KR102277819B1 - 반도체 공정 부품, 상기 반도체 공정 부품을 코팅하는 장치 및 방법 - Google Patents
반도체 공정 부품, 상기 반도체 공정 부품을 코팅하는 장치 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 공정 부품, 상기 반도체 공정 부품을 코팅하는 장치 및 방법이 제공된다. 반도체 공정 부품 코팅 장치는 반도체 공정 부품의 코팅 공정을 위한 공간을 제공하는 코팅 공정 챔버와, 상기 코팅 공정 챔버에 구비되어 상기 반도체 공정 부품을 지지하는 부품 지지부, 및 상기 반도체 공정 부품으로 파우더 형태의 이트리아(Y2O3) 및 플루오르(F) 함유 가스를 분사하고, 상기 플루오르 함유 가스를 플라즈마로 여기시켜 상기 반도체 공정 부품의 표면에 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층 또는 불화이트륨(YF3) 코팅층을 형성하는 분사부를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 공정 부품, 상기 반도체 공정 부품을 코팅하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 세정 등 다양한 공정이 실시된다. 여기서, 사진공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정을 포함한다. 기판 상에 감광액을 도포하고(즉, 도포 공정), 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하며(즉, 노광 공정), 기판의 노광처리된 영역을 선택적으로 현상한다(즉, 현상 공정).
일반적으로 반도체 제조공정에서 웨이퍼 또는 기판에 박막을 증착하기 위한 기상화학증착(CVD) 장치에서는 고품질의 박막을 낮은 온도에서 증착하기 위하여 플라즈마를 이용하여 반응가스를 활성화시켜 웨이퍼나 기판에 박막을 증착하도록 하고 있다.
플라즈마에 의한 손상을 방지하기 위하여 공정 챔버를 포함한 반도체 공정 부품의 표면에는 코팅막이 형성될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 공정 부품, 상기 반도체 공정 부품을 코팅하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정 부품 코팅 장치의 일 면(aspect)은, 반도체 공정 부품의 코팅을 위한 코팅 처리 공간을 제공하는 코팅 공정 챔버와, 상기 코팅 공정 챔버에 구비되어 상기 반도체 공정 부품을 지지하는 부품 지지부, 및 상기 반도체 공정 부품으로 파우더 형태의 이트리아(Y2O3) 및 플루오르(F) 함유 가스를 분사하고, 상기 플루오르 함유 가스를 플라즈마로 여기시켜 상기 반도체 공정 부품의 표면에 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층 또는 불화이트륨(YF3) 코팅층을 형성하는 분사부를 포함한다.
상기 반도체 공정 부품 코팅 장치는 상기 이트륨옥시불소 코팅층의 성분 비율이 사전에 설정된 Y:O:F의 비율을 갖도록 하기 위하여 플루오르의 농도를 조절하는 제어 모듈을 더 포함한다.
상기 반도체 공정 부품은, 기판의 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와, 상기 처리 공간의 하부에 배치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부, 및 상기 처리 공간의 내부에 배치되어 상기 기판에 대한 공정에 이용할 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정 부품 코팅 방법의 일 면은, 반도체 공정 부품으로 파우더 형태의 이트리아(Y2O3)가 분사되는 단계와, 상기 분사된 이트리아로 플루오르(F) 함유 가스가 분사되는 단계와, 상기 플루오르 함유 가스가 플라즈마로 여기되는 단계, 및 상기 분사된 이트리아가 상기 플라즈마에 의해 가열되어 상기 반도체 공정 부품의 표면에 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층 또는 불화이트륨(YF3) 코팅층이 형성되는 단계를 포함한다.
상기 반도체 공정 부품 코팅 방법은 상기 이트륨옥시불소 코팅층의 성분 비율이 사전에 설정된 Y:O:F의 비율을 갖도록 하기 위하여 플루오르의 농도가 조절되는 단계를 더 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정 부품의 일 면은, 반도체 공정에 이용되는 부품 몸체, 및 상기 부품 몸체의 표면에 도포된 코팅층을 포함하되, 상기 코팅층은 파우더 형태의 이트리아(Y2O3)에 플라즈마로 여기된 플루오르 함유 가스가 반응하여 형성된 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층 또는 불화이트륨(YF3) 코팅층을 포함한다.
상기 이트륨옥시불소 코팅층의 성분 비율은 플루오르의 농도가 조절되어 설정된 Y:O:F의 비율을 갖는다.
상기 부품 몸체는, 기판의 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와, 상기 처리 공간의 하부에 배치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부, 및 상기 처리 공간의 내부에 배치되어 상기 기판에 대한 공정에 이용할 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부 중 적어도 하나를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부품을 코팅하는 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부품을 코팅하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 도 2의 단계 중 이트리아 파우더가 분사되는 것을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2의 단계 중 플루오르 함유 가스가 분사되는 것을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 2의 단계 중 반도체 공정 부품의 표면에 코팅층이 형성되는 것을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부품을 코팅하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 도 2의 단계 중 이트리아 파우더가 분사되는 것을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2의 단계 중 플루오르 함유 가스가 분사되는 것을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 2의 단계 중 반도체 공정 부품의 표면에 코팅층이 형성되는 것을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부품을 코팅하는 장치를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 반도체 공정 부품을 코팅하는 장치(이하, 반도체 공정 부품 코팅 장치라 한다)는 코팅 공정 챔버(100), 부품 지지부(200), 분사부(300), 재료 공급부(410, 420) 및 제어 모듈(미도시)를 포함하여 구성된다.
코팅 공정 챔버(100)는 반도체 공정 부품(C)의 코팅을 위한 코팅 처리 공간(101)을 제공한다. 코팅 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배출구(120)가 구비될 수 있다. 배출구(120)는 배출 라인(121)에 연결된다. 반도체 공정 부품(C)에 대한 코팅 처리 중 발생된 부산물 및 가스는 배출구(120) 및 배출 라인(121)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
부품 지지부(200)는 반도체 공정 부품(C)을 지지하는 역할을 수행한다. 부품 지지부(200)는 코팅 처리 공간(101)의 하부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 부품 지지부(200)는 코팅 공정 챔버(100)의 바닥면에 안착되어 배치될 수 있다.
분사부(300)는 반도체 공정 부품(C)으로 코팅 재료를 분사하는 역할을 수행한다. 본 발명에서 코팅 재료는 파우더 형태의 이트리아(Y2O3) 및 플루오르(F) 함유 가스를 포함한다. 본 발명에서 플루오르 함유 가스는 플루오르가 함유된 가스를 나타낸다. 따라서, 플루오르 함유 가스에는 플루오르 이외의 다른 성분이 포함될 수 있다. 이트리아(Y2O3)는 파우더의 형태로 분사되고, 플루오르 함유 가스는 분사된 이후에 플라즈마로 여기될 수 있다. 이하, 파우더 형태의 이트리아를 이트리아 파우더라 한다.
분사부(300)는 예를 들어 용량 결합 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 방식, 유도 결합 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 방식 또는 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma) 방식으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 도 1은 유도 결합 플라즈마 방식으로 플라즈마를 발생시키는 샤워헤드가 분사부(300)의 역할을 수행하는 것으로 도시하고 있는데, 이하 이를 위주로 설명하기로 한다.
분사부(300)는 코팅 처리 공간(101)의 상부에 배치될 수 있다. 이에, 분사부(300)에서 분사된 코팅 재료는 하측 방향으로 분사될 수 있다.
이트리아 파우더 및 플루오르 함유 가스는 재료 유입구(110)를 통하여 코팅 처리 공간(101)으로 유입될 수 있다. 재료 유입구(110)에는 제1 유입 라인(111) 및 제2 유입 라인(112)이 연결될 수 있다. 이트리아 파우더는 제1 유입 라인(111)을 통해 이동하여 코팅 처리 공간(101)으로 유입되고, 플루오르 함유 가스는 제2 유입 라인(112)을 통해 이동하여 코팅 처리 공간(101)으로 유입될 수 있다.
이트리아 파우더와 플루오르 함유 가스가 상호간에 반응하여 반도체 공정 부품(C)에 증착될 수 있다. 플루오르 함유 가스는 플라즈마로 여기된 이후에 이트리아 파우더와 반응할 수 있다. 이트리아 파우더는 플라즈마에 의해 가열되어 반도체 공정 부품(C)에 코팅층을 형성할 수 있다. 코팅층은 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층 또는 불화이트륨(YF3) 코팅층일 수 있다.
본 발명에서 반도체 공정 부품(C)은 웨이퍼와 같은 기판의 처리 공간을 제공하는 공정 챔버(미도시), 처리 공간의 하부에 배치되어 기판을 지지하는 기판 지지부(미도시), 및 처리 공간의 내부에 배치되어 기판에 대한 공정에 이용할 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 공정 챔버에서 플라즈마를 이용한 공정이 수행되면서 반도체 공정 부품(C)에 플라즈마가 침투할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마는 수소 플라즈마일 수 있다.
반도체 공정 부품(C)에 플라즈마가 침투한 경우 반도체 공정 부품(C)에 결함이 발생될 수 있다. 이에, 본 발명의 실시예예 따른 반도체 공정 부품(C)의 표면에는 플라즈마의 침투를 방지하기 위한 코팅층이 형성될 수 있다. 코팅층이 형성됨에 따라 플라즈마에 의한 반도체 공정 부품(C)의 손상이 방지될 수 있다.
분사부(300)는 전극 플레이트(310), 분사 플레이트(320) 및 환형 유전 플레이트(330)를 포함하여 구성된다. 전극 플레이트(310)는 RF 전력을 입력 받을 수 있다. RF 전력은 전력 공급부(500)에 의하여 제공될 수 있다. 전극 플레이트(310)는 일측 넓은 면이 코팅 공정 챔버(100)의 내부 상측면에 밀착하도록 배치될 수 있다.
분사 플레이트(320)는 전극 플레이트(310)의 하측에 배치되어 이트리아 파우더 및 플루오르 함유 가스를 분사하는 역할을 수행한다. 이를 위하여, 분사 플레이트(320)는 이트리아 파우더 및 플루오르 함유 가스를 분사하는 분사홀(SH)을 구비할 수 있다. 이트리아 파우더 및 플루오르 함유 가스는 분사홀(SH)을 관통하여 코팅 처리 공간(101)으로 유입될 수 있다.
환형 유전 플레이트(330)는 전극 플레이트(310)와 분사 플레이트(320)를 전기적으로 분리하는 역할을 수행한다. 이를 위하여, 환형 유전 플레이트(330)는 유전 재질로 구성되어 전극 플레이트(310)와 분사 플레이트(320)의 사이에 구비될 수 있다. 환형 유전 플레이트(330)는 전극 플레이트(310) 및 분사 플레이트(320)의 사이의 가장자리에 환형으로 배치될 수 있다. 또한, 전극 플레이트(310)와 분사 플레이트(320)는 가장자리를 제외한 나머지 부분은 일정 거리만큼 이격될 수 있다. 이에, 전극 플레이트(310)와 분사 플레이트(320)의 사이에 일정 공간이 형성될 수 있다. 이하, 전극 플레이트(310)와 분사 플레이트(320)의 사이에 형성된 공간을 재료 확산 공간(102)이라 한다.
재료 확산 공간(102)은 분사홀(SH)에 연통될 수 있다. 재료 확산 공간(102)으로 유입된 코팅 재료는 확산된 이후에 분사홀(SH)을 통해 분사될 수 있다. 이에, 코팅 처리 공간(101) 전역에 코팅 재료가 분사될 수 있게 된다.
플루오르 함유 가스가 분사된 이후에 전극 플레이트(310)로 RF 전력이 입력될 수 있다. RF 전력이 입력됨에 따라 플루오르 함유 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.
히터(600)는 분사 플레이트(320)를 가열하는 역할을 수행한다. 분사 플레이트(320)로 주입된 코팅 재료는 가열된 이후에 분사홀(SH)을 통해 분사될 수 있다. 코팅 재료가 가열됨에 따라 이트리아 파우더와 플라즈마 간의 반응이 보다 활발하게 수행될 수 있다.
재료 공급부(410, 420)는 코팅 재료를 공급하는 역할을 수행한다. 재료 공급부(410, 420)는 제1 재료 공급부(410) 및 제2 재료 공급부(420)를 포함할 수 있다. 제1 재료 공급부(410)는 이트리아 파우더(411)를 공급하고, 제2 재료 공급부(420)는 플루오르 함유 가스(421)를 공급할 수 있다. 이를 위하여, 제1 재료 공급부(410)는 이트리아 파우더(411)를 수용하고, 제2 재료 공급부(420)는 플루오르 함유 가스(421)를 수용할 수 있다.
제1 재료 공급부(410)와 재료 유입구(110)를 연결하는 제1 유입 라인(111)에는 제1 밸브(V1)가 구비되고, 이와 마찬가지로 제2 재료 공급부(420)와 재료 유입구(110)를 연결하는 제2 유입 라인(112)에는 제1 밸브(V2)가 구비될 수 있다.
반도체 공정 부품(C)에 대한 코팅 처리가 수행되는 경우 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)가 제1 유입 라인(111) 및 제2 유입 라인(112)을 개방하여 이트리아 파우더(411) 및 플루오르 함유 가스(421)가 코팅 공정 챔버(100)의 코팅 처리 공간(101)으로 주입될 수 있다. 또한, 반도체 공정 부품(C)에 대한 코팅 처리가 완료된 경우 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)가 제1 유입 라인(111) 및 제2 유입 라인(112)을 폐쇄하여 코팅 공정 챔버(100)의 내부로 이트리아 파우더(411) 및 플루오르 함유 가스(421)가 주입되는 것이 차단될 수 있다.
제어 모듈은 분사부(300) 및 밸브(V1, V2)를 제어하는 역할을 수행한다. 제어 모듈의 제어에 의하여 분사부(300)는 코팅 재료를 분사할 수 있으며, 밸브(V1, V2)는 유입 라인(111, 112)을 통한 코팅 재료의 이동을 허용하거나 차단할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 제어 모듈은 이트륨옥시불소 코팅층의 성분 비율이 사전에 설정된 Y:O:F의 비율을 갖도록 하기 위하여 플루오르의 농도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈은 이트륨(Y) 및 산소(O)에 대비한 플루오르(F)의 비율을 상승시키기 위하여 이트리아 파우더(411)의 양에 대한 플루오르 함유 가스(421)의 양를 상승시키고, 이트륨(Y) 및 산소(O)에 대비한 플루오르(F)의 비율을 감소시키기 위하여 이트리아 파우더(411)의 양에 대한 플루오르 함유 가스(421)의 양를 감소시킬 수 있다. 이트리아 파우더(411)의 양 및 플루오르 함유 가스(421)의 양 조절은 밸브(V1, V2)를 제어함으로써 수행될 수 있다.
Y:O:F의 비율이 조절됨에 따라 다양한 성능의 코팅층이 형성될 수 있게 된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부품을 코팅하는 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 3은 도 2의 단계 중 이트리아 파우더가 분사되는 것을 나타낸 도면이고, 도 4는 도 2의 단계 중 플루오르 함유 가스가 분사되는 것을 나타낸 도면이며, 도 5는 도 2의 단계 중 반도체 공정 부품의 표면에 코팅층이 형성되는 것을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 반도체 공정 부품을 코팅하는 방법은 파우더 형태의 이트리아(Y2O3)가 분사되는 단계(S810), 플루오르 함유 가스(421)가 분사되는 단계(S820), 플루오르 함유 가스(421)가 플라즈마로 여기되는 단계(S830) 및 반도체 공정 부품(C)의 표면에 코팅층(CT)이 형성되는 단계(S840)를 포함한다.
도 3을 참조하면, 반도체 공정 부품(C)으로 이트리아 파우더(411)가 분사될 수 있다(S810).
분사부(300)는 제1 재료 공급부(410)로부터 공급된 이트리아 파우더(411)를 코팅 처리 공간(101)으로 분사할 수 있다. 분사 플레이트(320)에 형성된 복수의 분사홀(SH)을 통해 분사된 이트리아 파우더(411)는 반도체 공정 부품(C)의 상부면 전역에 걸쳐 분포될 수 있다.
도 4를 참조하면, 이트리아 파우더(411)로 플루오르 함유 가스(421)가 분사될 수 있다(S820).
플루오르 함유 가스(421)가 분사된 이후에 분사부(300)로 RF 전력이 입력되어 플루오르 함유 가스(421)는 플라즈마로 여기될 수 있다(S830). 이트리아 파우더(411)는 분사된 플라즈마에 의해 가열될 수 있다.
도 5를 참조하면, 반도체 공정 부품(C)의 표면에 코팅층(CT)이 형성될 수 있다(S840).
이트리아 파우더(411)는 플라즈마에 의해 가열됨에 따라 반도체 공정 부품(C)의 표면에 코팅층(CT)을 형성할 수 있다. 코팅층(CT)은 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층 또는 불화이트륨(YF3) 코팅층일 수 있다.
코팅층(CT)이 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층인 경우 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층의 성분 비율이 사전에 설정된 Y:O:F의 비율을 갖도록 하기 위하여 플루오르의 농도가 조절될 수 있다.
반도체 공정 부품(C)은 그 몸체에 코팅층(CT)이 형성될 수 있는 것으로서, 반도체 공정 부품(C)의 몸체는 예를 들어, 전술한 공정 챔버, 기판 지지부 및 플라즈마 발생부 중 적어도 하나를 포함한다. 코팅층(CT)에 의하여 플라즈마에 의한 몸체의 식각이 방지될 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 반도체 공정 부품 코팅 장치 100: 코팅 공정 챔버
200: 부품 지지부 300: 분사부
410, 420: 재료 공급부
200: 부품 지지부 300: 분사부
410, 420: 재료 공급부
Claims (8)
- 반도체 공정부품 코팅장치로서,
반도체 공정 부품의 코팅을 위한 코팅 처리 공간을 제공하는 코팅 공정챔버;
상기 코팅 공정 챔버에 구비되어 상기 반도체 공정 부품을 지지하는 부품 지지부;
상기 반도체 공정 부품으로 파우더 형태의 이트리아(Y2O3) 및 플루오르(F) 함유 가스를 분사하고, 상기 플루오르 함유 가스를 플라즈마로 여기시켜 상기 반도체 공정 부품의 표면에 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층 또는 불화이트륨(YF3) 코팅층을 형성하는 분사부를 포함하되,
상기 분사부는,
RF 전력을 입력 받는 전극 플레이트와, 상기 전극 플레이트의 하측에 배치되어 이트리아 파우더 및 플루오르 함유 가스를 분사하는 분사 플레이트와, 상기 전극 플레이트와 상기 분사 플레이트를 전기적으로 분리하는 유전 플레이트를 포함하며,
상기 반도체 공정부품 코팅장치는,
상기 분사 플레이트를 가열하는 히터와,
상기 이트륨옥시불소 코팅층의 성분 비율이 사전에 설정된 Y:O:F의 비율을 갖도록 하기 위하여 플루오르의 농도를 조절하는 제어 모듈과,
기판의 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와,
상기 처리 공간의 하부에 배치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와,
상기 처리 공간의 내부에 배치되어 상기 기판에 대한 공정에 이용할 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부를 더 포함하며,
상기 히터는 상기 분사 플레이트를 가열하는 역할을 수행하여, 상기 분사 플레이트로 주입된 코팅 재료는 가열된 이후에 분사홀을 통해 분사되도록 하는 것인, 반도체 공정부품 코팅장치. - 반도체 공정부품 코팅장치의 분사부가 반도체 공정 부품으로 파우더 형태의 이트리아 및 플루오르 함유 가스를 분사하는 단계; 및
상기 분사부가 상기 플루오르 함유 가스를 플라즈마로 여기시켜 상기 반도체 공정 부품의 표면에 이트륨옥시불소(YOF) 코팅층 또는 불화이트륨(YF3) 코팅층이 형성되도록 하는 단계를 포함하되,
상기 분사부는,
RF 전력을 입력 받는 전극 플레이트와, 상기 전극 플레이트의 하측에 배치되어 이트리아 파우더 및 플루오르 함유 가스를 분사하는 분사 플레이트와, 상기 전극 플레이트와 상기 분사 플레이트를 전기적으로 분리하는 유전 플레이트를 포함하며,
상기 반도체 공정부품 코팅장치는,
상기 분사 플레이트를 가열하는 히터와,
상기 이트륨옥시불소 코팅층의 성분 비율이 사전에 설정된 Y:O:F의 비율을갖도록 하기 위하여 플루오르의 농도를 조절하는 제어 모듈과,
기판의 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와,
상기 처리 공간의 하부에 배치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와,
상기 처리 공간의 내부에 배치되어 상기 기판에 대한 공정에 이용할 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부를 포함하며,
상기 히터는 상기 분사 플레이트를 가열하는 역할을 수행하여, 상기 분사 플레이트로 주입된 코팅 재료는 가열된 이후에 분사홀을 통해 분사되도록 하는 것인, 반도체 공정부품 코팅방법. - 삭제
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|---|---|---|---|---|
| KR102517083B1 (ko) | 2022-11-03 | 2023-04-03 | 주식회사 디에프텍 | 반도체 Etch 공정장비의 경시성 개선을 위한 코팅 표면 처리 방법 |
| KR102600456B1 (ko) | 2023-06-14 | 2023-11-10 | 주식회사 코닉스 | 반도체 식각공정용 이트리아 알루미나 세라믹 접합형 윈도우 및 상기 반도체 식각공정용 이트리아 알루미나 세라믹 접합형 윈도우의 제조 장치 |
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