KR102169229B1 - 시트재, 메탈 메시, 배선 기판 및 표시 장치, 및 그것들의 제조 방법 - Google Patents

시트재, 메탈 메시, 배선 기판 및 표시 장치, 및 그것들의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102169229B1
KR102169229B1 KR1020180087093A KR20180087093A KR102169229B1 KR 102169229 B1 KR102169229 B1 KR 102169229B1 KR 1020180087093 A KR1020180087093 A KR 1020180087093A KR 20180087093 A KR20180087093 A KR 20180087093A KR 102169229 B1 KR102169229 B1 KR 102169229B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plated film
electroless plated
resin layer
main surface
electroless
Prior art date
Application number
KR1020180087093A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190013574A (ko
Inventor
마코토 오리카사
유헤이 호리카와
요시히로 간바야시
히사유키 아베
Original Assignee
티디케이가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티디케이가부시기가이샤 filed Critical 티디케이가부시기가이샤
Publication of KR20190013574A publication Critical patent/KR20190013574A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102169229B1 publication Critical patent/KR102169229B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B32B15/09—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/161—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from plating step, e.g. inkjet
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1641—Organic substrates, e.g. resin, plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1689—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2053—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/206—Use of metal other than noble metals and tin, e.g. activation, sensitisation with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073—Multistep pretreatment
    • C23C18/208—Multistep pretreatment with use of metal first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/20—Inorganic coating
    • B32B2255/205—Metallic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/28—Multiple coating on one surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/412—Transparent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/546—Flexural strength; Flexion stiffness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/208—Touch screens
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 시트재(1)는 바인더(2) 및 촉매 입자(3)를 포함하는 수지층(4)과, 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)측에 마련되고, 제 1 무전해 도금막(5) 및 제 2 무전해 도금막(6)을 갖는 무전해 도금막(7)과, 수지층(4)의 다른 쪽 주면(4b)측에 마련된 기재(8)를 구비한다. 촉매 입자(3)의 적어도 일부는 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)으로부터 노출되는 노출면(3a)을 갖고, 노출면(3a)은 수지층(4)의 한쪽 주면(4a) 위에 산재하고 있다. 제 1 무전해 도금막(5)은 촉매 입자(3)의 각각의 노출면(3a)을 둘러싸도록 수지층(4)의 한쪽 주면(4a) 위에 마련되어 있다. 제 2 무전해 도금막(6)은 제 1 무전해 도금막(5)을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막(6)의 한쪽 주면(6a)은 제 1 무전해 도금막(5)에 대응하는 오목부(6r)를 구비한다.

Description

시트재, 메탈 메시, 배선 기판 및 표시 장치, 및 그것들의 제조 방법{SHEET MATERIAL, METAL MESH, WIRING SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 시트재, 메탈 메시, 배선 기판 및 표시 장치, 및 그것들의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 터치 패널 등의 전자 부품에 사용되는 전극용 부재로서, 구리, 은 등의 금속의 미세 배선을 메시상으로 패턴화한 메탈 메시의 개발이 시도되고 있다.
메탈 메시는, 종래의 ITO(인듐 주석 산화물)와 같은 투명 도전막을 사용하는 경우와 비교해서, 저비용화 및 저저항화를 실현할 수 있는 점에서 뛰어나지만, 메탈 메시를 터치 패널 등의 전극용 부재로서 사용할 경우, ITO와 비교해서 불가시성이 문제가 되는 경우가 있다.
불가시성이 향상된 메탈 메시로서, 구리층과 흑화 금속층으로 이루어진 메탈 메시가 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 및 2에는, 흑화 금속층으로서, 구리보다도 부식 속도가 느린 금속 산화물 등을 사용한 메탈 메시나, 아연층을 사용한 메탈 메시 등이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 3에는, 복수의 막이 적층되어 이루어진 적층막이 유리판 위에 형성되고, 적층막이 유리판 위에 형성된 적어도 귀금속을 포함하는 무기물막과 당해 무기물막 위에 형성된 도금 금속막을 구비하는, 막 부착 유리판이 기재되어 있고, 이 문헌에 따르면, 적층막은 유리판측에서 본 경우에 흑색이다라고 되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개2014-150118호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 특개2015-229260호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 특개2016-74582호
특허문헌 1 및 2에 기재된 메탈 메시는 흑화 금속층을 마련함으로써 흑색면을 형성할 수 있기 때문에, 불가시성을 어느 정도 향상시킬 수 있으나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 이러한 메탈 메시라도, 반사율이 높다는 관점에서 아직 개선의 여지가 있는 것이 판명되었다.
또한, 특허문헌 3에 기재된 막 부착 유리판은 유리판과 적층막과의 밀착성을 높이는 것이 곤란하였다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기재 위에 마련된 도금막에 의해 형성된 메탈 메시, 및 이것을 제조하기 위한 시트재, 및 상기 시트재를 사용한 배선 기판 및 표시 장치에 관하여, 반사율을 억제하는 동시에, 기재와 도금막과의 밀착성의 개선을 목적으로 한다.
본 발명은 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층의 한쪽 주면측에 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막과, 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련된 기재를 구비하는 시트재를 제공한다. 복수의 촉매 입자의 적어도 일부는 수지층의 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면은 수지층의 한쪽 주면 위에 산재하고 있다. 제 1 무전해 도금막은 촉매 입자의 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 한쪽 주면 위에 마련되어 있다. 제 2 무전해 도금막은 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 주면이 제 1 무전해 도금막의 표면을 따른 오목부를 형성하고 있다.
본 발명에 따른 시트재는 반사율을 억제할 수 있는 동시에, 기재와 도금막과의 밀착성을 높게 할 수 있다.
수지층의 한쪽 주면을 무전해 도금막측에서 평면시했을 때, 제 1 무전해 도금막의 최장 직경의 평균값은 18 내지 90nm라도 좋고, 상기 주면에서 차지하는 제 1 무전해 도금막의 면적비율은 80 내지 99%라도 좋다.
제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막과는 반대측의 주면은 조면(粗面)이라도 좋다.
기재는 투명 기재라도 좋다.
본 발명은 또한 상술한 본 발명에 따른 시트재의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 시트재의 제조 방법은 기재 위에 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층을 형성하는 공정으로서, 복수의 촉매 입자의 적어도 일부가 수지층의 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면이 수지층의 한쪽 주면 위에 산재하고, 기재가 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련되는 공정과, 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록, 수지층의 한쪽 주면 위에 제 1 무전해 도금막을 형성하는 공정과, 제 1 무전해 도금막을 덮도록 제 2 무전해 도금막을 형성하는 공정으로서, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 주면이 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하는 공정을 구비한다.
본 발명은 또한, 상술한 본 발명에 따른 시트재에서의 무전해 도금막에 대한 에칭에 의해, 메시상의 패턴을 갖는 무전해 도금막을 형성하는 공정을 구비하는, 메탈 메시의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 상술한 본 발명에 따른 시트재에서의 무전해 도금막에 대한 에칭에 의해, 배선 패턴을 갖는 무전해 도금막을 형성하는 공정을 구비하는, 배선 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은, 메탈 메시의 일 형태로서, 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층의 한쪽 주면측에 메시상의 패턴을 형성하도록 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막과, 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련된 기재를 구비하는 메탈 메시를 제공한다(이하, 편의적으로 「제 1 메탈 메시」라고 하는 경우가 있음). 제 1 메탈 메시에 있어서는, 복수의 촉매 입자의 적어도 일부는 수지층의 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면은 수지층의 한쪽 주면 위에 산재하고 있다. 제 1 무전해 도금막은 촉매 입자의 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 한쪽 주면 위에 마련되어 있다. 제 2 무전해 도금막은 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 주면은 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있다.
메탈 메시의 다른 일 형태로서, 본 발명은 기재와, 기재 위에 메시상의 패턴을 형성하도록 마련되고, 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층을 덮으면서 수지층의 메시상의 패턴을 따라 기재 위에 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막을 구비하는 메탈 메시를 제공한다(이하, 편의적으로 「제 2 메탈 메시」라고 하는 경우가 있음). 제 2 메탈 메시에 있어서는, 복수의 촉매 입자의 적어도 일부는 수지층의 표면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면은 수지층의 표면 위에 산재하고 있다. 제 1 무전해 도금막은 촉매 입자의 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 표면 위에 마련되어 있다. 제 2 무전해 도금막은 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 표면은 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있다.
본 발명에 따른 상술한 메탈 메시는 반사율을 억제할 수 있는 동시에, 기재와 도금막과의 밀착성을 높게 할 수 있다.
상술한 메탈 메시는 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막과는 반대측의 표면이 조면이라도 좋다.
본 발명은 또한, 배선 기판의 일 형태로서, 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층의 한쪽 주면측에 배선 패턴을 형성하도록 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막과, 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련된 기재를 구비하는 배선 기판을 제공한다(이하, 편의적으로 「제 1 배선 기판」이라고 하는 경우가 있음). 제 1 배선 기판에 있어서는, 복수의 촉매 입자의 적어도 일부는 수지층의 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면은 수지층의 한쪽 주면 위에 산재하고 있다. 제 1 무전해 도금막은 촉매 입자의 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 한쪽의 주면 위에 마련되어 있다. 제 2 무전해 도금막은 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 주면은 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있다.
배선 기판의 다른 일 형태으로서, 본 발명은 기재와, 기재 위에 배선 패턴을 형성하도록 마련되고, 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층을 덮으면서 수지층의 배선 패턴을 따라 기재 위에 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막을 구비하는 배선 기판을 제공한다(이하, 편의적으로 「제 2 배선 기판」이라고 하는 경우가 있음). 제 2 배선 기판에 있어서는, 복수의 촉매 입자의 적어도 일부는 수지층의 표면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면은 수지층의 표면 위에 산재하고 있다. 제 1 무전해 도금막은, 촉매 입자의 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 표면 위에 마련되어 있다. 제 2 무전해 도금막은, 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 표면은 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있다.
본 발명은 또한 상술한 본 발명에 따른 배선 기판에 발광 소자를 실장하는 공정을 구비하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 실장하는 공정은 배선 기판에서의 무전해 도금막의, 수지층과는 반대측의 주면 위에 접속부를 형성시키는 것과, 발광 소자를 접속부를 개재하여 무전해 도금막에 접속시키는 것을 포함하고 있어도 좋다.
본 발명은 또한 상술한 본 발명에 따른 배선 기판과, 배선 기판에 실장되어 있는 발광 소자를 구비하는 표시 장치를 제공한다. 표시 장치는 배선 기판에서의 무전해 도금막의, 수지층과는 반대측의 주면 위에 마련된 접속부를 추가로 구비하고, 발광 소자가 접속부를 개재하여 배선 기판에 접속되어 있어도 좋다.
본 발명에 따르면, 반사율을 억제할 수 있는 동시에, 기재와 도금막과의 밀착성이 높은 시트재 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기 시트재와 동일한 효과를 갖는 메탈 메시, 배선 기판 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한 본 발명은 반사율을 억제할 수 있는 동시에, 기재와 도금막과의 밀착성이 높은 표시 장치 및 그 제조 방법도 제공할 수 있다. 최근, 발광 다이오드(LED) 등의 발광 소자를 구비하는 표시 장치(예를 들어, LED 디스플레이)의 개발이 진행되고 있다. 액정 디스플레이(LCD)에서는 백 라이트의 빛을 투과형 액정에 의해 제어하는 것에 대해서, LED 디스플레이에서는 자연 발광 소자인 발광 다이오드를 사용하여 화소를 구성하고 있다. 이로써, LED 디스플레이는 고휘도, 고수명, 고시야각과 같은 특징을 갖는다.
발광 소자를 구비하는 표시 장치에 있어서, 그 해상도를 향상시키기 위해서는 발광 소자 자체를 작게 하면 좋다. 하지만, 발광 소자가 작아질수록, 기판에 대하여 밀착성을 높이면서 실장하는 것이 곤란해진다. 본 발명에 따른 배선 기판을 전극용 부재로서 사용하고, 이것에 미소한 발광 소자를 실장함으로써, 플렉서블 및 고해상도의 표시 장치를 얻을 수 있고, 또한, 발광 소자가 작은 경우라도, 배선 기판에서의 기재와 도금막과의 밀착성이 높고, 게다가 발광 소자와 배선 기판과의 밀착성도 뛰어난 표시 장치를 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은 시트재의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 시트재의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 3은 메탈 메시를 제조하는 공정의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 4는 메탈 메시를 제조하는 공정의 다른 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 5는 표시 장치를 제조하는 공정의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 6은 표시 장치를 제조하는 공정의 다른 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 7은 도 5 및 도 6에 나타낸 방법에 의해 얻어지는 표시 장치의 요부를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
이하, 도면을 적절히 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대하여 상세히 설명한다.
[시트재]
도 1은 시트재의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 시트재(1)는 바인더(2) 및 복수의 촉매 입자(3)를 포함하는 수지층(4)과, 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)측에 마련되고, 제 1 무전해 도금막(5) 및 제 2 무전해 도금막(6)을 갖는 무전해 도금막(7)과, 수지층(4)의 다른 쪽 주면(4b)측에 마련된 기재(8)를 구비하고 있다. 복수의 촉매 입자(3)의 적어도 일부는 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)으로부터 노출되는 노출면(3a)을 갖고, 복수의 노출면(3a)은 수지층(4)의 한쪽 주면(4a) 위에 산재하고 있다. 제 1 무전해 도금막(5)은 복수의 촉매 입자(3)의 복수의 노출면(3a)의 각각을 둘러싸도록 수지층(4)의 한쪽 주면(4a) 위에 마련되어 있고, 제 2 무전해 도금막(6)은 제 1 무전해 도금막(5)을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막(6)의 제 1 무전해 도금막(5)측의 주면(6a)이 제 1 무전해 도금막(5)의 표면을 따르는 오목부(6r)를 형성하고 있다.
상술한 시트재(1)에 의하면, 메탈 메시로 했을 때의 반사율을 억제할 수 있는 동시에, 기재와 도금막과의 밀착성을 높게 할 수 있다. 이러한 효과가 얻어지는 이유를 본 발명자들은 이하와 같이 추측한다.
먼저, 흑화 금속층을 마련한 종래의 메탈 메시에 있어서 반사율을 낮게 억제할 수 없는 이유는 흑화 금속층이 균일에 존재하는, 즉, 흑화 금속층의 대부분이 평활면을 갖는 것에 기인하는 것이라고 생각된다. 이에 대하여, 본 발명에 따른 시트재(1)에서는, 제 1 무전해 도금막(5)이 복수의 촉매 입자(3)의 각각의 노출면(3a)을 둘러싸도록 수지층(4)의 한쪽 주면(4a) 위에 마련되어 있기 때문에, 평활면을 갖는 영역이 적고, 이로써 반사율을 낮게 억제할 수 있었던 것이라고 추측한다. 또한, 무전해 도금막(7) 및 기재(8)를 수지층(4)을 개재하여 적층시킴으로써, 무전해 도금막(7)과 기재(8)와의 밀착성을 높일 수 있었다고 생각된다.
바인더(2)로서는 아크릴 수지, 아미노 수지, 시아네이트 수지, 이소시아네이트 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 옥세탄 수지, 폴리에스테르, 알릴 수지, 페놀 수지, 벤조옥사진 수지, 자일렌 수지, 케톤 수지, 푸란 수지, COPNA 수지, 규소 수지, 디사이클로펜타디엔 수지, 벤조사이클로부텐 수지, 에피술피드 수지, 엔-티올 수지, 폴리아조메틴 수지, 폴리비닐벤질에테르 화합물, 아세나프틸렌, 및 불포화 이중 결합이나, 환상 에테르, 비닐 에테르 등의 자외선으로 중합 반응을 일으키는 관능기를 포함하는 자외선 경화 수지 등을 들 수 있다.
촉매 입자(3)로서는 팔라듐, 은, 백금, 금, 니켈, 구리 및 이것들의 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 금속 입자를 사용해도 좋다. 촉매 입자(3)로서 이것들을 사용함으로써, 촉매 입자(3)와 후술하는 제 1 무전해 도금막(5)과의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있는 동시에, 제 1 무전해 도금막(5)의 최장 직경 및 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)에서 차지하는 제 1 무전해 도금막(5)의 면적비율을 효율적으로 원하는 값으로 조정하는 것이 가능해진다. 촉매 입자(3)는 10 내지 100nm의 평균 입자 직경을 갖는 것이 바람직하다. 촉매 입자(3)의 평균 입자 직경이 상기 수치 범위 내이면, 시트재 및 메탈 메시를 제작했을 때에 반사율을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 여기에서, 평균 입자 직경은 레이저 회절 산란법에 의해 측정되며, 체적 누적 입도 분포 곡선을 소립자 직경측에서 그린 경우에, 체적 누적이 50%가 되는 입자 직경에 대응하는 값으로서 산출할 수 있다.
수지층(4)에서의 바인더(2) 및 촉매 입자(3)의 질량비는 특별히 제한되지 않지만, 반사율을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서, 예를 들어, 바인더:촉매 입자＝2:1 내지 50:1인 것이 바람직하다. 수지층(4)의 두께도 특별히 제한되지 않지만, 반사율을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서, 예를 들어 10 내지 100nm인 것이 바람직하다.
제 1 무전해 도금막(5)은 반사율을 효과적으로 억제하여 불가시성을 보다 발휘하는 관점, 및 무전해 도금막(7)을 에칭에 의해 패턴화할 경우에서의 양호한 에칭성을 확보하는(과잉의 에칭에 의한 단선을 방지하는) 관점에서, 니켈, 팔라듐, 금, 은 및 이것들의 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 에칭성을 보다 효과적으로 확보하는 관점에서, 제 1 무전해 도금막(5)은 인을 추가로 포함하는 것이 보다 바람직하고, 이 경우의 인의 함유량은 제 1 무전해 도금막(5)의 전 질량에 대하여 8질량% 이하라도 좋다.
제 1 무전해 도금막(5)은 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)을 무전해 도금막(7)측에서 평면시했을 때, 제 1 무전해 도금막(5)의 최장 직경의 평균값이 18 내지 90nm인 것이 바람직하다. 제 1 무전해 도금막(5)의 최장 직경의 평균값이 18nm 이상이면, 제 1 무전해 도금막(5)에 의해 반사율을 보다 효과적으로 억제할 수 있고, 상기 평균값이 90nm 이하이면, 제 1 무전해 도금막(5)에서의 평활면을 갖는 영역을 적게 할 수 있고, 결과적으로 반사율을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
제 1 무전해 도금막(5)은, 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)을 무전해 도금막(7)측에서 평면시했을 때, 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)에서 차지하는 제 1 무전해 도금막(5)의 면적비율이 80 내지 99%인 것이 바람직하다. 상기 면적비율이 80% 이상이면, 제 1 무전해 도금막(5)에 의해 반사율을 보다 효과적으로 억제할 수 있고, 면적비율이 99% 이하이면, 제 1 무전해 도금막(5)에서의 평활면을 갖는 영역을 적게 할 수 있고, 결과적으로 반사율을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
여기에서, 제 1 무전해 도금막(5)의 최장 직경의 평균값 및 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)에서 차지하는 제 1 무전해 도금막(5)의 면적비율은 SEM 사진의 화상 해석에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 시트재(1)를 무전해 도금막(7)측에서 20만배의 배율로 관찰하고, 세로 500㎛, 가로 600㎛의 시야에서 SEM 사진의 화상을 취득하고, 시야 내의 각각의 제 1 무전해 도금막(5)의 최장 직경을 실측하고, 각각의 실측값을 평균함으로써, 최장 직경의 평균값을 산출할 수 있다. 또한, 면적비율은 시야 내의 각각의 제 1 무전해 도금막(5)의 최장 직경 및 최단 직경으로부터 제 1 무전해 도금막(5)의 각각의 면적을 측정하고, 그 합계값과 시야 내의 면적의 비율을 산출함으로써 구할 수 있다.
제 2 무전해 도금막(6)은, 전기 저항을 낮게 하는 관점에서, 구리, 니켈, 은 및 이것들의 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 구리를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상술한 제 1 무전해 도금막(5) 및 제 2 무전해 도금막(6)은 서로 동종 또는 이종의 금속 또는 금속 화합물을 포함하고 있어도 좋지만, 서로 이종의 금속 또는 금속 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 제 1 무전해 도금막(5)이 니켈 또는 니켈 화합물을 포함하고, 제 2 무전해 도금막(6)이 구리를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
제 2 무전해 도금막(6)의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 반사율을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서, 예를 들어 0.3 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 10㎛인 것이 보다 바람직하다. 특히, 제 2 무전해 도금막(6)의 두께가 0.3㎛ 이상이면, 보다 효과적으로 제 2 무전해 도금막(6)의 연속성을 유지할 수 있다.
기재(8)는, 특별히 제한되지 않지만, 투명 기재라도 좋다. 또한, 투과율이 높고, 또한 반사율이 낮은 시트재가 얻어지기 쉬운 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리이미드로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 기재(8)의 두께도 특별히 제한되지 않지만, 반사율을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서, 예를 들어 3 내지 50㎛인 것이 바람직하다.
도 2는 시트재의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 시트재(1)는 제 2 무전해 도금막(6)의 제 1 무전해 도금막(5)과는 반대측의 주면(6b)이 조면(6s)이라도 좋다. 이로써, 시트재(1)의 불가시성을 보다 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 따른 시트재(1)는 예를 들어 이하의 방법에 의해 제조할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 따른 시트재(1)의 제조 방법은, 기재(8) 위에, 바인더(2) 및 복수의 촉매 입자(3)를 포함하는 수지층(4)을 형성하는 공정으로서, 복수의 촉매 입자(3)의 적어도 일부가 수지층(4)의 한쪽 주면(4a)으로부터 노출되는 노출면(3a)을 갖고, 복수의 노출면(3a)이 수지층(4)의 한쪽 주면(4a) 위에 산재하고, 기재(8)가 수지층의 다른 쪽 주면(4b)측에 마련되는 공정(제 1 공정)과, 복수의 노출면(3a)의 각각을 둘러싸도록, 수지층(4)의 한쪽 주면(4a) 위에 제 1 무전해 도금막(5)을 형성하는 공정(제 2 공정)과, 제 1 무전해 도금막(5)을 덮도록 제 2 무전해 도금막(6)을 형성하는 공정으로서, 제 2 무전해 도금막(6)의 제 1 무전해 도금막(5)측의 주면(6a)이 제 1 무전해 도금막(5)의 표면을 따른 오목부(6r)를 형성하는 공정(제 3 공정)을 구비한다.
제 1 공정에 있어서, 기재 위에 수지층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 바인더 및 촉매 입자를 포함하는 수지 조성물을 조제하고, 얻어진 수지 조성물을 기재 위에 도포, 건조하는 방법 등을 들 수 있다. 제 1 공정을 거침으로써, 기재와, 기재 위에 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층을 구비하고, 복수의 촉매 입자의 적어도 일부가 수지층의 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면이 수지층의 한쪽 주면 위에 산재하고 있는 적층체(제 1 적층체)를 얻을 수 있다. 수지 조성물에서의 바인더 및 촉매 입자의 질량비는 특별히 제한되지 않지만, 반사율을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서, 예를 들어, 바인더:촉매 입자＝2:1 내지 50:1인 것이 바람직하다.
제 2 공정에 있어서, 제 1 무전해 도금막을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 소정의 금속을 포함하는 제 1 무전해 도금욕에 제 1 공정에서 얻어진 제 1 적층체를 침지한 후, 수세 등을 행하는 방법 등을 들 수 있다. 제 1 무전해 도금욕의 처리 조건은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 소정의 금속을 0.1 내지 2.0 포함하는 제 1 무전해 도금욕을 사용할 경우, 처리 온도는 70 내지 90℃이고, 처리 시간은 10 내지 120초이다. 제 2 공정을 거침으로써, 제 1 적층체에서의 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록, 수지층의 한쪽 주면 위에 제 1 무전해 도금막이 형성된 적층체(제 2 적층체)를 얻을 수 있다.
제 3 공정에 있어서, 제 2 무전해 도금막을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 소정의 금속을 포함하는 제 2 무전해 도금욕에 제 2 공정에서 얻어진 제 2 적층체를 침지한 후, 수세 등을 행하는 방법 등을 들 수 있다. 제 2 무전해 도금욕의 처리 조건은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 소정의 금속을 1 내지 5g/L 포함하는 제 2 무전해 도금욕을 사용할 경우, 처리 온도는 25 내지 50℃이며, 처리 시간은 5 내지 60분이다. 제 3 공정을 거침으로써, 제 2 적층체에서의 제 1 무전해 도금막을 덮고, 또한 제 1 무전해 도금막측의 주면이 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하도록, 제 2 무전해 도금막이 형성된 시트재를 형성할 수 있다.
본 실시형태에 따른 시트재의 제조 방법에 있어서는, 상기 제 3 공정 후에, 추가로 상기 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막과는 반대측의 주면을 조면화하는 공정을 갖추고 있어도 좋다. 조면화는 예를 들어 조화 처리에 의해 조면을 형성시켜도 좋고, 도금 처리에 의해 조면을 형성시켜도 좋다.
[제 1 메탈 메시]
본 실시형태에 따른 제 1 메탈 메시는 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층의 한쪽 주면측에 메시상의 패턴을 형성하도록 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막과, 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련된 기재를 구비하고, 복수의 촉매 입자의 적어도 일부가 수지층의 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면이 수지층의 한쪽 주면 위에 산재하고 있고, 제 1 무전해 도금막이 복수의 촉매 입자의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 한쪽 주면 위에 마련되어 있고, 제 2 무전해 도금막이 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 주면이 제 1 무전해 도금막의 표면을 따른 오목부를 형성하고 있다.
이러한 제 1 메탈 메시는, 예를 들어, 상술한 본 실시형태에 따른 시트재에서의 무전해 도금막에 대한 에칭에 의해, 메시상의 패턴을 갖는 무전해 도금막을 형성함으로써 제조할 수 있다.
도 3은 제 1 메탈 메시(10)를 제조하는 공정의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 우선, 본 실시형태에 따른 시트재(1)를 준비하고(도 3(a)), 당해 시트재(1)의 무전해 도금막(7)에서의 수지층(4)과는 반대측의 주면 위에 메시상의 레지스트 패턴(9)을 형성한다(도 3(b)). 메시상의 레지스트 패턴(9)을 형성하는 방법으로서는 특별히 제한되는 것은 아니고, 공지의 방법을 적절히 채용할 수 있지만, 예를 들어, 인쇄법, 잉크젯법, 포토리소그래피법 등에 의해 메시상의 레지스트 패턴을 형성하는 방법, 레지스트막을 형성한 후, 상기 레지스트막을 패턴 노광 및 현상해서 메시상으로 패터닝하는 방법 등을 들 수 있다. 그 후, 레지스트 패턴(9)을 마스크로 하고, 무전해 도금막(7)을 에칭에 의해 메시상의 패턴을 갖는 무전해 도금막(7')을 형성시켜, 레지스트 패턴(9)을 제거한다(도 3(c)). 이로써, 메시상의 패턴을 갖는 제 1 무전해 도금막(5') 및 제 2 무전해 도금막(6')을 갖는 무전해 도금막(7')을 형성할 수 있다.
[제 2 메탈 메시]
본 실시형태에 따른 제 2 메탈 메시는 기재와, 기재 위에 메시상의 패턴을 형성하도록 마련되고, 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층을 덮으면서 수지층의 메시상의 패턴을 따라 기재 위에 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막을 구비하고, 복수의 폴리피롤(polypyrrole) 입자의 적어도 일부가, 수지층의 표면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면이 수지층의 표면 위에 산재하고 있고, 제 1 무전해 도금막이 촉매 입자의 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 표면 위에 마련되어 있고, 제 2 무전해 도금막이 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 주면이 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있다.
이러한 제 2 메탈 메시는, 예를 들어, 이하의 방법에 의해 제조할 수 있다.
도 4는 제 2 메탈 메시(20)를 제조하는 공정의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 우선, 기재(8) 위에 메시상의 패턴을 갖는 수지층(4')을 형성한다(도 4(a)). 메시상의 패턴을 갖는 수지층(4')을 형성하는 방법으로서는 특별히 제한되는 것은 아니고, 공지의 방법을 적절히 채용할 수 있는데, 예를 들어, 인쇄법, 잉크젯법, 포토리소그래피법 등에 의해 메시상의 패턴을 갖는 수지층(4')을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
그 후, 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록, 수지층(4')의 표면 위에 제 1 무전해 도금막(5')을 형성한다. 제 1 무전해 도금막(5')의 형성 방법은 상기 시트재의 제조 방법에서 서술한 방법과 동일한 방법을 채용할 수 있다.
그 후, 수지층(4') 및 제 1 무전해 도금막(5')을 덮도록, 기재(8) 위에 제 2 무전해 도금막(6')을 형성함으로써 제 2 메탈 메시를 형성할 수 있다(도 4(b)). 그 때, 제 2 무전해 도금막(6')의 제 1 무전해 도금막(5')측의 주면은 제 1 무전해 도금막(5')의 표면을 따르는 오목부를 형성한다. 제 2 무전해 도금막(6')을 형성하는 방법은, 상기 시트재의 제조 방법에 있어서 서술한 방법과 동일한 방법을 채용할 수 있다.
상술한 본 실시형태에 따른 시트재 및 메탈 메시는 반사율을 억제할 수 있는 동시에, 기재와 도금막과의 밀착성이 높아서, 스마트폰, 태블릿 단말, PC 등의 터치 패널 센서 등에 적합하게 사용할 수 있다. 터치 패널 센서에 적합하게 사용할 수 있는 시트재 및 메탈 메시의 반사율은 예를 들어 20% 이하이며, 바람직하게는 15% 이하, 보다 바람직하게는 10% 이하이다.
[표시 장치]
상술한 본 실시형태에 따른 시트재로부터 얻어지는 배선 기판에 발광 소자를 실장함으로써, 상기 배선 기판과 발광 소자를 구비하는 표시 장치를 제조할 수 있다.
[제 1 배선 기판]
본 실시형태에 따른 제 1 배선 기판은 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층의 한쪽 주면측에 배선 패턴을 형성하도록 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막과, 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련된 기재를 구비하고, 복수의 촉매 입자의 적어도 일부가 수지층의 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면이 수지층의 한쪽 주면 위에 산재하고 있고, 제 1 무전해 도금막이 복수의 촉매 입자의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 한쪽 주면 위에 마련되어 있고, 제 2 무전해 도금막이 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 주면이 제 1 무전해 도금막의 표면을 따른 오목부를 형성하고 있다.
이러한 제 1 배선 기판은, 예를 들어, 상술한 본 실시형태에 따른 시트재에서의 무전해 도금막에 대한 에칭에 의해, 배선 패턴을 갖는 무전해 도금막을 형성함으로써 제조할 수 있다.
[제 2 배선 기판]
본 실시형태에 따른 제 2 배선 기판은 기재와, 기재 위에 배선 패턴을 형성하도록 마련되고, 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지층과, 수지층을 덮으면서 수지층의 배선 패턴을 따라 기재 위에 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막을 구비하고, 복수의 폴리피롤 입자의 적어도 일부가 수지층의 표면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 노출면이 수지층의 표면 위에 산재하고 있고, 제 1 무전해 도금막이 촉매 입자의 복수의 노출면의 각각을 둘러싸도록 수지층의 표면 위에 마련되어 있고, 제 2 무전해 도금막이 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 제 2 무전해 도금막의 제 1 무전해 도금막측의 주면이 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있다.
이러한 제 2 배선 기판은, 예를 들어, 상술한 제 2 메탈 메시의 제조 방법과 동일한 방법에 의해 제조할 수 있다.
발광 소자의 실장에 있어서는 예를 들어 배선 기판에 접속부를 개재하여 발광 소자를 실장해도 좋다. 이 경우, 접속부는 배선 기판에서의 무전해 도금막의, 수지층과는 반대측의 주면 위에 마련되어도 좋고, 발광 소자는 접속부의, 무전해 도금막과는 반대측의 주면 위에 마련되어도 좋다. 상술한 본 실시형태에 따른 배선 기판은 기재와 도금막과의 밀착성이 높기 때문에, 이 배선 기판을 구비하는 표시 장치는 천 또는 종이와 같이 얇게 제조되어, 접어 구부리거나 둥글게 하거나 할 수 있는 플렉서블한 표시 장치(디스플레이)로서 사용할 수 있다. 이러한 플렉서블한 표시 장치는 소형화·경량화할 수 있고, 수납성·디자인성을 향상시킬 수 있다. 이하, 표시 장치의 적합한 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
본 실시형태에 따른 제 1 표시 장치는, 상술한 제 1 배선 기판에 있어서, 무전해 도금막의, 수지층과는 반대측의 주면 위에 마련된 접속부와, 접속부의, 무전해 도금막과는 반대측의 주면 위에 마련된 발광 소자를 구비하는 것이다.
도 5는 제 1 표시 장치(100)를 제조하는 공정의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다. 도 5에 나타내는 방법에서는, 우선, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 배선 기판(10A)에 있어서, 수지층(4)의 기재(8)과는 반대측의 주면(4a)(무전해 도금막(7')이 형성되어 있지 않은 면)과, 무전해 도금막(7')에서의 제 2 무전해 도금막(6')의 상면(6'a)으로서, 후술하는 접속부(51)를 형성하지 않은 면에 절연층(52)을 형성시킨다. 절연층(52)은 수지층(4)의 주면(4a)과, 제 2 무전해 도금막(6')의 일부(예를 들어, 제 2 무전해 도금막(6')의 단부)를 덮도록 형성되어 있어도 좋다.
절연층(52)은 바람직하게는 수지를 함유한다. 절연층(52)을 구성하는 수지는, 예를 들어, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등이라도 좋다. 절연층(52)의 두께는 0.1 내지 5.0㎛이라도 좋다.
다음으로, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 제 2 무전해 도금막(6')의 수지층(4)과는 반대측의 면 위로서, 절연층(52)이 형성되어 있지 않은 상면(6'a) 위에 접속부(53)를 형성시킨다.
접속부(53)는 상면(6'a) 위에 땜납 합금으로 이루어진 미소 볼을 사용함으로써 형성되어도 좋고, 땜납 합금으로 이루어진 페이스트를 인쇄해서 형성되어도 좋다. 접속부(53)는 제 2 무전해 도금막(6')으로부터 금속 도금을 성장시키는 무전해 도금법에 의해 형성되어도 좋다. 접속부(53)가 무전해 도금법에 의해 형성되는 경우, 접속부(53)는 주석, 은, 구리, 비스무트, 인듐 등을 구성 재료로서 포함하고 있어도 좋고, 이것들의 어느 하나가 2 이상의 재료에 의한 합금을 포함하고 있어도 좋다. 접속부(53)의 치수는 후술하는 발광 소자에서의 전극이 접촉 가능한 크기이면 적절히 설정되어도 좋다.
다음으로, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 발광부(54)와, 발광부(54)의 한쪽 주면(54a) 위에 마련된 양극(55)과, 양극(55)으로부터 소정의 간격을 두어 마련된 음극(56)을 갖춘 발광 소자(57)를 준비하고, 제 1 배선 기판(10A)에서의 제 2 무전해 도금막(6')에 발광 소자(57)에서의 양극(55) 및 음극(56)을, 접속부(53)를 개재하여 접속시킴으로써, 제 1 배선 기판(10A)에 발광 소자(57)를 실장한다. 이 공정에서는, 접속부(53)의, 절연층(52)과 접하는 면의 반대측의 면(53a) 위에 발광 소자(57)에서의 양극(55) 및 음극(56)을 접촉시킴으로써, 발광 소자(57)를 제 1 배선 기판(10A)에 접속해도 좋다. 이로써, 발광 소자(57)가 제 1 배선 기판(10A)에 실장된 제 1 표시 장치(100)를 얻을 수 있다.
본 실시형태에 따른 제 2 표시 장치는, 상술한 제 2 배선 기판에 있어서, 추가로 무전해 도금막의, 수지층과는 반대측의 주면 위에 마련된 접속부와, 접속부의, 무전해 도금막과는 반대측의 주면 위에 마련된 발광 소자를 구비하는 것이다.
도 6은 제 2 표시 장치(200)를 제조하는 공정의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다. 도 6에 나타내는 방법에서는, 우선, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 제 2 배선 기판(20A)에 있어서, 기재(8)에서의 수지층(4')이 형성되어 있는 측의 주면(8a)(무전해 도금막(7')이 형성되어 있지 않은 면)과, 무전해 도금막(7')에서의 제 2 무전해 도금막(6')의 상면(6'a)으로서, 접속부(51)를 형성하지 않은 면에 절연층(52)을 형성시킨다. 절연층(52)은 기재(8)의 주면(8a)과, 제 2 무전해 도금막(6')의 일부(예를 들어, 제 2 무전해 도금막(6')의 단부)를 덮도록 형성되어 있어도 좋다. 절연층(52)의 재료 및 치수는 상기 제 1 표시 장치에서의 절연층(52)과 동일해도 좋다.
다음으로, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 제 2 무전해 도금막(6')의 수지층(4)과는 반대측의 면 위로서, 절연층(52)이 형성되어 있지 않은 상면(6'a) 위에 접속부(53)를 형성시킨다. 접속부(53)의 형성 방법, 재료 및 치수는 상기 제 1 표시 장치에서의 접속부(53)와 동일해도 좋다.
다음으로, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 제 2 배선 기판(20A)에서의 제 2 무전해 도금막(6')에 발광 소자(57)에서의 양극(55) 및 음극(56)을, 접속부(53)를 개재하여 접속시킴으로써, 제 2 배선 기판(20A)에 발광 소자(57)를 실장한다. 이 공정에서는, 접속부(53)의, 절연층(52)과 접하는 면의 반대측의 면(53a) 위에 발광 소자(57)에서의 양극(55) 및 음극(56)을 접촉시킴으로써, 발광 소자(57)를 제 2 배선 기판(20A)에 접속해도 좋다. 이로써, 발광 소자(57)가 제 2 배선 기판(20A)에 실장된 제 2 표시 장치(200)를 얻을 수 있다.
도 7은 도 5 및 도 6에 나타낸 방법에 의해 얻어지는 표시 장치(300)(제 1 표시 장치(100) 또는 제 2 표시 장치(200))의 요부를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 표시 장치(300)에 있어서, 발광 소자(57)는 배선 기판(30A)(제 1 배선 기판(10A) 또는 제 2 배선 기판(20A))에서의 2개의 무전해 도금막(7') 위에 소정의 간격을 두어서 실장되어 있다. 발광 소자(57)는 적색의 발광부를 갖는 발광 소자(57a), 녹색의 발광부를 갖는 발광 소자(57b), 및 청색의 발광부를 갖는 발광 소자(57c)로 이루어져 있어도 좋고, 이들 발광 소자(57a, 57b 및 57c)가 임의의 순서로 배치되어도 좋다. 인접하는 발광 소자(57)끼리의 간격으로서는, 예를 들어, 무전해 도금막(7')의 폭 방향에서의 간격(D1)이 400㎛ 이하, 무전해 도금막(7')의 연장 방향에서의 간격(D2)이 200㎛ 이하라도 좋다.
상술한 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서는 발광 소자의 노출 부분을 덮는 밀봉부(도시하지 않음)를 마련하는 공정을 추가로 갖추어도 좋다. 밀봉부는, 예를 들어, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 수지로 형성되어도 좋다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[시트재의 제작]
(실시예 1)
20질량%의 팔라듐 입자와, 이소시아네이트 수지를 함유하는 수지 조성물을 준비하였다.
얻어진 수지 조성물을 PET 필름(토요 보세키 가부시키가이샤 제조, 상품명 「코스모샤인 A4100」) 위에 도포하고, 건조시킴으로써, PET 필름 위에 두께 60㎛로 팔라듐 입자가 표면에 노출되어 있는 수지층을 구비하는 제 1 적층체를 얻었다. 제 1 적층체를 0.5g/L의 니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지하고, 상기 도금욕의 온도 82℃에서, 20초간 무전해 도금 처리를 행하여, 요철 표면을 갖는 제 1 무전해 도금막이 형성된 제 2 적층체를 얻었다. 계속해서, 제 2 적층체를 3.0g/L의 구리 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지하고, 도금욕의 온도 38℃에서, 45분간 무전해 도금 처리를 행하여, 제 1 무전해 도금막의 요철 표면 위에 제 2 무전해 도금막이 형성된 시트재를 제작하였다. 제 2 무전해 도금막의 두께는 1㎛이며, 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있었다.
(실시예 2)
니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지시키는 시간을 30초간으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 시트재를 얻었다.
(실시예 3)
니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지시키는 시간을 40초간으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 시트재를 얻었다.
(실시예 4)
니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지시키는 시간을 50초간으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 시트재를 얻었다.
(실시예 5)
니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지시키는 시간을 60초간으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 시트재를 얻었다.
(실시예 6)
니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지시키는 시간을 90초간으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 시트재를 얻었다.
(실시예 7)
니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지시키는 시간을 120초간으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 시트재를 얻었다.
(비교예 1)
PET 필름(토요 보세키 가부시키가이샤 제조, 상품명 「코스모샤인 A4100」)위에, 스퍼터링법으로 팔라듐을 두께 20nm가 되도록 제막하여, 적층체를 얻었다. 이어서, 0.5g/L의 니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 얻어진 적층체를 침지하고, 상기 도금욕의 온도 82℃에서, 20초간 무전해 도금 처리를 행하여, 평활한 표면을 갖는 제 1 무전해 도금막이 형성된 제 2 적층체를 얻었다. 이어서, 0.1g/L의 팔라듐 이온을 포함하는 수용액에 제 2 적층체를 침지하고, 수세시킨 후, 3g/L의 구리 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지하고, 도금욕의 온도 38℃에서, 45분간 무전해 도금 처리를 행하여, 니켈을 포함하는 제 1 무전해 도금막의 표면 위에 구리를 포함하는 제 2 무전해 도금막이 형성된 시트재를 얻었다. 구리를 포함하는 제 2 무전해 도금막의 두께는 1㎛이었다.
(비교예 2)
PET 필름(토요 보세키 가부시키가이샤 제조, 상품명 「코스모샤인A4100」) 위에 스퍼터링법으로 니켈을 두께 20nm가 되도록 제막하여, 평활한 표면을 갖는 막이 형성된 제 2 적층체를 얻었다. 이어서, 0.1g/L의 팔라듐 이온을 포함하는 수용액에 제 2 적층체를 침지하고, 수세시킨 후, 10g/L의 차아인산을 포함하는 수용액에 침지하고, 수세시켰다. 그 후, 3g/L의 구리 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지하고, 도금욕의 온도 38℃에서, 45분간 무전해 도금 처리를 행하여, 니켈을 포함하는 막의 표면 위에 구리를 포함하는 제 2 무전해 도금막이 형성된 시트재를 얻었다. 무전해 도금막의 두께는 1㎛이었다.
(비교예 3)
PET 필름(토요 보세키 가부시키가이샤 제조, 표품명 「코스모샤인A4100」)을 Sn-Pd 콜로이드 용액에 25℃, 5분간 침지하고, 수세한 후, 0.5g/L의 니켈 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지하고, 상기 도금욕의 온도 82℃에서, 20초간 무전해 도금 처리를 행하여, 요철 표면을 갖는 제 1 무전해 도금막이 형성된 제 2 적층체를 얻었다. 이어서, 0.1g/L의 팔라듐 이온을 포함하는 수용액에 제 2 적층체를 침지하고, 수세시킨 후, 3g/L의 구리 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 침지하고, 도금욕의 온도 38℃에서, 45분간 무전해 도금 처리를 행하고, 니켈을 포함하는 막의 요철 표면 위에 구리를 포함하는 제 2 무전해 도금막이 형성된 시트재를 얻었다.
[시트재의 평가]
(제 1 무전해 도금막의 최장 직경 및 면적비율의 측정)
상기 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 제 2 적층체에서의 제 1 무전해 도금막의 최장 직경 및 면적비율을 SEM 사진의 화상 해석에 의해 측정하였다. 측정은 각각의 제 2 적층체를 세로 500㎛, 가로 600㎛의 시야에서 20만배의 배율로 관찰함으로써 행하여, 각각의 제 1 무전해 도금막의 최장 직경의 평균값, 및 시야에서 차지하는 제 1 무전해 도금막의 면적비율을 산출하였다. 또한, 비교예 1 및 2에서 제작된 제 2 적층체는, 막의 표면이 평활했기 때문에, 최장 직경을 측정할 수 없었다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
(반사율의 측정)
분광광도계(Spectrophotometer) CM-5(코니카 미놀타 가부시키가이샤 제조, 제품명)를 사용하고, JIS K 8729에 준거한 방법에 따라, 상기 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 시트재에서의 PET 필름측으로부터의 빛의 반사율을 측정하였다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다. 반사율이 20% 이하이면, 반사율이 낮게 억제된 양호한 시트재라고 할 수 있다.
[메탈 메시의 제작]
상기 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 시트재에서의 무전해 도금막 위에 포토리소그래피에 의해 L/S＝5/10㎛의 메시상의 레지스트 패턴을 형성하였다. 그 후, 5% 과황산 나트륨 수용액에 침지하여, 25℃, 5분간으로 에칭을 행하고, 레지스트를 제거함으로써 메탈 메시를 제작하였다.
[메탈 메시의 평가]
(밀착성의 평가)
얻어진 메탈 메시를 직경 1mm의 스테인리스의 막대에 둘러 감고, 이하의 평가 기준에 따라 무전해 도금막의 밀착성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
A: 500회 둘러 감은 후에도 도금막의 박리가 보이지 않았다.
B: 500회 미만의 둘러 감기로 도금막의 박리가 보였다.
(에칭성의 평가)
에칭에 의한 라인의 단선의 유무를 육안으로 관찰하여, 이하의 평가 기준에 따라 에칭성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
A: 에칭을 행하였을 때에 라인의 단선이 보이지 않았다.
B: 에칭을 행하였을 때에 라인의 단선이 보였다.
Figure 112018073954472-pat00001
실시예 1 내지 7의 결과로부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 따른 시트재는 반사율을 낮게 억제할 수 있는 동시에, 기재와 도금막과의 밀착성을 높게 할 수 있었다. 또한, 에칭을 행하였을 때, 라인의 단선이 보이지 않고, 뛰어난 에칭성을 구비하는 것이 나타났다.
이에 대하여, PET 필름 위에 스퍼터링법으로 팔라듐막을 마련하고 나서 니켈 도금막을 형성한 비교예 1, PET 필름 위에 스퍼터링법으로 직접 니켈막을 형성한 비교예 2에서는, 니켈을 포함하는 막의 대부분이 평활면을 갖는 연속막을 형성하고 있어, 반사율을 낮게 억제할 수 없었다. 또한, 비교예 1과 같이 막을 마련하면, 구리 도금막이 우선적으로 에칭되기 때문에, 단선되기 쉬운 것이 나타났다. 또한, Sn-Pd 콜로이드 용액에 침지함으로써, PET 필름 위에 팔라듐 입자를 부착시키고 나서 니켈 도금막을 형성한 비교예 3에서는 수지층을 사용하지 않고 도금막을 형성하기 때문에, 팔라듐 입자가 충분히 부착되지 않아, 밀착성을 확보할 수 없었다. 또한, 팔라듐 입자가 부착되어 있지 않은 부분에 형성된 도금막은 평활면을 갖는 연속막을 형성하고 있기 때문에, 반사율도 낮게 억제할 수 있었다.
1…시트재, 2…바인더, 3…촉매 입자, 3a…노출면, 4,4'…수지층, 4a…한쪽의 주면, 4b…다른 쪽의 주면, 5,5'…제 1 무전해 도금막, 6,6'…제 2 무전해 도금막, 6a…한쪽의 주면, 6b…다른 쪽의 주면, 6r…오목부, 6s…조면, 7,7'…무전해 도금막, 8…기재, 10…제 1 메탈 메시, 10A…제 1 배선 기판, 20…제 2 메탈 메시, 20A…제 2 배선 기판, 53…접속부, 57…발광 소자, 100,200,300…표시 장치.

Claims (17)

  1. 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지 조성물을 기재 위에 도포, 건조시켜 형성되는 수지층과, 상기 수지층의 한쪽 주면측에 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막과, 상기 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련된 기재를 구비하고,
    상기 제 1 무전해 도금막 및 상기 제 2 무전해 도금막이, 서로 이종의 금속 또는 금속 화합물를 포함하고,
    복수의 상기 촉매 입자의 적어도 일부가 상기 수지층의 상기 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 상기 노출면이 상기 수지층의 상기 한쪽 주면 위에 산재하고 있고,
    상기 제 1 무전해 도금막이 상기 촉매 입자의 복수의 상기 노출면의 각각을 둘러싸도록 상기 수지층의 상기 한쪽 주면 위에 마련되어 있고,
    상기 제 2 무전해 도금막이 상기 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 상기 제 2 무전해 도금막의 상기 제 1 무전해 도금막측의 주면이 상기 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있는, 시트재.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 수지층의 상기 한쪽 주면을 상기 무전해 도금막측에서 평면시했을 때, 상기 제 1 무전해 도금막의 최장 직경의 평균값이 18 내지 90nm인, 시트재.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 수지층의 상기 한쪽 주면을 상기 무전해 도금막측에서 평면시했을 때, 상기 한쪽 주면에서 차지하는 상기 제 1 무전해 도금막의 면적비율이 80 내지 99%인, 시트재.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 무전해 도금막의 상기 제 1 무전해 도금막과는 반대측의 주면이 조면(粗面)인, 시트재.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기재가 투명 기재인, 시트재.
  6. 기재 위에 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지 조성물을 기재 위에 도포, 건조시켜 형성되는 수지층을 형성하는 공정으로서, 복수의 상기 촉매 입자의 적어도 일부가 상기 수지층의 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 상기 노출면이 상기 수지층의 상기 한쪽 주면 위에 산재하고, 상기 기재가 상기 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련되는, 공정과,
    복수의 상기 노출면의 각각을 둘러싸도록, 상기 수지층의 상기 한쪽 주면 위에 제 1 무전해 도금막을 형성하는 공정과,
    상기 제 1 무전해 도금막을 덮도록 제 2 무전해 도금막을 형성하는 공정으로서, 상기 제 2 무전해 도금막의 상기 제 1 무전해 도금막측의 주면이 상기 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하는, 공정을 구비하고,
    상기 제 1 무전해 도금막 및 상기 제 2 무전해 도금막이, 서로 이종의 금속 또는 금속 화합물를 포함하는, 시트재의 제조 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 시트재에서의 상기 무전해 도금막에 대한 에칭에 의해, 메시상의 패턴을 갖는 무전해 도금막을 형성하는 공정을 구비하는, 메탈 메시의 제조 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 시트재에서의 상기 무전해 도금막에 대한 에칭에 의해, 배선 패턴을 갖는 무전해 도금막을 형성하는 공정을 구비하는, 배선 기판의 제조 방법.
  9. 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지 조성물을 기재 위에 도포, 건조시켜 형성되는 수지층과, 상기 수지층의 한쪽 주면측에 메시상의 패턴을 형성하도록 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막과, 상기 수지층의 다른 쪽 주면측에 마련된 기재를 구비하고,
    상기 제 1 무전해 도금막 및 상기 제 2 무전해 도금막이, 서로 이종의 금속 또는 금속 화합물를 포함하고,
    복수의 상기 촉매 입자의 적어도 일부가 상기 수지층의 상기 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 상기 노출면이 상기 수지층의 상기 한쪽 주면 위에 산재하고 있고,
    상기 제 1 무전해 도금막이 상기 촉매 입자의 복수의 상기 노출면의 각각을 둘러싸도록 상기 수지층의 상기 한쪽 주면 위에 마련되어 있고,
    상기 제 2 무전해 도금막이 상기 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 상기 제 2 무전해 도금막의 상기 제 1 무전해 도금막측의 주면이 상기 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있는, 메탈 메시.
  10. 기재와, 상기 기재 위에 메시상의 패턴을 형성하도록 마련되고, 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지 조성물을 기재 위에 도포, 건조시켜 형성되는 수지층과, 상기 수지층을 덮으면서 상기 수지층의 메시상의 패턴을 따라 상기 기재 위에 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막을 구비하고,
    상기 제 1 무전해 도금막 및 상기 제 2 무전해 도금막이, 서로 이종의 금속 또는 금속 화합물를 포함하고,
    복수의 상기 촉매 입자의 적어도 일부가 상기 수지층의 표면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 상기 노출면이 상기 수지층의 표면 위에 산재하고 있고,
    상기 제 1 무전해 도금막이 상기 촉매 입자의 복수의 상기 노출면의 각각을 둘러싸도록 상기 수지층의 표면 위에 마련되어 있고,
    상기 제 2 무전해 도금막이 상기 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 상기 제 2 무전해 도금막의 상기 제 1 무전해 도금막측의 표면이 상기 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있는, 메탈 메시.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 무전해 도금막의 상기 제 1 무전해 도금막과는 반대측의 표면이 조면인, 메탈 메시.
  12. 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지 조성물을 기재 위에 도포, 건조시켜 형성되는 수지층과, 상기 수지층의 한쪽 주면측에 배선 패턴을 형성하도록 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막과, 상기 수지층의 다른 쪽의 주면측에 마련된 기재를 구비하고,
    상기 제 1 무전해 도금막 및 상기 제 2 무전해 도금막이, 서로 이종의 금속 또는 금속 화합물를 포함하고,
    복수의 상기 촉매 입자의 적어도 일부가 상기 수지층의 상기 한쪽 주면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 상기 노출면이 상기 수지층의 상기 한쪽 주면 위에 산재하고 있고,
    상기 제 1 무전해 도금막이 상기 촉매 입자의 복수의 상기 노출면의 각각을 둘러싸도록 상기 수지층의 상기 한쪽 주면 위에 마련되어 있고,
    상기 제 2 무전해 도금막이 상기 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 상기 제 2 무전해 도금막의 상기 제 1 무전해 도금막측의 주면이 상기 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있는, 배선 기판.
  13. 기재와, 상기 기재 위에 배선 패턴을 형성하도록 마련되고, 바인더 및 복수의 촉매 입자를 포함하는 수지 조성물을 기재 위에 도포, 건조시켜 형성되는 수지층과, 상기 수지층을 덮으면서 상기 수지층의 배선 패턴을 따라 상기 기재 위에 마련되고, 제 1 무전해 도금막 및 제 2 무전해 도금막을 갖는 무전해 도금막을 구비하고,
    상기 제 1 무전해 도금막 및 상기 제 2 무전해 도금막이, 서로 이종의 금속 또는 금속 화합물를 포함하고,
    복수의 상기 촉매 입자의 적어도 일부가 상기 수지층의 표면으로부터 노출되는 노출면을 갖고, 복수의 상기 노출면이 상기 수지층의 표면 위에 산재하고 있고,
    상기 제 1 무전해 도금막이 상기 촉매 입자의 복수의 상기 노출면의 각각을 둘러싸도록 상기 수지층의 표면 위에 마련되어 있고,
    상기 제 2 무전해 도금막이 상기 제 1 무전해 도금막을 덮도록 마련되고, 상기 제 2 무전해 도금막의 상기 제 1 무전해 도금막측의 표면이 상기 제 1 무전해 도금막의 표면을 따르는 오목부를 형성하고 있는, 배선 기판.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 기재된 배선 기판에 발광 소자를 실장하는 공정을 구비하는, 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 실장하는 공정이 상기 배선 기판에서의 상기 무전해 도금막의, 상기 수지층과는 반대측의 주면 위에 접속부를 형성시키는 것과,
    상기 발광 소자를, 상기 접속부를 개재하여 상기 무전해 도금막에 접속시키는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 12 항 또는 제 13 항에 기재된 배선 기판과, 상기 배선 기판에 실장되어 있는 발광 소자를 구비하는 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 표시 장치가 상기 배선 기판에서의 상기 무전해 도금막의, 상기 수지층과는 반대측의 주면 위에 마련된 접속부를 추가로 구비하고,
    상기 발광 소자가 상기 접속부를 개재하여 상기 배선 기판에 접속되어 있는, 표시 장치.
KR1020180087093A 2017-07-27 2018-07-26 시트재, 메탈 메시, 배선 기판 및 표시 장치, 및 그것들의 제조 방법 KR102169229B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017145731 2017-07-27
JPJP-P-2017-145731 2017-07-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190013574A KR20190013574A (ko) 2019-02-11
KR102169229B1 true KR102169229B1 (ko) 2020-10-23

Family

ID=65138196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180087093A KR102169229B1 (ko) 2017-07-27 2018-07-26 시트재, 메탈 메시, 배선 기판 및 표시 장치, 및 그것들의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10968519B2 (ko)
JP (2) JP7243065B2 (ko)
KR (1) KR102169229B1 (ko)
CN (1) CN109306479B (ko)
DE (1) DE102018118273A1 (ko)
TW (1) TWI679107B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020170892A1 (ja) 2019-02-18 2020-08-27 日本電気株式会社 撮像装置、方法、システム、及びコンピュータ可読媒体
CN114026594A (zh) 2019-06-25 2022-02-08 日本电气株式会社 虹膜认证装置、虹膜认证方法、计算机程序和记录介质
JP7238988B2 (ja) 2019-06-26 2023-03-14 日本電気株式会社 虹彩認証装置、虹彩認証方法、コンピュータプログラム及び記録媒体
JP6745560B1 (ja) * 2020-03-25 2020-08-26 株式会社イオックス パターン形状の無電解めっき層を有するめっき物

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007087979A (ja) * 2005-09-16 2007-04-05 Toshiba Corp 回路基板およびその製造方法
JP2013010884A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd 金属微粒子複合体及びその製造方法
JP2016221971A (ja) * 2016-06-20 2016-12-28 デクセリアルズ株式会社 積層薄膜の製造方法、及び積層薄膜

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152126A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Hitachi Chem Co Ltd 配線板の製造方法
JP3222097B2 (ja) * 1997-08-05 2001-10-22 イビデン株式会社 プリント配線板の製造方法
JP2002374055A (ja) 2001-06-14 2002-12-26 Toray Eng Co Ltd 金属回路パターン形成方法
EP1693484A3 (en) 2005-02-15 2007-06-20 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Plating Method
JP2007103445A (ja) 2005-09-30 2007-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップコイルの製造方法
JP5181231B2 (ja) * 2007-01-12 2013-04-10 アキレス株式会社 めっき物及びその製造方法
EP2009977A3 (en) * 2007-05-09 2011-04-27 FUJIFILM Corporation Electromagnetic shielding film and optical filter
JP5119851B2 (ja) * 2007-10-16 2013-01-16 大日本印刷株式会社 電磁波シールド部材
JP5096223B2 (ja) * 2008-05-08 2012-12-12 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法
US9070393B2 (en) * 2009-01-27 2015-06-30 Panasonic Corporation Three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface
TWI418268B (zh) * 2009-12-10 2013-12-01 Unimicron Technology Corp 內埋式線路板及其製造方法
JP5438570B2 (ja) 2010-03-23 2014-03-12 アキレス株式会社 遮光性フィルム及びこれを用いる遮光性粘着シート
JP6011841B2 (ja) 2012-03-09 2016-10-19 国立研究開発法人産業技術総合研究所 樹脂／銅めっき積層体およびその製造方法
JP5888255B2 (ja) 2013-01-31 2016-03-16 大日本印刷株式会社 電極フィルム、その製造方法および画像表示装置
JP6216646B2 (ja) 2014-01-23 2017-10-18 アキレス株式会社 透明導電膜及びこれを用いるタッチパネル
JP6254008B2 (ja) 2014-02-18 2017-12-27 パナソニック株式会社 透明導電基板及びその製造方法
JP2015229260A (ja) 2014-06-04 2015-12-21 東レ株式会社 金属化積層フィルム
JP2017210630A (ja) 2014-10-02 2017-11-30 日本板硝子株式会社 無電解めっき下地剤及びその製造方法並びに該無電解めっき下地剤を用いためっき積層体
WO2016052306A1 (ja) 2014-10-03 2016-04-07 日本電気硝子株式会社 膜付きガラス板、タッチセンサ、膜及び膜付きガラス板の製造方法
JPWO2017010063A1 (ja) 2015-07-10 2018-07-12 凸版印刷株式会社 配線基板及びその製造方法
JP6668723B2 (ja) * 2015-12-09 2020-03-18 株式会社村田製作所 インダクタ部品

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007087979A (ja) * 2005-09-16 2007-04-05 Toshiba Corp 回路基板およびその製造方法
JP2013010884A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd 金属微粒子複合体及びその製造方法
JP2016221971A (ja) * 2016-06-20 2016-12-28 デクセリアルズ株式会社 積層薄膜の製造方法、及び積層薄膜

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018118273A1 (de) 2019-04-04
TWI679107B (zh) 2019-12-11
US11668008B2 (en) 2023-06-06
JP2019026937A (ja) 2019-02-21
CN109306479A (zh) 2019-02-05
JP7243065B2 (ja) 2023-03-22
US10968519B2 (en) 2021-04-06
US20210087692A1 (en) 2021-03-25
KR20190013574A (ko) 2019-02-11
US20190032219A1 (en) 2019-01-31
TW201910124A (zh) 2019-03-16
JP2023021157A (ja) 2023-02-09
CN109306479B (zh) 2021-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102169229B1 (ko) 시트재, 메탈 메시, 배선 기판 및 표시 장치, 및 그것들의 제조 방법
KR102278516B1 (ko) 도전성 기판, 전자 장치 및 표시 장치
KR102127103B1 (ko) 도전성 기판, 전자 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6532794B2 (ja) 膜付きガラス板、タッチセンサ、膜及び膜付きガラス板の製造方法
JP5435556B2 (ja) 導電性シート、積層導電性シート及び導電性パターンシート、並びに積層導電性シートの製造方法、透明アンテナ又は透明ディスプレイ又はタッチ入力シートの製造方法
JP2017532586A (ja) 反射シート及びその製造方法
KR102169231B1 (ko) 시트재, 메탈 메쉬 및 이의 제조 방법
KR20160069823A (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
CN114613724A (zh) 导电结构及其制造方法
KR20160090670A (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant