KR102287923B1 - 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 251
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 96
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 84
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 84
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims description 69
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims description 69
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 59
- -1 diisocyanate compound Chemical class 0.000 claims description 45
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 claims description 27
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical group C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 claims description 5
- PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 241001112258 Moca Species 0.000 claims description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940100573 methylpropanediol Drugs 0.000 claims description 4
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 claims description 4
- ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N propane-1,1-diol Chemical compound CCC(O)O ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 4
- NSQHUAHYTXRCOF-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 NSQHUAHYTXRCOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 9
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 7
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 4
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGXVKAPCSIXGAK-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine;4,6-diethyl-2-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(CC)=C(N)C(C)=C1N.CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N HGXVKAPCSIXGAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIVUZAKRWOJOIC-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3-chlorophenyl)methyl]-2-chloroaniline Chemical compound NC1=C(C=C(C=C1)CC1=CC(=C(C=C1)N)Cl)Cl.NC1=C(C=C(C=C1)CC1=CC(=C(C=C1)N)Cl)Cl ZIVUZAKRWOJOIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004970 Chain extender Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPTYYAOQTBRXCH-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.N=C=O.N=C=O.C(C1CCCCC1)C1CCCCC1.C(C1CCCCC1)C1CCCCC1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.N=C=O.N=C=O.C(C1CCCCC1)C1CCCCC1.C(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WPTYYAOQTBRXCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N [cyclohexyl(diisocyanato)methyl]cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1C(N=C=O)(N=C=O)C1CCCCC1 KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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Abstract
구현예에 따른 연마패드는 연마층 내 존재하는 원소, 특히 산소(O) 원소의 함량, 및 산소(O) 및 질소(N) 원소의 총 함량을 조절함으로써, 연마 입자 및 연마패드의 결합력을 제어하고, 이에 따라 상기 연마 입자 및 반도체 기판(웨이퍼)의 결합력을 향상시켜, 이로 인해 연마율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 연마패드를 이용하여 높은 품질의 반도체 소자를 효율적으로 제조할 수 있다.
Description
구현예들은 반도체의 화학적 기계적 평탄화(CMP) 공정에 사용될 수 있는 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중 화학적 기계적 연마(CMP) 공정은, 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 헤드에 부착하고 정반(platen) 상에 형성된 연마패드의 표면에 접촉하도록 한 상태에서, 슬러리를 공급하여 반도체 기판 표면을 화학적으로 반응시키면서 정반과 헤드를 상대운동시켜 기계적으로 반도체 기판 표면의 요철부분을 평탄화하는 공정이다.
연마패드는 이와 같은 CMP 공정에서 중요한 역할을 담당하는 필수적인 원부자재로서, 일반적으로 폴리우레탄 수지로 이루어지고, 상기 폴리우레탄 수지는 디이소시아네이트 화합물과 폴리올을 반응시켜 얻은 우레탄계 예비중합체, 경화제, 발포제 등을 포함한다.
이 중 우레탄계 예비중합체는 중합시 사용되는 디이소시아네이트 화합물 및 폴리올의 종류 및 함량에 따라 성질과 물성이 변할 수 있고, 이러한 물성은 CMP 공정의 성능에 크게 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 연마패드의 물성뿐만 아니라, 예비중합체의 물성을 조절하는 것이 CMP 패드 특성을 크게 바꿀 수 있는 중요한 인자라 할 수 있다.
또한, 상기 성분들로 제조된 연마패드의 연마층은 CMP 공정 중에 반도체 기판의 표면과 직접 상호 작용하므로 반도체 기판의 표면의 가공 품질에 영향을 주고, 특히 연마층의 성분과 물성에 따라 CMP 공정의 연마율이 민감하게 달라질 수 있다.
따라서, CMP 공정의 연마율을 향상시키기 위해, 연마층의 성분 및 물성을 제어함으로써 최적 범위의 물성 및 연마율 조건을 설계할 수 있는 연마패드의 개발이 절실히 필요한 실정이다.
본 발명은 연마패드 제조시 사용되는 성분들의 종류 및 함량에 따라 반도체 기판의 표면의 가공 품질에 영향을 주고 연마율이 민감하게 달라질 수 있다는 점을 인식하고 꾸준히 연구한 결과, 연마층 내에 존재하는 각 원소의 함량에 따라 연마패드 및 연마 입자의 결합력, 나아가 연마 입자 및 반도체 기판의 결합력이 달라지고, 이로 인해 연마율 등의 CMP 성능에 영향을 미침을 발견하게 되었다.
따라서 구현예의 목적은, 연마층 내 산소(O) 원소의 함량, 및 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량을 조절하여 연마율을 현저히 향상시킬 수 있는, 연마패드, 이의 제조방법, 및 상기 연마패드를 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
일 구현예에 따르면, 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며, 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%인, 연마패드가 제공된다.
다른 구현예에 따르면, 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 순차 또는 동시 혼합하여 조성물을 제조하는 단계; 및 상기 조성물을 몰드 내에 주입하여 경화하여 연마층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며, 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O)의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%인, 연마패드의 제조방법이 제공된다.
또 다른 구현예에 따르면, 연마패드를 이용하여 반도체 기판의 표면을 연마하는 단계를 포함하고, 상기 연마패드가 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며, 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O)의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%인, 반도체 소자의 제조방법이 제공된다.
상기 구현예에 따른 연마패드는 연마층 내 존재하는 원소의 함량, 특히 산소(O) 원소의 함량, 및 산소(O) 및 질소(N) 원소의 총 함량을 조절함으로써, 연마 입자 및 연마패드의 결합력을 제어하고, 이에 따라 상기 연마 입자 및 반도체 기판(웨이퍼)의 결합력을 향상시켜, 이로 인해 연마율을 향상시킬 수 있다.
나아가, 상기 연마패드를 이용하여 높은 품질의 반도체 소자를 효율적으로 제조할 수 있다.
도 1은 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 연마패드의 연마율을 나타낸 것이다.
도 2는 일 구현예에 따른 반도체 소자 제조 공정의 개략적인 공정도를 도시한 것이다.
도 2는 일 구현예에 따른 반도체 소자 제조 공정의 개략적인 공정도를 도시한 것이다.
이하의 구현예의 설명에 있어서, 각 층, 패드 또는 시트 등이 각 층, 패드 또는 시트 등의 상(on) 또는 하(under)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상"과 "하"는 직접(directly) 또는 다른 구성요소를 개재하여 간접적으로(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
각 구성요소의 상/하에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
본 명세서에서 일 구성요소를 "포함"한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한 본 명세서에 기재된 구성성분의 물성 값, 치수 등을 나타내는 모든 수치 범위는 특별한 기재가 없는 한 모든 경우에 "약"이라는 용어로 수식되는 것으로 이해하여야 한다.
[연마패드]
일 구현예에 따른 연마패드는, 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량은 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며, 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량은 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 연마층 내 상기 산소(O) 원소의 함량 및 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량에 따라 연마율을 현저히 향상시킬 수 있다.
우선, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량은 연마패드와 연마 입자의 결합력, 및 연마 입자와 반도체 기판의 결합력에 영향을 미칠 수 있다. 따라서 연마층 내 산소(O) 원소의 함량을 제어하여 이들의 결합력을 조절할 수 있으며, 이로 인해 연마율을 향상시킬 수 있다.
상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량은 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%, 16 중량% 내지 18.9 중량%, 15 중량% 내지 18 중량%, 또는 16 중량% 내지 18 중량%일 수 있다. 구체적으로, 상기 산소(O) 원소의 함량이 상기 범위인 경우, 연마시 사용되는 연마 입자, 예를 들어 세리아(CeO2) 입자와 연마패드의 결합력이 적절히 제어되고, 이에 따라 상기 세리아(CeO2) 입자와 반도체 기판(웨이퍼)의 결합력이 향상되어 연마율을 향상시킬 수 있다. 상기 산소(O) 원소의 함량이 19 중량%를 초과하는 경우 연마시 사용되는 상기 세리아(CeO2) 입자와 연마패드의 결합력이 지나치게 증가하여, 상기 세리아(CeO2) 입자와 웨이퍼의 결합력을 감소시키므로 연마율에 악영향을 줄 수 있다. 이에 반해, 상기 산소(O) 원소의 함량이 15 중량% 미만인 경우 연마패드와 세리아(CeO2) 입자와 접착력이 떨어지기 때문에 오히려 웨이퍼와의 결합이 증가하고, 이에 따라 결함 및 스크래치가 증가 하는 문제가 있을 수 있다.
또한, 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량은 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%, 22 중량% 내지 27 중량%, 23 중량% 내지 27 중량%, 또는 22 중량% 내지 25 중량%일 수 있다. 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량은 반도체 기판 또는 슬러리와의 결합력에 영향을 주므로, 상기 범위를 만족하는 경우 연마율을 향상시킬 수 있다. 만일, 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 20 중량% 미만이면 결함 및 스크래치가 증가하는 문제가 있을 수 있고, 27 중량%를 초과하는 경우 연마율이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
한편, 상기 연마층 내 주요 원소는 탄소(C), 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소를 포함할 수 있다. 또한, 상기 연마층 내 주요 원소는 탄소(C), 질소(N), 산소(O), 수소(H), Si(규소) 및 염소(Cl) 원소를 포함할 수 있다. 상기 연마층 내 주요 원소의 총 함량, 예를 들어 탄소(C), 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소의 총 함량은 상기 연마층 총 중량을 기준으로 92 중량% 내지 96 중량%, 92 중량% 내지 95.5 중량%, 92 중량% 내지 94 중량%, 또는 94 중량% 내지 96 중량%일 수 있다.
상기 연마층 내 주요 원소, 예를 들어 탄소(C), 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소를 제외한 기타 원소의 총 함량은 상기 연마층 총 중량을 기준으로 4 중량% 내지 8 중량%, 4.5 중량% 내지 8 중량%, 5 중량% 내지 7 중량%, 4 중량% 내지 7 중량%, 또는 6 중량% 내지 8 중량%일 수 있다.
또한, 상기 연마층 내 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소의 총 함량은 상기 연마층 내 주요 원소의 총 함량을 기준으로, 구체적으로 상기 연마층 내 탄소(C), 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소의 총 함량을 기준으로 30 중량% 내지 35 중량%, 32 중량% 내지 35 중량%, 또는 33 중량% 내지 34 중량%일 수 있다. 상기 연마층 내 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소의 총 함량은 반도체 기판 또는 슬러리와의 결합력에 영향을 주므로, 상기 범위를 만족하는 경우 연마율을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 연마층 내 각 원소 함량은 핵자기 공명(nuclear magnetic resonance; NMR) 또는 원소 분석기(element analysis; EA)로 측정될 수 있으며, 연마층 내 각 원소 함량은 연마패드의 상부층(top pad)을 원소 분석기인 모델명 Flash2000(Thermo Fisher Scientific, Germany)를 사용하여 측정하였다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 연마층 내 산소(O) 원소는 상기 우레탄계 예비중합체에 사용되는 디이소시아네이트 화합물 및 폴리올로부터 유래된 것일 수 있다. 또한, 상기 연마층 내 산소(O) 원소는 경화제로부터 유래된 것일 수 있다.
우레탄계 예비중합체
상기 우레탄계 예비중합체(prepolymer)는 산소(O) 원소, 수소(H) 원소 및 질소(N) 원소, 및 이들의 총 함량을 제어하는데 중요한 요소가 될 수 있다. 즉, 상기 우레탄계 예비중합체의 중합시 사용되는 디이소시아네이트 화합물 및 폴리올의 종류, 및 이들의 함량에 따라 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 달라질 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 우레탄계 예비중합체의 중합시 사용되는 디이소시아네이트 화합물 및 폴리올의 종류, 및 이들의 함량에 따라 연마층 내 산소(O) 원소, 수소(H) 원소 및 질소(N) 원소의 각 함량, 및 이들의 총 함량이 달라질 수 있다.
구체적으로, 상기 우레탄계 예비중합체는 1종 이상의 디이소시아네이트 화합물 및 2종 이상의 폴리올의 예비중합 반응생성물을 포함할 수 있으며, 상기 연마층 내 산소(O) 원소가 상기 디이소시아네이트 화합물, 및 폴리올로부터 유래된 것일 수 있다.
상기 예비중합 반응이란 일반적으로 최종 고분자 성형품을 제조함에 있어서 성형하기 쉽도록 모노머의 중합을 중간 단계에서 중지시켜 비교적 낮은 분자량의 고분자를 얻는 반응을 의미한다. 따라서 예비중합 반응생성물을 포함하는 예비중합체는 그 자체로 또는 다른 중합성 화합물이나 경화제와 더 반응하여 최종 제품으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 우레탄계 예비중합체의 중량평균분자량(Mw)은 500 g/mol 내지 3,000 g/mol, 600 g/mol 내지 2,000 g/mol, 또는 700 g/mol 내지 1,500 g/mol일 수 있다.
상기 1종 이상의 디이소시아네이트 화합물은 1종 이상의 방향족 디이소시아네이트 화합물 및/또는 1종 이상의 지방족 디이소시아네이트 화합물일 수 있으며, 예를 들어, 톨루엔 디이소시아네이트(toluene diisocyanate, TDI), 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트(naphthalene-1,5-diisocyanate), 파라-페닐렌 디이소시아네이트(p-phenylene diisocyanate), 톨리딘 디이소시아네이트(tolidine diisocyanate), 디페닐메탄 디이소시아네이트(diphenylmethane diisocyanate, MDI), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(hexamethylene diisocyanate, HDI), 디사이클로헥실메탄 디이소시아네이트(dicyclohexylmethane diisocyanate, H12MDI) 및 이소포론 디이소시아네이트(isoporone diisocyanate) 등으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 디이소시아네이트 화합물은 톨루엔 디이소시아네이트(toluene diisocyanate, TDI), 디페닐메탄 디이소시아네이트(diphenylmethane diisocyanate, MDI), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(hexamethylene diisocyanate, HDI), 및 디사이클로헥실메탄 디이소시아네이트(dicyclohexylmethane diisocyanate, H12MDI)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
한편, 상기 폴리올은 2개 이상의 하이드록실기를 갖는 화합물을 의미하며, 상기 2종 이상의 폴리올은 1종 이상의 단분자형 폴리올 및 1종 이상의 고분자형 폴리올일 수 있다.
상기 단분자형 폴리올 및 고분자형 폴리올의 종류 및 함량을 조절함으로써, 연마층 내의 각 원소 함량, 구체적으로 산소(O) 원소의 함량을 제어할 수 있을 뿐만 아니라, 겔타임 및 경도를 포함한 물성을 변화시킬 수 있다. 또한, 상기 폴리올을 1종만 사용하여 연마층 내 산소(O) 원소의 함량을 조절한다고 하여도, 연마패드의 물성, 특히 경도에 악영향을 줄 수 있다.
상기 단분자형 폴리올의 중량평균분자량은 70 내지 200 g/mol이며, 상기 고분자형 폴리올의 중량평균분자량은 300 g/mol 내지 3,000 g/mol일 수 있다.
상기 단분자형 폴리올은 에틸렌글리콜(EG), 디에틸렌글리콜(DEG), 프로필렌글리콜(PG), 프로판디올(PDO) 및 메틸프로판디올(MP-diol)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 구체적으로 겔타임 및 경도를 고려할 때 상기 단분자형 폴리올은 디에틸렌글리콜(DEG), 프로필렌글리콜(PG) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
상기 고분자형 폴리올은 폴리테트라메틸렌 글리콜(polytetramethylene glycol; PTMG), 폴리테트라메틸렌 에테르글리콜(polytetramethylene etherglycol; PTMEG), 폴리에테르 폴리올(polyether polyol), 폴리에스테르 폴리올(polyester polyol), 폴리카보네이트 폴리올(polycarbonate polyol) 및 폴리카프로락톤 폴리올(polycarprolactone polyol)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 구체적으로 겔타임 및 경도를 고려하여 상기 고분자형 폴리올은 폴리테트라메틸렌 글리콜(polytetramethylene glycol; PTMG) 및 폴리테트라메틸렌 에테르 글리콜(polytetramethylene etherglycol; PTMEG)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 폴리올 유래의 산소(O) 원소 및 상기 디이소시아네이트 화합물 유래의 산소(O) 원소의 몰비는 1 : 0.1 내지 0.5, 구체적으로 1 : 0.1 내지 0.4일 수 있다.
상기 디이소시아네이트 화합물 및 상기 폴리올의 혼합 중량비는 1 : 1.35 내지 1.55 중량비, 구체적으로 1 : 1.35 내지 1.53 중량비, 더욱 구체적으로 1 : 1.40 내지 1.50 중량비일 수 있다.
상기 단분자형 폴리올 및 상기 고분자형 폴리올의 혼합 중량비는 1 : 8 내지 10, 구체적으로 1 : 8.5 내지 9.8, 더욱 구체적으로 1 : 8.5 내지 9.6일 수 있다. 상기 단분자형 폴리올 및 고분자형 폴리올의 혼합 중량비가 상기 범위인 경우, 본 발명에서 목적하는 경도를 구현할 수 있다. 만일, 상기 혼합 중량비가 상기 범위를 벗어나는 경우 경도가 지나치게 증가하거나, 또는 지나치게 감소할 수 있다.
또한, 상기 디이소시아네이트 화합물 및 고분자형 폴리올의 혼합 중량비는 1 : 1.2 내지 1.43, 구체적으로 1 : 1.25 내지 1.43, 더욱 구체적으로 1 : 1.25 내지 1.35일 수 있다.
한편, 상기 디이소시아네이트 화합물 및 상기 단분자형 폴리올의 혼합 중량비는 1 : 0.11 내지 0.15, 구체적으로 1 : 0.12 내지 0.14, 더욱 구체적으로 1 : 0.13 내지 0.14일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 연마패드가 상기 디이소시아네이트 화합물 및 상기 폴리올의 혼합 중량비 1 : 1.35 내지 1.55; 상기 단분자형 폴리올 및 상기 고분자형 폴리올의 혼합 중량비 1 : 8 내지 10; 상기 디이소시아네이트 화합물 및 상기 고분자형 폴리올의 혼합 중량비 1 : 1.2 내지 1.43; 및 상기 디이소시아네이트 화합물 및 상기 단분자형 폴리올의 혼합 중량비 1 : 0.11 내지 0.15;의 혼합 중량비 중에서 적어도 하나를 만족할 수 있다.
상기 디이소시아네이트 화합물의 함량은 상기 조성물(연마패드 제조용 조성물) 총 중량을 기준으로 29.9 중량% 내지 35 중량%일 수 있다. 구체적으로 상기 디이소시아네이트 화합물의 함량은 상기 조성물 총 중량을 기준으로 30 중량% 내지 34 중량%, 30 중량% 내지 33 중량%, 32 중량% 내지 34 중량%, 또는 31 중량% 내지 33 중량%일 수 있다. 상기 디이소시아네이트 화합물의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우 연마층 내 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 지나치게 커지게 되므로 연마율에 악영향을 줄 수 있고, 상기 범위 미만인 경우 연마층 내 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 지나치게 작아지게 되므로 결함 및 스크래치가 증가할 수 있다.
상기 2종 이상의 폴리올의 총 함량은 상기 조성물(연마패드 제조용 조성물) 총 중량을 기준으로 42 중량% 내지 47 중량%, 구체적으로 44 중량% 내지 47 중량%일 수 있다.
상기 고분자형 폴리올의 함량은 상기 조성물(연마패드 제조용 조성물) 총 중량을 기준으로 35 중량% 내지 42.8 중량%, 38 중량% 내지 42 중량%, 39 중량% 내지 42 중량%, 또는 40 중량% 내지 42 중량%일 수 있다. 상기 고분자형 폴리올의 함량이 상기 범위보다 적은 경우 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 저하될 수 있으며, 이에 따라 연마율 및 결함수에 악영향을 줄 수 있다.
상기 단분자형 폴리올의 함량은 상기 조성물(연마패드 제조용 조성물) 총 중량을 기준으로 4.0 중량% 내지 4.5 중량%, 구체적으로 4.1 중량% 내지 4.5 중량%, 더욱 구체적으로 구체적으로 4.2 중량% 내지 4.4 중량%일 수 있다. 상기 단분자형 폴리올의 함량이 상기 범위보다 적은 경우 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 저하될 수 있으며, 이에 따라 연마율 및 결함수에 악영향을 줄 수 있다.
상기 우레탄계 예비중합체는 8 중량% 내지 12 중량%의 디이소시아네이트 화합물 말단기를 가질 수 있다. 구체적으로 상기 우레탄계 예비중합체는 8 중량% 내지 10 중량%의 디이소시아네이트 화합물 말단기를 가질 수 있다.
우레탄계 예비중합체의 제조방법
상기 우레탄계 예비중합체는 앞서 설명한 바와 같이 1종 이상의 디이소시아네이트 화합물과 2종 이상의 폴리올을 예비중합 반응시켜 제조될 수 있다.
이 과정에서 투입되는 각각의 디이소시아네이트 화합물 및 폴리올의 종류 및 함량을 제어하여 연마층 내 각 원소의 함량, 구체적으로 산소(O) 원소, 수소(H) 원소 및 질소(N) 원소의 각 함량, 또는 이들의 총 함량을 제어할 수 있다.
우레탄계 예비중합체 내의 디이소시아네이트 화합물의 종류별 함량과 반응 또는 미반응 정도는 NMR 장비를 이용하여 측정될 수 있으며, 목적하는 수준으로 예비중합 반응이 이루어졌는지 확인 후에 필요하다면 반응 조건을 변경하여 우레탄계 예비중합체를 제조할 수 있다.
또한 상기 예비중합 반응에는 추가의 디이소시아네이트 화합물 또는 알콜 등의 모노머, 또는 그 외 첨가제가 더 투입될 수 있다.
경화제
상기 경화제는 상기 산소(O) 원소의 함량 및/또는 질소(N) 원소의 함량을 제어하는데 중요한 요소가 될 수 있다. 즉, 상기 경화제의 종류 및 함량에 따라 연마층 내 산소(O) 원소의 함량 및/또는 질소(N) 원소의 함량이 달라질 수 있다. 예를 들어, 알코올계 아민 경화제를 사용하는 경우 산소(O) 원소의 함량이 달라질 수 있으며, 질소(N) 함유 경화제를 사용하는 경우 질소(N) 원소의 함량이 달라질 수 있다.
상기 경화제는 질소(N) 함유 경화제를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린)(4,4'-methylenebis(2-chloroaniline); MOCA), 디에틸톨루엔디아민(diethyltoluenediamine; DETDA), 디아미노디페닐메탄(diaminodiphenylmethane), 디아미노디페닐설폰(diaminodiphenylsulfone), m-자일릴렌디아민(m-xylylenediamine), 이소포론디아민(isophoronediamine), 에틸렌디아민(ethylenediamine), 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine), 트리에틸렌테트라아민(triethylenetetramine), 폴리프로필렌디아민(polypropylenediamine), 폴리프로필렌트리아민(polypropylenetriamine) 및 비스(4-아미노-3-클로로페닐)메탄(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 경화제는 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린)(4,4'-methylenebis(2-chloroaniline); MOCA)를 포함할 수 있다.
상기 경화제의 함량은 본 발명의 연마패드의 물성 및 연마율을 향상시키는데 중요한 요소일 수 있다.
예를 들어, 상기 경화제의 함량은 상기 조성물 총 중량을 기준으로 16.0 중량% 내지 20 중량%, 17.0 중량% 내지 19.3 중량%, 17.0 중량% 내지 19.0 중량%, 또는 18.0 중량% 내지 19.3 중량%일 수 있다. 상기 범위의 경화제를 포함하는 경우 연마패드의 경도, 인장강도, 신율 및 모듈러스 등의 물성을 향상시킬 수 있다. 또한 상기 경화제의 함량이 지나치게 적은 경우, 연마층 내 산소(O) 및 질소(N) 원소의 함량이 본 발명의 범위에서 벗어날 수 있다.
한편, 상기 우레탄계 예비중합체의 디이소시아네이트 화합물 및 경화제는, 각각의 분자 내의 반응성 기(reactive group)의 몰 수 기준으로, 1:0.8 내지 1:1.2의 몰 당량비, 또는 1:0.9 내지 1:1.1의 몰 당량비로 혼합될 수 있다. 여기서 "각각의 반응성 기의 몰 수 기준"이라 함은, 예를 들어 우레탄계 예비중합체의 디이소시아네이트 화합물이기의 몰 수와 경화제의 반응성 기(아민기)의 몰 수를 기준으로 하는 것을 의미한다. 따라서, 상기 우레탄계 예비중합체의 디이소시아네이트 화합물 말단기 및 상기 경화제의 아민기의 몰 당량비가 1:0.8 내지 1.2일 수 있다. 상기 우레탄계 예비중합체 및 경화제는 앞서 예시된 몰 당량비를 만족하는 양으로 단위 시간당 투입되도록 투입 속도가 조절되어, 혼합 과정에 일정한 속도로 투입될 수 있다.
발포제
상기 발포제는 연마패드의 공극 형성에 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한하지 않는다.
예를 들어, 상기 발포제는 중공 구조를 가지는 고상 발포제, 휘발성 액체를 이용한 액상 발포제, 및 불활성 가스 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 고상 발포제는 열팽창된 마이크로 캡슐일 수 있고, 이는 열팽창성 마이크로 캡슐을 가열 팽창시켜 얻어진 것일 수 있다. 상기 열팽창된 마이크로 캡슐은 이미 팽창된 마이크로 벌룬의 구조체로서 균일한 크기의 입경을 가짐으로써 기공의 입경 크기를 균일하게 조절 가능한 장점을 갖는다. 구체적으로, 상기 고상 발포제는 5 ㎛ 내지 200 ㎛의 평균 입경을 갖는 마이크로 벌룬 구조체일 수 있다.
상기 열팽창성 마이크로 캡슐은 열가소성 수지를 포함하는 외피; 및 상기 외피 내부에 봉입된 발포제를 포함할 수 있다. 상기 열가소성 수지는 염화비닐리덴계 공중합체, 아크릴로니트릴계 공중합체, 메타크릴로니트릴계 공중합체 및 아크릴계 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 나아가, 상기 발포제는 탄소수 1 내지 7개의 탄화수소로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 고상 발포제는 상기 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 2.0 중량%의 양으로 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 고상 발포제는 상기 조성물 총 중량을 기준으로 0.5 중량% 내지 1.5 중량%, 또는 0.8 중량% 내지 1.4 중량%의 양으로 사용될 수 있다.
상기 불활성 가스는 우레탄계 예비중합체와 에폭시 경화제 간의 반응에 참여하지 않는 가스라면 종류가 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 불활성 가스는 질소(N) 가스(N2), 이산화탄소 가스(CO2), 아르곤 가스(Ar), 및 헬륨 가스(He)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 불활성 가스는 질소(N) 가스(N2) 또는 이산화탄소 가스(CO2)일 수 있다.
상기 불활성 가스는 상기 조성물 총 부피의 10 % 내지 30 %에 해당하는 부피로 투입될 수 있다. 구체적으로, 상기 불활성 가스는 상기 조성물 총 부피의 15 % 내지 30 %에 해당하는 부피로 투입될 수 있다.
계면활성제
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 조성물에 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 형성되는 기공들의 겹침 및 합침 현상을 방지하는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 상기 계면활성제는 실리콘계 비이온성 계면활성제가 적합하나, 이외에도 연마패드에 요구되는 물성에 따라 다양하게 선택할 수 있다.
상기 실리콘계 비이온성 계면활성제로는 수산기를 갖는 실리콘계 비이온성 계면활성제를 단독으로 사용하거나, 수산기를 갖지 않는 실리콘계 비이온성 계면활성제와 함께 사용할 수 있다.
상기 수산기를 갖는 실리콘계 비이온성 계면활성제는 이소시아네이트 함유 화합물 및 활성수소화합물과의 상용성이 우수하여 폴리우레탄 기술분야에 널리 사용되고 있는 것이라면 특별히 제한하지 않는다. 상기 수산기를 갖는 실리콘계 비이온성 계면활성제의 시판물질은, 예를 들어, 다우 코닝사의 DOW CORNING 193(실리콘 글리콜 공중합체, 액상; 25 ℃에서의 비중: 1.07; 20 ℃에서의 점성: 465 ㎟/s; 인화점: 92 ℃)(이하, DC-193이라 함) 등이 있다.
상기 수산기를 갖지 않는 실리콘계 비이온성 계면활성제의 시판물질은, 예를 들어, 다우 코닝사의 DOW CORNING 190(실리콘 글리콜 공중합체, 가드너 색수: 2; 25 ℃에서의 비중: 1.037; 25 ℃에서의 점성: 2000 ㎟/s; 인화점: 63 ℃ 이상; Inverse solubility Point(1.0 % water solution): 36 ℃)(이하, DC-190이라 함) 등이 있다.
상기 계면활성제는 상기 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 내지 2 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 계면활성제는 상기 조성물 총 중량을 기준으로 0.2 내지 1.8 중량%, 0.2 내지 1.5 중량%, 0.2 내지 1.6 중량%, 0.1 내지 0.5 중량%, 0.2 내지 0.7 중량%, 또는 0.2 내지 1.0 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 계면활성제를 포함할 경우, 기상 발포제 유래 기공이 몰드 내에서 안정하게 형성 및 유지될 수 있다.
기타 첨가 화합물
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 조성물에 상술한 물질 외에, 기타 첨가 화합물을 더 포함할 수 있다. 기타 첨가 화합물은 본 발명의 목적에 악영향을 주지 않는 한, 통상적으로 사용하는 다양한 기타 첨가 화합물을 첨가할 수 있다.
상기 기타 첨가 화합물은 상기 조성물 총 중량을 기준으로 0.2 중량% 내지 4.0 중량%, 0.5 중량% 내지 3.8 중량%, 0.8 중량% 내지 3.5 중량%, 1.0 중량% 내지 3.5 중량%, 0.8 중량% 내지 2.5 중량%, 또는 2.5 중량% 내지 3.5 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
예를 들면, 기타 첨가 화합물로서 반응속도 조절제, 사슬 연장제, 촉매제, 상기 경화제 이외의 추가 경화제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 조성물 총 중량을 기준으로, 상기 디이소시아네이트 화합물의 함량이 30 중량% 내지 34 중량%이고, 상기 고분자형 폴리올의 함량이 38 중량% 내지 42 중량%이며, 상기 단분자형 폴리올의 함량이 4.1 중량% 내지 4.5 중량%일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 조성물 총 중량을 기준으로, 상기 디이소시아네이트 화합물의 함량이 30 중량% 내지 34 중량%이고, 상기 고분자형 폴리올의 함량이 38 중량% 내지 42 중량%이며, 상기 단분자형 폴리올의 함량이 4.1 중량% 내지 4.5 중량%이고, 상기 경화제의 함량이 17.0 중량% 내지 19.3 중량%일 수 있다. 상기 성분들의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 본 발명에서 목적하는 연마층 내 산소(O) 원소, 및 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량을 구현할 수 있다.
[연마패드의 제조방법]
일 구현예에 따른 연마패드의 제조방법은, 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 순차 또는 동시 혼합하여 조성물을 제조하는 단계; 및 상기 조성물을 몰드 내에 주입하여 경화하여 연마층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며, 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O)의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 연마패드의 제조방법에 있어서 각 성분의 함량, 종류, 비율 등에 관한 사항은 상기 연마패드에 관하여 전술한 바와 같다.
또한, 상기 조성물(원료 조성물)을 제조하는 단계는, 우레탄계 예비중합체를 포함하는 제 1 조성물을 준비하는 단계; 경화제를 포함하는 제 2 조성물을 준비하는 단계; 발포제를 포함하는 제 3 조성물을 준비하는 단계; 및 상기 제 1 조성물을 상기 제 2 조성물 및 상기 제 3 조성물과 순차 또는 동시 혼합하여 원료 조성물을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 필요에 따라 상기 조성물에 계면활성제를 더 첨가할 수 있다. 상기 계면활성제의 종류 및 함량은 상술한 바와 같다.
또한, 필요에 따라 상기 조성물 제조시 휘발성 액체를 이용한 액상 발포제 및 불활성 가스 등의 기상 발포제 중에서 선택된 1종 이상의 발포제를 더 혼합할 수 있다.
상기 혼합은, 상기 제 1 조성물을 상기 제 2 조성물과 혼합한 후 상기 제 3 조성물과 더 혼합하거나, 또는 상기 제 1 조성물을 상기 제 3 조성물과 혼합한 후 상기 제 2 조성물과 더 혼합하여 수행될 수 있다.
일례로서, 우레탄계 예비중합체, 경화제, 및 발포제는 실질적으로 거의 동시에 혼합 과정에 투입될 수 있으며, 발포제, 계면활성제, 및 불활성 가스를 더 첨가하는 경우, 이들 또한 실질적으로 거의 동시에 혼합 과정에 투입될 수 있다.
다른 예로서, 우레탄계 예비중합체, 발포제 및 계면활성제는 미리 혼합하고, 이후 경화제를 투입하거나, 경화제, 및 불활성 가스를 함께 투입할 수 있다.
상기 혼합은 1,000 내지 10,000 rpm, 또는 4,000 내지 7,000 rpm의 속도로 수행될 수 있다. 상기 속도 범위일 때, 불활성 가스 및 발포제가 조성물 내에 고르게 분산되는데 보다 유리할 수 있다.
또한, 상기 조성물을 제조하는 단계는, 50 ℃ 내지 150 ℃ 조건에서 수행될 수 있고, 필요에 따라, 진공 탈포 조건 하에서 수행될 수 있다.
상기 조성물을 몰드 내에 주입하여 경화하여 연마층을 형성하는 단계는, 60 ℃ 내지 120 ℃ 온도 조건 및 50 kg/m2 내지 200 kg/m2 압력 조건 하에서 수행될 수 있다.
또한, 상기 제조방법은, 수득된 연마패드의 표면을 절삭하는 공정, 표면에 그루브를 가공하는 공정, 하층부와의 접착 공정, 검사 공정, 포장 공정 등을 더 포함할 수 있다. 이들 공정들은 통상적인 연마패드 제조방법의 방식대로 수행할 수 있다.
[연마패드의 물성]
본 발명의 구현예에 따른 연마패드는 물성 및 연마율을 향상시킬 수 있다.
구체적으로 살펴보면, 상기 연마층의 두께는 0.8 mm 내지 5.0 mm, 1.0 mm 내지 4.0 mm, 1.0 mm 내지 3.0 mm, 1.5 mm 내지 2.5 mm, 1.7 mm 내지 2.3 mm, 또는 2.0 mm 내지 2.1 mm일 수 있다. 상기 범위 내일 때, 기공의 상하 부위별 입경 편차를 최소화하면서도 연마층으로서의 기본적 물성을 충분히 발휘할 수 있다.
상기 연마층의 비중은 0.6 g/㎤ 내지 0.9 g/㎤, 또는 0.7 g/㎤ 내지 0.85 g/㎤일 수 있다.
상기 연마층의 경도는 45 Shore D 내지 80 Shore D, 45 Shore D 내지 70 Shore D, 45 Shore D 내지 60 Shore D, 50 Shore D 내지 60 Shore D, 또는 55 Shore D 내지 60 Shore D일 수 있다.
상기 연마층의 인장강도는 16 N/mm2 내지 25 N/mm2, 18 N/mm2 내지 25 N/mm2, 20 N/mm2 내지 25 N/mm2, 또는 20 N/mm2 내지 24 N/mm2일 수 있다.
상기 연마층의 신율은 95 % 내지 200 %, 98 % 내지 200 %, 100 % 내지 150 %, 또는 100 % 내지 120 %일 수 있다.
상기 연마층의 모듈러스는 50 kgf/cm2 내지 130 kgf/cm2, 50 kgf/cm2 내지 125 kgf/cm2, 55 kgf/cm2 내지 125 kgf/cm2 또는 60 kgf/cm2 내지 120 kgf/cm2일 수 있다.
또한, 상기 연마패드는 미세 기공들을 포함한다.
상기 미세 기공들은 상기 연마층의 0.3 cm2 면적당 100 개 내지 300 개, 150 개 내지 300 개, 또는 100 개 내지 250 개로 포함될 수 있다.
상기 미세 기공들의 수평균 직경은 10 ㎛ 내지 50 ㎛, 20 ㎛ 내지 50 ㎛, 20 ㎛ 내지 40 ㎛, 20 ㎛ 내지 30 ㎛, 또는 30 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다. 구체적인 일례로서, 상기 미세 기공들은 20 ㎛ 내지 25 ㎛의 수평균 직경을 가질 수 있다.
또한 상기 미세 기공들의 총 면적은 상기 연마층의 총 면적을 기준으로 30 % 내지 60 %, 35 % 내지 50 %, 또는 40 % 내지 50 %일 수 있다.
또한 상기 미세 기공들은 상기 연마층의 총 부피를 기준으로 30 부피% 내지 70 부피%, 30 부피% 내지 70 부피%, 또는 40 부피% 내지 60 부피%로 포함될 수 있다.
상기 연마층은 표면에 기계적 연마를 위한 그루브(groove)를 가질 수 있다. 상기 그루브는 기계적 연마를 위한 적절한 깊이, 너비 및 간격을 가질 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
상기 연마패드는 상기 연마층과 적층되는 지지층을 더 포함할 수 있다. 상기 지지층은 상기 연마층을 지지하면서, 상기 연마층에 가해지는 충격을 흡수하고 분산시키는 역할을 한다. 상기 지지층은 부직포 또는 스웨이드를 포함할 수 있고, 0.5 mm 내지 1 mm의 두께 및 60 Asker C 내지 90 Asker C의 경도를 가질 수 있다.
또한, 상기 연마층 및 지지층 사이에는 접착층이 삽입될 수 있다. 상기 접착층은 핫멜트 접착제를 포함할 수 있다. 상기 핫멜트 접착제는 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌-아세트산 비닐 수지, 폴리아미드 수지 및 폴리올레핀 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 핫멜트 접착제는 폴리우레탄 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 연마패드의 연마율(removal rate), 예를 들어 세리아 슬러리를 이용한 옥사이드(O)막 연마율은 3000 Å/분 내지 4000 Å/분, 3200 Å/분 내지 4000 Å/분, 3500 Å/분 내지 4000 Å/분, 또는 3700 Å/분 내지 4000 Å/분일 수 있다. 상기 연마율은 연마패드의 제조 직후(즉 경화 직후)의 초기 연마율일 수 있다.
또한 상기 연마패드의 패드절삭률(pad cut rate)은 15 ㎛/hr 내지 45㎛/hr, 20 ㎛/hr 내지 35 ㎛/hr, 25 ㎛/hr 내지 45 ㎛/hr, 25 ㎛/hr 내지 35 ㎛/hr일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이고, 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%인 경우, 연마 입자, 예를 들어 세리아(CeO2) 입자 및 연마패드의 결합력이 적절하게 되고, 이에 따라 상기 세리아 입자 및 반도체 기판(웨이퍼)의 결합력이 향상되어 연마율을 향상시킬 수 있다.
[반도체 소자의 제조방법]
일 구현예에 따른 반도체 소자의 제조방법은, 상기 일 구현예에 따른 연마패드를 이용하여 반도체 기판의 표면을 연마하는 단계를 포함한다.
즉, 일 구현예에 따른 반도체 소자의 제조방법은, 연마패드를 이용하여 반도체 기판의 표면을 연마하는 단계를 포함하고, 상기 연마패드가 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며, 상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O)의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%일 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조방법은, 연마층을 포함하는 연마패드를 정반에 장착하는 단계; 및 상기 연마층의 연마면과 웨이퍼의 표면을 맞닿도록 서로 상대 회전시켜 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계;를 포함할 수 있다.
도 2는 일 구현예에 따른 반도체 소자 제조 공정의 개략적인 공정도를 도시한 것이다. 도 2를 참조할 때, 상기 일 구현예에 따른 연마패드(210)를 정반(220) 상에 장착한 후, 반도체 기판(230)을 상기 연마패드(210) 상에 배치한다. 이때, 상기 반도체 기판(230)의 표면은 상기 연마패드(210)의 연마면에 직접 접촉된다. 연마를 위해 상기 연마패드 상에 노즐(240)을 통하여 연마 슬러리(250)가 분사될 수 있다. 상기 노즐(240)을 통하여 공급되는 연마 슬러리(250)의 유량은 약 10 ㎤/분 내지 약 1,000 ㎤/분 범위 내에서 목적에 따라 선택될 수 있으며, 예를 들어, 약 50 ㎤/분 내지 약 500 ㎤/분일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이후, 상기 반도체 기판(230)과 상기 연마패드(210)는 서로 상대 회전하여, 상기 반도체 기판(230)의 표면이 연마될 수 있다. 이때, 상기 반도체 기판(230)의 회전 방향 및 상기 연마패드(210)의 회전 방향은 동일한 방향일 수도 있고, 반대 방향일 수도 있다. 상기 반도체 기판(230)과 상기 연마패드(210)의 회전 속도는 약 10 rpm 내지 약 500 rpm 범위에서 목적에 따라 선택될 수 있으며, 예를 들어, 약 30 rpm 내지 약 200 rpm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 반도체 기판(230)은 연마헤드(260)에 장착된 상태로 상기 연마패드(210)의 연마면에 소정의 하중으로 가압되어 맞닿게 한 뒤 그 표면이 연마될 수 있다. 상기 연마헤드(260)에 의하여 상기 반도체 기판(230)의 표면에 상기 연마패드(210)의 연마면에 가해지는 하중은 약 1 gf/㎠ 내지 약 1,000 gf/㎠ 범위에서 목적에 따라 선택될 수 있으며, 예를 들어, 약 10 gf/㎠ 내지 약 800 gf/㎠일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
일 구현예에서, 상기 반도체 소자의 제조 방법은, 상기 연마패드(210)의 연마면을 연마에 적합한 상태로 유지시키기 위하여, 상기 반도체 기판(230)의 연마와 동시에 컨디셔너(270)를 통해 상기 연마패드(210)의 연마면을 가공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 일 구현예에 따른 연마패드는, 상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량, 및 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량, 나아가 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소의 총 함량을 제어함으로써, 연마율을 향상시킬 수 있으므로, 상기 연마패드를 이용하여 우수한 품질의 반도체 소자를 효율적으로 제조할 수 있다.
[실시예]
이하 실시예를 통해 보다 구체적으로 설명하나, 이들 실시예의 범위로 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1
(1) 우레탄계 예비중합체의 제조
디이소시아네이트 화합물, 및 고분자형 폴리올로서 폴리테트라메틸렌 글리콜(polytetramethylene glycol; PTMG) 및 단분자형 폴리올로서 디에틸렌글리콜(DEG)을 4구 플라스크에 투입하여 80 ℃에서 2시간 반응시켜 우레탄계 예비중합체를 제조하였다. 상기 디이소시아네이트 화합물 및 폴리올의 함량은 표 1과 같다.
(2) 연마패드의 제조
우레탄계 예비중합체, 경화제, 및 발포제 등의 원료를 각각 공급하기 위한 탱크 및 투입 라인이 구비된 캐스팅 장치를 준비하였다. 앞서 제조된 우레탄계 예비중합체, 경화제로서 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린)(MOCA, Ishihara사) 및 고상 발포제(Akzonobel사)를 각각의 탱크에 충진하였다. 각각의 투입 라인을 통해 원료를 믹싱헤드에 일정한 속도로 투입하면서 교반하였다. 이때 예비중합체와 경화제는 1 : 1의 당량비로 투입되었다.
교반된 원료를 몰드(1,000 mm x 1,000 mm x 3 mm)에 토출하되 10 kg/분의 토출 속도로 주입한 후 약 120 ℃에서 캐스팅(casting)하여 성형체를 얻었다. 이후 상기 성형체의 상단 및 하단을 각각 0.5 mm 두께만큼씩 절삭하여 두께 2 mm의 연마층을 얻었다.
이후 연마층에 대해 표면 밀링 및 그루브 형성 공정을 거치고, 핫멜트 접착제에 의해 지지층과 적층하여, 연마패드를 얻었다.
실시예 2 내지 4
하기 표 1에 나타낸 바와 같이, 각 성분의 사용량을 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 연마패드를 얻었다.
비교예 1 내지 3
하기 표 1에 나타낸 바와 같이, 각 성분의 사용량을 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 연마패드를 얻었다.
연마층의 구체적인 공정 조건, 및 각각의 성분 함량을 하기 표 1에 정리하였다. 각 성분의 중량%는 연마패드 제조용 조성물 총 중량(100 중량%)를 기준으로 산출한 것이다.
시험예 1 : 연마층 낸 원소 함량 측정
상기 실시예 및 비교예에서 얻은 연마패드의 연마층 내 각 원소 함량을 원소 분석기인 모델명 Flash2000(Thermo Fisher Scientific, Germany)를 사용하여, 각 원소의 함량, 및 이들의 총 함량을 확인하였다. 상기 원소 함량은 연마패드의 상부패드(top pad)를 측정한 것이다.
그 결과를 하기 표 2에 정리하였다. 하기 표 2의 중량% 값은 연마층 총 중량을 기준으로 한 중량% 값이다.
상기 표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 4에서 제조된 연마패드는 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 15 중량% 내지 19 중량% 범위 내였고, 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 20 중량% 내지 27 중량% 범위 내임을 확인하였다.
이에 반해, 비교예 1에서 제조된 연마패드는 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 19 중량 범위를 초과하였고, 비교예 2에서 제조된 연마패드는 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 15 중량 범위 미만이었으며, 비교예 3에서 제조된 연마패드는 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 20 중량% 미만임을 확인하였다.
실험예 2 : 연마패드의 물성
실시예 및 비교예에서 제조된 연마패드의 물성과 관련하여, 아래의 항목에 대해 시험하여, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
(1) 비중
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 연마패드를 4 cm Х 8.5 cm의 직사각형(두께: 2 mm)으로 자른 후 온도 23±2 ℃, 습도 50±5 %의 환경에서 16 시간 정치하였다. HPE ?D비중계를 사용하여 연마패드의 비중을 측정하였다.
(2) 기공 특성
실시예 및 비교예의 연마패드의 단면을 주사전자현미경(SEM)으로 관찰하였다.
또한, SEM 이미지를 바탕으로 기공의 특성을 산출하여 하기 표 3에 정리하였다.
- 수평균 직경 : SEM 이미지 상의 기공 직경의 합을 기공 갯수로 나눈 평균
- 기공 개수 : SEM 이미지 상의 0.3 cm3 당 존재하는 기공의 개수
- 기공 면적율 : SEM 이미지의 전체 면적 대비 기공만의 면적의 백분율
상기 표 3에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 4에서 제조된 연마패드는 기공의 수평균 직경이 20 내지 26 ㎛ 내외임을 확인하였고, 기공 면적률은 41 % 내지 45 % 내외임을 확인하였다.
(3) 연마율(removal rate)
연마패드 제조 직후의 초기 연마율을 아래와 같이 측정하였다.
직경 300 mm의 실리콘 반도체 기판에 산화규소를 화학기상증착(CVD) 공정에 의해서 증착하였다. CMP 장비에 연마패드를 부착하고, 실리콘 반도체 기판의 산화규소 층이 연마패드의 연마면을 향하도록 설치하였다. 이후, 연마 하중이 4.0 psi가 되도록 조정하고 150 rpm으로 연마패드를 회전시키면서 연마패드 상에 하소 세리아 슬러리를 250 ㎖/분의 속도로 투입하면서 정반을 150 rpm으로 60 초간 회전시켜 산화규소막을 연마하였다. 연마 후 실리콘 웨이퍼를 캐리어로부터 떼어내어, 회전식 탈수기(spin dryer)에 장착하여 정제수(DIW)로 세정한 후, 질소(N)로 15 초 동안 건조하였다. 건조된 실리콘 웨이퍼를 광간섭식 두께 측정 장치(제조사: Kyence 사, 모델명: SI-F80R)를 사용하여 연마 전후 막 두께 변화를 측정하였다. 이후 하기 식 1을 사용하여 연마율을 계산하였다.
[식 1]
연마율(Å/분) = 실리콘 웨이퍼의 연마 두께(Å)) / 연마 시간(분)
상기 표 4, 및 도 1에서 보듯이, 실시예 1 내지 4의 연마패드는 연마층 내 산소(O) 원소의 함량, 및 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 본 발명의 범위내에 있는 경우, 옥사이드에 대한 연마율이 약 3628 Å/분 및 3910 Å/분이었고, 스크래치 개수도 1 개 내지 3 개로 비교예 1 내지 3에 비해 현저히 감소함을 확인하였다.
반면, 비교예 1의 연마패드의 경우 옥사이드에 대한 연마율이 약 2809 Å/분으로, 실시예 1 내지 4의 연마패드에 20% 이상 현저히 감소함을 확인하였다. 이는 산소(O) 원소의 함량이 연마패드 총 중량을 기준으로 19.2 중량%로, 지나치게 많기 때문에, 연마시 사용되는 연마 입자인 세리아(CeO2) 입자와 연마패드의 결합력이 지나치게 증가하여, 세리아(CeO2) 입자와 웨이퍼의 결합력을 오히려 감소시켰기 때문에 연마율에 악영향을 준 것으로 생각된다.
또한, 비교예 2 및 3의 연마패드의 경우 연마율이 4108 Å/분 이상으로 지나치게 증가함을 보였으며, 스크래치 개수도 15 개 이상으로 실시예 1 내지 4에 비해 현저히 증가함을 보였다. 이는 산소(O) 원소의 함량 또는 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 본 발명의 범위에서 벗어나므로 연마율 및 스크래치에 악영향을 준 것으로 생각된다.
210 : 연마패드 220 : 정반
230 : 반도체 기판 240 : 노즐
250 : 연마 슬러리 260 : 연마헤드
270 : 컨디셔너
230 : 반도체 기판 240 : 노즐
250 : 연마 슬러리 260 : 연마헤드
270 : 컨디셔너
Claims (18)
- 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 연마층을 포함하고,
상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며,
상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O) 원소의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%이고,
상기 연마층은 다수개의 미세기공을 포함하는, 연마패드.
- 제 1 항에 있어서,
상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 16 중량% 내지 18.9 중량%인, 연마패드.
- 제 1 항에 있어서,
상기 연마층 내 탄소(C), 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 92 중량% 내지 96 중량%인, 연마패드.
- 제 3 항에 있어서,
상기 연마층 내 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소의 총 함량이 상기 탄소(C), 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소의 총 함량을 기준으로 30 중량% 내지 35 중량%인, 연마패드.
- 제 4 항에 있어서,
상기 탄소(C), 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 원소를 제외한 기타 원소의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 4 중량% 내지 8 중량%인, 연마패드.
- 제 1 항에 있어서,
상기 우레탄계 예비중합체가 1종 이상의 디이소시아네이트 화합물 및 2종 이상의 폴리올의 예비중합 반응생성물을 포함하는, 연마패드.
- 제 6 항에 있어서,
상기 연마층 내 산소(O) 원소가 상기 디이소시아네이트 화합물 및 폴리올로부터 유래된 것이고,
상기 폴리올 유래의 산소(O) 원소 및 상기 디이소시아네이트 화합물 유래의 산소(O) 원소의 몰비가 1 : 0.1 내지 0.5인, 연마패드.
- 제 6 항에 있어서,
상기 2종 이상의 폴리올이 1종 이상의 단분자형 폴리올 및 1종 이상의 고분자형 폴리올이고,
상기 연마패드가 상기 디이소시아네이트 화합물 및 상기 폴리올의 혼합 중량비 1 : 1.35 내지 1.55;
상기 단분자형 폴리올 및 상기 고분자형 폴리올의 혼합 중량비 1 : 8 내지 10;
상기 디이소시아네이트 화합물 및 상기 고분자형 폴리올의 혼합 중량비 1 : 1.2 내지 1.43; 및
상기 디이소시아네이트 화합물 및 상기 단분자형 폴리올의 혼합 중량비 1 : 0.11 내지 0.15;의 혼합 중량비 중에서 적어도 하나를 만족하는, 연마패드.
- 제 6 항에 있어서,
상기 디이소시아네이트 화합물의 함량이 상기 조성물 총 중량을 기준으로 29.9 중량% 내지 35 중량%인, 연마패드.
- 제 8 항에 있어서,
상기 고분자형 폴리올의 함량이 상기 조성물 총 중량을 기준으로 35 중량% 내지 42.8 중량%인, 연마패드.
- 제 8 항에 있어서,
상기 단분자형 폴리올의 함량이 상기 조성물 총 중량을 기준으로 4.0 중량% 내지 4.5 중량%인, 연마패드.
- 제 1 항에 있어서,
상기 경화제의 함량이 상기 조성물 총 중량을 기준으로 16.0 중량% 내지 20 중량%인, 연마패드.
- 제 8 항에 있어서,
상기 고분자형 폴리올이 폴리테트라메틸렌 글리콜(polytetramethylene glycol; PTMG), 폴리테트라메틸렌 에테르글리콜(polytetramethylene etherglycol; PTMEG), 폴리에테르 폴리올(polyether polyol), 폴리에스테르 폴리올(polyester polyol), 폴리카보네이트 폴리올(polycarbonate polyol) 및 폴리카프로락톤 폴리올(polycarprolactone polyol)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 연마패드.
- 제 8 항에 있어서,
상기 단분자형 폴리올이 에틸렌글리콜(EG), 디에틸렌글리콜(DEG), 프로필렌글리콜(PG), 프로판디올(PDO) 및 메틸프로판디올(MP-diol)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 연마패드.
- 제 1 항에 있어서,
상기 경화제가 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린)(4,4'-methylenebis(2-chloroaniline); MOCA), 디에틸톨루엔디아민(diethyltoluenediamine; DETDA), 디아미노디페닐메탄(diaminodiphenylmethane), 디아미노디페닐설폰(diaminodiphenylsulfone), m-자일릴렌디아민(m-xylylenediamine), 이소포론디아민(isophoronediamine), 에틸렌디아민(ethylenediamine), 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine), 트리에틸렌테트라아민(triethylenetetramine), 폴리프로필렌디아민(polypropylenediamine), 폴리프로필렌트리아민(polypropylenetriamine) 및 비스(4-아미노-3-클로로페닐)메탄(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 연마패드.
- 제 1 항에 있어서,
상기 연마패드가 옥사이드에 대해 3000 Å/분 내지 4000 Å/분의 연마율(removal rate)을 갖는, 연마패드.
- 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 순차 또는 동시 혼합하여 조성물을 제조하는 단계; 및
상기 조성물을 몰드 내에 주입하여 경화하여 연마층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며,
상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O)의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%이고,
상기 연마층은 다수개의 미세기공을 포함하는, 연마패드의 제조방법.
- 연마패드를 이용하여 반도체 기판의 표면을 연마하는 단계를 포함하고,
상기 연마패드가 우레탄계 예비중합체, 경화제 및 발포제를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 연마층을 포함하고,
상기 연마층 내 산소(O) 원소의 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 15 중량% 내지 19 중량%이며,
상기 연마층 내 질소(N) 및 산소(O)의 총 함량이 상기 연마층 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 27 중량%이고,
상기 연마층은 다수개의 미세기공을 포함하는, 반도체 소자의 제조방법.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190136301A KR102287923B1 (ko) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
TW109128823A TWI761921B (zh) | 2019-10-30 | 2020-08-24 | 研磨墊、製造該研磨墊之方法及使用該研磨墊以製造半導體裝置之方法 |
US17/002,427 US11400559B2 (en) | 2019-10-30 | 2020-08-25 | Polishing pad, process for preparing the same, and process for preparing a semiconductor device using the same |
SG10202008331TA SG10202008331TA (en) | 2019-10-30 | 2020-08-28 | Polishing pad, process for preparing the same, and process for preparing a semiconductor device using the same |
JP2020147669A JP7186203B2 (ja) | 2019-10-30 | 2020-09-02 | 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
CN202011179547.4A CN112743450B (zh) | 2019-10-30 | 2020-10-29 | 抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190136301A KR102287923B1 (ko) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210051264A KR20210051264A (ko) | 2021-05-10 |
KR102287923B1 true KR102287923B1 (ko) | 2021-08-09 |
Family
ID=75917498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190136301A KR102287923B1 (ko) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102287923B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2019-10-30 KR KR1020190136301A patent/KR102287923B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
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