KR102273842B1 - 온도 보상이 가능한 lc 오실레이터 - Google Patents

온도 보상이 가능한 lc 오실레이터 Download PDF

Info

Publication number
KR102273842B1
KR102273842B1 KR1020190051422A KR20190051422A KR102273842B1 KR 102273842 B1 KR102273842 B1 KR 102273842B1 KR 1020190051422 A KR1020190051422 A KR 1020190051422A KR 20190051422 A KR20190051422 A KR 20190051422A KR 102273842 B1 KR102273842 B1 KR 102273842B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
positive
negative
node
varactor
differential voltage
Prior art date
Application number
KR1020190051422A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200127390A (ko
Inventor
이상훈
Original Assignee
주식회사 웨이브피아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 웨이브피아 filed Critical 주식회사 웨이브피아
Priority to KR1020190051422A priority Critical patent/KR102273842B1/ko
Priority to US16/860,661 priority patent/US11309833B2/en
Publication of KR20200127390A publication Critical patent/KR20200127390A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102273842B1 publication Critical patent/KR102273842B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02Details
    • H03B5/04Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H03B5/1215Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1262Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements
    • H03B5/1265Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements switched capacitors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/20Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
    • H03B5/24Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

본 발명은 포지티브 노드로 포지티브 차동 전압을 제공하고, 네거티브 노드로 네거티브 차동 전압을 제공하는 차동 전압 제공부와, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 포지티브 노드로 상기 포지티브 차동 전압을 전달받아 포지티브 발진 주파수 신호를 출력하고, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 네거티브 노드로 상기 네거티브 차동 전압을 전달받아 네거티브 발진 주파수 신호를 출력하는 차동 발진 주파수 신호 출력부로 구성되는 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터에 있어서, 상기 차동 발진 주파수 신호 출력부가, 상기 포지티브 노드와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되는 인덕터, 상기 포지티브 노드에 연결되는 포지티브 기본 커패시터, 상기 포지티브 기본 커패시터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되는 네거티브 기본 커패시터, 상기 포지티브 노드에 연결되고 제 1 제어 전압에 의해서 가변되는 제 1 포지티브 버랙터 및 상기 제 1 포지티브 버랙터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되고 상기 제 1 제어 전압에 의해서 가변되는 제 1 네거티브 버랙터를 포함하는 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터가 제공된다.

Description

온도 보상이 가능한 LC 오실레이터{Temperature compensated LC oscillator}
본 발명은 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 별도의 크리스탈 오실레이터를 포함하지 아니하여 실리콘 기판에 집적될 수 있으며 온도 변화에 민감하지 않은 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터에 관한 것이다.
LC 오실레이터는 인덕터와 커패시터를 구비하여 입력 신호의 전압에 기초하여 출력 신호의 주파수를 제어할 수 있는 회로이며, 위상 고정 루프(Phase Locked Loop; PLL)와 같은 다양한 집적 회로에 채용될 수 있다.
위상 고정 루프는 무선 통신 시스템 및 다양한 제품에 적용되고 있으며, 상술한 위상 고정 루프에는 외부의 쿼츠 크리스탈에 의해서 구동되는 크리스탈 오실레이터를 포함하고 있어, 실리콘 기판에 집적하기가 매우 어려웠다.
본 발명의 배경기술은 2006년 2월 7일자에 공개되어 있는 대한민국 공개특허공보 10-2006-0012239에 게시되어 있다.
따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 별도의 크리스탈 오실레이터를 포함하지 아니하여 실리콘 기판에 집적될 수 있으며 온도 변화에 민감하지 않은 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는 포지티브 노드로 포지티브 차동 전압을 제공하고, 네거티브 노드로 네거티브 차동 전압을 제공하는 차동 전압 제공부와, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 포지티브 노드로 상기 포지티브 차동 전압을 전달받아 포지티브 발진 주파수 신호를 출력하고, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 네거티브 노드로 상기 네거티브 차동 전압을 전달받아 네거티브 발진 주파수 신호를 출력하는 차동 발진 주파수 신호 출력부로 구성되는 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터에 있어서, 상기 차동 발진 주파수 신호 출력부가, 상기 포지티브 노드와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되는 인덕터, 상기 포지티브 노드에 연결되는 포지티브 기본 커패시터, 상기 포지티브 기본 커패시터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되는 네거티브 기본 커패시터, 상기 포지티브 노드에 연결되고 제 1 제어 전압에 의해서 가변되는 제 1 포지티브 버랙터 및 상기 제 1 포지티브 버랙터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되고 상기 제 1 제어 전압에 의해서 가변되는 제 1 네거티브 버랙터를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는, 상기 제 1 제어 전압이 기준 온도에 비해서 온도가 증가되는 경우에 증가시키는 것이 바람직하다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는 포지티브 노드로 포지티브 차동 전압을 제공하고, 네거티브 노드로 네거티브 차동 전압을 제공하는 차동 전압 제공부와, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 포지티브 노드로 상기 포지티브 차동 전압을 전달받아 포지티브 발진 주파수 신호를 출력하고, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 네거티브 노드로 상기 네거티브 차동 전압을 전달받아 네거티브 발진 주파수 신호를 출력하는 차동 발진 주파수 신호 출력부로 구성되는 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터에 있어서, 상기 차동 발진 주파수 신호 출력부가, 상기 포지티브 노드와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되는 인덕터, 상기 포지티브 노드에 연결되는 포지티브 기본 커패시터, 상기 포지티브 기본 커패시터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되는 네거티브 기본 커패시터, 상기 포지티브 노드에 연결되고 제 1 제어 전압에 의해서 가변되는 제 1 포지티브 버랙터, 상기 제 1 포지티브 버랙터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되고 상기 제 1 제어 전압에 의해서 가변되는 제 1 네거티브 버랙터, 상기 포지티브 노드에 연결되고 제 2 제어 전압에 의해서 가변되는 제 2 포지티브 버랙터 및 상기 제 2 포지티브 버랙터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되고 상기 제 2 제어 전압에 의해서 가변되는 제 2 네거티브 버랙터를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는, 상기 제 2 포지티브 버랙터의 가변 범위가 상기 제 1 포지티브 버랙터의 가변 범위보다 적은 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는, 상기 제 2 네거티브 버랙터의 가변 범위가 상기 제 1 네거티브 버랙터의 가변 범위보다 적은 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는, 상기 제 1 제어 전압이 기준 온도에 비해서 온도가 증가되는 경우에 증가시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는, 상기 제 2 제어 전압이 기준 온도에 비해서 온도가 증가되는 경우에 증가시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예들에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터들은 별도의 크리스탈 오실레이터를 포함하지 아니하여 실리콘 기판에 집적될 수 있으며, 온도가 증가되는 경우에 제어 전압을 증가시킴으로써, 온도 변화에 민감하지 않다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터들의 차동 전압 제공부의 회로도.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터들의 차동 발진 주파수 신호 출력부의 회로도.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다.
본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
또한, 후술하는 상세한 설명에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로써, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 이하에서, "포함하다" 등의 용어는 게시되어 있는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 기술하려는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 이하에서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 후술하는 상세한 설명에서 명확하게 다른 것으로 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터에 대해서 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는 포지티브 노드(VCOP)로 포지티브 차동 전압을 제공하고, 네거티브 노드(VCON)로 네거티브 차동 전압을 제공하는 차동 전압 제공부와, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 포지티브 노드(VCOP)로 상기 포지티브 차동 전압을 전달받아 포지티브 발진 주파수 신호를 출력하고, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 네거티브 노드(VCON)로 상기 네거티브 차동 전압을 전달받아 네거티브 발진 주파수 신호를 출력하는 차동 발진 주파수 신호 출력부로 구성된다.
구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터의 차동 전압 제공부는 도 1에 도시된 것처럼, 상보 전압 인에이블 신호(ENBgm)에 의해서 활성화되어 전원 전압(VDD)을 전달하는 피모스트랜지스터(MPB0)와, 피모스트랜지스터(MPB0)와 포지티브 노드(VCOP) 및 네거티브 노드(VCON) 사이에 드레인과 게이트가 서로 교차 연결(cross-coupled)되어 있는 피모스트랜지스터들(MP01, MP02)과, 전압 인에이블 신호(ENgm)에 의해서 활성화되어 접지와 연결되는 엔모스트랜지스터(MNB0)와 엔모스트랜지스터(MNB0)와 포지티브 노드(VCOP) 및 네거티브 노드(VCON) 사이에 드레인과 게이트가 서로 교차 연결(cross-coupled)되어 있는 엔모스트랜지스터들(MN01, MN02)을 포함한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터의 차동 발진 주파수 신호 출력부는 도 2에 도시된 것처럼, 출력 인에이블 신호(ENcoarse)에 의해서 활성화되는 엔모스트랜지스터들(MN11, MN12), 상기 포지티브 노드(VCOP)와 상기 네거티브 노드(VCON) 사이에 연결되는 인덕터(L), 상기 포지티브 노드(VCOP)에 연결되는 포지티브 기본 커패시터(CcoarseP), 상기 포지티브 기본 커패시터(CcoarseP)와 상기 네거티브 노드(VCON) 사이에 연결되는 네거티브 기본 커패시터(CcoarseN), 상기 포지티브 노드(VCOP)에 연결되고 제 1 제어 전압(Vfine)에 의해서 가변되는 제 1 포지티브 버랙터(CfineP) 및 상기 제 1 포지티브 버랙터(CfineP)와 상기 네거티브 노드(VCON) 사이에 연결되고 상기 제 1 제어 전압(Vfine)에 의해서 가변되는 제 1 네거티브 버랙터(CfineN)를 포함한다.
여기에서, 상기 제 1 제어 전압(Vfine)은 기준 온도에 비해서 온도가 증가되는 경우에 증가시키며, 예를 들면, 기준 온도가 25℃이고, 온도 상수가 -1.64mV/℃이며, 증가되는 온도가 10℃인 경우에, 상기 제 1 제어 전압(Vfine)을 16.4mV 증가시킨다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터는 포지티브 노드(VCOP)로 포지티브 차동 전압을 제공하고, 네거티브 노드(VCON)로 네거티브 차동 전압을 제공하는 차동 전압 제공부와, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 포지티브 노드(VCOP)로 상기 포지티브 차동 전압을 전달받아 포지티브 발진 주파수 신호를 출력하고, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 네거티브 노드(VCON)로 상기 네거티브 차동 전압을 전달받아 네거티브 발진 주파수 신호를 출력하는 차동 발진 주파수 신호 출력부로 구성된다.
구체적으로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터의 차동 전압 제공부는 도 1에 도시된 것처럼, 상보 전압 인에이블 신호(ENBgm)에 의해서 활성화되어 전원 전압(VDD)을 전달하는 피모스트랜지스터(MPB0)와, 피모스트랜지스터(MPB0)와 포지티브 노드(VCOP) 및 네거티브 노드(VCON) 사이에 드레인과 게이트가 서로 교차 연결(cross-coupled)되어 있는 피모스트랜지스터들(MP01, MP02)과, 전압 인에이블 신호(ENgm)에 의해서 활성화되어 접지와 연결되는 엔모스트랜지스터(MNB0)와 엔모스트랜지스터(MNB0)와 포지티브 노드(VCOP) 및 네거티브 노드(VCON) 사이에 드레인과 게이트가 서로 교차 연결(cross-coupled)되어 있는 엔모스트랜지스터들(MN01, MN02)을 포함한다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터의 차동 발진 주파수 신호 출력부는 도 2에 도시된 것처럼, 출력 인에이블 신호(ENcoarse)에 의해서 활성화되는 엔모스트랜지스터들(MN11, MN12), 상기 포지티브 노드(VCOP)와 상기 네거티브 노드(VCON) 사이에 연결되는 인덕터(L), 상기 포지티브 노드(VCOP)에 연결되는 포지티브 기본 커패시터(CcoarseP), 상기 포지티브 기본 커패시터(CcoarseP)와 상기 네거티브 노드(VCON) 사이에 연결되는 네거티브 기본 커패시터(CcoarseN), 상기 포지티브 노드(VCOP)에 연결되고 제 1 제어 전압(Vfine)에 의해서 가변되는 제 1 포지티브 버랙터(CfineP), 상기 제 1 포지티브 버랙터(CfineP)와 상기 네거티브 노드(VCON) 사이에 연결되고 상기 제 1 제어 전압(Vfine)에 의해서 가변되는 제 1 네거티브 버랙터(CfineN), 상기 포지티브 노드(VCOP)에 연결되고 제 2 제어 전압(Vtracking)에 의해서 가변되는 제 2 포지티브 버랙터(CtrackingP) 및 상기 제 2 포지티브 버랙터(CtrackingP)와 상기 네거티브 노드(VCON) 사이에 연결되고 상기 제 2 제어 전압(Vtracking)에 의해서 가변되는 제 2 네거티브 버랙터(CtrackingN)를 포함한다.
여기에서, 상기 제 2 포지티브 버랙터(CtrackingP)의 가변 범위는 상기 제 1 포지티브 버랙터(CfineP)의 가변 범위보다 적으며, 상기 제 2 네거티브 버랙터(CtrackingN)의 가변 범위는 상기 제 1 네거티브 버랙터(CfineN)의 가변 범위보다 적다.
예를 들면, 포지티브 기본 커패시터(CcoarseP)와 네거티브 기본 커패시터(CcoarseN)가 20fF이며, 제 1 포지티브 버랙터(CfineP)의 가변 범위와 제 1 네거티브 버랙터(CfineN)의 가변 범위가 각각 100fF인 경우에, 제 2 포지티브 버랙터(CtrackingP)의 가변 범위와 제 2 네거티브 버랙터(CtrackingN)의 가변 범위를 각각 5fF ~ 20fF으로 설정할 수 있다.
한편, 상기 제 1 제어 전압(Vfine)은 기준 온도에 비해서 온도가 증가되는 경우에 증가시키며, 상기 제 1 제어 전압(Vfine)은 기준 온도에 비해서 온도가 증가되는 경우에 증가시킨다.
예를 들면, 기준 온도가 25℃이고, 온도 상수가 -1.64mV/℃이며, 증가되는 온도가 10℃인 경우에, 상기 제 1 제어 전압(Vfine) 및 상기 제 2 제어 전압(Vtracking)을 각각 16.4mV 증가시킨다.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 포지티브 노드로 포지티브 차동 전압을 제공하고, 네거티브 노드로 네거티브 차동 전압을 제공하는 차동 전압 제공부와, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 포지티브 노드로 상기 포지티브 차동 전압을 전달받아 포지티브 발진 주파수 신호를 출력하고, 상기 차동 전압 제공부에 의해서 상기 네거티브 노드로 상기 네거티브 차동 전압을 전달받아 네거티브 발진 주파수 신호를 출력하는 차동 발진 주파수 신호 출력부로 구성되는 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터에 있어서,
    상기 차동 발진 주파수 신호 출력부는,
    상기 포지티브 노드와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되는 인덕터;
    상기 포지티브 노드에 연결되는 포지티브 기본 커패시터;
    상기 포지티브 기본 커패시터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되는 네거티브 기본 커패시터;
    상기 포지티브 노드에 연결되고 제 1 제어 전압에 의해서 가변되는 제 1 포지티브 버랙터;
    상기 제 1 포지티브 버랙터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되고 상기 제 1 제어 전압에 의해서 가변되는 제 1 네거티브 버랙터;
    상기 포지티브 노드에 연결되고 제 2 제어 전압에 의해서 가변되는 제 2 포지티브 버랙터; 및
    상기 제 2 포지티브 버랙터와 상기 네거티브 노드 사이에 연결되고 상기 제 2 제어 전압에 의해서 가변되는 제 2 네거티브 버랙터를 포함하며,
    상기 제 2 포지티브 버랙터의 가변 범위는 상기 제 1 포지티브 버랙터의 가변 범위보다 적고,
    상기 제 2 네거티브 버랙터의 가변 범위는 상기 제 1 네거티브 버랙터의 가변 범위보다 적은 것을 특징으로 하는 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 제 1 제어 전압은 기준 온도에 비해서 온도가 증가되는 경우에 증가시키는 것을 특징으로 하는 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 제 2 제어 전압은 기준 온도에 비해서 온도가 증가되는 경우에 증가시키는 것을 특징으로 하는 온도 보상이 가능한 LC 오실레이터.
KR1020190051422A 2019-05-02 2019-05-02 온도 보상이 가능한 lc 오실레이터 KR102273842B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190051422A KR102273842B1 (ko) 2019-05-02 2019-05-02 온도 보상이 가능한 lc 오실레이터
US16/860,661 US11309833B2 (en) 2019-05-02 2020-04-28 LC oscillator capable of temperature compensation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190051422A KR102273842B1 (ko) 2019-05-02 2019-05-02 온도 보상이 가능한 lc 오실레이터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200127390A KR20200127390A (ko) 2020-11-11
KR102273842B1 true KR102273842B1 (ko) 2021-07-06

Family

ID=73016796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190051422A KR102273842B1 (ko) 2019-05-02 2019-05-02 온도 보상이 가능한 lc 오실레이터

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11309833B2 (ko)
KR (1) KR102273842B1 (ko)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8089324B2 (en) * 2006-08-05 2012-01-03 Min Ming Tarng Varactor-free amplitude controlled oscillator(ACO) for system on chip and system on card Xtaless clock SOC
US7511589B2 (en) * 2006-08-05 2009-03-31 Tang System DFY of XtalClkChip: design for yield of trimming-free crystal-free precision reference clock osillator IC chip
US6225871B1 (en) * 2000-02-07 2001-05-01 Prominenet Communications, Inc. Voltage controlled CMOS oscillator
US6876266B2 (en) 2002-06-10 2005-04-05 Gct Semiconductor, Inc. LC oscillator with wide tuning range and low phase noise
US7307486B2 (en) * 2004-03-22 2007-12-11 Mobius Microsystems, Inc. Low-latency start-up for a monolithic clock generator and timing/frequency reference
US8022780B2 (en) * 2008-04-22 2011-09-20 Qualcomm Incorporated Auxiliary varactor for temperature compensation
CN101488750B (zh) * 2009-02-20 2013-01-30 华为技术有限公司 振荡频率的补偿方法和装置及锁相环电路
JP2010239527A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Panasonic Corp 電圧制御発振器、並びにそれを用いたpll回路、fll回路、及び無線通信機器
US8093957B1 (en) * 2009-09-16 2012-01-10 Integrated Device Technology, Inc. Method and apparatus for frequency compensation for multi-band VCO
US8803616B2 (en) * 2011-03-03 2014-08-12 Qualcomm Incorporated Temperature compensation and coarse tune bank switches in a low phase noise VCO
JP5839927B2 (ja) * 2011-10-13 2016-01-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ディジタル制御発振装置および高周波信号処理装置
US20130169373A1 (en) * 2011-12-30 2013-07-04 Tensorcom, Inc. Method and Apparatus of Capacitively Coupling an Adjustable Capacitive Circuit in a VCO
US8717115B2 (en) * 2012-01-13 2014-05-06 Xilinx, Inc. Resonator circuit and method of generating a resonating output signal
US10566930B2 (en) * 2017-04-27 2020-02-18 Silicon Laboratories Inc. Dynamically controlling a negative impedance of a voltage controlled oscillator

Also Published As

Publication number Publication date
US11309833B2 (en) 2022-04-19
US20200350860A1 (en) 2020-11-05
KR20200127390A (ko) 2020-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6859112B2 (en) CMOS voltage controlled oscillator circuit for operation with low supply voltage and method for same
US20200177193A1 (en) Voltage controlled oscillator based on complementary current-injection field-effect transistor devices
US6469585B1 (en) Low phase noise ring-type voltage controlled oscillator
US7205813B2 (en) Differential type delay cells and methods of operating the same
JP5876368B2 (ja) 改良された帯域幅を備える電圧制御発振器を有する位相同期ループ回路
US7268635B2 (en) Circuits for voltage-controlled ring oscillators and method of generating a periodic signal
US7710211B2 (en) Injection-locked frequency divider with a wide injection-locked frequency range
US20140104007A1 (en) Method and Apparatus of a Resonant Oscillator Separately Driving Two Independent Functions
US20070298747A1 (en) Dual path loop filter for phase lock loop
US8093928B2 (en) Signal source devices
US10483911B2 (en) MOS transistor-based RF switch topologies for high speed capacitive tuning of oscillators
US8120429B1 (en) Voltage-controlled oscillator methods and apparatus
KR101208616B1 (ko) 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기
Yasmin et al. Mos capacitance based 3-stage current starved ring vco for wireless applications
US20230291393A1 (en) Low-temperature coefficient ring oscillator, chip, and communication terminal
US10778145B2 (en) Magnetically pumped voltage controlled oscillator
KR102273842B1 (ko) 온도 보상이 가능한 lc 오실레이터
US10826431B2 (en) Differential voltage-controlled (VCO) oscillator
Demartinos et al. Delay elements suitable for CMOS ring oscillators
CN108352810B (zh) 电压控制振荡电路以及pll电路
US8975977B2 (en) Low noise and low power voltage controlled oscillators
US10432141B2 (en) Multimode voltage controlled oscillator
US20130141178A1 (en) Injection Locked Divider with Injection Point Located at a Tapped Inductor
KR20140117938A (ko) 링형 전압 제어 발진기
US20110043294A1 (en) DeMOS DCO

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant