KR102202461B1 - Probe Card Module - Google Patents

Probe Card Module Download PDF

Info

Publication number
KR102202461B1
KR102202461B1 KR1020170137623A KR20170137623A KR102202461B1 KR 102202461 B1 KR102202461 B1 KR 102202461B1 KR 1020170137623 A KR1020170137623 A KR 1020170137623A KR 20170137623 A KR20170137623 A KR 20170137623A KR 102202461 B1 KR102202461 B1 KR 102202461B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
switch
output terminal
card module
resistor
probe
Prior art date
Application number
KR1020170137623A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180044222A (en
Inventor
훙-웨이 라이
주-훙 첸
Original Assignee
싱크-테크 시스템 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 싱크-테크 시스템 코포레이션 filed Critical 싱크-테크 시스템 코포레이션
Publication of KR20180044222A publication Critical patent/KR20180044222A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102202461B1 publication Critical patent/KR102202461B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/28—Provision in measuring instruments for reference values, e.g. standard voltage, standard waveform
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/30—Structural combination of electric measuring instruments with basic electronic circuits, e.g. with amplifier
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2879—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to electrical aspects, e.g. to voltage or current supply or stimuli or to electrical loads

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은, 프로브 카드 모듈을 개시하고, 이는, 제1 출력단을 구비하고, 상기 제1 출력단은 제1 저항과 연결되는 제1 구동유닛; 제2 출력단을 구비하고, 상기 제2 출력단은 제2 저항과 연결되는 제2 구동유닛; 비반전 입력단, 반전 입력단, 및 제3 출력단을 구비하고, 상기 제1 저항 및 상기 제2 저항이 상기 비반전 입력단에 연결되며, 상기 제3 출력단이 상기 반전 입력단에 연결되는 증폭유닛; 및 상기 증폭유닛의 제3 출력단에 연결되는 도전성 프로브를 포함한다.The present invention discloses a probe card module, which includes: a first driving unit having a first output terminal, the first output terminal being connected to a first resistor; A second driving unit having a second output terminal, the second output terminal being connected to a second resistor; An amplifying unit having a non-inverting input terminal, an inverting input terminal, and a third output terminal, the first resistor and the second resistance connected to the non-inverting input terminal, and the third output terminal connected to the inverting input terminal; And a conductive probe connected to the third output terminal of the amplifying unit.

Description

프로브 카드 모듈{Probe Card Module}Probe Card Module {Probe Card Module}

본 발명은, 프로브 카드의 기술에 관한 것으로서, 보다 상세히는, 다단계 전압 구동 회로를 구비하는 프로브 카드에 관한 것이다.The present invention relates to a probe card technology, and more particularly, to a probe card including a multi-stage voltage driving circuit.

집적회로 소자의 제조 과정에서, 다이 커팅 또는 소자 패키징 전에, 전기 성능 테스트를 진행하게 되는데, 통상적으로는 프로브 카드를 통해 테스터(Tester)가 제공하는 전원 신호와 테스트 신호를 피시험 소자(Device Under Testing, 약칭 DUT)에 전송한다. 그 중, 전원 신호는, 피시험 소자에 필요한 전원을 공급하기 위한 것이고, 테스트 신호는, 피시험 소자를 검측하기 위한 것이다.In the process of manufacturing an integrated circuit device, before die cutting or packaging the device, an electrical performance test is performed.In general, a power signal and a test signal provided by a tester through a probe card are applied to the device under testing. , Abbreviated DUT). Among them, the power signal is for supplying the necessary power to the device under test, and the test signal is for detecting the device under test.

일반적으로 말하면, 다단계 구동(Multi-Level Driving) 회로를 구비하는 프로브 카드 모듈(10)은, 도 1에 도시된 바와 같을 수 있고, RF 전력 합성기(RF Power Combiner)의 예로서, 2개의 수위(數位) 구동기(12, 14)로 형성된 4단계 전압 구동 회로(20)가 포함되고; 그 중, 수위 구동기(12, 14)의 출력단은 별개로 저항(R11, R12)의 일단에 연결되고, 저항(R11, R12)의 타단은, 서로 연결된 후, 다시 저항(R13) 및 신호 전송선(17)을 경유하여, 도전성 프로브(18)에 연결된다. 수위 구동기(12, 14)의 플러스 마이너스 전원 전압이 도시된 바와 같이 Vsp1, Vsn1, Vsp2, Vsn2로 설정된다면, 상기 전압 구동 회로(20)은 접속되는 입력 신호의 수위 상태 ‘00’, ‘01’, ‘10’, ‘11’에 의거하여, |Vsn1-Vsn2|, |Vsn1-Vsp2|, |Vsp1-Vsn2|, |Vsp1-Vsp2|의 4단계 출력 전압을 각각 생산할 것이다. 피시험 소자(30)은, 원래 자신도 저항을 구비하므로, 이로써 상기 전압 구동 회로(20)의 출력 전압의 최후는, 피시험 소자(30)의 위에 떨어지고, 이로써 상술한 저항(R11, R12, R13) 및 피시험 소자(30) 내의 저항 사이의 분압관계가 결정되게 된다.Generally speaking, the probe card module 10 having a multi-level driving circuit may be as shown in FIG. 1, and as an example of an RF power combiner, two levels ( A four-stage voltage driving circuit 20 formed of the 數位) drivers 12 and 14 is included; Among them, the output terminals of the water level drivers 12 and 14 are separately connected to one end of the resistors R11 and R12, and the other ends of the resistors R11 and R12 are connected to each other, and then the resistor R13 and the signal transmission line ( It is connected to the conductive probe 18 via 17). If the positive and negative power supply voltages of the water level drivers 12 and 14 are set to Vsp1, Vsn1, Vsp2, and Vsn2 as shown, the voltage driving circuit 20 is at the level of the connected input signal '00' and '01'. , '10' and '11', it will produce four output voltages of |Vsn1-Vsn2|, |Vsn1-Vsp2|, |Vsp1-Vsn2|, and |Vsp1-Vsp2| respectively. Since the device under test 30 originally also has a resistance, the end of the output voltage of the voltage driving circuit 20 falls on the device under test 30, thereby causing the resistances R11, R12, and The partial pressure relationship between R13) and the resistance in the device under test 30 is determined.

하지만, 수위 구동기(12, 14)는, 각각 저항을 구동하여, 모두 구동기 자신의 조작 속도를 저하시킬 것이다. 또한, 피시험 소자(30) 자신의 저항이 변동적이고, 각개 피시험 소자(30)의 저항치가 서로 같지 않으므로, 테스트 진행시에 있어서, 도전성 프로브(18)가 매번 접촉하는 피시험 소자(30)의 도전성 패드의 압력이 서로 같지 않고, 그로부터 형성되는 접촉 저항(Contact Resistance)도 서로 동일하지 않다; 그래서, 상기 전압 구동 회로(20)의 출력 전압이 매번 떨어지는 피시험 소자(30) 위의 분압도 상호 동일하지 않은 것이고, 이로써 상기 프로브 카드 모듈(10)은 비교적 차이를 가지는 다단계 전압 정밀도를 구비하고, 나아가 전기 성능 테스트의 정확성에 영향을 준다. 이로 인해, 새로운 프로브 카드 기술의 발전 필요성이 있고, 상기 문제를 유효하게 해결해야 한다. 종래의 공지의 프로브 카드 모듈 기술에 대해, 대만 특허출원 TWI 512296, 중국 특허출원 CN 105372574A, 미국 특허출원 US 20050172176을 참조할 수 있고, 이들은 모두 본원발명의 기술과 완전 동일한 것은 아니다.However, the water level drivers 12 and 14 each drive a resistance, so that both will lower the operating speed of the driver itself. In addition, since the resistance of the device under test 30 itself is variable, and the resistance values of the individual devices under test 30 are not the same, the device under test 30 that the conductive probe 18 contacts every time during the test The pressures of the conductive pads are not the same, and the contact resistance formed therefrom is not the same; Therefore, the divided voltages on the device under test 30 where the output voltage of the voltage driving circuit 20 falls each time are not equal to each other, and thus the probe card module 10 has a multi-level voltage accuracy having a relatively difference. Furthermore, it affects the accuracy of the electrical performance test. For this reason, there is a need to develop a new probe card technology, and the above problem must be effectively solved. For the conventionally known probe card module technology, reference may be made to Taiwan patent application TWI 512296, Chinese patent application CN 105372574A, and US patent application US 20050172176, which are not all the same as the technology of the present invention.

대만 특허출원 TWI 512296Taiwan patent application TWI 512296 중국 특허출원 CN 105372574AChinese patent application CN 105372574A 미국 특허출원 US 20050172176US patent application US 20050172176

본 발명의 목적의 하나는, 피시험 소자의 높은 빈도 테스트 시에, 수위 구동기의 조작 속도 감소, 및 제공하는 다단계 전압 정밀도 오차 문제를 해결하여, 향상된 프로브 카드 모듈 조작성능을 제공하고자 하는 것이다.One object of the present invention is to solve the problem of reducing the operating speed of the water level driver and the multi-level voltage accuracy error provided during high frequency testing of an element under test, thereby providing an improved probe card module operating performance.

본 발명의 일 측면에 따른 일실시예는, 프로브 카드 모듈을 제공하고, 이는 다음을 포함한다: 제1 출력단을 구비하고, 상기 제1 출력단은 제1 저항에 연결되는 제1 구동유닛; 제2 출력단을 구비하고, 상기 제2 출력단은 제2 저항에 연결되는 제2 구동유닛; 비반전 입력단, 반전 입력단 및 제3 출력단을 구비하고, 상기 제1 저항 및 상기 제2 저항은, 상기 비반전 입력단에 연결되고, 상기 제3 출력단은 상기 반전 입력단에 연결되는 증폭유닛; 및 상기 증폭유닛의 제3 출력단에 연결되는 도전성 프로브.An embodiment according to an aspect of the present invention provides a probe card module, which includes: a first driving unit having a first output terminal, the first output terminal being connected to a first resistor; A second driving unit having a second output terminal, the second output terminal being connected to a second resistor; An amplifying unit having a non-inverting input terminal, an inverting input terminal, and a third output terminal, the first resistor and the second resistor being connected to the non-inverting input terminal, and the third output terminal being connected to the inverting input terminal; And a conductive probe connected to a third output terminal of the amplifying unit.

일실시예에 있어서, 상기 프로브 카드 모듈은, 다음을 더 포함한다: 상기 제1 저항 및 상기 제2 저항이 제3 저항을 경유하여 상기 증폭유닛의 상기 비반전 입력단에 연결되는 상기 제3 저항; 및 상기 증폭유닛의 상기 비반전 입력단이 제4 저항을 경유하여 접지하는 상기 제4 저항.In one embodiment, the probe card module further includes: the third resistor, wherein the first resistor and the second resistor are connected to the non-inverting input terminal of the amplifying unit via a third resistor; And the fourth resistor to which the non-inverting input terminal of the amplifying unit is grounded via a fourth resistor.

일실시예에 있어서, 상기 제1 저항과 상기 제2 저항은 상호 동일 저항치를 구비한다.In one embodiment, the first resistor and the second resistor have the same resistance value.

일실시예에 있어서, 상기 프로브 카드 모듈은, 다음을 더 포함한다: 제4 출력단을 구비하고, 상기 제4 출력단은 제5 저항에 연결되고, 상기 제5 저항은 상기 증폭유닛의 상기 비반전 입력단에 연결되는 제3 구동유닛.In one embodiment, the probe card module further includes: a fourth output terminal, the fourth output terminal connected to a fifth resistor, and the fifth resistor is the non-inverting input terminal of the amplifying unit A third drive unit connected to.

일실시예에 있어서, 상기 제1 저항, 상기 제2 저항 및 상기 제5 저항은, 상호 동일 저항치를 구비한다.In one embodiment, the first resistor, the second resistor, and the fifth resistor each have the same resistance value.

일실시예에 있어서, 상기 프로브 카드 모듈은, 다음을 더 포함한다: 상기 증폭유닛의 상기 비반전 입력단은, 제6 저항을 경유하여 접지되는 상기 제6 저항.In one embodiment, the probe card module further includes: the non-inverting input terminal of the amplifying unit is the sixth resistor to be grounded via a sixth resistor.

일실시예에 있어서, 상기 증폭유닛은 연산증폭기를 포함한다.In one embodiment, the amplification unit includes an operational amplifier.

일실시예에 있어서, 상기 도전성 프로브와 상기 증폭유닛의 제3 출력단 사이에 신호전송선이 설치된다.In one embodiment, a signal transmission line is installed between the conductive probe and the third output terminal of the amplifying unit.

본 발명의 다른 측면에 따른 타실시예는, 프로브 카드 모듈을 제공하고, 이는 다음을 포함한다: 제1 비반전 출력단 및 제1 반전 출력단을 구비하고, 상기 제1 비반전 출력단은 제1 스위치에 결합되며, 상기 제1 스위치의 양단은 각각 제1 도전성 프로브 및 제1 전류원에 연결되고, 상기 제1 반전 출력단은 제2 스위치에 결합되며, 상기 제2 스위치의 양단은, 각각 제2 도전성 프로브 및 상기 제1 전류원에 연결되는 제1 구동유닛; 여기서, 상기 제1 도전성 프로브는, 제1 저항에 결합하고, 상기 제2 도전성 프로브는, 제2 저항에 결합한다.Another embodiment according to another aspect of the present invention provides a probe card module, which includes: a first non-inverting output terminal and a first inverting output terminal, wherein the first non-inverting output terminal is connected to a first switch. Is coupled, both ends of the first switch are connected to a first conductive probe and a first current source, respectively, the first inverting output end is coupled to a second switch, and both ends of the second switch are respectively a second conductive probe and A first driving unit connected to the first current source; Here, the first conductive probe is coupled to a first resistor, and the second conductive probe is coupled to a second resistor.

일실시예에 있어서, 상기 제1 저항과 상기 제2 저항은, 상호 동일 저항치를 구비한다.In one embodiment, the first resistor and the second resistor have the same resistance value.

일실시예에 있어서, 상기 제1 저항 및 상기 제2 저항은, 각각 공동 전압을 구비하는 전극전극에 결합된다.In one embodiment, the first resistor and the second resistor are each coupled to an electrode electrode having a common voltage.

일실시예에 있어서, 상기 제1 구동유닛은, 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치가 동일 시간에 하나만 도통을 가지도록 제어한다.In one embodiment, the first driving unit controls only one of the first and second switches to have conduction at the same time.

일실시예에 있어서, 상기 제1 도전성 프로브와 상기 제1 스위치 사이에 제1 신호 전송선이 설치되고, 상기 제1 저항은, 상기 제1 도전성 프로브와 상기 제1 신호 전송선 사이에 연결되며; 상기 제2 도전성 프로브와 상기 제2 스위치 사이에 제2 신호 전송선이 설치되고, 상기 제2 저항은, 상기 제2 도전성 프로브와 상기 제2 신호 전송선 사이에 연결된다.In one embodiment, a first signal transmission line is installed between the first conductive probe and the first switch, and the first resistor is connected between the first conductive probe and the first signal transmission line; A second signal transmission line is installed between the second conductive probe and the second switch, and the second resistor is connected between the second conductive probe and the second signal transmission line.

일실시예에 있어서, 상기 프로브 카드 모듈은, 다음을 더 포함한다: 상기 제1 신호 전송선과 상기 제1 도전성 프로브 사이에 설치되고, 상기 제1 도전성 프로브는, 상기 제1 커패시터를 경유하여 상기 제1 저항에 결합되는 제1 커패시터; 및 상기 제2 신호 전송선과 상기 제2 도전성 프로브 사이에 설치되고, 상기 제2 도전성 프로브는, 상기 제2 커패시터를 경유하여 상기 제2 저항에 결합되는 제2 커패시터.In one embodiment, the probe card module further includes: installed between the first signal transmission line and the first conductive probe, the first conductive probe, the first conductive probe via the first capacitor A first capacitor coupled to the first resistor; And a second capacitor installed between the second signal transmission line and the second conductive probe, and the second conductive probe is coupled to the second resistor via the second capacitor.

일실시예에 있어서, 상기 프로브 카드 모듈은, 다음을 더 포함한다: 제2 비반전 출력단과 제2 반전 출력단을 구비하고, 상기 제2 비반전 출력단은 제3 스위치에 결합하며, 상기 제3 스위치의 양단은, 각각 상기 제1 도전성 프로브와 제2 전류원에 연결되고, 상기 제1 반전 출력단은 제4 스위치에 결합되며, 상기 제4 스위치의 양단은 각각 상기 제2 도전성 프로브와 상기 제2 전류원에 연결되는 제2 구동유닛.In one embodiment, the probe card module further includes: a second non-inverting output terminal and a second inverting output terminal, the second non-inverting output terminal coupled to a third switch, and the third switch Both ends of are respectively connected to the first conductive probe and the second current source, the first inverting output end is coupled to a fourth switch, and both ends of the fourth switch are respectively connected to the second conductive probe and the second current source. The second drive unit to be connected.

일실시예에 있어서, 상기 프로브 카드 모듈은, 다음을 더 포함한다: 제3 비반전 출력단과 제3 반전 출력단을 구비하고, 상기 제3 비반전 출력단은 제5 스위치에 결합되며, 상기 제5 스위치의 양단은 각각 상기 제1 도전성 프로브와 제3 전류원에 연결되고, 상기 제3 반전 출력단은 제6 스위치에 결합되며, 상기 제6 스위치의 양단은 상기 제2 도전성 프로브와 상기 제3 전류원에 연결되는 제3 구동유닛.In one embodiment, the probe card module further includes: a third non-inverting output terminal and a third inverting output terminal, and the third non-inverting output terminal is coupled to a fifth switch, and the fifth switch Both ends of are connected to the first conductive probe and a third current source, the third inverting output end is coupled to a sixth switch, and both ends of the sixth switch are connected to the second conductive probe and the third current source. The third drive unit.

일실시예에 있어서, 상기 제1 구동유닛은, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치를 제어하여, 동일시간에 오직 하나의 도통만 가지도록 하고; 상기 제2 구동유닛은, 상기 제3 스위치와 상기 제4 스위치를 제어하여, 동일시간에 오직 하나의 도통만 가지도록 하며; 상기 제3 구동유닛은, 상기 제5 스위치와 제6 스위치를 제어하여, 동일시간에 오직 하나의 도통만 가지도록 한다.In one embodiment, the first driving unit controls the first switch and the second switch to have only one conduction at the same time; The second driving unit controls the third switch and the fourth switch to have only one conduction at the same time; The third drive unit controls the fifth switch and the sixth switch to have only one conduction at the same time.

일실시예에 있어서, 상기 제1 전류원, 상기 제2 전류원과 상기 제3 전류원은, 상호 동일 전류치를 가지는 직류 전류원이다.In one embodiment, the first current source, the second current source, and the third current source are DC current sources having the same current value.

본 발명에 의하면, 피시험 소자의 높은 빈도 테스트 시에, 수위 구동기의 조작 속도 감소, 및 제공하는 다단계 전압 정밀도 오차 문제를 해결하여, 향상된 프로브 카드 모듈 조작성능이 제공된다.Advantageous Effects of Invention According to the present invention, when a high frequency test of an element under test is performed, the operation speed of the water level driver is reduced, and the problem of the multi-stage voltage accuracy error is solved, thereby providing improved probe card module operation performance.

도 1은, 종래 공지기술의 프로브 카드 모듈의 회로도이다.
도 2는, 본 발명에 의한 제1 실시예의 프로브 카드 모듈의 회로도이다.
도 3은, 본 발명에 의한 제2 실시예의 프로브 카드 모듈의 회로도이다.
도 4는, 본 발명에 의한 제3 실시예의 프로브 카드 모듈의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a conventional known art probe card module.
2 is a circuit diagram of the probe card module of the first embodiment according to the present invention.
3 is a circuit diagram of a probe card module according to a second embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram of a probe card module according to a third embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 특징, 목적 및 효과에 대해, 가일층의 인지와 명료한 이해를 위해, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 설명 및 도면 중에서, 상호 동일 또는 유사한 소자를 지정함에 있어서는 상호 동일한 소자 부호를 채용한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings for further recognition and clear understanding of the features, objects and effects of the present invention. In the description and drawings, when designating elements identical or similar to each other, the same element symbols are used.

각 실시예의 설명에 있어서, 어떤 구성요소의 묘사에 있어서 다른 구성요소의 ‘상방/상’ 또는 ‘하방/하’는, 상기 다른 구성요소의 상 또는 하에 직접 또는 간접으로 존재하는 정황을 가르키고, 그 사이에 다른 구성요소를 설치하는 것을 포함한다; 소위 ‘직접’이라고 지칭된 경우에는. 그 사이에 중개 구성요소가 설치되어 있지 않을 수 있다. ‘상방/상’ 또는 ‘하방/하’ 등의 묘사관계는, 설명 진행상 그 방향이 전환될 수도 있다. 소위 ‘제1’, ‘제2’, 및 ‘제3’ 등으로 서로 다른 구성요소를 묘사할 수 있고, 이로써 제한을 받는 것은 아니다. 설명의 편리성과 명료성을 위해, 도면 중의 각 구성요소의 두께 또는 길이 등이 과장 또는 생략 또는 개략적으로 표시될 수 있고, 각 구성원소의 치수 등은 실제의 것과 다를 수 있다.In the description of each embodiment, in the description of a certain element, the'upper/upper' or'lower/lower' of another element indicates a context that exists directly or indirectly above or below the other element, and Includes installing other components between; In the case of so-called'direct'. Intermediate components may not be installed in the meantime. Descriptive relations such as'top/top' or'bottom/bottom' may change their direction as the explanation proceeds. Different constituent elements may be described in the so-called'first','second', and'third', and are not limited thereto. For convenience and clarity of description, the thickness or length of each component in the drawings may be exaggerated, omitted, or schematically displayed, and the dimensions of each component may be different from the actual one.

도 2는, 본 발명에 따른 제1 실시예의 프로브 카드 모듈(100)의 회로도이고, 이는 4단계 전압 구동 회로이다. 상기 프로브 카드 모듈(100)은, 다음을 포함한다: 제1 구동 유닛(120), 제2 구동유닛(140), 증폭유닛(150), 및 도전성 프로브(180); 여기서, 상기 제1 구동유닛(120)은, 플러스 마이너스 전원 전압을 각각 Vsp1 및 Vsn1으로 설정할 수 있는 수위 구동기이고, 상기 제2 구동유닛(140)은, 플러스 마이너스 전원 전압을 각각 Vsp2 및 Vsn2으로 설정할 수 있는 수위 구동기이며, 또한, 상기 증폭유닛(150)은, 연산증폭기(Operational Amplifier 또는 OP-Amp)일 수 있다. 상기 제1 구동유닛(120)은, 입력단(122) 및 출력단(124)을 구비하고, 상기 입력단(122)은, 테스터에서 오는 테스트 신호를 입력받고, 상기 출력단(124)은, 정합저항(R21)에 연결되어, 그 저항치에 의거하여 주파수 등 테스트 규격을 설정한다. 상기 제2 구동유닛(140)은, 입력단(142) 및 출력단(144)을 구비하고, 상기 입력단(142)은, 테스터로부터 오는 테스트 신호를 입력받고, 상기 출력단(144)은, 정합저항(R22)에 연결되어, 그 저항치에 의거하여 주파수 등 테스트 규격을 설정한다. 본 실시예에 있어서, 정합저항(R21, R22)은, 상호 동일한 저항치를 구비할 수 있다.2 is a circuit diagram of the probe card module 100 of the first embodiment according to the present invention, which is a four-step voltage driving circuit. The probe card module 100 includes: a first driving unit 120, a second driving unit 140, an amplifying unit 150, and a conductive probe 180; Here, the first driving unit 120 is a level driver capable of setting positive and negative power voltages to Vsp1 and Vsn1, respectively, and the second driving unit 140 sets positive and negative power voltages to Vsp2 and Vsn2, respectively. It is a water level driver, and the amplification unit 150 may be an operational amplifier (OP-Amp). The first driving unit 120 includes an input terminal 122 and an output terminal 124, the input terminal 122 receives a test signal from a tester, and the output terminal 124 has a matching resistance R21 ), and based on the resistance value, test standards such as frequency are set. The second driving unit 140 includes an input terminal 142 and an output terminal 144, the input terminal 142 receives a test signal from a tester, and the output terminal 144 has a matching resistance R22 ), and based on the resistance value, test standards such as frequency are set. In this embodiment, the matching resistors R21 and R22 may have the same resistance values.

상기 제1 구동유닛(120)과 상기 제2 구동유닛(140)은, 그 입력된 테스트 신호의 수위 상태 ‘00’, ‘01’, ‘10’, ‘11’에 의거하여, 각각 4단계의 출력전압(V12)을 생산한다: 예컨대 |Vsn1-Nsn2|, |Vsn1-Vsp2|, |Vsp1-Vsn2|, |Vsp1-Vsp2|sms, 각각 4단계의 출력전압(V12)가 되고, 정합저항(R21, R22)의 두 측으로 나뉜다. 도 2에 도시된 바와 같이, 정합저항(R21, R22)은, 서로 연결되어 연접점(101)을 형성하고, 상기 연접점(101)은, 상기 증폭유닛(150)에 연결될 수 있으며, 이로써 상기 출력전압(V12)은 직접 상기 증폭유닛(150)에 입력된다; 또는, 본 실시예에 있어서, 상기 연접점(101)은 또 2개의 조정저항(R23, R24)이 조성하는 분압회로에 연결되고, 여기서 조정저항(R23)의 일단은 상기 연접점(101)에 연결되고, 상기 2개의 조정저항(R23, R24)은 서로 직렬이며, 또한 다른 조정저항(R24)의 타단은 접지된다. 따라서, 상기 출력전압(V12)이 가변적 전압신호가 됨으로써, 조정저항(R23, R24)의 저항치가, 그 전압신호의 개변(예컨대: 저전압 준위가 고전압 준위까지 상승) 시의 전압 변환율(Slew rate) 및 오버슈트(overshoot)량의 조정용으로 이용될 수 있다. 상세히 말하면, 상기 타측 조정저항(R24)의 저항치가 상대적으로 높을 때, 전압 전환율의 상승에 유효할 수 있지만, 그러나 오버슈트 역시 상승할 수 있다; 반대로, 상기 타측 조정저항(R24)의 저항치가 상대적으로 낮을 때, 전압 전환률이 낮아지지만, 동시에 오버슈트의 억제에 유효하다.The first driving unit 120 and the second driving unit 140 are each of four stages based on the level states '00', '01', '10', and '11' of the input test signal. Produces the output voltage (V12): For example, |Vsn1-Nsn2|, |Vsn1-Vsp2|, |Vsp1-Vsn2|, |Vsp1-Vsp2|sms, each becomes the output voltage (V12) of 4 stages, and the matching resistance ( It is divided into two sides: R21 and R22). As shown in FIG. 2, the matching resistors R21 and R22 are connected to each other to form a junction 101, and the junction 101 may be connected to the amplification unit 150, whereby the The output voltage V12 is directly input to the amplifying unit 150; Alternatively, in this embodiment, the connection point 101 is connected to a voltage divider circuit formed by two adjustment resistors R23 and R24, wherein one end of the adjustment resistor R23 is connected to the connection point 101. Is connected, the two adjusting resistors R23 and R24 are in series with each other, and the other end of the other adjusting resistor R24 is grounded. Therefore, since the output voltage V12 becomes a variable voltage signal, the resistance value of the adjustment resistors R23 and R24 increases the voltage conversion rate when the voltage signal is changed (for example, a low voltage level rises to a high voltage level). And it can be used for adjustment of the overshoot (overshoot) amount. Specifically, when the resistance value of the other side adjustment resistor R24 is relatively high, it may be effective to increase the voltage conversion rate, but the overshoot may also increase; Conversely, when the resistance value of the other side adjustment resistor R24 is relatively low, the voltage conversion rate is lowered, but at the same time, it is effective in suppressing overshoot.

상기 증폭유닛(150)은, 비반전 입력단(151), 반전 입력단(152), 및 출력단(153)을 구비하고, 상기 2개의 조정저항(R23, R24)의 상호 직렬의 연접점은, 상기 비반전 입력단(151)에 연결되며, 상기 출력단(153)은, 상기 반전 입력단(152)에 결합되어 네가티브 피드백 증폭회로를 형성한다; 이로써, 정합저항(R21, R22)가 조정저항(R23)을 경유하여 상기 비반전 입력단(151)에 연결되고, 상기 증폭유닛(150)의 입력전압, 즉 상기 조정저항(R23, R24)이 조성하는 분압회로의 출력전압을 얻게 하여, 이로써 본 실시예에 있어서 정합저항(R21, R22)은, 상호 동일한 저항치를 구비하고, 이로써 상기 증폭유닛(150)의 입력 전압은, V12×R24/(R23+R24)/2로 표시될 수 있다. 이 입력전압은, 신호 전송선(170)을 투과하여 상기 도전성 프로브(180)에 전송되고, 이로써 피시험 소자의 전기 성능 테스트가 진행된다; 여기서, 상기 신호 전송선(170)은, 동축선 또는 쌍교선일 수 있다.The amplification unit 150 includes a non-inverting input terminal 151, an inverting input terminal 152, and an output terminal 153, and a connection point of the two adjustment resistors R23 and R24 in series Connected to the inverting input terminal 151, the output terminal 153 is coupled to the inverting input terminal 152 to form a negative feedback amplifier circuit; Accordingly, the matching resistors R21 and R22 are connected to the non-inverting input terminal 151 via the adjustment resistor R23, and the input voltage of the amplifying unit 150, that is, the adjustment resistors R23 and R24, is formed. The output voltage of the voltage divider circuit is obtained, whereby the matching resistors R21 and R22 in the present embodiment have the same resistance values, whereby the input voltage of the amplifying unit 150 is V12×R24/(R23 Can be expressed as +R24)/2. This input voltage is transmitted through the signal transmission line 170 and transmitted to the conductive probe 180, whereby the electrical performance test of the device under test proceeds; Here, the signal transmission line 170 may be a coaxial line or a double bridge line.

본 발명의 제1 실시예의 프로브 카드 모듈(100)의 조작속도는, 상기 증폭유닛(150)의 결정에 따른다; 환언하면, 상기 프로브 카드 모듈(100)의 정체의 조작속도는, 상기 정합저항(R21, R22) 또는 조정저항(R23, R24)이 조성하는 분압회로의 낮은 쪽을 받아들일 수 없고, 상기 증폭유닛(150)의 조작속도로만 결정되며, 만일 상기 증폭유닛(150)이 높은 조작속도의 연산증폭기로 선택되면, 즉 상기 프로브 카드 모듈(100)은 비교적 높은 조작속도를 획득할 수 있다. 기타, 이로써 상기 도전성 프로브(180)에 전기 성능 테스트의 전압 실제를 상기 증폭유닛(150)에서 제공하도록 전송하므로, 상기 증폭유닛(150)이 접수하는 입력전압은 고정적(정합저항(R21, R22)과 분압회로가 결정하므로)이고, 이로 인해 피시험 소자의 전압이 각 피시험 소자의 저항치의 상이함 또는 도전성 프로브(180)와 피시험 소자가 형성하는 접촉저항의 상이함의 영향으로 인해, 유효하게 다단계 전압 정밀도를 상승시킬 수 있다.The operating speed of the probe card module 100 of the first embodiment of the present invention is determined by the amplifying unit 150; In other words, the operating speed of the congestion of the probe card module 100 cannot accept the lower side of the voltage divider circuit formed by the matching resistors R21 and R22 or the adjusting resistors R23 and R24, and the amplifying unit It is determined only by the operation speed of 150, and if the amplification unit 150 is selected as an operational amplifier with a high operation speed, that is, the probe card module 100 can obtain a relatively high operation speed. In addition, since the amplification unit 150 transmits the actual voltage of the electrical performance test to the conductive probe 180 so that the amplification unit 150 provides the actual voltage, the input voltage received by the amplification unit 150 is fixed (matching resistance (R21, R22)). And the voltage divider circuit), and thus the voltage of the device under test is effective due to the influence of the difference in the resistance value of each device under test or the difference in the contact resistance formed by the conductive probe 180 and the device under test. Multi-level voltage accuracy can be increased.

본 발명의 실시예의 프로브 카드 모듈은, 상술한 4단계 전압 구동 회로에 한정되는 것이 아니고, 예컨대, 도 3은, 본 발명에 따른 제2 실시예의 프로브 카드 모듈(200)의 회로도이고, 이는 6단계 전압 구동 회로가 된다. 상기 프로브 카드 모듈(200)은, 다음을 포함한다: 제1 구동유닛(220), 제2 구동유닛(240), 제3 구동유닛(260), 증폭유닛(250) 및 도전성 프로브(280); 여기서, 상기 제1 구동유닛(220)은, 플러스 마이너스 전원 전압을 각각 Vsp1과 Vsn1으로 설정할 수 있는 수위 구동기이고, 상기 제2 구동유닛(240)은, 플러스 마이너스 전원 전압을 각각 Vsp2와 Vsn2로 설정할 수 있는 수위 구동기이며, 상기 제3 구동유닛(260)은, 플러스 마이너스 전원 전압을 각각 Vsp3와 Vsn3로 설정할 수 있는 수위 구동기이고, 상기 증폭유닛(250)은, 연산증폭기일 수 있다.The probe card module of the embodiment of the present invention is not limited to the above-described four-stage voltage driving circuit, for example, FIG. 3 is a circuit diagram of the probe card module 200 of the second embodiment according to the present invention, which is six steps. It becomes a voltage driving circuit. The probe card module 200 includes: a first driving unit 220, a second driving unit 240, a third driving unit 260, an amplifying unit 250, and a conductive probe 280; Here, the first driving unit 220 is a level driver capable of setting the positive and negative power voltages to Vsp1 and Vsn1, respectively, and the second driving unit 240 sets the positive and negative power voltages to Vsp2 and Vsn2, respectively. The third driving unit 260 is a level driver capable of setting positive and negative power voltages to Vsp3 and Vsn3, respectively, and the amplifying unit 250 may be an operational amplifier.

상기 제1 구동유닛(220)은, 입력단(222) 및 출력단(224)을 구비하고, 상기 입력단(222)은, 테스터로부터 오는 테스트 신호를 접수하고, 상기 출력단(224)은, 정합저항(R31)에 연결되어, 그 저항치에 의거하여 사용자의 주파수 규격을 설정한다. 상기 제2 구동유닛(240)은, 입력단(242) 및 출력단(244)을 구비하고, 상기 입력단(242)은, 테스터로부터 오는 테스트 신호를 접수하고, 상기 출력단(244)은, 정합저항(R32)에 연결되어, 그 저항치에 의거하여 사용자의 주파수 규격을 설정한다. 상기 제3 구동유닛(260)은, 입력단(262) 및 출력단(264)을 구비하고, 상기 입력단(262)은, 테스터로부터 오는 테스트 신호를 접수하고, 상기 출력단(264)은, 정합저항(R33)에 연결되어, 그 저항치에 의거하여 사용자의 주파수 규격을 설정한다. 정합저항(R31, R32, R33)은 서로 연결되어 연접점(201)을 형성한다. 본 실시예에 있어서, 정합저항(R31, R32, R33)은, 상호 동일한 저항치를 구비할 수 있다. 기타, 상술한 3개의 정합저항(R31, R32, R33)은, IC 박막(Thin Film) 제품 제작을 사용할 수 있고, 이로써 상기 프로브 카드 모듈(200)의 제조 완성 및 구조 복잡도가 간소화된다.The first driving unit 220 includes an input terminal 222 and an output terminal 224, the input terminal 222 receives a test signal from a tester, and the output terminal 224 has a matching resistance R31 ), and sets the user's frequency standard based on the resistance value. The second driving unit 240 includes an input terminal 242 and an output terminal 244, the input terminal 242 receives a test signal from a tester, and the output terminal 244 is a matching resistor R32 ), and sets the user's frequency standard based on the resistance value. The third driving unit 260 includes an input terminal 262 and an output terminal 264, the input terminal 262 receives a test signal from a tester, and the output terminal 264 is a matching resistor R33 ), and sets the user's frequency standard based on the resistance value. The matching resistors R31, R32, and R33 are connected to each other to form a junction 201. In this embodiment, the matching resistors R31, R32, and R33 may have the same resistance values. In addition, the above-described three matching resistors R31, R32, R33 can be used to manufacture an IC thin film product, thereby simplifying manufacturing completion and structural complexity of the probe card module 200.

상기 연접점(201)은, 상기 증폭유닛(250)에 연결될 수 있고, 이로써 상기 제1, 제2, 또는 제3 구동유닛(220, 240, 260)이 생산하는 출력전압이 직접 상기 증폭유닛(250)에 입력된다; 또는 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 있어서, 상기 연접점(201)은 또 조정저항(R34)에 연결되고, 상기 조정저항(R34)의 타단은 접지되며, 이로써 상기 증폭유닛(250)의 입력저항에 정합될 수 있다. 상기 제1 구동유닛(220)은, 그 접수한 테스트 신호의 수위 상태에 따라 출력전압(Vsp1, Vsn1)을 생산한다. 정합저항(R31)과 조정저항(R34)은, 분압회로를 조성하여, 연접점(201)의 분압(V2)을 Vsp1×R34/(R31+R34) 또는 Vsn1×R34/(R31+R34)로 얻을 수 있다. 마찬가지로, 상기 제2 구동유닛(240)은, 그 접수하는 테스트 신호의 수위 상태에 따라, 출력전압(Vsp2, Vsn2)을 생산하여, 연접점(201)에서 분압(V2)을 Vsp2×R34/(R32+R34) 또는 Vsn2×R34/(R32+R34)로 생산한다; 상기 제3 구동유닛(260)은, 그 접수하는 테스트 신호의 수위 상태에 의거, 출력전압(Vsp3, Vsn3)을 생산하여, 연접점(201)에서의 분압(V2)을 Vsp3×R34/(R33+R34) 또는 Vsn3×R34/(R33+R34)로 생산한다. 이로 인해, 상기 제2 실시예의 프로브 카드 모듈(200)은, 적어도 6단계 전압을 제공할 수 있다. 여기서, 조정저항(R34)의 저항치는, 마찬가지로 상기 등의 구동유닛(220, 240, 260)의 출력전압 파형에서 ‘0’에서 상승하여 ‘1’이 되는 전압 전환율 및 오버슈트를 조정할 수 있다.The connection point 201 may be connected to the amplifying unit 250, whereby the output voltage produced by the first, second, or third driving units 220, 240, 260 is directly transmitted to the amplifying unit ( 250); Alternatively, as shown in FIG. 3, in the present embodiment, the connection point 201 is further connected to the adjustment resistor R34, and the other end of the adjustment resistor R34 is grounded, whereby the amplification unit 250 ) Can be matched to the input resistance. The first driving unit 220 produces output voltages Vsp1 and Vsn1 according to the level of the received test signal. Matching resistor (R31) and adjusting resistor (R34) form a voltage divider circuit, and the voltage divider (V2) of the junction 201 is set to Vsp1 × R34/(R31+R34) or Vsn1 × R34/(R31+R34). Can be obtained. Likewise, the second driving unit 240 produces output voltages Vsp2 and Vsn2 according to the level of the received test signal, and converts the divided voltage V2 at the junction 201 to Vsp2×R34/( R32+R34) or Vsn2×R34/(R32+R34); The third driving unit 260 generates output voltages Vsp3 and Vsn3 based on the level of the received test signal, and adjusts the partial pressure V2 at the junction 201 to Vsp3×R34/(R33). +R34) or Vsn3×R34/(R33+R34). For this reason, the probe card module 200 of the second embodiment may provide at least six voltages. Here, the resistance value of the adjustment resistor R34 may increase from “0” to “1” in the output voltage waveform of the driving units 220, 240, and 260 as described above, and the overshoot and the voltage conversion rate may be adjusted.

상기 증폭유닛(250)은, 비반전 입력단(251), 반전 입력단(252), 및 출력단(253)을 구비하고, 상기 출력단(253)은, 상기 반전 입력단(252)에 직접 연결되어, 마이너스 피드백 증폭회로를 형성한다. 도시된 바와 같이, 정합저항(R31, R32, R33)의 공통 연접점(201)은, 상기 비반전 입력단(251)에 연결되고, 상기 증폭유닛(250)의 입력전압, 즉 상술 상기 등의 구동유닛(220, 240, 260)이 출력하는 분압(V2)을 얻도록 한다; 이 입력전압은, 신호 전송선(270)을 투과하여, 상기 도전성 프로브(280)에 전송되고, 이로써 피시험 소자의 전기 성능 테스트를 진행한다; 여기서, 상기 신호 전송선(270)은, 동축선 또는 쌍교선일 수 있다.The amplification unit 250 includes a non-inverting input terminal 251, an inverting input terminal 252, and an output terminal 253, and the output terminal 253 is directly connected to the inverting input terminal 252, and negative feedback Form an amplification circuit. As shown, the common connection point 201 of the matching resistors R31, R32, R33 is connected to the non-inverting input terminal 251, and the input voltage of the amplifying unit 250, that is, driving the above, etc. To obtain the partial pressure V2 output by the units 220, 240, 260; This input voltage passes through the signal transmission line 270 and is transmitted to the conductive probe 280, thereby conducting an electrical performance test of the device under test; Here, the signal transmission line 270 may be a coaxial line or a double bridge line.

본 발명의 제2 실시예의 프로브 카드 모듈(200)의 조작 속도도 역시, 상기 증폭유닛(250)의 결정에 따른다; 환언하면, 상기 프로브 카드 모듈(200)의 정체적 조작 속도는, 상기 정합저항(R31, R32, R33) 또는 상기 조정저항(R34)의 낮은 값에 도달하지 않고, 오직 상기 증폭유닛(250)의 조작속도에 의해 결정되며, 만일 상기 증폭유닛(250)이 높은 조작속도의 연산증폭기를 이용하는 것으로 선택되면, 상기 프로브 카드 모듈(200)은, 비교적 높은 조작속도를 획득할 수 있게 된다. 기타, 상기 도전성 프로브(280)에 전송함으로써 전기 성능 테스트의 전압의 실제치가 상기 증폭유닛(250)에 제공되도록 진행하고, 상기 증폭유닛(250)은 그 접수하는 입력전압이 고정적()이며, 이로써 피시험 소자의 전압에 떨어지는 전압은 각개 피시험 소자의 저항치의 상이함 또는 도전성 프로브(280)과 피시험 소자가 형성하는 접촉저항의 상이함의 영향을 다시 받지 않으며, 이로써 다단계 전압 정밀도의 상승에 유효하다.The operation speed of the probe card module 200 according to the second embodiment of the present invention is also determined by the amplification unit 250; In other words, the static operation speed of the probe card module 200 does not reach a low value of the matching resistors R31, R32, R33 or the adjustment resistor R34, and only the amplification unit 250 It is determined by the operation speed, and if the amplification unit 250 is selected to use an operational amplifier with a high operation speed, the probe card module 200 can obtain a relatively high operation speed. In addition, by transmitting to the conductive probe 280, the actual value of the voltage of the electrical performance test is provided to the amplifying unit 250, and the amplifying unit 250 has a fixed input voltage The voltage falling to the voltage of the device under test is not affected again by the difference in the resistance value of each device under test or the difference in the contact resistance formed by the conductive probe 280 and the device under test. This is effective for increasing multi-level voltage accuracy. Do.

이상의 실시예는 전부, 전압 모드 로직(Vlatage mode logic)회로의 프로브 카드 모듈에 있어서 기한 것이지만, 이하의 실시예의 것은 전류 모드 로직(Current mode logic)회로의 프로브 카드 모듈이다. 도 4는, 본 발명에 따른 제3 실시예의 프로브 카드 모듈(300)의 회로도이다. 상기 프로브 카드 모듈(300)은, 적어도 하나의 구동유닛(320, 340, 360), 복수의 커플 스위치(Q1~Q6), 적어도 하나의 전류원(Is1~Is3), 및 2개의 도전성 프로브(380, 381)을 포함하고, 각 상기 도전성 프로브(380, 381)는, 각각 저항(R41, R42)에 결합하고, 상기 2개의 저항(R41, R42)은, 각각 공동전압(Vcom)을 구비하는 전극에 결합되며; 여기서, 상기 적어도 하나의 구동유닛(320, 340, 360)은, 한 쌍의 서로 반전의 출력단을 구비하는 수위 구동기일 수 있고, 상기 복수의 스위치(Q1~Q6)는, 금속 산화물 반도체 전장효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 약칭 MOSFET) 스위치일 수 있으며, 그 각각은 게이트 전극(Gate)、소스 전극(Source) 및 드레인 전극(Drain)을 구비하고, 상기 전류원들(Is1~Is3)은, 직류 전류의 전원을 제공한다.All of the above embodiments are limited in terms of the probe card module of the voltage mode logic circuit, but the following embodiments are the probe card module of the current mode logic circuit. 4 is a circuit diagram of a probe card module 300 according to a third embodiment of the present invention. The probe card module 300 includes at least one driving unit 320, 340, 360, a plurality of couple switches Q1 to Q6, at least one current source Is1 to Is3, and two conductive probes 380, 381), and each of the conductive probes 380 and 381 is coupled to resistors R41 and R42, respectively, and the two resistors R41 and R42 are respectively connected to an electrode having a common voltage Vcom. Combined; Here, the at least one driving unit 320, 340, 360 may be a level driver having a pair of inverted output terminals, and the plurality of switches Q1 to Q6 are metal oxide semiconductor electric field effect transistors. (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, abbreviated MOSFET) may be a switch, each of which has a gate electrode (Gate), a source electrode (Source), and a drain electrode (Drain), the current sources (Is1 to Is3). ) Provides a DC current power source.

본 실시예의 전류 모드 로직 구동회로는, 3개의 구동유닛(320, 340, 360)으로부터 조성되고; 여기서, 제1 구동유닛(320), 상기 스위치(Q1, Q2)들, 및 상기 전류원(Is1)이, 제1 서브 구동회로를 조성하고; 제2 구동유닛(340), 상기 스위치(Q3, Q4)들, 및 상기 전류원(Is2)이, 제2 서브 구동회로를 조성하며; 제3 구동유닛(360), 상기 스위치(Q5, Q6)들, 및 상기 전류원(Is3)이, 제3 서브 구동회로를 조성한다. 기본적으로, 3개의 서브 구동회로는, 상호 동일한 회로 구성을 구비하고, 또한 서로 병렬 연결되며, 따라서 아래에서는 제1 서브 구동회로의 조작 상황만 설명하기로 하고, 기타 서브 구동회로는 이로부터 유추할 수 있다. 스위치(Q1)의 소스 전극은, 스위치(Q2)의 소스 전극과 연결되고, 둘다 전류원(Is1)을 경유하여 접지되며; 스위치(Q1)의 드레인 전극은, 신호 전송선(370)을 경유하여, 도전성 프로브(380)에 연결되고, 스위치(Q2)의 드레인 전극은, 신호 전송선(371)을 경유하여, 도전성 프로브(381)에 연결된다. 이로써, 스위치(Q1)가 도통(On)시에, 전류원(Is1)의 직류 전류가 스위치(Q1)를 경유하여 신호 전송선(370)에 제공되고, 이로써 상기 도전성 프로브(380)의 전위를 개변하여, 피시험 소자의 전기 성능 테스트를 진행하게 되고; 동일 원리로, 스위치(Q2)가 도통시에, 전류원(Is1)의 직류 전류가 스위치(Q2)를 경유하여 신호 전송선(371)에 제공되고, 이로써 상기 도전성 프로브(381)의 전위를 개변하여, 피시험 소자의 전기 성능 테스트를 진행하게 된다. 여기서, 상기 신호 전송선들(370, 371)은, 동축선 또는 쌍교선에서 선택하여 이용될 수 있다.The current mode logic driving circuit of this embodiment is formed from three driving units 320, 340, 360; Here, the first driving unit 320, the switches Q1 and Q2, and the current source Is1 form a first sub driving circuit; The second driving unit 340, the switches Q3 and Q4, and the current source Is2 form a second sub driving circuit; The third driving unit 360, the switches Q5 and Q6, and the current source Is3 form a third sub driving circuit. Basically, the three sub-driving circuits have the same circuit configuration and are connected in parallel with each other. Therefore, only the operation situation of the first sub-driving circuit will be described below, and other sub-driving circuits will be inferred from this. I can. The source electrode of the switch Q1 is connected to the source electrode of the switch Q2, and both are grounded via the current source Is1; The drain electrode of the switch Q1 is connected to the conductive probe 380 via the signal transmission line 370, and the drain electrode of the switch Q2 is connected to the conductive probe 381 via the signal transmission line 371. Is connected to Accordingly, when the switch Q1 is conducting (On), the DC current of the current source Is1 is provided to the signal transmission line 370 via the switch Q1, thereby changing the potential of the conductive probe 380 , To conduct an electrical performance test of the device under test; In the same principle, when the switch Q2 is conducting, the direct current from the current source Is1 is supplied to the signal transmission line 371 via the switch Q2, thereby changing the potential of the conductive probe 381, The electrical performance test of the device under test is performed. Here, the signal transmission lines 370 and 371 may be used by selecting from a coaxial line or a double bridge line.

본 실시예에 있어서, 스위치(Q1, Q2)는, 동일시간에 오직 하나만 도통하므로, 즉, 스위치(Q1)가 도통시, 스위치(Q2)는 개방되고(Off); 스위치(Q2)가 도통시, 스위치(Q1)는 개방된다. 이를 위해, 상기 제1 구동유닛(320)은, 입력단(322) 및 1쌍의 서로 반전인 출력단인 비반전 출력단(324)과 반전 출력단(326)을 구비하고, 상기 비반전 출력단(324)은 스위치(Q1)의 게이트 전극에 연결되고, 상기 반전 출력단(326)은 스위치(Q2)의 게이트 전극에 연결되며; 상기 입력단(322)은, 테스터에서 오는 테스트 신호를 접수하여, 상기 제1 구동유닛(320)에서 상기 비반전 출력단(324)과 상기 반전 출력단(236)이 1쌍의 서로 반전인 수위 신호를 출력하고, 이로써 스위치(Q1, Q2)의 도통 또는 개방을 제어하고, 스위치(Q1, Q2)는 동일 시간에 오직 하나만 도통상태에 처하도록 한다.In this embodiment, since only one of the switches Q1 and Q2 conducts at the same time, that is, when the switch Q1 conducts, the switch Q2 is open (Off); When switch Q2 is conducting, switch Q1 is opened. To this end, the first driving unit 320 includes an input terminal 322 and a pair of non-inverting output terminals 324 and inverting output terminals 326 which are inverted output terminals, and the non-inverting output terminal 324 Connected to the gate electrode of the switch Q1, and the inverting output terminal 326 is connected to the gate electrode of the switch Q2; The input terminal 322 receives a test signal from a tester, and outputs a pair of water level signals in which the non-inverting output terminal 324 and the inverting output terminal 236 are inverted from each other in the first driving unit 320 In this way, the conduction or opening of the switches Q1 and Q2 is controlled, and only one of the switches Q1 and Q2 is placed in the conduction state at the same time.

상기와 같이, 3개의 서브 구동회로가 서로 병렬 연결되고, 이로써, 스위치(Q1, Q3, Q5)의 드레인 전극이 함께 연결되고, 스위치(Q2, Q4, Q6)의 드레인 전극도 함께 연결되어 있다. 이로써, 저항(R41, R42)이 50옴(ohm)이고, 전류원(Is1, Is2, Is3)이 16밀리암페어(mA)라 하면, 도전성 프로브(380)에 대해, 그 중의 오직 하나의 서브 구동회로의 스위치(예컨대 Q1)만 도통한다면, 16mA×50ohm＝0.8V의 전위가 도전성 프로브(380)에 공급될 것이고; 만일 각 서브 구동회로의 스위치가, 스위치(Q1, Q3, Q5)를 모두 도통하면, 16mA×3×50ohm＝2.4V의 전위가 도전성 프로브(380)에 공급될 것이다. 본 실시예에 있어서, 상기 양 도전성 프로브(380, 381)의 사이의 전위차가 이용될 수 있어서, 피시험 소자의 전기 성능 테스트를 진행할 수 있게 된다. 상술한 바와 같이, 각개의 서브 구동회로의 상기 스위치들(Q1, Q2 또는 Q3, Q4 또는 Q5, Q6)의 도통상태를 개변할 수 있으므로, 상기 양 도전성 프로브(380, 381) 사이에서 4단계 전압을 생산할 수 있다.As described above, the three sub driving circuits are connected in parallel to each other, whereby the drain electrodes of the switches Q1, Q3, and Q5 are connected together, and the drain electrodes of the switches Q2, Q4 and Q6 are also connected together. Thus, if the resistances R41, R42 are 50 ohms and the current sources Is1, Is2, Is3 are 16 milliamps (mA), for the conductive probe 380, only one sub driving circuit among them If only the switch of (eg Q1) conducts, a potential of 16mA x 50ohm = 0.8V will be supplied to the conductive probe 380; If the switch of each sub drive circuit conducts all of the switches Q1, Q3, and Q5, a potential of 16mA×3×50ohm=2.4V will be supplied to the conductive probe 380. In this embodiment, a potential difference between the two conductive probes 380 and 381 can be used, so that the electrical performance test of the device under test can be performed. As described above, since the conduction state of the switches (Q1, Q2 or Q3, Q4 or Q5, Q6) of each of the sub driving circuits can be changed, a four-step voltage between the two conductive probes 380 and 381 Can produce.

이 외에도, 신호 전송선(370/371)과 도전성 프로브(380/381) 사이에, 필터 회로를 추가할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 커패시터(C41)는, 신호 전송선(370)과 도전성 프로브(380) 사이에 설치될 수 있다. 커패시터(C41, C42)의 커패시터 값은, 사용자의 주파수 규격과 설정에 의존한다. 본 실시예에 있어서, 커패시터(C41, C42)는, 0.1마이크로패러드(μF)일 수 있다.In addition, a filter circuit may be added between the signal transmission line 370/371 and the conductive probe 380/381. As illustrated in FIG. 4, the capacitor C41 may be installed between the signal transmission line 370 and the conductive probe 380. The capacitor values of the capacitors C41 and C42 depend on the user's frequency standard and setting. In this embodiment, the capacitors C41 and C42 may be 0.1 microfarads (μF).

주의해야 할 것은, 본 실시예에 있어서 상기 복수의 전류원(Is1~Is3)은, 상호 동일한 전류치(16mA)를 구비한다는 점이지만; 그러나, 본 발명의 다른 실시예에 있어서는, 상기 복수의 전류원(Is1~Is3)는, 상이한 전류치를 구비할 수도 있어서, 상기 프로브 카드 모듈(300)이 더욱 다단계의 전압을 제공하도록 할 수 있다.It should be noted that in this embodiment, the plurality of current sources Is1 to Is3 have the same current value (16mA) with each other; However, in another embodiment of the present invention, the plurality of current sources Is1 to Is3 may have different current values, so that the probe card module 300 may further provide multiple voltages.

본 발명의 제3 실시예의 프로브 카드 모듈(300)은, 저항(R41, R42)과 커패시터(C41, C42)를 사용할 수 있어서, 도전성 프로브(380, 381)에 근접하여, 테스트 과정에서 생산되는 영향에 대응하는 기생효과를 피할 수 있고, 이로써 상기 프로브 카드 모듈(300)의 조작속도가 5GHz 이상에 달할 수 있다. 나아가서, 상기 프로브 카드 모듈(300)은, 전류원(Is1~Is3)의 전류치의 대소를 조정저항(R41, R42)의 저항치에 대응하여 제어하여 투과할 수 있어서, 상기 프로브 카드 모듈(300)의 추력을 향상시키게 되고, 상기 프로브 카드 모듈(200)의 자체의 조작속도를 제한을 받지 않게 한다. 이 외에도, 상술한 적어도 하나의 구동유닛(320, 340, 360), 복수의 커플 스위치(Q1~Q6) 및 적어도 하나의 전류원(Is1~Is3)은, 단일의 칩 속에 정합될 수 있어서, 상기 프로브 카드 모듈(300)의 자체 회로가 컴팩트하게 될 수 있다.In the probe card module 300 of the third embodiment of the present invention, resistors R41 and R42 and capacitors C41 and C42 can be used, so that they are close to the conductive probes 380 and 381 and are produced in the test process. The parasitic effect corresponding to the can be avoided, whereby the operating speed of the probe card module 300 can reach 5GHz or more. Furthermore, the probe card module 300 can control and transmit the magnitude of the current values of the current sources Is1 to Is3 in response to the resistance values of the adjustment resistors R41 and R42, so that the thrust of the probe card module 300 Is improved, and the operating speed of the probe card module 200 is not limited. In addition, the above-described at least one driving unit (320, 340, 360), a plurality of couple switches (Q1 to Q6) and at least one current source (Is1 to Is3), can be matched in a single chip, the probe The own circuit of the card module 300 can be made compact.

이상과 같이 설명되었으나, 본 발명의 바람직한 실시예에 기하여 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다. 본 발명의 청구범위에 기재된 내용과 균등의 변화와 수정은 모두, 본 발명의 요지를 유지하는 한, 본 발명의 사상과 범위를 이탈하지 않는 것이고, 본 발명의 실시 상황에 해당되는 것으로 본다.Although described as above, the scope of the present invention is not limited to the preferred embodiments of the present invention. Changes and modifications to the contents and equivalents described in the claims of the present invention are not departing from the spirit and scope of the present invention, as long as the gist of the present invention is maintained, and are deemed to correspond to the embodiments of the present invention.

본 발명은, 프로브 카드의 기술, 특히, 다단계 전압 구동 회로를 구비하는 프로브 카드의 산업에 이용될 수 있다.The present invention can be used in the technology of a probe card, in particular, in the industry of a probe card having a multi-stage voltage driving circuit.

10、100、200、300 프로브 카드 모듈
12、14 수위 구동기
20 구동회로
30 피시험 소자
101、201 연접점
120、220、320 제1 구동유닛
122、142、222、242、262、322、342、362 입력단
124、144、153、224、244、253、264 출력단
324、326、344、346、364、366 출력단
140、240、340 제2 구동유닛
150、250 증폭유닛
260、360 제3 구동유닛
17、170、270、370、371 신호 전송선
18、180、280、380、381 도전성 프로브
151、251 비반전 입력단
152、252 반전 입력단
C41、C42 커패시터
R11、R12、R13 저항
R21、R22 정합저항
R23、R24 조정저항
R31、R32、R33 정합저항
R34 조정저항
R41、R42 저항
Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6 스위치
Is1、Is2、Is3 전류원10、100、200、300 probe card module
12、14 water level actuator
20 drive circuit
30 Device under test
101、201 junction
120, 220, 320 first drive unit
122, 142, 222, 242, 262, 322, 342, 362 input terminal
124, 144, 153, 224, 244, 253, 264 output stage
324、326、344、346、364、366 output stage
140, 240, 340 second drive unit
150, 250 amplification units
260, 360 3rd drive unit
17、170、270、370、371 signal transmission line
18, 180, 280, 380, 381 conductive probe
151、251 non-inverting input terminal
152、252 reverse input terminal
C41、C42 capacitor
R11、R12、R13 resistance
R21, R22 matching resistance
R23, R24 adjustment resistance
R31, R32, R33 matching resistance
R34 adjustment resistance
R41、R42 resistance
Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6 switch
Is1, Is2, Is3 current source

Claims (20)

프로브 카드 모듈로서,
제1 비반전 출력단 및 제1 반전 출력단을 구비하고, 상기 제1 비반전 출력단은 제1 스위치에 결합되고, 상기 제1 스위치의 양단은 각각 제1 도전성 프로브의 일단 및 제1 전류원의 일단에 연결되며, 상기 제1 반전 출력단은 제2 스위치에 결합되고, 상기 제2 스위치의 양단은 각각 제2 도전성 프로브의 일단 및 상기 제1 전류원의 일단에 연결되는 제1 구동유닛을 포함하여 이루어지고,
여기서, 상기 제1 도전성 프로브의 타단은 제1 저항에 결합되고, 상기 제2 도전성 프로브의 타단은 제2 저항에 결합됨
을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.As a probe card module,
A first non-inverting output terminal and a first inverting output terminal are provided, the first non-inverting output terminal is coupled to a first switch, and both ends of the first switch are connected to one end of the first conductive probe and one end of the first current source, respectively. The first inversion output terminal is coupled to a second switch, and both ends of the second switch include one end of the second conductive probe and a first driving unit connected to one end of the first current source, respectively,
Here, the other end of the first conductive probe is coupled to a first resistor, and the other end of the second conductive probe is coupled to a second resistor.
Probe card module, characterized in that. 청구항 1에 있어서,
제2 비반전 출력단 및 제2 반전 출력단을 구비하고, 상기 제2 비반전 출력단은 제3 스위치에 결합되고, 상기 제3 스위치의 양단은 각각 상기 제1 도전성 프로브 및 제2 전류원에 연결되며, 상기 제2 반전 출력단은 제4 스위치에 결합되고, 상기 제4 스위치의 양단은 각각 상기 제2 도전성 프로브 및 상기 제2 전류원에 연결되는 제2 구동유닛을 더 포함하여 이루어지고,
상기 제1 구동유닛 및 제2 구동유닛은, 테스트 신호를 각각 입력받아, 다단계 출력전압을 발생시킨 후, 상기 제1 스위치, 제2 스위치, 제3 스위치 및 제4 스위치를 통해 상기 제1 도전성 프로브 및 제2 도전성 프로브에 전송하여, 피시험 소자에 대한 전기적 테스트를 수행함
을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method according to claim 1,
A second non-inverting output terminal and a second inverting output terminal are provided, the second non-inverting output terminal is coupled to a third switch, both ends of the third switch are connected to the first conductive probe and the second current source, respectively, and the The second inversion output terminal is coupled to a fourth switch, and both ends of the fourth switch further include a second driving unit connected to the second conductive probe and the second current source, respectively,
The first driving unit and the second driving unit respectively receive a test signal and generate a multi-stage output voltage, and then the first conductive probe through the first switch, the second switch, the third switch, and the fourth switch And transmitting to the second conductive probe to perform an electrical test on the device under test.
Probe card module, characterized in that. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 저항과 상기 제2 저항은, 상호 동일 저항치를 구비함
을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method according to claim 1,
The first resistor and the second resistor have the same resistance value
Probe card module, characterized in that. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 저항과 상기 제2 저항은 각각, 공동 전압을 가지는 전극에 결합됨
을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method according to claim 1,
The first resistor and the second resistor are each coupled to an electrode having a common voltage
Probe card module, characterized in that. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 구동유닛은 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치가 동일시간에 오직 하나만 도통하도록 제어함
을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method according to claim 1,
The first driving unit controls only one of the first and second switches to conduct at the same time.
Probe card module, characterized in that. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 도전성 프로브와 상기 제1 스위치 사이에 제1 신호 전송선이 설치되고, 상기 제1 저항은, 상기 제1 도전성 프로브와 상기 제1 신호 전송선 사이에 연결되며;
상기 제2 도전성 프로브와 상기 제2 스위치 사이에 제2 신호 전송선이 설치되고, 상기 제2 저항은, 상기 제2 도전성 프로브와 상기 제2 신호 전송선 사이에 연결됨
을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method according to claim 1,
A first signal transmission line is installed between the first conductive probe and the first switch, and the first resistor is connected between the first conductive probe and the first signal transmission line;
A second signal transmission line is installed between the second conductive probe and the second switch, and the second resistor is connected between the second conductive probe and the second signal transmission line.
Probe card module, characterized in that. 청구항 6에 있어서,
상기 제1 신호 전송선과 상기 제1 도전성 프로브 사이에 설치되고, 상기 제1 도전성 프로브는, 제1 커패시터를 경유하여 상기 제1 저항에 결합되는 상기 제1 커패시터; 및
상기 제2 신호 전송선과 상기 제2 도전성 프로브 사이에 설치되고, 상기 제2 도전성 프로브는, 제2 커패시터를 경유하여 상기 제2 저항에 결합되는 상기 제2 커패시터
를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method of claim 6,
The first capacitor is installed between the first signal transmission line and the first conductive probe, and the first conductive probe includes: the first capacitor coupled to the first resistor via a first capacitor; And
The second capacitor is installed between the second signal transmission line and the second conductive probe, and the second conductive probe is coupled to the second resistor via a second capacitor
Probe card module, characterized in that the further comprises a. 청구항 1에 있어서,
제2 비반전 출력단 및 제2 반전 출력단을 구비하고, 상기 제2 비반전 출력단은 제3 스위치와 결합되고, 상기 제3 스위치의 양단은 각각, 상기 제1 도전성 프로브와 제2 전류원에 연결되며, 상기 제1 반전 출력단은 제4 스위치와 결합되고, 상기 제4 스위치의 양단은 각각, 상기 제2 도전성 프로브와 상기 제2 전류원에 연결되는 제2 구동유닛
을 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method according to claim 1,
A second non-inverting output terminal and a second inverting output terminal are provided, the second non-inverting output terminal is coupled to a third switch, and both ends of the third switch are connected to the first conductive probe and a second current source, respectively, The first inversion output terminal is coupled to a fourth switch, and both ends of the fourth switch are, respectively, a second driving unit connected to the second conductive probe and the second current source
Probe card module, characterized in that made comprising a further. 청구항 8에 있어서,
제3 비반전 출력단 및 제3 반전 출력단을 구비하고, 상기 제3 비반전 출력단은 제5 스위치와 결합되고, 상기 제5 스위치의 양단은 각각, 상기 제1 도전성 프로브와 제3 전류원에 연결되며, 상기 제3 반전 출력단은 제6 스위치와 결합되고, 상기 제6 스위치의 양단은 각각, 상기 제2 도전성 프로브와 상기 제3 전류원에 연결되는 제3 구동유닛
을 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method of claim 8,
A third non-inverting output terminal and a third inverting output terminal are provided, the third non-inverting output terminal is coupled to a fifth switch, and both ends of the fifth switch are connected to the first conductive probe and a third current source, respectively, The third inversion output terminal is coupled to a sixth switch, and both ends of the sixth switch are respectively, a third driving unit connected to the second conductive probe and the third current source
Probe card module, characterized in that made comprising a further. 청구항 9에 있어서,
상기 제1 구동유닛은, 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치를 제어하여, 동일시간에 오직 하나만 도통하도록 하고; 상기 제2 구동유닛은, 상기 제3 스위치 및 상기 제4 스위치를 제어하여, 동일시간에 오직 하나만 도통하도록 하며; 상기 제3 구동유닛은, 상기 제5 스위치 및 제6 스위치를 제어하여, 동일시간에 오직 하나만 도통하도록 함
을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method of claim 9,
The first driving unit controls the first switch and the second switch so that only one of them conducts at the same time; The second driving unit controls the third switch and the fourth switch so that only one of them conducts at the same time; The third driving unit controls the fifth switch and the sixth switch so that only one of them conducts at the same time.
Probe card module, characterized in that. 청구항 9에 있어서,
상기 제1 전류원, 상기 제2 전류원 및 상기 제3 전류원은, 상호 동일 전류치를 구비하는 직류 전류원임
을 특징으로 하는 프로브 카드 모듈.The method of claim 9,
The first current source, the second current source, and the third current source are direct current sources having the same current value.
Probe card module, characterized in that. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020170137623A 2016-10-21 2017-10-23 Probe Card Module KR102202461B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662411100P 2016-10-21 2016-10-21
US62/411,100 2016-10-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180044222A KR20180044222A (en) 2018-05-02
KR102202461B1 true KR102202461B1 (en) 2021-01-14

Family

ID=62012454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170137623A KR102202461B1 (en) 2016-10-21 2017-10-23 Probe Card Module

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP2018066739A (en)
KR (1) KR102202461B1 (en)
CN (2) CN107976565A (en)
TW (1) TWI634334B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI636260B (en) * 2017-01-06 2018-09-21 新特系統股份有限公司 Probe card module
CN113640556B (en) * 2021-08-11 2023-03-03 山东大学 Probe card of probe station

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006023233A (en) * 2004-07-09 2006-01-26 Advantest Corp Semiconductor testing device and semiconductor testing method
JP2008003037A (en) * 2006-06-26 2008-01-10 Yokogawa Electric Corp Ic tester
JP2008269725A (en) * 2007-04-23 2008-11-06 Sharp Corp Electrical characteristics evaluation device
WO2009087874A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-16 Advantest Corporation Testing apparatus, probe card and testing method
JP2009198250A (en) * 2008-02-20 2009-09-03 Advantest Corp Test apparatus
JP2012129810A (en) * 2010-12-15 2012-07-05 Advantest Corp Driver circuit and testing apparatus using the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4195520B2 (en) * 1998-03-06 2008-12-10 リーダー電子株式会社 Phase measuring device
JP3191791B2 (en) * 1999-01-14 2001-07-23 日本電気株式会社 Probe card
US6253588B1 (en) 2000-04-07 2001-07-03 General Motors Corporation Quick plastic forming of aluminum alloy sheet metal
US7188275B2 (en) 2004-01-16 2007-03-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of verifying a monitoring and responsive infrastructure of a system
WO2007029422A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-15 Nec Corporation Semiconductor device inspecting apparatus and power supply unit
JP4955250B2 (en) * 2005-10-14 2012-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and test method thereof
KR101097585B1 (en) * 2005-11-26 2011-12-22 엘지디스플레이 주식회사 Voltage Generating Circuit For Liquid Crystal Display And Liquid Crystal Display Using The Same
US8125399B2 (en) * 2006-01-14 2012-02-28 Paratek Microwave, Inc. Adaptively tunable antennas incorporating an external probe to monitor radiated power
US7557592B2 (en) * 2006-06-06 2009-07-07 Formfactor, Inc. Method of expanding tester drive and measurement capability
US7502980B2 (en) * 2006-08-24 2009-03-10 Advantest Corporation Signal generator, test apparatus, and circuit device
KR101250498B1 (en) * 2009-02-18 2013-04-05 가부시키가이샤 어드밴티스트 Output device and testing device
JP2010210238A (en) * 2009-03-06 2010-09-24 Renesas Electronics Corp Probe card, semiconductor inspection device equipped with the same and method for checking fuse of probe card
JP5312227B2 (en) * 2009-06-29 2013-10-09 株式会社日本マイクロニクス Probe card and inspection device
JP4482707B1 (en) * 2009-07-13 2010-06-16 株式会社アドバンテスト Test equipment
US8220947B2 (en) * 2009-10-14 2012-07-17 Advantest Corporation Differential driver circuit
DE102010035456A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG, 81671 Probe system with compensation network
CN202975070U (en) * 2012-12-12 2013-06-05 广州德肯电子有限公司 Probe of oscilloscope
US9188606B2 (en) * 2013-04-29 2015-11-17 Keysight Technologies, Inc. Oscilloscope current probe with interchangeable range and sensitivity setting modules
CN104345185B (en) * 2013-07-26 2018-09-25 苏州普源精电科技有限公司 A kind of active single-ended probe and a kind of surveying instrument
CN110146729A (en) * 2014-01-24 2019-08-20 矽创电子股份有限公司 Active probe unit
TWM486771U (en) * 2014-01-24 2014-09-21 Sitronix Technology Corp Active probe card
CN203949945U (en) * 2014-01-24 2014-11-19 矽创电子股份有限公司 Active probe device
CN105372574A (en) 2015-10-14 2016-03-02 华东光电集成器件研究所 Semiconductor chip wafer millivolt-level signal testing system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006023233A (en) * 2004-07-09 2006-01-26 Advantest Corp Semiconductor testing device and semiconductor testing method
JP2008003037A (en) * 2006-06-26 2008-01-10 Yokogawa Electric Corp Ic tester
JP2008269725A (en) * 2007-04-23 2008-11-06 Sharp Corp Electrical characteristics evaluation device
WO2009087874A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-16 Advantest Corporation Testing apparatus, probe card and testing method
JP2009198250A (en) * 2008-02-20 2009-09-03 Advantest Corp Test apparatus
JP2012129810A (en) * 2010-12-15 2012-07-05 Advantest Corp Driver circuit and testing apparatus using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020046444A (en) 2020-03-26
JP2018066739A (en) 2018-04-26
CN111965400A (en) 2020-11-20
TWI634334B (en) 2018-09-01
CN107976565A (en) 2018-05-01
TW201816400A (en) 2018-05-01
KR20180044222A (en) 2018-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4669292B2 (en) Semiconductor device
US7940036B2 (en) Voltage comparison circuit, and semiconductor integrated circuit and electronic device having the same
US8030961B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US7528636B2 (en) Low differential output voltage circuit
CN110196397A (en) Voltage detection circuit, semiconductor device and electronic equipment
EP2562932B1 (en) Integrated circuit
KR102202461B1 (en) Probe Card Module
US20060261899A1 (en) Single-ended pseudo-differential output driver
CN110930914B (en) Signal detection circuit, signal detection method and display device
US11019392B2 (en) Methods and apparatus for an output buffer
JPWO2004066499A1 (en) Semiconductor integrated circuit
US8456189B2 (en) Differential signal termination circuit
JP2009216565A (en) Semiconductor integrated circuit
CN107251433B (en) Semiconductor device drive circuit
US20060267667A1 (en) Switching circuit using semiconductor switching element
US10276077B2 (en) Driving circuit
JP2020103008A (en) Snubber circuit, control circuit, and information processing device
KR101790288B1 (en) Differential input level shifter
JP2008300979A (en) Lvds receiver
US6933746B1 (en) Method and apparatus for coupling an input node to an output node
KR100965776B1 (en) Main driver for semiconductor memory device and thereof control method
KR20000029074A (en) Inverter circuit with duty cycle control
JP2013104942A (en) Output circuit and amplifier having the same
US7595662B2 (en) Transmission/reception apparatus for differential signals
JP2001305173A (en) Measuring circuit for operational amplifier and its measuring method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant