % or more, More preferably, it is 15 mass % or more, More preferably, it is 20 mass % or more. The upper limit of content of photocurable alkali-soluble resin becomes like this. From a viewpoint of obtaining the soldering resist layer excellent in heat resistance, Preferably it is 60 mass % or less, More preferably, it is 50 mass % or less, More preferably, it is 40 mass % or less.

- (d) 광중합 개시제 -- (d) photoinitiator -

광중합 개시제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]- [4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-모르폴리노-1-프로파논, 벤조페논, 메틸벤조페논, o-벤조일 벤조산, 벤조일에틸에테르, 2,2-디에톡시 아세토페논, 2,4-디에틸티옥산톤, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 에틸-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스피네이트, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등의 알킬 페논계 광중합 개시제; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제; 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)-,2-(O-벤조일옥심)] 및 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심 에스테르계 광중합 개시제; 및 설포늄염계 광중합 개시제 등을 들 수 있고, 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, 옥심 에스테르계 광중합 개시제가 바람직하다. 광중합 개시제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Although it does not specifically limit as a photoinitiator, For example, 2-benzyl-2- dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-1-butanone, 2-(dimethylamino)-2-[(4 -Methylphenyl)methyl]-[4-(4-morpholinyl)phenyl]-1-butanone, 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]-morpholino-1-propanone, benzophenone, Methylbenzophenone, o-benzoyl benzoic acid, benzoylethyl ether, 2,2-diethoxy acetophenone, 2,4-diethylthioxanthone, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, ethyl -(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphinate, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenylketone, 2,2-dimethoxy-1, Alkylphenone-based photopolymerization initiators such as 2-diphenylethan-1-one and 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one ; acylphosphine oxide-based photoinitiators such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide; 1,2-Octanedione,1-[4-(phenylthio)-,2-(O-benzoyloxime)] and ethanone,1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbox oxime ester photoinitiators such as bazol-3-yl]-,1-(O-acetyloxime); and a sulfonium salt-based photopolymerization initiator, and the like, and an acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator and an oxime ester-based photopolymerization initiator are preferable. A photoinitiator may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

광중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들어, BASF 쟈판(주) 제조 「이르가큐어819」(비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드),「이르가큐어907」(2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-모르폴리노-1-프로파논), 「OXE-01」(1,2-옥탄디온,1-[4- (페닐티오)-,2-(O-벤조일옥심)]), 「OXE-02」(에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심)) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a photoinitiator, For example, BASF Japan Co., Ltd. product "Irgacure 819" (bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide), "Irgacure 907" (2- Methyl-[4-(methylthio)phenyl]-morpholino-1-propanone), "OXE-01" (1,2-octanedione,1-[4-(phenylthio)-,2-(O) -benzoyloxime)]), "OXE-02" (ethanone,1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-,1-(O-acetyloxime) )) and the like.

수지 조성물 중의 광중합 개시제의 함유량은, 양호한 광경화 특성, 절연 신뢰성을 얻을 수 있는 관점에서, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.3질량% 이상이다. 광중합 개시제의 함유량의 상한은, 감도 과다에 의한 치수 안정성의 저하를 방지할 수 있는 관점에서, 바람직하게는 2질량% 이하, 보다 바람직하게는 1.5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1질량% 이하이다.The content of the photoinitiator in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.2% by mass or more, still more preferably 0.3% by mass or more from the viewpoint of obtaining good photocuring properties and insulation reliability. The upper limit of the content of the photopolymerization initiator is preferably 2% by mass or less, more preferably 1.5% by mass or less, still more preferably 1% by mass or less from the viewpoint of preventing a decrease in dimensional stability due to excessive sensitivity. .

- (e) 광증감제 -- (e) photosensitizers -

광증감제로서는, 예를 들어, 3급 아민류, 피라리존(ピラリゾン)류, 안트라센류, 쿠마린류, 크산톤류, 티옥산톤류 등을 들 수 있고, 티옥산톤류가 바람직하고, 2,4-디에틸티옥산톤이 보다 바람직하다. 광증감제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. 광증감제의 시판품으로서는, 예를 들어, 니혼 카야쿠(주) 제조 「DETX-S」(2,4-디에틸티옥산톤)을 들 수 있다.As a photosensitizer, tertiary amines, pyrarizones, anthracenes, coumarins, xanthones, thioxanthone etc. are mentioned, for example, Thioxanthone is preferable, and 2,4- Diethyl thioxanthone is more preferable. A photosensitizer may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. As a commercial item of a photosensitizer, the Nippon Kayaku Co., Ltd. product "DETX-S" (2, 4- diethyl thioxanthone) is mentioned, for example.

수지 조성물 중의 광증감제의 함유량은, 양호한 광경화 특성을 얻을 수 있는 관점에서, 바람직하게는 0.01질량% 내지 1질량%, 보다 바람직하게는 0.05질량% 내지 0.5질량%이다.Content of the photosensitizer in a resin composition becomes like this. From a viewpoint from which favorable photocuring characteristics can be acquired, Preferably they are 0.01 mass % - 1 mass %, More preferably, they are 0.05 mass % - 0.5 mass %.

- (f) 희석제 -- (f) diluent -

희석제는, 수지 조성물의 광경화 반응을 촉진하기 위해 사용된다. 희석제로서는, 예를 들어, 분자 내에 1개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는, 실온에서 액체, 고체 또는 반고형인 감광성 (메타)아크릴레이트 화합물을 들 수 있다.A diluent is used in order to accelerate|stimulate the photocuring reaction of a resin composition. As a diluent, the photosensitive (meth)acrylate compound which has one or more (meth)acryloyl groups in a molecule|numerator and is liquid, solid, or semi-solid at room temperature is mentioned, for example.

대표적인 감광성(메타)아크릴레이트 화합물로서는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, 2-하이드록시부틸 아크릴레이트 등의 하이드록시알킬 아크릴레이트류; 에틸렌 글리콜, 메톡시테트라에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 트리사이클로데칸디메탄올 등의 디올 화합물의 모노 또는 디아크릴레이트류; N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸롤아크릴아미드 등의 아크릴아미드류; N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트 등의 아미노알킬 아크릴레이트류; 트리메틸롤프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 다가 알코올 또는 이들의 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드 또는 ε-카프로락톤의 부가물의 다가 아크릴레이트류; 페녹시 아크릴레이트, 페녹시에틸 아크릴레이트 등의 페놀류 또는 이의 에틸렌 옥사이드 또는 프로필렌 옥사이드 부가물 등의 아크릴레이트류; 트리메틸롤프로판 트리글리시딜 에테르 등의 글리시딜 에테르로부터 유도되는 에폭시 아크릴레이트류; 멜라민 아크릴레이트류; 및/또는 상기의 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 디올 화합물의 모노 또는 디(메타)아크릴레이트류, 다가 (메타)아크릴레이트류가 바람직하다.As a typical photosensitive (meth)acrylate compound, For example, hydroxyalkyl acrylates, such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxybutyl acrylate; mono or diacrylates of diol compounds such as ethylene glycol, methoxytetraethylene glycol, polyethylene glycol, propylene glycol and tricyclodecane dimethanol; acrylamides such as N,N-dimethylacrylamide and N-methylolacrylamide; aminoalkyl acrylates such as N,N-dimethylaminoethyl acrylate; polyhydric acrylates of polyhydric alcohols such as trimethylolpropane, pentaerythritol and dipentaerythritol, or adducts of ethylene oxide, propylene oxide, or ?-caprolactone thereof; phenols such as phenoxy acrylate and phenoxyethyl acrylate, or acrylates such as ethylene oxide or propylene oxide adducts thereof; epoxy acrylates derived from glycidyl ethers such as trimethylolpropane triglycidyl ether; melamine acrylates; and/or methacrylates corresponding to the above acrylates. Especially, mono- or di(meth)acrylates of a diol compound, and polyhydric (meth)acrylates are preferable.

희석제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. 희석제의 시판품으로서는, 예를 들어, 니혼 카야쿠(주) 「DPHA」(디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트), 쿄에이샤 카가쿠코교(주) 제조 「DCPA」(트리사이클로데칸디메탄올디아크릴레이트) 등을 들 수 있다.A diluent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. As a commercial item of a diluent, For example, Nippon Kayaku Co., Ltd. "DPHA" (dipentaerythritol hexaacrylate), Kyoeisha Chemical Co., Ltd. product "DCPA" (tricyclodecane dimethanol diacrylate) ) and the like.

수지 조성물 중의 희석제의 함유량은 광경화 반응을 촉진시키는 관점, 경화물의 끈적임을 방지하는 관점에서, 바람직하게는 0.5질량% 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 2질량% 내지 8질량%이다.The content of the diluent in the resin composition is preferably 0.5% by mass to 10% by mass, more preferably 2% by mass to 8% by mass from the viewpoint of promoting the photocuring reaction and preventing stickiness of the cured product.

- (g) 무기 충전재 -- (g) inorganic fillers -

무기 충전재로서는, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 활석, 클레이, 운모분(粉), 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등의 실리카가 특히 적합하다. 또한, 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 시판되고 있는 구형 용융 실리카로서는, 예를 들어, (주)아도마텍스 제조 「SOC1」, 「SOC2」, 「SOC3」 및 「SOC4」, 덴키 화학코교(주) 제조 「UFP-30」, 「UFP-80」을 들 수 있다.Examples of the inorganic filler include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, talc, clay, mica powder, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, nitride. and boron, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. . Among these, silica such as amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica is particularly suitable. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. As commercially available spherical fused silica, for example, "SOC1", "SOC2", "SOC3" and "SOC4" manufactured by Adomatex Corporation, "UFP-30" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd., "UFP", "UFP" -80" can be mentioned.

무기 충전재의 평균 입자 직경은 특별히 한정되지 않으며, 원하는 특성에 따라 적절히 결정해도 좋다. 무기 충전재의 분산성을 높이는 관점에서, 무기 충전재의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상이다. 충분한 절연 신뢰성을 얻는 관점에서, 무기 충전재의 평균 입자 직경은 바람직하게는 4㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 1㎛ 이하이다. 또한, 수지 조성물이 광경화성 수지 조성물인 경우, 무기 충전재의 평균 입자 직경의 상한은, 양호한 광경화 특성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.8㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.6㎛ 이하 또는 0.4㎛ 이하이다. 무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 이의 미디언 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로서는, (주)호리바 세사쿠쇼 제조 「LA-500」 등을 사용할 수 있다.The average particle diameter of an inorganic filler is not specifically limited, You may determine suitably according to a desired characteristic. From a viewpoint of improving the dispersibility of an inorganic filler, the average particle diameter of an inorganic filler becomes like this. Preferably it is 0.01 micrometer or more, More preferably, it is 0.05 micrometer or more. From a viewpoint of obtaining sufficient insulation reliability, the average particle diameter of an inorganic filler becomes like this. Preferably it is 4 micrometers or less, More preferably, it is 3 micrometers or less, More preferably, it is 2 micrometers or less, More preferably, it is 1 micrometer or less. In addition, when the resin composition is a photocurable resin composition, the upper limit of the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 1 µm or less, more preferably 0.8 µm or less, further preferably from the viewpoint of obtaining good photocuring properties. 0.6 µm or less or 0.4 µm or less. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle size distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, and making this median diameter into an average particle diameter. As a measurement sample, what disperse|distributed the inorganic filler in water by ultrasonic wave can be used preferably. As a laser diffraction scattering type particle size distribution analyzer, "LA-500" manufactured by Horiba Corporation, etc. can be used.

무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 아미노 실란계 커플링제, 에폭시 실란계 커플링제, 머캅토 실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오가노 실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교 (주) 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔) 등을 들 수 있다.From the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility, inorganic fillers include aminosilane-based coupling agents, epoxy-silane-based coupling agents, mercaptosilane-based coupling agents, silane-based coupling agents, organosilazane compounds, titanate-based coupling agents, and the like. It is preferably treated with one or more surface treatment agents. As a commercial item of a surface treatment agent, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product "KBM803" (3-mercapto) Propyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltri methoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product "SZ-31" (hexamethyldisilazane), etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02㎎/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1㎎/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2㎎/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니쉬의 용융 점도나 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 방지하는 관점에서, 1㎎/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8㎎/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5㎎/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The grade of the surface treatment by a surface treating agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more. On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in the melt viscosity of the resin varnish or the melt viscosity in the sheet form, 1 mg/m2 or less is preferable, 0.8 mg/m2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m2 or less is still more preferable. .

무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하고, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는 (주)호리바 세사쿠쇼 제조 「EMIA-320Ⅴ」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler can be measured, after washing-processing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, MEK in a sufficient amount as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" by Horiba Sesakusho Co., Ltd. etc. can be used.

수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은, 원하는 탄성율을 나타내는 솔더 레지스트 층을 수득할 수 있는 한에서 특별히 한정되지 않는다. 에폭시 수지나 경화제의 종류에도 따르지만, 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량을 높이면, 당해 수지 조성물의 경화 후의 탄성율은 높아지는 경향에 있다. 예를 들어, 경화 후에 6GPa 이상의 높은 탄성율(23℃)을 나타내는 수지 조성물 층, 나아가서는, 솔더 레지스트 층을 형성할 때에는, 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은 60질량% 이상인 것이 바람직하다. 경화 후의 탄성율(23℃)이 더욱 높은 수지 조성물 층, 나아가서는 솔더 레지스트 층을 형성할 때에는, 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은 65질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 70질량% 이상 또는 75질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다.Content of the inorganic filler in a resin composition is not specifically limited as long as the soldering resist layer which shows a desired elastic modulus can be obtained. Although it depends also on the kind of an epoxy resin and a hardening|curing agent, when content of the inorganic filler in a resin composition is raised, there exists a tendency for the elasticity modulus after hardening of the said resin composition to become high. For example, when forming the resin composition layer which shows the high elastic modulus (23 degreeC) of 6 GPa or more after hardening, and by extension, a soldering resist layer, it is preferable that content of the inorganic filler in a resin composition is 60 mass % or more. When forming the resin composition layer with further higher elastic modulus (23 degreeC) after hardening, and by extension, the soldering resist layer, as for content of the inorganic filler in a resin composition, it is more preferable that it is 65 mass % or more, 70 mass % or more, or 75 mass % or more more preferably.

일 실시형태에 있어서, 제1 수지 조성물 층, 나아가서는 제1 솔더 레지스트 층에 사용되는 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은, 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 65질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상 또는 75질량% 이상이다. 제1 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 수득할 수 있는 솔더 레지스트 층의 기계 강도의 관점에서, 통상, 95질량% 이하, 90질량% 이하 등으로 할 수 있다.In one embodiment, content of the inorganic filler in the resin composition used for a 1st resin composition layer and also a 1st soldering resist layer becomes like this. Preferably it is 60 mass % or more, More preferably, it is 65 mass % or more, More preferably Preferably, it is 70 mass % or more or 75 mass % or more. Although the upper limit of content of the inorganic filler in the resin composition used for a 1st resin composition layer is not specifically limited, From a viewpoint of the mechanical strength of the soldering resist layer which can be obtained, usually 95 mass % or less, 90 mass % or less, etc. can be done with

제2 수지 조성물 층, 나아가서는 제2 솔더 레지스트 층에 사용되는 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은, 원하는 탄성율을 나타내는 제2 솔더 레지스트 층을 수득할 수 있는 한에서 원하는 특성에 따라 적절히 결정하면 좋고, 바람직하게는 0질량% 내지 95질량%의 범위, 보다 바람직하게는 20질량% 내지 85질량%의 범위에서 적절히 결정하는 것이 바람직하다.The content of the inorganic filler in the resin composition used for the second resin composition layer, furthermore, the second solder resist layer may be appropriately determined according to the desired properties as long as the second solder resist layer exhibiting the desired elastic modulus can be obtained, Preferably it is 0 mass % - 95 mass %, It is preferable to determine suitably in the range more preferably 20 mass % - 85 mass %.

적합한 일 실시형태에 있어서, 제1 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 열경화성 수지 조성물이며, 상술한 (a) 에폭시 수지, (b) 경화제, 및 (g) 무기 충전재를 포함한다. 이러한 실시형태에 있어서, 제1 수지 조성물 층에 사용되는 열경화성 수지 조성물은, (a) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 혼합물(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지의 질량비는 1:0.1 내지 1:4의 범위가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.6 내지 1:3의 범위가 더욱 바람직하고, 1:0.8 내지 1:2.5의 범위가 보다 더 바람직하다)을, (b) 경화제로서 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트 에스테르계 경화제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상(바람직하게는 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제 및 활성 에스테르계 경화제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상)을, (g) 무기 충전재로서 실리카를 각각 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 특정한 성분을 조합하여 포함하는 열경화성 수지 조성물에 관해서도, (a) 에폭시 수지, (b) 경화제 및 (g) 무기 충전재의 적합한 함유량은 상술한 바와 같다.In one suitable embodiment, the resin composition used for the first resin composition layer is a thermosetting resin composition and includes (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (g) an inorganic filler as described above. In this embodiment, the thermosetting resin composition used for the first resin composition layer is (a) a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin (a mass ratio of liquid epoxy resin:solid epoxy resin is 1:0.1 to 1) The range of :4 is preferred, the range of 1:0.3 to 1:3.5 is more preferred, the range of 1:0.6 to 1:3 is still more preferred, and the range of 1:0.8 to 1:2.5 is even more preferred. ), (b) at least one selected from the group consisting of a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent as a curing agent (preferably a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent and an active ester-based curing agent) At least one selected from the group consisting of a curing agent), (g) it is preferable to include silica as the inorganic filler, respectively. Also regarding the thermosetting resin composition containing these specific components in combination, suitable content of (a) an epoxy resin, (b) hardening|curing agent, and (g) inorganic filler is as above-mentioned.

적합한 다른 실시형태에 있어서, 제1 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 광경화성 수지 조성물이며, 상술한 (a) 에폭시 수지, (b) 경화제, (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지 및 (g) 무기 충전재를 포함한다. 이러한 실시형태에 있어서, 제1 수지 조성물 층에 사용되는 광경화성 수지 조성물은, (a) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 혼합물(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지의 질량비는 1:0.1 내지 1:4의 범위가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.6 내지 1:3의 범위가 더욱 바람직하고, 1:0.8 내지 1:2.5의 범위가 보다 더 바람직하다) 또는 고체상 에폭시 수지만을, (b) 경화제로서 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트 에스테르계 경화제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상(바람직하게는 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제 및 활성 에스테르계 경화제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상)을, (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지로서 알칼리 가용기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지(바람직하게는 카복실기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지, 페놀성 수산기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지, 보다 바람직하게는 페놀성 수산기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지)를, (g) 무기 충전재로서 실리카를 각각 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 특정한 성분을 조합하여 포함하는 열경화성 수지 조성물에 관해서도, (a) 에폭시 수지, (b) 경화제, (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지, 및 (g) 무기 충전재의 적합한 함유량은 상술한 바와 같지만, 양호한 내열성, 절연 신뢰성 및 현상성을 얻을 수 있는 관점에서, (a) 에폭시 수지는, (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 할 때, 바람직하게는 5질량% 내지 100질량%, 보다 바람직하게는 10질량% 내지 85질량%인 것이 바람직하다. 또한, 제1 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물이 광경화성 수지 조성물인 경우, 당해 광경화성 수지 조성물은, 추가로 (d) 광중합 개시제, (e) 광증감제 및 (f) 희석제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.In another suitable embodiment, the resin composition used for the first resin composition layer is a photocurable resin composition, and comprises (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, (c) a photocurable alkali-soluble resin, and (g) an inorganic resin. Includes filler. In this embodiment, the photocurable resin composition used for the first resin composition layer is (a) a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin (a mass ratio of liquid epoxy resin:solid epoxy resin is 1:0.1 to The range of 1:4 is preferred, the range of 1:0.3 to 1:3.5 is more preferred, the range of 1:0.6 to 1:3 is still more preferred, and the range of 1:0.8 to 1:2.5 is even more preferred. (b) at least one selected from the group consisting of a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent (preferably a phenol-based curing agent, naphthol) At least one selected from the group consisting of a curing agent and an active ester curing agent), (c) as a photocurable alkali-soluble resin, a resin containing an alkali-soluble group and a radically polymerizable unsaturated group (preferably a carboxyl group and a radically polymerizable unsaturated group) It is preferable to include a resin containing a resin, a resin containing a phenolic hydroxyl group and a radically polymerizable unsaturated group, more preferably a resin containing a phenolic hydroxyl group and a radically polymerizable unsaturated group), and (g) silica as the inorganic filler. . Also regarding the thermosetting resin composition comprising these specific components in combination, suitable contents of (a) epoxy resin, (b) curing agent, (c) photocurable alkali-soluble resin, and (g) inorganic filler are as described above, but good From the viewpoint of obtaining heat resistance, insulation reliability and developability, (a) the epoxy resin, (c) when the non-volatile component of the photocurable alkali-soluble resin is 100% by mass, preferably 5% by mass to 100% by mass %, more preferably 10% by mass to 85% by mass. In addition, when the resin composition used for the first resin composition layer is a photocurable resin composition, the photocurable resin composition is further selected from the group consisting of (d) a photoinitiator, (e) a photosensitizer, and (f) a diluent. It is preferable to include one or more selected.

실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 더욱 억제할 수 있는 관점에서, 제1 수지 조성물 층, 나아가서는 제1 솔더 레지스트 층에 사용되는 수지 조성물은, 열경화성 수지 조성물, 광경화성 수지 조성물을 구별하지 않고, 경화 후의 유리 전이 온도(Tg)가 150℃ 이상인 것이 바람직하고, 155℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 당해 Tg의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 300℃ 이하, 250℃ 이하 등으로 할 수 있다. 경화 후의 수지 조성물의 Tg는 인장 가중법으로 열기계 분석함으로써 측정할 수 있다. 경화 후의 수지 조성물의 Tg의 측정에 사용할 수 있는 열기계 분석 장치로서는, 예를 들어, (주)리가쿠 제조 「Thermo Plus TMA8310」, 세이코 인스츠루멘츠(주) 제조 「TMA-SS6100」을 들 수 있다.From the viewpoint of being able to further suppress warpage of the printed wiring board in the mounting process, the resin composition used for the first resin composition layer and further the first solder resist layer does not distinguish between a thermosetting resin composition and a photocurable resin composition, It is preferable that it is 150 degreeC or more, and, as for the glass transition temperature (Tg) after hardening, it is more preferable that it is 155 degreeC or more. Although the upper limit of the said Tg is not specifically limited, Usually, it can be 300 degrees C or less, 250 degrees C or less, etc. Tg of the resin composition after hardening can be measured by thermomechanical analysis by the tensile weighting method. As a thermomechanical analyzer which can be used for the measurement of Tg of the resin composition after hardening, "Thermo Plus TMA8310" by Rigaku Corporation, "TMA-SS6100" by Seiko Instruments Co., Ltd. is mentioned, for example can

적합한 일 실시형태에 있어서, 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 열경화성 수지 조성물이며, 상술한 (a) 에폭시 수지, 및 (b) 경화제를 포함한다. 이러한 실시형태에 있어서, 제2 수지 조성물 층에 사용되는 열경화성 수지 조성물은, (a) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 혼합물(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지의 질량비는 1:0.1 내지 1:4의 범위가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.6 내지 1:3의 범위가 더욱 바람직하고, 1:0.8 내지 1:2.5의 범위가 보다 더 바람직하다)을, (b) 경화제로서 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트 에스테르계 경화제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상(바람직하게는 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제 및 활성 에스테르계 경화제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상)을 각각 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 특정한 성분을 조합하여 포함하는 열경화성 수지 조성물에 관해서도, (a) 에폭시 수지, 및 (b) 경화제의 적합한 함유량은 상술한 바와 같다. 제2 수지 조성물 층에 사용되는 열경화성 수지 조성물은, 상술한 바와 같이, 원하는 탄성율을 나타내는 제2 솔더 레지스트 층을 달성하기 위해, (g) 무기 충전재(바람직하게는 실리카)를, 수지 조성물 중의 함유량이 0질량% 내지 95질량%가 되는 범위로 포함해도 좋다. 여기서, 수지 조성물의 구성 성분에 대해 말하는 「0질량% 내지 n질량%가 되는 범위로 포함한다」란, 당해 구성 성분을 포함하지 않는 경우와, n질량% 이하의 범위로 포함하는 경우의 쌍방을 포함한다.In one suitable embodiment, the resin composition used for the second resin composition layer is a thermosetting resin composition, and includes (a) an epoxy resin, and (b) a curing agent described above. In this embodiment, the thermosetting resin composition used for the second resin composition layer is (a) a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin (a mass ratio of liquid epoxy resin:solid epoxy resin is 1:0.1 to 1) The range of :4 is preferred, the range of 1:0.3 to 1:3.5 is more preferred, the range of 1:0.6 to 1:3 is still more preferred, and the range of 1:0.8 to 1:2.5 is even more preferred. ), (b) at least one selected from the group consisting of a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent as a curing agent (preferably a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent and an active ester-based curing agent) at least one selected from the group consisting of curing agents). Also regarding the thermosetting resin composition containing these specific components in combination, suitable content of (a) an epoxy resin and (b) hardening|curing agent is as above-mentioned. As for the thermosetting resin composition used for the 2nd resin composition layer, as mentioned above, in order to achieve the 2nd soldering resist layer which shows a desired elasticity modulus, content in the resin composition of (g) inorganic filler (preferably silica) is You may include in the range used as 0 mass % - 95 mass %. Here, "included in the range which becomes 0 mass % - n mass %" with respect to the structural component of a resin composition refers to both the case where the said structural component is not included and the case of including it in the range of n mass % or less. include

적합한 다른 실시형태에 있어서, 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 광경화성 수지 조성물이며, 상술한 (a) 에폭시 수지, (b) 경화제, 및 (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지를 포함한다. 이러한 실시형태에 있어서, 제2 수지 조성물 층에 사용되는 광경화성 수지 조성물은, (a) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 혼합물(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지의 질량비는 1:0.1 내지 1:4의 범위가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.6 내지 1:3의 범위가 더욱 바람직하고, 1:0.8 내지 1:2.5의 범위가 보다 더 바람직하다) 또는 고체상 에폭시 수지만을, (b) 경화제로서 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트 에스테르계 경화제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상(바람직하게는 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제 및 활성 에스테르계 경화제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상)을, (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지로서 알칼리 가용기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지(바람직하게는 카복실기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지, 페놀성 수산기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지, 보다 바람직하게는 페놀성 수산기와 라디칼 중합성 불포화기를 포함하는 수지)를 각각 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 특정한 성분을 조합하여 포함하는 열경화성 수지 조성물에 관해서도, (a) 에폭시 수지, (b) 경화제, 및 (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지의 적합한 함유량은 상술한 바와 같지만, 양호한 내열성, 절연 신뢰성 및 현상성을 얻을 수 있는 관점에서, (a) 에폭시 수지는, (c) 광경화형 알칼리 가용성 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 할 때, 바람직하게는 5질량% 내지 100질량%, 보다 바람직하게는 10질량% 내지 85질량%인 것이 바람직하다. 부(部)제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물이 광경화성 수지 조성물인 경우, 당해 광경화성 수지 조성물은, 추가로 (d) 광중합 개시제, (e) 광증감제 및 (f) 희석제로부터 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 제2 수지 조성물 층에 사용되는 광경화성 수지 조성물은, 상술한 바와 같이, 원하는 탄성율을 나타내는 제2 솔더 레지스트 층을 달성하기 위해, (g) 무기 충전재(바람직하게는 실리카)를, 수지 조성물 중의 함유량이 0질량% 내지 95질량%이 되는 범위로 포함해도 좋다.In another suitable embodiment, the resin composition used for the second resin composition layer is a photocurable resin composition, and includes (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) a photocurable alkali-soluble resin described above. In this embodiment, the photocurable resin composition used for the second resin composition layer is (a) a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin (a mass ratio of liquid epoxy resin:solid epoxy resin is 1:0.1 to The range of 1:4 is preferred, the range of 1:0.3 to 1:3.5 is more preferred, the range of 1:0.6 to 1:3 is still more preferred, and the range of 1:0.8 to 1:2.5 is even more preferred. (b) at least one selected from the group consisting of a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent (preferably a phenol-based curing agent, naphthol) At least one selected from the group consisting of a curing agent and an active ester curing agent), (c) as a photocurable alkali-soluble resin, a resin containing an alkali-soluble group and a radically polymerizable unsaturated group (preferably a carboxyl group and a radically polymerizable unsaturated group) It is preferable to contain each resin containing resin, resin containing phenolic hydroxyl group and radically polymerizable unsaturated group, More preferably, resin containing phenolic hydroxyl group and radically polymerizable unsaturated group). Also regarding the thermosetting resin composition comprising these specific components in combination, suitable contents of (a) epoxy resin, (b) curing agent, and (c) photocurable alkali-soluble resin are as described above, but good heat resistance, insulation reliability and development From the viewpoint of obtaining properties, (a) the epoxy resin, (c) when the nonvolatile component of the photocurable alkali-soluble resin is 100% by mass, preferably 5% by mass to 100% by mass, more preferably It is preferable that it is 10 mass % - 85 mass %. When the resin composition used for the second resin composition layer is a photocurable resin composition, the photocurable resin composition further comprises (d) a photoinitiator, (e) a photosensitizer, and (f) a diluent. It is preferable to include one or more selected from the group. In order that the photocurable resin composition used for a 2nd resin composition layer may achieve the 2nd soldering resist layer which shows a desired elastic modulus as mentioned above, (g) inorganic filler (preferably silica) content in a resin composition You may include in the range used as this 0 mass % - 95 mass %.

제2 수지 조성물 층, 나아가서는 제2 솔더 레지스트 층에 사용되는 수지 조성물은, 열경화성 수지 조성물, 광경화성 수지 조성물을 구별하지 않고, 원하는 탄성율을 얻을 수 있는 한에서 경화 후의 유리 전이 온도(Tg)는 특별히 한정되지 않는다. 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 더욱 억제할 수 있는 관점에서, 제2 수지 조성물 층, 나아가서는 제2 솔더 레지스트 층에 사용되는 수지 조성물의 경화 후의 Tg는 150℃ 이상인 것이 바람직하고, 155℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 당해 Tg의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 300℃ 이하, 250℃ 이하 등으로 할 수 있다.The second resin composition layer, furthermore, the resin composition used for the second solder resist layer does not distinguish between a thermosetting resin composition and a photocurable resin composition, and as long as a desired elastic modulus can be obtained, the glass transition temperature (Tg) after curing is It is not particularly limited. It is preferable that Tg after hardening of the resin composition used for a 2nd resin composition layer, furthermore, a 2nd soldering resist layer from a viewpoint which can suppress further curvature of the printed wiring board in a mounting process is 150 degreeC or more, and 155 degreeC or more more preferably. Although the upper limit of the said Tg is not specifically limited, Usually, it can be 300 degrees C or less, 250 degrees C or less, etc.

적합한 일 실시형태에 있어서, 제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 어느 쪽도 열경화성 수지 조성물이다. 다른 적합한 실시형태에 있어서, 제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 어느 쪽도 광경화성 수지 조성물이다. 또 다른 적합한 실시형태에 있어서, 제1 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 열경화성 수지 조성물이며, 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 광경화성 수지 조성물이다. 또 다른 적합한 실시형태에 있어서, 제1 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 광경화성 수지 조성물이며, 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 열경화성 수지 조성물이다.In one suitable embodiment, both the resin compositions used for the first and second resin composition layers are thermosetting resin compositions. In another suitable embodiment, both the resin compositions used for the first and second resin composition layers are photocurable resin compositions. In another suitable embodiment, the resin composition used for the first resin composition layer is a thermosetting resin composition, and the resin composition used for the second resin composition layer is a photocurable resin composition. In another suitable embodiment, the resin composition used for the first resin composition layer is a photocurable resin composition, and the resin composition used for the second resin composition layer is a thermosetting resin composition.

- (h) 열가소성 수지 -- (h) Thermoplastic resins -

제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 추가로 열가소성 수지를 포함해도 좋다. 열가소성 수지로서는, 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 통상 사용되는 임의의 열가소성 수지를 사용해도 좋고, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐 아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르 설폰 수지, 폴리페닐렌 에테르 수지 및 폴리설폰 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.The resin composition used for the first and second resin composition layers may further contain a thermoplastic resin. As a thermoplastic resin, when forming the soldering resist layer of a printed wiring board, you may use arbitrary thermoplastic resins normally used, For example, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, Polyamideimide resin, polyether sulfone resin, polyphenylene ether resin, polysulfone resin, etc. are mentioned. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 8,000 내지 70,000의 범위가 바람직하고, 10,000 내지 60,000의 범위가 보다 바람직하고, 20,000 내지 60,000의 범위가 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 (주)시마즈 세사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 컬럼으로서 쇼와 덴코(주) 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 컬럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The range of 8,000-70,000 is preferable, as for the weight average molecular weight of polystyrene conversion of a thermoplastic resin, the range of 10,000-60,000 is more preferable, The range of 20,000-60,000 is still more preferable. The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and Shodex K-800P/K manufactured by Showa Denko Co., Ltd. as a column as a column. -804L/K-804L can be calculated by using chloroform or the like as a mobile phase and measuring at a column temperature of 40°C using a standard polystyrene calibration curve.

수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은, 원하는 탄성율을 나타내는 솔더 레지스트 층을 수득할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상, 5질량% 이상 또는 7질량% 이상이다. 열가소성 수지의 함유량의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30질량% 이하이다. 에폭시 수지나 경화제의 종류, 무기 충전재의 함유량에도 따르지만, 수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량을 높이면, 당해 수지 조성물의 경화 후의 탄성율은 낮아지는 경향이 있다.Although content of the thermoplastic resin in a resin composition is not specifically limited as long as the soldering resist layer which shows a desired elastic modulus can be obtained, Preferably it is 0.1 mass % or more, More preferably, it is 1 mass % or more, More preferably, it is 3 mass %. % or more, 5 mass % or more, or 7 mass % or more. Although the upper limit of content of a thermoplastic resin is not specifically limited, Preferably it is 50 mass % or less, More preferably, it is 40 mass % or less, More preferably, it is 30 mass % or less. Although it depends also on the kind of an epoxy resin, a hardening|curing agent, and content of an inorganic filler, when content of the thermoplastic resin in a resin composition is increased, there exists a tendency for the elasticity modulus after hardening of the said resin composition to become low.

- (i) 경화 촉진제 -- (i) curing accelerator -

제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 추가로 경화 촉진제를 포함해도 좋다. 경화 촉진제로서는, 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 통상 사용되는 임의의 경화 촉진제를 사용해도 좋고, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition used for the first and second resin composition layers may further contain a curing accelerator. As a hardening accelerator, you may use arbitrary hardening accelerators normally used when forming the soldering resist layer of a printed wiring board, For example, phosphorus type hardening accelerator, an amine type hardening accelerator, an imidazole type hardening accelerator, a guanidine type hardening accelerator, etc. and phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators and imidazole-based curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators and imidazole-based curing accelerators are more preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유량은, 원하는 탄성율을 나타내는 솔더 레지스트 층을 수득할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 에폭시 수지와 경화제의 불휘발 성분 합계량을 100질량%로 했을 때, 0.03질량% 내지 3질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.Although content of the hardening accelerator in a resin composition is not specifically limited as long as the soldering resist layer which shows a desired elastic modulus is obtained, When the total amount of the nonvolatile component of an epoxy resin and a hardening|curing agent is 100 mass %, 0.03 mass % - 3 mass It is preferable to use it in the range of %.

- (j) 난연제 -- (j) flame retardant -

제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 추가로 난연제를 포함해도 좋다. 난연제로서는, 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 통상사용되는 임의의 난연제를 사용해도 좋고, 예를 들어, 유기인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. 수지 조성물 중의 난연제의 함유량은, 원하는 탄성율을 나타내는 솔더 레지스트 층을 수득할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5질량% 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 1질량% 내지 15질량%이다.The resin composition used for the first and second resin composition layers may further contain a flame retardant. As the flame retardant, any flame retardant commonly used in forming the solder resist layer of the printed wiring board may be used, and examples thereof include an organophosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. there is. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Although content of the flame retardant in a resin composition is not specifically limited as long as the soldering resist layer which shows a desired elastic modulus can be obtained, Preferably it is 0.5 mass % - 20 mass %, More preferably, it is 1 mass % - 15 mass %.

- (k) 유기 충전재 -- (k) organic fillers -

제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은 추가로 유기 충전재를 포함해도 좋다. 유기 충전재로서는, 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 사용할 수 있는 임의의 유기 충전재를 사용해도 좋고, 예를 들어, 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등을 들 수 있고, 고무 입자가 바람직하다.The resin composition used for the first and second resin composition layers may further contain an organic filler. As an organic filler, you may use arbitrary organic fillers which can be used when forming the soldering resist layer of a printed wiring board, For example, a rubber particle, polyamide microparticles|fine-particles, a silicone particle, etc. are mentioned, A rubber particle is preferable. .

고무 입자로서는, 고무 탄성을 나타내는 수지에 화학적 가교 처리를 하고, 유기 용제에 불용(不溶) 및 불융(不融)으로 한 수지의 미립자체인 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무 입자, 부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자 등을 들 수 있다. 고무 입자로서는, 구체적으로는, XER-91(니혼 고세 고무(주) 제조), 스타피로이드AC3355, AC3816, AC3816N, AC3832, AC4030, AC3364, IM101(이상, 간츠 카세이(주) 제조) 파랄로이드EXL2655, EXL2602(이상, 쿠레하 카가쿠코교(주) 제조) 등을 들 수 있다.The rubber particles are not particularly limited as long as they are fine particles of a resin that is chemically crosslinked to a resin exhibiting rubber elasticity and made insoluble and infusible in an organic solvent. For example, acrylonitrile butadiene rubber particle|grains, a butadiene rubber particle, an acrylic rubber particle, etc. are mentioned. Specifically as rubber particles, XER-91 (manufactured by Nippon Kose Rubber Co., Ltd.), Starpyroid AC3355, AC3816, AC3816N, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (above, manufactured by Gantz Kasei Co., Ltd.) Paraloid EXL2655 , EXL2602 (above, Kureha Chemical Co., Ltd. make) etc. are mentioned.

유기 충전재의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.005㎛ 내지 1㎛의 범위, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위이다. 유기 충전재의 평균 입자 직경은 동적 광산란법을 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들어, 적당한 유기 용제에 유기 충전재를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시키고, 농후계 입경 애널라이저(FPAR-1000; 오츠카 덴시(주) 제조)를 사용하여, 유기 충전재의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 이의 미디언 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다.The average particle diameter of the organic filler is preferably in the range of 0.005 μm to 1 μm, more preferably in the range of 0.2 μm to 0.6 μm. The average particle diameter of the organic filler can be measured using a dynamic light scattering method. For example, the organic filler is uniformly dispersed in a suitable organic solvent by ultrasonic waves, etc., and the particle size distribution of the organic filler is created on the basis of mass using a thick particle size analyzer (FPAR-1000; manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.) , can be measured by taking the median diameter thereof as the average particle diameter.

수지 조성물 중의 유기 충전재의 함유량은, 원하는 탄성율을 나타내는 솔더 레지스트 층을 수득할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.1질량% 내지 6질량%, 보다 바람직하게는 0.5질량% 내지 4질량%이다.Although content of the organic filler in a resin composition is not specifically limited as long as the soldering resist layer which shows a desired elastic modulus can be obtained, Preferably it is 0.1 mass % - 6 mass %, More preferably, it is 0.5 mass % - 4 mass % .

- 기타 성분 -- Other Ingredients -

제1 및 제2 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은, 필요에 따라, 기타 첨가제를 포함하고 있어도 좋고, 이러한 기타 첨가제로서는, 예를 들어, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다.The resin composition used for the 1st and 2nd resin composition layers may contain other additives as needed, As such other additives, For example, organic copper compounds, such as an organo-copper compound, an organozinc compound, and an organocobalt compound, Resin additives, such as a metal compound and a thickener, an antifoamer, a leveling agent, an adhesiveness imparting agent, and a coloring agent, etc. are mentioned.

<지지체><Support>

지지체로서는 제1 지지체, 제2 지지체를 구별하지 않고, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As a support body, a 1st support body and a 2nd support body are not distinguished, For example, the film which consists of a plastic material, metal foil, and a release paper are mentioned, The film which consists of a plastic material, and metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(이하 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌 나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸 셀룰로스(TAC), 폴리에테르 설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material is, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”). ), polyester such as polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), Polyether ketone, polyimide, etc. are mentioned. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 기타 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티타늄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, as metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and other metals (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. good.

지지체는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리를 해도 좋다. 또한, 지지체로서는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다.The support may be subjected to a matte treatment or a corona treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer. Moreover, as a support body, you may use the support body with a mold release layer which has a mold release layer on the surface to join with the resin composition layer. As a mold release agent used for the mold release layer of a support body with a mold release layer, 1 or more types of mold release agents are mentioned from the group which consists of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin, for example.

지지체의 시판품으로서는, 예를 들어, 린텍(주) 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 토레(주) 제조 「NS80A」, 미츠비시 쥬시(주) 제조 「R310-16B」 등을 들 수 있다.As a commercial item of a support body, "SK-1", "AL-5", "AL-7" manufactured by Lintec Co., Ltd., "NS80A" manufactured by Toray Co., Ltd., "R310" manufactured by Mitsubishi Juicy Co., Ltd. -16B" and the like.

지지체의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하고, 10㎛ 내지 45㎛의 범위가 더욱 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.Although the thickness of a support body is not specifically limited, The range of 5 micrometers - 75 micrometers is preferable, the range of 10 micrometers - 60 micrometers is more preferable, The range of 10 micrometers - 45 micrometers is still more preferable. Moreover, when using a support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is the said range.

수지 시트는 제1 수지 시트, 제2 수지 시트를 구별하지 않고, 예를 들어, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이 코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 수지 바니쉬를 건조시킴으로써 제작 할 수 있다.The resin sheet does not distinguish between the first resin sheet and the second resin sheet, for example, a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent is prepared, and this resin varnish is applied on a support using a die coater or the like, It can be produced by drying the resin varnish.

유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥사논 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 및 카비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카비톨 등의 카비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; acetate esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; cellosolve; and amide solvents such as carbitols such as butylcarbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, dimethylformamide, dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

수지 바니쉬의 건조는 가열, 열풍 분사 등의 공지의 건조 방법에 의해 실시해도 좋다. 수지 바니쉬 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니쉬를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 지지체 위에 수지 조성물을 형성할 수 있다.You may perform drying of a resin varnish by well-known drying methods, such as heating and hot air spraying. Although it varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent, by drying at 50°C to 150°C for 3 minutes to 10 minutes, A resin composition can be formed on a support body.

수지 시트는, 제1 수지 시트, 제2 수지 시트를 구별하지 않고, 수지 조성물 층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 보호 필름을 추가로 포함해도 좋다. 보호 필름은, 수지 조성물 층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠의 방지에 기여한다. 보호 필름의 재료로서는, 지지체에 대해 설명한 재료와 동일한 것을 사용해도 좋다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 1㎛ 내지 40㎛이다. 수지 시트는, 프린트 배선판을 제조할 때에는, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.The resin sheet does not distinguish between the first resin sheet and the second resin sheet, and may further include a protective film on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface on the opposite side to the support). A protective film contributes to the prevention of adhesion of dust etc. to the surface of a resin composition layer, and a flaw. As a material of a protective film, you may use the thing similar to the material demonstrated about a support body. Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, it is 1 micrometer - 40 micrometers. When manufacturing a printed wiring board, a resin sheet becomes usable by peeling off a protective film.

[프린트 배선판의 제조 방법][Manufacturing method of printed wiring board]

상기 조건 (1), (2) 및 (3)을 만족시키는 프린트 배선판을 수득할 수 있는 한, 본 발명의 프린트 배선판을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 이하, 본 발명의 프린트 배선판을 제조하는 방법의 적합한 일례로서, 상술한 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층용 수지 시트 세트를 사용하여 프린트 배선판을 제조하는 방법에 대해 설명한다.The method for manufacturing the printed wiring board of the present invention is not particularly limited as long as a printed wiring board satisfying the above conditions (1), (2) and (3) can be obtained. Hereinafter, as a suitable example of the method of manufacturing the printed wiring board of this invention, the method of manufacturing a printed wiring board using the resin sheet set for soldering resist layers of the above-mentioned printed wiring board is demonstrated.

적합한 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 상술한 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층용 수지 시트 세트를 사용하여, 하기 공정 (Ⅰ) 내지 (Ⅲ)을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.In one suitable embodiment, the printed wiring board of this invention can be manufactured by the method including the following processes (I)-(III) using the resin sheet set for soldering resist layers of a printed wiring board mentioned above.

(Ⅰ) 제1 및 제2 주면(主面)을 갖는 회로 기판의 제1 주면에, 제1 지지체 및 당해 제1 지지체와 접합하고 있는 제1 수지 조성물 층을 포함하는 제1 수지 시트를, 제1 수지 조성물 층이 회로 기판의 제1 주면과 접합하도록 적층하는 공정.(I) a first resin sheet comprising, on a first main surface of a circuit board having first and second main surfaces, a first support and a first resin composition layer bonded to the first support; 1 A step of laminating the resin composition layer so as to be bonded to the first main surface of the circuit board.

(Ⅱ) 회로 기판의 제2 주면에, 제2 지지체 및 당해 제2 지지체와 접합하고 있는 제2 수지 조성물 층을 포함하는 제2 수지 시트를, 제2 수지 조성물 층이 회로 기판의 제2 주면과 접합하도록 적층하는 공정.(II) a second resin sheet including a second support and a second resin composition layer bonded to the second support on a second main surface of the circuit board, the second resin composition layer is applied to the second main surface of the circuit board The process of laminating to be joined.

(Ⅲ) 제1 및 제2 수지 조성물 층을 경화시켜 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 형성하는 공정.(III) A step of curing the first and second resin composition layers to form first and second solder resist layers.

- 공정 (Ⅰ) -- Process (Ⅰ) -

공정 (Ⅰ)에 있어서, 제1 및 제2 주면을 갖는 회로 기판의 제1 주면에, 제1 지지체 및 당해 제1 지지체와 접합하고 있는 제1 수지 조성물 층을 포함하는 제1 수지 시트를, 제1 수지 조성물 층이 회로 기판의 제1 주면과 접합하도록 적층한다.In the step (I), a first resin sheet including a first support and a first resin composition layer bonded to the first support is formed on a first main surface of a circuit board having first and second main surfaces; 1 The resin composition layer is laminated so as to be bonded to the first main surface of the circuit board.

공정 (Ⅰ)에 있어서 사용하는 제1 수지 시트는, 상기 [프린트 배선판의 솔더 레지스트 층용 수지 시트 세트]에 기재한 바와 같다.The 1st resin sheet used in a process (I) is as having described in the said [resin sheet set for soldering resist layers of a printed wiring board].

본 발명에 있어서 「회로 기판」이란, 프린트 배선판을 제조할 때에 추가로 양면에 솔더 레지스트 층이 형성되어야 할 기판을 말하고, 예를 들어, 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖고, 당해 제1 및 제2 주면의 양쪽에 패턴 가공된 회로 배선을 갖는 기판을 들 수 있다. 회로 배선의 층수를 비롯한 층 구성은 특별히 한정되지 않으며, 원하는 프린트 배선판의 특성에 따라 적절히 결정해도 좋다.In the present invention, the term "circuit board" refers to a board on which a solder resist layer should be further formed on both surfaces when manufacturing a printed wiring board, and has, for example, opposing first and second main surfaces, the first and The board|substrate which has the circuit wiring by which the pattern process was carried out on both sides of the 2nd main surface is mentioned. The layer structure, including the number of layers of circuit wiring, is not specifically limited, You may determine suitably according to the characteristic of a desired printed wiring board.

회로 기판의 두께는 상기 조건 (1) 및 (2)를 만족시키는 프린트 배선판을 수득할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 240㎛ 이하, 보다 바람직하게는 220㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 200㎛ 이하이다. 본 발명에 의하면, 더욱 얇은 회로 기판을 사용하는 경우라도, 실장 공정에서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제할 수 있다. 예를 들어, 190㎛ 이하, 180㎛ 이하, 170㎛ 이하, 160㎛ 이하, 150㎛ 이하, 140㎛ 이하, 130㎛ 이하, 120㎛ 이하, 110㎛ 이하 또는 100㎛ 이하의 두께의 회로 기판을 사용하는 경우라도, 실장 공정에서의 휘어짐을 억제할 수 있다. 회로 기판의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 프린트 배선판 제조시의 취급성 향상의 관점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이다. 또한, 회로 기판의 두께란, 표면 회로의 두께도 포함하는 회로 기판 전체의 두께이다. 여기서, 회로 기판의 두께 중 표면 회로의 두께를 제외한 값을 t₃(㎛)으로 할 때, 상기 Z, t₁, t₂와, 당해 t₃은 t₁＋t₂＋t₃ = Z의 관계를 만족시킨다.The thickness of the circuit board is not particularly limited as long as a printed wiring board satisfying the above conditions (1) and (2) can be obtained, but is preferably 240 µm or less, more preferably 220 µm or less, still more preferably 200 µm or less. μm or less. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even when using a thinner circuit board, the curvature of the printed wiring board in a mounting process can be suppressed. For example, use a circuit board with a thickness of 190 µm or less, 180 µm or less, 170 µm or less, 160 µm or less, 150 µm or less, 140 µm or less, 130 µm or less, 120 µm or less, 110 µm or less, or 100 µm or less. Even in this case, the curvature in the mounting process can be suppressed. Although the minimum of the thickness of a circuit board is not specifically limited, From a viewpoint of the handleability improvement at the time of printed wiring board manufacture, Preferably it is 10 micrometers or more, More preferably, it is 20 micrometers or more. In addition, the thickness of a circuit board is the thickness of the whole circuit board including the thickness of a surface circuit. Here, when a value excluding the thickness of the surface circuit among the thickness of the circuit board is t ₃ (μm), Z, t ₁ , t ₂ and t ₃ are t ₁ +t ₂ +t ₃ = satisfies the relation of Z.

회로 기판의 표면 회로의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 40㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 20㎛ 이하, 18㎛ 이하, 16㎛ 이하, 14㎛ 이하, 12㎛ 이하 또는 10㎛ 이하이다. 표면 회로의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 1㎛ 이상, 3㎛ 이상, 5㎛ 이상 등으로 할 수 있다.Although the thickness of the surface circuit of a circuit board is not specifically limited, From a viewpoint of thickness reduction of a printed wiring board, Preferably it is 40 micrometers or less, More preferably, it is 30 micrometers or less, More preferably, it is 25 micrometers or less, Even more preferably 20 μm or less, 18 μm or less, 16 μm or less, 14 μm or less, 12 μm or less, or 10 μm or less. Although the lower limit of the thickness of a surface circuit is not specifically limited, Usually, it can be 1 micrometer or more, 3 micrometers or more, 5 micrometers or more.

회로 기판의 열팽창 계수는, 회로 변형이나 크랙의 발생을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 16ppm/℃ 이하, 보다 바람직하게는 14ppm/℃ 이하, 더욱 바람직하게는 12ppm/℃ 이하이다. 회로 기판의 열팽창 계수의 하한은, 솔더 레지스트 층의 형성에 사용하는 수지 조성물의 조성에도 따르지만, 바람직하게는 -2ppm/℃ 이상, 보다 바람직하게는 0ppm/℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 4ppm/℃ 이상이다. 본 발명에 있어서, 회로 기판의 열팽창 계수는, 인장 가중법으로 열기계 분석(TMA)함으로써 얻어진, 평면 방향의 25 내지 150℃의 선열팽창 계수이다. 회로 기판의 선열팽창 계수의 측정에 사용할 수 있는 열기계 분석 장치로서는, 예를 들어, (주)리가쿠 제조 「Thermo Plus TMA8310」, 세이코 인스츠루멘츠(주) 제조 「TMA-SS6100」을 들 수 있다.The thermal expansion coefficient of the circuit board is preferably 16 ppm/°C or less, more preferably 14 ppm/°C or less, still more preferably 12 ppm/°C or less from the viewpoint of suppressing the occurrence of circuit deformation or cracks. Although the lower limit of the thermal expansion coefficient of a circuit board also depends on the composition of the resin composition used for formation of a soldering resist layer, Preferably it is -2 ppm/degreeC or more, More preferably, it is 0 ppm/degreeC or more, More preferably, it is 4 ppm/degreeC. More than that. In the present invention, the coefficient of thermal expansion of the circuit board is a coefficient of linear thermal expansion of 25 to 150°C in the plane direction obtained by thermomechanical analysis (TMA) by a tensile weighting method. As a thermomechanical analyzer which can be used for the measurement of the coefficient of linear thermal expansion of a circuit board, "Thermo Plus TMA8310" by Rigaku Co., Ltd. and "TMA-SS6100" by Seiko Instruments Co., Ltd. are mentioned, for example can

회로 기판의 굴곡 탄성율은 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 회로 기판의 굴곡 탄성율에 의하지 않고, 실장 공정에서의 휘어짐을 억제할 수 있다.The flexural modulus of the circuit board is not particularly limited. In this invention, irrespective of the bending elastic modulus of a circuit board, the curvature in a mounting process can be suppressed.

회로 기판과 제1 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 제1 지지체측으로부터, 제1 수지 시트를 회로 기판에 가열 압착함으로써 실시할 수 있다. 제1 수지 시트를 회로 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속롤(SUS롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 제1 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니고, 회로 기판의 표면 회로에 기인하는 요철에 제1 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of a circuit board and a 1st resin sheet can be performed by thermocompression-bonding a 1st resin sheet to a circuit board from the 1st support body side, for example. As a member (hereinafter also referred to as a "thermocompression bonding member") which heat-compresses a 1st resin sheet to a circuit board, a heated metal plate (SUS mirror plate etc.), a metal roll (SUS roll), etc. are mentioned, for example. In addition, it is preferable not to press the thermocompression-compression-bonding member directly to the first resin sheet, but to press through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the first resin sheet sufficiently follows the unevenness caused by the circuit on the surface of the circuit board. .

가열 압착 온도는 바람직하게는 80℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 100℃ 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이며, 가열 압착 시간은 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에 실시한다.The thermocompression pressure is preferably in the range of 80°C to 160°C, more preferably 100°C to 140°C, and the thermocompression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. and the heat compression time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions of a pressure of 26.7 hPa or less.

적층은, 시판 중인 진공 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 시판 중인 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, (주)메이키 세사쿠쇼 제조의 진공 가압식 라미네이터, 니치고ㆍ모톤(주) 제조의 베큠 어플리케이터 등을 들 수 있다.Lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, the vacuum pressurization laminator manufactured by Meiki Sesakusho Co., Ltd., the vacuum applicator manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd., etc. are mentioned, for example.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 제1 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 제1 접착 시트의 평활화 처리를 실시해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판 중인 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기의 시판 중인 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 실시해도 좋다.After lamination, the smoothing process of the laminated|stacked 1st adhesive sheet may be performed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing a thermocompression-bonding member from the 1st support body side. The press conditions of the smoothing process can be made into the same conditions as the thermocompression-bonding conditions of the said lamination|stacking. A smoothing process can be implemented with a commercially available laminator. In addition, you may perform lamination|stacking and a smoothing process continuously using said commercially available vacuum laminator.

- 공정 (Ⅱ) -- Process (Ⅱ) -

공정 (Ⅱ)에 있어서, 회로 기판의 제2 주면에, 제2 지지체 및 당해 제2 지지체와 접합하고 있는 제2 수지 조성물 층을 포함하는 제2 수지 시트를, 제2 수지 조성물 층이 회로 기판의 제2 주면과 접합하도록 적층한다.In the step (II), a second resin sheet including a second support and a second resin composition layer bonded to the second support is applied to the second main surface of the circuit board, and the second resin composition layer is applied to the circuit board. It is laminated so as to be joined to the second main surface.

공정 (Ⅱ)에서 사용하는 제2 수지 시트는, 상기 [프린트 배선판의 솔더 레지스트 층용 수지 시트 세트]에 기재된 바와 같다.The 2nd resin sheet used at a process (II) is as described in the said [resin sheet set for soldering resist layers of a printed wiring board].

회로 기판과 제2 수지 시트의 적층은, 공정 (Ⅰ)과 동일하게 하여 실시해도 좋다. 회로 기판과 제2 수지 시트의 적층 후, 공정 (Ⅰ)에 대해 설명한 평활화처리를 제2 수지 시트에 대해 실시해도 좋다.You may perform lamination|stacking of a circuit board and a 2nd resin sheet similarly to process (I). After lamination of the circuit board and the second resin sheet, the smoothing treatment described in the step (I) may be applied to the second resin sheet.

공정 (Ⅰ)과 공정 (Ⅱ)는 시판 중인 진공 라미네이터를 사용하여 동시에 실시해도 좋다.You may carry out process (I) and process (II) simultaneously using a commercially available vacuum laminator.

제1 및 제2 지지체는 공정 (Ⅲ) 전에 제거해도 좋다. 또는, 제1 및 제2 지지체는 공정 (Ⅲ) 후에 제거해도 좋고(열경화성 수지 조성물 층을 사용하는 경우), 공정 (Ⅲ) 사이에 제거해도 좋다(광경화성 수지 조성물 층을 사용하는 경우).The first and second supports may be removed before the step (III). Alternatively, the first and second supports may be removed after step (III) (when a thermosetting resin composition layer is used) or between step (III) (when a photocurable resin composition layer is used).

- 공정 (Ⅲ) -- Process (III) -

공정 (Ⅲ)에 있어서, 제1 및 제2 수지 조성물 층을 경화시켜 제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 형성한다.In a process (III), a 1st and 2nd resin composition layer is hardened|cured, and a 1st and 2nd soldering resist layer is formed.

수지 조성물 층의 경화의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 프린트 배선판의 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 사용해도 좋다.The conditions of hardening of a resin composition layer are not specifically limited, When forming the soldering resist layer of a printed wiring board, you may use the conditions normally employ|adopted.

제1 및 제2 수지 조성물 층의 적어도 한쪽이 열경화성 수지 조성물 층인 경우, 공정 (Ⅲ)은, 열경화성 수지 조성물 층을 열경화시켜 솔더 레지스트 층을 형성하는 것을 포함한다.When at least one of the first and second resin composition layers is a thermosetting resin composition layer, step (III) includes thermosetting the thermosetting resin composition layer to form a solder resist layer.

열경화의 조건은, 열경화성 수지 조성물 층에 사용하는 수지 조성물의 조성 등에 의해서도 상이하지만, 경화 온도는 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 210℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 190℃의 범위), 경화 시간은 5분간 내지 150분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 120분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)로 할 수 있다. 열경화는 대기압 하(상압 상태)에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 열경화는 복수회 실시해도 좋다. 예를 들어, 후술하는 공정 (Ⅳ) 전에 공정 (Ⅲ)을 복수회 실시해도 좋고, 후술하는 공정 (Ⅳ) 전에 공정 (Ⅲ)을 1회 이상 실시하고, 또한 공정 (Ⅳ) 및 (Ⅴ) 후에 열경화를 1회 이상 실시해도 좋다. 열경화를 n회 실시하는 경우, 앞서 기술한 「경화 후의 탄성율」은 열경화를 n회 실시한 후의 탄성율을 나타낸다.Although the conditions for thermosetting also differ depending on the composition of the resin composition used for the thermosetting resin composition layer, the curing temperature is in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 210°C, more preferably 170°C). to 190°C), the curing time can be in the range of 5 minutes to 150 minutes (preferably 10 minutes to 120 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes). It is preferable to perform thermosetting under atmospheric pressure (normal pressure state). In addition, you may perform thermosetting multiple times. For example, step (III) may be performed a plurality of times before step (IV) described later, step (III) is performed one or more times before step (IV) described later, and after steps (IV) and (V) You may perform thermosetting one or more times. When thermosetting is performed n times, the "modulus of elasticity after curing" described above represents the modulus of elasticity after performing thermosetting n times.

제1 및 제2 수지 조성물 층의 적어도 한쪽이 광경화성 수지 조성물 층인 경우, 공정 (Ⅲ)은 광경화성 수지 조성물 층을 노광, 현상하고, 베이크하여 솔더 레지스트 층을 형성하는 것을 포함한다.When at least one of the first and second resin composition layers is a photocurable resin composition layer, step (III) includes exposing, developing, and baking the photocurable resin composition layer to form a solder resist layer.

광경화성 수지 조성물 층의 노광은, 예를 들어, 마스크 패턴을 사용하여 광경화성 수지 조성물 층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 실시해도 좋다. 이에 의해, 조사부의 광경화성 수지 조성물을 광경화시킬 수 있다. 활성 광선으로서는, 예를 들어, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있고, 특히 자외선이 바람직하다. 자외선의 조사량은 특별히 한정되지 않고 광경화성 수지 조성물을 사용하여 솔더 레지스트 층을 형성할 때에 통상 사용되는 범위로 해도 좋지만, 바람직하게는 10mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이다. 광경화성 수지 조성물 층 위에 지지체가 존재하고 있는 경우, 지지체 위부터 노광해도 좋다.Exposure of the photocurable resin composition layer may be performed by irradiating actinic light to a predetermined part of the photocurable resin composition layer using a mask pattern, for example. Thereby, the photocurable resin composition of an irradiation part can be photocured. As an actinic light, an ultraviolet-ray, a visible light, an electron beam, X-ray etc. are mentioned, for example, Especially an ultraviolet-ray is preferable. The irradiation amount of an ultraviolet-ray is not specifically limited, Although it is good also as a range normally used when forming a soldering resist layer using a photocurable resin composition, Preferably it is 10 mJ/cm<2> - 1000 mJ/cm<2>. When a support body exists on the photocurable resin composition layer, you may expose from a support body top.

현상은, 현상액을 사용하여, 광경화되어 있지 않은 부분(미노광부)을 제거하여 실시해도 좋다. 이에 의해, 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 광경화성 수지 조성물 층 위에 지지체가 존재하고 있는 경우에는 당해 지지체를 제거한 후, 현상하면 좋다. 현상액으로서는 알카리성 현상액이 바람직하고, 예를 들어, 탄산나트륨 수용액, 수산화나트륨 수용액을 들 수 있다. 현상 방법으로서는, 예를 들어, 스프레이, 요동 침지, 브러싱, 스크랩핑 등을 들 수 있다.You may perform image development by removing the part (unexposed part) which is not photocured using a developing solution. Thereby, a desired pattern can be formed. In addition, what is necessary is just to develop, after removing the said support body when the support body exists on the photocurable resin composition layer. As a developing solution, an alkaline developing solution is preferable, for example, sodium carbonate aqueous solution and sodium hydroxide aqueous solution are mentioned. As an image development method, spray, rock|fluctuation immersion, brushing, scraping, etc. are mentioned, for example.

베이크의 조건은, 광경화성 수지 조성물 층에 사용하는 수지 조성물의 조성 등에 의해서도 상이하지만, 베이크 온도는 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 210℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 190℃의 범위), 베이크 시간은 5분간 내지 150분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 120분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)로 할 수 있다. 베이크는 대기압 하(상압 상태)에서 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 베이크는 복수회 실시해도 좋다. 베이크를 n회실시하는 경우, 앞서 기술한 「경화 후의 탄성율」은, 베이크를 n회 실시한 후의 탄성율을 나타낸다.Although the conditions of baking also differ depending on the composition of the resin composition used for the photocurable resin composition layer, etc., a baking temperature is the range of 120 degreeC - 240 degreeC (preferably the range of 150 degreeC - 210 degreeC, More preferably, 170 degreeC to 190°C), the baking time can be in the range of 5 minutes to 150 minutes (preferably 10 minutes to 120 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes). It is preferable to perform baking under atmospheric pressure (normal pressure state). In addition, you may perform baking in multiple times. When baking is performed n times, the "modulus of elasticity after hardening" mentioned above shows the elasticity modulus after baking n times.

제1 및 제2 수지 조성물 층의 한쪽이 열경화성 수지 조성물 층이고 다른 쪽이 광경화성 수지 조성물 층인 경우, 광경화성 수지 조성물 층에 대해 실시하는 베이크는, 열경화성 수지 조성물 층의 열경화와 동시에 실시해도 좋다.When one of the first and second resin composition layers is a thermosetting resin composition layer and the other is a photocurable resin composition layer, the baking performed on the photocurable resin composition layer may be performed simultaneously with the thermosetting of the thermosetting resin composition layer. .

본 발명의 수지 시트 세트를 사용해서 공정 (Ⅰ) 내지 (Ⅲ)을 실시함으로써, 상술한 조건 (1), (2) 및 (3)을 만족시키는 프린트 배선판을 간편하게 제조할 수 있다.By performing the steps (I) to (III) using the resin sheet set of the present invention, a printed wiring board satisfying the above conditions (1), (2) and (3) can be easily manufactured.

- 기타 공정 -- Other processes -

프린트 배선판의 제조 방법은, 추가로 (Ⅳ) 개구부를 형성하는 공정, (Ⅴ) 디스미어 처리하는 공정을 포함해도 좋다. 이들 공정 (Ⅳ) 및 (Ⅴ)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지의 각종 방법에 따라 실시해도 좋다. 또한, 제1 및 제2 지지체를 공정 (Ⅲ) 후에 박리하는 경우(열경화성 수지 조성물 층을 사용하는 경우), 당해 제1 및 제2 지지체의 박리는, 공정 (Ⅲ)과 공정 (Ⅳ) 사이, 공정 (Ⅳ)와 공정 (Ⅴ) 사이, 또는 공정 (Ⅴ) 후에 실시해도 좋다.The manufacturing method of a printed wiring board may further include the process of (IV) forming an opening part, and (V) the process of carrying out a desmear process. You may implement these processes (IV) and (V) according to various methods well-known to those skilled in the art used for manufacture of a printed wiring board. In the case where the first and second supports are peeled off after the step (III) (when a thermosetting resin composition layer is used), the peeling of the first and second supports is performed between steps (III) and (IV), You may carry out between process (IV) and process (V) or after process (V).

공정 (Ⅳ)는 개구부를 형성하는 공정이다. 이에 의해, 열경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 솔더 레지스트 층에 개구부를 형성할 수 있다. 또한, 필요하면, 광경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 솔더 레지스트 층에 개구부를 형성하기 위해 공정 (Ⅳ)를 실시해도 좋다. 공정 (Ⅳ)는, 솔더 레지스트 층을 구성하는 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들어, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시해도 좋다. 개구부의 치수나 형상은 부품 실장 기판(「반도체 장치」라고도 함)의 디자인에 따라 적절히 결정해도 좋다.Process (IV) is a process of forming an opening part. Thereby, an opening part can be formed in the soldering resist layer formed using the thermosetting resin composition. Moreover, if necessary, in order to form an opening part in the soldering resist layer formed using the photocurable resin composition, you may implement the process (IV). You may implement a process (IV) using a drill, a laser, plasma, etc. according to the composition of the resin composition which comprises a soldering resist layer, etc., for example. The size and shape of the opening may be appropriately determined according to the design of the component mounting board (also referred to as "semiconductor device").

레이저에 의해 개구부를 형성하는 경우, 레이저 광원으로서는, 예를 들어, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 가공 속도, 비용의 관점에서, 탄산 가스 레이저가 바람직하다.When forming an opening with a laser, as a laser light source, a carbon dioxide laser, a YAG laser, an excimer laser, etc. are mentioned, for example. Especially, a carbon dioxide gas laser is preferable from a viewpoint of a processing speed and cost.

공정 (Ⅴ)는 디스미어 처리하는 공정이다. 공정 (Ⅳ)에서 형성된 개구부 내부에는 일반적으로 수지 잔사(스미어)가 부착되어 있다. 이러한 스미어는 전기 접속 불량의 원인이 되기 때문에, 공정 (Ⅴ)에서 스미어를 제거하는 처리(디스미어 처리)를 실시한다.Process (V) is a process of desmearing. Resin residue (smear) is generally adhered to the inside of the opening formed in step (IV). Since such a smear becomes a cause of electrical connection defect, the process (desmear process) which removes a smear is implemented in process (V).

디스미어 처리는 건식 디스미어 처리, 습식 디스미어 처리 또는 이들 조합에 의해 실시해도 좋다.You may perform a desmear process by a dry desmear process, a wet desmear process, or these combination.

건식 디스미어 처리로서는, 예를 들어, 플라즈마를 사용한 디스미어 처리 등을 들 수 있다. 플라즈마를 사용한 디스미어 처리는, 시판 중인 플라즈마 디스미어 처리 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 시판 중인 플라즈마 디스미어 처리 장치 중에서도, 프린트 배선판의 제조 용도에 적합한 예로서, (주)닛신 제조의 마이크로파 플라즈마 장치, 세키스이 카가쿠코교(주) 제조의 상압 플라즈마 에칭 장치 등을 들 수 있다.As a dry desmear process, the desmear process etc. using plasma are mentioned, for example. The desmear processing using plasma can be implemented using a commercially available plasma desmear processing apparatus. Among commercially available plasma desmear processing apparatuses, as examples suitable for the manufacturing use of printed wiring boards, a microwave plasma apparatus manufactured by Nisshin Co., Ltd., an atmospheric pressure plasma etching apparatus manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., and the like are exemplified.

습식 디스미어 처리로서는, 예를 들어, 산화제 용액을 사용한 디스미어 처리 등을 들 수 있다. 산화제 용액을 사용하여 디스미어 처리하는 경우, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제 용액에 의한 산화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순서대로 실시하는 것이 바람직하다. 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍쟈판(주) 제조의 「스웰링ㆍ딥ㆍ시큐리간스 P」, 「스웰링ㆍ딥ㆍ시큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 팽윤 처리는, 개구부가 형성된 기판을 60℃ 내지 80℃에 가열한 팽윤액에 5분간 내지 10분간 침지시킴으로써 실시하는 것이 바람직하다. 산화제 용액으로서는 알카리성 과망간산 수용액이 바람직하고, 예를 들어, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해시킨 용액을 들 수 있다. 산화제 용액에 의한 산화 처리는, 팽윤 처리 후의 기판을 60℃ 내지 80℃에 가열한 산화제 용액에 10분간 내지 30분간 침지시킴으로써 실시하는 것이 바람직하다. 알칼리성 과망간산 수용액의 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍쟈판(주) 제조의 「콘센트레이트ㆍ컴팩트 CP」, 「도징솔루션ㆍ시큐리간스 P」 등을 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는, 산화 처리 후의 기판을 30℃ 내지 50℃의 중화액에 3분간 내지 10분간 침지시킴으로써 실시하는 것이 바람직하다. 중화액으로서는 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍쟈판(주) 제조의 「리덕션솔루션ㆍ시큐리간스 P」를 들 수 있다.As a wet desmear process, the desmear process etc. using the oxidizing agent solution are mentioned, for example. When desmearing using an oxidizing agent solution, it is preferable to perform the swelling process by a swelling liquid, the oxidation process by an oxidizing agent solution, and the neutralization process by a neutralizing liquid in this order. As a swelling liquid, "Swelling Deep Securiganth P" and "Swelling Deep Securiganth SBU" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. are mentioned, for example. It is preferable to perform a swelling process by immersing the board|substrate with an opening part in the swelling liquid heated to 60 degreeC - 80 degreeC for 5 minutes - 10 minutes. As an oxidizing agent solution, alkaline permanganic acid aqueous solution is preferable, for example, the solution which melt|dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. It is preferable to carry out the oxidation treatment by an oxidizing agent solution by immersing the board|substrate after a swelling process in the oxidizing agent solution heated to 60 degreeC - 80 degreeC for 10 minutes - 30 minutes. As a commercial item of alkaline permanganic acid aqueous solution, "Concentrate Compact CP" by Atotech Japan Co., Ltd. product, "Dosing solution Securiganth P", etc. are mentioned, for example. The neutralization treatment with the neutralizing solution is preferably performed by immersing the substrate after the oxidation treatment in a neutralizing solution at 30°C to 50°C for 3 minutes to 10 minutes. As a neutralizing liquid, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial item, "Reduction Solution Security P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. is mentioned, for example.

건식 디스미어 처리와 습식 디스미어 처리를 조합하여 실시하는 경우, 건식 디스미어 처리를 먼저 실시해도 좋고, 습식 디스미어 처리를 먼저 실시해도 좋다.When carrying out combining a dry desmear process and a wet desmear process, a dry desmear process may be performed first, and a wet desmear process may be performed first.

이상, 본 발명의 수지 시트 세트를 사용하여 프린트 배선판을 제조하는 방법을 설명했지만, 상술한 조건 (1), (2) 및 (3)을 만족시키는 프린트 배선판을 수득할 수 있는 한, 본 발명의 프린트 배선판을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 회로 기판의 양면에 수지 조성물의 바니쉬를 도포하고, 건조, 경화시켜 프린트 배선판을 제조해도 좋다.As mentioned above, although the method of manufacturing a printed wiring board using the resin sheet set of this invention was demonstrated, as long as the printed wiring board which satisfy|fills the above-mentioned conditions (1), (2) and (3) can be obtained, this invention The method of manufacturing a printed wiring board is not specifically limited. For example, the varnish of the resin composition may be apply|coated to both surfaces of a circuit board, it may be made to dry and harden|cure, and you may manufacture a printed wiring board.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 프린트 배선판을 사용하여 반도체 장치를 제조할 수 있다. 본 발명의 프린트 배선판은 박형임데도 불구하고, 높은 땜납 리플로우 온도를 채용하는 부품의 실장 공정에서도 휘어짐을 억제할 수 있고, 회로 변형이나 부품의 접촉 불량 등의 문제를 유리하게 경감할 수 있다.A semiconductor device can be manufactured using the printed wiring board of this invention. Although the printed wiring board of the present invention is thin, it can suppress warpage even in a component mounting process employing a high solder reflow temperature, and can advantageously reduce problems such as circuit deformation and poor contact of components.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided for electric products (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, trams, ships, aircraft, etc.). there is.

[[ 실시예Example ]]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서, 「부」 및 「%」는 별도 명시가 없는 한 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these Examples. In addition, in the following, "part" and "%" mean "part by mass" and "mass %", respectively, unless otherwise indicated.

우선, 각종 측정 방법·평가 방법에 대해 설명한다.First, various measurement methods and evaluation methods are demonstrated.

〔평가용 기판의 조제〕[Preparation of substrate for evaluation]

(1) 회로 기판의 준비(1) Preparation of circuit board

양면에 회로가 형성된 유리포 기재 에폭시 수지 양면 적층판을, 마이크로 에칭제(맥크(주) 제조 「CZ8100」)로 1㎛ 에칭하여 표면 회로의 조화 처리를 실시하여, 회로 기판을 준비하였다. 양면에 회로가 형성된 유리포 기재 에폭시 수지 양면 적층판으로서는, 실시예 1, 2 및 4와 비교예 1 및 2에 관해서는 미츠비시 가스카가쿠(주) 제조 「HL832NSF-LCA」(사이즈 100mm×150mm, 두께 100㎛, 열팽창률 4ppm/℃, 굴곡 탄성율 34GPa, 표면 구리 회로의 두께 16㎛)를, 실시예 3과 비교예 3 및 4에 관해서는 히타치 카세이코교(주) 제조 「E679FGR」(사이즈 100mm×150mm, 두께 200㎛, 열팽창률 14ppm/K, 굴곡 탄성율 26GPa, 표면 구리 회로의 두께 16㎛(실시예 3 및 비교예 3), 8㎛(비교예 4))를 사용하였다.The glass cloth base epoxy resin double-sided laminated board in which the circuit was formed on both surfaces was etched by 1 micrometer with a micro etchant ("CZ8100" manufactured by Mack Co., Ltd.), the surface circuit was roughened, and the circuit board was prepared. As a glass cloth base epoxy resin double-sided laminate in which circuits were formed on both sides, in Examples 1, 2 and 4 and Comparative Examples 1 and 2, Mitsubishi Gas Chemicals Co., Ltd. "HL832NSF-LCA" (size 100 mm x 150 mm, thickness) 100 μm, coefficient of thermal expansion 4 ppm/° C., flexural modulus 34 GPa, surface copper circuit thickness 16 μm), in Example 3 and Comparative Examples 3 and 4, “E679FGR” manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. (size 100 mm × 150 mm, a thickness of 200 µm, a coefficient of thermal expansion of 14 ppm/K, a flexural modulus of 26 GPa, and a thickness of a surface copper circuit of 16 µm (Example 3 and Comparative Example 3) and 8 µm (Comparative Example 4)) were used.

(2) 수지 시트의 적층(2) Lamination of resin sheets

상기 (1)에서 수득한 회로 기판에, 하기 제작예에서 제작한 수지 시트를, 뱃치식 진공 가압 라미네이터(니치고ㆍ모톤(주)) 제조의 2스테이지 빌드업 라미네이터「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물 층이 회로 기판과 접하도록, 회로 기판의 양면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착함으로써 실시하였다. 이어서, 상압 하, 100℃, 압력 0.5MPa로 60초간 열프레스함으로써 평활화 처리를 실시하였다.The resin sheet produced in the following production example was applied to the circuit board obtained in (1) above, using a batch type vacuum pressurization laminator (a two-stage build-up laminator "CVP700" manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.), It laminated|stacked on both surfaces of a circuit board so that the resin composition layer might contact with a circuit board. Lamination|stacking was performed by pressure-reducing for 30 second and making atmospheric|air pressure 13 hPa or less, and then crimping|bonding at 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second. Then, the smoothing process was implemented by hot-pressing for 60 second at 100 degreeC and the pressure of 0.5 MPa under normal pressure.

또한, 회로 기판의 양면에 적층한 제1 및 제2 수지 시트의 조합은 표 1에 나타내는 바와 같다.In addition, the combination of the 1st and 2nd resin sheet laminated|stacked on both surfaces of a circuit board is as showing in Table 1.

이어서, 이하와 같이, 수지 조성물 층을 경화시켜 솔더 레지스트 층을 형성하였다.Then, the resin composition layer was hardened as follows, and the soldering resist layer was formed.

- 열경화성 수지 조성물 층을 포함하는 수지 시트 1 및 2를 사용하는 경우 -- When using the resin sheets 1 and 2 including the thermosetting resin composition layer -

(3) 수지 조성물 층의 열경화(3) thermosetting of the resin composition layer

상기 (2)에서 수득한 기판으로부터 지지체를 박리하였다. 이어서, 180℃에서 30분간의 경화 조건으로 수지 조성물 층을 열경화시켜 솔더 레지스트 층을 형성하였다.The support was peeled from the substrate obtained in (2) above. Subsequently, the resin composition layer was thermosetted under curing conditions for 30 minutes at 180° C. to form a solder resist layer.

(4) 개구부의 형성 (4) formation of openings

CO₂ 레이저 가공기(미츠비시 덴키(주) 제조 「ML605GTWIII-5200U」)를 사용하여, 하기 조건 1로 개구경 60㎛의 둥근 구멍을, 하기 조건 2로 개구 직경 500㎛의 둥근 구멍을 형성하였다.Using a CO ₂ laser processing machine (“ML605GTWIII-5200U” manufactured by Mitsubishi Denki Co., Ltd.), a round hole having an opening diameter of 60 µm was formed under the following condition 1, and a round hole having an opening diameter of 500 µm was formed under the following condition 2.

조건 1: 마스크 직경 0.9mm, 펄스 폭 19㎲, 에너지 0.24mJ, 숏트 수 2, 버스트 모드Condition 1: Mask diameter 0.9 mm, pulse width 19 μs, energy 0.24 mJ, number of shots 2, burst mode

조건 2: 마스크 직경 10mm, 펄스 폭 15㎲, 에너지 18mJ, 숏트 수 4, 버스트 모드Condition 2: Mask diameter 10 mm, pulse width 15 μs, energy 18 mJ, number of shots 4, burst mode

(5) 디스미어 처리(5) desmear treatment

개구부의 형성 후, 회로 기판을 팽윤액(아토텍쟈판(주) 제조 「스웰링딥ㆍ시큐리간스 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 수산화나트륨을 함유하는 수용액)에 60℃에서 5분간, 산화제 용액(아토텍쟈판(주) 제조 「콘센트레이트ㆍ컴팩트 CP」, KMnO₄: 60g/L, NaOH:40g/L의 수용액)에 80℃에서 10분간, 마지막으로 중화액(아토텍쟈판(주) 제조 「리덕션솔루션ㆍ시큐리간스 P」, 황산 하이드록실아민 수용액)에 40℃에서 5분간 침지하였다. 그 후, 100℃에서 30분간 건조하고, 이어서 180℃에서 60분간 추가로 열경화시켜 평가 기판을 제작하였다.After the opening is formed, the circuit board is placed in a swelling solution (Atotech Japan Co., Ltd. "Swelling Deep Security P", an aqueous solution containing diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 60° C. for 5 minutes, an oxidizing agent solution (“Concentrate Compact CP” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., KMnO ₄ : 60 g/L, NaOH: 40 g/L aqueous solution) at 80° C. for 10 minutes, and finally a neutralizing solution (Atotech Japan Co., Ltd.) It was immersed in "Reduction solution Securiganth P", hydroxylamine sulfate aqueous solution) at 40 degreeC for 5 minutes. Then, it dried at 100 degreeC for 30 minute(s), and then, it further thermosetted at 180 degreeC for 60 minute(s), and produced the evaluation board|substrate.

- 광경화성 수지 조성물 층을 포함하는 수지 시트 3, 4 및 5를 사용하는 경우 -- When using the resin sheets 3, 4 and 5 including the photocurable resin composition layer -

(3') 수지 조성물 층의 노광, 현상 및 베이크(3') exposure, development and baking of the resin composition layer

상기 (2)에서 수득한 기판을 실온에서 1시간 정치하였다. 그 후, 마스크 패턴을 사용하여, 개구 직경 60㎛와 500㎛의 둥근 구멍이 형성될 수 있도록, 지지체 위부터 100mJ/㎠의 자외선을 노광하였다. 노광은 패턴 형성 장치(우시오 덴키(주) 제조 「UX-2240」)를 사용하여 실시하였다. 이어서, 실온에서 30분간 정치하고, 지지체를 박리하였다. The substrate obtained in (2) above was allowed to stand at room temperature for 1 hour. Then, using a mask pattern, 100 mJ/cm 2 of ultraviolet light was exposed from above the support so that round holes having an opening diameter of 60 µm and 500 µm could be formed. Exposure was performed using the pattern forming apparatus ("UX-2240" by Ushio Denki Co., Ltd.). Then, it left still at room temperature for 30 minutes, and peeled the support body.

수득된 기판에 대해, 수지 조성물 층의 전면에, 현상액(30℃의 2질량% 수산화나트륨 수용액)을, 스프레이압 0.2MPa로 40초간 스프레이하여 현상하였다. 또한, 수지 시트 4를 사용하는 비교예 2에 관해서는, 현상액으로서 30℃의 1질량% 탄산 나트륨 수용액을 사용하였다.With respect to the obtained board|substrate, the developing solution (2 mass % sodium hydroxide aqueous solution at 30 degreeC) was sprayed for 40 second at the spray pressure of 0.2 MPa on the whole surface of the resin composition layer, and it developed. Moreover, regarding the comparative example 2 using the resin sheet 4, 30 degreeC 1 mass % sodium carbonate aqueous solution was used as a developing solution.

현상 후, 80℃에서 30분간 건조하고, 이어서 180℃에서 90분간 베이크하여, 평가 기판을 수득하였다.After development, it was dried at 80 DEG C for 30 minutes and then baked at 180 DEG C for 90 minutes to obtain an evaluation substrate.

〔평가용 경화물의 조제〕[Preparation of cured product for evaluation]

평가용 경화물은 이하의 순서로 조제하였다.The cured product for evaluation was prepared in the following procedure.

수지 시트 1 및 2의 수지 조성물 층을, 이형층 부착 PET 필름(린텍(주) 제조 「PET501010」; 이하, 「평가용 지지체」라고도 함)의 이형면과 접하도록 배치하고, 진공 라미네이터(니치고ㆍ모톤(주) 제조 「VP160」)를 사용하여 적층하였다. 적층 조건은, 진공 처리 시간 20초간, 압착 온도 80℃, 압착 압력 0.2MPa, 가압 시간 20초간이었다.The resin composition layers of the resin sheets 1 and 2 were placed in contact with the release surface of a PET film with a release layer ("PET501010" manufactured by Lintec Co., Ltd.; hereinafter also referred to as "support for evaluation"), and a vacuum laminator (Nichigo) - It laminated|stacked using Morton Co., Ltd. product "VP160"). Lamination conditions were a vacuum treatment time of 20 seconds, a pressing temperature of 80°C, a pressing pressure of 0.2 MPa, and a pressing time of 20 seconds.

수득된 적층체로부터 수지 시트 유래의 지지체를 박리한 후, 180℃, 90분간의 경화 조건으로 수지 조성물 층을 열경화시켰다. 이어서 평가용 지지체를 박리하여, 평가용 경화물을 수득하였다.After peeling the resin sheet-derived support body from the obtained laminated body, the resin composition layer was thermosetted on 180 degreeC and hardening conditions for 90 minutes. Then, the support for evaluation was peeled off, and the hardened|cured material for evaluation was obtained.

수지 시트 3, 4 및 5의 수지 조성물 층을, 상기 〔평가용 경화물의 조제 1〕과 동일하게 하여, 이형층 부착 PET 필름(린텍(주) 제조 「PET501010」; 「평가용 지지체」라고도 함)의 이형면에 적층하였다.The resin composition layers of the resin sheets 3, 4, and 5 were prepared in the same manner as in [Preparation 1 of the cured product for evaluation] above, and a PET film with a release layer (“PET501010” manufactured by Lintec Co., Ltd.; also referred to as “support for evaluation”) was laminated on the release surface of

수득된 적층체를 실온에서 1시간 정치한 후, 지지체 위부터 수지 조성물 층에 100mJ/㎠의 자외선을 노광하였다. 수지 시트 유래의 지지체를 박리한 후, 80℃에서 30분간, 이어서 180℃에서 90분간의 베이크 조건으로 수지 조성물 층을 처리하였다. 이어서 평가용 지지체를 박리하여, 평가용 경화물을 수득하였다.After leaving the obtained laminated body to stand at room temperature for 1 hour, 100 mJ/cm<2> ultraviolet-ray was exposed to the resin composition layer from the support body. After peeling the support body derived from the resin sheet, the resin composition layer was processed at 80 degreeC for 30 minute(s), then 180 degreeC for 90 minute(s) baking conditions. Then, the support for evaluation was peeled off, and the hardened|cured material for evaluation was obtained.

<휘어짐의 평가><Evaluation of warpage>

평가용 기판을, 피크 온도 260℃의 땜납 리플로우 온도를 재현하는 리플로우장치(니혼 안토무(주) 제조 「HAS-6116」)에 1회 통과시켰다(리플로우 온도 프로파일은 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거). 이어서, 쉐도우 모아레 장치(Akrometrix 제조 「TherMoire AXP」)를 사용하여, IPC/JEDEC J-STD-020C(피크 온도 260℃)에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 평가 기판 하면을 가열하고, 평가 기판 상면에 배치한 격자선에 기초하여 평가 기판 중앙의 25mm 각부분(角部分)의 변위를 측정하였다.The evaluation substrate was passed once through a reflow device ("HAS-6116" manufactured by Nippon Antomu Co., Ltd.) that reproduces a solder reflow temperature of 260°C peak temperature (reflow temperature profile is IPC/JEDEC J- conforming to STD-020C). Next, using a shadow moire device (“TherMoire AXP” manufactured by Akrometrix), the lower surface of the evaluation substrate is heated with a reflow temperature profile conforming to IPC/JEDEC J-STD-020C (peak temperature 260° C.), and the evaluation substrate is applied to the upper surface of the evaluation substrate. Based on the arranged grid lines, the displacement of each 25 mm square portion in the center of the evaluation substrate was measured.

수득된 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차이가, 전 온도 범위에서 50㎛ 이상이 되는 것을 「×」, 50㎛ 미만을 「○」로 하였다.In the obtained displacement data, the difference between the maximum height and the minimum height was 50 µm or more in the entire temperature range, and "x" and less than 50 µm were designated as "○".

<탄성율의 측정><Measurement of modulus of elasticity>

평가용 경화물을 덤벨 형상으로 잘라내어 시험편을 수득하였다. 당해 시험편을, 오리엔텍사 제조 인장 시험기 「RTC-1250A」를 사용하여 인장 강도 측정을 실시하여, 23℃ 및 200℃에서의 탄성율을 구하였다. 측정은 JIS K7127에 준거하여 실시하였다.The hardened|cured material for evaluation was cut out in the shape of a dumbbell, and the test piece was obtained. The tensile strength was measured for the said test piece using the tensile tester "RTC-1250A" by Orientec Corporation, and the elastic modulus in 23 degreeC and 200 degreeC was calculated|required. The measurement was performed based on JISK7127.

<유리 전이점 온도(Tg)의 측정><Measurement of Glass Transition Point Temperature (Tg)>

평가용 경화물을 폭 5mm, 길이 15mm의 시험편으로 절단하였다. 당해 시험편에 대해, 열기계 분석 장치(세이코 인스츠루멘츠(주) 제조 「TMA-SS6100」)를 사용하여, 인장 가중법에 의한 열기계 분석을 실시하였다. 상세하게는, 시험편을 상기 장치에 장착한 후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 연속해서 2회 측정하였다. 2회째의 측정에서, 치수 변화 시그널의 기울기가 변화되는 점으로부터 유리 전이점 온도 Tg(℃)를 산출하였다.The cured product for evaluation was cut into a test piece having a width of 5 mm and a length of 15 mm. The test piece was subjected to thermomechanical analysis by a tensile weighting method using a thermomechanical analyzer (“TMA-SS6100” manufactured by Seiko Instruments Co., Ltd.). In detail, after attaching a test piece to the said apparatus, it measured twice continuously under the measurement conditions of 1 g of load and 5 degreeC/min of temperature increase rate. In the 2nd measurement, the glass transition point temperature Tg (degreeC) was computed from the point where the inclination of a dimensional change signal changes.

실시예 및 비교예에서 사용한 수지 시트 1, 2, 3, 4 및 5는 하기의 순서로 제작하였다.Resin sheets 1, 2, 3, 4 and 5 used in Examples and Comparative Examples were produced in the following procedure.

<제작예 1> 수지 시트 1의 제작<Production Example 1> Preparation of resin sheet 1

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「jER828EL」, 에폭시 당량 약 185) 12부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC(주) 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144) 3부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠(주) 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 288) 25부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 MEK와 사이클로헥사논의 1:1 용액) 10부를, 솔벤트 나프타 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각한 후, 여기에, 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락계 경화제(DIC(주) 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 125, 고형분 60%의 MEK 용액) 20부, 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨카가쿠(주) 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 0.4부, 난연제(산코(주) 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 3부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 1㎛, (주)아도마텍스 제조 「SOC4」, 단위 표면적당의 카본량 0.47mg/㎡) 240부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니쉬 1을 조제하였다.12 parts of bisphenol A epoxy resin ("jER828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 185), 3 parts of naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent about 144) 3 parts, bixylenol type Epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 185) 6 parts, biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent about 288) 25 parts, phenoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX6954BH30", 1:1 solution of MEK and cyclohexanone of 30 mass % of solid content) 10 parts were heat-dissolved, stirring 15 parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, 20 parts of a phenol novolac curing agent containing a triazine skeleton (“LA-7054” manufactured by DIC Corporation, a MEK solution having a hydroxyl equivalent of 125 and a solid content of 60%), a naphthol curing agent (synthetic) Tetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. "SN485", hydroxyl equivalent 215, MEK solution of 60% solid content) 10 parts, hardening accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), MEK solution of 5 mass % solid content) 0.4 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 µm) 3 parts, spherical silica surface-treated with an aminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle diameter of 1 μm, “SOC4” manufactured by Adomatex Co., Ltd., carbon per unit surface area (Amount 0.47 mg/m 2 ) 240 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish 1.

지지체로서, 두께 38㎛의 PET 필름(토레(주) 제조 「NS80A」)을 준비하였다. 당해 지지체의 평활면에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 16㎛가 되도록 수지 바니쉬 1을 균일하게 도포하고, 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 3분간 건조시켜 수지 시트 1을 제작하였다.As a support body, a 38-micrometer-thick PET film (Toray Co., Ltd. product "NS80A") was prepared. The resin varnish 1 was uniformly applied to the smooth surface of the support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 16 µm, and dried at 80°C to 120°C (average 100°C) for 3 minutes to prepare a resin sheet 1.

<제작예 2> 수지 시트 2의 제작<Production Example 2> Preparation of resin sheet 2

페녹시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 MEK/사이클로헥사논 = 1/1 용액) 10부 대신에 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 MEK/사이클로헥사논 = 1/1 용액) 30부를 사용한 점, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 1㎛, (주) 아도마텍스 제조 「SOC4」, 단위 표면적당의 카본량 0.47mg/㎡) 240부 대신에 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, (주) 아도마텍스 제조 「SOC2」, 단위 표면적당의 카본량 0.39mg/㎡) 75부를 사용한 점, 및 솔벤트 나프타의 사용량을 15부로부터 10부로 변경한 점 이외에는, 제작예 1과 동일하게 하여 수지 바니쉬 2를 조제하고, 수지 시트 2를 제작하였다.In place of 10 parts of phenoxy resin (“YX6954BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., MEK/cyclohexanone = 1/1 solution having a solid content of 30% by mass) phenoxy resin (“YX6954BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. “YX6954BH30”, Point using 30 parts of MEK/cyclohexanone = 1/1 solution having a solid content of 30% by mass, and spherical silica (average particle diameter 1) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) μm, manufactured by Adomatex Co., Ltd. “SOC4”, carbon content per unit surface area of 0.47 mg/m2) instead of 240 parts, surface treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 75 parts of spherical silica (average particle diameter 0.5 µm, "SOC2" manufactured by Adomatex Co., Ltd., 0.39 mg/m2 of carbon per unit surface area) was used, and the amount of solvent naphtha was changed from 15 parts to 10 parts Except that, in the same manner as in Production Example 1, a resin varnish 2 was prepared, and a resin sheet 2 was produced.

<제작예 3> 수지 시트 3의 제작<Production Example 3> Preparation of resin sheet 3

비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 185, 불휘발 성분 30질량%의 MEK와 사이클로헥사논의 1:1 용액) 100부, 하기합성예 1에서 합성한 광경화형 알칼리 가용성 수지 A를 73부, 광중합 개시제(BASF 쟈판(주) 제조 「OXE-02」, 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심), 불휘발 성분 10질량%의 MEK 용액) 18부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, (주) 아도마텍스제 「SOC2」, 단위 표면적당의 카본량 0.39mg/㎡) 120부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.1㎛, 덴키 카가쿠코교(주) 제조 「UFP-30」) 20부, 희석제(니혼 카야쿠(주) 제조 「DPHA」, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트) 10부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이(주) 제조 「2P4MZ」, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 불휘발 성분 2.5질량%의 MEK 용액) 8.8부, 고무 입자(간츠 카세이(주) 제조 「AC3816N」) 2.4부, 광증감제(니혼 카야쿠(주) 제조 「DETX-S」, 2,4-디에틸티옥산톤, 불휘발 성분 10질량%의 MEK 용액) 4.4부, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트 10부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니쉬 3을 조제하였다.100 parts of bixylenol type epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 185, a 1:1 solution of MEK and cyclohexanone with 30% by mass of nonvolatile components), a photocurable type synthesized in Synthesis Example 1 below 73 parts of alkali-soluble resin A, a photoinitiator (BASF Japan Co., Ltd. product "OXE-02", ethanone, 1-[9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl) ]-,1-(O-acetyloxime), MEK solution containing 10% by mass of non-volatile component) 18 parts of spherical silica ( With an average particle diameter of 0.5 µm, "SOC2" manufactured by Adomatex Co., Ltd., carbon content per unit surface area of 0.39 mg/m2) 120 parts, an aminosilane-based coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 20 parts of surface-treated spherical silica (average particle diameter of 0.1 µm, "UFP-30" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd.), diluent ("DPHA" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., dipentaerythritol hexaacrylate) 10 parts, hardening accelerator ("2P4MZ" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2-phenyl-4-methylimidazole, MEK solution containing 2.5 mass% of nonvolatile components) 8.8 parts, rubber particles (manufactured by Gantz Kasei Co., Ltd. " AC3816N") 2.4 parts, photosensitizer (Nippon Kayaku Co., Ltd. "DETX-S", 2,4-diethylthioxanthone, MEK solution of 10 mass % of non-volatile components) 4.4 parts, ethylene glycol monoethyl 10 parts of ether acetate were mixed, and it disperse|distributed uniformly with a high-speed rotary mixer, and the resin varnish 3 was prepared.

지지체로서, 두께 16㎛의 PET 필름(미츠비시 쥬시(주) 제조 「R310-16B」)를 준비하였다. 당해 지지체 위에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 23㎛이 되도록 수지 바니쉬 3을 균일하게 도포하고, 75℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 5분간 건조시켜 수지 시트 3을 제작하였다.As a support body, the 16-micrometer-thick PET film ("R310-16B" by Mitsubishi Jushi Co., Ltd.) was prepared. On the said support body, the resin varnish 3 was apply|coated uniformly so that the thickness of the resin composition layer after drying might be set to 23 micrometers, and it dried at 75 degreeC - 120 degreeC (average 100 degreeC) for 5 minutes, and the resin sheet 3 was produced.

(합성예 1) 광경화형 알칼리 가용성 수지 A의 합성(Synthesis Example 1) Synthesis of photocurable alkali-soluble resin A

300mL의 세퍼러블 플라스크에, 카비톨아세테이트 25g, 3-이소시아네이트-3,5,5-트리메틸사이클로헥실이소시아네이트(에보닉(주) 제조) 50g을 계량하고, 40℃에서 가열 교반하였다. 또한, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 함유물(도아 고세이(주) 제조 「M306」) 92.23g, 카비톨아세테이트 25g, 디부틸주석디라우레이트(토쿄 카세이코교(주) 제조) 0.45g, 하이드로퀴논(토쿄 카세이코교(주) 제조) 0.4g을 계량하고, 교반기((주)신키 제조 「아와토리 렌타로」)로 8분간 혼합하여 혼합액 1을 수득하였다. 수득된 혼합액 1을, 적하 깔대기를 사용하여, 1시간 이상 걸려서 상기 300mL의 세퍼러블 플라스크 내에 적하하였다. 그 후, 40℃에서 30분간 가열 교반하고, 3-이소시아나토-3,5,5-트리메틸사이클로헥실이소시아네이트와 펜타에리트리톨트리아크릴레이트의 반응물 193.08g을 수득하였다.To a 300 mL separable flask, 25 g of carbitol acetate and 50 g of 3-isocyanate-3,5,5-trimethylcyclohexyl isocyanate (manufactured by Evonik Co., Ltd.) were weighed, and the mixture was heated and stirred at 40°C. In addition, 92.23 g of pentaerythritol triacrylate-containing material (“M306” manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 25 g of carbitol acetate, 0.45 g of dibutyltin dilaurate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), hydroquinone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 0.4 g was weighed and mixed for 8 minutes with a stirrer (“Awatori Rentaro” manufactured by Shinki Co., Ltd.) to obtain a liquid mixture 1. The obtained liquid mixture 1 was dripped in the said 300 mL separable flask over 1 hour or more using the dropping funnel. Then, it heat-stirred at 40 degreeC for 30 minute(s), and 193.08g of reaction products of 3-isocyanato-3,5,5- trimethylcyclohexyl isocyanate and pentaerythritol triacrylate were obtained.

한편, 500mL의 세퍼러블 플라스크에, 카비톨아세테이트 132.26g, 페놀 노볼락 수지(DIC(주) 제조 「TD-2090」) 132.26g을 계량하고, 75℃에서 완전히 용해할 때까지 교반하였다. 이어서, 상기 반응물 193.08g을 첨가하고, IR에서 이소시아네이트기가 소실될 때까지 85℃에서 가열 교반하였다. 40℃로 냉각한 후, 에탄올(쥰세이 카가쿠(주) 제조) 3.11g을 첨가하고, 추가로 2시간 이상 교반하여, 아크릴레이트기와 페놀성 수산기를 포함하는 광경화형 알칼리 가용성 수지 A(아크릴레이트변성 페놀 수지) 460.71g을 수득하였다. 수득된 광경화형 알칼리 가용성 수지 A의 성상은 이하와 같았다.On the other hand, 132.26 g of carbitol acetate and 132.26 g of phenol novolac resin ("TD-2090" manufactured by DIC Corporation) were measured in a 500 mL separable flask, and stirred until completely dissolved at 75°C. Then, 193.08 g of the reactant was added, and the mixture was heated and stirred at 85° C. until the isocyanate group disappeared in IR. After cooling to 40°C, 3.11 g of ethanol (manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) was added, and the mixture was stirred for further 2 hours or more, and photocurable alkali-soluble resin A containing an acrylate group and a phenolic hydroxyl group (acrylate modified) 460.71 g of phenol resin) was obtained. The properties of the obtained photocurable alkali-soluble resin A were as follows.

ㆍ 고형분 60질량%의 용제 용해품ㆍ Solvent-dissolved product with a solid content of 60% by mass

ㆍ 아크릴레이트기의 비율 18%ㆍ 18% of acrylate groups

ㆍ 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량(Mn): 4000ㆍ Number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn): 4000

ㆍ 수산기 당량: 246-Hydroxyl equivalent: 246

<제작예 4> 수지 시트 4의 제작<Production Example 4> Preparation of resin sheet 4

비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 185, 불휘발 성분 30질량%의 MEK와 사이클로헥사논의 1:1 용액) 80부, 아크릴레이트기와 카복실기를 포함하는 광경화형 알칼리 가용성 수지(니혼 카야쿠(주) 제조 「ZFR-1533H」, 비스페놀 F형 에폭시 아크릴레이트, 고형분 68%의 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트 용액, 산가 70mg KOH/g) 147부, 광중합 개시제(BASF 쟈판(주) 제조 「이르가큐어907」, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]모르폴리노-1-프로파논) 2.5부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, (주)아도마텍스 제조 「SOC2」, 단위 표면적당의 카본량 0.39mg/㎡) 80부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교(주) 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.1㎛, 덴키 카가쿠코교(주) 제조 「UFP-30」) 20부, 희석제(교에이샤 카가쿠코교(주) 제조 「DCPA」, 트리사이클로데칸디메탄올디아크릴레이트) 10부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이(주) 제조 「2P4MZ」, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 불휘발 성분 2.5질량%의 MEK 용액) 8.8부, 고무 입자(간츠 카세이(주) 제조 「AC3816N」) 2.4부, 광증감제(니혼 카야쿠(주) 제조 「DETX-S」, 2,4-디에틸티옥산톤, 불휘발 성분 10질량%의 MEK 용액) 2부, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(유기 용제) 3부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니쉬 4를 조제하였다.80 parts of bixylenol-type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 185, a 1:1 solution of MEK and cyclohexanone having 30 mass% of nonvolatile components), a photocurable type containing an acrylate group and a carboxyl group Alkali-soluble resin (“ZFR-1533H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., bisphenol F-type epoxy acrylate, 68% solid content diethylene glycol monoethyl ether acetate solution, acid value 70 mg KOH/g) 147 parts, photoinitiator (BASF) "Irgacure 907" manufactured by Japan Co., Ltd., 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]morpholino-1-propanone) 2.5 parts, aminosilane-based coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 80 parts of spherical silica surface-treated with manufactured "KBM573") (average particle diameter of 0.5 µm, "SOC2" manufactured by Adomatex Co., Ltd., carbon content per unit surface area of 0.39 mg/m2), aminosilane-based coupling agent (Shin-Etsu) 20 parts of spherical silica (average particle diameter of 0.1 µm, "UFP-30" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd.) surface-treated with "KBM573" manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd., a diluent (Kyoeisha Kagaku Kogyo Co., Ltd.) Co., Ltd. "DCPA", tricyclodecane dimethanol diacrylate) 10 parts, curing accelerator ("2P4MZ" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2-phenyl-4-methylimidazole, non-volatile component 2.5 mass% MEK solution) 8.8 parts, rubber particles (“AC3816N” manufactured by Kantsu Kasei Co., Ltd.) 2.4 parts, photosensitizer (“DETX-S” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., 2,4-diethylthioxanthone, non-volatile 2 parts of MEK solution of 10 mass % of foot component) and 3 parts of diethylene glycol monoethyl ether acetate (organic solvent) were mixed, it disperse|distributed uniformly with a high-speed rotary mixer, and the resin varnish 4 was prepared.

지지체로서, 두께 16㎛의 PET 필름(미츠비시 쥬시(주) 제조 「R310-16B」)을 준비하였다. 당해 지지체 위에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 23㎛가 되도록 수지 바니쉬 4를 균일하게 도포하고, 75℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 5분간 건조시켜 수지 시트 4를 제작하였다.As a support body, the 16-micrometer-thick PET film ("R310-16B" by Mitsubishi Jushi Co., Ltd.) was prepared. On the said support body, the resin varnish 4 was apply|coated uniformly so that the thickness of the resin composition layer after drying might be set to 23 micrometers, and it dried at 75 degreeC - 120 degreeC (average 100 degreeC) for 5 minutes, and the resin sheet 4 was produced.

<제작예 5> 수지 시트 5의 제작<Production Example 5> Preparation of resin sheet 5

건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 8㎛가 되도록 수지 바니쉬 3을 균일하게 도포하고, 75 내지 120℃(평균 100℃)에서 2분간 건조시킨 것 이외에는, 제작예 3과 동일하게 하여 수지 시트 5를 제작하였다.Resin sheet 5 was produced in the same manner as in Production Example 3, except that the resin varnish 3 was uniformly applied so that the thickness of the resin composition layer after drying was 8 μm, and dried at 75 to 120° C. (average 100° C.) for 2 minutes. did.

수득된 수지 시트 1 내지 5를, 하기 표 1에 기재한 대로 조합하여, 수지 시트 세트 1 내지 6을 준비하였다. 또한, 각 수지 시트 세트에 사용되는 수지 시트 1 내지 5에 대해, 상기 〔평가용 경화물의 조제〕에 따라 평가용 경화물을 조제하여, 탄성율, 유리 전이 온도(Tg)를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 기재하였다.The obtained resin sheets 1 to 5 were combined as described in Table 1 below to prepare resin sheet sets 1 to 6. Further, for each of the resin sheets 1 to 5 used in each resin sheet set, a cured product for evaluation was prepared according to the above [Preparation of the cured product for evaluation], and the elastic modulus and the glass transition temperature (Tg) were measured. The results are also shown in Table 1.

<실시예 1><Example 1>

수지 시트 세트 1을 사용하고, 상기 〔평가용 기판의 조제〕에 따라, 평가용 기판을 수득하였다. 평가 결과를 표 2에 기재하였다.Using the resin sheet set 1, a substrate for evaluation was obtained according to the above [Preparation of substrate for evaluation]. Table 2 shows the evaluation results.

<실시예 2><Example 2>

수지 시트 세트 2를 사용하고, 상기 〔평가용 기판의 조제〕에 따라, 평가용 기판을 수득하였다. 평가 결과를 표 2에 기재하였다.Using the resin sheet set 2, a substrate for evaluation was obtained according to the above [Preparation of substrate for evaluation]. Table 2 shows the evaluation results.

<실시예 3><Example 3>

<실시예 4><Example 4>

수지 시트 세트 3을 사용하고, 상기 〔평가용 기판의 조제〕에 따라, 평가용 기판을 수득하였다. 평가 결과를 표 2에 기재하였다.Using the resin sheet set 3, a substrate for evaluation was obtained according to the above [Preparation of substrate for evaluation]. Table 2 shows the evaluation results.

<비교예 1><Comparative Example 1>

수지 시트 세트 4를 사용하고, 상기 〔평가용 기판의 조제〕에 따라, 평가용 기판을 수득하였다. 평가 결과를 표 2에 기재하였다.Using the resin sheet set 4, a substrate for evaluation was obtained according to the above [Preparation of substrate for evaluation]. Table 2 shows the evaluation results.

<비교예 2><Comparative Example 2>

수지 시트 세트 5를 사용하고, 상기 〔평가용 기판의 조제〕에 따라, 평가용 기판을 수득하였다. 평가 결과를 표 2에 기재하였다.Using the resin sheet set 5, a substrate for evaluation was obtained according to the above [Preparation of substrate for evaluation]. Table 2 shows the evaluation results.

<비교예 3><Comparative Example 3>

<비교예 4><Comparative Example 4>

수지 시트 세트 6을 사용하고, 상기 〔평가용 기판의 조제〕에 따라, 평가용 기판을 수득하였다. 평가 결과를 표 2에 기재하였다.Using the resin sheet set 6, a substrate for evaluation was obtained according to the above [Preparation of substrate for evaluation]. Table 2 shows the evaluation results.

Claims

제1 및 제2 솔더 레지스트 층을 포함하는 프린트 배선판으로서,
제1 솔더 레지스트 층이 수지 조성물을 포함하고, 당해 수지 조성물의 경화 후의 탄성율(23℃) G₁(GPa)이 6 이상이고,
제1 솔더 레지스트 층의 두께를 t₁(㎛)로 하고, 제2 솔더 레지스트 층의 두께를 t₂(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₂(GPa)로 하고, 프린트 배선판의 두께를 Z(㎛)로 할 때, 하기 조건 (1) 내지 (3):
(1) Z ≤ 250;
(2) (t₁＋t₂)/Z ≥ 0.1; 및
(3) G₁×[t₁/(t₁＋t₂)]＋G₂×[t₂/(t₁＋t₂)] ≥ 6
을 만족시키는, 프린트 배선판.A printed wiring board comprising first and second solder resist layers, the printed wiring board comprising:
Claim 1 and a solder resist layer is a resin composition containing, and modulus of elasticity _{(23 ℃) G 1 (GPa} ) after curing of the resin composition is at least 6 for,
Let the thickness of the first solder resist layer be t ₁ (μm), the thickness of the second solder resist layer be t ₂ (μm), and the elastic modulus (23° C.) after curing is G ₂ (GPa), the thickness of the printed wiring board When Z (μm), the following conditions (1) to (3):
(1) Z ≤ 250;
(2) (t ₁ +t ₂ )/Z ≥ 0.1; and
(3) G ₁ ×[t ₁ /(t ₁ +t ₂ )]+G ₂ ×[t ₂ /(t ₁ +t ₂ )] ≥ 6
A printed wiring board that satisfies .

제1항에 있어서, 제1 솔더 레지스트 층의 경화 후의 유리 전이 온도(Tg)가 150℃ 이상인, 프린트 배선판.The printed wiring board of Claim 1 whose glass transition temperature (Tg) after hardening of a 1st soldering resist layer is 150 degreeC or more.

제1항에 있어서, 제1 솔더 레지스트 층이, 무기 충전재 함유량이 60질량% 이상인 수지 조성물을 경화하여 형성되는, 프린트 배선판.The printed wiring board of Claim 1 in which a 1st soldering resist layer hardens|cures the resin composition whose inorganic filler content is 60 mass % or more, and is formed.

제1항에 있어서, 조건 (2)에 대해, 0.1 ≤ (t₁＋t₂)/Z ≤ 0.5인, 프린트 배선판.The printed wiring board according to claim 1, wherein for condition (2), 0.1 ≤ (t ₁ +t ₂ )/Z ≤ 0.5.

제1항에 있어서, G₂가 6 이상인, 프린트 배선판.The printed wiring board according to claim 1, wherein G ₂ is 6 or more.

제1항에 있어서, 제2 솔더 레지스트 층이 수지 조성물을 포함하고, 당해 수지 조성물의 경화 후의 탄성율(23℃)이 6 GPa 이상인, 프린트 배선판.The printed wiring board of Claim 1 whose 2nd soldering resist layer contains a resin composition, and the elastic modulus (23 degreeC) after hardening of the said resin composition is 6 GPa or more.

제1항에 있어서, 제1 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(200℃)을 G₁'(GPa), 제2 솔더 레지스트 층의 경화 후의 탄성율(200℃)을 G₂'(GPa)로 할 때, 하기 조건 (4):
(4) G₁'×[t₁/(t₁＋t₂)]＋G₂'×[t₂/(t₁＋t₂)] ≥ 0.2
를 추가로 만족시키는, 프린트 배선판.The method according to claim 1, wherein the modulus of elasticity (200°C) after curing of the first solder resist layer is G ₁ '(GPa), and the modulus of elasticity (200°C) after curing of the second solder resist layer is G ₂ '(GPa). , the condition (4):
(4) G ₁ '×[t ₁ /(t ₁ +t ₂ )]+G ₂ '×[t ₂ /(t ₁ +t ₂ )] ≥ 0.2
A printed wiring board that further satisfies the

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 프린트 배선판을 포함하는 반도체 장치.The semiconductor device containing the printed wiring board in any one of Claims 1-7.

프린트 배선판의 솔더 레지스트 층용 수지 시트 세트로서,
제1 지지체와, 당해 제1 지지체와 접합하고 있는 제1 수지 조성물 층을 포함하는 제1 수지 시트와,
제2 지지체와, 당해 제2 지지체와 접합하고 있는 제2 수지 조성물 층을 포함하는 제2 수지 시트를 포함하고,
제1 수지 조성물 층을 구성하는 수지 조성물의 경화 후의 탄성율(23℃) G₁(GPa)이 6 이상이고,
제1 수지 조성물 층의 두께를 t_1p(㎛)로 하고, 제2 수지 조성물 층의 두께를 t_2p(㎛), 경화 후의 탄성율(23℃)을 G₂(GPa)로 하고, 프린트 배선판의 두께를 Z(㎛)로 할 때, 하기 조건 (1') 내지 (3'):
(1') Z ≤ 250;
(2') (t_1p＋t_2p)/Z ≥ 0.1; 및
(3') G₁×[t_1p/(t_1p＋t_2p)]＋G₂×[t_2p/(t_1p＋t_2p)] ≥ 6
을 만족시키는, 수지 시트 세트.A resin sheet set for a solder resist layer of a printed wiring board, comprising:
A first resin sheet comprising a first support and a first resin composition layer bonded to the first support;
A second resin sheet comprising a second support and a second resin composition layer bonded to the second support,
_{The elastic modulus (23 ° C.) G 1} (GPa) of the resin composition constituting the first resin composition layer after curing is 6 or more,
Let the thickness of the first resin composition layer be t _1p (μm), the thickness of the second resin composition layer be t _2p (μm), and the elastic modulus (23° C.) after curing is G ₂ (GPa), the thickness of the printed wiring board When Z (㎛), the following conditions (1') to (3'):
(1') Z ≤ 250;
(2') (t _1p +t _2p )/Z ≥ 0.1; and
(3') G ₁ ×[t _1p /(t _1p +t _2p )]+G ₂ ×[t _2p /(t _1p +t _2p )] ≥ 6
A resin sheet set that satisfies

제9항에 있어서, 제2 수지 조성물 층을 구성하는 수지 조성물의 경화 후의 탄성율(23℃)이 6 GPa 이상인, 수지 시트 세트.The resin sheet set according to claim 9, wherein the resin composition constituting the second resin composition layer has an elastic modulus (23° C.) after curing of 6 GPa or more.