KR102261954B1 - Phosphor film, light emitting device package and lighting apparatus including the same - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 123
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 37
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 9
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 9
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims 2
- 229940068984 polyvinyl alcohol Drugs 0.000 claims 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 claims 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 33
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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Abstract
실시예의 형광체 필름과 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치는 형광체층; 및 형광체층을 감싸고 배치되는 보호층; 을 포함하며, 형광체층은 베이스 수지와 베이스 수지에 분산된 플루오르 계열의 적색 형광체 입자를 포함하여, 개선된 광 특성을 구현하면서도 고온, 고습 등의 조건에서 광 특성의 저하를 방지할 수 있어 높은 신뢰성을 가질 수 있다.The phosphor film of the embodiment and the light emitting device package and lighting device including the same include a phosphor layer; and a protective layer disposed to surround the phosphor layer. The phosphor layer includes a base resin and fluorine-based red phosphor particles dispersed in the base resin, so that it is possible to prevent deterioration of optical properties under conditions such as high temperature and high humidity while implementing improved optical properties. can have
Description
실시예는 형광체 입자를 포함하여 형성되는 형광체 필름과 이를 포함하는 발광 소자 패키지와 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a phosphor film formed including phosphor particles, a light emitting device package including the same, and a lighting device.
반도체의 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드 (Light Emitting Diode)나 레이저다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색광도 구현이 가능하며 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group III-V or group II-VI compound semiconductor materials of semiconductors are developed in various colors such as red, green, blue, and ultraviolet light through thin film growth technology and development of device materials. By using fluorescent materials or combining colors, efficient white light can be realized, and compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness have
백색광을 구현하는 방법에 있어서는 단일 칩 형태의 방법으로 청색이나 자외선(UV: Ultra Violet) 발광 다이오드 칩 위에 형광물질을 결합하는 것과 멀티 칩 형태로 제조하여 이를 서로 조합하여 백색광을 얻는 방법으로 나누어진다.In the method of realizing white light, it is divided into a method of combining a fluorescent material on a blue or ultraviolet (UV: Ultra Violet) light emitting diode chip as a single chip method, and a method of obtaining white light by manufacturing it in a multi-chip form and combining them with each other.
멀티 칩 형태의 경우 대표적으로 RGB(Red, Green, Blue)의 3 종류의 칩을 조합하여 제작하는 방법이 있으며, 이는 각각의 칩마다 동작전압의 불균일하거나, 주변 환경에 의한 각각의 칩의 출력의 차이로 인하여 색 좌표가 달라지는 문제점을 가진다.In the case of the multi-chip type, there is a method of manufacturing by combining three types of chips, typically RGB (Red, Green, Blue), which means that the operating voltage of each chip is non-uniform, or the output of each chip is affected by the surrounding environment. There is a problem in that color coordinates change due to the difference.
또한, 단일칩으로 백색광을 구현하는 경우에 있어서, 청색 LED로부터 발광하는 빛과 이를 이용해서 적어도 하나의 형광체들을 여기 시켜 백색광을 얻는 방법이 사용되고 있다.In addition, in the case of realizing white light with a single chip, a method of obtaining white light by excitation of light emitted from a blue LED and at least one phosphor using the light is used.
이러한 형광체 조성물을 이용한 백색광의 구현에 있어서, 휘도와 연색지수(Color Rendering Index:CRI)를 개선하는 시도가 계속되고 있으며, 특히 고품질의 광 특성을 얻기 위하여 새로운 형광체의 개발이 지속적으로 이루어지고 있다. 또한, 광 특성이 우수한 신규 형광체 개발에 있어서 온도나 습도 또는 빛에 대한 신뢰성을 확보하는 것이 요구된다.In the implementation of white light using such a phosphor composition, attempts to improve luminance and Color Rendering Index (CRI) continue, and in particular, development of new phosphors to obtain high-quality optical properties is continuously being made. In addition, in the development of a new phosphor having excellent optical properties, it is required to secure reliability with respect to temperature, humidity, or light.
실시예는 플루오르계 적색 형광체를 필름 형태로 제조하여 광 특성을 유지하면서도 신뢰성이 개선된 형광체 필름과 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 구현하고자 한다.The embodiment intends to implement a phosphor film with improved reliability while maintaining optical properties by manufacturing a fluorine-based red phosphor in the form of a film, and a light emitting device package and a lighting device including the same.
실시예는 형광체층; 및 상기 형광체층을 감싸고 배치되는 보호층; 을 포함하며, 상기 형광체층은 베이스 수지와 상기 베이스 수지에 분산된 플루오르 계열의 적색 형광체 입자를 포함하는 형광체 필름을 제공한다.Examples include a phosphor layer; and a protective layer disposed to surround the phosphor layer. Including, wherein the phosphor layer provides a phosphor film including a base resin and fluorine-based red phosphor particles dispersed in the base resin.
상기 적색 형광체 입자의 발광 중심 파장은 620nm 내지 640nm일 수 있다.The emission center wavelength of the red phosphor particles may be 620 nm to 640 nm.
상기 적색 형광체 입자는 화학식 K2MF6:Mn4 +(여기서, M은 Si, Ge, Ti 중 적어도 하나이다)로 표시될 수 있다.The red phosphor particles may be represented by the formula K 2 MF 6 :Mn 4 + (where M is at least one of Si, Ge, and Ti).
상기 형광체층과 상기 보호층 사이에 프라이머층을 더 포함할 수 있다.A primer layer may be further included between the phosphor layer and the protective layer.
상기 보호층은 SiO2, TiO2, Al2O3, MgO 및 In2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The protective layer may include at least one of SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, and In 2 O 3 .
상기 프라이머층은 투명 수지층일 수 있으며, 상기 프라이머층은 PVP층일 수 있다.The primer layer may be a transparent resin layer, and the primer layer may be a PVP layer.
다른 실시예는 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 캐비티의 바닥면에 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자를 둘러싸고 상기 캐비티 내에 배치되는 몰딩부; 상기 패키지 몸체 상에 고정되고 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 제1 리드 프레임과 제2 리드프레임; 및 상기 몰딩부 상에 배치되는 상술한 실시예의 형광체 필름을 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.Another embodiment includes a package body having a cavity; a light emitting device disposed on a bottom surface of the cavity; a molding part surrounding the light emitting device and disposed in the cavity; a first lead frame and a second lead frame fixed on the package body and electrically connected to the light emitting device; And it provides a light emitting device package including the phosphor film of the above-described embodiment disposed on the molding part.
상기 몰딩부는 상기 발광 소자에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 녹색 파장 영역의 광을 방출하는 녹색 형광체를 포함할 수 있다.The molding part may include a green phosphor that is excited by the light emitted from the light emitting device and emits light in a green wavelength region.
상기 녹색 형광체는 루악(LuAG:Ce3 +) 계열 또는 β-사이알론(SiAlON:Eu2 +) 계열 중 적어도 하나일 수 있다.The green phosphor may be at least one of a LuAG (LuAG:Ce 3 + ) series or a β-sialon (SiAlON:Eu 2 + ) series.
상기 몰딩부는 SiO2, TiO2, MgO, BaO 및 폴리스타일렌 입자 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.The molding part may further include at least one of SiO 2 , TiO 2 , MgO, BaO, and polystyrene particles.
상기 캐비티의 바닥면과 상기 발광 소자 상에 배치되는 차단층을 더 포함할 수 있다.It may further include a blocking layer disposed on the bottom surface of the cavity and the light emitting device.
상기 차단층은 SiO2, TiO2, MgO, BaO 및 폴리스타일렌 입자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The blocking layer may include at least one of SiO 2 , TiO 2 , MgO, BaO, and polystyrene particles.
상기 발광 소자는 청색 또는 자외선 파장 영역의 광을 방출할 수 있다.The light emitting device may emit light in a blue or ultraviolet wavelength region.
또 다른 실시예는 상술한 실시예의 발광 소자 패키지를 광원으로 포함하는 조명 장치를 제공한다.Another embodiment provides a lighting device including the light emitting device package of the above-described embodiment as a light source.
실시예에 따른 형광체 필름과 이를 포함하는 발광 소자 패키지의 경우 플루오르계 적색 형광체가 필름 형상으로 형성되어 개선된 광 특성을 구현하면서도 고온, 고습 등의 조건에서 높은 신뢰성을 가질 수 있다.In the case of the phosphor film according to the embodiment and the light emitting device package including the same, the fluorine-based red phosphor is formed in a film shape to realize improved optical properties and can have high reliability under conditions such as high temperature and high humidity.
도 1은 일 실시예의 형광체 필름의 단면도이고,
도 2는 발광 소자 패키지의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 3은 발광 소자의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 4 내지 도 5는 발광 소자 패키지의 일 실시예들을 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of a phosphor film according to an embodiment;
2 is a view showing an embodiment of a light emitting device package,
3 is a view showing an embodiment of a light emitting device,
4 to 5 are views illustrating embodiments of a light emitting device package.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention that can specifically realize the above objects will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed in "on or under" of each element, above (above) or below (on) or under) includes both elements in which two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are disposed between the two elements indirectly. In addition, when expressed as “up (up) or down (on or under)”, it may include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element.
또한, 이하에서 이용되는 “제1” 및 “제2”, “상/상부/위” 및 “하/하부/아래” 등과 같은 관계적 용어들은 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.Also, as used hereinafter, relational terms such as “first” and “second”, “upper/upper/above” and “lower/lower/below” refer to any physical or logical relationship or order between such entities or elements. may be used only to distinguish one entity or element from another, without necessarily requiring or implying that
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.
도 1은 일 실시예의 형광체 필름에 대한 단면도를 나타낸 것이다.1 is a cross-sectional view showing a phosphor film according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 일 실시예의 형광체 필름은 형광체층(101) 및 형광체층(101)을 감싸고 배치되는 보호층(105)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the phosphor film according to an exemplary embodiment may include a
이때, 형광체층(101)은 매트릭스(matrix) 물질인 베이스 수지(101a)와 베이스 수지에 분산된 플루오르(Fluoro) 계열의 적색 형광체 입자(101b)를 포함할 수 있다.In this case, the
베이스 수지(101a)는 형광체 입자를 포함하여 필름 형상으로 가공을 용이하게 하도록 하기 위하여 고분자 수지로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 베이스 수지(101a)는 실리콘 수지, PMMA(Poly(methylmethacrylate)) 수지 또는 PS(Poly styrene) 수지를 포함하여 이루어질 수 있다.The
또한, 베이스 수지(101a)는 형광체 입자가 분산되어 고정될 수 있도록 하는 지지부의 역할을 할 수 있다. In addition, the
형광체층(101)에 포함된 형광체 입자(101b)는 플루오르 계열의 적색 형광체 입자일 수 있다.The
적색 형광체 입자는 화학식 K2MF6:Mn4 + 로 표시될 수 있다. 여기서, M은 Si(Silicone), Ge(Germanium) 및 Ti(Titanium) 중 적어도 하나일 수 있다.The red phosphor particles may be represented by Formula K 2 MF 6 :Mn 4 + . Here, M may be at least one of Si (Silicone), Ge (Germanium), and Ti (Titanium).
실시예에 포함되는 플루오르계 적색 형광체 입자는 청색 또는 자외선 광에 의하여 여기 되어 발광할 수 있다. The fluorine-based red phosphor particles included in the embodiment may be excited by blue or ultraviolet light to emit light.
예를 들어, 플루오르계 적색 형광체 입자는 400nm 내지 500nm의 파장 영역에서 여기될 수 있다.For example, the fluorine-based red phosphor particles may be excited in a wavelength range of 400 nm to 500 nm.
플루오르계 적색 형광체 입자의 발광 중심 파장은 620nm 내지 640nm일 수 있다.The emission center wavelength of the fluorine-based red phosphor particles may be 620 nm to 640 nm.
플루오르계 적색 형광체는 종래의 나이트라이드(Nitride) 계열의 적색 형광체에 비하여 장 파장 영역(Long-wavelength range)에서 발광 중심 파장을 가지며, 좁은 반치폭(Full Width at Half Maximum)을 가지고 있어 높은 색 재현율을 가질 수 있다. The fluorine-based red phosphor has a luminescence center wavelength in the long-wavelength range, and has a narrow Full Width at Half Maximum, compared to the conventional nitride-based red phosphor, so that it has high color reproducibility. can have
또한, 양호한 색 특성으로 인하여, 종래의 나이트라이드 계열의 적색 형광체를 사용하는 경우에 비하여 작은 양의 적색 형광체를 사용할 수 있어 발광 소자에 의하여 여기 되어 방출된 빛의 광도가 개선되는 효과를 가질 수 있다.In addition, due to good color characteristics, a small amount of red phosphor can be used compared to the case of using a conventional nitride-based red phosphor, so that the luminous intensity of light emitted by being excited by the light emitting device can be improved. .
도 1을 참조하면, 보호층(105)은 형광체층(101)을 감싸고, 형광체층(101)의 외곽에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the
보호층(105)은 외부의 열과 습기 또는 빛으로부터 형광체층(101)을 보호하는 것일 수 있다.The
즉, 일 실시예의 형광체 필름(100)에서는 형광체층(101)을 감싸고 보호층(105)을 배치함으로써, 고온, 고습 등의 신뢰성 조건과 연속적인 빛에 노출되는 경우에도 높은 광 특성을 유지하는 효과를 가질 수 있다.That is, in the
또한, 상술한 바와 같이 형광체층(101)에 플루오르계 적색 형광체가 포함될 경우 형광체층 외부에서 침투할 수 있는 수분이나 빛을 보호층(105)이 차단하여, 플루오르계 적색 형광체가 고온 고습 조건이나 빛에 장시간 노출된 경우에도 높은 색재현율과 광 특성을 나타내는 효과를 가질 수 있다.In addition, as described above, when the fluorine-based red phosphor is included in the
보호층(105)은 SiO2, TiO2, Al2O3, MgO 또는 In2O3 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The
보호층(105)은 형광체층(101)의 상부면과 바닥면뿐 아니라 측면까지 감싸도록 배치되어 형광체층(101)으로 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다.The
보호층(105)은 SiO2, TiO2, Al2O3, MgO 또는 In2O3 중 적어도 하나를 포함한 액상 물질을 형광체층(101) 상에 코팅(Coating)하고 이를 경화하여 제조될 수 있다.The
이때, SiO2, TiO2, Al2O3, MgO 또는 In2O3 등은 충진 입자일 수 있고, 이러한 충진 입자는 고분자 수지 등에 분산된 상태에서 코팅될 수 있다.In this case, SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , MgO or In 2 O 3 may be the filler particles, and these filler particles may be coated in a dispersed state in a polymer resin or the like.
예를 들어, 고분자 수지는 아크릴 수지 또는 실리콘 수지 등일 수 있으며, 충진 입자는 SiO2 일 수 있다.For example, the polymer resin may be an acrylic resin or a silicone resin, and the filler particles are SiO 2 can be
한편, 보호층(105)과 형광체층(101)은 하나의 공정에서 필름 형상으로 사출 성형되어 형광체 필름(100)을 형성할 수 있다. 또한, 형광체층(101)을 제조한 후 제조된 형광체층을 보호층을 형성하는 재료에 디핑(dipping)하여 막층을 형성하는 방법이 사용될 수도 있다.Meanwhile, the
형광체층(101)과 보호층(105) 사이에는 프라이머층(103)이 더 포함될 수 있다.A
프라이머층(103)은 보호층(105)이 형광체층(101)에 잘 고정될 수 있도록 하는 연결층의 역할을 할 수 있다.The
프라이머층(103)은 형광체층(101)과 보호층(105) 사이에서 균일한 두께로 층을 이루어 형성될 수 있다.The
또한, 프라이머층(103)은 형광체층(101)의 광 특성에 영향을 미치지 않도록 투명 수지층으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 프라이머층(103)은 PVP(Poly Vinyl Pyrrolidone) 또는 PVA(Poly Vinyl Alcohol)을 포함한 층일 수 있다.In addition, the
PVP 또는 PVA를 포함한 프라이머층은 형광체층(101)과 보호층(105) 사이의 접착력을 높이는 것일 수 있다.The primer layer including PVP or PVA may increase adhesion between the
프라이머층(103)은 보호층(105) 배치 전에 형광체층(101) 상에 형성될 수 있으며, 상술한 보호층(105)의 제조 방법과 유사하게 코팅 공정, 필름 사출 공정 또는 디핑 공정에 의하여 형성될 수 있다.The
일 실시예의 형광체 필름에서, 형광체층(101)은 10㎛ 내지 500㎛ 두께로 형성될 수 있다. 이때, 보호층(105)과 프라이머층(103)은 형광체층(101) 보다 얇은 두께로 형성될 수 있으며, 예를 들어 프라이머층의 두께는 1㎛ 내지 100㎛이고, 보호층의 두께는 10nm 내지 10㎛일 수 있다.In the phosphor film according to an embodiment, the
상술한 일 실시예의 형광체 필름은 플루오르계 적색 형광체를 형광체 입자로 포함함으로써 광 특성이 우수한 적색광을 방출할 수 있으며, 형광체층을 둘러싸고 보호층을 형성함으로써 형광체층의 신뢰성을 개선할 수 있어 고온 고습 또는 지속적인 빛에 노출되는 환경에서도 고 품질의 발광 특성을 가질 수 있다.The phosphor film of the above-described embodiment may emit red light having excellent optical properties by including the fluorine-based red phosphor as phosphor particles, and by forming a protective layer surrounding the phosphor layer, the reliability of the phosphor layer can be improved. Even in an environment exposed to continuous light, high-quality light emission characteristics may be obtained.
도 2는 발광 소자 패키지의 일 실시예(200a)를 나타낸 도면이다.2 is a view showing an
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200a)는 캐비티를 갖는 패키지 몸체(130), 캐비티 바닥면에 배치되는 발광 소자(110)를 포함할 수 있으며, 패키지 몸체(130)에는 발광 소자(110)와의 전기적 연결을 위한 리드 프레임(142, 144)이 고정되어 배치될 수 있다.The light emitting
또한, 발광 소자(110)는 캐비티 내에서 캐비티의 바닥면에 배치될 수 있고, 캐비티 내에는 발광 소자(110)를 둘러싸고 몰딩부(160)가 배치될 수 있으며, 몰딩부(160) 상에는 상술한 실시예의 형광체 필름(100)이 포함될 수 있다.In addition, the
패키지 몸체(130)는 실리콘 재질, 합성수지 재질 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 열전도성이 우수한 세라믹 물질로 이루어질 수 있다.The
패키지 몸체(130)의 상부는 개방되어 있고, 측면과 바닥면으로 이루어진 캐비티를 가질 수 있다.The upper portion of the
캐비티는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티의 측면은 바닥면에 대하여 수직이거나 경사지게 형성될 수 있으며, 그 크기 및 형태가 다양할 수 있다. The cavity may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the side surface of the cavity may be formed to be perpendicular or inclined with respect to the bottom surface, and the size and shape thereof may vary.
캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 다각형, 타원형 등일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나, 이에 한정하지 않는다.The shape of the cavity viewed from above may be a circular shape, a polygonal shape, an elliptical shape, or the like, and may have a curved edge shape, but is not limited thereto.
패키지 몸체(100)에는 발광 소자(110)와의 전기적 연결을 위한 리드 프레임(142, 144)을 포함할 수 있다.The
리드 프레임은 제1 리드프레임(142)과 제2 리드프레임(144)을 포함하여 형성될 수 있으며, 패키지 몸체(130)에 고정되어 형성될 수 있다.The lead frame may include the
한편, 패키지 몸체(130)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지는 경우, 도시되지는 않았으나 패키지 몸체(130)의 표면에 절연층이 코팅되어 제1,2 리드 프레임(142, 144) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.On the other hand, when the
제1 리드 프레임(142) 및 제2 리드 프레임(144)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광 소자(110)에 전류를 공급할 수 있다. 또한, 제1 리드 프레임(142) 및 제2 리드 프레임(144)은 발광 소자(110)에서 발생 된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광 소자(110)에서 발생 된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The
발광 소자(110)는 캐비티 내에 배치될 수 있으며, 패키지 몸체(130) 상에 배치되거나 제1 리드 프레임(142) 또는 제2 리드 프레임(144) 상에 배치될 수 있다. 배치되는 발광 소자(110)는 수직형 발광 소자 외에 수평형 발광 소자 등일 수도 있다.The
도 2에 도시된 실시예에서는 발광 소자(110)가 제1 리드 프레임(142) 상에 배치되며, 제2 리드 프레임(144)과는 와이어(146)를 통하여 연결될 수 있으나, 발광 소자(110)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 방식에 의하여서도 리드 프레임과 연결될 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 2 , the
발광 소자(110)는 발광 다이오드 등이 배치될 수 있다.The
도 3은 발광 소자(110)의 일 실시예를 나타낸 도면으로, 발광 소자(110)는 지지기판(70), 발광 구조물(20), 오믹층(40), 제1 전극(80)을 포함할 수 있다.3 is a view showing an embodiment of the
발광 구조물(20)은 제1 도전형 반도체층(22)과 활성층(24) 및 제2 도전형 반도체층(26)을 포함하여 이루어진다.The
제1 도전형 반도체층(22)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑 될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(22)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 22 may be implemented with a compound semiconductor such as III-V group or II-VI group, and may be doped with a first conductivity type dopant. The first conductivity type semiconductor layer 22 is a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), AlGaN , GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, may be formed of any one or more of AlGaInP.
제1 도전형 반도체층(22)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(22)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity-type semiconductor layer 22 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 22 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.
활성층(24)은 제1 도전형 반도체층(22)과 제2 도전형 반도체층(26) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The
활성층(24)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The
제2 도전형 반도체층(26)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(26)이 AlxGa(1-x)N으로 이루어질 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 26 may be formed of a semiconductor compound. The second conductivity-type semiconductor layer 26 may be implemented with a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group, and may be doped with a second conductivity-type dopant. The second conductivity type semiconductor layer 26 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) , AlGaN, GaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, may be formed of any one or more of AlGaInP, for example, the second conductivity type semiconductor layer 26 is made of Al x Ga (1-x) N can
제2 도전형 반도체층(26)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the second conductivity-type semiconductor layer 26 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The second conductivity type semiconductor layer 26 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.
제1 도전형 반도체층(22)의 표면이 패턴을 이루어 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(22)의 표면에는 제1 전극(80)이 배치될 수 있으며, 도시되지는 않았으나 제1 전극(80)이 배치되는 제1 도전형 반도체층(22)의 표면은 패턴을 이루지 않을 수 있다. 제1 전극(80)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The surface of the first conductivity type semiconductor layer 22 may be patterned to improve light extraction efficiency. In addition, the
발광 구조물(20)의 둘레에는 패시베이션층(90)이 형성될 수 있다. 패시베이션층(90)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(90)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.A
발광 구조물(20)의 하부에는 제2 전극이 배치될 수 있으며, 오믹층(40)과 반사층(50)이 제2 전극으로 작용할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)의 하부에는 GaN이 배치되어 제2 도전형 반도체층(26)으로 전류 내지 정공 공급을 원활히 할 수 있다.A second electrode may be disposed under the
오믹층(40)은 약 200 옹스트롱(Å)의 두께일 수 있다. 오믹층(40)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정하지 않는다.The
반사층(50)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 반사층(50)은 활성층(24)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 반도체 소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.The
지지기판(support substrate, 70)은 금속 또는 반도체 물질 등 도전성 물질로 형성될 수 있다. 전기 전도도 내지 열전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 반도체 소자 작동 시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열 전도도가 높은 물질(ex. 금속 등)로 형성될 수 있다.The
예를 들어, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 중 어느 하나일 수 있다) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.For example, it may be made of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu), and aluminum (Al) or an alloy thereof, and also gold (Au). ), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafer (eg, GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3 may be any one) and the like may be optionally included.
지지기판(70)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가지기 위하여 50㎛ 내지 200㎛의 두께로 이루어질 수 있다.The
접합층(60)은 반사층(50)과 지지기판(70)을 결합하는데, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.The
도 3에 도시된 발광 소자(110)의 실시예는 수직형 발광 소자의 실시예이나, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(200a)의 실시예에는 도 3에 도시된 수직형 발광 소자 이외에 수평형 발광 소자, 플립칩 타입의 발광 소자가 배치될 수 있으며, 이때 발광 소자(110)는 청색광 파장 영역의 광을 발광할 수 있다.The embodiment of the
다시 도 2를 참조하면, 일 실시예의 발광 소자 패키지(200a)에서 몰딩부(160)는 발광 소자(110)를 감싸고 패키지 몸체(130)의 캐비티 내부를 채우며 형성될 수 있다.Referring back to FIG. 2 , in the light emitting
몰딩부(160)는 수지부(163)와 적어도 하나 이상의 형광체(165)를 포함하여 형성될 수 있다.The
몰딩부(160)는 발광 소자(110)를 포위하도록 배치되어 발광 소자(110)를 보호할 수 있다.The
몰딩부(160)에 포함되어 사용되는 수지(163)는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 중 어느 하나 또는 그 혼합물의 형태일 수 있다.The
또한, 형광체(165)는 발광 소자(110)에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 파장 변환된 광을 발광할 수 있다.In addition, the
예를 들어, 발광 소자에서 방출된 광은 청색광일 수 있으며, 발광 소자 패키지의 몰딩부에는 청색광에 의하여 여기 되어 녹색 광을 방출하는 녹색 형광체를 포함할 수 있다.For example, the light emitted from the light emitting device may be blue light, and the molding part of the light emitting device package may include a green phosphor that is excited by the blue light and emits green light.
일 실시예에 포함되는 녹색 형광체는 루악(LuAG:Ce3 +) 계열 또는 β-사이알론(β-SiAlON:Eu2 +) 계열 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The green phosphor included in one embodiment is LuAG (LuAG:Ce 3 + ) It may include at least one of a series or a β-sialon (β-SiAlON:Eu 2 + ) series.
예를 들어, 루악 계열의 녹색 형광체는 Lu3Al5O12:Ce3 + 일 수 있고, β-사이알론 계열의 녹색 형광체는 Si6 - zAlzOzN8 -z : Eu2 + (여기서, 0 <z< 2 이다) 일 수 있다.For example, the Luac-based green phosphor is Lu 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + One can, a green phosphor of β- SiAlON family is Si 6 - z Al z O z N 8 -z: may be Eu + 2 (where a, 0 <z <2).
이때, 발광 소자에 의하여 여기 되어 발광하는 녹색 형광체의 발광 중심 파장은 530nm 내지 545nm 일 수 있다.In this case, the emission center wavelength of the green phosphor that is excited by the light emitting device and emits light may be 530 nm to 545 nm.
도 2의 도시를 참조하면 상술한 실시예의 형광체 필름(100)은 몰딩부(160) 상에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the
형광체 필름(100)은 몰딩부(160)의 상부면에 접착하여 고정되어 배치될 수 있다.The
또한, 형광체 필름(100)은 몰딩부(160)의 상부면과 물리적 또는 화학적 결합이 없이 몰딩부(160) 상에 안착되어 배치될 수 있다.In addition, the
이때, 형광체 필름(100)에 포함되는 플루오르계 적색 형광체는 발광 소자 패키지의 발광 소자(110)에서 방출되는 빛에 의하여 여기 되어 적색광을 방출할 수 있다.In this case, the fluorine-based red phosphor included in the
도 2의 일 실시예의 발광 소자 패키지는 발광 소자에서 방출되는 청색광과 몰딩부에 포함되는 녹색 형광체 및 적색 형광체를 포함하는 형광체 필름으로 구성되어 백색광을 방출할 수 있다.The light emitting device package of the exemplary embodiment of FIG. 2 is composed of a phosphor film including blue light emitted from the light emitting device and a green phosphor and a red phosphor included in the molding part to emit white light.
도 4 내지 도 5는 발광 소자 패키지의 다른 실시예에 대한 도면들이다.4 to 5 are views of another embodiment of a light emitting device package.
이하 도 4 내지 도 5의 실시예에 대한 설명에서는 도 2의 발광 소자 패키지의 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, in the description of the embodiment of FIGS. 4 to 5 , the content overlapping with the embodiment of the light emitting device package of FIG. 2 will not be described again, and differences will be mainly described.
도 4에 도시된 일 실시예의 발광 소자 패키지(200b)는 캐비티를 갖는 패키지 몸체(130), 캐비티 바닥면에 배치된 발광 소자(110)와 발광 소자를 감싸고 캐비티 내에 배치되는 몰딩부(160) 및 몰딩부(160) 상에 배치되는 형광체 필름(100)을 포함할 수 있다.The light emitting
도 4의 실시예에서 몰딩부(160)는 수지(163)와 녹색 형광체(165) 이외에 SiO2, TiO2, MgO, BaO, PS(Poly Styrene) 입자(167) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In the embodiment of FIG. 4 , the
몰딩부(160)에 이러한 충진 입자(167)들을 더 포함함으로써, 도 4의 실시예에서는 몰딩부의 열안정성 또는 내습성을 개선할 수 있다.By further including these
예를 들어, 몰딩부에 SiO2 입자를 더 포함함으로써, 몰딩부의 내습성이 증가되게 되며, 이로 인하여 몰딩부 상에 배치된 형광체 필름으로의 수분 전달이 감소하게 되어 결과적으로 형광체 필름의 신뢰성도 개선될 수 있다.For example, by further including SiO 2 particles in the molding part, the moisture resistance of the molding part is increased, thereby reducing moisture transfer to the phosphor film disposed on the molding part, and consequently improving the reliability of the phosphor film can be
한편, 형광체 필름(100)에 화학식 K2MF6:Mn4 + 로 표시되는 플루오르계 적색 형광체가 포함되는 실시예의 경우, 플루오르계 적색 형광체는 형광체 필름을 구성하는 보호층에 의하여 보호될 수 있다. 또한, 도 4의 실시예의 경우는 몰딩부에 충진 입자(167)들이 더 포함되어, 몰딩부(160)를 통하여 형광체 필름(100)으로 전달되는 수분이나 빛을 한번 더 차단할 수 있어 발광 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있다.On the other hand, in the case of the embodiment in which the fluorine-based red phosphor represented by Chemical Formula K 2 MF 6 :Mn 4 + is included in the
따라서, 도 4에 도시된 발광 소자 패키지 실시예에서는 플루오르계 적색 형광체를 사용한 경우의 개선된 광 특성이 고온 고습 조건 또는 연속된 빛에 노출된 조건에서도 유지될 수 있다.도 5에 도시된 일 실시예의 발광 소자 패키지(200c)는 캐비티를 갖는 패키지 몸체(130), 캐비티 바닥면에 배치된 발광 소자(110)와 발광 소자를 감싸고 캐비티 내에 배치되는 몰딩부(160) 및 몰딩부(160) 상에 배치되는 형광체 필름(100)을 포함하며, 캐비티의 바닥면과 발광 소자 상에 형성되어 배치되는 차단층(170)을 더 포함할 수 있다.Accordingly, in the light emitting device package embodiment shown in FIG. 4 , improved optical properties when the fluorine-based red phosphor is used can be maintained even under a high temperature, high humidity condition or a condition exposed to continuous light. The light emitting
차단층(170)은 SiO2, TiO2, MgO, BaO, PS(Poly Styrene) 입자 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The blocking layer 170 may include at least one of SiO 2 , TiO 2 , MgO, BaO, and poly styrene (PS) particles.
몰딩부(160) 내에 배치된 차단층(170)은 SiO2, TiO2, MgO, BaO, PS(Poly Styrene) 입자 등을 포함하여 몰딩부의 열안정성 또는 내습성을 개선할 수 있다.The blocking layer 170 disposed in the
또한, 차단층(170)은 발광 소자(110) 상에 배치되도록 형성되어 발광 소자(110)에서 방출되는 빛을 분산시킴으로써 균일한 광이 몰딩부에 포함된 녹색 형광체와 몰딩부 상에 배치된 형광체 필름(100)으로 공급되도록 할 수 있다.In addition, the blocking layer 170 is formed to be disposed on the
한편 차단층(170)이 패키지 몸체(130)에 형성된 캐비티 바닥면에 형성되어 패키지 몸체의 하부에서 몰딩부(160) 쪽으로 침투되는 습기를 차단하는 역할을 할 수 있다. 이때, 패키지 몸체 상에 리드 프레임(142, 144)이 배치된 경우는 리드 프레임 상에 차단층(170)이 형성될 수 있다.Meanwhile, the blocking layer 170 may be formed on the bottom surface of the cavity formed in the
따라서, 도 5에 도시된 실시예의 발광 소자 패키지(200c)는 차단층(170)을 배치함으로써 습기를 차단하여 신뢰성이 개선될 수 있다.Accordingly, the light emitting
또한, 형광체 필름(100)에 화학식 K2MF6:Mn4 + 로 표시되는 플루오르계 적색 형광체가 포함되는 실시예의 경우, 차단층(170)에서도 습기 및 빛을 차단하고, 형광체 필름을 구성하는 보호층에 의하여 한번 더 보호될 수 있어, 가혹한 고온 고습 등의 신뢰성 조건에서도 높은 색 재현율과 양호한 광속(Flux)을 나타낼 수 있다.In addition, in the case of the embodiment in which the fluorine-based red phosphor represented by the formula K 2 MF 6 :Mn 4 + is included in the
이하에서는 상술한 발광 소자 패키지(200a 내지 200c)가 배치된 조명 시스템의 일 실시예로서 영상 표시장치 및 조명 장치를 설명한다.Hereinafter, an image display device and a lighting device will be described as an embodiment of a lighting system in which the above-described light
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200a 내지 200c)는 복수 개가 기판 상에 어레이 될 수 있고, 발광 소자 패키지(200a 내지 200c)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지(200), 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting
또한, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200a 내지 200c)를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.In addition, it may be implemented as a display device, an indicator device, and a lighting device including the light emitting
여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Here, the display device includes a bottom cover, a reflecting plate disposed on the bottom cover, a light emitting module emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflecting plate and guiding light emitted from the light emitting module in front of the light guide plate An optical sheet including prism sheets disposed thereon, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, and a color filter disposed in front of the display panel may include Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.
또한, 조명 장치는 기판과 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.In addition, the lighting device is a light source module including a substrate and a light emitting device package 200 according to an embodiment, a heat sink for dissipating heat of the light source module, and processing or converting an electrical signal provided from the outside to provide the light source module It may include a power supply unit. For example, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp.
헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들(200a 내지 200c)을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.The head lamp includes a light emitting module including light emitting
상술한 영상 표시장치 및 조명 장치의 경우 상술한 실시예의 형광체 필름을 포함한 발광 소자 패키지(200a 내지 200c)를 사용함으로써, 광속 및 색 재현율이 개선된 효과를 가질 수 있으며, 또한 고온 고습 등의 환경에서 방치된 조건에서 광속 및 색 좌표의 변화량 등의 광 특성 감소를 줄여 신뢰성을 개선할 수 있다.In the case of the above-described image display device and lighting device, by using the light emitting
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiment has been described above, it is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in a range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.
100 : 형광체 필름 101 : 형광체층
105 : 보호층 110 : 발광 소자
130 : 패키지 몸체 160 : 몰딩부
170 : 차단층 200a, 200b, 200c : 발광 소자 패키지100: phosphor film 101: phosphor layer
105: protective layer 110: light emitting element
130: package body 160: molding part
170: blocking
Claims (15)
상기 캐비티의 바닥면에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자를 둘러싸고 상기 캐비티 내에 배치되는 몰딩부;
상기 패키지 몸체 상에 고정되고 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 제1 리드프레임과 제2 리드프레임;
상기 캐비티의 바닥면과 상기 발광 소자 상에 배치되는 차단층; 및
상기 몰딩부 상에 배치되는 형광체 필름을 포함하고,
상기 차단층은, 상기 캐비티의 바닥면 상에 노출된 상기 제1 및 제2 리드프레임의 상면, 상기 캐비티의 바닥면 상에서 이격된 상기 제1 및 제2 리드프레임에 의해 노출되는 상기 몸체의 상면, 상기 캐비티의 내측면, 상기 발광 소자의 측면, 상기 발광 소자의 상면과 직접 접촉하고,
상기 형광체 필름은,
형광체층;
상기 형광체층을 감싸고 배치되는 보호층; 및
상기 형광체층 및 상기 보호층 사이에 배치되는 프라이머층을 포함하며,
상기 보호층은 상기 형광체층의 상부면, 바닥면 및 측면 전체를 감싸며 배치되고,
상기 보호층 및 상기 프라이머층의 두께는 상기 형광체층보다 얇고,
상기 형광체층은 베이스 수지와 상기 베이스 수지에 분산된 플루오르 계열의 적색 형광체 입자를 포함하고,
상기 적색 형광체 입자는 화학식 K2MF6:Mn4+(여기서, M은 Si, Ge 및 Ti 중 적어도 하나이다)로 표시되고,
상기 발광 소자는 청색 또는 자외선 파장 영역의 광을 방출하는 발광 소자 패키지.a package body having a cavity;
a light emitting device disposed on a bottom surface of the cavity;
a molding part surrounding the light emitting device and disposed in the cavity;
a first lead frame and a second lead frame fixed on the package body and electrically connected to the light emitting device;
a blocking layer disposed on the bottom surface of the cavity and the light emitting device; and
a phosphor film disposed on the molding part;
The blocking layer may include upper surfaces of the first and second leadframes exposed on the bottom surface of the cavity, the upper surfaces of the body exposed by the first and second leadframes spaced apart on the bottom surface of the cavity, In direct contact with the inner surface of the cavity, the side surface of the light emitting element, and the upper surface of the light emitting element,
The phosphor film,
phosphor layer;
a protective layer disposed surrounding the phosphor layer; and
a primer layer disposed between the phosphor layer and the protective layer;
The protective layer is disposed to surround the entire upper surface, the bottom surface and the side surface of the phosphor layer,
The thickness of the protective layer and the primer layer is thinner than the phosphor layer,
The phosphor layer includes a base resin and fluorine-based red phosphor particles dispersed in the base resin,
The red phosphor particles are represented by the formula K 2 MF 6 :Mn 4+ (where M is at least one of Si, Ge, and Ti),
The light emitting device is a light emitting device package that emits light in a blue or ultraviolet wavelength region.
상기 형광체층의 두께는 10㎛ 내지 500㎛이고,
상기 보호층은 10nm 내지 10㎛의 두께를 가지며 SiO2, TiO2, Al2O3, MgO, In2O3 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 프라이머층은 1㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지며 PVP(Poly Vinyl Pyrrolidone) 또는 PVA(Poly Vinyl Alcohol)를 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The thickness of the phosphor layer is 10 μm to 500 μm,
The protective layer has a thickness of 10 nm to 10 μm and includes at least one of SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, In 2 O 3 ,
The primer layer has a thickness of 1㎛ to 100㎛ a light emitting device package comprising PVP (Poly Vinyl Pyrrolidone) or PVA (Poly Vinyl Alcohol).
상기 몰딩부는 상기 발광 소자에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 녹색 파장 영역의 광을 방출하는 녹색 형광체를 포함하고,
상기 녹색 형광체는 루악(LuAG:Ce3+) 계열 또는 β-사이알론(SiAlON:Eu2+) 계열 중 적어도 하나인 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The molding part includes a green phosphor that is excited by the light emitted from the light emitting device and emits light in a green wavelength region,
The green phosphor is at least one of a LuAG (LuAG:Ce 3+ ) series or a β-sialon (SiAlON:Eu 2+ ) series light emitting device package.
상기 차단층은 SiO2, TiO2, MgO, BaO 및 폴리스타일렌 입자 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The blocking layer is a light emitting device package comprising at least one of SiO 2 , TiO 2 , MgO, BaO, and polystyrene particles.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150014881A KR102261954B1 (en) | 2015-01-30 | 2015-01-30 | Phosphor film, light emitting device package and lighting apparatus including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150014881A KR102261954B1 (en) | 2015-01-30 | 2015-01-30 | Phosphor film, light emitting device package and lighting apparatus including the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160093945A KR20160093945A (en) | 2016-08-09 |
| KR102261954B1 true KR102261954B1 (en) | 2021-06-08 |
Family
ID=56712348
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150014881A KR102261954B1 (en) | 2015-01-30 | 2015-01-30 | Phosphor film, light emitting device package and lighting apparatus including the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102261954B1 (en) |
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| JP2012038754A (en) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Nitto Denko Corp | Light-emitting device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160093945A (en) | 2016-08-09 |
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