KR102211214B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치는 제1 표시기판, 제2 표시기판, 복수의 화소들, 스캔 라인, 센싱 라인, 제1 구동부, 제2 구동부, 및 좌표 산출부를 포함한다. 상기 복수의 화소들은 복수의 화소행들 및 복수의 화소열들을 포함한다. 상기 스캔 라인은 적어도 하나의 화소행을 감싼다. 상기 센싱 라인은 상기 스캔 라인과 절연되고, 적어도 하나의 화소열을 감싼다. 상기 제1 구동부는 상기 스캔 라인에 스캔 신호를 제공하고, 상기 제2 구동부는 상기 센싱 라인으로부터 인가된 감지 신호를 출력한다. 상기 좌표 산출부는 상기 감지 신호를 수신하여 입력 지점의 좌표 정보를 산출한다. 상기 스캔 라인 및 상기 센싱 라인 각각은 서로 다른 복수의 층들상에 배치된다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND MANUFACURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 외부 입력을 감지할 수 있는 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
터치패널은 터치 이벤트가 발생한 지점(이하, 터치지점)의 좌표정보를 획득하여 정보를 입력한다. 표시패널은 상기 터치패널로부터 입력된 정보에 대응하는 영상을 표시한다.
일반적으로 상기 터치패널은 표시장치에 부착된다. 상기 터치패널은 키보드 및 마우스와 같은 입력 장치를 대체한다. 상기 터치패널은 저항막 방식, 정전용량 방식, 전자기 유도 방식 등으로 구분된다. 상기 표시장치는 필요에 따라 2 종류 이상의 터치패널들을 구비한다.
본 발명의 목적은 스캔 라인과 센싱 라인을 형성하기 위해 별도의 층이나 기판이 추가되지 않아 두께가 얇아진 표시패널 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 입력수단의 센싱 감도가 향상된 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 표시기판, 제2 표시기판, 복수의 화소들, 스캔 라인, 센싱 라인, 제1 구동부, 제2 구동부, 및 좌표 산출부를 포함한다.
상기 제1 표시기판은 제1 방향으로 연장된 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들과 서로 다른 층상에 배치되고 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장된 데이터 라인들, 및 상기 게이트 라인들 및 상기 데이터 라인들과 서로 다른 층상에 배치된 제1 전극을 포함한다.
상기 제2 표시기판은 상기 제1 표시기판에 대향할 수 있다.
상기 복수의 화소들은 상기 제1 표시기판에 배치되고, 복수의 화소행들 및 복수의 화소열들을 포함할 수 있다.
상기 스캔 라인은 상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판 중 어느 하나에 배치되고, 적어도 하나의 화소행을 감싼다. 상기 센싱 라인은 상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판 중 어느 하나에 배치되고, 상기 스캔 라인과 절연되고, 적어도 하나의 화소열을 감싼다.
상기 제1 구동부는 상기 스캔 라인이 형성하는 전류 경로에 의해 자기장이 유도되도록 상기 스캔 라인에 스캔 신호를 제공한다.
상기 제2 구동부는 상기 센싱 라인으로부터 입력 수단의 공진 주파수에 따라 생성된 감지 신호를 출력한다.
상기 좌표 산출부는 상기 감지 신호를 수신하여 입력 지점의 좌표 정보를 산출한다.
상기 스캔 라인 및 상기 센싱 라인 각각은 서로 다른 복수의 층들상에 배치된다.
상기 스캔 라인 및 상기 센싱 라인은 상기 제1 표시기판에 배치될 수 있다.
상기 스캔 라인은, 상기 게이트 라인과 동일한 층상에 배치된 스캔 베이스 패턴 및 상기 데이터 라인과 동일한 층상에 배치된 스캔 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
상기 센싱 라인은, 상기 게이트 라인과 동일한 층상에 배치된 센싱 베이스 패턴 및 상기 데이터 라인과 동일한 층상에 배치된 센싱 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
상기 스캔 라인은, 제1 스캔 브릿지 패턴, 제2 스캔 베이스 패턴, 제2 스캔 베이스 패턴, 및 제2 스캔 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴은 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 절연되고, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴은 상기 게이트 라인과 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴은 상기 데이터 라인과 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 상기 제1 전극과 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다.
상기 센싱 라인은, 제1 센싱 브릿지 패턴, 상기 제1 센싱 베이스 패턴, 상기 제2 센싱 베이스 패턴, 및 상기 제2 센싱 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 센싱 브릿지 패턴은 상기 제1 스캔 브릿지 패턴과 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴은 상기 제1 스캔 베이스 패턴과 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 센싱 베이스 패턴은 상기 제2 스캔 베이스 패턴과 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 센싱 브릿지 패턴은 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 동일한 층상에 배치되고, 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 서로 이격될 수 있다.
상기 스캔 라인은 상기 제1 표시기판에 배치되고, 상기 센싱 라인은 상기 제2 표시기판에 배치될 수 있다.
상기 스캔 라인은, 제1 스캔 베이스 패턴, 제2 스캔 베이스 패턴, 제1 스캔 브릿지 패턴, 및 제2 스캔 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴은 상기 게이트 라인과 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴은 상기 데이터 라인과 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴은 상기 제2 스캔 베이스 패턴과 서로 동일한 층상에 배치되고, 상기 제2 스캔 베이스 패턴과 서로 이격될 수 있다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 상기 제1 전극과 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다.
상기 제2 표시기판은, 기판, 상기 기판 상에 배치된 차광층, 및 상기 차광층 상에 배치된 컬러 필터들을 포함할 수 있다.
상기 센싱 라인은, 상기 차광층과 상기 컬러 필터들 상이에 배치된 제1 센싱 베이스 패턴 및 상기 컬러 필터들을 사이에 두고 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 마주하는 제2 센싱 베이스 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 제1 기판 상에 스캔 베이스 패턴, 센싱 베이스 패턴, 및 게이트 라인을 서로 이격되도록 형성하는 게이트 패턴 형성 단계; 상기 게이트 패턴 상에 상기 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제1 콘택홀 및 상기 센싱 베이스 패턴과 중첩된 제2 콘택홀을 포함하는 제1 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 절연막 상에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 스캔 베이스 패턴과 연결된 스캔 브릿지 패턴, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 센싱 베이스 패턴과 연결된 센싱 브릿지 패턴, 및 데이터 라인을 서로 이격되도록 형성하는 데이터 패턴 형성 단계를 포함한다.
상기 스캔 베이스 패턴 및 상기 스캔 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성하고, 상기 센싱 베이스 패턴 및 상기 센싱 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 제1 기판 상에 제1 스캔 브릿지 패턴 및 제2 센싱 브릿지 패턴을 서로 이격되도록 형성하는 단계; 상기 제1 스캔 브릿지 패턴과 중첩된 제1 콘택홀 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴과 중첩된 제2 콘택홀을 포함하는 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 절연막 상에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 제1 스캔 브릿지 패턴에 연결된 제1 스캔 베이스 패턴, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 제1 센싱 브릿지 패턴에 연결된 제1 센싱 베이스 패턴, 제2 센싱 브릿지 패턴, 및 게이트 라인을 서로 이격되도록 형성하는 게이트 패턴 형성 단계; 상기 제1 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제3 콘택홀, 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 중첩된 제4 콘택홀, 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 중첩되고 상기 제4 콘택홀과 이격된 제5 콘택홀을 포함하는 제2 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2 절연막 상에 상기 제3 콘택홀을 통해 상기 제1 스캔 베이스 패턴에 연결된 제2 스캔 베이스 패턴, 상기 제4 콘택홀을 통해 상기 제1 센싱 베이스 패턴에 연결되고, 상기 제5 콘택홀을 통해 상기 제2 센싱 브릿지 패턴에 연결된 제2 센싱 베이스 패턴, 및 데이터 라인을 서로 이격되도록 형성하는 데이터 패턴 형성 단계; 상기 제2 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제6 콘택홀을 포함하는 제3 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제3 절연막 상에 상기 제6 콘택홀을 통해 상기 제2 스캔 베이스 패턴에 연결된 제2 스캔 브릿지 패턴 및 제1 전극을 서로 이격되도록 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴, 상기 제2 스캔 베이스 패턴, 상기 제1 스캔 브릿지 패턴, 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성하고, 상기 제1 센싱 베이스 패턴, 상기 제2 센싱 베이스 패턴, 상기 제1 센싱 브릿지 패턴, 및 상기 제2 센싱 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 제1 표시기판을 형성하는 단계; 상기 제1 표시기판에 마주하는 제2 표시기판을 형성하는 단계; 및 상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 표시기판을 형성하는 단계는, 제1 기판 상에 제1 스캔 베이스 패턴 및 게이트 라인을 서로 이격되도록 형성하는 게이트 패턴 형성 단계; 상기 게이트 패턴 상에 상기 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제1 콘택홀 및 상기 스캔 베이스 패턴과 중첩되고 상기 제1 콘택홀과 이격된 제2 콘택홀을 포함하는 제1 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 절연막 상에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 제1 스캔 베이스 패턴과 연결된 제1 스캔 브릿지 패턴, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 제1 스캔 베이스 패턴과 연결된 제2 스캔 베이스 패턴, 및 데이터 라인을 서로 이격되도록 형성하는 데이터 패턴 형성 단계; 상기 데이터 패턴 상에 상기 제2 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제3 콘택홀을 포함하는 제2 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 절연막 상에 상기 제3 콘택홀을 통해 상기 제2 스캔 베이스 패턴에 연결된 제2 스캔 브릿지 패턴 및 화소 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴, 상기 제2 스캔 베이스 패턴, 상기 제1 스캔 브릿지 패턴, 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성할 수 있다.
상기 제2 표시기판을 형성하는 단계는, 제2 기판 상에 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층에 중첩하게 제1 센싱 베이스 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 센싱 베이스 패턴 상에 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 중첩된 제4 콘택홀을 포함하는 컬러 필터들을 형성하는 단계; 및 상기 컬러 필터들 상에 상기 제4 콘택홀을 통해 상기 제1 센싱 베이스 패턴에 연결된 제2 센싱 베이스 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 센싱 베이스 패턴 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성할 수 있다.
본 발명의 표시 장치 및 이의 제조 방법에 의하면, 스캔 라인과 센싱 라인을 형성하기 위해 별도의 층이나 기판이 추가되지 않아 표시패널의 두께가 얇아질 수 있다.
또한, 입력수단의 센싱 감도가 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 표시패널의 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부를 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I’선과 박막트랜지스터를 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부 분해 사시도이다.
도 7a 내지 도 7d는 도 4 내지 도 6에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 평면도들이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널의 일부를 도시한 평면도이다.
도 9는 도 8의 I-I’선과 박막트랜지스터를 따라 절단한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널의 일부 사시도이다.
도 11a 내지 도 11h는 도 8 내지 도 10에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 평면도들이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 제1 표시기판을 도시한 평면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 제2 표시기판을 도시한 평면도이다.
도 14는 도 13 및 도 14의 I-I’선을 따라 절단한 표시패널의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 제1 표시기판의 사시도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 제2 표시기판의 사시도이다.
도 17a 내지 도 17e는 도 12 내지 도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 제1 표시기판의 제조 방법을 순차적으로 도시한 평면도들이다.
도 18a 내지 도 18c는 도 12 내지 도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 표시기판의 제조 방법을 순차적으로 도시한 평면도들이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블록도이다.
도 1에 도시된 것과 같이, 상기 표시장치는 표시패널(LDP), 신호제어부(100), 게이트 구동부(200), 데이터 구동부(300), 제1 구동부(400), 제2 구동부(500), 및 좌표 산출부(600)를 포함한다. 상기 신호제어부(100), 상기 게이트 구동부(200), 및 상기 데이터 구동부(300)는 상기 표시패널(LDP)을 제어하여 영상을 생성한다. 상기 제1 구동부(400), 상기 제2 구동부(500)는 스캔 라인들(TL1~TLi) 및 센싱 라인들(RL1~RLn)에 신호를 제공하거나 스캔 라인들(TL1~TLi) 및 센싱 라인들(RL1~RLn)로부터 신호를 수신하고, 상기 좌표 산출부(600)는 입력 지점들의 좌표 정보를 산출한다.
상기 표시패널(LDP)는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 액정 표시패널(liquid crystal display panel), 유기발광 표시패널(organic light emitting display panel), 전기영동 표시패널(electrophoretic display panel), 및 일렉트로웨팅 표시패널(electrowetting display panel) 등이 채용될 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 상기 액정표시패널을 예시적으로 설명한다.
한편, 액정표시장치는 상기 액정표시패널에 광을 제공하는 백라이트 유닛(미도시), 한 쌍의 편광판(미도시)을 더 포함한다. 또한, 상기 액정표시패널은 VA(Vertical Alignment)모드, PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, IPS(in-plane switching) 모드 또는 FFS(fringe-field switching) 모드, 및 PLS(Plane to Line Switching) 모드 등 중 어느 하나의 패널일 수 있고, 특정한 모드의 패널로 제한되지 않는다.
상기 표시패널(LDP)은 이격되어 배치된 제1 표시기판(DS1)과 제2 표시기판(DS2)을 포함한다. 상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2) 중 상측에 배치된 기판은 입력수단에 입력면을 제공한다.
상기 표시패널(LDP)은 복수의 화소들(PX11~PXnm), 스캔 라인들(TL1~TLi), 센싱 라인들(RL1~RLj), 게이트 라인들(GL1~GLn), 및 데이터 라인들(DL1~DLm)을 더 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 화소들(PX11~PXnm)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 복수 개의 화소들(PX11~PXnm)은 복수 개의 화소영역(PXA11~PXAnm)에 대응하게 배치된다. 상기 복수 개의 화소들(PX11~PXnm) 각각은 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 및 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트 라인 및 대응하는 데이터 라인에 연결된다.
상기 복수 개의 화소들(PX11~PXnm)은 상기 제1 방향(DR1)으로 배열된 화소들의 그룹으로 이루어진 복수의 화소행들 및 상기 제2 방향(DR2)으로 배열된 화소들의 그룹으로 이루어진 복수의 화소열들을 포함한다. 예를 들어, 첫번째 화소행은 화소들(PX11~PX1m)로 이루어지고, 첫번째 화소열은 화소들(PX11~PXn1)로 이루어질 수 있다.
상기 스캔 라인들(TL1~TLi) 및 상기 센싱 라인들(RL1~RLj)은 상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2) 중 어느 하나에 배치될 수 있다. 상기 스캔 라인들(TL1~TLi) 각각은 서로 다른 복수의 층들상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 센싱 라인들(RL1~RLj) 각각은 서로 다른 복수의 층들상에 배치될 수 있다. 자세한 내용은 후술된다.
상기 스캔 라인들(TL1~TLi) 각각은 적어도 하나의 화소행을 감싸도록 배치된다. 상기 스캔 라인들(TL1~TLi) 각각의 일단은 상기 제1 구동부(400)에 연결된다. 상기 센싱 라인들(RL1~RLj) 각각은 적어도 하나의 화소열을 감싸도록 배치된다. 상기 센싱 라인들(RL1~RLj) 각각의 일단은 상기 제2 구동부(500)에 연결된다.
상기 복수 개의 스캔 라인들(TL1~TLi) 및 상기 복수 개의 소스 라인들(RL1~RLj)은 투명한 도전성 물질로 구성될 수 있다. 또한, 상기 복수 개의 스캔 라인들(TL1~TLi) 및 상기 복수 개의 소스 라인들(RL1~RLj)은 반사율이 낮은 금속으로 구성될 수 있다.
복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2) 중 어느 하나에 배치된다. 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 상기 제1 표시기판(DS1)에 배치될 수 있다.
상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장되며 상기 제2 방향(DR2)으로 배열된다. 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장되며 상기 제1 방향(DR1)으로 배열된다. 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)과 절연되게 교차한다. 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)은 상기 게이트 구동부(200)에 연결되고, 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 상기 데이터 구동부(300)에 연결된다.
상기 게이트 구동부(200) 및 상기 데이터 구동부(300)는 상기 제1 표시기판(DS1), 상기 제2 표시 기판(DS2), 및 회로기판(미도시) 중 어느 하나에 배치될 수 있다. 상기 신호제어부(100) 및 상기 좌표 산출부(600)는 회로기판(미도시)에 배치될 수 있다.
상기 신호제어부(100)는 입력 영상신호들(RGB)을 수신하고, 상기 입력 영상신호들(RGB)을 상기 표시패널(LDP)의 동작모드에 부합하는 영상데이터들(R'G'B')로 변환한다. 또한, 신호제어부(100)는 각종 제어신호들(CS), 예를 들면 수직동기신호, 수평동기신호, 메인 클럭신호, 데이터 인에이블신호 등을 입력받고, 제1 및 제2 제어신호들(CONT1, CONT2) 및 모드선택신호(MSS)를 출력한다.
상기 모드선택신호(MSS)는 상기 표시패널(LDP)에서 표시되는 영상에 근거하여 생성될 수 있다. 상기 모드선택신호(MSS)는 동작모드들에 따라 다른 레벨들을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 표시패널(LDP)에서 키패드 영상을 표시할 때 상기 모드선택신호(MSS)는 정전용량 방식 활성화 신호로 출력되고, 상기 표시패널(LDP)에서 게임 영상을 표시할 때 상기 모드선택신호(MSS)는 전자기 유도 방식 활성화 신호로 출력될 수 있다. 그밖에 상기 모드선택신호(MSS)는 사용자에 의해 입력될 수도 있다.
상기 게이트 구동부(200)는 상기 제1 제어신호(CONT1)에 응답하여 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 게이트 신호들을 출력한다. 상기 제1 제어신호(CONT1)는 상기 게이트 구동부(200)의 동작을 개시하는 수직개시신호, 게이트 전압의 출력 시기를 결정하는 게이트 클럭신호 및 게이트 전압의 온 펄스폭을 결정하는 출력 인에이블 신호 등을 포함한다.
상기 데이터 구동부(300)는 상기 제2 제어신호(CONT2) 및 상기 영상데이터들(R'G'B')을 수신한다. 상기 데이터 구동부(300)는 상기 영상데이터들(R'G'B')을 데이터 전압들로 변환하여 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)에 제공한다.
상기 제2 제어신호(CONT2)는 상기 데이터 구동부(300)의 동작을 개시하는 수평개시신호, 상기 데이터 전압들의 극성을 반전시키는 반전신호 및 상기 데이터 구동부(300)로부터 상기 데이터 전압들이 출력되는 시기를 결정하는 출력지시신호 등을 포함한다.
상기 제1 구동부(400)는 상기 모드선택신호(MSS)를 수신한다. 상기 제1 구동부(400)는 상기 모드선택신호(MSS)에 응답하여 상기 스캔 라인들(TL1~TLi)에 스캔 신호들(TS)을 출력한다. 상기 스캔 라인들(TL1~TLi)이 형성하는 전류경로를 따라 인가된 상기 스캔 신호들(TS)에 의해 자기장이 유도된다.
상기 제2 구동부(500)는 상기 모드선택신호(MSS)를 수신한다. 상기 제2 구동부(500)는 상기 센싱 라인들(RL1~RLj)로부터 입력수단의 공진 주파수에 따른 감지 신호들(SS)을 출력한다. 입력수단이 상기 스캔 라인들(TL1~TLi)에 인접하면 상기 스캔 라인들(TL1~TLi)로부터 유도된 자기장이 상기 입력수단의 공진회로와 공진한다. 그에 따라 상기 센싱 라인들(RL1~RLj)에는 상기 감지 신호들(SS)이 출력된다. 여기서, 상기 입력수단은 인덕터와 커패시터를 포함하는 LC 공진회로를 구비한 패시브 타입의 스타일러스 펜일 수 있다.
상기 좌표 산출부(600)는 상기 감지 신호들(SS)을 수신한다. 상기 좌표 산출부(600)은 상기 감지 신호들(SS)에 따른 입력 지점들의 좌표 정보들을 산출한다. 여기서, 상기 입력 지점은 상기 입력수단으로 터치된 상기 제2 표시기판(DS2)의 일 지점이거나, 상기 입력수단이 근접한 상기 제2 표시기판(DS2) 상의 일 지점일 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 표시패널의 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제2 표시기판(DS2)은 복수 개의 표시영역들(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함한다. 상기 비표시영역(NDA)은 상기 복수 개의 표시영역들(DA)을 에워싼다. 상기 복수 개의 표시영역들(DA)은 상기 백라이트 유닛으로부터 생성된 광이 통과되는 영역이고, 상기 비표시영역(NDA)은 상기 광이 차단되는 영역이다. 상기 복수 개의 표시영역들(DA)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 표시장치는 상기 복수 개의 표시영역들(DA)을 통과하는 광의 조합에 의해 영상을 생성한다.
도 3에 도시된 것과 같이, 스캔 라인들(TL1~TL3)과 센싱 라인들(RL1~RL3)은 상기 비표시영역(NDA)에 중첩하게 배치된다. 도 3에는 3개의 스캔 라인들(TL1~TL3)과 3개의 센싱 라인들(RL1~RL3)을 예시적으로 도시하였다.
도 1에 도시된 상기 복수 개의 화소들(PX11~PXnm)은 복수 개의 표시영역들(DA)에 대응하게 배치된다. 상기 화소들(PX11~PXnm) 각각은 화소전극, 공통 전극, 및 박막트랜지스터를 포함할 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부를 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4의 I-I’선과 박막트랜지스터를 따라 절단한 단면도이고, 도 6은 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부 분해 사시도이다.
도 4 및 도 6은 스캔 라인(TL), 센싱 라인(RL), 게이트 라인(GL), 및 데이터 라인(DL)만을 도시하였고, 나머지 구성은 편의상 생략하였다.
상기 박막트랜지스터(TR)는 게이트 전극(GE), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 제1 기판(SUB1) 상에 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)과 상기 반도체 패턴(SM) 사이에는 제1 절연막(INS1)이 구비될 수 있다. 상기 제1 절연막(INS1)은 유기 절연막 또는 무기 절연막일 수 있고, 상기 게이트 전극(GE)을 나머지들로부터 절연시킨다. 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 제1 절연막(INS1) 상에 상기 게이트 전극(GE)에 중첩하게 배치된다. 상기 반도체 패턴(SM)은 박막트랜지스터(TR)의 채널로 기능한다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 반도체 패턴(SM)에 연결된다. 도시하지는 않았으나, 상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 라인(DL)으로부터 분지되어 형성될 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)과 이격되고, 상기 반도체 패턴(SM)에 연결된다. 도시하지는 않았으나, 상기 드레인 전극(DE)은 화소전극(PE)에 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 상에는 제2 절연막(INS2)이 구비될 수 있다. 상기 제2 절연막(INS2)은 유기 절연막 또는 무기 절연막일 수 있다. 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 화소전극(PE)은 상기 제2 절연막(INS2)에 형성된 콘택홀(미도시)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 화소전극(PE)은 상기 제2 절연막(INS2) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 도 3의 상기 표시영역들(DA)에 대응하게 형성될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 상기 화소전극(PE)은 복수의 슬릿을 구비할 수 잇다
상기 화소전극(PE) 상에는 제3 절연막(INS3)이 구비될 수 있다. 상기 제3 절연막(INS3)은 상기 화소전극(PE)과 상기 공통전극(CE)을 서로 절연시킬 수 있다.
상기 공통전극(CE)은 상기 제3 절연막(INS3) 상에 배치될 수 있다. 상기 공통전극(CE)은 상기 제2 표시기판(DS2)에 전면적으로 형성될수 있고, 상기 표시영역들(DA0에 대응하게 형성될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 상기 공통전극(CE)은 복수의 슬릿을 구비할 수 있다.
상기 화소전극(PE)은 상기 박막트랜지스터(TR)로부터 화소전압을 수신한다. 상기 공통전극들(CE)은 공통전압을 수신한다. 상기 공통전극들(CE)과 상기 화소전극들(PE)은 횡전계를 형성할 수 있다. 상기 횡전계에 의해 상기 액정층(LCL)에 포함된 방향자들의 배열이 변화된다.
한편, 다른 실시예에서 상기 공통전극(CE)과 상기 화소전극(PE)은 상기 액정층(LCL)을 사이에 두고 마주하게 배치될 수 있다. 즉, 상기 공통전극(CE)이 상기 제2 표시기판(DS2) 상에 형성되고, 상기 화소전극(PE)이 상기 제1 표시기판(DS1) 상에 형성될 수 있다. 이때 상기 공통전극들(CE)과 상기 화소전극들(PE)은 수직전계를 형성한다.
상기 표시패널은 차광층(BM)과 컬러 필터들(CF)을 더 포함할 수 있다.
상기 차광층(BM)은 상기 제2 기판(SUB2)의 하면에 형성될 수 있다. 상기 차광층(BM)은 입사된 광을 흡수할 수 있다. 상기 차광층(BM)은 비표시영역(NDA)을 정의한다. 또한, 평면상에서 차광층(BM)이 형성되지 않은 영역은 상기 표시영역들(DA)을 정의한다.
상기 컬러 필터들(CF)은 상기 차광층(BM)과 상기 액정층(LCL) 사이에 배치된다. 상기 컬러 필터들(CF)은 상기 표시영역들(DA) 각각에 대응하게 형성되어 입사된 광에 색을 제공한다. 상기 컬러 필터들(CF)은 복수의 색을 갖는 컬러 필터들, 예들 들어, 레드, 그린, 블루 컬러 필터들을 포함할 수 있다.
상기 스캔 라인(TL)은 스캔 베이스 패턴(TL-B)과 스캔 브릿지 패턴(TL-R)을 포함할 수 있다. 상기 센싱 라인(RL)은 센싱 베이스 패턴(RL-B)과 센싱 브릿지 패턴(RL-R)을 포함할 수 있다.
상기 스캔 베이스 패턴(TL-B) 및 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)은 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B) 및 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)은 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 층상에 배치될 수 있다.
상기 스캔 베이스 패턴(TL-B), 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B), 및 상기 게이트 라인(GL)은 서로 이격되어 절연된다.
상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)과 이격된 복수의 단위 패턴들과 상기 제1 방향(DR1)으로 연장되며 상기 제1 방향(DR1)으로 이격된 두 개의 단위 패턴들 사이를 연결하는 연결 패턴을 포함한다.
상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R) 및 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)은 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R) 및 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)은 상기 데이터 라인(DL)과 동일한 층상에 배치될 수 있다.
상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R), 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R), 및 상기 데이터 라인(DL)은 서로 이격되어 절연된다.
상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R), 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R), 및 상기 데이터 라인(DL)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-B) 및 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)은 상기 게이트 라인(GL)과 중첩하게 배치될 수 있다.
상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R)은 상기 제2 방향(DR2)으로 이격된 두 개의 스캔 베이스 패턴들 사이를 연결한다. 구체적으로, 상기 제1 절연막(INS1)은 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R)과 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)이 중첩하는 영역에서 제1 콘택홀(CH1)을 구비하고, 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R) 및 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)은 상기 제2 방향(DR2)으로 이격된 두 개의 단위 패턴들 사이를 연결한다. 구체적으로, 상기 제1 절연막(INS1)은 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)과 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)이 중첩하는 영역에서 제2 콘택홀(CH2)을 구비하고, 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R) 및 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 스캔 라인(TL)의 일부 및 상기 센싱 라인(RL)의 일부는 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 층상에 배치되고, 상기 스캔 라인(TL)의 나머지 일부 및 상기 센싱 라인(RL)의 나머지 일부는 상기 데이터 라인(DL)과 동일한 층상에 배치된다. 따라서, 상기 스캔 라인(TL)과 상기 센싱 라인(RL)을 형성하기 위해 별도의 층이나 기판이 추가되지 않으므로, 표시패널의 두께가 두꺼워지지 않는다.
도 7a 내지 도 7d는 도 4 내지 도 6에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 평면도들이다.
도 7a를 참조하면, 제1 기판(SUB1) 상에 게이트 패턴을 형성한다. 상기 게이트 패턴은 스캔 베이스 패턴(TL-B), 센싱 베이스 패턴(RL-B), 및 게이트 라인(GL)을 포함한다. 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B), 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B), 및 상기 게이트 라인(GL)은 서로 이격된다. 상기 게이트 패턴은 게이트 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 게이트 패턴은 도전 물질을 상기 제1 기판(SUB1)에 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 라인(GL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된다. 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 도 7a에서 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)은 상기 게이트 라인(GL)과 평행하게 상기 제1 방향(DR1)으로 연장된 라인 형상을 갖는 것으로 도시하였다. 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 게이트 패턴 상에 제1 절연막(INS1)을 형성한다. 상기 제1 절연막(INS1)은 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)과 중첩된 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)과 중첩된 제2 콘택홀(CH2)을 포함한다.
상기 제1 절연막(INS1)은 상기 게이트 패턴 상에 유기 절연물질 및/또는 무기 절연물질을 증착하고, 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 7c를 참조하면, 상기 제1 절연막(INS1) 상에 데이터 패턴을 형성한다. 상기 데이터 패턴은 스캔 브릿지 패턴(TL-R), 센싱 브릿지 패턴(RL-R), 및 데이터 라인(DL)을 포함한다. 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R), 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R), 및 상기 데이터 라인(DL)은 서로 이격된다. 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 스캔 베이스 패턴(TL-B)에 연결된다. 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B)에 연결된다. 상기 데이터 패턴은 소스 전극(미도시) 및 드레인 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 데이터 라인(DL)은 상기 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R) 및 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R) 및 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)은 상기 게이트 라인(GL)과 교차하게 배치될 수 있다.
한편, 상기 데이터 패턴을 형성하기 전에 상기 제1 절연막(INS1) 상에 반도체 패턴(미도시)을 형성할 수 있다. 상기 반도체 패턴(미도시)은 반도체 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 게이트 전극(미도시)에 중첩하게 형성될 수 있다.
상기 데이터 패턴은 도전 물질을 상기 제1 절연막(INS1) 상에 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 스캔 베이스 패턴(TL-B) 및 상기 스캔 브릿지 패턴(TL-R)은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성한다. 상기 센싱 베이스 패턴(RL-B) 및 상기 센싱 브릿지 패턴(RL-R)은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
이후, 상기 데이터 패턴 상에 제2 절연막(INS2)을 형성한다. 상기 제2 절연막(INS2)은 상기 드레인 전극(미도시)의 일부를 노출하는 콘택홀(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연막(INS2)은 유기 절연물질 및/또는 무기 절연물질을 증착하고, 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 7d를 참조하면, 상기 제2 절연막(INS2) 상에 화소전극(PE)을 형성한다. 상기 화소전극(PE)은 상기 제2 절연막(INS2)에 구비되고 드레인 전극(미도시)의 일부를 노출하는 콘택홀(미도시)을 통해 상기 드레인 전극(미도시)에 연결될 수 있다.
이후, 상기 화소전극(PE) 상에 제3 절연막을 형성한다. 상기 제3 절연막 상에 공통전극을 형성한다.
이로써, 표시장치의 제1 표시기판(DS1)이 형성된다.
이후, 제2 기판 상에 차광층(미도시)을 형성한다. 상기 차광층(미도시) 상에 컬러 필터들(미도시)을 형성한다. 이로써 표시장치의 제2 표시기판이 형성된다.
상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2) 사이에 액정층(LCL)을 형성하고, 밀봉한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조 방법에 의하면, 게이트 패턴 형성 공정과 데이터 패턴 형성 공정을 통해 스캔 라인과 센싱 라인을 형성할 수 있다. 따라서, 스캔 라인과 센싱 라인을 형성하기 위해 별도의 공정이 추가되지 않아 제조 비용이 절감된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널의 일부를 도시한 평면도이고, 도 9는 도 8의 I-I’선과 박막트랜지스터를 따라 절단한 단면도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널의 일부 사시도이다.
도 8 및 도 10은 스캔 라인(TL), 센싱 라인(RL), 게이트 라인(GL), 및 데이터 라인(DL)만을 도시하였고, 나머지 구성은 편의상 생략하였다.
도 8 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널은 도 4 내지 도 6에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널과의 차이점을 중심으로 설명하고 설명되지 않은 부분은 도 4 내지 도 6과 관련된 설명에 따른다.
상기 제1 표시기판(DS1) 상에 제1 절연막(INS1)이 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 제1 절연막(INS1) 상에 배치된다. 상기 게이트 전극(GE) 상에 제2 절연막(INS2)이 배치된다. 상기 제2 절연막(INS2) 상에 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 반도체 패턴(SM), 상기 소스 전극(SE), 및 상기 드레인 전극(DE) 상에 제3 절연막(INS3)이 배치된다.
상기 스캔 라인(TL)은 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1), 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1), 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 및 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)을 포함할 수 잇다. 상기 센싱 라인은 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1), 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1), 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2), 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 상기 제1 기판(SUB1) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 서로 이격되어 절연된다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 상기 게이트 라인(GL)과 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 층상에 배치될 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1), 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1), 및 상기 게이트 라인(GL)은 서로 이격되어 절연된다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)과 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 절연막(INS1)은 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)과 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)이 중첩하는 영역에서 제1 콘택홀(CH1)을 구비하고, 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 연결될 수 있다.
상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)과 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 절연막(INS1)은 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)과 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)이 중첩하는 영역에서 제2 콘택홀(CH2)을 구비하고, 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1) 및 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 적어도 하나의 화소행을 둘러싸는 전류 경로를 형성한다. 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1) 및 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 적어도 하나의 화소열을 둘러싸는 전류 경로를 형성한다.
상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-B2)은 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)과 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-B2)은 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 층상에 배치될 수 있다.
상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-B2)은 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1), 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1), 및 상기 게이트 라인(GL)과 서로 이격되어 절연된다.
상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-B2)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-B2)은 상기 데이터 라인(DL)과 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 데이터 라인(DL)과 동일한 층상에 배치될 수 있다.
상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2), 및 상기 데이터 라인(DL)은 서로 이격되어 절연된다.
상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 데이터 라인(DL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 데이터 라인(DL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 한편, 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2) 및 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)과 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)이 형성하는 전류 경로가 끝나는 지점과 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)이 중첩하는 영역에서 상기 제2 절연막(INS2)은 제3 콘택홀(CH3)을 구비한다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2) 및 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)과 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)이 형성하는 전류 경로가 끝나는 지점과 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)이 중첩하는 영역에서 상기 제2 절연막(INS2)은 제4 콘택홀(CH4)을 구비한다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 제4 콘택홀(CH4)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2), 및 상기 데이터 라인(DL) 상에는 제3 절연막(INS3)이 배치될 수 있다.
상기 화소전극(PE)은 상기 제3 절연막(INS3) 상에 배치된다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 화소전극(PE)과 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 화소전극(PE)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 화소전극(PE)과 상기 공통전극(CE)의 위치가 서로 뒤바뀐 실시예에서, 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 공통 전극과 동일한 층상에 배치될 수도 있다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)과 상기 화소전극(PE)은 서로 이격되어 절연된다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 데이터 라인(DL)과 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2)와 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 절연막(INS2)은 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2)과 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)이 중첩하는 영역에서 제5 콘택홀(CH5)을 구비하고, 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제5 콘택홀(CH5)을 통해 서로 연결될 수 있다.
한편, 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2)의 위치는 이에 한정되는 것은 아니고, 다른 실시예에서 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)과 동일한 층상에 배치될 수도 있다. 이때, 상기 제2 센싱 브릿지 패턴은 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)과 이격되고, 상기 제3 절연층(INS3)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)에 연결될 수 있다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)과 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제3 절연막(INS3)은 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)과 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)이 중첩하는 영역에서 제6 콘택홀(CH6)을 구비하고, 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제6 콘택홀(CH6)을 통해 연결될 수 있다.
상기 화소전극(PE) 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 상에는 제4 절연막(INS4)이 구비될 수 있다. 상기 제4 절연막(INS4)은 상기 화소전극(PE) 및 상기 공통전극(CE)을 서로 절연시킬 수 있다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 제4 절연막(INS4) 상에 배치된다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 적어도 하나의 화소행을 둘러싸는 전류 경로를 형성한다. 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 적어도 하나의 화소열을 둘러싸는 전류 경로를 형성한다.
도 8 내지 도 10에 도시된 표시장치에 의하면, 스캔 라인(TL)은 적어도 하나의 화소행을 2번씩 둘러싸는 전류 경로를 형성하므로, 도 4 내지 도 6에 도시된 표시장치에 비해 더 큰 세기의 자기장이 유도될 수 있고, 결과적으로, 입력수단의 센싱 감도가 향상될 수 있다. 또한, 센싱 라인(RL)은 적어도 하나의 화소열을 2번씩 둘러싸는 전류 경로를 형성하므로, 도 4 내지 도 6에 도시된 표시장치에 비해 입력수단의 공진으로부터 유도된 감지 신호를 센싱하는데 유리하고, 결과적으로, 입력수단의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 11a 내지 도 11h는 도 8 내지 도 10에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 평면도들이다.
도 11a를 참조하면, 제1 기판(SUB1) 상에 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)을 형성한다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 서로 이격된다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 도전 물질을 상기 제1 기판(SUB1)에 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)은 후술될 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)의 단선된 영역에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 후술될 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)의 단선된 영역에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 후술될 게이트 라인(GL)과 교차하게 배치될 수 있다.
도 11b를 참조하면, 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1) 상에 제1 절연막(INS1)을 형성한다. 상기 제1 절연막(INS1)은 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)의 단부와 중첩된 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)의 단부와 중첩된 제2 콘택홀(CH2)을 포함한다.
상기 제1 절연막(INS1)은 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)이 형성된 제1 기판(SUB1) 상에 유기 절연물질 및/또는 무기 절연물질을 증착하고, 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 11c를 참조하면, 상기 제1 절연막(INS1) 상에 게이트 패턴을 형성한다. 상기 게이트 패턴은 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1), 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1), 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2), 및 게이트 라인(GL)을 포함한다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1), 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1), 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2), 및 상기 게이트 라인(GL)은 서로 이격된다. 상기 게이트 패턴은 게이트 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 게이트 패턴은 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 라인(GL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2)은 후술될 데이터 라인(DL)과 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)에 연결될 수 있다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-R1)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)에 연결될 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성한다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1) 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴(RL-R1)은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
도 11d를 참조하면, 상기 게이트 패턴 상에 제2 절연막(INS2)을 형성한다. 상기 제2 절연막(INS2)은 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)의 단부와 중첩된 제3 콘택홀(CH3), 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)의 단부와 중첩된 제4 콘택홀(CH4) 및 제5 콘택홀(CH5)을 포함한다.
상기 제2 절연막(INS2)은 상기 게이트 패턴 상에 유기 절연물질 및/또는 무기 절연물질을 증착하고, 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 11e를 참조하면, 상기 제2 절연막(INS2) 상에 데이터 패턴을 형성한다. 상기 데이터 패턴은 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2), 및 데이터 라인(DL)을 포함한다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2), 및 상기 데이터 라인(DL)은 서로 이격된다. 상기 데이터 패턴은 소스 전극(미도시) 및 드레인 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 데이터 패턴은 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 데이터 라인(DL)은 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 데이터 라인(DL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 데이터 라인(DL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 제4 콘택홀(CH4)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2) 및 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2)은 상기 제5 콘택홀(CH5)을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2) 및 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2)은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
도 11f를 참조하면, 상기 데이터 패턴 상에 제3 절연막(INS3)을 형성한다. 상기 제3 절연막(INS3)은 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)의 단부와 중첩된 제6 콘택홀(CH6)을 포함한다.
상기 제3 절연막(INS3)은 상기 게이트 패턴 상에 유기 절연물질 및/또는 무기 절연물질을 증착하고, 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 11g를 참조하면, 상기 제3 절연막(INS3) 상에 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 화소전극(PE)을 형성한다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 화소전극(PE)은 서로 이격된다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 화소전극(PE)은 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)의 단선된 영역에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 데이터 라인(DL)과 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제6 콘택홀(CH6)을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2) 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
이후, 도 11H를 참조하면, 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 화소전극(PE) 상에 제4 절연막(INS4)을 형성한다. 상기 제4 절연막(INS4) 상기 공통전극(CE)을 형성한다.
이로써 표시장치의 제1 표시기판(DS1)이 형성된다.
이후, 제2 기판 상에 차광층(미도시)을 형성한다. 상기 차광층(미도시) 상에 컬러 필터들(미도시)을 형성한다. 이로써 표시장치의 제2 표시기판이 형성된다.
상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2) 사이에 액정층(LCL)을 형성하고, 밀봉한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조 방법에 의하면, 게이트 패턴 형성 공정과 데이터 패턴 형성 공정을 이용하여 적어도 하나의 화소행을 2번씩 둘러싸는 스캔 라인과 적어도 하나의 화소열을 2번씩 둘러싸는 센싱 라인을 형성할 수 있다. 따라서, 스캔 라인과 센싱 라인을 형성하기 위해 최소한의 공정이 추가되므로, 제조비용을 절감할 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 제1 표시기판을 도시한 평면도이고, 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 제2 표시기판을 도시한 평면도이고, 도 14는 도 13 및 도 14의 I-I’선을 따라 절단한 표시패널의 단면도이고, 도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 제1 표시기판의 사시도이고, 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 제2 표시기판의 사시도이다.
도 12 내지 도 16을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널은 도 4 내지 도 6에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널과의 차이점을 중심으로 설명하고 설명되지 않은 부분은 도 4 내지 도 6과 관련된 설명에 따른다.
제1 기판(SUB1) 상에 게이트 전극(GE)이 배치된다. 상기 게이트 전극(GE) 상에 제1 절연막(INS1)이 배치된다. 상기 제1 절연막(INS1) 상에 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 반도체 패턴(SM), 상기 소스 전극(SE), 및 상기 드레인 전극(DE) 상에 제2 절연막(INS2)이 배치된다.
상기 제1 표시기판(DS1)은 스캔 라인(TL), 화소전극(PE), 및 공통전극(CE)을 포함한다.
상기 스캔 라인(TL)은 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1), 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1), 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 및 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)을 포함할 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 상기 게이트 라인(GL)과 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 상기 제1 기판(SUB1) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 게이트 라인(GL)은 서로 이격되어 절연된다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 데이터 라인(DL)과 동일한 층상에 배치될 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1), 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 및 상기 데이터 라인(DL)은 서로 이격되어 절연된다.
상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 데이터 라인(DL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인 형상을 갖고, 상기 게이트 라인(GL)과 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)과 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 절연막(INS1)은 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)과 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)이 중첩하는 영역에서 제1 콘택홀(CH1)을 구비하고, 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1) 및 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 적어도 하나의 화소행을 둘러싸는 전류 경로를 형성한다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)과 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)과 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)이 형성하는 전류 경로가 끝나는 지점과 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)이 중첩하는 영역에서 상기 제1 절연막(INS1)은 제2 콘택홀(CH2)을 구비한다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1), 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B1), 및 상기 데이터 라인(DL) 상에는 제2 절연막(INS2)이 배치될 수 있다.
상기 화소전극(PE)은 상기 제2 절연막(INS2) 상에 배치된다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 화소전극(PE)과 동일한 층상에 배치될 수 있다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 화소전극(PE)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 화소전극(PE)과 상기 공통전극(CE)의 위치가 서로 뒤바뀐 실시예에서, 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 공통 전극과 동일한 층상에 배치될 수도 있다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)과 상기 화소전극(PE)은 서로 이격되어 절연된다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 데이터 라인(DL)과 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)과 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 절연막(INS2)은 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)과 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)이 중첩하는 영역에서 제3 콘택홀(CH3)을 구비하고, 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 화소전극(PE) 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 상에는 제3 절연막(INS3)이 구비될 수 있다. 상기 제3 절연막(INS3)은 상기 화소전극(PE) 및 상기 공통전극(CE)을 서로 절연시킬 수 있다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 제3 절연막(INS3) 상에 배치된다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 적어도 하나의 화소행을 둘러싸는 전류 경로를 형성한다. 상기 제2 센싱 브릿지 패턴(RL-R2) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 적어도 하나의 화소열을 둘러싸는 전류 경로를 형성한다.
상기 스캔 라인(TL)은 적어도 하나의 화소행을 2번씩 둘러싸는 전류 경로를 형성하므로, 도 4 내지 도 6에 도시된 표시장치에 비해 더 큰 세기의 자기장이 유도될 수 있고, 결과적으로, 입력수단의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
상기 제2 표시기판(DS2)은 차광층(BM), 컬러 필터들(CF), 및 센싱 라인(RL)을 포함한다.
상기 차광층(BM)은 제2 기판(SUB2)의 하면에 형성될 수 있다. 상기 차광층(BM)은 입사된 광을 흡수할 수 있다. 상기 차광층(BM)은 도 3에 도시된 비표시영역(NDA)을 정의한다. 또한, 평면상에서 차광층(BM)이 형성되지 않은 영역은 도 3에 도시된 표시영역들(DA)을 정의한다.
상기 컬러 필터들(CF)은 상기 차광층(BM)과 상기 액정층(LCL) 사이에 배치된다. 상기 컬러 필터들(CF)은 도 3의 상기 표시영역들(DA) 각각에 대응하게 형성되어 입사된 광에 색을 제공한다. 상기 컬러 필터들(CF)은 복수의 색을 갖는 컬러 필터들, 예들 들어, 레드, 그린, 블루 컬러 필터들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 컬러 필터들(CF)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
상기 센싱 라인(RL)은 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1) 및 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 차광층(BM)에 중첩하게 형성된다.
상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 상기 차광층(BM)과 상기 컬러 필터들(CF) 사이에 배치된다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 적어도 하나의 화소열을 감싸도록 배치될 수 있다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 컬러 필터들(CF) 하면에 배치된다. 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 적어도 하나의 화소열을 감싸도록 배치될 수 있다. 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)과 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 서로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)이 형성하는 전류 경로가 끝나는 지점과 상기 제2 센싱 베이스 패턴이 중첩하는 영역에서 상기 컬러 필터들(CF)은 제4 콘택홀(CH4)을 구비한다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 제4 콘택홀(CH4)을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기 제2 표시판(DS2)은 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2) 상에 배치된 제4 절연막(IN4)을 더 포함할 수 있다. 상기 제4 절연막(IN4)은 상기 액정층(LCL)에 인접한 상기 제2 표시기판(DS2)의 하면을 평탄하게 하고, 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)을 다른 구성들로부터 절연시키는 역할을 한다.
센싱 라인(RL)은 적어도 하나의 화소열을 2번씩 둘러싸는 전류 경로를 형성하므로, 도 4 내지 도 6에 도시된 표시장치에 비해 입력수단의 공진으로부터 유도된 감지 신호를 센싱하는데 유리하고, 결과적으로, 입력수단의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 17a 내지 도 17e는 도 12 내지 도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 제1 표시기판의 제조 방법을 순차적으로 도시한 평면도들이다.
도 17a를 참조하면, 제1 기판(SUB1) 상에 게이트 패턴을 형성한다. 상기 게이트 패턴은 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 게이트 라인(GL)을 포함한다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 게이트 라인(GL)은 서로 이격된다. 상기 게이트 패턴은 게이트 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 게이트 패턴은 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 라인(GL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인(GL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다.
도 17b를 참조하면, 상기 게이트 패턴 상에 제1 절연막(INS1)을 형성한다. 상기 제1 절연막(INS1)은 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)과 중첩된 제1 콘택홀(CH1) 및 제2 콘택홀(CH2)을 포함한다.
상기 제1 절연막(INS1)은 상기 게이트 패턴 상에 유기 절연물질 및/또는 무기 절연물질을 증착하고, 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 17c를 참조하면, 상기 제1 절연막(INS1) 상에 데이터 패턴을 형성한다. 상기 데이터 패턴은 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1), 및 데이터 라인(DL)을 포함한다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2), 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1), 및 상기 데이터 라인(DL)은 서로 이격된다. 상기 데이터 패턴은 소스 전극(미도시) 및 드레인 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 데이터 패턴은 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 데이터 라인(DL)은 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 데이터 라인(DL)과 중첩부에서 단선된 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)은 상기 게이트 라인(GL)에 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1) 및 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)과 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제2 콘택홀(CH2)은 상기 제1 스캔 베이스 패턴(TL-B1)과 상기 제1 스캔 브릿지 패턴(TL-R1)이 형성하는 전류 경로가 끝나는 지점에 형성된다.
도 17d를 참조하면, 상기 데이터 패턴 상에 제2 절연막(INS2)을 형성한다. 상기 제2 절연막(INS2)은 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)과 중첩된 제3 콘택홀(CH3)을 포함한다.
상기 제2 절연막(INS2)은 상기 게이트 패턴 상에 유기 절연물질 및/또는 무기 절연물질을 증착하고, 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 17e를 참조하면, 상기 제2 절연막(INS2) 상에 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 화소전극(PE)을 형성한다. 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 화소전극(PE)은 서로 이격된다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 화소전극(PE)은 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)의 단선된 영역에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 상기 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 상기 데이터 라인(DL)과 교차하게 배치될 수 있다.
상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제2 스캔 베이스 패턴(TL-B2) 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2)은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
이후, 상기 제2 스캔 브릿지 패턴(TL-R2) 및 상기 화소전극(PE) 상에 제3 절연막을 형성한다. 상기 제3 절연막 상기 공통전극(CE)을 형성한다.
이로써 표시장치의 제1 표시기판(DS1)이 형성된다.
도 18a 내지 도 18c는 도 12 내지 도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 표시기판의 제조 방법을 순차적으로 도시한 평면도들이다.
도 18a를 참조하면, 제2 기판(SUB2) 상에 차광층(BM)을 형성한다. 상기 차광층(BM)은 블랙 염료를 포함한 유기물질 또는 무기물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다. 한편, 이에 제한되는 것은 아니고 상기 차광층(BM)은 블랙 패턴이 형성된 필름을 상기 제2 기판(SUB2)에 부착하여 형성될 수 있다.
상기 차광층(BM)은 매트릭스 형태로 정의된 표시영역들(DA)을 제외한 비표시영역(NDA)에 대응하게 형성된다.
상기 차광층(BM) 상에 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)을 형성한다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 상기 차광층(BM)에 중첩하게 형성될 수 있다.
상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 적어도 하나의 화소열을 감싸도록 배치될 수 있다. 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
도 18b를 참조하면, 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1) 상에 컬러 필터들(CF)을 형성한다. 상기 컬러 필터들(CF)은 복수의 색을 갖는 컬러 필터들, 예를 들어, 레드, 그린, 블루 컬러 필터들을 포함할 수 있다. 레드 컬러 필터들, 그린 컬러 필터들, 및 블루 컬러 필터들은 별개의 포토 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 컬러 필터들(CF)은 상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1)이 형성하는 전류 경로가 끝나는 지점에 형성된 제4 콘택홀(CH4)을 포함한다.
상기 컬러 필터들(CF)은 유기 절연물질 또는 무기 절연물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 18c를 참조하면, 상기 컬러 필터들(CF) 상에 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)을 형성한다. 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 차광층(BM)에 중첩하게 형성될 수 있다.
상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 적어도 하나의 화소열을 감싸도록 배치될 수 있다. 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성한다.
상기 제1 센싱 베이스 패턴(RL-B1) 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2)은 상기 제4 콘택홀(CH4)을 통해 서로 연결될 수 있다.
이후, 상기 제2 센싱 베이스 패턴(RL-B2) 상에 제4 절연막(INS4)을 형성한다.
이로써 표시장치의 제2 표시기판(DS2)이 형성된다.
상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2) 사이에 액정층(LCL)을 형성하고, 밀봉한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조 방법에 의하면, 게이트 패턴 형성 공정과 데이터 패턴 형성 공정을 이용하여 적어도 하나의 화소행을 2번씩 둘러싸는 스캔 라인과 적어도 하나의 화소열을 2번씩 둘러싸는 센싱 라인을 형성할 수 있다. 따라서, 스캔 라인과 센싱 라인을 형성하기 위해 최소한의 공정이 추가되므로, 제조비용을 절감할 수 있다.
한편 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다. 따라서, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.
LDP: 표시패널 100: 신호제어부
200: 게이트 구동부 300: 데이터 구동부
400: 제1 구동부 500: 제2 구동부
600: 좌표 산출부 DS1: 제1 표시기판
DS2: 제2 표시기판 TL: 스캔 라인
RL: 센싱 라인

Claims (20)

  1. 제1 방향으로 연장된 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들과 서로 다른 층상에 배치되고 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장된 데이터 라인들, 및 상기 게이트 라인들 및 상기 데이터 라인들과 서로 다른 층상에 배치된 제1 전극을 포함하는 제1 표시기판;
    상기 제1 표시기판에 대향하는 제2 표시기판;
    상기 제1 표시기판에 배치되고, 복수의 화소행들 및 복수의 화소열들을 포함하는 복수의 화소들;
    상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판 중 어느 하나에 배치되고, 적어도 하나의 화소행을 감싸는 스캔 라인;
    상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판 중 어느 하나에 배치되고, 상기 스캔 라인과 절연되고, 적어도 하나의 화소열을 감싸는 센싱 라인;
    상기 스캔 라인이 형성하는 전류 경로에 의해 자기장이 유도되도록 상기 스캔 라인에 스캔 신호를 제공하는 제1 구동부;
    상기 센싱 라인으로부터 입력 수단의 공진 주파수에 따라 생성된 감지 신호를 출력하는 제2 구동부; 및
    상기 감지 신호를 수신하여 입력 지점의 좌표 정보를 산출하는 좌표 산출부를 포함하고,
    상기 스캔 라인 및 상기 센싱 라인 각각은 서로 다른 복수의 층들상에 배치된 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 스캔 라인 및 상기 센싱 라인은 상기 제1 표시기판에 배치된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 스캔 라인은,
    상기 게이트 라인과 동일한 층상에 배치된 스캔 베이스 패턴; 및
    상기 데이터 라인과 동일한 층상에 배치된 스캔 브릿지 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 스캔 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인과 중첩부에서 단선된 형상을 갖고, 상기 스캔 브릿지 패턴은 상기 게이트 라인에 중첩하게 배치되고, 상기 스캔 베이스 패턴 및 상기 스캔 브릿지 패턴은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 센싱 라인은,
    상기 게이트 라인과 동일한 층상에 배치된 센싱 베이스 패턴; 및
    상기 데이터 라인과 동일한 층상에 배치된 센싱 브릿지 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 센싱 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 게이트 라인과 중첩부에서 단선된 형상을 갖고, 상기 센싱 브릿지 패턴은 상기 게이트 라인에 중첩하게 배치되고, 상기 센싱 베이스 패턴 및 상기 센싱 브릿지 패턴은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 스캔 라인은,
    상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 절연되고, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 하부에 배치된 제1 스캔 브릿지 패턴;
    상기 게이트 라인과 서로 동일한 층상에 배치된 제1 스캔 베이스 패턴;
    상기 데이터 라인과 서로 동일한 층상에 배치된 제2 스캔 베이스 패턴; 및
    상기 제1 전극과 서로 동일한 층상에 배치된 제2 스캔 브릿지 패턴을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 스캔 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인과 중첩부에서 단선된 형상을 갖고, 상기 제2 스캔 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 데이터 라인과 중첩부에서 단선된 형상을 갖고,
    상기 제1 스캔 브릿지 패턴은 상기 게이트 라인에 중첩하게 배치되고, 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 상기 데이터 라인에 중첩하게 배치되고,
    상기 제1 스캔 베이스 패턴 및 상기 제1 스캔 브릿지 패턴은 서로 연결되고, 상기 제2 스캔 베이스 패턴 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 서로 연결되고, 상기 제1 스캔 베이스 패턴 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴은 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 센싱 라인은,
    상기 제1 스캔 브릿지 패턴과 동일한 층상에 배치된 제1 센싱 브릿지 패턴;
    상기 제1 스캔 베이스 패턴과 동일한 층상에 배치된 제1 센싱 베이스 패턴;
    상기 제2 스캔 베이스 패턴과 동일한 층상에 배치된 제2 센싱 베이스 패턴; 및
    상기 제1 센싱 베이스 패턴과 동일한 층상에 배치되고, 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 서로 이격된 제2 센싱 브릿지 패턴을 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 센싱 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 게이트 라인과 중첩부에서 단선된 형상을 갖고, 상기 제2 센싱 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸되 상기 데이터 라인과 중첩부에서 단선된 형상을 갖고,
    상기 제1 센싱 브릿지 패턴은 상기 게이트 라인에 중첩하게 배치되고, 상기 제2 센싱 브릿지 패턴은 상기 데이터 라인에 중첩하게 배치되고,
    상기 제1 센싱 베이스 패턴 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴은 서로 연결되고, 상기 제2 센싱 베이스 패턴 및 상기 제2 센싱 브릿지 패턴은 서로 연결되고, 상기 제1 센싱 베이스 패턴 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴은 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 스캔 라인은 상기 제1 표시기판에 배치되고, 상기 센싱 라인은 상기 제2 표시기판에 배치된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 스캔 라인은,
    상기 게이트 라인과 동일한 층상에 배치된 제1 스캔 베이스 패턴;
    상기 데이터 라인과 동일한 층상에 배치된 제2 스캔 베이스 패턴;
    상기 제2 스캔 베이스 패턴과 서로 동일한 층상에 배치되고, 상기 제2 스캔 베이스 패턴과 서로 이격된 제1 스캔 브릿지 패턴; 및
    상기 제1 전극과 서로 동일한 층상에 배치된 제2 스캔 브릿지 패턴을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 스캔 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 게이트 라인과 중첩부에서 단선된 형상을 갖고, 상기 제2 스캔 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸되 상기 데이터 라인과 중첩부에서 단선된 형상을 갖고,
    상기 제1 스캔 브릿지 패턴은 상기 게이트 라인에 중첩하게 배치되고, 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 상기 데이터 라인에 중첩하게 배치되고,
    상기 제1 스캔 베이스 패턴 및 상기 제1 스캔 브릿지 패턴은 서로 연결되고, 상기 제2 스캔 베이스 패턴 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 서로 연결되고, 상기 제1 스캔 베이스 패턴 및 상기 제2 스캔 베이스 패턴은 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 표시기판은,
    기판;
    상기 기판 상에 배치된 차광층; 및
    상기 차광층 상에 배치된 컬러 필터들을 포함하고,
    상기 센싱 라인은,
    상기 차광층과 상기 컬러 필터들 상이에 배치된 제1 센싱 베이스 패턴; 및
    상기 컬러 필터들을 사이에 두고 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 마주하는 제2 센싱 베이스 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 센싱 베이스 패턴 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴 각각은 상기 차광층에 중첩하고 적어도 하나의 화소열을 감싸도록 배치되고,
    상기 제1 센싱 베이스 패턴 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴은 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제1 기판 상에 스캔 베이스 패턴, 센싱 베이스 패턴, 및 게이트 라인을 서로 이격되도록 형성하는 게이트 패턴 형성 단계;
    상기 게이트 패턴 상에 상기 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제1 콘택홀 및 상기 센싱 베이스 패턴과 중첩된 제2 콘택홀을 포함하는 제1 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 절연막 상에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 스캔 베이스 패턴과 연결된 스캔 브릿지 패턴, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 센싱 베이스 패턴과 연결된 센싱 브릿지 패턴, 및 데이터 라인을 서로 이격되도록 형성하는 데이터 패턴 형성 단계를 포함하고,
    상기 스캔 베이스 패턴 및 상기 스캔 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성하고, 상기 센싱 베이스 패턴 및 상기 센싱 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 데이터 패턴 상에 제2 절연막을 형성하는 단계;
    상기 제2 절연막 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 제3 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 절연막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제1 기판 상에 제1 스캔 브릿지 패턴 및 제1 센싱 브릿지 패턴을 서로 이격되도록 형성하는 단계;
    상기 제1 스캔 브릿지 패턴과 중첩된 제1 콘택홀 및 상기 제1 센싱 브릿지 패턴과 중첩된 제2 콘택홀을 포함하는 제1 절연막을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연막 상에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 제1 스캔 브릿지 패턴에 연결된 제1 스캔 베이스 패턴, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 제1 센싱 브릿지 패턴에 연결된 제1 센싱 베이스 패턴, 제2 센싱 브릿지 패턴, 및 게이트 라인을 서로 이격되도록 형성하는 게이트 패턴 형성 단계;
    상기 제1 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제3 콘택홀, 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 중첩된 제4 콘택홀, 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 중첩되고 상기 제4 콘택홀과 이격된 제5 콘택홀을 포함하는 제2 절연막을 형성하는 단계;
    상기 제2 절연막 상에 상기 제3 콘택홀을 통해 상기 제1 스캔 베이스 패턴에 연결된 제2 스캔 베이스 패턴, 상기 제4 콘택홀을 통해 상기 제1 센싱 베이스 패턴에 연결되고, 상기 제5 콘택홀을 통해 상기 제2 센싱 브릿지 패턴에 연결된 제2 센싱 베이스 패턴, 및 데이터 라인을 서로 이격되도록 형성하는 데이터 패턴 형성 단계;
    상기 제2 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제6 콘택홀을 포함하는 제3 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 절연막 상에 상기 제6 콘택홀을 통해 상기 제2 스캔 베이스 패턴에 연결된 제2 스캔 브릿지 패턴 및 제1 전극을 서로 이격되도록 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 스캔 베이스 패턴, 상기 제2 스캔 베이스 패턴, 상기 제1 스캔 브릿지 패턴, 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성하고, 상기 제1 센싱 베이스 패턴, 상기 제2 센싱 베이스 패턴, 상기 제1 센싱 브릿지 패턴, 및 상기 제2 센싱 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제1 표시기판을 형성하는 단계;
    상기 제1 표시기판에 마주하는 제2 표시기판을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 표시기판을 형성하는 단계는,
    제1 기판 상에 제1 스캔 베이스 패턴 및 게이트 라인을 서로 이격되도록 형성하는 게이트 패턴 형성 단계;
    상기 게이트 패턴 상에 상기 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제1 콘택홀 및 상기 스캔 베이스 패턴과 중첩되고 상기 제1 콘택홀과 이격된 제2 콘택홀을 포함하는 제1 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 절연막 상에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 제1 스캔 베이스 패턴과 연결된 제1 스캔 브릿지 패턴, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 제1 스캔 베이스 패턴과 연결된 제2 스캔 베이스 패턴, 및 데이터 라인을 서로 이격되도록 형성하는 데이터 패턴 형성 단계;
    상기 데이터 패턴 상에 상기 제2 스캔 베이스 패턴과 중첩된 제3 콘택홀을 포함하는 제2 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 절연막 상에 상기 제3 콘택홀을 통해 상기 제2 스캔 베이스 패턴에 연결된 제2 스캔 브릿지 패턴 및 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 스캔 베이스 패턴, 상기 제2 스캔 베이스 패턴, 상기 제1 스캔 브릿지 패턴, 및 상기 제2 스캔 브릿지 패턴은 적어도 하나의 화소행을 감싸는 전류 경로를 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제2 표시기판을 형성하는 단계는,
    제2 기판 상에 차광층을 형성하는 단계;
    상기 차광층에 중첩하게 제1 센싱 베이스 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 센싱 베이스 패턴 상에 상기 제1 센싱 베이스 패턴과 중첩된 제4 콘택홀을 포함하는 컬러 필터들을 형성하는 단계; 및
    상기 컬러 필터들 상에 상기 제4 콘택홀을 통해 상기 제1 센싱 베이스 패턴에 연결된 제2 센싱 베이스 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 센싱 베이스 패턴 및 상기 제2 센싱 베이스 패턴은 적어도 하나의 화소열을 감싸는 전류 경로를 형성하는 것을 표시 장치의 제조 방법.
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