KR102230981B1 - 유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR102230981B1
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Abstract

본 명세서는 유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 {ORGANOMETALLIC COMPOUNDS AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 출원은 2018년 05월 14일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0054791호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물 및 이를 이용하여 형성된 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화 시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원 시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 정공 및 전자가 발광층에서 재결합하여 생성되는 엑시톤(exciton)이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
한국 특허공개공보 제10-2015-0132005호
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 또한, 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112019049171040-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
X는 O, S, Se, NR, CR'R'' 또는 SiR'R''이고,
상기 R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고.
R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 카르복시기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 포스핀기; 치환 또는 비치환된 술포닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
R5는 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 카르복시기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 포스핀기; 치환 또는 비치환된 술포닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며,
n은 0 내지 2의 정수이고, n이 2인 경우, 괄호 [ ] 안의 구조는 같거나 상이하며,
r1 내지 r4는 0 내지 4의 정수이고, r1 내지 r4가 각각 2 이상인 경우, 괄호 ( ) 안의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대항하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 유기 금속 화합물은 유기 발광 소자의 발광층의 재료로서 사용될 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서,
Figure 112019049171040-pat00002
는 연결되는 부위를 의미한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 카르복시기; 이미드기; 아미노기; 알콕시기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 시클로알케닐기; 실릴기; 붕소기; 아민기; 포스핀옥사이드기; 포스핀기; 술포닐기; 아릴기; 및 N, O, S, Se 및 Si 원자 중 1 개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 카르복시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 3 내지 40일 수 있다. 또한, 3 내지 30일 수 있고, 3 내지 20일 수 있으며, 3 내지 10일 수 있다. 구체적인 예로는 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 40일 수 있다. 또한, 3 내지 30일 수 있고, 3 내지 20일 수 있으며, 3 내지 10일 수 있다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알케닐기는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 환형 불포화 탄화수소기를 나타내며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 36인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알케닐기의 탄소수는 2 내지 24이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알케닐기의 탄소수는 2 내지 12이다. 구체적인 예로는, 시클로부테닐, 시클로헥세닐, 시클로헵테닐, 시클로옥테닐, 시클로데세닐, 노르보르네닐, 비시클로[2.2.2.]옥테닐 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR104R105R106로 표시되고, R104 내지 R106은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR100R101일 수 있으며, 상기 R100, 및 R101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 전체적으로 또는 부분적으로 불포화된 치환 또는 비치환된 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭을 의미한다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 40이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 상기 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 50인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 아미노기(-NH2)의 적어도 하나의 수소 원자가 다른 치환체로 치환된 1가의 아민을 의미하며, -NR107R108로 표시되고, R107 및 R108은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다(단, R107 및 R108 중 적어도 하나는 수소가 아니다). 예컨데, -NH2; 모노알킬아민기; 디알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 모노아릴아민기; 디아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기, 모노헤테로아릴아민기 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐비페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-비페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-비페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-비페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 포스핀기는 알킬포스핀기 또는 아릴포스핀기를 의미하며, 상기 알킬포스핀기는 알킬기로 치환된 포스핀기를 의미한다. 상기 알킬포스핀기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 상기 알킬포스핀기의 예로는, 디메틸포스핀기, 디에틸포스핀기, 디-n-프로필포스핀기, 디이소프로필포스핀기, 디-n-부틸포스핀기, 디-sec-부틸포스핀기, 디-tert-부틸포스핀기, 디이소부틸포스핀기, tert-부틸이소프로필포스핀기, 디-n-헥실포스핀기, 디-n-옥틸포스핀기, 디-n-메실포스핀기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 아릴포스핀기는 아릴기로 치환된 포스핀기를 의미한다. 상기 아릴포스핀기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 아릴포스핀기의 예로는, 디페닐포스핀기, 디벤질포스핀기, 메메틸페닐포스핀기, 벤질헥실포스핀기, 비스트리메틸실릴포스핀기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 술포닐기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30일 수 있고, 술포닐기의 예로는 메탄설포닐, 에탄설포닐, 헥산설포닐 등의 탄소수 1 내지 4의 알킬설포닐 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서이 있어서, "인접하는"이란 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접하는"기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 고리란 방향족 또는 지방족 고리일 수 있으며, 바람직하게는 지방족 고리일 수 있다. 상기 고리의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 3 내지 30일 수 있고, 구체적으로는 3 내지 20일 수 있으며, 더욱 구체적으로는 3 내지 10일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 O, S, Se, NR, CR'R'' 또는 SiR'R''이고, 상기 R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 O, S, Se, NR, CR'R'' 또는 SiR'R''이고, 상기 R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 O, S, Se, NR, CR'R'' 또는 SiR'R''이고, 상기 R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 O, S, Se, NR, CR'R'' 또는 SiR'R''이고, 상기 R, R' 및 R''는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 10의 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 10의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 O, S 또는 Se이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 Se이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 카르복시기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 포스핀기; 치환 또는 비치환된 술포닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 탄소수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 10의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 10의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 탄소수 1 내지 10의 치환 또는 비치환된 실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 프로필기; 치환 또는 비치환된 펜틸기; 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 또는 트리메틸실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 프로필기; 중수소로 치환 또는 비치환된 펜틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 또는 트리메틸실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 메틸기; 중수소로 치환된 메틸기; 이소프로필기; 중수소로 치환된 이소프로필기; 중수소로 치환된 네오펜틸기; 시클로헥실기; 중수소로 치환된 시클로헥실기; 또는 트리메틸실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1은 수소; 중수소로 치환된 메틸기; 또는 트리메틸실릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2는 수소; 또는 중수소로 치환된 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소; 중수소로 치환된 메틸기; 이소프로필기; 중수소로 치환된 이소프로필기; 중수소로 치환된 네오펜틸기; 또는 시클로헥실기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R4는 수소; 중수소로 치환된 메틸기; 메틸기; 이소프로필기; 시클로헥실기; 또는 중수소로 치환된 시클로헥실기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 중수소로 치환된 메틸기는 -CD3일 수 있다. 상기 D는 중수소를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 중수소로 치환된 이소프로필기는 하기 구조식으로 표시될 수 있다.
Figure 112019049171040-pat00003
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 중수소로 치환된 네오펜틸기는 하기 구조식으로 표시될 수 있다.
Figure 112019049171040-pat00004
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 중수소로 치환된 시클로펜틸기는 하기 구조식으로 표시될 수 있다.
Figure 112019049171040-pat00005
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 중수소로 치환된 시클로헥실기는 하기 구조식으로 표시될 수 있다.
Figure 112019049171040-pat00006
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 트리메틸실릴기는 TMS로 표시될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 카르복시기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 포스핀기; 치환 또는 비치환된 술포닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 치환 또는 비치환된 프로필기; 치환 또는 비치환된 부틸기; 치환 또는 비치환된 펜틸기; 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 또는 치환 또는 비치환된 시클로헥실기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 중수소로 치환 또는 비치환된 이소프로필기; 치환 또는 비치환된 이소부틸기; 치환 또는 비치환된 tert-부틸기; 치환 또는 비치환된 sec-부틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로헥실기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 이소프로필기; 중수소로 치환된 이소프로필기; 이소부틸기; tert-부틸기; sec-부틸기; 시클로펜틸기; 중수소로 치환된 시클로펜틸기; 또는 중수소로 치환된 시클로헥실기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 이소프로필기; 중수소로 치환된 이소프로필기; 이소부틸기; 시클로펜틸기; 중수소로 치환된 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 또는 중수소로 치환된 시클로헥실기이다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n은 0 내지 2의 정수이고, n이 2인 경우, 괄호 [ ] 안의 구조는 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n은 1 또는 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n은 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1 내지 r4는 0 내지 4의 정수이고, r1 내지 r4가 각각 2 이상인 경우, 괄호 ( ) 안의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1은 0 내지 4이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1은 0 내지 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r2는 0 내지 4이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r2는 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r3은 0 내지 4이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r3은 0 내지 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r4는 0 내지 4이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r4는 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112019049171040-pat00007
상기 화학식 2에 있어서,
X, R1 내지 R6, n 및 r1 내지 r4는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112019049171040-pat00008
상기 화학식 3에 있어서,
X, R1 내지 R6, n 및 r1 내지 r4는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112019049171040-pat00009
상기 화학식 4에 있어서,
X, R1 내지 R6, n 및 r1 내지 r4는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
Figure 112019049171040-pat00010
Figure 112019049171040-pat00011
Figure 112019049171040-pat00012
Figure 112019049171040-pat00013
Figure 112019049171040-pat00014
Figure 112019049171040-pat00015
Figure 112019049171040-pat00016
Figure 112019049171040-pat00017
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다.
<화학식 1의 일반적인 제조방법 1>
Figure 112019049171040-pat00018
상기 제조방법 1의 치환기는 n이 2인 것을 제외하고는 상기 화학식 1의 치환기 정의와 같다.
<화학식 1의 일반적인 제조방법 2>
Figure 112019049171040-pat00019
상기 제조방법 2의 치환기는 n이 1인 것을 제외하고는 상기 화학식 1의 치환기 정의와 같다.
<화학식 1의 일반적인 제조방법 3>
Figure 112019049171040-pat00020
상기 제조방법 3의 치환기는 n이 0인 것을 제외하고는 상기 화학식 1의 치환기 정의와 같다.
또한, 본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 적어도 하나의 층이 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물을 도펀트로서 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물은 상기 발광층(7)에 포함될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수 개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리적 증착 방법(PVD, physical Vapor Deposition)을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자 주입층 또는 전자 주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니며, 상기 발광 물질은 발광층에 사용될 수 있고, 호스트 및 도펀트와 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 상기 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물을 포함한다. 상기 호스트는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 또는 트리아진 유도체 등이 있으며, 이들의 2 종 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 헤테로환 함유 화합물일 수 있으며, 구체적으로 카바졸 유도체 또는 트리아진 유도체일 수 있고, 카바졸 유도체 및 트리아진 유도체의 혼합물일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 하기 화학식 A로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 A]
Figure 112019049171040-pat00021
상기 화학식 A에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
A1 내지 A4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴기이며,
a1 및 a4은 0 내지 4의 정수이고, a2 및 a3은 0 내지 3의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 40의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기로 치환된 페닐기; 또는 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 40의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 40의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 40의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A1 내지 A4는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A는 하기 화학식 A-1로 표시될 수 있다.
[화학식 A-1]
Figure 112019049171040-pat00022
상기 화학식 A-1에 있어서, Ar1 및 Ar2, A1 내지 A4 및 a1 내지 a4는 상기 화학식 A에서 정의한 바와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A는 하기 화학식으로 표시될 수 있다.
Figure 112019049171040-pat00023
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 하기 화학식 B로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 B]
Figure 112019049171040-pat00024
상기 화학식 B에서,
Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴기이거나, 인접하는 치환기와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
b1 및 b2는 0 내지 4의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 40의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 페닐기로 치환된 페닐기; 또는 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 탄소수 6 내지 40의 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 40의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 40의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 40의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 40의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 치환기와 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 치환기와 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 치환기와 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소이거나, 인접하는 치환기와 결합하여 치환 또는 비치환된 플루오레닐기를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소이거나, 인접하는 치환기와 결합하여 메틸기로 치환된 플루오레닐기를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 B는 하기 화학식 B-1로 표시될 수 있다.
[화학식 B-1]
Figure 112019049171040-pat00025
상기 화학식 B-1에 있어서, Ar3, Ar4, L, B1 및 b1은 상기 화학식 B에서 정의한 바와 같고,
B3 및 B4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
b3는 0 내지 2의 정수이고, b4는 0 내지 4의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, B3 및 B4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 40의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 40의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 40의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, B3 및 B4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, B3 및 B4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, B3 및 B4는 각각 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 B는 하기 화학식으로 표시될 수 있다.
Figure 112019049171040-pat00026
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 호스트 함량 100 중량부를 기준으로 5 내지 20 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 6 내지 10일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
제조예.
제조예 1-1: 중간체 A1 및 B1 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00027
(1) 중간체 A1의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 2-브로모피리딘(2-bromopyridine)(30 g, 0.20 mol), 페닐보로닉산(phenylboronic acid)(43 g, 0.35 mol)을 THF(300ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(potassium carbonate solution)(150ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(7.0 g, 6.0 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 70 ℃에서 가열 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름(chloroform)을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산마그네슘(magnesium sulfate)과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 에틸아세테이트(ethyl acetate):헥산(hexane) = 1:50 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 A1 을 제조하였다(25 g, 수율 80%).
(2) 중간체 1-1a의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 이리듐클로라이드(iridium chloride)(10 g, 33 mmol)과 화합물 A1(11.4 g, 0.073 mol)을 2-에톡시에탄올(2-ethoxyethanol)(1000 ml) 및 증류수(330ml)에 넣고 24 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(25℃)으로 온도를 낮추고 여과하여 에탄올 2L 로 세척해주어 고체 화합물 1-1a 를 제조하였다(10.2 g, 수율 59%).
(3) 중간체 B1의 제조
중간체 1-1a (10.2 g, 10 mmol)와 메틸렌클로라이드 (methylene chloride) 500 ml 를 넣은 AgOTf(14.6 g, 18.9 mmol)를 메탄올 250 ml 에 녹여 넣어준 뒤, 빛을 차단한 상태로 상온(25℃) 교반하였다. 24 시간 뒤 필터한 후 걸러진 여액의 용매를 날리고 톨루엔(toluene) 침전하여 추가정제 없이 화합물 B1을 얻었다(수율 91%).
제조예 1-2: 중간체 A2 및 B2 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00028
(1) 중간체 A2의 제조
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2-브로모-5-메틸피리딘(2-bromo-5-methylpyridine)(50.0 g, 0.28 mol)을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 A2 를 제조하였다(26g, 수율 65%).
(2) 중간체 1-1b의 제조
중간체 A1 대신 중간체 A2 를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1b 를 제조하였다(20 g, 수율 54%)
(3) 중간체 B2의 제조
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1b 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B2를 제조하였다(수율 94%).
제조예 1-3: 중간체 A3 및 B3 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00029
(1) 중간체 1-1c의 제조
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2,5-브로모피리딘(2,5-bromopyridine)(55 g, 0.23 mol) 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-1c를 제조하였다(26g, 수율 65%).
(2) 중간체 1-1d의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 5-브로보-2-페닐피리딘(5-bromo-2-phenylpyridine)(35 g, 0.15 mol)을 다이에틸이써(diethylether)에 녹인 후 -78 ℃에서 2.5 M n-BuLi (65 ml, 0.16 mol)를 첨가한 후 1 시간 동안 교반하였다. -78 ℃에서 트리에틸보레이트(triethyl borate)(33 g, 0.23 mol)를 넣은 후 상온(25℃)에서 1 시간 동안 교반하였다. 2M 하이드로클로라이드수용액(hydrochloride solution)(100ml)을 첨가하고 30 분 동안 교반한 후 20% 소듐하이드록사이드수용액(sodium hydroxide solution)(100ml)으로 중화하였다. 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 헥산(hexane):에틸아세테이트(ethyl acetate) = 100:1 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 1-1d 를 제조하였다(21 g, 수율 73%).
(3) 중간체 A3의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 (6-페닐피리딘-3-일)보로닉산((6-phenylpyridin-3-yl)boronic acid)(21 g, 0.11 mol), 아이오도메테인-d3(iodomethane-d3)(23 g, 0.16 mol)을 테트라하이드로퓨란(200ml)과 메탄올(100ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(potassium carbonate solution)(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(3.8 g, 3.3 mmol)을 넣은 후 70 ℃에서 12 시간 동안 가열 교반하였다. 클로로포름(chloroform)을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산마그네슘(magnesium sulfate)과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 헥산(hexane): 에틸아세테이트(ethyl acetate) = 50:1 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 A3를 제조하였다(11 g, 수율 67%).
(4) 중간체 1-1e의 제조
중간체 A1 대신 중간체 A3 를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1e 를 제조하였다(10.2 g, 수율 62%).
(5) 중간체 B3의 제조
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1e 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B3 를 제조하였다(수율 90%).
제조예 1-4: 중간체 A4 및 B4 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00030
(1) 중간체 1-1f의 제조
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2-브로모-5-메틸피리딘(2-bromo-5-methylpyridine)(30 g, 0.17 mol), 페닐보로닉산(phenylboronic acid) 대신 파라-톨릴보로닉산(p-tolylboronic acid)(26 g, 0.19 mol)을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1f를 제조하였다(22 g, 수율 70%).
(2) 중간체 A4의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-1f (22 g, 0.12 mol)와 소듐에톡사이드(sodium ethoxide)(5.8 g, 0.085 mol)을 디메틸설폭사이드-d6(dimethylsulfoxide-d6) 300ml에 녹인 후 80℃에서 32 시간 동안 가열 교반하였다. 상온(25℃)으로 온도를 낮춘 후, D2O 100ml (10eq)로 켄칭하고 1 시간 동안 충분히 교반하였다. H2O 과량을 넣고 에틸아세테이트로 추출한 후 감압 농축 시켰다. 이 후 헥산(hexane):에틸아세테이트(ethyl acetate) = 50:1 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 화합물 A4를 분리하였다(10 g, 수율 46%).
(3) 중간체 1-1g의 제조
중간체 A1 대신 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1g 를 제조하였다(10.4 g, 수율 65%).
(5) 중간체 B4의 제조
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1g를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B4를 제조하였다(수율 87%).
제조예 1-5: 중간체 A5 및 B5 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00031
(1) 중간체 1-1h의 제조
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2-브로모-4,5-디메틸피리딘(2-bromo-4,5-methylpyridine)(50 g, 0.27 mol), 페닐보로닉산(phenylboronic acid) 대신 파라-톨릴보로닉산(p-tolylboronic acid)(40 g, 0.30 mol)을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1h를 제조하였다(35 g, 수율 66%).
(2) 중간체 A5의 제조
중간체 1-1f 대신 중간체 1-1h 를 사용한 것을 제외하고 중간체 A4를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A5를 제조하였다(19 g, 수율 58%).
(3) 중간체 1-1i의 제조
중간체 A1 대신 중간체 A5를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1i를 제조하였다(20 g, 수율 55%).
(5) 중간체 B5의 제조
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1i를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B5를 제조하였다(수율 90%).
제조예 2
제조예 2-1: 중간체 C1 및 D1 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00032
(1) 중간체 C1의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 2-브로모피리딘(2-bromopyridine)(50g, 0.32 mol), 4-(다이벤조퓨라닐)보로닉산(4-(dibenzofuranyl)boronic acid)(71g, 0.34 mol)을 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran)(400ml)과 메탄올(methanol)(200ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(potassium carbonate solution)(250ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(7.4 g, 6.4 mmol)을 넣은 후 12 시간 동안 80 ℃에서 가열 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름(chloroform)을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산마그네슘(magnesium sulfate)과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 에틸아세테이트(ethyl acetate):헥산(hexane) = 1:50 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 C1 을 제조하였다(59 g, 수율 74%).
(2) 중간체 2-1a 제조
중간체 A1 대신 중간체 C1을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1a 를 제조하였다(33 g, 수율 48%).
(3) 중간체 D1의 제조
중간체 1-1a 대신 중간체 2-1a를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D1을 제조하였다(수율 87%).
제조예 2-2: 중간체 C2 및 D2 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00033
(1) 중간체 2-1b의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 4-브로모-1-아이오도다이벤조퓨란 (4-bromo-1-iododibenzo[b,d]furan)(50 g, 0.13 mol)을 THF 500ml에 녹이고 -78℃에서 30분 교반하였다. 2.5M n-butyllithium solution in hexanes (60 ml, 0.15 mol) 투입 후 -78℃에서 1 시간 교반 후, 2-아이오도프로페인 (2-iodopropane)(21 g, 0.15 mol)를 넣고 상온(25℃)으로 천천히 승온하였다. 5시간 반응 후 물을 과량 부어 켄칭하고, 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 헥산(hexane) : 에틸아세테이트(ethyl acetate) = 20 : 1 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 2-1b를 제조하였다(28 g, 수율 82%).
(2) 중간체 2-1c의 제조
둥근 바닥 플라스크에 화합물 2-1b (28 g, 0.11 mol), 4,4,5,5-테트라메틸-[1,2,3]-다이옥사보로레인(4,4,5,5,-tetramethyl-[1,2,3]-dioxaborolane)(56 g, 0.22 mol), Pd(dppf)Cl2 (2.4 g, 3.3 mmol, 3 mol%), 포타슘 아세테이트(potassium acetate)(32 g, 0.33 mol)을 dioxane (300 ml)에 녹인 후 12 시간 동안 80℃에서 가열 교반하였다. 상온(25℃)으로 온도를 나주고, 용매를 감압 농축하였다. 이 농축액을 클로로포름(CHCl3)에 녹인 후 물로 씻어주고, 생성물이 녹아있는 용액을 감압 농축하면서 에탄올(ethanol)에 침전시켜 중간체 2-1c를 제조하였다(28 g, 수율 84%).
(3) 중간체 C2의 제조
둥근 바닥 플라스크에 화합물 2-1c (28 g, 0.10 mol), 2-브로모피리딘(2-bromopyridine)(14 g, 0.9 mol)을 THF (300ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(potassium carbonate solution)(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(3.4 g, 3 mmol)을 넣은 후 12 시간 동안 80℃에서 가열 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름(chloroform)을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산마그네슘(magnesium sulfate)과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 에틸아세테이트(ethyl acetate):헥산(hexane) = 1:50 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 중간체 C2 을 제조하였다(23 g, 수율 89%).
(4) 중간체 2-1d의 제조
중간체 A1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1d를 제조하였다(26 g, 수율 54%).
(5) 중간체 D2의 제조
중간체 1-1a 대신 중간체 2-1d를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D2을 제조하였다 (23 g, 수율 90%).
제조예 2-3: 중간체 C3 및 D3 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00034
(1) 중간체 2-1e의 제조
2-아이오도프로페인 (2-iodopropane) 대신 2-아이오도프로페인-2-d (2-iodopropane-2-d)를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1e를 제조하였다(54 g, 수율 72%).
(2) 중간체 2-1f의 제조
중간체 2-1b 대신 중간체 2-1e를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1c를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1f를 제조하였다(47g, 수율 79%).
(3) 중간체 C3의 제조
중간체 2-1c 대신 중간체 2-1f를 사용한 것을 제외하고 중간체 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C3를 제조하였다(45g, 수율 75%).
(4) 중간체 2-1g의 제조
중간체 A1 대신 중간체 C3을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1g를 제조하였다(25g, 수율 57%).
(5) 중간체 D3의 제조
중간체 1-1a 대신 중간체 2-1g 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D3을 제조하였다(23 g, 수율 85%).
제조예 2-4: 중간체 C4 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00035
(1) 중간체 2-1h의 제조
2-아이오도프로페인 (2-iodopropane) 대신 아이오도사이클로헥세인 (iodocyclohexane)을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1h를 제조하였다(38 g, 수율 71%).
(2) 중간체 2-1i의 제조
중간체 2-1b 대신 중간체 2-1h를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1c를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1i를 제조하였다(33g, 수율 64%).
(3) 중간체 C4의 제조
중간체 2-1c 대신 중간체 2-1i를 사용한 것을 제외하고 중간체 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C4를 제조하였다(30g, 수율 81%).
제조예 2-5: 중간체 C5 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00036
(1) 중간체 2-1j의 제조
2-아이오도프로페인 (2-iodopropane)대신 1-아이오도-2-메틸프로페인 (1-iodo-2-methylpropane), 4-브로모-1-아이오도다이벤조퓨란(4-bromo-1-iododibenzo[b,d]furan) 대신 4-브로모-2-클로로피리딘(4-bromo-2-chloropyridine)을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1j를 제조하였다(28 g, 수율 71%).
(2) 중간체 2-1k의 제조
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2-클로로-4-아이소뷰틸피리딘(2-chloro-4-isobutylpyridine) 을 사용한 것을 제외하고 중간체 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1k를 제조하였다(37g, 수율 80%).
(3) 중간체 C5의 제조
중간체 1-1f 대신 중간체 2-1k를 사용한 것을 제외하고 중간체 A4를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C5를 제조하였다(24g, 수율 46%).
제조예 2-6: 중간체 C6 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00037
(1) 중간체 2-1l의 제조
4-브로모-1-아이오도다이벤조퓨란(4-bromo-1-iododibenzo[b,d]furan) 대신 2-브로모-1-아이오도다이벤조퓨란(2-bromo-1-iododibenzo[b,d]furan)을, 2-아이오도프로페인(2-iodopropane) 대신 1-아이오도-2-메틸프로페인(1-iodo-2-methylpropane)을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1l 을 제조하였다(35 g, 수율 78%).
(2) 중간체 2-1m의 제조
중간체 2-1b 대신 중간체 2-1l을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1c를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1m 을 제조하였다(34g, 수율 83%).
(3) 중간체 C6의 제조
중간체 2-1c 대신 중간체 2-1m을 사용한 것을 제외하고 중간체 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C6을 제조하였다(32g, 수율 71%).
제조예 2-7: 중간체 C7 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00038
(1) 중간체 2-1n의 제조
4-브로모-1-아이오도다이벤조퓨란(4-bromo-1-iododibenzo[b,d]furan) 대신 3-브로모-1-아이오도다이벤조퓨란(3-bromo-1-iododibenzo[b,d]furan)을, 2-아이오도프로페인 대신 아이오도사이클로펜테인을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1n을 제조하였다(42 g, 수율 80%).
(2) 중간체 2-1o의 제조
중간체 2-1b 대신 중간체 2-1n을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1c를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1o를 제조하였다(39g, 수율 81%).
(3) 중간체 C7의 제조
중간체 2-1c 대신 중간체 2-1o를 사용한 것을 제외하고 중간체 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C7을 제조하였다(36g, 수율 70%).
제조예 2-8: 중간체 C8 및 D8 의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00039
(1) 중간체 2-1p의 제조
2-아이오도프로페인 (2-iodopropane) 대신 2-아이오도프로페인-2-d (2-iodopropane-2-d)를 사용하고, 4-브로모-1-아이오도다이벤조퓨란(4-bromo-1-iododibenzo[b,d]furan) 대신 4-브로모-1-아이오도벤조[b.d]싸이오펜(4-bromo-1-iododibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1e를 제조하였다(54 g, 수율 72%).
(2) 중간체 2-1q의 제조
중간체 2-1b 대신 중간체 2-1e를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1c를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1f를 제조하였다(47g, 수율 79%).
(3) 중간체 C8의 제조
중간체 2-1c 대신 중간체 2-1f를 사용한 것을 제외하고 중간체 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C3를 제조하였다(45g, 수율 75%).
(4) 중간체 2-1r의 제조
중간체 A1 대신 중간체 C3을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1g를 제조하였다(25g, 수율 57%).
(5) 중간체 D8의 제조
중간체 1-1a 대신 중간체 2-1g 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D3을 제조하였다(23 g, 수율 85%).
제조예 3
제조예 3-1: 화합물 1의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00040
질소 분위기에서 화합물 B3(20 g, 28 mmol)과 화합물 C2(18 g, 70 mmol), 메탄올(methanol) 200 ml, 에탄올(ethnol) 200 ml 를 넣고 반응온도 70 ℃에서 48시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후 필터하고 에탄올로 씻어준 후 헥산(hexane) : 메탄올(methyl achohol) = 30 : 1 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 상기 화합물 1 을 제조하였다 (수율 35%).
MS: [M+H]+ = 794.3
제조예 3-2: 화합물 2의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00041
중간체 C2 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2를 제조하였다(수율 49%).
MS: [M+H]+ = 797.3
제조예 3-3: 화합물 3의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00042
중간체 C2 대신 중간체 C4 를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 3을 제조하였다(수율 55%).
MS: [M+H]+ = 862.3
제조예 3-4: 화합물 4의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00043
중간체 C2 대신 중간체 C5를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 4를 제조하였다(수율 52%).
MS: [M+H]+ = 869.4
제조예 3-5: 화합물 5의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00044
중간체 B3 대신에 중간체 B4를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 5를 제조하였다 (수율 44%).
MS: [M+H]+ = 828.3
제조예 3-6: 화합물 6의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00045
중간체 B3 대신에 중간체 B4, 중간체 C2 대신 중간체 C3을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 6을 제조하였다(수율 55%).
MS: [M+H]+ = 831.3
제조예 3-7: 화합물 7의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00046
중간체 B3 대신에 중간체 B4, 중간체 C2 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 7을 제조하였다(수율 49%).
MS: [M+H]+ = 896.4
제조예 3-8: 화합물 8의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00047
중간체 B3 대신에 중간체 B4, 중간체 C2 대신 중간체 C5를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 8을 제조하였다 (수율 51%).
MS: [M+H]+ = 903.4
제조예 3-9: 화합물 9의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00048
중간체 B3 대신에 중간체 B5를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 9를 제조하였다 (수율 45%).
MS: [M+H]+ = 862.4
제조예 3-10: 화합물 10의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00049
중간체 B3 대신에 중간체 B5, 중간체 C2 대신 중간체 C3을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 10을 제조하였다 (수율 42%).
MS: [M+H]+ = 865.4
제조예 3-11: 화합물 11의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00050
중간체 B3 대신에 중간체 B5, 중간체 C2 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 11을 제조하였다 (수율 51%)
MS: [M+H]+ = 930.5
제조예 3-12: 화합물 12의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00051
중간체 B3 대신에 중간체 B5, 중간체 C2 대신 중간체 C5를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 12를 제조하였다 (수율 36%).
MS: [M+H]+ = 937.5
제조예 3-13: 화합물 13의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00052
중간체 B3 대신에 중간체 D2, 중간체 C2 대신 중간체 A1을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 13을 제조하였다(수율 55%).
MS: [M+H]+ = 864.2
제조예 3-14: 화합물 14의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00053
중간체 B3 대신에 중간체 D2, 중간체 C2 대신 중간체 A2를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 14를 제조하였다(수율 54%).
MS: [M+H]+ = 878.2
제조예 3-15: 화합물 15의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00054
중간체 B3 대신에 중간체 D2, 중간체 C2 대신 중간체 A3을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 15를 제조하였다 (수율 42%).
MS: [M+H]+ = 881.2
제조예 3-16: 화합물 16의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00055
중간체 B3 대신에 중간체 D2, 중간체 C2 대신 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 16을 제조하였다 (수율 41%).
MS: [M+H]+ = 898.3
제조예 3-17: 화합물 17의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00056
중간체 B3 대신에 중간체 D2, 중간체 C2 대신 중간체 A5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한방법으로 상기 화합물 17을 제조하였다 (수율 49%).
MS: [M+H]+ = 915.3
제조예 3-18: 화합물 18의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00057
중간체 B3 대신에 중간체 D3, 중간체 C2 대신 중간체 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 18을 제조하였다 (수율 44%).
MS: [M+H]+ = 870.3
제조예 3-19: 화합물 19의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00058
중간체 B3 대신에 중간체 D3, 중간체 C2 대신 중간체 A2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 19를 제조하였다 (수율 52%).
MS: [M+H]+ = 884.3
제조예 3-20: 화합물 20의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00059
중간체 B3 대신에 중간체 D3, 중간체 C2 대신 중간체 A3을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 20을 제조하였다 (수율 40%).
MS: [M+H]+ = 887.3
제조예 3-21: 화합물 21의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00060
중간체 B3 대신에 중간체 D3, 중간체 C2 대신 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 21을 제조하였다 (수율 48%).
MS: [M+H]+ = 904.3
제조예 3-22: 화합물 22의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00061
중간체 B3 대신에 중간체 D3, 중간체 C2 대신 중간체 A5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 22를 제조하였다 (수율 45%).
MS: [M+H]+ = 921.4
제조예 3-23: 화합물 23의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00062
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 중간체 C2 (20 g, 77 mmol), 이리듐(III) 아세틸아세토네이트(Iridium(III) acetylacetonate)(75 g, 0.15 mol)를 에틸렌글리콜(ethylene glycol) 200ml에 녹인 후 20 시간 동안 80℃에서 가열 교반하였다. 반응 종결 후 상온으로 온도를 낮추고, 필터 후 에탄올로 씻어주었다. 그 후 헥산(hexane) : 메탄올(methanol) = 10 : 1 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 화합물 23을 분리하였다(25 g, 수율 34%).
MS: [M+H]+ = 968.2
제조예 3-24: 화합물 24의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00063
중간체 C2 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 23을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 24를 제조하였다 (수율 39%).
MS: [M+H]+ = 977.3
제조예 3-25: 화합물 25의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00064
중간체 C2 대신 중간체 C6을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 25 를 제조하였다 (수율 49%).
MS: [M+H]+ = 974.3
제조예 3-26: 화합물 26의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00065
중간체 C2 대신 중간체 C7을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 26을 제조하였다 (수율 53%).
MS: [M+H]+ = 974.3
제조예 3-27: 화합물 27의 화합물 합성
Figure 112019049171040-pat00066
중간체 C2 대신 중간체 C8을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 27을 제조하였다 (수율 53%).
MS: [M+H]+ = 839.27
실시예 1
ITO(indium tin oxide)가 1,300 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기와 같은 HI-1 화합물을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.
상기 정공 주입층 위에 HT-1 화합물을 800Å의 두께로 열 진공증착하고, 순차적으로 HT-3 화합물을 500Å 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공수송층 위에 호스트 H1, H2 혼합물과 인광 도펀트로서 상기 제조예에서 합성한 화합물 1을 호스트 H1, H2 혼합물 100 중량부룰 기준으로 6 또는 10의 중량부로 진공증착하여 400Å 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 위에 ET-3 물질을 50Å의 두께로 진공 증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공저지층 위에 ET-4 물질 및 LiQ를 1:1의 중량비로 진공증착하여 250Å의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 10Å 두께의 리튬 프루라이드(LiF)를 증착하고, 이위에 1000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.
Figure 112019049171040-pat00067
실시예 2 내지 16
발광층 형성시 인광 도펀트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 실시예 2 내지 16의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.
비교예 1 내지 12
발광층 형성시 인광 도판트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 비교예 1 내지 12의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.
Figure 112019049171040-pat00068
Figure 112019049171040-pat00069
Figure 112019049171040-pat00070
Figure 112019049171040-pat00071
실험예 1
상기 실시예 1 내지 16 및 비교예 1 내지 12에서 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하여, 전압, 효율, 색좌표, 및 수명을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
T95는 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
도펀트
물질
중량비
(%)
μ max
(nm)
전압
(V
@10mA/cm2)
효율
(cd/A
@10mA/cm2)
색좌표
(x,y)
수명
(T95, h,
@50mA/cm2)
실시예 1 1 6 530 3.67 78 (0.352, 0.621) 164
실시예 2 1 10 534 3.78 73 (0.363, 0.618) 175
실시예 3 2 6 530 3.72 81 (0.351, 0.625) 180
실시예 4 2 10 534 3.77 78 (0.368, 0.610) 192
실시예 5 3 6 528 3.69 86 (0.342, 0.632) 184
실시예 6 3 10 532 3.75 83 (0.357, 0.620) 198
실시예 7 5 6 532 3.56 82 (0.359, 0.618) 200
실시예 8 5 10 536 3.60 79 (0.374, 0.609) 215
실시예 9 9 6 532 3.58 88 (0.349, 0.611) 224
실시예 10 9 10 534 3.61 86 (0.360, 0.605) 240
실시예 11 25 6 534 3.70 76 (0.358, 0.612) 174
실시예 12 25 10 536 3.78 72 (0.354, 0.624) 180
실시예 13 26 6 534 3.73 75 (0.360, 0.602) 178
실시예 14 26 10 538 3.83 73 (0.378, 0.602) 188
실시예 15 27 6 533 3.66 78 (0.382, 0.632) 182
실시예 16 27 10 534 3.74 80 (0.380, 0.633) 190
비교예 1 E1 6 536 4.04 53 (0.376, 0.606) 160
비교예 2 E1 10 540 4.11 51 (0.384, 0.600) 173
비교예 3 E2 6 534 4.00 56 (0.362, 0.601) 170
비교예 4 E2 10 538 4.09 53 (0.380, 0.603) 181
비교예 5 E3 6 533 4.05 58 (0.365, 0.623) 157
비교예 6 E3 10 534 4.07 59 (0.363, 0.621) 162
비교예 7 E4 6 534 4.12 52 (0.372, 0.632) 159
비교예 8 E4 10 534 4.16 54 (0.381, 0.629) 160
비교예 9 E5 6 535 4.10 54 (0.365, 0.626) 164
비교예 10 E5 10 536 4.11 57 (0.366, 0.628) 172
비교예11 E6 6 538 4.07 51 (0.382, 0.618) 159
비교예12 E6 10 539 4.08 53 (0.383, 0.620) 161
본 발명의 화합물을 인광 도판트 물질로 사용한 경우 비교예에 비해 전압, 효율, 색좌표 측면에서 우수한 소자 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 본 발명에서는 보조리간드의 디벤조퓨란 구조 1번 위치에 탄소 원자 3개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기를 치환하여 분자 간 stacking을 방지하고 aggregation 현상을 저하시켰다. 이를 통해 self-quenching을 막아 효율을 상승시키고 분자 자체의 파장 특성을 유지하여 보다 단파장의 파장대를 확보하였다. 특히, 실시예 1 내지 6의 경우 비교예 1에 비해 단파장 영역의 발광 파장을 나타냈으며, 최대 8 nm 단파장의 피크 값을 얻을 수 있었다. 탄소 원자가 1개인 메틸기가 치환된 비교예 5와 6을 비교해보면 위에서 설명한 stacking 효과를 확연하게 알 수 있다. 또한 디벤조퓨란 1번 위치에 탄소 원자 3개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기의 치환기를 가진 실시예 1 내지 16는 비교예 1 내지 4에 비해 모두 낮은 전압, 높은 효율을 보였다. 비교예 7 내지 10을 통해서 리간드에 N원자를 포함한 구조에 비해서도 디벤조퓨란 구조 1번 위치에 탄소 원자 3개 이상의 알킬기 또는 시클로알킬기가 치환된 구조가 전압, 효율 및 수명에서 우수한 성능을 보이는 것을 알 수 있다.
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공 주입층
6: 정공 수송층
7: 발광층
8: 전자 수송층

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112020112177094-pat00072

    상기 화학식 1에 있어서,
    X는 O, S 또는 Se 이고,
    R1 내지 R4 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기; 또는 트리메틸실릴기이고,
    R5는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기이며,
    n은 0 내지 2의 정수이고, n이 2인 경우, 괄호 [ ] 안의 구조는 같거나 상이하며,
    r1 내지 r4는 0 내지 4의 정수이고, r1 내지 r4가 각각 2 이상인 경우, 괄호 ( ) 안의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 유기 금속 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112019049171040-pat00073

    상기 화학식 2에 있어서,
    X, R1 내지 R6, n 및 r1 내지 r4는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 유기 금속 화합물:
    [화학식 3]
    Figure 112019049171040-pat00074

    상기 화학식 3에 있어서,
    X, R1 내지 R6, n 및 r1 내지 r4는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시되는 유기 금속 화합물:
    [화학식 4]
    Figure 112019049171040-pat00075

    상기 화학식 4에 있어서,
    X, R1 내지 R6, n 및 r1 내지 r4는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기 금속 화합물:
    Figure 112019049171040-pat00076

    Figure 112019049171040-pat00077

    Figure 112019049171040-pat00078

    Figure 112019049171040-pat00079

    Figure 112019049171040-pat00080

    Figure 112019049171040-pat00081

    Figure 112019049171040-pat00082

    Figure 112019049171040-pat00083
    .
  8. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대항하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 4 및 7 중 어느 한 항에 따른 유기 금속 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 도펀트 물질을 포함하며, 상기 도펀트 물질은 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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