KR102227716B1 - 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 Download PDFInfo
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- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 224
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 347
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 21
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 15
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical group C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 Chemical compound C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical class F* 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K30/80—Constructional details
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- H01L27/3244—
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- H10K50/14—Carrier transporting layers
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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Abstract
본 발명은 단순화된 구조를 갖는 유기 발광 소자에 관한 것으로, 제 1 전극; 제 1 전극 상에 배치된 제 1 유기물층; 제 1 유기물층 상에 배치된 제 2 유기물층; 제 2 유기물층 상에 배치된 제 2 전극; 및 제 1 유기물층과 제 2 유기물층 사이에 배치된 혼합층;을 포함하고, 제 1 유기물층의 호모(HOMO) 에너지 레벨과 제 2 유기물층의 루모(LUMO) 에너지 레벨 사이의 갭은 1.35eV 내지 1.70eV이며, 혼합층은 엑시플렉스(Exciplex)에 의하여 740nm 내지 950nm의 파장을 갖는 광을 방출한다.
Description
본 발명은 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 발광 방식에 따라 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP) 및 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등으로 분류된다.
그 중 유기 발광 표시 장치는 콘트라스트 비(Contrast Ratio)와 응답 속도(response time) 등의 표시 특성이 우수하며, 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)의 구현이 용이하여 이상적인 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 포함하는 다층 구조를 갖는다. 일반적으로, 유기 발광 소자는 서로 대향하는 두 개의 전극, 두 개의 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함한다. 두 개의 전극으로부터 각각 정공과 전자가 발광층 내부로 주입되고, 이와 같이 주입된 정공과 전자가 결합되어 형성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 이러한 발광층은 도펀트의 종류에 따라 다양한 색의 광을 방출할 수 있고, 엑시톤의 고농도 소광을 방지할 수 있다. 다만, 각각의 발광 색에 적합한 도펀트의 종류가 제한적일 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 도펀트를 포함하지 않는 단순화된 구조의 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 제 1 전극; 제 1 전극 상에 배치된 제 1 유기물층; 제 1 유기물층 상에 배치된 제 2 유기물층; 제 2 유기물층 상에 배치된 제 2 전극; 및 제 1 유기물층과 제 2 유기물층 사이에 배치된 혼합층;을 포함하고, 제 1 유기물층의 호모(HOMO) 에너지 레벨과 제 2 유기물층의 루모(LUMO) 에너지 레벨 사이의 갭은 1.35eV 내지 1.70eV이며, 혼합층은 엑시플렉스(Exciplex)에 의하여 740nm 내지 950nm의 파장을 갖는 광을 방출한다.
제 1 유기물층, 제 2 유기물층 및 혼합층은 도펀트를 포함하지 않는다.
혼합층은 제 1 유기물층으로부터 제 2 유기물층으로 향하는 방향을 따라 제 2 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 갖고, 제 2 유기물층으로부터 제 1 유기물층으로 향하는 방향을 따라 제 1 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 갖는다.
제 1 유기물층은 정공 수송층이다.
제 1 유기물층은 공진 보조층이다.
제 1 전극과 제 1 유기물층 사이에 배치된 제 3 유기물층을 더 포함한다.
제 1 유기물층의 호모 에너지 레벨은 제 3 유기물층의 호모 에너지 레벨보다 낮다.
제 2 유기물층은 전자 수송층이다.
제 2 유기물층과 제 2 전극 사이에 배치된 제 4 유기물층을 더 포함한다.
제 2 유기물층의 루모 에너지 레벨은 제 4 유기물층의 루모 에너지 레벨보다 높다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판; 기판 상에 배치된 구동 회로부; 및 구동 회로부 상에 배치된 유기 발광 소자;를 포함하고, 유기 발광 소자는, 제 1 전극; 제 1 전극 상에 배치된 제 1 유기물층; 제 1 유기물층 상에 배치된 제 2 유기물층; 제 2 유기물층 상에 배치된 제 2 전극; 및 제 1 유기물층과 제 2 유기물층 사이에 배치된 혼합층;을 포함하고, 제 1 유기물층의 호모 에너지 레벨과 제 2 유기물층의 루모 에너지 레벨 사이의 갭은 1.35eV 내지 1.7eV이며, 혼합층은 엑시플렉스에 의하여 740nm 내지 950nm의 파장을 갖는 광을 방출한다.
제 1 유기물층, 제 2 유기물층 및 혼합층은 도펀트를 포함하지 않는다.
혼합층은 제 1 유기물층으로부터 제 2 유기물층으로 향하는 방향을 따라 제 2 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 갖고, 제 2 유기물층으로부터 제 1 유기물층으로 향하는 방향을 따라 제 1 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 갖는다.
제 1 전극과 제 1 유기물층 사이에 배치된 제 3 유기물층을 더 포함한다.
제 1 유기물층의 호모 에너지 레벨은 제 3 유기물층의 호모 에너지 레벨보다 낮다.
제 2 유기물층과 제 2 전극 사이에 배치된 제 4 유기물층을 더 포함한다.
제 2 유기물층의 루모 에너지 레벨은 제 4 유기물층의 루모 에너지 레벨보다 높다.
구동 회로부는, 기판 상에 배치된 게이트 라인; 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인; 및 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결된 박막 트랜지스터;를 포함한다.
제 2 전극 상에 배치된 박막 봉지층;을 더 포함하며, 박막 봉지층은, 적어도 하나의 무기막; 및 적어도 하나의 무기막과 교호적으로 배치된 적어도 하나의 유기막;을 포함한다.
제 2 전극 상에 배치된 캡핑층; 캡핑층 상에 배치된 충진제; 및 충진제 상에 배치된 봉지 기판;을 더 포함한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 엑시플렉스에 의해 광을 방출함으로써, 단순화된 구조를 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자의 밴드 다이어그램이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기 발광 소자의 밴드 다이어그램이다.
도 8은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 9는 도 8의 I-I` 선을 따라 자른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자의 밴드 다이어그램이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기 발광 소자의 밴드 다이어그램이다.
도 8은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 9는 도 8의 I-I` 선을 따라 자른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자의 밴드 다이어그램이며, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자(101)는 제 1 전극(110), 제 1 전극 상에 배치된 제 1 유기물층(121), 제 1 유기물층(121) 상에 배치된 제 2 유기물층(141), 제 2 유기물층(141) 상에 배치된 제 2 전극(150), 및 제 1 유기물층(121)과 제 2 유기물층(141) 사이에 배치된 제 1 유기물과 제 2 유기물의 혼합층(130)을 포함한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 전극(110)은 양극(Anode)이고, 제 2 전극(150)은 음극(Cathode)이다. 제 1 전극(110)은 광투과성을 갖는 투광성 전극일 수 있으며, 광 반사성을 갖는 반사 전극일 수도 있다. 제 2 전극(150)은 반투과성을 갖는 반투과성 전극일 수 있고, 광 반사성을 갖는 반사 전극일 수도 있다.
제 1 유기물층(121)은 정공 수송 특성을 갖는 정공 수송층일 수 있다. 예를 들어, 제 1 유기물은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도시되지 않았으나, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자(101)는 제 1 전극(110)과 제 1 유기물층(121) 사이에 배치된 정공 주입층을 더 포함할 수 있다.
제 2 유기물층(141)은 전자 수송 특성을 갖는 전자 수송층일 수 있다. 예를 들어, 제 2 유기물은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도시되지 않았으나, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자(101)는 제 2 유기물층(141)과 제 2 전극(150) 사이에 배치된 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
혼합층(130)은 제 1 유기물 및 제 2 유기물을 포함한다. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 혼합층(130)은 제 1 및 제 2 유기물층(121, 141)과 별도의 공정으로 형성된 것은 아니며, 제 1 유기물층(121)과 제 2 유기물층(141)을 순차적으로 증착 형성하는 과정에서 제 1 유기물과 제 2 유기물이 혼합되어 형성된 중간층을 의미한다. 따라서, 혼합층(130)은 제 1 유기물층(121)으로부터 제 2 유기물층(141)으로 향하는 방향을 따라 제 2 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 가질 수 있고, 제 2 유기물층(141)으로부터 제 1 유기물층(121)으로 향하는 방향을 따라서는 제 1 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 가질 수 있다. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 혼합층(130)은 제 1 유기물층(121)과 제 2 유기물층(141) 사이의 경계 영역으로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 혼합층(130)은 제 1 유기물층(121)과 제 2 유기물층(141) 사이의 경계면만을 의미할 수도 있다.
제 1 및 제 2 전극(110, 150)으로부터 각각 정공과 전자가 제 1 및 제 2 유기물층(121, 141)을 통해 혼합층(130)으로 주입되고, 이와 같이 주입된 정공과 전자가 결합되어 형성된 엑시플렉스(exciplex)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
일반적으로, 엑시플렉스는 두 개의 서로 다른 분자 중 들뜬 상태의 어느 하나의 분자와 기저 상태의 다른 하나의 분자가 결합되어 나타나는 새로운 복합체를 의미한다. 본 발명에서 엑시플렉스는 두 개의 유기물층(121, 141)을 적층하는 경우, 두 개의 유기물층(121, 141) 사이에 형성된 혼합층(130)에서 정공과 전자의 결합에 의해 형성된 엑시톤(exciton)을 의미할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 유기물층(121)과 제 2 유기물층(141)은 서로 다른 에너지 밴드(energy band)를 갖는다. 일반적으로 유기물의 분자 결합력은 이온 결합 등에 비해 상대적으로 매우 약하며, 유기물층의 전자 에너지 레벨은 양자화되어 소정의 갭(gap)을 가진 에너지 밴드로 나타난다. 유기물층의 에너지 밴드는 루모(Lowest Unoccupied Molecular Orbital, LUMO) 에너지 레벨과 호모(Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO) 에너지 레벨의 차이(gap)에 의해 정의될 수 있다.
유기 발광 소자(101)에 소정의 전기장(electric field)이 인가되면, 제 1 전극(110)에 존재하던 정공들은 전기장에 의해 인접한 층으로 이동할 수 있다. 이때, 인접한 층간의 호모 에너지 레벨 차이가 클수록 높은 전기장이 필요하다. 즉, 호모 에너지 레벨은 정공의 이동과 관련된다. 인가된 전기장에 의해 정공은 호모 에너지 레벨이 높은 층에서 낮은 층으로 이동할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 유기물층(121)은 제 1 전극(110)의 일함수보다 낮은 호모 에너지 레벨을 갖는다. 이에 따라, 정공은 인가된 전기장에 의해 제 1 전극(110)으로부터 제 1 유기물층(121)으로 이동할 수 있다.
유기 발광 소자(101)에 소정의 전기장이 인가되면, 제 2 전극(150)에 존재하던 전자들은 전기장에 의해 인접한 층으로 이동할 수 있다. 이때, 인접한 층간의 루모 에너지 레벨의 차이가 클수록 높은 전기장이 필요하다. 즉, 루모 에너지 레벨은 전자의 이동과 관련된다. 인가된 전기장에 의해 전자는 루모 에너지 레벨이 낮은 층에서 높은 층으로 이동할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 2 유기물층(141)은 제 2 전극(150)의 일함수보다 높은 루모 에너지 레벨을 갖는다. 따라서, 전자는 인가된 전기장에 의해 제 2 전극(150)으로부터 제 2 유기물층(141)으로 이동할 수 있다.
이어서, 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨의 정공과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨의 전자가 혼합층(130)에서 결합되어 엑시플렉스가 형성되고, 이러한 엑시플렉스가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다. 즉, 정공 수송 특성을 갖는 제 1 유기물층(121)과 전자 수송 특성을 갖는 제 2 유기물층(141) 사이의 경계 영역에서 엑시플렉스에 의한 발광이 발생한다.
일반적으로, 광자(photon)의 에너지 E는 다음의 수학식 1을 만족한다.
[수학식 1]
E = hv = hc/λ
수학식 1에서 h는 플랑크 상수를 나타내고, v는 광의 진동수를 나타내며, c는 광의 속도를 나타내고, λ는 광의 파장을 나타낸다.
이때, 수학식 1에서 에너지 E는 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨 사이의 갭(Eg)에 대응될 수 있다. 따라서, 혼합층(130)에서 방출되는 광의 파장 λ는 다음의 수학식 2를 만족한다.
[수학식 2]
λ = 1240/Eg
즉, 혼합층(130)에서 엑시플렉스에 의해 방출된 광의 파장(λ)은 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨 사이의 갭(Eg)에 의해서 결정될 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨 사이의 갭(Eg)은 1.35eV 내지 1.70eV일 수 있으며, 이에 따라, 혼합층(130)은 엑시플렉스에 의해 약 740nm 내지 950nm의 파장(λ)을 갖는 광을 방출할 수 있다. 즉, 혼합층(130)은 근적외선 파장대의 광을 방출할 수 있다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨 사이의 갭(Eg)이 1.65eV일 때, 혼합층(130)은 약 750nm의 최고 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자(101)는, 별도의 도펀트 및 도펀트를 포함하는 발광층을 포함하지 않고, 약 740nm 내지 950nm의 파장(λ)을 갖는 광을 방출할 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예를 설명한다. 본 발명의 제 1 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자(102)는, 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자(101)와 비교하여, 제 1 전극(110)과 제 1 유기물층(121) 사이에 배치된 제 3 유기물층(122)을 더 포함한다.
제 3 유기물층(122)은 정공 수송 특성을 갖는 정공 수송층일 수 있다. 즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자(102)는 제 1 유기물층(121)과 제 3 유기물층(122)을 포함하는 다층 구조의 정공 수송층(120)을 포함할 수 있다.
이때, 제 1 유기물층(121)은 정공 수송층이면서, 동시에 공진 보조층일 수 있다. 즉, 공진 보조층의 역할을 하는 제 1 유기물층(121)은 제 1 전극(110)과 제 2 전극(150) 사이의 거리를 조절할 수 있다.
상세하게는, 유기 발광 소자(102)는 다층의 적층 구조를 포함하며, 이에 따라, 혼합층(130)에서 발생된 광은 다층의 적층 구조를 통과하여 방출된다. 이때, 두 개의 층 사이에서 광학적 공진이 발생하면, 광의 에너지가 증가하고, 증가된 에너지를 갖는 광은 다층의 적층 구조를 용이하게 통과하여 외부로 방출될 수 있다. 이와 같이 두 개의 층 사이에서 광이 공진될 수 있도록 만들어진 구조를 공진 구조라고 하고, 공진이 일어나는 두 개의 층 사이의 거리를 공진 거리라고 한다. 공진 거리는 혼합층(130)에서 방출되는 광의 파장(λ)에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자(102)는 제 1 유기물층(121)의 두께를 조절하여, 광의 파장(λ)에 따른 공진 거리를 조절할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자(102)는 정공 수송층인 제 3 유기물층(122)을 포함하는 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 3 유기물층(122)은 정공 주입층일 수도 있다.
이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제 3 실시예를 설명한다. 본 발명의 제 1 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자(103)는, 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자(101)와 비교하여, 제 2 유기물층(141)과 제 2 전극(150) 사이에 배치된 제 4 유기물층(142)을 더 포함한다.
제 4 유기물층(142)은 전자 수송 특성을 갖는 전자 수송층일 수 있다. 즉, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자(103)는 제 2 유기물층(141)과 제 4 유기물층(142)을 포함하는 다층 구조의 전자 수송층(140)을 포함할 수 있다.
이때, 제 2 유기물층(141)은 전자 수송층이면서, 동시에 버퍼층일 수 있다. 즉, 버퍼층의 역할을 하는 제 2 유기물층(141)은 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨 사이의 갭(Eg)을 조절할 수 있다. 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨 사이의 갭(Eg)은 1.35eV 내지 1.70eV일 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자(103)는 전자 수송층인 제 4 유기물층(142)을 포함하는 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 4 유기물층(142)은 전자 주입층일 수도 있다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제 4 실시예를 설명한다. 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기 발광 소자의 밴드 다이어그램이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기 발광 소자(104)는, 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자(101)와 비교하여, 제 1 전극(110)과 제 1 유기물층(121) 사이에 배치된 제 3 유기물층(122) 및 제 2 유기물층(141)과 제 2 전극(150) 사이에 배치된 제 4 유기물층(142)을 더 포함한다.
제 3 유기물층(122) 및 제 4 유기물층(142)은 각각 정공 수송층 및 전자 수송층일 수 있다. 즉, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기 발광 소자(104)는 다층 구조의 정공 수송층(120) 및 다층 구조의 전자 수송층(140)을 포함할 수 있다.
이때, 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨은 제 3 유기물층(122)의 호모 에너지 레벨보다 낮고, 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨은 제 4 유기물층(142)의 루모 에너지 레벨보다 높다.
상세하게는, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 제 3 유기물층(122)은 제 1 전극(110)의 일함수보다 낮은 호모 에너지 레벨을 갖고, 제 1 유기물층(121)은 제 3 유기물층(122)보다 낮은 호모 에너지 레벨을 갖는다. 이에 따라, 정공은 인가된 전기장에 의해 제 1 전극(110)으로부터 제 3 유기물층(122)으로 이동하고, 제 3 유기물층(122)으로부터 제 1 유기물층(121)으로 단계적으로 이동할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 제 4 유기물층(142)은 제 2 전극(150)의 일함수보다 높은 루모 에너지 레벨을 갖고, 제 2 유기물층(141)은 제 4 유기물층(142)보다 높은 루모 에너지 레벨을 갖는다. 이에 따라, 전자는 인가된 전기장에 의해 제 2 전극(150)으로부터 제 4 유기물층(142)으로 이동하고, 제 4 유기물층(142)으로부터 제 2 유기물층(141)으로 단계적으로 이동할 수 있다.
이어서, 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨의 정공과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨의 전자가 혼합층(130)에서 결합되어 엑시플렉스가 형성되고, 이러한 엑시플렉스가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 제 1 유기물층(121)의 호모 에너지 레벨과 제 2 유기물층(141)의 루모 에너지 레벨 사이의 갭(Eg)은 1.35eV 내지 1.70eV일 수 있으며, 이에 따라, 혼합층(130)은 엑시플렉스에 의해 약 740nm 내지 950nm의 파장(λ)을 갖는 광을 방출할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이고, 도 9는 도 8의 I-I` 선을 따라 자른 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(105)는 기판(210), 버퍼층(220), 구동 회로부(230), 화소 정의막(290), 유기 발광 소자(101) 및 박막 봉지층(300)을 포함한다.
기판(210)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 기판으로 만들어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 제 5 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(210)은 스테인리스 강 등의 금속성 재료로 만들어질 수도 있다.
버퍼층(220)은 기판(210) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(220)은 다양한 무기막들 및 유기막들 중에서 선택된 하나 이상의 막을 포함할 수 있다. 하지만 버퍼층(220)이 반드시 필요한 것은 아니며 생략될 수 있다.
구동 회로부(230)는 버퍼층(220) 상에 배치된다. 구동 회로부(230)는 복수의 박막 트랜지스터들(10, 20)을 포함하며, 유기 발광 소자(101)를 구동한다. 즉, 유기 발광 소자(101)는 구동 회로부(230)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출하여 화상을 표시한다.
도 8 및 도 9에, 하나의 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)가 구비된 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치(105)가 도시되어 있다. 그러나, 본 발명의 제 5 실시예가 이러한 구조에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선을 더 포함하는 다양한 구조를 가질 수도 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치(105)는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
하나의 화소마다 각각 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80) 및 유기 발광 소자(101)가 구비된다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 및 축전 소자(80)를 포함하는 구성을 구동 회로부(230)라 한다. 또한 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(251)과, 상기 게이트 라인(251)과 절연 교차되는 데이터 라인(271) 및 공통 전원 라인(272)도 구동 회로부(230)에 배치된다. 하나의 화소는 게이트 라인(251), 데이터 라인(271) 및 공통 전원 라인(272)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 화소정의막 또는 블랙 매트릭스에 의하여 화소가 정의될 수도 있다.
유기 발광 소자(101)는 제 1 전극(110), 상기 제 1 전극(110) 상에 배치된 제 1 유기물층(121), 혼합층(130), 제 2 유기물층(141) 및 제 2 전극(150)을 포함한다. 제 1 전극(110) 및 제 2 전극(150)으로부터 각각 정공과 전자가 혼합층(130)으로 주입된다. 이와 같이 주입된 정공과 전자가 결합되어 형성된 엑시플렉스가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다. 유기 발광 소자(101)는 제 1 실시예에 상세히 설명되었으므로, 중복을 피하기 위해 구체적인 설명은 생략된다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(245)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(258, 278)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(245)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(258, 278) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(231), 스위칭 게이트 전극(252), 스위칭 소스 전극(273) 및 스위칭 드레인 전극(274)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(232), 구동 게이트 전극(255), 구동 소스 전극(276) 및 구동 드레인 전극(277)을 포함한다. 반도체층(231, 232)과 게이트 전극(252, 255)은 게이트 절연막(240)에 의하여 절연된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(252)은 게이트 라인(251)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(273)은 데이터 라인(271)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(274)은 스위칭 소스 전극(273)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(258)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(101)의 혼합층(130)에서 광을 방출시키기 위한 구동 전원을 화소 전극인 제 1 전극(110)에 인가한다. 구동 게이트 전극(255)은 스위칭 드레인 전극(274)과 연결된 축전판(258)과 연결된다. 구동 소스 전극(276) 및 다른 한 축전판(278)은 각각 공통 전원 라인(272)과 연결된다. 구동 드레인 전극(277)은 평탄화막(246)에 구비된 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(101)의 화소 전극인 제 1 전극(110)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(251)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동되어 데이터 라인(271)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(272)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(101)로 흘러 유기 발광 소자(101)가 발광된다.
본 발명의 제 5 실시예에서, 제 1 전극(110)은 반사막으로 형성되고, 제 2 전극(150)은 반투과막으로 형성된다. 따라서, 혼합층(130)에서 발생된 광은 제 2 전극(150)을 통과해 방출된다. 즉, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(105)는 전면 발광형(top emission type)의 구조를 갖는다.
제 1 전극(110)과 혼합층(130) 사이에 제 1 유기물층(121)이 배치된다. 또한, 혼합층(130)과 제 2 전극(150) 사이에 제 2 유기물층(141)이 배치된다.
화소 정의막(290)은 개구부를 갖는다. 화소 정의막(290)의 개구부는 제 1 전극(110)의 일부를 드러낸다. 화소 정의막(290)의 개구부에 제 1 전극(110), 제 1 유기물층(121), 혼합층(130), 제 2 유기물층(141), 및 제 2 전극(150)이 차례로 적층된다. 여기서, 제 2 전극(150)은 화소 정의막(290)의 개구부뿐만 아니라 화소 정의막(290) 위에도 배치된다. 또한, 제 1 유기물층(121) 및 제 2 유기물층(141) 중 적어도 어느 하나는 화소 정의막(290)과 제 2 전극(150) 사이에도 배치될 수 있다. 유기 발광 소자(101)는 화소 정의막(290)의 개구부 내에 위치한 혼합층(130)에서 광을 발생시킨다. 이와 같이, 화소 정의막(290)은 발광 영역을 정의할 수도 있다.
제 2 전극(150) 상에 박막 봉지층(300)이 배치된다. 박막 봉지층(300)은 하나 이상의 무기막(311, 312) 및 하나 이상의 유기막(321)을 포함하며, 무기막(311, 312)과 유기막(321)이 교호적으로 적층된 구조를 갖는다. 이때, 무기막(311)이 유기 발광 소자(101)와 가장 가깝게 배치된다. 도 9에서 박막 봉지층(300)이 두 개의 무기막(311, 312)과 한 개의 유기막(321)을 포함하고 있으나, 본 발명의 제 5 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 박막 봉지층(300)은 세 개의 무기막과 두 개의 유기막이 교호적으로 적층된 구조를 가질 수도 있다.
무기막(311, 312)은 Al2O3, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, AlN, SiON, Si3N4, ZnO, LiF, MgF2 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함한다. 무기막(311, 312)은 화학 증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer depostion, ALD)법을 통해 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 제 5 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 무기막(311, 312)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다.
유기막(321)은 고분자(polymer) 계열의 소재로 만들어진다. 여기서, 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함한다. 유기막(321)은 열증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 유기막(321)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(101)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행된다. 또한, 유기막(321)은 잉크젯 공정 또는 프린팅 공정을 통해 형성될 수도 있다. 하지만, 본 발명의 제 5 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 유기막(321)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(311, 312)이 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제한다. 대부분의 수분 및 산소는 무기막(311, 312)에 의해 유기 발광 소자(101)로의 침투가 차단된다.
무기막(311, 312)을 통과한 수분 및 산소는 유기막(321)에 의해 다시 차단된다. 유기막(321)은 무기막(311, 312)에 비해 상대적으로 투습 방지 효과는 적다. 하지만, 유기막(321)은 투습 억제 외에 하나의 무기막(311)과 다른 하나의 무기막(312) 사이에서, 각층들 간의 응력을 줄여주는 완충층의 역할도 함께 수행한다. 또한, 유기막(321)은 평탄화 특성을 가지므로, 박막 봉지층(300)의 최상부면이 평탄해질 수 있다.
박막 봉지층(300)은 10㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(105)의 전체적인 두께가 매우 얇게 형성될 수 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치(105)는 우수한 플렉서블 특성을 가질 수 있다.
이하, 도 10을 참조하여 본 발명의 제 6 실시예를 설명한다. 본 발명의 제 1 및 제 5 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 10은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(106)는 유기 발광 소자(101) 상에 배치된 캡핑층(410), 캡핑층(410) 상에 배치된 충진제(420) 및 충진제(420) 상에 배치된 봉지 기판(430)을 포함한다.
봉지 기판(430)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 투명한 절연성 기판이다. 봉지 기판(430)은 기판(210)과 합착 밀봉되어 유기 발광 소자(101)를 보호한다.
충진제(420)는 유기 물질, 예를 들어, 폴리머로 형성될 수 있다. 충진제(420)는 캡핑층(410)보다 크거나 작은 굴절률을 가질 수 있다. 또는, 충진제(420)는 캡핑층(410)과 동일한 굴절률을 가질 수도 있다.
캡핑층(410)과 봉지 기판(430)의 굴절률에 따라 충진제(420)가 선택될 수 있다. 예를 들어, 봉지 기판(430)이 굴절률 1.5의 유리 기판인 경우, 굴절률이 1.5인 폴리머가 충진제(420)의 재료로 사용될 수 있다. 이러한 충진제(420)의 재료로 PMMA(Poly (methyl methacrylate))가 있다.
충진제(420)가 캡핑층(410)과 봉지 기판(430) 사이의 공간을 채워주므로, 충진제(420)에 의하여 유기 발광 표시 장치(106)의 기구 강도 및 내구성이 향상될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
101: 유기 발광 소자 105: 유기 발광 표시 장치
110: 제 1 전극 121: 제 1 유기물층
130: 혼합층 141: 제 2 유기물층
150: 제 2 전극 210: 기판
230: 구동 회로부 290: 화소 정의막
300: 박막 봉지층 410: 캡핑층
420: 충진제 430: 봉지 기판
110: 제 1 전극 121: 제 1 유기물층
130: 혼합층 141: 제 2 유기물층
150: 제 2 전극 210: 기판
230: 구동 회로부 290: 화소 정의막
300: 박막 봉지층 410: 캡핑층
420: 충진제 430: 봉지 기판
Claims (20)
- 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 배치된 제 1 유기물층;
상기 제 1 유기물층 상에 배치된 제 2 유기물층;
상기 제 2 유기물층 상에 배치된 제 2 전극; 및
상기 제 1 유기물층과 상기 제 2 유기물층 사이에 배치된 혼합층;을 포함하고,
상기 제 1 유기물층의 호모(HOMO) 에너지 레벨과 상기 제 2 유기물층의 루모(LUMO) 에너지 레벨 사이의 갭은 1.35eV 내지 1.70eV이며,
상기 혼합층은 엑시플렉스(Exciplex)에 의하여 740nm 내지 950nm의 파장을 갖는 광을 방출하는 유기 발광 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기물층, 상기 제 2 유기물층 및 상기 혼합층은 도펀트를 포함하지 않는 유기 발광 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 혼합층은 상기 제 1 유기물층으로부터 상기 제 2 유기물층으로 향하는 방향을 따라 제 2 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 갖고, 상기 제 2 유기물층으로부터 상기 제 1 유기물층으로 향하는 방향을 따라 제 1 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 갖는 유기 발광 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기물층은 정공 수송층인 유기 발광 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기물층은 공진 보조층인 유기 발광 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 제 1 유기물층 사이에 배치된 제 3 유기물층을 더 포함하는 유기 발광 소자. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 유기물층의 호모 에너지 레벨은 상기 제 3 유기물층의 호모 에너지 레벨보다 낮은 유기 발광 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 유기물층은 전자 수송층인 유기 발광 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 유기물층과 상기 제 2 전극 사이에 배치된 제 4 유기물층을 더 포함하는 유기 발광 소자. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 유기물층의 루모 에너지 레벨은 상기 제 4 유기물층의 루모 에너지 레벨보다 높은 유기 발광 소자. - 기판;
상기 기판 상에 배치된 구동 회로부; 및
상기 구동 회로부 상에 배치된 유기 발광 소자;를 포함하고,
상기 유기 발광 소자는,
제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 배치된 제 1 유기물층;
상기 제 1 유기물층 상에 배치된 제 2 유기물층;
상기 제 2 유기물층 상에 배치된 제 2 전극; 및
상기 제 1 유기물층과 상기 제 2 유기물층 사이에 배치된 혼합층;을 포함하고,
상기 제 1 유기물층의 호모 에너지 레벨과 상기 제 2 유기물층의 루모 에너지 레벨 사이의 갭은 1.35eV 내지 1.7eV이며,
상기 혼합층은 엑시플렉스에 의하여 740nm 내지 950nm의 파장을 갖는 광을 방출하는 유기 발광 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 유기물층, 상기 제 2 유기물층 및 상기 혼합층은 도펀트를 포함하지 않는 유기 발광 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 혼합층은 상기 제 1 유기물층으로부터 상기 제 2 유기물층으로 향하는 방향을 따라 제 2 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 갖고, 상기 제 2 유기물층으로부터 상기 제 1 유기물층으로 향하는 방향을 따라 제 1 유기물의 농도 값이 커지는 농도 구배를 갖는 유기 발광 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 제 1 유기물층 사이에 배치된 제 3 유기물층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 유기물층의 호모 에너지 레벨은 상기 제 3 유기물층의 호모 에너지 레벨보다 낮은 유기 발광 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 유기물층과 상기 제 2 전극 사이에 배치된 제 4 유기물층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 제 2 유기물층의 루모 에너지 레벨은 상기 제 4 유기물층의 루모 에너지 레벨보다 높은 유기 발광 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 구동 회로부는,
상기 기판 상에 배치된 게이트 라인;
상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인; 및
상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 연결된 박막 트랜지스터;를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 전극 상에 배치된 박막 봉지층;을 더 포함하며,
상기 박막 봉지층은,
적어도 하나의 무기막; 및
상기 적어도 하나의 무기막과 교호적으로 배치된 적어도 하나의 유기막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 전극 상에 배치된 캡핑층;
상기 캡핑층 상에 배치된 충진제; 및
상기 충진제 상에 배치된 봉지 기판;을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170038978A KR102227716B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| US15/937,070 US10418574B2 (en) | 2017-03-28 | 2018-03-27 | Organic light emitting diode and organic light emitting diode display device comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170038978A KR102227716B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180110302A KR20180110302A (ko) | 2018-10-10 |
| KR102227716B1 true KR102227716B1 (ko) | 2021-03-16 |
Family
ID=63671051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170038978A KR102227716B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10418574B2 (ko) |
| KR (1) | KR102227716B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102577044B1 (ko) * | 2018-11-21 | 2023-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자점 발광다이오드 및 양자점 발광표시장치 |
| CN109768178B (zh) * | 2019-01-22 | 2021-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、显示基板、显示装置 |
| JP7500164B2 (ja) * | 2019-05-07 | 2024-06-17 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子、それを有する表示装置、撮像装置、照明装置、移動体 |
| CN111477757B (zh) * | 2020-04-29 | 2023-02-17 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机发光二极管及显示面板 |
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| JP2015170793A (ja) | 2014-03-10 | 2015-09-28 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び該素子を有する発光装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101259532B1 (ko) * | 2011-05-09 | 2013-05-06 | 단국대학교 산학협력단 | 2종의 유기층을 이용하는 백색 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
| CN104576702B (zh) | 2015-01-21 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled彩色显示器件 |
-
2017
- 2017-03-28 KR KR1020170038978A patent/KR102227716B1/ko active IP Right Grant
-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150069352A1 (en) | 2012-04-10 | 2015-03-12 | Snu R&Db Foundation | Organic light-emitting diode containing co-hosts forming exciplex, and lighting device and display apparatus including same |
| JP2015170793A (ja) | 2014-03-10 | 2015-09-28 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び該素子を有する発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180110302A (ko) | 2018-10-10 |
| US20180287084A1 (en) | 2018-10-04 |
| US10418574B2 (en) | 2019-09-17 |
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