KR102183379B1 - 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법과 장치, 및 그 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체 - Google Patents

유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법과 장치, 및 그 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자의 물리적인 전압-전류 특성을 고려한 스파이스 모델링 방법을 이용하여 유기 발광 소자의 물리적 특성을 시뮬레이션할 수 있는 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법과 장치, 및 그 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체를 제공하는 것으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법은 전자 수송층과 발광층 및 정공 수송층을 포함하는 유기층, 및 상기 유기층을 사이에 두고 형성된 캐소드 전극과 애노드 전극을 갖는 유기 발광 소자의 물리적인 특성을 시뮬레이션하기 위한 것으로, 상기 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층에 대한 물리적인 파라메터를 이용하여 상기 유기 발광 소자에 인가될 공급 전압에 따른 상기 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층 각각의 전류 밀도를 산출하는 단계(A); 및 상기 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층 각각의 전류 밀도를 기반으로 상기 공급 전압에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도를 산출하는 단계(B)를 포함할 수 있다.

Description

유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법과 장치, 및 그 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체{METHOD AND APPARATUS FOR SIMULATION OF OGANIC LIGHT EMITTING DEVICE, AND RECORD MEDIA RECODED PROGRAM FOR IMPLEMENT THEREOF}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 유기 발광 소자의 물리적 특성을 시뮬레이션할 수 있는 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법과 장치, 및 그 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체에 관한 것이다.
최근, 평판 표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치가 상용화되고 있다. 이러한, 평판 표시 장치 중에서 유기 발광 표시 장치는 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치에서, 각 화소는 화소 회로, 및 유기 발광 소자를 포함하여 이루어진다.
상기 화소 회로는 적어도 2개의 박막 트랜지스터로 이루어져 데이터 신호에 따라 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어한다.
상기 유기 발광 소자는 화소 회로의 제어에 의해 흐르는 전류에 비례하여 발광한다. 이러한 유기 발광 소자는 애노드 전극, 캐소드 전극, 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 개재된 유기층을 포함하며, 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층을 포함할 수 있다.
이와 같은, 유기 발광 표시 장치는 각 화소의 구동 시간이 경과함에 따라 박막 트랜지스터의 열화 및 유기 발광 소자의 열화에 따라 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성이 변화하게 된다. 이에 따라, 각 화소의 유기 발광 소자를 설계할 때, 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성을 정확하게 분석할 수 있는 스파이스(SPICE; Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) 모델링 방법이 필요하게 된다.
그러나, 현재까지 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성을 정확하게 시뮬레이션할 수 있는 방정식이 존재하기 않기 때문에 유기 발광 표시 장치를 설계할 때, 아래의 수학식 1 및 2와 같은 무기 반도체인 실리콘 다이오드의 설계시 사용하는 스파이스 모델링 방법을 이용하고 있다.
Figure 112014089934215-pat00001
Figure 112014089934215-pat00002
수학식 1 및 2에서, ΦB 는 인젝션 배리어 높이(injection barrier height),
Figure 112014089934215-pat00003
은 배리어-로어링 인자(barrier-lowering factor), μ는 이동도, ε는 비유전율(relative dielectric constant), 및 L은 두께를 각각 나타낸다.
수학식 1은 금속과 유기층 사이에서의 인젝션-리미티트 전류(injection-limited current)로 열이온-방출 방정식(Thermionic-Emission Equation)으로 표현되며, 수학식 2는 유기층 내에서의 벌크-리미티드 전류(bulk-limited current)로 거어니-모트 방정식(Gurney-Mott Equation)으로 표현된다. 이러한 수학식 1 및 2는 무기 반도체의 전기 전도도 특성을 나타내는 식으로서, 이들을 이용하여 유기 발광 소자의 전기 전도도의 특성 파라메터(parameter)를 추출하는 것은 실리콘 다이오드의 등가 회로로부터 유기 발광 소자의 물리적 특성을 시뮬레이션 하는 것이므로, 유기층의 물리적 동작 원리가 고려되지 않기 때문에 물리적으로 의미가 없다. 예를 들어, 유기 발광 소자의 이동도(mobility)는 상당히 낮은(~ 1cm2/Vs 이하) 값을 갖는 특성이 있지만, 수학식 1은 무기 반도체와 같이 이동도가 높을(~100cm2/Vs 이상) 경우에만 성립된다. 또한, 유기 발광 소자의 이동도는 유기 발광 소자 내에서 발생되는 전기장에 의존하는 특성이 있지만, 상기 수학식 2의 이동도는 유기 반도체층 내에서 전기장에 의존하지 않고 일정한 값을 갖는다.
따라서, 무기 반도체인 실리콘 다이오드의 설계시 사용하는 스파이스 모델링 방법으로는 유기 발광 소자의 물리적 특성을 시뮬레이션할 수 없다는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 유기 발광 소자의 물리적인 전압-전류 특성을 고려한 스파이스 모델링 방법을 이용하여 유기 발광 소자의 물리적 특성을 시뮬레이션할 수 있는 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법과 장치, 및 그 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법은 전자 수송층과 발광층 및 정공 수송층을 포함하는 유기층, 및 상기 유기층을 사이에 두고 형성된 캐소드 전극과 애노드 전극을 갖는 유기 발광 소자의 물리적인 특성을 시뮬레이션하기 위한 것으로, 상기 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층에 대한 물리적인 파라메터를 이용하여 상기 유기 발광 소자에 인가될 공급 전압에 따른 상기 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층 각각의 전류 밀도를 산출하는 단계(A); 및 상기 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층 각각의 전류 밀도를 기반으로 상기 공급 전압에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도를 산출하는 단계(B)를 포함할 수 있다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 장치는 전자 수송층과 발광층 및 정공 수송층을 포함하는 유기층, 및 상기 유기층을 사이에 두고 형성된 캐소드 전극과 애노드 전극을 갖는 유기 발광 소자의 물리적인 특성을 시뮬레이션하기 위한 것으로, 상기 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층에 대한 물리적인 파라메터를 이용하여 상기 유기 발광 소자에 인가될 공급 전압에 따른 상기 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층 각각의 전류 밀도를 산출하고, 상기 산출된 전자 수송층과 정공 수송층 및 유기층 각각의 전류 밀도를 기반으로 상기 공급 전압에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도를 산출하는 연산부를 포함할 수 있다.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명은 유기 발광 소자의 물리적인 동작 원리(주입)와 유기층의 빌트-인 포텐셜을 고려한 물리적인 등가 회로에 따른 스파이스 모델링 함수를 이용함으로써 유기 발광 소자의 특성 파라메터를 정확하게 산출할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법 및 장치는 범용적인 유기 발광 소자의 스파이스 모델로 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자를 설계할 때 정확한 시뮬레이션을 가능하게 한다.
위에서 언급된 본 발명의 효과 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 발광 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 유기층의 빌트-인 포텐셜을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 물리적인 등가 회로로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 정공 수송층과 발광층의 계면에 형성되는 페르미(fermi) 장벽 높이를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 예와 실험 예에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성을 비교하여 나타내는 그래프이다.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법과 장치, 및 그 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 발광 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 소자는 캐소드 전극(10), 애노드 전극(20), 및 유기층(30)을 포함한다.
상기 캐소드 전극(10)은 상대적으로 낮은 일함수를 갖는 금속 재질로 이루어진다. 상기 애노드 전극(20)은 상대적으로 큰 일함수를 갖는 금속 재질로 이루어진다. 상기 유기층(30)은 캐소드 전극(10)과 애노드 전극(20) 사이에 순서대로 적층된 전자 수송층(electron transport layer; ETL), 발광층(emission layer; EML), 및 정공 수송층(hole transport layer; HTL)을 포함한다. 추가적으로, 상기 유기층(30)은 캐소드 전극(10)과 전자 수송층(ETL) 사이에 형성된 전자 주입층(electron injection layer), 및 애노드 전극(20)과 정공 수송층(HTL) 사이에 형성된 정공 주입층(hole injection layer)을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자(10)는 캐소드 전극(10)과 애노드 전극(20) 사이에 구동 전압이 인가됨에 따라 전자 수송층(ETL)을 통과한 캐소드 전극(10)으로부터의 전자(-)와 정공 수송층(HTL)을 통과한 애노드 전극(20)으로부터의 정공(+) 각각이 발광층(EML)으로 이동되어 발광층(EML)에서 재결합하여 발광하게 된다. 즉, 상기 발광층(EML)에서는 주입되는 전자(-)와 정공(+)에 의해 여기자(exciton)가 생성되며, 이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 떨어지면서 에너지 차이 만큼에 해당되는 가시광선이 발생되게 된다.
상기 전자(-)와 정공(+)이 캐소드 전극(10)과 애노드 전극(20)으로부터 주입되어 발광층(EML)에서 재결합하기 위해서는, 캐소드 전극(10)과 전자 수송층(ETL)의 계면에 형성되는 전자 장벽 높이(ΦBe), 애노드 전극(20)과 정공 수송층(HTL)의 계면에 형성되는 정공 장벽 높이(ΦBh), 및 발광층(EML)과 정공 수송층(HTL)의 계면에 형성되는 내부 장벽 높이(ΦBi)를 각각 터널링 방식 또는 열적으로 극복해야 한다. 그리고, 유기층(30)에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 플랫 밴드(flat band) 상태를 위해 캐소드 전극(10)과 애노드 전극(20)의 일함수 차이에 해당하는 전압을 인가해야 하므로 빌트-인 포텐셜(Built-in potential)이 존재하게 된다.
이와 같은, 유기 발광 소자의 물리적 동작 특성에 기초하면, 유기 발광 소자는, 도 3에 도시된 바와 같이, 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL)를 고려한 제 1 다이오드(D1), 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)를 고려한 제 2 다이오드(D2), 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL)를 고려한 제 3 다이오드(D3), 및 캐소드 전극(10)과 애노드 전극(20)의 일함수 차이에 해당하는 전압원(Vs)으로 이루어지는 물리적인 등가 회로로 모델링될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성은 직결 연결된 제 1 내지 제 3 다이오드(D1, D2, D3)에 흐르는 총 전류, 즉 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL)와 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML) 및 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL)의 합(JHTL+JEML+JETL)으로 모델링될 수 있다.
또한, 유기 발광 소자의 공급 전압(Vapply)은 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL)를 고려한 정공 수송층 전압(VHTL), 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)를 고려한 발광층 전압(VEML), 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL)를 고려한 전자 수송층 전압(VETL), 및 캐소드 전극(10)과 애노드 전극(20)의 일함수 차이에 해당하는 빌트-인 포텐셜 전압(Vbi)의 합(VHTL+VEML+VETL+Vbi)으로 모델링될 수 있다. 여기서, 상기 정공 수송층 전압(VHTL)은 상기 제 1 다이오드(D1)의 양단 전압, 상기 발광층 전압(VEML)은 상기 제 2 다이오드(D2)의 양단 전압, 상기 전자 수송층 전압(VETL)은 상기 제 3 다이오드(D3)의 양단 전압, 및 상기 빌트-인 포텐셜 전압(Vbi)은 캐소드 전극(10)과 애노드 전극(20)의 일함수 차이에 해당하는 전압원(Vs)의 전압을 각각 나타낸다.
상기 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL)와 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML) 및 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL) 각각은 유기 발광 소자의 전하 이동(또는 주입)을 표현하는 것으로 알려진 Poole-Frenkel Mobility 식을 포함한다.
일반적으로, 유기 발광 소자에 사용되는 유기층(30)의 이동도는 1cm2/Vs 이하로 매우 낮기 때문에 이러한 낮은 이동도를 고려하여 상기 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL)와 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML) 및 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL) 각각은 인젝션-리미티트 방정식에 의해 모델링될 수 있다.
먼저, 상기 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL)는 하기의 수학식 3과 같이 모델링될 수 있다.
Figure 112014089934215-pat00004
수학식 3에서, q는 기본 전하(elementary charge), μETL는 전자 수송층(ETL)의 이동도, NETL은 상태 밀도(density of states), LETL은 전자 수송층(ETL)의 두께, VETL는 전자 수송층(ETL)에 걸리는 전압, k는 볼츠만 상부(Boltzmann Constant), T은 온도, 및 ΦBe는 상기 전자 장벽 높이를 각각 나타낸다.
다음으로, 상기 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL)는 하기의 수학식 4에 의해 모델링될 수 있다.
Figure 112014089934215-pat00005
수학식 4에서, μHTL는 정공 수송층(HTL)의 이동도, LHTL은 정공 수송층(HTL)의 두께, VHTL는 정공 수송층(HTL)에 걸리는 전압, 및 ΦBh는 상기 정공 장벽 높이를 각각 나타낸다.
다음으로, 상기 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)는 하기의 수학식 5에 의해 모델링될 수 있다.
Figure 112014089934215-pat00006
수학식 5에서, μEML는 발광층(EML)의 이동도, LEML은 발광층(EML)의 두께, VEML는 발광층(EML)에 걸리는 전압, ΦBi는 상기 내부 장벽 높이, 및 ΦBf는 페르미(fermi) 장벽 높이를 각각 나타낸다.
수학식 5에서, 페르미 장벽 높이(ΦBf)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 페르미 레벨에 의해 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML)의 계면에 누적되는 정공량을 나타내는 것으로, 이는 페르미 레벨에 의해 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML)의 계면에 누적되는 누적 정공량(accumulated hole)을 고려하기 위함이다. 이에 따라, 상기 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)의 방정식에서 장벽 높이는 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML)의 계면에 형성되는 내부 장벽 높이(ΦBi)에서 페르미 장벽 높이(ΦBf)의 차이 값으로 모델링된다. 예를 들어, 정공 수송층(HTL)에 걸리는 전기장은, 하기의 수학식 6과 같이, 가우스 법칙으로 나타낼 수 있다.
Figure 112014089934215-pat00007
수학식 6에서, ε는 비유전율(relative dielectric constant), 및
Figure 112014089934215-pat00008
는 페르미 레벨에 의해 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML)의 계면에 누적되는 누적 정공량(accumulated hole)을 나타낸다. 그리고, 수학식 6에서 상기 누적 정공량(
Figure 112014089934215-pat00009
)은, 하기의 수학식 7에서와 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112014089934215-pat00010
수학식 7의 방정식에 대해 페르미 장벽 높이(ΦBf)로 정리하고, 상기 페르미 장벽 높이(ΦBf)는, 하기의 수학식 8과 같이 모델링될 수 있다.
Figure 112014089934215-pat00011
수학식 8에서, VEML은 애노드 전압과 캐소드 전압에 의해 걸리는 발광층 전압, LEML은 발광층 두께(LEML), 및 NEML은 상태 밀도(NEML)를 각각 나타낸다.
상기 수학식 8을 통해 페르미 장벽 높이(ΦBf)를 산출하고, 산출된 페르미 장벽 높이(ΦBf)를 상기의 수학식 5에 적용함으로써 페르미 레벨에 의해 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML)의 계면에 누적되는 누적 정공량(
Figure 112014089934215-pat00012
)을 고려한 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)를 모델링할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 장치는 제어부(110), 입력부(120), 연산부(130), 및 표시부(140)를 포함한다.
상기 제어부(110)는 유기 발광 소자의 물리적인 전압-전류 특성을 고려한 스파이스 모델링 방법을 이용한 유기 발광 소자의 시뮬레이션 동작을 제어한다.
상기 입력부(120)는 키보드 등과 같은 입력 장치로서, 사용자로부터 유기 발광 소자의 물리적인 파라메터를 입력받아 제어부(110)에 제공한다. 이때, 제어부(110)는 파라메터 입력 화면을 표시부(140)에 표시하고, 파라메터 입력 화면에 입력되는 유기 발광 소자의 물리적인 파라메터를 입력부(120)로부터 수신하여 연산부(130)에 제공한다. 여기서, 상기 유기 발광 소자의 물리적인 파라메터는 전술한 수학식 3 내지 9의 연산에 필요한 파라메터로서, q(기본 전하), μETL(전자 수송층의 이동도), μHTL(정공 수송층의 이동도), μEML(발광층의 이동도), NETL(전자 수송층의 상태 밀도), NHTL(정공 수송층의 상태 밀도), NEML(발광층의 상태 밀도), LETL(전자 수송층의 두께), LHTL(정공 수송층의 두께), LEML(발광층의 두께), ΦBe(장벽 높이), ΦBh(장벽 높이), ΦBi(장벽 높이), k(볼츠만 상부), T(온도), ε(비유전율), Vapply(공급 전압), VETL(전자 수송층의 전압), 및 VHTL(정공 수송층의 전압) 등이 될 수 있다.
상기 연산부(130)는 제어부(110)로부터 제공되는 상기 물리적 파라메터를 기반으로 상기의 수학식 3 및 4 각각의 연산을 통해 공급 전압(Vapply)에 따른 상기 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL) 및 상기 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL)를 각각 산출하고, 상기의 수학식 8의 연산을 통해 페르미 장벽 높이(ΦBf)를 산출하고 산출된 페르미 장벽 높이(ΦBf)를 적용한 상기의 수학식 5의 연산을 통해 공급 전압(Vapply)에 따른 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)를 산출한다. 그런 다음, 상기 연산부(130)는, 하기의 수학식 9와 같이, 상기 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL)와 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL) 및 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)를 합산하여 공급 전압(Vapply)에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도(JOLED)를 산출하여 제어부(110)에 제공한다. 이에 따라, 제어부(110)는 연산부(130)로부터 제공되는 공급 전압(Vapply)에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도(JOLED)를 수치화하거나 그래프화하여 표시부(140)에 표시한다.
Figure 112014089934215-pat00013
또한, 상기 연산부(130)는 애노드 전극(20)과 정공 수송층(HTL)의 계면에 형성되는 정공 장벽 높이(ΦBh)를 설정된 변동값 단위로 변화시키면서 공급 전압(Vapply)에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도(JOLED) 특성을 산출할 수 있다.
그리고, 상기 연산부(130)는 입력된 파라메터에서 공급 전압(Vapply), 전자 수송층 전압(VETL) 및 정공 수송층 전압(VHTL)을 기반으로, 하기의 수학식 10과 같이, 전자 수송층 전압(VETL)과 정공 수송층 전압(VHTL)의 차전압을 통해 발광층 전압(VEML)을 산출하고, 전자 수송층 전압(VETL)과 정공 수송층 전압(VHTL) 및 발광층 전압(VEML) 각각을 공급 전압(Vapply)에서 차감하여 유기 발광 소자의 빌트-인 포텐셜 전압(Vbi)을 산출하여 제어부(110)에 제공한다. 이에 따라, 제어부(110)는 연산부(130)로부터 제공되는 공급 전압(Vapply)에 따른 유기 발광 소자의 빌트-인 포텐셜 전압(Vbi)을 수치화하거나 그래프화하여 표시부(140)에 표시한다.
Figure 112014089934215-pat00014
한편, 상기의 수학식 3 내지 10은 Verilog-A 언어를 이용한 라이브러리 함수로 이루어져 다양한 컴퓨터 수단에서 수행될 수 있는 시뮬레이션 프로그램 형태로 구현될 수 있으며, 이러한 유기 발광 소자의 시뮬레이션 프로그램은 컴퓨터로 판독할 수 있는 하드 디스크, CD-ROM, DVD, 롬(ROM) 메모리, 램 메모리, 플래시 메모리, SSD 메모리 등과 같은 기록 매체에 저장될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1 내지 6을 참조하여 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법을 설명하면 다음과 같다.
우선, 유기 발광 소자의 시뮬레이션을 위한 파라메터 입력 화면을 표시부(140)에 표시하고, 입력부(120)를 통한 사용자 입력을 통해 유기 발광 소자(OLED)의 물리적인 파라메터를 수신한다(S100). 여기서, 상기 유기 발광 소자의 물리적인 파라메터는 전술한 수학식 3 내지 9의 연산에 필요한 파라메터로서, q(기본 전하), μETL(전자 수송층의 이동도), μHTL(정공 수송층의 이동도), μEML(발광층의 이동도), NETL(전자 수송층의 상태 밀도), NHTL(정공 수송층의 상태 밀도), NEML(발광층의 상태 밀도), LETL(전자 수송층의 두께), LHTL(정공 수송층의 두께), LEML(발광층의 두께), ΦBe(장벽 높이), ΦBh(장벽 높이), ΦBi(장벽 높이), k(볼츠만 상부), T(온도), ε(비유전율), Vapply(공급 전압), VETL(전자 수송층의 전압), 및 VHTL(정공 수송층의 전압) 등이 될 수 있다.
그런 다음, 수신된 물리적 파라메터를 기반으로 상기의 수학식 3 내지 5, 및 7의 연산을 통해 상기 전자 수송층(ETL)과 정공 수송층(HTL) 및 발광층(EML) 각각의 전류 밀도(JETL, JHTL, JEML)를 각각 산출한다(S110). 여기서, 상기 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL)는 상기의 연산부(130)에서 수행되는 수학식 3의 연산에 의해 산출되고, 상기 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL)는 상기의 연산부(130)에서 수행되는 수학식 4의 연산에 의해 산출된다. 그리고, 상기 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)는 상기의 연산부(130)에서 수행되는 수학식 8의 연산에 의해 페르미 장벽 높이(ΦBf)가 산출된 후, 산출된 페르미 장벽 높이(ΦBf)를 적용한 상기의 수학식 5의 연산에 의해 산출된다.
그런 다음, S110 단계에서 산출된 상기 전자 수송층(ETL)의 전류 밀도(JETL)와 정공 수송층(HTL)의 전류 밀도(JHTL) 및 발광층(EML)의 전류 밀도(JEML)를 합산하여 공급 전압(Vapply)에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도(JOLED)를 산출한다(S120).
그런 다음, S110 단계에서 산출된 공급 전압(Vapply)에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도(JOLED)를 수치화하거나 그래프화하여 표시부(140)에 표시한다(S130).
추가적으로, 애노드 전극(20)과 정공 수송층(HTL)의 계면에 형성되는 정공 장벽 높이(ΦBh)를 설정된 변동값 단위로 변화시키면서 공급 전압(Vapply)에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도(JOLED) 특성을 추가로 산출할 수 있다.
한편, 입력된 파라메터에서 공급 전압(Vapply), 전자 수송층 전압(VETL) 및 정공 수송층 전압(VHTL)을 기반으로 상기의 수학식 10의 연산에 의해 유기 발광 소자의 빌트-인 포텐셜 전압(Vbi)을 추가로 산출하고, 추가로 산출된 공급 전압(Vapply)에 따른 유기 발광 소자의 빌트-인 포텐셜 전압(Vbi)을 수치화하거나 그래프화하여 표시부(140)에 추가로 표시할 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법은 다양한 컴퓨터 수단에서 수행될 수 있는 시뮬레이션 프로그램 형태로 구현될 수 있으며, 이러한 유기 발광 소자의 시뮬레이션 프로그램은 컴퓨터로 판독할 수 있는 하드 디스크, CD-ROM, DVD, 롬(ROM) 메모리, 램 메모리, 플래시 메모리, SSD 메모리 등과 같은 기록 매체에 저장될 수 있다. 여기서, 상기 유기 발광 소자의 시뮬레이션 프로그램은 Verilog-A 언어를 이용한 라이브러리 함수로 이루어질 수 있다.
도 7은 본 발명의 예와 실험 예에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성을 비교하여 나타내는 그래프이다.
도 7에서, 그래프 A는 본 발명에 따른 스파이스 모델링을 이용한 시뮬레이션 방법에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성을 나타내며, 그래프 B는 도 3에 도시된 물리적인 등가 회로로 이루어진 유기 발광 소자의 실험에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성을 나타낸다. 즉, 본 발명의 그래프 A는, 도 3에 도시된 유기 발광 소자의 물리적인 등가 회로에서, 애노드 전극(20)과 정공 수송층(HTL)의 계면에 형성되는 정공 장벽 높이(ΦBh)를 설정된 변동값 단위로 변화시키면서 공급 전압(Vapply)에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도(JOLED) 특성을 산출한 것이다.
도 7에서 알 수 있듯이, 본 발명의 시뮬레이션 방법에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성은 물리적인 등가 회로로 이루어진 유기 발광 소자의 실험에 따른 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성과 유사한 것으로 확인할 수 있다. 으며, 본 발명에 따른 스파이스 모델링은 유기층의 물리적 동작 원리가 고려되었기 때문에 물리적인 유기 발광 소자의 스파이스 모델로 의미가 있다는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명은 유기 발광 소자의 물리적인 동작 원리(주입), 즉 전자 수송층(ETL)과 정공 수송층(HTL) 및 발광층(EML) 각각의 전류 밀도(JETL, JHTL, JEML)와 유기층의 빌트-인 포텐셜을 고려한 물리적인 등가 회로에 따른 스파이스 모델링 함수를 이용하여 유기 발광 소자의 특성 파라메터를 정확하게 산출할 수 있다.
이상과 같은, 본 발명은 인젝션-리미티트 방정식을 나타내는 열이온-방출 방정식과 유기층(30) 내에서 나타나는 전류 밀도와 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML) 사이에 축적된 정공량을 고려하여 2개 이상의 층으로 이루어진 유기 발광 소자의 전기 전도도 특성을 산출함으로써 범용적인 유기 발광 소자의 스파이스 모델로 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자를 설계할 때 정확한 시뮬레이션을 가능하게 한다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 캐소드 전극 20: 애노드 전극
30: 유기층 110: 입력부
120: 제어부 130: 연산부
140: 표시부

Claims (10)

  1. 전자 수송층과 발광층 및 정공 수송층을 포함하는 유기층, 및 상기 유기층을 사이에 두고 형성된 캐소드 전극과 애노드 전극을 갖는 유기 발광 소자의 물리적인 특성을 시뮬레이션하기 위한 것으로,
    상기 전자 수송층과 상기 정공 수송층 및 상기 발광층에 대한 물리적인 파라메터를 수신하는 단계;
    상기 수신된 물리적인 파라메터를 이용하여 상기 유기 발광 소자에 인가될 공급 전압에 따른 상기 전자 수송층과 상기 정공 수송층 및 상기 발광층 각각의 전류 밀도를 산출하는 단계(A); 및
    상기 전자 수송층과 상기 정공 수송층 및 상기 발광층 각각의 전류 밀도를 기반으로 상기 공급 전압에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도를 산출하는 단계(B)를 포함하고,
    상기 단계(A)는,
    수학식
    Figure 112020090376562-pat00032
    을 이용하여 페르미 장벽 높이(ΦBf)를 산출하고,
    수학식
    Figure 112020090376562-pat00033
    을 이용하여 상기 발광층의 전류 밀도(JEML)를 산출하며,
    상기 수학식에서, q는 기본 전하, μEML는 이동도, NEML은 상태 밀도, LEML은 두께, VEML는 전압, k는 볼츠만 상수, T은 온도, ΦBi는 발광층과 정공 수송층 간의 내부 장벽 높이, 및
    Figure 112020090376562-pat00034
    는 페르미 레벨에 의해 정공 수송층과 발광층의 계면에 누적되는 누적 정공량을 각각 나타내는, 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(A)는,
    수학식
    Figure 112014089934215-pat00015
    을 이용하여 상기 전자 수송층의 전류 밀도(JETL)를 산출하고,
    수학식
    Figure 112014089934215-pat00016
    을 이용하여 상기 정공 수송층의 전류 밀도(JHTL)를 산출하며,
    상기 수학식에서, q는 기본 전하, μ는 이동도, N은 상태 밀도, L은 두께, V는 전압, k는 볼츠만 상수, T은 온도, ΦBe는 캐소드 전극과 발광층 간의 장벽 높이, 및 ΦBh는 애노드 전극과 발광층 간의 장벽 높이를 각각 나타내는, 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    입력된 파라메터에서 공급 전압과 전자 수송층 전압 및 정공 수송층 전압을 기반으로, 상기 유기 발광 소자의 빌트-인 포텐셜 전압을 추가로 산출하는, 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법.
  5. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 발광 소자의 시뮬레이션 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체.
  6. 전자 수송층과 발광층 및 정공 수송층을 포함하는 유기층, 및 상기 유기층을 사이에 두고 형성된 캐소드 전극과 애노드 전극을 갖는 유기 발광 소자의 물리적인 특성을 시뮬레이션하는 것으로서,
    상기 전자 수송층과 상기 정공 수송층 및 상기 발광층에 대한 물리적인 파라메터를 수신하는 입력부;
    상기 입력부에 수신되는 물리적인 파라메터를 이용하여 상기 유기 발광 소자에 인가될 공급 전압에 따른 상기 전자 수송층과 상기 정공 수송층 및 상기 발광층 각각의 전류 밀도를 산출하고, 상기 산출된 상기 전자 수송층과 상기 정공 수송층 및 상기 발광층 각각의 전류 밀도를 기반으로 상기 공급 전압에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도를 산출하는 연산부; 및
    상기 연산부에 의해 산출된 상기 공급 전압에 따른 상기 유기 발광 소자의 전기 전도도를 표시부에 표시하는 제어부를 포함하고,
    상기 연산부는,
    수학식
    Figure 112020090376562-pat00035
    을 이용하여 페르미 장벽 높이(ΦBf)를 산출하고,
    수학식
    Figure 112020090376562-pat00036
    을 이용하여 상기 발광층의 전류 밀도(JEML)를 산출하며,
    상기 수학식에서, q는 기본 전하, μEML는 이동도, NEML은 상태 밀도, LEML은 두께, VEML는 전압, k는 볼츠만 상수, T은 온도, ΦBi는 발광층과 정공 수송층 간의 내부 장벽 높이, 및
    Figure 112020090376562-pat00037
    는 페르미 레벨에 의해 정공 수송층과 발광층의 계면에 누적되는 누적 정공량을 각각 나타내는, 유기 발광 소자의 시뮬레이션 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 직결 연결된 제 1 내지 제 3 다이오드와 빌트-인 포텐셜로 이루어진 물리적인 등가 회로로 모델링되고,
    상기 제 1 다이오드는 상기 정공 수송층의 전류 밀도, 상기 제 2 다이오드는 발광층의 전류 밀도, 상기 제 3 다이오드는 상기 전자 수송층의 전류 밀도, 및 상기 빌트-인 포텐셜은 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 간의 일함수 차이에 대응되는 전압원에 기초하여 각각 모델링되는, 유기 발광 소자의 시뮬레이션 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 연산부는,
    수학식
    Figure 112014089934215-pat00020
    을 이용하여 상기 전자 수송층의 전류 밀도(JETL)를 산출하고,
    수학식
    Figure 112014089934215-pat00021
    을 이용하여 상기 정공 수송층의 전류 밀도(JHTL)를 산출하며,
    상기 수학식에서, q는 기본 전하, μ는 이동도, N은 상태 밀도, L은 두께, V는 전압, k는 볼츠만 상수, T은 온도, ΦBe는 캐소드 전극과 발광층 간의 장벽 높이, 및 ΦBh는 애노드 전극과 발광층 간의 장벽 높이를 각각 나타내는, 유기 발광 소자의 시뮬레이션 장치.
  9. 삭제
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 연산부는 상기 물리적인 파라메터에서 공급 전압과 전자 수송층 전압 및 정공 수송층 전압을 기반으로 유기 발광 소자의 빌트-인 포텐셜 전압을 추가로 산출하고,
    상기 제어부는 상기 연산부에 의해 산출된 유기 발광 소자의 빌트-인 포텐셜 전압을 상기 표시부에 추가로 표시하는, 유기 발광 소자의 시뮬레이션 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI550435B (zh) * 2015-09-11 2016-09-21 I Tek Metal Mfg Co Ltd 使用行動裝置操作的管制系統
KR102437498B1 (ko) * 2020-04-20 2022-08-29 김이영 Ｏｌｅｄ 모듈을 위한 시뮬레이션 장치 및 방법
KR102643229B1 (ko) * 2022-05-10 2024-03-04 성균관대학교산학협력단 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(oled) 소자 내부 전하 거동 분석 장치 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100811996B1 (ko) 2007-03-21 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000027715A (ko) * 1998-10-29 2000-05-15 김덕중 제너 다이오드에 대한 회로 시뮬레이션 방법, 이를 기록한 기록매체 및 회로 시뮬레이션 접근을 이용하는 반도체장치 제조방법
KR101777137B1 (ko) * 2011-07-28 2017-09-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드용 유기 반도체의 불량 분석방법
KR102098877B1 (ko) * 2012-11-02 2020-04-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드의 spice 모델링 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100811996B1 (ko) 2007-03-21 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치

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