KR102173045B1 - Organic light emitting devices - Google Patents

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Abstract

BEDT-TTF를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다.An organic light-emitting device including BEDT-TTF is disclosed.

Description

유기 발광 소자{Organic light emitting devices}Organic light emitting devices TECHNICAL FIELD

본 발명의 실시예들은 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 더 상세하게는 비스(에틸렌디티오)-테트라티아풀발렌 (BEDT-TTF)를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. Embodiments of the present invention relate to an organic light-emitting device, and more particularly, to an organic light-emitting device including bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene (BEDT-TTF).

유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.An organic light-emitting device is a self-luminous device that has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and is capable of multicolorization.

일예에 따르면, 유기 발광 소자는, 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재된 발광층을 포함할 수 있다. 상기 애노드와 발광층 사이에는 정공 수송 영역이 구비될 수 있고, 상기 발광층과 캐소드 사이에는 전자 수송 영역이 구비될 수 있다. 상기 애노드로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.According to an example, the organic light emitting device may include an anode, a cathode, and an emission layer interposed between the anode and the cathode. A hole transport region may be provided between the anode and the emission layer, and an electron transport region may be provided between the emission layer and the cathode. Holes injected from the anode move to the emission layer via the hole transport region, and electrons injected from the cathode move to the emission layer via the electron transport region. Carriers such as holes and electrons recombine in the emission layer region to generate excitons. Light is generated as the excitons change from an excited state to a ground state.

본 발명의 실시예는 구동 전압이 낮고, 높은 효율을 갖는 유기 발광 소자를 제공한다.An embodiment of the present invention provides an organic light-emitting device having a low driving voltage and high efficiency.

본 발명의 일 측면에 따르면, 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 대역; 을 포함하고, 상기 전자 수송 대역은 비스(에틸렌디티오)-테트라티아풀발렌 (BEDT-TTF)를 포함하는 유기 발광 소자가 제공된다.According to an aspect of the present invention, a first electrode; A second electrode facing the first electrode; A light emitting layer interposed between the first electrode and the second electrode; And an electron transport band interposed between the emission layer and the second electrode. Including, the electron transport band is provided with an organic light emitting device comprising bis (ethylenedithio)-tetrathiafulvalene (BEDT-TTF).

본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 대역; 을 포함하고, 상기 전자 수송 대역은 비스(에틸렌디티오)-테트라티아풀발렌 (BEDT-TTF)로 이루어진 제1층을 포함하는 유기 발광 소자가 제공된다.According to another aspect of the invention, the first electrode; A second electrode facing the first electrode; A light emitting layer interposed between the first electrode and the second electrode; And an electron transport band interposed between the emission layer and the second electrode. Including, the electron transport band is provided with an organic light emitting device including a first layer made of bis (ethylenedithio)-tetrathiafulvalene (BEDT-TTF).

본 발명의 실시예들을 따르면, 유기 발광 소자가 BEDT-TTF를 포함함으로써, 구동 전압이 낮고, 높은 효율을 갖는 유기 발광 소자를 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention, since the organic light-emitting device includes BEDT-TTF, it is possible to provide an organic light-emitting device having a low driving voltage and high efficiency.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들 및 비교예에 따른 유기 발광 소자의 효율 데이터를 나타낸 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of an organic light-emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of an organic light-emitting device according to another embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light-emitting device according to another embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing efficiency data of organic light emitting devices according to examples and comparative examples of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or elements described in the specification are present, and do not preclude the possibility of adding one or more other features or elements in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.In the following embodiments, when a part such as a film, a region, or a component is on or on another part, not only the case directly above the other part, but also another film, region, component, etc. are interposed therebetween. This includes cases where there is.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of description. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to what is shown.

도 1은 본 발명의 일 실시예를 따르는 유기 발광 소자(100)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 따르는 유기 발광 소자(100)의 구조 및 이의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.1 schematically shows a cross-sectional view of an organic light-emitting device 100 according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a structure of the organic light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIG. 1.

유기 발광 소자(100)은 기판(미도시), 제1전극(110), 정공 수송 영역(120), 발광층(130), 전자 수송 대역(140) 및 제2전극(150)을 차례로 구비한다.The organic light-emitting device 100 includes a substrate (not shown), a first electrode 110, a hole transport region 120, an emission layer 130, an electron transport band 140, and a second electrode 150 in order.

기판으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.As the substrate, a substrate used in a typical organic light emitting device may be used, and a glass substrate or a transparent plastic substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling and waterproofness may be used.

제1전극(110)은 기판 상부에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 제1전극(110)이 애노드일 경우, 정공주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 제1전극(110)은 카본 나노 튜브 (CNT), 그래핀 (graphene), 그래핀 옥사이드, 풀러렌 등을 포함할 수 있다.The first electrode 110 may be formed by providing a material for the first electrode on the substrate by using a vapor deposition method or a sputtering method. When the first electrode 110 is an anode, the material for the first electrode may be selected from materials having a high work function to facilitate hole injection. The first electrode 110 may include carbon nanotubes (CNT), graphene, graphene oxide, fullerene, and the like.

제1전극(110)은 반사형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극(110)은 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄아연 (AZO), 산화갈륨아연 (GZO), 산화인듐갈륨아연 (IGZO), 산화마그네슘아연 (MZO), 산화몰리브뎀아연(MZO), 산화알루미늄마그네슘 (AMO), 산화갈륨마그네슘 (GMO), F-도핑 산화 주석, Nb-도핑 산화 티탄 등을 이용할 수 있다. The first electrode 110 may be a reflective electrode or a transmissive electrode. The first electrode 110 is transparent and has excellent conductivity, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide ( GZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), magnesium zinc oxide (MZO), molybdenum zinc oxide (MZO), aluminum magnesium oxide (AMO), gallium magnesium oxide (GMO), F-doped tin oxide, Nb-doped Titanium oxide or the like can be used.

또는, 제1전극(110)은 금 (Au), 은 (Ag), 구리 (Cu), 백금 (Pt), 텅스텐 (W), 니켈 (Ni), 아연 (Zn), 티타늄 (Ti), 지크코늄 (Zr), 하프늄 (Hf), 카드뮴 (Cd), 팔라듐 (Pd), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하면, 상기 제1전극(110)을 반사형 전극으로 형성할 수도 있다. Alternatively, the first electrode 110 is gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), platinum (Pt), tungsten (W), nickel (Ni), zinc (Zn), titanium (Ti), and zeke. Conium (Zr), hafnium (Hf), cadmium (Cd), palladium (Pd), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg- In), magnesium-silver (Mg-Ag), etc., the first electrode 110 may be formed as a reflective electrode.

제1전극(110)은 단일층 또는 2 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1전극(110)은 서로 다른 2종의 물질을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(110)은 ITO/Ag/ITO, AZO/Ag/AZO, AZO/Au/AZO, AZO/Ti/AZO, GZO/Ag/GZO, GZO/Au/GZO, GZO/Ti/GZO, IZO/Ag/IZO, IZO/Au/IZO, IZO/Ti/IZO, CuAlO2/Ag/CuAlO2, CuAlO2/Au/CuAlO2, CuAlO2/Ti/CuAlO2, ITO/Ag/ITO, ZnO/Ag/ZnO, ITO/Ti/ITO, ZnO/Au/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, ZnS/Au/ZnS, TiO2/Ag/TiO2, TiO2/Au/TiO2, WO3/Ag/WO3, WO3/Au/WO3, MoO3/Ag/MoO3, MoO3/Au/MoO3, ITO/Ag/ITO, ZnO/Ag/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, TiO2/Ag/TiO2, ITO/Au/ITO, WO3/Ag/WO3, MoO3/Ag/MoO3 등의 3층 구조를 가질 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.The first electrode 110 may have a single layer or a multilayer structure of two or more. For example, the first electrode 110 may have a multilayer structure including two different materials. For example, the first electrode 110 is ITO/Ag/ITO, AZO/Ag/AZO, AZO/Au/AZO, AZO/Ti/AZO, GZO/Ag/GZO, GZO/Au/GZO, GZO/ Ti/GZO, IZO/Ag/IZO, IZO/Au/IZO, IZO/Ti/IZO, CuAlO 2 /Ag/CuAlO 2 , CuAlO 2 /Au/CuAlO 2 , CuAlO 2 /Ti/CuAlO 2 , ITO/Ag/ ITO, ZnO/Ag/ZnO, ITO/Ti/ITO, ZnO/Au/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, ZnS/Au/ZnS, TiO 2 /Ag/TiO 2 , TiO 2 /Au/TiO 2 , WO 3 /Ag/WO 3 , WO3/Au/WO 3 , MoO 3 /Ag/MoO 3 , MoO 3 /Au/MoO 3 , ITO/Ag/ITO, ZnO/Ag/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, TiO 2 / Various modifications are possible, such as having a three-layer structure such as Ag/TiO 2 , ITO/Au/ITO, WO 3 /Ag/WO 3 , MoO 3 /Ag/MoO 3 .

상기 제1전극(110) 상부로는 정공 수송 영역(120)이 구비되어 있다. 정공 수송 영역(120)은 제1전극(110)에서 발광층(130)으로 정공 주입 및/또는 수송을 하는 대역이다. 정공 수송 영역(120)은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층(이하, "H-기능층(H-functional layer)"이라함), 버퍼층 및 전자 저지층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 원하는 목적에 따라, 정공 수송 영역(120)은 단층 구조일 수도 있고, 2 이상의 층을 포함하는 다층 구조일 수도 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(120)은 정공 주입층 및 정공 수송층의 2층 구조를 가질 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.A hole transport region 120 is provided above the first electrode 110. The hole transport region 120 is a band in which holes are injected and/or transported from the first electrode 110 to the emission layer 130. The hole transport region 120 is a hole injection layer, a hole transport layer, a functional layer having a hole injection function and a hole transport function at the same time (hereinafter referred to as "H-functional layer"), a buffer layer, and an electron blocking layer. It may include at least one of. Depending on the desired purpose, the hole transport region 120 may have a single layer structure or a multilayer structure including two or more layers. For example, the hole transport region 120 may have a two-layer structure of a hole injection layer and a hole transport layer, and various modifications are possible.

정공 수송 영역(120)은 제1전극(110) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The hole transport region 120 may be formed on the first electrode 110 by using various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, and an LB method.

진공 증착법에 의하여 정공 수송 영역(120)을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 수송 영역의 재료로서 사용하는 화합물의 종류 및 열적 특성, 원하는 정공 수송 영역의 구조 등에 따라 다를 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역의 증착 온도는 약 100℃ 내지 약 500℃, 진공도는 약 10-8 내지 약 10-3torr, 증착 속도는 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.When the hole transport region 120 is formed by a vacuum evaporation method, the deposition conditions may vary depending on the type and thermal characteristics of a compound used as a material for the hole transport region, and a structure of a desired hole transport region. For example, the deposition temperature of the hole transport region may be selected from about 100° C. to about 500° C., a vacuum degree of about 10 -8 to about 10 -3 torr, and a deposition rate of about 0.01 to about 100 Å/sec, It is not limited thereto.

스핀 코팅법에 의하여 정공 수송 영역(120)을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공 수송 영역의 재료로서 사용하는 화합물의 종류 및 열적 특성, 원하는 정공 수송 영역의 구조 등에 따라 다를 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역의 코팅 속도는 약 2000rpm 내지 약 5000rpm, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the hole transport region 120 is formed by spin coating, the coating conditions may vary depending on the type and thermal characteristics of a compound used as a material for the hole transport region, and a structure of a desired hole transport region. For example, the coating speed of the hole transport region may be selected from about 2000rpm to about 5000rpm, and the heat treatment temperature for removing the solvent after coating may be selected in a temperature range of about 80°C to 200°C, but is not limited thereto.

정공 수송 영역(120)은 공지의 정공 수송 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 공지의 정공 수송 재료는 N,N′-디-[(1-나프틸)-N,N′-디페닐]-1,1′-비페닐)-4,4′-디아민 (N,N′-Di-[(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl]-1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine, α-NPB), N,N′-디(2-나프틸-N,N′-디페닐)-1,1′-비페닐-4,4′-디아민 (N,N′-Di(2-naphthyl-N,N′-diphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, β-NPB), N,N′-비스(3-메틸페닐)-N,N′-디페닐벤지딘 (N,N′-Bis(3-methylphenyl)-N,N′-diphenylbenzidine, TPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4'-디아민 (DNTPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-9,9-스피로비플루오렌-2,7-디아민 (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-9,9-spirobifluorene-2,7-diamine ,Spiro-TPD), N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-9,9-스피로-비플루오렌 (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-spiro-bifluorene, Spiro-NPB), N, N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디메틸-플루오렌 (N, N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluorene, DMFL-TPD), N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디메틸-플루오렌, (N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluorene , DMFL-NPB), N, N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디페닐-플루오렌, (N, N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluorene, DPFL-TPD), N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디페닐-플루오렌, (N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluorene, DPFL-NPB), α-NPD, 2,2',7,7'-테트라키스(N,N-디페닐아미노)-9,9'-스피로비플루오렌, (2,2',7,7'-Tetrakis(N, N-diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene, Spiro-TAD), 9,9-비스[4-(N,N-비스-비페닐-4-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌, (9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene, BPAPF), 9,9-비스[4-(N,N-비스-나프탈렌-2-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌, (9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene NPAPF), 9,9-비스[4-(N, N'-비스-나프탈렌-2-일-N,N'-비스-페닐-아미노)-페닐]-9H-플루오렌, (9,9-Bis[4-(N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluorene, NPBAPF), 2,2',7,7'-테트라키스[N-나프탈렌일(페닐)-아미노]-9,9-스피로비플루오렌, (2,2',7,7'-Tetrakis[N-naphthalenyl(phenyl)-amino]-9,9-spirobifluorene, Spiro-2NPB), N, N'-비스(페난트렌-9-일)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘, (N, N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine, PAPB), 2,2'-비스[N,N-비스 (비페닐-4-일)아미노]-9,9-스피로비플루오렌, (2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]-9,9-spirobifluorene, 2,2'-Spiro-DBP), 2,2'-비스 (N,N-디-페닐-아미노)-9,9-스피로비플루오렌, (2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)-9,9-spirobifluorene, Spiro-BPA), 디-[4-(N,N-디톨일-아미노)-페닐]시클로헥산, (Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexane, TAPC), 2,2',7,7'-테트라(N,N-디톨일)아미노-스피로비플루오렌, (2,2',7,7'-tetra(N,N-ditolyl)amino-spirobifluorene, Spiro-TTB), β-TNB(N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine), N, N,N',N'-테트라-(3-메틸페닐)-3,3'-디메틸벤지딘 (N,N,N',N'-tetra-(3-methylphenyl)-3,3'-dimethylbenzidine, HMTPD), N,N'-디(나프타렌일)-N,N'-디(나프탈렌-2-일)-벤지딘 (N,N'-di(naphthalenyl)-N,N'-di(naphthalen-2-yl)-benzidine, α,β-TNB), N,N,N',N'-테트라-나프탈렌일-벤지딘 (N,N,N',N'-tetra-naphthalenyl-benzidine, α-TNB), N,N'-디(나프탈렌-2-일)-N,N'-디페닐벤젠-1,4-디아민 (N,N'-di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenylbenzene-1,4-diamine, β-NPP), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(4-스티렌술포네이트) (PEDOT: PSS), 폴리(N-비닐)카바졸 (PVK), WOx, NiO2, Mo, MoOx 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The hole transport region 120 may include a known hole transport material. For example, the known hole transport material is N,N′-di-[(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl]-1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (N,N′-Di-[(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl]-1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine, α-NPB), N,N′-di( 2-naphthyl-N,N′-diphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (N,N′-Di(2-naphthyl-N,N′-diphenyl)-1, 1′-biphenyl-4,4′-diamine, β-NPB), N,N′-bis(3-methylphenyl)-N,N′-diphenylbenzidine (N,N′-Bis(3-methylphenyl)- N,N'-diphenylbenzidine, TPD), N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine (DNTPD), N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-9,9-spirobifluorene-2,7-diamine (N,N'-Bis(3-methylphenyl) -N,N'-diphenyl-9,9-spirobifluorene-2,7-diamine ,Spiro-TPD), N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9 ,9-spiro-bifluorene (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-spiro-bifluorene, Spiro-NPB), N, N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluorene (N, N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9 ,9-dimethyl-fluorene, DMFL-TPD), N, N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluorene, (N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluorene, DMFL-NPB), N, N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'- Bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluorene, (N, N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fl uorene, DPFL-TPD), N, N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluorene, (N, N'-Bis(naphthalen -1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluorene, DPFL-NPB), α-NPD, 2,2',7,7'-tetrakis (N,N- Diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene, (2,2',7,7'-Tetrakis(N, N-diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene, Spiro-TAD), 9,9 -Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene, (9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl) -amino)phenyl]-9H-fluorene, BPAPF), 9,9-bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene, (9,9-Bis [4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene NPAPF), 9,9-bis[4-(N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N ,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluorene, (9,9-Bis[4-(N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl -amino)-phenyl]-9H-fluorene, NPBAPF), 2,2',7,7'-tetrakis[N-naphthalenyl(phenyl)-amino]-9,9-spirobifluorene, (2, 2',7,7'-Tetrakis[N-naphthalenyl(phenyl)-amino]-9,9-spirobifluorene, Spiro-2NPB), N, N'-bis(phenanthrene-9-yl)-N,N' -Bis(phenyl)-benzidine, (N, N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine, PAPB), 2,2'-bis[N,N-bis (Biphenyl-4-yl)amino]-9,9-spirobifluorene, (2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]-9,9-spirobifluorene, 2 ,2'-Spiro-DBP), 2,2'-bis (N ,N-di-phenyl-amino)-9,9-spirobifluorene, (2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)-9,9-spirobifluorene, Spiro-BPA), di -[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexane, (Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexane, TAPC), 2,2',7, 7'-tetra(N,N-ditolyl)amino-spirobifluorene, (2,2',7,7'-tetra(N,N-ditolyl)amino-spirobifluorene, Spiro-TTB), β-TNB (N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine), N, N,N',N'-tetra-(3-methylphenyl)-3,3'-dimethylbenzidine (N, N,N',N'-tetra-(3-methylphenyl)-3,3'-dimethylbenzidine, HMTPD), N,N'-di(naphtharenyl)-N,N'-di(naphthalen-2-yl) -Benzidine (N,N'-di(naphthalenyl)-N,N'-di(naphthalen-2-yl)-benzidine, α,β-TNB), N,N,N',N'-tetra-naphthalenyl -Benzidine (N,N,N',N'-tetra-naphthalenyl-benzidine, α-TNB), N,N'-di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenylbenzene-1,4 -Diamine (N,N'-di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenylbenzene-1,4-diamine, β-NPP), poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(4 -Styrenesulfonate) (PEDOT: PSS), poly(N-vinyl) carbazole (PVK), WO x , NiO 2 , Mo, MoO x, etc. may be used, but are not limited thereto:

정공 수송 영역(120)은 상술한 정공 수송 재료 이외에, 막의 도전성 등을 향상시키기 위하여 p형-도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 p형-도펀트는 예를 들면, 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 200 등과 같은 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition to the above-described hole transport material, the hole transport region 120 may further include a p-type dopant to improve the conductivity of the film. The p-type-dopant may be, for example, one of a quinone derivative, a metal oxide, and a cyano group-containing compound, but is not limited thereto. For example, non-limiting examples of the p-dopant include tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) and 2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinonedimethane Quinone derivatives such as phosphorus (F4-TCNQ) and the like; Metal oxides such as tungsten oxide and molybdenum oxide; And cyano group-containing compounds such as the following Compound 200, etc., but are not limited thereto.

<화합물 200> <F4-TCNQ><Compound 200> <F4-TCNQ>

Figure 112014023646998-pat00001
Figure 112014023646998-pat00002
Figure 112014023646998-pat00001
Figure 112014023646998-pat00002

정공 수송 영역(120)이 p-형 도펀트를 더 포함할 경우, 상기 p-형 도펀트는 정공 수송 영역(120)에 균일하게(homogeneous) 분산되거나, 또는 분균일하게 분포될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.When the hole transport region 120 further includes a p-type dopant, the p-type dopant may be homogeneous or uniformly distributed in the hole transport region 120, and various modifications such as This is possible.

정공 수송 영역(120)의 두께는 약 10nm 내지 약 1000nm, 예를 들면, 약 10nm 내지 약 500nm일 수 있다. 정공 수송 영역(120)이 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 정공주입 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the hole transport region 120 may be about 10 nm to about 1000 nm, for example, about 10 nm to about 500 nm. When the hole transport region 120 satisfies the above-described range, satisfactory hole injection characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

이어서, 정공 수송 영역(120) 상부에 발광층(130)이 구비된다. 발광층(130)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층(130)을 형성하는 경우, 그 조건은 발광층에 사용되는 화합물에 따라 다르지만 정공 수송 영역의 형성과 거의 동일한 조건 중에서 선택될 수 있다.Subsequently, the light emitting layer 130 is provided on the hole transport region 120. The light emitting layer 130 may be formed using a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, an LB method, or the like. In the case of forming the light emitting layer 130 by vacuum evaporation and spin coating, the conditions may vary depending on the compound used for the light emitting layer, but may be selected from conditions substantially the same as those for forming the hole transport region.

발광층(130)은 공지의 발광 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(130)은 공지의 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다.The light emitting layer 130 may include a known light emitting material. For example, the light emitting layer 130 may include a known host material and a dopant material.

공지의 호스트 재료의 예로는, Tris(8-히드록식-퀴놀리나토)알루미늄 (Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium, Alq3), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센 (9,10-Di(naphth-2-yl)anthracene, ADN), 3-Tert-부틸-9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센 (3-Tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene, TBADN), 2,7-비스[9,9-디(4-메틸페닐)-플루오렌-2-일]-9,9-디(4-메틸페닐)플루오렌 (2,7-Bis[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene, TDAF), 2-메틸-9,10-비스(나프탈렌-2-일)안트라센 (2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene, MADN), 2-(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (2-(9,9'-Spirobifluoren-2-yl)-9,9'-spirobifluorene, BSBF), 2,7-비스(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (2,7-Bis(9,9'-spirobifluoren-2-yl)-9,9'-spirobifluorene, TSBF), 2-[9,9-디(4-메틸페닐)-플루오렌-2-일]-9,9-디(4-메틸페닐)플루오렌 (2-[9,9-Di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene, BDAF), 1,3,5-트리(파이렌-1-일)벤젠 (1,3,5-Tri(pyren-1-yl)benzene, TPB3), 9,9-비스[4-(파이레닐)페닐]플루오렌 (9,9-Bis[4-(pyrenyl)phenyl]fluorene, BPPF), 2,2'-비(9,10-디페닐-안트라센) (2,2'-Bi(9,10-diphenyl-anthracene), TPBA), 2,7-디-파이레닐-9,9-스피로비플루오렌 (2,7-Di-pyrenyl-9,9-spirobifluorene, Spiro-Pye), 1,4-디(파이렌-1-일)벤젠 (1,4-Di(pyren-1-yl)benzene, p-Bpye), 1,3-디(파이렌-1-일)벤젠 (1,3-Di(pyren-1-yl)benzene, m-Bpye), 6,13-디-비페닐-4-일-펜타센 (6,13-Di-biphenyl-4-yl-pentacene, DBpenta), 3,9-디(나프탈렌-2-일)퍼릴렌 및 3,10-디(나프탈렌-일)퍼릴렌의 혼합물 (3,9-di(naphthalen-2-yl)perylene 및 3,10-di(naphthalen-yl)perylene의 혼합물, DNP), 1,1'-(2,5-디메톡시-1,4-페닐렌)디피렌 (1,1'-(2,5-dimethoxy-1,4-phenylene)dipyrene, DOPPP), 1,1'-(2,5-디메틸-1,4-페닐렌)디피렌 (1,1'-(2,5-dimethyl-1,4-phenylene)dipyrene, DMPPP), Tris[4-(파이레닐)-페닐]아민 (Tris[4-(pyrenyl)-phenyl]amine, TPyPA), 10,10'-디(비페닐-4-일)-9,9'-비안트라센 (10,10'-di(biphenyl-4-yl)-9,9'-bianthracene, BANE), N,N'-디-(1-나프탈레닐)-N,N'-디페닐-[1,1':4',1'':4'',1'''-쿼터페닐]-4,4'''-디아민 (N,N'-di-(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1':4',1'':4'',1'''-quaterphenyl]-4,4'''-diamine, 4P-NPB), 4,4'-디[10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일]비페닐 (4,4'-di[10-(naphthalen-1-yl)anthracen-9-yl]biphenyl, BUBH-3), DBP(Dibenzo{[f,f']-4,4',7,7'-tetraphenyl}diindeno[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]perylene), BAnFPye(1-(7-(9,9'-bianthracen-10-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)pyrene), BAnF6Pye 등과 같은 저분자 재료를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of known host materials include Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminum (Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminum, Alq 3 ), 9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracene (9 ,10-Di(naphth-2-yl)anthracene, ADN), 3-Tert-butyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracene (3-Tert-butyl-9,10-di(naphth- 2-yl)anthracene, TBADN), 2,7-bis[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene (2,7 -Bis[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene, TDAF), 2-methyl-9,10-bis(naphthalene-2- Il) anthracene (2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene, MADN), 2-(9,9'-spirobifluoren-2-yl)-9,9'-spirobi Fluorene (2-(9,9'-Spirobifluoren-2-yl)-9,9'-spirobifluorene, BSBF), 2,7-bis(9,9'-spirobifluoren-2-yl)-9 ,9'-spirobifluorene (2,7-Bis(9,9'-spirobifluoren-2-yl)-9,9'-spirobifluorene, TSBF), 2-[9,9-di(4-methylphenyl) -Fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene (2-[9,9-Di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4 -methylphenyl)fluorene, BDAF), 1,3,5-tri(pyren-1-yl)benzene (1,3,5-Tri(pyren-1-yl)benzene, TPB3), 9,9-bis[ 4-(pyrenyl)phenyl]fluorene (9,9-Bis[4-(pyrenyl)phenyl]fluorene, BPPF), 2,2'-bi(9,10-diphenyl-anthracene) (2,2' -Bi(9,10-diphenyl-anthracene), TPBA), 2,7-di-pyrenyl-9,9-spirobifluorene (2,7-Di-pyreny l-9,9-spirobifluorene, Spiro-Pye), 1,4-di(pyren-1-yl)benzene (1,4-Di(pyren-1-yl)benzene, p-Bpye), 1,3 -Di(pyren-1-yl)benzene (1,3-Di(pyren-1-yl)benzene, m-Bpye), 6,13-di-biphenyl-4-yl-pentacene (6,13 -Di-biphenyl-4-yl-pentacene, DBpenta), a mixture of 3,9-di(naphthalen-2-yl)perylene and 3,10-di(naphthalen-yl)perylene (3,9-di( mixture of naphthalen-2-yl)perylene and 3,10-di(naphthalen-yl)perylene, DNP), 1,1'-(2,5-dimethoxy-1,4-phenylene)dipyrene (1, 1'-(2,5-dimethoxy-1,4-phenylene)dipyrene, DOPPP), 1,1'-(2,5-dimethyl-1,4-phenylene)dipyrene (1,1'-(2 ,5-dimethyl-1,4-phenylene)dipyrene, DMPPP), Tris[4-(pyrenyl)-phenyl]amine (Tris[4-(pyrenyl)-phenyl]amine, TPyPA), 10,10'-di (Biphenyl-4-yl)-9,9'-bianthracene (10,10'-di(biphenyl-4-yl)-9,9'-bianthracene, BANE), N,N'-di-(1 -Naphthalenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1':4',1'':4'',1'''-quaterphenyl]-4,4'''-diamine (N ,N'-di-(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1':4',1'':4'',1'''-quaterphenyl]-4,4''' -diamine, 4P-NPB), 4,4'-di[10-(naphthalen-1-yl)anthracen-9-yl]biphenyl (4,4'-di[10-(naphthalen-1-yl)anthracen -9-yl]biphenyl, BUBH-3), DBP(Dibenzo{[f,f']-4,4',7,7'-tetraphenyl}diindeno[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]perylene),BAnFPye(1-(7-(9,9'-bianthrace Low molecular weight materials such as n-10-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)pyrene) and BAnF6Pye may be mentioned, but are not limited thereto.

공지의 도펀트 재료의 예로는, 3-(2-벤조티아졸일)-7-(디에틸아미노)쿠마린 (3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin, Coumarin 6), 2,3,6,7-테트라하이드로-1,1,7,7,-테트라메틸-1H,5H,11H-10-(2-벤조티아졸일)퀴놀리지노-[9,9a,1gh]쿠마린 (2,3,6,7-Tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H, 5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin, C545T), N,N'-디메틸-퀴나크리돈 (N,N'-Dimethyl-quinacridone, DMQA), 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III) (Tris(2-phenylpyridine)iridium(III), Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리딘)(아세틸아세토네이트)이리듐(III) (Bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III), Ir(ppy)2(acac)), 트리스[2-(p-톨일)피리딘]이리듐(III) (Tris[2-(p-tolyl)pyridine]iridium(III), Ir(mppy)3), 9,10-비스[N,N-디-(p-톨일)-아미노]안트라센 (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene, TTPA), 9,10-비스[페닐(m-톨일)-아미노]안트라센 (9,10-Bis[phenyl(m-tolyl)-amino]anthracene, TPA), 비스[2-(2-히드록시페닐)벤조티아졸라토]아연(II) (Bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zinc(II), Zn(BTZ)2), BA-TTB(N10,N10,N10',N10'-tetra-tolyl-9,9'-bianthracene-10,10'-diamine), BA-TAD(N10,N10,N10',N10'-tetraphenyl-9,9'-bianthracene-10,10'-diamine), BA-NPB(N10,N10'-diphenyl-N10,N10'-dinaphthalenyl-9,9'-bianthracene-10,10'-diamine), 4,4'-비스(9-에틸-3-카바조비닐렌)-1,1'-비페닐 (4,4'-Bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1'-biphenyl, BCzVBi), 페릴렌 (Perylene), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸페릴렌 (2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylene, TBPe), 1,4-비스[2-(3-N-에틸카바졸릴)비닐]벤젠 (1,4-Bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene, BCzVB), 4,4'-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴]비페닐 (4,4'-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl, DPAVBi), 4-(디-p-톨일아미노)-4'-[(디-p-톨일아미노)스티릴]스틸벤 (4-(Di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene, DPAVB), 비스(3,5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카복시피리딜)이리듐(III) (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(III), FIrPic), BDAVBi(4,4'-bis[4-(diphenylamino)styryl]biphenyl), FIr6(Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(III)), BNP3FL(N,N'-bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-tris-(9,9dimethylfluorenylene)), MDP3FL(2,7-bis{2-[phenyl(m-tolyl)amino]-9,9-dimethyl-fluorene-7-yl}-9,9-dimethyl-fluorene), N-BDAVBi(N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine), fac-Ir(Pmb)3(fac-Iridium(III) tris(1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C,C2')), mer-Ir(Pmb)( mer-Iridium(III) tris(1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C,C2')), Spiro-BDAVBi, DBzA, DSA-Ph, BCzSB, DPASN, Bepp2, FIrN4, DCM, DCM2, DCJT, DCJTB, Eu(dbm)3(Phen), Rubrene, Ir(btp)2(acac), Ir(piq)3, Ir(piq)2(acac), Ir(fliq)2(acac), Ir(flq)2(acac), Ru(dtb-bpy3.2(PF6), Ir(2-phq)3, Ir(2-phq)2(acac), TBRb, Ir(BT)2(acac), Pt(TPBP), N-DPAVBi-CN, Os(fppz)2(PPhMe2)2,Hex-Ir(phq)2acac, Hex-Ir(phq)3, Ir(Mphq)3, Ir(phq)2tpy, Ir(fbi)2acac, Ir(ppy)2Pc, PQ2Ir(dpm), Piq2Ir(dpm), PO-01, DCQTB 등과 같은 저분자 재료를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of known dopant materials include 3-(2-benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin (3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin, Coumarin 6), 2,3, 6,7-tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H,5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinozino-[9,9a,1gh]coumarin (2,3 ,6,7-Tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H, 5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin, C545T), N,N'- Dimethyl-quinacridone (N,N'-Dimethyl-quinacridone, DMQA), tris (2-phenylpyridine) iridium (III) (Tris (2-phenylpyridine) iridium (III), Ir (ppy) 3 ), bis ( 2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III) (Bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III), Ir(ppy) 2 (acac)), tris[2-(p-tolyl)pyridine] Iridium(III) (Tris[2-(p-tolyl)pyridine]iridium(III), Ir(mppy) 3 ), 9,10-bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene ( 9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene, TTPA), 9,10-bis[phenyl(m-tolyl)-amino]anthracene (9,10-Bis[phenyl( m-tolyl)-amino]anthracene, TPA), bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zinc(II) (Bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zinc(II), Zn (BTZ) 2 ), BA-TTB(N10,N10,N10',N10'-tetra-tolyl-9,9'-bianthracene-10,10'-diamine), BA-TAD(N10,N10,N10', N10'-tetraphenyl-9,9'-bianthracene-10,10'-diamine), BA-NPB (N1 0,N10'-diphenyl-N10,N10'-dinaphthalenyl-9,9'-bianthracene-10,10'-diamine), 4,4'-bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1, 1'-biphenyl (4,4'-Bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1'-biphenyl, BCzVBi), perylene, 2,5,8,11-tetra-tert- Butylperylene (2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylene, TBPe), 1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazolyl)vinyl]benzene (1,4-Bis[2- (3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene, BCzVB), 4,4'-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl (4,4'-Bis[4-(di-p) -tolylamino)styryl]biphenyl, DPAVBi), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene (4-(Di-p-tolylamino)-4 '-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene, DPAVB), bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(III) (Bis (3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(III), FIrPic), BDAVBi(4,4'-bis[4-(diphenylamino)styryl]biphenyl), FIr 6 (Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(III)), BNP3FL(N,N'-bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-tris- (9,9dimethylfluorenylene)), MDP3FL(2,7-bis{2-[phenyl(m-tolyl)amino]-9,9-dimethyl-fluorene-7-yl}-9,9-dimethyl-fluorene), N -BDAVBi(N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)s tyryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine), fac-Ir(Pmb) 3 (fac-Iridium(III) tris(1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C,C2' )), mer-Ir(Pmb)( mer-Iridium(III) tris(1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C,C2')), Spiro-BDAVBi, DBzA, DSA-Ph, BCzSB, DPASN , Bepp 2 , FIrN 4 , DCM, DCM2, DCJT, DCJTB, Eu(dbm) 3 (Phen), Rubrene, Ir(btp) 2 (acac), Ir(piq) 3 , Ir(piq) 2 (acac), Ir(fliq)2(acac), Ir(flq) 2 (acac), Ru(dtb-bpy3.2(PF 6 ), Ir(2-phq) 3 , Ir(2-phq) 2 (acac), TBRb , Ir(BT) 2 (acac), Pt(TPBP), N-DPAVBi-CN, Os(fppz) 2 (PPhMe 2 ) 2 ,Hex-Ir(phq) 2 acac, Hex-Ir(phq) 3 , Ir (Mphq) 3 , Ir(phq) 2 tpy, Ir(fbi) 2 acac, Ir(ppy) 2 Pc, PQ 2 Ir(dpm), Piq 2 Ir(dpm), PO-01, DCQTB, etc. However, it is not limited thereto.

공지의 발광 재료는 MEH-PPV, BEH-PPV, M3O-PPV, BCHA-PPV, MUEH-PPV, POPT, PCHT, PTOPT, PMOT, PCHMT, PDCHT, PDOPT, CN-PPVs, PPP, LPPP, m-LPPP, PF, FV, PVK, PDHPT, PBPS, PFV, Al-PPV 등과 같은 고분자 재료를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Known light emitting materials are MEH-PPV, BEH-PPV, M3O-PPV, BCHA-PPV, MUEH-PPV, POPT, PCHT, PTOPT, PMOT, PCHMT, PDCHT, PDOPT, CN-PPVs, PPP, LPPP, m-LPPP , Polymer materials such as PF, FV, PVK, PDHPT, PBPS, PFV, Al-PPV, etc., but are not limited thereto.

상기 공지의 발광 재료 중에서 선택된 1종 이상은 호스트로 사용될 수 있고, 상기 공지의 발광 재료 중에서 선택된 다른 1종 이상은 도펀트로 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광층(130)이 호스트 및 도펀트를 포함하는 경우, 도펀트의 함량은 통상적으로 발광층 100중량% 당 약 0.01 내지 약 15 중량%의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.At least one selected from the known light emitting materials may be used as a host, and at least one other selected from the known light emitting materials may be used as a dopant, but is not limited thereto. When the emission layer 130 includes a host and a dopant, the content of the dopant may be generally selected in the range of about 0.01 to about 15% by weight per 100% by weight of the emission layer, but is not limited thereto.

발광층(130)의 두께는 약 15nm 내지 약 70nm이다. 발광층(130)의 두께는 20nm 내지 50nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광층(130)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.The thickness of the light emitting layer 130 is about 15 nm to about 70 nm. The thickness of the light emitting layer 130 may be 20 nm to 50 nm, but is not limited thereto. When the thickness of the emission layer 130 satisfies the above-described range, excellent emission characteristics may be exhibited without a substantial increase in driving voltage.

한편, 유기 발광 소자(100)가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층(160)은 적색 부화소, 녹색 부화소 및 청색 부화소에 따라 각각 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. Meanwhile, when the organic light-emitting device 100 is a full-color organic light-emitting device, the light-emitting layer 160 may be patterned into a red light-emitting layer, a green light-emitting layer, and a blue light-emitting layer according to a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, respectively.

한편, 발광층(130)은 백색광을 방출할 수 있도록 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 다층 구조를 갖거나, 적색 발광 물질, 녹색 발광 물질 및 청색 발광 물질을 함께 포함한 단일층 구조를 가질 수 있다. 이와 같은 발광층(130)을 구비한 유기 발광 소자(100)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터를 추가로 구비함으로써, 풀 컬러를 방출할 수 있다.Meanwhile, the emission layer 130 may have a multilayer structure in which a red emission layer, a green emission layer, and a blue emission layer are stacked to emit white light, or a single layer structure including a red emission material, a green emission material, and a blue emission material. have. The organic light-emitting device 100 including the light-emitting layer 130 may emit full color by additionally including a red color filter, a green color filter, and a blue color filter.

다음으로, 발광층(130) 상부에 전자 수송 대역(140)이 구비된다. 전자 수송 대역(140)은 제2전극(150)에서 발광층(130)으로 전자 주입 및/또는 수송을 하는 대역이다. 전자 수송 대역(140)은 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 원하는 목적에 따라, 전자 수송 대역(140)은 단층 구조일 수도 있고, 2 이상의 층을 포함하는 다층 구조일 수도 있다. 예를 들어, 전자 수송 대역(140)은 전자 수송층 및 전자 주입층의 2층 구조를 가질 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.Next, an electron transport band 140 is provided on the emission layer 130. The electron transport band 140 is a band in which electrons are injected and/or transported from the second electrode 150 to the emission layer 130. The electron transport band 140 may include at least one of a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Depending on the desired purpose, the electron transport zone 140 may have a single layer structure or a multilayer structure including two or more layers. For example, the electron transport band 140 may have a two-layer structure of an electron transport layer and an electron injection layer, and various modifications are possible.

정공 수송 영역(140)은 발광층(130) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 정공 수송 영역(140)을 형성하는 경우, 그 조건은 전자 수송 대역에 사용되는 화합물에 따라 다르지만 정공 수송 영역의 형성과 거의 동일한 조건 중에서 선택될 수 있다.The hole transport region 140 may be formed on the light emitting layer 130 by using various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, and an LB method. When the hole transport region 140 is formed by vacuum evaporation and spin coating, the condition may vary depending on the compound used in the electron transport band, but may be selected from conditions substantially the same as those for forming the hole transport region.

전자 수송 대역(140)은 비스(에틸렌디티오)-테트라티아풀발렌 (BEDT-TTF)을 포함한다. BEDT-TTF는 전자 공여성이 높기 때문에, 제2전극(150)으로부터 발광층(130)에 전자를 잘 전달할 수 있고, 따라서 유기 발광 소자(100)의 구동 전압이 낮아질 수 있다. 또한, BEDT-TTF는 전자 공여성이 높기 때문에, 유기 발광 소자(100)의 효율은 높아질 수 있다.The electron transport zone 140 includes bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene (BEDT-TTF). Since BEDT-TTF has high electron donation, electrons can be well transferred from the second electrode 150 to the emission layer 130, and thus the driving voltage of the organic light-emitting device 100 may be lowered. In addition, because BEDT-TTF has high electron donation, the efficiency of the organic light-emitting device 100 may be increased.

전자 수송 대역(140)은 공지의 전자 수송 재료를 더 포함할 수 있다. 공지의 전자 수송 재료로는 C60, C70, PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C75), PCBM(C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7l, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB, BTB 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron transport zone 140 may further include a known electron transport material. Known electron transport materials include C60, C70, PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C75), PCBM(C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD -Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7l, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB, BTB, etc., but is not limited thereto.

전자 수송 대역(140)이 BEDT-TTF 및 공지의 전자 수송 재료를 포함할 경우, 상기 BEDT-TTF는 전자 수송 대역(140)에 균일하게(homogeneous) 분포되거나, 또는 분균일하게 분포될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다. When the electron transport band 140 includes BEDT-TTF and a known electron transport material, the BEDT-TTF may be homogeneous or distributed uniformly in the electron transport band 140. , Various modifications are possible.

전자 수송 대역(140)의 BEDT-TTF의 함량은 전자 수송 대역(140) 100 중량% 당 약 0.01 내지 약 10 중량%의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. BEDT-TTF의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 제2전극으로부터의 전자 주입 및 전자 이동을 증가시킬 수 있다. The content of BEDT-TTF in the electron transport zone 140 may be selected in the range of about 0.01 to about 10% by weight per 100% by weight of the electron transport zone 140, but is not limited thereto. When the content of BEDT-TTF satisfies the above range, electron injection and electron transfer from the second electrode may be increased.

다른 예로서, 전자 수송 대역(140)에 BEDT-TTF가 불균일하게 분포되는 경우, BEDT-TTF의 함량은 발광층(130)에서 제2전극(150)으로 가까워질수록 점진적으로 증가할 수 있다. 구체적으로, BEDT-TTF의 함량은 발광층(130) 상(발광층의 표면에 접하는 부분)의 전자 수송 대역(140)에서는 BEDT-TTF의 함량이 전자 수송 대역 단위 부피 (1nm3) 100 중량% 당 0 중량%이나, 제2전극(150) 상(제2전극의 표면에 접하는 부분)의 전자 수송 대역(140)에서는 BEDT-TTF의 함량이 전자 수송 대역 단위 부피 (1nm3) 100 중량% 당 10 중량%일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. BEDT-TTF의 함량이 점진적으로 증가할 때의 BEDT-TTF의 변화량은 원하는 전자 수송 대역의 특성에 따라 조절될 수 있다.As another example, when BEDT-TTF is non-uniformly distributed in the electron transport band 140, the content of BEDT-TTF may gradually increase as the light emitting layer 130 approaches the second electrode 150. Specifically, the content of the BEDT-TTF is a light-emitting layer 130 onto the electron transport band 140 of the (portion in contact with the surface of the light-emitting layer), BEDT-TTF is an electron transport band unit volume content of (1nm 3) 0 per 100 wt.% % By weight, but in the electron transport zone 140 on the second electrode 150 (a portion in contact with the surface of the second electrode), the content of BEDT-TTF is 10 weight per 100% by weight of the electron transport band unit volume (1 nm 3 ) %, but is not limited thereto. When the content of BEDT-TTF gradually increases, the amount of change in BEDT-TTF can be adjusted according to the characteristics of the desired electron transport band.

또 다른 예로서, 전자 수송 대역(140)에 BEDT-TTF가 불균일하게 분포되는 경우, BEDT-TTF의 함량은 발광층(130)에서 제2전극(150)으로 가까워질수록 계단식으로 증가할 수 있다. BEDT-TTF의 함량이 계단식으로 증가할 때의 BEDT-TTF의 변화량은 원하는 전자 수송 대역의 특성에 따라 조절될 수 있다.As another example, when BEDT-TTF is non-uniformly distributed in the electron transport band 140, the content of BEDT-TTF may increase in a stepwise manner as the light emitting layer 130 approaches the second electrode 150. When the content of BEDT-TTF increases in a stepwise manner, the amount of change in BEDT-TTF can be adjusted according to the characteristics of the desired electron transport band.

전자 수송 대역(140)의 두께는 약 10nm 내지 약 100nm, 예를 들면 약 15nm 내지 약 50nm일 수 있다. 전자 수송 대역(140)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the electron transport zone 140 may be about 10 nm to about 100 nm, for example, about 15 nm to about 50 nm. When the thickness of the electron transport band 140 satisfies the above-described range, satisfactory electron transport characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

다음으로, 전자 수송 대역(140) 상에는 제2전극(150)이 구비되어 있다. 제2전극(150)의 형성 방법 및 두께 등은 제1전극(110)과 유사하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2전극(150)은 낮은 일함수를 갖는 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 제2전극(150)은 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 전면 발광 소자를 얻기 위하여, 제2전극(150)은 ITO, IZO 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Next, a second electrode 150 is provided on the electron transport zone 140. The formation method and thickness of the second electrode 150 are similar to those of the first electrode 110, but are not limited thereto. The second electrode 150 may be formed of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof having a low work function. The second electrode 150 is lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver (Mg). -Ag) may be included, but is not limited thereto. Alternatively, in order to obtain a top light emitting device, the second electrode 150 may include ITO or IZO, but is not limited thereto.

도 2는 본 발명의 다른 실시예를 따르는 유기 발광 소자(200)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 따르는 유기 발광 소자(200)의 구조 및 이의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode 200 according to another embodiment of the present invention. Hereinafter, a structure and a method of manufacturing the organic light emitting device 200 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.

유기 발광 소자(200)은 기판(미도시), 제1전극(210), 정공 수송 영역(220), 발광층(230), 전자 수송 대역(240) 및 제2전극(250)을 차례로 구비한다. 전자 수송 대역(240)은 전자 수송층(241) 및 전자 주입층(242)를 차례로 구비한다.The organic light-emitting device 200 includes a substrate (not shown), a first electrode 210, a hole transport region 220, an emission layer 230, an electron transport band 240, and a second electrode 250 in order. The electron transport zone 240 includes an electron transport layer 241 and an electron injection layer 242 in order.

제1전극(210), 정공 수송 영역(220), 발광층(230) 및 제2전극(250)에 대한 설명은 상술한 내용을 참조하고, 여기서는 설명을 생략한다. For descriptions of the first electrode 210, the hole transport region 220, the emission layer 230, and the second electrode 250, the above description is referred to, and the description is omitted here.

전자 수송 대역(240)은 전자 수송층(241) 및 전자 주입층(242)를 포함하고, 전자 주입층(242)이 상기 BEDT-TTF를 포함할 수 있다. 이 때, BEDT-TTF의 함량은 전자 주입층(242) 100 중량% 당 약 0.01 내지 약 10 중량%의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. BEDT-TTF의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 제2전극으로부터의 전자 주입 및 전자 이동을 증가시킬 수 있다.The electron transport band 240 may include an electron transport layer 241 and an electron injection layer 242, and the electron injection layer 242 may include the BEDT-TTF. In this case, the content of BEDT-TTF may be selected in the range of about 0.01 to about 10% by weight per 100% by weight of the electron injection layer 242, but is not limited thereto. When the content of BEDT-TTF satisfies the above range, electron injection and electron transfer from the second electrode may be increased.

전자 수송층(241)은 전술한 전자 수송 대역에 포함되는 재료를 포함할 수 있다. 전자 주입층(242)은 전술한 전자 수송 대역에 포함되는 재료를 더 포함할 수 있다.The electron transport layer 241 may include a material included in the aforementioned electron transport band. The electron injection layer 242 may further include a material included in the aforementioned electron transport band.

전자 주입층(242)의 두께는 약 0.1nm 내지 약 10nm, 약 0.3nm 내지 약 9nm일 수 있다. 전자 주입층(242)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the electron injection layer 242 may be about 0.1 nm to about 10 nm, and about 0.3 nm to about 9 nm. When the thickness of the electron injection layer 242 satisfies the above-described range, satisfactory electron injection characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예를 따르는 유기 발광 소자(300)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 3를 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 따르는 유기 발광 소자(300)의 구조 및 이의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.3 is a schematic cross-sectional view of an organic light-emitting device 300 according to another embodiment of the present invention. Hereinafter, a structure of an organic light emitting diode 300 according to another embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIG. 3.

유기 발광 소자(300)은 기판(미도시), 제1전극(310), 정공 수송 영역(320), 발광층(330), 전자 수송 대역(340) 및 제2전극(350)을 차례로 구비한다. 전자 수송 대역(340)은 전자 수송층(341) 및 제1층(343)를 차례로 구비한다. 전자 수송 대역(340)은 전자 주입층(미도시)을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting device 300 includes a substrate (not shown), a first electrode 310, a hole transport region 320, a light emitting layer 330, an electron transport band 340, and a second electrode 350 in order. The electron transport band 340 includes an electron transport layer 341 and a first layer 343 in order. The electron transport band 340 may further include an electron injection layer (not shown).

제1전극(310), 정공 수송 영역(320), 발광층(330), 전자 수송층(341), 전자 주입층(미도시) 및 제2전극(350)에 대한 설명은 상술한 내용을 참조하고, 여기서는 설명을 생략한다. For descriptions of the first electrode 310, the hole transport region 320, the emission layer 330, the electron transport layer 341, the electron injection layer (not shown), and the second electrode 350, refer to the above description, Description is omitted here.

제1층(343)은 BEDT-TTF로 이루어질 수 있다. The first layer 343 may be made of BEDT-TTF.

제1층(343)의 두께는 약 0.1nm 내지 약 10nm, 약 0.3nm 내지 약 9nm일 수 있다. The thickness of the first layer 343 may be about 0.1 nm to about 10 nm, and about 0.3 nm to about 9 nm.

제1층(343)은 제2전극(350)과 접할 수 있다. 제1층(343)과 제2전극(350)이 접하여 형성됨으로써, 제2전극으로부터의 전자 주입을 효율적으로 개선할 수 있으므로, 구동 전압을 낮출 수 있다. The first layer 343 may contact the second electrode 350. Since the first layer 343 and the second electrode 350 are formed in contact with each other, electron injection from the second electrode can be efficiently improved, and thus the driving voltage can be lowered.

이상, 본 발명의 실시예들을 따르는 유기 발광 소자를 도 1 내지 3을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the above, the organic light emitting device according to the exemplary embodiments of the present invention has been described with reference to FIGS. 1 to 3, but is not limited thereto.

예를 들어, 도 1 중 제1전극(110)은 캐소드이고, 제2전극(150)은 애노드이고, 제1전극(110)과 발광층(130) 사이에 전자 수송 영역이 개재되어 있고, 발광층(130)과 제2전극(130) 사이에 정공 수송 영역이 개재될 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다.
For example, in FIG. 1, the first electrode 110 is a cathode, the second electrode 150 is an anode, an electron transport region is interposed between the first electrode 110 and the emission layer 130, and the emission layer ( Various modifications are possible, such as a hole transport region may be interposed between the 130) and the second electrode 130.

실시예Example 1 One

애노드는 코닝(corning) 15Ω/cm2 (120nm) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공증착장치에 이 유리기판을 설치하였다. ITO 애노드 상에 NPB를 진공 증착하여 60 nm 두께의 정공 수송 영역을 형성하였다. 상기 정공 수송 영역 상에 CBP를 진공 증착하여 30 nm 두께의 발광층을 형성하고, 상기 발광층 상에 BPhen를 진공 증착하여 20 nm 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상에 BPhen 및 BEDT-TTF를 99:1의 중량비로 동시 증착하여 1 nm 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상에 Al를 증착하여 100 nm 두께의 캐소드를 형성함으로써, 유기 발광 소자를 제작하였다.
For the anode, a Corning 15Ω/cm 2 (120nm) ITO glass substrate was cut into a size of 50mm x 50mm x 0.7mm, and ultrasonically cleaned for 5 minutes each using isopropyl alcohol and pure water, and then irradiated with ultraviolet rays for 30 minutes. It was cleaned by exposure to ozone, and this glass substrate was installed in a vacuum deposition apparatus. NPB was vacuum deposited on the ITO anode to form a hole transport region having a thickness of 60 nm. CBP was vacuum-deposited on the hole transport region to form an emission layer having a thickness of 30 nm, and BPhen was vacuum-deposited on the emission layer to form an electron transport layer having a thickness of 20 nm. By simultaneously depositing BPhen and BEDT-TTF on the electron transport layer at a weight ratio of 99:1 to form an electron injection layer having a thickness of 1 nm, and depositing Al on the electron injection layer to form a cathode having a thickness of 100 nm, An organic light emitting device was fabricated.

실시예Example 2 2

전자 주입층 형성시 BPhen 및 BEDT-TTF를 97:3의 중량비로 동시 증착하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that BPhen and BEDT-TTF were simultaneously deposited at a weight ratio of 97:3 when the electron injection layer was formed.

실시예Example 3 3

전자 주입층 형성시 BPhen 및 BEDT-TTF를 95:5의 중량비로 동시 증착하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that BPhen and BEDT-TTF were simultaneously deposited at a weight ratio of 95:5 when the electron injection layer was formed.

비교예Comparative example 1 One

　 전자 주입층 형성시 BPhen를 1nm 의 두께로 진공 증착하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that BPhen was vacuum-deposited to a thickness of 1 nm when forming the electron injection layer.

평가예Evaluation example 1: 유기 발광 소자의 특성 평가 1: Evaluation of characteristics of organic light emitting devices

실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 유기 발광 소자의 구동 전압 및 효율을 전류 전압계(Kethley SMU 236)에서 전원을 공급하여, 휘도계 PR650 Spectroscan Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)을 이용하여 평가하여, 그 결과를 도 4에 나타내었다.
The driving voltage and efficiency of the organic light-emitting devices of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were evaluated by supplying power from a current voltmeter (Kethley SMU 236) and using a luminance meter PR650 Spectroscan Source Measurement Unit. (manufactured by PhotoResearch). Thus, the results are shown in FIG. 4.

도 4에 따르면, 실시예 1 내지 3의 유기 발광 소자는 비교예 1의 유기 발광 소자에 비하여, 우수한 발광 효율을 가짐을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 4, it can be seen that the organic light-emitting devices of Examples 1 to 3 have superior luminous efficiency compared to the organic light-emitting devices of Comparative Example 1.

100, 200, 300: 유기 발광 소자
110, 210, 310: 제1전극
120, 220, 320: 정공 수송 영역
130, 230, 330: 발광층
140, 240, 340: 전자 수송 대역
150, 250, 350: 제2전극
241, 341: 전자 수송층
242: 전자 주입층
243: 제1층100, 200, 300: organic light emitting device
110, 210, 310: first electrode
120, 220, 320: hole transport area
130, 230, 330: light emitting layer
140, 240, 340: electron transport band
150, 250, 350: second electrode
241, 341: electron transport layer
242: electron injection layer
243: first floor

Claims (15)

제1전극;
상기 제1전극에 대향된 제2전극;
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층; 및
상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 대역; 을 포함하고,
상기 전자 수송 대역은 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 주입층; 을 포함하고,
상기 전자 주입층이 BEDT-TTF 및 Bphen 을 포함하고,
상기 BEDT-TTF의 함량은 상기 제2전극에 가까워질수록 계단식으로 증가하는 유기 발광 소자.A first electrode;
A second electrode facing the first electrode;
A light emitting layer interposed between the first electrode and the second electrode; And
An electron transport band interposed between the emission layer and the second electrode; Including,
The electron transport band may include an electron transport layer interposed between the emission layer and the second electrode; And
An electron injection layer interposed between the electron transport layer and the second electrode; Including,
The electron injection layer contains BEDT-TTF and Bphen ,
An organic light-emitting device in which the content of BEDT-TTF increases in a stepwise manner as it approaches the second electrode. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 BEDT-TTF의 함량이 상기 전자 주입층 100 중량% 당 0.01 중량% 내지 10 중량%인 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The organic light-emitting device in which the content of BEDT-TTF is 0.01% to 10% by weight per 100% by weight of the electron injection layer. 제1항에 있어서,
상기 전자 주입층의 두께가 0.1nm 내지 10nm인 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The organic light emitting device having a thickness of the electron injection layer of 0.1 nm to 10 nm. 제1항에 있어서,
상기 전자 주입층과 상기 제2전극이 서로 접하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
An organic light-emitting device in which the electron injection layer and the second electrode are in contact with each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 전자 수송 대역은 C60, C70, PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C75), PCBM(C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7l, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB 및 BTB 중에서 선택되는 1종 이상의 전자 수송 재료를 포함하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The electron transport band is C60, C70, PCBM (C60), PCBM (C70), PCBM (C75), PCBM (C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy , TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7l, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB, and organic light-emitting device comprising at least one electron transport material selected from BTB. 제1항에 있어서,
상기 전자 수송 대역은 Bphen, NBphen 및 HNBphen 중에서 선택되는 1종 이상의 전자 수송 재료를 포함하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The electron transport band is an organic light-emitting device comprising at least one electron transport material selected from Bphen, NBphen, and HNBphen. 제1항에 있어서,
상기 전자 수송 대역의 두께가 10nm 내지 100nm인 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The organic light-emitting device having a thickness of the electron transport band of 10 nm to 100 nm. 제1항에 있어서,
상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역을 더 포함하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
An organic light emitting device further comprising a hole transport region interposed between the first electrode and the emission layer. 제14항에 있어서,
상기 정공 수송 영역은 NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α,β-TNB, α-TNB, β- NPP, PEDOT: PSS, PVK, WOx, NiO2, Mo 및 MoOx 중에서 선택되는 1종 이상의 정공 수송 재료를 포함하는 유기 발광 소자.The method of claim 14,
The hole transport region is NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF , Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α,β-TNB, α-TNB, β-NPP, PEDOT: PSS, An organic light emitting device comprising at least one hole transport material selected from PVK, WOx, NiO 2 , Mo and MoOx.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022108301A1 (en) * 2020-11-17 2022-05-27 고려대학교 세종산학협력단 Stretchable optical device and method for manufacturing same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060011927A1 (en) 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corp. Organic light emitting devices and electroluminescent display panel applying the same
KR101021049B1 (en) * 2000-12-28 2011-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Organic luminescent element

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717358B1 (en) * 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
US20100244677A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Begley William J Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101021049B1 (en) * 2000-12-28 2011-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Organic luminescent element
US20060011927A1 (en) 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corp. Organic light emitting devices and electroluminescent display panel applying the same

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