KR102211543B1 - 성막 장치 - Google Patents

성막 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102211543B1
KR102211543B1 KR1020187028294A KR20187028294A KR102211543B1 KR 102211543 B1 KR102211543 B1 KR 102211543B1 KR 1020187028294 A KR1020187028294 A KR 1020187028294A KR 20187028294 A KR20187028294 A KR 20187028294A KR 102211543 B1 KR102211543 B1 KR 102211543B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pipe
gas
partition wall
film forming
forming apparatus
Prior art date
Application number
KR1020187028294A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180128919A (ko
Inventor
구니히코 스즈키
나오히사 이케야
게이스케 후카다
마사히코 이토
이사호 가마타
히데카즈 츠치다
히로아키 후지바야시
히데유키 우에히가시
마사미 나이토
가즈쿠니 하라
히로후미 아오키
다카히로 고자와
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
쇼와 덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지, 쇼와 덴코 가부시키가이샤 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20180128919A publication Critical patent/KR20180128919A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102211543B1 publication Critical patent/KR102211543B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/10—Mixing gases with gases
    • B01F23/19—Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams; Arrangements, e.g. comprising controlling means
    • B01F23/191—Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams; Arrangements, e.g. comprising controlling means characterised by the construction of the controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 가스가 돌아들어가는 것을 억제하고, 퇴적물의 부착에 기인하는 파티클의 발생을 억제하고, 형성되는 막의 결정 결함의 발생을 방지할 수 있는 성막 장치를 제공한다.
공급부(4)는, 제1 격벽(32)과, 제1 격벽의 하부에 소정 간격으로 설치되는 제2 격벽(401)과, 제2 격벽의 하부에 소정 간격으로 설치되는 제3 격벽(402)과, 제1 가스가 도입되는 제1 격벽과 제2 격벽 사이에 설치되는 제1 유로(431)와, 제2 가스가 도입되는 제2 격벽과 제3 격벽 사이에 설치되는 제2 유로(432)와, 제2 격벽으로부터 제3 격벽의 하방에 이르며, 제1 유로와 연통되는 제1 배관(411)과, 제1 배관을 둘러싸도록 설치되고, 제3 격벽으로부터 제3 격벽의 하방에 이르며, 제2 유로와 연통되는 제2 배관(421)과, 제1 배관의 외주면(411c) 또는 제2 배관의 내주면(421b)에 마련되며, 제1 배관의 외주면 및 제2 배관의 내주면의 한쪽으로부터 다른쪽을 향해 돌출된 볼록부를 구비한다.

Description

성막 장치
본 발명은, 성막 장치에 관한 것이다.
Si 원료 가스나 C 원료 가스를 기판의 상방으로부터 공급하여 SiC막을 에피택셜 성장시키는 성막 장치에 있어서, 반응실 내로의 도입 전에 Si 원료 가스와 C 원료 가스를 혼합시키면, 도입부나 벽면에서 반응하여 퇴적물이 부착되어, 파티클원이 된다는 문제가 있다.
그래서, 반응실 내에서 혼합되도록, Si 원료 가스나 C 원료 가스를 각각 분리한 복수의 배관으로부터 반응실에 공급하는 성막 장치가 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2015-5658호 공보
그러나, 상술한 구조에서는 분리한 배관으로부터 공급된 가스가 배관으로 다시 돌아들어가, 배관의 도입구에 퇴적물이 부착될 우려가 있다. 그래서, 본 발명자들은, 원료 가스의 공급관을 내측 파이프와 외측 파이프를 포함하는 이중관 구조로 하여, 내측 파이프로부터 Si 원료 가스, C 원료 가스를 공급하고, 내측 파이프와 외측 파이프 사이로부터 퍼지 가스를 공급함으로써, 가스가 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다는 것을 알아내었다.
SiC 등의 고온 프로세스에서는 배관이 설치되는 가스 공급부도 고온이 되기 때문에, 배관에 SiC로 코팅된 카본 등의 내열성이 높은 재료를 사용할 필요가 있다. 그러나, 이러한 이중관 구조로 하면, 열팽창에 의한 변형을 억제하기 위해, 어느 정도의 여유를 갖는 분리된 구조로 해야 한다. 그 때문에, 내측 파이프와 외측 파이프의 위치 정밀도를 유지하는 것이 곤란하다. 그리고, 위치가 어긋남으로써, 내측 파이프와 외측 파이프가 서로 근접하는 개소가 생기면, 이 개소로부터 퍼지 가스가 충분히 공급되지 않아, 퇴적물의 부착이 발생할 우려가 생긴다. 그리고, 각 파이프의 퇴적물이 파티클로서 기판 상에 낙하함으로써, 막질을 악화시켜버린다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 가스가 돌아들어가는 것을 억제하고, 퇴적물의 부착에 기인하는 파티클의 발생을 억제하고, 형성되는 막의 결정 결함의 발생을 방지할 수 있는 성막 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태인 성막 장치는, 기판 상에 반응을 행하는 반응실과, 반응실의 상방에 배치되며, 기판 상에 적어도 제1 가스 및 제2 가스를 공급하는 공급부를 구비하고, 공급부는, 제1 격벽과, 제1 격벽의 하부에 소정 간격으로 설치되는 제2 격벽과, 제2 격벽의 하부에 소정 간격으로 설치되는 제3 격벽과, 제1 가스가 도입되는 제1 격벽과 제2 격벽 사이에 설치되는 제1 유로와, 제2 가스가 도입되는 제2 격벽과 제3 격벽 사이에 설치되는 제2 유로와, 제2 격벽으로부터 제3 격벽의 하방에 이르며, 제1 유로와 연통되는 제1 배관과, 제1 배관을 둘러싸도록 설치되고, 제3 격벽으로부터 제3 격벽의 하방에 이르며, 제2 유로와 연통되는 제2 배관과, 제1 배관의 외주면 또는 제2 배관의 내주면에 마련되며, 제1 배관의 외주면 및 제2 배관의 내주면의 한쪽으로부터 다른쪽을 향해 돌출된 볼록부를 구비하는 것이다.
상술한 성막 장치에 있어서, 볼록부는 제1 배관의 외주면에 마련되며, 제2 배관의 내주면을 향해 돌출되어 있어도 된다.
상술한 성막 장치에 있어서, 볼록부는, 제1 배관 및 제2 배관의 하단보다 상방에 마련되어 있어도 된다.
상술한 성막 장치에 있어서, 볼록부는, 제1 배관의 중심축 방향으로 신연된 형상을 갖고 있어도 된다.
상술한 성막 장치에 있어서, 볼록부의 하단은 테이퍼를 갖고 있어도 된다.
상술한 성막 장치에 있어서, 볼록부의 직경 방향의 치수는, 열에 의한 제1 배관 및 제2 배관의 변형 후에 있어서 볼록부가 제2 배관의 내주면에 접촉하지 않는 치수여도 된다.
상술한 성막 장치에 있어서, 제1 배관의 하단은 제2 배관의 하단과 동일한 높이에 위치하고 있어도 된다.
상술한 성막 장치에 있어서, 볼록부는, 제1 배관의 외주면에 둘레 방향으로 등위상으로 3개 이상 마련되어 있어도 된다.
상술한 성막 장치에 있어서, 제1 배관은 하방을 향함에 따라 내경이 점증하는 테이퍼 형상의 하단부를 갖고, 제2 배관은 직선 형상을 갖고 있어도 된다.
상술한 성막 장치에 있어서, 제1 배관 및 제2 배관은 하방을 향함에 따라 내경이 점증하는 테이퍼 형상의 하단부를 갖고 있어도 된다.
본 발명에 따르면, 가스가 돌아들어가는 것을 억제하고, 퇴적물의 부착에 기인하는 파티클의 발생을 억제하고, 형성되는 막의 결정 결함의 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 의한 성막 장치를 도시하는 개략 단면도이다.
도 2의 A는, 제1 실시 형태에 의한 제1 내측 파이프의 단면도이며, 도 2의 B는, 도 2의 A의 제1 내측 파이프의 하면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 의한 제2 내측 파이프의 단면도이다.
도 4는 제2 실시 형태에 의한 이중관 구조의 파이프의 단면도이다.
도 5는 제3 실시 형태에 의한 이중관 구조의 파이프의 단면도이다.
도 6은 제4 실시 형태에 의한 성막 장치를 도시하는 개략 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 관한 실시 형태를 설명한다. 실시 형태는, 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
(제1 실시 형태)
도 1은, 제1 실시 형태에 의한 성막 장치(1)의 개략 단면도이다. 도 1의 성막 장치(1)는, 기판의 일례인 SiC 기판(2) 상에 성막 처리의 일례인 SiC막의 에피택셜 성장을 행하기 위해 사용할 수 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 성막 장치(1)는 성막실의 일례인 챔버(3)와, 공급부(4)를 구비한다. 또한, 성막 장치(1)는 회전부(51)와, 가스 배출부(6)를 구비한다.
챔버(3)는, SUS 등의 금속에 의해 중공으로 형성되어 있다. 챔버(3)는, 예를 들어 대략 원통 형상을 갖고 있다. 상압 또는 감압으로 유지된 챔버(3) 내에 있어서, SiC 기판(2) 상으로의 에피택셜 성장이 행해진다.
공급부(4)는, 챔버(3)의 상부에 배치되어 있다. 공급부(4)는, 챔버(3)의 외부로부터 챔버(3)의 내부에 원료 가스를 도입하고, 도입된 원료 가스를 공급부(4)의 D11 방향(이하, 하방이라 기재함)에 위치하는 SiC 기판(2) 상에 공급한다. 공급부(4)의 구체적인 구성은 후술한다.
회전부(51)는, 공급부(4)의 하부의 반응실(33) 내에 배치되어 있다. 회전부(51)는, 서셉터(51a)를 적재하여 회전한다. 서셉터(51a) 상에 SiC 기판(2)이 적재된다. 회전부(51)의 내부에 가열 기구(52)가 배치된다. 회전부(51)는 하방으로 연장되는 관 형상의 지지 축(51b)과 접속되며, 지지 축(51b)은 도시하지 않은 회전 기구에 연결되어 있다. 회전 기구에 의해, 회전부(51)를 통해 서셉터(51a)가 회전된다. 가열 기구(52)는, 예를 들어 저항 가열 히터 등으로 구성되어 있다. 가열 기구(52)는, 지지 축(51b)의 내부를 통과하는 도시하지 않은 배선에 접속되어 있다. 가열 기구(52)는 배선으로부터 급전됨으로써, SiC 기판(2)을 서셉터(51a)를 통해 그 이면으로부터 가열한다.
회전부(51)는, 서셉터(51a) 상에 적재된 SiC 기판(2)을 가열 기구(52)로 가열하면서 회전시킨다. 가열된 SiC 기판(2) 상에 공급된 원료 가스는, SiC 기판(2)의 표면 또는 그 근방에서 열분해 반응 및 수소 환원 반응한다. 이에 의해, SiC 기판(2) 상에 SiC막이 에피택셜 성장한다. 또한, SiC 기판(2)이 회전하고 있음으로써, SiC막의 성장 속도를 SiC 기판(2)의 면내에서 균일화할 수 있다. 이에 의해, SiC 기판(2)의 면내에서의 SiC막의 막 두께의 균일성(이하, 면내 균일성이라고도 함)을 향상시킬 수 있다.
가스 배출부(6)는, 서셉터(51a)보다 하방에서 예를 들어 챔버(3)의 측벽(31)에 설치되어 있다. 가스 배출부(6)는 반응 부생성물이나, SiC 기판(2)을 통과한 후의 미반응 가스 등을 배출한다. 또한, 가스 배출부(6)로부터 도시하지 않은 펌프로 진공 흡인을 행할 수 있으며, 챔버(3) 내의 분위기 압력을 적절히 조정할 수 있다.
(공급부(4))
이어서, 공급부(4)의 구체적인 구성예에 대하여 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 공급부(4)는 격벽의 일례인 챔버(3)의 상벽(32) 및 제1 내지 제4 가스 구획판(401 내지 404)과, 제1 배관의 일례인 제1, 제2 내측 파이프(411, 412)와, 제2 배관의 일례인 제1, 제2 외측 파이프(421, 422)를 갖는다. 고온의 반응 프로세스에 견딜 수 있도록, 이들은 예를 들어 SiC 코팅된 카본에 의해 형성되어 있다.
(가스 구획판(401 내지 404))
제1 내지 제4 가스 구획판(401 내지 404)은, 챔버(3)의 상벽(32)으로부터 하방으로 순차 소정의 간격으로 배치되어 있다. 그리고, 제1 내지 제4 가스 구획판(401 내지 404)과 챔버(3)의 상벽(32) 각각의 사이에 독립된 가스의 유로가 형성된다.
구체적으로는, 제1 격벽의 일례인 챔버(3)의 상벽(32)과, 제2 격벽의 일례인 제1 가스 구획판(401) 사이에는, 제1 유로의 일례인 제1 도입로(431)가 마련되어 있다. 제1 도입로(431)는, Si를 함유하는 Si계 원료 가스를 도입한다. 제1 도입로(431)의 상류단의 챔버(3)의 측벽(31)에는, 제1 도입로(431)에 연통된 제1 도입구(441)가 마련되어 있다. 제1 도입구(441)에는, 도시하지 않은 Si계 원료 가스의 가스원이 접속되어 있다. 또한, 도시하지 않은 플로 조정 기구에 의해, 가스원으로부터 제1 도입구(441)에 공급되는 Si계 원료 가스의 유량이 조정된다. Si계 원료 가스로서는, 예를 들어 실란계 가스로서 실란(SiH4)을 사용할 수 있을 뿐만 아니라, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4 등의 염소를 포함하는 가스를 사용할 수도 있다. 또한, Si계 원료 가스로서 실란에 HCl을 첨가한 가스를 사용해도 된다.
또한, 제1 가스 구획판(401)과, 제3 격벽의 일례인 제2 가스 구획판(402) 사이에는, 제2 유로의 일례인 제2 도입로(432)가 마련되어 있다. 제2 도입로(432)는, 챔버(3) 내에 원료 가스의 혼합 억제용의 퍼지 가스를 도입한다. 제2 도입로(432)의 상류단의 챔버(3)의 측벽(31)에는, 제2 도입로(432)에 연통된 제2 도구(442)가 마련되어 있다. 제2 도입구(442)에는, 도시하지 않은 퍼지 가스의 가스원이 접속되어 있다. 또한, 도시하지 않은 플로 조정 기구에 의해, 가스원으로부터 제2 도입구(442)에 공급되는 퍼지 가스의 유량이 조정된다. 퍼지 가스로서는, 예를 들어 H2 이외에 Ar, He 등의 불활성 가스, 즉 희가스를 사용할 수도 있다.
또한, 제1 격벽의 일례이기도 한 제2 가스 구획판(402)과, 제2 격벽의 일례인 제3 가스 구획판(403) 사이에는, 제1 유로의 일례인 제3 도입로(433)가 배치되어 있다. 제3 도입로(433)는, 챔버(3) 내에 C계 원료 가스를 도입한다. 제3 도입로(433)의 상류단의 챔버(3)의 측벽(31)에는, 제3 도입로(433)에 연통된 제3 도입구(443)가 마련되어 있다. 제3 도입구(443)에는, 도시하지 않은 C계 원료 가스의 가스원이 접속되어 있다. 또한, 도시하지 않은 플로 조정 기구에 의해, 가스원으로부터 제3 도입구(443)에 공급되는 C계 원료 가스의 유량이 조정된다. C계 원료 가스로서는, 예를 들어 프로판(C3H8) 등을 사용할 수 있다.
또한, 제3 가스 구획판(403)과, 제3 격벽의 일례인 제4 가스 구획판(404) 사이에는, 제2 유로의 일례인 제4 도입로(434)가 배치되어 있다. 제4 도입로(434)는, 챔버(3) 내에 원료 가스의 혼합 억제용의 퍼지 가스를 도입한다. 제4 도입로(434)의 상류단의 챔버(3)의 측벽(31)에는, 제4 도입로(434)에 연통된 제4 도입구(444)가 배치되어 있다. 제4 도입구(444)에는, 도시하지 않은 퍼지 가스의 가스원이 접속되어 있다. 또한, 도시하지 않은 플로 조정 기구에 의해, 가스원으로부터 제4 도입구(444)에 공급되는 퍼지 가스의 유량이 조정된다.
또한, 제2 도입로(432) 및 제4 도입로(434)는, 퍼지 가스 이외에 SiC막의 도전형을 제어하기 위한 불순물 도핑 가스를 도입해도 된다. SiC막의 도전형을 n형으로 할 경우에는, 불순물 도핑 가스로서 예를 들어 N2를 사용할 수 있다. SiC막의 도전형을 p형으로 할 경우에는, 불순물 도핑 가스로서 예를 들어 TMA(트리메틸알루미늄)를 사용할 수 있다.
(파이프(411, 412, 421, 422))
제1 내측 파이프(411)는, D1 방향(이하, 연직 방향이라 기재함)으로 연장되는 대략 원통 형상을 갖고 있다. 제1 내측 파이프(411)는, 제1 도입로(431)와 제1 도입로(431)의 하방(D11)의 제2 도입로(432)를 구획하는 제1 가스 구획판(401)에 배치되어 있다. 제1 내측 파이프(411)는 제1 도입로(431)와 연통하여, 제1 가스 구획판(401)으로부터 제4 가스 구획판(404)의 하방에 이른다. 구체적으로는, 제1 내측 파이프(411)의 상단에는, 원환 형상의 플랜지(411a)가 설치되어 있다. 또한, 제1 내측 파이프(411)에 대응하는 제1 내지 제4 가스 구획판(401 내지 404)에는, 관통 구멍(401a 내지 404a)이 마련되어 있다. 제1 내측 파이프(411)는, D12 방향(이하, 상방이라 기재함)으로부터 관통 구멍(401a)의 내주연부에 플랜지(411a)를 맞닿게 한 상태에서 제1 가스 구획판(401)으로부터 관통 구멍(402a 내지 404a)을 통과하고, 제2 도입로(432), 제2 가스 구획판(402), 제3 도입로(403), 제3 가스 구획판(403), 제4 도입로(434)를 관통하여, 제4 가스 구획판(404)의 하방에 이르고 있다.
제1 외측 파이프(421)는, 연직 방향으로 연장되는 대략 원통 형상을 갖고 있다. 제1 외측 파이프(421)는, 제1 내측 파이프(411)보다도 짧다. 또한, 제1 외측 파이프(421)의 내경은, 제1 내측 파이프(411)의 외경보다도 크다. 제1 외측 파이프(421)는 제1 내측 파이프(411)를 둘러싸도록, 제2 도입로(432)와 제3 도입로(433)를 구획하는 제2 가스 구획판(402)에 배치되어 있다. 제1 외측 파이프(421)는 제2 도입로(432)와 연통하여, 제2 가스 구획판(402)으로부터 제4 가스 구획판(404)의 하방에 이른다. 구체적으로는, 제1 외측 파이프(421)의 상단에는, 원환 형상의 플랜지(421a)가 설치되어 있다. 제1 외측 파이프(421)는, 상방으로부터 관통 구멍(402a)의 내주연부에 플랜지(421a)를 맞닿게 한 상태에서 제2 가스 구획판(402)으로부터 관통 구멍(403a, 404a)을 통과하고, 제3 도입로(433), 제3 구획판(403), 제4 도입로(434)를 관통하여, 제4 가스 구획판(404)의 하방에 이르고 있다. 제1 외측 파이프(421)의 하단은, 제1 내측 파이프(411)의 하단과 동일한 높이에 위치하고 있다.
이와 같은 구성에 의해, 제1 내측 파이프(411)로부터 하방에 공급되는 Si계 원료 가스를, 제1 외측 파이프(421)와 제1 내측 파이프(411) 사이에서 하방에 공급되는 퍼지 가스로 주위로부터 실드할 수 있다. 이에 의해, Si계 원료 가스가 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다.
제2 내측 파이프(412)는, 연직 방향으로 연장되는 대략 원통 형상을 갖고 있다. 제2 내측 파이프(412)는, 제1 외측 파이프(421)보다도 짧다. 제2 내측 파이프(412)는, 제3 도입로(433)와 제3 도입로(433)의 하방의 제4 도입로(434)를 구획하는 제3 가스 구획판(403)에 배치되어 있다. 제2 내측 파이프(412)는 제3 도입로(433)와 연통하여, 제3 가스 구획판(403)으로부터 제4 가스 구획판(404)의 하방에 이른다. 구체적으로는, 제2 내측 파이프(412)의 상단에는, 원환 형상의 플랜지(412a)가 설치되어 있다. 또한, 제2 내측 파이프(412)에 대응하는 제3, 제4 가스 구획판(403, 404)에는, 관통 구멍(403b, 404b)이 마련되어 있다. 제2 내측 파이프(412)는, 상방으로부터 관통 구멍(403b)의 내주연부에 플랜지(412a)를 맞닿게 한 상태에서 제3 가스 구획판(403)으로부터 관통 구멍(404b)을 통과하고, 제4 도입로(434)를 관통하여, 제4 가스 구획판(404)의 하방에 이르고 있다. 제2 내측 파이프(412)의 하단은, 제1 내측 파이프(411)의 하단과 동일한 높이에 위치하고 있다.
제2 외측 파이프(422)는, 연직 방향으로 연장되는 대략 원통 형상을 갖고 있다. 제2 외측 파이프(422)는, 제2 내측 파이프(412)보다도 짧다. 또한, 제2 외측 파이프(422)의 내경은, 제2 내측 파이프(412)의 외경보다도 크다. 제2 외측 파이프(422)는 제2 내측 파이프(412)를 둘러싸도록, 제4 도입로(434)와 제4 도입로(434)의 하방의 반응실(33)을 구획하는 제4 가스 구획판(404)에 배치되어 있다. 제2 외측 파이프(422)는 제4 도입로(434)와 연통하여, 제4 가스 구획판(404)의 하방에 이르고 있다. 구체적으로는, 제2 외측 파이프(422)의 상단에는, 원환 형상의 플랜지(422a)가 설치되어 있다. 제2 외측 파이프(422)는, 상방으로부터 관통 구멍(404b)의 내주연부에 플랜지(422a)를 맞닿게 한 상태에서, 하단이 제1 내측 파이프(411)의 하단과 동일한 높이에 위치하도록 설치되어 있다.
이와 같은 구성에 의해, 제2 내측 파이프(412)로부터 하방에 공급되는 C계 원료 가스를, 제2 외측 파이프(422)와 제2 내측 파이프(412) 사이로부터 하방에 공급되는 퍼지 가스로 주위로부터 실드할 수 있다. 이에 의해, C계 원료 가스가 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다.
제1 내측 파이프(411) 및 제1 외측 파이프(421)와, 제2 내측 파이프(412) 및 제2 외측 파이프(422)는, D2 방향(이하, 수평 방향이라 기재함)으로 적절히 간격을 두고 배치되어 있다.
(가이드부(411b, 412b))
도 2의 A는, 제1 실시 형태에 의한 제1 내측 파이프(411)의 단면도이며, 도 2의 B는, 도 2의 A의 제1 내측 파이프(411)의 하면도이다.
공급부(4)를 조립할 때에는, 제2 가스 구획판(402)에 제1 외측 파이프(421)를 설치한 후, 제1 가스 구획판(401)에 제1 내측 파이프(411)를 설치한다. 이때, 제1 외측 파이프(421)의 내부에 제1 내측 파이프(411)를 삽입한다. 제1 외측 파이프(421)에 대한 제1 내측 파이프(411)의 삽입 및 위치 결정을 가이드하기 위해, 도 1, 도 2의 A 및 도 2의 B에 도시하는 제1 가이드부(411b)가 마련되어 있다.
제1 가이드부(411b)는, 제1 내측 파이프(411)의 외주면(411c)에 마련되어 있으며, 외주면(411c)으로부터 제1 외측 파이프(421)의 내주면(421b)을 향해 돌출되어 있다. 즉, 도 2의 A에 도시한 바와 같이, 제1 가이드부(411b)는 제1 내측 파이프(411)의 D21 방향(이하, 직경 방향 외측이라 기재함)으로 돌출되어 있다. 제1 가이드부(411b)가 제1 내측 파이프(411)에 마련되어 있음으로써, 제1 가이드부(411b)를 제1 외측 파이프(421)에 마련하는 경우와 비교하여, 제1 가이드부(411b)를 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 제1 가이드부(411b)는, 제1 내측 파이프(411)의 중심축 방향인 연직 방향으로 신연된 핀 형상을 갖는다. 이에 의해, 제1 가이드부(411b)가 Si계 원료 가스의 유동을 방해하지 않도록 할 수 있다. 또한, 제1 가이드부(411b)는, 도 2의 B에 도시한 바와 같이 직경 방향의 단면이 직사각 형상을 갖는 것을 사용할 수 있다. 제1 가이드부(411b)의 직경 방향의 단면은 삼각 형상이어도 되고, 또한 직경 방향 외측의 단부가 둥그스름한 형상이어도 된다.
또한, 제1 가이드부(411b)는, 제1 내측 파이프(411) 및 제1 외측 파이프(421)의 하단보다 상방에 마련되어 있다. 이에 의해, 공급부(4)의 하방의 반응 공간(33)으로부터 먼 위치에 제1 가이드부(411b)를 배치할 수 있기 때문에, 제1 가이드부(411b)에 원료 가스에 의한 퇴적물이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 2의 A에 도시한 바와 같이, 제1 가이드부(411b)의 하단(411b1)은 직경 방향 외측에 테이퍼를 갖고 있다. 이에 의해, 제1 내측 파이프(411)를 용이하게 제1 외측 파이프(421)에 삽입할 수 있다.
도 2의 B의 예에 있어서, 제1 가이드부(411b)는, 제1 내측 파이프(411)의 외주면(411c)의 D3 방향(둘레 방향)으로 등위상으로 4개소에 배치되어 있다. 제1 가이드부(411b)는 복수 마련될 필요가 있어, 3개소 이상을 대략 등위상으로 마련하는 것이 바람직하고, 또한 Si계 원료 가스의 유동을 방해하지 않는 한도에 있어서 5개소 이상에 마련해도 된다. 제1 가이드부(411b)를 3개소 이상에 마련함으로써, 제1 내측 파이프(411)는 전방위에 있어서 제1 외측 파이프(421)와의 사이에 간극(G)(도 1 참조)을 확보할 수 있다.
제1 가이드부(411b)의 직경 방향의 치수는, 성막시의 히터 열에 의한 제1 내측 파이프(411) 및 제1 외측 파이프(421)의 변형 후에 있어서 제1 가이드부(411b)가 제1 외측 파이프(421)의 내주면(421b)에 접촉하지 않는 치수인 것이 바람직하다.
제1 가이드부(411b)에 의하면, 제1 외측 파이프(421)에 대한 제1 내측 파이프(411)의 삽입 및 위치 결정을 가이드함으로써, 제1 내측 파이프(411)의 중심축(A1)을 제1 외측 파이프(421)의 중심축과 거의 일치시킬 수 있다. 즉, 제1 가이드부(411b)에 의하면, 제1 내측 파이프(411)의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 제1 내측 파이프(411)와 제1 외측 파이프(421) 사이에 간극(G)을 확보할 수 있다. 간극(G)을 확보함으로써, 조립시에 제1 내측 파이프(411)와 제1 외측 파이프(421)가 접촉하는 것을 피할 수 있다.
도 3은, 제1 실시 형태에 의한 제2 내측 파이프(412)의 단면도이다.
공급부(4)를 조립할 때에는, 제3 가스 구획판(403)의 하방의 제4 가스 구획판(404)에 제2 외측 파이프(422)를 설치한 후, 제3 가스 구획판(403)에 제2 내측 파이프(412)를 설치한다. 이때, 제2 외측 파이프(422)의 내부에 제2 내측 파이프(412)를 삽입한다. 제2 외측 파이프(422)에 대한 제2 내측 파이프(412)의 삽입 및 위치 결정을 가이드하기 위해, 도 1 및 도 3에 도시한 제2 가이드부(412b)가 마련되어 있다.
제2 가이드부(412b)는, 제2 내측 파이프(412) 및 제2 외측 파이프(422)의 한쪽으로부터 다른쪽을 향해 돌출된 볼록부의 일례이다.
제2 가이드부(412b)는, 제2 내측 파이프(412)의 외주면(412c)에 마련되어 있으며, 외주면(412c)으로부터 제2 외측 파이프(422)의 내주면(422b)을 향해 돌출되어 있다. 제2 가이드부(412b)가 제2 내측 파이프(412)에 마련되어 있음으로써, 제2 가이드부(412b)를 제2 외측 파이프(422)에 마련하는 경우와 비교하여, 제2 가이드부(412b)를 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 제2 가이드부(412b)는, 제2 내측 파이프(412)의 중심축 방향인 연직 방향으로 신연된 핀 형상을 갖는다. 이에 의해, 제2 가이드부(412b)가 C계 원료 가스의 유동을 방해하지 않도록 할 수 있다. 제2 가이드부(412b)의 직경 방향의 단면 형상은, 제1 가이드부(411b)와 동일해도 된다.
또한, 제2 가이드부(412b)는, 제2 내측 파이프(412) 및 제2 외측 파이프(422)의 하단보다 상방에 마련되어 있다. 이에 의해, 공급부(4)의 하방의 반응 공간(33)으로부터 먼 위치에 제2 가이드부(412b)를 배치할 수 있기 때문에, 제2 가이드부(412b)에 원료 가스에 의한 퇴적물이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 제2 가이드부(412b)의 하단(412b1)은 직경 방향 외측에 테이퍼를 갖고 있다. 이에 의해, 제2 내측 파이프(412)를 용이하게 제2 외측 파이프(422)에 삽입할 수 있다.
제2 가이드부(412b)는 제1 가이드부(411b)와 마찬가지로, 제2 내측 파이프(412)의 외주면(412c)의 둘레 방향으로 등간격을 두고 4개 배치되어 있다. 제2 가이드부(412b)의 개수는 3개여도 되고, 또한 C계 원료 가스의 유동을 방해하지 않는 한도에 있어서 5개 이상이어도 된다. 제2 가이드부(412b)를 3개 이상 마련함으로써, 제2 내측 파이프(412)는 전방위에 있어서 제2 외측 파이프(422)와의 사이에 간극(G)을 확보할 수 있다.
제2 가이드부(412b)의 직경 방향의 치수는, 열에 의한 제2 내측 파이프(412) 및 제2 외측 파이프(422)의 변형 후에 있어서도 제2 가이드부(412b)가 제2 외측 파이프(422)의 내주면(422b)에 접촉하지 않는 치수인 것이 바람직하다.
제2 가이드부(412b)에 의하면, 제2 외측 파이프(422)에 대한 제2 내측 파이프(412)의 삽입 및 위치 결정을 가이드함으로써, 제2 내측 파이프(412)의 중심축(A2)을 제2 외측 파이프(422)의 중심축과 거의 일치시킬 수 있다. 즉, 제2 가이드부(412b)에 의하면, 제2 내측 파이프(412)의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 제2 내측 파이프(412)와 제2 외측 파이프(422) 사이에 간극(G)을 확보할 수 있다. 간극(G)을 확보함으로써, 조립시에 제2 내측 파이프(412)와 제2 외측 파이프(422)가 접촉하는 것을 피할 수 있다.
또한, 제1 가이드부(411b), 제2 가이드부(412b)는, 각각 외측 파이프의 내주면으로부터 내측 파이프의 외주면을 향해 돌출되어 있어도 되고, 마찬가지 효과를 얻을 수 있다.
또한, 도 1에 있어서, 파이프(411, 412, 421, 422)는 각각 복수개 배치되어 있다. 도 1에 도시되는 파이프(411, 412, 421, 422)의 개수는 어디까지나 일례이며 한정되는 것은 아니다. 실제로는, 도 1에 도시한 것보다도 다수의 파이프(411, 412, 421, 422)를 배치해도 된다. 또한, 파이프(411, 412, 421, 422)는 직경 방향 뿐만 아니라, 가스 구획판(401 내지 404)의 둘레 방향으로도 간격을 두고 배치되어 있어도 된다.
(성막 방법)
이어서, 이상과 같이 구성된 제1 실시 형태의 성막 장치(1)의 동작예로서, SiC막의 성막 방법에 대하여 설명한다.
우선, 서셉터(51a) 상에 n형 혹은 p형의 SiC 단결정에 의해 구성된 SiC 기판(2)을 적재하고, 가스 배출부(6)를 통과시켜 반응실(33) 내를 진공 흡인하여 원하는 압력으로 한다. 또한, 가열 기구(52)를 발열시킴으로써, SiC 기판(2)을 예를 들어 1600℃ 전후로 가열한다. 또한, 회전 기구로 회전부(51)를 통해 서셉터(51a) 및 SiC 기판(2)을 회전함으로써, 가열 기구(52)의 둘레 방향의 발열 분포의 영향을 받지 않고, SiC 기판(2)의 면내에서의 온도 분포의 균일화를 도모한다.
이어서, 제1 내지 제4 도입구(441 내지 444)를 통과시켜 챔버(3) 내에 Si계 원료 가스, 퍼지 가스, C계 원료 가스를 도입한다. 각 가스는, 제1 내지 제4 도입로(431 내지 434)를 통해 반응실(33) 내에 도입된 후, 파이프(411, 412, 421, 422)를 통해 SiC 기판(2) 상에 공급된다.
이때, 제1 내측 파이프(411)로부터 공급되는 Si계 원료 가스는, 제1 외측 파이프(421)로부터 공급되는 퍼지 가스로 실드된다. 실드됨으로써, Si계 원료 가스가 돌아들어가는 것이 억제된다. 이에 의해, SiC 기판(2) 상에 달하기 전의 Si계 원료 가스와 C계 원료 가스의 반응을 억제할 수 있다. 또한, 제2 내측 파이프(412)로부터 공급되는 C계 원료 가스는, 제2 외측 파이프(422)로부터 공급되는 퍼지 가스로 실드된다. 실드됨으로써, C계 원료 가스가 돌아들어가는 것이 억제된다. 이에 의해, SiC 기판(2) 상에 달하기 전의 Si계 원료 가스와 C계 원료 가스의 반응을 더욱 억제할 수 있다.
SiC 기판(2) 상에 공급된 원료 가스에 의해, SiC 기판(2)의 표면에 SiC막을에피택셜 성장시킨다.
여기서, 상술한 바와 같이, 가스 구획판(401 내지 404), 내측 파이프(411, 412) 및 외측 파이프(421, 422)는 고온의 반응 프로세스에 견딜 수 있도록, 예를 들어 SiC 코팅된 카본에 의해 형성되어 있다. SiC와 카본의 열팽창률이 상이함으로써, 가스 구획판(401 내지 404), 내측 파이프(411, 412) 및 외측 파이프(421, 422)는, 이들을 제작하는 시점에 휨 등의 변형이 발생할 수 있다. 이 때문에, 가스 구획판(401 내지 404), 내측 파이프(411, 412) 및 외측 파이프(421, 422)의 가공 정밀도를 확보하는 것은 곤란하다. 이에 의해, 가스 구획판(401 내지 404)에 내측 파이프(411, 412) 및 외측 파이프(421, 422)를 설치할 때에, 각 파이프(411, 412, 421, 422)의 위치 정밀도를 확보하는 것도 곤란해진다. 또한, 반응시에는 가스 구획판(401 내지 404), 내측 파이프(411, 412) 및 외측 파이프(421, 422)가 열에 의해 더욱 변형되기 때문에, 각 파이프(411, 412, 421, 422)의 위치 정밀도를 확보하는 것은 한층 더 곤란해진다.
가이드부(411b, 412b)를 마련하지 않는 경우, 파이프(411, 412, 421, 422)의 위치 정밀도의 확보가 곤란함으로써, 내측 파이프(411, 412)의 중심축(A1, A2)과 외측 파이프(421, 422)의 중심축이 크게 어긋날 가능성이 있다. 이에 의해, 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)가 서로 접촉하는 경우가 있다. 그리고, 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)의 접촉 위치에 원료 가스에 의한 퇴적물이 발생한 경우, 퇴적물로 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)가 서로 고착될 우려가 있다. 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)가 고착되면, 외측 파이프(421, 422)의 유로 단면적이 불균일해지기 때문에, 균일한 유량으로 퍼지 가스를 공급하는 것이 곤란해진다. 이에 의해, 퍼지 가스가 혼합 억제 가스로서 적절하게 기능할 수 없어, 내측 파이프(411, 412) 및 외측 파이프(421, 422)의 출구에 있어서 Si계 원료 가스나 C계 원료 가스가 돌아들어가는 것에 의해 각 파이프(411, 412, 421, 422)에 퇴적물이 생기기 쉬워진다. 그리고, 각 파이프(411, 412, 421, 422)의 퇴적물이 파티클로서 SiC 기판(2) 상에 낙하함으로써, SiC막의 결정 결함을 발생시켜버린다.
이에 비해, 제1 실시 형태에서는, 내측 파이프(411, 412)를 외측 파이프(421, 422)에 삽입할 때에, 가이드부(411b, 412b)에 의해 내측 파이프(411, 412)의 중심축(A1, A2)의 위치 결정을 가이드할 수 있다. 위치 결정을 가이드할 수 있음으로써, 내측 파이프(411, 412)의 중심축(A1, A2)을 외측 파이프(421, 422)와의 중심축과 거의 일치시킬 수 있다. 중심축을 일치시킬 수 있기 때문에, 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422) 사이에 확실하게 간극(G)을 확보할 수 있다. 간극(G)을 확보할 수 있음으로써, 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)의 접촉을 피할 수 있다. 이에 의해, 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)의 접촉 위치에 퇴적물이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 퇴적물에 기인하는 SiC막의 결정 결함을 피할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 제1 실시 형태에 의하면, 가이드부(411b, 412b)에 의해 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)의 접촉을 방지할 수 있기 때문에, 가스가 돌아들어가는 것에 의해 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)의 접촉 위치에 퇴적물이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 퇴적물에 기인하는 결정 결함의 발생을 방지할 수 있다.
(제2 실시 형태)
이어서, 제2 실시 형태로서, 내측 파이프(411, 412)의 하단부가 테이퍼 형상을 갖는 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서, 이미 설명한 실시 형태에 대응하는 구성부에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 중복된 설명을 생략한다.
도 4는, 제2 실시 형태에 의한 이중관 구조의 파이프의 단면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 제2 실시 형태의 내측 파이프(411, 412)는 테이퍼 형상의 하단부(411d, 412d)를 갖는다. 한편, 외측 파이프(421, 422)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로 테이퍼를 갖지 않는 직선 형상이다. 하단부(411d, 412d)의 테이퍼 형상은, 원료 가스의 하류 즉 하방(D11)을 향함에 따라 하단부(411d, 412d)의 내경, 즉 가스 유로의 단면적이 점증하는 형상이다.
제2 실시 형태에서는, 제1 내측 파이프(411)의 하단부(411d)가 테이퍼 형상을 가짐으로써, 제1 내측 파이프(411)로부터 직경 방향 외측으로 약간 넓어지도록 Si계 원료 가스를 토출할 수 있다. 직경 방향 외측 성분의 Si계 원료 가스의 흐름은, 직경 방향 외측으로부터 제1 내측 파이프(411)로 돌아들어가려고 하는 C계 원료 가스의 흐름에 저항하기 때문에, 제1 내측 파이프(411)로 C계 원료 가스가 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 제1 내측 파이프(411)의 하단부(411d)에 있어서의 Si계 원료 가스와 C계 원료 가스의 혼합을 억제하여, 제1 내측 파이프(411)로의 퇴적물의 발생을 억제할 수 있다.
마찬가지로, 제2 실시 형태에서는, 제2 내측 파이프(412)의 하단부(412d)가 테이퍼 형상을 가짐으로써, 제2 내측 파이프(412)로부터 직경 방향 외측으로 약간 퍼지도록 C계 원료 가스를 토출할 수 있다. 직경 방향 외측 성분의 C계 원료 가스의 흐름은, 직경 방향 외측으로부터 제2 내측 파이프(412)로 돌아들어가려고 하는 Si계 원료 가스의 흐름에 저항하기 때문에, 제2 내측 파이프(412)로 Si계 원료 가스가 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 제2 내측 파이프(412)의 하단부(412d)에 있어서의 Si계 원료 가스와 C계 원료 가스의 혼합을 억제하여, 제2 내측 파이프(412)로의 퇴적물의 발생을 억제할 수 있다.
하단부(411d, 412d)가 테이퍼 형상을 갖고 있음으로써, 하단에 있어서의 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)의 간격은 제1 실시 형태보다도 협소하게 되어 있다. 즉, 제1 실시 형태보다도 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422)가 접촉하기 쉽게 되어 있다.
그런데, 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로 가이드부(411b, 412b)가 마련되어 있기 때문에, 하단에 있어서도 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422) 사이에 확실하게 간극을 확보할 수 있다.
따라서, 제2 실시 형태에 의하면, 제1 실시 형태와 마찬가지로 파이프(411, 412, 421, 422)로의 퇴적물의 발생을 유효하게 억제할 수 있다.
(제3 실시 형태)
이어서, 제3 실시 형태로서, 내측 파이프(411, 412) 및 외측 파이프(421, 422)의 양쪽의 하단부가 테이퍼 형상을 갖는 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 제3 실시 형태에 있어서, 이미 설명한 실시 형태에 대응하는 구성부에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 중복된 설명을 생략한다.
도 5는, 제3 실시 형태에 의한 이중관 구조의 파이프의 단면도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제3 실시 형태에서는 제2 실시 형태의 구성에 더하여, 외측 파이프(421, 422)가 하방을 향함에 따라 내경이 점증하는 테이퍼 형상의 하단부(421c, 422c)를 더 갖는다.
외측 파이프(421, 422)의 하단부(421c, 422c)의 테이퍼각은, 예를 들어 내측 파이프(411, 412)의 하단부(411d, 412d)의 테이퍼각과 동일하다. 외측 파이프(421, 422)의 하단부(421c, 422c)의 테이퍼각을, 내측 파이프(411, 412)의 하단부(411d, 412d)의 테이퍼각과 상이하게 해도 된다.
제3 실시 형태에서는, 내측 파이프(411, 412)의 하단부(411d, 412d)와 외측 파이프(421, 422)의 하단부(421c, 422c)의 양쪽이 테이퍼 형상을 가짐으로써, 원료 가스의 토출 방향과 퍼지 가스의 토출 방향을 정렬시킬 수 있다. 이에 의해, 난류의 발생을 억제하여, 원료 가스를 SiC 기판(2) 상에 적절하게 공급할 수 있다.
(제4 실시 형태)
이어서, 제4 실시 형태로서, 삼중관 구조의 파이프를 갖는 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 제4 실시 형태에 있어서, 이미 설명한 실시 형태에 대응하는 구성부에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 중복된 설명을 생략한다.
도 6은, 제4 실시 형태에 의한 성막 장치(1)를 도시하는 개략 단면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 제4 실시 형태의 공급부(4)는, 이미 설명한 실시 형태에서 설명한 제2 내측 파이프(412)가 제1 외측 파이프(421)를 둘러싸는 구성인 삼중관 구조의 파이프를 갖는다. 이하의 설명에서는, 제1 외측 파이프(421)를 중간 파이프(421)라 부르고, 제2 내측 파이프(412)를 외측 파이프(412)라 부른다.
도 6에 도시한 바와 같이, 제4 실시 형태에서는, 중간 파이프(421)의 외주면(421d)에 외측 파이프(412)를 향해 돌출되는 제3 가이드부(421e)가 마련되어 있다.
제4 실시 형태에서는, 제1 가이드부(411b)에 의해 제1 내측 파이프(411)와 중간 파이프(421)의 접촉을 피할 수 있으며, 또한 제3 가이드부(421e)에 의해 중간 파이프(421)와 외측 파이프(412)의 접촉을 피할 수 있다.
따라서, 제4 실시 형태에 따르면, 제1 내지 제3 실시 형태와 마찬가지로 파이프(411, 412, 421)로의 퇴적물의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 도 6의 파선부에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제3 실시 형태에서 설명한 제2 외측 파이프(422)가 외측 파이프(412)를 둘러싸는 구성인 사중관 구조의 파이프를 채용해도 된다. 이 경우에는, 예를 들어 파이프(412)의 외주면에, 파이프(422)의 내주면을 향해 돌출되는 도시하지 않은 가이드부를 마련하면 된다.
상술한 실시 형태에서는, 볼록부의 일례로서 핀 형상의 가이드부(411b)를 채용하였다. 볼록부는, 내측 파이프(411, 412)와 외측 파이프(421, 422) 사이에 간극(G)을 확보할 수 있는 양태이면 핀 형상인 것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 볼록부는, 내측 파이프(411, 412)로부터 직경 방향 외측으로 돌출되는 기둥 형상의 부재여도 된다.
또한, 가이드부는, 연직 방향으로 간격을 두고 복수 배치해도 된다.
또한, 열 효율을 높이기 위해, 챔버(3)의 상부에 하방의 열원으로부터의 복사를 반사하는 원환 형상의 리플렉터를 설치해도 된다. 이 경우, 파이프(411, 412, 421, 422)는 리플렉터를 관통하도록 배치된다. 또한, 공급부(4)와 회전부(51) 사이의 챔버(3)의 측벽(31)에 보조 히터를 설치해도 된다.
상술한 실시 형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되는 것처럼 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함되는 것이다.
1: 성막 장치
2: SiC 기판
3: 챔버
32: 상벽
4: 공급부
401: 제1 가스 구획판
402: 제2 가스 구획판
403: 제3 가스 구획판
404: 제4 가스 구획판
411: 제1 내측 파이프
411b: 제1 가이드부
412: 제2 내측 파이프
412b: 제2 가이드부
421: 제1 외측 파이프
422: 제2 외측 파이프
431: 제1 도입로
432: 제2 도입로
433: 제3 도입로
434: 제4 도입로

Claims (10)

  1. 기판 상에 반응을 행하는 반응실과,
    상기 반응실의 상방에 배치되며, 상기 기판 상에 적어도 제1 가스 및 제2 가스를 공급하는 공급부를 구비하고,
    상기 공급부는,
    제1 격벽과, 상기 제1 격벽의 하부에 소정 간격으로 설치되는 제2 격벽과, 상기 제2 격벽의 하부에 소정 간격으로 설치되는 제3 격벽과,
    상기 제1 가스가 도입되는 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 설치되는 제1 유로와,
    상기 제2 가스가 도입되는 상기 제2 격벽과 상기 제3 격벽 사이에 설치되는 제2 유로와,
    상기 제2 격벽으로부터 상기 제3 격벽의 하방에 이르며, 상기 제1 유로와 연통되는 제1 배관과,
    상기 제1 배관을 둘러싸도록 설치되고, 상기 제3 격벽으로부터 상기 제3 격벽의 하방에 이르며, 상기 제2 유로와 연통되는 제2 배관과,
    상기 제1 배관의 외주면 또는 상기 제2 배관의 내주면에 마련되며, 상기 제1 배관의 외주면 및 상기 제2 배관의 내주면의 한쪽으로부터 다른쪽을 향해 돌출된 볼록부
    를 구비하고,
    상기 볼록부의 하단은, 상기 제1 배관 및 상기 제2 배관의 하단보다 상방으로 이격되어 설치되는 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 볼록부는 상기 제1 배관의 외주면에 마련되며, 상기 제2 배관의 내주면을 향해 돌출된 성막 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 볼록부는, 상기 제1 배관의 중심축 방향으로 신연된 형상을 갖는 성막 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 볼록부의 하단은 테이퍼를 갖는 성막 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 볼록부의 직경 방향의 치수는, 열에 의한 상기 제1 배관 및 상기 제2 배관의 변형 후에 있어서 상기 볼록부가 상기 제2 배관의 내주면에 접촉하지 않는 치수인 성막 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 배관의 하단은 상기 제2 배관의 하단과 동일한 높이에 위치하고 있는 성막 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 볼록부는, 상기 제1 배관의 외주면에 둘레 방향으로 등위상으로 3개 이상 마련되어 있는 성막 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 배관은 하방을 향함에 따라 내경이 점증하는 테이퍼 형상의 하단부를 갖고, 상기 제2 배관은 직선 형상을 갖는 성막 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 배관 및 상기 제2 배관은 하방을 향함에 따라 내경이 점증하는 테이퍼 형상의 하단부를 갖는 성막 장치.
KR1020187028294A 2016-03-01 2017-02-27 성막 장치 KR102211543B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-039270 2016-03-01
JP2016039270A JP6664993B2 (ja) 2016-03-01 2016-03-01 成膜装置
PCT/JP2017/007292 WO2017150400A1 (ja) 2016-03-01 2017-02-27 成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180128919A KR20180128919A (ko) 2018-12-04
KR102211543B1 true KR102211543B1 (ko) 2021-02-02

Family

ID=59742958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187028294A KR102211543B1 (ko) 2016-03-01 2017-02-27 성막 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10896831B2 (ko)
JP (1) JP6664993B2 (ko)
KR (1) KR102211543B1 (ko)
CN (1) CN109075038B (ko)
DE (1) DE112017001127B4 (ko)
TW (1) TWI630282B (ko)
WO (1) WO2017150400A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11944988B2 (en) * 2018-05-18 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Multi-zone showerhead
JP7365761B2 (ja) 2018-08-24 2023-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
JP7175169B2 (ja) * 2018-11-30 2022-11-18 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャル成長装置
JP7242990B2 (ja) * 2018-12-03 2023-03-22 株式会社レゾナック ＳｉＣ化学気相成長装置及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
JP7152970B2 (ja) * 2019-03-01 2022-10-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
US11598004B2 (en) * 2019-03-11 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Lid assembly apparatus and methods for substrate processing chambers
EP4067532A4 (en) * 2019-11-27 2023-08-16 Sino Nitride Semiconductor Co, Ltd GAN MATERIAL GROWTH LINEAR SPRAY HEAD
WO2022130926A1 (ja) * 2020-12-14 2022-06-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置及び気相成長方法
KR20230117432A (ko) 2020-12-14 2023-08-08 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252270A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Ebara Corp ガス噴射ヘッド

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0292896A (ja) * 1988-09-28 1990-04-03 Toshiba Corp Ｓｉ単結晶の製造方法
JPH02205316A (ja) * 1989-02-03 1990-08-15 Sumitomo Metal Ind Ltd エピタキシャル気相成長装置
JPH02308534A (ja) * 1989-05-24 1990-12-21 Toshiba Corp 半導体基板の薄膜形成装置
JPH0383897A (ja) * 1989-08-24 1991-04-09 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置
JP2969596B2 (ja) * 1989-10-06 1999-11-02 アネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
JP3406959B2 (ja) * 1992-10-16 2003-05-19 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法
JP2500773B2 (ja) * 1993-06-30 1996-05-29 日本電気株式会社 気相成長装置
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JP2000144432A (ja) * 1998-11-04 2000-05-26 Ebara Corp ガス噴射ヘッド
JP2004076076A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Konica Minolta Holdings Inc 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法
JP3869778B2 (ja) * 2002-09-11 2007-01-17 エア・ウォーター株式会社 成膜装置
JP4794942B2 (ja) * 2005-08-03 2011-10-19 古河機械金属株式会社 原子層堆積装置
DE102005055468A1 (de) * 2005-11-22 2007-05-24 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
JP2008226857A (ja) * 2008-05-16 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
JP5026373B2 (ja) * 2008-09-04 2012-09-12 シャープ株式会社 気相成長装置及び気相成長方法
WO2010058813A1 (ja) * 2008-11-21 2010-05-27 国立大学法人長岡技術科学大学 基板処理方法及び基板処理装置
JP2011114081A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Sharp Corp 気相成長装置
DE112011102327T5 (de) * 2010-07-12 2013-06-06 Ulvac, Inc. Schichtbildungsvorrichtung
JP5542584B2 (ja) * 2010-08-27 2014-07-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
JP2013122066A (ja) 2011-12-09 2013-06-20 Cornes Technologies Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JP2013122067A (ja) 2011-12-09 2013-06-20 Cornes Technologies Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JP2013121885A (ja) 2011-12-09 2013-06-20 Cornes Technologies Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JP6096547B2 (ja) * 2013-03-21 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びシャワープレート
JP6065762B2 (ja) 2013-06-21 2017-01-25 株式会社デンソー 炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法
JP2016050164A (ja) 2014-09-02 2016-04-11 昭和電工株式会社 ＳｉＣ化学気相成長装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252270A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Ebara Corp ガス噴射ヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
US20180374721A1 (en) 2018-12-27
JP2017157678A (ja) 2017-09-07
US10896831B2 (en) 2021-01-19
KR20180128919A (ko) 2018-12-04
CN109075038B (zh) 2023-08-15
TWI630282B (zh) 2018-07-21
TW201739952A (zh) 2017-11-16
JP6664993B2 (ja) 2020-03-13
DE112017001127T5 (de) 2018-11-15
WO2017150400A1 (ja) 2017-09-08
DE112017001127B4 (de) 2024-06-06
CN109075038A (zh) 2018-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102211543B1 (ko) 성막 장치
US10975495B2 (en) Epitaxial growth apparatus, preheat ring, and method of manufacturing epitaxial wafer using these
US9644267B2 (en) Multi-gas straight channel showerhead
US20090095221A1 (en) Multi-gas concentric injection showerhead
JP6362266B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャル成長装置
US20160194784A1 (en) Epitaxial reactor
US20230044440A1 (en) Film forming apparatus and plate
JP6376700B2 (ja) ＳｉＣ化学気相成長装置
CN110998793B (zh) 用于外延沉积工艺的注入组件
WO2012132575A1 (ja) シャワープレート、気相成長装置及び気相成長方法
JP4601701B2 (ja) 気相成長装置及びガス供給方法
JP2016050164A (ja) ＳｉＣ化学気相成長装置
CN111349908A (zh) SiC化学气相沉积装置
JP2011114081A (ja) 気相成長装置
CN111261502B (zh) SiC外延生长装置
KR102301873B1 (ko) 기상 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 기상 성장 장치용의 어태치먼트
US20150079764A1 (en) Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method
JP2013171972A (ja) 気相成長装置および気相成長方法
US20220403547A1 (en) Manufacturing apparatus for group-iii compound semiconductor crystal
JP2012084581A (ja) 気相成長装置
KR100956207B1 (ko) 화학 기상 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant