KR102217899B1 - Electrolytic treatment method and electrolytic treatment device - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
고꾸리쯔다이가꾸호오진 구마모또 다이가꾸
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Abstract

처리액에 포함되는 피처리 이온을 이용하여 정해진 처리를 행하는 전해 처리 방법은, 상기 처리액을 사이에 두도록 직접 전극과 대향 전극을 각각 배치하고, 상기 처리액에 전계를 형성하는 간접 전극을 배치하는 전극 배치 공정과, 상기 간접 전극에 전압을 인가함으로써, 상기 처리액 내의 피처리 이온을 상기 대향 전극측으로 이동시키는 피처리 이온 이동 공정과, 상기 직접 전극과 상기 대향 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 대향 전극측으로 이동한 상기 피처리 이온을 산화 또는 환원하는 피처리 이온 산화 환원 공정을 갖는다.An electrolytic treatment method for performing a predetermined treatment using ions to be treated contained in a treatment liquid includes direct electrodes and counter electrodes respectively disposed so as to interpose the treatment liquid, and an indirect electrode for forming an electric field in the treatment liquid. An electrode arrangement step, a target ion transfer step of moving target ions in the processing liquid to the counter electrode side by applying a voltage to the indirect electrode, and applying a voltage between the direct electrode and the counter electrode, A target ion oxidation-reduction step of oxidizing or reducing the target ions that have moved toward the counter electrode is provided.

Description

전해 처리 방법 및 전해 처리 장치{ELECTROLYTIC TREATMENT METHOD AND ELECTROLYTIC TREATMENT DEVICE}An electrolytic treatment method and an electrolytic treatment device TECHNICAL FIELD TECHNICAL FIELD The ELECTROLYTIC TREATMENT METHOD AND ELECTROLYTIC TREATMENT DEVICE

본 발명은, 처리액에 포함되는 피처리 이온을 이용하여 정해진 처리를 행하는 전해 처리 방법, 및 상기 전해 처리 방법을 행하기 위한 전해 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electrolytic treatment method for performing a predetermined treatment using ions to be treated contained in a treatment liquid, and an electrolytic treatment device for performing the electrolytic treatment method.

본원은, 2013년 5월 20일에 일본국에 출원된 특허 출원 제2013-106072호 및 2014년 1월 8일에 일본국에 출원된 특허 출원 제2014-001465호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on patent application 2013-106072 filed in Japan on May 20, 2013 and patent application 2014-001465 filed in Japan on January 8, 2014, I use that content here.

전해 프로세스(전해 처리)는, 도금 처리나 에칭 처리 등의 여러 가지 처리에 이용되는 기술이다.The electrolytic process (electrolytic treatment) is a technique used for various treatments such as plating treatment and etching treatment.

이러한 도금 처리는, 예컨대 특허문헌 1에 기재된 도금 장치에 의해 행해진다. 도금 장치는 도금액을 저류하는 도금조를 가지며, 도금조의 내부는 레귤레이션 플레이트에 의해 구획되어 있다. 구획된 하나의 구획에는 애노드가 배치되고, 다른 구획에는 피처리체(기판)가 침지되어, 상기 레귤레이션 플레이트에 의해 애노드와 피처리체 사이의 전위 분포가 조정된다. 그리고, 도금조 내의 도금액에 피처리체를 침지시킨 후, 애노드를 양극으로 하고, 피처리체를 음극으로 하여 전압을 인가하고, 상기 애노드와 피처리체 사이에 전류를 흐르게 한다. 이 전류에 의해 도금액 내의 금속 이온을 피처리체측으로 이동시키고, 또한 상기 금속 이온을 피처리체측에서 도금 금속으로서 석출시켜, 도금 처리가 행해진다.Such plating treatment is performed, for example, by the plating apparatus described in Patent Document 1. The plating apparatus has a plating bath for storing a plating solution, and the inside of the plating bath is partitioned by a regulation plate. An anode is disposed in one partition, and an object to be processed (substrate) is immersed in the other partition, and a potential distribution between the anode and the object to be processed is adjusted by the regulation plate. Then, after the object to be processed is immersed in the plating solution in the plating bath, a voltage is applied with the anode as the anode and the object to be treated as the cathode, and a current flows between the anode and the object to be processed. With this current, metal ions in the plating solution are moved toward the object to be processed, and the metal ions are precipitated as plated metal from the object to be processed, and the plating treatment is performed.

또한, 예컨대 특허문헌 2에 기재된 도금 장치에서는, 피처리체를 도금 처리할 때, 도금조 내의 도금액을 교반하여 순환시키는 것이 행해지고 있다.In addition, in the plating apparatus described in Patent Document 2, for example, when the object to be processed is subjected to a plating treatment, the plating solution in the plating bath is stirred and circulated.

특허문헌 1 : 일본국 특허 공개 제2012-132058호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2012-132058 특허문헌 2 : 일본국 특허 공개 제2006-348356호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2006-348356

여기서, 도금 처리에 있어서의 도금 레이트를 향상시키기 위해서는, 예컨대 특허문헌 1에 기재된 도금 처리에 있어서 전계를 높게 하거나, 혹은 특허문헌 2에 기재된 바와 같이 도금액을 교반하여 순환시키는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 전자와 같이 전계를 높게 하면, 물의 전기분해도 진행되는 경우가 있다. 이러한 경우, 물의 전기분해에 의해 발생하는 수소 기포에 의해, 피처리체에 석출되는 도금 금속 중에 보이드가 발생한다. 또한, 후자와 같이 도금액을 교반하는 경우, 대규모 교반 기구가 필요로 된다. 그리고 장치 구성 상, 이러한 교반 기구를 설치할 수 없는 경우도 있다.Here, in order to improve the plating rate in the plating treatment, for example, in the plating treatment described in Patent Document 1, the electric field may be increased, or as described in Patent Document 2, the plating solution may be stirred and circulated. However, if the electric field is increased as in the former, the electrolysis of water may also proceed. In this case, voids are generated in the plated metal deposited on the object to be treated by hydrogen bubbles generated by electrolysis of water. Further, in the case of stirring the plating solution as in the latter case, a large-scale stirring mechanism is required. In addition, in some cases, such a stirring mechanism cannot be provided due to the device configuration.

또한, 예컨대 특허문헌 1에 기재된 도금 처리에서는, 피처리체측에 충분한 금속 이온이 집적되지 않는 경우에도, 애노드와 피처리체 사이에 전류가 흐르기 때문에, 도금 처리의 효율이 나쁘다.In addition, in the plating treatment described in Patent Literature 1, for example, even when sufficient metal ions are not accumulated on the side of the object to be processed, current flows between the anode and the object to be processed, so that the efficiency of the plating treatment is poor.

또한, 전술한 바와 같이 충분한 금속 이온이 집적되지 않는 상태에서 도금 처리가 행해지면, 즉 피처리체에 도달한 금속 이온으로부터 순차 석출시키도록 하면, 피처리체에 있어서 도금 금속이 불균일하게 석출되어, 도금 처리가 균일하게 행해지지 않는다. 게다가, 도금 금속 내의 결정이 조밀하게 되지 않기 때문에, 품질에 개선의 여지가 있다.In addition, as described above, if the plating treatment is performed in a state in which sufficient metal ions are not accumulated, that is, if the metal ions are sequentially deposited from the metal ions reaching the object to be treated, the plated metal is unevenly deposited in the object to be treated, and the plating treatment Is not performed uniformly. In addition, since crystals in the plated metal do not become dense, there is room for improvement in quality.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 처리액 내의 피처리 이온을 이용하여, 피처리체에 대한 정해진 처리를 효율적으로 또한 적절하게 행하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to efficiently and appropriately perform a predetermined treatment on an object to be treated by using ions to be treated in a treatment liquid.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 처리액에 포함되는 피처리 이온을 이용하여 정해진 처리를 행하는 전해 처리 방법으로서, 상기 처리액을 사이에 두도록 직접 전극과 대향 전극을 각각 배치하고, 상기 처리액에 전계를 형성하는 간접 전극을 배치하는 전극 배치 공정과, 상기 간접 전극에 전압을 인가함으로써, 상기 처리액 내의 피처리 이온을 상기 대향 전극측으로 이동시키는 피처리 이온 이동 공정과, 상기 직접 전극과 상기 대향 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 대향 전극측으로 이동한 상기 피처리 이온을 산화 또는 환원하는 피처리 이온 산화 환원 공정을 갖는다.In order to achieve the above object, the present invention is an electrolytic treatment method for performing a predetermined treatment using ions to be treated contained in a treatment liquid, wherein a direct electrode and a counter electrode are respectively disposed so as to sandwich the treatment liquid, and the An electrode arrangement step of arranging an indirect electrode to form an electric field in the treatment liquid; a target ion transfer step of moving target ions in the treatment liquid to the counter electrode side by applying a voltage to the indirect electrode; and the direct electrode And a target ion oxidation-reduction step of oxidizing or reducing the target ions that have moved toward the opposite electrode by applying a voltage between the and the counter electrode.

예컨대 피처리 이온이 양이온인 경우, 간접 전극에 전압을 인가하여 전계(정(靜)전장)를 형성하면, 간접 전극 및 직접 전극측으로 부의 하전 입자가 모이고, 대향 전극측으로 피처리 이온이 이동한다. 그리고 직접 전극을 양극으로 하고, 대향 전극을 음극으로 하여 전압을 인가하여, 직접 전극과 대향 전극 사이에 전류를 흐르게 한다. 그렇게 하면, 대향 전극측으로 이동한 피처리 이온의 전하가 교환되어, 피처리 이온이 환원된다.For example, when the target ions are positive ions, when a voltage is applied to the indirect electrode to form an electric field (positive electric field), negatively charged particles collect on the indirect electrode and the direct electrode side, and the target ions move to the opposite electrode side. Then, a voltage is applied with a direct electrode as an anode and a counter electrode as a cathode, so that a current flows between the direct electrode and the counter electrode. Then, the charges of the target ions that have moved to the counter electrode side are exchanged, and the target ions are reduced.

또한, 예컨대 피처리 이온이 음이온인 경우도 마찬가지로, 간접 전극에 전압을 인가하여 전계를 형성하면, 대향 전극측으로 피처리 이온이 이동한다. 그리고 직접 전극을 음극으로 하고, 대향 전극을 양극으로 하여 전압을 인가하여, 직접 전극과 대향 전극 사이에 전류를 흐르게 한다. 그렇게 하면, 대향 전극측으로 이동한 피처리 이온의 전하가 교환되어, 피처리 이온이 산화된다.Further, for example, even when the target ions are negative ions, when a voltage is applied to the indirect electrode to form an electric field, the target ions move toward the opposite electrode. Then, a voltage is applied with the direct electrode as the cathode and the opposite electrode as the anode, so that a current flows between the direct electrode and the counter electrode. Then, the charges of the ions to be treated that have moved toward the opposite electrode are exchanged, and the ions to be treated are oxidized.

이와 같이 본 발명에서는, 간접 전극에 의한 피처리 이온의 이동과 직접 전극 및 대향 전극에 의한 피처리 이온의 산화 또는 환원(이하, 단순히 「산화 환원」이라고 하는 경우가 있음)이 개별적으로 행해지기 때문에, 간접 전극에 의해 피처리 이온을 이동시킬 때에는, 상기 피처리 이온의 전하 교환은 행해지지 않는다. 이 때문에, 종래와 같은 물의 전기분해를 억제하면서, 간접 전극에 전압을 인가할 때의 전계를 높게 할 수 있다. 이 고전계에 의해 피처리 이온의 이동이 빨라져, 전해 처리의 레이트를 향상시킬 수 있다. 게다가, 전해 처리의 레이트를 향상시키기 위해서, 종래와 같이 도금액을 교반 및 순환시키기 위한 대규모 기구가 필요 없어, 장치 구성을 간이화할 수 있다.As described above, in the present invention, since the movement of the target ions by the indirect electrode and the oxidation or reduction of the target ions by the direct electrode and the counter electrode (hereinafter, simply referred to as ``oxidation reduction'') are separately performed. , When the target ions are moved by the indirect electrode, charge exchange of the target ions is not performed. For this reason, it is possible to increase the electric field when a voltage is applied to the indirect electrode while suppressing electrolysis of water as in the prior art. This electric field accelerates the movement of ions to be treated, and the rate of electrolytic treatment can be improved. In addition, in order to improve the rate of the electrolytic treatment, there is no need for a large-scale mechanism for stirring and circulating the plating solution as in the prior art, and the device configuration can be simplified.

또한, 대향 전극측에 충분한 피처리 이온이 집적된 상태에서 피처리 이온의 산화 환원을 행할 수 있기 때문에, 종래와 같이 애노드와 피처리체 사이에 많은 전류를 흐르게 할 필요가 없고, 피처리 이온을 효율적으로 산화 환원할 수 있다.In addition, since it is possible to redox the ions to be treated in a state in which sufficient ions to be treated are accumulated on the opposite electrode side, there is no need to flow a large current between the anode and the object as in the prior art, and the ions to be treated are efficiently It can be redoxed.

또한, 대향 전극 표면에 피처리 이온을 거의 균일하게 배열한 후에 전하 교환, 즉 전해 처리를 행하기 때문에, 균일하고 고품질인 막질을 실현시킬 수 있다.Further, since charge exchange, that is, electrolytic treatment is performed after substantially uniformly arranging ions to be treated on the surface of the counter electrode, uniform and high-quality film quality can be realized.

다른 관점에 따른 본 발명은, 처리액에 포함되는 피처리 이온을 이용하여 정해진 처리를 행하는 전해 처리 장치로서, 상기 처리액을 사이에 두도록 배치된 직접 전극과 대향 전극을 가지며, 상기 처리액에 전계를 형성하는 간접 전극을 더 가지며, 상기 간접 전극은, 전압이 인가됨으로써, 상기 처리액 내의 피처리 이온을 대향 전극측으로 이동시키고, 상기 직접 전극은, 상기 대향 전극과의 사이에서 전압이 인가됨으로써, 상기 대향 전극측으로 이동한 상기 피처리 이온을 산화 또는 환원한다.The present invention according to another aspect is an electrolytic treatment device that performs a predetermined treatment using ions to be treated contained in a treatment liquid, and has a direct electrode and a counter electrode disposed so as to sandwich the treatment liquid, and an electric field is applied to the treatment liquid. The indirect electrode further has an indirect electrode for forming a, wherein by applying a voltage, the indirect electrode moves the ions to be treated in the treatment liquid toward the counter electrode side, and the direct electrode is applied with a voltage between the counter electrode, The ions to be treated that have moved toward the counter electrode are oxidized or reduced.

본 발명에 따르면, 처리액 내의 피처리 이온을 이용하여, 피처리체에 대한 정해진 처리를 효율적으로 또한 적절하게 행할 수 있다.Advantageous Effects of Invention According to the present invention, it is possible to efficiently and appropriately perform a predetermined treatment on an object to be treated by using ions to be treated in the treatment liquid.

도 1은 본 실시형태에 따른 도금 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 2는 간접 전극과 대향 전극 사이에 직류 전압을 연속적으로 인가하면서, 직접 전극과 대향 전극 사이에 직류 전압을 펄스형으로 인가하는 상태를 도시한 그래프이다.
도 3은 간접 전극과 대향 전극 사이에 전압을 인가한 상태를 도시한 설명도이다.
도 4는 직접 전극과 대향 전극 사이에 전압을 인가한 상태를 도시한 설명도이다.
도 5는 간접 전극과 대향 전극 사이에 재차 전압을 인가한 상태를 도시한 설명도이다.
도 6은 대향 전극에 정해진 구리 도금을 형성한 상태를 도시한 설명도이다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 도금 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 8은 다른 실시형태에 따른 도금 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 9는 다른 실시형태에 따른 도금 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 10은 다른 실시형태에 따른 에칭 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 11은 다른 실시형태에 따른 도금 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 12는 다른 실시형태에 따른 도금 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 13은 다른 실시형태에 따른 도금 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.1 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a plating apparatus according to the present embodiment.
2 is a graph showing a state in which a DC voltage is continuously applied between an indirect electrode and a counter electrode while a DC voltage is applied in a pulse form between the direct electrode and the counter electrode.
3 is an explanatory view showing a state in which a voltage is applied between an indirect electrode and an opposite electrode.
4 is an explanatory view showing a state in which a voltage is applied between a direct electrode and an opposite electrode.
5 is an explanatory view showing a state in which a voltage is again applied between the indirect electrode and the counter electrode.
6 is an explanatory view showing a state in which a predetermined copper plating is formed on the counter electrode.
7 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a plating processing apparatus according to another embodiment.
8 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a plating apparatus according to another embodiment.
9 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a plating processing apparatus according to another embodiment.
10 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of an etching processing apparatus according to another embodiment.
11 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a plating processing apparatus according to another embodiment.
12 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a plating processing apparatus according to another embodiment.
13 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a plating processing apparatus according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 본 실시형태에서는, 본 발명에 따른 전해 처리로서 도금 처리를 행하는 경우에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 전해 처리 장치로서의 도금 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다. 또한, 이하의 설명에서 이용하는 도면에 있어서, 각 구성 요소의 치수는, 기술의 이해를 쉽게 하는 것을 우선시키기 위한 것으로, 반드시 실제 치수에 대응하고 있는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, a case where plating treatment is performed as the electrolytic treatment according to the present invention will be described. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a plating processing apparatus 1 as an electrolytic processing apparatus according to the present embodiment. In addition, in the drawings used in the following description, the dimensions of each constituent element are intended to give priority to making the technology easier to understand, and do not necessarily correspond to actual dimensions.

도금 처리 장치(1)는, 내부에 처리액으로서의 도금액(M)을 저류하는 도금조(10)를 갖고 있다. 도금액(M)으로는, 예컨대 황산동과 황산을 용해한 혼합액이 이용된다. 이 도금액(M) 중에는, 피처리 이온으로서 구리 이온이 포함되어 있다.The plating processing apparatus 1 has a plating bath 10 that stores a plating solution M as a processing solution therein. As the plating solution M, for example, a mixed solution in which copper sulfate and sulfuric acid are dissolved is used. In this plating solution M, copper ions are contained as ions to be treated.

도금조(10) 내에는, 직접 전극(20), 간접 전극(21)및 대향 전극(22)이 도금액(M)에 침지되어 배치되어 있다.In the plating bath 10, a direct electrode 20, an indirect electrode 21, and a counter electrode 22 are disposed by being immersed in the plating solution M.

간접 전극(21)에는, 상기 간접 전극(21)을 덮도록 절연재(23)가 설치되어 있다. 직접 전극(20)과 간접 전극(21)은 각각 같은 형상을 가지며, 절연재(23)를 통해 표리일체로 배치되어 있다. 또한, 여기서 말하는 표리일체란, 예컨대 직접 전극(20)의 표면과 간접 전극(21)의 이면이 절연재(23)를 통해 접촉하여, 직접 전극(20)과 간접 전극(21)이 일체 구조를 갖고 있는 것을 말한다.An insulating material 23 is provided on the indirect electrode 21 so as to cover the indirect electrode 21. The direct electrode 20 and the indirect electrode 21 each have the same shape, and are disposed in an integral front and back through an insulating material 23. In addition, the front and back unity referred to herein means, for example, that the surface of the direct electrode 20 and the back surface of the indirect electrode 21 contact through the insulating material 23, so that the direct electrode 20 and the indirect electrode 21 have an integral structure. Say what you have.

대향 전극(22)은, 직접 전극(20)과 간접 전극(21)에 공통적으로 설치되어 있다. 또한, 대향 전극(22)은, 도금액(M)을 사이에 두고 직접 전극(20)과 간접 전극(21)에 대향하여 배치되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 이 대향 전극(22)은 도금 처리되는 피처리체이다.The counter electrode 22 is provided in common with the direct electrode 20 and the indirect electrode 21. Further, the counter electrode 22 is disposed to face the direct electrode 20 and the indirect electrode 21 with the plating solution M interposed therebetween. In addition, in this embodiment, this counter electrode 22 is a target object to be plated.

직접 전극(20), 간접 전극(21) 및 대향 전극(22)에는, 직류 전원(30)이 접속되어 있다. 직접 전극(20)과 간접 전극(21)은, 각각 직류 전원(30)의 정극측에 접속되어 있다. 대향 전극(22)은, 직류 전원(30)의 부극측에 접속되어 있다. 또한, 직접 전극(20)과 직류 전원(30) 사이에는, 상기 직접 전극(20)과 직류 전원(30)의 접속 상태를 전환하기 위한 스위치(31)가 설치되어 있다. 스위치(31)의 온/오프는, 제어부(40)에 의해 제어된다. 그리고 스위치(31)가 온인 상태에서는, 직접 전극(20)과 직류 전원(30)이 접속되어, 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 전류가 흐른다. 또한 스위치(31)가 오프인 상태에서는, 직접 전극(20)과 직류 전원(30)이 절단되어, 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 전류가 흐르지 않는다.A direct current power supply 30 is connected to the direct electrode 20, the indirect electrode 21, and the counter electrode 22. The direct electrode 20 and the indirect electrode 21 are respectively connected to the positive electrode side of the DC power supply 30. The counter electrode 22 is connected to the negative electrode side of the DC power supply 30. Further, between the direct electrode 20 and the direct current power supply 30, a switch 31 for switching the connection state between the direct electrode 20 and the direct current power supply 30 is provided. The on/off of the switch 31 is controlled by the control unit 40. And when the switch 31 is on, the direct electrode 20 and the direct current power supply 30 are connected, and a current flows between the direct electrode 20 and the counter electrode 22. Further, when the switch 31 is turned off, the direct electrode 20 and the DC power supply 30 are cut off, so that no current flows between the direct electrode 20 and the counter electrode 22.

다음에, 이상과 같이 구성된 도금 처리 장치(1)를 이용한 도금 처리에 대해서 설명한다.Next, a plating treatment using the plating treatment apparatus 1 configured as described above will be described.

도 2에 도시된 바와 같이 간접 전극(21)과 대향 전극(22) 사이에 직류 전압을 연속적으로 인가하면서, 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 직류 전압을 펄스형으로 인가하는, 이른바 펄스 전압을 인가한다.As shown in Figure 2, while continuously applying a DC voltage between the indirect electrode 21 and the counter electrode 22, directly applying a DC voltage between the electrode 20 and the counter electrode 22 in a pulse type, A so-called pulse voltage is applied.

보다 상세하게 설명하면, 도 3에 도시된 바와 같이 간접 전극(21)을 양극으로 하고, 대향 전극(22)을 음극으로 하여 직류 전압을 인가하여, 전계(정전장)를 형성한다. 그렇게 하면, 간접 전극(21) 및 직접 전극(20)측으로 부의 하전 입자인 황산 이온(S)이 모이고, 대향 전극(22)측으로 정의 하전 입자인 구리 이온(C)이 이동한다.In more detail, as shown in FIG. 3, a direct current voltage is applied with the indirect electrode 21 as an anode and the counter electrode 22 as a cathode to form an electric field (static field). Then, sulfate ions S, which are negatively charged particles, are collected to the indirect electrode 21 and the direct electrode 20 side, and copper ions C, which are positively charged particles, move to the counter electrode 22 side.

이 때, 스위치(31)를 오프의 상태로 해둠으로써, 직접 전극(20)을 전기적으로 플로팅 상태로 해둔다. 이러한 상황에 있어서는, 직접 전극(20), 간접 전극(21), 대향 전극(22) 중 어느 표면에 있어서도 전하 교환이 행해지지 않기 때문에, 정전장에 의해 끌어당겨진 하전 입자가 전극 표면에 배열되게 된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 피처리체인 대향 전극(22)의 표면에 있어서도 구리 이온(C)이 거의 균일하게 배열된다. 대향 전극(22) 표면에서 구리 이온(C)의 전하 교환이 행해지지 않고, 물의 전기분해도 억제되기 때문에, 간접 전극(21)과 대향 전극(22) 사이에 전압을 인가할 때의 전계를 높게 할 수 있다. 그리고, 이 고전계에 의해 구리 이온(C)의 이동을 빠르게 할 수 있다. 또한, 이 전계를 임의로 제어함으로써, 대향 전극(22) 표면에 배열되는 구리 이온(C)도 임의로 제어된다.At this time, by turning off the switch 31, the electrode 20 is directly electrically floating. In this situation, since charge exchange is not performed on any of the direct electrode 20, indirect electrode 21, and counter electrode 22, charged particles attracted by the electrostatic field are arranged on the electrode surface. . As shown in Fig. 3, copper ions (C) are arranged almost uniformly also on the surface of the counter electrode 22 that is to be processed. Since charge exchange of copper ions (C) is not performed on the surface of the counter electrode 22 and electrolysis of water is also suppressed, the electric field when applying a voltage between the indirect electrode 21 and the counter electrode 22 is increased. I can. And the movement of copper ions (C) can be accelerated by this high electric field. Further, by arbitrarily controlling this electric field, the copper ions (C) arranged on the surface of the counter electrode 22 are also arbitrarily controlled.

또한, 본 실시형태에 있어서는, 직접 전극(20)이 음극이 되는 것을 회피하기 위해서, 직접 전극(20)을 그라운드에 접속하지 않고, 전기적으로 플로팅 상태로 하고 있다.In addition, in this embodiment, in order to avoid the direct electrode 20 becoming a cathode, the electrode 20 is not directly connected to the ground, but is electrically floating.

그 후, 충분한 구리 이온(C)이 대향 전극(22)측으로 이동하여 집적되면, 도 4에 도시된 바와 같이 스위치(31)를 온으로 한다. 그리고 직접 전극(20)을 양극으로 하고, 대향 전극(22)을 음극으로 하여 전압을 인가하여, 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 전류를 흐르게 한다. 그렇게 하면, 대향 전극(22) 표면에 거의 균일하게 배열되어 있는 구리 이온(C)과의 전하 교환이 행해지고, 구리 이온(C)이 환원되어, 대향 전극(22) 표면에 구리 도금(50)이 석출된다. 또한, 이 때 황산 이온(S)은 직접 전극(20)에 의해 산화되고 있다.After that, when sufficient copper ions C move toward the counter electrode 22 and are accumulated, the switch 31 is turned on as shown in FIG. 4. Then, a voltage is applied with the direct electrode 20 as the anode and the counter electrode 22 as the cathode, so that a current flows between the electrode 20 and the counter electrode 22 directly. Then, charge exchange with the copper ions (C) arranged almost uniformly on the surface of the counter electrode 22 is performed, the copper ions (C) are reduced, and the copper plating 50 is formed on the surface of the counter electrode 22. It precipitates. Further, at this time, the sulfate ions S are directly oxidized by the electrode 20.

대향 전극(22) 표면에 충분한 구리 이온(C)이 집적되고, 거의 균일하게 배열된 상태에서 환원되기 때문에, 대향 전극(22) 표면에 구리 도금(50)을 균일하게 석출시킬 수 있다. 결과적으로, 구리 도금(50)에 있어서의 결정의 밀도가 높아져, 품질이 좋은 구리 도금(50)을 형성할 수 있다. 종래의 도금 공정에 있어서는, 피처리체 표면의 전계 강도 분포에 기인하여 도금막이 불균일해진다고 하는 문제가 발생하고 있었다. 그러나, 본 발명에 있어서는, 대향 전극(22)의 표면에 구리 이온(C)이 거의 균일하게 배열된 상태에서 환원을 행하고 있기 때문에, 도금막을 균일하게 또한 고품질로 생성할 수 있는 것이다.Since sufficient copper ions (C) are accumulated on the surface of the counter electrode 22 and are reduced in an almost uniformly arranged state, the copper plating 50 can be uniformly deposited on the surface of the counter electrode 22. As a result, the density of crystals in the copper plating 50 increases, and the copper plating 50 having good quality can be formed. In the conventional plating process, a problem that the plated film becomes non-uniform due to the electric field intensity distribution on the surface of the object to be processed has occurred. However, in the present invention, since the reduction is performed in a state in which the copper ions (C) are substantially uniformly arranged on the surface of the counter electrode 22, the plated film can be produced uniformly and with high quality.

그 후, 도 5에 도시된 바와 같이 다시 스위치(31)를 오프로 하고, 간접 전극(21)과 대향 전극(22) 사이에서 전압을 인가하여, 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 이동시켜 집적되게 한다. 그리고, 충분한 구리 이온(C)이 대향 전극(22)측으로 이동하여 집적되면 스위치(31)를 온으로 하고, 구리 이온(C)을 환원시킨다.Thereafter, as shown in FIG. 5, the switch 31 is turned off again, a voltage is applied between the indirect electrode 21 and the counter electrode 22, and copper ions (C) are transferred to the counter electrode 22 side. Move and accumulate. Then, when sufficient copper ions C move toward the counter electrode 22 and are accumulated, the switch 31 is turned on and the copper ions C are reduced.

이와 같이 구리 이온(C)의 이동 집적과 구리 이온(C)의 환원이 반복하여 행해짐으로써, 도 6에 도시된 바와 같이 구리 도금(50)이 정해진 막 두께로 성장한다. 이렇게 해서, 도금 처리 장치(1)에 있어서의 일련의 도금 처리가 종료된다.In this way, the movement and accumulation of the copper ions C and the reduction of the copper ions C are repeatedly performed, so that the copper plating 50 grows to a predetermined film thickness as shown in FIG. 6. In this way, a series of plating treatments in the plating treatment apparatus 1 is ended.

이상의 실시형태에 따르면, 간접 전극(21)과 대향 전극(22) 사이에 전압을 인가함으로써 구리 이온(C)을 대향 전극(22)측으로 이동시키고, 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 충분히 모은 상태에서, 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 전압을 인가함으로써 대향 전극(22)측에서 구리 이온(C)을 환원할 수 있다. 이와 같이 구리 이온(C)의 이동과 구리 이온(C)의 환원은, 상이한 전극 사이의 전압에 의해 개별적으로 행해지기 때문에, 도금 처리를 단시간에 효율적으로 행할 수 있다.According to the above embodiment, copper ions (C) are moved to the counter electrode 22 side by applying a voltage between the indirect electrode 21 and the counter electrode 22, and copper ions (C) are transferred to the counter electrode 22 side. In a sufficiently collected state, copper ions C can be reduced at the counter electrode 22 side by directly applying a voltage between the electrode 20 and the counter electrode 22. In this way, since the movement of the copper ions (C) and the reduction of the copper ions (C) are performed individually by the voltage between different electrodes, the plating treatment can be efficiently performed in a short time.

또한, 간접 전극(21)에 의한 구리 이온(C)의 이동과 직접 전극(20)에 의한 구리 이온(C)의 환원이 개별적으로 행해지기 때문에, 간접 전극(21)에 의해 구리 이온(C)을 이동시킬 때에는, 상기 구리 이온(C)의 전하 교환은 행해지지 않는다. 이 때문에, 종래와 같은 물의 전기분해를 억제하고, 구리 도금(50) 중에 보이드의 발생을 억제하여, 간접 전극(21)에 전압을 인가할 때의 전계를 높게 할 수 있다. 이 고전계에 의해 구리 이온(C)의 이동이 빨라져, 도금 처리의 도금 레이트를 향상시킬 수 있다. 게다가, 도금 레이트를 향상시키기 위해서, 종래와 같이 도금액을 교반 및 순환시키기 위한 대규모 기구가 필요 없어, 장치 구성을 간이화할 수 있다.In addition, since the movement of the copper ions (C) by the indirect electrode 21 and the reduction of the copper ions (C) by the direct electrode 20 are performed separately, the copper ions (C) by the indirect electrode 21 When moving, the charge exchange of the copper ions (C) is not performed. For this reason, electrolysis of water as in the prior art is suppressed, generation of voids in the copper plating 50 is suppressed, and the electric field when a voltage is applied to the indirect electrode 21 can be increased. The movement of copper ions (C) is accelerated by this high electric field, and the plating rate of the plating treatment can be improved. In addition, in order to improve the plating rate, there is no need for a large-scale mechanism for stirring and circulating the plating solution as in the prior art, and the device configuration can be simplified.

또한, 간접 전극(21)과 대향 전극(22) 사이에 직류 전압을 연속적으로 인가함으로써, 항상, 구리 이온(C)을 대향 전극(22)측으로 이동시킬 수 있고, 또한 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 직류 전압을 펄스형으로 인가함으로써, 대향 전극(22)측으로 충분한 구리 이온(C)이 이동하여 집적된 상태에서, 이들 구리 이온(C)을 환원할 수 있다. 이 때문에, 종래와 같이 직접 전극과 대향 전극 사이에 쓸데없는 전류를 흐르게 할 필요가 없고, 구리 이온(C)을 효율적으로 환원할 수 있다.In addition, by continuously applying a direct current voltage between the indirect electrode 21 and the counter electrode 22, copper ions (C) can always be moved to the counter electrode 22 side, and are directly opposite the electrode 20 By applying a DC voltage between the electrodes 22 in a pulsed manner, the copper ions C can be reduced in a state in which sufficient copper ions C are moved and accumulated toward the counter electrode 22 side. For this reason, it is not necessary to pass an unnecessary current directly between the electrode and the counter electrode as in the prior art, and the copper ions (C) can be efficiently reduced.

또한, 대향 전극(22) 표면에 거의 균일하게 배치된 구리 이온(C)을 균일하게 환원시킬 수 있기 때문에, 도금 처리를 균일하게 행할 수 있다. 게다가, 구리 이온(C)이 거의 균일하게 배치되기 때문에, 구리 도금(50) 내의 결정을 조밀하게 배치할 수 있다. 또한, 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이의 직류 전압을 펄스형으로 인가함으로써 전해 반응을 세분화할 수 있고, 치밀한 전해 반응이 가능하여 치밀한 구리 도금(50)을 석출시킬 수 있다. 따라서, 도금 처리 후의 피처리체의 품질을 향상시킬 수 있다.Further, since the copper ions (C) disposed almost uniformly on the surface of the counter electrode 22 can be uniformly reduced, the plating treatment can be performed uniformly. Furthermore, since the copper ions (C) are disposed almost uniformly, the crystals in the copper plating 50 can be densely disposed. In addition, by directly applying a DC voltage between the electrode 20 and the counter electrode 22 in a pulse form, the electrolytic reaction can be subdivided, and a precise electrolytic reaction is possible, so that the dense copper plating 50 can be deposited. Therefore, the quality of the object to be processed after plating treatment can be improved.

또한, 직접 전극(20)과 간접 전극(21)은 표리일체로 배치되어 있기 때문에, 간접 전극(21)에 의해 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 이동시킬 때, 간접 전극(21)과 직접 전극(20)측으로 황산 이온(S)이 모이기 쉽다. 게다가, 이 황산 이온(S)은 직접 전극(20) 상에 모이기 때문에, 직접 전극(20)과 대향 전극(22)에 의해 구리 이온(C)을 환원할 때, 상기 직접 전극(20) 상의 황산 이온(S)의 산화 반응이 촉진된다. 따라서, 구리 이온(C)을 보다 효율적으로 환원할 수 있다.In addition, since the direct electrode 20 and the indirect electrode 21 are arranged in one body, the indirect electrode 21 when moving the copper ions C toward the counter electrode 22 by the indirect electrode 21 And the sulfate ion (S) tends to collect directly toward the electrode 20 side. In addition, since this sulfate ion (S) collects directly on the electrode 20, when the copper ion (C) is reduced by the direct electrode 20 and the counter electrode 22, the sulfuric acid on the direct electrode 20 The oxidation reaction of ions (S) is accelerated. Therefore, copper ions (C) can be reduced more efficiently.

또한, 직접 전극(20)과 간접 전극(21)을 표리일체로 배치할 때의 배치 방법은 여러 가지 패턴을 생각할 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 간접 전극(21) 및 절연재(23)를 직접 전극(20)이 완전히 덮도록 배치하여도 좋다. 이와 같이 배치하면, 보다 효율적으로 직접 전극(20)의 표면 상에 황산 이온(S)을 모을 수 있다.In addition, various patterns can be considered as an arrangement method when arranging the direct electrode 20 and the indirect electrode 21 in one body. As shown in FIG. 7, the indirect electrode 21 and the insulating material 23 may be disposed so that the direct electrode 20 is completely covered. If arranged in this way, sulfate ions (S) can be more efficiently collected directly on the surface of the electrode 20.

이상의 실시형태에서는, 직접 전극(20)과 간접 전극(21)은 표리일체로 배치되어 있지만, 도 8에 도시된 바와 같이 이격되어 대향하여 배치되어 있어도 좋다. 이러한 경우이더라도, 간접 전극(21)에 의해 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 이동시킬 수 있고, 직접 전극(20)에 의해 구리 이온(C)을 환원할 수 있다. 따라서, 상기 실시형태와 동일한 효과를 향수할 수 있다. 또한, 도 8의 예에 있어서, 간접 전극(21)은 도금조(10)의 내부에 설치되어 있지만, 간접 전극(21)은 도금조(10)의 외부에 설치되어 있어도 좋다.In the above embodiment, the direct electrode 20 and the indirect electrode 21 are arranged in one body at the front and back, but as shown in FIG. 8, they may be spaced apart and disposed to face each other. Even in such a case, copper ions C can be moved toward the counter electrode 22 by the indirect electrode 21, and copper ions C can be reduced by the direct electrode 20. Therefore, it is possible to enjoy the same effects as in the above embodiment. In the example of FIG. 8, the indirect electrode 21 is provided inside the plating bath 10, but the indirect electrode 21 may be provided outside the plating bath 10.

이상의 실시형태에 있어서, 대향 전극(22)은 직접 전극(20)과 간접 전극(21)에 공통된 전극으로서 이용되고 있었지만, 간접 전극(21)은 대향 전극(22)과 쌍으로 이용될 필요는 없다. 즉, 간접 전극(21)은 단독으로 콘덴서로서 이용되고, 상기 간접 전극(21)에 전압을 인가함으로써 전계를 형성하여도 좋다. 이 전계에 의해 간접 전극(21) 및 직접 전극(20)측으로 황산 이온(S)이 이동하고, 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)이 이동한다. 또한, 직접 전극(20)에 대해서는, 상기 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 전류를 흐르게 하여 대향 전극(22)측으로 집적된 구리 이온(C)을 환원시키기 때문에, 대향 전극(22)과 쌍으로 이용될 필요가 있다.In the above embodiment, the counter electrode 22 was used as an electrode common to the direct electrode 20 and the indirect electrode 21, but the indirect electrode 21 need not be used in pairs with the counter electrode 22. . That is, the indirect electrode 21 may be used alone as a capacitor, and an electric field may be formed by applying a voltage to the indirect electrode 21. By this electric field, sulfate ions S move to the indirect electrode 21 and the direct electrode 20 side, and copper ions C move to the counter electrode 22 side. In addition, with respect to the direct electrode 20, since a current flows between the direct electrode 20 and the counter electrode 22 to reduce the copper ions C accumulated toward the counter electrode 22, the counter electrode 22 ) Needs to be used in pairs.

이러한 경우, 간접 전극(21)의 전원을 직류 전원(30)과 다른 전원으로 하여도 좋고, 즉 직류 전원(30)을 직접 전극(20)과 간접 전극(21)에 공통된 전원으로 하지 않아도 좋다. 직접 전극(20)과 간접 전극(21)의 전원은 임의로 설정할 수 있다.In this case, the power of the indirect electrode 21 may be different from the direct current power supply 30, that is, the direct current power supply 30 may not be used as a common power source for the direct electrode 20 and the indirect electrode 21. The power of the direct electrode 20 and the indirect electrode 21 can be arbitrarily set.

본 실시형태에서도, 간접 전극(21)에 전압을 인가함으로써 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 이동시킬 수 있기 때문에, 상기 실시형태와 동일한 효과를 향수할 수 있다.Also in this embodiment, since the copper ions C can be moved toward the counter electrode 22 by applying a voltage to the indirect electrode 21, the same effect as in the above embodiment can be enjoyed.

이상의 실시형태에서는, 전해 처리로서 도금 처리를 행하는 경우에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 예컨대 에칭 처리 등의 여러 가지 전해 처리에 적용할 수 있다.In the above embodiment, the case where plating treatment is performed as the electrolytic treatment has been described, but the present invention can be applied to various electrolytic treatments such as etching treatment.

또한, 이상의 실시형태에서는 대향 전극(22)측에 있어서 구리 이온(C)을 환원하는 경우에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 대향 전극(22)측에 있어서 피처리 이온을 산화시키는 경우에도 적용할 수 있다.In addition, in the above embodiment, the case of reducing the copper ions (C) on the counter electrode 22 side has been described, but the present invention can also be applied to the case of oxidizing the ions to be treated on the counter electrode 22 side. have.

이러한 경우, 피처리 이온은 음이온이며, 상기 실시형태에 있어서 양극과 음극을 반대로 하여 동일한 전해 처리를 행하면 좋다. 즉, 간접 전극(21)에 전압을 인가하여 전계를 형성하고, 대향 전극(22)측으로 피처리 이온을 이동시킨다. 그리고 직접 전극(20)을 음극으로 하고, 대향 전극(22)을 양극으로 하여 전압을 인가하여, 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 전류를 흐르게 한다. 그렇게 하면, 대향 전극(22)측으로 이동한 피처리 이온의 전하가 교환되어, 피처리 이온이 산화된다.In this case, the ions to be treated are negative ions, and in the above embodiment, the same electrolytic treatment may be performed with the anode and cathode reversed. That is, a voltage is applied to the indirect electrode 21 to form an electric field, and the ions to be processed are moved to the counter electrode 22 side. Then, a voltage is applied with the direct electrode 20 as the cathode and the counter electrode 22 as the anode, so that a current flows between the electrode 20 and the counter electrode 22 directly. Then, the charges of the ions to be treated that have moved toward the counter electrode 22 are exchanged, and the ions to be treated are oxidized.

본 실시형태에 있어서도, 피처리 이온의 산화와 환원의 차이는 있긴 하지만, 상기 실시형태와 동일한 효과를 향수할 수 있다.In this embodiment as well, although there is a difference between oxidation and reduction of ions to be treated, the same effects as in the above embodiment can be enjoyed.

이상의 실시형태의 도금 처리 장치(1)에 있어서, 직접 전극(20), 간접 전극(21) 및 대향 전극(22)의 배치나 전극 구조는 임의로 설정할 수 있다.In the plating apparatus 1 of the above embodiment, the arrangement and electrode structure of the direct electrode 20, the indirect electrode 21, and the counter electrode 22 can be set arbitrarily.

상기 실시형태에 있어서 간접 전극(21)은 직접 전극(20)측에 설치되어 있었지만, 예컨대 도 9에 도시된 바와 같이 대향 전극(22)측에 설치되어 있어도 좋다. 간접 전극(21)은 도금조(10)의 외측면에 설치되고, 대향 전극(22)은 도금조(10)의 내측면에 설치되어 있다. 즉, 간접 전극(21)과 대향 전극(22)은, 도금조(10)를 사이에 두고 대향하여 배치되어 있다. 그리고, 도금조(10)는 전기적으로 플로팅 상태가 되도록 구성되어 있다.In the above embodiment, the indirect electrode 21 is provided directly on the electrode 20 side, but may be provided on the counter electrode 22 side, for example, as shown in FIG. 9. The indirect electrode 21 is provided on the outer surface of the plating bath 10, and the counter electrode 22 is provided on the inner surface of the plating bath 10. That is, the indirect electrode 21 and the counter electrode 22 are disposed to face each other with the plating bath 10 interposed therebetween. In addition, the plating bath 10 is configured to be electrically floating.

또한, 예컨대 도금조(10)가 절연체인 경우에는, 간접 전극(21)의 주위에 설치된 절연재(23)를 생략하여도 좋다. 또한, 도 9의 예에 있어서는, 간접 전극(21)은 도금조(10)의 외측면에 설치되어 있지만, 상기 도금조(10)의 내부에 설치되어, 간접 전극(21)과 대향 전극(22) 사이에 도금액(M)을 개재시켜도 좋다.Further, for example, when the plating bath 10 is an insulator, the insulating material 23 provided around the indirect electrode 21 may be omitted. In addition, in the example of FIG. 9, the indirect electrode 21 is provided on the outer surface of the plating bath 10, but is provided inside the plating bath 10, and the indirect electrode 21 and the counter electrode 22 A plating solution (M) may be interposed between ).

직접 전극(20)은 직류 전원(30)의 정극측에 접속되고, 간접 전극(21)과 대향 전극(22)은 각각 직류 전원(30)의 부극측에 접속된다. 또한, 상기 실시형태에 있어서 직접 전극(20)과 직류 전원(30) 사이에 설치되어 있던 스위치(31)는, 대향 전극(22)과 직류 전원(30) 사이에 설치된다.The direct electrode 20 is connected to the positive electrode side of the DC power supply 30, and the indirect electrode 21 and the counter electrode 22 are connected to the negative electrode side of the DC power supply 30, respectively. In addition, the switch 31 provided between the direct electrode 20 and the DC power supply 30 in the above embodiment is provided between the counter electrode 22 and the DC power supply 30.

이러한 도금 처리 장치(1)에 있어서, 직접 전극(20)과 간접 전극(21) 사이에 직류 전압을 연속적으로 인가하면서, 직접 전극(20)과 대향 전극(22) 사이에 직류 전압을 펄스형으로 인가한다. 즉, 우선, 직접 전극(20)을 양극으로 하고, 간접 전극(21)을 음극으로 하여 직류 전압을 인가함으로써, 직접 전극(20)측으로 황산 이온(S)을 이동시키고, 간접 전극(21)측, 즉 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 이동시킨다. 그 후, 충분한 구리 이온(C)이 대향 전극(22)측으로 이동하여 집적되면, 직접 전극(20)을 양극으로 하고, 대향 전극(22)을 음극으로 하여 전압을 인가함으로써, 대향 전극(22) 표면의 구리 이온(C)이 환원되어, 상기 대향 전극(22) 표면에 구리 도금(50)이 석출된다. 그리고, 구리 이온(C)의 이동 집적과 구리 이온(C)의 환원이 반복하여 행해져, 대향 전극(22) 표면에 대한 일련의 도금 처리가 행해진다.In such a plating apparatus 1, a DC voltage is continuously applied between the direct electrode 20 and the indirect electrode 21, while the DC voltage is pulsed between the direct electrode 20 and the counter electrode 22. Approved. That is, first, by applying a DC voltage with the direct electrode 20 as the anode and the indirect electrode 21 as the cathode, the sulfate ions S are directly moved to the electrode 20 side, and the indirect electrode 21 side That is, copper ions C are moved toward the counter electrode 22 side. Thereafter, when sufficient copper ions (C) move toward the counter electrode 22 and are accumulated, the counter electrode 22 is directly applied with a voltage using the electrode 20 as an anode and the counter electrode 22 as a cathode. Copper ions (C) on the surface are reduced, and copper plating 50 is deposited on the surface of the counter electrode 22. Then, migration and accumulation of copper ions (C) and reduction of copper ions (C) are repeatedly performed, and a series of plating treatments on the surface of the counter electrode 22 are performed.

본 실시형태에 있어서도, 상기 실시형태와 동일한 효과를 향수할 수 있다. 또한, 직접 전극(20), 간접 전극(21) 및 대향 전극(22)의 전극 구조는 여러 가지 형상을 취할 수 있고, 도 9에 도시된 바와 같이 간접 전극(21)이 도금조(10)의 외부에 설치된 경우에는, 상기 도금조(10)의 형상에 맞춰 간접 전극(21)을 자유롭게 설계할 수 있다.Also in this embodiment, the same effects as in the above embodiment can be enjoyed. In addition, the electrode structure of the direct electrode 20, the indirect electrode 21, and the counter electrode 22 may take various shapes, and as shown in FIG. 9, the indirect electrode 21 is formed of the plating bath 10. When installed outside, the indirect electrode 21 can be freely designed according to the shape of the plating bath 10.

또한, 도 9의 예에서는 대향 전극(22)측에 있어서 구리 이온(C)을 환원하는 경우에 대해서 설명하였지만, 전술한 바와 같이 본 발명은 대향 전극(22)측에 있어서 피처리 이온을 산화시키는 경우에도 적용할 수 있다.In addition, in the example of FIG. 9, the case of reducing the copper ions (C) on the counter electrode 22 side has been described, but as described above, the present invention oxidizes the target ions on the counter electrode 22 side. It can also be applied in case.

예컨대 도 10에 도시된 바와 같이 전해 처리 장치로서의 에칭 처리 장치(60)는, 내부에 처리액으로서의 에칭액(E)을 저류하는 에칭액조(70)를 갖고 있다. 에칭액(E)으로는, 예컨대 불산과 이소프로필알코올의 혼합액(HF/IPA)이나 불산과 에탄올의 혼합액 등이 이용된다.For example, as shown in FIG. 10, the etching processing apparatus 60 as an electrolytic processing apparatus has an etching liquid tank 70 storing an etching liquid E as a processing liquid therein. As the etching solution (E), for example, a mixed solution of hydrofluoric acid and isopropyl alcohol (HF/IPA), a mixed solution of hydrofluoric acid and ethanol, or the like is used.

또한, 직접 전극(20)은 직류 전원(30)의 부극측에 접속되고, 간접 전극(21)과 대향 전극(22)은 각각 직류 전원(30)의 정극측에 접속된다. 또한, 에칭 처리 장치(60)의 그 밖의 구성에 대해서는, 상기 도금 처리 장치(1)의 구성과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.Further, the direct electrode 20 is connected to the negative electrode side of the DC power supply 30, and the indirect electrode 21 and the counter electrode 22 are connected to the positive electrode side of the DC power supply 30, respectively. In addition, the other configuration of the etching processing apparatus 60 is the same as that of the plating processing apparatus 1, and thus explanation is omitted.

이러한 경우, 직접 전극(20)을 음극으로 하고, 간접 전극(21)을 양극으로 하여 직류 전압을 연속적으로 인가함으로써, 직접 전극(20)측으로 정의 하전 입자(H)를 이동시키고, 간접 전극(21)측, 즉 대향 전극(22)측으로 에칭액(E) 내의 음이온인 피처리 이온(N)을 이동시킨다. 그 후, 충분한 피처리 이온(N)이 대향 전극(22)측으로 이동하여 집적되면, 직접 전극(20)을 음극으로 하고, 대향 전극(22)을 양극으로 하여 전압을 인가함으로써, 대향 전극(22) 표면의 피처리 이온(N)이 산화되고, 대향 전극(22) 표면이 에칭된다. 그리고, 피처리 이온(N)의 이동 집적과 피처리 이온(N)의 산화가 반복하여 행해져, 대향 전극(22) 표면에 대한 일련의 에칭 처리가 행해진다.In this case, by continuously applying a DC voltage with the direct electrode 20 as the cathode and the indirect electrode 21 as the anode, the positively charged particles H are moved to the direct electrode 20 side, and the indirect electrode 21 ) Side, that is, to the counter electrode 22 side, the target ions N, which are negative ions in the etching solution E, are moved. Thereafter, when sufficient ions N to be processed move toward the counter electrode 22 and are accumulated, the counter electrode 22 is directly applied with a voltage with the electrode 20 as a cathode and the counter electrode 22 as an anode. ) The to-be-treated ions N on the surface are oxidized, and the surface of the counter electrode 22 is etched. Then, the movement accumulation of the target ions N and the oxidation of the target ions N are repeatedly performed, and a series of etching treatments on the surface of the counter electrode 22 are performed.

본 실시형태에 있어서도, 피처리 이온의 산화와 환원의 차이는 있긴 하지만, 상기 실시형태와 동일한 효과를 향수할 수 있다.In this embodiment as well, although there is a difference between oxidation and reduction of ions to be treated, the same effects as in the above embodiment can be enjoyed.

또한, 이상의 실시형태에 있어서, 도 11에 도시된 바와 같이 대향 전극(22)은 복수 설치되어 있어도 좋다. 이들 복수의 대향 전극(22)은, 직류 전원(30)의 부극측에 병렬로 배치되어 있다. 또한, 도 11의 도금 처리 장치(1)는, 도 8의 도금 처리 장치(1)에 있어서 대향 전극(22)이 복수 설치된 예를 나타내고 있다. 또한, 도 11의 예에서는 2개의 대향 전극(22)을 설치하고 있지만, 대향 전극(22)의 수는 임의로 설정할 수 있다.In addition, in the above embodiment, as shown in FIG. 11, a plurality of counter electrodes 22 may be provided. The plurality of counter electrodes 22 are arranged in parallel on the negative electrode side of the DC power supply 30. In addition, the plating processing apparatus 1 of FIG. 11 shows an example in which a plurality of counter electrodes 22 are provided in the plating processing apparatus 1 of FIG. 8. In addition, in the example of FIG. 11, although two counter electrodes 22 are provided, the number of counter electrodes 22 can be set arbitrarily.

이러한 경우, 간접 전극(21)을 양극으로 하고, 복수의 대향 전극(22)을 음극으로 하여 직류 전압을 인가하여, 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 이동시키면, 각 대향 전극(22) 표면에 구리 이온(C)이 거의 균일하게 집적된다. 그 후, 직접 전극(20)을 양극으로 하고, 대향 전극(22)을 음극으로 하여 전압을 인가하여, 각 대향 전극(22) 표면의 구리 이온(C)이 거의 균등하게 환원된다. 이와 같이 본 실시형태에 따르면, 복수의 대향 전극(22)에 대하여 동시에 또한 균등하게 도금 처리를 행할 수 있다. 전술한 특허문헌 1, 2에 기재된 바와 같이, 종래, 도금 처리를 행하는 경우에는, 직접 전극과 대향 전극이 대향하여 설치되어, 복수의 대향 전극을 동시에 도금 처리하는 것은 불가능하였다. 이것에 대하여, 본 실시형태의 도금 처리 장치(1)에서는, 복수의 대향 전극(22)을 배치(batch) 처리할 수 있는 것이다.In this case, when the indirect electrode 21 is used as an anode and a plurality of counter electrodes 22 are used as cathodes and a DC voltage is applied to move the copper ions C toward the counter electrode 22, each counter electrode 22 ) Copper ions (C) are almost uniformly accumulated on the surface. Thereafter, a voltage is applied directly with the electrode 20 as an anode and the counter electrode 22 as a cathode, so that the copper ions C on the surface of each counter electrode 22 are reduced almost evenly. As described above, according to the present embodiment, plating treatment can be performed simultaneously and uniformly with respect to the plurality of counter electrodes 22. As described in Patent Documents 1 and 2, conventionally, in the case of performing a plating treatment, a direct electrode and a counter electrode are provided opposite to each other, and it is impossible to simultaneously plate a plurality of counter electrodes. On the other hand, in the plating processing apparatus 1 of this embodiment, a plurality of counter electrodes 22 can be batch-processed.

또한, 이러한 복수의 대향 전극(22)에 대한 배치 처리는, 피처리 이온의 산화와 환원 양쪽 모두에 적용할 수 있다. 산화와 환원을 행하기 위해서는, 직류 전원(30)의 정극과 부극의 배치를 반대로 하고, 양극과 음극을 반대로 하여 전해 처리를 행하면 좋다.Further, such a batch treatment for the plurality of counter electrodes 22 can be applied to both oxidation and reduction of ions to be treated. In order to perform oxidation and reduction, the arrangement of the positive electrode and the negative electrode of the DC power supply 30 may be reversed, and the positive electrode and the negative electrode may be reversed to perform electrolytic treatment.

이상의 실시형태의 도금 처리 장치(1)에서는, 도금조(10) 내에 저류된 도금액(M)을 이용하여 대향 전극(22)에 도금 처리를 행하고 있었지만, 도 12에 도시된 바와 같이 대향 전극(22) 상에 도금액(M)을 공급하여 도금 처리를 행하여도 좋다.In the plating treatment apparatus 1 of the above embodiment, the counter electrode 22 is plated using the plating solution M stored in the plating bath 10, but as shown in FIG. 12, the counter electrode 22 ), a plating solution (M) may be supplied to perform plating treatment.

예컨대 대략 평판상의 대향 전극(22)의 상면에 도금액(M)이 공급된다. 도금액(M)은, 예컨대 표면 장력에 의해 대향 전극(22) 상에 머무른다. 이 도금액(M) 상에 직접 전극(20)이 더 배치된다. 대향 전극(22)의 하면에는, 간접 전극(21)이 배치된다. 직접 전극(20)은 직류 전원(30)의 정극측에 접속되고, 간접 전극(21)과 대향 전극(22)은 각각 직류 전원(30)의 부극측에 접속된다. 스위치(31)는, 대향 전극(22)과 직류 전원(30) 사이에 설치된다.For example, the plating solution M is supplied to the upper surface of the substantially flat counter electrode 22. The plating solution M stays on the counter electrode 22 due to, for example, surface tension. The electrode 20 is further disposed directly on the plating solution M. An indirect electrode 21 is disposed on the lower surface of the counter electrode 22. The direct electrode 20 is connected to the positive electrode side of the DC power supply 30, and the indirect electrode 21 and the counter electrode 22 are connected to the negative electrode side of the DC power supply 30, respectively. The switch 31 is provided between the counter electrode 22 and the DC power supply 30.

이러한 경우에 있어서도, 상기 실시형태와 마찬가지로 간접 전극(21)에 의해 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 이동시킬 수 있고, 직접 전극(20)에 의해 구리 이온(C)을 환원할 수 있다. 따라서, 상기 실시형태와 동일한 효과를 향수할 수 있다.Also in this case, as in the above embodiment, copper ions (C) can be moved toward the counter electrode 22 by the indirect electrode 21, and copper ions (C) can be reduced by the direct electrode 20. have. Therefore, it is possible to enjoy the same effects as in the above embodiment.

또한, 도 12에서는 간접 전극(21)은 대향 전극(22)의 하면에 설치되어 있었지만, 도 13에 도시된 바와 같이 직접 전극(20)의 상면에 설치되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 직접 전극(20)과 간접 전극(21)은 각각 직류 전원(30)의 정극측에 접속되고, 대향 전극(22)은 직류 전원(30)의 부극측에 접속된다. 스위치(31)는, 직접 전극(20)과 직류 전원(30) 사이에 설치된다. 그리고, 간접 전극(21)에 의해 대향 전극(22)측으로 구리 이온(C)을 이동시키고, 직접 전극(20)에 의해 구리 이온(C)을 환원한다.In Fig. 12, the indirect electrode 21 is provided on the lower surface of the counter electrode 22, but may be provided directly on the upper surface of the electrode 20 as shown in Fig. 13. In this case, the direct electrode 20 and the indirect electrode 21 are connected to the positive electrode side of the DC power supply 30, respectively, and the counter electrode 22 is connected to the negative electrode side of the DC power supply 30. The switch 31 is provided directly between the electrode 20 and the DC power supply 30. Then, copper ions (C) are moved toward the counter electrode 22 by the indirect electrode 21, and copper ions (C) are reduced by the direct electrode 20.

또한, 이와 같이 직접 전극(20), 간접 전극(21) 및 대향 전극(22)을 적층하여 배치하는 경우에 있어서도, 피처리 이온의 산화와 환원 양쪽 모두를 행할 수 있다. 산화와 환원을 행하기 위해서는, 직류 전원(30)의 정극과 부극의 배치를 반대로 하고, 양극과 음극을 반대로 하여 전해 처리를 행하면 좋다.In addition, when the direct electrode 20, the indirect electrode 21, and the counter electrode 22 are stacked and disposed in this way, both oxidation and reduction of the ions to be treated can be performed. In order to perform oxidation and reduction, the arrangement of the positive electrode and the negative electrode of the DC power supply 30 may be reversed, and the positive electrode and the negative electrode may be reversed to perform electrolytic treatment.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경례 또는 수정례에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 여러 가지 양태를 채택할 수 있는 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to these examples. It is clear to those skilled in the art that various changes or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and naturally, it is understood that these also belong to the technical scope of the present invention. The present invention is not limited to this example, and various aspects can be adopted.

1 : 도금 처리 장치 10 : 도금조
20 : 직접 전극 21 : 간접 전극
22 : 대향 전극 23 : 절연재
30 : 직류 전원 31 : 스위치
40 : 제어부 50 : 구리 도금
60 : 에칭 처리 장치 70 : 에칭액조
C : 구리 이온 E : 에칭액
H : 하전 입자 M : 도금액
N : 피처리 이온 S : 황산 이온1: plating treatment device 10: plating bath
20: direct electrode 21: indirect electrode
22: counter electrode 23: insulating material
30: DC power supply 31: switch
40: control unit 50: copper plating
60: etching treatment device 70: etching liquid bath
C: copper ion E: etching solution
H: Charged particles M: Plating solution
N: target ion S: sulfate ion

Claims (26)

처리액에 포함되는 피처리 이온을 이용하여 정해진 처리를 행하는 전해 처리 방법으로서,
상기 처리액을 사이에 두도록 직접 전극과 대향 전극을 각각 배치하고, 상기 처리액과 절연하여 설치된, 상기 처리액에 전계를 형성하는 간접 전극을 배치하는 전극 배치 공정과,
상기 간접 전극에 전압을 인가함으로써, 상기 처리액 내의 피처리 이온을 상기 대향 전극측으로 이동시키는 피처리 이온 이동 공정과,
상기 직접 전극과 상기 대향 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 대향 전극측으로 이동한 상기 피처리 이온을 산화 또는 환원하는 피처리 이온 산화 환원 공정을 갖고,
상기 피처리 이온 이동 공정에서, 상기 간접 전극에 의해 피처리 이온을 이동시킬 때에는, 상기 피처리 이온의 전하 교환이 이루어지지 않는 것을 특징으로 하는, 전해 처리 방법.As an electrolytic treatment method for performing a predetermined treatment using ions to be treated contained in a treatment liquid,
An electrode arranging step of arranging a direct electrode and a counter electrode to interpose the processing solution, and arranging an indirect electrode for forming an electric field in the processing solution and installed insulated from the processing solution;
A processing target ion transfer step of moving target ions in the processing liquid to the counter electrode side by applying a voltage to the indirect electrode; and
A target ion redox step of oxidizing or reducing the target ions moved toward the opposite electrode by applying a voltage between the direct electrode and the counter electrode,
The electrolytic treatment method, characterized in that when the target ions are moved by the indirect electrode in the ion transfer step to be treated, charge exchange of the ions to be treated is not performed. 제1항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 직접 전극과 상기 간접 전극을 각각 대향하여 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 1, wherein in the electrode arranging step, the direct electrode and the indirect electrode are disposed to face each other. 제1항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 직접 전극과 상기 간접 전극을 표리일체로 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 1, wherein in the electrode arranging step, the direct electrode and the indirect electrode are disposed in one body. 제3항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 직접 전극의 표면과 상기 간접 전극의 이면이 접촉하도록, 상기 직접 전극과 상기 간접 전극을 일체로 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 3, wherein in the electrode arranging step, the direct electrode and the indirect electrode are integrally disposed so that the surface of the direct electrode and the back surface of the indirect electrode contact each other. 제3항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 직접 전극이 상기 간접 전극의 전체를 덮도록, 상기 직접 전극과 상기 간접 전극을 일체로 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 3, wherein in the electrode arranging step, the direct electrode and the indirect electrode are integrally disposed so that the direct electrode covers the entire indirect electrode. 제1항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 간접 전극과 상기 대향 전극을 각각 대향하여 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 1, wherein in the electrode arranging step, the indirect electrode and the counter electrode are disposed to face each other. 제1항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 복수의 상기 대향 전극을 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 1, wherein in the electrode arranging step, a plurality of the counter electrodes are disposed. 제1항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 직접 전극, 상기 간접 전극 및 상기 대향 전극을 각각 상기 처리액 중에 침지하여 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 1, wherein in the electrode arrangement step, the direct electrode, the indirect electrode, and the counter electrode are respectively immersed in the treatment liquid and disposed. 제1항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 대향 전극의 상면에 상기 처리액을 공급하고, 또한 상기 처리액 상에 상기 직접 전극을 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 1, wherein in the electrode arrangement step, the treatment liquid is supplied to an upper surface of the counter electrode, and the direct electrode is disposed on the treatment liquid. 제9항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 대향 전극의 하면측 또는 상기 직접 전극의 상면측에 상기 간접 전극을 배치하는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 9, wherein in the electrode arrangement step, the indirect electrode is disposed on a lower surface side of the counter electrode or an upper surface side of the direct electrode. 제1항에 있어서, 상기 직접 전극은, 상기 전극 배치 공정 및 상기 피처리 이온 이동 공정에서 전기적으로 플로팅 상태로 유지되어 있는 것인 전해 처리 방법.The electrolytic treatment method according to claim 1, wherein the direct electrode is held in an electrically floating state in the electrode arranging step and the ion transfer step to be treated. 제1항에 있어서, 상기 피처리 이온 이동 공정에 있어서, 상기 간접 전극에 인가되는 전압은 연속적으로 인가되는 직류 전압이고,
상기 피처리 이온 산화 환원 공정에 있어서, 상기 직접 전극과 상기 대향 전극 사이에 인가되는 전압은 펄스 전압인 것인 전해 처리 방법.The method of claim 1, wherein in the ion migration process to be treated, a voltage applied to the indirect electrode is a DC voltage that is continuously applied,
In the ion redox process to be treated, the voltage applied between the direct electrode and the counter electrode is a pulse voltage. 제1항에 있어서, 상기 전극 배치 공정에 있어서, 상기 대향 전극은 상기 직접 전극과 상기 간접 전극에 공통적으로 배치되고,
상기 피처리 이온 이동 공정에 있어서, 상기 간접 전극과 상기 대향 전극 사이에 전압을 인가하고, 상기 피처리 이온을 상기 대향 전극측으로 이동시키는 것인 전해 처리 방법.The method of claim 1, wherein in the electrode arrangement step, the counter electrode is disposed in common with the direct electrode and the indirect electrode,
The electrolytic treatment method in which, in the treatment target ion transfer step, a voltage is applied between the indirect electrode and the counter electrode, and the target ions are moved toward the counter electrode. 처리액에 포함되는 피처리 이온을 이용하여 정해진 처리를 행하는 전해 처리 장치로서,
상기 처리액을 사이에 두도록 배치된 직접 전극과 대향 전극을 가지며, 상기 처리액과 절연하여 설치된, 상기 처리액에 전계를 형성하는 간접 전극을 더 가지며,
상기 간접 전극은, 전압이 인가됨으로써, 상기 처리액 내의 피처리 이온을 대향 전극측으로 이동시키고,
상기 직접 전극은, 상기 대향 전극 사이에서 전압이 인가됨으로써, 상기 대향 전극측으로 이동한 상기 피처리 이온을 산화 또는 환원하고,
상기 간접 전극에 의해 피처리 이온을 이동시킬 때에는, 상기 피처리 이온의 전하 교환이 이루어지지 않는 것을 특징으로 하는, 전해 처리 장치.An electrolytic treatment device that performs a predetermined treatment using ions to be treated contained in a treatment liquid,
It has a direct electrode and a counter electrode disposed so as to interpose the treatment liquid, further has an indirect electrode for forming an electric field in the treatment liquid, installed insulated from the treatment liquid,
The indirect electrode moves the ions to be treated in the treatment liquid to the opposite electrode side by applying a voltage,
The direct electrode oxidizes or reduces the ions to be treated that have moved toward the counter electrode by applying a voltage between the counter electrodes,
An electrolytic treatment apparatus, characterized in that when the ions to be treated are moved by the indirect electrode, charge exchange of the ions to be treated is not performed. 제14항에 있어서, 상기 직접 전극과 상기 간접 전극은, 각각 대향하여 배치되어 있는 것인 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 14, wherein the direct electrode and the indirect electrode are disposed to face each other. 제14항에 있어서, 상기 직접 전극과 상기 간접 전극은, 표리일체로 배치되어 있는 것인 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 14, wherein the direct electrode and the indirect electrode are arranged in one body at the front and back. 제16항에 있어서, 상기 직접 전극의 표면과 상기 간접 전극의 이면이 접촉하도록, 상기 직접 전극과 상기 간접 전극은 일체로 배치되어 있는 것인 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 16, wherein the direct electrode and the indirect electrode are integrally disposed so that the surface of the direct electrode and the back surface of the indirect electrode contact each other. 제16항에 있어서, 상기 직접 전극이 상기 간접 전극의 전체를 덮도록, 상기 직접 전극과 상기 간접 전극은 일체로 배치되어 있는 것인 전해 처리 장치. The electrolytic treatment apparatus according to claim 16, wherein the direct electrode and the indirect electrode are integrally disposed so that the direct electrode covers the entire indirect electrode. 제14항에 있어서, 상기 간접 전극과 상기 대향 전극은 각각 대향하여 배치되어 있는 것인 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 14, wherein the indirect electrode and the counter electrode are arranged to face each other. 제14항에 있어서, 상기 대향 전극은, 복수 배치되어 있는 것인 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 14, wherein a plurality of the counter electrodes are disposed. 제14항에 있어서, 상기 직접 전극, 상기 간접 전극 및 상기 대향 전극은, 각각 상기 처리액 중에 침지되어 배치되어 있는 것인 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 14, wherein the direct electrode, the indirect electrode, and the counter electrode are each immersed in the treatment liquid and disposed. 제14항에 있어서, 상기 대향 전극의 상면에 상기 처리액이 공급되고, 또한 상기 처리액 상에 상기 직접 전극이 배치되어 있는 것인 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 14, wherein the treatment liquid is supplied to an upper surface of the counter electrode, and the direct electrode is disposed on the treatment liquid. 제22항에 있어서, 상기 간접 전극은, 상기 대향 전극의 하면측 또는 상기 직접 전극의 상면측에 배치되어 있는 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 22, wherein the indirect electrode is disposed on a lower surface side of the counter electrode or an upper surface side of the direct electrode. 제14항에 있어서, 상기 직접 전극은, 상기 대향 전극측으로 이동한 상기 피처리 이온을 산화 또는 환원하는 것 이외의 경우에는 전기적으로 플로팅 상태로 유지되어 있는 것인 전해 처리 장치.The electrolytic treatment apparatus according to claim 14, wherein the direct electrode is kept in an electrically floating state except for oxidizing or reducing the ions to be treated that have moved toward the counter electrode. 제14항에 있어서, 상기 간접 전극에 인가되는 전압은 연속적으로 인가되는 직류 전압이며,
상기 직접 전극과 상기 대향 전극 사이에 인가되는 전압은 펄스 전압인 것인 전해 처리 장치.The method of claim 14, wherein the voltage applied to the indirect electrode is a DC voltage that is continuously applied,
The electrolytic treatment apparatus in which the voltage applied between the direct electrode and the counter electrode is a pulse voltage. 제14항에 있어서, 상기 대향 전극은 상기 직접 전극과 상기 간접 전극에 공통적으로 설치되고,
상기 간접 전극은, 상기 대향 전극 사이에서 전압이 인가됨으로써, 상기 피처리 이온을 상기 대향 전극측으로 이동시키는 것인 전해 처리 장치.The method of claim 14, wherein the counter electrode is installed in common with the direct electrode and the indirect electrode,
The electrolytic processing apparatus of the indirect electrode, wherein a voltage is applied between the counter electrodes to move the ions to be processed toward the counter electrode side.
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