KR102252114B1 - Light emitting device package - Google Patents

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사토시 오제키
유이치로 탄다
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 형태는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 발광 소자; 상기 발광 소자가 배치된 리드 프레임; 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 리플렉터층; 및 상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층을 둘러싸는 수지 패키지;를 포함하고, 상기 리플렉터층은 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 정반사하는 경사면을 포함하고, 상기 경사면과 상기 리플렉터층의 하면 사이의 각도는, 25도 이상 35도 이하이다.The embodiment relates to a light emitting device package.
A light-emitting device package according to an embodiment includes: a light-emitting device; A lead frame in which the light emitting element is disposed; A reflector layer disposed on the lead frame and reflecting light emitted from the light emitting device; And a resin package surrounding the lead frame and the reflector layer, wherein the reflector layer includes an inclined surface for specularly reflecting light emitted from the light emitting device, and an angle between the inclined surface and a lower surface of the reflector layer is, It is 25 degrees or more and 35 degrees or less.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시 형태는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 고효율 및 친환경적인 광원으로서, 다양한 분야에서 각광을 받고 있다. 발광 다이오드(LED)는 예를 들어 디스플레이(표시 장치), 광 통신, 자동차 및 일반 조명에 이르기까지 여러 분야에서 사용되고 있다. 특히, 백색광을 구현하는 백색 발광 다이오드는 그 수요가 점점 증가하고 있다. Light Emitting Diodes (LEDs) are highly efficient and eco-friendly light sources, and are in the spotlight in various fields. Light-emitting diodes (LEDs) are used in various fields, for example, to displays (display devices), optical communications, automobiles, and general lighting. In particular, white light emitting diodes that implement white light are increasingly in demand.

일반적으로, 이와 같은 발광 소자는 개개의 소자가 제조된 후에 패키징되어 사용된다. 발광 소자 패키지는 방열체를 포함하는 수지 패키지 바디에 발광칩이 실장된다. 발광칩은 와이어를 통하여 리드와 전기적으로 연결되고, 발광칩 상측에는 수지와 실리콘과 같은 봉지재가 채워지고, 그 상측에 렌즈가 구비된다. 이러한 구조의 발광 소자 패키지는 발광 소자 구동 시 발생하게 되는 열의 전달이 느려 방열 효과가 낮다. 따라서, 발광 소자의 광특성이 저하될 수 있으며, 수지 패키지 바디 사이에 방열체를 삽입하는 패키지 공정은 빠른 공정 속도를 기대하기 어렵다.In general, such light-emitting devices are packaged and used after individual devices are manufactured. In the light emitting device package, a light emitting chip is mounted on a resin package body including a radiator. The light emitting chip is electrically connected to the lead through a wire, and the upper side of the light emitting chip is filled with an encapsulant such as resin and silicone, and a lens is provided on the upper side thereof. The light emitting device package having such a structure has low heat dissipation effect due to slow transfer of heat generated when the light emitting device is driven. Accordingly, the optical characteristics of the light emitting device may be deteriorated, and it is difficult to expect a fast process speed in a package process of inserting a heat sink between the resin package bodies.

방열체 없이 발광 소자를 리드 프레임에 실장하는 경우, 리드 프레임을 통해 열이 방출되기 때문에 방열성능이 낮아 고출력용 발광 소자에는 적용하기 어려운 문제가 있었다. 또한, 발광 소자용 리드 프레임에 사용되는 수지 패키지는 장시간 광에 노출되면 변색되거나 변질되어 광특성을 저하시키는 문제가 있었다.When a light emitting device is mounted on a lead frame without a radiator, since heat is radiated through the lead frame, the heat dissipation performance is low, and thus it is difficult to apply to a high output light emitting device. In addition, when exposed to light for a long period of time, the resin package used in the lead frame for a light emitting device is discolored or deteriorated, thereby deteriorating optical characteristics.

실시 형태는 리드 프레임과 수지 패키지 사이의 밀착성을 높일 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving adhesion between a lead frame and a resin package.

실시 형태는 하부로부터 수분이나 이물질의 침투를 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다The embodiment provides a light emitting device package capable of preventing penetration of moisture or foreign matter from the bottom.

실시 형태는 발광 소자의 실장시에 발생하는 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of preventing penetration of foreign substances generated during mounting of the light emitting device.

실시 형태는 리플렉터를 리드 프레임 상에 안정적으로 고정시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of stably fixing a reflector on a lead frame.

실시 형태는 리플렉터 상에 렌즈 또는 플레이트를 선택적으로 장착할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of selectively mounting a lens or a plate on a reflector.

실시 형태는 리드 프레임 원형과 안정적으로 결합되고, 분리가 용이한 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that is stably combined with a lead frame prototype and is easily separated.

실시 형태는 리드 프레임 원형과의 마찰력을 증대시켜 접착재 없이 안정적으로 결합되는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that is stably coupled without an adhesive material by increasing friction with the original lead frame.

실시 형태는 광출력을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving light output.

실시 형태는 광 취출 속도를 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving light extraction speed.

실시 형태는 리플렉터층에 배광 얼룩이 발생되지 않는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package in which light distribution irregularities do not occur in a reflector layer.

실시 형태는 광 지향성을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving light directivity.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 발광 소자; 상기 발광 소자가 배치된 리드 프레임; 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 리플렉터층; 및 상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층을 둘러싸는 수지 패키지;를 포함하고, 상기 리플렉터층은 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 정반사하는 경사면을 포함하고, 상기 경사면과 상기 리플렉터층의 하면 사이의 각도는, 25도 이상 35도 이하이고, 상기 리드 프레임은 상기 발광 소자가 배치된 제1 프레임; 및 상기 제1 프레임과 전기적으로 절연된 제2 프레임;을 포함하고, 상기 수지 패키지는 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제1 수지 패키지; 및 상기 발광 소자 및 상기 리플렉터층을 둘러싸고, 중앙부에 오목부를 갖는 제2 수지 패키지;를 포함하고, 상기 제2 수지 패키지는 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측에 수직으로 형성되는 벽부; 및 상기 벽부로부터 내측을 향하여 수평으로 돌출 형성되는 돌출부;를 포함하고, 상기 리플렉터층의 상면의 일부와 상기 돌출부의 측면으로 형성되어 렌즈가 배치되는 렌즈 가이드부; 및 상기 돌출부의 상면과 상기 벽부의 내측면으로 형성되어 플레이트가 배치되는 플레이트 가이드부;를 더 포함할 수 있다.A light-emitting device package according to an embodiment includes: a light-emitting device; A lead frame in which the light emitting element is disposed; A reflector layer disposed on the lead frame and reflecting light emitted from the light emitting device; And a resin package surrounding the lead frame and the reflector layer, wherein the reflector layer includes an inclined surface for specularly reflecting light emitted from the light emitting device, and an angle between the inclined surface and a lower surface of the reflector layer is, It is 25 degrees or more and 35 degrees or less, and the lead frame includes a first frame in which the light emitting element is disposed; And a second frame electrically insulated from the first frame, wherein the resin package includes: a first resin package disposed between the first frame and the second frame; And a second resin package surrounding the light emitting device and the reflector layer and having a concave portion at a central portion, wherein the second resin package is perpendicular to an outer side of the first lead frame, the second lead frame, and the reflector layer. A wall portion formed of; And a protrusion formed horizontally protruding from the wall portion toward the inside thereof, and including a lens guide part formed on a part of an upper surface of the reflector layer and a side surface of the protruding part to arrange a lens; And a plate guide portion formed on an upper surface of the protrusion and an inner surface of the wall portion and on which a plate is disposed.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 프레임과 수지 패키지 사이의 접착면을 증가시켜 프레임과 수지 패키지 사이의 밀착성을 높일 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may increase adhesion between the frame and the resin package by increasing an adhesive surface between the frame and the resin package.

실시 형태는 프레임과 패키지 사이의 접착면을 증가시켜 하부로부터 수분이나 이물질의 침투를 방지할 수 있다In the embodiment, the adhesion surface between the frame and the package may be increased to prevent penetration of moisture or foreign matter from the lower portion

실시 형태는 수지부가 리드 프레임의 일부를 매몰시켜 발광 소자의 실장시에 발생하는 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment, the resin part may bury a part of the lead frame to prevent the penetration of foreign substances generated during mounting of the light emitting device.

실시 형태는 리플렉터를 리드 프레임 상에 안정적으로 고정시킬 수 있다.The embodiment can stably fix the reflector on the lead frame.

실시 형태는 리플렉터 상에 렌즈 또는 플레이트를 선택적으로 장착할 수 있다.Embodiments may selectively mount a lens or plate on the reflector.

실시 형태는 리드 프레임 원형과 안정적으로 결합되고, 분리가 용이하다.The embodiment is stably coupled to the original lead frame and is easy to separate.

실시 형태는 리드 프레임 원형과의 마찰력을 증대시켜 접착재 없이 안정적으로 결합된다.The embodiment is stably coupled without an adhesive material by increasing the frictional force with the original lead frame.

실시 형태는 광출력을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve light output.

실시 형태는 광 취출 속도를 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve the light extraction speed.

실시 형태는 리플렉터층에 배광 얼룩이 발생되지 않을 수 있다.In the embodiment, light distribution irregularities may not occur in the reflector layer.

실시 형태는 광 지향성을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve light directivity.

도 1은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면사시도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 5는 리드 프레임의 사시도이다.
도 6는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 저면 사시도이다.
도 7은 실시 형태에 따른 리드 프레임이 제거된 리드 프레임 원형의 사시도이다.
도 8은 리드 프레임 원형에 발광 소자가 실장되지 않은 발광 소자 패키지가 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.
도 9는 양산이 가능한 발광 소자 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 3에 도시된 발광 소자 패키지의 수치가 포함된 설계 도면이다.
도 11은 다른 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 치수가 포함된 설계 도면이다.
도 13은 도 1 내지 도 5에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 사진이고, 도 14 내지 도 17은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 시뮬레이션 효과를 보여주는 자료들이다.
도 18은 도 11에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 사진이고, 도 19 내지 도 22는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 시뮬레이션 효과를 보여주는 자료들이다.
도 23은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 광 지향성을 보여주는 도면이고, 도 24는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 광 지향성을 보여주는 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
4 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
5 is a perspective view of a lead frame.
6 is a bottom perspective view of the light emitting device package 1 according to the embodiment.
7 is a perspective view of an original lead frame from which the lead frame according to the embodiment has been removed.
8 is a perspective view illustrating a state in which a light emitting device package in which a light emitting device is not mounted is coupled to a circular lead frame.
9 is a perspective view showing a structure of a light emitting device package capable of mass production.
10 is a design diagram including numerical values of the light emitting device package shown in FIG. 3.
11 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
12 is a design diagram including actual dimensions of the light emitting device package shown in FIG. 11.
13 are actual photographs of the light emitting device package illustrated in FIGS. 1 to 5, and FIGS. 14 to 17 are data showing a simulation effect when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 13.
18 is an actual photograph of the light emitting device package illustrated in FIG. 11, and FIGS. 19 to 22 are data showing a simulation effect when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 18.
FIG. 23 is a view showing light directivity when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 13, and FIG. 24 is a view showing light directivity when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 18.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size.

본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where one element is described as being formed "on or under" of another element, the upper (upper) or lower (Bottom) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as “on or under”, it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one element.

먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지에 대하여 설명하도록 한다.First, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.

도 1을 참고하면, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는, 발광칩(110)과 발광칩(110)이 탑재되는 서브 마운트(sub mount, 120)를 포함하는 발광 소자(100)와, 발광 소자(100)가 실장되는 리드 프레임(lead frame, 200), 발광 소자(100)와 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결하는 와이어(130), 발광 소자(100) 주위를 둘러싸고 발광소자(100)로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층 (140), 및 발광 소자 패키지(1)의 본체를 형성하는 수지 패키지(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a light emitting device package 1 according to an embodiment includes a light emitting device 100 including a light emitting chip 110 and a sub mount 120 on which the light emitting chip 110 is mounted, A lead frame 200 on which the light-emitting element 100 is mounted, a wire 130 electrically connecting the light-emitting element 100 and the lead frame 200, and the light-emitting element 100 surrounding the light-emitting element 100 ), and a resin package 300 forming a main body of the light emitting device package 1, and a reflector layer 140 that reflects light emitted from it.

발광 소자(100)는 발광 다이오드(LED)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 다이오드는 심자외선(Deep Ultra Violet, DUV)을 방출하는 DUV LED 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 각각 발광하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드일 수 있다. 발광 다이오드는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그 곳에서 재결합되어 빛이 발생되며, 활성층에서 발생된 빛은 모든 방향 또는 특정 방향으로 방출되어 노출 표면을 통해 발광 다이오드 밖으로 방출되게 된다.The light emitting device 100 may be a light emitting diode (LED), but is not limited thereto. The light emitting diode may be a DUV LED that emits deep ultraviolet (DUV), but is not limited thereto, and a red, green, blue, or white light emitting diode that emits red, green, blue, or white light, respectively. Can be A light-emitting diode is a type of solid-state device that converts electrical energy into light, and generally includes an active layer of a semiconductor material interposed between two opposing doping layers. When a bias is applied to both ends of the two doping layers, holes and electrons are injected into the active layer and then recombined there to generate light. Will be released outside.

발광칩(110)은 플립칩(Flip Chip)일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형(vertical) 칩이나, 수평형(lateral) 칩일 수 있다. 도면에서는 편의상 수평형 칩으로 설명한다. 발광칩(110)의 크기는 가로 600um, 세로 700um으로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광칩(110)은 190~400 nm의 파장의 심자외선을 발광할 수 있다. 보다 구체적으로, 발광칩(110)은 250~280 nm의 파장의 심자외선을 발광할 수 있으며, 이 때, 발광칩(110)에서 방출되는 심자외선이 살균력이 가장 우수하다. 도 1에 도시되어 있지는 않지만, 발광칩(110)은 기판과, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 배치된 발광 구조물을 포함할 수 있다. 발광칩(110)의 기판은 빛이 투과할 수 있는 광 투과 특성을 가질 수 있다. 기판은 사파이어(Al2O3), 스핀넬(MgAl2O4)과 같은 절연성 기판, SiC, Si, GaAs, GaN, InP, Ge 등의 반도체 기판들 중 적어도 어느 하나일 수 있다. The light emitting chip 110 may be a flip chip, but is not limited thereto, and may be a vertical chip or a lateral chip. In the drawings, for convenience, it will be described as a horizontal chip. The size of the light emitting chip 110 may be formed to be 600 μm in width and 700 μm in height, but is not limited thereto. The light emitting chip 110 may emit deep ultraviolet rays having a wavelength of 190 to 400 nm. More specifically, the light emitting chip 110 may emit deep ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 280 nm, and at this time, deep ultraviolet rays emitted from the light emitting chip 110 have the best sterilizing power. Although not shown in FIG. 1, the light emitting chip 110 may include a substrate and a light emitting structure in which a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer are sequentially disposed on the substrate. The substrate of the light emitting chip 110 may have a light transmission property through which light can be transmitted. The substrate may be at least one of an insulating substrate such as sapphire (Al2O3) and spinel (MgAl2O4), and semiconductor substrates such as SiC, Si, GaAs, GaN, InP, and Ge.

서브 마운트(120)에는 발광칩(110)이 배치된다. 서브 마운트(120)는 발광칩(110)에서 발생하는 열을 방출하여 하부의 리드 프레임(200)으로 전달한다. 또한, 발광 소자(100)와 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결하는 와이어(130)의 일단은 서브 마운트(120)에 연결된다. 서브 마운트(120)는 열전도율이 높은 질화 알루미늄(AlN)이나 실리콘카바이드(SiC) 등으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광칩(110)과 서브 마운트(120)는 솔더범퍼(solder bumper)에 의해 결합될 수 있다.The light emitting chip 110 is disposed on the sub-mount 120. The sub-mount 120 radiates heat generated from the light emitting chip 110 and transfers the heat to the lower lead frame 200. In addition, one end of the wire 130 electrically connecting the light emitting device 100 and the lead frame 200 is connected to the sub-mount 120. The sub-mount 120 may be made of aluminum nitride (AlN) or silicon carbide (SiC) having high thermal conductivity, but is not limited thereto. The light emitting chip 110 and the sub-mount 120 may be coupled by a solder bumper.

도 2는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면사시도이고, 도 3은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.2 is a cross-sectional perspective view of a light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device package according to the embodiment.

도 2 및 도 3을 참고하면, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 발광 소자(100)로부터의 방출된 광을 반사한다. 리플렉터층(140)은 발광 소자(100)의 주위를 둘러싸고, 리드 프레임(200)의 상부에 배치된다. 리플렉터층(140)은 금속으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 순 알루미늄으로 이루어 질 수 있다. 따라서, 광의 반사율이 높고, 열확산성이 좋으며, 산소 및 황화수소 가스에 대한 내부식성을 가질 수 있다. 리플렉터층(140)은 내측이 오목한 원형으로 형성될 수 있으나, 리플렉터층(140)의 형상이 반드시 원형으로 한정되는 것은 아니다.2 and 3, the reflector layer 140 of the light emitting device package 1 according to the embodiment reflects light emitted from the light emitting device 100. The reflector layer 140 surrounds the light emitting device 100 and is disposed on the lead frame 200. The reflector layer 140 may be made of metal. Specifically, the reflector layer 140 of the light emitting device package 1 according to the embodiment may be made of pure aluminum. Accordingly, the reflectivity of light is high, thermal diffusion is good, and corrosion resistance to oxygen and hydrogen sulfide gas can be obtained. The reflector layer 140 may be formed in a circular shape with a concave inside, but the shape of the reflector layer 140 is not necessarily limited to a circular shape.

리플렉터층(140)의 상부에는 광학 렌즈(미도시)가 배치될 수 있는 렌즈 가이드부(150)가 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터층(140)의 상부에는 플레이트(미도시)가 배치될 수 있는 플레이트 가이드부(160)가 배치될 수 있다. 렌즈 가이드부(150)는 리플렉터층(140)의 상면과, 후술할 제2 수지 패키지(320)의 일단에 의하여 형성된 벽부(321)에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 플레이트 가이드부(160)는 제2 수지 패키지(320)의 상면에 형성된 평면부와, 제2 수지 패키지(320)의 상면에서 상측으로 돌출된 벽부의 일측면에 의하여 형성될 수 있다. 이에 대해서는 후술하도록 한다. 렌즈(미도시) 또는 플레이트(미도시)와 리플렉터층(140) 사이에는 밀봉 수지재가 충전될 수 있다. 밀봉 수지재로는 실리콘 수지가 이용될 수 있다. 한편, 실시 형태에 따른 렌즈(미도시) 또는 플레이트(미도시)는 형광체를 함유하는 유리 렌즈 또는 유리 플레이트일 수 있다. 따라서, 렌즈(미도시) 또는 플레이트(미도시) 내에 형광체가 분산되거나 형광체를 포함하는 봉지재를 이용하지 않고, 렌즈(미도시) 또는 플레이트(미도시)가 형광체를 함유하므로 광속유지율이 향상될 수 있다. 즉, 발광 소자 패키지(1)의 신뢰성이 향상될 수 있다.A lens guide unit 150 on which an optical lens (not shown) may be disposed may be formed on the reflector layer 140. In addition, a plate guide unit 160 on which a plate (not shown) may be disposed may be disposed on the reflector layer 140. The lens guide unit 150 may be formed by a wall portion 321 formed by an upper surface of the reflector layer 140 and one end of the second resin package 320 to be described later. In addition, the plate guide unit 160 may be formed by a flat portion formed on an upper surface of the second resin package 320 and a side surface of a wall portion protruding upward from the upper surface of the second resin package 320. This will be described later. A sealing resin material may be filled between the lens (not shown) or plate (not shown) and the reflector layer 140. Silicone resin may be used as the sealing resin material. Meanwhile, the lens (not shown) or plate (not shown) according to the embodiment may be a glass lens or glass plate containing a phosphor. Therefore, since the phosphor is dispersed in the lens (not shown) or the plate (not shown) or the encapsulant containing the phosphor is not used, the lens (not shown) or the plate (not shown) contains the phosphor, so that the luminous flux maintenance rate can be improved. I can. That is, the reliability of the light emitting device package 1 may be improved.

리드 프레임(200)은 발광 소자(100)의 하부에 위치하고, 리드 프레임(200)에는 발광 소자(100)가 실장된다. 리드 프레임(200)은 발광 소자(100)가 직접 실장되는 제1 프레임(210)과, 발광 소자(100)와 와이어(130)를 통해 전기적으로 연결되는 제2 프레임(220)을 포함할 수 있다. 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에는 후술할 수지 패키지(300)의 제1 수지 패키지(310)가 삽입되기 위한 개구부가 형성될 수 있다. 한편, 리드 프레임(200)은 구리(Cu)성분을 포함하는 구리 합금으로 이루어질 수 있다. 따라서, 서브 마운트(120)의 질화 알루미늄(AlN)보다 2~3배의 열전도율을 가질 수 있어 방열체 역할을 할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 별도의 방열체가 필요없고 구리를 이용하므로 비용면에서 유리하다. The lead frame 200 is positioned under the light emitting element 100, and the light emitting element 100 is mounted on the lead frame 200. The lead frame 200 may include a first frame 210 on which the light emitting device 100 is directly mounted, and a second frame 220 electrically connected to the light emitting device 100 through a wire 130. . An opening for inserting the first resin package 310 of the resin package 300 to be described later may be formed between the first frame 210 and the second frame 220. Meanwhile, the lead frame 200 may be made of a copper alloy containing a copper (Cu) component. Therefore, the sub-mount 120 may have a thermal conductivity of 2 to 3 times that of aluminum nitride (AlN), and thus may serve as a radiator. Therefore, the light emitting device package 1 according to the embodiment does not require a separate heat sink and is advantageous in terms of cost because copper is used.

리드 프레임(200)의 두께를 두껍게 하면, 리드 프레임(200)이 대용량의 방열체의 역할을 할 수 있다. 리드 프레임(200)의 두께가 증가하면, 리드 프레임(200)의 비용은 증가할 수 있으나, 별도의 방열체를 추가하는 것보다 비용을 줄일 수 있다. 또한, 구리로 이루어진 리드 프레임(200)이 두꺼울수록 열확산이 좋고 열팽창의 영향을 적게 받는다. 리드 프레임(200)의 두께가 두꺼워지면, 수지 패키지(300)와의 마찰력도 커지고, 하부로부터 발광 소자 패키지(1) 내부로 이물질이나 수분의 침투도 어려워진다. 또한, 두께가 두꺼워지면, 외부 응력에 대한 변형에 대한 저항성도 커진다.When the thickness of the lead frame 200 is increased, the lead frame 200 may serve as a large-capacity radiator. If the thickness of the lead frame 200 increases, the cost of the lead frame 200 may increase, but the cost may be reduced compared to adding a separate heat sink. In addition, the thicker the lead frame 200 made of copper, the better the heat diffusion and the less affected by the thermal expansion. When the thickness of the lead frame 200 increases, the frictional force with the resin package 300 increases, and penetration of foreign matter or moisture into the light emitting device package 1 from the lower portion thereof becomes difficult. In addition, as the thickness increases, the resistance to deformation to external stress also increases.

구체적으로, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께는 0.5 mm 내지 1.5 mm 일 수 있다. 리드 프레임(200)의 두께가 0.5 mm 보다 작으면 열확산 및 열방출 성능이 좋지 않으며, 1.5 mm보다 크면 열확산 및 열방출 성능의 증가에 비하여 리드 프레임(200)의 두께 증가에 따른 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다. 또한, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께가 0.5 mm 보다 작으면, 외부 응력에 대한 발광 소자 패키지(1)의 변형에 대한 저항성이 허용치보다 낮게 되며, 1.5 mm 보다 크면 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다.Specifically, the thickness of the copper-based lead frame 200 may be 0.5 mm to 1.5 mm. If the thickness of the lead frame 200 is less than 0.5 mm, the heat diffusion and heat dissipation performance is not good, and if the thickness of the lead frame 200 is greater than 1.5 mm, the increase in manufacturing cost due to the increase in the thickness of the lead frame 200 is increased compared to the increase in heat diffusion and heat dissipation performance. It can be a problem. In addition, when the thickness of the copper-based lead frame 200 is less than 0.5 mm, the resistance to deformation of the light emitting device package 1 against external stress is lower than the allowable value, and when it is greater than 1.5 mm, an increase in manufacturing cost is a problem. Can be.

정리하면, 구리성분의 리드 프레임(200)의 두께를 0.5 mm 보다 작게 하면, 열확산, 열방출, 변형에 대한 저항성, 수분 침투 방지의 성능 중 어느 하나가 허용치보다 낮게 되며, 두께가 두꺼워질수록 이러한 특성들은 개선이 된다. 그러나, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께가 1.5 mm 이상이 되면, 발광 소자 패키지(1)의 제조에 있어서, 전술한 특징들의 개선에 비하여 제조비용의 증가가 더 큰 문제가 될 수 있다.In summary, if the thickness of the copper-based lead frame 200 is less than 0.5 mm, any one of heat diffusion, heat dissipation, resistance to deformation, and moisture penetration prevention performance is lower than the allowable value. Characteristics are improved. However, when the thickness of the copper-based lead frame 200 is 1.5 mm or more, in manufacturing the light emitting device package 1, an increase in manufacturing cost may be a bigger problem compared to the improvement of the above-described features.

제1 프레임(210)에는 발광 소자(100)가 직접 실장될 수 있다. 도면에는 도시되어 있지 않으나, 제1 프레임(210)의 상면에는 발광 소자(100)가 본딩될 수 있는 다이 본딩 페이스트(미도시)가 형성될 수 있다. 발광 소자(100)는 다이 본딩 페이스트를 이용하여 제1 프레임(210) 상에 실장될 수 있다. 다이 본딩 페이스트는 내광성이 있는 에폭시 수지나 실리콘 수지를 포함할 수 있다. The light emitting device 100 may be directly mounted on the first frame 210. Although not shown in the drawing, a die bonding paste (not shown) to which the light emitting device 100 can be bonded may be formed on the upper surface of the first frame 210. The light emitting device 100 may be mounted on the first frame 210 using a die bonding paste. The die bonding paste may include an epoxy resin or a silicone resin having light resistance.

제2 프레임(220)은 와이어(130)를 통해 발광 소자(100)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second frame 220 may be electrically connected to the light emitting device 100 through a wire 130.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 수지 패키지(300)는 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)에 삽입되는 제1 수지 패키지(310), 발광 소자(100) 및 리플렉터층(140)을 둘러싸고, 중앙부에 오목부를 갖는 제2 수지 패키지(320)를 포함할 수 있다.The resin package 300 of the light emitting device package 1 according to the embodiment includes a first resin package 310 and a light emitting device inserted into the first frame 210 and the second frame 220 of the lead frame 200. 100) and a second resin package 320 surrounding the reflector layer 140 and having a concave portion at the center thereof.

제1 수지 패키지(310)는 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에 채워질 수 있다. 제2 수지 패키지(320)는 리드 프레임(200)의 외측과, 리플렉터층(140)의 외측 및 상측 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제1 수지 패키지(310) 및 제2 수지 패키지(320)는 리드 프레임(200) 상에 열가소성 수지 또는 열경화성 수지를 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형함으로써 형성될 수 있다. 제1 수지 패키지(310) 및 제2 수지 패키지(320)의 형상은, 금형의 설계에 의해 다양하게 형성될 수 있다. The first resin package 310 may be filled between the first frame 210 and the second frame 220. The second resin package 320 may be formed to surround the outside of the lead frame 200 and a portion of the outside and upper sides of the reflector layer 140. The first resin package 310 and the second resin package 320 may be formed by injection molding or transfer molding a thermoplastic resin or a thermosetting resin on the lead frame 200. The shapes of the first resin package 310 and the second resin package 320 may be variously formed by design of a mold.

제1 수지 패키지(310) 및 제2 수지 패키지(320)에 사용되는 열가소성 수지 또는 열경화성 수지는, 내후성이 강한 검은색의 수지가 이용될 수 있다. 예를 들면, 검은색의 방향족 나이론이 이용될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 수지 패키지(300)는 발광 소자(100)로부터 장시간 동안 열과 빛에 노출되므로, 변색이나 열화가 발생할 수 있다. 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 내후성이 좋은 검은 색의 수지를 이용하므로, 단파장 자외선의 열화를 방지할 수 있고, 발광 소자 패키지의 변색을 방지할 수 있다. 따라서, 발광 소자(100)가 백색 발광 다이오드인 경우에는, 검은색의 수지를 이용할 필요가 없으며, 흰색의 수지를 이용할 수도 있다. 흰색의 수지는 검은색 수지보다 광투과율이 높으므로 광효율면에서 유리하다.The thermoplastic resin or thermosetting resin used in the first resin package 310 and the second resin package 320 may be a black resin having strong weather resistance. For example, black aromatic nylon can be used. However, it is not necessarily limited thereto. Since the resin package 300 is exposed to heat and light from the light emitting device 100 for a long time, discoloration or deterioration may occur. Since the light-emitting device package 1 according to the embodiment uses a black resin having good weather resistance, it is possible to prevent deterioration of short-wavelength ultraviolet rays and prevent discoloration of the light-emitting device package. Therefore, when the light emitting device 100 is a white light emitting diode, it is not necessary to use a black resin, and a white resin may be used. White resin is advantageous in terms of light efficiency because light transmittance is higher than that of black resin.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 수지 패키지(320)는 리플렉터층(140)의 일부가 끼워져 고정될 수 있는 홈부(320a)와 도 7 내지 도 8에서 후술할 리드 프레임 원형(原型) (400)의 외곽 프레임(410)과 결합될 수 있는 오목부(320b)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the second resin package 320 includes a groove portion 320a in which a part of the reflector layer 140 may be inserted and fixed, and a lead frame prototype to be described later in FIGS. 7 to 8. ) It may include a concave portion (320b) that can be coupled to the outer frame 410 of (400).

구체적으로, 제2 수지 패키지(320)는 리드 프레임(200) 및 리플렉터층(140)의 외측에 수직으로 형성되는 벽부(321)를 포함할 수 있다. 벽부(321)로부터 발광 소자(100)를 향하여 수평으로 돌출되는 돌출부(322)가 형성될 수 있으며, 이 돌출부(322)는 리플렉터층(140)의 상면의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 홈부(320a)는 제2 수지 패키지(320)의 벽부(321), 돌출부(322) 및 리드 프레임(200)의 상면에 의해 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 한편, 리플렉터층(140)과 리드 프레임(200) 사이에는 제2 수지 패키지(320)의 일부가 삽입될 수 있다. 구체적으로 리플렉터층(140)의 하면과 리드 프레임(200)의 상면 사이에는 제2 수지 패키지(320)의 삽입부(323)가 배치될 수 있으며, 이 삽입부(323)의 두께는 리플렉터층(140)과 리드 프레임(320)의 두께에 비하여 상대적으로 얇게 형성될 수 있다.Specifically, the second resin package 320 may include a lead frame 200 and a wall portion 321 formed perpendicular to the outside of the reflector layer 140. A protrusion 322 protruding horizontally from the wall 321 toward the light emitting device 100 may be formed, and the protrusion 322 may be formed to cover at least a part of the upper surface of the reflector layer 140. The groove part 320a may be formed to be surrounded by the wall part 321, the protrusion part 322, and the upper surface of the lead frame 200 of the second resin package 320. Meanwhile, a part of the second resin package 320 may be inserted between the reflector layer 140 and the lead frame 200. Specifically, the insertion portion 323 of the second resin package 320 may be disposed between the lower surface of the reflector layer 140 and the upper surface of the lead frame 200, and the thickness of the insertion portion 323 is the reflector layer ( It may be formed relatively thinner than the thickness of 140) and the lead frame 320.

리플렉터층(140)은 리드 프레임(200) 상부에 배치되는데, 종래에는 접착제를 이용하여 리드 프레임(200) 상부에 리플렉터층(140)을 접착시켰다. 접착제를 이용하면, 접착제 찌꺼기 등이 전극이나 와이어 등을 오염시킬 수 있다. 그러나, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 제2 수지 패키지(320)에 홈부(320a)가 형성되고, 리플렉터층(140)의 일부, 예를 들면 최외곽부가 제2 수지 패키지(320)의 홈부(320a)에 끼워져 고정된다. 따라서, 접착제없이 리플렉터층(140)가 리드 프레임(200)의 상부에 고정되므로 접착제의 사용으로 인한 오염을 방지하고, 비용을 절감할 수 있다.The reflector layer 140 is disposed on the lead frame 200, and conventionally, the reflector layer 140 is adhered to the lead frame 200 using an adhesive. If an adhesive is used, adhesive residue may contaminate electrodes or wires. However, in the light emitting device package 1 according to the embodiment, the groove portion 320a is formed in the second resin package 320, and a part of the reflector layer 140, for example, the outermost portion, is the second resin package 320. It is fitted and fixed in the groove portion (320a) of. Therefore, since the reflector layer 140 is fixed on the upper portion of the lead frame 200 without an adhesive, contamination due to the use of the adhesive can be prevented and cost can be reduced.

또한, 리플렉터층(140)은 렌즈 가이드부(150)와 플레이트 가이드부(160)를 포함할 수 있다.In addition, the reflector layer 140 may include a lens guide unit 150 and a plate guide unit 160.

리플렉터층(140)의 상면에는, 벽부(321)로부터 돌출된 돌출부(322)에 의해 덮히지 않고 상부를 향해 개방된 부분이 있다. 이 개방된 부분과 돌출부(322)의 끝단에 의하여 렌즈가 장착가능한 렌즈 가이드부(150)가 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터층(140)의 상부에는 벽부(321)의 상면과 돌출부(322)의 상면이 단차를 가지게 형성될 수 있으며, 이 단차에 의하여 플레이트(미도시)가 장착될 수 있는 플레이트 가이드부(160)가 형성될 수 있다.On the upper surface of the reflector layer 140, there is a portion open toward the top without being covered by the protrusion 322 protruding from the wall portion 321. The lens guide unit 150 to which the lens can be mounted may be formed by the open portion and the end of the protrusion 322. In addition, the upper surface of the wall portion 321 and the upper surface of the protruding portion 322 may be formed to have a step on the top of the reflector layer 140, and a plate guide portion to which a plate (not shown) can be mounted by the step ( 160) may be formed.

한편, 리플렉터층(140)의 고강도의 금속으로 이루어질 수 있다. 따라서, 변형이 어려우므로. 리플렉터층(140)이 리드 프레임(200) 상에 안정적으로 고정되면 정밀도가 높은 반사가 가능하다. 오목부(320b)에 대한 설명은 후술하도록 한다.Meanwhile, the reflector layer 140 may be made of a high-strength metal. Therefore, it is difficult to transform. When the reflector layer 140 is stably fixed on the lead frame 200, reflection with high precision is possible. A description of the concave portion 320b will be described later.

도 4는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 평면도이고, 도 5는 리드 프레임의 사시도이다. 4 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 5 is a perspective view of a lead frame.

도 1 내지 5를 참조하면, 리플렉터층(140)은 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220)에 상에 형성되고, 내측에 개구부가 형성될 수 있다. 리플렉터층(140)의 개구부에는 발광 소자(100)가 배치되고, 수지로 채워질 수 있다.1 to 5, the reflector layer 140 may be formed on the first frame 210 and the second frame 220, and an opening may be formed inside. The light emitting device 100 is disposed in the opening of the reflector layer 140 and may be filled with resin.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)의 일부는 굴곡이 형성되어 있다. 구체적으로, 제1 프레임(210)은, 제2 프레임(220)을 향하여 오목진 오목부(210a)를 가지고, 제2 프레임(220)는 제1 프레임(210)의 오목부(210a)에 대응되게 제1 프레임(210)을 향하여 볼록한 볼록부(220a)를 가질 수 있다. 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)이 굴곡된 형상을 가지면, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에 배치되는 제1 수지 패키지(310)와 리드 프레임(200) 사이의 접촉면이 증가된다. 따라서, 리드 프레임(200)과 제1 수지 패키지(310)의 접촉면이 증가하므로, 리드 프레임(200)과 수지 패키지(300)와의 밀착성이 증가하는 효과가 있다.4 and 5, the first frame 210 and the second frame 220 are partially curved. Specifically, the first frame 210 has a concave portion 210a that is concave toward the second frame 220, and the second frame 220 corresponds to the concave portion 210a of the first frame 210 Thus, it may have a convex portion 220a that is convex toward the first frame 210. When the first frame 210 and the second frame 220 have a curved shape, the first resin package 310 and the lead frame 200 disposed between the first frame 210 and the second frame 220 The contact surface between them is increased. Accordingly, since the contact surface between the lead frame 200 and the first resin package 310 increases, there is an effect of increasing the adhesion between the lead frame 200 and the resin package 300.

또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(1)의 리드 프레임(200)은 두꺼운 구리 프레임이므로 형상의 자유도가 높다. 따라서, 리드 프레임(200)에 단차를 형성할 수 있으며, 개구부도 단차를 갖게 된다. 따라서, 제1 수지 패키지(310)는 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220) 사이의 개구부의 형상에 따라 채워지므로, 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220)와 제1 수지 패키지(310)와의 접촉면적이 증가한다. 따라서, 리드 프레임(200)과 제1 수지 패키지(310)와의 밀착성을 증가시킬 수 있다. 또한, 리드 프레임(200)과 제1 수지 패키지(310)가 단차를 가진 형태로 결합하므로, 리드 프레임(200)의 하부로부터 수분이나 이물질 등의 침투를 방지하는 성능이 증가한다.In addition, as shown in FIGS. 2 and 3, since the lead frame 200 of the light emitting device package 1 is a thick copper frame, the degree of freedom in shape is high. Accordingly, a step can be formed in the lead frame 200, and the opening has a step. Therefore, since the first resin package 310 is filled according to the shape of the opening between the first frame 210 and the second frame 220, the first frame 210 and the second frame 220 and the first resin The contact area with the package 310 is increased. Accordingly, adhesion between the lead frame 200 and the first resin package 310 may be increased. In addition, since the lead frame 200 and the first resin package 310 are coupled to each other in a form having a step difference, the ability to prevent penetration of moisture or foreign substances from the lower portion of the lead frame 200 is increased.

도 6는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 저면 사시도이다.6 is a bottom perspective view of a light emitting device package according to the embodiment.

도 1 내지 도 6을 참고하면, 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220) 사이에는 제1 수지 패키지(310)가 배치된다. 제1 수지 패키지(310)의 길이방향 양단부(310a)는 제1 프레임(210)을 향하여 폭방향으로 연장되게 형성되어, 제1 프레임(210)의 길이 방향 양단부의 일부가 제1 수지 패키지(310)에 의해 매몰될 수 있다. 따라서, 제1 프레임(210)의 외부로 돌출된 단자와 제1 수지 패키지(310) 사이의 틈이 제거되어, 제1 프레임(210)에 발광 소자(100)를 실장할 때 발생할 수 있는 이물질 등이 발광 소자 패키지(1) 내부로 침투하여 와이어 또는 전극 등을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.1 to 6, a first resin package 310 is disposed between the first frame 210 and the second frame 220 of the lead frame 200. Both ends 310a in the longitudinal direction of the first resin package 310 are formed to extend in the width direction toward the first frame 210, so that a part of both ends in the longitudinal direction of the first frame 210 is formed of the first resin package 310. ) Can be buried. Accordingly, the gap between the terminal protruding to the outside of the first frame 210 and the first resin package 310 is removed, such as foreign substances that may occur when the light emitting device 100 is mounted on the first frame 210. It is possible to prevent contamination of wires or electrodes by penetrating into the light emitting device package 1.

한편, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 중 발광 소자 패키지(1)의 외부로 노출된 부분은 발광 소자 패키지(1)의 단자로 기능할 수 있다. 또한, 이 부분은 TC(Thermal Calculator)로 기능할 수도 있다. Meanwhile, a portion of the first frame 210 and the second frame 220 exposed to the outside of the light emitting device package 1 may function as a terminal of the light emitting device package 1. In addition, this part can also function as a TC (Thermal Calculator).

도 7은 실시 형태에 따른 리드 프레임이 제거된 리드 프레임 원형의 사시도이다. 7 is a perspective view of a lead frame prototype from which the lead frame according to the embodiment has been removed.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 리드 프레임 원형(400)은 제1 프레임(210), 제2 프레임(220)을 포함하고, 외곽 프레임(410)를 포함할 수 있다. 제1 프레임(210), 제2 프레임(220) 및 외곽 프레임(410) 사이에는 각각 개구부가 형성될 수 있고, 각각의 개구부에는 수지가 채워질 수 있다.5 to 7, the lead frame prototype 400 may include a first frame 210 and a second frame 220, and may include an outer frame 410. An opening may be formed between the first frame 210, the second frame 220, and the outer frame 410, respectively, and each opening may be filled with resin.

도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 수지 패키지(320)의 외측의 상부에는 오목부(320b)가 형성될 수 있다. 리드 프레임 원형(400)은 외곽 프레임(410)에 오목부(320b)에 대응되게 형성된 볼록부(410a)를 포함할 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)가 리드 프레임 원형(400)에 결합되어 있을 때, 볼록부(410a)는 오목부(320b)에 끼워지고, 오목부(320b)의 상부의 걸림턱에 걸림된다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)으로부터 아래쪽으로는 움직임 구속된다. 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)의 윗쪽으로만 분리가 가능하다. 따라서, 발과 소자 패키지(1) 보관 및 운반이 용이하다. As shown in FIGS. 1 to 7, a concave portion 320b may be formed on the outside of the second resin package 320. The lead frame prototype 400 may include a convex portion 410a formed in the outer frame 410 to correspond to the concave portion 320b. Therefore, when the light emitting device package 1 is coupled to the lead frame prototype 400, the convex portion 410a is fitted into the concave portion 320b, and is caught by the locking protrusion of the upper portion of the concave portion 320b. Accordingly, the light emitting device package 1 is motion-constrained downward from the lead frame prototype 400. The light emitting device package 1 can be separated only above the lead frame prototype 400. Therefore, it is easy to store and transport the foot and device package 1.

또한, 리드 프레임 원형(400)은 두껍기 때문에 발광 소자 패키지(1) 외측의 제2 수지 패키지(320)와의 마찰력이 크다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)과 접착제를 사용하지 않고 고정될 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패캐지(1)는 접착제를 사용하지 않고 리드 프레임 원형(400)에 고정되므로, 이물질이 발생되지 않는다.In addition, since the lead frame prototype 400 is thick, the frictional force with the second resin package 320 outside the light emitting device package 1 is high. Accordingly, the light emitting device package 1 may be fixed to the lead frame prototype 400 without using an adhesive. Therefore, since the light emitting device package 1 according to the embodiment is fixed to the lead frame prototype 400 without using an adhesive, foreign matter is not generated.

도 8은 리드 프레임 원형에 발광 소자가 실장되지 않은 발광 소자 패키지가 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.8 is a perspective view illustrating a state in which a light emitting device package in which a light emitting device is not mounted is coupled to a circular lead frame.

도 1 및 도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)의 리드 프레임(200) 상에 배치된다. 수지가 리드 프레임(200) 상에 몰딩되어 수지 패키지(300)가 형성되면, 리드 프레임(200)상에 발광 소자(1)를 실장한다.1 and 8, the light emitting device package 1 is disposed on the lead frame 200 of the lead frame prototype 400. When the resin is molded on the lead frame 200 to form the resin package 300, the light emitting device 1 is mounted on the lead frame 200.

이 때, 리드 프레임 원형(400)은 두 개의 발광 소자 패키지(1)가 장착되도록 2개의 리드 프레임(200)를 포함할 수 있다.In this case, the lead frame prototype 400 may include two lead frames 200 so that the two light emitting device packages 1 are mounted.

도 9는 양산이 가능한 발광 소자 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view showing the structure of a light emitting device package capable of mass production.

도 9를 참조하면, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 2열로 연장되는 형태로 금형에 의하여 양산될 수 있다. 따라서, 발광 소자 소자 패키지(1)를 금형을 통해 양산가능하므로, 비용을 절감시킬 수 있다.Referring to FIG. 9, the light emitting device package 1 according to the embodiment may be mass-produced by a mold in a form extending in two rows. Therefore, since the light emitting device package 1 can be mass-produced through a mold, cost can be reduced.

본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 발광칩이 가시광선을 방출하는 LED인 경우에는, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 실내외의 각종 액정표시장치, 전광판, 가로등, 등의 조명 장치에 이용될 수 있다. 한편, 발광 소자 패키지의 발광칩이 심자외선을 방출하는 DUV LED인 경우에는, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 살균이나 정화를 위한 가습기나 정수기에 이용될 수 있다.In the case where the light emitting device package according to the embodiment of the present invention is an LED emitting visible light, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention includes various indoor and outdoor liquid crystal displays, electric signs, street lights, etc. Can be used in devices. Meanwhile, when the light emitting chip of the light emitting device package is a DUV LED emitting deep ultraviolet rays, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention may be used in a humidifier or water purifier for sterilization or purification.

도 10은 도 3에 도시된 발광 소자 패키지의 수치가 포함된 설계 도면이다.10 is a design diagram including numerical values of the light emitting device package shown in FIG. 3.

한편, 도 1 내지 도 5에 도시된 발광 소자 패키지는, 리플렉터층(140)을 포함하는데, 이 리플렉터층(140)은 알루미늄과 같은 금속으로 이루어진다. 리플렉터층(140)이 알루미늄과 같은 금속으로 이루어지면 발광 소자(100)로부터 방출되는 심자외선을 용이하게 반사할 수 있다. 하지만, 이러한 리플렉터층(140)에 의해 소정의 문제가 발생할 수 있다. 이하에서 구체적으로 설명한다.Meanwhile, the light emitting device package shown in FIGS. 1 to 5 includes a reflector layer 140, which is made of a metal such as aluminum. When the reflector layer 140 is made of a metal such as aluminum, it is possible to easily reflect deep ultraviolet rays emitted from the light emitting device 100. However, certain problems may occur due to the reflector layer 140. It will be described in detail below.

리플렉터층(140)은 발광 소자(100)로부터의 광을 반사할 때, 광을 확산시키면서 다중 반사(소위, ‘확산 반사’ 또는 ‘난반사’)한다. 이러한 리플렉터층(140)은, 입사되는 광을 다중 반사하므로, 다중 반사에 의한 광 손실이 생길 수 있다. 특히, 발광 소자(100)가 상측 방향보다는 측 방향으로 더 많은 광을 방출하는 경우, 상기 손실에 의해서 발광 소자 패키지 전체의 광출력(Po)이 저하되는 문제를 발생할 수 있다.When the reflector layer 140 reflects light from the light emitting device 100, multiple reflections (so-called “diffuse reflection” or “diffuse reflection”) while diffusing the light are performed. Since the reflector layer 140 reflects incident light multiple times, light loss may occur due to multiple reflections. In particular, when the light-emitting device 100 emits more light in a lateral direction than in an upward direction, the light output Po of the entire light-emitting device package may be reduced due to the loss.

또한, 다중 반사를 하는 리플렉터(140)는 입사되는 광을 즉각적으로 반사하는 것이 아니라 집광한 후에 반사하기 때문에 광 취출 속도가 저하되는 문제가 있다.In addition, since the reflector 140 having multiple reflections does not immediately reflect incident light but reflects it after condensing, there is a problem in that the light extraction speed is lowered.

또한, 발광 소자(100)가 상측 방향보다는 측 방향으로 더 많은 광을 방출하는 경우, 리플렉터층(140)에 배광 얼룩이 생길 수 있다.In addition, when the light emitting device 100 emits more light in a lateral direction than in an upward direction, light distribution irregularities may occur in the reflector layer 140.

또한, 다중 반사를 하는 리플렉터층(140)을 사용하면, 리플렉터층(140) 위에 사용되는 렌즈와 같은 2차 광학 부재로 입사되는 광의 배광을 조절이 어려운 문제가 있다. In addition, when the reflector layer 140 having multiple reflections is used, there is a problem in that it is difficult to control the distribution of light incident on a secondary optical member such as a lens used on the reflector layer 140.

이하에서는, 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 다른 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 도 11을 참조하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device package according to another embodiment capable of solving these problems will be described with reference to FIG. 11.

도 11은 다른 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 치수가 포함된 설계 도면이다. 도 12에 도시된 수치들 중 도 10에 도시된 수치와 다른 수치는 도 10에 도시된 수치와 같은 수치보다 더 짙게 표현하였다.11 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment, and FIG. 12 is a design diagram including actual dimensions of the light emitting device package shown in FIG. 11. Among the values shown in FIG. 12, values different from those shown in FIG. 10 are expressed in a darker form than the same values as those shown in FIG. 10.

도 11에 도시된 발광 소자 패키지에서 리플렉터층(140’)을 제외한 나머지 구성 요소들은 도 1 내지 도 5에 도시된 발광 소자 패키지와 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하고, 리플렉터(140’)에 관하여 구체적으로 설명하도록 한다.In the light-emitting device package illustrated in FIG. 11, other components except for the reflector layer 140 ′ are the same as the light-emitting device packages illustrated in FIGS. 1 to 5, so a detailed description thereof will be omitted, and the reflector 140 ′. It will be described in detail.

리플렉터층(140’)은 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 반사한다. 리플렉터층(140’)은 발광 소자(100)의 주위를 둘러싸고, 리드 프레임(200)의 상부에 배치된다. 리플렉터층(140)은 금속으로 이루어질 수 있다.The reflector layer 140 ′ reflects light emitted from the light emitting device 100. The reflector layer 140 ′ surrounds the light emitting device 100 and is disposed on the lead frame 200. The reflector layer 140 may be made of metal.

리플렉터층(140’)은 내측이 오목한 원형으로 형성될 수 있으나, 리플렉터층(140’)의 형상이 반드시 원형으로 한정되는 것은 아니다.The reflector layer 140 ′ may be formed in a circular shape with a concave inside, but the shape of the reflector layer 140 ′ is not necessarily limited to a circular shape.

리플렉터층(140’)은 제2 수지 패키지(320)의 삽입부(323) 상에 배치될 수 있다. 리플렉터층(140’) 상에는 제2 수지 패키지(320)의 돌출부(322)가 배치될 수 있다. 따라서, 리플렉터층(140’)은 제2 수지 패키지(320)의 돌출부(322)와 삽입부(323) 사이에 배치될 수 있다.The reflector layer 140 ′ may be disposed on the insertion part 323 of the second resin package 320. The protrusion 322 of the second resin package 320 may be disposed on the reflector layer 140 ′. Accordingly, the reflector layer 140 ′ may be disposed between the protruding portion 322 and the insertion portion 323 of the second resin package 320.

리플렉터층(140’)의 재질은 금속도 가능하고, 비금속도 가능하다. 리플렉터층(140’)의 재질은 그 어떤 재질이던 가능하다.The material of the reflector layer 140' may be a metal or a non-metal. The reflector layer 140' may be made of any material.

리플렉터층(140’)은 경사면(141’)을 포함한다.The reflector layer 140' includes an inclined surface 141'.

리플렉터층(140’)의 경사면(141’)은 입사되는 광을 정반사하는 거울면이다. 정반사는 난반사(또는 확산 반사)와 구별되는데, 정반사는 입사되는 광을 그대로 반사하지만, 난반사는 입사되는 광을 여러 방향으로 다중 반사한다. 리플렉터층(140’)의 경사면(141’)이 거울면이면, 발광 소자 패키지의 광 출력(Po)을 향상시킬 수 있고, 광 취출 속도를 향상시킬 수 있으며, 발광 소자(100)의 측 방향 배광강도가 상측 방향 배광강도보다 더 강할 때 경사면(141’)에서 나타날 수 있는 배광 얼룩을 줄일 수 있다. 따라서, 리플렉터층(140’) 위에 사용가능한 렌즈와 같은 2차 광학 부재로 입사되는 광의 배광을 쉽게 조절할 수 있다.The inclined surface 141 ′ of the reflector layer 140 ′ is a mirror surface that regularly reflects incident light. Regular reflection is distinguished from diffuse reflection (or diffuse reflection), and regular reflection reflects incident light as it is, whereas diffuse reflection multiplely reflects incident light in various directions. If the inclined surface 141 ′ of the reflector layer 140 ′ is a mirror surface, the light output Po of the light emitting device package can be improved, the light extraction speed can be improved, and light distribution in the lateral direction of the light emitting device 100 When the intensity is stronger than the light distribution intensity in the upward direction, light distribution irregularities that may appear on the inclined surface 141 ′ may be reduced. Therefore, it is possible to easily adjust the distribution of light incident on the secondary optical member such as a lens usable on the reflector layer 140 ′.

리플렉터층(140’)의 경사면(141’)은 리플렉터층(140’)의 하면과 소정 각도(a)로 기울어진 면일 수 있다. 여기서, 소정 각도(a)는 25 도(°) 이상 35 도(°) 이하일 수 있다. 소정 각도(a)가 25도 이상 35도 이하이면, 광출력(Po)을 향상시킬 수 있고, 경사면(141’)에 특정 형상의 배광 얼룩이 발생되는 것을 막거나 완화시킬 수 있다. 이하, 도 13 내지 도 24를 참조하여 소정 각도(a)가 갖는 기술적 효과를 구체적으로 설명하도록 한다.The inclined surface 141 ′ of the reflector layer 140 ′ may be a surface inclined with a lower surface of the reflector layer 140 ′ at a predetermined angle (a). Here, the predetermined angle (a) may be 25 degrees (°) or more and 35 degrees (°) or less. When the predetermined angle (a) is 25 degrees or more and 35 degrees or less, the light output Po can be improved, and the occurrence of light distribution irregularities of a specific shape on the inclined surface 141' can be prevented or alleviated. Hereinafter, the technical effect of the predetermined angle a will be described in detail with reference to FIGS. 13 to 24.

도 13은 도 1 내지 도 5에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 사진이고, 도 14 내지 도 17은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 시뮬레이션 효과를 보여주는 자료들이다.13 are actual photographs of the light emitting device package illustrated in FIGS. 1 to 5, and FIGS. 14 to 17 are data showing a simulation effect when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 13.

도 18은 도 11에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 사진이고, 도 19 내지 도 22는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 시뮬레이션 효과를 보여주는 자료들이다. 18 is an actual photograph of the light emitting device package illustrated in FIG. 11, and FIGS. 19 to 22 are data showing a simulation effect when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 18.

도 14 및 도 19에서 광선의 개수는 100,000개로 설정하였다. 도 14와 도 19를 비교하면, 도 19에 도시된 발광 소자 패키지의 중앙 부분에서의 광선의 밀도가 도 14에 도시된 발광 소자 패키지의 중앙 부분에서의 광선의 밀도보다 작은 것을 확인할 수 있다. 이는 도 19에 도시된 발광 소자 패키지는 중앙 부분에서 배광이 밀집되지 않는 것을 의미하며, 전체적으로 균일한 배광이 되는 것을 확인할 수 있다.14 and 19, the number of rays was set to 100,000. 14 and 19, it can be seen that the density of light rays in the central portion of the light emitting device package illustrated in FIG. 19 is smaller than the density of light rays in the central portion of the light emitting device package illustrated in FIG. 14. This means that in the light emitting device package illustrated in FIG. 19, light distribution is not concentrated in the central portion, and it can be seen that the overall light distribution is uniform.

아래 표 1은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지의 광출력(Po), 동작 전압(Vf) 및 피크 파장(Wp)이다.Table 1 below shows the light output (Po), the operating voltage (Vf), and the peak wavelength (Wp) of the light emitting device package shown in FIG. 13.

Po (@100mA)Po (@100mA) VF (@100mA)VF (@100mA) WP (@100mA)WP (@100mA) Max.Max. 11.61811.618 Max.Max. 6.6246.624 Max.Max. 275.08275.08 Avg.Avg. 11.16611.166 Avg.Avg. 6.4856.485 Avg.Avg. 274.42274.42

아래 표 2는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지의 광출력(Po), 동작 전압(Vf) 및 피크 파장(Wp)이다.Table 2 below shows light output (Po), operating voltage (Vf), and peak wavelength (Wp) of the light emitting device package shown in FIG. 18.

Po (@100mA)Po (@100mA) VF (@100mA)VF (@100mA) WP (@100mA)WP (@100mA) Max.Max. 11.54911.549 Max.Max. 6.7606.760 Max.Max. 275.70275.70 Avg.Avg. 11.220
(+0.48%)11.220
(+0.48%) Avg.Avg. 6.5196.519 Avg.Avg. 274.64274.64

표 1 및 표 2를 참조하면, 도 18에 도시된 발광 소자 패키지의 광출력(Po)이 도 13에 도시된 발광 소자 패키지의 광출력(Po)보다 평균(Avg) 0.48 더 향상됨을 확인할 수 있다.Referring to Tables 1 and 2, it can be seen that the light output (Po) of the light emitting device package shown in FIG. 18 is improved by an average (Avg) of 0.48 more than the light output (Po) of the light emitting device package shown in FIG. 13. .

도 15 내지 도 17과 도 20 내지 도 22를 비교하면, 도 13에 도시된 발광 소자 패키지의 경우 중앙 부분에 링 형상의 배광 얼룩이 발생되는 것을 확인할 수 있고, 도 18에 도시된 발광 소자 패키지의 경우 배광 얼룩이 완전히 없진 않지만 특정 형상의 배광 얼룩이 생기지 않는 것을 확인할 수 있다. When comparing FIGS. 15 to 17 with FIGS. 20 to 22, it can be seen that in the case of the light emitting device package shown in FIG. 13, a ring-shaped light distribution irregularity occurs in the center portion, and in the case of the light emitting device package shown in FIG. 18 It can be seen that the light distribution irregularity is not completely absent, but there is no specific shape of the light distribution irregularity.

도 23은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 광 지향성을 보여주는 도면이고, 도 24는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 광 지향성을 보여주는 도면이다.FIG. 23 is a view showing light directivity when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 13, and FIG. 24 is a view showing light directivity when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 18.

도 23과 도 24를 비교해보면, 도 18에 도시된 발광 소자 패키지가 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에 비하여 광 지향성이 개선됨을 확인할 수 있다. 구체적으로, 도 18에 도시된 발광 소자 패키지가 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에 비하여 균일한 배광을 함을 확인할 수 있다.Comparing FIGS. 23 and 24, it can be seen that the light-emitting device package illustrated in FIG. 18 has improved light directivity compared to the light-emitting device package illustrated in FIG. 13. Specifically, it can be seen that the light emitting device package shown in FIG. 18 has a uniform light distribution compared to the light emitting device package shown in FIG. 13.

또한, 도면에 도시되지 않았지만, 소정 각도(a)가 25도보다 작으면 반사기능을 수행하기 어렵고, 발광 소자 패키지의 크기에 부정적 영향이 있을 수 있다. 만약 소정 각도(a)가 25도보다 작으면, 리플렉터층(140’)의 크기가 수평방향으로 크기가 커지게 되고, 크기가 커지게 되면 수지 패키지(320)의 크기가 특정 크기로 고정된 경우에 발광 소자(100)을 장작할 수 있는 공간이 좁아지는 문제가 있다. 한편, 특정 개수의 발광 소자(100)를 수지 패키지(320)에 장착해야 하는 경우에는 패키지 바디의 크기가 커져야 하는 문제가 있다. Further, although not shown in the drawings, if the predetermined angle a is less than 25 degrees, it is difficult to perform the reflective function, and the size of the light emitting device package may be negatively affected. If the predetermined angle (a) is less than 25 degrees, the size of the reflector layer 140 ′ increases in the horizontal direction, and when the size increases, the size of the resin package 320 is fixed to a specific size. There is a problem in that the space in which the light emitting device 100 can be mounted is narrowed. On the other hand, when a specific number of light emitting devices 100 must be mounted on the resin package 320, there is a problem that the size of the package body must be increased.

상술한 여러 점들을 고려하여, 리플렉터층(140’)의 경사면(141’)의 소정 각도(a)는 25도 이상이고 35도 이하인 것이 좋다.In consideration of the above-described various points, it is preferable that the predetermined angle (a) of the inclined surface 141' of the reflector layer 140' is 25 degrees or more and 35 degrees or less.

이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains will not be exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each constituent element specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

1: 발광 소자 패키지
100: 발광 소자
110: 발광칩
120: 서브 마운트
130: 와이어
140: 리플렉터
150: 렌즈 가이드부
160: 플레이트 가이드부
200: 리드 프레임
210: 제1 프레임
210a: 오목부
220: 제2 프레임
220a: 볼록부
300: 수지 패키지
310: 제1 수지 패키지
310a: 양단부
320: 제2 수지 패키지
320a: 홈부
320b: 오목부
321: 벽부
322: 돌출부
323: 삽입부
400: 리드 프레임 원형
410: 외곽 프레임
410a: 볼록부
420: 개구부
140’: 리플렉터층1: light emitting device package
100: light-emitting element
110: light-emitting chip
120: sub mount
130: wire
140: reflector
150: lens guide part
160: plate guide part
200: lead frame
210: first frame
210a: recess
220: second frame
220a: convex portion
300: resin package
310: first resin package
310a: both ends
320: second resin package
320a: groove
320b: recess
321: wall part
322: protrusion
323: insert
400: lead frame prototype
410: outer frame
410a: convex portion
420: opening
140': reflector layer

Claims (6)

발광 소자;
상기 발광 소자가 배치된 리드 프레임;
상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 리플렉터층; 및
상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층을 둘러싸는 수지 패키지;를 포함하고,
상기 리플렉터층은 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 정반사하는 경사면을 포함하고,
상기 경사면과 상기 리플렉터층의 하면 사이의 각도는, 25도 이상 35도 이하이고,
상기 리드 프레임은, 상기 발광 소자가 배치된 제1 프레임; 및 상기 제1 프레임과 전기적으로 절연된 제2 프레임;을 포함하고,
상기 수지 패키지는, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제1 수지 패키지; 및 상기 발광 소자 및 상기 리플렉터층을 둘러싸고, 중앙부에 오목부를 갖는 제2 수지 패키지;를 포함하고,
상기 제2 수지 패키지는, 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측에 수직으로 형성되는 벽부; 및 상기 벽부로부터 내측을 향하여 수평으로 돌출 형성되는 돌출부;를 포함하고,
상기 리플렉터층의 상면의 일부와 상기 돌출부의 측면으로 형성되어 렌즈가 배치되는 렌즈 가이드부; 및 상기 돌출부의 상면과 상기 벽부의 내측면으로 형성되어 플레이트가 배치되는 플레이트 가이드부;를 더 포함하는, 발광 소자 패키지.Light-emitting elements;
A lead frame in which the light emitting element is disposed;
A reflector layer disposed on the lead frame and reflecting light emitted from the light emitting device; And
Including; a resin package surrounding the lead frame and the reflector layer,
The reflector layer includes an inclined surface for specularly reflecting the light emitted from the light emitting device,
The angle between the inclined surface and the lower surface of the reflector layer is 25 degrees or more and 35 degrees or less,
The lead frame includes: a first frame in which the light emitting device is disposed; And a second frame electrically insulated from the first frame;
The resin package may include: a first resin package disposed between the first frame and the second frame; And a second resin package surrounding the light emitting device and the reflector layer and having a concave portion at a central portion,
The second resin package may include: a wall portion vertically formed outside the first lead frame, the second lead frame, and the reflector layer; And a protrusion formed horizontally protruding from the wall portion toward the inside,
A lens guide part formed on a part of an upper surface of the reflector layer and a side surface of the protruding part to arrange a lens; And a plate guide part formed as an upper surface of the protrusion and an inner surface of the wall part to arrange a plate. 제 1 항에 있어서,
상기 경사면은 거울면인, 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The inclined surface is a mirror surface, the light emitting device package. 제 1 항에 있어서,
상기 발광 소자는, 서브 마운트 및 상기 서브 마운트 상에 배치된 발광칩을 포함하고,
상기 발광칩은 자외선을 방출하는, 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The light-emitting device includes a sub-mount and a light-emitting chip disposed on the sub-mount,
The light emitting chip is a light emitting device package that emits ultraviolet rays. 제 1 항에 있어서,
상기 리플렉터층은 알루미늄인, 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The reflector layer is aluminum, the light emitting device package. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2 수지 패키지는, 상기 리플렉터층의 일부가 끼워져 고정되는 홈부를 갖는, 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The second resin package, a light emitting device package having a groove portion to which a portion of the reflector layer is inserted and fixed.
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