KR102174364B1 - Apparatus and method for the treatment of flat substrates - Google Patents

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Abstract

이송 중의 평면형 기판(4)을 처리하기 위한 장치(2, 2')에서 침지조(6)는 액체 수위(8)까지 액체 처리 매질(10)이 채워진다. 이송 장치(16)에 의하면 처리 매질(10)을 통과하여 이송 방향(18)으로 수평의 이송면(20)으로 이송할 수 있도록 안내 부재(24)에 의해 기판(4)을 공급함으로써 기판(4)의 적어도 하나의 처리면(26)이 처리 매질(10)에 침지시킨다. 처리 매질(10)은 침지조(6)에서 순환 장치(32)에 의해 순환할 수 있고, 상기 순환 장치는 처리 매질(10)을 침지조(6)로부터 흡입하는 흡입 장치(34)와 상기 흡입된 처리 매질(10)을 침지조(6)로 다시 배출하는 배출 장치(36)를 포함한다. 유입 부재(24)는 침지조(6)에서 이송면(20) 아래의 높이에 배치되고, 순환 장치(32)의 배출 장치(36)는 유입 부재(24) 아래의 높이에 배치되고 적절히 구성된 배출 노즐(44)을 포함하며, 배출 노즐(44) 각각은 하나의 유입 부재(24)를 향해 처리 매질(10)의 주성분(48)이 배출되도록 구성된다. 또한 평면형 기판(4)을 처리하기 위한 방법이 제공된다.In the apparatus 2, 2'for processing the planar substrate 4 during transfer, the immersion tank 6 is filled with a liquid treatment medium 10 up to the liquid level 8. According to the transfer device 16, the substrate 4 is supplied by the guide member 24 so that the substrate 4 can be transferred to the horizontal transfer surface 20 in the transfer direction 18 through the processing medium 10. ) At least one treatment surface 26 is immersed in the treatment medium 10. The treatment medium 10 can be circulated in the immersion tank 6 by a circulation device 32, and the circulation device comprises a suction device 34 for sucking the treatment medium 10 from the immersion tank 6 and the suction. And a discharge device 36 for discharging the used treatment medium 10 back to the immersion tank 6. The inlet member 24 is disposed at a height below the conveying surface 20 in the immersion tank 6, and the discharge device 36 of the circulation device 32 is disposed at a height below the inlet member 24, and a properly configured discharge A nozzle 44 is included, and each of the discharge nozzles 44 is configured such that a main component 48 of the treatment medium 10 is discharged toward one inlet member 24. Also provided is a method for processing the planar substrate 4.

Figure R1020120126492
Figure R1020120126492

Description

평면형 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR THE TREATMENT OF FLAT SUBSTRATES}Apparatus and method for processing a planar substrate TECHNICAL FIELD [APPARATUS AND METHOD FOR THE TREATMENT OF FLAT SUBSTRATES]

본 발명은,The present invention,

a) 액체 수위까지 액체 처리 매질이 채워지는 침지조; a) an immersion tank filled with a liquid treatment medium up to the liquid level;

b) 상기 처리 매질을 통과하여 이송 방향으로 수평의 이송면으로 이송할 수 있도록 안내 부재에 의해 기판을 공급함으로써 기판의 적어도 하나의 처리면을 처리 매질에 침지시키는 이송 장치; 및 b) a transfer device for immersing at least one treatment surface of the substrate in the treatment medium by supplying the substrate by a guide member so as to pass through the treatment medium and transfer to a horizontal transfer surface in the transfer direction; And

c) 상기 침지조에서 처리 매질을 순환시킬 수 있고 처리 매질을 침지조로부터 흡입하는 흡입 장치와 상기 흡입된 처리 매질을 침지조로 다시 배출하는 배출 수단을 포함하는 순환 장치가 구비된, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. c) a planar substrate during transport, provided with a circulation device capable of circulating the treatment medium in the immersion tank and including a suction device for sucking the treatment medium from the immersion tank and a discharge means for discharging the sucked treatment medium back to the immersion tank It relates to a device for processing.

또한 본 발명은 평면형 기판, 특히 반도체 산업과 태양광 산업용 기판을 처리하기 위한 방법으로서, In addition, the present invention is a method for processing a planar substrate, in particular a substrate for the semiconductor industry and the solar industry,

a) 상기 기판은 액체 처리 매질을 통과하여 이송 방향으로 이송 중에 수평의 이송면으로 이송할 수 있도록 안내 부재에 의해 공급됨으로써 기판의 적어도 하나의 처리면이 처리 매질에 침지되고; a) the substrate is supplied by a guide member so that the substrate can be transferred to a horizontal transfer surface during transfer in the transfer direction through the liquid treatment medium so that at least one treatment surface of the substrate is immersed in the treatment medium;

b) 상기 처리 매질은 순환 장치에 의해 순환되는 방법에 관한 것이다.b) the treatment medium relates to a method in which it is circulated by means of a circulation device.

이러한 처리 장치와 방법들은 시장에 알려져 있고 예를 들면 반도체 산업과 태양광 산업에서 실리콘 패널 형태, 즉 소위 와이퍼, 실리콘 판과 유리판의 형태의 평면형 기판을 서로 다른 습식 공정 기술에 의해 처리하기 위해 이용되고 있다. 이와 관련하여, 이러한 기판의 습식 화학 에칭 처리가 특히 중요하다. These processing apparatuses and methods are known in the market and are used, for example, in the semiconductor industry and solar industry to process flat substrates in the form of silicon panels, i.e., so-called wipers, silicon plates and glass plates by different wet processing techniques. have. In this regard, wet chemical etching treatment of such a substrate is of particular importance.

또한 표면이 변형된 기판은 이송 중에 액상의 에칭 처리 매질에 의해 처리할 필요가 있다. 에칭 공정에 의해 기판의 표면은 추후 사용 목적에 맞는 필요한 특성을 얻게 된다. 이때 처리 매질을 통과하는 이송 중에 기판을 안내하는 안내 부재로서 예를 들면 이송 롤러가 사용되며 그 위에 기판이 위에 위치하게 된다. 액체 수위 아래에서 처리 매질을 통과하여 기판을 안내하는 장치는 처리 매질의 표면 위에 기판이 마치 부유하듯이 안내하여 기판의 표면을 처리 매질에 의해 습윤되지 않고 돌출하도록 한다. In addition, substrates with a deformed surface need to be treated with a liquid etching treatment medium during transfer. By the etching process, the surface of the substrate acquires the necessary properties suitable for the purpose of future use. At this time, as a guide member for guiding the substrate during transport through the processing medium, for example, a transport roller is used, and the substrate is positioned thereon. An apparatus for guiding the substrate through the treatment medium below the liquid level guides the substrate as if floating above the surface of the treatment medium, causing the surface of the substrate to protrude without being wetted by the treatment medium.

화학적 에칭 처리시 기판 위치에서 처리 매질의 조성은 전체적으로 에칭 결과의 품질을 좌우하는 결정적인 파라미터이다. 에칭 공정 중에 기판에는 직접적인 반응 산물 외에도 에칭 공정 이후의 후속 반응 중에 형성되는 반응 산물이 생성된다. 특히 기판에는 예를 들면 기판에 접촉하여 촉매 작용하는 동시에 에칭 패턴을 위해 소정의 농도 범위에서 기판에 필요한 질소산화물인 NOx가 생성된다. 상술한 기술의 공지 장치에서 침지조 내 NOx-농도는 침지조 깊이가 증가할수록 질소산화물 NOx에 대한 농도 구배(concentration gradient)는 일반적으로 감소한다.In chemical etching treatment, the composition of the treatment medium at the location of the substrate is a decisive parameter that determines the quality of the etching result as a whole. During the etching process, in addition to direct reaction products, reaction products formed during subsequent reactions after the etching process are generated in the substrate. In particular, the substrate includes, for example, in contact with the substrate catalyst is a NO x nitrogen oxide is generated at the same time necessary to the predetermined substrate concentration in the range of etching for pattern acting. Dipping tank in NO x in the known devices of the above-mentioned techniques - concentration is generally reduced to a concentration gradient (concentration gradient) for increasing the depth of the immersion tank to the nitrogen oxide NO x.

그러나 질소산화물 NOx가 기판으로부터 제거되지 않으면 기판의 가까이에서 국소적인 과포화가 일어나 기판에 불균일한 에칭 패턴이 나타난다.However, the nitrogen oxide NO x is not removed from the substrate is localized near the substrate in the supersaturated up to display the non-uniform etching pattern on the substrate.

질소산화물 NOx는 처리액으로부터 액체 수위에 제공된 분위기(atmosphere)로 유출될 수 있기 때문에 기판에서 사용한 처리 매질을 깨끗한 처리 매질로 교환하지 않으면 제조 과정 중 에칭 속도는 급감한다. 제조 과정을 중단하게 되면, 처리를 재개할 때마다 기판에서의 질소산화물 NOx 농도를 재조성하여야 하고 예를 들면 처리조의 온도와 이송 속도와 같은 다른 에칭 파라미터를 새로 조절하여야 한다.Since nitrogen oxide NO x can flow out from the treatment liquid into the atmosphere provided at the liquid level, if the treatment medium used in the substrate is not replaced with a clean treatment medium, the etching rate during the manufacturing process decreases sharply. When stop the production process, each time the resume processing to be re-composition of nitrogen oxide NO x concentration at the substrate, for example, to be a new control other parameters such as etching treatment sets of temperature and feed rate.

이로 인해 에칭 결과의 품질면에서 상당한 편차가 나타나는 동시에 처리 장치의 처리량이 감소된다.This results in significant variations in the quality of the etching results, while reducing the throughput of the processing apparatus.

침지조에서 처리 매질을 균질하게 혼합하고 이로 인해 처리 매질 내 질소산화물 NOx의 분포를 균일하게 하기 위해서 종래의 장치와 방법에서는 처리조 내 처리 매질을 순환시키는 순환 장치를 이용함으로써 반응 산물과 질소 산화물 NOx를 처리 위치로부터 제거하고 특히 처리조에서 질소 산화물 NOx를 균질하게 분포시킨다. In order to homogeneously mix the treatment medium in the immersion tank and thereby make the distribution of nitrogen oxide NO x in the treatment medium uniform, in the conventional apparatus and method, reaction products and nitrogen oxides are used by using a circulation device that circulates the treatment medium in the treatment tank. NO x is removed from the treatment site and in particular the nitrogen oxides NO x are homogeneously distributed in the treatment tank.

이와 관련하여, 순환된 처리 매질을 하부로부터 기판 방향으로 배출 장치를 통해 배출하여 순환된 처리 매질의 주성분이 2개의 인접한 안내부재 사이, 예를 들면 2개의 인접한 이송 롤러 사이의 공간 방향으로 배출시키는 것은 이미 공지되어 있다. 그러나 이 경우에는 에칭 패턴에서 국소적인 불균일성을 겪게 되고 제조 조건에서 침지 활성을 급격하게 잃게 된다. 상기 효과는 예를 들면 이송 속도 또는 침지조 온도와 같은 또 다른 공정 파라미터를 변경하고 새로이 조절하면 보상될 수 있다. 그러나 이는 제조 과정을 중단할 때마다 매번 에칭 결과를 새로이 판단할 필요가 있다. 상기 공정 제어 과정은 시간 소모적이면서 매번 더 많은 시간을 필요로 한다.In this regard, discharging the circulated treatment medium from the bottom in the direction of the substrate through the discharge device so that the main component of the circulated treatment medium is discharged in the space direction between two adjacent guide members, for example between two adjacent transfer rollers. It is already known. However, in this case, local non-uniformity is experienced in the etching pattern, and the immersion activity is rapidly lost under manufacturing conditions. This effect can be compensated for by changing and re-adjusting another process parameter such as, for example, the feed rate or the immersion bath temperature. However, it is necessary to newly judge the etching result each time the manufacturing process is stopped. The process control process is time consuming and requires more time each time.

본 발명의 목적은 처리 위치에서 사용하지 않은 처리 매질에 대해 사용한 처리 매질을 신속하면서 안전하게 교환하고 특히 처리 매질의 균질한 혼합과 이로 인해 처리조 내 질소산화물 NOx를 균일하게 분포시킬 수 있어 상술한 단점이 전혀 나타나지 않거나 적어도 감소하는 상술한 기술의 장치와 방법을 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to quickly and safely exchange the used treatment medium with respect to the treatment medium not used in the treatment location, and in particular, homogeneous mixing of the treatment medium and thereby uniformly distribute the nitrogen oxide NO x in the treatment tank. It is to provide an apparatus and method of the above-described technology in which no or at least a decrease in disadvantages is observed.

상기 목적은 상술한 기술의 장치에 있어서,The above object is in the device of the above-described technology,

d) 상기 침지조에서 이송면 아래의 높이에 배치되는 유입 부재; 및 d) an inlet member disposed at a height below the transfer surface in the immersion tank; And

e) 상기 유입 부재 아래의 높이에 배치되고 구성된 배출 노즐을 포함하며, 배출 노즐 각각은 하나의 유입 부재를 향해 처리 매질의 주성분을 배출하도록 구성된 순환 장치의 배출 장치에 의해 해결된다. e) a discharge nozzle disposed and configured at a height below the inlet member, each discharge nozzle being solved by a discharge device of a circulation device configured to discharge a main component of the treatment medium toward one inlet member.

이하, 소정의 배출 노즐로부터 배출된 처리 매질의 일부는 반드시 유입 부재로 흐를 수 있고 이때 처리 매질의 경로는 유입 부재에 의해 큰 영향을 받지 않는 것으로 이해하여야 한다. 그러나 소정의 배출 노즐로부터 배출되는 처리 매질의 주성분이 유입 부재를 향해 흘러 순환하는 처리 매질의 직접적인 경로는 유입 부재에 의해 차단된다.Hereinafter, it should be understood that a part of the treatment medium discharged from the predetermined discharge nozzle may necessarily flow to the inlet member, and at this time, the path of the treatment medium is not significantly affected by the inlet member. However, the direct path of the treatment medium in which the main component of the treatment medium discharged from the predetermined discharge nozzle flows toward the inlet member and circulates is blocked by the inlet member.

이 경우에 균질한 유동 패턴을 얻을 수 있고 처리 위치에서 처리 매질을 균일하고 효과적으로 교환함으로써 특히 처리 매질 내 질소산화물 NOx의 분포를 균질하게 할 수 있다는 것을 발견하고 본 발명을 달성하였다.It has been found in this case that a homogeneous flow pattern can be obtained, and by uniformly and effectively exchanging the treatment medium at the treatment site, in particular, the distribution of nitrogen oxides NO x in the treatment medium can be made homogeneous, and the present invention has been achieved.

이와 관련하여, 상부로부터 유입 부재의 내부 투영 형태로부터 보여지는 소정의 영역에 배출 노즐이 배치되고 각 투영 형태가 상응하는 유입 부재에 의해 한정되며 각각의 배출 노즐로부터 처리 매질이 유입 부재로 배출되는 것이 특히 바람직하다.In this regard, it is noted that the discharge nozzle is disposed in a predetermined area visible from the inner projection form of the inlet member from above, each projection form is defined by a corresponding inlet member and the treatment medium is discharged from each discharge nozzle to the inlet member. It is particularly preferred.

배출 장치가 배출구를 가진 다수 개의 노즐 스트립을 포함하고 각 배출구는 배출 노즐을 형성하는 것이 구성 기술 측면에서 바람직하다. It is preferred in terms of construction technology that the discharge device comprises a plurality of nozzle strips having discharge ports and each discharge port forms a discharge nozzle.

이러한 노즐 스트립은 서로 평행하고 기판의 이송 방향으로 배치되는 것이 바람직하다.It is preferable that these nozzle strips are parallel to each other and arranged in the conveying direction of the substrate.

이와 달리, 상기 노즐 스트립은 이송 방향에 대해 수직으로 배치될 수도 있다. Alternatively, the nozzle strip may be disposed perpendicular to the transport direction.

이에 따라 처리 매질과 함께 작동되는 모든 유입 부재에서 동일하거나 유사한 유동 효과가 나타나고, 노즐 스트립이 동일한 수평면에 배치될 때, 즉 해당 노즐 스트립로부터 유입 부재에 이르는 간격이 균일한 것이 바람직하다.It is thus desirable that the same or similar flow effect is produced in all inlet members operated with the treatment medium, and when the nozzle strips are disposed on the same horizontal plane, that is, the spacing from the nozzle strip to the inlet member is uniform.

배출 장치가 배출 노즐을 각각 구성하는 다수 개의 분리된 노즐을 포함하는 것이 바람직할 수 있다.It may be desirable for the discharge device to include a plurality of separate nozzles each constituting a discharge nozzle.

이때 상기 노즐은 개별적으로 구성되거나 2개 이상의 개별 노즐로 이루어져 순환된 처리 매질을 안내할 수 있다. 이로 인해 처리조 내 유동 분포가 또 다른 영역에서도 조절이 가능하게 된다. In this case, the nozzles may be individually configured or consist of two or more individual nozzles to guide the circulated treatment medium. This makes it possible to control the flow distribution in the treatment tank in another area.

일반적으로 배출 장치로 안내되는 순환된 처리 매질에 대한 체적 유동을 제어할 수 있는 것이 바람직하다.It is generally desirable to be able to control the volume flow for the circulated treatment medium directed to the discharge device.

상기 순환 장치는,The circulation device,

a) 모든 배출 노즐이 순환된 처리 매질을 동일한 체적 유동으로 일정하게 안내하거나; a) all discharge nozzles constantly guide the circulated treatment medium into the same volumetric flow;

b) 개별적으로 구성된 배출 노즐 또는 2개 이상으로 구성된 일군의 배출 노즐이 나머지 다른 배출 노즐 또는 2개 이상으로 구성된 나머지 다른 일군의 배출 노즐과 관계없이 처리 매질에 대해 개별적인 체적 유동을 안내하도록 구성될 수 있다.b) Individually configured discharge nozzles or a group of two or more discharge nozzles may be configured to guide individual volumetric flows to the treatment medium regardless of the remaining other discharge nozzles or the remaining set of discharge nozzles consisting of two or more. have.

후자의 경우에는 침지조 내 유동 거동을 특히 미세하게 제어할 수 있다. In the latter case, the flow behavior in the immersion tank can be particularly finely controlled.

상기 유입 부재는 이송 장치의 안내 부재에 의해 형성되는 것이 특히 유리하다. 이 경우에 추가 구성부가 전혀 필요하지 않다. 이는 상기 배출 장치의 배출 노즐이 하부로부터 이송 장치의 안내 부재를 향해 배출하는 것을 의미한다.It is particularly advantageous that the inlet member is formed by a guide member of the conveying device. No additional components are required in this case. This means that the discharge nozzle of the discharge device discharges from the bottom toward the guide member of the transfer device.

상술한 바와 같이, 상기 유입 부재는 이송 롤러로 구성되고 그 위에 기판이 위치할 수 있다. As described above, the inflow member may be configured as a transfer roller and a substrate may be positioned thereon.

상술한 기술의 방법과 관련한 목적은, The purpose related to the method of the above-described technique is:

c) 침지조 내에서 이송면 아래 높이까지 배치되어 있는 유입 부재 하부의 높이에서 유입 부재의 방향으로 순환된 처리 매질의 주성분을 배출하는 것에 의해 해결된다. c) The solution is solved by discharging the main component of the treatment medium circulated in the direction of the inlet member at a height below the inlet member disposed in the immersion tank to a height below the conveying surface.

그 장점들은 상기 처리 장치에 대해 상술한 장점들과 유사하다.Their advantages are similar to those described above for the processing device.

상기 처리 장치에 대해 상술한 바와 같이, 상기 방법은 상부로부터 유입 부재의 내부 투영 형태로부터 보여지는 소정의 영역으로부터 처리 매질이 유입 부재 각각의 방향으로 배출되고 각 투영 형태가 상응하는 유입 부재에 의해 한정되며 각각의 배출 노즐로부터 처리 매질이 유입 부재로 배출되는 것이 바람직하다.As described above with respect to the treatment apparatus, the method allows the treatment medium to be discharged in the direction of each of the inlet members from a predetermined area seen from the inner projection form of the inlet member from above, and each projection form is defined by a corresponding inlet member. It is preferred that the treatment medium is discharged from each discharge nozzle to the inlet member.

이 경우에도 상기 안내 부재가 유입 부재로서 이용되는 것이 바람직하다. Also in this case, it is preferable that the guide member is used as the inflow member.

또한 그 위에 기판이 위치하는 이송 롤러가 유입 부재로서 이용되는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that a transfer roller on which the substrate is placed is used as the inflow member.

본 발명에 따르면 처리 위치에서 사용하지 않은 처리 매질에 대해 사용한 처리 매질을 신속하면서 안전하게 교환할 수 있는 장점이 있다. 특히, 본 발명에 따르면 처리 매질의 균질한 혼합과 이로 인해 처리조 내 질소산화물 NOx를 균일하게 분포시킬 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, there is an advantage of being able to quickly and safely exchange the used treatment medium with respect to the treatment medium not used at the treatment location. In particular, according to the present invention, there is an advantage in that the treatment medium can be uniformly mixed and thus nitrogen oxide NO x can be uniformly distributed in the treatment tank.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서:
도 1은 제1 실시예에 따라 순환 장치가 구비되어 있는 평면형 기판의 처리 장치를 도시하고 있는 도 2의 I-I선을 따라 절단한 수직 단면도이고,
도 2는 도 1의 장치에서 II-II선을 따라 절단한 단면도이고,
도 3은 다수 개의 배출구를 가진 노즐 스트립의 실제 크기와 다른 단면도이고,
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 장치와 종래기술에 따른 장치의 침지 표면에서 유동 상태를 비교하기 위한 개략도이고,
도 6은 제2 실시예에 따라 평면형 기판의 처리 장치를 도시하고 있는 도 5의 VI-VI선을 따라 절단한 수직 단면도이고,
도 7은 도 4의 장치에서 VII-VII선을 따라 절단한 단면도이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawing:
1 is a vertical cross-sectional view taken along line II of FIG. 2 showing an apparatus for processing a planar substrate equipped with a circulation device according to a first embodiment;
2 is a cross-sectional view taken along line II-II in the device of FIG. 1,
3 is a cross-sectional view different from the actual size of a nozzle strip having a plurality of outlets,
4 and 5 are schematic diagrams for comparing the flow state at the immersion surface of the device according to the present invention and the device according to the prior art,
6 is a vertical cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 5 showing an apparatus for processing a planar substrate according to a second embodiment;
7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in the device of FIG. 4.

도 1 및 도 2에서 예를 들면 태양전지를 제조하기 위해 사용되는 평면형 기판의 처리 장치는 부호 2로 표시되어 있고 상기 처리 장치에서 다수 개의 실리콘 판은 부호 4로 표시되어 있다. In Figs. 1 and 2, for example, a flat substrate processing apparatus used to manufacture a solar cell is indicated by reference numeral 2, and in the processing apparatus, a plurality of silicon plates are indicated by reference numeral 4.

처리 장치(2)는 액상 처리 매질(10)에 의해 액체 수위(8)까지 채워지는 침지조(6)를 포함하고 있다. 상기 침지조는 제1 말단벽(front wall)에 수평의 유입 슬롯(12)과 대향하는 제2 말단벽에는 수평형 배출 슬롯(14)을 갖고 있다. 이송 장치(16)에 의해 실리콘 판(4)은 화살표로 표시된 이송 방향(18)으로 수평 이송 중에 처리 매질(10)을 통과함으로써 도 1, 3, 6 및 7에 도시되어 있는 수평 이송면(20)을 한정한다. 유입 슬롯(12)과 배출 슬롯(14)에는 각각 밀봉 장치(21)가 제공되어 처리 매질(10)이 바깥쪽으로 침투하지 않도록 할 수 있지만, 본 명세서에서는 더 이상 중요하게 다루지 않는다. 이러한 밀봉 장치 자체는 공지되어 있다. The treatment apparatus 2 includes an immersion tank 6 filled with a liquid treatment medium 10 to a liquid level 8. The immersion tank has a horizontal discharge slot 14 at a second end wall opposite to a horizontal inlet slot 12 at a first front wall. By means of the conveying device 16, the silicon plate 4 passes through the processing medium 10 during horizontal conveying in the conveying direction 18 indicated by the arrow, thereby causing the horizontal conveying surface 20 shown in FIGS. 1, 3, 6 and 7 ). Each of the inlet slots 12 and outlet slots 14 may be provided with a sealing device 21 to prevent the treatment medium 10 from penetrating outward, but this is no longer considered important in this specification. Such sealing devices themselves are known.

액체 수위(8)는 예를 들면 0.1 내지 10 밀리미터로 실리콘 판(4)의 상면(22)의 상부에 가까이 있다. 본 실시예에서 실리콘 판(4)은 침지조(6)를 통과할 때 처리 매질(10)에 완전히 침지된다. The liquid level 8 is, for example, 0.1 to 10 millimeters close to the top of the upper surface 22 of the silicon plate 4. In this embodiment, the silicon plate 4 is completely immersed in the treatment medium 10 as it passes through the immersion tank 6.

이를 위해서 이송 장치(16)는 안내 부재로서 하부 이송 롤러(24)를 포함하고 상기 이송 롤러 위에서는 실리콘 판(4)의 하면(26)은 처리 매질(10)과 접촉하면서 이송된다. 하면(26)은 에칭 처리에 의해 처리되는 실리콘 판(4)의 처리면이다. For this purpose, the conveying device 16 includes a lower conveying roller 24 as a guide member, and on the conveying roller, the lower surface 26 of the silicon plate 4 is conveyed while in contact with the processing medium 10. The lower surface 26 is a processed surface of the silicon plate 4 processed by an etching treatment.

안내 부재로서 이송 롤러(24) 대신에 또 다른 구조, 예를 들면 단순한 미끄럼 부재가 제공될 수도 있는 바, 상기 미끄럼 부재 위에 실리콘 판(4)을 위치시키고 처리 매질(10)을 통해 실리콘 판(4)이 밀림 이동된다.In place of the conveying roller 24 as a guiding member another structure, for example a simple sliding member, may also be provided, placing the silicon plate 4 on the sliding member and passing the silicon plate 4 through the processing medium 10. ) Is moved in the jungle.

일 변형예에 의하면, 실리콘 판(4)의 처리면(26)은 처리 매질(10) 내 침지되는 반면에, 상면(22)은 처리 매질(10)에 습윤되지 않고 처리 매질(10)의 분위기 위로 돌출되도록 한다. 이 경우에는 처리 매질(10)의 액체 수위(8)는 적절히 더 낮아진다.According to a variant, the treatment surface 26 of the silicon plate 4 is immersed in the treatment medium 10, while the upper surface 22 is not wetted by the treatment medium 10 and the atmosphere of the treatment medium 10 Make it protrude upward. In this case, the liquid level 8 of the treatment medium 10 is suitably lowered.

본 실시형태에서 이송 장치(16)는 실리콘 판(4)의 상면(22)에서 롤링되지 않는 상부 이송 롤러(28)를 더 포함한다. 이 경우에, 제2 하부 이송 롤러(24) 각각은 상부 이송 롤러(28)에 대향 배치되어 실리콘 판(4)이 롤러 쌍(24, 28) 사이에 수용되도록 한다. 도면에서는 이송 롤러(24, 28)에는 몇 개의 도면 부호만이 제공되어 있다. 도 2에서 이송 롤러(28, 24)는 반투명하게 도시되어 있다.In this embodiment, the conveying device 16 further includes an upper conveying roller 28 that is not rolled on the upper surface 22 of the silicon plate 4. In this case, each of the second lower conveying rollers 24 is disposed opposite to the upper conveying roller 28 so that the silicon plate 4 is accommodated between the pair of rollers 24 and 28. In the drawings, only a few reference numerals are provided to the conveying rollers 24 and 28. In FIG. 2 the conveying rollers 28 and 24 are shown translucent.

하부 및 상부 이송 롤러(24, 28)는 이송 방향(18)에 대해 횡방향인 수평 방향으로 연장되어 있고 그 일측은 침지조(6)의 외부에 있는 지지 블록(30)에 지지되어 있다. 상부 이송 롤러(28)는 도면에 구체적으로 도시되어 있지 않은 하나 이상의 모터에 의해 구동될 수 있다. The lower and upper conveying rollers 24 and 28 extend in a horizontal direction transverse to the conveying direction 18 and one side thereof is supported by a support block 30 outside of the immersion tank 6. The upper transfer roller 28 may be driven by one or more motors not specifically shown in the drawings.

이송 롤러(28)는 실리콘 판(4)이 하부 이송 롤러(24) 위에 항상 위치하도록 하는 동시에 실리콘 판(4)이 위쪽으로 돌출하지 않도록 한다. 상부 운반 롤러(20)는 소정의 원주방향으로 수직 이동할 수 있도록 설치되어 있다. 경우에 따라서 예를 들면 이송 롤러(28)는 유연하거나 수직으로 이동할 수 있도록 설치되어 있다. 이러한 형태에 의해 상부 이송 롤러(28)는 수직 위치에서 실리콘 판(4)의 국소적인 두께 차이에 대해 적절히 대응할 수 있게 된다.The transfer roller 28 ensures that the silicon plate 4 is always positioned above the lower transfer roller 24 and at the same time prevents the silicon plate 4 from protruding upward. The upper conveying roller 20 is installed to vertically move in a predetermined circumferential direction. In some cases, for example, the transfer roller 28 is installed to be flexible or vertically movable. With this configuration, the upper conveying roller 28 can appropriately respond to the local thickness difference of the silicon plate 4 in the vertical position.

위에서 논의한 침지조(6) 내 처리 매질(10)의 균일한 혼합과 이로 인한 질소산화물 NOx의 균일한 혼합을 위해서 처리 장치(2)는 순환 장치(32)를 포함한다. 순환 장치(32)에 의해 이송 롤러(24, 28)의 영역으로부터 처리 매질(10)이 흡입되고 아래로부터 침지조(6) 안에 있는 처리 매질(10)로 다시 배출된다. The treatment device 2 includes a circulation device 32 for uniform mixing of the treatment medium 10 in the immersion tank 6 discussed above and thus the nitrogen oxide NO x . The treatment medium 10 is sucked from the area of the conveying rollers 24 and 28 by the circulation device 32 and discharged back to the treatment medium 10 in the immersion tank 6 from below.

이를 위해서 순환 장치(32)는 침지조(6)로부터 처리 매질(10)을 흡입하는 흡입 장치(34)와 상기 흡입된 처리 매질을 재차 침지조(6)로 배출하는 배출 장치(36)를 포함한다. For this purpose, the circulation device 32 includes a suction device 34 for sucking the treatment medium 10 from the immersion tank 6 and a discharge device 36 for discharging the sucked treatment medium to the immersion tank 6 again. do.

본 실시예에서, 상기 순환 장치에 포함된 흡입 장치(34)는 소위 유동 박스(38)의 형태로 제공될 수 있다. 상기 흡입 장치는 다수 개의 흡입 연결관(40) -본 실시예에서는 3개의 흡입 연결관(40)-을 통해 내부에 하부 이송 롤러(24)가 배치되어 있는 처리조의 영역으로부터 처리 매질(10)을 흡입한다. 따라서 유동 박스(38)도 침지조의 영역으로부터 실리콘 판(4)의 하면(26) 가까이에 있는 처리 매질(10)까지 흡입한다. In this embodiment, the suction device 34 included in the circulation device may be provided in the form of a so-called flow box 38. The suction device transfers the treatment medium 10 from the area of the treatment tank in which the lower transfer roller 24 is disposed therein through a plurality of suction connection pipes 40-three suction connection pipes 40 in this embodiment. Inhale. Accordingly, the flow box 38 also sucks from the area of the immersion tank to the treatment medium 10 near the lower surface 26 of the silicon plate 4.

유동 박스(38)는 흡입된 처리 매질(10)을 다수 개의 배출 노즐(44)을 가진 노즐 스트립(42)을 포함하는 배출 장치(36)로 운반되는 바, 상기 배출 노즐은 각각 노즐 스트립(42)에 있는 배출구(46)에 구성된다. 도면에는 단지 몇 개의 노즐 스트립(42), 배출 노즐(44)과 배출구(46) 만이 도면 부호로 표시되어 있다. The flow box 38 conveys the sucked treatment medium 10 to a discharge device 36 comprising a nozzle strip 42 having a plurality of discharge nozzles 44, wherein the discharge nozzles each have a nozzle strip 42 ) Is configured in the outlet (46). In the figures, only a few nozzle strips 42, discharge nozzles 44 and outlets 46 are indicated by reference numerals.

노즐 스트립(42)과 이에 따른 배출 노즐(44)은 하부 이송 롤러(24) 아래의 높이까지 배치되고 배출 노즐(44) 각각이 화살표에 의해 구체적으로 표시된 순환 처리 매질(10)의 주성분(48)을 각각 해당하는 하부 이송 롤러(24)로 배출하도록 적절히 구성된다.The nozzle strip 42 and thus the discharge nozzle 44 are arranged to a height below the lower conveying roller 24 and each of the discharge nozzles 44 is the main component 48 of the circulation treatment medium 10 specifically indicated by an arrow. It is suitably configured to discharge to the respective lower transfer roller 24.

상술한 바와 같이, 이하에서는 소정의 배출 노즐(44)로부터 배출되는 처리 매질(10)의 성분이 하부 이송 롤러(24)의 상부 영역으로 흐르고 그 결과 실리콘 판(4)까지 흐르되 배출 노즐(44) 위의 하부 이송 롤러(24)에는 도달하지 않는 것으로 이해하여야 한다. 그러나 소정의 배출 노즐(44)로부터 배출되는 처리 매질(10)의 주성분(48)은 하부 이송 롤러(24)를 향해 흘러 실리콘 판(4)까지 순환 처리 매질(10)의 직접적인 경로가 하부 이송 롤러(24)에 의해 차단된다. As described above, hereinafter, the components of the treatment medium 10 discharged from the predetermined discharge nozzle 44 flow to the upper region of the lower transfer roller 24, and as a result, flow to the silicon plate 4, but the discharge nozzle 44 ) It should be understood that it does not reach the lower transfer roller 24 above. However, the main component 48 of the treatment medium 10 discharged from the predetermined discharge nozzle 44 flows toward the lower transfer roller 24 and the direct path of the circulation treatment medium 10 to the silicon plate 4 is the lower transfer roller. Blocked by (24).

이와 관련하여, 본 실시예에서 상부로부터 하부 이송 롤러(24)의 것에 의해 정의되는 하부 이송 롤러(24)의 내부 투영 형태로부터 보여지는 소정의 영역에 배출 노즐(44)이 배치되고 소정의 배출 노즐(44)로부터 처리 매질(10)이 하부 이송 롤러(24)로 배출되도록 배치된다. 도 1에는 이송 롤러(24) 중 하나의 투영 형태가 파선에 의해 50으로 표시되어 있다. 이에 의해, 배출 노즐(44)을 이송 롤러(24)의 하부에서 적절한 간격으로 배치시켜 배출 노즐(44)로부터 소정의 하부 이송 롤러(24)에 도달하는 처리 매질의 각도를 항상 상대적으로 크게 유지할 수 있다. In this regard, the discharge nozzle 44 is disposed in a predetermined area as seen from the internal projection form of the lower transfer roller 24 defined by the lower transfer roller 24 from the top in this embodiment, and It is arranged so that the treatment medium 10 from 44 is discharged to the lower conveying roller 24. In Fig. 1, the projection shape of one of the transfer rollers 24 is indicated by a broken line at 50. Thereby, the discharging nozzle 44 is disposed at an appropriate interval under the transfer roller 24 so that the angle of the treatment medium reaching the predetermined lower transfer roller 24 from the discharging nozzle 44 can always be kept relatively large. have.

그러나 처리 장치(2)의 구체적으로 도시되어 있지 않은 일 변형예에 의하면, 순환 처리 매질(10)의 주성분(48)이 하부 이송 롤러(24) 각각에 대한 상술한 의미가 적용되는 한, 이송 롤러(24)의 투영 형태(50)의 외부에 배출 노즐(44)의 일부 또는 전부가 배치될 수도 있다. However, according to a modified example not specifically shown of the treatment device 2, as long as the main component 48 of the circulating treatment medium 10 applies the above-described meaning for each of the lower conveying rollers 24, the conveying rollers A part or all of the discharge nozzle 44 may be disposed outside the projection form 50 of (24).

또한 이송 롤러(24) 각각의 하부에는 하나 이상의 배출 노즐(44)이 제공되어서는 안 되며; 순환된 처리 매질(10)로부터 유입되지 않는 이송 롤러(24)가 형성될 수도 있다. 이에 따라 예를 들면 단지 제2 또는 제3 하부 이송 롤러(24)에만 배출 노즐(44)이 각각 마련될 수 있다. Also, one or more discharge nozzles 44 should not be provided under each of the conveying rollers 24; A transfer roller 24 may be formed that does not flow in from the recycled treatment medium 10. Accordingly, for example, only the second or third lower transfer rollers 24 may be provided with the discharge nozzles 44, respectively.

일반적으로 이송면(20)의 하부에서 침지조(6) 안에 배치되고 배출 노즐(44)로부터 처리 매질(10)의 주성분(48)이 배출되는 유입 부재는 이송 롤러(24)에 의해 구성된다. 일 변형예에서 유입 부재는 침지조(6) 안에 별도의 구성부로서 제공될 수도 있다. 도 1에는 파선으로 표시되어 있고 이송 롤러(24)의 하부에 배치되어 있는 유입 부재(51)가 구체화되어 있다. 이러한 별도의 유입 부재(51)의 기하구조는 다양할 수 있다. 일반적으로 별도의 유입 부재(51) 또는 예를 들면 이송 롤러(24)와 같은 안내 부재가 기판의 이송면(20) 아래의 높이까지 배치되고 상기 유입 부재 아래의 높이까지 배출 노즐(44)이 제공되는 것을 의미할 수 있다. 또한 투영 형태(50)가 일반적으로 유입 부재(51) 각각의 투영 형태에 대략 상응하는 의미일 수 있다. In general, an inlet member disposed in the immersion tank 6 at the lower portion of the conveying surface 20 and through which the main component 48 of the treatment medium 10 is discharged from the discharge nozzle 44 is constituted by a conveying roller 24. In one variation, the inlet member may be provided as a separate component in the immersion tank 6. In FIG. 1, the inlet member 51, which is indicated by a broken line and is disposed under the conveying roller 24, is specified. The geometry of the separate inlet member 51 may vary. In general, a separate inlet member 51 or a guide member such as, for example, a transfer roller 24 is arranged to a height below the transfer surface 20 of the substrate, and a discharge nozzle 44 is provided to a height below the inlet member. It can mean being. In addition, the projection shape 50 may generally have a meaning substantially corresponding to the projection shape of each of the inlet members 51.

이하에서는 유입 부재로서 이송 롤러(24)를 예를 들어지만, 별도의 유입 부재에 대해 준용하여 설명할 수 있다.Hereinafter, the conveying roller 24 is used as an inflow member, but a separate inflow member may be applied mutatis mutandis.

도 3에는 상부에 실리콘 판(4)이 배치된 이송 롤러(24)의 상부와 함께 노즐 스트립(42)의 단면을 식별하기 위해서 실제 크기와는 다른 처리 장치(2)의 단면이 도시되어 있다. 각각의 이송 롤러(24) 하부에 있는 노즐 스트립(42)에는 다수 개의 배출구(46)가 해당 이송 롤러(24)의 길이 방향으로 노즐 스트립(42)의 주변에 분포되어 있어 처리 매질이 해당 이송 롤러(24)의 길이 방향으로 연장된 부채살 형태로 배출된다. 이는 도 3에서 화살표에 의해 도시되어 있지만, 배출구(46)가 모두 부호로 표시되어 있지는 않다. 3 shows a cross section of the processing apparatus 2 different from its actual size in order to identify the cross section of the nozzle strip 42 together with the top of the transfer roller 24 with the silicon plate 4 disposed thereon. In the nozzle strip 42 under each transfer roller 24, a plurality of outlets 46 are distributed around the nozzle strip 42 in the longitudinal direction of the transfer roller 24, so that the treatment medium is transferred to the corresponding transfer roller. It is discharged in the form of a fan extending in the length direction of (24). This is shown by the arrows in Fig. 3, but not all outlets 46 are marked with symbols.

배출구(46)의 개수는 매우 다양할 수 있다. 경우에 따라 도 2의 노즐 스트립(42)에 도시되어 있는 바와 같이 몇 개의 배출구(46) 만이 제공될 수도 있다. 배출구(46)의 최대 수는 노즐 스트립(42)의 직경과 배출구(46) 각각의 직경과 간격에 따라 달라질 수 있다. The number of outlets 46 can vary widely. In some cases, only a few outlets 46 may be provided as shown in the nozzle strip 42 of FIG. 2. The maximum number of outlets 46 may vary depending on the diameter of the nozzle strip 42 and the diameter and spacing of each of the outlets 46.

실제로 다수의 배출구(46)가 160°의 각도 범위, 즉 수직선 V를 중심으로 각각 80°로 2개의 방향으로 분포 배치될 때 특히 유리한 것으로 밝혀졌다. 그러나 상기 각도 범위는 더 작을 수도 있는바, 예를 들면 120°일 수 있다. 경우에 따라 소정의 장치에 대해 특히 효과적인 배출구(46)의 배치는 실험을 통한 통상적인 수단에 의해 결정될 수 있다. In fact, it has been found to be particularly advantageous when a plurality of outlets 46 are distributed in two directions with an angular range of 160°, that is, 80° each about a vertical line V. However, the angular range may be smaller, for example, 120°. In some cases the arrangement of the outlet 46 which is particularly effective for a given device can be determined by conventional means through experimentation.

각각의 배출 노즐(44) 중 하나로부터 순환된 처리 매질(10)이 하부 이송 롤러(24)에 도달하면, 흐름이 전체적으로 균일하게 되고 배출 노즐(44)로부터 상방으로 흐르는 처리 매질(10)에 존재하는 난류가 방지된다. When the treatment medium 10 circulated from one of the discharge nozzles 44 reaches the lower transfer roller 24, the flow becomes uniform as a whole and is present in the treatment medium 10 flowing upward from the discharge nozzle 44. Turbulence is prevented.

이로 인해 순환된 처리 매질(10)은 실리콘 판(4)의 하면(26)에서 에칭 처리 위치로 균질하게 흐르게 되고 실리콘 판(4)의 영역과 처리 매질(10)의 액체 수위(8)에서 전체적으로 균질한 흐름 패턴을 형성한다. 이에 대해서 도 4와 도 5를 참고하여 구체적으로 설명한다. As a result, the circulated treatment medium 10 flows homogeneously from the lower surface 26 of the silicon plate 4 to the etching treatment position, and the whole area of the silicon plate 4 and the liquid level 8 of the treatment medium 10 It forms a homogeneous flow pattern. This will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4에서는 처리 장치(2)에서 나타나는 액체 수위(8)에서의 유동 패턴을 볼 수 있고; 도 5는 시판 중의 처리 장치(A)로서 이송 롤러(T) 사이에서 순환된 처리 매질(M)을 흐르게 할 때 나타날 수 있는 액체 수위(S)에서 처리 매질(M)의 유동 패턴을 보여주고 있다.In Fig. 4 the flow pattern at the liquid level 8 can be seen as seen in the treatment device 2; 5 shows a flow pattern of the treatment medium M at the liquid level S that may appear when flowing the treatment medium M circulated between the transfer rollers T as a commercially available treatment device A. .

후자의 경우에는 실리콘 판(4)이 경로를 차단하지 않을 때 순환된 처리 매질(M)은 직접적인 경로로 액체 수위(S)까지 흐르게 된다. 그러면, 액체 수위(S)에서 상부 방향으로 강하면서 직접적인 흐름에 의해 "버섯 모양의 흐름"(P)가 형성되고, 그 내부에는 원치 않는 에칭 산물과 반응 산물이 국소적으로 쌓일 수 있고, 에칭 부위, 즉 실리콘 판의 하면에서 처리 매질의 조성에 영향을 주게 되어 원하는 에칭 패턴의 품질을 얻지 못하게 된다. In the latter case, when the silicon plate 4 does not block the path, the circulated treatment medium M flows to the liquid level S in a direct path. Then, a "mushroom-like flow" (P) is formed by a strong and direct flow upward from the liquid level (S), and unwanted etching products and reaction products may locally accumulate, and the etching site That is, the composition of the processing medium is affected on the lower surface of the silicon plate, and thus the desired etching pattern quality cannot be obtained.

나아가 도 4에서는 노즐 스트립(42)이 구비된 배출 장치(36)를 통해 균질한 유동 패턴이 얻어지고 처리 매질(10)의 액체 수위(8)에서 완만한 난류가 형성되어 상부 이송 롤러(28) 사이에서는 매우 약한 흐름(52)만이 나타난다. 처리 매질(10)은 침지조(6)에서 균일하게 순환되고 질소산화물 NOx는 처리 매질(10) 내에서 균질하게 분포되어 상술한 바와 같이 매우 높은 에칭 균질성이 얻어진다.Further, in FIG. 4, a homogeneous flow pattern is obtained through the discharge device 36 equipped with the nozzle strip 42, and gentle turbulence is formed at the liquid level 8 of the treatment medium 10, so that the upper transfer roller 28 Only a very weak flow 52 appears between them. Treatment medium 10 is uniformly circulated in the immersion tank (6), nitrogen oxide NO x is obtained a very high etch uniformity, as is homogeneously distributed in the process medium (10) above.

유동 박스(38)에 의해 각각의 노즐 스트립(42)에 공급된 순환 처리 매질(10)은 노즐 스트립(42) 통과하고 노즐 스트립(42)에 제공된 배출구(46)로부터 빠져 나가게 된다. 유동 박스(38)로부터 배출 장치(36)로 안내되는 순환된 처리 매질(10)의 체적 유동은 조절될 수 있다. 이와 관련하여 유동 박스(38)는 항상 동일한 체적 유동을 가진 순환된 처리 매질(10)이 모든 노즐 스트립(42)에 안내되도록 적절히 구성된다. 이와 달리 유동 박스(38)는 노즐 스트립(42) 각각이 나머지 다른 노즐 스트립(42)과 관계없이 개별적으로 처리 매질(10)의 체적 유동을 안내하도록 적절히 구성될 수 있다. The circulation treatment medium 10 supplied to each nozzle strip 42 by the flow box 38 passes through the nozzle strip 42 and exits from the outlet 46 provided in the nozzle strip 42. The volume flow of the circulated treatment medium 10 guided from the flow box 38 to the discharge device 36 can be regulated. In this connection the flow box 38 is suitably configured such that the circulated treatment medium 10 with the same volume flow at all times is guided to all the nozzle strips 42. Alternatively, the flow box 38 may be suitably configured such that each of the nozzle strips 42 individually guides the volume flow of the treatment medium 10 independently of the other nozzle strips 42.

실리콘 판(4)은 일반적으로 사용할 표면이 배치되는 소위 트랙으로 분할된다. 실제로 배출 노즐(44) 각각은 트랙에 대해 평행하게 일렬로 배치되어 노즐 스트립(42)이 트랙과 이송 방향(18)에 대해 평행하게 배치되고 서로 동일한 수평면에 배치되는 것이 특히 유리한 것으로 밝혀졌다. 그러나, 구체적으로 도시되어 있지 않은 일 변형예에서는 노즐 스트립(42)이 예를 들면 하부 이송 롤러(24)에 평행할 수도 있고 이송 방향(18)에 대해서는 수직으로 연장될 수 있어 소정의 이송 롤러(24) 아래에 노즐 스트립(42)이 제공되고 상기 노즐 스트립의 배출 노즐(44)이 순환된 처리 매질(10)의 모든 주성분(48)을 소정의 이송 롤러(24)까지 배출할 수 있다.The silicon plate 4 is generally divided into so-called tracks on which the surfaces to be used are arranged. In practice it has been found to be particularly advantageous that each of the discharge nozzles 44 is arranged in a row parallel to the track so that the nozzle strips 42 are arranged parallel to the track and the conveying direction 18 and are arranged in the same horizontal plane with each other. However, in a modified example that is not specifically shown, the nozzle strip 42 may be parallel to, for example, the lower conveying roller 24 and may extend vertically with respect to the conveying direction 18, so that a predetermined conveying roller ( 24) A nozzle strip 42 is provided below, and the discharge nozzle 44 of the nozzle strip can discharge all the main components 48 of the circulated treatment medium 10 to a predetermined transfer roller 24.

도 6 및 도 7에는 제2실시예로서 변형된 처리 장치(2')가 도시되어 있다. 도 1 내지 도 4에 따른 처리 장치(2)와 동일한 부품과 구성요소에 대해서 동일한 도면 부호로 표시하였고 처리 장치(2)에 대해 설명한 내용이 동일하게 적용된다.6 and 7 show a processing apparatus 2'modified as a second embodiment. The same components and components as those of the processing apparatus 2 according to FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and the description of the processing apparatus 2 applies equally.

처리 장치(2)와 처리 장치(2')의 차이점은 변형된 배출 장치(36)이다. 배출 노즐(44)은 개별적인 노즐(54)에 의해 형성되어 있고, 일부만이 도면 부호로 표시되어 있는 별도의 안내관(56)을 통해 유동 박스(38)와 결합되어 있다. 이러한 방식으로, 순환된 처리 매질(10)은 개별적으로 유동 박스(38)로부터 노즐(54)에 안내될 수 있다. The difference between the treatment device 2 and the treatment device 2'is the modified discharge device 36. The discharge nozzle 44 is formed by an individual nozzle 54 and is coupled to the flow box 38 through a separate guide tube 56, which is only partially indicated by reference numerals. In this way, the circulated treatment medium 10 can be individually guided from the flow box 38 to the nozzle 54.

구체적으로 도시되지 않은 일 변형예에서 순환된 처리 매질(10)은 경우에 따라 공동 안내관을 통해 2개 이상의 개별 노즐(54)을 가진 일군의 노즐(54)에 안내될 수도 있다. In a variation not specifically shown, the circulated treatment medium 10 may be guided to a group of nozzles 54 having two or more individual nozzles 54 through a common guide tube, if necessary.

나아가 개별 노즐(54)은 처리 장치(2)에 제공되어 있는 바와 같이 하나 이상의 노즐 스트립(42)과 조합하여 사용될 수도 있다.Furthermore, individual nozzles 54 may be used in combination with one or more nozzle strips 42 as provided in the treatment device 2.

Claims (16)

a) 액체 수위(8)까지 액체 처리 매질(10)이 채워지는 침지조(6);
b) 처리 매질(10)을 통과하여 이송 방향(18)으로 수평의 이송면(20)으로 이송할 수 있도록 안내 부재(24)에 의해 기판(4)을 공급함으로써 기판(4)의 적어도 하나의 처리면(26)을 처리 매질(10)에 침지시키는 이송 장치(16); 및
c) 침지조(6)에서 처리 매질(10)을 순환시킬 수 있고 처리 매질(10)을 침지조(6)로부터 흡입하는 흡입 장치(34)와 흡입된 처리 매질(10)을 침지조(6)로 다시 배출하는 배출 장치(36)를 포함하는 순환 장치(32)가 구비된, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치로서,
d) 유입 부재(24; 51)가 침지조(6)에서 이송면(20) 아래의 높이에 배치되고;
e) 순환 장치(32)의 배출 장치(36)가 유입 부재(24; 51) 아래의 높이에 배치된 배출 노즐(44) 포함하며, 배출 노즐(44) 각각은 하나의 유입 부재(24; 51)를 향해 처리 매질(10)의 주성분(48)을 배출하도록 구성되고,
상기 배출 노즐이 상부로부터 유입 부재(24; 51)의 내부 투영 형태(50)로부터 보여지는 소정의 영역에 배치되고 각 투영 형태(50)가 상응하는 유입 부재(24; 51)에 의해 한정되며 각각의 배출 노즐(44)로부터 처리 매질(10)이 유입 부재로 배출되는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. a) an immersion tank 6 in which the liquid treatment medium 10 is filled up to the liquid level 8;
b) By supplying the substrate 4 by the guide member 24 so that it can be transferred to the horizontal transfer surface 20 in the transfer direction 18 through the treatment medium 10, at least one of the substrate 4 A transfer device 16 for immersing the treatment surface 26 in the treatment medium 10; And
c) In the immersion tank 6, the treatment medium 10 can be circulated and the suction device 34 for sucking the treatment medium 10 from the immersion tank 6 and the sucked treatment medium 10 are placed in the immersion tank 6 A device for processing planar substrates during transfer, provided with a circulation device 32 including a discharge device 36 for discharging back to ),
d) the inlet member 24; 51 is disposed at a height below the conveying surface 20 in the immersion tank 6;
e) The discharge device 36 of the circulation device 32 comprises a discharge nozzle 44 arranged at a height below the inlet member 24; 51, each discharge nozzle 44 having one inlet member 24; 51 It is configured to discharge the main component 48 of the treatment medium 10 towards ),
The discharge nozzle is disposed in a predetermined area viewed from the inner projection form 50 of the inlet member 24; 51 from above and each projection form 50 is defined by a corresponding inlet member 24; 51, respectively Apparatus for processing a planar substrate during transfer, characterized in that the treatment medium 10 is discharged from the discharge nozzle 44 of the inlet member. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 배출 장치(36)가 배출구(46)를 구비한 다수 개의 노즐 스트립(42)을 포함하되, 각 배출구(46)는 배출 노즐(44)을 형성하는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. The method according to claim 1, characterized in that the discharge device (36) comprises a plurality of nozzle strips (42) having a discharge port (46), each discharge port (46) forming a discharge nozzle (44), during transport Apparatus for processing planar substrates. 청구항 3에 있어서, 노즐 스트립(42)이 서로 평행하고 실리콘 판(4)의 이송 방향(18)으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. Device according to claim 3, characterized in that the nozzle strips (42) are parallel to each other and are arranged in the transfer direction (18) of the silicon plate (4). 청구항 3에 있어서, 노즐 스트립(42)이 이송 방향(18)에 대해 수직으로 배치되는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. 4. Device according to claim 3, characterized in that the nozzle strip (42) is arranged perpendicular to the conveying direction (18). 청구항 4에 있어서, 노즐 스트립(42)이 동일한 수평면에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. Device according to claim 4, characterized in that the nozzle strips (42) are arranged on the same horizontal plane. 청구항 1에 있어서, 배출 장치(36)가 각각 배출 노즐(44)을 구성하는 다수 개의 개별적인 노즐(54)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. Device according to claim 1, characterized in that the ejection device (36) comprises a plurality of individual nozzles (54) each constituting an ejection nozzle (44). 청구항 7에 있어서, 개별적으로 구성된 노즐(54) 또는 2개 이상으로 이루어진 일군의 노즐(54)로 순환된 처리 매질(10)이 안내되는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. The apparatus according to claim 7, characterized in that the circulated treatment medium (10) is guided by individually configured nozzles (54) or a group of nozzles (54) consisting of two or more. 청구항 1에 있어서, 배출 장치(36)로 안내되는 순환된 처리 매질(10)의 체적 유동이 조절 가능한 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. Device according to claim 1, characterized in that the volume flow of the circulated treatment medium (10) guided to the discharge device (36) is adjustable. 청구항 1에 있어서,
순환 장치(32)가
a) 모든 배출 노즐(44)이 순환된 처리 매질(10)을 동일한 체적 유동으로 일정하게 안내하거나;
b) 개별적으로 구성된 배출 노즐(44) 또는 2개 이상으로 구성된 일군의 배출 노즐(44)이 나머지 다른 배출 노즐(44) 또는 2개 이상으로 구성된 나머지 다른 일군의 배출 노즐(44)과 관계없이 처리 매질에 대해 개별적인 체적 유동을 안내하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. The method according to claim 1,
The circulation device 32
a) all of the discharge nozzles 44 constantly guide the circulated treatment medium 10 to the same volumetric flow;
b) Individually configured discharge nozzles 44 or a group of discharge nozzles 44 composed of two or more are treated independently of the other discharge nozzles 44 or the other set of discharge nozzles 44 composed of two or more Apparatus for processing a planar substrate during transport, characterized in that it is configured to guide individual volume flows with respect to a medium. 청구항 1에 있어서, 유입 부재(24)가 이송 장치(16)의 안내 부재(24)에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. Device according to claim 1, characterized in that the inflow member (24) is constituted by a guide member (24) of the conveying device (16). 청구항 11에 있어서, 유입 부재(24)가 이송 롤러(24)로서 구성되고 그 위에 기판(4)이 위치하는 것을 특징으로 하는, 이송 중의 평면형 기판을 처리하기 위한 장치. 12. Apparatus according to claim 11, characterized in that the inlet member (24) is configured as a transfer roller (24) and on which the substrate (4) is located. a) 기판(4)이 액체 처리 매질(10)을 통과하여 이송 방향(18)으로 이송 중에 수평의 이송면(20)으로 이송할 수 있도록 안내 부재(24)에 의해 공급됨으로써 기판(4)의 적어도 하나의 처리면(26)이 처리 매질(10)에 침지되고;
b) 처리 매질(10)이 순환 장치(32)에 의해 순환되는 평면형 기판을 처리하는 방법으로서,
c) 순환된 처리 매질(10)의 주성분(48)이 유입 부재(24; 51) 아래의 높이로부터 유입 부재(24; 51) 방향으로 배출되고 유입 부재(24; 51)가 침지조(6) 내에서 이송면(20) 아래의 높이까지 배치되고,
상부로부터 유입 부재(24)의 투영 형태(50)로부터 보여지는 소정의 영역으로부터 처리 매질(10)이 유입 부재(24) 각각의 방향으로 배출되고 각 투영 형태(50)가 상응하는 유입 부재(24)에 의해 한정되며 처리 매질(10)이 유입 부재(24)로 배출되는 것을 특징으로 하는, 평면형 기판을 처리하는 방법.a) The substrate 4 is supplied by the guide member 24 so that the substrate 4 can pass through the liquid treatment medium 10 and be transferred to the horizontal transfer surface 20 during transfer in the transfer direction 18. At least one treatment surface 26 is immersed in the treatment medium 10;
b) A method of treating a planar substrate in which the treatment medium 10 is circulated by the circulation device 32,
c) The main component 48 of the circulated treatment medium 10 is discharged from a height below the inlet member 24; 51 in the direction of the inlet member 24; 51, and the inlet member 24; 51 is the immersion tank 6 Arranged to the height below the conveying surface 20 within
The treatment medium 10 is discharged in each direction of the inlet member 24 from a predetermined area viewed from the projection form 50 of the inlet member 24 from above, and each projection form 50 is a corresponding inlet member 24 ) And characterized in that the treatment medium 10 is discharged to the inlet member 24. 삭제delete 청구항 13에 있어서, 유입 부재(24)로서 안내 부재(24)가 사용되는 것을 특징으로 하는, 평면형 기판을 처리하는 방법.Method according to claim 13, characterized in that a guide member (24) is used as the inflow member (24). 청구항 15에 있어서, 이송 롤러(24)가 유입 부재(24)로서 사용되고 그 위에 기판(4)이 위치하는 것을 특징으로 하는, 평면형 기판을 처리하는 방법.Method according to claim 15, characterized in that a transfer roller (24) is used as the inlet member (24) and the substrate (4) is located thereon.
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