KR102232667B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102232667B1
KR102232667B1 KR1020140071336A KR20140071336A KR102232667B1 KR 102232667 B1 KR102232667 B1 KR 102232667B1 KR 1020140071336 A KR1020140071336 A KR 1020140071336A KR 20140071336 A KR20140071336 A KR 20140071336A KR 102232667 B1 KR102232667 B1 KR 102232667B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
discharge hole
cleaning
liquid
nozzle
gas
Prior art date
Application number
KR1020140071336A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150142865A (en
Inventor
최용구
김형배
최기용
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020140071336A priority Critical patent/KR102232667B1/en
Publication of KR20150142865A publication Critical patent/KR20150142865A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102232667B1 publication Critical patent/KR102232667B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/55Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids
    • B05B15/557Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids the cleaning fluid being a mixture of gas and liquid
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스테이지, 상기 스테이지에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 노즐, 그리고 상기 노즐을 세정 처리하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은 내부에 상기 노즐이 수용 가능한 세정 공간을 가지며, 내측면에 액 토출홀 및 가스 토출홀이 형성되는 바디, 상기 액 토출홀에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인,그리고 상기 가스 토출홀에 세정가스를 공급하는 세정가스 공급 라인을 포함하되, 상기 액 토출홀은 슬릿 형상으로 제공된다. 이로 인해 처리액 노즐의 토출부의 전체 영역에 세정액 및 세정가스를 공급하고, 세정력을 향상시킬 수 있다.An embodiment of the present invention provides an apparatus for liquid processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a stage for supporting a substrate, a nozzle for supplying a processing liquid onto a substrate supported on the stage, and a cleaning unit for cleaning the nozzle, wherein the cleaning unit is a cleaning unit in which the nozzle is accommodated. A body having a space and having a liquid discharge hole and a gas discharge hole formed on an inner surface thereof, a cleaning liquid supply line for supplying a cleaning liquid to the liquid discharge hole, and a cleaning gas supply line for supplying a cleaning gas to the gas discharge hole. , The liquid discharge hole is provided in a slit shape. Accordingly, the cleaning liquid and the cleaning gas can be supplied to the entire area of the discharge portion of the treatment liquid nozzle, and cleaning power can be improved.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}Substrate processing apparatus {Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 액 처리하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for liquid processing a substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판 상으로 약액을 공급하는 사진, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정으로 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 포함한다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photographing, etching, ion implantation, deposition, and cleaning of supplying a chemical solution onto a substrate are performed. Among these processes, the photographic process is a process of forming a desired pattern on a substrate, and includes a coating process, an exposure process, and a developing process.

이 중 도포 공정은 기판 상에 포토레지스트와 같은 처리액을 도포하는 공정이다. 이 같은 도포 공정은 크게 도포 단계 및 세정 단계를 포함한다. 도포 단계는 처리액 노즐이 기판과 대향되는 공정 위치에서 처리액을 공급하는 단계이다. 세정 단계는 처리액 노즐이 세정유닛과 대향되는 대기 위치에서 토출단에 잔류된 처리액을 세정하는 단계이다. 도 1은 처리액 노즐을 세정 처리하는 세정 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 1을 참조하면, 세정 유닛은 바디(2), 세정 노즐(4), 그리고 가스 노즐(6a, 6b)을 포함한다. 바디(2)는 내부에 처리액 노즐이 수용 가능한 세정 공간을 가진다. 바디(2)의 내측면에는 핀 형상의 세정 노즐(4) 및 가스 노즐(6a, 6b)이 각각 설치된다. 처리액 노즐이 대기 위치에 위치되면, 바디(2)는 처리액 노즐의 토출부가 세정 공간에 수용되도록 이동되어 처리액 노즐의 토출단 및 외측면을 세정 처리 한다. Among these, the coating process is a process of applying a treatment liquid such as a photoresist on the substrate. Such an application process largely includes an application step and a cleaning step. The application step is a step of supplying the treatment liquid at a process position where the treatment liquid nozzle faces the substrate. The cleaning step is a step of cleaning the treatment liquid remaining at the discharge end at a standby position in which the treatment liquid nozzle faces the cleaning unit. 1 is a perspective view showing a cleaning unit for cleaning a treatment liquid nozzle. Referring to FIG. 1, the cleaning unit includes a body 2, a cleaning nozzle 4, and gas nozzles 6a and 6b. The body 2 has a cleaning space in which the treatment liquid nozzle can be accommodated. A fin-shaped cleaning nozzle 4 and gas nozzles 6a and 6b are installed on the inner side of the body 2, respectively. When the treatment liquid nozzle is positioned in the standby position, the body 2 is moved so that the discharge portion of the treatment liquid nozzle is accommodated in the cleaning space, thereby cleaning the discharge end and the outer surface of the treatment liquid nozzle.

그러나 처리액 노즐, 세정 노즐(4), 그리고 가스 노즐(6a, 6b)은 그 높이가 고정되게 제공된다. 이로 인해 처리액 노즐의 토출부는 세정 노즐(4) 및 가스 노즐(6a, 6b)과 대향되는 특정 영역만이 세정 처리되며, 이 외의 영역을 세정하는 것은 어렵다. However, the treatment liquid nozzle, the cleaning nozzle 4, and the gas nozzles 6a and 6b are provided with their height fixed. For this reason, only a specific area facing the cleaning nozzle 4 and the gas nozzles 6a and 6b is subjected to the cleaning process in the discharge portion of the treatment liquid nozzle, and it is difficult to clean the other areas.

뿐만 아니라 세정 노즐(4) 및 가스 노즐(6a, 6b)은 바디의 내측면으로부터 돌출되게 제공된다. 이로 인해 처리액 노즐의 대기 위치가 정 위치로 이동되지 않은 경우에는 처리액 노즐이 세정 노즐(4) 및 가스 노즐(6a, 6b)에 충돌된다. 이에 따라 각 노즐들은 파손되며, 공정 불량을 야기한다.In addition, the cleaning nozzle 4 and the gas nozzles 6a and 6b are provided to protrude from the inner side of the body. For this reason, when the standby position of the processing liquid nozzle is not moved to the fixed position, the processing liquid nozzle collides with the cleaning nozzle 4 and the gas nozzles 6a and 6b. Accordingly, each nozzle is damaged, causing a process failure.

한국 특허 등록 번호: 제10-0863220호Korean Patent Registration No.: 10-0863220

본 발명은 처리액 노즐의 토출부의 전체 영역을 세정 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide an apparatus capable of cleaning the entire area of a discharge portion of a treatment liquid nozzle.

또한 본 발명은 처리액 노즐을 세정 처리하는 과정에서 처리액 노즐 및 세정 유닛 간에 충돌을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide an apparatus capable of minimizing collision between a treatment liquid nozzle and a cleaning unit in a process of cleaning the treatment liquid nozzle.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스테이지, 상기 스테이지에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 노즐, 그리고 상기 노즐을 세정 처리하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은 내부에 상기 노즐이 수용 가능한 세정 공간을 가지며, 내측면에 액 토출홀 및 가스 토출홀이 형성되는 바디, 상기 액 토출홀에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인,그리고 상기 가스 토출홀에 세정가스를 공급하는 세정가스 공급 라인을 포함하되, 상기 액 토출홀은 슬릿 형상으로 제공된다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for liquid processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a stage for supporting a substrate, a nozzle for supplying a processing liquid onto a substrate supported on the stage, and a cleaning unit for cleaning the nozzle, wherein the cleaning unit is a cleaning unit in which the nozzle is accommodated. A body having a space and having a liquid discharge hole and a gas discharge hole formed on an inner surface thereof, a cleaning liquid supply line for supplying a cleaning liquid to the liquid discharge hole, and a cleaning gas supply line for supplying a cleaning gas to the gas discharge hole. , The liquid discharge hole is provided in a slit shape.

상기 바디는 상부가 개방된 통 형상을 가지며, 상기 내측면은 중심축과 가까워지는 방향을 따라 하향 경사진 제1경사면을 포함하되, 상기 제1경사면에는 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀이 형성될 수 있다. 상기 바디는 그 길이방향이 제1방향을 향하도록 제공되며, 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀은 상기 제1방향을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 상기 노즐은 그 저면에 길이방향이 상기 제1방향을 향하는 슬릿 형상의 분사구가 형성되고, 상부에서 바라볼 때 상기 액 토출홀의 길이방향은 상기 제1방향과 수직한 제2방향을 향하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 가스 토출홀은 그 길이방향이 상기 제2방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공되며, 상기 가스 토출홀은 상기 액 토출홀보다 길게 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 가스 토출홀의 길이방향은 상기 제2방향에 대해 경사지도록 제공되며, 상기 가스 토출홀은 상기 액 토출홀보다 길게 제공될 수 있다. 상기 내측면은 상부에서 바라볼 때 상기 중심축을 지나는 상기 제1방향을 중심으로 제1경사면과 대칭되게 제공되는 제2경사면을 더 포함하되, 상기 제2내경사면에는 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀이 각각 형성될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 중심축을 지나는 상기 제1방향을 중심으로 상기 제2경사면에 형성되는 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀은 상기 제1경사면에 형성되는 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀과 대칭될 수 있다. 상기 세정 유닛은 길이방향이 상기 제1방향을 향하며, 상기 바디가 설치되는 가이드 레일, 상기 바디가 상기 제1방향 및 상기 제1방향의 반대 방향으로 이동되도록 상기 가이드 레일에 구동력을 전달하는 구동기를 더 포함할 수 있다. The body has a cylindrical shape with an open top, and the inner surface includes a first inclined surface inclined downward in a direction closer to a central axis, and the liquid discharge hole and the gas discharge hole are formed on the first inclined surface. Can be. The body is provided so that its longitudinal direction faces a first direction, and the liquid discharge hole and the gas discharge hole may be sequentially arranged along the first direction. The nozzle is provided with a slit-shaped ejection hole having a longitudinal direction facing the first direction on its bottom surface, and the longitudinal direction of the liquid discharge hole facing a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top. I can. When viewed from above, the gas discharge hole may be provided in a slit shape whose length direction faces the second direction, and the gas discharge hole may be provided longer than the liquid discharge hole. When viewed from above, a longitudinal direction of the gas discharge hole may be provided to be inclined with respect to the second direction, and the gas discharge hole may be provided longer than the liquid discharge hole. The inner surface further includes a second inclined surface provided symmetrically with the first inclined surface about the first direction passing through the central axis when viewed from the top, and the liquid discharge hole and the gas discharged in the second inner inclined surface Each hole can be formed. When viewed from above, the liquid discharge hole and the gas discharge hole formed on the second inclined surface centering on the first direction passing through the central axis include the liquid discharge hole and the gas discharge hole formed on the first inclined surface. It can be symmetrical. The cleaning unit has a longitudinal direction facing the first direction, a guide rail on which the body is installed, and a driver that transmits a driving force to the guide rail so that the body is moved in a direction opposite to the first direction and the first direction. It may contain more.

본 발명의 실시예에 의하면, 세정액 및 세정가스를 공급하는 토출홀은 슬릿 형상으로 제공된다. 이로 인해 처리액 노즐의 토출부의 전체 영역에 세정액 및 세정가스를 공급하고, 세정력을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the discharge hole for supplying the cleaning liquid and the cleaning gas is provided in a slit shape. Accordingly, the cleaning liquid and the cleaning gas can be supplied to the entire area of the discharge portion of the treatment liquid nozzle, and cleaning power can be improved.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 세정액 및 세정가스는 바디의 내측면에 형성된 토출홀들을 통해 토출된다. 이로 인해 종래에 핀 형상으로 제공된 노즐을 이용하여 세정액 및 세정가스를 토출하는 경우보다, 액 공급 유닛과 세정 유닛 간의 충돌을 최소화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the cleaning liquid and the cleaning gas are discharged through discharge holes formed on the inner side of the body. For this reason, the collision between the liquid supply unit and the cleaning unit can be minimized compared to the case of discharging the cleaning liquid and the cleaning gas using a nozzle provided in a pin shape in the related art.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 세정가스를 토출하는 가스 토출홀은 세정액을 토출하는 액 토출홀에 비해 긴 슬릿 형상으로 제공된다. 이로 인해 세정액이 공급된 영역 중 일부에 세정 가스가 공급되지 못하는 문제점을 해결할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the gas discharge hole for discharging the cleaning gas is provided in a slit shape that is longer than the liquid discharge hole for discharging the cleaning liquid. As a result, it is possible to solve a problem in that the cleaning gas is not supplied to some of the areas where the cleaning liquid is supplied.

도 1은 처리액 노즐을 세정 처리하는 세정 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 2의 세정 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 바디를 제1방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 4의 바디를 제2방향에서 바라본 단면도이다.
1 is a perspective view showing a cleaning unit for cleaning a treatment liquid nozzle.
2 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
4 is a perspective view showing the cleaning unit of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view of the body of FIG. 4 viewed from a first direction.
6 is a cross-sectional view of the body of FIG. 4 viewed from a second direction.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면, 도 2 내지 도 6을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, FIGS. 2 to 6. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This example is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 스테이지(100), 기판 반송 부재(200), 노즐(300), 노즐 이동 부재(400) 그리고 대기 포트(500)를 포함한다.2 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1000 includes a stage 100, a substrate transfer member 200, a nozzle 300, a nozzle moving member 400, and a standby port 500.

스테이지(100)는 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 스테이지(100)는 제 1 방향(12)으로 설정된 폭을 가지고, 그 길이방향이 제 1 방향(12)과 수직인 제 2 방향(14)을 향하는 직사각 형상을 가지도록 제공된다. 기판(S)은 스테이지(100)에 위치된 후, 스테이지(100)의 길이방향을 따라 이동 가능하다.The stage 100 is provided to have a rectangular parallelepiped shape. When viewed from the top, the stage 100 has a width set in the first direction 12, and its longitudinal direction is provided to have a rectangular shape in a second direction 14 perpendicular to the first direction 12. . After the substrate S is positioned on the stage 100, it is movable along the length direction of the stage 100.

스테이지(100)에는 양압 공급홀(120) 및 음압 공급홀(110)이 형성된다. 양압 공급홀(120)에는 기체를 공급하는 기체 공급 라인(미도시)이 연결된다. 기체 공급 라인에서 공급된 기체는 양압 공급홀(120)을 통해 분사된다. 음압 공급홀(110)에는 음압 공급 라인(미도시)이 연결된다. 읍압 공급 라인에서 제공된 음압은 음압 공급홀(110)을 통해 스테이지(100) 상에 위치된 기판(S)에 전달된다. 양압 공급홀(120)로부터 분사된 기체 및 음압 공급홀(110)로부터 제공된 음압은 기판(S)을 스테이지(100)로부터 일정 높이로 부상시킨다.A positive pressure supply hole 120 and a negative pressure supply hole 110 are formed in the stage 100. A gas supply line (not shown) for supplying gas is connected to the positive pressure supply hole 120. The gas supplied from the gas supply line is injected through the positive pressure supply hole 120. A negative pressure supply line (not shown) is connected to the negative pressure supply hole 110. The negative pressure provided from the pressure supply line is transmitted to the substrate S positioned on the stage 100 through the negative pressure supply hole 110. The gas injected from the positive pressure supply hole 120 and the negative pressure provided from the negative pressure supply hole 110 cause the substrate S to float from the stage 100 to a predetermined height.

스테이지(100)의 양 측부에는 기판 반송 부재(200)가 설치된다. 기판 반송 부재(200)는 반송용 레일(210) 및 파지 부재(220)를 포함한다.Substrate transfer members 200 are installed on both sides of the stage 100. The substrate transfer member 200 includes a transfer rail 210 and a gripping member 220.

반송용 레일(210)은 스테이지(100)의 양측부에 각각 위치된다. 반송용 레일(210)은 그 길이방향이 제 2 방향(14)을 향하도록 제공된다. 각각의 반송용 레일(210)에는 파지 부재(220)가 설치된다. 파지 부재(220)는 반송용 레일(210)을 따라 제 2 방향(14)으로 이동 가능하도록 제공된다. 파지 부재(220)는 스테이지(100)에 의해 부상된 기판(S)을 지지한다. 파지 부재(220)는 기판(S)을 지지한 상태에서 기판(S)과 함께 제 2 방향(14)으로 이동 가능하다.Transport rails 210 are positioned on both sides of the stage 100, respectively. The conveying rail 210 is provided so that its longitudinal direction faces the second direction 14. A gripping member 220 is installed on each of the transport rails 210. The gripping member 220 is provided to be movable in the second direction 14 along the carrying rail 210. The gripping member 220 supports the substrate S raised by the stage 100. The gripping member 220 is movable in the second direction 14 together with the substrate S while supporting the substrate S.

노즐 이동 부재(400)는 노즐(300)을 제 2 방향(14)에 대해 왕복 이동시킨다. 노즐 이동 부재(400)는 노즐(300)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(300)이 기판(S)과 대향된 위치이고, 대기 위치는 노즐(300)이 대기 포트(500)에 대향되는 위치이다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 노즐(300)이 후술할 대기 포트(500)의 가이드 레일(520)과 대향되는 위치일 수 있다. 노즐 이동 부재(400)에 지지된 노즐(300)은 스테이지(100)에 대해 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14) 각각에 수직한 제 3 방향(16)으로 이격되게 위치된다. The nozzle moving member 400 reciprocates the nozzle 300 with respect to the second direction 14. The nozzle moving member 400 moves the nozzle 300 to a process position and a standby position. Here, the process position is a position where the nozzle 300 faces the substrate S, and the standby position is a position where the nozzle 300 faces the standby port 500. According to an example, the standby position may be a position where the nozzle 300 faces the guide rail 520 of the standby port 500 to be described later. The nozzles 300 supported by the nozzle moving member 400 are positioned to be spaced apart from the stage 100 in a third direction 16 perpendicular to each of the first and second directions 12 and 14.

노즐 이동 부재(400)는 지지대(410), 수직 프레임(420) 그리고 이동 레일(430)을 포함한다. 지지대(410)는 그 길이방향이 제 1 방향(12)을 향하는 바 형상으로 제공된다. 지지대(410)는 스테이지(100)의 상면과 대향되게 위치된다. 지지대(410)는 스테이지(100)로부터 제 3 방향(16)에 대해 이격되게 위치된다. 노즐(300)은 지지대(410)의 일면 또는 그 이상의 면에 결합 가능하다. The nozzle moving member 400 includes a support 410, a vertical frame 420, and a moving rail 430. The support 410 is provided in a bar shape whose longitudinal direction faces the first direction 12. The support 410 is positioned to face the upper surface of the stage 100. The support 410 is positioned to be spaced apart from the stage 100 with respect to the third direction 16. The nozzle 300 may be coupled to one or more surfaces of the support 410.

지지대(410)의 양단에는 수직 프레임(420)에 연결된다. 수직 프레임(420)은 지지대(410)의 양단으로부터 아래로 수직하게 연장된다. 수직 프레임(420)은 지지대(410)와 일체로 형성되거나, 지지대(410)에 탈착 가능하도록 제공될 수 있다. 수직 프레임(420)의 하단은 이동 레일(430)에 설치된다. 이동 레일(430)은 그 길이방향이 제 2 방향(14)을 향하도록 제공된다. 이동 레일(430)은 스테이지(100)의 양측부에 각각 위치된다. 이동 레일(430)은 반송용 레일(210)의 외측에 위치된다. 수직 프레임(420)은 이동 레일(430)을 따라 제 2 방향(14)으로 이동 가능하며, 이와 결합된 지지대(410) 및 노즐(300)은 제 2 방향(14)으로 함께 이동된다.Both ends of the support 410 are connected to a vertical frame 420. The vertical frame 420 extends vertically downward from both ends of the support 410. The vertical frame 420 may be formed integrally with the support 410 or may be provided to be detachable from the support 410. The lower end of the vertical frame 420 is installed on the moving rail 430. The moving rail 430 is provided so that its longitudinal direction faces the second direction 14. The moving rails 430 are positioned on both sides of the stage 100, respectively. The moving rail 430 is located outside the transport rail 210. The vertical frame 420 is movable along the moving rail 430 in the second direction 14, and the support 410 and the nozzle 300 coupled thereto are moved together in the second direction 14.

노즐(300)은 처리액을 공급한다. 노즐(300)은 몸통부(310) 및 토출부(320)를 포함한다. 몸통부(310)는 그 길이방향이 제 1 방향(12)을 향하는 통 형상으로 제공된다. 몸통부(310)는 지지대(410)에 결합 가능하도록 제공된다. 토출부(320)는 몸통부(310)의 하단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 제 1 방향(12)에서 바라볼 때 토출부(320)의 양측면 각각은 몸통부(310)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사지게 제공된다.토출부(320)의 하단은 그 양측면이 서로 만나는 지점으로 제공된다. 토출부(320)의 하단에는 슬릿 형상의 분사구가 형성된다. 분사구는 그 길이방향이 제 1 방향(12)을 향하도록 길게 제공된다. 예컨대, 분사구는 제 1 방향(12)을 향하는 기판(S)의 폭과 동일하거나 이보다 길게 제공될 수 있다. 처리액은 감광액일 수 있다. 감광액은 포토레지스트일 수 있다.The nozzle 300 supplies a treatment liquid. The nozzle 300 includes a body portion 310 and a discharge portion 320. The trunk portion 310 is provided in a cylindrical shape whose longitudinal direction faces the first direction 12. The body 310 is provided to be coupled to the support 410. The discharge part 320 is provided to extend downward from the lower end of the body part 310. When viewed from the first direction 12, each of the both side surfaces of the discharge unit 320 is provided to be inclined downward as it approaches the central axis of the body portion 310. The lower end of the discharge unit 320 is a point where both sides of the discharge unit meet each other. It is provided as. A slit-shaped injection hole is formed at the lower end of the discharge part 320. The injection port is provided elongated so that its longitudinal direction faces the first direction 12. For example, the injection hole may be provided equal to or longer than the width of the substrate S facing the first direction 12. The treatment liquid may be a photosensitive liquid. The photoresist may be a photoresist.

대기 포트(500)에는 공정이 진행되지 않은 상태의 노즐(300)이 위치된다. 대기 포트(500)는 공정 진행 전후의 노즐(300)을 세정 처리하는 세정 유닛(500)으로 제공된다. 대기 포트(500)는 고정대(510), 가이드 레일(520), 그리고 바디(530)를 포함한다. The nozzle 300 in a state in which the process is not in progress is located in the standby port 500. The standby port 500 is provided as a cleaning unit 500 that cleans the nozzle 300 before and after the process proceeds. The standby port 500 includes a fixture 510, a guide rail 520, and a body 530.

고정대(510)는 서로 마주보는 이동 레일(430)들의 내측에 위치된다. 고정대(510)는 스테이지(100) 및 반송용 레일(210)의 양측 및 상부를 감싸도록 제공된다. 고정대(510)의 상부 영역은 그 상면이 평평한 플레이트 형상을 가진다. 고정대(510)의 상면은 제 2 방향(14)으로 이동되는 노즐(300)과 간섭되지 않는 높이를 가진다. 고정대(510)의 상면은 지지대(410)에 지지된 노즐(300)의 토출단보다 낮게 위치된다. 또한 고정대(510)의 상면은 제 2 방향(14)으로 이동되는 기판(S)과 간섭되지 않는 높이를 가진다. 고정대(510)의 상면은 파지 부재(220)에 파지된 기판(S)보다 높게 위치된다. 예컨대, 정면에서 바라볼 때 고정대(510)는 "┏┓" 형상을 가지도록 제공될 수 있다. The fixing table 510 is located inside the moving rails 430 facing each other. The fixing table 510 is provided to surround both sides and upper portions of the stage 100 and the rail 210 for transport. The upper region of the fixing table 510 has a plate shape having a flat top surface. The upper surface of the fixing table 510 has a height that does not interfere with the nozzle 300 moving in the second direction 14. The upper surface of the fixing table 510 is positioned lower than the discharge end of the nozzle 300 supported by the support table 410. In addition, the upper surface of the fixing table 510 has a height that does not interfere with the substrate S moving in the second direction 14. The upper surface of the fixing table 510 is positioned higher than the substrate S held by the holding member 220. For example, when viewed from the front, the fixture 510 may be provided to have a "┏┓" shape.

가이드 레일(520)은 고정대(510)의 상면에 고정 설치된다. 가이드 레일(520)은 그 길이방향이 노즐(300)과 평행하도록 제공된다. 가이드 레일(520)은 그 길이방향이 제 1 방향(12)을 향하도록 제공된다. 가이드 레일(520)은 노즐(300)에 비해 제 1 방향(12)을 향하는 길이가 길게 제공된다. 가이드 레일(520)에는 바디(530)가 설치된다. 가이드 레일(520)은 바디(530)가 이동되는 경로를 제공한다. 구동기는 바디(530)가 제 1 방향(12) 또는 이의 반대 방향으로 이동되도록 가이드 레일(520)에 구동력을 제공한다. 구동기에 의해 바디(530)는 가이드 레일(520) 상에서 제 1 방향(12) 및 이의 반대 방향으로 왕복 이동이 가능하다.The guide rail 520 is fixedly installed on the upper surface of the fixing table 510. The guide rail 520 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the nozzle 300. The guide rail 520 is provided so that its longitudinal direction faces the first direction 12. The guide rail 520 has a longer length in the first direction 12 than the nozzle 300. A body 530 is installed on the guide rail 520. The guide rail 520 provides a path through which the body 530 is moved. The actuator provides a driving force to the guide rail 520 so that the body 530 moves in the first direction 12 or in the opposite direction thereof. The body 530 may reciprocate in the first direction 12 and the opposite direction on the guide rail 520 by the actuator.

바디(530)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 바디(530)는 내부에 세정 공간(531)이 제공된다. 세정 공간(531)에는 노즐(300)의 토출부(320)가 수용 가능하다. 바디(530)는 그 길이방향이 노즐(300)과 평행하도록 제공된다. 바디(530)는 저면부(532), 측면부(534), 상면부(536), 그리고 노즐 수용부(540)를 포함한다. 저면부(532)는 길이방향이 제 1 방향(12)을 향하는 직사각 형상을 가진다. 측면부(534)는 제 2 방향(14)을 향하는 저면부(532)의 양단 각각으로부터 위로 연장되게 제공된다. 상면부(536)는 측면부(534)의 상단으로부터 수직하게 연장된다. 상면부(536)는 측면부(534)의 상단으로부터 바디(530)의 내측방향을 향하도록 제공된다. The body 530 has a cylindrical shape with an open top. The body 530 is provided with a cleaning space 531 therein. The discharge part 320 of the nozzle 300 can be accommodated in the cleaning space 531. The body 530 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the nozzle 300. The body 530 includes a bottom portion 532, a side portion 534, an upper portion 536, and a nozzle receiving portion 540. The bottom portion 532 has a rectangular shape in which the longitudinal direction faces the first direction 12. The side portions 534 are provided to extend upward from both ends of the bottom portion 532 facing the second direction 14. The upper surface portion 536 extends vertically from the upper end of the side portion 534. The upper surface portion 536 is provided to face the inside of the body 530 from the upper end of the side portion 534.

노즐 수용부(540)는 세정 공간(531)을 형성하는 바디(530)의 내측면부(534)로 제공된다. 노즐 수용부(540)는 경사면(541), 수직면(542), 그리고 바닥면(543)을 포함한다. 경사면(541)은 상면부(536)의 내측단으로부터 연장된다. 경사면(541)은 바디(530)의 중심축을 지나는 제 1 방향(12)과 가까워질수록 하향 경사지게 제공된다. 수직면(542)은 경사면(541)의 하단으로부터 아래로 수직하게 연장된다. 바닥면(543)은 서로 마주보는 2 개의 수직면(542)을 연결한다. 바닥면(543)은 각 수직면(542)의 하단으로부터 연장된다. 바닥면(543)에는 배출홀(533)이 형성된다. 배출홀(533)은 세정 공정에 사용된 세정액을 배출시키는 개구로 제공된다. 배출홀(533)에는 배출라인(미도시)이 연결된다. The nozzle accommodating portion 540 is provided as an inner side portion 534 of the body 530 forming the cleaning space 531. The nozzle receiving part 540 includes an inclined surface 541, a vertical surface 542, and a bottom surface 543. The inclined surface 541 extends from the inner end of the upper surface portion 536. The inclined surface 541 is provided to be inclined downward as it approaches the first direction 12 passing through the central axis of the body 530. The vertical surface 542 extends vertically downward from the lower end of the inclined surface 541. The bottom surface 543 connects two vertical surfaces 542 facing each other. The bottom surface 543 extends from the lower end of each vertical surface 542. A discharge hole 533 is formed in the bottom surface 543. The discharge hole 533 is provided as an opening for discharging the cleaning liquid used in the cleaning process. A discharge line (not shown) is connected to the discharge hole 533.

여기서 세정 공간(531)은 상부 영역(531a, 이하 상부 공간) 및 하부 영역(531b, 이하 하부 공간)이 서로 상이한 폭을 가진다. 상부 공간(531a)은 경사면(541)에 대응되는 높이로 제공된다. 상부 공간(531a)은 아래로 갈수록 폭이 작아지는 공간으로 제공된다. 상부 공간(531a)은 노즐(300)의 토출부(320)가 수용 가능한 공간으로 제공된다. 하부 공간(531b)은 수직면(542)에 대응되는 높이로 제공된다. 하부 공간(531b)은 아래로 갈수록 폭이 일정한 공간으로 제공된다. 하부 공간(531b)은 상부 공간(531a)에서 사용된 세정액을 회수하는 회수 공간(531b)으로 제공된다.Here, in the cleaning space 531, an upper region 531a (hereinafter, referred to as an upper space) and a lower region 531b (hereinafter, referred to as a lower space) have different widths. The upper space 531a is provided at a height corresponding to the inclined surface 541. The upper space 531a is provided as a space whose width decreases toward the bottom. The upper space 531a is provided as a space in which the discharge part 320 of the nozzle 300 can be accommodated. The lower space 531b is provided at a height corresponding to the vertical surface 542. The lower space 531b is provided as a space having a constant width as it goes downward. The lower space 531b is provided as a recovery space 531b for recovering the cleaning liquid used in the upper space 531a.

다시 노즐 수용부(540)에 대해 설명하면, 동일 높이에 위치되는 제1경사면(541) 및 제2경사면(541) 각각에는 액 토출홀(555), 제1가스 토출홀(551), 그리고 제2가스 토출홀(552)이 형성된다. 제1경사면(541)에는 액 토출홀(555) 및 가스 토출홀이 제 1 방향(12)을 따라 순차적으로 배열된다. 액 토출홀(555)을 상부 영역에 세정액을 토출한다. 상부에서 바라볼 때 액 토출홀(555)은 그 길이방향이 제 2 방향(14)을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 액 토출홀(555)에는 세정액 공급 라인(556)이 연결된다. 세정액 공급 라인(556)은 액 토출홀(555)에 세정액을 공급한다. 예컨대, 세정액은 신나일 수 있다. Referring to the nozzle receiving part 540 again, the first inclined surface 541 and the second inclined surface 541 positioned at the same height have a liquid discharge hole 555, a first gas discharge hole 551, and a first inclined surface 541, respectively. Two gas discharge holes 552 are formed. A liquid discharge hole 555 and a gas discharge hole are sequentially arranged along the first direction 12 on the first inclined surface 541. The cleaning liquid is discharged to the upper region of the liquid discharge hole 555. When viewed from above, the liquid discharge hole 555 is provided in a slit shape whose longitudinal direction faces the second direction 14. A cleaning liquid supply line 556 is connected to the liquid discharge hole 555. The cleaning liquid supply line 556 supplies cleaning liquid to the liquid discharge hole 555. For example, the cleaning liquid may be thinner.

제1가스 토출홀(551)은 상부 영역에 세정가스를 토출한다. 상부에서 바라볼 때 제1가스 토출홀(551)은 그 길이방향이 제 2 방향(14)을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 제2가스 토출홀(552)은 제1가스 토출홀(551)과 동일한 세정가스를 상부 영역에 토출한다. 제2가스 토출홀(552)은 슬릿 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제2가스 토출홀(552)은 그 길이방향이 제 1 방향(12)에 대해 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 이에 따라 노즐(300) 토출부(320)의 하단에 잔류된 세정액을 제거할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제1가스 토출홀(551) 및 제2가스 토출홀(552) 각각은 액 토출홀(555)보다 길게 제공된다. 액 토출홀(555)은 제1길이(L1)를 가지고, 제1가스 토출홀(551) 및 제2가스 토출홀(552) 각각은 제1길이(L1)보다 긴 제2길이(L2) 및 제3길이(L3)를 가진다. 일 예에 의하면, 제2가스 토출홀(552)은 제1경사면(541)의 상단에서부터 이와 연장된 하단으로 갈수록 제1가스 토출홀(551)과 가까워지는 길이방향을 가질 수 있다. 제2길이(L2) 및 제3길이(L3)는 동일한 길이로 제공될 수 있다. 세정 가스는 건조가스일 수 있다. 세정 가스는 비활성 가스로 제공될 수 있다. 세정 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.The first gas discharge hole 551 discharges the cleaning gas to the upper region. When viewed from above, the first gas discharge hole 551 is provided in a slit shape whose longitudinal direction faces the second direction 14. The second gas discharge hole 552 discharges the same cleaning gas as the first gas discharge hole 551 to the upper region. The second gas discharge hole 552 is provided in a slit shape. When viewed from above, the second gas discharge hole 552 is provided so that its longitudinal direction faces in a direction inclined with respect to the first direction 12. Accordingly, the cleaning liquid remaining at the lower end of the nozzle 300 discharge part 320 may be removed. When viewed from above, each of the first gas discharge hole 551 and the second gas discharge hole 552 is provided longer than the liquid discharge hole 555. The liquid discharge hole 555 has a first length L1, and each of the first gas discharge hole 551 and the second gas discharge hole 552 has a second length L2 that is longer than the first length L1 and It has a third length (L3). According to an example, the second gas discharge hole 552 may have a longitudinal direction closer to the first gas discharge hole 551 from an upper end of the first inclined surface 541 to a lower end extending therefrom. The second length L2 and the third length L3 may be provided with the same length. The cleaning gas may be a drying gas. The cleaning gas may be provided as an inert gas. The cleaning gas may be nitrogen gas (N 2 ).

제2경사면(541)에는 액 토출홀(555) 및 가스 토출홀(미도시)이 형성된다. 제2경사면(541)에 형성된 액 토출홀(555) 및 가스 토출홀은 중심축을 지나는 제 1 방향(12)을 중심으로 제1경사면(541)에 형성된 액 토출홀(555) 및 가스 토출홀과 대칭되게 제공된다. 따라서 제2경사면(541)에 형성된 액 토출홀(555) 및 가스 토출홀에 대한 자세한 설명은 생략한다.A liquid discharge hole 555 and a gas discharge hole (not shown) are formed in the second inclined surface 541. The liquid discharge hole 555 and the gas discharge hole formed on the second inclined surface 541 include a liquid discharge hole 555 and a gas discharge hole formed in the first inclined surface 541 around the first direction 12 passing through the central axis. It is provided symmetrically. Therefore, detailed descriptions of the liquid discharge hole 555 and the gas discharge hole formed in the second inclined surface 541 will be omitted.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(S)을 처리하는 과정을 설명한다. 도포 공정이 진행되면, 노즐(300)과 기판(S)은 제 2 방향(14)에 대한 상대 위치가 이동되면서 기판(S) 상에 처리액이 공급된다. 본 실시예에는 기판(S)이 이동되는 경우를 일 예로 설명한다. 기판(S)이 파지 부재(220)에 의해 파지되면, 기판(S)은 파지 부재(220)에 의해 제 2 방향(14)으로 이동된다. 기판(S)은 파지 부재(220)와 함께 제 2 방향(14)으로 반송되고, 공정 위치에 위치된 노즐(300)은 그 반송되는 기판(S) 상에 처리액을 공급한다. 선택적으로, 기판(S)은 그 위치가 고정되고 노즐(300)이 제 2 방향(14)으로 이동되면서 기판(S) 상에 처리액을 공급할 수 있다. 도포 공정이 완료되면, 노즐(300)의 세정 공정이 진행된다. 노즐(300)은 노즐 이동 부재(400)에 의해 대기 위치로 이동된다. 노즐(300)은 분사구가 대기 포트(500)의 가이드 레일(520)과 대향되도록 위치된다. 노즐(300)이 대기 위치로 이동되면, 가이드 레일(520)의 끝단에 위치된 바디(530)는 제 1 방향(12)의 반대 방향으로 이동된다. 바디(530)는 액 토출홀(555) 및 가스 토출홀을 통해 세정액 및 세정가스를 토출한다. 노즐(300)의 토출부(320)는 세정 공간(531)에 수용되고, 수용된 영역에는 세정액 및 세정가스가 공급된다. 노즐(300)의 토출부(320)는 세정액에 의해 세정되고, 세정가스에 의해 잔류된 세정액이 제거된다. 세정 공정으로는 바디(530)가 제 1 방향(12) 및 이의 반대 방향으로 수차례 반복 이동되어 진행될 수 있다.Next, a process of processing the substrate S using the substrate processing apparatus described above will be described. When the coating process proceeds, the nozzle 300 and the substrate S are moved in relative positions with respect to the second direction 14 and the processing liquid is supplied onto the substrate S. In this embodiment, a case in which the substrate S is moved will be described as an example. When the substrate S is gripped by the gripping member 220, the substrate S is moved in the second direction 14 by the gripping member 220. The substrate S is conveyed together with the holding member 220 in the second direction 14, and the nozzle 300 positioned at the process position supplies the processing liquid onto the conveyed substrate S. Optionally, the position of the substrate S is fixed and the nozzle 300 is moved in the second direction 14 to supply the processing liquid onto the substrate S. When the coating process is completed, the cleaning process of the nozzle 300 proceeds. The nozzle 300 is moved to the standby position by the nozzle moving member 400. The nozzle 300 is positioned so that the injection port faces the guide rail 520 of the standby port 500. When the nozzle 300 is moved to the standby position, the body 530 located at the end of the guide rail 520 is moved in a direction opposite to the first direction 12. The body 530 discharges the cleaning liquid and the cleaning gas through the liquid discharge hole 555 and the gas discharge hole. The discharge part 320 of the nozzle 300 is accommodated in the cleaning space 531, and a cleaning liquid and a cleaning gas are supplied to the received area. The discharge part 320 of the nozzle 300 is cleaned by a cleaning liquid, and the cleaning liquid remaining by the cleaning gas is removed. As a cleaning process, the body 530 may be repeatedly moved in the first direction 12 and in the opposite direction thereof several times to proceed.

상술한 실시예에는 액 토출홀(555), 제1가스 토출홀(551), 그리고 제2가스 토출홀(552)이 제 1 방향(12)을 따라 순차적으로 배열되게 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 제1가스 토출홀(551), 액 토출홀(555), 그리고 제2가스 토출홀(552)이 제 1 방향(12)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다.In the above-described embodiment, it has been described that the liquid discharge hole 555, the first gas discharge hole 551, and the second gas discharge hole 552 are provided to be sequentially arranged along the first direction 12. However, the first gas discharge hole 551, the liquid discharge hole 555, and the second gas discharge hole 552 may be sequentially arranged along the first direction 12.

또한 제2가스 토출홀(552)은 제1경사면(541)의 상단에서부터 연장된 하단으로 갈수록 제1가스 토출홀(551)과 멀어지는 길이방향을 가질 수 있다. In addition, the second gas discharge hole 552 may have a longitudinal direction extending away from the first gas discharge hole 551 toward a lower end extending from the upper end of the first inclined surface 541.

100: 스테이지 300: 노즐
500: 세정 유닛 530: 바디
531: 세정 공간 550: 가스 토출홀
555:액 토출홀
100: stage 300: nozzle
500: cleaning unit 530: body
531: cleaning space 550: gas discharge hole
555: liquid discharge hole

Claims (9)

기판을 지지하는 스테이지와;
상기 스테이지에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 노즐과;
상기 노즐을 세정 처리하는 세정 유닛을 포함하되,
상기 세정 유닛은,
내부에 상기 노즐이 수용 가능한 세정 공간을 가지며, 내측면에 액 토출홀 및 가스 토출홀이 형성되는 바디와;
상기 액 토출홀에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인과;
상기 가스 토출홀에 세정가스를 공급하는 세정가스 공급 라인을 포함하되,
상기 바디는 그 길이방향이 제1방향으로 향하도록 제공되며,
상부에서 바라볼 때 상기 액 토출홀의 길이방향은 상기 제1방향과 수직한 제2방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공되고,
상부에서 바라볼 때 상기 가스 토출홀은 그 길이방향이 상기 제2방향 또는 상기 제2방향에 대해 경사지도록 향하는 슬릿 형상으로 제공되고,
상기 가스 토출홀은 상기 액 토출홀보다 길게 제공되는 기판 처리 장치.
A stage supporting the substrate;
A nozzle for supplying a processing liquid onto the substrate supported by the stage;
Including a cleaning unit for cleaning the nozzle,
The cleaning unit,
A body having a cleaning space in which the nozzle can be accommodated, and having a liquid discharge hole and a gas discharge hole formed on an inner surface thereof;
A cleaning liquid supply line for supplying a cleaning liquid to the liquid discharge hole;
Including a cleaning gas supply line for supplying a cleaning gas to the gas discharge hole,
The body is provided so that its longitudinal direction faces in the first direction,
When viewed from above, the longitudinal direction of the liquid discharge hole is provided in a slit shape toward a second direction perpendicular to the first direction,
When viewed from the top, the gas discharge hole is provided in a slit shape whose length direction is inclined with respect to the second direction or the second direction,
The gas discharge hole is a substrate processing apparatus that is provided longer than the liquid discharge hole.
제1항에 있어서,
상기 바디는 상부가 개방된 통 형상을 가지며,
상기 내측면은,
중심축과 가까워지는 방향을 따라 하향 경사진 제1경사면을 포함하되,
상기 제1경사면에는 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀이 형성되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The body has a cylindrical shape with an open top,
The inner side,
Including a first slope inclined downward along the direction closer to the central axis,
The substrate processing apparatus in which the liquid discharge hole and the gas discharge hole are formed on the first inclined surface.
제2항에 있어서,
상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀은 상기 제1방향을 따라 순차적으로 배열되는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The liquid discharge hole and the gas discharge hole are sequentially arranged along the first direction.
제3항에 있어서,
상기 노즐은 그 저면에 길이방향이 상기 제1방향을 향하는 슬릿 형상의 분사구가 형성되는 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
The substrate processing apparatus of the nozzle has a slit-shaped injection hole formed in a bottom surface thereof in a longitudinal direction toward the first direction.
삭제delete 삭제delete 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 내측면은,
상부에서 바라볼 때 상기 중심축을 지나는 상기 제1방향을 중심으로 제1경사면과 대칭되게 제공되는 제2경사면을 더 포함하되,
상기 제2경사면에는 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀이 각각 형성되는 기판 처리 장치.
The method of claim 3 or 4, wherein the inner surface is
Further comprising a second inclined surface provided symmetrically with the first inclined surface about the first direction passing through the central axis when viewed from the top,
A substrate processing apparatus in which the liquid discharge hole and the gas discharge hole are respectively formed on the second inclined surface.
제7항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 중심축을 지나는 상기 제1방향을 중심으로 상기 제2경사면에 형성되는 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀은 상기 제1경사면에 형성되는 상기 액 토출홀 및 상기 가스 토출홀과 대칭되게 제공되는 기판 처리 장치.
The method of claim 7,
When viewed from above, the liquid discharge hole and the gas discharge hole formed on the second inclined surface centering on the first direction passing through the central axis include the liquid discharge hole and the gas discharge hole formed on the first inclined surface. A substrate processing apparatus provided symmetrically.
제7항에 있어서,
상기 세정 유닛은,
길이방향이 상기 제1방향을 향하며, 상기 바디가 설치되는 가이드 레일과;
상기 바디가 상기 제1방향 및 상기 제1방향의 반대 방향으로 이동되도록 상기 가이드 레일에 구동력을 전달하는 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 7,
The cleaning unit,
A guide rail whose length direction faces the first direction and to which the body is installed;
A substrate processing apparatus further comprising a driver for transmitting a driving force to the guide rail so that the body moves in the first direction and in a direction opposite to the first direction.
KR1020140071336A 2014-06-12 2014-06-12 Apparatus for treating substrate KR102232667B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140071336A KR102232667B1 (en) 2014-06-12 2014-06-12 Apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140071336A KR102232667B1 (en) 2014-06-12 2014-06-12 Apparatus for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150142865A KR20150142865A (en) 2015-12-23
KR102232667B1 true KR102232667B1 (en) 2021-03-30

Family

ID=55082146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140071336A KR102232667B1 (en) 2014-06-12 2014-06-12 Apparatus for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102232667B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102239071B1 (en) * 2019-07-01 2021-04-12 세메스 주식회사 Apparatus and method for processing substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100795548B1 (en) * 2006-07-20 2008-01-21 주식회사 케이씨텍 Nozzle cleaning apparatus and slit coater including the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100926308B1 (en) * 2003-04-23 2009-11-12 삼성전자주식회사 Cleaning unit, coating apparatus having the same and coating method using the same
KR100578558B1 (en) * 2004-01-07 2006-05-12 세메스 주식회사 Apparatus for cleaning a slit nozzle and apparatus for treating a slit nozzle
JP4451175B2 (en) * 2004-03-19 2010-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus
JP4489480B2 (en) * 2004-03-25 2010-06-23 東京応化工業株式会社 Slit nozzle cleaning device
KR100876377B1 (en) * 2006-06-16 2008-12-29 세메스 주식회사 Nozzle cleaning mechanism and substrate processing apparatus including the same
KR101234216B1 (en) * 2006-06-26 2013-02-18 엘지디스플레이 주식회사 Slit coater
KR101346911B1 (en) * 2007-05-11 2013-12-31 주식회사 케이씨텍 Nozzle Cleaning device of Slit Coater
KR100863220B1 (en) 2007-05-14 2008-10-13 주식회사 케이씨텍 Apparatus and method for bead of slit coater
KR100895030B1 (en) * 2007-06-14 2009-04-24 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for cleaning nozzle thereof
KR20110059256A (en) * 2009-11-27 2011-06-02 세메스 주식회사 Substrate treatment apparatus
JP5258811B2 (en) * 2010-02-17 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 Slit nozzle cleaning device and coating device
KR20130046720A (en) * 2011-10-28 2013-05-08 세메스 주식회사 Nozzle cleaning apparatus
TWI544291B (en) * 2012-05-22 2016-08-01 斯克林半導體科技有限公司 Development processing device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100795548B1 (en) * 2006-07-20 2008-01-21 주식회사 케이씨텍 Nozzle cleaning apparatus and slit coater including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150142865A (en) 2015-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102604997B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
KR101087845B1 (en) Coating processing apparatus and coating processing method
KR20070011509A (en) Development apparatus and development method
KR102520093B1 (en) Cleaning device of coating machine, and coating device
TWI543825B (en) A coating processing apparatus and a coating treatment method
JP2007042860A (en) Developing device and developing method
JP4109175B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
KR20160015544A (en) Wafer turning apparatus after chemical mechanical polishing process and substrate transferring method using same
KR102232667B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101036603B1 (en) Nozzle and Apparatus for Processing A Substrate The Same
US20130139858A1 (en) Substrate cleaning apparatus
KR101884854B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101350950B1 (en) Nozzle unit, substrate treating apparatus and substrate treating method
JP4413830B2 (en) Development processing equipment
KR102239071B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR102029893B1 (en) Photomask Cleaning Apparatus with Photomask moving Device
KR20140050863A (en) Apparatus for treating substrate
KR101502858B1 (en) Apparatus and method for washing mask
KR101583590B1 (en) Retransfer apparatus comprising particle cleaning module
JP3971120B2 (en) Substrate holding device and substrate processing apparatus
KR102325630B1 (en) Wafer cleaning apparatus
KR102415323B1 (en) Nozzle unit and apparatus for treating substrate
KR102351749B1 (en) Wafer cleanning apparatus
KR102415297B1 (en) Substrate coating apparatus
KR20180029120A (en) Substrate treating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant