KR102245106B1 - 확산 접합 플라즈마 저항성 화학 기상 증착(cvd) 챔버 히터 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예들은 일반적으로, 그 위에 보호 코팅을 갖는 가열식 기판 지지부들에 관한 것이다. 보호 코팅은 순수한 산화이트륨 또는 산화이트륨이 주성분인 합금들로 형성된다. 보호 코팅은 기판 지지부의 히터 플레이트에 확산 접합된다. 확산 접합의 결과로서 히터 플레이트와 보호 코팅 사이에 2개의 별개인 실리콘 함유 층들이 형성된다.
Description
[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 가열식 기판 지지부들에 관한 것이다.
[0002] 프로세스 챔버들 그리고 프로세스 챔버들 내에 존재하는 컴포넌트들은 전자 디바이스들 및 미세 전자 기계 구조들(MEMS: micro-electro-mechanical structures)의 제작에 사용되며, 흔히 알루미늄 및 알루미늄 함유 재료, 예컨대 알루미늄 질화물로 구성된다. 그러나 컴포넌트들은 프로세스 챔버 내부들을 세정하는 데 흔히 사용되는 할로겐 함유 세정 플라즈마 및 가스들로부터의 부식에 취약하다. 부식은 프로세스 챔버 컴포넌트들의 사용 가능 수명을 줄이고, 추가로 프로세싱 환경에 원치 않는 결함들 및 오염을 끌어들인다. 가열식 기판 지지부의 부식은 프로세싱되는 기판들과 가열식 기판 지지부의 직접적인 접촉으로 인해 특히 우려가 되는데, 이는 웨이퍼 온도 균일성, 막 증착률 및 밀도에 영향을 준다. 가열식 기판 지지부의 부식은 내부 챔버 표면들 상에 재증착하는 알루미늄 불화물들의 보다 용이한 형성 및 보다 높은 온도로 인해서도 또한 특히 우려가 되는데, 이는 기판들에 입자 및 오염을 끌어들일 가능성을 증가시킨다.
[0003] 따라서 부식에 덜 취약한 가열식 기판 지지부에 대한 필요성이 해당 기술분야에 존재한다.
[0004] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 그 위에 보호 코팅을 갖는 가열식 기판 지지부들에 관한 것이다. 보호 코팅은 순수한 산화이트륨 또는 산화이트륨이 주성분인 합금들로 형성된다. 보호 코팅은 기판 지지부의 히터 플레이트에 확산 접합된다. 확산 접합의 결과로서 히터 플레이트와 보호 코팅 사이에 2개의 별개인 실리콘 함유 층들이 형성된다.
[0005] 일 실시예에서, 기판 지지부가 개시된다. 기판 지지부는 스템(stem), 스템에 커플링된 히터 플레이트, 및 히터 플레이트 상에 배치된 제 1 층을 포함한다. 제 1 층은 실리콘을 포함한다. 기판 지지부는 추가로, 제 1 층 상에 배치된 제 2 층 ― 제 2 층은 실리콘을 포함하며 제 1 층과는 별개임 ―, 및 제 2 층 상에 배치된 제 3 층을 포함하며, 여기서 제 3 층은 산화이트륨 또는 주성분으로 산화이트륨을 포함한다.
[0006] 다른 실시예에서, 히터 플레이트를 보호하기 위한 방법이 개시된다. 이 방법은, 플레이트의 표면 상에 제 1 층을 증착하는 단계 ― 제 1 층은 실리콘을 포함하고 플레이트는 산화이트륨 또는 주성분으로 산화이트륨을 포함함 ―, 히터 플레이트 상에 제 1 층 및 플레이트를 배치하는 단계 ― 제 1 층은 히터 플레이트 상에 배치됨 ―, 및 확산 접합에 의해 히터 플레이트에 플레이트를 접합하는 단계를 포함한다.
[0007] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0008] 도 1은 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 챔버의 개략적 단면도이다.
[0009] 도 2a - 도 2d는 일 실시예에 따라 히터 플레이트 상에 보호 코팅을 형성하기 위한 방법을 예시한다.
[0010] 이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 엘리먼트들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유리하게 활용될 수 있다고 예상된다.
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[0010] 이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 엘리먼트들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유리하게 활용될 수 있다고 예상된다.
[0011] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 그 위에 보호 코팅을 갖는 가열식 기판 지지부들에 관한 것이다. 보호 코팅은 순수한 산화이트륨 또는 산화이트륨이 주성분인 합금들로 형성된다. 보호 코팅은 기판 지지부의 히터 플레이트에 확산 접합된다. 확산 접합의 결과로서 히터 플레이트와 보호 코팅 사이에 2개의 별개인 실리콘 함유 층들이 형성된다.
[0012] 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 시스템(100)의 개략적 단면도이다. 시스템(100)은 일반적으로, 전구체 공급부(152)에 커플링된 화학 기상 증착 챔버(103)를 포함한다. 화학 기상 증착 챔버(103)는 측벽들(106), 바닥(108) 및 덮개 조립체(110)를 가지며, 이들은 화학 기상 증착 챔버(103) 내부에 프로세싱 볼륨 또는 영역(112)을 한정한다. 프로세싱 영역(112)은 대체로, 화학 기상 증착 챔버(103)의 안팎으로 기판(140)의 이동을 가능하게 하는 측벽들(106)에서 (도시되지 않은) 포트를 통해 액세스된다. 측벽들(106) 및 바닥(108)은 대체로, 알루미늄, 스테인리스 스틸, 또는 프로세싱과 호환되는 다른 재료들로 제작된다. 측벽들(106)은 (도시되지 않은) 다양한 펌핑 컴포넌트들을 포함하는 배기 시스템에 프로세싱 영역(112)을 커플링하는 펌핑 플리넘(plenum)(114)을 포함하는 덮개 조립체(110)를 지지한다. 측벽들(106), 바닥(108) 및 덮개 조립체(110)가 챔버 바디(102)를 한정한다.
[0013] 가스 유입구 도관 또는 파이프(142)가 챔버 바디(102)의 중앙 덮개 영역의 진입 포트 또는 유입구(180)로 연장하고 다양한 가스들의 소스들에 연결된다. 전구체 공급부(152)는 증착 동안 사용되는 전구체들을 포함한다. 전구체들은 가스들 또는 액체들일 수도 있다. 사용되는 특정 전구체들은 기판에 증착될 재료들에 좌우된다. 프로세스 가스들이 유입구 파이프(142)를 통해 유입구(180)로 그리고 다음에는 챔버(103)로 흐른다. 전자 작동식 밸브 및 유량 제어 메커니즘(154)이 가스 공급부로부터 유입구(180)로의 가스들의 흐름을 제어한다.
[0014] 제 2 가스 공급 시스템이 또한 유입구 파이프(142)를 통해 챔버에 연결된다. 제 2 가스 공급 시스템은, 챔버에서 하나 또는 그 초과의 화학 기상 증착 프로세스들이 수행된 후 챔버 내부를 세정, 예를 들어 증착된 재료를 제거하는 데 사용되는 가스 또는 플라즈마를 공급한다. 어떤 상황들에서는, 제 1 가스 공급부와 제 2 가스 공급부가 결합될 수 있다.
[0015] 제 2 가스 공급 시스템은, 질소 3불화물 또는 황 6불화물과 같은 세정 가스(또는 액체)의 소스(164), 화학 기상 증착 챔버 밖에 거리를 두고 위치하는 원격 플라즈마 소스(166), 전자 작동식 밸브 및 유량 제어 메커니즘(170), 및 원격 플라즈마 소스를 화학 기상 증착 챔버(103)에 연결하는 도관 또는 파이프(177)를 포함한다. 이러한 구성은 챔버의 내부 표면들이 원격 플라즈마 소스를 사용하여 세정될 수 있게 한다.
[0016] 제 2 가스 공급 시스템은 또한, 산소 또는 캐리어 가스와 같은 하나 또는 그 초과의 추가 가스들(또는 액체들)의 하나 또는 그 초과의 소스들(172)을 포함한다. 다른 밸브 및 유량 제어 메커니즘(173)을 통해 원격 플라즈마 소스(166)에 추가 가스들이 연결된다. 캐리어 가스는 원격 플라즈마 소스에서 생성된 반응성 종의, 증착 챔버로의 수송을 보조하고, 캐리어 가스가 사용되고 있는 특정 세정 프로세스와 호환되는 임의의 비반응성 가스일 수 있다. 예를 들어, 캐리어 가스는 아르곤, 질소 또는 헬륨일 수도 있다. 캐리어 가스는 또한 세정 프로세스를 보조하거나 화학 기상 증착 챔버에서 플라즈마의 개시 및/또는 안정화를 도울 수도 있다.
[0017] 선택적으로, 파이프(177)에 유량 제한기(176)가 제공된다. 유량 제한기(176)는 원격 플라즈마 소스(166)와 증착 챔버(103) 사이의 경로에서 어디에나 배치될 수 있다. 유량 제한기(176)는 원격 플라즈마 소스(166)와 증착 챔버(103) 사이에 차압(pressure differential)이 제공될 수 있게 한다. 유량 제한기(176)는 또한, 가스 및 플라즈마 혼합물이 원격 플라즈마 소스(166)를 빠져나가 증착 챔버(103)에 들어갈 때 이러한 혼합물에 대한 혼합기로서의 역할을 할 수도 있다.
[0018] 밸브 및 유량 제어 메커니즘(170)은 사용자 선택 유동률로 소스(164)로부터 원격 플라즈마 소스(166)로 가스를 전달한다. 원격 플라즈마 소스(166)는 유도 결합 원격 플라즈마 소스와 같은 RF 플라즈마 소스일 수도 있다. 원격 플라즈마 소스(166)는 소스(164)로부터의 가스 또는 액체를 활성화하여 반응성 종들을 형성하며, 반응성 종들은 이후에 도관(177) 및 유입구 파이프(142)를 거쳐 유입구(180)를 통해 증착 챔버로 흐르게 된다. 따라서 유입구(180)는 화학 기상 증착 챔버(103)의 내부 영역으로 반응성 종들을 전달하는 데 사용된다.
[0019] 덮개 조립체(110)는 프로세싱 영역(112)에 대한 상부 경계를 제공한다. 덮개 조립체(110)는 유입구(180)가 한정되는 중앙 덮개 영역(105)을 포함한다. 덮개 조립체(110)는 대체로 제거 또는 개방되어, 화학 기상 증착 챔버(103)를 서비스할 수 있다. 일 실시예에서, 덮개 조립체(110)는 알루미늄(Al)으로 제작된다. 덮개 조립체(110)는 그 안에 형성되어 (도시되지 않은) 외부 펌핑 시스템에 커플링되는 펌핑 플리넘(114)을 포함한다. 펌핑 플리넘(114)은 프로세싱 영역(112)으로부터 그리고 화학 기상 증착 챔버(103) 밖으로 가스들 및 프로세싱 부산물들을 균일하게 보내는 데 이용된다.
[0020] 가스 분배 조립체(118)가 덮개 조립체(110)의 내부 면(120)에 커플링된다. 가스 분배 조립체(118)는 가스 분배 플레이트(158)에 천공 영역(116)을 포함하는데, 원격 플라즈마 소스에 의해 생성된 반응성 종 및 화학 기상 증착용 프로세싱 가스들을 포함하는 가스들이 천공 영역(116)을 통해 프로세싱 영역(112)으로 전달된다. 가스 분배 플레이트(158)의 천공 영역(116)은 가스 분배 조립체(118)를 통해 프로세스 영역(112)으로 전달되는 가스들의 균일한 분배를 제공하도록 구성된다.
[0021] 가스 분배 플레이트(158)는 대체로, 스테인리스 스틸, 알루미늄(Al), 양극 처리된 알루미늄, 니켈(Ni) 또는 다른 RF 도전 재료로 제작된다. 가스 분배 플레이트(158)는 기판 프로세싱에 악영향을 주지 않도록 충분한 평탄성 및 균일성을 유지하는 두께로 구성된다. 일 실시예에서, 가스 분배 플레이트(158)는 약 1.0인치 내지 약 2.0인치의 두께를 갖는다.
[0022] 유입구(180)에 추가로, 챔버 바디(102)는 원격 플라즈마 소스로부터의 반응성 종을 제공하는 제 2 유입구(182)를 선택적으로 포함할 수도 있다. 원격 플라즈마 소스는 유입구(180)를 통해 가스 분배 조립체(118)를 거쳐 프로세싱 영역에 반응성 종을 제공하는 동일한 원격 플라즈마 소스(166)일 수도 있다. 제 2 유입구(182)는, 가스 분배 조립체(118)를 우회하면서, 원격 플라즈마 소스로부터 챔버(103)의 프로세싱 영역(112)으로 반응성 종을 제공하도록 구성된다. 즉, 제 2 유입구(182)에 의해 제공되는 반응성 종들은 가스 분배 조립체(118)의 천공 가스 분배 플레이트(158)를 통과하지 않는다. 제 2 유입구(182)는 가스 분배 조립체(118) 아래에서 챔버 바디(102)의 측벽(106)에, 예컨대 가스 분배 플레이트(158)와 기판 지지부(124) 사이에 위치할 수도 있다. 원격 플라즈마 소스로부터 제 2 유입구(182)로의 가스 라인(184)은 원격 플라즈마 소스로부터 제 2 유입구(182)를 통해 챔버(103)의 프로세싱 영역(112)으로 반응성 종을 전달한다. 이러한 실시예에서는, 원격 플라즈마 소스로부터의 도관(177)에 전환기(diverter)(119)가 제공된다. 전환기(119)는, 원격 플라즈마 소스(166)로부터의 반응성 종들의 제 1 부분이 전환기(119)와 챔버(103) 사이의 파이프(142)를 통해 챔버(103)의 제 1 유입구(180)로 전달될 수 있게 그리고 원격 플라즈마 소스로부터의 반응성 종들의 제 2 부분이 전환기(119)와 챔버(103) 사이의 라인(184)을 통해 챔버의 제 2 유입구(182)로 전달될 수 있게 한다.
[0023] 온도 제어식 기판 지지 조립체(138)가 챔버(103) 내에서 중앙에 배치된다. 지지 조립체(138)는 프로세싱 동안 기판(140)을 지지한다. 일 실시예에서, 기판 지지 어셈블리(138)는 적어도 하나의 내장형 히터(132)를 캡슐화하는 알루미늄 또는 알루미늄 질화물 바디를 갖는 기판 지지부(124)를 포함한다. 지지 조립체(138)에 배치된 히터(132), 예컨대 저항 엘리먼트가 선택적인 전력 소스(174)에 커플링되어, 지지 조립체(138) 및 그 위에 배치된 기판(140)을 미리 결정된 온도로 제어 가능하게 가열한다.
[0024] 일반적으로, 지지 조립체(138)는 하부 면(126)과 상부 면(134)을 포함하는 기판 지지부(124)를 갖는다. 상부면(134)은 기판(140)을 지지한다. 하부면(126)은 이에 커플링된 스템(142)을 갖는다. 스템(142)은 (도시된 바와 같이) 상승된 프로세싱 위치와, 화학 기상 증착 챔버(103)로의 그리고 화학 기상 증착 챔버(103)로부터의 기판 이송을 가능하게 하는 낮아진 위치 사이로 지지 조립체(138)를 이동시키는 (도시되지 않은) 리프트 시스템에 지지 조립체(138)를 커플링한다. 스템(142)은 지지 조립체(138)와 시스템(100)의 다른 컴포넌트들 사이에 전기 및 열전대 도선들을 위한 도관을 추가로 제공한다.
[0025] 지지 조립체(138)(또는 스템(142))와 화학 기상 증착 챔버(103)의 바닥(108) 사이에 벨로즈(bellows)(146)가 커플링된다. 벨로즈(146)는 지지 조립체(138)의 수직 이동을 가능하게 하면서, 프로세싱 영역(112)과 화학 기상 증착 챔버(103) 밖의 대기 사이에 진공 밀폐부를 제공한다.
[0026] 지지 조립체(138)는 일반적으로, 덮개 조립체(110)와 기판 지지 조립체(138)(또는 챔버의 덮개 조립체 내에 또는 근처에 위치하는 다른 전극) 사이에 위치하는 가스 분배 조립체(118)로 전력 소스(122)에 의해 공급되는 RF 전력이 지지 조립체(138)와 가스 분배 조립체(118) 사이의 프로세싱 영역(112)에 존재하는 가스들을 여기시킬 수 있도록 접지된다. 지지 조립체(138)는 추가로, 외접하는 섀도우 프레임(148)을 지지한다. 일반적으로, 섀도우 프레임(148)은, 기판이 지지 조립체(138)에 접착되지 않도록, 기판(140)의 에지와 지지 조립체(138)에서의 증착을 막는다. 지지 조립체(138)는 이를 관통해 배치된 복수의 홀들(128)을 가지며, 홀들(128)은 복수의 리프트 핀들(150)을 수용한다.
[0027] 도 2a - 도 2d는 일 실시예에 따라 기판 지지부(210) 위에 보호 코팅(202)을 형성하기 위한 방법을 예시한다. 기판 지지부(210)는 알루미늄 질화물을 포함하는 히터 플레이트일 수도 있다. 보호 코팅(202)은 도 2a에 도시된 바와 같이, 세라믹 소결 기술을 사용하여 준비된, 미리 만들어진 플레이트일 수도 있다. 플레이트(206)는 순수한 산화이트륨을 또는 주성분으로 산화이트륨계 재료들을, 예컨대 Y2O3-ZrO2-Al2O3를 포함할 수도 있다. 순수한 산화이트륨 및 산화이트륨계 재료가 선택되는 이유는, 이러한 재료들이 알루미늄 질화물보다 훨씬 더 양호한 플라즈마 부식 저항성을 보여주기 때문이다. 산화이트륨 또는 산화이트륨계 재료를 포함하는 보호 코팅(202)을 가지면, 알루미늄 불화물들의 형성을 상당히 감소시키거나 없앨 것이고, 또한 히터 수명을 크게 증가시킬 것이다. 그러나 알루미늄 질화물 히터 플레이트에 대한 산화이트륨계 재료의 부착은 문제가 되는 것으로 판명되었고, 히터의 충분한 열 순환 후에, 산화이트륨이 떨어져 나가, 프로세스 챔버에 새로운 오염을 끌어들이고 알루미늄 질화물 히터 플레이트를 세정제들에 노출할 수도 있다. 알루미늄 질화물 히터 플레이트에 산화이트륨계 재료를 확산 접합하는 것은 산화이트륨계 재료와 알루미늄 질화물 히터 플레이트 사이의 더 강한 접합을 야기할 것임이 발견되었다.
[0028] 이트륨계 플레이트(202)를 형성할 때, Y2O3-ZrO2-Al2O3 재료의 경우, 시작하는 원료 분말은 ZrO2 및 Al2O3와 함께 주성분이 Y2O3이며, 최종 소결 상태는 Y4Al2O9(YAM) 및 Y2- xZrxO3(Y2O3-ZrO2 고용체)이다. 시작 분말 조성은 76.9wt% Y2O3, 15.4wt% ZrO2 및 7.7wt% Al2O3일 수도 있다. 플레이트(202)는 알루미늄 질화물 히터 플레이트(210)와 동일한 지름을 가질 수도 있다. 산화이트륨계 플레이트(202)는 약 2㎜ 내지 약 5㎜의 두께를 가질 수도 있고, 제 1 표면(204) 및 제 2 표면(206)을 갖는다. 제 2 표면(206)은 10 마이크로인치 미만의 표면 조도로 연마될 수도 있다. 제 1 표면(204)은 소결 상태 하에 유지될 수도 있다. 다음에는, 도 2b에 도시된 바와 같이, 플레이트(202)의 제 2 표면(206) 상에 실리콘 함유 층(208)이 코팅된다. 실리콘 함유 층(208)은 실리콘 이산화물을 포함하며 약 1 미크론 내지 약 20 미크론의 두께를 가질 수도 있다. 실리콘 함유 층(208)은 화학 기상 증착(CVD: chemical vapor deposition), 물리 기상 증착(PVD: physical vapor deposition), 스크린 인쇄 등과 같은 임의의 적당한 방법을 사용하여 제 2 표면(206) 상에 형성될 수 있다.
[0029] 다음에는, 도 2c에 도시된 바와 같이, 히터 플레이트(210)의 상부 표면(209)이 10 마이크로인치 미만의 표면 조도로 연마되고, 연마된 표면(209) 상에 실리콘 함유 층(208)과 플레이트(202)가 배치된다. 히터 플레이트(210)는 이미 그 안에 리프트 핀 홀들, 도트들 및/또는 밀폐 밴드들을 형성했을 수도 있다. 실리콘 함유 층(208)은 연마된 표면(209)과 접촉하고 있다. 히터 플레이트(210), 실리콘 함유 층(208) 및 플레이트(202)는 다음에, 섭씨 1000도 내지 섭씨 1600도 범위의 온도, 예컨대 섭씨 약 1400도로, 질소 보호 대기에서 약 3시간 동안 가열된다. 알루미늄 질화물 히터 플레이트(210)에 대한 산화이트륨계 플레이트(202)의 확산 접합을 위해 실리콘 이산화물과 같은 실리콘 함유 층(208)이 선택되는 이유는, 실리콘 이산화물이 이트륨 산화물 및 알루미늄 산화물과 반응하여 섭씨 약 1400도의 온도에서 액체 상태를 형성하기 때문이다. 액체 상태가 산화이트륨계 플레이트(202) 및 알루미늄 질화물 히터 플레이트(210)로 확산할 것이고, 도 2d에 도시된 바와 같이, 냉각 후에 계면 층들(212, 214)이 형성될 수도 있다. 가열/냉각 레이트는 분당 섭씨 약 0.1도 내지 분당 섭씨 약 20도의 범위이다. 계면 층들(212, 214)은 알루미늄 질화물 히터 플레이트(210)에 산화이트륨계 플레이트(202)를 밀착하여 접합할 것이다. 두 계면 층들(212, 214) 모두 실리콘을 함유할 수도 있다. 일 실시예에서, 계면 층(212)은 Al6Si2O13이고, 계면 층(214)은 Y2Si2O7이다.
[0030] 산화이트륨계 플레이트(202)는 알루미늄 질화물 히터 플레이트(210)에 확산 접합된 후, 다음에 절삭 및/또는 연마되어, 요구되는 표면 특징들, 예컨대, 도트들, 밀폐 밴드들, 리프트 핀홀들 등을 형성한다. 확산 접합된 산화이트륨계 플레이트(202)의 두께는 히터 성능 요건에 따라 약 100 미크론 내지 약 2㎜일 수도 있다.
[0031] 요약하면, 알루미늄 질화물 히터 플레이트 위에 확산 접합된 순수한 산화이트륨 또는 주성분인 산화이트륨계 플레이트는 플라즈마 저항 성능을 상당히 개선하고, 히터 수명을 증가시키며, 챔버 성능을 개선한다.
[0032] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 기판 지지부로서,
스템(stem);
상기 스템에 커플링된 히터 플레이트 ― 상기 히터 플레이트는 적어도 하나의 내장형 히터를 캡슐화함 ―;
상기 히터 플레이트 상에 배치된 접합층 ― 상기 접합층은 실리콘 및 알루미늄을 포함하는 제 1 층 및 Y2Si2O7으로만 이루어진 제 2 층을 포함함 ―; 및
상기 제 2 층에 접합되고 그리고 상기 제 2 층과 직접 접촉하는 제 3 층
을 포함하고,
상기 제 2 층은 상기 제 1 층과 상기 제 3 층 사이에 있고, 상기 제 3 층은 산화이트륨을 포함하고 상기 제 2 층 및 상기 제 1 층과는 별개인,
기판 지지부. - 제 1 항에 있어서,
상기 히터 플레이트는 알루미늄 질화물을 포함하는,
기판 지지부. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 층은 Al6Si2O13인,
기판 지지부. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 층은 Y2O3-ZrO2-Al2O3로 이루어진,
기판 지지부. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 층은 100 미크론 내지 2㎜의 두께를 갖는,
기판 지지부. - 기판 지지부로서,
스템;
상기 스템에 커플링된 히터 플레이트 ― 상기 히터 플레이트는 알루미늄 질화물을 포함하고 적어도 하나의 내장형 히터를 캡슐화함 ―;
상기 히터 플레이트 상에 배치된 제 1 층 ― 상기 제 1 층은 실리콘을 포함함 ―; 및
상기 제 1 층 상에 배치된 제 2 층 ― 상기 제 2 층은 Y2Si2O7으로만 이루어지고 상기 제 1 층과는 별개임 ―; 및
상기 제 2 층에 배치되고 그리고 상기 제 2 층과 직접 접촉하는 제 3 층
을 포함하고,
상기 제 2 층은 상기 제 1 층과 상기 제 3 층 사이에 있고, 상기 제 3 층은 Y2O3-ZrO2-Al2O3로 이루어지고 그리고 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층과는 별개인,
기판 지지부. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 층은 Al6Si2O13인,
기판 지지부. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 3 층은 100 미크론 내지 2㎜의 두께를 갖는,
기판 지지부. - 기판 지지부로서,
스템;
상기 스템에 커플링된 히터 플레이트 ― 상기 히터 플레이트는 적어도 하나의 내장형 히터를 캡슐화함 ―;
상기 히터 플레이트 상에 배치된 접합층 ― 상기 접합층은 Al6Si2O13로 이루어진 제 1 층 및 Y2Si2O7으로만 이루어진 제 2 층을 포함함 ―; 및
상기 제 2 층 상에 배치되고 그리고 상기 제 2 층과 직접 접촉하는 제 3 층
을 포함하고,
상기 제 2 층은 상기 제 1 층과 상기 제 3 층 사이에 있고, 상기 제 3 층은 산화이트륨을 포함하고 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층과는 별개인,
기판 지지부. - 제 9 항에 있어서,
상기 히터 플레이트는 알루미늄 질화물을 포함하는,
기판 지지부. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 3 층은 Y2O3-ZrO2-Al2O3로 이루어지는,
기판 지지부. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 3 층은 100 미크론 내지 2㎜의 두께를 갖는,
기판 지지부. - 삭제
- 삭제
- 삭제
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