KR102187471B1 - Light emitting device, and lighting system - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 하부 전극층(140) 상에 복수의 질화물 라드(rod)(117); 상기 하부 전극층(140)과 상기 질화물 라드(117) 상에 제2 도전형 반도체층(116); 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 반도체층(112); 및 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 상부 전극(160);을 포함할 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.
The light emitting device according to the embodiment includes a plurality of nitride rods 117 on the lower electrode layer 140; A second conductivity type semiconductor layer 116 on the lower electrode layer 140 and the nitride rod 117; An active layer 114 on the second conductivity type semiconductor layer 116; A first conductivity type semiconductor layer 112 on the active layer 114; And an upper electrode 160 on the first conductivity type semiconductor layer 112.

Description

발광소자 및 조명시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHTING SYSTEM}Light emitting device and lighting system {LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHTING SYSTEM}

실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.Light Emitting Device is a pn junction diode that converts electrical energy into light energy. It can be created as a compound semiconductor such as Group III and Group V on the periodic table. Various colors can be realized by controlling the composition ratio of the compound semiconductor. It is possible.

발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.When a forward voltage is applied, the electrons in the n-layer and the holes in the p-layer are combined to emit energy equivalent to the band gap energy of the conduction band and the balance band. Is mainly emitted in the form of heat or light, and becomes a light emitting device when radiated in the form of light.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are attracting great interest in the development of optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide band gap energy. In particular, a blue light-emitting device, a green light-emitting device, and an ultraviolet (UV) light-emitting device using a nitride semiconductor are commercialized and widely used.

종래기술에 의하면, 발광소자는 전극의 위치에 따라 전극이 같은 방향에 배치되는 수평형 발광소자와 서로 반대 방향에 배치되는 수직형 발광소자로 나뉠 수 있다.According to the prior art, the light emitting device may be divided into a horizontal light emitting device having electrodes disposed in the same direction and a vertical light emitting device disposed in opposite directions according to the position of the electrode.

한편, 종래 수직형 발광소자에서 광추출 효율을 높이기 위해서 발광구조물 상측에 요철구조를 두어 광추출 효율을 높이는 기술이 있기는 하나, 광추출 효율이 높지 못한 상태이다.Meanwhile, in a conventional vertical light emitting device, there is a technique of increasing light extraction efficiency by placing an uneven structure on the upper side of a light emitting structure in order to increase light extraction efficiency, but the light extraction efficiency is not high.

실시예는 광추출 효율을 높일 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.The embodiment is to provide a light emitting device capable of increasing light extraction efficiency, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

실시예에 따른 발광소자는 하부 전극층(140) 상에 복수의 질화물 라드(rod)(117); 상기 하부 전극층(140)과 상기 질화물 라드(117) 상에 제2 도전형 반도체층(116); 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 반도체층(112); 및 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 상부 전극(160);을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a plurality of nitride rods 117 on the lower electrode layer 140; A second conductivity type semiconductor layer 116 on the lower electrode layer 140 and the nitride rod 117; An active layer 114 on the second conductivity type semiconductor layer 116; A first conductivity type semiconductor layer 112 on the active layer 114; And an upper electrode 160 on the first conductivity type semiconductor layer 112.

실시예에 따른 조명시스템은 상기 발광소자를 구비하는 발광유닛을 포함할 수 있다.The lighting system according to the embodiment may include a light emitting unit including the light emitting device.

실시예는 광추출 효율을 높일 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device capable of enhancing light extraction efficiency, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대도.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대도.
도 4는 제3 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대도.
도 5 내지 도 10은 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정 단면도.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 12는 실시예에 따른 조명장치의 분해 사시도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a partially enlarged view of a light emitting device according to the first embodiment.
3 is a partially enlarged view of a light emitting device according to the second embodiment.
4 is a partially enlarged view of a light emitting device according to a third embodiment.
5 to 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment.
11 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
12 is an exploded perspective view of a lighting device according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is "on/over" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad, or patterns. In the case of being described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed do. In addition, standards for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.

(실시예)(Example)

도 1은 실시예에 따른 발광소자(100)의 단면도이며, 도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 제1 부분(A) 확대도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device 100 according to an exemplary embodiment, and FIG. 2 is an enlarged view of a first portion A of the light emitting device according to the first exemplary embodiment.

실시예에 따른 발광소자(100)는 하부 전극층(140) 상에 복수의 질화물 라드(rod)(117)와, 상기 하부 전극층(140)과 상기 질화물 라드(117) 상에 제2 도전형 반도체층(116)과, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 반도체층(112) 및 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 상부 전극(160)을 포함할 수 있다.The light emitting device 100 according to the embodiment includes a plurality of nitride rods 117 on the lower electrode layer 140, and a second conductivity type semiconductor layer on the lower electrode layer 140 and the nitride rods 117. 116, an active layer 114 on the second conductivity-type semiconductor layer 116, and a first conductivity-type semiconductor layer 112 and the first conductivity-type semiconductor layer 112 on the active layer 114 The upper electrode 160 may be included thereon.

실시예에서 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 발광구조물(110)을 구성할 수 있다.In the embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 112, the active layer 114, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may constitute the light emitting structure 110.

상기 하부 전극층(140)은 오믹층(142), 반사층(144), 본딩층(146), 지지부재(148)을 포함할 수 있다. The lower electrode layer 140 may include an ohmic layer 142, a reflective layer 144, a bonding layer 146, and a support member 148.

실시예에 의하면, 하부 전극층(140) 상에 복수의 질화물 라드(117)를 배치하여 발광구조물(110) 하부에서의 광 반사율을 높여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, a plurality of nitride rods 117 are disposed on the lower electrode layer 140 to increase light reflectance under the light emitting structure 110 to improve light extraction efficiency.

상기 질화물 라드(117)의 수평단면 지름은 약 200nm ~ 500nm 범위로 설정되어 발광된 빛의 회절, 굴절 등의 효과에 의해 광추출 효율을 높일 수 있다. The horizontal cross-sectional diameter of the nitride rod 117 is set in a range of about 200 nm to 500 nm, so that light extraction efficiency may be increased by diffraction and refraction of the emitted light.

상기 질화물 라드(117)는 상기 제2 도전형 반도체층(116) 물질과 같은 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The nitride rod 117 may include the same material as the second conductivity type semiconductor layer 116, but is not limited thereto.

실시예에 의하면, 상기 질화물 라드(117) 사이에 절연층 라드(120)를 배치하여 굴절률 변화에 따른 빛의 산란 효과에 의해 광 추출 효율을 극대화할 수 있다.According to the embodiment, the insulating layer rod 120 is disposed between the nitride rods 117 to maximize light extraction efficiency by a scattering effect of light according to a change in refractive index.

상기 질화물 라드(117)의 높이는 수평단면 지름보다 클 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The height of the nitride rod 117 may be larger than the horizontal cross-sectional diameter, but is not limited thereto.

도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자의 I-I' 선(도 1 참조)을 따른 부분 확대도이다.3 is a partially enlarged view of the light emitting device according to the second embodiment along the line I-I' (see FIG. 1).

도 3의 사진은 제2 도전형 반도체층(116)에 식각을 통해 질화물 라드(117)를 형성한 상태로서, 도 1의 질화물 라드(117)가 180°회전된 상태의 사진이다.The photograph of FIG. 3 is a state in which the nitride rod 117 is formed on the second conductivity type semiconductor layer 116 through etching, and the nitride rod 117 of FIG. 1 is rotated 180°.

실시예에서 상기 질화물 라드(117)의 하부 단면은 수평 폭이 변화할 수 있다. 예를 들어, 질화물 라드(117) 하부 단면의 수평 폭이 줄어들 수 있으며, 하부 끝단이 잘린 원뿔형상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the horizontal width of the lower cross section of the nitride rod 117 may vary. For example, the horizontal width of the lower end of the nitride rod 117 may be reduced, and the lower end may have a conical shape, but the lower end thereof is not limited thereto.

도 4는 제3 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대도이다.4 is a partially enlarged view of a light emitting device according to the third embodiment.

실시예에서, 상기 하부 전극층(140)은 상기 질화물 라드(117)의 저면과 접하는 오믹층(143)을 포함할 수 있다.In an embodiment, the lower electrode layer 140 may include an ohmic layer 143 in contact with the bottom surface of the nitride rod 117.

또한, 실시예에서 상기 오믹층(143)은 상기 질화물 라드(117)의 측면과도 접함으로써 오믹층(142)과 질화물 라드(117)의 접촉면적을 증대시킴으로써 캐리어 주입효율이 향상되어 발광효율이 개선될 수 있다.In addition, in the embodiment, the ohmic layer 143 also contacts the side surface of the nitride rod 117, thereby increasing the contact area between the ohmic layer 142 and the nitride rod 117, thereby improving the carrier injection efficiency, thereby improving the luminous efficiency. It can be improved.

실시예는 광추출 효율을 높일 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device capable of enhancing light extraction efficiency, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

이하, 도 5 내지 도 10을 참조하여 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 10.

실시예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 5와 같이, 기판(105) 위에 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(112), 상기 활성층(114), 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 발광구조물(110)로 정의될 수 있다.According to the method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment, as shown in FIG. 5, a first conductivity type semiconductor layer 112, an active layer 114 and a second conductivity type semiconductor layer 116 may be formed on the substrate 105. . The first conductivity type semiconductor layer 112, the active layer 114, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may be defined as a light emitting structure 110.

상기 기판(105)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)과 상기 기판(105) 사이에는 버퍼층(미도시)이 더 형성될 수 있다.The substrate 105 may be formed of, for example, at least one of a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge, but is not limited thereto. A buffer layer (not shown) may be further formed between the first conductivity type semiconductor layer 112 and the substrate 105.

예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.For example, the first conductivity-type semiconductor layer 112 is formed of an n-type semiconductor layer to which an n-type dopant is added as a first conductivity-type dopant, and the second conductivity-type semiconductor layer 116 is a second conductivity-type dopant. It may be formed as a p-type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. In addition, the first conductivity-type semiconductor layer 112 may be formed as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 116 may be formed as an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(112)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 112 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer 112 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) Can be formed. The first conductivity-type semiconductor layer 112 may be selected from, for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN, etc., and doped with n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, Te, etc. Can be.

상기 활성층(114)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제1 도전형 반도체층(112)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(114)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(114)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the active layer 114, electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 112 and holes (or electrons) injected through the first conductivity type semiconductor layer 112 meet each other, It is a layer that emits light due to a difference in band gap of an energy band according to a material of the active layer 114. The active layer 114 may be formed in any one of a single well structure, a multiple well structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(114)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(114)이 상기 다중 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(114)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.The active layer 114 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1). When the active layer 114 is formed in the multi-well structure, the active layer 114 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers, for example, in a cycle of an InGaN well layer/GaN barrier layer. Can be formed.

상기 제2 도전형 반도체층(116)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(116)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 116 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 116 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). Can be formed. The first conductivity type semiconductor layer 116 may be selected from, for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN, etc., and doped with p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, etc. Can be.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 위에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(110)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. Meanwhile, the first conductivity-type semiconductor layer 112 may include a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 116 may include an n-type semiconductor layer. Further, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed on the second conductivity-type semiconductor layer 116, and accordingly, the light emitting structure 110 is np, pn, npn, pnp junction It may have at least any one of the structures.

또한 상기 제1 도전형 반도체층(112) 및 상기 제2 도전형 반도체층(116) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(110)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, doping concentrations of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 112 and the second conductivity type semiconductor layer 116 may be formed uniformly or non-uniformly. That is, the structure of the light-emitting structure 110 may be formed in various ways, but is not limited thereto.

다음으로, 도 6과 같이, 상기 제2 도전형 반도체층(116)에 질화물 라드(117)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 마스크 패턴(미도시)를 형성하고, 마스크 패턴을 식각 마스크로 제2 도전형 반도체층(116)을 일부 식각하여 질화물 라드(117)를 형성하고, 식각된 제2 도전형 반도체층(116)에 절연층을 채워 절연층 라드(120)를 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 6, a nitride rod 117 may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 116. For example, a mask pattern (not shown) is formed, the second conductivity type semiconductor layer 116 is partially etched using the mask pattern as an etching mask to form the nitride rod 117, and the etched second conductivity type semiconductor layer The insulating layer rod 120 may be formed by filling 116 with an insulating layer.

상기 마스크 패턴은 나노사이즈(Nano size)의 금속패턴 또는 PR 패턴일 수 있으며, 금속패턴 물질은 Ni, Cr, Ti, 또는 W 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The mask pattern may be a nano-sized metal pattern or a PR pattern, and the metal pattern material may include any one or more of Ni, Cr, Ti, and W, but is not limited thereto.

상기 절연층 라드(120)는 스핀온 글래스(Spin on Glass)를 이용하여 SiO2 물질로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The insulating layer rod 120 may be formed of a SiO 2 material using spin on glass, but is not limited thereto.

상기 절연층 라드(120)는 이후 형성되는 활성층(114)의 결정 품질을 확보해 주는 기능과 아울러, 상기 질화물 라드(117) 사이에 절연층 라드(120)가 배치됨으로써 굴절률 변화에 따른 빛의 산란 효과에 의해 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The insulating layer rod 120 has a function of securing the crystal quality of the active layer 114 to be formed later, and the insulating layer rod 120 is disposed between the nitride rods 117 to scatter light according to a change in refractive index. The light extraction efficiency can be improved by the effect.

실시예에 의하면, 하부 전극층(140) 상에 복수의 질화물 라드(117)를 배치하여 발광구조물(110) 하부에서의 광 반사율을 높여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, a plurality of nitride rods 117 are disposed on the lower electrode layer 140 to increase light reflectance under the light emitting structure 110 to improve light extraction efficiency.

상기 질화물 라드(117)의 수평단면 지름은 약 200nm ~ 500nm 범위로 설정되어 발광된 빛의 회절, 굴절 등의 효과에 의해 광추출 효율을 높일 수 있다. The horizontal cross-sectional diameter of the nitride rod 117 is set in a range of about 200 nm to 500 nm, so that light extraction efficiency may be increased by diffraction and refraction of the emitted light.

상기 질화물 라드(117)는 상기 제2 도전형 반도체층(116) 물질과 같은 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The nitride rod 117 may include the same material as the second conductivity type semiconductor layer 116, but is not limited thereto.

실시예에서 도 3과 같이, 상기 질화물 라드(117)의 하부 단면은 수평 폭이 변화할 수 있다. 예를 들어, 질화물 라드(117) 하부 단면의 수평 폭이 줄어들 수 있으며, 하부 끝단이 잘린 원뿔형상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiment, as shown in FIG. 3, the lower cross-section of the nitride rod 117 may have a horizontal width change. For example, the horizontal width of the lower end of the nitride rod 117 may be reduced, and the lower end may have a conical shape, but the lower end thereof is not limited thereto.

다음으로, 도 7과 같이 상기 마스크 패턴을 제거하고 제2 도전형 반도체층(116) 표면과 질화물 라드(117) 상에 오믹층(142)을 형성할 수 있다. 도 7과 이후 설명할 도 8에서, 기판(105)이 상측에 배치된 형태인데, 실제 제조공정에서는 도 7과 도 8에 도시된 바와 달리 기판(105)이 하측에 배치된 상태에서 공정이 진행될 수 있다.Next, as shown in FIG. 7, the mask pattern may be removed, and an ohmic layer 142 may be formed on the surface of the second conductivity type semiconductor layer 116 and the nitride rod 117. In FIG. 7 and FIG. 8 to be described later, the substrate 105 is disposed on the upper side, but in the actual manufacturing process, the process is performed while the substrate 105 is disposed on the lower side, unlike FIGS. 7 and 8. I can.

상기 오믹층(142)은 상기 발광구조물(110)과 하부 전극층(140)이 오믹접촉이 되도록 형성될 수 있으며, 투명 전도성 산화막으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The ohmic layer 142 may be formed such that the light emitting structure 110 and the lower electrode layer 140 are in ohmic contact, and may be formed of a transparent conductive oxide film, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 오믹층(142)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the ohmic layer 142 is ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide), IAZO ( Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, It may be formed of at least one material selected from Pt, Ag, and Ti.

또한 제3 실시예에 의하면, 도 4와 같이, 오믹층(143)은 상기 질화물 라드(117)의 측면과도 접함으로써 오믹층(143)과 질화물 라드(117)의 접촉면적을 증대시킴으로써 캐리어 주입효율이 향상되어 발광효율이 개선될 수 있다.In addition, according to the third embodiment, as shown in FIG. 4, the ohmic layer 143 also contacts the side surface of the nitride rod 117 to increase the contact area between the ohmic layer 143 and the nitride rod 117, thereby injecting carriers. The luminous efficiency can be improved by improving the efficiency.

다시, 도 7을 기준으로 설명하면, 상기 발광구조물(110) 상에 채널층(135), 전류차단층(130)을 형성할 수 있다. 상기 오믹층(142)은 채널층(135)과 전류차단층(130)이 형성된 이후에 형성될 수 있다.Again, referring to FIG. 7, a channel layer 135 and a current blocking layer 130 may be formed on the light emitting structure 110. The ohmic layer 142 may be formed after the channel layer 135 and the current blocking layer 130 are formed.

실시예는 발광구조물(110)과 하부 전극층(140) 외곽에 채널층(135)을 구비하여 하부 전극층(140) 물질이 발광구조물로 전달되는 것을 방지하여 리키지를 차단할 수 있고, 채널층(135)이 반사성 물질이 포함되는 경우 광추출 효율 증대에 기여할 수 있다.In the embodiment, a channel layer 135 is provided outside the light emitting structure 110 and the lower electrode layer 140 to prevent the material of the lower electrode layer 140 from being transferred to the light emitting structure to block leakage, and the channel layer 135 When this reflective material is included, it may contribute to increase of light extraction efficiency.

예를 들어, 상기 채널층(135)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the channel layer 135 is at least one from the group consisting of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. May be selected and formed, but is not limited thereto.

또한 실시예는 이후 형성될 상부 전극(160)과 오버랩되는 영역에 전류차단층(130)을 형성하여 전류확산에 기여할 수 있다. 상기 전류차단층(130)은 산화물, 질화물 등의 절연물이나, 비정질 영역 등을 포함하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the embodiment may contribute to current diffusion by forming the current blocking layer 130 in a region overlapping with the upper electrode 160 to be formed later. The current blocking layer 130 may be formed including an insulating material such as oxide or nitride, or an amorphous region, but is not limited thereto.

상기 하부 전극층(140)은 오믹층(142), 반사층(144), 본딩층(146), 지지부재(148)을 포함할 수 있다. The lower electrode layer 140 may include an ohmic layer 142, a reflective layer 144, a bonding layer 146, and a support member 148.

이후, 하부 전극층(140)에 대해서 상술하기로 한다.Hereinafter, the lower electrode layer 140 will be described in detail.

상기 반사층(144)은 고 반사율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사층(144)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. The reflective layer 144 may be formed of a material having a high reflectivity. For example, the reflective layer 144 may be formed of a metal or alloy containing at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, and Hf.

또한, 상기 반사층(144)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. In addition, the reflective layer 144 includes the metal or alloy and Indium-Tin-Oxide (ITO), Indium-Zinc-Oxide (IZO), Indium-Zinc-Tin-Oxide (IZTO), Indium-Aluminum-Zinc- Oxide), IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO (Aluminum-Zinc-Oxide), ATO (Antimony-Tin-Oxide), etc. It can be formed in multiple layers.

예를 들어, 실시 예에서 상기 반사층(144)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사층(144)은 Ag 층과 Ni 층이 교대로 형성될 수도 있고, Ni/Ag/Ni, 혹은 Ti 층, Pt 층을 포함할 수 있다. For example, in an embodiment, the reflective layer 144 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy. For example, the reflective layer 144 may include an Ag layer and a Ni layer alternately, and may include a Ni/Ag/Ni, or a Ti layer and a Pt layer.

상기 본딩층(146)은 배리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The bonding layer 146 includes a barrier metal or a bonding metal, for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, or Ta. Can include.

상기 지지부재(148)는 발광구조물(110)을 지지하며 방열기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(146)은 시드층으로 구현될 수도 있다.The support member 148 supports the light emitting structure 110 and may perform a heat dissipation function. The bonding layer 146 may be implemented as a seed layer.

상기 지지부재(148)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한 상기 지지부재(148)는 절연물질로 형성될 수도 있다.The support member 148 is, for example, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, or a semiconductor substrate implanted with impurities (for example, Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, etc.) may be formed of at least one of. In addition, the support member 148 may be formed of an insulating material.

이후, 도 8과 같이, 상기 지지부재(148) 상에 임시기판(149)을 형성한다. 상기 임시기판(149)은 금속물질, 반도체 물질, 또는 절연물질 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 8, a temporary substrate 149 is formed on the support member 148. The temporary substrate 149 may be formed of at least one of a metal material, a semiconductor material, or an insulating material.

다음으로 도 9과 같이, 상기 발광구조물(110)로부터 상기 기판(105)을 제거한다. 하나의 예로서, 상기 기판(105)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 기판(105)의 하면에 레이저를 조사하여, 상기 기판(105)과 상기 발광구조물(110)을 서로 박리시키는 공정이다.Next, as shown in FIG. 9, the substrate 105 is removed from the light emitting structure 110. As an example, the substrate 105 may be removed by a laser lift off (LLO) process. The laser lift-off process (LLO) is a process of exfoliating the substrate 105 and the light emitting structure 110 from each other by irradiating a laser to the lower surface of the substrate 105.

다음으로, 도 10과 같이 아이솔레이션 에칭 공정, 임시기판(149) 제거공정 등이 진행될 수 있다.Next, as shown in FIG. 10, an isolation etching process, a temporary substrate 149 removal process, and the like may be performed.

실시예에 의하면, 아이솔레이션 에칭을 수행하여 상기 발광구조물(110)의 측면을 식각하고 상기 채널층(135)의 일부 영역이 노출될 수 있게 된다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각에 의해 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.According to the embodiment, the side surface of the light emitting structure 110 is etched by performing isolation etching, and a partial region of the channel layer 135 may be exposed. The isolation etching may be performed by dry etching such as, for example, Inductively Coupled Plasma (ICP), but is not limited thereto.

상기 발광구조물(110)의 상부 면에 요철 패턴(P)이 형성하여 외부 광추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.An uneven pattern P is formed on the upper surface of the light emitting structure 110 to increase an external light extraction effect.

이후, 제1 도전형 반도체층(112) 상에 상부 전극(160)을 형성하고, 아이솔레이션 에칭 영역에 절연층 등으로 패시베이션층(150)이 형성될 수 있다.Thereafter, the upper electrode 160 may be formed on the first conductivity type semiconductor layer 112 and the passivation layer 150 may be formed as an insulating layer or the like in the isolation etching region.

실시예는 광추출 효율을 높일 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device capable of enhancing light extraction efficiency, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

도 11은 실시예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지(200)를 나타낸 도면이다.11 is a diagram illustrating a light emitting device package 200 to which a light emitting device according to an embodiment is applied.

도 11을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, a light emitting device package according to an embodiment includes a body 120, a first lead electrode 131 and a second lead electrode 132 disposed on the body 120, and the body 120 The light emitting device 100 according to the embodiment provided in and electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132, and a molding member 140 surrounding the light emitting device 100 Can include.

상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 120 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 100. In addition, the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 reflect light generated from the light emitting device 100 to increase light efficiency, and heat generated from the light emitting device 100 It can also play a role of discharging to the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or may be disposed on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.

상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method.

상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체(미도시)가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, a phosphor (not shown) may be included in the molding member 140 to change a wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting devices or light emitting device packages according to the embodiment may be arrayed on a substrate, and an optical member such as a lens, a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet may be disposed on the optical path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member may function as a light unit. The light unit may be implemented in a top view or a side view type, and may be provided to display devices such as portable terminals and notebook computers, or may be variously applied to lighting devices and indication devices. Another embodiment may be implemented as a lighting device including the light emitting device or the light emitting device package described in the above-described embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a street light, an electric sign, and a headlamp.

도 12는 실시예에 따른 조명장치의 분해 사시도이다.12 is an exploded perspective view of a lighting device according to an embodiment.

도 12를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12, a lighting device according to an embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. I can. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include one or more of a member 2300 and a holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device package according to the embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape with a hollow and an open portion. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the radiator 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 2100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is to allow light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 is visible from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the radiator 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the radiator 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the radiator 2400 and has guide grooves 2310 into which a plurality of light source units 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate and the connector 2250 of the light source unit 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 2100 and returning toward the light source module 2200 toward the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400. The radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700. Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide portion 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A number of components may be disposed on one surface of the base 2650. A number of components include, for example, a DC converter that converts AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip that controls driving of the light source module 2200, and an ESD for protecting the light source module 2200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension part 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700. Each end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the extension part 2670, and the other end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the socket 2800. .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is solidified, and allows the power supply part 2600 to be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments have been described above, these are only examples and are not intended to limit the embodiments, and those of ordinary skill in the field to which the embodiments belong are not departing from the essential characteristics of the embodiments. It will be seen that branch transformation and application are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set in the appended claims.

하부 전극층(140), 복수의 질화물 라드(rod)(117),
제2 도전형 반도체층(116), 활성층(114),
제1 도전형 반도체층(112), 상부 전극(160)The lower electrode layer 140, a plurality of nitride rods 117,
Second conductivity type semiconductor layer 116, active layer 114,
First conductivity type semiconductor layer 112, upper electrode 160

Claims (7)

하부 전극층 상에 배치되는 복수의 질화물 라드(rod);
상기 하부 전극층과 상기 질화물 라드 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층;
상기 하부 전극층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 복수의 절연층 라드;
상기 하부 전극층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 전류차단층;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층;
상기 활성층 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층; 및
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 상부 전극;을 포함하고,
상기 질화물 라드는 상기 제2 도전형 반도체층 물질과 같은 물질을 포함하고,
상기 절연층 라드는 상기 질화물 라드 사이에 배치되고,
상기 전류차단층은 상기 질화물 라드 및 상기 절연층 라드보다 아래에 배치되며, 상기 상부 전극과 오버랩되는 영역에 배치되고,
상기 전류차단층의 상면은 상기 질화물 라드 및 상기 절연층 라드와 접촉하는 발광소자.A plurality of nitride rods disposed on the lower electrode layer;
A second conductivity type semiconductor layer disposed on the lower electrode layer and the nitride rod;
A plurality of insulating layer rods disposed between the lower electrode layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A current blocking layer disposed between the lower electrode layer and the second conductivity type semiconductor layer;
An active layer disposed on the second conductivity type semiconductor layer;
A first conductivity type semiconductor layer disposed on the active layer; And
Includes; an upper electrode disposed on the first conductivity type semiconductor layer,
The nitride rod includes the same material as the second conductivity type semiconductor layer material,
The insulating layer rod is disposed between the nitride rod,
The current blocking layer is disposed below the nitride rod and the insulating layer rod, and is disposed in a region overlapping the upper electrode,
A light emitting device having an upper surface of the current blocking layer in contact with the nitride rod and the insulating layer rod. 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 하부 전극층은,
상기 질화물 라드의 저면과 접하는 오믹층을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The lower electrode layer,
A light emitting device comprising an ohmic layer in contact with the bottom surface of the nitride rod. 제4 항에 있어서,
상기 오믹층은
상기 질화물 라드의 측면과도 접하는 발광소자.The method of claim 4,
The ohmic layer
A light-emitting device that also contacts a side surface of the nitride rod. 제1 항에 있어서,
상기 질화물 라드의 하부 단면은
수평 폭이 변화하는 발광소자.The method of claim 1,
The lower section of the nitride rod is
A light emitting device with a variable horizontal width. 제1 항, 제4 항 내지 제6 항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광소자를 구비하는 발광유닛을 포함하는 조명시스템.An illumination system comprising a light-emitting unit comprising the light-emitting element according to any one of claims 1 and 4 to 6.
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JP2009212357A (en) * 2008-03-05 2009-09-17 Sharp Corp Nitride-based semiconductor light-emitting element and method for manufacturing the same
KR101286210B1 (en) * 2012-03-12 2013-07-15 고려대학교 산학협력단 Light emitting device and method fabricating the same

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