KR102221554B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 구부러지는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 게이트선 및 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 단부에 위치하는 패드부, 상기 패드부에 연결되어 있는 구동부, 및 상기 패드부 및 상기 구동부를 덮는 실런트를 포함하고, 상기 실런트는 내부에 위치하는 공기 방울 또는 미립자를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부의 충격에 의한 패드부의 손상을 방지할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 인가하고 이를 통하여 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치를 구성하는 두 장의 표시판은 박막 트랜지스터 표시판과 대향 표시판으로 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터 표시판에는 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등이 형성될 수 있다. 대향 표시판에는 차광부재, 색 필터, 공통 전극 등이 형성될 수 있다. 경우에 따라 차광 부재, 색 필터, 공통 전극이 박막 트랜지스터 표시판에 형성될 수도 있다.
최근에는 시청자의 몰입도를 높이기 위해 곡면(curved) 액정 표시 장치가 개발되고 있고, 휴대성을 향상시키기 위해 말거나 구부릴 수 있는 액정 표시 장치가 개발되고 있다. 이처럼 말거나 구부리는 과정에서 액정 표시 장치의 패드부가 손상되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 외부의 충격에 의한 패드부의 손상을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 구부러지는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 게이트선 및 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 단부에 위치하는 패드부, 상기 패드부에 연결되어 있는 구동부, 및 상기 패드부 및 상기 구동부를 덮는 실런트를 포함하고, 상기 실런트는 내부에 위치하는 공기 방울 또는 미립자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 복수의 미세 공간을 사이에 두고 이격되어 있는 지붕층, 상기 미세 공간을 채우고 있는 액정층, 및 상기 지붕층 위에 위치하여 상기 미세 공간을 밀봉하는 덮개막을 더 포함할 수 있다.
상기 실런트는 상기 덮개막과 접할 수 있다.
상기 공기 방울 또는 상기 미립자의 밀도는 20개/mm2이상일 수 있다.
상기 공기 방울 또는 상기 미립자의 밀도는 100개/mm2이상일 수 있다.
상기 실런트는 상기 공기 방울을 포함하고, 상기 미립자를 포함하지 않을 수 있다.
상기 실런트는 상기 미립자를 포함하고, 상기 공기 방울을 포함하지 않을 수 있다.
상기 실런트는 상기 공기 방울 및 상기 미립자를 포함할 수 있다.
상기 실런트는 적어도 두 가지의 상기 미립자를 포함할 수 있다.
상기 패드부는 상기 게이트선의 단부에 위치하는 게이트 패드부를 포함하고, 상기 구동부는 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동부를 포함하고, 상기 게이트 구동부는 상기 게이트 패드부와 연결될 수 있다.
상기 게이트 구동부는 칩 온 필름으로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 구동부는 제1 회로 기판, 및 상기 제1 회로 기판 위에 위치하는 게이트 구동칩을 포함할 수 있다.
상기 패드부는 상기 데이터선의 단부에 위치하는 데이터 패드부를 포함하고, 상기 구동부는 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동부를 포함하고, 상기 데이터 구동부는 상기 데이터 패드부와 연결될 수 있다.
상기 데이터 구동부는 칩 온 필름으로 이루어질 수 있다.
상기 데이터 구동부는 제2 회로 기판, 및 상기 제2 회로 기판 위에 위치하는 데이터 구동칩을 포함할 수 있다.
상기 공기 방울 또는 상기 미립자의 밀도는 20개/mm2이상일 수 있다.
상기 공기 방울 또는 상기 미립자의 밀도는 100개/mm2이상일 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 외부의 충격에 의한 패드부의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 IV-IV선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 배치도이다.
도 7은 VII-VII선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 VIII-VIII선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 실런트를 나타내는 도면이다.
도 14 및 도 15는 실런트에 충격을 가할 때 하부에 전해지는 충격의 정도를 나타낸 실험 결과이다.
이하에서 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 구부러진다. 평평한 기판을 이용하여 평면 표시 장치를 제조한 후 이를 구부려서 이용할 수 있다.
도 1(a)에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1000)를 일정한 곡률을 가지도록 구부려서 곡면 표시 장치를 형성할 수 있다. 곡면 표시 장치는 평면 표시 장치에 비해 시청 각도가 넓어, 더 많은 양의 정보가 시세포를 자극하여 시신경을 통해 뇌에 더 많은 시각 정보를 전달한다. 이로 인해 현실감, 몰입감을 더 높일 수 있으며, 대형 TV 등에 유용하게 이용될 수 있다.
도 1(b)에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1000)를 돌돌 말아서 원통 형의 표시 장치를 형성할 수 있다. 원통 형의 표시 장치는 부피를 줄일 수 있고, 변형이 용이하여 휴대용에 적합하다.
이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이고, 도 4는 도 2의 IV-IV선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 유리 또는 플라스틱 등과 같은 재료로 만들어진 기판(110)을 포함한다. 기판(110)은 구부러지는 재질로 이루어진다.
기판(110) 위에는 지붕층(360)에 의해 덮여있는 미세 공간(305)이 형성되어 있다. 지붕층(360)은 행 방향으로 뻗어있고, 하나의 지붕층(360) 아래에는 복수의 미세 공간(305)이 형성되어 있다.
미세 공간(305)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있으며, 열 방향으로 인접한 미세 공간(305)들 사이에는 제1 골짜기(V1)가 위치하고 있고, 행 방향으로 인접한 미세 공간(305)들 사이에는 제2 골짜기(V2)가 위치하고 있다.
복수의 지붕층(360)은 제1 골짜기(V1)를 사이에 두고 분리되어 있다. 제1 골짜기(V1)와 접하는 부분에서 미세 공간(305)은 지붕층(360)에 의해 덮여있지 않고, 외부로 노출될 수 있다. 이를 주입구(307a, 307b)라 한다.
주입구(307a, 307b)는 미세 공간(305)의 양측 가장자리에 형성되어 있다. 주입구(307a, 307b)는 제1 주입구(307a)와 제2 주입구(307b)로 이루어지고, 제1 주입구(307a)는 미세 공간(305)의 제1 가장자리의 측면을 노출시키도록 형성되고, 제2 주입구(307b)는 미세 공간(305)의 제2 가장자리의 측면을 노출시키도록 형성된다. 미세 공간(305)의 제1 가장자리의 측면과 제2 가장자리의 측면은 서로 마주본다.
각 지붕층(360)은 인접한 제2 골짜기(V2)들 사이에서 기판(110)으로부터 떨어지도록 형성되어, 미세 공간(305)을 형성한다. 즉, 지붕층(360)은 주입구(307a, 307b)가 형성되어 있는 제1 가장자리 및 제2 가장자리의 측면을 제외한 나머지 측면들을 덮도록 형성되어 있다.
상기에서 설명한 미세 공간(305), 지붕층(360), 제1 골짜기(V1), 제2 골짜기(V2), 주입구(307a, 307b) 등의 배치 형태는 다양하게 변경이 가능하다. 예를 들면, 복수의 지붕층(360)이 제1 골짜기(V1)에서 서로 연결될 수도 있으며, 각 지붕층(360)의 일부가 제2 골짜기(V2)에서 기판(110)으로부터 떨어지도록 형성되어 인접한 미세 공간(305)이 서로 연결될 수도 있다.
기판(110) 위의 가장자리에는 패드부(400, 500)가 위치하고 있다. 패드부(400, 500)는 게이트 패드부(400) 및 데이터 패드부(500)를 포함한다. 게이트 패드부(400)는 이후에 설명하게 되는 게이트선(121)과 연결되어 있고, 데이터 패드부(500)는 이후에 설명하게 되는 데이터선(171)과 연결되어 있다.
평면도 상에서 게이트 패드부(400)는 기판(110)의 좌측 가장자리에 위치하고, 데이터 패드부(500)는 기판(110)의 상측 가장자리에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 패드부(400) 및 데이터 패드부(500)의 위치는 다양하게 변경이 가능하다. 아울러, 게이트 패드부(400) 및 데이터 패드부(500)는 동일한 가장자리에 위치할 수도 있다.
패드부(400, 500)와 연결되어 있는 구동부(600, 700)가 형성되어 있다. 구동부(600, 700)는 게이트 구동부(600) 및 데이터 구동부(700)를 포함한다.
게이트 구동부(600)는 게이트 패드부(400)에 연결되어 있다. 게이트 구동부(600)는 게이트 신호를 생성하여 게이트선(121)으로 전달한다. 게이트 구동부(600)는 제1 회로 기판(610) 및 제1 회로 기판(610) 위에 위치하는 게이트 구동칩(620)을 포함한다. 게이트 구동부(600)는 칩 온 필름(COF, Chip on Film)으로 이루어질 수 있다.
데이터 구동부(700)는 데이터 패드부(500)에 연결되어 있다. 데이터 구동부(700)는 데이터 신호를 생성하여 데이터선(171)으로 전달한다. 데이터 구동부(700)는 제2 회로 기판(710) 및 제2 회로 기판(710) 위에 위치하는 데이터 구동칩(720)을 포함한다. 데이터 구동부(700)는 칩 온 필름(COF, Chip on Film)으로 이루어질 수 있다.
패드부(400, 500) 및 구동부(600, 700) 위에는 실런트(900)가 위치한다. 실런트(900)는 패드부(400, 500) 및 구동부(600, 700)를 덮고 있다. 실런트(900)는 내부에 위치하는 공기 방울(910)을 포함한다. 실런트(900) 내부에는 복수의 공기 방울(910)이 위치하고 있으며, 공기 방울(910)의 밀도는 약 20개/mm2 이상일 수 있다. 즉, 1mm2의 면적 내에 20개 이상의 공기 방울(910)이 위치할 수 있다. 바람직하게는 공기 방울(910)의 밀도가 약 100개/mm2 이상일 수 있다.
실런트(900)는 패드부(400, 500) 및 구동부(600, 700)를 외부의 충격으로부터 보호할 수 있다. 예를 들면, 물리적인 힘이 가해지거나, 습기 등이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 기판(110)을 구부리는 강한 힘이 가해질 경우에는 패드부(400, 500)가 손상될 우려가 있다. 본 실시예에서는 실런트(900) 내부에 공기 방울(910)이 포함되어 있으므로, 완충 작용을 하여 패드부(400, 500)의 손상을 방지할 수 있다. 이때, 공기 방울(910)의 밀도가 높을수록 완충 작용의 효과가 더욱 커진다.
이하에서 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소에 대해 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171h, 171l)과 이에 연결되어 있는 화소(PX)를 포함한다. 도시는 생략하였으나, 복수의 화소(PX)가 복수의 화소 행과 복수의 화소 열을 포함하는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
각 화소(PX)는 제1 부화소(PXa) 및 제2 부화소(PXb)를 포함할 수 있다. 제1 부화소(PXa) 및 제2 부화소(PXb)은 상하로 배치될 수 있다. 이때, 제1 부화소(PXa)와 제2 부화소(PXb) 사이에는 화소 행 방향을 따라서 제1 골짜기(V1)가 위치할 수 있고, 복수의 화소 열 사이에는 제2 골짜기(V2)가 위치할 수 있다.
신호선(121, 171h, 171l)은 게이트 신호를 전달하는 게이트선(121), 서로 다른 데이터 전압을 전달하는 제1 데이터선(171h) 및 제2 데이터선(171l)을 포함한다.
게이트선(121) 및 제1 데이터선(171h)에 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터(Qh)가 형성되어 있고, 게이트선(121) 및 제2 데이터선(171l)에 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터(Ql)가 형성되어 있다.
제1 부화소(PXa)에는 제1 박막 트랜지스터(Qh)와 연결되어 있는 제1 액정 축전기(Clch)가 형성되어 있고, 제2 부화소(PXb)에는 제2 박막 트랜지스터(Ql)와 연결되어 있는 제2 액정 축전기(Clcl)가 형성되어 있다.
제1 박막 트랜지스터(Qh)의 제1 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 제2 단자는 제1 데이터선(171h)에 연결되어 있으며, 제3 단자는 제1 액정 축전기(Clch)에 연결되어 있다.
제2 박막 트랜지스터(Ql)의 제1 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 제2 단자는 제2 데이터선(171l)에 연결되어 있으며, 제3 단자는 제2 액정 축전기(Clcl)에 연결되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 동작을 살펴보면, 게이트선(121)에 게이트 온 전압이 인가되면, 이에 연결된 제1 박막 트랜지스터(Qh)와 제2 박막 트랜지스터(Ql)가 턴 온 상태가 되고, 제1 및 제2 데이터선(171h, 171l)을 통해 전달된 서로 다른 데이터 전압에 의해 제1 및 제2 액정 축전기(Clch, Clcl)가 충전된다. 제2 데이터선(171l)에 의해 전달되는 데이터 전압은 제1 데이터선(171h)에 의해 전달되는 데이터 전압보다 낮다. 따라서, 제2 액정 축전기(Clcl)는 제1 액정 축전기(Clch)보다 낮은 전압으로 충전되도록 하여 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 두 개의 부화소(PXa, PXb)에 상이한 전압을 인가하기 위한 박막 트랜지스터들의 배치 설계는 다양하게 변경이 가능하다. 또한, 화소(PX)가 두 개 이상의 부화소들을 포함하거나, 단일의 화소로 이루어질 수도 있다.
이하에서 도 6 내지 도 8을 더욱 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소의 구조에 대해 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 배치도이고, 도 7은 VII-VII선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이며, 도 8은 VIII-VIII선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 기판(110) 위에 게이트선(121, gate line) 및 게이트선(121)으로부터 돌출되는 제1 게이트 전극(124h, first gate electrode) 및 제2 게이트 전극(124l, second gate electrode)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 제1 방향으로 뻗어 있으며 게이트 신호를 전달한다. 게이트선(121)은 열 방향으로 인접하는 두 개의 미세 공간(305) 사이에 위치한다. 즉, 게이트선(121)은 제1 골짜기(V1)에 위치한다. 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)은 평면도 상에서 게이트선(121)의 상측으로 돌출되어 있다. 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)은 서로 연결되어 하나의 돌출부를 이룰 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)의 돌출 형태는 다양하게 변형이 가능하다.
기판(110) 위에는 게이트선(121)과 연결되어 있는 게이트 패드(125)가 더 형성되어 있다. 게이트 패드(125)는 게이트선(121)의 단부와 연결되어 있다. 게이트 패드(125)는 게이트선(121)보다 넓은 폭을 가지도록 형성될 수 있다. 게이트 패드(125)는 게이트 구동부(600)로부터 게이트 신호를 인가 받아 게이트선(121)으로 전달하고, 게이트 신호는 게이트선(121)을 통해 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)에 인가된다.
기판(110) 위에는 유지 전극선(131) 및 유지 전극선(131)으로부터 돌출되는 유지 전극(133, 135)이 더 형성될 수 있다.
유지 전극선(131)은 게이트선(121)과 나란한 방향으로 뻗어 있으며, 게이트선(121)과 이격되도록 형성된다. 유지 전극선(131)에는 일정한 전압이 인가될 수 있다. 유지 전극선(131)의 위로 돌출되는 유지 전극(133)은 제1 부화소(PXa)의 가장자리를 둘러싸도록 형성된다. 유지 전극선(131)의 아래로 돌출되는 유지 전극(135)은 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)과 인접하도록 형성된다.
게이트선(121), 제1 게이트 전극(124h), 제2 게이트 전극(124l), 유지 전극선(131), 및 유지 전극(133, 135) 위에는 게이트 절연막(140, gate insulating layer)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체(154h, first semiconductor) 및 제2 반도체(154l, second semiconductor)가 형성되어 있다. 제1 반도체(154h)는 제1 게이트 전극(124h) 위에 위치할 수 있고, 제2 반도체(154l)는 제2 게이트 전극(124l) 위에 위치할 수 있다. 제1 반도체(154h)는 제1 데이터선(171h)의 아래에도 형성될 수 있고, 제2 반도체(154l)는 제2 데이터선(171l)의 아래에도 형성될 수 있다. 제1 반도체(154h) 및 제2 반도체(154l)는 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제1 반도체(154h) 및 제2 반도체(154l) 위에는 각각 저항성 접촉 부재(ohmic contact member)(도시하지 않음)가 더 형성될 수 있다. 저항성 접촉 부재는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
제1 반도체(154h), 제2 반도체(154l), 및 게이트 절연막(140) 위에는 제1 데이터선(171h, first data line), 제2 데이터선(171l, second data line), 제1 소스 전극(173h, first source electrode), 제1 드레인 전극(175h, first drain electrode), 제2 소스 전극(173l, second electrode), 및 제2 드레인 전극(175l, second electrode)이 형성되어 있다.
제1 데이터선(171h) 및 제2 데이터선(171l)은 데이터 신호를 전달하며 제2 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 데이터선(171)은 행 방향으로 인접하는 두 개의 미세 공간(305) 사이에 위치한다. 즉, 데이터선(171)은 제2 골짜기(V2)에 위치한다.
제1 데이터선(171h)과 제2 데이터선(171l)는 서로 다른 데이터 전압을 전달한다. 예를 들면, 제2 데이터선(171l)에 의해 전달되는 데이터 전압은 제1 데이터선(171h)에 의해 전달되는 데이터 전압보다 낮다.
제1 소스 전극(173h)은 제1 데이터선(171h)으로부터 제1 게이트 전극(124h) 위로 돌출되도록 형성되고, 제2 소스 전극(173l)은 제2 데이터선(171l)으로부터 제2 게이트 전극(124l) 위로 돌출되도록 형성되어 있다. 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)은 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 끝 부분은 유지 전극선(131)의 아래로 돌출되어 있는 유지 전극(135)과 중첩하고 있다. 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)의 막대형 끝 부분은 각각 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)에 의해 일부 둘러싸여 있다.
제1 및 제2 게이트 전극(124h, 124l), 제1 및 제2 소스 전극(173h, 173l), 제1 및 제2 드레인 전극(175h, 175l)은 제1 및 제2 반도체(154h, 154l)와 함께 각각 제1 및 제2 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qh, Ql)를 이룬다. 이때, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 각 소스 전극(173h, 173l)과 각 드레인 전극(175h, 175l) 사이의 각 반도체(154h, 154l)에 형성되어 있다.
데이터선(171)과 연결되어 있는 데이터 패드(177h, 177l)가 더 형성될 수 있다. 데이터 패드(177h, 177l)는 제1 데이터 패드(177h) 및 제2 데이터 패드(177l)를 포함한다. 제1 데이터 패드(177h)는 제1 데이터선(171h)의 단부와 연결되어 있다. 제2 데이터 패드(177l)는 제2 데이터선(171l)의 단부와 연결되어 있다. 데이터 패드(177h, 177l)는 데이터선(171)보다 넓은 폭을 가지도록 형성될 수 있다. 데이터 패드(177h, 177l)는 데이터 구동부(700)로부터 데이터 신호를 인가 받아 데이터선(171h, 171l)으로 전달하고, 데이터선(171h, 171l)을 통해 소스 전극(173h, 173l)으로 데이터 신호가 인가된다.
제1 데이터선(171h), 제2 데이터선(171l), 제1 소스 전극(173h), 제1 드레인 전극(175h), 제1 소스 전극(173h)과 제1 드레인 전극(175h) 사이로 노출되어 있는 제1 반도체(154h), 제2 소스 전극(173l), 제2 드레인 전극(175l), 제2 소스 전극(173l)과 제2 드레인 전극(175l) 사이로 노출되어 있는 제2 반도체(154l) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
보호막(180) 위에는 각 화소(PX) 내에 색 필터(230)가 형성되어 있다.
각 색 필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 색 필터(230)는 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 한정되지 아니하고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 등을 표시할 수도 있다. 색 필터(230)는 제1 골짜기(V1) 및/또는 제2 골짜기(V2)에는 형성되지 않을 수 있다.
이웃하는 색 필터(230) 사이의 영역에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소(PX)의 경계부와 박막 트랜지스터(Qh, Ql) 위에 형성되어 빛샘을 방지할 수 있다. 즉, 차광 부재(220)는 제1 골짜기(V1) 및 제2 골짜기(V2)에 형성될 수 있다. 색 필터(230)와 차광 부재(220)는 일부 영역에서 서로 중첩될 수도 있다.
색 필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 제1 절연층(240)이 더 형성될 수 있다. 제1 절연층(240)은 유기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 색 필터(230) 및 차광 부재(220)의 상부면을 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 제1 절연층(240)은 유지 절연 물질로 이루어진 층과 무기 절연 물질로 이루어진 층을 포함하는 이중층으로 이루어질 수도 있다. 제1 절연층(240)은 경우에 따라 생략될 수도 있다.
보호막(180) 및 제1 절연층(240)에는 제1 드레인 전극(175h)의 넓은 끝 부분을 드러내는 제1 접촉 구멍(181h)이 형성되어 있고, 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 끝 부분을 드러내는 제2 접촉 구멍(181l)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막(140), 보호막(180) 및 제1 절연층(240)에는 게이트 패드(125)의 적어도 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다. 또한, 보호막(180) 및 제1 절연층(240)에는 제1 데이터 패드(177h)의 적어도 일부를 드러내는 제4 접촉 구멍(187h)이 형성되어 있으며, 제2 데이터 패드(177l)의 적어도 일부를 드러내는 제5 접촉 구멍(187l)이 형성되어 있다.
제1 절연층(240) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
화소 전극(191)은 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)을 사이에 두고 서로 분리되어 있는 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)을 포함한다. 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)을 중심으로 화소(PX)의 위와 아래에 배치되어 있다. 즉, 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)은 제1 골짜기(V1)를 사이에 두고 분리되어 있으며, 제1 부화소 전극(191h)은 제1 부화소(PXa)에 위치하고, 제2 부화소 전극(191l)은 제2 부화소(PXb)에 위치한다.
제1 부화소 전극(191h)은 제1 접촉 구멍(181h)을 통해 제1 드레인 전극(175h)과 연결되어 있고, 제2 부화소 전극(191l)은 제2 접촉 구멍(181l)을 통해 제2 드레인 전극(175l)과 연결되어 있다. 따라서, 제1 박막 트랜지스터(Qh) 및 제2 박막 트랜지스터(Ql)가 온 상태일 때 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 각각 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)으로부터 서로 다른 데이터 전압을 인가 받게 된다.
제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각의 전체적인 모양은 사각형이며 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각은 가로 줄기부(193h, 193l), 가로 줄기부(193h, 193l)와 교차하는 세로 줄기부(192h, 192l)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한, 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 각각 복수의 미세 가지부(194h, 194l)를 포함한다.
화소 전극(191)은 가로 줄기부(193h, 193l)와 세로 줄기부(192h, 192l)에 의해 4개의 부영역으로 나뉘어진다. 미세 가지부(194h, 194l)는 가로 줄기부(193h, 193l) 및 세로 줄기부(192h, 192l)로부터 비스듬하게 뻗어 있으며 그 뻗는 방향은 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193h, 193l)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룰 수 있다. 또한 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부(194h, 194l)가 뻗어 있는 방향은 서로 직교할 수 있다.
본 실시예에서 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 각각 제1 부화소(PXa) 및 제2 부화소(PXb)의 외곽을 둘러싸는 외곽 줄기부를 더 포함할 수 있다.
또한, 제1 절연층(240) 위에는 보조 게이트 패드(195), 제1 보조 데이터 패드(197h), 및 제2 보조 데이터 패드(197l)가 더 형성될 수 있다. 보조 게이트 패드(195), 제1 보조 데이터 패드(197h), 및 제2 보조 데이터 패드(197l)는 화소 전극(191)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
보조 게이트 패드(195)는 게이트 패드(125) 위에 위치하며, 제3 접촉 구멍(185)을 통해 게이트 패드(125)와 연결되어 있다. 게이트 패드(125) 및 보조 게이트 패드(195)가 앞서 설명한 게이트 패드부(400)를 이룬다.
제1 보조 데이터 패드(197h)는 제1 데이터 패드(177h) 위에 위치하며, 제4 접촉 구멍(187h)을 통해 제1 데이터 패드(177h)와 연결되어 있다. 제2 보조 데이터 패드(197l)는 제2 데이터 패드(177l) 위에 위치하며, 제5 접촉 구멍(187l)을 통해 제2 데이터 패드(177l)와 연결되어 있다. 제1 데이터 패드(177h), 제2 데이터 패드(177l), 제1 보조 데이터 패드(197h), 및 제2 보조 데이터 패드(197l)가 앞서 설명한 데이터 패드부(500)를 이룬다.
상기에서 설명한 화소의 배치 형태, 박막 트랜지스터의 구조 및 화소 전극의 형상은 하나의 예에 불과하며, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 다양한 변형이 가능하다.
화소 전극(191) 위에는 화소 전극(191)으로부터 일정한 거리를 가지고 이격되도록 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에는 미세 공간(microcavity, 305)이 형성되어 있다. 즉, 미세 공간(305)은 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)에 의해 둘러싸여 있다. 공통 전극(270)은 행 방향으로 형성되어 있고, 미세 공간(305) 위와 제2 골짜기(V2)에 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 미세 공간(305)의 상부면과 측면을 덮도록 형성되어 있다. 미세 공간(305)의 폭과 넓이는 표시 장치의 크기 및 해상도에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 공통 전극(270)이 화소 전극(191)과 절연막을 사이에 두고 형성될 수도 있다. 이때, 미세 공간(305)은 공통 전극(270) 위에 형성될 수 있다.
공통 전극(270)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 공통 전극(270)에는 일정한 전압이 인가될 수 있고, 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 전계가 형성될 수 있다.
화소 전극(191) 위와 공통 전극(270) 아래에는 배향막(11, 21)이 형성되어 있다.
배향막(11, 21)은 제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)을 포함한다. 제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 수직 배향막으로 이루어질 수 있고, 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등의 배향 물질로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 미세 공간(305)의 가장자리의 측벽에서 연결될 수 있다.
제1 배향막(11)은 화소 전극(191) 위에 형성되어 있다. 제1 배향막(11)은 화소 전극(191)에 의해 덮여있지 않은 제1 절연층(240) 바로 위에도 형성될 수 있다.
제2 배향막(21)은 제1 배향막(11)과 마주보도록 공통 전극(270) 아래에 형성되어 있다.
화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 미세 공간(305) 내에는 액정 분자(310)들로 이루어진 액정층이 형성되어 있다. 액정 분자(310)들은 음의 유전율 이방성을 가지며, 전계가 인가되지 않은 상태에서 기판(110)에 수직한 방향으로 서 있을 수 있다. 즉, 수직 배향이 이루어질 수 있다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 미세 공간(305) 내에 위치한 액정 분자(310)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(310)의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
공통 전극(270) 위에는 제2 절연층(350)이 더 형성될 수 있다. 제2 절연층(350)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 경우에 따라 생략될 수도 있다.
제2 절연층(350) 위에는 지붕층(360)이 형성되어 있다. 지붕층(360)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 지붕층(360)은 행 방향으로 형성되어 있고, 미세 공간(305) 위와 제2 골짜기(V2)에 형성되어 있다. 지붕층(360)은 미세 공간(305)의 상부면과 측면을 덮도록 형성되어 있다. 지붕층(360)은 경화 공정에 의해 단단해져 미세 공간(305)의 형상을 유지시키는 역할을 할 수 있다. 지붕층(360)은 화소 전극(191)과 미세 공간(305)을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있다.
공통 전극(270) 및 지붕층(360)은 미세 공간(305)의 가장자리의 측면의 일부를 덮지 않도록 형성되며, 미세 공간(305)이 공통 전극(270) 및 지붕층(360)에 의해 덮여있지 않은 부분을 주입구(307a, 307b)라 한다. 주입구(307a, 307b)는 미세 공간(305)의 제1 가장자리의 측면을 노출시키는 제1 주입구(307a) 및 미세 공간(305)의 제2 가장자리의 측면의 노출시키는 제2 주입구(307b)를 포함한다. 제1 가장자리와 제2 가장자리는 서로 마주보는 가장자리로써, 예를 들면, 평면도 상에서 제1 가장자리가 미세 공간(305)의 상측 가장자리이고, 제2 가장자리가 미세 공간(305)의 하측 가장자리일 수 있다. 표시 장치의 제조 과정에서 주입구(307a, 307b)에 의해 미세 공간(305)이 노출되므로, 주입구(307a, 307b)를 통해 미세 공간(305) 내부로 배향액 또는 액정 물질 등을 주입할 수 있다.
지붕층(360) 위에는 제3 절연층(370)이 더 형성될 수 있다. 제3 절연층(370)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제3 절연층(370)은 지붕층(360)의 상부면 및/또는 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 제3 절연층(370)은 유기 물질로 이루어진 지붕층(360)을 보호하는 역할을 하며, 경우에 따라 생략될 수도 있다.
제3 절연층(370) 위에는 덮개막(390)이 형성되어 있다. 덮개막(390)은 미세 공간(305)의 일부를 외부로 노출시키는 주입구(307a, 307b)를 덮도록 형성된다. 즉, 덮개막(390)은 미세 공간(305)의 내부에 형성되어 있는 액정 분자(310)가 외부로 나오지 않도록 미세 공간(305)을 밀봉할 수 있다. 덮개막(390)은 액정 분자(310)와 접촉하게 되므로, 액정 분자(310)과 반응하지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 덮개막(390)은 페릴렌(Parylene) 등으로 이루어질 수 있다.
덮개막(390)은 이중막, 삼중막 등과 같이 다중막으로 이루어질 수도 있다. 이중막은 서로 다른 물질로 이루어진 두 개의 층으로 이루어져 있다. 삼중막은 세 개의 층으로 이루어지고, 서로 인접하는 층의 물질이 서로 다르다. 예를 들면, 덮개막(390)은 유기 절연 물질로 이루어진 층과 무기 절연 물질로 이루어진 층을 포함할 수 있다.
보조 게이트 패드(195), 제1 보조 데이터 패드(197h), 및 제2 보조 데이터 패드(197l)는 덮개막(390)에 의해 덮여 있지 않고, 외부로 노출된다. 보조 게이트 패드(195) 위에 제1 회로 기판(610)이 위치하게 되고, 제1 보조 데이터 패드(197h) 및 제2 보조 데이터 패드(197l) 위에 제2 회로 기판(710)이 위치하게 된다. 보조 게이트 패드(195), 제1 보조 데이터 패드(197h), 제2 보조 데이터 패드(197l), 제1 회로 기판(610), 및 제2 회로 기판(710) 위에 실런트(900)가 위치한다. 실런트(900)는 내부에 공기 방울(910)을 포함하고 있다. 실런트(900)는 덮개막(390)과 접하고 있다.
도시는 생략하였으나, 표시 장치의 상하부 면에는 편광판이 더 형성될 수 있다. 편광판은 제1 편광판 및 제2 편광판으로 이루어질 수 있다. 제1 편광판은 기판(110)의 하부 면에 부착되고, 제2 편광판은 덮개막(390) 위에 부착될 수 있다.
상기에서 실런트는 공기 방울을 포함하는 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 물질을 포함할 수 있다. 이하에서 도 9 내지 도 12를 참조하여 실런트에 포함되는 다양한 물질에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다. 도 9 내지 도 12는 게이트 패드부 주변을 도시하고 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위에 게이트 패드부(400)가 위치하고, 게이트 패드부(400)는 게이트 구동부(600)와 연결되어 있다. 실런트(900)는 게이트 패드부(400) 및 게이트 구동부(600)를 덮고 있다. 실런트(900)는 내부에 위치하는 제1 미립자(920)를 포함한다. 제1 미립자(920)의 밀도는 약 20개/mm2 이상일 수 있다. 즉, 1mm2의 면적 내에 20개 이상의 제1 미립자(920)가 위치할 수 있다. 바람직하게는 제1 미립자(920)의 밀도가 약 100개/mm2 이상일 수 있다. 실런트(900)가 제1 미립자(920)를 포함하고 있으므로, 강도를 향상시켜 게이트 패드부(400)의 손상을 방지할 수 있다. 이때, 제1 미립자(920)의 밀도가 높을수록 강도 향상의 효과가 더욱 커진다.
도 10에 도시된 바와 같이, 실런트(900)는 내부에 위치하는 공기 방울(910) 및 제1 미립자(920)를 포함한다. 공기 방울(910) 및 제1 미립자(920)의 밀도는 약 20개/mm2 이상일 수 있다. 즉, 1mm2의 면적 내에 20개 이상의 공기 방울(910)과 제1 미립자(920)가 위치할 수 있다. 바람직하게는 공기 방울(910)과 제1 미립자(920)의 밀도가 약 100개/mm2 이상일 수 있다. 실런트(900)가 공기 방울(910)과 제1 미립자(920)를 함께 포함하고 있으므로, 완충 작용 및 강도를 향상시켜 게이트 패드부(400)의 손상을 방지할 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 실런트(900)는 내부에 위치하는 제1 미립자(920) 및 제2 미립자(930)를 포함한다. 제1 미립자(920)와 제2 미립자(930)는 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 실런트(900) 내부에는 제1 미립자(920) 및 제2 미립자(930) 이외에 또 다른 미립자를 포함할 수도 있다. 즉, 실런트(900)는 두 가지 이상의 미립자를 포함할 수 있다. 제1 미립자(920) 및 제2 미립자(930)의 밀도는 약 20개/mm2 이상일 수 있다. 즉, 1mm2의 면적 내에 20개 이상의 제1 미립자(920)와 제2 미립자(930)가 위치할 수 있다. 바람직하게는 제1 미립자(920)와 제2 미립자(930)의 밀도가 약 100개/mm2 이상일 수 있다. 실런트(900)가 제1 미립자(920) 및 제2 미립자(930)를 포함하고 있으므로, 강도를 향상시켜 게이트 패드부(400)의 손상을 방지할 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 실런트(900)는 내부에 위치하는 공기 방울(910), 제1 미립자(920), 및 제2 미립자(930)를 포함한다. 공기 방울(910), 제1 미립자(920), 및 제2 미립자(930)의 밀도는 약 20개/mm2 이상일 수 있다. 즉, 1mm2의 면적 내에 20개 이상의 공기 방울(910), 제1 미립자(920), 및 제2 미립자(930)가 위치할 수 있다. 바람직하게는 공기 방울(910), 제1 미립자(920), 및 제2 미립자(930)의 밀도가 약 100개/mm2 이상일 수 있다. 실런트(900)가 공기 방울(910), 제1 미립자(920), 및 제2 미립자(930)를 함께 포함하고 있으므로, 완충 작용 및 강도를 향상시켜 게이트 패드부(400)의 손상을 방지할 수 있다.
도 9 내지 도 12에는 게이트 패드부의 주변만이 도시되어 있으나, 데이터 패드부의 주변에 위치하는 실런트에 포함되는 물질도 다양하게 변형이 가능하다. 즉, 실런트 내부에 공기 방울 대신 미립자가 포함될 수도 있고, 미립자의 종류는 두 가지 이상일 수 있으며, 공기 방울과 미립자가 함께 포함될 수도 있다.
이하에서는 도 13 내지 도 15를 참조하여 실런트에 포함되는 공기 방울의 밀도에 따른 완충 작용의 효과에 대해 설명한다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 실런트를 나타내는 도면이고, 도 14 및 도 15는 실런트에 충격을 가할 때 하부에 전해지는 충격의 정도를 나타낸 실험 결과이다. 도 14는 약 0.05MPa 내지 약 0.2MPa의 충격이 가해질 때의 실험 결과이고, 도 15는 약 0.5MPa 내지 약 2.5MPa의 충격이 가해질 때의 실험 결과이다. 실런트 아래에 감압지를 위치시키고, 실런트에 충격을 가할 때 감압지가 붉게 물드는 정도를 측정한 실험으로써, 감압지가 더 붉을수록 실런트 하부에 감지되는 충격이 더 큰 것을 의미한다. 즉, 감압지가 붉게 물드는 정도가 클수록 실런트 하부에 전달되는 충격이 크다.
도 13(a)는 실런트에 포함되어 있는 공기 방울의 밀도가 약 2개/mm2 내지 약 3개/mm2인 경우를 나타내고, 도 13(b)는 실런트에 포함되어 있는 공기 방울의 밀도가 약 7개/mm2 내지 약 8개/mm2 인 경우를 나타낸다. 도 13(c)는 실런트에 포함되어 있는 공기 방울의 밀도가 약 20개/mm2인 경우를 나타내고, 도 13(d)는 실런트에 포함되어 있는 공기 방울의 밀도가 약 100개/mm2인 경우를 나타낸다.
도 14(a)는 도 13(a)의 실런트에 약 0.05MPa 내지 약 0.2MPa의 충격이 가해질 때 실런트 하부에 위치하는 감압지가 붉게 물든 정도를 나타내고, 도 14(b)는 도 13(b)의 실런트에 약 0.05MPa 내지 약 0.2MPa의 충격이 가해질 때 실런트 하부에 위치하는 감압지가 붉게 물든 정도를 나타낸다. 도 14(c)는 도 13(c)의 실런트에 약 0.05MPa 내지 약 0.2MPa의 충격이 가해질 때 실런트 하부에 위치하는 감압지가 붉게 물든 정도를 나타내고, 도 14(d)는 도 13(d)의 실런트에 약 0.05MPa 내지 약 0.2MPa의 충격이 가해질 때 실런트 하부에 위치하는 감압지가 붉게 물든 정도를 나타낸다.
도 14를 참조하면, 공기 방울의 밀도가 높을수록 감압지에 감지되는 충격의 크기가 줄어드는 것을 알 수 있다. 실런트에 포함되어 있는 공기 방울의 밀도가 약 100개/mm2 이상이면, 감압지가 거의 붉게 물들지 않는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 실런트에 포함되어 있는 공기 방울의 밀도가 약 100개/mm2 이상이면, 외부의 충격이 실런트의 하부에까지 전해지지 않는다.
도 15(a)는 도 13(a)의 실런트에 약 0.5MPa 내지 약 2.5MPa의 충격이 가해질 때 실런트 하부에 위치하는 감압지가 붉게 물든 정도를 나타내고, 도 15(b)는 도 13(b)의 실런트에 약 0.5MPa 내지 약 2.5MPa의 충격이 가해질 때 실런트 하부에 위치하는 감압지가 붉게 물든 정도를 나타낸다. 도 15(c)는 도 13(c)의 실런트에 약 0.5MPa 내지 약 2.5MPa의 충격이 가해질 때 실런트 하부에 위치하는 감압지가 붉게 물든 정도를 나타내고, 도 15(d)는 도 13(d)의 실런트에 약 0.5MPa 내지 약 2.5MPa의 충격이 가해질 때 실런트 하부에 위치하는 감압지가 붉게 물든 정도를 나타낸다.
도 15를 참조하면, 공기 방울의 밀도가 높을수록 감압지에 감지되는 충격의 크기가 줄어드는 것을 알 수 있다. 실런트에 포함되어 있는 공기 방울의 밀도가 약 20개/mm2 이상이면, 감압지가 거의 붉게 물들지 않는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 실런트에 포함되어 있는 공기 방울의 밀도가 약 20개/mm2 이상이면, 외부의 충격이 실런트의 하부에까지 전해지지 않는다.
도 14 및 도 15의 실험 결과를 종합하면, 실런트에 포함되어 있는 공기 방울 또는 미립자의 밀도가 약 20개/mm2 이상일 때 실런트 하부에 위치하는 패드부의 손상을 방지할 수 있다. 바람직하게는 실런트에 포함되어 있는 공기 방울 또는 미립자의 밀도가 약 100개/mm2 이상일 때 실런트 하부에 위치하는 패드부의 손상을 더욱 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판 121: 게이트선
125: 게이트 패드 171: 데이터선
177h, 177l: 데이터 패드 191: 화소 전극
195: 보조 게이트 패드 197h, 197l: 보조 데이터 패드
270: 공통 전극 305: 미세 공간
360: 지붕층 390: 덮개막
400: 게이트 패드부 500: 데이터 패드부
600: 게이트 구동부 700: 데이터 구동부
900: 실런트 910: 공기 방울
920: 제1 미립자 930: 제2 미립자

Claims (17)

  1. 구부러지는 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 게이트선 및 데이터선,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선의 단부에 위치하는 패드부,
    상기 패드부에 연결되어 있는 구동부, 및
    상기 패드부 및 상기 구동부를 덮는 실런트를 포함하고,
    상기 실런트는 내부에 위치하는 공기 방울 또는 미립자를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 복수의 미세 공간을 사이에 두고 이격되어 있는 지붕층,
    상기 미세 공간을 채우고 있는 액정층, 및
    상기 지붕층 위에 위치하여 상기 미세 공간을 밀봉하는 덮개막을 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 실런트는 상기 덮개막과 접하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 공기 방울 또는 상기 미립자의 밀도는 20개/mm2이상인 표시 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 공기 방울 또는 상기 미립자의 밀도는 100개/mm2이상인 표시 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 실런트는 상기 공기 방울을 포함하고, 상기 미립자를 포함하지 않는 표시 장치.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 실런트는 상기 미립자를 포함하고, 상기 공기 방울을 포함하지 않는 표시 장치.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 실런트는 상기 공기 방울 및 상기 미립자를 포함하는 표시 장치.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 실런트는 적어도 두 가지의 상기 미립자를 포함하는 표시 장치.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 패드부는 상기 게이트선의 단부에 위치하는 게이트 패드부를 포함하고,
    상기 구동부는 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동부를 포함하고,
    상기 게이트 구동부는 상기 게이트 패드부와 연결되어 있는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 게이트 구동부는 칩 온 필름으로 이루어지는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 게이트 구동부는
    제1 회로 기판, 및
    상기 제1 회로 기판 위에 위치하는 게이트 구동칩을 포함하는 표시 장치.
  13. 제2 항에 있어서,
    상기 패드부는 상기 데이터선의 단부에 위치하는 데이터 패드부를 포함하고,
    상기 구동부는 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동부를 포함하고,
    상기 데이터 구동부는 상기 데이터 패드부와 연결되어 있는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는 칩 온 필름으로 이루어지는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는
    제2 회로 기판, 및
    상기 제2 회로 기판 위에 위치하는 데이터 구동칩을 포함하는 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 공기 방울 또는 상기 미립자의 밀도는 20개/mm2이상인 표시 장치.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 공기 방울 또는 상기 미립자의 밀도는 100개/mm2이상인 표시 장치.
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