KR102243066B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 기판을 흡착 지지하는 척을 포함하되, 상기 척은 상면에 진공홀 및 관통홀이 형성되는 바디와 상기 진공홀을 감압하는 감압 부재를 포함하되, 상기 관통홀은 상기 바디의 상면으로부터 저면까지 연장되게 제공된다. The present invention provides an apparatus for supporting a substrate. The apparatus for processing a substrate includes a substrate support unit for supporting a substrate and a liquid supply unit for supplying a liquid to a substrate supported by the substrate support unit, wherein the substrate support unit includes a chuck for adsorbing and supporting a substrate, wherein the The chuck includes a body having a vacuum hole and a through hole formed on an upper surface thereof, and a pressure reducing member for depressurizing the vacuum hole, wherein the through hole is provided to extend from an upper surface to a lower surface of the body.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}Substrate processing apparatus {Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판을 지지하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for supporting a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 모든 공정들은 기판을 처리하는 과정에서 안정적 분위기를 도모하고자, 기판을 고정시킨 상태에서 공정이 진행된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photographing, etching, and ion implantation are performed. All of these processes are performed while the substrate is fixed in order to achieve a stable atmosphere in the process of processing the substrate.

예컨대, 사진 공정의 경우에는 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 포함하며, 도포 및 현상 단계에는 기판을 회전시킨 상태에서 기판을 액 처리한다. 기판은 지지판에 놓여져 회전된다. For example, in the case of a photographic process, coating, exposure, and development steps are included, and in the application and development steps, the substrate is liquid-treated while the substrate is rotated. The substrate is placed on a support plate and rotated.

일반적으로 기판은 핀 또는 반송 로봇에 의해 지지판에 내려놓여지거나, 들어 올려진다. 기판이 지지판에 내려놓여지는 과정에는 도 1과 같이, 기판(W)과 지지판(2)의 사이 공간에 잔류된 공기층에 의해 기판(W)의 위치가 이탈되는 경우가 발생된다. 또한 기판을 들어올리는 과정에는 도 2와 같이, 기판(W)과 지지판(2)의 사이 공간에 잔압에 의해 일부분이 들어올려지지 않으며, 기판(W)이 휘어지거나 튕기는 등의 공정 불량이 발생된다.In general, the substrate is lowered or lifted on a support plate by a pin or a transfer robot. In the process of placing the substrate on the support plate, as shown in FIG. 1, the position of the substrate W may be displaced by an air layer remaining in the space between the substrate W and the support plate 2. In addition, in the process of lifting the substrate, as shown in FIG. 2, a part of the space between the substrate W and the support plate 2 is not lifted due to residual pressure, and process defects such as bending or bounce of the substrate W occur. do.

본 발명은 기판을 지지판에 내려놓거나, 들어올리는 과정에서 발생되는 공정 불량을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of preventing process defects occurring in the process of lowering or lifting a substrate on a support plate.

본 발명의 실시예는 기판을 지지하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 기판을 흡착 지지하는 척을 포함하되, 상기 척은 상면에 진공홀 및 관통홀이 형성되는 바디와 상기 진공홀을 감압하는 감압 부재를 포함하되, 상기 관통홀은 상기 바디의 상면으로부터 저면까지 연장되게 제공된다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for supporting a substrate. The apparatus for processing a substrate includes a substrate support unit for supporting a substrate and a liquid supply unit for supplying a liquid to a substrate supported by the substrate support unit, wherein the substrate support unit includes a chuck for adsorbing and supporting a substrate, wherein the The chuck includes a body having a vacuum hole and a through hole formed on an upper surface thereof, and a pressure reducing member for depressurizing the vacuum hole, wherein the through hole is provided to extend from an upper surface to a lower surface of the body.

상부에서 바라볼 때 상기 관통홀의 상단과 하단은 비 정렬 상태로 제공될 수 있다. When viewed from the top, the top and bottom of the through hole may be provided in a non-aligned state.

상기 관통홀은 하단이 상단에 비해 상기 바디의 중심에 더 멀게 위치될 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은, 상기 척을 회전시키는 회전 구동 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 관통홀은 위에서 아래로 갈수록 하향 경사지게 제공될 수 있다. 상기 관통홀은 그 길이 방향을 따라 굴곡진 굴곡부를 가질 수 있다. The through hole may have a lower end located farther from the center of the body than an upper end. The substrate support unit may further include a rotation driving member that rotates the chuck. The through hole may be provided to be inclined downward from top to bottom. The through hole may have a bent portion bent along its length direction.

상기 진공홀과 상기 관통홀은 서로 독립되게 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 바디는 기판보다 작은 크기를 가질 수 있다. 상기 진공홀은 상기 바디의 중심에 위치되고, 상기 관통홀은 복수 개로 제공되며, 상기 진공홀을 감싸도록 배열될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 관통홀은 부채꼴 형상으로 제공될 수 있다. The vacuum hole and the through hole may be located independently of each other. When viewed from above, the body may have a size smaller than that of the substrate. The vacuum hole is located at the center of the body, the through hole is provided in plural, and may be arranged to surround the vacuum hole. When viewed from above, the through hole may be provided in a fan shape.

상기 스핀 척은, 상기 바디의 상면으로부터 돌출되어 기판을 직접 지지하는 돌기 부재를 더 포함하되, 상기 돌기 부재는 상부에서 바라볼 때 상기 관통홀을 감싸도록 환형의 링 형상으로 제공되는 제1돌기와 상부에서 바라볼 때 상기 바디의 가장자리 영역을 감싸도록 환형의 링 형상으로 제공되는 제2돌기를 포함하되, 상기 제1돌기 및 제2돌기는 상단이 서로 동일한 높이를 가지도록 제공될 수 있다. The spin chuck further includes a protrusion member protruding from an upper surface of the body to directly support the substrate, wherein the protrusion member includes a first protrusion and an upper portion provided in an annular ring shape so as to surround the through hole when viewed from above. It includes a second protrusion provided in an annular ring shape so as to surround the edge region of the body as viewed from, and the first protrusion and the second protrusion may be provided so that the upper ends have the same height.

상기 돌기 부재는 상기 바디의 상면에 복수 개로 제공되며, 핀 형상으로 제공되는 제3돌기를 더 포함할 수 있다. The protrusion member may be provided in plural on the upper surface of the body, and may further include a third protrusion provided in a pin shape.

본 발명의 실시예에 의하면, 스핀척에는 관통홀이 형성된다. 이로 인해 기판과 스핀척 사이의 잔압 및 잔류 공기층을 최소화하여, 기판의 위치 이탈 및 휘어짐 등을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a through hole is formed in the spin chuck. Accordingly, residual pressure and residual air layer between the substrate and the spin chuck can be minimized, thereby minimizing displacement and warpage of the substrate.

도 1은 지지판에 기판을 내려놓는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 2는 지지판으로부터 기판을 들어올리는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 9는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 스핀 척을 보여주는 사시도이다.
도 11은 도 10의 스핀 척의 제1실시예를 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 10의 스핀 척의 제2실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a process of placing a substrate on a support plate.
2 is a cross-sectional view showing a process of lifting a substrate from a support plate.
3 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of FIG. 3.
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
6 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 5.
7 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5.
8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 7.
9 is a diagram schematically showing an example of the liquid processing chamber of FIG. 5.
10 is a perspective view showing the spin chuck of FIG. 9.
11 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the spin chuck of FIG. 10.
12 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the spin chuck of FIG. 10.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.3 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 3, and FIG. 5 is a substrate processing apparatus of FIG. 3. It is a top view.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as The second direction 14 is referred to as, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 in which the longitudinal direction is provided in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and rotates the third direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process with each other, and may be provided with the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 5, the coating block 30a includes a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid onto the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transfer robot 3422 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer robot 3422 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, a rotation about the third direction 16, and a third direction. It may be provided to be movable along (16). In the transfer chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided in parallel with the first direction 12 may be provided, and the transfer robot 3422 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 6 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 5. 6, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, the support protrusions 3429 may be provided with four at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.The heat treatment chamber 3200 is provided in plural. 4 and 5, the heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 7 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5, and FIG. 8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 7. 7 and 8, the heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a transfer plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carry-in port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210. The entrance can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the entrance. The cooling unit 3220, the heating unit 3230, and the conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다.7 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다. The heating unit 3230 has a heating plate 3232, a cover 3234, and a heater 3233. The heating plate 3232 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3232 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3233 is installed on the heating plate 3232. The heater 3233 may be provided as a heating resistor to which current is applied. The heating plate 3232 is provided with lift pins 3238 that can be driven in the vertical direction along the third direction 16. The lift pin 3238 receives the substrate W from the conveying means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3232 or lifts the substrate W from the heating plate 3232 to the outside of the heating unit 3230. Hand over by means of conveyance. According to an example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has a space with an open lower portion therein. 7 The cover 3234 is located above the heating plate 3232 and is moved in the vertical direction by the actuator 3236. When the cover 3234 comes into contact with the heating plate 3232, the space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3232 is provided as a heating space for heating the substrate W.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The transfer plate 3240 has a generally disk shape and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 and 3424 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420 and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the vertical position of the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed in the position where the hand 3420 and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed. Delivery takes place. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first area 3212 and the second area 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246. The transfer plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the transfer plate 3240 to the inside of the transfer plate 3240. The guide groove 3242 is provided along the second direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)는 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the support plate 1320, and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed. It is made in the state of being in contact with. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well performed. According to an example, the transfer plate 3240 may be made of a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액 처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. The liquid processing chamber 3600 is provided in plural. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a front liquid treatment chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to an embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied on the substrate W on which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresists.

액 처리 챔버(3602, 3604)은 모두 동일한 구조를 가지며, 전단 액처리 챔버(3602)를 일 예로 설명한다. 도 9는 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 전단 액처리 챔버(3602)는 기판 상에 액막을 형성하는 장치(800)로 제공된다. 전단 액처리 챔버(3602,800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기(900)를 포함한다. Both the liquid processing chambers 3602 and 3604 have the same structure, and the front end liquid processing chamber 3602 will be described as an example. 9 is a cross-sectional view illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4. Referring to FIG. 9, the front end liquid processing chamber 3602 is provided as an apparatus 800 for forming a liquid film on a substrate. The front end liquid treatment chambers 3602 and 800 include a housing 810, an airflow providing unit 820, a substrate support unit 830, a processing container 850, an elevating unit 890, a liquid supply unit 840, and a controller. Includes 900.

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810. The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process proceeds, the door closes the opening to seal the inner space 812 of the housing 810. An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810. The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816. According to an example, the airflow provided in the processing container 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814, and the airflow provided outside the processing container 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816.

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 820 forms a downward airflow in the inner space of the housing 810. The airflow providing unit 820 includes an airflow supply line 822, a fan 824, and a filter 826. The airflow supply line 822 is connected to the housing 810. The airflow supply line 822 supplies external air to the housing 810. The filter 826 filters 826 the air provided from the airflow supply line 822. The filter 826 removes impurities contained in air. The fan 824 is installed on the upper surface of the housing 810. The fan 824 is located in a central area on the top surface of the housing 810. The fan 824 forms a downward airflow in the interior space of the housing 810. When air is supplied to the fan 824 from the airflow supply line 822, the fan 824 supplies air in a downward direction.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀 척(1000) 및 회전 구동 부재(834,836)를 포함한다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in the inner space of the housing 810. The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a spin chuck 1000 and rotation driving members 834 and 836.

도 10은 도 9의 스핀 척을 보여주는 사시도이다. 도 10을 참조하면, 스핀 척(1000)은 기판을 지지한 상태에서 회전 가능하도록 제공된다. 스핀 척(1000)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀 척(1000)은 상면이 저면보다 큰 면적을 가지도록 제공된다. 스핀 척(1000)의 상면과 저면은 동심원을 가지는 원 형상으로 제공된다. 즉, 스핀 척(1000)의 상면으로부터 저면까지 연장되는 측면은 위에서 아래 방향으로 갈수록 스핀 척(1000)의 중심축에 가까워지게 제공된다. 스핀 척(1000)의 상면에는 기판이 놓여진다. 스핀 척(1000)의 상면은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀 척(1000)은 기판(W)을 진공 흡착하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 10 is a perspective view showing the spin chuck of FIG. 9. Referring to FIG. 10, the spin chuck 1000 is provided to be rotatable while supporting a substrate. The spin chuck 1000 is provided to have a circular plate shape. The spin chuck 1000 is provided so that the upper surface has a larger area than the lower surface. The upper and lower surfaces of the spin chuck 1000 are provided in a circular shape having a concentric circle. That is, the side surface extending from the top surface to the bottom surface of the spin chuck 1000 is provided to be closer to the central axis of the spin chuck 1000 as it goes from the top to the bottom. A substrate is placed on the upper surface of the spin chuck 1000. The upper surface of the spin chuck 1000 is provided to have a diameter smaller than that of the substrate W. According to an example, the spin chuck 1000 may chuck the substrate W by vacuum adsorbing the substrate W.

선택적으로, 스핀 척(1000)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀 척(1000)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. Optionally, the spin chuck 1000 may be provided as an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. In addition, the spin chuck 1000 may chuck the substrate W with a physical force.

스핀 척(1000)은 바디(1200), 감압 부재(1400), 그리고 돌기 부재(1600)를 포함한다. 바디(1200)의 상면에는 진공홀(1220) 및 관통홀(1240)이 형성된다. 진공홀(1220)은 바디(1200)와 기판(W)의 사이 공간을 감압하도록 음압을 제공하는 홀로 기능한다. 관통홀(1240)은 바디(1200)의 상면으로부터 저면까지 연장되게 제공된다. 관통홀(1240)은 기판(W)과 바디(1200) 사이에 공기층이나, 잔압이 잔류되는 공간을 최소화한다. 일 예에 의하면, 관통홀(1240)은 복수 개로 제공될 수 있다. 진공홀(1220)은 바디(1200)의 중심에 위치되고, 관통홀(1240)은 진공홀(1220)을 감싸도록 배열될 수 있다. 관통홀(1240)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되며, 진공홀(1220)로부터 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 이에 따라 바디(1200)와 기판(W) 사이에 잔류된 공기층이 균일하게 배출될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 관통홀(1240)은 일부가 제거된 부채꼴 형상을 가진다. 이는 원판 형상의 바디(1200)에서 관통홀(1240)의 배치 조밀도를 높일 수 있다.The spin chuck 1000 includes a body 1200, a pressure reducing member 1400, and a protruding member 1600. A vacuum hole 1220 and a through hole 1240 are formed on the upper surface of the body 1200. The vacuum hole 1220 functions as a hole that provides a negative pressure to decompress the space between the body 1200 and the substrate W. The through hole 1240 is provided to extend from the top surface to the bottom surface of the body 1200. The through hole 1240 minimizes a space in which an air layer or residual pressure remains between the substrate W and the body 1200. According to an example, a plurality of through holes 1240 may be provided. The vacuum hole 1220 is located at the center of the body 1200, and the through hole 1240 may be arranged to surround the vacuum hole 1220. The through holes 1240 may be spaced apart from each other at equal intervals, and may be positioned to be spaced apart from the vacuum hole 1220 at equal intervals. Accordingly, the air layer remaining between the body 1200 and the substrate W may be uniformly discharged. When viewed from the top, the through hole 1240 has a fan shape with a portion removed. This can increase the arrangement density of the through-holes 1240 in the disk-shaped body 1200.

진공홀(1220)에는 감압 부재(1400)가 연결된다. 감압 부재(1400)는 진공홀(1220)을 감압함으로써, 기판(W)과 바디(1200)의 사이 공간을 감압한다. 이에 따라 바디(1200)의 상면에 놓여진 기판(W)은 진공 흡착되어 위치가 고정될 수 있다. 진공홀(1220)과 관통홀(1240)의 사이에는 기판(W)을 바디(1200)로부터 들어 올리거나 내려 놓는 리프트핀에 제공된다. 리프트핀(1260)은 승강 및 하강 이동되어 기판(W)을 승강 및 하강 이동시킨다.A pressure reducing member 1400 is connected to the vacuum hole 1220. The depressurizing member 1400 depressurizes the vacuum hole 1220 to decompress the space between the substrate W and the body 1200. Accordingly, the substrate W placed on the upper surface of the body 1200 may be vacuum-adsorbed and fixed in position. Between the vacuum hole 1220 and the through hole 1240, the substrate W is provided on a lift pin for lifting or lowering the substrate W from the body 1200. The lift pin 1260 is moved up and down to move the substrate W up and down.

상부에서 바라볼 때 관통홀(1240)의 상단과 하단은 비정렬 상태로 제공된다. 일 예에 의하면, 관통홀(1240)의 상단과 하단은 엇갈리게 위치될 수 있다. 이에 따라 바디(1200)의 저면으로부터 이물이 수직 방향으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.When viewed from the top, the top and bottom of the through hole 1240 are provided in an unaligned state. According to an example, the top and bottom of the through hole 1240 may be alternately positioned. Accordingly, it is possible to prevent foreign matters from flowing in the vertical direction from the bottom surface of the body 1200.

또한 관통홀(1240)의 하단은 상단에 비해 바디(1200)의 중심보다 더 멀게 위치될 수 있다. 제1실시예에 의하면, 도 11과 같이 관통홀(1240)은 위에서 아래로 갈수록 하향 경사지게 제공될 수 있다. 또한 제2실시예에 의하면, 도 12와 같이 관통홀(1240)은 그 길이 방향을 따라 굴곡진 굴곡부를 가지도록 제공될 수 있다. 이에 따라 외부의 이물이 관통홀(1240)의 하단을 통해 유입되는 방지할 수 있는 동시에, 스핀 척(1000)의 회전에 의해 발생된 원심력으로 관통홀(1240)에 유입된 이물을 쉽게 배출시킬 수 있다. In addition, the lower end of the through hole 1240 may be located farther than the center of the body 1200 compared to the upper end. According to the first embodiment, as shown in FIG. 11, the through hole 1240 may be provided to be inclined downward from top to bottom. In addition, according to the second embodiment, as shown in FIG. 12, the through hole 1240 may be provided to have a bent portion bent along its length direction. Accordingly, it is possible to prevent external foreign matter from entering through the lower end of the through hole 1240, and at the same time, it is possible to easily discharge foreign matter introduced into the through hole 1240 by the centrifugal force generated by the rotation of the spin chuck 1000. have.

다시 도 10을 참조하면, 돌기 부재(1600)는 기판(W)을 직접 지지한다. 또한 돌기 부재(1600)는 진공홀(1220)과 관통홀(1240)이 서로 독립된 분위기를 가지도록 서로를 구획시킨다. 돌기 부재(1600)는 제1돌기(1620), 제2돌기(1640), 그리고 제3돌기(1660)를 포함한다. 제1돌기(1620), 제2돌기(1640), 그리고 제3돌기(1660) 각각은 바디(1200)의 상면으로부터 위로 연장되게 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제1돌기(1620)는 관통홀(1240)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지고, 제2돌기(1640)는 바디(1200)의 상면 가장자리 영역을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다. 제3돌기(1660)는 복수 개로 제공되며, 핀 또는 구 형상으로 제공된다. 제1돌기(1620), 제2돌기(1640), 그리고 제3돌기(1660)는 상단이 모두 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 이에 따라 기판(W)은 제1돌기(1620), 제2돌기(1640), 그리고 제3돌기(1660) 각각에 의해 지지되며, 바디(1200)의 상면, 기판(W), 제1돌기(1620), 그리고 제2돌기(1640)의 조합에 의해 진공홀(1220)과 관통홀(1240)을 서로 구획할 수 있다. Referring back to FIG. 10, the protrusion member 1600 directly supports the substrate W. In addition, the protrusion member 1600 partitions each other so that the vacuum hole 1220 and the through hole 1240 have an atmosphere independent from each other. The protrusion member 1600 includes a first protrusion 1620, a second protrusion 1640, and a third protrusion 1660. Each of the first protrusion 1620, the second protrusion 1640, and the third protrusion 1660 is provided to extend upward from the upper surface of the body 1200. When viewed from above, the first protrusion 1620 has an annular ring shape surrounding the through hole 1240, and the second protrusion 1640 has an annular ring shape surrounding the upper surface edge region of the body 1200. The third protrusion 1660 is provided in plural, and is provided in a pin or spherical shape. The first protrusion 1620, the second protrusion 1640, and the third protrusion 1660 are all provided so that the upper ends have the same height. Accordingly, the substrate W is supported by each of the first protrusion 1620, the second protrusion 1640, and the third protrusion 1660, and the upper surface of the body 1200, the substrate W, and the first protrusion ( The vacuum hole 1220 and the through hole 1240 may be partitioned from each other by a combination of 1620 and the second protrusion 1640.

다시 도 9를 참조하면, 회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀 척(1000)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀 척(1000)의 아래에서 스핀 척(1000)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축(834)의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.Referring back to FIG. 9, the rotation shaft 834 and the driver 836 are provided as rotation drive members 834 and 836 that rotate the spin chuck 1000. The rotation shaft 834 supports the spin chuck 1000 under the spin chuck 1000. The rotation shaft 834 is provided so that its longitudinal direction faces up and down. The rotation shaft 834 is provided to be rotatable about its central axis. The driver 836 provides a driving force so that the rotation shaft 834 is rotated. For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotational speed of the rotation shaft 834.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 is located in the inner space 812 of the housing 810. The processing container 850 provides a processing space therein. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862.

내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The inner cup 852 is provided in a circular plate shape surrounding the rotation shaft 834. When viewed from the top, the inner cup 852 is positioned to overlap the inner exhaust port 814. When viewed from above, the upper surface of the inner cup 852 is provided so that the outer and inner regions are inclined at different angles from each other. According to an example, the outer region of the inner cup 852 faces a downwardly inclined direction as the distance from the substrate support unit 830 increases, and the inner region faces an upwardly inclined direction as the distance from the substrate support unit 830. Is provided to A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. An area outside the upper surface of the inner cup 852 is provided to be rounded. An area outside the upper surface of the inner cup 852 is provided concave down. An area outside the upper surface of the inner cup 852 may be provided as an area through which the treatment liquid flows.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다. The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 852. The outer cup 862 has a bottom wall 864, a side wall 866, an upper wall 870, and an inclined wall 870. The bottom wall 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A recovery line 865 is formed on the bottom wall 864. The recovery line 865 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 865 may be reused by an external liquid recovery system. The sidewall 866 is provided to have a circular cylindrical shape surrounding the substrate support unit 830. The side wall 866 extends in a vertical direction from the side end of the bottom wall 864. Side wall 866 extends upward from bottom wall 864.

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends from the upper end of the side wall 866 in the inner direction of the outer cup 862. The inclined wall 870 is provided so as to be closer to the substrate support unit 830 as it goes upward. The inclined wall 870 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830.

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The lifting unit 890 lifts and moves the inner cup 852 and the outer cup 862, respectively. The lifting unit 890 includes an inner moving member 892 and an outer moving member 894. The inner moving member 892 moves the inner cup 852 up and down, and the outer moving member 894 moves the outer cup 862 up and down.

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 감광액, 프리 웨트액, 그리고 세정액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 프리 웨트 노즐(842), 감광액 노즐(844), 그리고 세정액 노즐(940)을 포함한다. 프리 웨트 노즐(842)은 프리 웨트액을 공급하고, 감광액 노즐(844)은 감광액을 공급한다. 예컨대, 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 처리액과 유사 또는 동일한 성질을 변화시킬 수 있는 액일 수 있다. 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 소수성 성질로 변화시킬 수 있다. 감광액 노즐(844)은 복수 개로 제공되며, 이들은 서로 다른 종류의 감광액을 공급한다. 감광액 노즐(844)들과 프리 웨트 노즐(842)은 아암에 함께 설치된다. 감광액 노즐(844)들은 프리 웨트 노즐(842)을 사이에 두고 일렬로 배치되게 설치될 수 있다. 프리 웨트액과 감광액은 기판(W)의 중심에 공급될 수 있다.The liquid supply unit 840 supplies a photosensitive liquid, a pre-wet liquid, and a cleaning liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 840 includes a free wet nozzle 842, a photoresist nozzle 844, and a cleaning liquid nozzle 940. The free wet nozzle 842 supplies the free wet liquid, and the photosensitive liquid nozzle 844 supplies the photosensitive liquid. For example, the pre-wet liquid may be a liquid capable of changing the properties of the surface of the substrate W similar to or similar to the treatment liquid. The pre-wet liquid may change the surface of the substrate W into a hydrophobic property. A plurality of photoresist nozzles 844 are provided, and they supply different types of photoresist. The photoresist nozzles 844 and the pre-wet nozzle 842 are installed together on the arm. The photoresist nozzles 844 may be installed to be arranged in a line with the pre-wet nozzle 842 interposed therebetween. The pre-wet liquid and the photoresist may be supplied to the center of the substrate W.

세정액 노즐(940)은 세정액을 공급한다. 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)은 기판(W)의 상면으로 액을 공급하는 반면, 세정액 노즐(940)은 기판(W)의 저면으로 액을 공급한다. 세정액은 기판(W)의 저면을 세정 처리한다. 세정액은 기판(W)의 상면으로부터 흘러 경화되거나, 기판(W)의 저면에 부착된 이물을 제거한다. 세정액의 공급은 감광액의 공급이 완료된 이후에 수행된다. 세정액은 신나일 수 있다. The cleaning liquid nozzle 940 supplies a cleaning liquid. The pre-wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 supply the liquid to the upper surface of the substrate W, while the cleaning liquid nozzle 940 supplies the liquid to the lower surface of the substrate W. The cleaning liquid cleans the bottom surface of the substrate W. The cleaning liquid flows from the upper surface of the substrate W to be cured or removes foreign matter adhering to the lower surface of the substrate W. The supply of the cleaning liquid is performed after the supply of the photoresist is completed. The cleaning solution can be thinner.

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring again to FIGS. 4 and 5, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802. The shear buffers 3802 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer robot 3422. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the coating block 30a. ) And is provided in a generally similar structure and arrangement, so it is for this. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as a developing chamber 3600 for developing and processing a substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transfer member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. I can. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the length direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 includes the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the first robot 4602 and the second robot 4606 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hand of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate (W) with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the other robots have a different shape. Can be provided.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the coating block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the coating block 30a and the developing block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process (S20), an edge exposure process (S40), an exposure process (S60), and a developing process (S80) are sequentially performed on the substrate W.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an antireflective coating process (S22) in the front liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment at the subsequent stage. A photoresist film application process (S24) in the chamber 3604 and a heat treatment process (S25) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes out the substrate W from the container 10 and transfers the substrate W to the front end buffer 3802. The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front end buffer 3802 to the front end heat treatment chamber 3200. The substrate W transfers the substrate W to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240. When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220. The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the top of the cooling unit 3220, and the transfer robot 3422 carries out the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the front end liquid treatment chamber 3602. Return.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the shear liquid processing chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries out the substrate W from the front end liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 carries out the substrate W and transfers the substrate W to the subsequent liquid treatment chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in a liquid processing chamber 3604 at a later stage.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the liquid processing chamber 3604 at a later stage to carry the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 carries out the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes out the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development treatment process (S80) is performed by sequentially performing a heat treatment process (S81) in the heat treatment chamber 3200, a development process (S82) in the liquid treatment chamber 3600, and a heat treatment process (S83) in the heat treatment chamber 3200 do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The transfer robot 3422 carries the substrate W out of the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer to the developing chamber 3600 on the substrate W.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is carried out from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and carried into the heat treatment chamber 3200. The substrate W is sequentially subjected to a heating process and a cooling process in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is carried out from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only a coating process, and a film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film SOH.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the technology or knowledge in the art. The above-described embodiments are to describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

1200: 바디 1220: 진공홀
1240: 관통홀 1400: 감압 부재
1600: 돌기 부재 1620: 제1돌기
1640: 제2돌기 1660: 제3돌기1200: body 1220: vacuum hole
1240: through hole 1400: decompression member
1600: protrusion member 1620: first protrusion
1640: 2nd protrusion 1660: 3rd protrusion

Claims (12)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 흡착 지지하는 척과;
상기 척을 회전시키는 회전 구동 부재를 포함하되,
상기 척은,
상면에 진공홀 및 관통홀이 형성되는 바디와;
상기 진공홀을 감압하는 감압 부재를 포함하되,
상기 관통홀은 상기 바디의 상면으로부터 저면까지 연장되게 제공되며 그 길이 방향을 따라 굴곡진 굴곡부를 가지는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A substrate support unit supporting a substrate;
Including a liquid supply unit for supplying a liquid to the substrate supported by the substrate support unit,
The substrate support unit,
A chuck for adsorbing and supporting the substrate;
Including a rotation driving member for rotating the chuck,
The chuck,
A body having a vacuum hole and a through hole formed on an upper surface thereof;
Including a decompression member for decompressing the vacuum hole,
The through hole is provided to extend from an upper surface to a lower surface of the body and has a bent portion bent along a length direction thereof. 제1항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 관통홀의 상단과 하단은 비 정렬 상태로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
When viewed from above, the upper and lower ends of the through holes are provided in a non-aligned state. 제2항에 있어서,
상기 관통홀은 하단이 상단에 비해 상기 바디의 중심에 더 멀게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
A substrate processing apparatus in which a lower end of the through hole is located farther from a center of the body than an upper end. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 진공홀과 상기 관통홀은 서로 독립되게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The vacuum hole and the through hole are positioned independently of each other. 제7항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 바디는 기판보다 작은 크기를 가지는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
When viewed from above, the body has a size smaller than that of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 진공홀은 상기 바디의 중심에 위치되고,
상기 관통홀은 복수 개로 제공되며, 상기 진공홀을 감싸도록 배열되는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The vacuum hole is located at the center of the body,
The substrate processing apparatus is provided in a plurality of through holes and arranged to surround the vacuum hole. 제8항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 관통홀은 부채꼴 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
When viewed from above, the through hole is provided in a fan shape. 제8항에 있어서,
상기 척은,
상기 바디의 상면으로부터 돌출되어 기판을 직접 지지하는 돌기 부재를 더 포함하되,
상기 돌기 부재는,
상부에서 바라볼 때 상기 관통홀을 감싸도록 환형의 링 형상으로 제공되는 제1돌기와;
상부에서 바라볼 때 상기 바디의 가장자리 영역을 감싸도록 환형의 링 형상으로 제공되는 제2돌기를 포함하되,
상기 제1돌기 및 제2돌기는 상단이 서로 동일한 높이를 가지도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The chuck,
Further comprising a protrusion member protruding from the upper surface of the body to directly support the substrate,
The protrusion member,
A first protrusion provided in an annular ring shape so as to surround the through hole when viewed from above;
It includes a second protrusion provided in an annular ring shape so as to surround the edge region of the body when viewed from the top,
The substrate processing apparatus is provided such that the first protrusion and the second protrusion have upper ends having the same height. 제11항에 있어서,
상기 돌기 부재는
상기 바디의 상면에 복수 개로 제공되며, 핀 형상으로 제공되는 제3돌기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 11,
The protrusion member
A substrate processing apparatus further comprising a third protrusion provided on the upper surface of the body and provided in a pin shape.
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