KR102201880B1 - Filter, electrostatic chuck and apparatus for treating substrate comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 필터, 그를 포함하는 정전척 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 필터는, 고리 모양의 코어에 감긴 유도성 리액턴스부; 상기 유도성 리액턴스부에 병렬로 연결된 제 1 용량성 리액턴스부; 및 상기 제 1 용량성 리액턴스부의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 2 용량성 리액턴스부;를 포함할 수 있다.The present invention relates to a filter, an electrostatic chuck including the same, and a substrate processing apparatus. A filter according to an embodiment of the present invention includes an inductive reactance part wound around a ring-shaped core; A first capacitive reactance unit connected in parallel to the inductive reactance unit; And a second capacitive reactance unit connected between one terminal of the first capacitive reactance unit and a ground.

Description

필터, 그를 포함하는 정전척 및 기판 처리 장치{FILTER, ELECTROSTATIC CHUCK AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE COMPRISING THE SAME}Filter, electrostatic chuck and substrate processing apparatus including the same TECHNICAL FIELD [FILTER, ELECTROSTATIC CHUCK AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE COMPRISING THE SAME}

본 발명은 필터, 그를 포함하는 정전척 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a filter, an electrostatic chuck including the same, and a substrate processing apparatus.

기판 처리 장치에서 챔버 내 기판 지지대 위에 놓인 기판을 고정시키기 위해 정전척이 사용된다. 기판 지지대에 기판이 놓이면, 기판 지지대에 구비된 정전척에 직류 전류가 공급되어 정전기를 발생시키고, 정전척은 이 정전기로 기판 지지대에 기판을 부착시킨다.In a substrate processing apparatus, an electrostatic chuck is used to fix a substrate placed on a substrate support in a chamber. When a substrate is placed on the substrate support, a direct current is supplied to the electrostatic chuck provided in the substrate support to generate static electricity, and the electrostatic chuck attaches the substrate to the substrate support with this static electricity.

정전척은 공정 중 기판의 온도를 조절하기 위해 히터를 더 포함한다. 히터는 교류 전류를 공급받아 열을 발생시켜 기판을 일정 온도로 유지시킨다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정은 기판의 온도가 기판 위 플라즈마 형성에 큰 영향을 미치므로, 기판을 적절한 온도로 유지시키기 위한 정전척의 히터 제어는 공정의 생산성에 있어서 중요한 역할을 담당한다.The electrostatic chuck further includes a heater to control the temperature of the substrate during the process. The heater is supplied with an alternating current to generate heat to maintain the substrate at a constant temperature. In a substrate processing process using plasma, since the temperature of the substrate has a great influence on the formation of plasma on the substrate, controlling the heater of the electrostatic chuck to maintain the substrate at an appropriate temperature plays an important role in the productivity of the process.

그러나, 종래의 정전척은 플라즈마 또는 그를 제어하기 위해 기판 지지대에 인가되는 RF 바이어스 신호에 기인하여 히터에 교류 전류를 공급하는 교류 전원에 노이즈 신호가 유입되는 문제가 있었다. 이러한 노이즈 신호는 히터의 정밀한 제어를 방해하여 기판 처리 공정에 있어서 장치의 플라즈마 제어 능력을 저하시켜 공정의 생산성을 떨어뜨린다.However, the conventional electrostatic chuck has a problem in that a noise signal is introduced into an AC power supply that supplies an AC current to a heater due to a plasma or an RF bias signal applied to a substrate support to control it. This noise signal interferes with precise control of the heater, thereby lowering the plasma control capability of the apparatus in the substrate processing process, thereby lowering the productivity of the process.

본 발명의 실시예는 정전척의 히터 회로와 같은 전기 회로에서 부하 측으로부터 전원 측으로 유입되는 노이즈 신호를 차단하는 필터, 그를 포함하는 정전척 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a filter for blocking a noise signal flowing from a load side to a power source in an electric circuit such as a heater circuit of an electrostatic chuck, and an electrostatic chuck and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명의 실시예는 차단 주파수가 낮아 저주파의 노이즈 신호도 효과적으로 차단시킬 수 있는 필터, 그를 포함하는 정전척 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a filter capable of effectively blocking a low-frequency noise signal due to a low cutoff frequency, an electrostatic chuck including the same, and a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 필터는, 고리 모양의 코어에 감긴 유도성 리액턴스부; 상기 유도성 리액턴스부에 병렬로 연결된 제 1 용량성 리액턴스부; 및 상기 제 1 용량성 리액턴스부의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 2 용량성 리액턴스부;를 포함할 수 있다.A filter according to an embodiment of the present invention includes an inductive reactance part wound around a ring-shaped core; A first capacitive reactance unit connected in parallel to the inductive reactance unit; And a second capacitive reactance unit connected between one terminal of the first capacitive reactance unit and a ground.

상기 코어는 강자성체로 만들어질 수 있다.The core may be made of a ferromagnetic material.

상기 코어는 페라이트로 만들어질 수 있다.The core may be made of ferrite.

상기 유도성 리액턴스부는: 상기 코어에 감겨 전원측 단자가 전원의 일 단자에 연결되고 부하측 단자가 부하의 일 단자에 연결되는 제 1 권선; 및 상기 코어에 감겨 전원측 단자가 상기 전원의 타 단자에 연결되고 부하측 단자가 상기 부하의 타 단자에 연결되는 제 2 권선;을 포함할 수 있다.The inductive reactance unit may include: a first winding wound around the core and having a power-side terminal connected to one terminal of a power source and a load-side terminal connected to one terminal of a load; And a second winding wound around the core so that a power-side terminal is connected to the other terminal of the power source and a load-side terminal is connected to the other terminal of the load.

상기 제 1 및 제 2 권선은 상기 코어에 바이파일러(bifilar) 방식으로 감길 수 있다.The first and second windings may be wound around the core in a bifilar manner.

상기 제 1 및 제 2 권선은 서로 평행하게 배열되어 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감길 수 있다.The first and second windings may be arranged parallel to each other and may be wound around the core in a bi-piler manner.

상기 제 1 및 제 2 권선은 서로 꼬여 결합된 채 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감길 수 있다.The first and second windings may be twisted and bonded to each other and wound around the core in a bi-piler manner.

상기 제 1 및 제 2 권선 각각은 다수의 소선들이 꼬여서 만들어진 연선일 수 있다.Each of the first and second windings may be stranded wires made by twisting a plurality of wires.

상기 제 1 용량성 리액턴스부는: 상기 제 1 권선에 병렬로 연결된 제 1 커패시터; 및 상기 제 2 권선에 병렬로 연결된 제 2 커패시터;를 포함할 수 있다.The first capacitive reactance unit: a first capacitor connected in parallel to the first winding; And a second capacitor connected in parallel to the second winding.

상기 제 2 용량성 리액턴스부는: 상기 제 1 커패시터의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 3 커패시터; 및 상기 제 2 커패시터의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 4 커패시터;를 포함할 수 있다.The second capacitive reactance unit comprises: a third capacitor connected between one terminal of the first capacitor and a ground; And a fourth capacitor connected between one terminal of the second capacitor and the ground.

상기 제 3 및 제 4 커패시터는 각각 상기 제 1 및 제 2 커패시터의 전원측 단자와 접지 사이에 연결될 수 있다.The third and fourth capacitors may be connected between the power-side terminals of the first and second capacitors and ground, respectively.

본 발명의 일 실시예에 따른 정전척은, 교류 신호를 제공하는 교류 전원; 상기 교류 신호를 공급받아 발열하는 히터; 및 상기 교류 전원과 상기 히터 사이에 연결되어, 상기 교류 전원과 상기 히터 사이에 흐르는 상기 교류 신호를 통과시키고, 상기 히터로부터 상기 교류 전원으로 흐르는 노이즈 신호를 차단시키는 필터를 포함하며, 상기 필터는: 고리 모양의 코어에 감긴 유도성 리액턴스부; 상기 유도성 리액턴스부에 병렬로 연결된 제 1 용량성 리액턴스부; 및 상기 제 1 용량성 리액턴스부의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 2 용량성 리액턴스부;를 포함할 수 있다.An electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention includes: an AC power supply providing an AC signal; A heater receiving the AC signal to generate heat; And a filter connected between the AC power source and the heater, passing the AC signal flowing between the AC power source and the heater, and blocking a noise signal flowing from the heater to the AC power source, wherein the filter comprises: An inductive reactance part wound around an annular core; A first capacitive reactance unit connected in parallel to the inductive reactance unit; And a second capacitive reactance unit connected between one terminal of the first capacitive reactance unit and a ground.

상기 노이즈 신호는 상기 교류 신호보다 주파수가 높으며, 상기 필터는 저역 통과 필터일 수 있다.The noise signal has a higher frequency than the AC signal, and the filter may be a low pass filter.

상기 코어는 강자성체로 만들어질 수 있다.The core may be made of a ferromagnetic material.

상기 코어는 페라이트로 만들어질 수 있다.The core may be made of ferrite.

상기 유도성 리액턴스부는: 상기 코어에 감겨 전원측 단자가 상기 교류 전원의 일 단자에 연결되고 부하측 단자가 상기 히터의 일 단자에 연결되는 제 1 권선; 및 상기 코어에 감겨 전원측 단자가 상기 교류 전원의 타 단자에 연결되고 부하측 단자가 상기 히터의 타 단자에 연결되는 제 2 권선;을 포함할 수 있다.The inductive reactance unit may include: a first winding wound around the core and having a power-side terminal connected to one terminal of the AC power and a load-side terminal connected to one terminal of the heater; And a second winding wound around the core so that a power-side terminal is connected to the other terminal of the AC power and a load-side terminal is connected to the other terminal of the heater.

상기 제 1 및 제 2 권선은 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감길 수 있다.The first and second windings may be wound around the core in a bipiler manner.

상기 제 1 및 제 2 권선은 서로 평행하게 배열되어 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감길 수 있다.The first and second windings may be arranged parallel to each other and may be wound around the core in a bi-piler manner.

상기 제 1 및 제 2 권선은 서로 꼬여 결합된 채 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감길 수 있다.The first and second windings may be twisted and bonded to each other and wound around the core in a bi-piler manner.

상기 제 1 및 제 2 권선 각각은 다수의 소선들이 꼬여서 만들어진 연선일 수 있다.Each of the first and second windings may be stranded wires made by twisting a plurality of wires.

상기 제 1 용량성 리액턴스부는: 상기 제 1 권선에 병렬로 연결된 제 1 커패시터; 및 상기 제 2 권선에 병렬로 연결된 제 2 커패시터;를 포함할 수 있다.The first capacitive reactance unit: a first capacitor connected in parallel to the first winding; And a second capacitor connected in parallel to the second winding.

상기 제 2 용량성 리액턴스부는: 상기 제 1 커패시터의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 3 커패시터; 및 상기 제 2 커패시터의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 4 커패시터;를 포함할 수 있다.The second capacitive reactance unit comprises: a third capacitor connected between one terminal of the first capacitor and a ground; And a fourth capacitor connected between one terminal of the second capacitor and the ground.

상기 제 3 및 제 4 커패시터는 각각 상기 제 1 및 제 2 커패시터의 전원측 단자와 접지 사이에 연결될 수 있다.The third and fourth capacitors may be connected between the power-side terminals of the first and second capacitors and ground, respectively.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리; 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하며, 상기 기판 지지 어셈블리는: 교류 신호를 제공하는 교류 전원; 상기 교류 신호를 공급받아 발열하는 히터; 및 상기 교류 전원과 상기 히터 사이에 연결되어, 상기 교류 전원과 상기 히터 사이에 흐르는 상기 교류 신호를 통과시키고, 상기 히터로부터 상기 교류 전원으로 흐르는 노이즈 신호를 차단하는 필터;를 포함하는 정전척을 포함하며, 상기 필터는: 고리 모양의 코어에 감긴 유도성 리액턴스부; 상기 유도성 리액턴스부에 병렬로 연결된 제 1 용량성 리액턴스부; 및 상기 제 1 용량성 리액턴스부의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 2 용량성 리액턴스부;를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber providing a space for processing a substrate; A substrate support assembly supporting the substrate in the chamber; A gas supply unit supplying gas into the chamber; And a plasma generating unit that excites the gas in the chamber into a plasma state, wherein the substrate support assembly comprises: an AC power supply providing an AC signal; A heater receiving the AC signal to generate heat; And a filter connected between the AC power source and the heater, passing the AC signal flowing between the AC power source and the heater, and blocking a noise signal flowing from the heater to the AC power source. The filter includes: an inductive reactance part wound around a ring-shaped core; A first capacitive reactance unit connected in parallel to the inductive reactance unit; And a second capacitive reactance unit connected between one terminal of the first capacitive reactance unit and a ground.

본 발명의 실시예에 따르면, 전기 회로에서 부하 측으로부터 전원 측으로 유입되는 노이즈 신호를 효과적으로 차단시킬 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에 따른 필터를 정전척의 히터 회로에 적용하는 경우, 히터 측으로부터 전원 측으로 유입되는 저주파의 노이즈 신호도 대부분 차단시킬 수 있어 보다 안정적이고 정밀하게 히터를 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to effectively block a noise signal flowing from the load side to the power side in the electric circuit. In particular, when the filter according to the embodiment of the present invention is applied to the heater circuit of the electrostatic chuck, it is possible to block most of the low-frequency noise signals flowing from the heater side to the power supply side, so that the heater can be controlled more stably and precisely.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 히터 회로를 나타내는 예시적인 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 코어 및 그에 감긴 유도성 리액턴스부를 나타내는 예시적인 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 코어 및 그에 감긴 유도성 리액턴스부를 나타내는 예시적인 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 권선의 구조를 보여주는 예시적인 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 권선의 구조를 보여주는 예시적인 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 권선의 구조를 보여주는 예시적인 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터의 주파수 응답 특성을 나타내는 그래프이다.1 is an exemplary diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an exemplary circuit diagram showing a heater circuit of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.
3 is an exemplary perspective view showing a core and an inductive reactance unit wound thereon according to an embodiment of the present invention.
4 is an exemplary perspective view illustrating a core and an inductive reactance unit wound thereon according to another embodiment of the present invention.
5 is an exemplary diagram showing a structure of a winding according to an embodiment of the present invention.
6 is an exemplary diagram showing a structure of a winding according to another embodiment of the present invention.
7 is an exemplary diagram showing a structure of a winding according to another embodiment of the present invention.
8 is a graph showing a frequency response characteristic of a filter according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 나타내는 예시적인 도면이다.1 is an exemplary view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 어셈블리(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급 유닛(400), 배플 유닛(500) 및 플라즈마 발생 유닛을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. The substrate processing apparatus 10 may include a chamber 100, a substrate support assembly 200, a shower head 300, a gas supply unit 400, a baffle unit 500, and a plasma generation unit.

챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 챔버(100)는 내부에 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.The chamber 100 may provide a processing space in which a substrate processing process is performed. The chamber 100 may have a processing space therein and may be provided in a sealed shape. The chamber 100 may be made of a metal material. The chamber 100 may be made of aluminum. The chamber 100 may be grounded. An exhaust hole 102 may be formed on the bottom surface of the chamber 100. The exhaust hole 102 may be connected to the exhaust line 151. The reaction by-products generated during the process and gas remaining in the interior space of the chamber may be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the chamber 100 may be reduced to a predetermined pressure by the exhaust process.

일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.According to an example, a liner 130 may be provided inside the chamber 100. The liner 130 may have a cylindrical shape with open upper and lower surfaces. The liner 130 may be provided to contact the inner surface of the chamber 100. The liner 130 may protect the inner wall of the chamber 100 to prevent the inner wall of the chamber 100 from being damaged by arc discharge. In addition, it is possible to prevent impurities generated during the substrate processing process from being deposited on the inner wall of the chamber 100. Optionally, the liner 130 may not be provided.

챔버(100)의 내부에는 기판 지지 어셈블리(200)가 위치할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 어셈블리(200)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판 지지 어셈블리(200)에 대하여 설명한다.A substrate support assembly 200 may be positioned inside the chamber 100. The substrate support assembly 200 may support the substrate W. The substrate support assembly 200 may include an electrostatic chuck 210 that adsorbs the substrate W using electrostatic force. Alternatively, the substrate support assembly 200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping. Hereinafter, the substrate support assembly 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

기판 지지 어셈블리(200)는 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다.The substrate support assembly 200 may include an electrostatic chuck 210, a lower cover 250 and a plate 270. The substrate support assembly 200 may be located inside the chamber 100 to be spaced apart from the bottom surface of the chamber 100 to the top.

정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 포커스 링(240)을 포함할 수 있다. 정전 척(210)은 기판(W)을 지지할 수 있다.The electrostatic chuck 210 may include a dielectric plate 220, a body 230 and a focus ring 240. The electrostatic chuck 210 may support the substrate W.

유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 때문에, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치할 수 있다.The dielectric plate 220 may be positioned on the top of the electrostatic chuck 210. The dielectric plate 220 may be provided with a disk-shaped dielectric substance. A substrate W may be placed on the upper surface of the dielectric plate 220. The upper surface of the dielectric plate 220 may have a radius smaller than that of the substrate W. Therefore, the edge region of the substrate W may be located outside the dielectric plate 220.

유전판(220)은 내부에 제 1 전극(223), 히터(225) 그리고 제 1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제 1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제 1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다.The dielectric plate 220 may include a first electrode 223, a heater 225, and a first supply passage 221 therein. The first supply passage 221 may be provided from an upper surface to a lower surface of the dielectric plate 210. A plurality of first supply passages 221 may be formed to be spaced apart from each other, and may be provided as passages through which a heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

제 1 전극(223)은 제 1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제 1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제 1 전극(223)과 제 1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제 1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제 1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제 1 전극(223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제 1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제 1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다.The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a. The first power source 223a may include a DC power source. A switch 223b may be installed between the first electrode 223 and the first power source 223a. The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a by on/off of the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current may be applied to the first electrode 223. Electrostatic force acts between the first electrode 223 and the substrate W by the current applied to the first electrode 223, and the substrate W may be adsorbed to the dielectric plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제 1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 히터(225)는 제 2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 히터(225)는 제 2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다.The heater 225 may be located under the first electrode 223. The heater 225 may be electrically connected to the second power source 225a. The heater 225 may generate heat by resisting the current applied from the second power source 225a. The generated heat may be transferred to the substrate W through the dielectric plate 220. The substrate W may be maintained at a predetermined temperature by the heat generated by the heater 225. The heater 225 may include a spiral-shaped coil.

유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제 1 순환 유로(231), 제 2 순환 유로(232) 그리고 제 2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.A body 230 may be positioned under the dielectric plate 220. The lower surface of the dielectric plate 220 and the upper surface of the body 230 may be bonded by an adhesive 236. The body 230 may be made of aluminum. The upper surface of the body 230 may be stepped so that the center region is positioned higher than the edge region. The central region of the upper surface of the body 230 has an area corresponding to the lower surface of the dielectric plate 220 and may be adhered to the lower surface of the dielectric plate 220. The body 230 may have a first circulation passage 231, a second circulation passage 232, and a second supply passage 233 formed therein.

제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.The first circulation passage 231 may be provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation passage 231 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the first circulation passage 231 may be arranged so that ring-shaped passages having different radii from each other have the same center. Each of the first circulation passages 231 may communicate with each other. The first circulation passages 231 may be formed at the same height.

제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제 2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation passage 232 may be provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation passage 232 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the second circulation passage 232 may be arranged such that ring-shaped passages having different radii from each other have the same center. Each of the second circulation passages 232 may communicate with each other. The second circulation passage 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation passage 231. The second circulation passages 232 may be formed at the same height. The second circulation passage 232 may be located below the first circulation passage 231.

제 2 공급 유로(233)는 제 1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제 2 공급 유로(243)는 제 1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제 1 순환 유로(231)와 제 1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.The second supply passage 233 extends upward from the first circulation passage 231 and may be provided as an upper surface of the body 230. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 221, and may connect the first circulation passage 231 and the first supply passage 221.

제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제 1 순환 유로(231)에 공급되며, 제 2 공급 유로(233)와 제 1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 할 수 있다.The first circulation passage 231 may be connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. A heat transfer medium may be stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium may include an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium may include helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation passage 231 through the supply line 231b, and may be supplied to the bottom of the substrate W through the second supply passage 233 and the first supply passage 221 in sequence. . The helium gas may serve as a medium through which heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210.

제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제 2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제 2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.The second circulation passage 232 may be connected to the cooling fluid storage unit 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid may be stored in the cooling fluid storage unit 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage unit 232a. The cooler 232b may cool the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation passage 232 through the cooling fluid supply line 232c may circulate along the second circulation passage 232 to cool the body 230. As the body 230 is cooled, the dielectric plate 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제 3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제 3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원을 포함할 수 있다. 몸체(230)는 제 3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가받을 수 있다. 이로 인하여 몸체(230)는 전극으로서 기능할 수 있다.The body 230 may include a metal plate. According to an example, the entire body 230 may be provided as a metal plate. The body 230 may be electrically connected to the third power source 235a. The third power source 235a may be provided as a high frequency power source generating high frequency power. The high frequency power source may include an RF power source. The body 230 may receive high frequency power from the third power source 235a. Due to this, the body 230 can function as an electrode.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 포커스 링(240)은 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.The focus ring 240 may be disposed in an edge region of the electrostatic chuck 210. The focus ring 240 has a ring shape and may be disposed along the circumference of the dielectric plate 220. The upper surface of the focus ring 240 may be stepped so that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The inner portion 240b of the upper surface of the focus ring 240 may be positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 220. The inner portion 240b of the upper surface of the focus ring 240 may support an edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 220. The outer portion 240a of the focus ring 240 may be provided to surround an edge region of the substrate W. The focus ring 240 may control the electromagnetic field so that the plasma density is uniformly distributed over the entire area of the substrate W. Accordingly, plasma is uniformly formed over the entire area of the substrate W, so that each area of the substrate W can be uniformly etched.

하부 커버(250)는 기판 지지 어셈블리(200)의 하단부에 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간(255)이 내부에 형성될 수 있다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 리프트 핀 모듈(미도시)은 하부 커버(250)로부터 일정 간격 이격되어 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)은 공기가 제공될 수 있다. 공기는 절연체보다 유전율이 낮으므로 기판 지지 어셈블리(200) 내부의 전자기장을 감소시키는 역할을 할 수 있다.The lower cover 250 may be located at the lower end of the substrate support assembly 200. The lower cover 250 may be positioned to be spaced apart from the bottom surface of the chamber 100 to the top. The lower cover 250 may have a space 255 with an open top surface formed therein. The outer radius of the lower cover 250 may be provided with the same length as the outer radius of the body 230. In the inner space 255 of the lower cover 250, a lift pin module (not shown) for moving the conveyed substrate W from an external conveying member to the electrostatic chuck 210 may be located. The lift pin module (not shown) may be spaced apart from the lower cover 250 by a predetermined distance. The bottom surface of the lower cover 250 may be made of a metal material. Air may be provided in the inner space 255 of the lower cover 250. Since air has a lower dielectric constant than the insulator, it may serve to reduce an electromagnetic field inside the substrate support assembly 200.

하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 가질 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(100)의 내측벽을 연결할 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 기판 지지 어셈블리(200)를 챔버(100) 내부에서 지지할 수 있다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(100)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지되도록 할 수 있다. 제 1 전원(223a)과 연결되는 제 1 전원라인(223c), 제 2 전원(225a)과 연결되는 제 2 전원라인(225c), 제 3 전원(235a)과 연결되는 제 3 전원라인(235c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(253)의 내부 공간(255)을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장될 수 있다.The lower cover 250 may have a connection member 253. The connection member 253 may connect the outer surface of the lower cover 250 and the inner wall of the chamber 100. A plurality of connection members 253 may be provided on the outer surface of the lower cover 250 at regular intervals. The connection member 253 may support the substrate support assembly 200 inside the chamber 100. In addition, the connection member 253 may be connected to the inner wall of the chamber 100 so that the lower cover 250 may be electrically grounded. A first power line 223c connected to the first power source 223a, a second power line 225c connected to the second power source 225a, and a third power line 235c connected to the third power source 235a , The heat transfer medium supply line 231b connected to the heat transfer medium storage unit 231a and the cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid storage unit 232a are lower through the inner space 255 of the connection member 253 It may extend into the cover 250.

정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치할 수 있다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮을 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(270)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)의 전기적 거리를 증가시키는 역할을 할 수 있다.A plate 270 may be positioned between the electrostatic chuck 210 and the lower cover 250. The plate 270 may cover the upper surface of the lower cover 250. The plate 270 may be provided with a cross-sectional area corresponding to the body 230. The plate 270 may include an insulator. According to an example, one or more plates 270 may be provided. The plate 270 may serve to increase the electrical distance between the body 230 and the lower cover 250.

샤워 헤드(300)는 챔버(100) 내부에서 기판 지지 어셈블리(200)의 상부에 위치할 수 있다. 샤워 헤드(300)는 기판 지지 어셈블리(200)와 대향하도록 위치할 수 있다.The shower head 300 may be located above the substrate support assembly 200 in the chamber 100. The shower head 300 may be positioned to face the substrate support assembly 200.

샤워 헤드(300)는 가스 분산판(310)과 지지부(330)를 포함할 수 있다. 가스 분산판(310)은 챔버(100)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분산판(310)과 챔버(100)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성될 수 있다. 가스 분산판(310)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분산판(310)의 단면은 기판 지지 어셈블리(200)와 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)은 복수 개의 분사홀(311)을 포함할 수 있다. 분사홀(311)은 가스 분산판(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통할 수 있다. 가스 분산판(310)은 금속 재질을 포함할 수 있다. 가스 분산판(310)은 제 4 전원(351)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제 4 전원(351)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 가스 분산판(310)은 전기적으로 접지될 수도 있다. 가스 분산판(310)은 제 4 전원(351)과 전기적으로 연결되거나, 접지되어 전극으로서 기능할 수 있다.The shower head 300 may include a gas distribution plate 310 and a support part 330. The gas distribution plate 310 may be positioned at a predetermined distance apart from the upper surface of the chamber 100 to the lower side. A certain space may be formed between the gas distribution plate 310 and the upper surface of the chamber 100. The gas distribution plate 310 may be provided in a plate shape having a constant thickness. The bottom surface of the gas distribution plate 310 may be anodized to prevent arcing by plasma. The cross-section of the gas distribution plate 310 may be provided to have the same shape and cross-sectional area as the substrate support assembly 200. The gas distribution plate 310 may include a plurality of injection holes 311. The injection hole 311 may vertically penetrate the upper and lower surfaces of the gas distribution plate 310. The gas distribution plate 310 may include a metal material. The gas distribution plate 310 may be electrically connected to the fourth power source 351. The fourth power source 351 may be provided as a high frequency power source. Alternatively, the gas distribution plate 310 may be electrically grounded. The gas distribution plate 310 may be electrically connected to the fourth power source 351 or may be grounded to function as an electrode.

지지부(330)는 가스 분산판(310)의 측부를 지지할 수 있다. 지지부(330)는 상단이 챔버(100)의 상면과 연결되고, 하단이 가스 분산판(310)의 측부와 연결될 수 있다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.The support part 330 may support a side part of the gas distribution plate 310. The upper end of the support part 330 may be connected to the upper surface of the chamber 100, and the lower end may be connected to the side part of the gas distribution plate 310. The support part 330 may include a non-metal material.

가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치될 수 있다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply unit 400 may supply a process gas into the chamber 100. The gas supply unit 400 may include a gas supply nozzle 410, a gas supply line 420, and a gas storage unit 430. The gas supply nozzle 410 may be installed in the center of the upper surface of the chamber 100. An injection hole may be formed at the bottom of the gas supply nozzle 410. The injection port may supply a process gas into the chamber 100. The gas supply line 420 may connect the gas supply nozzle 410 and the gas storage unit 430. The gas supply line 420 may supply the process gas stored in the gas storage unit 430 to the gas supply nozzle 410. A valve 421 may be installed in the gas supply line 420. The valve 421 opens and closes the gas supply line 420 and may adjust the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 420.

배플 유닛(500)은 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 어셈블리(200)의 사이에 위치될 수 있다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성될 수 있다. 챔버(100) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기될 수 있다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.The baffle unit 500 may be positioned between the inner wall of the chamber 100 and the substrate support assembly 200. The baffle 510 may be provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 may be formed in the baffle 510. The process gas provided in the chamber 100 may pass through the through holes 511 of the baffle 510 and be exhausted to the exhaust hole 102. The flow of the process gas may be controlled according to the shape of the baffle 510 and the shape of the through holes 511.

플라즈마 발생 유닛은 챔버(100) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 상기 플라즈마 발생 유닛은 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma) 타입의 플라즈마 소스를 사용할 수 있다. CCP 타입의 플라즈마 소스가 사용되는 경우, 챔버(100)의 내부에 상부 전극 및 하부 전극이 포함될 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 샤워 헤드(300)로 제공되고, 하부 전극은 몸체(230)로 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수도 있다. 이로 인하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생될 수 있다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다.The plasma generating unit may excite the process gas in the chamber 100 in a plasma state. The plasma generating unit may use a capacitively coupled plasma (CCP) type plasma source. When a CCP type plasma source is used, an upper electrode and a lower electrode may be included in the chamber 100. The upper electrode and the lower electrode may be disposed vertically and parallel to each other in the chamber 100. One of the electrodes may apply high frequency power and the other electrode may be grounded. An electromagnetic field is formed in the space between the two electrodes, and a process gas supplied to the space may be excited in a plasma state. A substrate processing process can be performed using this plasma. According to an example, the upper electrode may be provided as the shower head 300 and the lower electrode may be provided as the body 230. High-frequency power may be applied to the lower electrode, and the upper electrode may be grounded. Alternatively, high-frequency power may be applied to both the upper electrode and the lower electrode. Accordingly, an electromagnetic field may be generated between the upper electrode and the lower electrode. The generated electromagnetic field may excite the process gas provided into the chamber 100 into a plasma state.

이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다.Hereinafter, a process of processing a substrate using the substrate processing apparatus described above will be described.

기판 지지 어셈블리(200)에 기판(W)이 놓이면, 제 1 전원(223a)으로부터 제 1 전극(223)에 직류 전류가 인가될 수 있다. 제 1 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 제 1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착될 수 있다.When the substrate W is placed on the substrate support assembly 200, a direct current may be applied from the first power source 223a to the first electrode 223. Electrostatic force acts between the first electrode 223 and the substrate W by the direct current applied to the first electrode 223, and the substrate W may be adsorbed to the electrostatic chuck 210 by the electrostatic force.

기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(410)을 통하여 챔버(100) 내부에 공정 가스가 공급될 수 있다. 공정 가스는 샤워 헤드(300)의 분사홀(311)을 통하여 챔버(100)의 내부 영역으로 균일하게 분사될 수 있다. 제 3 전원(235a)에서 생성된 고주파 전력은 하부 전극으로 제공되는 몸체(230)에 인가될 수 있다. 상부 전극으로 제공되는 샤워 헤드의 분사판(310)은 접지될 수 있다. 상부 전극과 하부 전극 사이에는 전자기력이 발생할 수 있다. 전자기력은 기판 지지 어셈블리(200)와 샤워 헤드(300) 사이의 공정 가스를 플라즈마로 여기시킬 수 있다. 플라즈마는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리할 수 있다. 플라즈마는 식각 공정을 수행할 수 있다.When the substrate W is adsorbed on the electrostatic chuck 210, the process gas may be supplied into the chamber 100 through the gas supply nozzle 410. The process gas may be uniformly injected into the inner region of the chamber 100 through the injection hole 311 of the shower head 300. The high frequency power generated by the third power source 235a may be applied to the body 230 provided as the lower electrode. The spray plate 310 of the shower head provided as an upper electrode may be grounded. Electromagnetic force may be generated between the upper electrode and the lower electrode. The electromagnetic force may excite the process gas between the substrate support assembly 200 and the shower head 300 with plasma. Plasma is provided as the substrate W to process the substrate W. Plasma may perform an etching process.

도 1에 도시된 기판 처리 장치(10)는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 소스(예컨대, 챔버 내에 설치된 전극)를 이용하여 챔버(100) 내에 전기장을 생성함으로써 플라즈마를 생성하였다. 하지만, 기판 처리 장치(10)는 이에 제한되지 않고 실시예에 따라 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 소스(예컨대, 챔버의 외부 또는 내부에 설치되는 코일)를 이용하여 전자기장을 유도함으로써 플라즈마를 생성할 수도 있다.The substrate processing apparatus 10 illustrated in FIG. 1 generates plasma by generating an electric field in the chamber 100 using a capacitively coupled plasma (CCP) type plasma source (eg, an electrode installed in the chamber). However, the substrate processing apparatus 10 is not limited thereto and generates plasma by inducing an electromagnetic field using an ICP (Inductively Coupled Plasma) type plasma source (eg, a coil installed outside or inside a chamber) according to an embodiment. You may.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(210)의 히터 회로를 나타내는 예시적인 회로도이다.2 is an exemplary circuit diagram showing a heater circuit of the electrostatic chuck 210 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 정전척(210)은 교류 전원(610), 히터(620) 및 필터(630)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the electrostatic chuck 210 may include an AC power source 610, a heater 620 and a filter 630.

상기 교류 전원(610)은 교류 신호를 제공한다. 도 2에 도시된 교류 전원(610)은 도 1에 도시된 제 2 전원(225a)에 대응한다.The AC power supply 610 provides an AC signal. The AC power source 610 shown in FIG. 2 corresponds to the second power source 225a shown in FIG. 1.

일 실시예에 따르면, 상기 교류 전원(610)은 상기 히터(620)를 발열시키기 위해 50 내지 60 Hz의 교류 신호를 제공할 수 있으며, 일 예로 60 Hz의 교류 신호를 제공할 수 있다.According to an embodiment, the AC power source 610 may provide an AC signal of 50 to 60 Hz to heat the heater 620, and for example, may provide an AC signal of 60 Hz.

상기 히터(620)는 상기 교류 신호를 공급받아 발열한다. 도 2에 도시된 히터(620)는 도 1에 도시된 히터(225)를 저항 기호로 나타낸 것이다. 상기 히터(620)는 상기 정전척(210)에서 유전판(220) 내에 나선형의 코일로 제공될 수 있다.The heater 620 generates heat by receiving the AC signal. The heater 620 shown in FIG. 2 represents the heater 225 shown in FIG. 1 by a resistance symbol. The heater 620 may be provided as a spiral coil in the dielectric plate 220 in the electrostatic chuck 210.

일 실시예에 따르면, 하나의 히터(620)는 유전판(220)의 일부 영역을 차지하도록 배치되고, 상기 유전판(220)의 전체 영역에 걸쳐 상기 히터(620)가 다수 개 제공되어 기판(W)의 전면을 가열할 수 있다.According to an embodiment, one heater 620 is disposed to occupy a partial area of the dielectric plate 220, and a plurality of heaters 620 are provided over the entire area of the dielectric plate 220 to provide a substrate ( W) can heat the front.

상기 필터(630)는 상기 교류 전원(610)과 상기 히터(620) 사이에 연결되어, 상기 교류 전원(610)과 상기 히터(620) 사이에 흐르는 교류 신호를 통과시키고, 상기 히터(620)로부터 상기 교류 전원(610)으로 흐르는 노이즈 신호를 차단시킬 수 있다.The filter 630 is connected between the AC power source 610 and the heater 620 to pass an AC signal flowing between the AC power source 610 and the heater 620, and from the heater 620 A noise signal flowing to the AC power source 610 may be blocked.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 필터(630)는 유도성 리액턴스부, 제 1 용량성 리액턴스부 및 제 2 용량성 리액턴스부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the filter 630 may include an inductive reactance unit, a first capacitive reactance unit, and a second capacitive reactance unit.

상기 유도성 리액턴스부는 고리 모양의 코어에 감길 수 있다.The inductive reactance part may be wound around an annular core.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 코어(6300) 및 그에 감긴 유도성 리액턴스부를 나타내는 예시적인 사시도이다.3 is an exemplary perspective view showing a core 6300 and an inductive reactance portion wound thereon according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 상기 유도성 리액턴스부는 제 1 권선(6301)과 제 2 권선(6302)을 포함한다. 상기 제 1 권선(6301)은 상기 코어(6300)에 감겨 전원측 단자가 교류 전원(610)의 일 단자에 연결되고 부하측 단자가 부하, 즉 히터(620)의 일 단자에 연결될 수 있다. 상기 제 2 권선(6302)은 상기 코어(6300)에 감겨 전원측 단자가 교류 전원(610)의 타 단자에 연결되고 부하측 단자가 부하, 즉 히터(620)의 타 단자에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 3, the inductive reactance unit includes a first winding 6301 and a second winding 6302. The first winding 6301 may be wound around the core 6300 so that a power-side terminal is connected to one terminal of an AC power source 610, and a load-side terminal may be connected to a load, that is, one terminal of the heater 620. The second winding 6302 may be wound around the core 6300 so that the power-side terminal is connected to the other terminal of the AC power source 610, and the load-side terminal is connected to the load, that is, the other terminal of the heater 620.

일 실시예에 따르면, 상기 코어(6300)는 강자성체로 만들어질 수 있으며, 예를 들어 페라이트로 만들어질 수 있으나 상기 코어의 재질은 이에 제한되지 않는다.According to an embodiment, the core 6300 may be made of a ferromagnetic material, for example, but may be made of ferrite, but the material of the core is not limited thereto.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제 1 및 제 2 권선(6301, 6302)은 상기 코어(6300)에 바이파일러(bifilar) 방식으로 감길 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first and second windings 6301 and 6302 may be wound around the core 6300 in a bifilar manner.

일 실시예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 권선(6301, 6302)은 서로 평행하게 배열되어 코어(6300)에 바이파일러 방식으로 감길 수 있다.According to an embodiment, as shown in FIG. 3, the first and second windings 6301 and 6302 may be arranged parallel to each other and may be wound around the core 6300 in a bi-piler manner.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 코어(6300) 및 그에 감긴 유도성 리액턴스부를 나타내는 예시적인 사시도이다.4 is an exemplary perspective view showing a core 6300 and an inductive reactance portion wound thereon according to another embodiment of the present invention.

다른 실시예에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 권선(6301, 6302)은 서로 꼬여 결합된 채 코어(6300)에 바이파일러 방식으로 감길 수 있다.According to another exemplary embodiment, as shown in FIG. 4, the first and second windings 6301 and 6302 may be twisted and coupled to each other and wound around the core 6300 in a bi-piler manner.

이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 필터(630)는 유도성 리액턴스부가 고리 모양의 코어(6300)에 바이파일러 방식으로 감긴 두 권선들(6301, 6302)을 포함함으로써 높은 인덕턴스를 구현할 수 있다.As described above, the filter 630 according to the exemplary embodiment of the present invention may implement high inductance by including the two windings 6301 and 6302 wound around the annular core 6300 in an inductive reactance part in a bifilar manner.

나아가, 도 4와 같이 코어(6300)에 바이파일러 방식으로 감기는 제 1 및 제 2 권선(6301, 6302)이 서로 꼬여서 결합되어 있으면, 도 3의 서로 평행하게 배열된 제 1 및 제 2 권선(6301, 6302)보다 결합계수가 증가하여 보다 높은 인덕턴스를 얻을 수 있다.Further, as shown in FIG. 4, when the first and second windings 6301 and 6302 wound around the core 6300 in a bipiler manner are twisted and coupled to each other, the first and second windings arranged parallel to each other in FIG. 6301, 6302), higher inductance can be obtained by increasing the coupling coefficient.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제 1 및 제 2 권선(6301, 6302) 각각은 다수의 소선들이 꼬여서 만들어진 연선이 사용될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, each of the first and second windings 6301 and 6302 may use a stranded wire made by twisting a plurality of wires.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 권선의 구조를 보여주는 예시적인 도면이고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 권선의 구조를 보여주는 예시적인 도면이고, 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 권선의 구조를 보여주는 예시적인 도면이다.5 is an exemplary diagram showing a structure of a winding according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is an exemplary view showing a structure of a winding according to another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is another exemplary diagram of the present invention. It is an exemplary diagram showing a structure of a winding according to an embodiment.

먼저, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 유도성 리액턴스부에 포함되는 권선은 다수의 소선들(예컨대, 도 5에서는 7 개의 소선들)이 꼬여서 만들어진 연선일 수 있다.First, as illustrated in FIG. 5, the winding included in the inductive reactance unit may be a twisted pair made by twisting a plurality of wires (eg, seven wires in FIG. 5 ).

실시예에 따라, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 권선을 구성하는 소선들의 개수는 변경될 수 있으며, 도 7을 참조하면 상기 권선은 다수의 소선들이 꼬여서 단위 연선을 구성하고 그 단위 연선이 다수 개 꼬여서 하나의 권선을 형성할 수도 있다.Depending on the embodiment, as shown in Fig. 6, the number of wires constituting the winding may be changed, and referring to Fig. 7, the winding constitutes a unit twisted pair by twisting a plurality of wires. They can also be twisted to form a single winding.

이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 필터(630)는 유도성 리액턴스부에 포함되는 각각의 권선이 연선으로 이루어짐으로써 권선으로부터 전자장 커플링에 의한 기생 효과를 제거하여 보다 가는 권선으로 보다 높은 전력을 전달할 수 있다.As described above, in the filter 630 according to the embodiment of the present invention, since each winding included in the inductive reactance unit is formed of a stranded wire, a parasitic effect due to electromagnetic field coupling is removed from the winding to transmit higher power to a thinner winding. I can.

다시 도 2를 참조하면, 상기 제 1 용량성 리액턴스부는 상기 유도성 리액턴스부에 병렬로 연결된다.Referring back to FIG. 2, the first capacitive reactance unit is connected in parallel to the inductive reactance unit.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제 1 용량성 리액턴스부는 제 1 권선(6301)에 병렬로 연결된 제 1 커패시터(6311), 및 제 2 권선(6302)에 병렬로 연결된 제 2 커패시터(6312)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, according to the embodiment of the present invention, the first capacitive reactance unit is parallel to the first capacitor 6311 connected to the first winding 6301 and the second winding 6302. It may include a connected second capacitor 6312.

또한, 상기 제 2 용량성 리액턴스부는 상기 제 1 용량성 리액턴스부의 일 단자와 접지 사이에 연결된다.In addition, the second capacitive reactance part is connected between one terminal of the first capacitive reactance part and a ground.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제 2 용량성 리액턴스부는 상기 제 1 커패시터(6311)의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 3 커패시터(6321), 및 상기 제 2 커패시터(6312)의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 4 커패시터(6322)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, according to the embodiment of the present invention, the second capacitive reactance unit includes a third capacitor 6321 connected between one terminal of the first capacitor 6311 and a ground, and the second capacitor. A fourth capacitor 6322 connected between one terminal of the 6312 and the ground may be included.

나아가, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제 3 및 제 4 커패시터(6321, 6322)는 각각 상기 제 1 및 제 2 커패시터(6311, 6312)의 양 단자들 중 전원측 단자와 접지 사이에 연결될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the third and fourth capacitors 6321 and 6322 may be connected between a power-side terminal and a ground among both terminals of the first and second capacitors 6311 and 6312, respectively. .

전술한 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제 1 및 제 2 권선(6301, 6302)이 고리 모양의 코어(6300)에 바이파일러 방식으로 감김으로써 필터(630)에 포함되는 유도성 리액턴스부는 변압기를 형성하게 되며, 상기 필터(630)는 상기 유도성 리액턴스부와 제 1 및 제 2 용량성 리액턴스부에 의해 차단 주파수보다 낮은 주파수의 신호는 통과시키면서 상기 차단 주파수 이상의 주파수를 갖는 신호는 차단시키는 저역 통과 필터로서 기능할 수 있다.According to the above-described embodiment of the present invention, the first and second windings 6301 and 6302 are wound around the annular core 6300 in a bi-pillar manner, so that the inductive reactance unit included in the filter 630 is Is formed, and the filter 630 passes a signal having a frequency lower than the cutoff frequency by the inductive reactance unit and the first and second capacitive reactance units while blocking a signal having a frequency higher than the cutoff frequency. Can function as a filter.

그리고, 상기 필터(630)는 교류 전원(610)과 히터(620) 사이에 구비됨으로써 상기 교류 전원(610)과 상기 히터(620) 사이에 흐르는 히터 구동용 교류 신호(예컨대, 60 Hz의 교류 신호)는 통과시키면서, 플라즈마 또는 플라즈마의 제어를 위해 정전척(210)에 인가되는 RF 바이어스 신호에 기인하여 상기 히터(620)로부터 상기 교류 전원(610)으로 유입되는 노이즈 신호는 차단시킬 수 있다.In addition, the filter 630 is provided between the AC power source 610 and the heater 620, so that the AC signal for driving a heater flowing between the AC power source 610 and the heater 620 (for example, an AC signal of 60 Hz) ) May pass through and block a noise signal flowing from the heater 620 to the AC power 610 due to an RF bias signal applied to the electrostatic chuck 210 for plasma or plasma control.

나아가, 전술한 본 발명의 실시예에 따른 필터(630)는 코어(6300)에 바이파일러 방식으로 권선들(6301, 6302)을 감아 높은 인덕턴스를 구현함으로써, 기존보다 낮은 수준의 차단 주파수를 갖는 저역 통과 필터를 얻을 수 있다.Further, the filter 630 according to the embodiment of the present invention described above implements a high inductance by winding the windings 6301 and 6302 around the core 6300 in a bi-piler manner, thereby implementing a low-pass You can get a pass filter.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터(630)의 주파수 응답 특성을 나타내는 그래프이다.8 is a graph showing the frequency response characteristics of the filter 630 according to an embodiment of the present invention.

예를 들어, 도 2의 회로에서 제 1 및 제 2 권선(6301, 6302)의 인덕턴스 L1, L2가 1.3 mH가 되도록 유도성 리액턴스부를 구성하고, 제 1 및 제 2 커패시터(6311, 612)의 커패시턴스 C1, C2가 10 pF이 되도록 제 1 용량성 리액턴스부를 구성하고, 제 3 및 제 4 커패시터(6321, 6322)의 커패시턴스 C3, C4가 10 nF이 되도록 제 2 용량성 리액턴스부를 구성하는 경우, 본 발명의 실시예에 따른 필터(630)는 도 8과 같은 주파수 응답 특성을 가질 수 있다.For example, in the circuit of FIG. 2, an inductive reactance unit is configured such that the inductances L1 and L2 of the first and second windings 6301 and 6302 are 1.3 mH, and the capacitance of the first and second capacitors 6311 and 612 When configuring the first capacitive reactance unit so that C1 and C2 are 10 pF, and the second capacitive reactance unit is configured so that the capacitances C3 and C4 of the third and fourth capacitors 6321 and 6322 are 10 nF, the present invention The filter 630 according to the embodiment of may have a frequency response characteristic as shown in FIG. 8.

도 8을 참조하면, 상기 필터(630)는 저역 통과 필터로 동작하며 그 차단 주파수는 1 KHz보다 낮게 형성됨을 알 수 있다. 따라서, 히터 회로에 본 발명의 실시예에 따른 필터(630)를 구비하는 정전척(210)은 KHz 대역의 저주파 노이즈 신호도 대부분 차단시킴으로써, 부하 측에서 발생되는 노이즈 신호가 전원 측에 미치는 영향을 제거하여 보다 안정적이고 정밀하게 히터를 제어할 수 있다.Referring to FIG. 8, it can be seen that the filter 630 operates as a low-pass filter and its cutoff frequency is lower than 1 KHz. Therefore, the electrostatic chuck 210 having the filter 630 according to the embodiment of the present invention in the heater circuit blocks most of the low-frequency noise signals in the KHz band, thereby reducing the effect of the noise signal generated on the load side on the power side. By removing it, you can control the heater more stably and precisely.

이상에서 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 위 실시예는 단지 본 발명의 사상을 설명하기 위한 것으로 이에 한정되지 않는다. 통상의 기술자는 전술한 실시예에 다양한 변형이 가해질 수 있음을 이해할 것이다. 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구범위의 해석을 통해서만 정해진다.In the above, the present invention has been described through the embodiments, but the above embodiments are merely for explaining the spirit of the present invention and are not limited thereto. One of ordinary skill in the art will understand that various modifications may be made to the above-described embodiments. The scope of the present invention is defined only through interpretation of the appended claims.

10: 기판 처리 장치
100: 챔버
200: 기판 지지 어셈블리
300: 샤워 헤드
400: 가스 공급 유닛
500: 배플 유닛
610: 교류 전원
620: 히터
630: 필터
6300: 코어
6301: 제 1 권선
6302: 제 2 권선
6311: 제 1 커패시터
6312: 제 2 커패시터
6321: 제 3 커패시터
6322: 제 4 커패시터10: substrate processing apparatus
100: chamber
200: board support assembly
300: shower head
400: gas supply unit
500: baffle unit
610: AC power
620: heater
630: filter
6300: core
6301: first winding
6302: second winding
6311: first capacitor
6312: second capacitor
6321: third capacitor
6322: fourth capacitor

Claims (24)

고리 모양의 코어에 감긴 유도성 리액턴스부;
상기 유도성 리액턴스부에 병렬로 연결된 제 1 용량성 리액턴스부; 및
상기 제 1 용량성 리액턴스부의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 2 용량성 리액턴스부;
를 포함하고,
상기 유도성 리액턴스부는:
상기 코어에 감겨 전원측 단자가 전원의 일 단자에 연결되고 부하측 단자가 부하의 일 단자에 연결되는 제 1 권선; 및
상기 코어에 감겨 전원측 단자가 상기 전원의 타 단자에 연결되고 부하측 단자가 상기 부하의 타 단자에 연결되는 제 2 권선;
을 포함하는 필터.An inductive reactance part wound around an annular core;
A first capacitive reactance unit connected in parallel to the inductive reactance unit; And
A second capacitive reactance unit connected between one terminal of the first capacitive reactance unit and a ground;
Including,
The inductive reactance part:
A first winding wound around the core, wherein a power-side terminal is connected to one terminal of a power source and a load-side terminal is connected to one terminal of a load; And
A second winding wound around the core so that a power-side terminal is connected to the other terminal of the power and a load-side terminal is connected to the other terminal of the load;
Filter containing. 제 1 항에 있어서,
상기 코어는 강자성체로 만들어진 필터.The method of claim 1,
The core is a filter made of ferromagnetic material. 제 2 항에 있어서,
상기 코어는 페라이트로 만들어진 필터.The method of claim 2,
The core is a filter made of ferrite. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 권선은 상기 코어에 바이파일러(bifilar) 방식으로 감기는 필터.The method of claim 1,
The first and second windings are wound around the core in a bifilar manner. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 권선은 서로 평행하게 배열되어 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감기는 필터.The method of claim 5,
The first and second windings are arranged parallel to each other, and the filter is wound around the core in a bipiler manner. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 권선은 서로 꼬여 결합된 채 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감기는 필터.The method of claim 5,
A filter in which the first and second windings are twisted and coupled to each other and wound around the core in a bi-piler manner. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 권선 각각은 다수의 소선들이 꼬여서 만들어진 연선인 필터.The method according to claim 6 or 7,
Each of the first and second windings is a twisted pair made by twisting a plurality of wires. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 용량성 리액턴스부는:
상기 제 1 권선에 병렬로 연결된 제 1 커패시터; 및
상기 제 2 권선에 병렬로 연결된 제 2 커패시터;
를 포함하는 필터.The method of claim 1,
The first capacitive reactance portion:
A first capacitor connected in parallel to the first winding; And
A second capacitor connected in parallel to the second winding;
Filter containing. 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 용량성 리액턴스부는:
상기 제 1 커패시터의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 3 커패시터; 및
상기 제 2 커패시터의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 4 커패시터;
를 포함하는 필터.The method of claim 9,
The second capacitive reactance portion:
A third capacitor connected between one terminal of the first capacitor and a ground; And
A fourth capacitor connected between one terminal of the second capacitor and a ground;
Filter containing. 제 10 항에 있어서,
상기 제 3 및 제 4 커패시터는 각각 상기 제 1 및 제 2 커패시터의 전원측 단자와 접지 사이에 연결되는 필터.The method of claim 10,
The third and fourth capacitors are respectively connected between power-side terminals of the first and second capacitors and a ground. 교류 신호를 제공하는 교류 전원;
상기 교류 신호를 공급받아 발열하는 히터; 및
상기 교류 전원과 상기 히터 사이에 연결되어, 상기 교류 전원과 상기 히터 사이에 흐르는 상기 교류 신호를 통과시키고, 상기 히터로부터 상기 교류 전원으로 흐르는 노이즈 신호를 차단시키는 필터를 포함하며,
상기 필터는:
고리 모양의 코어에 감긴 유도성 리액턴스부;
상기 유도성 리액턴스부에 병렬로 연결된 제 1 용량성 리액턴스부; 및
상기 제 1 용량성 리액턴스부의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 2 용량성 리액턴스부;
를 포함하고,
상기 유도성 리액턴스부는:
상기 코어에 감겨 전원측 단자가 전원의 일 단자에 연결되고 부하측 단자가 부하의 일 단자에 연결되는 제 1 권선; 및
상기 코어에 감겨 전원측 단자가 상기 전원의 타 단자에 연결되고 부하측 단자가 상기 부하의 타 단자에 연결되는 제 2 권선;
을 포함하는 정전척.AC power supply providing an AC signal;
A heater receiving the AC signal to generate heat; And
A filter connected between the AC power source and the heater, passing the AC signal flowing between the AC power source and the heater, and blocking a noise signal flowing from the heater to the AC power source,
The filter is:
An inductive reactance part wound around an annular core;
A first capacitive reactance unit connected in parallel to the inductive reactance unit; And
A second capacitive reactance unit connected between one terminal of the first capacitive reactance unit and a ground;
Including,
The inductive reactance part:
A first winding wound around the core, wherein a power-side terminal is connected to one terminal of a power source and a load-side terminal is connected to one terminal of a load; And
A second winding wound around the core so that a power-side terminal is connected to the other terminal of the power and a load-side terminal is connected to the other terminal of the load;
Electrostatic chuck comprising a. 제 12 항에 있어서,
상기 노이즈 신호는 상기 교류 신호보다 주파수가 높으며,
상기 필터는 저역 통과 필터인 정전척.The method of claim 12,
The noise signal has a higher frequency than the AC signal,
The filter is an electrostatic chuck that is a low pass filter. 제 12 항에 있어서,
상기 코어는 강자성체로 만들어진 정전척.The method of claim 12,
The core is an electrostatic chuck made of a ferromagnetic material. 제 14 항에 있어서,
상기 코어는 페라이트로 만들어진 정전척.The method of claim 14,
The core is an electrostatic chuck made of ferrite. 삭제delete 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 권선은 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감기는 정전척.The method of claim 12,
The first and second windings are wound around the core in a bi-piler manner. 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 권선은 서로 평행하게 배열되어 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감기는 정전척.The method of claim 17,
The first and second windings are arranged parallel to each other, and the electrostatic chuck is wound around the core in a bi-piler manner. 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 권선은 서로 꼬여 결합된 채 상기 코어에 바이파일러 방식으로 감기는 정전척.The method of claim 17,
The first and second windings are twisted and coupled to each other, and the electrostatic chuck is wound around the core in a bipiler manner. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 권선 각각은 다수의 소선들이 꼬여서 만들어진 연선인 정전척.The method of claim 18 or 19,
Each of the first and second windings is a twisted pair made by twisting a plurality of wires. 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 용량성 리액턴스부는:
상기 제 1 권선에 병렬로 연결된 제 1 커패시터; 및
상기 제 2 권선에 병렬로 연결된 제 2 커패시터;
를 포함하는 정전척.The method of claim 12,
The first capacitive reactance portion:
A first capacitor connected in parallel to the first winding; And
A second capacitor connected in parallel to the second winding;
Electrostatic chuck comprising a. 제 21 항에 있어서,
상기 제 2 용량성 리액턴스부는:
상기 제 1 커패시터의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 3 커패시터; 및
상기 제 2 커패시터의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 4 커패시터;
를 포함하는 정전척.The method of claim 21,
The second capacitive reactance portion:
A third capacitor connected between one terminal of the first capacitor and a ground; And
A fourth capacitor connected between one terminal of the second capacitor and a ground;
Electrostatic chuck comprising a. 제 22 항에 있어서,
상기 제 3 및 제 4 커패시터는 각각 상기 제 1 및 제 2 커패시터의 전원측 단자와 접지 사이에 연결되는 정전척.The method of claim 22,
The third and fourth capacitors are electrostatic chuck connected between power-side terminals of the first and second capacitors and ground, respectively. 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버 내에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리;
상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하며,
상기 기판 지지 어셈블리는:
교류 신호를 제공하는 교류 전원;
상기 교류 신호를 공급받아 발열하는 히터; 및
상기 교류 전원과 상기 히터 사이에 연결되어, 상기 교류 전원과 상기 히터 사이에 흐르는 상기 교류 신호를 통과시키고, 상기 히터로부터 상기 교류 전원으로 흐르는 노이즈 신호를 차단하는 필터;
를 포함하는 정전척을 포함하며,
상기 필터는:
고리 모양의 코어에 감긴 유도성 리액턴스부;
상기 유도성 리액턴스부에 병렬로 연결된 제 1 용량성 리액턴스부; 및
상기 제 1 용량성 리액턴스부의 일 단자와 접지 사이에 연결된 제 2 용량성 리액턴스부;
를 포함하며,
상기 유도성 리액턴스부는:
상기 코어에 감겨 전원측 단자가 전원의 일 단자에 연결되고 부하측 단자가 부하의 일 단자에 연결되는 제 1 권선; 및
상기 코어에 감겨 전원측 단자가 상기 전원의 타 단자에 연결되고 부하측 단자가 상기 부하의 타 단자에 연결되는 제 2 권선;
을 포함하는 기판 처리 장치.A chamber providing a space in which a substrate is processed;
A substrate support assembly supporting the substrate in the chamber;
A gas supply unit supplying gas into the chamber; And
And a plasma generating unit that excites the gas in the chamber into a plasma state,
The substrate support assembly:
AC power supply providing an AC signal;
A heater receiving the AC signal to generate heat; And
A filter connected between the AC power source and the heater, passing the AC signal flowing between the AC power source and the heater, and blocking a noise signal flowing from the heater to the AC power source;
It includes an electrostatic chuck comprising a,
The filter is:
An inductive reactance part wound around an annular core;
A first capacitive reactance unit connected in parallel to the inductive reactance unit; And
A second capacitive reactance unit connected between one terminal of the first capacitive reactance unit and a ground;
Including,
The inductive reactance part:
A first winding wound around the core, wherein a power-side terminal is connected to one terminal of a power source and a load-side terminal is connected to one terminal of a load; And
A second winding wound around the core so that a power-side terminal is connected to the other terminal of the power and a load-side terminal is connected to the other terminal of the load;
A substrate processing apparatus comprising a.
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