KR102255852B1 - Flexible display apparatus and curved display apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 제공된다. 플렉서블 표시 장치는 플렉서블 기판, 배선, 박막 트랜지스터를 포함한다. 배선은 플렉서블 기판 상에 형성된다. 박막 트랜지스터는 플렉서블 기판 상에 형성된 반도체층을 포함한다. 반도체층은 배선이 연장된 방향과 예각을 이루는 방향으로 연장된 부분을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 반도체층, 전극 및 배선의 배치는 플렉서블 표시 장치의 박막 트랜지스터의 구성 요소들의 세그먼트 길이를 감소시킨다. 이에 따라, 벤딩에 의해 구성 요소들이 받는 힘이 감소하므로 크랙 발생이 줄어들며, 플렉서블 표시 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.A flexible display device according to an embodiment of the present invention is provided. The flexible display device includes a flexible substrate, a wiring, and a thin film transistor. The wiring is formed on the flexible substrate. The thin film transistor includes a semiconductor layer formed on a flexible substrate. The semiconductor layer includes a portion extending in a direction forming an acute angle with a direction in which the wiring is extended. The arrangement of the semiconductor layers, electrodes, and wirings of the thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention reduces segment lengths of components of the thin film transistors of the flexible display device. Accordingly, since the force received by the components due to bending is reduced, the occurrence of cracks is reduced, and reliability of the flexible display device can be improved.

Description

플렉서블 표시 장치 및 커브드 표시 장치{FLEXIBLE DISPLAY APPARATUS AND CURVED DISPLAY APPARATUS}Flexible display device and curved display device {FLEXIBLE DISPLAY APPARATUS AND CURVED DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 플렉서블 표시 장치 및 커브드 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플렉서블 및 커브드 표시 장치가 벤딩되는 경우 플렉서블 및 커브드 표시 장치 내의 구성 요소들이 받는 힘을 최소화하여 신뢰성이 향상된 플렉서블 표시 장치 및 커브드 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible display device and a curved display device, and more particularly, when a flexible and curved display device is bent, a flexible display device with improved reliability by minimizing the force applied to components in the flexible and curved display device And a curved display device.

최근에는 플렉서블(flexible) 소재인 플라스틱 등과 같이 유연성있는 재료를 사용하여, 종이처럼 휘어져도 화상 표시가 가능하게 제조되는 플렉서블 표시 장치가 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.In recent years, a flexible display device, which is manufactured using a flexible material such as plastic, which is a flexible material, so that an image can be displayed even when it is bent like paper, has attracted attention as a next-generation display device.

플렉서블 표시 장치는 컴퓨터의 모니터 및 TV 뿐만 아니라 개인 휴대 기기까지 그 적용 범위가 다양해지고 있으며, 넓은 표시 면적을 가지면서도 감소된 부피 및 무게를 갖는 플렉서블 표시 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.The range of application of the flexible display device to personal portable devices as well as computer monitors and TVs is diversifying, and studies on flexible display devices having a large display area and reduced volume and weight are being conducted.

[관련기술문헌][Related technical literature]

실리콘 박막을 결정화하는 방법과 이를 이용하여 제조되는 박막트랜지스터 및 그 제조방법 (특허공개번호 제2000-0066392호)A method of crystallizing a silicon thin film, a thin film transistor manufactured using the same, and a method for manufacturing the same (Patent Publication No. 2000-0066392)

플렉서블 표시 장치가 액티브 매트릭스(active-matrix) 로 구동되는 경우, 구동을 위해 박막 트랜지스터가 포함된다. 박막 트랜지스터의 구성 요소는 플렉서블 표시 장치가 벤딩(bending)되는 경우 벤딩 방향에 대한 인장력 또는 압축력을 받는다. 벤딩에 의한 힘에 의해 박막 트랜지스터의 구성 요소에 크랙(crack)이 발생할 수 있으며, 크랙은 박막 트랜지스터 및 플렉서블 표시 장치의 신뢰성에 부정적인 영향을 미친다. 본 발명의 발명자들은 플렉서블 표시 장치가 복수의 방향으로 벤딩되는 경우, 박막 트랜지스터 구성 요소들의 형상 및 배치에 따라 벤딩에 의해 각 구성요소가 받는 힘이 감소될 수 있다는 점을 인지하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은 플렉서블 표시 장치가 벤딩이 되더라도 박막 트랜지스터의 각 구성 요소에 전달되는 힘을 최소화시킬 수 있는 플렉서블 표시 장치를 발명하였다.When the flexible display device is driven by an active matrix, a thin film transistor is included for driving. When the flexible display device is bent, a component of the thin film transistor receives a tensile force or a compressive force in the bending direction. Cracks may occur in components of the thin film transistor due to the bending force, and the crack negatively affects the reliability of the thin film transistor and the flexible display device. The inventors of the present invention have recognized that when the flexible display device is bent in a plurality of directions, the force applied to each component may be reduced by bending according to the shape and arrangement of the thin film transistor components. Accordingly, the inventors of the present invention invented a flexible display device capable of minimizing a force transmitted to each component of a thin film transistor even when the flexible display device is bent.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 플렉서블 표시 장치가 여러 방향으로 벤딩되는 경우 박막 트랜지스터의 각 구성 요소가 받는 힘을 감소시켜, 박막 트랜지스터의 각 구성요소에 크랙 발생을 최소화한 플렉서블 표시 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a flexible display device that minimizes the occurrence of cracks in each component of a thin film transistor by reducing the force applied to each component of a thin film transistor when the flexible display device is bent in multiple directions. .

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood from the following description.

전술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치가 제공된다. 플렉서블 표시 장치는 플렉서블 기판, 배선, 박막 트랜지스터를 포함한다. 배선은 플렉서블 기판 상에 형성된다. 박막 트랜지스터는 플렉서블 기판 상에 형성된 반도체층을 포함하며, 반도체층의 일부분은 배선이 연장된 방향과 예각을 이루는 방향으로 연장되어 형성된다. 플렉서블 기판은 배선이 형성된 방향으로 벤딩될 수 있다. 이러한 박막 트랜지스터의 반도체층과 배선의 배치는 플렉서블 표시 장치가 벤딩되는 방향에 대한 반도체층의 세그먼트(segment) 길이를 감소시키므로, 박막 트랜지스터의 반도체층에서의 크랙 발생을 최소화 할 수 있다. 반도체층에서의 크랙 발생이 최소화됨으로써 박막 트랜지스터의 안정성 및 내구성이 향상되고, 플렉서블 표시 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.In order to solve the above-described problems, a flexible display device capable of bending in a plurality of directions according to an exemplary embodiment of the present invention is provided. The flexible display device includes a flexible substrate, a wiring, and a thin film transistor. The wiring is formed on the flexible substrate. The thin film transistor includes a semiconductor layer formed on a flexible substrate, and a portion of the semiconductor layer is formed by extending in a direction forming an acute angle with an extension direction of the wiring. The flexible substrate may be bent in the direction in which the wiring is formed. The arrangement of the semiconductor layer and the wiring of the thin film transistor reduces the length of a segment of the semiconductor layer in a direction in which the flexible display device is bent, so that the occurrence of cracks in the semiconductor layer of the thin film transistor can be minimized. By minimizing the occurrence of cracks in the semiconductor layer, stability and durability of the thin film transistor can be improved, and reliability of the flexible display device can be improved.

본 발명의 일 실시예에 따른 커브드 표시 장치로 활용 가능한 플렉서블 표시 장치가 제공된다. 커브드 표시 장치는 표시 장치의 일측과 평행한 방향으로 벤딩되어 고정된다. 커브드 표시 장치는 기판 및 박막 트랜지스터를 포함한다. 커브드 표시 장치의 벤딩 영역에 박막 트랜지스터가 위치되며, 박막 트랜지스터는 반도체층을 포함한다. 반도체층은 커브드 표시 장치가 벤딩되어 고정된 방향에 대하여 기울어진 방향으로 연장되어 형성되므로, 커브드 표시 장치의 벤딩 영역에 위치한 반도체층이 받는 힘을 최소화할 수 있다.A flexible display device that can be used as a curved display device according to an embodiment of the present invention is provided. The curved display device is bent and fixed in a direction parallel to one side of the display device. The curved display device includes a substrate and a thin film transistor. A thin film transistor is positioned in a bending area of the curved display device, and the thin film transistor includes a semiconductor layer. Since the semiconductor layer is formed by bending the curved display device and extending in a direction inclined with respect to a fixed direction, a force applied by the semiconductor layer located in the bending region of the curved display device can be minimized.

본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 모든 구성요소가 다양한 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치가 제공된다. 플렉서블 표시 장치는 플렉서블 기판, 배선, 박막 트랜지스터를 포함한다. 박막 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극을 포함하고, 반도체층은 배선이 연장된 방향과는 상이한 방향으로 형성된다. 박막 트랜지스터의 각 구성요소인 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극 및 배선은 다양한 방향으로 벤딩이 가능하도록 형성된다. 박막 트랜지스터의 각 구성요소들이 벤딩에 의해 받는 힘을 최소화하도록 설계되어 플렉서블 표시 장치의 신뢰성을 높일 수 있다. A flexible display device capable of bending all components of a flexible display device according to an embodiment of the present invention in various directions is provided. The flexible display device includes a flexible substrate, a wiring, and a thin film transistor. The thin film transistor includes a semiconductor layer, a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode, and the semiconductor layer is formed in a direction different from the direction in which the wiring is extended. The semiconductor layer, the source electrode, the drain electrode, the gate electrode, and the wiring, which are components of the thin film transistor, are formed to be bent in various directions. Since each component of the thin film transistor is designed to minimize a force applied by bending, the reliability of the flexible display device can be improved.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치의 개념도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 박막 트랜지스터와 배선의 구조를 도시한 평면도이다.
도 2b는 플렉서블 표시 장치에 채용된 반도체층이 받는 힘을 설명하기 위한 그래프이다.
도 2c는 플렉서블 표시 장치에서 꺾인 형상의 반도체층을 채용한 박막 트랜지스터를 도시한 평면도들이다.
도 2d는 도 2c에 도시된 반도체층의 꺾인 부분이 곡선으로 연결된 형상의 반도체층을 채용한 박막 트랜지스터를 도시한 평면도이다.
도 2e는 플렉서블 표시 장치에서 게이트 전극과 소스 전극의 형상을 설명하기 위해 박막 트랜지스터를 도시한 평면도이다.
도 2f는 플렉서블 표시 장치에서 다양한 배선의 형상을 설명하기 위해 박막 트랜지스터를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 일 방향으로 벤딩되어 고정된 커브드 표시 장치를 도시한 개념도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 커브드 표시 장치의 박막 트랜지스터를 도시한 평면도이다.
도 4b는 게이트 전극과 소스 전극이 연장된 형태를 설명하기 위한 커브드 표시 장치를 도시한 평면도이다.
도 4c는 커브드 표시 장치의 일측에 대해 기울어진 방향으로 연장된 배선을 설명하기 위한 커브드 표시 장치의 평면도이다. 도 4d는 다양한 형상으로 형성된 배선을 설명하기 위해 커브드 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a conceptual diagram of a flexible display device capable of bending in a plurality of directions according to an exemplary embodiment of the present invention.
2A is a plan view illustrating a structure of a thin film transistor and a wiring in a flexible display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2B is a graph for explaining a force applied to a semiconductor layer employed in a flexible display device.
2C are plan views illustrating a thin film transistor employing a curved semiconductor layer in a flexible display device.
FIG. 2D is a plan view illustrating a thin film transistor employing a semiconductor layer in which a curved portion of the semiconductor layer shown in FIG. 2C is connected in a curved line.
2E is a plan view illustrating a thin film transistor to describe shapes of a gate electrode and a source electrode in a flexible display device.
FIG. 2F is a schematic plan view illustrating a thin film transistor to describe various wiring shapes in a flexible display device.
3 is a conceptual diagram illustrating a curved display device in which a flexible display device according to an exemplary embodiment is bent and fixed in one direction.
4A is a plan view illustrating a thin film transistor of a curved display device according to an exemplary embodiment.
4B is a plan view illustrating a curved display device for explaining an extended form of a gate electrode and a source electrode.
4C is a plan view of a curved display device for explaining wiring extending in a direction inclined with respect to one side of the curved display device. 4D is a schematic plan view of a curved display device to describe wirings formed in various shapes.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms different from each other, and only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위(on)" 또는 “상에” 로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 “바로 위(directly on)” 로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 형성되는 것을 의미한다.The term "on" or "on" of another element or layer includes both a layer or another element interposed directly on or in the middle of another element or layer. When a device or layer is referred to as “directly on” another device or layer, it is meant to be formed directly on the other device.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated component.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Accordingly, the first component mentioned below may be a second component within the technical idea of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하다. 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관되어 함께 실시할 수도 있다. Each of the features of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, and technically, various interlocking and driving are possible. Each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be performed in association with each other.

이하에서는, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치의 개념도이다.1 is a conceptual diagram of a flexible display device capable of bending in a plurality of directions according to an exemplary embodiment of the present invention.

플렉서블 표시 장치(100)는 유연성이 부여된 표시 장치를 의미하는 것으로서, 벤딩이 가능한(bendable) 표시 장치, 롤링이 가능한(rollable) 표시 장치, 깨지지 않는(unbreakable) 표시 장치, 접힘이 가능한(foldable) 표시 장치, 비틀림 가능한(twistable) 표시 장치, 늘임 가능한(stretchable) 표시 장치, 주름질 수 있는(wrinkable) 표시 장치, 탄성있는(resilient) 표시 장치, 신축성있는(elastic) 표시 장치 등과 동일한 의미로 사용된다. 플렉서블 표시 장치의 유형으로 커브드(curved) 표시 장치가 포함되며, 커브드 표시 장치는 플렉서블 표시 장치가 특정 방향으로 벤딩된 상태로 고정된 표시 장치를 의미한다. The flexible display device 100 refers to a display device to which flexibility is provided, and is a bendable display device, a rollable display device, an unbreakable display device, and a foldable display device. A display device, a twistable display device, a stretchable display device, a wrinkable display device, a resilient display device, and an elastic display device are used interchangeably. . A type of flexible display device includes a curved display device, and the curved display device refers to a display device in which the flexible display device is bent in a specific direction and fixed.

플렉서블 표시 장치(100)는 발광 영역(EA)을 포함한다. 발광 영역(EA)은 빛이 발광되는 영역으로 복수의 화소를 포함하고, 복수의 화소를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터도 포함한다. 박막 트랜지스터는 박막 트랜지스터 영역(TFTA)에 형성되고, 발광 영역(EA)은 복수의 박막 트랜지스터 영역(TFTA)를 포함한다.The flexible display device 100 includes a light emitting area EA. The light-emitting area EA is an area in which light is emitted and includes a plurality of pixels, and includes a plurality of thin film transistors for driving the plurality of pixels. The thin film transistor is formed in the thin film transistor region TFTA, and the light emitting region EA includes a plurality of thin film transistor regions TFTA.

플렉서블 표시 장치(100)는 다양한 방향으로 벤딩될 수 있다. 도 1을 참조하면, 플렉서블 표시 장치(100)가 벤딩되면, 발광 영역(EA)과 발광 영역(EA)에 포함된 박막 트랜지스터 영역(TFTA)도 벤딩된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(100)는 플렉서블 표시 장치(100)가 벤딩될 때, 박막 트랜지스터의 반도체층이 벤딩 방향으로 받는 힘을 최소화할 수 있는 구조가 제공된다. 벤딩 방향이란 기판의 일부 영역에서 기판이 외부의 힘을 받아 벤딩된 경우, 일부 영역에서 벤딩된 곡면에서 곡률이 최대가 되는 지점(또는 곡률 반경이 최소가 되는 지점)과 접하는 접면에서의 접선에 대해 그 접면 상에서 수직한 선과 평행한 방향을 의미한다. 벤딩에 의한 인장력과 압축력은 기판의 일부 영역에서 곡률이 최대가 되는 지점에서 벤딩 방향으로 최대가 된다. 또한, 도 1에서와 같이 하나의 기판(110)에서 복수의 벤딩이 발생하는 경우, 벤딩 방향은 벤딩되는 각각의 영역에서 상이하게 정의될 수도 있다.The flexible display device 100 may be bent in various directions. Referring to FIG. 1, when the flexible display device 100 is bent, the light emitting area EA and the thin film transistor area TFTA included in the light emitting area EA are also bent. In the flexible display device 100 according to an exemplary embodiment, when the flexible display device 100 is bent, a structure capable of minimizing a force applied by a semiconductor layer of a thin film transistor in a bending direction is provided. The bending direction refers to a tangent line at a contact surface that is in contact with a point where the curvature is maximum (or the radius of curvature is minimum) in a curved surface bent in a partial area when the substrate is bent under external force in a partial area of the substrate. It means a direction parallel to a vertical line on the contact surface. Tensile force and compressive force due to bending are maximized in the bending direction at the point where the curvature is maximized in a partial area of the substrate. In addition, when a plurality of bendings occur in one substrate 110 as shown in FIG. 1, the bending direction may be defined differently in each region to be bent.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 박막 트랜지스터와 배선의 구조를 도시한 평면도이다. 2A is a plan view illustrating a structure of a thin film transistor and a wiring in a flexible display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

박막 트랜지스터(T)는 반도체층(220A), 게이트 전극(230A), 소스 전극(240A) 및 드레인 전극(250A)을 포함하는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(T)이다. 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(T)는 소스 전극(240A), 드레인 전극(250A) 및 게이트 전극(230A)이 반도체층(220A)을 기준으로 상부 또는 하부에 위치하는 구조의 박막 트랜지스터(T)이다. 본 명세서에서는 박막 트랜지스터(T)가 코플래너 구조인 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 다양한 구조의 박막 트랜지스터(T)가 사용될 수 있다. The thin film transistor T is a thin film transistor T having a coplanar structure including a semiconductor layer 220A, a gate electrode 230A, a source electrode 240A, and a drain electrode 250A. The thin film transistor T having a coplanar structure is a thin film transistor T having a structure in which the source electrode 240A, the drain electrode 250A, and the gate electrode 230A are positioned above or below the semiconductor layer 220A. . In the present specification, it has been described that the thin film transistor T has a coplanar structure, but the present invention is not limited thereto, and a thin film transistor T having various structures may be used.

플렉서블 기판(210A)은 연성의 절연 물질로 형성될 수 있다. 사용 가능한 연성의 절연 물질은 폴리이미드(polyimide; PI)를 비롯하여 폴리에테르이미드(polyetherimide; PEI), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyelene terephthalate; PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메탈메틸크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌(PS), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머(SAN), 실리콘-아크릴 수지 등일 수 있다.The flexible substrate 210A may be formed of a flexible insulating material. Flexible insulating materials that can be used include polyimide (PI), polyetherimide (PEI), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymetalmethylacrylate (PMMA), It may be polystyrene (PS), styrene acryl nitrile copolymer (SAN), silicone-acrylic resin, and the like.

반도체층(220A)은 채널이 형성되는 채널 영역, 및 소스 전극(240A) 및 드레인 전극(250A) 각각과 접촉하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(220A)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 반도체층(220A)에 포함되는 산화물 반도체의 구성 물질로서, 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물(InSnGaZnO)계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO)계 재료, 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO)계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물(InAlZnO)계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물(SnGaZnO)계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물(AlGaZnO)계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물(SnAlZnO)계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물(InZnO)계 재료, 주석 아연 산화물(SnZnO)계 재료, 알루미늄 아연 산화물(AlZnO)계 재료, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgO)계 재료, 주석 마그네슘 산화물(SnMgO)계 재료, 인듐 마그네슘 산화물(InMgO)계 재료, 인듐 갈륨 산화물(InGaO)계 재료나, 인듐 산화물(InO)계 재료, 주석 산화물(SnO)계 재료, 아연 산화물(ZnO)계 재료 등이 사용될 수 있다. 상술한 각각의 산화물 반도체 재료에 포함되는 각각의 원소의 조성 비율은 특별히 한정되지 않고 다양하게 조정될 수 있다.The semiconductor layer 220A may include a channel region in which a channel is formed, and a source region and a drain region in contact with each of the source electrode 240A and the drain electrode 250A. The semiconductor layer 220A may be formed of amorphous silicon, polycrystalline silicon, or an oxide semiconductor. As a constituent material of the oxide semiconductor contained in the semiconductor layer 220A, indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO)-based material as a quaternary metal oxide, indium gallium zinc oxide (InGaZnO)-based material as ternary metal oxide, and indium tin zinc oxide (InSnZnO)-based material, indium aluminum zinc oxide (InAlZnO)-based material, tin gallium zinc oxide (SnGaZnO)-based material, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO)-based material, tin aluminum zinc oxide (SnAlZnO)-based material, binary metal oxide Indium zinc oxide (InZnO) based material, tin zinc oxide (SnZnO) based material, aluminum zinc oxide (AlZnO) based material, zinc magnesium oxide (ZnMgO) based material, tin magnesium oxide (SnMgO) based material, indium magnesium oxide ( InMgO)-based material, indium gallium oxide (InGaO)-based material, indium oxide (InO)-based material, tin oxide (SnO)-based material, zinc oxide (ZnO)-based material, and the like can be used. The composition ratio of each element included in each of the oxide semiconductor materials described above is not particularly limited and can be variously adjusted.

플렉서블 기판(210A) 상에 박막 트랜지스터(T)를 구동하기 위한 반도체층(220A)이 형성된다. 반도체층(220A)은 플렉서블 표시 장치(200A)의 다른 구성 요소들과 비교하여 유연성이 낮기 때문에, 플렉서블 기판(210A)이 벤딩되는 경우 물리적으로 쉽게 손상될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(200A)에서 반도체층(220A)은 플렉서블 기판(210A)이 벤딩되어도 물리적인 손상이 최소화되도록 형성 또는 배치된다.A semiconductor layer 220A for driving the thin film transistor T is formed on the flexible substrate 210A. Since the semiconductor layer 220A has low flexibility compared to other components of the flexible display device 200A, when the flexible substrate 210A is bent, it may be physically damaged easily. In the flexible display device 200A according to the exemplary embodiment, the semiconductor layer 220A is formed or disposed to minimize physical damage even when the flexible substrate 210A is bent.

반도체층(220A)은 장변과 단변을 갖는 직사각형 형상으로 형성된다. 반도체층(220A)이 직사각형 형상인 경우 반도체층(220A)이 연장된 방향은 반도체층(220A)의 장변의 방향이며, 도 2a에서 선 B로 도시된다.The semiconductor layer 220A is formed in a rectangular shape having a long side and a short side. When the semiconductor layer 220A has a rectangular shape, the direction in which the semiconductor layer 220A extends is the direction of the long side of the semiconductor layer 220A, and is shown by line B in FIG. 2A.

반도체층(220A)은 게이트 배선(235A)(또는 데이터 배선(245A))이 연장된 방향에 대해 사선으로 연장되어 형성된다. 게이트 배선(235A)이 연장된 방향은 도 2a에서 선 A로 도시된다. 도 2a에서는 벤딩 방향이 게이트 배선(235A)이 연장된 방향인 선 A와 평행한 방향인 것으로 도시된다. 반도체층(220A)이 게이트 배선(235A)에 대해 사선으로 연장되어 형성된 경우, 플렉서블 표시 장치(200A)의 각 구성요소들의 세그먼트 길이의 평균값이 줄어든다. 여기서, 세그먼트 길이란 플렉서블 표시 장치의 벤딩 방향으로 연장된 소자의 단위 길이를 의미한다. 플렉서블 표시 장치(200A)가 벤딩될 때 반도체층(220A)이 받는 힘은 반도체층의 세그먼트 길이에 비례하므로, 반도체층(220A)의 세그먼트 길이가 줄어들면, 반도체층(220A)이 받는 인장력 및 압축력이 감소한다. 반도체층(220A)이 받는 힘이 감소하면, 반도체층(220A)에 발생하는 크랙도 감소한다. 반도체층(220A)의 크랙은 박막 트랜지스터(T)의 성능을 저하시키거나 수명을 단축시키므로, 반도체층(220A)의 크랙의 발생을 최소화하면, 플랙서블 표시 장치(200A)에서 박막 트랜지스터(T)가 형성된 영역이 벤딩될 수 있다. 따라서, 플렉서블 표시 장치나 커브드(curved) 표시 장치의 구현이 가능해진다. 즉, 세그먼트 길이가 감소됨으로써, 플렉서블 표시 장치(200A)의 박막 트랜지스터(T)의 성능의 열화가 최소화되고 수명이 늘어날 수 있다.The semiconductor layer 220A is formed by extending diagonally with respect to the direction in which the gate wiring 235A (or the data wiring 245A) extends. The direction in which the gate wiring 235A extends is shown by line A in Fig. 2A. In FIG. 2A, it is shown that the bending direction is parallel to the line A, which is the direction in which the gate wiring 235A extends. When the semiconductor layer 220A is formed to extend diagonally with respect to the gate line 235A, the average value of the segment lengths of each component of the flexible display device 200A decreases. Here, the segment length means a unit length of a device extending in the bending direction of the flexible display device. Since the force received by the semiconductor layer 220A when the flexible display device 200A is bent is proportional to the segment length of the semiconductor layer, when the segment length of the semiconductor layer 220A decreases, the tensile and compressive forces received by the semiconductor layer 220A This decreases. When the force applied to the semiconductor layer 220A decreases, cracks occurring in the semiconductor layer 220A also decrease. Since cracks in the semiconductor layer 220A degrade the performance or shorten the lifespan of the thin film transistor T, if the occurrence of cracks in the semiconductor layer 220A is minimized, the thin film transistor T in the flexible display device 200A The area where is formed may be bent. Accordingly, it is possible to implement a flexible display device or a curved display device. That is, as the segment length is reduced, deterioration in performance of the thin film transistor T of the flexible display device 200A can be minimized and a lifetime can be extended.

도 2a를 참조하면, 세그먼트 길이를 감소시키기 위해, 반도체층(220A)이 연장된 방향인 선 B는 게이트 배선(235A)이 연장된 방향인 선 A와 θ1의 각도를 이룬다. θ1는 0을 초과하고 90도 미만인 예각이다. θ1가 30 내지 60도 사이인 경우 반도체층(220A)의 세그먼트 길이가 평균적으로 50% 감소되는 효과를 보이므로, θ1는 30 내지 60도 사이 값을 갖는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 2A, in order to reduce the segment length, a line B in a direction in which the semiconductor layer 220A extends forms an angle of θ 1 with a line A in a direction in which the gate wiring 235A extends. θ 1 is an acute angle greater than 0 and less than 90 degrees. When θ 1 is between 30 and 60 degrees, the segment length of the semiconductor layer 220A is reduced by 50% on average, so it is preferable that θ 1 has a value between 30 and 60 degrees.

도 2a에서 벤딩 방향이 배선이 연장된 방향과 평행하도록 도시된 것은 일 실시예일뿐이다. 플렉서블 표시 장치(200A)의 벤딩 방향은 배선이 연장된 방향으로 제한되지 않으며, 플렉서블 표시 장치(200A)는 다양한 방향으로 벤딩될 수 있다.In FIG. 2A, the bending direction is shown to be parallel to the direction in which the wiring is extended, for exemplary embodiments only. The bending direction of the flexible display device 200A is not limited to the direction in which the wiring is extended, and the flexible display device 200A may be bent in various directions.

도 2b는 플렉서블 표시 장치에 채용된 반도체층이 받는 힘을 설명하기 위한 그래프이다. 설명의 편의를 위해 도 2a에서의 구성들을 참조하여 설명한다. 벤딩에 의해 반도체층(220A)이 받는 힘은 반도체층(220A)의 세그먼트 길이에 비례한다. 반도체층(220A)의 세그먼트 길이가 길어지면 벤딩 방향으로 반도체층(220A)이 받는 힘이 증가하고, 반도체층(220A)이 받는 힘이 증가함에 따라 반도체층(220A)의 크랙 발생 가능성 또한 증가한다. 따라서, 플렉서블 표시 장치(200A)의 벤딩에 따른 반도체층(220A)의 크랙 발생 가능성은 반도체층(220A)의 세그먼트 길이의 최대값과 비례하고, 다양한 방향의 벤딩에 의한 반도체층(220A)의 크랙 발생 가능성은 다양한 벤딩 방향에 대한 반도체층(220A)의 세그먼트 길이의 최대값들의 평균과 비례한다.2B is a graph for explaining a force applied to a semiconductor layer employed in a flexible display device. For convenience of explanation, it will be described with reference to the components in FIG. 2A. The force applied to the semiconductor layer 220A by bending is proportional to the segment length of the semiconductor layer 220A. As the segment length of the semiconductor layer 220A increases, the force applied to the semiconductor layer 220A increases in the bending direction, and the likelihood of cracking the semiconductor layer 220A increases as the force applied to the semiconductor layer 220A increases. . Accordingly, the probability of occurrence of cracks in the semiconductor layer 220A due to bending of the flexible display device 200A is proportional to the maximum value of the segment length of the semiconductor layer 220A, and cracks in the semiconductor layer 220A due to bending in various directions. The probability of occurrence is proportional to the average of the maximum values of the segment lengths of the semiconductor layer 220A for various bending directions.

도 2를 참조하면, 원점으로부터 점 AA로의 벡터 AA, 원점으로부터 점 BB로의 벡터 BB 및 원점으로부터 점 CC로의 벡터 CC가 도시된다. 벡터 AA와 벡터 CC 사이의 각도는 60도이다. 반도체층(220A)의 연장 방향이 벡터 CC와 평행하고, 벤딩 방향도 벡터 CC와 평행한 경우, 반도체층(220A)의 세그먼트 길이인 벡터 CC의 길이는 1이다. 그러나, 반도체층(220A)의 연장 방향이 벡터 CC와 평행할 때, 벤딩 방향이 벡터 AA와 평행한 경우, 반도체층(220A)의 세그먼트 길이인 벡터 AA의 길이는 1/2이다. 상술한 바와 같이 플렉서블 표시 장치(200A)가 벤딩되는 경우 반도체층(220A)이 받는 힘은 세그먼트 길이에 비례하므로, 벤딩 방향과 반도체층(220A)의 연장 방향이 60도의 각을 가질 때 벤딩 방향에 대하여 반도체층(220A)이 받는 힘은 벤딩 방향과 반도체층(220A)의 연장 방향이 평행한 경우와 비교하여 50% 감소된다. 벤딩 방향에 대하여 반도체층(220A)이 받는 힘이 감소되면, 반도체층(220A)에 대한 크랙 발생 가능성이 감소되므로, 박막 트랜지스터(T) 및 플렉서블 표시 장치(200A)의 신뢰성이 향상된다.Referring to FIG. 2, a vector AA from an origin to a point AA, a vector BB from an origin to a point BB, and a vector CC from an origin to a point CC are shown. The angle between vector AA and vector CC is 60 degrees. When the extending direction of the semiconductor layer 220A is parallel to the vector CC and the bending direction is also parallel to the vector CC, the length of the vector CC, which is the segment length of the semiconductor layer 220A, is 1. However, when the extending direction of the semiconductor layer 220A is parallel to the vector CC and the bending direction is parallel to the vector AA, the length of the vector AA, which is the segment length of the semiconductor layer 220A, is 1/2. As described above, when the flexible display device 200A is bent, the force applied by the semiconductor layer 220A is proportional to the length of the segment, so when the bending direction and the extending direction of the semiconductor layer 220A have an angle of 60 degrees, On the other hand, the force applied by the semiconductor layer 220A is reduced by 50% compared to the case where the bending direction and the extending direction of the semiconductor layer 220A are parallel. When the force applied to the semiconductor layer 220A with respect to the bending direction is reduced, the probability of occurrence of cracks in the semiconductor layer 220A is reduced, so that the reliability of the thin film transistor T and the flexible display device 200A is improved.

도 2a를 참조하여 플렉서블 표시 장치(200A)의 구성 요소들을 설명한다. 플렉서블 표시 장치(200A)는 플렉서블 기판(210A), 게이트 배선(235A), 데이터 배선(245A) 및 반도체층(220A), 게이트 전극(230A), 소스 전극(240A) 및 드레인 전극(250A)을 포함하는 박막 트랜지스터(T)를 포함한다.Components of the flexible display device 200A will be described with reference to FIG. 2A. The flexible display device 200A includes a flexible substrate 210A, a gate line 235A, a data line 245A and a semiconductor layer 220A, a gate electrode 230A, a source electrode 240A, and a drain electrode 250A. It includes a thin film transistor (T).

플렉서블 기판(210A)은 플렉서블 표시 장치(200A)의 여러 소자들을 지지하기 위한 구성 요소이다. 플렉서블 기판(210A)은 유연성을 갖는 절연 물질로 형성될 수 있다. The flexible substrate 210A is a component for supporting various elements of the flexible display device 200A. The flexible substrate 210A may be formed of an insulating material having flexibility.

기판(210A) 상에는 게이트 배선(235A) 및 데이터 배선(245A)이 형성된다. 게이트 배선(235A) 및 데이터 배선(245A)은 도전성 물질로 형성된다. 게이트 배선(235A)과 데이터 배선(245A)은 절연 물질을 사이에 두고 서로 다른 층에 형성된다. 게이트 배선(235A)과 데이터 배선(245A)은 수직으로 배치될 수 있다. 게이트 배선(235A)과 데이터 배선(245A)의 배치는 도 2a에 도시된 방향에 제한되지 않고 다양한 방향으로 형성될 수 있다. 게이트 배선(235A)과 데이터 배선(245A)은 플렉서블 기판(210A)의 단부에서 전원부 또는 구동부와 연결된다. A gate wiring 235A and a data wiring 245A are formed on the substrate 210A. The gate wiring 235A and the data wiring 245A are formed of a conductive material. The gate wiring 235A and the data wiring 245A are formed on different layers with an insulating material therebetween. The gate wiring 235A and the data wiring 245A may be vertically disposed. The arrangement of the gate line 235A and the data line 245A is not limited to the direction shown in FIG. 2A and may be formed in various directions. The gate wiring 235A and the data wiring 245A are connected to the power supply unit or the driving unit at the ends of the flexible substrate 210A.

플렉서블 기판(210A) 상에는 박막 트랜지스터(T)가 형성된다. 박막 트랜지스터(T)는 반도체층(220A), 게이트 전극(230A), 소스 전극(240A) 및 드레인 전극(250A)으로 구성되어 전계 효과를 통해 스위칭을 하기 위한 구성 요소이다.A thin film transistor T is formed on the flexible substrate 210A. The thin film transistor T is composed of a semiconductor layer 220A, a gate electrode 230A, a source electrode 240A, and a drain electrode 250A, and is a component for switching through an electric field effect.

반도체층(220A)은 전술한 바와 같이 플렉서블 기판(210A) 상에 게이트 배선(235A)에 대해 기울여져 형성된다.As described above, the semiconductor layer 220A is formed inclined with respect to the gate wiring 235A on the flexible substrate 210A.

반도체층(220A)과 중첩되도록 게이트 전극(230A)이 형성된다. 게이트 전극(230A)은 반도체층(220A)과 적어도 일부가 중첩된다. 게이트 전극(230A)은 게이트 배선(235A)이 연장된 방향과 수직인 방향으로 연장되어 게이트 배선(235A)과 연결된다. The gate electrode 230A is formed to overlap the semiconductor layer 220A. At least a portion of the gate electrode 230A overlaps the semiconductor layer 220A. The gate electrode 230A extends in a direction perpendicular to the direction in which the gate wiring 235A extends and is connected to the gate wiring 235A.

반도체층(220A)과 중첩되도록 소스 전극(240A) 및 드레인 전극(250A)이 형성된다. 소스 전극(240A) 및 드레인 전극(250A)은 반도체층(220A)과 적어도 일부가 중첩되며, 소스 전극(240A)은 데이터 배선(245A)과 수직하도록 연장되어 데이터 배선(245A)과 연결된다. 드레인 전극(250A)은 표시 장치의 화소 전극과 연결될 수 있다.The source electrode 240A and the drain electrode 250A are formed to overlap the semiconductor layer 220A. The source electrode 240A and the drain electrode 250A at least partially overlap the semiconductor layer 220A, and the source electrode 240A extends perpendicular to the data line 245A to be connected to the data line 245A. The drain electrode 250A may be connected to a pixel electrode of the display device.

도 2c는 플렉서블 표시 장치에서 꺾인 형상의 반도체층을 채용한 박막 트랜지스터를 도시한 평면도이다. 도 2c의 플렉서블 표시 장치(200C)의 구성 요소들 중에서 도 2a와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 중복 설명을 생략한다.2C is a plan view illustrating a thin film transistor employing a curved semiconductor layer in a flexible display device. Among the components of the flexible display device 200C of FIG. 2C, redundant descriptions of components that are substantially the same as those of FIG. 2A will be omitted.

플렉서블 표시 장치(200C)의 반도체층(220C)은 다각형의 형태로 형성된다. 반도체층(220C)은 게이트 배선(235C)이 연장된 방향과 상이한 방향으로 연장된 제1 부분(220a)과 제1 부분(220a)이 연장된 방향과 상이한 방향으로 연장된 제2 부분(220b)을 포함한다. 제2 부분(220b)이 연장된 방향은 게이트 배선(235C)이 연장된 방향과 상이한 방향이다. 예를 들어, 반도체층(220C)은 도 2a에 도시된 직사각형 반도체층(220A)의 가운데 부분이 꺾인 형태와 같이 형성될 수 있다.The semiconductor layer 220C of the flexible display device 200C is formed in a polygonal shape. The semiconductor layer 220C includes a first portion 220a extending in a direction different from the direction in which the gate wiring 235C is extended and a second portion 220b extending in a direction different from the direction in which the first portion 220a is extended. Includes. The direction in which the second portion 220b extends is a direction different from the direction in which the gate wiring 235C extends. For example, the semiconductor layer 220C may be formed such that the center portion of the rectangular semiconductor layer 220A shown in FIG. 2A is bent.

도 2c를 참조하면, 게이트 배선(235C)이 연장된 방향은 선 A로 도시되고, 반도체층(220C)의 제1 부분(220a)이 연장된 방향은 선 B로 도시되며, 반도체층(220C)의 제2 부분(220b)이 연장된 방향은 선 C로 도시된다. 전술된 바와 같이 선 A와 선 B가 이루는 각인 θ1은 0도를 초과하고 90도 미만이다. 선 A와 선 C가 이루는 각인 θ2 또한 0도를 초과하고 90도 미만이다. θ1 및 θ2은 30 내지 60도일 때가 바람직하다. θ1 및 θ2이 30 내지 60도일 경우 제1 부분(220a) 및 제2 부분(220b)의 세그먼트 길이는 반도체층(220A)이 게이트 배선(235C)이 연장된 방향과 평행할 때의 세그먼트 길이에 비해 평균적으로 50% 정도 감소될 수 있다.Referring to FIG. 2C, a direction in which the gate wiring 235C is extended is shown as a line A, and a direction in which the first part 220a of the semiconductor layer 220C is extended is shown as a line B, and the semiconductor layer 220C. The direction in which the second portion 220b of is extended is shown by line C. As described above, the angle θ 1 formed by the line A and the line B exceeds 0 degrees and is less than 90 degrees. The angle θ 2 formed by line A and line C is also greater than 0 degrees and less than 90 degrees. When θ 1 and θ 2 are 30 to 60 degrees, it is preferable. When θ 1 and θ 2 are between 30 and 60 degrees, the segment length of the first portion 220a and the second portion 220b is the segment length when the semiconductor layer 220A is parallel to the direction in which the gate wiring 235C extends. On average, it can be reduced by 50%.

다양한 실시예에서, 선 B와 선 C가 이루는 각도 또는 제1 부분(220a)과 제2 부분(220b)이 이루는 각도는 직각일 수 있다. 제1 부분(220a)과 제2 부분(220b)이 직각으로 형성되는 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(200C)에서 복수의 벤딩 방향에 대한 반도체층(220C)의 세그먼트 길이의 평균값은 최소가 된다. 도 2c에서, 게이트 전극(230C)은 반도체층(220C)의 형상을 따라 형성되며, 게이트 배선(235C)과 수직으로 연결되는 형상이 도시된다. 게이트 전극(230C)은 반도체층(220C)과 중첩되도록 형성되나, 반도체층(220C)의 형상에 따라 동일한 형상으로 형성되지 않고, 설계에 따라 다양한 형상으로 형성될 수도 있다. 소스 전극(240C)은 반도체층(220C)과 중첩되는 부분으로부터 연장되어 데이터 배선(245C)과 수직으로 연결되고, 드레인 전극(250C)은 반도체층(220C)과 중첩되는 부분으로부터 연장되어 화소 전극과 연결된다. In various embodiments, the angle formed by the line B and the line C or the angle formed by the first portion 220a and the second portion 220b may be a right angle. When the first portion 220a and the second portion 220b are formed at right angles, the length of the segments of the semiconductor layer 220C in a plurality of bending directions in the flexible display device 200C according to the exemplary embodiment of the present invention is The average value is minimal. In FIG. 2C, the gate electrode 230C is formed according to the shape of the semiconductor layer 220C and is vertically connected to the gate wiring 235C. The gate electrode 230C is formed to overlap the semiconductor layer 220C, but is not formed in the same shape according to the shape of the semiconductor layer 220C, but may be formed in various shapes according to design. The source electrode 240C extends from a portion overlapping the semiconductor layer 220C and is vertically connected to the data line 245C, and the drain electrode 250C extends from a portion overlapping the semiconductor layer 220C to connect the pixel electrode. Connected.

도 2d는 도 2c에 도시된 반도체층의 꺾인 부분이 곡선으로 연결된 형상의 반도체층을 채용한 박막 트랜지스터를 도시한 평면도이다. 도 2d의 플렉서블 표시 장치(200D)의 구성 요소들 중에서 도 2c와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 중복 설명을 생략한다.FIG. 2D is a plan view illustrating a thin film transistor employing a semiconductor layer in which a curved portion of the semiconductor layer shown in FIG. 2C is connected in a curved line. Among the components of the flexible display device 200D of FIG. 2D, redundant descriptions of components that are substantially the same as those of FIG. 2C will be omitted.

도 2d에서 반도체층은 배선이 연장된 방향과 상이한 방향으로 연장된 제1 부분과 제1 부분이 연장된 방향과 상이한 방향으로 연장된 제2 부분을 포함한다. 여기서, 반도체층의 제1 부분과 제2 부분은 곡선으로 연결된 부분(270a, 270b)을 갖는다. 반도체층의 제1 부분과 제2 부분이 곡선으로 연결되는 경우, 플렉서블 표시 장치(200D)가 벤딩될 때 반도체층의 모서리부에 집중되는 힘이 분산될 수 있고, 반도체층의 모서리부에서의 크랙 발생 가능성을 낮출 수 있다.In FIG. 2D, the semiconductor layer includes a first portion extending in a direction different from the direction in which the wiring is extended, and a second portion extending in a direction different from the direction in which the first portion is extended. Here, the first portion and the second portion of the semiconductor layer have portions 270a and 270b connected in a curved line. When the first portion and the second portion of the semiconductor layer are connected in a curved line, when the flexible display device 200D is bent, the force concentrated on the edge portion of the semiconductor layer may be dispersed, and cracks at the edge portion of the semiconductor layer It can reduce the likelihood of occurrence.

도 2e는 플렉서블 표시 장치에서 게이트 전극과 소스 전극의 형상을 설명하기 위해 박막 트랜지스터를 도시한 평면도이다. 도 2e의 플렉서블 표시 장치(200E)의 구성 요소들 중에서 도 2a와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 중복 설명을 생략한다.2E is a plan view illustrating a thin film transistor to describe shapes of a gate electrode and a source electrode in a flexible display device. Redundant descriptions of components that are substantially the same as those of FIG. 2A among components of the flexible display device 200E of FIG. 2E will be omitted.

게이트 전극(230E)과 소스 전극(240E) 각각은 게이트 배선(235E) 또는 데이터 배선(245E)이 연장된 방향에 대하여 기울여져 연장된다. 도 2e를 참조하면, 게이트 전극(230E)은 반도체층(220E)의 단축 방향과 평행한 방향으로 연장되어 게이트 배선(235E)에 연결된다. 또한, 소스 전극(230E)은 반도체층(220E)의 장축이 연장된 방향과 평행한 방향으로 연장되어 데이터 배선(245E)에 연결된다.Each of the gate electrode 230E and the source electrode 240E is inclined and extended with respect to the direction in which the gate wiring 235E or the data wiring 245E extends. Referring to FIG. 2E, the gate electrode 230E extends in a direction parallel to the short axis direction of the semiconductor layer 220E and is connected to the gate wiring 235E. Further, the source electrode 230E extends in a direction parallel to the direction in which the long axis of the semiconductor layer 220E extends and is connected to the data line 245E.

게이트 전극(230E)과 소스 전극(240E) 각각은 게이트 배선(235E) 또는 데이터 배선(245E)이 연장된 방향에 대하여 기울여져 연장됨으로써, 다양한 방향의 벤딩에 따른 세그먼트 길이의 평균이 감소된다. 즉, 게이트 전극(230E)과 소스 전극(240E)이 게이트 배선(235E) 또는 데이터 배선(245E)이 연장된 방향과 평행한 방향으로 연장되는 경우와 비교할 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(200E)에서는 다양한 벤딩 방향에 대해서 게이트 전극(230E)과 소스 전극(240E)의 세그먼트 길이의 평균이 감소한다.Each of the gate electrode 230E and the source electrode 240E is inclined and extended with respect to the direction in which the gate line 235E or the data line 245E extends, so that an average of segment lengths due to bending in various directions is reduced. That is, compared to the case where the gate electrode 230E and the source electrode 240E extend in a direction parallel to the direction in which the gate line 235E or the data line 245E extends, the flexible In the display device 200E, the average of the segment lengths of the gate electrode 230E and the source electrode 240E decreases for various bending directions.

도 2f는 플렉서블 표시 장치에서 다양한 배선의 형상을 설명하기 위해 박막 트랜지스터를 도시한 개략적인 평면도이다. 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 표시 장치는 다양한 형상의 배선을 채용할 수 있다. 도 2f에서 플렉서블 표시 장치(200F)의 게이트 배선(235F) 및 데이터 배선(245F)은 삼각파 형상으로 도시된다. 게이트 배선(235F) 및 데이터 배선(245F)이 삼각파 형상으로 형성됨에 따라, 모든 방향에 대한 게이트 배선(235F) 및 데이터 배선(245F)의 평균적인 세그먼트 길이가 감소한다. 따라서 플렉서블 표시 장치(200F)가 복수의 방향으로 벤딩되는 경우, 모든 벤딩 방향에 대하여 게이트 배선(235F) 및 데이터 배선(245F)에 가해지는 힘이 줄어들게 되므로 배선에서의 크랙 발생을 감소시킬 수 있으며, 배선에서의 단선이 최소화되어 플렉서블 표시 장치(200F)의 신뢰성이 향상될 수 있다.FIG. 2F is a schematic plan view illustrating a thin film transistor to describe various wiring shapes in a flexible display device. According to an exemplary embodiment of the present invention, the flexible display device may employ wires of various shapes. In FIG. 2F, the gate wiring 235F and the data wiring 245F of the flexible display device 200F are shown in a triangular wave shape. As the gate wiring 235F and the data wiring 245F are formed in a triangular wave shape, the average segment length of the gate wiring 235F and the data wiring 245F in all directions decreases. Therefore, when the flexible display device 200F is bent in a plurality of directions, the force applied to the gate wiring 235F and the data wiring 245F in all bending directions is reduced, so that the occurrence of cracks in the wiring can be reduced. Since disconnection in the wiring is minimized, reliability of the flexible display device 200F may be improved.

게이트 배선(235F) 또는 데이터 배선(245F)은 삼각파 형상 이외에도 구형파 형상, 정현파 형상이나 마름모 형상으로 형성될 수도 있다. 게이트 배선(235F) 또는 데이터 배선(245F)의 형상에 의해 일직선으로 형성된 것 보다 세그먼트의 길이가 감소된다면 게이트 배선(235F) 또는 데이터 배선(245F)은 어떠한 형상으로도 형성될 수 있다.In addition to the triangular wave shape, the gate wiring 235F or the data wiring 245F may be formed in a square wave shape, a sinusoidal wave shape, or a rhombus shape. The gate wiring 235F or the data wiring 245F may be formed in any shape if the length of the segment is reduced rather than being formed in a straight line by the shape of the gate wiring 235F or the data wiring 245F.

또한, 게이트 배선(235F) 또는 데이터 배선(245F)의 폭은 주기적으로 변경될 수 있다. 게이트 배선(235F) 또는 데이터 배선(245F)의 폭이 주기적으로 변경되는 경우, 게이트 배선(235F) 또는 데이터 배선(245F)은 배선이 연장된 방향의 벤딩에 대해서 특히 신뢰성이 높아질 수 있다.Also, the width of the gate wiring 235F or the data wiring 245F may be periodically changed. When the width of the gate wiring 235F or the data wiring 245F is periodically changed, the reliability of the gate wiring 235F or the data wiring 245F may be particularly high with respect to bending in the direction in which the wiring is extended.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 일 방향으로 벤딩되어 고정된 커브드 표시 장치를 도시한 개념도이다. 커브드 표시 장치(300)는 벤딩 영역(BA)을 포함하고, 벤딩 영역(BA)은 발광 영역(EA)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 커브드 표시 장치(300)의 벤딩 영역(BA)은 커브드 표시 장치(300)의 일측에 평행한 방향(320)으로 벤딩된 상태로 고정되어 있고, 복수개의 박막 트랜지스터 영역(TFTA)을 포함된다.3 is a conceptual diagram illustrating a curved display device in which a flexible display device according to an exemplary embodiment is bent and fixed in one direction. The curved display device 300 includes a bending area BA, and the bending area BA includes a light emitting area EA. The bending area BA of the curved display device 300 according to the exemplary embodiment of the present invention is fixed in a state that is bent in a direction 320 parallel to one side of the curved display device 300, and a plurality of thin films The transistor region TFTA is included.

도 4a 내지 도 4d는 박막 트랜지스터를 포함하는 커브드 표시 장치를 도시한 평면도들이다. 도 4a 내지 도 4d에서는 직사각형의 커브드 표시 장치(400A, 400B, 400C, 400D)의 벤딩된 영역에 위치한 박막 트랜지스터(T)를 설명하기 위해 박막 트랜지스터(T)가 형성된 영역을 확대하여 도시한다. 4A to 4D are plan views illustrating a curved display device including a thin film transistor. In FIGS. 4A to 4D, a region in which the thin film transistor T is formed is enlarged and illustrated to describe the thin film transistor T positioned in the bent region of the rectangular curved display devices 400A, 400B, 400C, and 400D.

또한 도 4a 내지 도 4d에서는 커브드 표시 장치(400A, 400B, 400C, 400D)의 기판(410A, 410B, 410C, 410D)이 하부 측(401A, 401B, 401C, 401D)과 평행한 방향으로 벤딩되어 고정된 것을 도시하였지만, 벤딩 방향은 커브드 표시 장치(400A, 400B, 400C, 400D)의 다른 일측 또는 일측과 특정 각도를 갖는 어느 하나의 방향과 평행할 수도 있다. 또한 직사각형 모양의 커브드 표시 장치(400A, 400B, 400C, 400D)를 도시하였으나, 커브드 표시 장치의 형상은 다각형 혹은 곡면을 갖는 형상 등 다양한 형상일 수 있다.In addition, in FIGS. 4A to 4D, the substrates 410A, 410B, 410C, and 410D of the curved display devices 400A, 400B, 400C, and 400D are bent in a direction parallel to the lower sides 401A, 401B, 401C, and 401D. Although a fixed one is shown, the bending direction may be parallel to the other side or one side of the curved display devices 400A, 400B, 400C, 400D and any one direction having a specific angle. In addition, although the curved display devices 400A, 400B, 400C, and 400D have a rectangular shape, the curved display device may have various shapes, such as a polygonal shape or a curved shape.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 커브드 표시 장치의 박막 트랜지스터를 도시한 평면도이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 커브드 표시 장치(400A)에서 반도체층(420A)은 기판(410A)의 벤딩 방향에 대해 기울어진 방향으로 연장된다. 반도체층(420A)이 기판(410A)의 벤딩 방향에 대해 기울어진 방향으로 연장된 것은 벤딩에 의해 반도체층(420A)이 받는 힘을 분산시키기 위함이다. 반도체층(420A)이 커브드 표시 장치(400A)의 벤딩 방향에 대해 기울어져 형성된 경우, 반도체층(420A)이 커브드 표시 장치(400A)의 벤딩 방향과 평행하게 형성되는 경우 보다 반도체층(420A)의 세그먼트 길이가 줄어든다. 따라서, 커브드 표시 장치(400A)에서 반도체층(420A)이 받는 힘이 상대적으로 감소하고, 반도체층(420A)이 물리적으로 손상되는 빈도가 줄어든다.4A is a plan view illustrating a thin film transistor of a curved display device according to an exemplary embodiment. In the curved display device 400A according to the exemplary embodiment, the semiconductor layer 420A extends in a direction inclined with respect to the bending direction of the substrate 410A. The reason that the semiconductor layer 420A extends in a direction inclined with respect to the bending direction of the substrate 410A is to disperse the force received by the semiconductor layer 420A by bending. When the semiconductor layer 420A is formed inclined with respect to the bending direction of the curved display device 400A, the semiconductor layer 420A is formed in parallel with the bending direction of the curved display device 400A. ), the length of the segment is reduced. Accordingly, the force received by the semiconductor layer 420A in the curved display device 400A is relatively reduced, and the frequency of physical damage to the semiconductor layer 420A decreases.

도 4b는 게이트 전극과 소스 전극이 연장된 형태를 설명하기 위한 커브드 표시 장치를 도시한 평면도이다. 도 4b의 커브드 표시 장치(400B)의 구성 요소들 중에서 도 4a와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 중복 설명을 생략한다.4B is a plan view illustrating a curved display device for explaining an extended form of a gate electrode and a source electrode. Among the constituent elements of the curved display device 400B of FIG. 4B, overlapping descriptions of constituent elements that are substantially the same as those of FIG. 4A will be omitted.

게이트 전극(430B)과 소스 전극(440B) 각각은 벤딩 방향에 대하여 기울여져 연장된다. 게이트 전극(430B)과 소스 전극(440B) 각각은 반도체층(420B)의 일측과 평행한 방향으로 연장되어 게이트 배선(435B) 및 데이터 배선(445B)과 접한다. Each of the gate electrode 430B and the source electrode 440B extends inclined with respect to the bending direction. Each of the gate electrode 430B and the source electrode 440B extends in a direction parallel to one side of the semiconductor layer 420B to contact the gate line 435B and the data line 445B.

게이트 전극(430B)과 소스 전극(440B) 각각이 벤딩 방향에 대하여 기울여져 연장됨으로써, 게이트 전극(430B) 및 소스 전극(440B)의 세그먼트 길이가 줄어든다. 따라서, 게이트 전극(430B) 및 소스 전극(440B)이 벤딩 방향으로 받는 힘도 최소화된다.Each of the gate electrode 430B and the source electrode 440B is inclined and extended with respect to the bending direction, so that the length of the segments of the gate electrode 430B and the source electrode 440B is reduced. Accordingly, the force applied by the gate electrode 430B and the source electrode 440B in the bending direction is also minimized.

도 4c는 커브드 표시 장치의 일측에 대해 기울어진 방향으로 연장된 배선을 설명하기 위한 커브드 표시 장치의 평면도이다. 도 4c의 커브드 표시 장치(400C)의 구성 요소들 중에서 도 4a와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 중복 설명을 생략한다.4C is a plan view of a curved display device for explaining wiring extending in a direction inclined with respect to one side of the curved display device. Among the constituent elements of the curved display device 400C of FIG. 4C, redundant descriptions of constituent elements that are substantially the same as those of FIG. 4A will be omitted.

도 4c는 도 4a에서의 박막 트랜지스터(T)의 구성 요소 및 배선이 커브드 표시 장치(400C)의 벤딩 방향에 대해 기울여져 연장된 실시예를 도시한다. 특히, 상대적으로 긴 세그먼트 길이를 가질 수 있는 데이터 배선(445C) 및 게이트 배선(435C)이 커브드 표시 장치(400C)의 벤딩 방향에 대해 기울어진 방향으로 연장된다. 따라서, 배선에서의 단선이 최소화되어 커브드 표시 장치(400C)의 내구성이 향상된다.4C illustrates an exemplary embodiment in which components and wirings of the thin film transistor T in FIG. 4A are inclined with respect to the bending direction of the curved display device 400C to extend. In particular, the data line 445C and the gate line 435C, which may have a relatively long segment length, extend in a direction inclined with respect to the bending direction of the curved display device 400C. Accordingly, disconnection in the wiring is minimized, and durability of the curved display device 400C is improved.

도 4c에서는 커브드 표시 장치(400C)의 배선이 직선형인 것을 도시하였으나, 게이트 배선(435C) 또는 데이터 배선(445C)은 삼각파 형상, 구형파 형상, 정현파 형상이나 마름모 형상으로 형성될 수도 있다. 게이트 배선(435C) 또는 데이터 배선(445C)의 형상에 의해 벤딩 방향에 대한 세그먼트의 길이가 감소된다면 게이트 배선(435C) 또는 데이터 배선(445C)은 어떠한 형상으로도 형성될 수 있다. 4C illustrates that the wiring of the curved display device 400C is straight, the gate wiring 435C or the data wiring 445C may be formed in a triangular wave shape, a square wave shape, a sinusoidal wave shape, or a rhombus shape. If the length of the segment in the bending direction is reduced by the shape of the gate line 435C or the data line 445C, the gate line 435C or the data line 445C may have any shape.

도 4d는 다양한 형상으로 형성된 배선을 설명하기 위해 커브드 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 4d의 커브드 표시 장치(400D)의 구성 요소들 중에서 도 4a와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 중복 설명을 생략한다.4D is a plan view schematically illustrating a curved display device to describe wirings formed in various shapes. Redundant descriptions of components that are substantially the same as those of FIG. 4A among the components of the curved display device 400D of FIG. 4D will be omitted.

커브드 표시 장치(400D)의 반도체층(420D)은 다각형의 형태로 형성된다. 반도체층(420D)은 벤딩 방향에 대하여 기울여진 방향으로 연장된 제1 부분(420a)과 제1 부분(420a)이 연장된 방향과 상이한 방향으로 연장된 제2 부분(420b)을 포함한다. 제2 부분(420b)이 연장된 방향은 벤딩 방향과 상이한 방향이다. 예를 들어, 반도체층(420D)은 도 4a에 도시된 직사각형 반도체층(420A)의 가운데 부분이 꺾인 형태와 같이 형성될 수 있다. 제1 부분(420a)과 제2 부분(420b)이 벤딩 방향과 상이한 방향으로 연장되는 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 커브드 표시 장치(400D)에서 반도체층(420D)의 세그먼트 길이가 최소화된다. The semiconductor layer 420D of the curved display device 400D is formed in a polygonal shape. The semiconductor layer 420D includes a first portion 420a extending in a direction inclined with respect to the bending direction and a second portion 420b extending in a direction different from the direction in which the first portion 420a is extended. The direction in which the second portion 420b extends is a direction different from the bending direction. For example, the semiconductor layer 420D may be formed such that the center portion of the rectangular semiconductor layer 420A shown in FIG. 4A is bent. When the first portion 420a and the second portion 420b extend in a direction different from the bending direction, the segment length of the semiconductor layer 420D is minimized in the curved display device 400D according to the exemplary embodiment of the present invention. do.

다양한 실시 형태 중의 하나로, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 플렉서블 표시 장치의 모든 구성요소가 다양한 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치일 수 있다.As one of various embodiments, the flexible display device according to an embodiment of the present invention may be a flexible display device in which all components of the flexible display device can be bent in various directions.

다양한 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치에서는 반도체층이 배선이 연장된 방향과 상이한 방향으로 형성된다. 또한, 플렉서블 표시 장치는 배선이 연장된 방향과 상이한 방향으로 연장되어 형성된 반도체층에 더하여, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극 게이트 배선 및 데이터 배선도 복수의 벤딩 방향에 대해 세그먼트 길이가 감소하도록 형성될 수 있다. 박막 트렌지스터(T)의 구성 요소들이 복수의 벤딩 방향에 대해 세그먼트 길이가 감소하는 경우, 플렉서블 표시 장치는 복수의 방향으로 벤딩 가능하게 구성된다. 따라서, 플렉서블 표시장치가 복수의 방향으로 벤딩될 때, 벤딩에 의해 플렉서블 표시 장치의 모든 구성들이 받는 힘이 줄어들고, 복수의 방향으로의 벤딩에 대해서 박막 트랜지스터(T)의 구성 요소들의 크랙 발생 가능성이 감소된다In a flexible display device that can be bent in various directions, a semiconductor layer is formed in a direction different from the direction in which the wiring is extended. In addition, in the flexible display device, in addition to the semiconductor layer formed by extending in a direction different from the direction in which the wiring is extended, the source electrode, the drain electrode, the gate electrode, the gate wiring, and the data wiring may be formed such that the segment length decreases for a plurality of bending directions. have. When the segment length of the components of the thin film transistor T decreases in a plurality of bending directions, the flexible display device is configured to be bent in a plurality of directions. Therefore, when the flexible display device is bent in a plurality of directions, the force applied to all the components of the flexible display device is reduced by bending, and the possibility of cracking of the components of the thin film transistor T is likely to occur when the flexible display device is bent in a plurality of directions. Decrease

또한, 모든 구성 요소가 다양한 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치에서, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극 게이트 배선 및 데이터 배선은 적어도 일 방향으로 연장되다가 일 방향과는 상이한 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 이 경우, 플렉서블 표시 장치가 복수의 방향으로 벤딩될 때, 평균적으로 벤딩 방향에 대한 구성 요소들의 세그먼트 길이가 짧아질 수 있다.In addition, in a flexible display device in which all components are bent in various directions, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a gate line, and a data line may be formed to extend in at least one direction and then in a different direction from one direction. In this case, when the flexible display device is bent in a plurality of directions, the segment length of the constituent elements with respect to the bending direction may be shortened on average.

또한, 모든 구성 요소가 다양한 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치에서, 벤딩 방향에 따른 힘을 감소시키기 위한 다양한 구조들이 제공된다. 다양한 실시예에서, 반도체층은 반도체층이 형성된 평면 상에서 배선이 연장된 방향과 예각을 이루는 제1 부분 및 제1 부분과 대칭인 제2 부분을 포함할 수 있다.In addition, in a flexible display device in which all components are bent in various directions, various structures for reducing a force according to the bending direction are provided. In various embodiments, the semiconductor layer may include a first portion forming an acute angle with a direction in which the wiring extends on a plane in which the semiconductor layer is formed, and a second portion symmetrical with the first portion.

또한, 모든 구성 요소가 다양한 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치에서, 배선은 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 배선은 삼각파 형상, 구형파 형상, 또는 마름모 형상 중 하나로 형성될 수 있다.In addition, in a flexible display device in which all components are bent in various directions, wires may be formed in various shapes. For example, the wiring may be formed in one of a triangular wave shape, a square wave shape, or a rhombus shape.

또한, 모든 구성 요소가 다양한 방향으로 벤딩 가능한 플렉서블 표시 장치에서, 소스 전극 또는 드레인 전극은 배선과 상이한 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.In addition, in a flexible display device in which all components are bent in various directions, the source electrode or the drain electrode may be formed to extend in a direction different from that of the wiring.

이하에서는, 본 발명의 플렉서블 표시 장치의 다양한 특징들에 대해 설명한다.Hereinafter, various features of the flexible display device of the present invention will be described.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 반도체층의 제1 부분의 시작점과 끝점을 잇는 가상의 선이 이루는 방향이 제1 방향이고 반도체층의 제2 부분의 시작점과 끝점을 잇는 가상의 선이 이루는 방향이 제2 방향이고, 배선과 제1 방향 및/또는 제2 방향이 이루는 각은 예각인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, a direction formed by a virtual line connecting the start point and the end point of the first portion of the semiconductor layer is the first direction, and the direction formed by the virtual line connecting the start point and the end point of the second portion of the semiconductor layer is It is a second direction, and an angle formed by the wiring and the first direction and/or the second direction is an acute angle.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 방향과 제2 방향이 이루는 각도는 직각인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, an angle formed by the first direction and the second direction is a right angle.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 배선과 제1 방향 또는 제2 방향이 이루는 각도는 30도 내지 60도 사이인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, an angle formed between the wiring and the first direction or the second direction is between 30 degrees and 60 degrees.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 부분과 제2 부분이 전기적으로 연결된 부분은 곡선인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, a portion electrically connected to the first portion and the second portion is characterized in that it is curved.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 박막 트랜지스터는, 반도체층의 적어도 일부와 중첩되어 형성된 게이트 전극, 반도체층의 일 영역에 접하는 소스 전극, 반도체층의 다른 일 영역에 접하는 드레인 전극을 더 포함하고, 소스 전극 또는 게이트 전극은 배선이 연장된 방향에 대하여 기울여져 연장되어 배선에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the thin film transistor further includes a gate electrode formed to overlap at least a portion of the semiconductor layer, a source electrode in contact with one region of the semiconductor layer, and a drain electrode in contact with another region of the semiconductor layer, The source electrode or the gate electrode is inclined and extended with respect to the direction in which the wiring is extended, and is electrically connected to the wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 배선은 삼각파 형상, 구형파 형상, 정현파 형상 또는 마름모 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the wiring is characterized in that it is formed in a triangular wave shape, a square wave shape, a sinusoidal wave shape, or a rhombus shape.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 배선의 폭은 일정하지 않은 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the width of the wiring is not constant.

본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 벤딩된 영역을 포함하는 기판, 및 기판 상에 형성된 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하고, 기판의 벤딩된 영역은 표시 장치의 일측에 평행한 방향으로 벤딩되고, 반도체층은 기판의 벤딩 방향과 기울어진 방향으로 연장되고, 반도체층은 벤딩 방향에 대하여 기울여진 제1 방향으로 연장된 제1 부분 및 제1 방향과는 상이한 제2 방향으로 연장된 제2 부분을 포함하고, 제1 부분과 제2 부분이 곡선으로 연결되는 것을 특징으로 한다.A flexible display device according to another exemplary embodiment of the present invention includes a substrate including a bent region and a thin film transistor having a semiconductor layer formed on the substrate, and the bent region of the substrate is in a direction parallel to one side of the display device. Is bent, the semiconductor layer extends in a direction inclined to the bending direction of the substrate, and the semiconductor layer extends in a first direction inclined with respect to the bending direction and a first portion extending in a second direction different from the first direction. It includes two parts, and characterized in that the first part and the second part are connected by a curve.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 벤딩된 영역에서 기판 상에 형성된 배선을 더 포함하고, 배선은 벤딩 방향에 대하여 기울어진 부분을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, a wiring formed on the substrate in the bent region is further included, and the wiring includes a portion inclined with respect to the bending direction.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 방향은 벤딩 방향에 대해 기울어진 방향인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the second direction is characterized in that it is inclined with respect to the bending direction.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 반도체층은 삼각파 형상, 구형파 형상, 정현파 형상 또는 마름모 형상 중 하나인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the semiconductor layer is characterized in that one of a triangular wave shape, a square wave shape, a sinusoidal wave shape, or a rhombus shape.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 부분과 상기 제2 부분이 이루는 각도는 직각인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, an angle formed between the first portion and the second portion is a right angle.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 반도체층의 폭은 일정하지 않은 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the width of the semiconductor layer is characterized in that it is not constant.

이상으로 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the present invention has been described in more detail with reference to the above examples, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100, 200A, 200C, 200D, 200E, 200F : 플렉서블 표시 장치
110, 201A, 310, 410A, 410B, 410C, 410D : 플렉서블 기판
220A, 220C, 220E, 220F, 420A, 420B, 420C, 420D : 반도체층
230A, 230C, 230E, 430A, 430B, 430C, 430D : 게이트 전극
235A, 235C, 235E, 235F, 435A, 435B, 435C, 435D : 게이트 배선
240A, 240C, 240E, 240F, 440A, 440B, 440C, 440D : 소스 전극
245A, 245C, 245E, 245F, 445A, 445B, 445C, 445D : 데이터 배선
250A, 250C, 250E, 250F, 450A, 450B, 450C, 450D : 드레인 전극
220a : 제1 부분
220b : 제2 부분
270a, 270b : 곡선으로 연결된 부분
300, 400A, 400B, 400C, 400D : 커브드 표시 장치
320 : 벤딩 방향
401A, 401B, 401C, 401D: 커브드 표시 장치의 일측100, 200A, 200C, 200D, 200E, 200F: Flexible display device
110, 201A, 310, 410A, 410B, 410C, 410D: Flexible PCB
220A, 220C, 220E, 220F, 420A, 420B, 420C, 420D: Semiconductor layer
230A, 230C, 230E, 430A, 430B, 430C, 430D: gate electrode
235A, 235C, 235E, 235F, 435A, 435B, 435C, 435D: Gate wiring
240A, 240C, 240E, 240F, 440A, 440B, 440C, 440D: Source electrode
245A, 245C, 245E, 245F, 445A, 445B, 445C, 445D: Data wiring
250A, 250C, 250E, 250F, 450A, 450B, 450C, 450D: Drain electrode
220a: first part
220b: second part
270a, 270b: parts connected by curves
300, 400A, 400B, 400C, 400D: Curved display device
320: bending direction
401A, 401B, 401C, 401D: One side of a curved display device

Claims (14)

벤딩 가능한 벤딩 영역을 포함하는 플렉서블 기판;
상기 벤딩 영역에 형성된 배선; 및
상기 플렉서블 기판 상에서 상기 벤딩 영역에 형성된 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하고,
상기 반도체층은 상기 반도체층이 형성된 평면 상에서 상기 배선이 연장된 방향에 대해 사선으로 연장되고,
상기 반도체층은 상기 반도체층이 형성된 평면 상에서 상기 배선이 연장된 방향과 제1 예각을 이루는 제1 부분 및 상기 반도체층이 형성된 평면 상에서 상기 배선이 연장된 방향과 제2 예각을 이루는 제2 부분을 포함하는, 플렉서블 표시 장치.A flexible substrate including a bendable bendable region;
Wiring formed in the bending area; And
Including a thin film transistor including a semiconductor layer formed in the bending region on the flexible substrate,
The semiconductor layer extends diagonally with respect to a direction in which the wiring is extended on a plane in which the semiconductor layer is formed,
The semiconductor layer includes a first portion forming a first acute angle with a direction in which the wiring is extended on a plane in which the semiconductor layer is formed, and a second portion forming a second acute angle with a direction in which the wiring is extended on a plane in which the semiconductor layer is formed. Including, a flexible display device. 제1항에 있어서,
상기 반도체층의 제1 부분의 시작점과 끝점을 잇는 가상의 선이 이루는 방향이 제1 방향, 상기 반도체층의 제2 부분의 시작점과 끝점을 잇는 가상의 선이 이루는 방향이 제2 방향이고,
상기 배선과 상기 제1 방향 및/또는 상기 제2 방향이 이루는 각은 예각인, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 1,
A direction formed by a virtual line connecting a start point and an end point of the first portion of the semiconductor layer is a first direction, and a direction formed by a virtual line connecting the start point and an end point of the second portion of the semiconductor layer is a second direction,
The flexible display device, wherein an angle formed between the wiring and the first direction and/or the second direction is an acute angle. 제2항에 있어서,
상기 제1 방향과 상기 제2 방향이 이루는 각도는 직각인, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 2,
The flexible display device, wherein an angle formed by the first direction and the second direction is a right angle. 제2항에 있어서,
상기 배선과 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향이 이루는 각도는 30도 내지 60도 사이인, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 2,
The flexible display device, wherein an angle formed between the wiring and the first direction or the second direction is between 30 degrees and 60 degrees. 제1항에 있어서,
상기 배선과 상기 제1 부분 또는 상기 제2 부분이 전기적으로 연결된 부분은 곡선인, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 1,
The flexible display device, wherein a portion electrically connected to the wiring and the first portion or the second portion is curved. 제1항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는,
상기 반도체층의 적어도 일부와 중첩되어 형성된 게이트 전극;
상기 반도체층의 일 영역에 접하는 소스 전극;
상기 반도체층의 다른 일 영역에 접하는 드레인 전극을 더 포함하고, 상기 소스 전극 또는 상기 게이트 전극은 상기 배선이 연장된 방향에 대하여 기울여져 연장되어 상기 배선에 전기적으로 연결된, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 1,
The thin film transistor,
A gate electrode formed to overlap at least a portion of the semiconductor layer;
A source electrode in contact with a region of the semiconductor layer;
The flexible display device further comprising a drain electrode in contact with another region of the semiconductor layer, wherein the source electrode or the gate electrode extends inclined with respect to a direction in which the wiring is extended and is electrically connected to the wiring. 제1항에 있어서,
상기 배선은 삼각파 형상, 구형파 형상, 정현파 형상 또는 마름모 형상으로 형성된, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 1,
The wiring is formed in a triangular wave shape, a square wave shape, a sinusoidal wave shape, or a rhombus shape. 제1항에 있어서,
상기 배선의 폭은 일정하지 않은, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 1,
The flexible display device, wherein the width of the wiring is not constant. 벤딩된 영역을 포함하는 기판; 및
상기 기판 상에서 상기 벤딩된 영역에 형성된 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하고,
상기 기판의 상기 벤딩된 영역은 표시 장치의 일측에 평행한 방향으로 벤딩되고,
상기 반도체층은 상기 기판의 벤딩 방향과 기울어진 방향으로 연장되고,
상기 반도체층은 상기 벤딩 방향에 대하여 기울여진 제1 방향으로 연장된 제1 부분 및 상기 제1 방향과는 상이한 제2 방향으로 연장된 제2 부분을 포함하고,
상기 제1 부분과 상기 제2 부분이 곡선으로 연결되는, 플렉서블 표시 장치.A substrate including a bent region; And
A thin film transistor having a semiconductor layer formed in the bent region on the substrate,
The bent region of the substrate is bent in a direction parallel to one side of the display device,
The semiconductor layer extends in a bending direction and an inclined direction of the substrate,
The semiconductor layer includes a first portion extending in a first direction inclined with respect to the bending direction and a second portion extending in a second direction different from the first direction,
The flexible display device, wherein the first portion and the second portion are connected in a curved line. 제9항에 있어서,
상기 벤딩된 영역에서 상기 기판 상에 형성된 배선을 더 포함하고,
상기 배선은 상기 벤딩 방향에 대하여 기울어진 부분을 포함하는, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 9,
Further comprising a wiring formed on the substrate in the bent region,
The flexible display device, wherein the wiring includes a portion inclined with respect to the bending direction. 제9항에 있어서,
상기 제2 방향은 상기 벤딩 방향에 대해 기울어진 방향인, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 9,
The second direction is a direction inclined with respect to the bending direction. 제9항에 있어서,
상기 반도체층은 삼각파 형상, 구형파 형상, 정현파 형상 또는 마름모 형상 중 하나인, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 9,
The semiconductor layer has one of a triangular wave shape, a square wave shape, a sine wave shape, or a rhombus shape. 제9항에 있어서,
상기 제1 부분과 상기 제2 부분이 이루는 각도는 직각인, 플렉서블 표시 장치.The method of claim 9,
The flexible display device, wherein an angle formed between the first portion and the second portion is a right angle. 제9항에 있어서,
상기 반도체층의 폭은 일정하지 않은, 플렉서블 표시 장치.
The method of claim 9,
The flexible display device, wherein the width of the semiconductor layer is not constant.
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