KR102194831B1 - Laser Repair Apparatus for Adjusting and Monitoring the Polarization of the Beam - Google Patents

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KR102194831B1
KR102194831B1 KR1020200090031A KR20200090031A KR102194831B1 KR 102194831 B1 KR102194831 B1 KR 102194831B1 KR 1020200090031 A KR1020200090031 A KR 1020200090031A KR 20200090031 A KR20200090031 A KR 20200090031A KR 102194831 B1 KR102194831 B1 KR 102194831B1
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박정욱
김경남
이형주
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주식회사 에이치비테크놀러지
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Abstract

Disclosed is a laser repair apparatus which adjusts and monitors the polarization status of a beam. According to one aspect of an embodiment of the present invention, the laser repair apparatus comprises: a laser apparatus which irradiates a laser beam of one or more wavelength bands; a polarization plate which controls the polarization status of the laser beam irradiated by the laser apparatus; a processing unit which changes the shape of the laser beam which has passed through the polarization plate; an object lens which irradiates the laser beam passing through the processing unit toward a subject; a first lens which allows the laser beam or the light to be irradiated toward the substrate to be repaired through the object lens; and a sensing unit which branches a part of the laser beam, which has passed through the polarization plate, to detect the polarization status of the laser beam.

Description

빔의 편광상태를 조정하고 모니터링하는 레이저 리페어 장치{Laser Repair Apparatus for Adjusting and Monitoring the Polarization of the Beam}Laser Repair Apparatus for Adjusting and Monitoring the Polarization of the Beam}

본 발명은 리페어를 위해 조사되는 레이저 빔의 편광 상태를 모니터링하여 조정하는 레이저 리페어 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laser repair device that monitors and adjusts a polarization state of a laser beam irradiated for repair.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information on the present embodiment and does not constitute the prior art.

디스플레이 디바이스 기술의 현저한 발전에 따라 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 각종 방식의 화상 표시 장치에 관련된 기술이 크게 진보되어 왔다. 특히 대형이며 고정밀한 표시를 실현하는 화상 표시 장치 등에서는 그 제조원가의 저감과 화상 품위의 향상을 위해 고도의 기술혁신이 진척되고 있다. 이러한 각종 장치에 탑재되어 화상을 표시하기 위해서 사용되는 유리기판에 대해서도 종전 이상의 높은 치수품위와 고정밀도의 표면성상이 요구되고 있다. 디스플레이 디바이스 용도 등의 유리의 제조에서는 각종 제조 장치를 사용함으로써 유리기판이 성형되고 있지만, 모두 무기 유리 원료를 가열 용해해서 용융 유리를 균질화한 후에 소정 형상으로 성형한다는 것이 일반적으로 행해지고 있다. 이때, 유리 원료의 용융 부족이나 제조 도중에서의 의도하지 않은 이물의 혼입, 또는 성형 장치의 노후화나 일시적인 성형 조건의 문제, 그리고 완성 후 원하는 크기로 절단하는 과정에서 발생하는 결함 등, 여러 가지 원인에 의해 유리기판에 표면 품위의 이상 등의 결함이 생기는 경우가 있다.With the remarkable development of display device technology, technologies related to various types of image display apparatuses such as liquid crystal displays and plasma displays have been greatly advanced. In particular, in image display devices that realize large-sized and high-precision display, advanced technological innovation is progressing in order to reduce the manufacturing cost and improve image quality. Glass substrates mounted on such various devices and used to display images are also required to have higher dimensional quality and high-precision surface properties than before. In the production of glass for display device applications, etc., glass substrates are molded by using various manufacturing apparatuses, but it is generally practiced to heat and melt inorganic glass raw materials to homogenize molten glass and then mold them into a predetermined shape. At this time, there are various causes, such as insufficient melting of the glass raw material, unintentional mixing of foreign substances during manufacturing, aging of the molding equipment, problems of temporary molding conditions, and defects occurring in the process of cutting to the desired size after completion. As a result, defects such as abnormal surface quality may occur on the glass substrate.

이러한 결함을 리페어하는 기술로 각광을 받던 것이 리페어를 위한 예비배선을 구비하여 결함 시 예비배선을 연결하여 단선을 수리하는 방법이었으나, 이는 리페어 배선이 너무 길게 되는 경우에 배선의 저항값에 의해 신호레벨이 낮아지게 되어, 액정패널의 동작특성에 나쁜 영향을 미치게 되는 문제점이 있었다.The technique of repairing such defects attracted attention as a method of repairing disconnection by connecting the spare wiring in case of a defect by having a spare wiring for repair.However, this is a method of repairing the disconnection by connecting the spare wiring when the repair wiring is too long. As this is lowered, there is a problem in that the operating characteristics of the liquid crystal panel are adversely affected.

따라서 최근 각광을 받고 있는 것이 레이저를 이용한 리페어 배선방법이다. 결함이 발견된 경우, 정밀한 레이저를 이용하여 발견된 결함을 제거한 후, CVD 등의 다양한 방법으로 제거된 부위를 리페어하곤 했다.Therefore, it is a repair wiring method using a laser that has recently been in the spotlight. When a defect was found, a precise laser was used to remove the found defect, and then the removed area was repaired by various methods such as CVD.

기판에 발생하는 결함의 크기는 종류에 따라 마이크로(㎛), 나노(㎚), 피코(pm), 심지어는 펨토(fm) 단위까지 아주 다양하면서도 미세하게 발생할 수 있다. 이에, 결함을 리페어하기 위해 조사되어야 하는 레이저 빔은 아주 정밀해야 한다. 그러나 리페어 장치나 기판의 움직임 또는 기판의 성질(재료, 표면 등)에 따라 일정한 폭으로 조절된 레이저 빔이 기판으로 조사되며 폭이 달라지는 현상이 발생한다.The size of defects occurring on the substrate can be very diverse and finely generated in units of micro (㎛), nano (nm), pico (pm), and even femto (fm) depending on the type. Thus, the laser beam to be irradiated to repair the defect must be very precise. However, according to the movement of the repair device or the substrate or the properties of the substrate (material, surface, etc.), a laser beam adjusted to a certain width is irradiated to the substrate, and the width varies.

도 4는 종래의 레이저 빔이 기판으로 조사되었을 때의 폭을 각각 도시한 도면이다.4 is a diagram showing the width when a conventional laser beam is irradiated onto a substrate.

동일한 기판에 동일한 빔 폭을 갖는 레이저 빔이 조사된다 하더라도, 조사되는 레이저 빔의 편광 방향이나 레이저 빔 또는 기판의 이동 방향 등에 따라 레이저 빔의 폭이 상이해지는 현상이 발생한다. 예를 들어, 동일한 빔 폭을 갖는 레이저 빔이 조사되었음에도, 도 4(a)의 경우 빔 폭이 8.989㎛를 갖는 반면, 도 4(b)의 경우 빔 폭이 7.889㎛를 갖는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 문제로 인해, 종래의 리페어 장치는 기판의 결함을 정밀하게 리페어할 수 없는 문제를 가져왔다.Even if a laser beam having the same beam width is irradiated onto the same substrate, a phenomenon in which the width of the laser beam is different depending on the polarization direction of the irradiated laser beam or the moving direction of the laser beam or the substrate occurs. For example, even though a laser beam having the same beam width was irradiated, it was confirmed that the beam width in FIG. 4(a) was 8.989 μm, whereas in FIG. 4(b), the beam width was 7.889 μm. Due to this problem, the conventional repair apparatus has a problem in that it is not possible to accurately repair defects in the substrate.

본 발명의 일 실시예는, 조사되는 레이저 빔의 편광 상태를 모니터링하고 조정하여 레이저 빔 폭의 정밀한 제어가 가능한 레이저 리페어 장치를 제공하는 데 일 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a laser repair device capable of precise control of a laser beam width by monitoring and adjusting a polarization state of an irradiated laser beam.

본 발명의 일 측면에 의하면, 하나 이상의 파장대역의 레이저 빔을 조사하는 레이저 장치와 상기 레이저 장치에서 조사된 레이저 빔의 편광 상태를 제어하는 편광판과 상기 편광판을 거친 레이저 빔의 형상을 변경하는 가공부와 상기 가공부를 지나는 레이저 빔을 대상물로 조사하는 대물렌즈와 상기 대물 렌즈를 거쳐 레이저 빔 또는 광이 수리하고자 하는 기판으로 조사될 수 있도록 하는 제1 렌즈 및 상기 편광판을 거친 레이저 빔의 일부를 분기시켜 레이저 빔의 편광 상태를 센싱하는 센싱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 리페어 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, a laser device for irradiating a laser beam of one or more wavelength bands, a polarizing plate for controlling a polarization state of a laser beam irradiated by the laser device, and a processing unit for changing the shape of the laser beam passing through the polarizing plate And an objective lens that irradiates the laser beam passing through the processing unit to an object, a first lens that allows the laser beam or light to be irradiated to the substrate to be repaired through the objective lens, and a part of the laser beam that has passed through the polarizing plate It provides a laser repair device comprising a sensing unit for sensing the polarization state of the laser beam.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 레이저 장치는 수리하고자 하는 대상물의 수리 방법에 따라 조사하는 파장대역이 상이한 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the laser device is characterized in that the irradiated wavelength band is different depending on the repair method of the object to be repaired.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 편광판은 HWP(Half Wave Plate) 또는 QWP(Quarter Wave Plate)인 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polarizing plate is characterized in that the HWP (Half Wave Plate) or QWP (Quarter Wave Plate).

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 레이저 리페어 장치는 수리하고자 하는 기판 내 성질에 따라 상기 편광판의 편광 상태를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the laser repair apparatus further includes a control unit for controlling a polarization state of the polarizing plate according to a property in a substrate to be repaired.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 편광판은 레이저 빔이 선편광, 원편광 또는 타원편광을 갖도록 하는 제어하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polarizing plate is characterized in that the laser beam is controlled to have linearly polarized light, circularly polarized light, or elliptically polarized light.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 측면에 따르면, 조사되는 레이저 빔의 편광 상태를 모니터링하고 조정함으로써, 기판으로 조사되는 레이저 빔 폭의 정밀한 제어가 가능한 장점이 있다.As described above, according to an aspect of the present invention, by monitoring and adjusting the polarization state of the irradiated laser beam, there is an advantage that precise control of the width of the laser beam irradiated to the substrate is possible.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어 장치 내 센싱부를 도시한 도면이다.
도 4는 종래의 레이저 빔이 기판으로 조사되었을 때의 폭을 각각 도시한 도면이다.1 is a view showing a laser repair system according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing a configuration of a laser repair device according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a sensing unit in the laser repair device according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing the width when a conventional laser beam is irradiated onto a substrate.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.In the present invention, various changes may be made and various embodiments may be provided, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it is to be understood to include all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each drawing, similar reference numerals have been used for similar elements.

제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms such as first, second, A, and B may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element. The term and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에서, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in the middle. Should be. On the other hand, when a component is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, terms such as "include" or "have" should be understood as not precluding the possibility of existence or addition of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification. .

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless otherwise defined, all terms, including technical or scientific terms, used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this application. Does not.

또한, 본 발명의 각 실시예에 포함된 각 구성, 과정, 공정 또는 방법 등은 기술적으로 상호 간 모순되지 않는 범위 내에서 공유될 수 있다.In addition, each configuration, process, process, or method included in each embodiment of the present invention may be shared within a range not technically contradicting each other.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어 시스템을 도시한 도면이다.1 is a view showing a laser repair system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어 시스템(100)은 결함 검출장치(110), 결함 판별장치(120) 및 레이저 리페어 장치(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a laser repair system 100 according to an embodiment of the present invention includes a defect detection device 110, a defect determination device 120, and a laser repair device 130.

기판은 복수의 픽셀을 포함한다. 통상 기판은 수많은 픽셀을 포함하여 구성되며, 각 픽셀 역시, 복수의 레이어(Layer)로 구성된다. 기판 내 픽셀은 액티브 레이어(Active Layer), 게이트 레이어(Gate Layer), 소스 및 드레인 레이어 등 복수의 레이어로 구현된다. 기판의 생성 공정 상에서 미세한 파티클(Particle)이 유입되거나 단선되는 등의 결함이 기판 상에 발생할 수 있으며, 특히, 기판 내 픽셀의 임의의 레이어 상에서 결함이 발생할 수 있다. 결함 검출장치(110)는 기판 내 포함된 어느 레이어의 어느 픽셀에 결함이 존재하는지를 검출한다.The substrate includes a plurality of pixels. In general, the substrate is composed of a number of pixels, and each pixel is also composed of a plurality of layers. Pixels in the substrate are implemented with a plurality of layers, such as an active layer, a gate layer, and a source and drain layer. In the process of generating the substrate, defects such as the introduction of fine particles or disconnection may occur on the substrate. In particular, defects may occur on any layer of pixels in the substrate. The defect detection device 110 detects which pixel of which layer included in the substrate has a defect.

결함 판별장치(120)는 결함 검출장치(110)에서 검출된 기판 내 결함의 종류와 위치를 판별한다. 결함 검출장치(110)가 검출한 결함에 대해, 결함 판별장치(120)는 기판 내 발생한 결함이 어떠한 종류의 결함인지, 기판의 어느 위치 및 어느 레이어에 발생하였는지를 판별한다. 결함 판별장치(120)는 결함의 성질을 판별함으로서, 레이저 리페어 장치(130)가 발생한 결함을 리페어하기에 적절한 레이저 빔을 조사할 수 있도록 한다.The defect determination device 120 determines the type and location of defects in the substrate detected by the defect detection device 110. With respect to the defects detected by the defect detection apparatus 110, the defect determination apparatus 120 determines what kind of defects are generated in the substrate, and at which positions and layers of the substrate. The defect determination device 120 determines the nature of the defect so that the laser repair device 130 can irradiate a laser beam suitable for repairing the generated defect.

레이저 리페어 장치(130)는 결함 판별장치(120)에서 판별된 결함을 리페어하는데 적절한 레이저 빔을 생성하여 기판으로 조사한다.The laser repair device 130 generates a laser beam suitable for repairing the defect determined by the defect determination device 120 and irradiates it onto the substrate.

레이저 리페어 장치(130)는 복수의 레이저 장치를 포함하며, 각 레이저 장치는 복수의, 서로 다른 파장 대역의 레이저 빔을 생성하여 조사한다. 레이저 리페어 장치(130)는 다양한 유형의 결함을 리페어하며, 충분한 출력으로 리페어하기 위해 복수의, 서로 다른 파장 대역의 레이저 빔을 생성하는 레이저 장치를 복수 개 포함한다. 이하에서는 설명의 편의상, 레이저 리페어 장치(130)는 내 포함되는 레이저 장치는 적어도 펨토초 (또는 피코초) 레이저 장치, 나노초 레이저 장치 및 연속파 레이저 장치를 포함하는 것으로 가정하고, 레이저 장치에서 조사되는 레이저 빔의 각 파장대역은 적외선 대역, 가시광선 대역(특히, 녹색광) 및 자외선 대역인 것으로 가정하여 설명하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 포함되는 레이저 장치의 종류나 조사되는 레이저 빔의 파장대역은 경우에 따라 상이해질 수 있다. The laser repair device 130 includes a plurality of laser devices, and each laser device generates and irradiates a plurality of laser beams of different wavelength bands. The laser repair device 130 repairs various types of defects, and includes a plurality of laser devices that generate a plurality of laser beams of different wavelength bands in order to repair with sufficient power. Hereinafter, for convenience of description, it is assumed that the laser device included in the laser repair device 130 includes at least a femtosecond (or picosecond) laser device, a nanosecond laser device, and a continuous wave laser device, and a laser beam irradiated from the laser device Each wavelength band of is described assuming that it is an infrared band, a visible band (especially, green light), and an ultraviolet band, but is not limited thereto, and the type of laser device included or the wavelength band of the irradiated laser beam is It may be different depending on it.

레이저 리페어 장치(130)는 조사되는 각 파장대역의 레이저 빔을 각각 제어하여 조사한다. 레이저 리페어 장치(130)는 결함 판별장치(120)로부터 결함의 종류와 위치를 수신한다. 이에, 레이저 리페어 장치(130)는 결함의 종류에 따라 리페어하기에 적합한 레이저 빔을 조사할 수 있다. 레이저 리페어 장치(130)는 펨토초 레이저 장치 뿐만 아니라, 나노초 레이저 장치에서 조사되는 레이저 빔에 대해서도 파장대역 별로 레이저 빔을 각각 제어할 수 있다. 즉, 레이저 리페어 장치(130)는 레이저 빔의 방향, 세기 또는 프로파일 등을 각 파장 대역 별로 독립적으로 제어할 수 있다. The laser repair device 130 controls and irradiates a laser beam of each wavelength band to be irradiated. The laser repair device 130 receives the type and location of the defect from the defect determination device 120. Accordingly, the laser repair apparatus 130 may irradiate a laser beam suitable for repair according to the type of defect. The laser repair device 130 may control a laser beam for each wavelength band for a laser beam irradiated by a nanosecond laser device as well as a femtosecond laser device. That is, the laser repair device 130 may independently control the direction, intensity, or profile of the laser beam for each wavelength band.

또한, 레이저 리페어 장치(130)는 조사되는 레이저 빔의 편광 상태를 모니터링하고 조정할 수 있다. 레이저 리페어 장치(130)는 외부 장치(미도시) 또는 결함 판별장치(120)로부터 기판의 상대적인 움직임과 기판의 성질(재료, 표면, 편광축 등)을 수신하여, 수신한 정보를 토대로 리페어를 위해 조사될 레이저 빔의 편광 상태를 조정한다. 결함 판별장치(120)를 거친 기판이 결함의 리페어를 위해 레이저 리페어 장치(130)로 이동하거나, 기판이 위치한 곳으로 레이저 리페어 장치(130)가 이동할 수 있다. 또한, 레이저 리페어 장치의 하단으로 기판이 위치한 상태에서, 리페어를 위해 레이저 빔이 조사되는 곳으로 기판이 이동할 수도 있고, 레이저 빔의 조사부위가 이동할 수도 있다. 이와 같이, 기판이나 레이저 리페어 장치(130)의 이동에 의해, 양자에 상대적인 움직임이 발생할 수 있다. 이처럼 기판에 상대적인 움직임이 발생하게 되면, 동일한 빔 폭의 레이저 빔이 기판으로 조사되더라도 레이저 빔의 편광 상태에 따라 기판에서의 레이저 빔 폭은 가변되는 문제가 발생한다. 또한, 기판을 형성하는 재료, 기판의 표면 처리 또는 기판의 편광축(기판 고유의 소재로 인한 편광축 또는 기판에 삽입되거나 부착된 편광 필름에 의한 편광축 등) 등 기판의 성질도 레이저의 편광 방향에 따라 기판에서의 레이저 빔 폭을 가변시킨다. 레이저 리페어 장치(130)는 기판으로 조사된 후의 레이저 빔의 폭을 가변시키는 정보들을 외부에서 수신한다. In addition, the laser repair device 130 may monitor and adjust the polarization state of the irradiated laser beam. The laser repair device 130 receives the relative motion of the substrate and the properties (material, surface, polarization axis, etc.) of the substrate from an external device (not shown) or a defect determination device 120, and irradiates it for repair based on the received information. Adjust the polarization state of the laser beam to be used. The substrate that has passed through the defect determination apparatus 120 may move to the laser repair apparatus 130 for repair of the defect, or the laser repair apparatus 130 may move to a location where the substrate is located. In addition, while the substrate is positioned at the bottom of the laser repair device, the substrate may be moved to a place where the laser beam is irradiated for repair, or the irradiated portion of the laser beam may be moved. In this way, relative motion may occur between the substrate or the laser repair device 130 by moving the substrate or the laser repair device 130. When relative motion occurs on the substrate, even if a laser beam having the same beam width is irradiated to the substrate, the laser beam width of the substrate varies according to the polarization state of the laser beam. In addition, the properties of the substrate, such as the material forming the substrate, the surface treatment of the substrate, or the polarization axis of the substrate (a polarization axis due to the inherent material of the substrate, or a polarization axis due to a polarizing film inserted or attached to the substrate) are also dependent on the polarization direction of the laser. Variable the width of the laser beam at. The laser repair device 130 receives information for varying the width of the laser beam after being irradiated onto the substrate from the outside.

레이저 리페어 장치(130)는 레이저 빔 폭을 가변시키는 각 상황들(상대적인 움직임 또는 기판의 성질)에 대해, 각 상황에서 최적의 빔 폭을 갖도록 하는 레이저 빔의 편광상태를 저장해두고 있다. 레이저 리페어 장치(130)는 외부 장치(미도시) 또는 결함 판별장치(120)로부터 수신한 정보와 저장된 정보를 토대로, 리페어를 위해 기판으로 조사될 레이저 빔의 편광상태를 최적의 상태로 조정하여 출력한다. 여기서, 편광 상태는 선편광, 원편광 또는 타원편광일 수 있으며, 선편광일 경우 다양한 편광 방향을 가질 수 있다. 레이저 리페어 장치(130)는 편광 상태를 조정하고, 이를 모니터링하여 조사될 레이저 빔이 적합한 편광상태를 갖는지 확인한다. 이처럼, 레이저 리페어 장치는 리페어를 위해 조사될 레이저 빔의 편광상태를 정확히 조정함으로써, 오차를 최소화한 채 최적으로 기판에 발생한 결함을 리페어할 수 있다.The laser repair apparatus 130 stores the polarization state of the laser beam so as to have the optimal beam width in each situation (relative motion or the property of the substrate) for varying the laser beam width. The laser repair device 130 adjusts and outputs the polarization state of the laser beam to be irradiated to the substrate for repair to an optimal state based on information received and stored information from an external device (not shown) or defect determination device 120 do. Here, the polarization state may be linearly polarized light, circularly polarized light, or elliptically polarized light, and in the case of linearly polarized light, various polarization directions may be obtained. The laser repair device 130 adjusts the polarization state and monitors it to check whether the laser beam to be irradiated has an appropriate polarization state. In this way, the laser repair device can optimally repair defects generated on the substrate while minimizing errors by accurately adjusting the polarization state of the laser beam to be irradiated for repair.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어 장치의 구성을 도시한 도면이다.2 is a diagram showing a configuration of a laser repair device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어 장치(130)는 제1 레이저 장치(200), 제2 레이저 장치(300), 광학계(400), 대물렌즈(460), 개폐형 반사부(502 내지 524), 미러(602 내지 614) 및 제어부(미도시)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the laser repair device 130 according to an embodiment of the present invention includes a first laser device 200, a second laser device 300, an optical system 400, an objective lens 460, and an open/close type reflection. The units 502 to 524, mirrors 602 to 614, and a control unit (not shown) are included.

제1 레이저 장치(200)는 복수의 광원을 이용하여 서로 다른 파장대역의 단파장 레이저 빔을 생성하며, 각 파장 대역의 레이저 빔을 서로 상이한 경로로 조사한다.The first laser device 200 generates short-wavelength laser beams of different wavelength bands using a plurality of light sources, and irradiates laser beams of each wavelength band through different paths.

제1 레이저 장치(200)는 제1 내지 제3 광원(210, 214, 218), 제1 내지 제3 광학구성(220, 224, 228), 제1 내지 제3 감쇠기(Attenuator, 230, 234, 238), 제1 내지 제3 파장판(240, 244, 248) 및 제1 내지 제3 미러(250, 254, 258)를 포함한다.The first laser device 200 includes first to third light sources 210, 214, 218, first to third optical components 220, 224, 228, and first to third attenuators 230, 234, 238), first to third wave plates 240, 244, and 248, and first to third mirrors 250, 254 and 258.

제1 내지 제3 광원(210, 214, 218)은 각각 서로 상이한 파장대역의 단파장 레이저 빔을 조사한다. 제1 광원(210)은 제1 파장대역(예를 들어, 적외선 대역)의 레이저 빔을, 제2 광원(214)는 제2 파장대역(예를 들어, 자외선 대역)의 레이저 빔을, 제3 광원(218)은 제3 파장대역(예를 들어, 가시광선 대역)의 레이저 빔을 조사할 수 있다. 제1 내지 제3 광원(210, 214, 218)은 서로 상이한 파장대역의 레이저 빔을 각각 생성하여, 제1 내지 제3 광학구성(220, 224, 228)으로 각각 조사한다. 제1 내지 제3 광원(210, 214, 218)에서 조사되는 레이저 빔은 주로 컷가공, 드릴링 또는 블록 가공으로 결함을 리페어하는데 이용될 수 있다.The first to third light sources 210, 214, and 218 respectively irradiate short-wavelength laser beams of different wavelength bands. The first light source 210 is a laser beam of a first wavelength band (eg, infrared band), the second light source 214 is a laser beam of a second wavelength band (eg, ultraviolet band), and a third The light source 218 may irradiate a laser beam in a third wavelength band (for example, a visible light band). The first to third light sources 210, 214, and 218 respectively generate laser beams of different wavelength bands and irradiate them with the first to third optical components 220, 224, and 228, respectively. The laser beam irradiated from the first to third light sources 210, 214, 218 may be mainly used to repair defects by cutting, drilling, or block processing.

제1 내지 제3 광학구성(220, 224, 228)은 제1 내지 제3 광원(210, 214, 218)으로부터 조사된 레이저 빔을 제1 내지 제3 감쇠기(230, 234, 238)로 전달한다. 제1 내지 제3 광학구성(220, 224, 228)은 미러 등을 포함하여, 레이저 빔의 경로를 조정함으로써 레이저 빔을 제1 내지 제3 감쇠기(230, 234, 238)로 전달한다. The first to third optical components 220, 224, 228 transmit the laser beams irradiated from the first to third light sources 210, 214, 218 to the first to third attenuators 230, 234, 238. . The first to third optical components 220, 224, and 228 include a mirror or the like, and transmit the laser beam to the first to third attenuators 230, 234, and 238 by adjusting the path of the laser beam.

제1 내지 제3 감쇠기(230, 234, 238)는 입사하는 레이저 빔을 각각 수신하여 파워를 감쇠시킨다. 제1 내지 제3 감쇠기(230, 234, 238)는 입사하는 레이저 빔의 파워를 기 설정된 수준으로 감쇠한다. 너무 강한 레이저 빔은 기판의 결함 부분 외에 다른 부분에도 손상을 가할 우려가 존재하기 때문에, 제1 내지 제3 감쇠기(230, 234, 238)는 각 광원의 출력 레이저 빔을 판별된 결함을 리페어하는데 적합한, 기 설정된 수준으로 감쇠시킨다. 감쇠기는 반파장 파장판(HWP: Half-Wave Plate) 및 편광 빔 스플리터(PBS: Polarization Beam Splitter)를 포함하여 구성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The first to third attenuators 230, 234, and 238 respectively receive the incident laser beam to attenuate the power. The first to third attenuators 230, 234, and 238 attenuate the power of the incident laser beam to a predetermined level. Since there is a risk that a laser beam that is too strong may damage other parts other than the defective part of the substrate, the first to third attenuators 230, 234, 238 are suitable for repairing the identified defects by determining the output laser beam of each light source. , Attenuates to a preset level. The attenuator may include a half-wave plate (HWP) and a polarization beam splitter (PBS), but is not limited thereto.

제1 내지 제3 파장판(240, 244, 248)는 제1 내지 제3 감쇠기(230, 234, 238)에서 감쇠된 레이저 빔의 편광 상태를 변화시킨다. 제1 내지 제3 파장판(240, 244, 248)는 1/4파장 파장판(QWP: Quater-Wave Plate) 또는 1/2파장 파장판(HQP: Half-Wave Plate)으로 구현될 수 있으며, 각 파장대역의 레이저 빔의 편광 상태를 조절한다. 파장판이 특정 방향으로 고정되어 있으면, 파장판을 거친 레이저 빔은 특정 편광방향을 갖는 선편광 상태를 갖는다. 반면, 파장판이 회전을 하게 되면, 파장판을 거친 레이저 빔은 원편광 또는 타원편광 상태를 갖는다. 제1 내지 제3 파장판(240, 244, 248)는 제어부(미도시)의 제어에 따라, 레이저 빔의 편광 상태를 변화시킨다.The first to third wave plates 240, 244, and 248 change the polarization state of the laser beam attenuated by the first to third attenuators 230, 234, and 238. The first to third wave plates 240, 244, 248 may be implemented as a quarter-wave plate (QWP) or a half-wave plate (HQP), Adjusts the polarization state of the laser beam in each wavelength band. When the wave plate is fixed in a specific direction, the laser beam passing through the wave plate has a linearly polarized state with a specific polarization direction. On the other hand, when the wave plate rotates, the laser beam passing through the wave plate has a circular polarization or elliptical polarization state. The first to third wave plates 240, 244, and 248 change the polarization state of the laser beam under control of a controller (not shown).

제1 내지 제3 미러(250, 254, 258)는 각 파장판을 거친 각 파장대역의 레이저 빔을 광학계(400) 방향으로 반사시킨다. The first to third mirrors 250, 254, and 258 reflect the laser beam of each wavelength band passing through each wavelength plate toward the optical system 400.

제2 레이저 장치(300)는 하나의 광원을 이용하여 다파장 레이저 빔을 생성하고 이를 각 파장대역으로 분리하여 조사한다. 제2 레이저 장치(300)는 추가적으로, 특정 파장대역의 단파장 레이저 빔만을 생성하는 추가 광원을 더 포함할 수 있다.The second laser device 300 generates a multi-wavelength laser beam using one light source, separates it into each wavelength band, and irradiates it. The second laser device 300 may additionally include an additional light source that generates only a short wavelength laser beam of a specific wavelength band.

본 발명의 일 실시예에 따른 제2 레이저 장치(300)는 제4 광원(310), 제5 광원(315), 파장 선택기(Wave Selector, 320), 제1 내지 제4 빔 익스펜더(BET: Beam Expander Telescope, 330, 333, 336, 339), 제4 내지 제7 파장판(340, 343, 346, 349), 제4 내지 제8 개폐형 반사부(508, 510, 512, 514, 516) 및 제3 내지 제4 미러(606, 608)를 포함한다.The second laser device 300 according to an embodiment of the present invention includes a fourth light source 310, a fifth light source 315, a wavelength selector 320, and first to fourth beam expanders (BET). Expander Telescope, 330, 333, 336, 339), 4th to 7th wave plates (340, 343, 346, 349), 4th to 8th open/closed reflectors (508, 510, 512, 514, 516) and It includes third to fourth mirrors 606 and 608.

제4 광원(310)은 다 파장 레이저 빔을 생성한다. 제1 레이저 장치(200) 내 제1 내지 제3 광원(210, 214, 218)과 달리, 제4 광원(310)은 하나의 광원이 복수의 파장을 갖는 다파장 레이저 빔을 생성하여 조사한다. 제4 광원(310)은 제1 레이저 장치(200)에서 생성되는 각 레이저 빔의 파장대역과 동일한 파장대역을 다파장 레이저 빔을 생성한다. 즉, 제4 광원은 적외선 대역, 가시광선 대역 및 자외선 대역 파장을 모두 갖는 레이저 빔을 생성하여 조사한다.The fourth light source 310 generates a multi-wavelength laser beam. Unlike the first to third light sources 210, 214, and 218 in the first laser device 200, the fourth light source 310 generates and irradiates a multi-wavelength laser beam with one light source having a plurality of wavelengths. The fourth light source 310 generates a multi-wavelength laser beam in the same wavelength band as the wavelength band of each laser beam generated by the first laser device 200. That is, the fourth light source generates and irradiates a laser beam having all wavelengths in the infrared band, the visible band, and the ultraviolet band.

제5 광원(315)은 단일의 단 파장 레이저 빔을 생성하여 조사한다. 제5 광원(315)는 제2 레이저 장치(300)에 추가적으로 포함될 수 있으며, 제2 파장대역의 단파장 레이저 빔을 생성할 수 있다. 예를 들어, 제5 광원(315)은 UV 연속파 레이저 빔을 생성할 수 있다. 이러한 레이저 빔은 LCVD(Laser Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 결함을 리페어하는데 이용될 수 있다. 제5 광원(315)에서 조사된 레이저 빔은 제4 미러(602)에 의해 제1 빔 익스팬더(340) 방향으로 반사된다.The fifth light source 315 generates and irradiates a single short wavelength laser beam. The fifth light source 315 may be additionally included in the second laser device 300, and may generate a short wavelength laser beam of the second wavelength band. For example, the fifth light source 315 may generate a UV continuous wave laser beam. Such a laser beam can be used to repair defects using LCVD (Laser Chemical Vapor Deposition). The laser beam irradiated from the fifth light source 315 is reflected by the fourth mirror 602 in the direction of the first beam expander 340.

파장 선택기(320)는 제어부(미도시)의 제어에 따라, 제4 광원(310)에서 조사된 레이저 빔의 파장 대역을 선택한다. 전술한 대로, 제4 광원(310)에서 조사된 레이저 빔은 다파장을 갖고 있다. 파장 선택기(320)는 제4 광원(310)에서 조사된 다파장 레이저 빔 중 특정 파장의 레이저 빔만이 통과하도록 한다. 제4 광원(310)에서 생성된 레이저 빔의 각 파장대역을 통과시키는 파장 선택기(320)가 구비될 수 있으며, 제어부(미도시)의 제어에 따라, 제2 레이저 장치(300)에서 조사되어야 하는 레이저 빔의 파장대역의 광만을 선택하여 통과시킨다.The wavelength selector 320 selects a wavelength band of the laser beam irradiated from the fourth light source 310 under control of a controller (not shown). As described above, the laser beam irradiated from the fourth light source 310 has multiple wavelengths. The wavelength selector 320 allows only a laser beam of a specific wavelength among the multi-wavelength laser beams irradiated by the fourth light source 310 to pass. A wavelength selector 320 for passing each wavelength band of the laser beam generated by the fourth light source 310 may be provided, and under the control of the controller (not shown), the second laser device 300 Only light in the wavelength band of the laser beam is selected and passed.

개폐형 반사부는 미러와 같이 광 또는 레이저 빔을 반사하되, 실린더 또는 모터와 같은 동력장치를 구비하여 반사되는 광 또는 레이저 빔의 위치와 방향을 가변할 수 있는 반사부를 의미한다. 개폐형 반사부는 제어부(미도시)의 제어에 따라, 특정 방향으로 입사되는 레이저 빔은 지나갈 수 있도록 위치와 방향을 설정하고, 다른 방향으로 입사되는 레이저 빔은 반사될 수 있도록 위치와 방향을 설정한다.The opening/closing reflector reflects light or laser beam like a mirror, but refers to a reflector that has a power device such as a cylinder or a motor to change the position and direction of the reflected light or laser beam. Under the control of a control unit (not shown), the open/closed reflector sets a position and direction so that a laser beam incident in a specific direction can pass, and a position and direction so that a laser beam incident in another direction can be reflected.

제4 개폐형 반사부(508)는 파장 선택기(320)를 거친 레이저 빔 중 제1 파장대역의 레이저 빔은 통과시키되, 나머지 파장대역의 레이저 빔은 제5 개폐형 반사부(510)로 반사시킨다. 예를 들어, 제1 파장대역은 적외선 대역일 수 있다. 이 경우, 제4 개폐형 반사부(508)는 파장 선택기(320)에 의해 선택된 레이저 빔이 적외선 대역의 레이저 빔이라면 통과시키되, 나머지 파장대역이라면 제5 개폐형 반사부(510)로 반사시킨다. 아무리 정밀한 파장 선택기(320)라 하더라도 파장대역을 완벽하게 분리하기는 힘들다. 이에 따라, 제2 레이저 장치(300)에는 하나 이상의 개폐형 반사부를 포함함으로써, 파장 선택기(320)를 통과한 레이저 빔을 보다 정밀하게 파장 별로 분리할 수 있다.The fourth open/close type reflector 508 passes the laser beam of the first wavelength band among the laser beams passed through the wavelength selector 320, and reflects the laser beam of the remaining wavelength band to the fifth open/close type reflector 510. For example, the first wavelength band may be an infrared band. In this case, the fourth open/close type reflector 508 passes the laser beam selected by the wavelength selector 320 if it is a laser beam of an infrared band, but reflects it to the fifth open/close type reflecting unit 510 if the remaining wavelength bands are used. No matter how precise the wavelength selector 320 is, it is difficult to completely separate the wavelength bands. Accordingly, the second laser device 300 includes one or more open/closed reflectors, so that the laser beam that has passed through the wavelength selector 320 can be more precisely separated for each wavelength.

제5 개폐형 반사부(510)는 제4 개폐형 반사부(510)로부터 반사된 레이저 빔 중 제2 파장대역의 레이저 빔은 반사시키되, 제3 파장대역의 레이저 빔은 통과시킨다. The fifth open/close type reflector 510 reflects the laser beam of the second wavelength band among the laser beams reflected from the fourth open/close type reflector 510, but passes the laser beam of the third wavelength band.

제1 내지 제3 빔 익스펜더(330, 333, 336)는 입사되는 레이저 빔에 발생한 왜곡을 보상한다. 레이저 빔이 파장 선택기(320)나 개폐형 반사부(508, 510) 등을 거치며 왜곡이 발생할 수 있다. 제1 내지 제3 빔 익스펜더(330, 333, 336)는 자신을 통과하는 레이저 빔의 길이를 연장한다. 레이저 빔이 빔 익스펜더를 통과하며 레이저 빔 전체가 연장되기 때문에, 레이저 빔에서 왜곡이 발생한 구간까지 함께 연장된다. 왜곡이 발생한 구간은 연장되면서, 왜곡의 정도가 낮아지거나 소멸되는 현상이 발생한다. 빔 익스팬더는 레이저 빔을 연장하고, 연장된 구간 중 최초 빔 익스팬더로 유입된 레이저 빔의 길이만큼을 선택함으로써, 레이저 빔에 발생한 왜곡을 보상한다.The first to third beam expanders 330, 333, 336 compensate for distortion generated in the incident laser beam. Distortion may occur as the laser beam passes through the wavelength selector 320 or the opening and closing reflectors 508 and 510. The first to third beam expanders 330, 333, 336 extend the length of the laser beam passing through them. Since the laser beam passes through the beam expander and the entire laser beam is extended, it extends to the section where the distortion occurs in the laser beam. As the section in which the distortion occurs is extended, the degree of distortion decreases or disappears. The beam expander extends the laser beam and compensates for distortion generated in the laser beam by selecting the length of the first laser beam introduced into the beam expander among the extended sections.

제4 내지 제6 파장판(340, 343, 346)은 제1 내지 제3 빔 익스펜더(330, 333, 336)를 거친 각 레이저 빔의 편광 상태를 변화시킨다. 제4 내지 제6 파장판(340, 343, 346)도 제1 내지 제3 파장판(240, 244, 248)와 같이, 입사하는 레이저 빔의 편광 상태를 변화시킨다.The fourth to sixth wave plates 340, 343, and 346 change the polarization state of each laser beam that has passed through the first to third beam expanders 330, 333, and 336. Like the first to third wave plates 240, 244, and 248, the fourth to sixth wave plates 340, 343, and 346 change the polarization state of the incident laser beam.

한편, 제5 광원(315)에서 조사되는 레이저 빔은 직접적으로 제7 파장판(349)으로 입사한다. 제7 파장판(349)은 입사한 레이저 빔의 편광 상태를 변화시킨다.Meanwhile, the laser beam irradiated from the fifth light source 315 is directly incident on the seventh wave plate 349. The seventh wave plate 349 changes the polarization state of the incident laser beam.

제4 빔 익스펜더(339)는 제7 파장판(349)을 거친 레이저 빔을 입사받아 왜곡을 보상한다. The fourth beam expander 339 receives a laser beam that has passed through the seventh wave plate 349 and compensates for distortion.

제6 개폐형 반사부(512)는 제6 파장판(346)을 거친 레이저 빔은 반사시키고, 제4 빔 익스펜더(339)를 거친 레이저 빔은 통과시킨다. 제6 개폐형 반사부(512)는 제4 광원(310)에서 조사된 레이저 빔과 제5 광원(315)에서 조사된 레이저 빔을 동일한 경로로 진행시킨다.The sixth opening/closing reflector 512 reflects the laser beam that has passed through the sixth wave plate 346 and passes the laser beam that has passed through the fourth beam expander 339. The sixth opening and closing reflector 512 advances the laser beam irradiated from the fourth light source 310 and the laser beam irradiated from the fifth light source 315 in the same path.

제3 미러(606)은 제6 개폐형 반사부(512)를 거친 레이저 빔을 제8 개폐형 반사부(516)로 반사시킨다.The third mirror 606 reflects the laser beam that has passed through the sixth open/close type reflector 512 to the eighth open/close type reflector 516.

제8 개폐형 반사부(516)는 제3 미러(606)에서 반사된 레이저 빔은 통과시키되, 제5 파장판(343)을 거친 레이저 빔은 제7 개폐형 반사부(514)로 반사시킨다.The eighth open/close type reflector 516 allows the laser beam reflected from the third mirror 606 to pass, but the laser beam that has passed through the fifth wave plate 343 is reflected to the seventh open/close type reflector 514.

제7 개폐형 반사부(514)는 제4 파장판(340)을 거친 레이저 빔은 통과시키되, 제8 개폐형 반사부(516)를 거친 레이저 빔은 제4 미러(608)로 반사시킨다. The seventh open/close type reflector 514 passes the laser beam that has passed through the fourth wave plate 340, but reflects the laser beam that has passed through the eighth open/close type reflector 516 to the fourth mirror 608.

제4 내지 제8 개폐형 반사부(508 내지 516) 및 제3 미러(606)를 거치며, 제4 광원(310)과 제5 광원(315)에서 조사된 각 레이저 빔들은 최종적으로 동일한 경로를 가지며 제2 레이저 장치(300)로부터 출력될 수 있다.Each of the laser beams irradiated from the fourth light source 310 and the fifth light source 315 passing through the fourth to eighth opening and closing reflectors 508 to 516 and the third mirror 606 finally has the same path. 2 It can be output from the laser device 300.

제4 미러(608)는 유입되는 레이저 빔이 광학계(400)로 진행할 수 있도록 반사시킨다. The fourth mirror 608 reflects the incoming laser beam to proceed to the optical system 400.

제1 미러(602) 및 제2 미러(604)는 각각 제3 파장판(248) 및 제2 파장판(244)을 거친 레이저 빔을 입사받아 제1 개폐형 반사부(502) 및 제2 개폐형 반사부(540)로 반사시킨다. The first mirror 602 and the second mirror 604 receive a laser beam that has passed through the third wave plate 248 and the second wave plate 244, respectively, and receive a first open/close type reflector 502 and a second open/close type reflection. It is reflected to the part 540.

제1 개폐형 반사부(502)는 제1 파장판(240)을 거친 레이저 빔은 통과시키되, 제1 미러(602)에서 반사된 레이저 빔은 반사시킨다. 한편, 제2 개폐형 반사부(504)는 제1 개폐형 반사부(502)를 거친 레이저 빔은 통과시키되, 제2 미러(604)에서 반사된 레이저 빔은 반사시킨다. 제1 개폐형 반사부(502) 및 제2 개폐형 반사부(504)는 제어부(미도시)의 제어에 따라 위치와 방향을 제어하여, 제1 레이저 장치(200)에서 조사된 레이저 빔을 동일한 경로로 진행시킨다.The first opening/closing reflector 502 passes the laser beam passing through the first wave plate 240, but reflects the laser beam reflected by the first mirror 602. Meanwhile, the second open/close type reflector 504 passes the laser beam that has passed through the first open/close type reflector 502, but reflects the laser beam reflected by the second mirror 604. The first open/close type reflector 502 and the second open/close type reflective unit 504 control the position and direction according to the control of a control unit (not shown), so that the laser beam irradiated from the first laser device 200 is routed in the same path. Proceed.

제3 개폐형 반사부(506)는 제1 레이저 장치(200)로부터 조사된 레이저 빔은 반사시키되, 제2 레이저 장치(300)로부터 조사된 레이저 빔은 통과시킨다. 전술한 대로, 제1 레이저 장치(200)로부터 조사된 레이저 빔은 개폐형 반사부(502, 504) 및 미러(602, 604)를 거치며 동일한 경로로 진행한다. 마찬가지로, 제2 레이저 장치(300)로부터 조사된 레이저 빔은 개폐형 반사부(508 내지 516) 및 미러(606, 608)를 거치며 동일한 경로로 진행하게 된다. 제3 개폐형 반사부(506)는 제1 레이저 장치(200)로부터 조사된 레이저 빔을 제5 미러(610)로 반사시키며, 제2 레이저 장치(300)로부터 조사된 레이저 빔을 통과시켜, 제1 레이저 장치(200)와 제2 레이저 장치(300)에서 조사되는 레이저 빔이 동일한 경로를 갖도록 한다.The third open/close type reflector 506 reflects the laser beam irradiated from the first laser device 200, but passes the laser beam irradiated from the second laser device 300. As described above, the laser beam irradiated from the first laser device 200 passes through the opening and closing reflectors 502 and 504 and the mirrors 602 and 604 and proceeds in the same path. Similarly, the laser beam irradiated from the second laser device 300 passes through the opening and closing reflectors 508 to 516 and the mirrors 606 and 608 and proceeds in the same path. The third open/close type reflector 506 reflects the laser beam irradiated from the first laser device 200 to the fifth mirror 610 and passes the laser beam irradiated from the second laser device 300 to pass the first The laser beam irradiated by the laser device 200 and the second laser device 300 is made to have the same path.

제5 미러(610)는 입사하는 레이저 빔을 광학계(400)로 반사시킨다.The fifth mirror 610 reflects the incident laser beam to the optical system 400.

광학계(400)는 입사하는 레이저 빔의 형태를 가공하여 기판으로 조사하며, 조사할 레이저 빔의 편광 상태를 센싱한다.The optical system 400 processes the shape of the incident laser beam and irradiates it onto the substrate, and senses the polarization state of the laser beam to be irradiated.

광학계(400)는 패턴 가공부(410), 센싱부(420), 모니터링부(430), 슬릿(440), 슬릿 확인조명(445), 튜브렌즈(450), 제9 내지 제12 개폐형 미러부(518, 520, 522, 524) 및 제6 내지 제7 미러(612, 614)를 포함한다.The optical system 400 includes a pattern processing unit 410, a sensing unit 420, a monitoring unit 430, a slit 440, a slit confirmation light 445, a tube lens 450, a 9th to 12th open/closed mirror unit (518, 520, 522, 524) and sixth to seventh mirrors 612, 614.

제9 개폐형 미러부(518)는 광학계(400)로 인가되는 레이저 빔을 패턴 가공부(410)로 반사시키거나 슬릿(440)으로 입사시킨다. 제어부(미도시)는 결함 판별장치(120)의 판별 결과에 따라, 슬릿의 형태로 리페어할 수 있는 결함인지 슬릿의 형태로는 리페어가 불가능하고 별도의 패턴을 가져야만 리페어할 수 있는 결함인지 판단한다. 제9 개폐형 미러부(518)는 제어부(미도시)의 제어에 따라 동작한다. 레이저 빔이 패턴 가공부(410)를 거쳐야 하는 경우, 제9 개폐형 미러부(518)는 레이저 빔을 반사시킨다. 한편, 레이저 빔이 슬릿(440)을 거쳐야 하는 경우, 제9 개폐형 미러부(518)는 레이저 빔을 통과시킨다.The ninth opening/closing mirror unit 518 reflects the laser beam applied to the optical system 400 to the pattern processing unit 410 or enters the slit 440. The control unit (not shown) determines whether a defect can be repaired in the form of a slit or a defect that cannot be repaired in the form of a slit and can be repaired only if it has a separate pattern according to the determination result of the defect determination device 120 do. The ninth opening/closing mirror unit 518 operates under the control of a control unit (not shown). When the laser beam must pass through the pattern processing unit 410, the ninth open/close type mirror unit 518 reflects the laser beam. On the other hand, when the laser beam is to pass through the slit 440, the ninth opening and closing mirror unit 518 passes the laser beam.

패턴 가공부(410)는 제9 개폐형 미러부(518)에 의해 반사된 레이저 빔을 기 설정된 패턴의 형태를 갖도록 가공한다.The pattern processing unit 410 processes the laser beam reflected by the ninth opening/closing mirror unit 518 to have a predetermined pattern shape.

제6 미러(612)는 패턴 가공부(410)로 입사한 레이저 빔을 패턴 가공부(410)로 반사시킨다.The sixth mirror 612 reflects the laser beam incident on the pattern processing unit 410 to the pattern processing unit 410.

패턴 가공부(410)는 패턴 가공소자(414)를 포함한다. 기판에 다양한 패턴으로 발생한 결함을 제거할 수 있도록, 패턴 가공소자(414)는 디지털 마이크로 미러(DMD: Digital Micro Mirror) 또는 스캐너로 구현되어, 레이저 빔이 기판에 발생한 결함의 패턴 형태를 갖도록 가공한다. The pattern processing unit 410 includes a pattern processing element 414. In order to remove defects occurring in various patterns on the substrate, the pattern processing device 414 is implemented as a digital micro mirror (DMD) or a scanner, and processes the laser beam to have a pattern shape of the defects occurring on the substrate. .

제7 미러(614)는 패턴 가공부(410)에 의해 가공된 레이저 빔을 릴레이 렌즈(418)로 반사시킨다.The seventh mirror 614 reflects the laser beam processed by the pattern processing unit 410 to the relay lens 418.

릴레이 렌즈(418)는 패턴 가공부(410)를 거친 레이저 빔을 결상시킨다.The relay lens 418 forms an image of a laser beam that has passed through the pattern processing unit 410.

센싱부(420)는 광학계(400)로 입사하는 레이저 빔의 일부를 분기시켜, 레이저 빔의 편광상태를 센싱한다. 센싱부(420)의 구성은 이하에서 도 3을 참조하여 설명한다.The sensing unit 420 divides a part of the laser beam incident on the optical system 400 to sense the polarization state of the laser beam. The configuration of the sensing unit 420 will be described below with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어 장치 내 센싱부를 도시한 도면이다.3 is a view showing a sensing unit in the laser repair device according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부(420)는 분기부(422), 편광 빔스플리터(424), 제1 파워미터(426) 및 제2 파워미터(428)를 포함한다.3, the sensing unit 420 according to an embodiment of the present invention includes a branching unit 422, a polarizing beam splitter 424, a first power meter 426 and a second power meter 428. do.

분기부(422)는 광학계(400)로 입사하는 레이저 빔을 일정 비율만큼 편광 빔 스플리터(424)로 분기시킨다. 예를 들어, 비율은 0.5%일 수 있으며, 분기부(422)는 광학계(400)로 입사하는 레이저 빔 중 99.5%는 제9 개폐형 미러부(518)로 통과시키고, 나머지를 편광 빔 스플리터(424)로 분기시킬 수 있다. The branching part 422 diverges the laser beam incident on the optical system 400 by a predetermined ratio to the polarization beam splitter 424. For example, the ratio may be 0.5%, and the diverging portion 422 passes 99.5% of the laser beam incident to the optical system 400 through the ninth opening/closing mirror portion 518, and the remainder is passed through the polarization beam splitter 424 ) Can be branched.

편광 빔 스플리터(424)는 분기부(422)에서 분기된 레이저 빔을 편광 방향에 따라 분기시킨다. 편광 빔 스플리터(424)는 입사하는 레이저 빔을 p 편광과 s 편광으로 분기시킨다.The polarization beam splitter 424 diverges the laser beam diverged from the diverging portion 422 according to the polarization direction. The polarization beam splitter 424 splits the incident laser beam into p polarization and s polarization.

제1 파워미터(426) 및 제2 파워미터(428)는 편광 빔 스플리터(424)에 의해 편광 방향에 따라 분기된 레이저 빔의 파워를 센싱한다. The first power meter 426 and the second power meter 428 sense the power of the laser beam diverged according to the polarization direction by the polarization beam splitter 424.

이때, 레이저 빔이 선편광을 갖는다면, 편광 빔 스플리터(424)를 거쳐 어느 일 방향으로만 분기된다. 이에, 제1 파워미터(426) 및 제2 파워미터(428) 중 어느 하나만이 레이저 빔의 파워를 센싱한다. 반대로, 레이저 빔이 원편광 또는 타원편광을 갖는다면, 편광 빔 스플리터(424)를 거쳐 양 방향 모두로 분기된다. 이때, 레이저 빔이 원편광을 갖는다면 양 방향으로 동일한 파워의 레이저 빔이 분기되는 반면, 레이저 빔이 타원편광을 갖는다면 양 방향으로 상이한 파워의 레이저 빔이 분기되게 된다. 이에, 제어부(미도시)는 제1 파워미터(426) 및 제2 파워미터(428) 모두에서 레이저 빔의 파워가 센싱되는지 여부 및 양자 모두에서 레이저 빔의 파워가 센싱되었을 경우 양자의 센싱값이 동일한지 여부를 토대로, 출력될 레이저 빔의 편광 상태를 정확히 센싱할 수 있다.At this time, if the laser beam has linearly polarized light, it is diverged in only one direction through the polarization beam splitter 424. Accordingly, only one of the first power meter 426 and the second power meter 428 senses the power of the laser beam. Conversely, if the laser beam has circularly polarized light or elliptically polarized light, it is diverged in both directions via the polarization beam splitter 424. At this time, if the laser beam has circularly polarized light, the laser beam of the same power is diverged in both directions, whereas if the laser beam has elliptical polarization, the laser beam of different power is divided in both directions. Accordingly, the control unit (not shown) determines whether the power of the laser beam is sensed by both the first power meter 426 and the second power meter 428, and when both the power of the laser beam is sensed, the sensing values of both are Based on whether or not they are the same, it is possible to accurately sense the polarization state of the laser beam to be output.

다시 도 2를 참조하면, 슬릿(440)은 레이저 빔을 슬릿(440)의 형태로 가공한다. 슬릿(440)은 복수의 날을 포함할 수 있다. 날은 레이저 빔이 통과하지 못하는 재질로 구현된다, 이에, 날이 위치한 부분으로 입사하는 레이저 빔은 차단되며, 날이 배치된 구조에 의해 각 날들 사이에 형성되는 빈 공간으로는 레이저 빔이 통과하게 된다. 이에 따라, 레이저 빔은 슬릿(440)을 지나며, 슬릿의 형상, 특히, 날들 사이에 형성되는 빈 공간의 형상을 갖도록 가공된다. 슬릿(440)이 형성하는 빈 공간의 형태와 면적은 가변될 수 있다.Referring back to FIG. 2, the slit 440 processes a laser beam into a slit 440. The slit 440 may include a plurality of blades. The blade is made of a material that does not allow the laser beam to pass. Accordingly, the laser beam incident on the part where the blade is positioned is blocked, and the laser beam passes through the empty space formed between the blades by the blade arrangement. do. Accordingly, the laser beam passes through the slit 440 and is processed to have a shape of a slit, in particular, a shape of an empty space formed between the blades. The shape and area of the empty space formed by the slit 440 may vary.

슬릿 확인조명(445)은 슬릿(440)로 광을 조사한다. 슬릿 확인조명(422)에서 조사된 광은 제10 개폐형 미러부(520)를 거쳐 슬릿(440)을 지나며, 슬릿(440)의 패턴 형태를 갖는다. 패턴 형태를 갖는 광은 모니터링부(430)에서 모니터링될 수 있어, 관리자가 패턴 형태를 확인할 수 있도록 한다.The slit confirmation illumination 445 irradiates light to the slit 440. The light irradiated from the slit confirmation light 422 passes through the slit 440 through the tenth opening/closing mirror unit 520, and has a pattern shape of the slit 440. Light having a pattern shape can be monitored by the monitoring unit 430, so that the manager can check the pattern shape.

제10 개폐형 미러부(520)는 제9 개폐형 미러부(518)를 통과한 광은 슬릿(440)으로 통과시키며, 슬릿 확인조명(445)에서 조사된 광은 슬릿(440)으로 반사시킨다.The tenth opening/closing mirror unit 520 passes the light passing through the ninth opening/closing mirror unit 518 through the slit 440, and reflects the light irradiated from the slit confirmation light 445 to the slit 440.

패턴 가공부(410) 또는 슬릿(440)을 거친 레이저 빔이 대물렌즈(460)을 거쳐 기판으로 온전히 조사될 수 있도록, 튜브 렌즈(440)는 대물렌즈(460)의 종류에 따라 배율을 조정한다.The tube lens 440 adjusts the magnification according to the type of the objective lens 460 so that the laser beam passing through the pattern processing unit 410 or the slit 440 can be completely irradiated to the substrate through the objective lens 460 .

제11 개폐형 미러부(522)는 패턴 가공부(410)를 거친 레이저 빔은 대물렌즈(460) 방향으로 반사시키되, 슬릿(440)을 거친 레이저 빔이나 광은 통과시킨다. 제11 개폐형 미러부(522)에 의해, 패턴 가공부(410)에 의해 패턴 가공된 레이저 빔이나 슬릿(440)에 의해 가공된 레이저 빔은 동일한 광 경로로 진행할 수 있다.The eleventh opening-and-closing mirror unit 522 reflects the laser beam passing through the pattern processing unit 410 toward the objective lens 460, but passes the laser beam or light passing through the slit 440. By the eleventh opening-and-closing mirror unit 522, the laser beam patterned by the pattern processing unit 410 or the laser beam processed by the slit 440 may travel in the same optical path.

제12 개폐형 미러부(524)는 모니터링부에서 출력된 광을 대물렌즈(460) 또는 모니터링부(430)로 반사시키며, 나머지 광이나 레이저 빔은 대물렌즈(460)로 통과시킨다.The twelfth opening/closing mirror unit 524 reflects the light output from the monitoring unit to the objective lens 460 or the monitoring unit 430, and passes the remaining light or laser beam to the objective lens 460.

모니터링부(430)는 배치된 대물렌즈(460)의 종류 또는 슬릿(440)의 형상을 모니터링할 수 있도록 한다. 모니터링부(430)는 대물렌즈(460)의 종류를 확인하기 위해 제12 개폐형 미러부(524)로 광을 조사하며, 제12 개폐형 미러부(524)에서 반사되는 광을 수광한다. 여기서, 모니터링부(430)가 조사하는 광은 슬릿 확인조명(445)이 조사하는 광과는 상이한 파장대역일 수 있다. 양 광이 상이한 파장대역을 가짐으로써, 제12 개폐형 미러부(524)가 파장대역으로 양 광을 구분하여 반사시키거나 통과시킬 수 있다.The monitoring unit 430 allows the type of the disposed objective lens 460 or the shape of the slit 440 to be monitored. The monitoring unit 430 irradiates light to the twelfth opening/closing mirror unit 524 to check the type of the objective lens 460, and receives the light reflected from the twelfth opening/closing mirror unit 524. Here, the light irradiated by the monitoring unit 430 may have a different wavelength band than the light irradiated by the slit confirmation illumination 445. Since both lights have different wavelength bands, the twelfth opening/closing mirror unit 524 may reflect or pass both lights by dividing them into wavelength bands.

또한, 모니터링부(430)는 슬릿 확인광을 수광한다. 모니터링부(430)는 이미지 장치를 포함함으로써, 제12 개폐형 미러부(524)에서 반사되는 광을 출력하여 관리자에게 제공한다. 관리자는 모니터링부(430)를 확인함으로써, 대물렌즈(460)의 종류 또는 슬릿(440)의 패턴 형상을 모니터링할 수 있다.In addition, the monitoring unit 430 receives the slit confirmation light. Since the monitoring unit 430 includes an image device, the light reflected from the twelfth opening/closing mirror unit 524 is output and provided to the manager. The manager may monitor the type of the objective lens 460 or the pattern shape of the slit 440 by checking the monitoring unit 430.

대물렌즈(460)는 제12 개폐형 미러부(524)를 거쳐 입사되는 레이저 빔을 기판으로 포커싱하여 조사한다. 대물렌즈(460)는 레이저 빔의 각 파장과 결함의 종류에 따라 레이저 빔이 포커싱되어야할 정도에 따라, 다양한 종류가 배치된다. 제어부(미도시)는 결함 판별장치(120)에서 판별된 결함의 종류에 따라, 적절한 대물렌즈(460)가 배치되도록 제어한다.The objective lens 460 focuses and irradiates a laser beam incident through the twelfth opening/closing mirror unit 524 to the substrate. The objective lens 460 is arranged in various types according to the degree to which the laser beam should be focused according to each wavelength of the laser beam and the type of defect. The controller (not shown) controls the appropriate objective lens 460 to be disposed according to the type of the defect determined by the defect determination device 120.

제어부(미도시)는 각 개폐형 반사부 및 파장 선택기를 제어한다. 각 개폐형 반사부 및 파장 선택기가 전술한 동작을 수행할 수 있도록, 제어부(미도시)는 각 개폐형 반사부 및 파장 선택기를 제어한다.A control unit (not shown) controls each of the open/close type reflectors and wavelength selectors. The control unit (not shown) controls each open/close type reflector and wavelength selector so that each open/close type reflector and the wavelength selector can perform the above-described operation.

제어부(미도시)는 모니터링부(430)에 출력되는 확인 광의 이미지를 분석하여 레이저 빔의 결상거리를 조정하며, 레이저 장치의 레이저 빔 조사여부를 제어한다. 튜브렌즈(450) 또는 대물렌즈(460)의 수차로 인해, 각 렌즈가 동일한 위치에 고정되어 있다고 하더라도 기판으로 조사될 레이저 빔의 파장대역에 따라 기판으로 조사되는 레이저 빔의 면적(형상)이 상이해질 수 있다. 제어부(미도시)는 튜브렌즈(450)가 슬릿(440) 또는 제12 개폐형 미러부(524)와 멀어지거나 가까워지도록 이동하게 함으로써, 레이저 빔의 결상거리를 조정할 수 있다.The controller (not shown) analyzes the image of the confirmation light output to the monitoring unit 430 to adjust the imaging distance of the laser beam, and controls whether or not the laser device is irradiated with the laser beam. Due to the aberration of the tube lens 450 or the objective lens 460, the area (shape) of the laser beam irradiated to the substrate differs according to the wavelength band of the laser beam to be irradiated to the substrate even if each lens is fixed at the same position. Can be set. The controller (not shown) may adjust the imaging distance of the laser beam by moving the tube lens 450 to move away from or close to the slit 440 or the twelfth opening/closing mirror unit 524.

또한, 제어부(미도시)는 외부로부터 수신한 정보를 토대로 출력할 레이저 빔이 최적의 편광 상태를 갖도록 조정하며, 센싱부(420)의 센싱 결과를 토대로 출력할 레이저 빔의 편광 상태를 확인하고 조정한다. 제어부(미도시)는 레이저 빔 폭을 가변시키는 각 상황들(상대적인 움직임 또는 기판의 성질)에서 최적의 빔 폭을 갖도록 하는 레이저 빔의 편광상태를 저장해 둔다. 제어부(미도시)는 외부 장치(미도시) 또는 결함 판별장치(120)로부터 수신한 기판의 상대적인 움직임과 기판의 성질을 토대로, 출력해야 할 레이저 빔의 최적의 편광상태를 설정한다. 제어부(미도시)는 설정한 편광상태를 갖도록 각 편광판(240, 244, 248, 340, 343, 346 또는 349)을 제어한다. 또한, 제어부(미도시)는 센싱부(420)의 센싱결과를 분석하여 출력될 레이저 빔이 어떠한 편광 상태를 갖는지 분석하여, 실시간으로 레이저 빔이 설정된 편광 상태를 갖는지 확인한다. 레이저 빔이 설정된 편광 상태를 갖고 있을 경우, 제어부(미도시)는 그대로 기판으로 조사되도록 제어한다. 반면, 레이저 빔이 설정된 편광 상태를 갖지 않을 경우, 제어부(미도시)는 각 편광판(240, 244, 248, 340, 343, 346 또는 349)을 제어하여 레이저 빔의 편광 상태를 재조정한다. 제어부(미도시)는 출력될 레이저 빔의 편광 상태를 실시간으로 센싱하여 최적의 편광 상태를 갖는 레이저 빔을 출력하도록 제어할 수 있다. In addition, the control unit (not shown) adjusts the laser beam to be output to have an optimal polarization state based on information received from the outside, and checks and adjusts the polarization state of the laser beam to be output based on the sensing result of the sensing unit 420 do. The control unit (not shown) stores the polarization state of the laser beam so as to have the optimum beam width in each situation (relative motion or substrate property) of varying the laser beam width. The controller (not shown) sets the optimal polarization state of the laser beam to be output based on the relative motion of the substrate and the properties of the substrate received from an external device (not shown) or the defect determination device 120. The controller (not shown) controls each polarizing plate 240, 244, 248, 340, 343, 346 or 349 to have a set polarization state. In addition, the controller (not shown) analyzes the sensing result of the sensing unit 420 to determine what polarization state the laser beam to be output has, and checks whether the laser beam has a set polarization state in real time. When the laser beam has a set polarization state, the control unit (not shown) controls the irradiation to the substrate as it is. On the other hand, when the laser beam does not have a set polarization state, the controller (not shown) controls each polarizing plate 240, 244, 248, 340, 343, 346, or 349 to readjust the polarization state of the laser beam. The controller (not shown) may control to output a laser beam having an optimal polarization state by sensing the polarization state of the laser beam to be output in real time.

레이저 리페어 장치(130) 내에는 개폐형 미러부가 포함된 것으로 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 개폐형 미러부 대신 빔 스플리터나 표면에 반사 코팅이나 필터를 포함하는 미러부 등 광을 일정비율 분기시키는 광학구성이면 어떠한 것으로 대체되어도 무방하다.Although it is described that the opening/closing mirror part is included in the laser repair device 130, it is not limited thereto. Instead of the open/closed mirror part, any optical configuration that diverges the light at a certain ratio, such as a beam splitter or a mirror part including a reflective coating or filter on the surface, may be replaced.

이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present embodiment, and those of ordinary skill in the technical field to which the present embodiment belongs will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present embodiment. Accordingly, the present exemplary embodiments are not intended to limit the technical idea of the present exemplary embodiment, but are illustrative, and the scope of the technical idea of the present exemplary embodiment is not limited by these exemplary embodiments. The scope of protection of this embodiment should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present embodiment.

100: 레이저 리페어 시스템
110: 결함 검출장치
120: 결함 판별장치
130: 레이저 리페어 장치
200: 제1 레이저 장치
210, 214, 218, 310, 315: 광원
220, 224, 228: 광학구성
230, 234, 238: 감쇠기
240, 244, 248, 340, 343, 346, 349: 파장판
250, 254, 258, 602, 604, 606, 608, 610, 612, 614: 미러
300: 제2 레이저 장치
320: 파장 선택기
330, 333, 336, 339: 빔 익스팬더
400: 광학계
410: 패턴 가공부
414: 스캐너
418: 릴레이 렌즈
420: 센싱부
422: 분기부
424: 편광 빔 스플리터
426, 428: 파워미터
430: 모니터링부
440: 슬릿
445: 슬릿 확인조명
450: 튜브 렌즈
460: 대물렌즈
502, 504, 506, 510, 512, 520, 522, 524: 개폐형 반사부100: laser repair system
110: defect detection device
120: defect determination device
130: laser repair device
200: first laser device
210, 214, 218, 310, 315: light source
220, 224, 228: optical configuration
230, 234, 238: attenuator
240, 244, 248, 340, 343, 346, 349: wave plate
250, 254, 258, 602, 604, 606, 608, 610, 612, 614: Mirror
300: second laser device
320: wavelength selector
330, 333, 336, 339: beam expander
400: optical system
410: pattern processing part
414: scanner
418: relay lens
420: sensing unit
422: branch
424: polarized beam splitter
426, 428: power meter
430: monitoring unit
440: slit
445: slit check light
450: tube lens
460: objective lens
502, 504, 506, 510, 512, 520, 522, 524: retractable reflector

Claims (5)

하나 이상의 파장대역의 레이저 빔을 조사하는 레이저 장치;
상기 레이저 장치에서 조사된 레이저 빔의 편광 상태를 제어하는 편광판;
상기 편광판을 거친 레이저 빔의 형상을 변경하는 가공부;
상기 가공부를 지나는 레이저 빔을 대상물로 조사하는 대물렌즈;
상기 대물 렌즈를 거쳐 레이저 빔 또는 광이 수리하고자 하는 기판으로 조사될 수 있도록 하는 제1 렌즈;
상기 편광판을 거친 레이저 빔의 일부를 분기시켜 레이저 빔의 편광 상태를 센싱하는 센싱부; 및
레이저 빔 폭을 가변시키는 각 상황들에 적합한 레이저 빔 폭을 갖도록 하는 레이저 빔의 편광상태를 저장해 두고, 기판의 상대적인 움직임과 기판의 성질을 토대로 출력해야 할 레이저 빔의 편광상태를 설정하며, 상기 센싱부의 센싱결과를 분석하여 출력될 레이저 빔의 편광상태가 설정된 편광상태를 갖는지 확인하여 레이저 빔이 설정된 편광상태를 갖도록 상기 편광판을 제어하는 제어부를 포함하며,
상기 센싱부는 상기 편광판을 거친 레이저 빔을 기 설정된 비율만큼 분기시키는 분기부, 상기 분기부에서 분기된 레이저 빔을 편광방향에 따라 분기시키는 편광 빔 스플리터, 상기 편광 빔 스플리터에서 분기된 p편광 빔 또는 s 편광 빔 중 어느 하나의 빔 파워를 센싱하는 제1 파워미터 및 상기 편광 빔 스플리터에서 분기된 p편광 빔 또는 s 편광 빔 중 나머지 하나의 빔 파워를 센싱하는 제2 파워미터를 포함하며,
상기 제어부는 상기 제1 파워미터 및 상기 제2 파워미터 모두에서 레이저 빔의 파워가 센싱되는지 여부 및 양자 모두에서 레이저 빔 의 파워가 센싱되었을 경우 양자의 센싱값이 동일한지 여부를 토대로, 출력될 레이저 빔의 편광 상태를 분석하는 것을 특징으로 하는 레이저 리페어 장치.A laser device that irradiates a laser beam of one or more wavelength bands;
A polarizing plate for controlling the polarization state of the laser beam irradiated by the laser device;
A processing unit that changes the shape of the laser beam passing through the polarizing plate;
An objective lens for irradiating a laser beam passing through the processing unit onto an object;
A first lens for irradiating a laser beam or light to a substrate to be repaired through the objective lens;
A sensing unit for sensing a polarization state of the laser beam by dividing a portion of the laser beam passing through the polarizing plate; And
The polarization state of the laser beam to have a laser beam width suitable for each situation in which the laser beam width is varied is stored, the polarization state of the laser beam to be output is set based on the relative motion of the substrate and the properties of the substrate, and the sensing Analyzing the negative sensing result and checking whether the polarization state of the laser beam to be output has a set polarization state, and a control unit for controlling the polarizing plate so that the laser beam has a set polarization state,
The sensing unit divides the laser beam that has passed through the polarizing plate by a preset ratio, a polarization beam splitter that divides the laser beam divided by the polarization direction according to a polarization direction, a p-polarized beam divided by the polarization beam splitter or s A first power meter sensing the beam power of any one of the polarized beams, and a second power meter sensing the remaining one of the p-polarized beam or the s-polarized beam branched from the polarizing beam splitter,
The control unit is based on whether the power of the laser beam is sensed by both the first power meter and the second power meter, and whether the sensing values of both are the same when the power of the laser beam is sensed by both, the laser to be outputted A laser repair device, characterized in that analyzing the polarization state of the beam. 제1항에 있어서,
상기 레이저 장치는,
수리하고자 하는 대상물의 수리 방법에 따라 조사하는 파장대역이 상이한 것을 특징으로 하는 레이저 리페어 장치.The method of claim 1,
The laser device,
A laser repair device, characterized in that the wavelength band to be irradiated is different depending on the repair method of the object to be repaired. 제1항에 있어서,
상기 편광판은,
HWP(Half Wave Plate) 또는 QWP(Quarter Wave Plate)인 것을 특징으로 하는 레이저 리페어 장치.

The method of claim 1,
The polarizing plate,
Laser repair device, characterized in that the HWP (Half Wave Plate) or QWP (Quarter Wave Plate).

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