KR102215110B1 - Adhesive film for semiconductor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체용 접착 필름에 관한 것이다. 본 발명의 반도체용 접착 필름은 예비 경화(pre-cure)시 보이드의 제거가 용이하여 우수한 매립 특성을 나타냄으로써, 높은 신뢰성을 갖는 반도체 장치의 제공을 가능하게 한다.The present invention relates to an adhesive film for semiconductors. The adhesive film for semiconductors of the present invention can easily remove voids during pre-cure and exhibit excellent buried properties, thereby making it possible to provide a semiconductor device having high reliability.

Description

반도체용 접착 필름{ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR}Adhesive film for semiconductor {ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR}

본 발명은 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive film for semiconductors.

최근 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라, 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택 패키지 방법이 점차로 증가하고 있다.Recently, as the need for high density and high integration of semiconductor packages increases rapidly, the size of semiconductor chips is gradually increasing, and a stack package method in which chips are stacked in multiple stages is gradually increasing to improve the degree of integration as well.

반도체 패키지 개발 동향에 있어서는 상술한 반도체 칩들의 소형 박형화 및 고성능화가 급격히 진행되고 있으며, 더불어 패키지 대용량화를 목적으로 동일한 패키지 내에 더 많은 칩을 적층할 수 있도록 반도체 웨이퍼의 두께가 모두 20 ㎛ 이하로 점차 극박화되고 있다.In the semiconductor package development trend, the aforementioned semiconductor chips are being rapidly reduced in size and performance, and the thickness of the semiconductor wafers is gradually reduced to 20 µm or less so that more chips can be stacked in the same package for the purpose of increasing the package capacity. It is becoming thinner.

한편, FOW (Film Over Wire) 패키지 또는 FOD (Film Over Die) 패키지의 제조에는 와이어 매립형 접착 필름 또는 컨트롤러 칩 매립형 접착 필름을 사용하여 가압 경화를 진행한다. 이러한 가압 경화에 적용되는 접착 필름에는, 반도체 칩의 본딩시 바운싱(bouncing)과 크랙(crack)을 막으며, 패키지 내에서 고접착력 및 고신뢰성이 요구된다.On the other hand, to manufacture a FOW (Film Over Wire) package or a FOD (Film Over Die) package, a wire-embedded adhesive film or a controller chip-embedded adhesive film is used to perform pressure curing. The adhesive film applied to such pressure curing prevents bouncing and cracking during bonding of semiconductor chips, and is required to have high adhesion and high reliability in the package.

그런데, 상기 가압 경화가 진행될 때 와이어의 주변과 컨트롤러 칩의 주변에 존재하는 에어 트랩(보이드)이 제거되지 못할 경우, 반도체 장치의 제조 수율이나 신뢰성의 저하를 야기한다.However, if the air traps (voids) existing around the wire and the controller chip cannot be removed when the pressure curing proceeds, the manufacturing yield or reliability of the semiconductor device is deteriorated.

본 발명은 예비 경화(pre-cure)시 보이드의 제거가 용이하여 우수한 매립 특성을 나타내는 반도체용 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an adhesive film for semiconductors that exhibits excellent buried properties due to easy removal of voids during pre-cure.

본 발명에 따르면, According to the present invention,

하기 수학식 1을 충족하는, 반도체용 접착 필름이 제공된다:An adhesive film for a semiconductor is provided that satisfies the following Equation 1:

[수학식 1][Equation 1]

10 ≤ M ≤ 30010 ≤ M ≤ 300

상기 수학식 1에서, M은 하기 수학식 2로 표시되는 매립 특성 지수이고,In Equation 1, M is a landfill property index represented by Equation 2 below,

[수학식 2][Equation 2]

M = 1×104 / (V*R)0.5 M = 1×10 4 / (V*R) 0.5

상기 수학식 2에서,In Equation 2,

V는 5% 스트레인, 1Hz의 주파수 및 5℃/분의 승온 속도의 조건하에서 측정한 상기 접착 필름이 갖는 120℃에서의 용융 점도(Pa·s)이고,V is the melt viscosity (Pa·s) at 120° C. of the adhesive film measured under the conditions of 5% strain, a frequency of 1 Hz, and a heating rate of 5° C./min,

R은 140℃의 온도 하에서 30 분 동안의 경화 후 상기 접착 필름의 경화도(%)이다.R is the degree of curing (%) of the adhesive film after curing for 30 minutes at a temperature of 140°C.

이하, 발명의 구현 예에 따른 반도체용 접착 필름에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an adhesive film for a semiconductor according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

본 명세서에서 명시적인 언급이 없는 한, 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.Unless expressly stated in the specification, terminology is only intended to refer to specific embodiments and is not intended to limit the invention.

본 명세서에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다.The singular forms used in the present specification also include plural forms unless the phrases clearly indicate the opposite.

본 명세서에서 사용되는 "포함"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.As used herein, the meaning of "comprising" specifies a specific characteristic, region, integer, step, action, element and/or component, and other specific characteristic, region, integer, step, action, element, component and/or group It does not exclude the existence or addition of

한편, 본 발명자들의 계속적인 연구 결과, 300,000 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw) 및 2.0 내지 7.0의 분자량 분포(Mw/Mn)를 갖는 열가소성 수지, 열경화성 수지, 및 경화제를 포함하고, 상기 수학식 1에 따른 매립 특성 지수(M) 범위를 충족하는 반도체용 접착 필름은, 예비 경화(pre-cure)시 보이드의 제거가 용이하여 우수한 매립 특성을 나타냄으로써, 높은 신뢰성을 갖는 반도체 장치의 제공을 가능하게 함이 확인되었다.On the other hand, as a result of continuous research by the present inventors, a thermoplastic resin having a weight average molecular weight (Mw) of 300,000 to 1,000,000 g/mol and a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 2.0 to 7.0 (Mw/Mn), a thermosetting resin, and a curing agent, A semiconductor adhesive film that satisfies the range of the buried property index (M) according to Equation 1 is easy to remove voids during pre-cure and exhibits excellent buried characteristics, thereby providing a semiconductor device having high reliability It was confirmed that it enables.

상기 접착 필름은 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적합한 우수한 기계적 물성을 가지며, 리플로우 균열을 방지할 수 있으면서도, 가압 경화가 진행될 때 와이어의 주변과 컨트롤러 칩의 주변에 존재하는 에어 트랩의 제거가 용이한 특성을 나타낼 수 있다.The adhesive film has excellent mechanical properties suitable for a package of a multi-layered structure of a semiconductor chip, and can prevent reflow cracking, while removing air traps existing around the wire and the controller chip when pressure curing is in progress. It can show easy characteristics.

발명의 일 구현 예에 따르면,According to one embodiment of the invention,

300,000 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw) 및 2.0 내지 7.0의 분자량 분포(Mw/Mn)를 갖는 열가소성 수지, 열경화성 수지, 및 경화제를 포함하고;A thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a curing agent having a weight average molecular weight (Mw) of 300,000 to 1,000,000 g/mol and a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 2.0 to 7.0;

하기 수학식 1을 충족하는, 반도체용 접착 필름이 제공된다:An adhesive film for a semiconductor is provided that satisfies the following Equation 1:

[수학식 1][Equation 1]

10 ≤ M ≤ 30010 ≤ M ≤ 300

상기 수학식 1에서, M은 하기 수학식 2로 표시되는 매립 특성 지수이고,In Equation 1, M is a landfill property index represented by Equation 2 below,

[수학식 2][Equation 2]

M = 1×104 / (V*R)0.5 M = 1×10 4 / (V*R) 0.5

상기 수학식 2에서,In Equation 2,

V는 5% 스트레인, 1Hz의 주파수 및 5℃/분의 승온 속도의 조건하에서 측정한 상기 접착 필름이 갖는 120℃에서의 용융 점도(Pa·s)이고,V is the melt viscosity (Pa·s) at 120° C. of the adhesive film measured under the conditions of 5% strain, a frequency of 1 Hz, and a heating rate of 5° C./min,

R은 140℃의 온도 하에서 30 분 동안의 경화 후 상기 접착 필름의 경화도(%)이다.R is the degree of curing (%) of the adhesive film after curing for 30 minutes at a temperature of 140°C.

상기 M은 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 매립 특성 지수로서, 상기 조건 하에서 측정된 상기 접착 필름의 용융 점도(V) 및 경화도(%)와 상기 화학식 2의 상관 관계를 갖는다.M is an index of buried properties of the adhesive film for semiconductors, and has a correlation between the melt viscosity (V) and curing degree (%) of the adhesive film measured under the above conditions and the formula (2).

발명의 구현 예에 따르면, 상기 반도체용 접착 필름은 10 내지 300의 매립 특성 지수(M)를 갖는 것이 바람직하다.According to an embodiment of the present invention, it is preferable that the semiconductor adhesive film has a buried property index (M) of 10 to 300.

상기 반도체용 접착 필름의 매립 특성 지수(M)가 너무 높을 경우 접착 필름의 사용시 필렛(fillet)이 발생할 수 있다. 그러므로, 상기 반도체용 접착 필름은 300 이하의 매립 특성 지수(M)를 갖는 것이 바람직하다.When the embedding characteristic index (M) of the semiconductor adhesive film is too high, a fillet may occur when the adhesive film is used. Therefore, it is preferable that the semiconductor adhesive film has a buried property index (M) of 300 or less.

다만, 상기 반도체용 접착 필름의 매립 특성 지수(M)가 너무 낮을 경우 가압 경화가 진행될 때 와이어의 주변과 컨트롤러 칩의 주변에 존재하는 에어 트랩(보이드)이 제거되지 못할 수 있다. 그러므로, 상기 반도체용 접착 필름은 10 이상의 매립 특성 지수(M)를 갖는 것이 바람직하다.However, when the buried property index (M) of the semiconductor adhesive film is too low, air traps (voids) existing around the wire and the controller chip may not be removed when pressure curing is in progress. Therefore, it is preferable that the semiconductor adhesive film has an embedded property index (M) of 10 or more.

구체적으로, 상기 반도체용 접착 필름은 10 이상, 혹은 12 이상, 혹은 14 이상; 그리고 혹은 300 이하, 혹은 250 이하, 혹은 200 이하의 매립 특성 지수(M)를 갖는 것이 바람직하다.Specifically, the adhesive film for semiconductors is 10 or more, or 12 or more, or 14 or more; And or it is preferable to have an embedding characteristic index (M) of 300 or less, 250 or less, or 200 or less.

보다 구체적으로, 상기 반도체용 접착 필름은 10 내지 300, 혹은 12 내지 300, 혹은 12 내지 250, 혹은 14 내지 250, 혹은 혹은 14 내지 200의 매립 특성 지수(M)를 갖는 것이 바람직할 수 있다.More specifically, the adhesive film for semiconductors may preferably have an embedded property index (M) of 10 to 300, or 12 to 300, or 12 to 250, or 14 to 250, or 14 to 200.

상기 수학식 2에서, 상기 용융 점도(V)는 상기 반도체용 접착 필름이 나타내는 용융 점도(Pa·s)이다. 상기 용융 점도(V)는 ARES(advanced rheometric expansion system) 설비를 이용하여 5% 스트레인, 1Hz의 주파수 및 5℃/분의 승온 속도의 조건하에서 측정한 상기 접착 필름이 갖는 120℃에서의 용융 점도(Pa·s)이다.In Equation 2, the melt viscosity (V) is the melt viscosity (Pa·s) of the adhesive film for semiconductors. The melt viscosity (V) is the melt viscosity at 120° C. of the adhesive film measured under conditions of 5% strain, a frequency of 1 Hz, and a temperature increase rate of 5° C./min using an ARES (advanced rheometric expansion system) facility ( Pa·s).

바람직하게는, 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 상기 용융 점도(V)는 100 내지 30,000 Pa·s, 혹은 300 내지 20,000 Pa·s, 혹은 400 내지 15,000 Pa·s일 수 있다.Preferably, the melt viscosity (V) of the semiconductor adhesive film may be 100 to 30,000 Pa·s, or 300 to 20,000 Pa·s, or 400 to 15,000 Pa·s.

상기 수학식 2에서, 상기 경화도(R)는 상기 반도체용 접착 필름이 예비 경화된 후 나타내는 경화도(%)로서, 140℃의 온도 하에서 30 분 동안의 경화 후 시차주사열량계(DSC)로 반응열을 측정하여 경화 전의 DSC 반응열과의 %비율을 100%에서 빼는 방법으로 계산될 수 있다.In Equation 2, the degree of curing (R) is the degree of curing (%) expressed after the adhesive film for semiconductors is pre-cured, and the heat of reaction using a differential scanning calorimeter (DSC) after curing for 30 minutes at a temperature of 140° C. It can be calculated by measuring and subtracting the% ratio with the heat of reaction of DSC before curing from 100%.

바람직하게는, 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 상기 경화도(R)는 5 내지 95 %, 혹은 10 내지 90 %, 혹은 15 내지 85 %일 수 있다.Preferably, the degree of curing (R) of the adhesive film for semiconductors may be 5 to 95%, or 10 to 90%, or 15 to 85%.

발명의 구현 예에 따르면, 상기 수학식 1을 충족하는 반도체용 접착 필름으로서, 300,000 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw) 및 2.0 내지 7.0의 분자량 분포(Mw/Mn)를 갖는 열가소성 수지; 열경화성 수지; 및 경화제를 포함하는 반도체용 접착 필름이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, as an adhesive film for a semiconductor satisfying Equation 1, a thermoplastic resin having a weight average molecular weight (Mw) of 300,000 to 1,000,000 g/mol and a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 2.0 to 7.0; Thermosetting resin; And it provides a semiconductor adhesive film containing a curing agent.

상기 열가소성 수지는 300,000 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 갖는다. 상기 중량평균분자량은 GPC를 이용하여 통상적인 방법으로 측정될 수 있다.The thermoplastic resin has a weight average molecular weight (Mw) of 300,000 to 1,000,000 g/mol. The weight average molecular weight can be measured by a conventional method using GPC.

상기 열가소성 수지의 중량평균분자량이 너무 낮을 경우 접착 필름의 사용시 필렛(fillet)이 발생할 수 있다. 그러므로, 상기 열가소성 수지는 300,000 g/mol 이상의 중량평균분자량(Mw)을 갖는 것이 바람직하다.If the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is too low, a fillet may occur when the adhesive film is used. Therefore, it is preferable that the thermoplastic resin has a weight average molecular weight (Mw) of 300,000 g/mol or more.

다만, 상기 열가소성 수지의 중량평균분자량이 너무 높을 경우 접착 필름의 유동성이 낮아져 매립 특성이 저하될 수 있다. 그러므로, 상기 열가소성 수지는 1,000,000 g/mol 이하의 중량평균분자량(Mw)을 갖는 것이 바람직하다.However, if the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is too high, the fluidity of the adhesive film may be lowered, so that the buried property may be deteriorated. Therefore, it is preferable that the thermoplastic resin has a weight average molecular weight (Mw) of 1,000,000 g/mol or less.

구체적으로, 상기 열가소성 수지는 300,000 g/mol 이상, 혹은 350,000 g/mol 이상, 혹은 400,000 g/mol 이상, 혹은 450,000 g/mol 이상; 그리고 1,000,000 g/mol 이하, 혹은 950,000 g/mol 이하, 혹은 900,000 g/mol 이하, 혹은 850,000 g/mol 이하의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다.Specifically, the thermoplastic resin is 300,000 g/mol or more, or 350,000 g/mol or more, or 400,000 g/mol or more, or 450,000 g/mol or more; In addition, it may have a weight average molecular weight (Mw) of 1,000,000 g/mol or less, or 950,000 g/mol or less, or 900,000 g/mol or less, or 850,000 g/mol or less.

그리고, 상기 열가소성 수지는 2.0 내지 7.0의 분자량 분포(Mw/Mn)를 갖는다. 즉, 상기 열가소성 수지는 상기 중량평균분자량 범위에서 상기 분자량 분포 범위를 충족하는 범위의 수평균분자량(Mn)을 가질 수 있다.In addition, the thermoplastic resin has a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 2.0 to 7.0. That is, the thermoplastic resin may have a number average molecular weight (Mn) in a range satisfying the molecular weight distribution range in the weight average molecular weight range.

상기 열가소성 수지의 분자량 분포가 너무 낮을 경우 접착 필름의 사용시 상 분리 현상이 발생할 수 있다. 그러므로, 상기 열가소성 수지는 2.0 이상의 분자량 분포(Mw/Mn)를 갖는 것이 바람직하다.When the molecular weight distribution of the thermoplastic resin is too low, a phase separation phenomenon may occur when the adhesive film is used. Therefore, it is preferable that the thermoplastic resin has a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 2.0 or more.

다만, 상기 열가소성 수지의 분자량 분포가 너무 높을 경우 접착 필름의 응집력이 약화되어 접착 특성이 저하될 수 있다. 그러므로, 상기 열가소성 수지는 7.0 이하의 분자량 분포(Mw/Mn)를 갖는 것이 바람직하다.However, if the molecular weight distribution of the thermoplastic resin is too high, the cohesive strength of the adhesive film may be weakened, and the adhesive properties may be deteriorated. Therefore, it is preferable that the thermoplastic resin has a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 7.0 or less.

구체적으로, 상기 열가소성 수지는 2.0 이상, 혹은 2.3 이상, 혹은 2.5 이상, 혹은 2.8 이상; 그리고 7.0 이하, 혹은 6.5 이하, 혹은 6.0 이하, 혹은 5.5 이하의 분자량 분포(Mw/Mn)를 가질 수 있다.Specifically, the thermoplastic resin is 2.0 or more, or 2.3 or more, or 2.5 or more, or 2.8 or more; And it may have a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 7.0 or less, or 6.5 or less, or 6.0 or less, or 5.5 or less.

상기 반도체용 접착 필름은 상기 열가소성 수지로 상술한 중량평균분자량(Mw) 및 분자량 분포(Mw/Mn)를 충족하는, 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무, 및 (메트)아크릴레이트계 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 수지를 포함할 수 있다.The adhesive film for semiconductors is the thermoplastic resin, which satisfies the above-described weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw/Mn), polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, It may include at least one resin selected from the group consisting of polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, reactive butadiene acrylonitrile copolymer rubber, and (meth)acrylate-based resin.

바람직하게는, 상기 열가소성 수지는 에폭시계 작용기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 포함한 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다.Preferably, the thermoplastic resin may include a (meth)acrylate-based resin including a (meth)acrylate-based repeating unit having an epoxy-based functional group.

구체적으로, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고, -10℃ 내지 30℃의 유리 전이 온도를 갖는 (메트)아크릴레이트계 수지일 수 있다. 상기 유리 전이 온도는 시차주사 열량측정법(differential scanning calorimetry)에 의해 측정될 수 있다.Specifically, the (meth)acrylate-based resin includes a (meth)acrylate-based repeating unit including an epoxy-based functional group, and may be a (meth)acrylate-based resin having a glass transition temperature of -10°C to 30°C. have. The glass transition temperature may be measured by differential scanning calorimetry.

상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위 0.1 중량% 내지 30 중량%를 포함할 수 있다. 상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다. The (meth)acrylate-based resin may include 0.1% to 30% by weight of a (meth)acrylate-based repeating unit including an epoxy-based functional group. The epoxy-based functional group may include an epoxy group or a glycidyl group.

상기 반도체용 접착 필름은 상기 열경화성 수지로 에폭시 수지를 포함한다.The adhesive film for semiconductors includes an epoxy resin as the thermosetting resin.

구체적으로, 상기 에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시 수지, 바이페닐계 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 플로렌계 에폭시 수지, 페놀노볼락계 에폭시 수지, 크레졸노볼락계 에폭시 수지, 트리스하이드록실페닐메탄계 에폭시 수지, 및 테트라페닐메탄계 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.Specifically, the epoxy resin is a bisphenol-based epoxy resin, a biphenyl-based epoxy resin, a naphthalene-based epoxy resin, a florene-based epoxy resin, a phenol novolak-based epoxy resin, a cresol novolak-based epoxy resin, a trishydroxylphenylmethane-based epoxy It may be one or more selected from the group consisting of resin and tetraphenylmethane-based epoxy resin.

여기서, 상기 비스페놀계 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 수소첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Here, the bisphenol type epoxy resin may include a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, and a bisphenol AF type epoxy resin.

바람직하게는, 상기 상기 열경화성 수지는 20 내지 25℃의 온도 하에서 1 내지 20,000 mPa·s의 점도를 갖는 액상 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Preferably, the thermosetting resin may include a liquid epoxy resin having a viscosity of 1 to 20,000 mPa·s at a temperature of 20 to 25°C.

비제한적인 예로, 상기 열경화성 수지로 2 종의 에폭시 수지가 적용되는 경우, 10 내지 35 ℃ 하에서 액상인 에폭시 수지와 10 내지 35 ℃ 하에서 고상인 에폭시 수지를 1: 0.4 내지 1: 2의 중량비로 혼합하여 사용될 수 있다.As a non-limiting example, when two types of epoxy resins are applied as the thermosetting resin, a liquid epoxy resin under 10 to 35 °C and a solid epoxy resin under 10 to 35 °C are mixed in a weight ratio of 1: 0.4 to 1: 2 Can be used.

이때, 상기 고상인 에폭시 수지의 함량이 상기 액상인 에폭시 수지에 대해 0.4 중량비 미만이면, 다이 어태치 공정시 수지가 과다하게 흘러나와 오염을 유발할 수 있고, 접착층의 끈적임이 강하여 픽업 특성이 현저히 저하될 수 있다. 반면에, 상기 고상인 에폭시 수지의 함량이 상기 액상인 에폭시 수지에 대해 2.0 중량비를 초과하면 열가소성 수지와의 상용성, 반응성 측면에서 불리할 수 있다.At this time, if the content of the solid epoxy resin is less than 0.4 weight ratio with respect to the liquid epoxy resin, the resin may flow out excessively during the die attach process and cause contamination, and the stickiness of the adhesive layer will be strong, so that the pick-up characteristics will be significantly reduced. I can. On the other hand, if the content of the solid epoxy resin exceeds 2.0 weight ratio with respect to the liquid epoxy resin, it may be disadvantageous in terms of compatibility and reactivity with the thermoplastic resin.

그리고, 상기 에폭시 수지는 50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지와 함께 50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 및 50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 비스페놀A 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 에폭시 수지를 더 포함할 수 있다. In addition, the epoxy resin is a cresol novolak type epoxy resin having a softening point of 50°C to 100°C together with a biphenyl-based epoxy resin having a softening point of 50°C to 100°C, and a bisphenol A epoxy having a softening point of 50°C to 100°C. It may further include at least one epoxy resin selected from the group consisting of resins.

이때, 상기 에폭시 수지는 50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지 대비 상기 50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 및 50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 비스페놀A 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 에폭시 수지를 0.25 내지 1.25, 또는 0.3 내지 1.1의 중량비로 포함할 수 있다. At this time, the epoxy resin is a cresol novolak type epoxy resin having a softening point of 50 ℃ to 100 ℃ compared to a biphenyl-based epoxy resin having a softening point of 50 ℃ to 100 ℃ and bisphenol A epoxy having a softening point of 50 ℃ to 100 ℃ At least one epoxy resin selected from the group consisting of resins may be included in a weight ratio of 0.25 to 1.25, or 0.3 to 1.1.

상기 에폭시 수지는 100 내지 1,000의 평균 에폭시 당량을 가질 수 있다. 상기 평균 에폭시 당량은 상기 에폭시 수지에 포함되는 각각의 에폭시 수지의 중량 비율 및 에폭시 당량을 바탕으로 구할 수 있다.The epoxy resin may have an average epoxy equivalent of 100 to 1,000. The average epoxy equivalent may be calculated based on the weight ratio and epoxy equivalent of each epoxy resin contained in the epoxy resin.

상기 반도체용 접착 필름은 상기 경화제로 노볼락계 페놀 수지를 포함한다.The adhesive film for semiconductors includes a novolak-based phenol resin as the curing agent.

상기 노볼락계 페놀 수지는 반응성 작용기 사이에 고리가 위치하는 화학 구조를 갖는다. 이러한 구조적 특성으로 인하여, 상기 노볼락계 페놀 수지는 상기 접착 필름의 흡습성을 보다 낮출 수 있으며, 고온의 IR 리플로우 공정에서 안정성을 보다 높일 수 있어서, 접착 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지하는 역할을 할 수 있다.The novolak-based phenolic resin has a chemical structure in which a ring is positioned between reactive functional groups. Due to these structural characteristics, the novolac-based phenol resin can lower the hygroscopicity of the adhesive film, and can increase the stability in a high-temperature IR reflow process, thereby preventing peeling of the adhesive film or reflow cracking. Can play a role.

상기 노볼락계 페놀 수지의 구체적인 예로는 노볼락 페놀 수지, 자일록 노볼락 페놀 수지, 크레졸 노볼락 페놀 수지, 바이페닐 노볼락 페놀 수지, 및 비스페놀A 노볼락 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상을 들 수 있다.Specific examples of the novolak-based phenol resin include at least one selected from the group consisting of novolac phenol resin, xylog novolac phenol resin, cresol novolac phenol resin, biphenyl novolac phenol resin, and bisphenol A novolac phenol resin. Can be mentioned.

상기 노볼락계 페놀 수지는 60℃ 이상, 또는 60℃ 내지 150℃, 또는 105℃ 내지 150℃, 또는 70℃ 내지 120 ℃의 연화점을 갖는 것이 바람직하게 적용될 수 있다. 60℃ 이상의 연화점을 갖는 노볼락계 페놀 수지는 접착 필름의 경화 후 충분한 내열성, 강도 및 접착성을 가질수 있도록 한다. 하지만, 상기 노볼락계 페놀 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 접착 필름의 유동성이 낮아져서 실제 반도체 제조 공정에서 접착제 내부에 빈 공간(void)가 생성되어 최종 제품의 신뢰성이나 품질을 크게 저하시킬 수 있다.The novolac-based phenolic resin may preferably be applied having a softening point of 60°C or higher, or 60°C to 150°C, or 105°C to 150°C, or 70°C to 120°C. The novolac-based phenolic resin having a softening point of 60° C. or higher allows sufficient heat resistance, strength, and adhesion after curing of the adhesive film. However, if the softening point of the novolac-based phenol resin is too high, the fluidity of the adhesive film is lowered, and thus voids are created inside the adhesive in an actual semiconductor manufacturing process, which can greatly reduce the reliability or quality of the final product.

상기 노볼락계 페놀 수지는 80 g/eq 내지 300 g/eq의 수산기 당량 및 60℃ 내지 150℃의 연화점을 갖는 것이 바람직하다.The novolac-based phenol resin preferably has a hydroxyl equivalent weight of 80 g/eq to 300 g/eq and a softening point of 60°C to 150°C.

한편, 상기 반도체용 접착 필름은 경화 촉매 및 무기 충전재를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the adhesive film for semiconductors may further include a curing catalyst and an inorganic filler.

상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체용 접착 필름의 경화를 촉진 시키는 역할을 하며, 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화 촉매가 특별한 제한 없이 적용될 수 있다.The curing catalyst serves to promote the action of the curing agent or the curing of the adhesive film for semiconductors, and a curing catalyst known to be used in the manufacture of a semiconductor adhesive film may be applied without particular limitation.

바람직하게는, 상기 경화 촉매로는 인계 화합물, 붕소계 화합물, 인-붕소계 화합물, 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물이 포함될 수 있다.Preferably, the curing catalyst may include at least one compound selected from the group consisting of a phosphorus compound, a boron compound, a phosphorus-boron compound, and an imidazole compound.

상기 무기 충전재는 알루미나, 실리카, 황산바륨, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 규산 마그네슘, 산화 마그네슘, 규산 칼슘, 탄산 칼슘, 산화 칼슘, 수산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 및 붕산 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.The inorganic filler is at least one compound selected from the group consisting of alumina, silica, barium sulfate, magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium silicate, magnesium oxide, calcium silicate, calcium carbonate, calcium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and aluminum borate It may include.

상기 무기 충전재는 0.1 내지 10 ㎛, 혹은 0.1 내지 5.0 ㎛, 혹은 0.1 내지 2.0 ㎛의 평균 입경(최장 외경 기준)을 갖는 것이 바람직하게 적용될 수 있다. 상기 무기 충전재의 입경이 너무 작을 경우 상기 접착 필름 내에서 쉽게 응집될 수 있다. 반면에, 상기 무기 충전재의 입경이 너무 클 경우 상기 무기 충전재에 의한 반도체 회로의 손상 및 접착 필름의 접착성 저하가 유발될 수 있다.The inorganic filler may preferably have an average particle diameter (based on the longest outer diameter) of 0.1 to 10 μm, or 0.1 to 5.0 μm, or 0.1 to 2.0 μm. If the particle diameter of the inorganic filler is too small, it may be easily aggregated in the adhesive film. On the other hand, if the particle diameter of the inorganic filler is too large, damage to the semiconductor circuit and deterioration of adhesion of the adhesive film may be caused by the inorganic filler.

바람직하게는, 상기 무기 충전재는 실리카 및 탄산 마그네슘을 1: 0.001 내지 1: 1의 중량비로 포함하는 것이 발명의 구현 예를 통해 달성하고자 하는 물성의 발현에 유리할 수 있다.Preferably, the inorganic filler containing silica and magnesium carbonate in a weight ratio of 1: 0.001 to 1: 1 may be advantageous in expressing physical properties to be achieved through embodiments of the present invention.

상기 반도체용 접착 필름은The semiconductor adhesive film

상기 열가소성 수지 5 내지 50 중량%,5 to 50% by weight of the thermoplastic resin,

상기 열경화성 수지 10 내지 60 중량%,10 to 60% by weight of the thermosetting resin,

상기 경화제 10 내지 60 중량%,10 to 60% by weight of the curing agent,

상기 경화 촉매 0.1 내지 5 중량%, 및0.1 to 5% by weight of the curing catalyst, and

상기 무기 충전재 10 내지 70 중량%10 to 70% by weight of the inorganic filler

를 포함할 수 있다.It may include.

그리고, 상기 반도체용 접착 필름에는 도료 또는 안료가 적용될 수 있다.In addition, a paint or a pigment may be applied to the adhesive film for semiconductors.

예를 들어, 상기 도료 또는 안료의 적용을 통해 상기 반도체용 접착 필름에 검은 색상을 부여함으로써, 소재의 필렛 등을 명확하게 관찰할 수 있어 불량률 감소 및 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 상기 도료 또는 안료의 적용을 통해 패키지 외부에서도 내부 접착체가 비추어 보이지 않도록 하는 접착 필름이 제공될 수 있다.For example, by applying a black color to the semiconductor adhesive film through the application of the paint or pigment, the fillet of the material can be clearly observed, thereby reducing the defect rate and improving the work efficiency. In addition, an adhesive film may be provided so that the inner adhesive body is not visible even outside the package through the application of the paint or pigment.

구체적으로, 상기 반도체용 접착 필름의 검은색 구현을 위해, 통상적인 검은색화하는 물질, 예를 들어, 반응성 염료(dye), 아조 염료, 니그로신(nigrosines), 페릴렌 안료(pigment), 혼합된-상 안료(고체-용액 안료), 아닐렌 블랙, 페릴렌 블랙, Brilliant Black BN, Reactive Black 5, SulphurBlackT, 카본 블랙 등이 적용할 수 있다.Specifically, in order to realize the black color of the adhesive film for semiconductors, conventional blackening materials, for example, reactive dyes, azo dyes, nigrosines, perylene pigments, mixed -Phase pigment (solid-solution pigment), aniylene black, perylene black, Brilliant Black BN, Reactive Black 5, SulfurBlackT, and carbon black can be applied.

또한, 상기 반도체용 접착 필름은 상기 열경화성 수지 및 열가소성 수지의 총 합 100 중량부를 기준으로 10 내지 90 중량부의 유기 용매를 포함한 접착제 조성물로부터 제조될 수 있다. 상기 유기 용매의 함량은 상기 접착제 조성물 및 최종적으로 제조되는 접착 필름의 물성이나 제조 공정을 고려하여 결정될 수 있다.In addition, the adhesive film for semiconductors may be prepared from an adhesive composition including 10 to 90 parts by weight of an organic solvent based on 100 parts by weight of the total of the thermosetting resin and the thermoplastic resin. The content of the organic solvent may be determined in consideration of the physical properties or manufacturing process of the adhesive composition and the finally produced adhesive film.

상기 유기 용매는 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 및 설폭사이드류로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상의 화합물일 수 있다.The organic solvent may be one or more compounds selected from the group consisting of esters, ethers, ketones, aromatic hydrocarbons, and sulfoxides.

상기 에스터류 용매는 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 감마-뷰티로락톤, 엡실론-카프로락톤, 델타-발레로락톤, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등일 수 있다.The ester solvents are ethyl acetate, acetic acid-n-butyl, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate , Gamma-butyrolactone, epsilon-caprolactone, delta-valerolactone, alkyl oxyacetate (e.g. methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, butyl oxyacetate (e.g. methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, Butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.), 3-oxypropionic acid alkyl esters (e.g., 3-oxypropionate methyl, 3-oxypropionate ethyl, etc.) (e.g., 3-methoxypropionic acid Methyl, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, etc.), 2-oxypropionate alkyl esters (e.g., 2-oxypropionate methyl, 2-oxypropionate ethyl, 2- Oxypropionate propyl, etc. (e.g., 2-methoxypropionate methyl, 2-methoxypropionate ethyl, 2-methoxypropionate propyl, 2-ethoxypropionate methyl, 2-ethoxypropionate ethyl)), 2-oxy- 2-methylpropionate and 2-oxy-2-methylpropionate ethyl (e.g., 2-methoxy-2-methylpropionate methyl, 2-ethoxy-2-methylpropionate ethyl, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, Propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, and the like.

상기 에터류 용매는 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등일 수 있다.The ether solvents include diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, di Ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol Lycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and the like.

상기 케톤류 용매는 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등일 수 있다.The ketone solvent may be methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone, or the like.

상기 방향족 탄화수소류 용매는 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등일 수 있다.The aromatic hydrocarbon solvent may be toluene, xylene, anisole, limonene, or the like.

상기 설폭사이드류 용매는 다이메틸설폭사이드 등일 수 있다.The sulfoxide solvent may be dimethyl sulfoxide or the like.

이 밖에도, 상기 반도체용 접착 필름은 커플링제를 포함할 수 있다. 상기 커플링제의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 2-(3,4 에폭시사이클로헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸-디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필-트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필-트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡실리-N-(1,3 디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등이 바람직하게 적용될 수 있다.In addition, the adhesive film for semiconductors may contain a coupling agent. The type of the coupling agent is not particularly limited, but preferably 2-(3,4 epoxycyclohexyl)-ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 3-glycidoxypropylmethyl- Dietoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, N-2(aminoethyl)3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2(aminoethyl)3-aminopropyl-trimethoxysilane, N- 2(aminoethyl)3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyl-trimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxyly-N-(1,3 dimethyl-butyli Den)propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane containing mercapto, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, and the like can be preferably applied.

상기 반도체용 접착 필름은 상술한 접착 필름의 구성 성분들을 혼합한 후, 이를 이형 필름 상에 소정의 두께로 코팅하여 접착층을 형성하고, 상기 접착층을 건조하는 방법으로 제조될 수 있다.The semiconductor adhesive film may be prepared by mixing the constituents of the above-described adhesive film and then coating it on a release film to a predetermined thickness to form an adhesive layer, and drying the adhesive layer.

상기 접착 필름의 구성 성분들에 관한 내용은 상술한 바와 같다.The contents of the components of the adhesive film are as described above.

상기 접착 필름에 포함되는 이형 필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 이 분야에 공지된 플라스틱 필름이 적용될 수 있다.The type of the release film included in the adhesive film is not particularly limited, and a plastic film known in this field may be applied.

예를 들어, 상기 이형 필름은 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리부텐, 스틸렌의 공중합체 등의 수지를 포함하는 플라스틱 필름일 수 있다.For example, the release film is low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer of polypropylene, block copolymer of polypropylene, homopolypropylene, polymethylpentene, Including resins such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ethylene-ionomer copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polybutene, and styrene copolymer It may be a plastic film.

그리고, 상기 이형 필름 상에 접착층을 형성하는 방법은, 상기 접착 필름을 그대로 혹은 적절한 유기 용매에 희석하여 콤마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등 공지의 수단으로 상기 이형 필름 상에 도포한 후, 60 ℃ 내지 200 ℃의 온도에서 10 초 내지 30 분 동안 건조시키는 방법이 이용될 수 있다.In addition, the method of forming an adhesive layer on the release film includes applying the adhesive film as it is or diluting it in an appropriate organic solvent and applying it on the release film by known means such as a comma coater, gravure coater, die coater, and reverse coater. , A method of drying for 10 seconds to 30 minutes at a temperature of 60° C. to 200° C. may be used.

그리고, 필요에 따라, 상기 접착층의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징 공정이 추가적으로 수행될 수 있다.And, if necessary, an aging process for proceeding a sufficient crosslinking reaction of the adhesive layer may be additionally performed.

상기 접착층의 두께는 1 내지 500 ㎛, 혹은 5 내지 250 ㎛, 혹은 5 내지 200 ㎛의 범위에서 적절히 조절될 수 있다.The thickness of the adhesive layer may be appropriately adjusted in the range of 1 to 500 µm, or 5 to 250 µm, or 5 to 200 µm.

본 발명의 반도체용 접착 필름은 예비 경화(pre-cure)시 보이드의 제거가 용이하여 우수한 매립 특성을 나타냄으로써, 높은 신뢰성을 갖는 반도체 장치의 제공을 가능하게 한다.The adhesive film for semiconductors of the present invention can easily remove voids during pre-cure and exhibit excellent buried properties, thereby making it possible to provide a semiconductor device having high reliability.

도 1은 제조예 1에 따른 아크릴레이트계 수지에 대한 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
도 2는 비교 제조예 1에 따른 아크릴레이트계 수지에 대한 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정 결과를 나타낸 그래프이다.1 is a graph showing the result of gel permeation chromatography (GPC) measurement of an acrylate-based resin according to Preparation Example 1.
2 is a graph showing the results of gel permeation chromatography (GPC) measurement of an acrylate-based resin according to Comparative Preparation Example 1.

이하, 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments are presented to aid in understanding the invention. However, the following examples are for illustrative purposes only, and the invention is not limited thereto.

제조예 1Manufacturing Example 1

(열가소성 수지의 제조)(Production of thermoplastic resin)

톨루엔 100 g에 부틸 아크릴레이트 40 g, 에틸 아크릴레이트 26 g, 아크릴로니트릴 25 g, 메틸 메타크릴레이트 5g, 글리시딜 메타크릴레이트 10 g, 열개시제 Azobisisobutyronitrile (AIBN) 0.1g을 혼합하여 100 ℃에서 약 12 시간 동안 반응시켜, 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 아크릴레이트계 수지 (700,000 g/mol의 중량평균분자량, 5.3의 분자량 분포(Mw/Mn) 및 15 ℃의 유리전이온도)를 제조하였다. 제조된 아크릴레이트계 수지에 대한 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정 결과를 도 1에 나타내었다.100 g of toluene was mixed with 40 g of butyl acrylate, 26 g of ethyl acrylate, 25 g of acrylonitrile, 5 g of methyl methacrylate, 10 g of glycidyl methacrylate, and 0.1 g of the thermal initiator Azobisisobutyronitrile (AIBN) at 100° C. Reacted at for about 12 hours to prepare an acrylate resin (700,000 g/mol of weight average molecular weight, 5.3 molecular weight distribution (Mw/Mn) and 15° C. glass transition temperature) into which a glycidyl group was introduced into a branched chain I did. The gel permeation chromatography (GPC) measurement results of the prepared acrylate-based resin are shown in FIG. 1.

제조예 2Manufacturing Example 2

(열가소성 수지의 제조)(Production of thermoplastic resin)

상기 반응을 90 ℃에서 12 시간 동안 수행한 것을 제외하고, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 아크릴레이트계 수지(600,000 g/mol의 중량평균분자량, 4.5의 분자량 분포(Mw/Mn), 14 ℃의 유리전이온도)를 제조하였다.In the same manner as in Preparation Example 1, except that the reaction was carried out at 90° C. for 12 hours, an acrylate resin (600,000 g/mol of weight average molecular weight, molecular weight distribution of 4.5 (Mw/Mn), 14° C. Glass transition temperature) was prepared.

제조예 3Manufacturing Example 3

(열가소성 수지의 제조)(Production of thermoplastic resin)

상기 반응을 110 ℃에서 12 시간 동안 수행한 것을 제외하고, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 아크릴레이트계 수지(800,000 g/mol의 중량평균분자량, 4.1의 분자량 분포(Mw/Mn), 17 ℃의 유리전이온도)를 제조하였다.In the same manner as in Preparation Example 1, except that the reaction was carried out at 110° C. for 12 hours, an acrylate resin (800,000 g/mol of weight average molecular weight, molecular weight distribution of 4.1 (Mw/Mn), 17° C. Glass transition temperature) was prepared.

비교 제조예 1Comparative Preparation Example 1

(열가소성 수지의 제조)(Production of thermoplastic resin)

상기 반응을 110 ℃에서 6 시간 동안 수행한 것을 제외하고, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 아크릴레이트계 수지(700,000 g/mol의 중량평균분자량, 9.9의 분자량 분포(Mw/Mn), 13 ℃의 유리전이온도)를 제조하였다. 제조된 아크릴레이트계 수지에 대한 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정 결과를 도 2에 나타내었다.In the same manner as in Preparation Example 1, except that the reaction was carried out at 110° C. for 6 hours, an acrylate resin (700,000 g/mol of weight average molecular weight, molecular weight distribution of 9.9 (Mw/Mn), 13° C. Glass transition temperature) was prepared. The gel permeation chromatography (GPC) measurement results of the prepared acrylate-based resin are shown in FIG. 2.

비교 제조예 2Comparative Preparation Example 2

(열가소성 수지의 제조)(Production of thermoplastic resin)

상기 열개시제(AIBN)를 1.0 g으로 첨가한 것을 제외하고, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 아크릴레이트계 수지(100,000 g/mol의 중량평균분자량, 4.6의 분자량 분포(Mw/Mn), 8 ℃의 유리전이온도)를 제조하였다.In the same manner as in Preparation Example 1, except that 1.0 g of the thermal initiator (AIBN) was added, an acrylate resin (a weight average molecular weight of 100,000 g/mol, a molecular weight distribution of 4.6 (Mw/Mn), 8° C.) The glass transition temperature of) was prepared.

비교 제조예 3Comparative Preparation Example 3

(열가소성 수지의 제조)(Production of thermoplastic resin)

상기 열개시제(AIBN)를 0.05 g으로 첨가한 것을 제외하고, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 아크릴레이트계 수지(1,200,000 g/mol의 중량평균분자량, 5.3의 분자량 분포(Mw/Mn), 17 ℃의 유리전이온도)를 제조하였다.In the same manner as in Preparation Example 1, except that the thermal initiator (AIBN) was added in an amount of 0.05 g, an acrylate resin (a weight average molecular weight of 1,200,000 g/mol, a molecular weight distribution of 5.3 (Mw/Mn), 17° C. The glass transition temperature of) was prepared.

실시예 1Example 1

(1) 접착 필름용 수지 조성물 용액의 제조(1) Preparation of resin composition solution for adhesive film

: 에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 KH-6021(DIC사 제품, 비스페놀A 노볼락 수지, 수산기 당량 121 g/eq, 연화점: 133 ℃) 50g, 액상 에폭시 수지 RE-310S(일본 화약 제품, 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 g/eq, 점도[25℃]: 15,000 mPa·s) 30g, 고상 에폭시 수지 EOCN-104S(일본 화약 제품, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 214 g/eq, 연화점: 92 ℃) 30g, 상기 제조예 1에서 얻어진 열가소성 아크릴레이트계 수지 40g, 실란 커플링제(KBM-403, 센에츠 화학, 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란) 1g, 경화 촉매 2PZ(시코쿠 화성, 2-페닐 이미다졸) 0.2g, 및 충진제 SC-2050(아드마텍, 구상 실리카, 평균 입경 약 400㎚) 90g을 메틸 에틸 케톤 용매에 혼합하여 접착 필름용 수지 조성물 용액(고형분 농도 40 중량%)을 얻었다.: Phenol resin KH-6021, a curing agent for epoxy resin (manufactured by DIC, bisphenol A novolac resin, hydroxyl equivalent 121 g/eq, softening point: 133 ℃) 50g, liquid epoxy resin RE-310S (made by Japanese explosives, bisphenol A epoxy Resin, epoxy equivalent 180 g/eq, viscosity [25°C]: 15,000 mPa·s) 30 g, solid epoxy resin EOCN-104S (made by Japanese explosives, cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 214 g/eq, softening point: 92 ℃) 30g, 40g of the thermoplastic acrylate resin obtained in Preparation Example 1, silane coupling agent (KBM-403, Sen-Etsu Chemical, gamma-glycidoxypropyltrimethoxysilane) 1g, curing catalyst 2PZ (Shikoku Chemical, 2 -Phenyl imidazole) 0.2 g, and filler SC-2050 (Admatech, spherical silica, average particle diameter of about 400 nm) 90 g were mixed in a methyl ethyl ketone solvent to obtain a resin composition solution (solid content concentration 40% by weight) for an adhesive film .

(2) 반도체용 접착 필름의 제조(2) Preparation of adhesive film for semiconductor

: 제조된 상기 접착 필름용 수지 조성물 용액을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 상에 도포한 후 110℃에서 3분간 건조하여 반도체용 접착 필름을 얻었다.: The prepared resin composition solution for an adhesive film was applied on a release-treated polyethylene terephthalate film (38 μm in thickness) and dried at 110° C. for 3 minutes to obtain an adhesive film for semiconductors.

상기 반도체용 접착 필름은 각각 10㎛의 두께(제 1 반도체 소자 접착용 필름) 및 110㎛의 두께(제 2 반도체 소자 접착 및 제 1 반도체 소자 매립용 필름)로 제조되었다.The adhesive film for semiconductors was prepared in a thickness of 10 μm (first semiconductor device bonding film) and 110 μm in thickness (second semiconductor device bonding and first semiconductor device buried film), respectively.

(3) 반도체 장치의 제조(3) Manufacturing of semiconductor devices

: 70℃의 온도 하에서 한 변이 3 mm인 정사각형의 제 1 반도체 소자(두께 50㎛)의 일 면에 상기 두께 10㎛의 반도체용 접착 필름을 부착하였다. 상기 제 1 반도체 소자를 상기 접착 필름을 매개로 BGA 기판에 접착하였다. 이때 접착은 125℃의 온도 하에서 1 kgf의 압력으로 1 초 동안 가압하는 방법으로 수행되었다. 제 1 반도체 소자가 접착된 BGA 기판을 건조기로 125℃의 온도 하에서 1 시간 동안 열 처리하여 상기 접착 필름을 열경화시켰다. 이어서, 150℃의 온도 하에서 와이어 본더((주)신가와, 상품명 UTC-1000)를 이용하여 지름 23㎛ 와이어를 100㎛ 피치로 제 1 반도체 소자 상에 와이어 본딩을 수행하였다.: The adhesive film for semiconductors having a thickness of 10 μm was attached to one side of a square first semiconductor device (50 μm in thickness) having a side of 3 mm at a temperature of 70°C. The first semiconductor device was adhered to the BGA substrate via the adhesive film. At this time, adhesion was performed by pressing for 1 second at a pressure of 1 kgf at a temperature of 125°C. The BGA substrate to which the first semiconductor device was adhered was subjected to heat treatment for 1 hour at a temperature of 125° C. with a dryer to heat cure the adhesive film. Subsequently, wire bonding was performed on the first semiconductor device with a diameter of 23 μm wire at a pitch of 100 μm using a wire bonder (Shingawa Co., Ltd., trade name UTC-1000) at a temperature of 150°C.

이와 별도로, 70℃의 조건 하에서, 한 변이 10 mm인 정사각형의 제 2 반도체 소자(두께 80 ㎛)의 일 면에 상기 두께 110㎛의 반도체용 접착 필름을 부착하였다. 상기 제 2 반도체 소자를 상기 접착 필름을 매개로 상기 BGA 기판 상의 상기 제 1 반도체 소자가 매립되도록 접착하였다. 즉, 상기 접착에 의해 상기 제 2 반도체 소자와 상기 BGA 기판 사이에 상기 제 1 반도체 소자가 매립되도록 하였다. 이때 접착은 110℃의 온도 하에서 2 kgf의 압력으로 1 초 동안 가압하는 방법으로 수행되었다.Separately, under the condition of 70°C, the adhesive film for semiconductors having a thickness of 110 μm was attached to one side of a square second semiconductor device (80 μm in thickness) having a side of 10 mm. The second semiconductor device was adhered through the adhesive film so that the first semiconductor device on the BGA substrate was buried. That is, the first semiconductor device is buried between the second semiconductor device and the BGA substrate by the adhesion. At this time, adhesion was performed by pressing for 1 second at a pressure of 2 kgf under a temperature of 110°C.

실시예 2 내지 5 및 비교예 1 내지 3Examples 2 to 5 and Comparative Examples 1 to 3

상기 접착 필름용 수지 조성물 용액의 제조에 하기 표 1 및 표 2에 기재된 성분 및 함량을 적용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 2 내지 5 및 비교예 1 내지 3의 접착 필름용 수지 조성물 용액(고형분 농도 40 중량%) 및 반도체용 접착 필름(두께 110㎛)을 각각 제조하였다.For the adhesive film of Examples 2 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 in the same manner as in Example 1, except for applying the components and contents shown in Tables 1 and 2 to the preparation of the resin composition solution for the adhesive film A resin composition solution (solid content concentration of 40% by weight) and an adhesive film for semiconductors (thickness of 110 μm) were prepared, respectively.

그리고, 상기 실시예 1의 접착 필름 대신 각 실시예 및 비교예에 따른 접착 필름을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 장치를 제조하였다.In addition, a semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the adhesive film according to each Example and Comparative Example was used instead of the adhesive film of Example 1.

중량 (g)Weight (g) 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 페놀
수지phenol
Suzy KH-6021KH-6021 5050 5050 5050 -- -- KA-1160KA-1160 -- -- -- 5050 -- GPH-65GPH-65 -- -- -- -- 5050 에폭시
수지Epoxy
Suzy RE-310SRE-310S 3030 3030 3030 3030 3030 EOCN-104SEOCN-104S 3030 3030 3030 -- -- HP-7200HP-7200 -- -- -- -- 3030 NC-3000NC-3000 -- -- -- 3030 -- 아크릴 수지Acrylic resin 제조예 1Manufacturing Example 1 4040 -- -- 3030 7070 제조예 2Manufacturing Example 2 -- 4040 -- -- -- 제조예 3Manufacturing Example 3 -- -- 4040 -- -- 비교 제조예 1Comparative Preparation Example 1 -- -- -- -- -- 비교 제조예 2Comparative Preparation Example 2 -- -- -- -- -- 비교 제조예 3Comparative Preparation Example 3 -- -- -- -- -- 경화 촉매Curing catalyst 2PZ2PZ 0.20.2 0.20.2 0.20.2 0.20.2 0.20.2 커플링제Coupling agent KBM-403KBM-403 1One 1One 1One 1One 1One 충전재filling SC-2050SC-2050 9090 9090 9090 9090 9090

중량 (g)Weight (g) 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 페놀
수지phenol
Suzy KH-6021KH-6021 5050 5050 5050 KA-1160KA-1160 -- -- -- GPH-65GPH-65 -- -- -- 에폭시
수지Epoxy
Suzy RE-310SRE-310S 3030 3030 3030 EOCN-104SEOCN-104S 3030 3030 3030 HP-7200HP-7200 -- -- -- NC-3000NC-3000 -- -- -- 아크릴 수지Acrylic resin 제조예 1Manufacturing Example 1 -- -- -- 제조예 2Manufacturing Example 2 -- -- -- 제조예 3Manufacturing Example 3 -- -- -- 비교 제조예 1Comparative Preparation Example 1 4040 -- -- 비교 제조예 2Comparative Preparation Example 2 -- 4040 -- 비교 제조예 3Comparative Preparation Example 3 -- -- 4040 경화 촉매Curing catalyst 2PZ2PZ 0.20.2 0.20.2 0.20.2 커플링제Coupling agent KBM-403KBM-403 1One 1One 1One 충전재filling SC-2050SC-2050 9090 9090 9090

*KH-6021: 페놀 수지 (DIC, 수산기 당량: 121 g/eq, 연화점 133 ℃)*KH-6021: Phenol resin (DIC, hydroxyl equivalent: 121 g/eq, softening point 133 ℃)

**KA-1160: 페놀 수지 (DIC, 수산기 당량: 117 g/eq, 연화점 86 ℃)**KA-1160: Phenol resin (DIC, hydroxyl equivalent: 117 g/eq, softening point 86 ℃)

*GPH-65: 페놀 수지 (일본화약, 수산기 당량 198 g/eq, 연화점: 65 ℃)*GPH-65: Phenol resin (Japanese explosives, hydroxyl equivalent weight 198 g/eq, softening point: 65 ℃)

*RE-310S: 에폭시 수지 (일본화약, 에폭시 당량 180 g/eq)*RE-310S: Epoxy resin (Japanese powder, epoxy equivalent 180 g/eq)

*EOCN-104S: 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 (일본 화약 제품, 에폭시 당량 214 g/eq, 연화점: 92 ℃)*EOCN-104S: Cresol novolac type epoxy resin (made by Japanese explosives, epoxy equivalent 214 g/eq, softening point: 92 ℃)

*HP-7200: 에폭시 수지 (DIC, 에폭시 당량 257 g/eq, 연화점: 61℃)*HP-7200: Epoxy resin (DIC, epoxy equivalent 257 g/eq, softening point: 61℃)

*NC-3000: 에폭시 수지 (일본화약, 에폭시 당량 265~285 g/eq, 연화점: 53~65℃)*NC-3000: Epoxy resin (Japanese powder, epoxy equivalent 265~285 g/eq, softening point: 53~65℃)

*2PZ: 이미다졸 경화 촉진제 (Curezol2PZ, SHIKOKU)*2PZ: Imidazole hardening accelerator (Curezol2PZ, SHIKOKU)

*KBM-403: 커플링제 (에폭시계, 3-glycidoxypropyl trimethoxysilane, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)*KBM-403: Coupling agent (epoxy clock, 3-glycidoxypropyl trimethoxysilane, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

*SC-2050: 충전재 (아드마텍, 구상 실리카, 평균 입경 약 400㎚)*SC-2050: filler (Admatech, spherical silica, average particle diameter of about 400nm)

시험예Test example

(1) 용융 점도 측정(1) Melt viscosity measurement

: 실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 접착 필름을 두께 660㎛가 될 때까지 중첩하여 적층한 후 60℃의 롤 라미네이터를 이용하여 라미네이트하였다. 이후, 각 시편을 지름 8 ㎜의 원형으로 성형한 이후, TA사의 advanced rheometric expansion system(ARES)를 이용하여 5% 스트레인, 1Hz의 주파수 및 5℃/분의 승온 속도를 적용하여 120℃의 온도에서의 용융 점도(Pa·s)를 측정하였다.: The adhesive films obtained in Examples and Comparative Examples were laminated by overlapping until the thickness became 660 μm, and then laminated using a roll laminator at 60°C. Thereafter, each specimen was molded into a circular shape with a diameter of 8 mm, and then 5% strain, a frequency of 1 Hz, and a heating rate of 5°C/min were applied using TA’s advanced rheometric expansion system (ARES) at a temperature of 120°C. The melt viscosity (Pa·s) of was measured.

(2) 경화도 측정(2) Hardness measurement

: 실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 접착 필름을 온도 140℃의 오븐 하에서 30 분 동안 경화한 후 시차주사열량계(DSC)로 반응열을 측정하였다. 그리고, 경화 전의 DSC 반응열과의 %비율을 100%에서 빼는 방법으로 경화도를 측정하였다.: The adhesive films obtained in Examples and Comparative Examples were cured in an oven at a temperature of 140° C. for 30 minutes, and then the heat of reaction was measured with a differential scanning calorimeter (DSC). Then, the degree of curing was measured by subtracting the% ratio with the heat of DSC reaction before curing from 100%.

(3) 소자 몰딩 특성 평가(3) Evaluation of device molding characteristics

: 실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치(제 2 반도체 소자와 BGA 기판 사이에 제 1 반도체 소자가 매립된 반도체 장치)를 가압 건조기(140℃ 및 7 기압)에서 30 분 동안 열 처리하여 접착 필름을 경화시켰다.: The semiconductor device (semiconductor device in which the first semiconductor device is embedded between the second semiconductor device and the BGA substrate) obtained in Examples and Comparative Examples is heat treated in a pressure dryer (140° C. and 7 atm) for 30 minutes to obtain an adhesive film Cured.

이어서 상기 반도체 장치를 수직으로 절단하고, 그 절단면을 광학 현미경(200 배율)을 이용하여 관찰하였다. 그 관찰 결과, 제 1 반도체 소자의 주변에 보이드 없이 매립된 경우 소자 몰딩 특성 양호("O"), 그리고 보이드가 관찰된 경우 소자 몰딩 특성 불량("X")으로 평가하였다.Subsequently, the semiconductor device was cut vertically, and the cut surface was observed using an optical microscope (200 magnification). As a result of the observation, when the first semiconductor device was buried without voids, the device molding characteristics were evaluated as good ("O"), and when voids were observed, the device molding characteristics were evaluated as poor ("X").

(4) 본딩 와이어 몰딩 특성 평가(4) Bonding wire molding property evaluation

: 상기 (3) 소자 몰딩 특성 평가에서 제조한 반도체 장치를 X-ray inspection 설비를 이용하여 관찰함으로써 본딩 와이어의 데미지 여부를 판별하였다. 그 결과, 반도체 장치 내부의 본딩 와이어가 일정한 간격으로 서로 떨어져 있을 경우 와이어 몰딩 특성 양호("O"), 그리고 본딩 와이어가 서로 겹쳐서 쇼트가 발생한 부분이 있을 경우 와이어 몰딩 특성 불량("X")으로 평가하였다.: It was determined whether the bonding wire was damaged by observing the semiconductor device manufactured in the above (3) element molding characteristic evaluation using an X-ray inspection facility. As a result, if the bonding wires inside the semiconductor device are separated from each other at regular intervals, the wire molding characteristics are good ("O"), and if there is a short circuit due to the overlapping of the bonding wires, the wire molding characteristics are bad ("X"). Evaluated.

(5) 필렛 특성 평가(5) Evaluation of fillet properties

: 상기 (3) 소자 몰딩 특성 평가에서 제조한 반도체 장치를 제조한 후 제 2 반도체 소자의 주변으로 퍼져 나온 접착 조성물 중 가장 긴 길이를 측정하였다. 그 결과, 그 길이가 300 ㎛ 이하이면 필렛 특성 양호("O"), 그리고 그 길이가 300 ㎛ 초과이면 필렛 특성 불량("X")으로 평가하였다.: After manufacturing the semiconductor device manufactured in the above (3) evaluation of device molding characteristics, the longest length of the adhesive composition spreading around the second semiconductor device was measured. As a result, if the length was 300 μm or less, the fillet characteristics were evaluated as good (“O”), and if the length exceeded 300 μm, the fillet characteristics were evaluated as poor (“X”).

(6) 다이쉐어 특성 평가(6) Die-share characteristics evaluation

: 이산화막으로 코팅된 두께 500㎛의 웨이퍼인 제 1 시편(5mm X 5mm) 및 제 2 시편(10mm X 10mm)을 준비하였다. 70 ℃ 하에서 제 1 시편의 일면에 실시예 및 비교예에 따른 각각의 접착 필름을 라미네이션하였다. 제 2 시편 상에 제 1 시편의 상기 접착 필름이 닿도록 올려 놓고, 130 ℃의 핫 플레이트 위에서 2 kgf의 힘으로 2 초 동안 눌른 후, 125 ℃ 하에서 1 시간 동안 경화하였다.: A first specimen (5mm X 5mm) and a second specimen (10mm X 10mm) were prepared as wafers having a thickness of 500 μm coated with a dioxide film. Each of the adhesive films according to the Examples and Comparative Examples was laminated on one side of the first specimen at 70°C. The adhesive film of the first specimen was placed on the second specimen, pressed on a hot plate of 130 °C for 2 seconds with a force of 2 kgf, and then cured at 125 °C for 1 hour.

상기 방법으로 제조된 시편을 175 ℃ 하에서 2 시간 동안 경화한 후, 250 ℃ 하에서 DAGE 4000 DST Tester를 이용하여 상부칩(제 1 시편)의 다이쉐어 강도를 측정하였다. 그 결과, 다이쉐어 강도가 2 MPa 이상인 경우 다이쉐어 특성 양호("O"), 그리고 2 MPa 미만이면 다이쉐어 특성 불량("X")으로 평가하였다.After curing the specimen prepared by the above method at 175° C. for 2 hours, the die shear strength of the upper chip (first specimen) was measured at 250° C. using a DAGE 4000 DST Tester. As a result, if the die share strength was 2 MPa or more, the die share property was evaluated as good ("O"), and if it was less than 2 MPa, the die share property was evaluated as poor ("X").

(7) 신뢰성 평가(7) Reliability evaluation

: 상기 (3) 소자 몰딩 특성 평가에서 제조한 반도체 장치를 175 ℃ 하에서 2 시간 동안 추가로 경화하였다. 상기 반도체 장치를 85℃ 및 85%RH의 조건에서 48시간 노출한 후 IP reflow 과정을 3회 실시하였다. 그리고, 육안과 Scanning Acousitic Tomography(SAT)를 이용하여 반도체 기판과 접착 필름 간의 박리 정도를 관찰 및 측정하였다. 그 결과를 박리율(%)로 나타내었다.: The semiconductor device prepared in the above (3) evaluation of device molding characteristics was further cured at 175° C. for 2 hours. After exposing the semiconductor device at 85° C. and 85%RH for 48 hours, the IP reflow process was performed 3 times. And, the degree of peeling between the semiconductor substrate and the adhesive film was observed and measured using the naked eye and Scanning Acousitic Tomography (SAT). The result was expressed as a peel rate (%).

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 용융점도 (Pa.s)Melt viscosity (Pa.s) 4,0004,000 2,7002,700 5,4005,400 1,3001,300 12,40012,400 경화도 (%)Hardness (%) 5555 5252 6060 4545 4141 매립특성지수(M)Landfill characteristic index (M) 21.321.3 26.726.7 17.617.6 41.341.3 14.014.0 소자 몰딩Element molding OO OO OO OO OO 본딩 와이어 몰딩Bonding wire molding OO OO OO OO OO 필렛Fillet OO OO OO OO OO 다이쉐어Die share OO OO OO OO OO 박리율(%)Peel rate (%) 0.00.0 0.00.0 0.00.0 0.00.0 0.00.0

비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 용융점도 (Pa.s)Melt viscosity (Pa.s) 1,2001,200 350350 25,10025,100 경화도 (%)Hardness (%) 5454 4848 5050 매립특성지수(M)Landfill characteristic index (M) 39.339.3 77.277.2 8.98.9 소자 몰딩Element molding OO OO XX 본딩 와이어 몰딩Bonding wire molding OO OO XX 필렛Fillet OO XX OO 다이쉐어Die share XX XX OO 박리율(%)Peel rate (%) 5.05.0 7.07.0 75.075.0

상기 표 3 및 4를 참고하면, 실시예들에 따른 접착 필름은 제 1 반도체 소자를 보이드 없이 몰딩할 수 있고, 제 1 반도체 소자의 접속부 주변 몰딩 특성도 양호하게 구현될 수 있다는 점이 확인되었다.이에 반하여, 비교예 1의 접착 필름은 응집성이 부족하여 다이쉐어 강도가 불량하였다. 비교예 2의 접착 필름은 필렛 양이 많아 주변부를 오염시켰다. 그리고, 비교예 3의 접착 필름은 제 1 반도체 소자를 매립하는 성능이 열악하고 접속부 주변에 보이드가 남았으며, 고온 경화 및 흡습 이후 리플로우 과정에서 기판과의 박리 현상이 발생하였다.Referring to Tables 3 and 4, it was confirmed that the adhesive film according to the embodiments can mold the first semiconductor device without voids, and that the molding properties around the connection portions of the first semiconductor device can be well implemented. On the other hand, the adhesive film of Comparative Example 1 had poor cohesiveness and poor die-sharing strength. The adhesive film of Comparative Example 2 had a large amount of fillet and contaminated the periphery. In addition, the adhesive film of Comparative Example 3 had poor performance of embedding the first semiconductor device, and voids remained around the connection part, and peeling from the substrate occurred during the reflow process after high temperature curing and moisture absorption.

Claims (7)

450,000 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw) 및 2.8 내지 5.5의 분자량 분포(Mw/Mn)를 갖는 열가소성 수지, 열경화성 수지, 및 경화제를 포함하고;
하기 수학식 1을 충족하는, 반도체용 접착 필름:
[수학식 1]
10 ≤ M ≤ 300
상기 수학식 1에서, M은 하기 수학식 2로 표시되는 매립 특성 지수이고,
[수학식 2]
M = 1×104 / (V*R)0.5
상기 수학식 2에서,
V는 5% 스트레인, 1Hz의 주파수 및 5℃/분의 승온 속도의 조건하에서 측정한 상기 접착 필름이 갖는 120℃에서의 용융 점도(Pa·s)이고,
R은 140℃의 온도 하에서 30 분 동안의 경화 후 상기 접착 필름의 경화도(%)이다.
A thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a curing agent having a weight average molecular weight (Mw) of 450,000 to 1,000,000 g/mol and a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 2.8 to 5.5;
An adhesive film for a semiconductor satisfying the following Equation 1:
[Equation 1]
10 ≤ M ≤ 300
In Equation 1, M is a landfill property index represented by Equation 2 below,
[Equation 2]
M = 1×10 4 / (V*R) 0.5
In Equation 2,
V is the melt viscosity (Pa·s) at 120° C. of the adhesive film measured under the conditions of 5% strain, a frequency of 1 Hz, and a heating rate of 5° C./min,
R is the degree of curing (%) of the adhesive film after curing for 30 minutes at a temperature of 140°C.
 제 1 항에 있어서,
상기 열가소성 수지는 에폭시계 작용기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 0.1 내지 30 중량% 포함한 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함하는, 반도체용 접착 필름.
The method of claim 1,
The thermoplastic resin comprises a (meth) acrylate-based resin containing 0.1 to 30% by weight of a (meth) acrylate-based repeating unit having an epoxy-based functional group, an adhesive film for a semiconductor.
 제 1 항에 있어서,
상기 열경화성 수지는 20 내지 25℃의 온도 하에서 1 내지 20,000 mPa·s의 점도를 갖는 액상 에폭시 수지를 포함하고,
상기 경화제는 60 내지 150℃의 연화점을 갖는 노볼락계 페놀 수지를 포함하는,
반도체용 접착 필름.
The method of claim 1,
The thermosetting resin includes a liquid epoxy resin having a viscosity of 1 to 20,000 mPa·s under a temperature of 20 to 25°C,
The curing agent comprises a novolak-based phenol resin having a softening point of 60 to 150 ℃,
Adhesive film for semiconductors.
 제 1 항에 있어서,
상기 반도체용 접착 필름은 경화 촉매 및 무기 충전재를 더 포함하는, 반도체용 접착 필름.
The method of claim 1,
The semiconductor adhesive film further comprises a curing catalyst and an inorganic filler, an adhesive film for a semiconductor.
 제 4 항에 있어서,
상기 경화 촉매는 인계 화합물, 붕소계 화합물, 인-붕소계 화합물, 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는, 반도체용 접착 필름.
The method of claim 4,
The curing catalyst includes at least one compound selected from the group consisting of a phosphorus compound, a boron compound, a phosphorus-boron compound, and an imidazole compound.
 제 4 항에 있어서,
상기 무기 충전재는 알루미나, 실리카, 황산바륨, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 규산 마그네슘, 산화 마그네슘, 규산 칼슘, 탄산 칼슘, 산화 칼슘, 수산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 및 붕산 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는, 반도체용 접착 필름.
The method of claim 4,
The inorganic filler is at least one compound selected from the group consisting of alumina, silica, barium sulfate, magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium silicate, magnesium oxide, calcium silicate, calcium carbonate, calcium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and aluminum borate. Containing a semiconductor adhesive film.
 제 6 항에 있어서,
상기 무기 충전재는 실리카 및 탄산 마그네슘을 1: 0.001 내지 1: 1의 중량비로 포함하는, 반도체용 접착 필름.The method of claim 6,
The inorganic filler includes silica and magnesium carbonate in a weight ratio of 1: 0.001 to 1: 1. An adhesive film for a semiconductor.
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