KR102290022B1 - 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 출원은 2018년 11월 02일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0133639호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
국제 특허 출원 공개 제2003-012890호
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112019112208053-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소를 포함하며 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R1 내지 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
m 및 n1 내지 n4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
r1은 0 내지 5의 정수이고, 2 이상인 경우 R1은 서로 동일하거나 상이하고,
r2은 0 내지 3의 정수이고, 2 이상인 경우 R2은 서로 동일하거나 상이하고,
r3은 0 내지 6의 정수이고, 2 이상인 경우 R3은 서로 동일하거나 상이하고,
r4은 0 내지 5의 정수이고, 2 이상인 경우 R4은 서로 동일하거나 상이하고,
r5은 0 내지 5의 정수이고, 2 이상인 경우 R5은 서로 동일하거나 상이하고,
r6은 0 내지 6의 정수이고, 2 이상인 경우 R6은 서로 동일하거나 상이하다.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에 사용되어, 유기 발광 소자의 구동전압을 낮출 수 있으며, 광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소장의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 (벤조)플루오렌고리에 중수소를 포함한 아릴기 및 실릴기를 포함한 벤조나프토 퓨란일아민기를 가지는 구조로, 유기 발광 소자의 발광층의 도펀트로 사용될 때 장수명 및 고효율의 특성이 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 적어도 하나의 중수소를 포함한다. 수소가 중수소로 대체되는 경우, 화합물의 화학적 성질은 거의 변화하지 않는다. 그러나 중수소의 원자량은 수소의 원자량의 두배이므로, 중수소화된 화합물은 물리적 성질이 변화할 수 있다. 일례로 중수소로 치환된 화합물은 진동 에너지 준위가 낮아진다. 중수소로 치환된 화합물은 분자 간 반데르발스 힘의 감소나 분자간 진동으로 인한 충돌에 기인하는 양자 효율 감소를 방지할 수 있다. 또한 C-D 결합이 화합물의 안정성을 개선할 수 있다. 이에 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소를 포함함으로써 소자의 효율 및 수명을 개선할 수 있다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서,
Figure 112019112208053-pat00002
는 연결되는 부위를 의미한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 아민기; 실릴기; 포스핀옥사이드기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 2 이상의 치환기가 연결된다는 것은 어느 하나의 치환기의 수소가 다른 치환기와 연결된 것을 말한다. 예를 들어, 이소프로필기와 페닐기가 연결되어
Figure 112019112208053-pat00003
또는
Figure 112019112208053-pat00004
의 치환기가 될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 3개의 치환기가 연결되는 것은 (치환기 1)-(치환기 2)-(치환기 3)이 연속하여 연결되는 것뿐만 아니라, (치환기 1)에 (치환기 2) 및 (치환기 3)이 연결되는 것도 포함한다. 예를 들어, 2개의 페닐기 및 이소프로필기가 연결되어
Figure 112019112208053-pat00005
또는
Figure 112019112208053-pat00006
의 치환기가 될 수 있다. 4 이상의 치환기가 연결되는 것에도 전술한 것과 동일하게 적용된다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30; 1 내지 20; 1 내지 10; 또는 1 내지 5인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30; 탄소수 3 내지 20; 탄소수 3 내지 10; 또는 탄소수 3 내지 6인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR201R202R203로 표시되고, R201 내지 R203은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 1가의 방향족 탄화수소 또는 방향족 탄화수소 유도체의 1가의 기를 의미한다. 본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소는 pi 전자가 완전히 콘쥬게이션되고 평면인 고리를 포함하는 화합물을 의미하며, 방향족 탄화수소에서 유도되는 기란, 방향족 탄화수소에 방향족 탄화수소 또는 고리형 지방족 탄화수소가 축합된 구조를 의미한다. 또한 본 명세서에 있어서, 아릴기는 2 이상의 방향족 탄화수소 또는 방향족 탄화수소의 유도체가 서로 연결된 1가의 기를 포함하고자 한다. 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50; 6 내지 30; 6 내지 25; 6 내지 20; 6 내지 18; 또는 6 내지 13인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기가 치환될 수 있다고 할 때, 치환된 플루오레닐기는 플루오렌의 5각 고리의 치환기가 서로 스피로 결합하여 방향족 탄화수소고리를 형성하는 화합물까지 모두 포함하는 것이다. 상기 치환된 플루오레닐기는 9,9'-스피로바이플루오렌, 스피로[사이클로펜탄-1,9'-플루오렌], 스피로[벤조[c]플루오렌-7,9-플루오렌] 등을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 것으로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 50; 2 내지 30; 2 내지 20; 2 내지 18; 또는 2 내지 13인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 프탈라진기(phthalazine), 프테리딘기(pteridine), 피리도 피리미딘기(pyridopyrimidine), 피리도 피라진기(pyridopyrazine), 피라지노 피라진기(pyrazino pyrazine), 이소퀴놀린기, 인돌기, 피리도 인돌기(pyrido indole), 인데노 피리미딘(5H-indeno pyrimidine), 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기 및 티아디아졸릴기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접한 기가 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 방향족고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, Me는 -CH3, 즉 메틸기를 의미한다.
이하, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 관하여 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다. 상기 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 비페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 5원 또는 6원 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 5원 또는 6원 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이거나, 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이거나, 페닐기이면서 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 각각 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 각각 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 메틸기이고, X2는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 페닐기이고, X2는 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 각각 페닐기이고 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 X3 또는 X4로 치환된 실릴기를 포함한다. 벤조퓨란일기에 실릴기가 치환되어, 소자의 발광 효율이 증가하고 수명 특성이 우수해진다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 3개의 X3는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 3개의 X4는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 2개의 X3는 서로 동일하고, 나머지 1개의 X3는 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 2개의 X4는 서로 동일하고, 나머지 1개의 X4는 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 3개의 X3는 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 3개의 X4는 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 페닐기; 비페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 또는 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3 및 X4는 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소를 포함하며 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소를 포함하며 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소를 포함하며 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 중수소 및 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 비페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 또는 플루오레닐기이고, 상기 DR1 및 DR2는 중수소를 포함하며 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환된 페닐기; 중수소 및 t-부틸기로 치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환된 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 중수소로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하다.
본 명세서에 있어서, 어떤 치환기의 수소의 N%가 중수소로 치환되는 것은 그 치환기가 모핵구조에 연결되는 위치를 제외하고 치환 가능한 수소 총 개수의 N%가 중수소(D)로 치환되는 것을 의미한다. 예를 들어, 페닐기의 수소의 20%가 중수소로 치환된 것은 페닐기의 치환 가능한 5개의 수소 중 20%인 1개가 중수소(D)로 치환된 것을 의미한다. 비페닐기의 수소의 33%가 중수소로 치환되는 것은 3개의 중수소로 치환된 것을 말한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2의 수소의 40% 이상 중수소로 치환된다. 또다른 일 실시상태에서, 60% 이상 중수소로 치환된다. 또다른 일 실시상태에서, 80% 이상 중수소로 치환된다. 또다른 일 실시상태에서, 90% 이상 중수소로 치환된다. 또다른 일 실시상태에서, 100% 중수소로 치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 40% 이상 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 60% 이상 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 80% 이상 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 90% 이상 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 100% 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 100% 중수소로 치환된 페닐기; 또는 100% 중수소로 치환된 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 100% 중수소로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 중수소 외에 알킬기를 치환기로 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 중수소 외에 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 치환기로 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, DR1 및 DR2는 중수소 외에 메틸기; 에틸기; 프로필기; 이소프로필기; 또는 t-부틸기를 치환기로 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1 내지 n4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1+n2의 값은 1 또는 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n3+n4의 값은 1 또는 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1+n2의 값은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n3+n4의 값은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1 + n2의 값은 1 또는 2이고, n3 + n4의 값은 1 또는 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1+n2의 값 및 n3+n4의 값은 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의
Figure 112019112208053-pat00007
Figure 112019112208053-pat00008
은 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의
Figure 112019112208053-pat00009
Figure 112019112208053-pat00010
은 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의
Figure 112019112208053-pat00011
Figure 112019112208053-pat00012
은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 구조에서 선택된다.
Figure 112019112208053-pat00013
상기 구조에 있어서, X5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 3개의 X5는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 2개의 X5는 동일하고 나머지 1개의 X5는 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 3개의 X5는 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X5는 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X5는 수소; 중수소; 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 페닐기; 비페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 또는 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X5는 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 2]
Figure 112019112208053-pat00014
상기 화학식 2에 있어서,
L1, L2, X1 내지 X4, DR1, DR2, R1 내지 R6, m, n1 내지 n4 및 r1 내지 r6의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 2-4 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-1]
Figure 112019112208053-pat00015
[화학식 2-2]
Figure 112019112208053-pat00016
[화학식 2-3]
Figure 112019112208053-pat00017
[화학식 2-4]
Figure 112019112208053-pat00018
상기 화학식 2-1 내지 2-4에 있어서,
L1, L2, X1 내지 X4, DR1, DR2, R1 내지 R6, r1 내지 r6 및 n1 내지 n4의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
r11은 0 내지 3의 정수이고, 2 이상인 경우 R1은 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3-1 내지 3-12 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 3-1]
Figure 112019112208053-pat00019
[화학식 3-2]
Figure 112019112208053-pat00020
[화학식 3-3]
Figure 112019112208053-pat00021
[화학식 3-4]
Figure 112019112208053-pat00022
[화학식 3-5]
Figure 112019112208053-pat00023
[화학식 3-6]
Figure 112019112208053-pat00024
[화학식 3-7]
Figure 112019112208053-pat00025
[화학식 3-8]
Figure 112019112208053-pat00026
[화학식 3-9]
Figure 112019112208053-pat00027
[화학식 3-10]
Figure 112019112208053-pat00028
[화학식 3-11]
Figure 112019112208053-pat00029
[화학식 3-12]
Figure 112019112208053-pat00030
상기 화학식 3-1 내지 3-12에 있어서,
L1, L2, X1 내지 X4, DR1, DR2, R1 내지 R6, r1 내지 r6 및 n1 내지 n4의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
r11은 0 내지 3의 정수이고, 2 이상인 경우 R1은 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 4-1]
Figure 112019112208053-pat00031
[화학식 4-2]
Figure 112019112208053-pat00032
[화학식 4-3]
Figure 112019112208053-pat00033
[화학식 4-4]
Figure 112019112208053-pat00034
상기 화학식 4-1 내지 4-4에 있어서,
L1, L2, X1 내지 X4, DR1, DR2, R1 내지 R6, r1 내지 r6, m 및 n1 내지 n4의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Figure 112019112208053-pat00035
Figure 112019112208053-pat00036
Figure 112019112208053-pat00037
Figure 112019112208053-pat00038
Figure 112019112208053-pat00039
Figure 112019112208053-pat00040
Figure 112019112208053-pat00041
Figure 112019112208053-pat00042
Figure 112019112208053-pat00043
Figure 112019112208053-pat00044
Figure 112019112208053-pat00045
Figure 112019112208053-pat00046
Figure 112019112208053-pat00047
Figure 112019112208053-pat00048
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다.
예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 일반식 1과 같이 코어 구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다. 하기 일반식 1과 같이 치환기를 결합시킬 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[일반식 1]
Figure 112019112208053-pat00049
상기 일반식 1에 있어서, L1, L2, r1 내지 r6, m, X1 내지 X4 및 R1 내지 R6에 대한 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. 상기 일반식에는 DR1 및 DR2가 중수소로 치환된 페닐기인 것만 기재되어 있지만, 중수소로 치환된 아릴기가 치환된 아민기를 사용하면 DR1 및 DR2가 중수소로 치환된 아릴기인 화합물을 얻을 수 있다.
본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 '층'은 본 기술분야에 주로 사용되는 '필름'과 호환되는 의미이며, 목적하는 영역을 덮는 코팅을 의미한다. 상기 '층'의 크기는 한정되지 않으며, 각각의 '층'은 그 크기가 동일하거나 상이할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, '층'의 크기는 전체 소자와 같을 수 있고, 특정 기능성 영역의 크기에 해당할 수 있으며, 단일 서브픽셀(sub-pixel)만큼 작을 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 B층에 포함된다는 의미는 i) 1종 이상의 A 물질이 하나의 B층에 포함되는 것과 ii) B층이 1층 이상으로 구성되고, A 물질이 다층의 B층 중 1층 이상에 포함되는 것을 모두 포함한다.
본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 C층 또는 D층에 포함된다는 의미는 i) 1층 이상의 C층 중 1층 이상에 포함되거나, ii) 1층 이상의 D층 중 1층 이상에 포함되거나, ii) 1층 이상의 C층 및 1층 이상의 D층에 각각 포함되는 것을 모두 의미하는 것이다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 상기 발광층 이외에 추가의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 정공 차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함한다.
[화학식 H]
Figure 112019112208053-pat00050
상기 화학식 H에 있어서,
L21 및 L22는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
R21 내지 R28은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환되고 N, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기; 또는 N, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다. 상기 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 '치환 또는 비치환된'은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환되거나 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 말한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 나프틸렌기; 또는 2가의 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 또는 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Y1로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 Y1로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Y1로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 Y1로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Y1로 치환 또는 비치환된 단환 내지 5환의 아릴기; 또는 Y1로 치환 또는 비치환된 단환 내지 5환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Y1로 치환 또는 비치환된 단환 내지 4환의 아릴기; 또는 Y1로 치환 또는 비치환된 단환 내지 4환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Y1로 치환 또는 비치환된 페닐기; Y1로 치환 또는 비치환된 비페닐기; Y1로 치환 또는 비치환된 터페닐기; Y1로 치환 또는 비치환된 나프틸기; Y1로 치환 또는 비치환된 안트라센기; Y1로 치환 또는 비치환된 페난트렌기; Y1로 치환 또는 비치환된 페날렌기; Y1로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; Y1로 치환 또는 비치환된 벤조플루오레닐기; Y1로 치환 또는 비치환된 퓨란기; Y1로 치환 또는 비치환된 티오펜기; Y1로 치환 또는 비치환된 카바졸기; Y1로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; Y1로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; Y1로 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; Y1로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; Y1로 치환 또는 비치환된 나프토벤조티오펜기; Y1로 치환 또는 비치환된 피리딘기; Y1로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; Y1로 치환 또는 비치환된 트리아진기; Y1로 치환 또는 비치환된 퀴놀린기; Y1로 치환 또는 비치환된 이소퀴놀린기; 또는 Y1로 치환 또는 비치환된 인돌로[3,2,1-jk]카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Y1로 치환 또는 비치환된 페닐기; Y1로 치환 또는 비치환된 비페닐기; Y1로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 안트라센기; 페난트렌기; 페날렌기; Y1로 치환 또는 비치환된 티오펜기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 나프토벤조퓨란기; 피리딘기; 이소퀴놀린기; 또는 인돌로[3,2,1-jk]카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 중수소로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 1-나프틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 2-나프틸기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1는 치환 또는 비치환된 아릴기이고, Ar2는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 치환된 실릴기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 탄소수 1 내지 5의 알킬기; 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 5의 알킬기가 치환된 실릴기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 메틸기; 시클로헥실기; 트리메틸실릴기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1는 중수소; 불소; 니트릴기; 메틸기; 시클로헥실기; 또는 트리메틸실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R28은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R28은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R28은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R28은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R28은 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R21 및 R23 내지 R28은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이고, R27은 L23-Ar3으로 표시되는 기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R21 및 R23 내지 R28은 수소이고, R27은 L23-Ar3으로 표시되는 기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R21 및 R23 내지 R28은 중수소이고, R27은 L23-Ar3으로 표시되는 기이다.
L23 및 Ar3의 정의는 후술하는 화학식 H-1에서의 정의와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 선택된 어느 하나이다.
Figure 112019112208053-pat00051
Figure 112019112208053-pat00052
Figure 112019112208053-pat00053
Figure 112019112208053-pat00054
Figure 112019112208053-pat00055
Figure 112019112208053-pat00056
Figure 112019112208053-pat00057
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H는 하기 화학식 H-1로 표시된다.
[화학식 H-1]
Figure 112019112208053-pat00058
상기 화학식 H-1에 있어서,
L21, L22, R21, R23 내지 R28, Ar1 및 Ar2의 정의는 화학식 H에서 정의한 바와 같고,
L23는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
Ar3은 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L23은 전술한 L21 및 L22의 정의와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 전술한 Ar1 및 Ar2의 정의와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 안트라센기; 페난트렌기; 디벤조퓨란기; 나프토벤조퓨란기; 피리딘기; 또는 이소퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 1-나프틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 2-나프틸기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L23은 직접결합; 페닐렌기; 나프틸기; 또는 2가의 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L23은 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Figure 112019112208053-pat00059
Figure 112019112208053-pat00060
Figure 112019112208053-pat00061
Figure 112019112208053-pat00062
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H로 화합물이 중수소로 치환된 경우, 중수소로 30% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H의 구조는 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H의 구조는 중수소로 60% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H의 구조는 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H의 구조는 중수소로 100% 치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H-1로 화합물이 중수소로 치환된 경우, 중수소로 30% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H-1의 구조는 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H-1의 구조는 중수소로 60% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H-1의 구조는 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H-1의 구조는 중수소로 100% 치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물의 중량 100 중량부 기준으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량은 0.01 중량부 내지 30 중량부; 0.1 중량부 내지 20 중량부; 또는 0.5 중량부 내지 10 중량부이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 H로 표시되는 화합물 이외에 호스트 물질을 하나 더 포함할 수 있다. 이때, 더 포함되는 호스트 재료(혼합 호스트 화합물)는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 H로 표시되는 화합물 및 상기 혼합 호스트 화합물의 혼합비는 95:5 내지 5:95, 더욱 바람직하게는 30:70 내지 70:30 이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 혼합 호스트 화합물은 상기 화학식 H로 표시되는 화합물이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층의 호스트는 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 2종 이상 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층의 호스트는 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 2종 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함한 발광층은 청색을 띤다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층 이상의 발광층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함한다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함한 발광층은 청색을 띠며, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함하지 않은 발광층은 당업계에 알려진 청색, 적색 또는 녹색 발광 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층 또는 정공 수송층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자 주입층 또는 전자 수송층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자 차단층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 차단층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고 제2 전극은 음극이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고 제2 전극은 양극이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조가 도 1 내지 3에 예시되어 있다. 상기 도 1 내지 도 3은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(106) 및 음극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물은 발광층에 추가로 포함될 수 있다.
도 2에는 기판(101) 위에 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 발광층(106) 및 음극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물은 발광층에 추가로 포함될 수 있다. 또 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층 또는 정공 수송층에 포함된다.
도 3에는 기판(101) 위에 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 차단층(105), 발광층(106), 전자 수송층(107), 전자 주입층(108) 및 음극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H로 표시되는 화합물은 발광층에 추가로 포함될 수 있다. 또 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 전자 수송층 또는 전자 주입층에 포함된다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 발광층이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질, 유기물층 및 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 상기 화학식 H로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 예를 들어, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층 이외의 추가의 발광층을 포함할 수 있다. 추가의 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있다. 또한, 스티릴아민 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 수취하는 층이다. 정공 주입 물질은 정공을 수송하는 능력을 가져 양극으로부터 정공 수취 효과 및 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지할 수 있는 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물; 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논, 폴리아닐린과 같은 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층이다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이, 임의의 원하는 음극 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 음극 물질은 낮은 일함수를 가지며, 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 수취하는 층이다. 전자 주입물로는 전자를 수송하는 능력이 우수하고, 제2 전극으로부터의 전자 수취 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤이 정공 주입층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 착체 화합물로는 8-히드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 차단층은 전자 주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다.
상기 정공 차단층은 정공의 음극으로 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 전자 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[합성예1]
Figure 112019112208053-pat00063
질소분위기 하에서 중간체 A-1-a 5.0 g, 아민 A-1-b (benzen-d5-amine) 1.3 g, 소듐 터트부톡사이드 [sodium tert-butoxide] 2.0 g을 톨루엔 (130 ml)에 녹인 후, 비스(트리 터트-부틸포스핀)팔라듐(0)[Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)] 0.14 g를 넣고 120℃에서 가열하고, 10시간 동안 교반하였다. 반응이 완료되면 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 aq.NH4Cl를 가하여 분액한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 컬럼 크로마토그래피 (톨루엔/헥산)로 정제하여 중간체 A-1 4.2 g를 얻었다. (수율 80%, Mass [M+]=387)
Figure 112019112208053-pat00064
질소분위기 하에서 중간체 1-1 3.8 g, 중간체 A-1 4.2 g, 소듐 터트부톡사이드 [sodium tert-butoxide] 1.6 g을 톨루엔 (100 ml)에 녹인 후, 비스(트리 터트-부틸포스핀)팔라듐(0)[Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)] 0.11 g를 넣고 120℃에서 가열하고, 12시간 동안 교반하였다. 반응이 완료되면 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 aq.NH4Cl를 가하여 분액한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정 (톨루엔/헥산)으로 정제하여 화합물 1을 6.5 g 수득하였다. (수율 63%, Mass [M+]=964)
[합성예2]
Figure 112019112208053-pat00065
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-2-a 3.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-2 2.4g 을 수득하였다. (수율 76 %, Mass [M+]=387)
Figure 112019112208053-pat00066
상기 합성예 1 의 화합물 1의 합성에서 A-1 대신 A-2 2.4 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 2 4.2g 을 수득하였다. (수율 70 %, Mass [M+]=964)
[합성예3]
Figure 112019112208053-pat00067
질소 분위기하에서 7-히드록시-2-나프틸 보로닉산 (((7-hydroxynaphthalen-2-yl)boronic acid) 18 g, 2-브로모-5-클로로페닐-2-프로판올 (2-(2-bromo-5-chlorophenyl)propan-2-ol) 20 g와 탄산칼륨 33 g를 1,4-디옥산 400 mL과 물 100 mL에 녹인 후, Pd(PPh3)4 1.9g 넣고 10시간동안 교반하였다. 반응이 완료되면 반응 용액을 냉각시키고, aq.NH4Cl을 가하여 에틸아세테이트로 추출한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하여 유기용매를 제거하여 중간체 3-a 20 g를 얻었다. (수율 79%, Mass [M+]=313)
추가 정제 없이 얻어진 중간체 3-a 20 g를 클로로포름에 녹여 0oC로 냉각시킨 다음 메탄 술폰산 12mL을 천천히 적가하였다. 반응용액을 40oC에서 가열하여 4시간동안 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물을 가하여 추출하여 유기층만 모아서 aq. NaHCO3를 가하여 중화시킨다. 유기용액을 추출한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하여 유기용매를 제거하여 재결정(CHCl3:헥산)으로 정제하여 중간체 3-b 13 g를 수득하였다. (수율 69%, Mass [M+]=295)
질소 분위기 하에서 중간체 3-b 13 g, 탄산칼륨 15 g, 퍼플루오로부탄설포닐 플로라이드 [perfluorobutanesulfonyl floride] 8.4 mL 및 디메틸포름아마이드 (DMF) 300 mL가 들어있는 플라스크를 상온에서 1시간동안 교반하였다. 반응이 완료한 후, 물을 가하여 생성된 고체를 감압 여과하였다. 여과한 고체를 톨루엔에 녹인 다음 aq. NH4Cl를 가하여 추출한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정 (에틸아세테이트:헥산)으로 정제하여 중간체 3-c를 18 g 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=577)
Figure 112019112208053-pat00068
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-3-a 3.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-3 2.2g 을 수득하였다. (수율 70 %, Mass [M+]=387)
Figure 112019112208053-pat00069
질소분위기 하에서 중간체 3-c 1.6 g, 아민 A-3 2.1 g, 포타슘 포스페이트 [potassium phosphate] 1.8 g을 톨루엔 (25 ml)에 녹인 후, 비스(트리 터트-부틸포스핀)팔라듐(0)[Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)] 28 mg를 넣고 120℃에서 가열하고, 20시간 동안 교반하였다. 반응이 완료되면 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 aq.NH4Cl를 가하여 분액한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(헥산/톨루엔)으로 정제하여 화합물 3 1.8 g를 얻었다. (수율 64%, Mass [M+]=1014)
[합성예4]
Figure 112019112208053-pat00070
상기 합성예 3 의 중간체 3-a의 합성에서 7-히드록시-1-나프틸 보로닉산 대신 6-히드록시-2-나프틸 보론산 (6-hydroxynaphthalen-2-yl)boronic acid 9.1 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체3-a의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 4-a 9.2 g 을 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=313)
상기 합성예 3 의 중간체 3-b의 합성에서 3-a 대신 4-a 9.2g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-b의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 4-b 6.8 g 을 수득하였다. (수율 78 %, Mass [M+]=295)
상기 합성예 3 의 중간체 3-c의 합성에서 3-b 대신 4-b 6.8 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-c의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 4-c 10 g 을 수득하였다. (수율 76 %, Mass [M+]=577)
Figure 112019112208053-pat00071
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-4-a 3.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-4 2.3g 을 수득하였다. (수율 73 %, Mass [M+]=387)
Figure 112019112208053-pat00072
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 4-c 1.7 g 을, A-3 대신 A-4 2.3 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 4 2.0g 을 수득하였다. (수율 67 %, Mass [M+]=1014)
[합성예5]
Figure 112019112208053-pat00073
상기 합성예 3 의 중간체 3-a의 합성에서 7-히드록시-1-나프틸 보로닉산 대신 7-히드록시-3-나프틸 보론산 (7-hydroxynaphthalen-3-yl)boronic acid 9.1 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체3-a의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 5-a 8.8 g 을 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=313)
상기 합성예 3 의 중간체 3-b의 합성에서 3-a 대신 5-a 8.8g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-b의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 5-b 6.5 g 을 수득하였다. (수율 78 %, Mass [M+]=295)
상기 합성예 3 의 중간체 3-c의 합성에서 3-b 대신 5-b 6.5 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-c의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 5-c 8.7 g 을 수득하였다. (수율 69 %, Mass [M+]=577)
Figure 112019112208053-pat00074
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-5-a 3.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-5 2.1g 을 수득하였다. (수율 67 %, Mass [M+]=387)
Figure 112019112208053-pat00075
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 5-c 1.6 g 을, A-3 대신 A-5 2.1 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 5 1.9g 을 수득하였다. (수율 68 %, Mass [M+]=1014)
[합성예6]
Figure 112019112208053-pat00076
상기 합성예 3 의 중간체 3-a의 합성에서 7-히드록시-1-나프틸 보로닉산 대신 6-히드록시-3-나프틸 보론산 (6-hydroxynaphthalen-3-yl)boronic acid 4.5 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체3-a의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 6-a 5.1 g 을 수득하였다. (수율 81%, Mass [M+]=313)
상기 합성예 3 의 중간체 3-b의 합성에서 3-a 대신 6-a 5.1g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-b의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 6-b 3.7 g 을 수득하였다. (수율 77 %, Mass [M+]=295)
상기 합성예 3 의 중간체 3-c의 합성에서 3-b 대신 6-b 3.7 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-c의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 6-c 5.6 g 을 수득하였다. (수율 78 %, Mass [M+]=577)
Figure 112019112208053-pat00077
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 6-c 1.5 g 을, A-3 대신 A-2 2.0 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 6 1.8g 을 수득하였다. (수율 68 %, Mass [M+]=1014)
[합성예7]
Figure 112019112208053-pat00078
상기 합성예 3 의 중간체 3-a의 합성에서 7-히드록시-1-나프틸 보로닉산 대신 7-히드록시-3-나프틸 보론산 (7-hydroxynaphthalen-3-yl)boronic acid 3.0 g, 2-브로모-5-클로로페닐-2-프로판올 대신 (2-브로모-5-클로로페닐)디페닐메탄올 [(2-bromo-5-chlorophenyl)diphenylmethanol] 5.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체3-a의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 7-a 4.3 g 을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=437)
상기 합성예 3 의 중간체 3-b의 합성에서 3-a 대신 7-a 4.3 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-b의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 7-b 2.8 g 을 수득하였다. (수율 68 %, Mass [M+]=419)
상기 합성예 3 의 중간체 3-c의 합성에서 3-b 대신 7-b 2.8 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-c의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 7-c 3.6 g 을 수득하였다. (수율 77 %, Mass [M+]=702)
Figure 112019112208053-pat00079
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-6-a 5.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-6 4.1g 을 수득하였다. (수율 79 %, Mass [M+]=449)
Figure 112019112208053-pat00080
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 7-c 2.0 g 을, A-3 대신 A-6 2.2 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 7 2.5g 을 수득하였다. (수율 69 %, Mass [M+]=1262)
[합성예8]
Figure 112019112208053-pat00081
상기 합성예 3 의 중간체 3-a의 합성에서 7-히드록시-1-나프틸 보로닉산 대신 7-히드록시-3-나프틸 보론산 (7-hydroxynaphthalen-3-yl)boronic acid 18 g, 2-브로모-5-클로로페닐-2-프로판올 대신 메틸-2-브로모-5-클로로벤조에이트 [methyl 2-bromo-5-chlorobenzoate] 20 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-a의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 8-a 19g 을 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=313)
추가 정제없이 얻은 중간체 8-a 19 g, 진한황산(2.0mL), 아세트산 (300mL) 및 클로로포름(140mL)이 들어있는 플라스크를 80℃에서 4시간 동안 가열 교반하였다. 반응용액을 상온으로 냉각시켜준 다음, 용매를 감압제거하고 톨루엔에 다시 녹여주었다. aq.NaHCO3를 가하여 분액한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용매를 감압제거하고 재결정(에틸아세테이트/헥산)으로 정제하여 중간체 8-b 11 g을 수득하였다. (수율 65 %, Mass [M+]=281)
Figure 112019112208053-pat00082
-78℃로 냉각시킨 테트라하이드로퓨란 400 mL (THF 무수)에 녹아있는 2-브로모-1,1'-바이페닐 [2-bromo-1,1'-biphenyl] 9.1g이 담긴 플라스크에 n-부틸리튬[n-butyllithium](16mL, 2.5M in hexane)을 천천히 적가시켜준 다음 동일한 온도에서 한시간 동안 교반시켜 주었다. 리튬-할로겐 교환 반응의 완료를 확인한 후, 중간체 8-b 11 g을 첨가해 준 다음 서서히 상온으로 온도를 올리고 8시간 동안 상온 교반하였다. 물 및 aq.NH4Cl를 가하여 분액한 후 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하여 중간체 8-c 10 g을 얻었다.
상기 합성예 3 의 중간체 3-b의 합성에서 3-a 대신 8-c 10 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-b의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 8-d 7.2 g 을 수득하였다. (수율 68 %, Mass [M+]=417)
상기 합성예 3 의 중간체 3-c의 합성에서 3-b 대신 8-d 7.2 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-c의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 8-e 9.2 g 을 수득하였다. (수율 76 %, Mass [M+]=699)
Figure 112019112208053-pat00083
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-7-a 3.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-7 2.2g 을 수득하였다. (수율 70 %, Mass [M+]=387)
Figure 112019112208053-pat00084
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 8-e 3.0 g 을, A-3 대신 A-7 3.3 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 8 3.1g 을 수득하였다. (수율 64 %, Mass [M+]=1136)
[합성예9]
Figure 112019112208053-pat00085
상기 합성예 3 의 중간체 3-a의 합성에서 7-히드록시-1-나프틸 보로닉산 대신 4-히드록시-1-나프틸 보론산 (4-hydroxynaphthalen-1-yl)boronic acid 9.1 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-a의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 9-a 9.8 g 을 수득하였다. (수율 78%, Mass [M+]=313)
상기 합성예 3 의 중간체 3-b의 합성에서 3-a 대신 9-a 9.8 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-b의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 9-b 6.8g 을 수득하였다. (수율 74 %, Mass [M+]=295)
상기 합성예 3 의 중간체 3-c의 합성에서 3-b 대신 9-b 6.8 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-c의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 9-c 9.6 g 을 수득하였다. (수율 73 %, Mass [M+]=577)
Figure 112019112208053-pat00086
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 6-c 2.0 g 을, A-3 대신 A-4 2.7 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 9 2.2g 을 수득하였다. (수율 63 %, Mass [M+]=1014)
[합성예10]
Figure 112019112208053-pat00087
상기 합성예 3 의 중간체 3-a의 합성에서 7-히드록시-1-나프틸 보로닉산 대신 4-히드록시-1-나프틸 보론산 (4-hydroxynaphthalen-1-yl)boronic acid 3.6 g 을, 2-브로모-5-클로로페닐-2-프로판올 대신 1-(2-브로모-5-클로로페닐)1-페닐에탄올 [1-(2-bromo-5-chlorophenyl)-1-phenylethan-1-ol] 5.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-a의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 10-a 4.6 g 을 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=375)
상기 합성예 3 의 중간체 3-b의 합성에서 3-a 대신 10-a 4.6 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-b의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 10-b 3.1 g 을 수득하였다. (수율 71 %, Mass [M+]=357)
상기 합성예 3 의 중간체 3-c의 합성에서 3-b 대신 10-b 3.1 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 3-c의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 10-c 5.0 g 을 수득하였다. (수율 75 %, Mass [M+]=639)
Figure 112019112208053-pat00088
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 10-c 2.0 g 을, A-3 대신 A-7 2.4 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 10 2.1g 을 수득하였다. (수율 62 %, Mass [M+]=1076)
[합성예11]
Figure 112019112208053-pat00089
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-8-a 3.0 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-8 2.3g 을 수득하였다. (수율 74 %, Mass [M+]=437)
Figure 112019112208053-pat00090
상기 합성예 1 의 화합물 1의 합성에서 A-1 대신 A-8 2.3 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 11 2.0g 을 수득하였다. (수율 71 %, Mass [M+]=1064)
[합성예12]
Figure 112019112208053-pat00091
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-5-a 5.2g, A-1-b 대신 A-9-b 2.5 g 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-9 4.5g 을 수득하였다. (수율 69 %, Mass [M+]=467)
Figure 112019112208053-pat00092
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 5-c 2.8g, A-3 대신 A-9 4.5 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 12 3.2g 을 수득하였다. (수율 57 %, Mass [M+]=1174)
[합성예13]
Figure 112019112208053-pat00093
상기 합성예 1 의 중간체 A-1의 합성에서 A-1-a 대신 A-4-a 3.0 g, A-1-b 대신 A-10-b 1.2g을 사용한 것을 제외하고 중간체 A-1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 A-10 2.5g 을 수득하였다. (수율 71 %, Mass [M+]=442)
Figure 112019112208053-pat00094
상기 합성예 3 의 화합물 3의 합성에서 중간체 3-c 대신 9-c 1.6 g, A-3 대신 A-10 2.5 g 을 사용한 것을 제외하고 화합물 3의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 13 2.0g 을 수득하였다. (수율 63 %, Mass [M+]=1124)
실시예 1
ITO(indium tin oxide)가 1,500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 (HAT)을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다.
Figure 112019112208053-pat00095
(HAT)
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화학식의 4,4`-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐 (NPB) (1100Å)을 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다.
Figure 112019112208053-pat00096
(NPB)
이어서, 상기 정공 수송층 위에 [HT-A]를 200 Å의 두께로 진공 증착하여 전자차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자차단층 위에 발광 호스트로 [BH-2]를 300 Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.
Figure 112019112208053-pat00097
상기 발광층을 증착하면서 청색 발광 도펀트로 화합물 1을 호스트 총 중량 100% 대비 3중량% 사용하였다. 상기 발광층 위에 [TPBI] 및 LiQ를 1:1 중량비로 진공증착하여 200Å의 두께로 전자수송층을 형성하였다. 상기 제1 전자수송층 위에 [LiF]를 진공증착하여 100 Å의 두께로 전자주입층을 형성하였다. 상기 제2 전자수송층 위에 1000 Å의 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 1.0 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 X 10-7 내지 5 X 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 2 내지 17 및 비교예 1 내지 5
상기 실시예 1에서 발광층 물질로 하기 표 1에 기재된 호스트 및 도펀트 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조했다.
Figure 112019112208053-pat00098
Figure 112019112208053-pat00099
Figure 112019112208053-pat00100
Figure 112019112208053-pat00101
상기 실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 5에 의해 제작된 유기 발광 소자를 10 mA/cm2의 전류밀도에서 구동 전압, 효율 및 수명을 측정하였다. 수명은 초기 휘도 대비 97%가 되는 시간(T97)을 측정한 것이다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
호스트 도펀트 발광효율
(Cd/A)
수명, T97
(시간)
실시예 1 BH-2 화합물1 6.11 112
실시예 2 BH-2 화합물4 6.42 120
실시예 3 BH-2 화합물5 6.24 117
실시예 4 BH-2 화합물6 6.05 122
실시예 5 BH-2 화합물8 6.13 126
실시예 6 BH-2 화합물9 6.3 120
실시예 7 BH-2 화합물11 6.21 110
실시예 8 BH-2 화합물12 6.30 118
실시예 9 BH-2 화합물13 6.32 125
실시예 10 BH-1 화합물1 6.15 114
실시예 11 BH-1 화합물8 6.25 124
실시예 12 BH-1 화합물9 6.48 127
실시예 13 BH-1 화합물10 6.12 122
실시예 14 BH-3 화합물9 6.35 120
실시예 15 BH-3 화합물1 6.12 113
실시예 16 BH-4 화합물7 6.42 115
실시예 17 BH-4 화합물9 6.5 125
비교예 1 BH-2 BD-1 5.21 96
비교예 2 BH-2 BD-2 5.42 102
비교예 3 BH-1 BD-3 2.10 52
비교예 4 BH-1 BD-4 2.01 48
비교예 5 BH-1 BD-5 1.82 36
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 발광층의 도펀트로써 본 발명의 화합물을 포함하고 있는 실시예 1 내지 17의 유기 발광 소자가, 비교예 1 내지 5의 유기 발광 소자보다 발광효율 및/또는 수명에 있어서 우수함을 알 수 있었다.
101: 기판
102: 양극
103: 정공 주입층
104: 정공 수송층
105: 전자 차단층
106: 발광층
107: 전자 수송층
108: 전자 주입층
110: 음극

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112021047202697-pat00102

    상기 화학식 1에 있어서,
    L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
    X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, X1 및 X2가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성하고,
    X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소를 포함하며 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
    R1 내지 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    m 및 n1 내지 n4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
    r1은 0 내지 5의 정수이고, 2 이상인 경우 R1은 서로 동일하거나 상이하고,
    r2은 0 내지 3의 정수이고, 2 이상인 경우 R2은 서로 동일하거나 상이하고,
    r3은 0 내지 6의 정수이고, 2 이상인 경우 R3은 서로 동일하거나 상이하고,
    r4은 0 내지 5의 정수이고, 2 이상인 경우 R4은 서로 동일하거나 상이하고,
    r5은 0 내지 5의 정수이고, 2 이상인 경우 R5은 서로 동일하거나 상이하고,
    r6은 0 내지 6의 정수이고, 2 이상인 경우 R6은 서로 동일하거나 상이하고,
    상기 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 아민기; 실릴기; 포스핀옥사이드기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미하고,
    상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이고, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이고, 상기 아릴기 및 아릴렌기의 탄소수는 6 내지 50이고, 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기의 탄소수는 2 내지 50이고, 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기는 이종원자로 N, O, S 및 Si 중 1개 이상을 포함한다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112019112208053-pat00103

    상기 화학식 2에 있어서,
    L1, L2, X1 내지 X4, DR1, DR2, R1 내지 R6, m, n1 내지 n4 및 r1 내지 r6의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 2-4 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 2-1]
    Figure 112019112208053-pat00104

    [화학식 2-2]
    Figure 112019112208053-pat00105

    [화학식 2-3]
    Figure 112019112208053-pat00106

    [화학식 2-4]
    Figure 112019112208053-pat00107

    상기 화학식 2-1 내지 2-4에 있어서,
    L1, L2, X1 내지 X4, DR1, DR2, R1 내지 R6, r1 내지 r6 및 n1 내지 n4의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
    r11은 0 내지 3의 정수이고, 2 이상인 경우 R1은 동일하거나 상이하다.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3-1 내지 3-12 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 3-1]
    Figure 112019112208053-pat00108

    [화학식 3-2]
    Figure 112019112208053-pat00109

    [화학식 3-3]
    Figure 112019112208053-pat00110

    [화학식 3-4]
    Figure 112019112208053-pat00111

    [화학식 3-5]
    Figure 112019112208053-pat00112

    [화학식 3-6]
    Figure 112019112208053-pat00113

    [화학식 3-7]
    Figure 112019112208053-pat00114

    [화학식 3-8]
    Figure 112019112208053-pat00115

    [화학식 3-9]
    Figure 112019112208053-pat00116

    [화학식 3-10]
    Figure 112019112208053-pat00117

    [화학식 3-11]
    Figure 112019112208053-pat00118

    [화학식 3-12]
    Figure 112019112208053-pat00119

    상기 화학식 3-1 내지 3-12에 있어서,
    L1, L2, X1 내지 X4, DR1, DR2, R1 내지 R6, r1 내지 r6 및 n1 내지 n4의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
    r11은 0 내지 3의 정수이고, 2 이상인 경우 R1은 동일하거나 상이하다.
  5. 청구항 1에 있어서,
    n1 + n2의 값은 1 또는 2이고, n3 + n4의 값은 1 또는 2인 것인 화합물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    DR1 및 DR2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소를 포함하며 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기인 것인 화합물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    L1 및 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 비페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기인 것인 화합물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이거나, X1 및 X2가 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성하는 것인 화합물.
  9. 청구항 1에 있어서,
    X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기인 것인 화합물.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure 112019112208053-pat00120

    Figure 112019112208053-pat00121

    Figure 112019112208053-pat00122

    Figure 112019112208053-pat00123

    Figure 112019112208053-pat00124

    Figure 112019112208053-pat00125

    Figure 112019112208053-pat00126

    Figure 112019112208053-pat00127

    Figure 112019112208053-pat00128

    Figure 112019112208053-pat00129

    Figure 112019112208053-pat00130

    Figure 112019112208053-pat00131

    Figure 112019112208053-pat00132

    Figure 112019112208053-pat00133
    .
  11. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물 및 하기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 H]
    Figure 112021047202697-pat00134

    상기 화학식 H에 있어서,
    L21 및 L22는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
    R21 내지 R28은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    Ar1 및 Ar2은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    상기 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 아민기; 실릴기; 포스핀옥사이드기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미하고,
    상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이고, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이고, 상기 아릴기 및 아릴렌기의 탄소수는 6 내지 50이고, 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기의 탄소수는 2 내지 50이고, 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기는 이종원자로 N, O, S 및 Si 중 1개 이상을 포함한다.
  14. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층, 정공 주입층, 정공수송층, 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 차단층 및 정공 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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