KR102168402B1 - Transfer plate, fabricating method of the same, and Heat sink comprising of the same, and Diaphragm comprising of the same - Google Patents
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Abstract
전달판의 제조 방법이 제공된다. 상기 전달판의 제조 방법은, 베이스 기판을 준비하는 단계, 오목부 및 볼록부를 포함하는 제1 마스터 패턴이 형성되고, 상기 베이스 기판의 경도(hardness) 이상의 경도를 갖는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 마스터 패턴과 상기 베이스 기판이 마주보도록, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 마스터 기판을 정렬하는 단계, 상기 베이스 기판을 상기 제1 마스터 기판으로 눌러, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 마스터 패턴의 오목부와 대응되는 볼록부 및 상기 제1 마스터 패턴의 볼록부와 대응되는 오목부를 포함하는 제1 베이스 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 베이스 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 분리하는 단계를 포함할 수 있다. A method of manufacturing a transmission plate is provided. The method of manufacturing the transfer plate includes: preparing a base substrate, forming a first master pattern including concave portions and convex portions, and preparing a first master substrate having a hardness equal to or greater than the hardness of the base substrate Aligning the first master substrate on the base substrate so that the first master pattern and the base substrate face each other, pressing the base substrate to the first master substrate, and the first master on the base substrate Forming a first base pattern including a convex portion corresponding to the concave portion of the pattern and a concave portion corresponding to the convex portion of the first master pattern, and separating the base substrate and the first master substrate can do.
Description
본 발명은 전달판, 그 제조 방법, 이를 포함하는 방열판, 및 이를 포함하는 진동판에 관한 것으로서, 마스터 기판으로 눌려져 형성된 베이스 패턴을 갖는 전달판, 그 제조 방법, 이를 포함하는 방열판, 및 이를 포함하는 진동판에 관련된 것이다. The present invention relates to a transmission plate, a method of manufacturing the same, a heat sink including the same, and a vibration plate including the same, and a transmission plate having a base pattern formed by being pressed by a master substrate, a method of manufacturing the same, a heat sink including the same, and a vibration plate including the same It is related to.
일반적으로 방열판은 복사나 대류 현상 따위를 이용하여 열을 잘 방출할 수 있도록 만들어진 판으로서 열전달이 빠른 금속을 이용하여 제품에서 발생하는 열을 흡수하여 외부에 설치된 날개에 전달하고 날개에는 외부의 찬 공기와 접하면서 냉각 되도록 한 것이다.In general, a heat sink is a plate made to dissipate heat well by using radiation or convection, and it absorbs heat generated from the product by using a metal with fast heat transfer and transfers it to the wing installed outside. It was made to cool while in contact with.
최근에는 반도체와 같은 모든 제품이 소형화되어 가면서 반도체와 반도체 테스트용 소켓 또한 소형화되고 있는 추세이며, 이로 인하여 방열판 또한 소형으로 제작하면서 방열의 효과를 최대로 높일 수 있도록 하는 방안이 강구되고 있다.In recent years, as all products such as semiconductors have been miniaturized, semiconductors and sockets for testing semiconductors have also been miniaturized. Accordingly, a plan has been devised to maximize the effect of heat dissipation while manufacturing a heat sink in a small size.
이와 같은 방열판을 제조하기 위하여, 종래에는 엔드밀을 이용하여 가공하였다. 그러나 엔드밀을 이용하여 방열판의 핀을 가공할 경우 엔드밀 자체의 크기에 의하여 핀과 핀 사이의 간격을 일정한 크기 이하로는 가공할 수가 없는 단점이 있다. In order to manufacture such a heat sink, conventionally, it was processed using an end mill. However, when the fins of the heat sink are processed using an end mill, there is a disadvantage that the spacing between the fins and the fins cannot be processed below a certain size due to the size of the end mill itself.
또한, 엔드밀로 방열판을 가공할 때 방열판 자체를 견고하게 고정한 다음 가공하여야 하나 방열판 자체를 이루고 있는 알루미늄판을 바이트와 같은 고정장치에 물려 고정하여 가공함으로써 핀 가공 후 바이트에 고정되었던 부분이 파손되거나 흠집이 발생하여 방열판의 외부를 재가공함으로써 작업이 힘들고 작업시간이 오래 걸리는 단점이 있다.In addition, when processing the heat sink with an end mill, the heat sink itself must be fixed and processed. However, the aluminum plate that forms the heat sink itself is bitten and fixed by a fixing device such as a bite, so that the part that was fixed to the bite after fin processing is damaged or scratched. As a result of this, the outside of the heat sink is reprocessed, which makes the work difficult and takes a long time.
이에 따라, 소형화된 반도체 소자에 적용되어 방열 효율을 높일 수 있는 방열판에 관한 다양한 기술들이 개발되고 있다. 예를 들어, 대한민국 특허 등록 번호 10-1028832(출원번호: 10-2010-0103529, 출원인: 부산대학교 산학협력단)에는, 방열판 구조체를 형성하는 단계, 상기 방열판 구조체를 전해액을 이용하여 AC 아노다이징 공정을 진행하는 단계, 상기 AC 아노다이징 공정에 의해 방열판 구조체의 상부 표면에서 피팅 부식이 일어나도록 하는 단계, 상기 방열판 구조체의 상부 표면에서 일어난 피팅 부식의 발생점을 방열판 구조체의 상부 표면에서 하부 방향으로 성장시켜 표면적을 증가시키는 단계를 포함하는 AC 아노다이징을 이용한 방열판의 제조 방법이 개시되어 있다. 이 밖에도, 방열판에 관한 다양한 기술들이 지속적으로 연구 개발되고 있다. Accordingly, various technologies related to heat sinks that are applied to miniaturized semiconductor devices to increase heat radiation efficiency have been developed. For example, in the Republic of Korea Patent Registration No. 10-1028832 (application number: 10-2010-0103529, applicant: Pusan National University Industry-Academic Cooperation Foundation), the step of forming a heat sink structure, and the AC anodizing process using an electrolyte solution. The step of causing fitting corrosion to occur on the upper surface of the heat sink structure by the AC anodizing process, by growing a point of occurrence of fitting corrosion occurring on the upper surface of the heat sink structure in a downward direction from the upper surface of the heat sink structure to increase the surface area. Disclosed is a method of manufacturing a heat sink using AC anodizing, including the step of increasing. In addition, various technologies related to heat sinks are continuously researched and developed.
진동판은 일반적으로 마이크의 음향을 전기 신호로 변환하는 변환기에서 음을 받아 진동하는 부분 또는 스피커의 전기 신호를 음성으로 변환하는 변환기에서 전기 신호에 따라 진동하여 음을 발생시키는 부분을 가리킨다. In general, the diaphragm refers to a part that vibrates by receiving sound from a transducer that converts sound from a microphone into an electric signal, or a part that vibrates according to an electric signal and generates sound in a transducer that converts an electric signal from a speaker into sound.
이러한 진동판 역시, 전자 소자들의 소형화에 따라 성능의 저하 없이, 소형화시킬 수 있는 방법 또는 장치들에 대한 다양한 연구가 이루어지고 있다. 예를 들어, 대한민국 특허 등록 번호 10-1523523(출원번호: 10-2014-0082873, 출원인: 에스텍 주식회사)에는, 깔때기 형상으로 형성되고, 중앙부측에는 삽입공이 형성되며, 상기 삽입공의 중심을 기준으로 반경이 긴 장경부(長徑部)와 상기 장경부보다 반경이 짧은 단경부(短徑部)로 형성된 경사부, 상기 삽입공의 내주면을 따라 상기 삽입공의 내주면에 형성되며, 상기 경사부의 하측으로 돌출된 넥크부를 포함 하며, 상기 단경부측 상기 삽입공의 내주면은 상기 장경부측 상기 삽입공의 내주면 보다 상측에 위치된 것을 특징으로 하는 진동판이 개시되어 있다. 이 밖에도, 진동판에 관한 다양한 기술들이 지속적으로 연구 개발되고 있다. Various studies have been conducted on methods or devices capable of miniaturizing such a diaphragm as well, without deteriorating performance according to the miniaturization of electronic devices. For example, Korean Patent Registration No. 10-1523523 (Application No.: 10-2014-0082873, Applicant: S-Tech Co., Ltd.) is formed in a funnel shape, and an insertion hole is formed at the center side, and a radius based on the center of the insertion hole An inclined portion formed of this long long-diameter portion and a short-diameter portion having a shorter radius than the long-diameter portion, formed on the inner circumferential surface of the insertion hole along the inner peripheral surface of the insertion hole, and downward of the inclined portion A diaphragm is disclosed, comprising a protruding neck portion, wherein an inner circumferential surface of the insertion hole on the short-diameter side is positioned above the inner circumferential surface of the insertion hole on the long-diameter side. In addition, various technologies related to the diaphragm are continuously researched and developed.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 간단한 공정으로 형성된 미세 패턴을 포함하는 전달판의 제조 방법, 전달판을 포함하는 방열판 및 전달판이 진동판으로 사용된 압전 스피커를 제공하는 데 있다. One technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a transmission plate including a fine pattern formed by a simple process, a heat sink including the transmission plate, and a piezoelectric speaker in which the transmission plate is used as a vibration plate.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 다양한 형태의 미세 패턴을 포함하는 전달판의 제조 방법, 전달판을 포함하는 방열판 및 전달판이 진동판으로 사용된 압전 스피커를 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a transmission plate including various types of fine patterns, a heat sink including the transmission plate, and a piezoelectric speaker in which the transmission plate is used as a vibration plate.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 방열 효율 및 진동 효율이 향상된 전달판의 제조 방법, 전달판을 포함하는 방열판 및 전달판이 진동판으로 사용된 압전 스피커 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a transmission plate with improved heat dissipation efficiency and vibration efficiency, a heat sink including the transmission plate, and a piezoelectric speaker in which the transmission plate is used as a vibration plate.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다. The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 발명은 전달판의 제조 방법을 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides a method of manufacturing a transmission plate.
일 실시 예에 따르면, 상기 전달판의 제조 방법은 베이스 기판을 준비하는 단계, 오목부 및 볼록부를 포함하는 제1 마스터 패턴이 형성되고, 상기 베이스 기판의 경도(hardness) 이상의 경도를 갖는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 마스터 패턴과 상기 베이스 기판이 마주보도록, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 마스터 기판을 정렬하는 단계, 상기 베이스 기판을 상기 제1 마스터 기판으로 눌러, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 마스터 패턴의 오목부와 대응되는 볼록부 및 상기 제1 마스터 패턴의 볼록부와 대응되는 오목부를 포함하는 제1 베이스 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 베이스 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 분리하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, in the method of manufacturing the transfer plate, the step of preparing a base substrate, a first master pattern including a concave portion and a convex portion is formed, and a first master having a hardness equal to or greater than the hardness of the base substrate. Preparing a substrate, aligning the first master substrate on the base substrate so that the first master pattern and the base substrate face each other, pressing the base substrate against the first master substrate, Forming a first base pattern including a convex portion corresponding to the concave portion of the first master pattern and a concave portion corresponding to the convex portion of the first master pattern, and the base substrate and the first master substrate Separating may be included.
일 실시 예에 따르면, 상기 전달판의 제조 방법은 제2 마스터 패턴을 포함하는 제2 마스터 기판을 준비하는 단계, 및 상기 제1 베이스 패턴이 형성된 상기 베이스 기판을 상기 제2 마스터 기판으로 눌러, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 베이스 패턴의 일부가 상기 제2 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 제2 베이스 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, the method of manufacturing the transfer plate includes preparing a second master substrate including a second master pattern, and pressing the base substrate on which the first base pattern is formed against the second master substrate, The method may further include forming a modified second base pattern by overlapping a portion of the first base pattern with the second master pattern on the base substrate.
다른 실시 예에 따르면, 상기 전달판의 제조 방법은 베이스 패턴을 포함하는 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 베이스 패턴 상에 레플리카(replica) 물질을 제공한 후 경화시켜, 상기 베이스 패턴의 역상을 갖는 제1 레플리카 패턴이 형성된 레플리카 기판을 제조하는 단계, 상기 베이스 기판 및 상기 레플리카 기판을 분리하는 단계, 상기 제1 레플리카 패턴을 마스터 패턴을 포함하는 마스터 기판으로 눌러, 제2 레플리카 패턴으로 변형시키는 단계, 상기 제2 레플리카 패턴 상에 패턴 전사 물질을 제공하는 단계, 및 상기 패턴 전사 물질을 타겟(target) 기판 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. According to another embodiment, the method of manufacturing the transfer plate includes preparing a base substrate including a base pattern, and curing after providing a replica material on the base pattern, 1 manufacturing a replica substrate on which a replica pattern is formed, separating the base substrate and the replica substrate, pressing the first replica pattern with a master substrate including a master pattern to transform it into a second replica pattern, the It may include providing a pattern transfer material on the second replica pattern, and transferring the pattern transfer material onto a target substrate.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 발명은 방열판을 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides a heat sink.
일 실시 예에 따르면, 상기 방열판은 상기 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법으로 제조된, 상기 제1 베이스 패턴을 갖는 상기 베이스 기판을 포함하는 전달판, 및 상기 제1 베이스 패턴 상에 코팅된 열전도성 수지 조성물을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the heat dissipation plate comprises a transfer plate including the base substrate having the first base pattern, manufactured by the method of manufacturing the transfer plate according to the embodiment, and a thermoelectric coated on the first base pattern. It may include a conductive resin composition.
다른 실시 예에 따르면, 상기 방열판은 상기 다른 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법으로 제조된, 상기 제1 베이스 패턴을 갖는 상기 베이스 기판을 포함하는 전달판, 및 상기 제1 베이스 패턴 상에 코팅된 열전도성 수지 조성물을 포함할 수 있다. According to another embodiment, the heat dissipation plate is a transfer plate including the base substrate having the first base pattern, manufactured by the method of manufacturing the transfer plate according to the other embodiment, and coated on the first base pattern. It may contain a thermally conductive resin composition.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 발명은 방열 구조체를 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides a heat dissipation structure.
일 실시 예에 따르면, 상기 방열 구조체는, 상기 실시 예에 따른 방열판 및 상기 방열판과 접촉된 열원을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the heat dissipation structure may include a heat sink according to the embodiment and a heat source in contact with the heat sink.
일 실시 예에 따르면, 상기 열원은 전자 소자, LED, 및 전기 모터 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the heat source may include at least one of an electronic device, an LED, and an electric motor.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 발명은 압전 스피커를 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides a piezoelectric speaker.
일 실시 예에 따르면, 상기 압전 스피커는 상기 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법으로 제조된 상기 제1 베이스 패턴을 갖는 상기 베이스 기판을 포함하는 전달판, 상기 전달판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 압전 세라믹 및 상기 제1 전극에 인가된 전압을 상기 압전 세라믹으로 전달하는 금속 패턴을 포함하는 압전 구조체, 및 상기 압전 구조체 상에 배치되는 제2 전극을 포함하되, 상기 전달판을 진동판으로 사용할 수 있다. According to an embodiment, the piezoelectric speaker includes a transfer plate including the base substrate having the first base pattern manufactured by the method of manufacturing a transfer plate according to the embodiment, a first electrode disposed on the transfer plate, A piezoelectric structure disposed on the first electrode and including a piezoelectric ceramic and a metal pattern for transferring a voltage applied to the first electrode to the piezoelectric ceramic, and a second electrode disposed on the piezoelectric structure, The transmission plate can be used as a vibration plate.
다른 실시 예에 따르면, 상기 압전 스피커는 상기 다른 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법으로 제조된 상기 제1 베이스 패턴을 갖는 상기 베이스 기판을 포함하는 전달판, 상기 전달판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 압전 세라믹 및 상기 제1 전극에 인가된 전압을 상기 압전 세라믹으로 전달하는 금속 패턴을 포함하는 압전 구조체, 및 상기 압전 구조체 상에 배치되는 제2 전극을 포함하되, 상기 전달판을 진동판으로 사용할 수 있다. According to another embodiment, the piezoelectric speaker includes a transfer plate including the base substrate having the first base pattern manufactured by the method of manufacturing a transfer plate according to the other embodiment, and a first electrode disposed on the transfer plate , A piezoelectric structure disposed on the first electrode and including a piezoelectric ceramic and a metal pattern for transferring a voltage applied to the first electrode to the piezoelectric ceramic, and a second electrode disposed on the piezoelectric structure, , The transmission plate can be used as a vibration plate.
일 실시 예에 따르면, 상기 압전 세라믹은 Pb, Zr, 및 Ti를 포함하는 PZT 계열의 물질, 및 Pb, Zn, Ni, 및 Nb를 포함하는 PZNN 계열의 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the piezoelectric ceramic may include at least one of a PZT-based material including Pb, Zr, and Ti, and a PZNN-based material including Pb, Zn, Ni, and Nb.
일 실시 예에 따르면, 상기 압전 세라믹은 제1 압전 세라믹 및 제2 압전 세라믹을 포함하고, 상기 금속 패턴은 상기 제1 및 제2 압전 세라믹 사이에 배치되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the piezoelectric ceramic may include a first piezoelectric ceramic and a second piezoelectric ceramic, and the metal pattern may include disposed between the first and second piezoelectric ceramics.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각, 제1 전극 패턴 및 상기 제1 전극 패턴과 마주보며 배치되는 제2 전극 패턴을 포함하고, 상기 제1 전극 패턴 및 제2 전극 패턴은 각각, 바디 패턴 및 상기 바디 패턴으로부터 돌출되는 복수의 서브 패턴을 포함하고, 복수의 서브 패턴들은 서로 이격되어 배치되되, 상기 제1 전극 패턴의 서브 패턴들 사이 공간에, 상기 제2 전극 패턴의 서브 패턴이 배치되도록, 상기 제1 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴은 서로 맞물리게 배치되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, each of the first electrode and the second electrode includes a first electrode pattern and a second electrode pattern disposed to face the first electrode pattern, and the first electrode pattern and the second electrode pattern Each includes a body pattern and a plurality of sub-patterns protruding from the body pattern, and the plurality of sub-patterns are disposed to be spaced apart from each other, and in a space between the sub-patterns of the first electrode pattern, The first electrode pattern and the second electrode pattern may be disposed so as to be engaged with each other so that the sub pattern is disposed.
본 발명의 실시 예에 따르면, 베이스 기판을 상기 베이스 기판의 경도 이상의 경도를 갖는 마스터 기판으로 누르는 간소화된 방법으로, 방열판 및 진동판으로 활용될 수 있는 전달판이 제조될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a transmission plate that can be used as a heat dissipation plate and a vibration plate can be manufactured by a simplified method of pressing the base substrate onto a master substrate having a hardness equal to or greater than that of the base substrate.
구체적으로, 상기 전달판의 제조 방법은, 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 베이스 기판을 상기 베이스 기판의 경도(hardness) 이상의 경도를 갖는 제1 마스터 기판으로 눌러, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 마스터 기판이 포함하는 제1 마스터 패턴의 역상을 갖는 제1 베이스 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 베이스 기판과 상기 제1 마스터 기판을 분리하는 단계를 포함할 수 있다. Specifically, the method of manufacturing the transfer plate includes: preparing a base substrate, pressing the base substrate with a first master substrate having a hardness equal to or greater than the hardness of the base substrate, and pressing the first master substrate on the base substrate. It may include forming a first base pattern having an inverse phase of the first master pattern included in the substrate, and separating the base substrate from the first master substrate.
또한, 상기 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법은, 제2 마스터 패턴을 포함하는 제2 마스터 기판을 준비하는 단계, 및 상기 제1 베이스 패턴이 형성된 상기 베이스 기판을 상기 제2 마스터 기판으로 눌러, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 베이스 패턴의 일부가 상기 제2 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 제2 베이스 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, the method of manufacturing a transfer plate according to the embodiment includes preparing a second master substrate including a second master pattern, and pressing the base substrate on which the first base pattern is formed against the second master substrate, The step of forming a deformed second base pattern by overlapping a portion of the first base pattern on the base substrate with the second master pattern may be further included.
또한, 상기 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법은, 상기 베이스 기판의 물질 종류에 따라 상기 베이스 기판이 변하는 압력의 임계값 이상의 힘으로 상기 제1 및 제2 마스터 기판이 상기 베이스 기판을 차례로 누를 수 있다. 이에 따라, 경도가 서로 다른 기판들 상에 임계값 이상의 압력을 차례로 가하는 간단한 공정으로 형성, 크기, 및 레벨이 다른 다양한 패턴을 상기 베이스 기판에 형성할 수 있다.In addition, in the method of manufacturing the transfer plate according to the embodiment, the first and second master substrates can sequentially press the base substrate with a force greater than or equal to a threshold value of a pressure at which the base substrate changes according to a material type of the base substrate. have. Accordingly, various patterns having different formations, sizes, and levels can be formed on the base substrate by a simple process of sequentially applying a pressure greater than or equal to a threshold value on substrates having different hardnesses.
또한, 상기 실시 예에 따른 전달판은 방열판 및 진동판으로 사용될 수 있다. 상기 실시 예에 따른 전달판이 방열판으로 사용되는 경우, 패턴의 형태 및 크기가 용이하게 제어됨에 따라, 소형화된 반도체 소자 및 전자 소자에 적용될 수 있을 뿐만 아니라, 방열 효율 및 진동 효율이 향상될 수 있다. In addition, the transmission plate according to the above embodiment may be used as a heat sink and a vibration plate. When the transmission plate according to the above embodiment is used as a heat sink, as the shape and size of the pattern are easily controlled, it can be applied to miniaturized semiconductor devices and electronic devices, and heat dissipation efficiency and vibration efficiency may be improved.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법을 설명하는 순서도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전달판의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전달판을 설명하는 순서도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전달판의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 전달판의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법을 설명하는 순서도이다.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 전달판의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 방열판을 나타내는 도면이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 방열판의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 압전 스피커가 포함하는 전극을 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 제1 변형 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 제2 변형 예의 일 실시 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 제2 변형 예의 다른 실시 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 제3 변형 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다.
도 23 및 도 24는 본 발명의 제4 변형 예에 따른 압전 스피커를 제조하는 공정을 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 제4 변형 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다.
도 26은 본 발명의 실시 예 및 비교 예에 따른 방열판이 열원과 접촉된 상태를 촬영한 사진이다.
도 27은 본 발명의 실시 예에 따른 방열판의 패턴을 촬영한 사진이다.
도 28 내지 도 31은 본 발명의 실시 예 및 비교 예에 따른 방열판의 방열 효율을 비교하는 사진이다.1 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a transmission plate according to a first embodiment of the present invention.
2 and 3 are diagrams showing a manufacturing process of the transmission plate according to the first embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a transmission plate according to a second embodiment of the present invention.
5 and 6 are views showing a manufacturing process of a transmission plate according to a second embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing a manufacturing process of a transmission plate according to a modified example of the second embodiment of the present invention.
8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transmission plate according to a third embodiment of the present invention.
9 to 13 are views showing a manufacturing process of a transmission plate according to a third embodiment of the present invention.
14 is a view showing a heat sink according to the first embodiment of the present invention.
15 and 16 are views showing a manufacturing process of a heat sink according to a second embodiment of the present invention.
17 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to an embodiment of the present invention.
18 is a diagram illustrating electrodes included in a piezoelectric speaker according to an embodiment of the present invention.
19 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to a first modified example of the present invention.
20 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to an embodiment of a second modified example of the present invention.
21 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to another embodiment of the second modified example of the present invention.
22 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to a third modified example of the present invention.
23 and 24 are views showing a process of manufacturing a piezoelectric speaker according to a fourth modified example of the present invention.
25 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to a fourth modified example of the present invention.
26 is a photograph of a heat sink in contact with a heat source according to an embodiment and a comparative example of the present invention.
27 is a photograph of a pattern of a heat sink according to an embodiment of the present invention.
28 to 31 are photographs comparing the heat dissipation efficiency of the heat sink according to the embodiment and the comparative example of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical idea of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In the present specification, when a component is referred to as being on another component, it means that it may be formed directly on the other component or that a third component may be interposed between them. In addition, in the drawings, thicknesses of films and regions are exaggerated for effective description of technical content.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. In addition, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. Accordingly, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment.
여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. In addition, in the present specification,'and/or' is used to mean including at least one of the elements listed before and after.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. In the specification, expressions in the singular include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, elements, or a combination of the features described in the specification, and one or more other features, numbers, steps, and configurations It is not to be understood as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.Further, in the following description of the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.
또한, 본 출원 명세서에서 "전달판"은, 열 또는 진동 등을 외부 또는 내부로 제공하거나, 외부 또는 내부에서 제공 받는 판(plate)를 의미한다. In addition, in the specification of the present application, "transfer plate" refers to a plate that provides heat or vibration to the outside or inside, or is provided from the outside or inside.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법을 설명하는 순서도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전달판의 제조 공정을 나타내는 도면이다. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transmission plate according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams illustrating a manufacturing process of a transmission plate according to a first exemplary embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 베이스 기판(100) 및 제1 마스터 기판(110)이 준비될 수 있다(S110, S120). 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)은 백금(Pt), 이산화규소(SiO2), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 납(Pd), 은(Ag), 구리(Cu), 인듐(In), GST(Ge2Sb2Te5), ITO(Indium Tin Oxide), PET(polyethylene terephthalate), 및 PI(polyimide) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)은 생물의 가죽, 생물의 털, 껍질, 또는 늘어나는(stretchable) 소재 등일 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 기판(100)이 구리(Cu)를 포함하는 경우, 후술되는 전달판이 전자파 차폐효과를 나타낼 수 있다. 이에 따라, 스텔스기의 소재등으로 사용될 수 있다.1 to 3, a
상기 제1 마스터 기판(110)은 제1 마스터 패턴(112)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(110)은 상기 베이스 기판(100)의 경도(harness) 이상의 경도를 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 패턴(112)은 오목부(112a) 및 볼록부(112b)를 갖는 요철형태일 수 있다. 상기 제1 마스터 패턴(112)의 형태는 제한되지 않는다.The
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(110)은, 백금(Pt), 규소(Si), 이산화규소(SiO2), ITO(Indium Tin Oxide), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(110)은, 광리소그래피(photolithography) 기술로 형성될 수 있다. According to an embodiment, the
다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(100)은, PS-PDMS 블록공중합체 고분자 자기조립(self-assemble)으로 형성된 SiOx 일 수 있다. (x>0) 예를 들어, 상기 블록공중합체 고분자는, PDMS(poly dimethylsiloxane), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리디메틸실록산(polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리디메틸실록산(polyethylene oxide-b-polydimethylsiloxane), 폴리(2-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산(poly(2-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리(4-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산(poly(4-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트-b-폴리디메틸실록산 (polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리프로필렌(polyacrylonitrile-b-polypropylene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리프로필렌(poly(ethylene oxide)-b-polypropylene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리이소부틸렌(polyacrylonitrile-b-polyisobutylene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리이소부틸렌(poly(ethylene oxide)-b-polyisobutylene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리에틸렌(polyacrylonitrile-b-polyethylene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리에틸렌 (poly(ethylene oxide)-b-polyethylene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리이소프렌 (polyacrylonitrile-b-polyisopyrene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리이소프렌(poly(ethylene oxide)-b-polyisopyrene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리클로로프렌(polyacrylonitrile-b-polychloroprene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리클로로프렌(poly(ethylene oxide)-b-polychloroprene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리스티렌(polyacrylonitrile-b-polystyrene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리스티렌(poly(ethylene oxide)-b-polystyrene) 등일 수 있다. According to another embodiment, the
상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제1 마스터 기판(110)이 정렬될 수 있다(S130). 구체적으로, 상기 제1 마스터 패턴(112)과 상기 베이스 기판(100)이 마주보도록, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제1 마스터 기판(110)이 정렬될 수 있다. The
상기 베이스 기판(100)을 상기 제1 마스터 기판(110)으로 눌러, 상기 베이스 기판(100) 상에 제1 베이스 패턴(102)을 형성할 수 있다(S140). 이에 따라, 상기 제1 베이스 패턴(102)은 상기 제1 마스터 패턴(112)의 역상을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 마스터 패턴(112)의 오목부(112a)는 상기 제1 베이스 패턴(102)의 볼록부(102b)와 대응될 수 있다. 상기 제1 마스터 패턴(112)의 볼록부(112b)는 상기 제1 베이스 패턴(102)의 오목부(102a)와 대응될 수 있다. By pressing the
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)이 상기 제1 마스터 기판(110)으로 눌려지기 전, 상기 베이스 기판(100) 및 상기 제1 마스터 기판(110)의 표면 특성을 개질하는 열처리, 내마모성 화학적 방법, 또는 물리적 방법에 의한 표면처리 또는 코팅이 수행될 수 있다. 열처리, 내마모성 화학처리, 또는 물리적 코팅에 의해, 상기 베이스 기판(100) 및 상기 제1 마스터 기판(110)의 접촉 표면 또는 전체 표면 특성이 개질될 수 있다. 예를 들어, 내마모성 화학처리 또는 화학적 코팅으로는, 각종 작용기(예, CH3)를 이용한 소수성 또는 친수성 처리, 표면화학반응에 의한 피막형성처리, 무전해도금, 이온교환도금, 화학에칭, 화학연마, 부동태 처리, 전기도금(Electroplating), 전기영동(E-plating), 전기화학에칭, 전해연마, 플라즈마 전해산화법(PEO코팅법), 애노다이징(Anodizing), 플라즈마 스프레잉(Plasma spraying), 화학기상증착법(CVD) 등 중에서 어느 하나일 수 있고, 물리적 코팅은, 스퍼터(Sputter), 이베포레이터(E-beam 또는 thermal evaporator) 등의 장비를 이용한 물리기상증착법(PVD) 중에서 어느 하나일 수 있다.According to an embodiment, before the
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)이 상기 제1 마스터 기판(110)으로 눌려지기 전 또는 눌려진 상태에서, 상기 베이스 기판(100) 및 상기 제1 마스터 기판(110)은 열처리될 수 있다. According to an embodiment, the
다른 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)이 상기 제1 마스터 기판(110)으로 눌려지기 전 또는 눌려진 상태에서, 상기 베이스 기판(100) 및 상기 제1 마스터 기판(110) 상에 자외선(ultraviolet)이 조사될 수 있다. According to another embodiment, ultraviolet rays (ultraviolet rays) on the
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)이 상기 제1 마스터 기판(110)으로 눌려지기 전 또는 눌려진 상태에서, 상기 베이스 기판(100) 및 상기 제1 마스터 기판(110)은 열처리와 함께 자외선(ultraviolet)이 조사될 수 있다. According to another embodiment, before or in a state where the
이에 따라, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제1 베이스 패턴(102)이 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 후술되는 바와 같이, 상기 베이스 기판(100) 및 상기 제1 마스터 기판(110)이 분리되는 과정에서, 용이하게 분리될 수 있다. Accordingly, the
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)의 물질 종류에 따라 상기 베이스 기판(100)이 변형되는 압력의 임계값이 다를 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 기판(100)이 상기 제1 마스터 기판(110)으로 눌려지는 힘은, 상기 베이스 기판(100)의 물질 종류에 따라 달라질 수 있다. According to an embodiment, a threshold value of a pressure at which the
상기 베이스 기판(100) 및 상기 제1 마스터 기판(110)은 분리될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 실시 예에 따른 전달판이 제조될 수 있다. 즉, 상기 제1 실시 예에 따른 전달판은 상기 제1 베이스 패턴(102)을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(100)일 수 있다. The
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 베이스 패턴(102)을 포함하는 상기 베이스 기판(100) 상에 방열 물질 또는 떨림 소재 등이 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 방열 물질 또는 떨림 소재 등은 도금 방법, 코팅 방법 등으로 상기 베이스 기판(100) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 방열 물질 또는 떨림 소재 등은, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등일 수 있다. According to an embodiment, a heat dissipation material or a vibration material may be provided on the
이상, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전달판 및 그 제조 방법이 설명되었다. 이하, 상기 제1 베이스 패턴의 일부가 제2 마스터 기판으로 눌려 제2 베이스 패턴으로 변형된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전달판 및 그 제조 방법이 설명된다. In the above, the transmission plate according to the first embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof have been described. Hereinafter, a transmission plate according to a second embodiment of the present invention in which a part of the first base pattern is deformed into a second base pattern by being pressed by a second master substrate and a method of manufacturing the same will be described.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전달판을 설명하는 순서도이고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전달판의 제조 공정을 나타내는 도면이다. 4 is a flowchart illustrating a delivery plate according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are views showing a manufacturing process of the delivery plate according to the second embodiment of the present invention.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 베이스 패턴(202)이 형성된 베이스 기판(200)이 준비될 수 있다. 상기 제1 베이스 패턴(202)이 형성된 상기 베이스 기판(200)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 상기 제1 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법에서 설명된 상기 제1 베이스 패턴(102)이 형성된 상기 베이스 기판(100)의 제조 방법과 같을 수 있다. 즉, 상기 제1 베이스 패턴(202)은, 상기 베이스 기판(200)을 제1 마스터 패턴(212)을 포함하는 제1 마스터 기판(210)으로 누르는 방법으로 형성될 수 있다. 4 and 5, the
도 4 및 도 6을 참조하면, 제2 마스터 패턴(222)을 포함하는 제2 마스터 기판(220)이 준비된다(S210). 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 마스터 기판(220)은, 상기 베이스 기판(200)의 경도(hardness) 이상의 경도를 가질 수 있다. 상기 제2 마스터 기판(220)은 상기 제1 마스터 기판(210)과 동일한 물질로 형성되거나, 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 또한, 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 마스터 패턴(222)은 제1 마스터 패턴(212)과 다른 형상, 다른 선폭, 또는 다른 패턴 높이를 가질 수 있다. Referring to FIGS. 4 and 6, a
상기 제1 베이스 패턴(202)이 형성된 상기 베이스 기판(200)을 상기 제2 마스터 기판(220)으로 눌러, 상기 베이스 기판(200) 상에 제2 베이스 패턴(204)을 형성할 수 있다. 상기 베이스 패턴(204)은 상기 제1 베이스 패턴(202)의 일부가 상기 제2 마스터 패턴(222)과 중첩되어 변형된 것일 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 실시 예에 따른 전달판이 제조될 수 있다. 즉, 상기 제2 실시 예에 따른 전달판은 상기 제1 베이스 패턴(202) 및 상기 제2 베이스 패턴(204)이 형성된 상기 베이스 기판(200)일 수 있다. A
일 실시 예에 따르면, 상술된 바와 같이 상기 베이스 기판(200)이 상기 제2 마스터 기판(220)으로 눌려지기 전, 상기 제2 마스터 기판(220)의 표면 특성을 개질하는 열처리, 내마모성 화학적 방법, 또는 물리적 방법에 의한 표면처리 또는 코팅이 수행될 수 있다. According to an embodiment, as described above, before the
또한, 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(200)이 상기 제2 마스터 기판(220)으로 눌려지기 전 또는 눌려진 상태에서, 열처리, 자외선 조사 등이 수행될 수 있다. In addition, according to an embodiment, heat treatment, ultraviolet irradiation, or the like may be performed before or in a state where the
상술된 바와 같이, 상기 제2 베이스 패턴(204)은 상기 제1 베이스 패턴(202)의 일부가 상기 제2 마스터 패턴(222)과 중첩되어 변형된 것일 수 있다. 또한, 상기 제2 마스터 패턴(222)으로 눌려지지 않은 상기 제1 베이스 패턴(202)이 잔존할 수 있다. As described above, the
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)의 하부면을 기준으로, 상기 제1 베이스 패턴(202)의 레벨(L1)은, 상기 제2 베이스 패턴(204)까지의 레벨(L2)과 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 베이스 패턴(202)의 레벨(L1)은 상기 제2 베이스 패턴(204)까지의 레벨(L2)보다 높을 수 있다. According to one embodiment, based on the lower surface of the
다시 말하면, 상기 베이스 기판(200)은 상기 제1 마스터 기판(210)으로 눌려져, 상기 베이스 기판(200)의 상부면 상에 상기 제1 베이스 패턴(202)이 형성된 후, 상기 제1 베이스 패턴(202)이 형성된 상기 베이스 기판(200)은, 상기 제2 마스터 기판(220)으로 눌려져, 상기 제1 베이스 패턴(202)이 상기 제2 베이스 패턴(204)으로 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 기판(200)의 하부면을 기준으로, 상기 제1 베이스 패턴(202)의 레벨(L1)은, 상기 제2 베이스 패턴(204)까지의 레벨(L2)보다 높을 수 있다. In other words, after the
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 베이스 패턴(202) 형성 시 가해진 힘보다 더 작은 힘으로 상기 베이스 기판(200)이 상기 제2 마스터 기판(220)으로 눌려질 수 있다. 또는, 이와 달리, 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 베이스 패턴(202)이 형성된 후, 상기 베이스 기판(200)을 열처리하거나, 또는 상기 베이스 기판(200) 상에 자외선이 조사될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 베이스 패턴(202)의 경도는 향상될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 베이스 패턴(202)이 상기 제2 마스터 기판(220)으로 눌려지더라도, 상기 제2 마스터 패턴(222)과 접촉된 상기 제1 베이스 패턴(202)의 일부분의 형태가 변경되지 않으면서, 상기 제1 베이스 패턴(202)의 상기 일부분의 레벨이 변화될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 베이스 패턴(204) 및 상기 제1 베이스 패턴(202)이 동일한 형태를 가지면서, 서로 다른 레벨에 위치할 수 있다. According to an embodiment, the
상술된 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법은 상기 제1 마스터 기판(210)으로 상기 베이스 기판(200)을 눌러 상기 제1 마스터 패턴(212)에 대응하는 상기 제1 베이스 패턴(202)을 상기 베이스 기판(200) 상에 형성하는 단계, 및 상기 제2 마스터 패턴(222)을 갖는 상기 제2 마스터 기판(220)으로 상기 제1 베이스 패턴(202)을 갖는 상기 베이스 기판(200)을 눌러, 상기 제1 베이스 패턴(202)의 일부가 상기 제2 마스터 패턴(222)으로 눌려진 상기 제2 베이스 패턴(204)이 형성되되, 상기 제2 마스터 패턴(222)으로 눌려지지 않은 나머지 일부의 상기 제1 베이스 패턴(202)이 잔존되는 단계를 포함할 수 있다. 상기 베이스 기판(200)의 물질 종류에 따라 상기 베이스 기판(200)이 변하는 압력의 임계값 이상의 힘으로 상기 제1 및 제2 마스터 기판(210, 220)이 상기 베이스 기판(200)을 차례로 누를 수 있다. In the method of manufacturing the transfer plate according to the first and second embodiments of the present invention described above, the
이에 따라, 경도가 서로 다른 기판들 상에 임계값 이상의 압력을 차례로 가하는 간단한 공정으로 형성, 크기, 및 레벨이 다른 다양한 패턴을 상기 베이스 기판(200)에 형성할 수 있다. 또한, 경도가 서로 다른 기판들이 사용됨에 따라 다양한 소재들 상에 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 누르는 시간을 조절하여 패터닝되는 깊이 다시 말하면 패턴의 높이가 용이하게 조절될 수 있다. 또한, 나노 선폭, 마이크로 선폭 등 다양한 선폭을 갖는 패턴이 형성될 수 있고, 상기 베이스 기판(200) 상에 복수의 패턴들이 형성되는 경우, 상기 패턴들이 형성된 기판의 하부면을 기준으로 상기 패턴들까지의 레벨이 서로 다를 수 있다. Accordingly, various patterns having different formations, sizes, and levels may be formed on the
이상, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전달판 및 그 제조 방법이 설명되었다. 이하, 상기 제2 베이스 패턴의 일부가 제3 마스터 기판으로 눌려 제3 베이스 패턴으로 변형된 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 전달판 및 그 제조 방법이 설명된다. In the above, the delivery plate and the manufacturing method thereof according to the second embodiment of the present invention have been described. Hereinafter, a transmission plate according to a modified example of the second embodiment of the present invention in which a part of the second base pattern is deformed into a third base pattern by being pressed by a third master substrate and a method of manufacturing the same will be described.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 전달판의 제조 공정을 나타내는 도면이다. 7 is a diagram showing a manufacturing process of a transmission plate according to a modified example of the second embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 제3 마스터 패턴(232)을 포함하는 제3 마스터 기판(230)이 준비될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 마스터 기판(230)은 상기 베이스 기판(200)의 경도 이상의 경도를 가질 수 있다. 상기 제3 마스터 기판(230)은 상기 제2 마스터 기판(220)과 동일한 물질로 형성되거나, 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 또한, 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 마스터 패턴(232)은 제2 마스터 패턴(222)과 다른 형상, 다른 선폭, 또는 다른 패턴 높이를 가질 수 있다. Referring to FIG. 7, a
상기 제1 및 제2 베이스 패턴(202, 204)이 형성된 상기 베이스 기판(200)을 상기 제3 마스터 기판(230)으로 눌러, 상기 베이스 기판(200) 상에 제3 베이스 패턴(206)을 형성할 수 있다. 상기 제3 베이스 패턴(206)은 상기 제2 베이스 패턴(204)의 일부가 상기 제3 마스터 패턴(232)과 중첩되어 변형된 것일 수 있다. Pressing the
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(200)의 하부면을 기준으로, 상기 제3 베이스 패턴(206)의 레벨(L3)은 상기 제1 베이스 패턴(202)까지의 레벨(L1) 및 상기 제2 베이스 패턴(204)까지의 레벨(L2)과 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 베이스 패턴(206)의 레벨(L3)은 상기 제1 베이스 패턴(202)까지의 레벨(L1) 및 상기 제2 베이스 패턴(204)까지의 레벨(L2)보다 낮을 수 있다. According to one embodiment, based on the lower surface of the
다시 말하면, 상기 제2 베이스 패턴(204)이 형성된 상기 베이스 기판(200)은, 상기 제3 마스터 기판(230)으로 눌려져, 상기 제2 베이스 패턴(204)이 상기 제3 베이스 패턴(206)으로 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 기판(200)의 하부면을 기준으로, 상기 제3 베이스 패턴(206)의 레벨(L3)은 상기 제1 베이스 패턴(202)까지의 레벨(L1) 및 상기 제2 베이스 패턴(204)가지의 레벨(L2)보다 낮을 수 있다. In other words, the
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 베이스 패턴(204) 형성 시 가해진 힘보다 더 작은 힘으로 상기 베이스 기판(200)이 상기 제3 마스터 기판(230)으로 눌려질 수 있다. 또는, 이와 달리, 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 베이스 패턴(204)이 형성된 후, 상기 베이스 기판(200)을 열처리하거나, 또는 상기 베이스 기판(200) 상에 자외선이 조사될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 베이스 패턴(204)의 경도는 향상될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 베이스 패턴(204)이 상기 제3 마스터 기판(230)으로 눌려지더라도, 상기 제3 마스터 패턴(232)과 접촉된 상기 제2 베이스 패턴(204)의 일부분의 형태가 변경되지 않으면서, 상기 제2 베이스 패턴(204)의 상기 일부분의 레벨이 변화될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제3 베이스 패턴(206) 및 상기 제2 베이스 패턴(204)이 동일한 형태를 가지면서, 서로 다른 레벨에 위치할 수 있다. According to an embodiment, the
이상, 도 1 내지 도 7을 참조하여, 베이스 기판을 마스터 기판으로 누르는 방법으로 제조된 상기 실시 예들에 따른 전달판이 설명되었다. 이하, 전사 공정으로 제조되는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 전달판 및 그 제조 방법이 도 8 내지 도 13을 참조하여 설명된다. In the above, with reference to FIGS. 1 to 7, the transfer plate according to the above embodiments manufactured by pressing the base substrate onto the master substrate has been described. Hereinafter, a transfer plate manufactured by a transfer process and a manufacturing method thereof according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 13.
도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법을 설명하는 순서도이고, 도 9 내지 도 13은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 전달판의 제조 공정을 나타내는 도면이다. 8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a delivery plate according to a third embodiment of the present invention, and FIGS. 9 to 13 are views illustrating a manufacturing process of a delivery plate according to a third embodiment of the present invention.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 베이스 패턴(302)을 포함하는 베이스 기판(300)이 준비된다(S310). 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴(302)은 오목부 및 볼록부를 갖는 요철형태일 수 있다. 상기 베이스 패턴(302)의 형태는 제한되지 않는다. 8 to 10, a
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(300)은 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판 등이 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴(302)은, 광리소그래피(photolithography), 분자 자기조립(self-assembly), 이빔(electron beam) 리소그래피, 딥펜(dip-pen) 리소그래피, 나노임프린트, 패턴전사프린팅, 레이저 공정 기술 등으로 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴(302)은, Si, SiO2/Si, 금속 등 Hard한 소재를 포함하며, 그 형태는 라인, 닷, 메쉬, 링, 홀, 사각형, 다이아몬드, 지그재그, 다각형 등 선과 점으로 이루어진 리소그래피 또는 분자자기조립을 통하여 형성이 가능한 모든 형상을 포함한다. 또한, 그 패턴의 크기는 10나노부터 100마이크로까지 가능하다.According to an embodiment, the
상기 베이스 기판(300) 상에 레플리카 물질(replica material, RM)을 제공한 후 경화시켜, 상기 베이스 패턴(302)의 역상을 갖는 제1 레플리카 패턴(312)이 형성된 레플리카 기판(310)이 제조될 수 있다(S320). 일 실시 예에 따르면, 상기 레플리카 물질은 스핀 코팅(spin coating)방법으로 제공될 수 있다. 상기 레플리카 물질의 제공 방법은 제한되지 않는다. By providing a replica material (RM) on the
예를 들어, 상기 레플리카 물질은 PMMA(polymethyl methacrylate), PS(polystyrene), PVP(polyvinylpyrrolidone), P2VP(poly 2-vinyl pyridine), P4VP(poly 4-vinyl pyridine), PS-PDMS(polystyrenepolydimethylsiloxane), PDMS-P4VP(polydimethylsiloxane-poly 4-vinyl pyridine), PVDF-TrF(polyvinylidenefluoride-trifluoroethylene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.For example, the replica material is PMMA (polymethyl methacrylate), PS (polystyrene), PVP (polyvinylpyrrolidone), P2VP (poly 2-vinyl pyridine), P4VP (poly 4-vinyl pyridine), PS-PDMS (polystyrenepolydimethylsiloxane), PDMS -P4VP (polydimethylsiloxane-poly 4-vinyl pyridine), PVDF-TrF (polyvinylidenefluoride-trifluoroethylene) may contain at least one of.
일 실시 예에 따르면, 상기 레플리카 물질(RM)이 상기 베이스 기판(300) 상에 제공되기 전, 상기 베이스 기판(300)은 소수성 고분자 물질로 코팅될 수 있다. 예를 들어, 상기 소수성 고분자 물질은 OH-PDMS일 수 있다. 이에 따라, 후술되는 바와 같이, 상기 레플리카 물질(RM)은 상기 베이스 기판(300)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. According to an embodiment, before the replica material RM is provided on the
상기 레플리카 기판(310)은 상기 베이스 기판(300)으로부터 분리될 수 있다(S330). 일 실시 예에 따르면, 상기 레플리카 물질(RM)이 상기 베이스 기판(300)으로부터 후속 공정 없이 분리하거나, 분리되기 전, 상기 레플리카 물질(RM)이 제공된 상기 베이스 기판(300) 상에 자외선(ultraviolet)이 조사되거나 열처리될 수 있다. 이에 따라, 상기 레플리카 물질(RM)이 경화되어 상기 레플리카 기판(310)이 상기 베이스 기판(300)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. The
도 8 및 도 11을 참조하면, 상기 제1 레플리카 패턴(312)을 마스터 패턴을 포함하는 마스터 기판(320)으로 눌러, 제2 레플리카 패턴(314)으로 변형시킬 수 있다(S340). 구체적으로, 상기 마스터 패턴의 볼록부 및 상기 제1 레플리카 패턴(312)의 볼록부의 적어도 일부가 중첩되도록, 상기 제1 레플리카 패턴(312)을 상기 마스터 기판(320)으로 누를 수 있다. 또한, 상기 마스터 패턴의 오목부 및 상기 제1 레플리카 패턴(312)의 오목부의 적어도 일부가 중첩되도록, 상기 제1 레플리카 패턴(312)을 상기 마스터 기판(320)으로 누를 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 레플리카 패턴(314)은 상기 제1 레플리카 패턴(312) 및 상기 마스터 패턴이 경합된 형태를 나타낼 수 있다. 8 and 11, the
일 실시 예에 따르면, 상술된 바와 같이 상기 제1 레플리카 패턴(312)을 상기 마스터 기판(320)으로 누르기 전, 상기 마스터 기판(320)을 소수성 고분자 물질(예를 들어, OH-PDMS)로 코팅하거나, 상기 마스터 기판(320) 및 상기 베이스 기판(300)을 열처리하고 자외선을 조사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 레플리카 패턴(312)이 상기 제2 레플리카 패턴(314)으로 용이하게 변형될 수 있다. According to an embodiment, as described above, before pressing the
도 8 및 도 12를 참조하면, 상기 제2 레플리카 패턴(314) 상에 패턴 전사 물질(PTM)이 제공될 수 있다(S350). 일 실시 예에 따르면, 상기 패턴 전사 물질(PTM)은 백금(Pt), 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), SiOx, WOx, SnOx, 규소(Si), GST(Ge2Sb2Te5) 등을 포함할 수 있다. (x>0) 다른 실시 예에 따르면, 상기 패턴 전사 물질(PTM)는 저항메모리 소재, 가스감지 소재, 전극 소재 등 물리적, 화학적, 그리고 전기적 특성 변화를 일으키는 소재등을 포함할 수 있다.8 and 12, a pattern transfer material PTM may be provided on the second replica pattern 314 (S350 ). According to an embodiment, the pattern transfer material (PTM) is platinum (Pt), silver (Ag), nickel (Ni), aluminum (Al), SiOx, WOx, SnOx, silicon (Si), GST (Ge2Sb2Te5), etc. It may include. (x>0) According to another embodiment, the pattern transfer material PTM may include a material that changes physical, chemical, and electrical characteristics such as a resistance memory material, a gas sensing material, and an electrode material.
일 실시 예에 따르면, 상기 패턴 전사 물질(PTM)은 물리적 증착, 코팅 방법 등으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴 전사 물질(PTM)은 sputter, e-beam evaporation, thermal evaporation 방법 등으로 제공될 수 있다. According to an embodiment, the pattern transfer material PTM may be provided by a physical vapor deposition or coating method. For example, the pattern transfer material (PTM) may be provided by a sputter, e-beam evaporation, thermal evaporation method, or the like.
도 8 및 도 13을 참조하면, 상기 패턴 전사 물질(PTM)이 타겟(target) 기판(340) 상에 전사될 수 있다(S360). 이에 따라, 상기 제3 실시 예에 따른 전달판이 제조될 수 있다. 즉, 상기 제3 실시 예에 따른 전달판은 상기 패턴 전사 물질(PTM)을 포함하는 상기 타겟 기판(340)일 수 있다. 상기 타겟 기판(340)은 상기 패턴 전사 물질(PTM)이 전사됨에 따라, 상기 제2 레플리카 패턴(314)과 같은 형상을 나타낼 수 있다. 8 and 13, the pattern transfer material PTM may be transferred onto a target substrate 340 (S360 ). Accordingly, the delivery plate according to the third embodiment may be manufactured. That is, the transfer plate according to the third embodiment may be the
일 실시 예에 따르면, 상기 패턴 전사 물질(PTM)을 상기 타겟 기판(340) 상에 전사하는 단계는, 상기 패턴 전사 물질(PTM)이 제공된 상기 레플리카 기판(310) 및 상기 타겟 기판(340)을 접촉시키는 단계, 및 상기 타겟 기판(340)으로부터 상기 패턴 전사 물질(PTM)이 제공된 상기 레플리카 기판(310)을 분리시키는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the transferring of the pattern transfer material (PTM) onto the
일 실시 예에 따르면, 상기 패턴 전사 물질(PTM)이 제공된 상기 레플리카 기판(310) 및 상기 타겟 기판(340)이 접촉되기 전, 상기 패턴 전사 물질(PTM)이 제공된 상기 레플리카 기판(310) 상에 인플레이트 가스(inflate gas)가 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 인플레이트 가스는, 상기 레플리카 기판(310)이 용해 가능한 용매가 기화된 기체일 수 있다. 예를 들어, 상기 용매는 톨루엔(toluene)일 수 있다. 상기 인플레이트 가스가 상기 레플리카 기판(310)에 흡수되어, 상기 패턴 전사 물질(PTM)은 상기 타겟 기판(340) 상에 용이하게 전사될 수 있다. According to an embodiment, before the
일 실시 예에 따르면, 상기 패턴 전사 물질(PTM)이 제공된 상기 레플리카 기판(310)이 상기 타겟 기판(340)으로부터 분리되기 전, 상기 타겟 기판(340) 상에 자외선이 조사되거나 열처리될 수 있다. 이에 따라, 상기 레플리카 기판(310)은 상기 타겟 기판(340)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. According to an embodiment, before the
상술된 제3 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법은, 상기 베이스 패턴(302)을 포함하는 상기 베이스 기판(300)을 준비하는 단계, 상기 베이스 패턴(302) 상에 상기 레플리카 물질(RM)을 제공한 후 경화시켜, 상기 베이스 패턴(302)의 역상을 갖는 상기 제1 레플리카 패턴(312)이 형성된 상기 레플리카 기판(310)을 제조하는 단계, 상기 베이스 기판(300) 및 상기 레플리카 기판(310)을 분리하는 단계, 상기 제1 레플리카 패턴(312)을 상기 마스터 패턴을 포함하는 상기 마스터 기판(320)으로 눌러, 상기 제2 레플리카 패턴(314)으로 변형시키는 단계, 상기 제2 레플리카 패턴(314) 상에 상기 패턴 전사 물질(PTM)을 제공하는 단계, 및 상기 패턴 전사 물질(PTM)을 상기 타겟 기판(340) 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 다양한 형상 및 크기를 갖는 미세 패턴이 형성된 전달판이 제공될 수 있다. The method of manufacturing a transfer plate according to the third embodiment described above includes preparing the
이상, 본 발명의 실시 예들에 따른 전달판 및 그 제조 방법이 설명되었다. 이하, 상술된 전달판을 포함하는 본 발명의 실시 예에 따른 방열판이 설명된다. In the above, the transmission plate and the manufacturing method according to the embodiments of the present invention have been described. Hereinafter, a heat sink according to an embodiment of the present invention including the above-described transmission plate will be described.
도 14는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 방열판을 나타내는 도면이다. 14 is a view showing a heat sink according to the first embodiment of the present invention.
도 14를 참조하면, 상기 제1 실시 예에 따른 방열판은 전달판(400, 402), 및 열전도성 수지 조성물을 포함하는 코팅층(410)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14, the heat dissipation plate according to the first embodiment may include
일 실시 예에 따르면, 상기 전달판(400, 402)은 베이스 패턴(402)을 갖는 베이스 기판(400)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴(402)을 갖는 베이스 기판(400)은 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1 및 제2 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법으로 제조된 상기 제1 베이스 패턴(102, 202)을 포함하는 상기 베이스 기판(100, 200)과 같을 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 베이스 패턴(402)을 갖는 베이스 기판(400)은 도 8 내지 도 13을 참조하여 설명된 상기 패턴 전사 물질(PTM)을 포함하는 상기 타겟 기판(340)과 같을 수 있다. 이에 따라, 패턴의 형태, 높이, 선폭 등이 제어된 상기 전달판이 제공될 수 있다. According to an embodiment, the
상기 전달판(400, 402) 상에 열전도성 수지 조성물이 코팅될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 실시 예에 따른 방열판이 제조될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 열전도성 수지 조성물은, 베이스 수지 내에 열전도성 입자가 분포된 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 열전도성 입자는 금(Au), 은(Ag), 니켈-인 합금(Ni-P alloy), 니켈-붕소 합금(Ni-B alloy), 베릴륨(Be), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 로듐(Rh), 아연(Zn), 탄탈(Ta), 철(Fe), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 망간(Mn), 이리듐(Ir) 및 주석(Sn) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 수지는 에틸렌 수지, 프로필렌 수지, 염화비닐 수지, 스티렌 수지, 카보네이트 수지, 우레탄 수지, 에스테르 수지, 나일론 수지, 실리콘 수지 및 이미드 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. A thermally conductive resin composition may be coated on the
상기 제1 실시 예에 따른 방열판은 열원과 접촉되어 방열 구조체를 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 열원은 전자 소자, LED, 및 전기 모터 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 특히, 상술된 바와 같이 상기 제1 실시 예에 따른 방열판은 상기 전달판이 포함하는 패턴의 형태, 높이, 선폭 등이 용이하게 제어될 수 있다. 이에 따라, 소형화된 반도체 소자와 같이 방열을 위한 미세 패턴이 요구되는 곳에 용이하게 적용될 수 있는 장점이 있다. The heat sink according to the first embodiment may be in contact with a heat source to form a heat radiation structure. According to an embodiment, the heat source may be at least one of an electronic device, an LED, and an electric motor. In particular, as described above, in the heat sink according to the first embodiment, the shape, height, and line width of the pattern included in the transmission plate may be easily controlled. Accordingly, there is an advantage that can be easily applied to a place requiring a fine pattern for heat dissipation such as a miniaturized semiconductor device.
또한, 상기 제1 실시 예에 따른 방열판은 패턴의 형태, 높이, 선폭 등이 용이하게 제어됨에 따라, 방열 면적이 향상된 다양한 형태가 제공될 수 있다. 이에 따라, 방열 효율이 향상된 방열판이 제공될 수 있다. In addition, the heat sink according to the first exemplary embodiment may be provided with various shapes having an improved heat dissipation area as the shape, height, and line width of the pattern are easily controlled. Accordingly, a heat sink with improved heat dissipation efficiency may be provided.
도 15 및 도 16은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 방열판의 제조 공정을 나타내는 도면이다. 15 and 16 are views showing a manufacturing process of a heat sink according to a second embodiment of the present invention.
도 15 및 도 16을 참조하면, 전달판(500, 502)이 준비된다. 일 실시 예에 따르면, 상기 전달판(500, 502)은 베이스 패턴(502) 및 베이스 기판(500)을 포함할 수 있다. 15 and 16,
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴(402)을 갖는 베이스 기판(400)은 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1 및 제2 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법으로 제조된 상기 제1 베이스 패턴(102, 202)을 포함하는 상기 베이스 기판(100, 200)과 같을 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 베이스 패턴(402)을 갖는 베이스 기판(400)은 도 8 내지 도 13을 참조하여 설명된 상기 패턴 전사 물질(PTM)을 포함하는 상기 타겟 기판(340)과 같을 수 있다. 이에 따라, 패턴의 형태, 높이, 선폭 등이 제어된 상기 전달판이 제공될 수 있다.According to an embodiment, the
상기 전달판(500, 502) 상에 시드층(seed layer, 510)이 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 시드층(510)은 탄소를 포함하는 다공질 구조일 수 있다. 상기 시드층(510)은 상기 전달판(500, 502)을 콘포말하게(conformally) 덮을 수 있다. 이에 따라, 상기 시드층(510) 또한 오목부(510a) 및 볼록부(510b)를 포함하는 패턴 형태를 가질 수 있다. A
상기 시드층(510) 상에 소스 가스가 제공되는 동시에, 상기 시드층(510)이 열처리될 수 있다. 이에 따라, 상기 시드층(510) 상에 복수의 돌출 패턴(520)이 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 소스 가스는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 가스는 Al(CH3)3, 또는 AlCl3일 수 있다. 이 경우, 상기 시드층(510)이 상기 소스 가스와 반응하여 형성된 상기 돌출 패턴(520)은 탄화 알루미늄을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 돌출 패턴(520)은 Al4C3를 포함할 수 있다. While a source gas is provided on the
즉, 상기 돌출 패턴(520)은 상기 시드층(510)이 상기 소스 가스와 반응하여, 상기 시드층(510) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출 패턴(520)은 상기 시드층(510)의 오목부(510a) 및 볼록부(510b) 상에 모두 형성될 수 있다. 결과적으로, 상기 돌출 패턴(520)은, 후술되는 제2 실시 예에 따른 방열판이 열원과 접촉되는 경우, 방열판과 열원 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 돌출 패턴(520)은 후술되는 제2 실시 예에 따른 방열판의 방열 면적을 향상시켜, 방열 효율을 향상시킬 수 있다. That is, the
상기 돌출 패턴(520)은 산화 분위기에서 열처리될 수 있다. 상술된 바와 같이 상기 돌출 패턴(520)이 탄화 알루미늄을 포함하는 경우, 산화 분위기에서 열처리되어, 산화 알루미늄으로 변화될 수 있다. The protruding
상기 돌출 패턴(520)이 열처리된 이후, 상기 돌출 패턴(520) 상에 열전도성 수지 조성물이 코팅될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 방열판이 제조될 수 있다. 상기 열전도성 수지 조성물은, 도 14를 참조하여 설명된 상기 제1 실시 예에 따른 방열판이 포함하는 상기 전달판(400, 402) 상에 코팅되는 상기 열전도성 수지 조성물과 같을 수 있다. After the
본 발명의 제2 실시 예에 따른 방열판은, 제1 내지 제3 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법 중 어느 하나의 방법으로 제조된 전달판(500, 502), 상기 전달판(500, 502) 상에 형성되고, 탄소를 포함하는 시드층(510), 상기 시드층(510)이 알루미늄을 포함하는 소스 가스와 반응하여 형성된 돌출 패턴(520), 및 상기 돌출 패턴(520) 상에 코팅된 열전도성 수지 조성물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 열원과의 접착력 및 방열 효율이 향상된 방열판이 제공될 수 있다. The heat dissipation plate according to the second embodiment of the present invention includes a
이상, 본 발명의 실시 예들에 따른 방열판 및 그 제조 방법이 설명되었다. 이하, 상술된 전달판이 진동판으로 사용되는 본 발명의 실시 예에 따른 압전 스피커가 도 17 및 도 18을 참조하여 설명된다. In the above, a heat sink and a method of manufacturing the same according to embodiments of the present invention have been described. Hereinafter, a piezoelectric speaker according to an embodiment of the present invention in which the above-described transmission plate is used as a vibration plate will be described with reference to FIGS. 17 and 18.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이고, 도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 압전 스피커가 포함하는 전극을 나타내는 도면이다.17 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a diagram illustrating electrodes included in the piezoelectric speaker according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 17을 참조하면, 상기 실시 예에 따른 압전 스피커는, 전달판(600), 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)을 포함할 수 있다. 이하, 각 구성에 대해 설명된다. Referring to FIG. 17, the piezoelectric speaker according to the embodiment may include a
상기 전달판(600)은 베이스 패턴 및 베이스 기판을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴을 갖는 베이스 기판은 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1 및 제2 실시 예에 따른 전달판의 제조 방법으로 제조된 상기 제1 베이스 패턴(102, 202)을 포함하는 상기 베이스 기판(100, 200)과 같을 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴을 갖는 베이스 기판은 도 8 내지 도 13을 참조하여 설명된 상기 패턴 전사 물질(PTM)을 포함하는 상기 타겟 기판(340)과 같을 수 있다. 이에 따라, 패턴의 형태, 높이, 선폭 등이 제어된 상기 전달판이 제공될 수 있다.The
상기 전달판(600)은 상기 실시 예에 따른 압전 스피커의 진동판으로 사용될 수 있다. 또한, 상기 전달판(600)은 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)이 적층된 구조체의 베이스 기재로 사용될 수 있다. The
상기 압전 구조체(620)가 구동되는 경우, 상기 압전 구조체의(620) 구동으로 인하여 상기 전달판(600)이 진동할 수 있다. 또한, 상술된 바와 같이, 상기 전달판(600)은 다양한 형태의 미세 패턴을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 전달판(600)의 진동 효율이 향상될 수 있다. 결과적으로, 상기 실시 예에 따른 압전 스피커의 성능이 향상될 수 있다. When the
도 17 및 도 18을 참조하면, 상기 제1 전극(610)은 상기 전달판(600) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(630)은 상기 압전 구조체(620)를 사이에 두고, 상기 제1 전극(610)과 마주보며 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(620) 상에는 상기 보호 필름(640)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 실시 예에 따른 압전 스피커는, 상기 전달판(600) 상에 상기 제1 전극(610), 상기 압전 구조체(620), 상기 제2 전극(630), 및 상기 보호 필름(640)이 순차적으로 적층된 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 보호 필름(640)은, 폴리이미드계 수지(polyimide-based resin), 폴리우레탄계 수지(polyurethane-based resin) 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지(polyethylene terephthalate resin) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 17 and 18, the
상기 제1 전극(610)은 제1 전극 패턴(612) 및 제2 전극 패턴(614)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극 패턴(612) 및 상기 제2 전극 패턴(614)은 마주보도록 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전극 패턴(612) 및 상기 제2 전극 패턴(614)은 각각, 바디 패턴(612a, 614a) 및 복수의 서브 패턴(612b, 614b)을 포함할 수 있다. 상기 서브 패턴(612b, 614b)은 상기 바디 패턴(612a, 614a)으로부터 돌출된 형태일 수 있다. 또한, 복수의 상기 서브 패턴(612b, 614b)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 복수의 상기 서브 패턴(612b, 614b)들 사이에는 빈 공간(empty space)이 제공될 수 있다. The
상기 제1 전극 패턴(612)의 서브 패턴들(612b) 사이 공간에, 상기 제2 전극 패턴(614)의 서브 패턴(614b)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전극 패턴(612) 및 상기 제2 전극 패턴(614)은 서로 맞물리도록 배치될 수 있다. A sub-pattern 614b of the
상기 제2 전극(630) 역시 제1 전극 패턴(632) 및 제2 전극 패턴(634)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(630)의 제1 전극 패턴(632) 및 제2 전극 패턴(634) 또한 상기 제1 전극(610)의 제1 전극 패턴(612) 및 제2 전극 패턴(614)과 같을 수 있다. 이에 따라, 구체적인 설명은 생략 된다. The
상기 압전 구조체(620)는 압전 세라믹, 및 금속 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 압전 세라믹은 Pb, Zr, 및 Ti를 포함하는 PZT 계열의 물질, 및 Pb, Zn, Ni, 및 Nb를 포함하는 PZNN 계열의 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 패턴(624)은 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 탄소나노튜브(CNT), 및 그래핀 중 어느 하나를 포함할 수 있다. The
상기 금속 패턴은 상기 제1 전극(610) 및 제2 전극(630)과 접촉되어, 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속 패턴은 상기 압전 세라믹으로, 전압을 인가할 수 있다. The metal pattern may be in contact with the
도 19는 본 발명의 제1 변형 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다. 19 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to a first modified example of the present invention.
도 19를 참조하면, 상기 제1 변형 예에 따른 압전 스피커의 전달판(600)은 제1 전달 패턴(602) 및 제2 전달 패턴(604)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 전달 패턴(602, 604)은 도 5 및 도 6을 참조하여 설명된 상기 제2 실시 예에 따른 전달판의 상기 제1 및 제2 베이스 패턴(202, 204)과 같이, 레벨이 서로 다를 수 있다. 즉, 상기 제1 전달 패턴(602)의 레벨은 상기 제2 전달 패턴(604)의 레벨보다 높을 수 있다. Referring to FIG. 19, the
상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)은 상기 제2 전달 패턴(604) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)은 상기 제2 전달 패턴(604)은 상기 제1 전달 패턴(602)으로 둘러싸일 수 있다. 이로 인해, 상기 압전 구조체(620)가 구동되는 경우, 상기 전달판(600)의 진동 효율이 향상될 수 있다. The
도 20은 본 발명의 제2 변형 예의 일 실시 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이고, 도 21은 본 발명의 제2 변형 예의 다른 실시 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다. 20 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to an embodiment of the second modified example of the present invention, and FIG. 21 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to another embodiment of the second modified example of the present invention.
도 20을 참조하면, 상기 제2 변형 예의 일 실시 예에 따른 압전 스피커는, 도 19를 참조하여 설명된 상기 제1 변형 예에 따른 압전 스피커와 같을 수 있다. 다만, 상기 제1 전달 패턴(602)의 각 폭(W1, W2, W3)이 서로 다를 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 전달 패턴(602)은, 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)은 상기 제2 전달 패턴(604)으로부터 거리가 멀어질수록, 폭이 좁아질 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)은 상기 제2 전달 패턴(604)과 가까운 상기 제1 전달 패턴(602)의 폭(W-1)은 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)은 상기 제2 전달 패턴(604)과 먼 상기 제1 전달 패턴(602)의 폭(W3)보다 넓을 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 변형 예에 따른 압전 스피커는, 고주파용 스피커에 사용될 경우, 효율이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 20, the piezoelectric speaker according to the embodiment of the second modified example may be the same as the piezoelectric speaker according to the first modified example described with reference to FIG. 19. However, each width W 1 , W 2 , and W 3 of the
도 21을 참조하면, 상기 제2 변형 예의 다른 실시 예에 따른 압전 스피커는, 도 19를 참조하여 설명된 상기 제1 변형 예에 따른 압전 스피커와 같을 수 있다. 다만, 상기 제1 전달 패턴(602)의 각 폭(W1, W2, W3)이 서로 다를 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 전달 패턴(602)은, 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)은 상기 제2 전달 패턴(604)으로부터 거리가 멀어질수록, 폭이 넓어질 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)은 상기 제2 전달 패턴(604)과 가까운 상기 제1 전달 패턴(602)의 폭(W-1)은 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)은 상기 제2 전달 패턴(604)과 먼 상기 제1 전달 패턴(602)의 폭(W3)보다 좁을 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 변형 예에 따른 압전 스피커는, 저주파용 스피커에 사용될 경우, 효율이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 21, a piezoelectric speaker according to another embodiment of the second modified example may be the same as the piezoelectric speaker according to the first modified example described with reference to FIG. 19. However, each width W 1 , W 2 , and W 3 of the
즉, 도 20 및 도 21을 참조하여 설명된, 상기 제2 변형 예에 따른 압전 스피커는, 상술된 바와 같이 제1 전달 패턴(602)의 폭이 서로 다르게 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 변형 예에 따른 압전 스피커는, 어플리케이션에 따라 상기 제1 전달 패턴(602)의 폭을 변경시켜, 사용되는 어플리케이션에 적합하게 구현될 수 있다. That is, the piezoelectric speaker according to the second modified example described with reference to FIGS. 20 and 21 may have different widths of the
도 22는 본 발명의 제3 변형 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다. 22 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to a third modified example of the present invention.
도 22를 참조하면, 상기 제3 변형 예에 따른 압전 스피커의 전달판(600)은 전달 패턴이 상기 전달판(600)의 하부면에 형성될 수 있다. 상기 전달판(600)의 상부면은, 상기 제1 전극(610)과 접촉되는 면이고, 상기 전달판(600)의 하부면은, 상기 상부면과 대향하는 면일 수 있다. 즉, 상기 전달판(600)과 상기 제1 전극(610)이 접촉되는 면에는 상기 전달 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전극(610)은 상기 전달판(600) 상에 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 상기 전달 패턴이 상기 전달판(600)의 하부에 형성되어 있음에 따라, 상기 전달 패턴에 의한 진동판의 효과가 구현될 수 있다. Referring to FIG. 22, in the
도 23 및 도 24는 본 발명의 제4 변형 예에 따른 압전 스피커를 제조하는 공정을 나타내는 도면이고, 도 25는 본 발명의 제4 변형 예에 따른 압전 스피커를 나타내는 도면이다. 23 and 24 are views illustrating a process of manufacturing a piezoelectric speaker according to a fourth modified example of the present invention, and FIG. 25 is a diagram illustrating a piezoelectric speaker according to the fourth modified example of the present invention.
도 23 내지 도 25를 참조하면, 마스터 패턴을 포함하는 마스터 기판(600M) 및 도 19 내지 도 22를 참조하여 설명된 상기 제1 내지 제3 변형 예에 따른 상기 제1 전극(610), 압전 구조체(620), 제2 전극(630), 및 보호 필름(640)이 적층된 구조체가 준비된다. 일 실시 예에 따르면, 상기 마스터 기판(600M)은 도 19 내지 도 22를 참조하여 설명된 상기 제1 내지 제3 변형 예에 따른 전달판(600)과 같을 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 마스터 패턴 및 상기 전달판(600)이 포함하는 전달 패턴의 형상이 같을 수 있다. 또한, 상기 마스터 기판(600M)은 상기 제1 전극(610)의 경도 보다 높은 경도를 가질 수 있다. 23 to 25, a
상기 제1 전극(610)은 상기 마스터 기판(600M)으로 눌려져 전극 패턴을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 전극 패턴은 상기 마스터 패턴의 역상을 가질 수 있다. 상기 전극 패턴이 형성된 이후, 상기 상기 제1 전극(610) 및 상기 전달판(600)이 결합되어, 상기 제4 변형 예에 따른 압전 소자가 제조될 수 있다. The
상기 제1 전극(610) 및 상기 전달판(600)이 결합되는 경우, 상기 전달 패턴 및 상기 전극 패턴의 형상이 대응됨에 따라, 상기 전달 패턴 및 상기 전극 패턴이 서로 맞물리도록 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 전극(610)의 오목부(610a)에 상기 전달판(600)의 볼록부(600b)가 삽입되도록 결합될 수 있다. 또한, 상기 전달판(600)의 오목부(600a)에 상기 제1 전극의 볼록부(610b)가 삽입되도록 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 압전 구조체(620)가 구동되는 경우, 상기 전달판(600)의 진동 효율이 향상될 수 있다. When the
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 압전 스피커가 설명되었다. 이하, 본 발명의 실시 예에 따른 방열판의 구체적인 실험 결과가 설명된다. In the above, a piezoelectric speaker according to an embodiment of the present invention has been described. Hereinafter, specific experimental results of the heat sink according to an embodiment of the present invention will be described.
실시 예에 따른 방열판 제조Manufacturing a heat sink according to the embodiment
베이스 기판이 준비된다. 상기 베이스 기판을, 상기 베이스 기판의 경도보다 높은 경도를 갖고, 라인(line) 형태의 패턴을 포함하는 마스터 기판으로 눌러, 상기 베이스 기판 상에 상기 라인 형태의 역상을 갖는 패턴을 형성하였다. 이에 따라, 상기 실시 예에 따른 방열판이 제조되었다. The base substrate is prepared. The base substrate was pressed with a master substrate having a hardness higher than that of the base substrate and including a line-shaped pattern to form a pattern having the reversed image of the line shape on the base substrate. Accordingly, a heat sink according to the embodiment was manufactured.
비교 예에 따른 방열판 준비Heat sink preparation according to comparative example
구리를 포함하는 비교 예에 따른 방열판을 준비하였다. A heat sink according to a comparative example containing copper was prepared.
도 26은 본 발명의 실시 예 및 비교 예에 따른 방열판이 열원과 접촉된 상태를 촬영한 사진이고, 도 27은 본 발명의 실시 예에 따른 방열판의 패턴을 촬영한 사진이고, 도 28 내지 도 31은 본 발명의 실시 예 및 비교 예에 따른 방열판의 방열 효율을 비교하는 사진이다.26 is a photograph of a heat sink according to an embodiment and a comparative example of the present invention in contact with a heat source, and FIG. 27 is a photograph of a pattern of a heat sink according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 28 to 31 Is a photograph comparing the heat dissipation efficiency of the heat sink according to the embodiment and the comparative example of the present invention.
도 26의 (a) 및 (b)를 참조하면, 상기 실시 예 및 비교 예에 따른 방열판을 가열된 너트와 접촉시킨 상태를 각각 촬영하였다. 도 26의 (a) 및 (b)에서 확인할 수 있듯이, 상기 실시 예 및 비교 예에 따른 방열판 모두 가열된 너트와 잘 접촉되어 있는 것을 확인할 수 있다. Referring to FIGS. 26A and 26B, a state in which the heat sink according to the Example and Comparative Example is in contact with the heated nut was photographed, respectively. As can be seen in FIGS. 26A and 26B, it can be seen that both the heat sinks according to the above Examples and Comparative Examples are in good contact with the heated nuts.
도 27을 참조하면, 상기 실시 예에 따른 방열판을 SEM(Scanning Electron Microscope) 촬영하였다. 도 27에서 확인할 수 있듯이, 상기 실시 예에 따른 방열판은 250 nm의 폭을 갖고, 라인 형상을 나타내는 복수의 미세 패턴들이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 27, the heat sink according to the embodiment was photographed with a scanning electron microscope (SEM). As can be seen in FIG. 27, it was confirmed that the heat sink according to the embodiment has a width of 250 nm and a plurality of fine patterns representing a line shape are formed.
도 28 내지 도 31을 참조하면, 상기 실시 예 및 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트의 온도를 촬영하여 나타내었다. 도 28 내지 도 31의 (a)는 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트의 온도를 나타내고, 도 28 내지 도 31의 (b)는 상기 비교 예에 다른 방열판과 접촉된 너트의 온도를 나타낸다. 또한, 도 28 내지 도 31은 가열된 너트가 방열판과 접촉된 직후부터, 각각 일정 시간이 지난 후 촬영된 사진들이다. 즉, 도 28은 가열된 너트가 방열판과 접촉된 직후를 촬영한 사진이고, 도 29는 도 28로부터 일정 시간이 지난 후 촬영된 사진이고, 도 30은 도 29로부터 일정 시간이 지난 후 촬영된 사진이고, 도 31은 도 30으로부터 일 정시간이 지난 후 촬영된 사진이다. 28 to 31, the temperature of the nut in contact with the heat sink according to the embodiment and the comparative example is photographed and shown. 28 to 31 (a) shows the temperature of the nut in contact with the heat sink according to the embodiment, and FIGS. 28 to 31 (b) show the temperature of the nut in contact with another heat sink in the comparative example. In addition, FIGS. 28 to 31 are photographs taken immediately after the heated nut contacts the heat sink and after a predetermined time has passed. That is, FIG. 28 is a picture taken immediately after the heated nut is in contact with the heat sink, FIG. 29 is a picture taken after a certain period of time from FIG. 28, and FIG. 30 is a picture taken after a predetermined time from FIG. 29 And FIG. 31 is a picture taken after a predetermined time elapses from FIG. 30.
도 28의 (a) 및 (b)에서 알 수 있듯이, 가열된 너트가 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 직후의 온도는 45.9℃를 나타내고, 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 직후의 온도는 45.6℃의 온도를 나타내었다. 즉, 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트와 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트의 온도 차이는 0.3℃인 것을 확인할 수 있었다. As can be seen from (a) and (b) of FIG. 28, the temperature immediately after the heated nut contacts the heat sink according to the embodiment is 45.9°C, and the temperature immediately after contact with the heat sink according to the comparative example is It showed a temperature of 45.6 ℃. That is, it was confirmed that the temperature difference between the nut in contact with the heat sink according to the embodiment and the nut in contact with the heat sink according to the comparative example was 0.3°C.
도 29의 (a) 및 (b)에서 알 수 있듯이, 도 28로부터 일정 시간이 지난 후, 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트는 33.7℃의 온도를 나타내었고, 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트는 35.2℃의 온도를 나타내었다. 즉, 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트와 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트의 온도 차이는 1.5℃인 것을 확인할 수 있었다. As can be seen in (a) and (b) of FIG. 29, after a certain period of time from FIG. 28, the nut in contact with the heat sink according to the embodiment exhibited a temperature of 33.7 °C, and the heat sink according to the comparative example The contacted nut exhibited a temperature of 35.2°C. That is, it was confirmed that the temperature difference between the nut in contact with the heat sink according to the embodiment and the nut in contact with the heat sink according to the comparative example is 1.5°C.
도 30의 (a) 및 (b)에서 알 수 있듯이, 도 29로부터 일정 시간이 지난 후, 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트는 31.0℃의 온도를 나타내었고, 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트는 33.2℃의 온도를 나타내었다. 즉, 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트와 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트의 온도 차이는 2.2℃인 것을 확인할 수 있었다. As can be seen from (a) and (b) of FIG. 30, after a certain time from FIG. 29, the nut in contact with the heat sink according to the embodiment exhibited a temperature of 31.0°C, and the heat sink according to the comparative example The nut in contact showed a temperature of 33.2°C. That is, it was confirmed that the temperature difference between the nut in contact with the heat sink according to the embodiment and the nut in contact with the heat sink according to the comparative example is 2.2°C.
도 31의 (a) 및 (b)에서 알 수 있듯이, 도 30으로부터 일정 시간이 지난 후, 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트는 28.1℃의 온도를 나타내었고, 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트는 31.1℃의 온도를 나타내었다. 즉, 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트와 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트의 온도 차이는 3.0℃인 것을 확인할 수 있었다. As can be seen from (a) and (b) of FIG. 31, after a certain period of time from FIG. 30, the nut in contact with the heat sink according to the embodiment exhibited a temperature of 28.1° C., and the heat sink according to the comparative example The nut in contact showed a temperature of 31.1°C. That is, it was confirmed that the temperature difference between the nut in contact with the heat sink according to the embodiment and the nut in contact with the heat sink according to the comparative example was 3.0°C.
도 28 내지 도 31에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예에 따른 방열판과 접촉된 너트는, 상기 비교 예에 따른 방열판과 접촉된 너트와 비교하여 온도의 감소 폭이 큰 것을 확인할 수 있었다. 즉, 미세 패턴이 형성된 방열판은, 미세 패턴이 형성되지 않은 방열판과 비교하여 방열 효율이 향상되는 것을 알 수 있다. As can be seen from FIGS. 28 to 31, it was confirmed that the nut in contact with the heat sink according to the embodiment has a greater reduction in temperature compared to the nut in contact with the heat sink according to the comparative example. That is, it can be seen that the heat dissipation efficiency of the heat dissipation plate on which the fine pattern is formed is improved compared to the heat dissipation plate on which the fine pattern is not formed.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.In the above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to specific embodiments, and should be interpreted by the appended claims. In addition, those who have acquired ordinary knowledge in this technical field should understand that many modifications and variations can be made without departing from the scope of the present invention.
100, 200, 300: 베이스 기판
110, 210: 제1 마스터 기판
220: 제2 마스터 기판
230: 제3 마스터 기판
310: 레플리카 기판
312, 314: 제1 레플리카 패턴, 제2 레플리카 패턴
320: 마스터 기판
340: 타겟 기판
400, 500, 600: 전달판
510: 시드층
520: 돌출 패턴
610: 제1 전극
620: 압전 구조체
630: 제2 전극
640: 보호 필름100, 200, 300: base substrate
110, 210: first master substrate
220: second master substrate
230: third master substrate
310: replica board
312, 314: a first replica pattern, a second replica pattern
320: master substrate
340: target substrate
400, 500, 600: delivery plate
510: seed layer
520: extrusion pattern
610: first electrode
620: piezoelectric structure
630: second electrode
640: protective film
Claims (12)
오목부 및 볼록부를 포함하는 제1 마스터 패턴이 형성되고, 상기 베이스 기판의 경도(hardness) 이상의 경도를 갖는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 마스터 패턴과 상기 베이스 기판이 마주보도록, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 마스터 기판을 정렬하는 단계;
상기 베이스 기판을 상기 제1 마스터 기판으로 눌러, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 마스터 패턴의 오목부와 대응되는 볼록부 및 상기 제1 마스터 패턴의 볼록부와 대응되는 오목부를 포함하는 제1 베이스 패턴을 형성하는 단계;
제2 마스터 패턴을 포함하고 상기 베이스 기판의 경도 이상의 경도를 갖는 제2 마스터 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 베이스 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 및 상기 제2 마스터 패턴을 포함하는 상기 제2 마스터 기판을 접촉시키되, 상기 베이스 기판 및 상기 제2 마스터 기판 상에 압력을 가하여, 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 베이스 패턴의 일부가 상기 제2 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 제2 베이스 패턴을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 제2 마스터 패턴에 의하여 눌려진 상기 제1 베이스 패턴은 동일한 형상이 유지되고, 상기 제1 베이스 패턴 및 제2 베이스 패턴은 상기 베이스 기판의 하부면을 기준으로 서로 다른 레벨을 갖는 것을 포함하는 전달판의 제조 방법.
Preparing a base substrate;
Preparing a first master substrate having a first master pattern including a concave portion and a convex portion and having a hardness equal to or greater than the hardness of the base substrate;
Aligning the first master substrate on the base substrate so that the first master pattern and the base substrate face each other;
A first base pattern including a convex portion corresponding to a concave portion of the first master pattern and a concave portion corresponding to the convex portion of the first master pattern on the base substrate by pressing the base substrate to the first master substrate Forming a;
Preparing a second master substrate including a second master pattern and having a hardness equal to or greater than that of the base substrate;
The base substrate on which the first base pattern is formed and the second master substrate including the second master pattern are brought into contact, and pressure is applied to the base substrate and the second master substrate, 1 comprising the step of forming a deformed second base pattern by overlapping a part of the base pattern with the second master pattern,
The first base pattern pressed by the second master pattern maintains the same shape, and the first base pattern and the second base pattern have different levels with respect to the lower surface of the base substrate. Manufacturing method.
상기 제1 베이스 패턴 및 상기 제2 베이스 패턴상에 열전도성 수지 조성물을 코팅하는 단계를 포함하는 방열판의 제조 방법.
Preparing a transfer plate including the base substrate having the first base pattern and the second base pattern manufactured by the method of manufacturing the transfer plate according to claim 1; And
A method of manufacturing a heat sink comprising the step of coating a thermally conductive resin composition on the first base pattern and the second base pattern.
상기 방열판과 접촉된 열원을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 열원은, 전자 소자, LED, 및 전기 모터 중 적어도 어느 하나를 포함하는 방열 구조체의 제조 방법.
Preparing a heat sink manufactured by the method of manufacturing a heat sink according to claim 3; And
Including the step of forming a heat source in contact with the heat sink,
The heat source is a method of manufacturing a heat dissipation structure including at least one of an electronic element, an LED, and an electric motor.
상기 베이스 기판이 상기 제1 마스터 기판으로 눌려지기 전 또는 눌려진 상태에서, 상기 베이스 기판 및 상기 제1 마스터 기판에 열처리와 함께 자외선(ultraviolet)이 조사되는 것을 포함하는 전달판의 제조 방법.
The method of claim 1,
A method of manufacturing a transfer plate comprising irradiating ultraviolet rays together with heat treatment to the base substrate and the first master substrate before or while the base substrate is pressed against the first master substrate.
상기 전달판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에, 압전 세라믹 및 상기 제1 전극에 인가된 전압을 상기 압전 세라믹으로 전달하는 금속 패턴을 포함하는 압전 구조체를 형성하는 단계; 및
상기 압전 구조체 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 전달판을 진동판으로 사용하는 압전 스피커의 제조 방법.
Preparing a transfer plate including the base substrate having the first base pattern and the second base pattern manufactured by the method of manufacturing the transfer plate according to claim 1;
Forming a first electrode on the transfer plate;
Forming, on the first electrode, a piezoelectric structure including a piezoelectric ceramic and a metal pattern for transferring a voltage applied to the first electrode to the piezoelectric ceramic; And
Including the step of forming a second electrode on the piezoelectric structure,
A method of manufacturing a piezoelectric speaker using the transmission plate as a vibration plate.
상기 압전 세라믹은, Pb, Zr, 및 Ti를 포함하는 PZT 계열의 물질, 및 Pb, Zn, Ni, 및 Nb를 포함하는 PZNN 계열의 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 압전 스피커의 제조 방법.
The method of claim 6,
The piezoelectric ceramic is a method of manufacturing a piezoelectric speaker including at least one of a PZT-based material including Pb, Zr, and Ti, and a PZNN-based material including Pb, Zn, Ni, and Nb.
상기 압전 세라믹은 제1 압전 세라믹 및 제2 압전 세라믹을 포함하고,
상기 금속 패턴은 상기 제1 및 제2 압전 세라믹 사이에 배치되는 것을 포함하는 압전 스피커의 제조 방법.
The method of claim 6,
The piezoelectric ceramic includes a first piezoelectric ceramic and a second piezoelectric ceramic,
The method of manufacturing a piezoelectric speaker, wherein the metal pattern is disposed between the first and second piezoelectric ceramics.
상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각, 제1 전극 패턴 및 상기 제1 전극 패턴과 마주보며 배치되는 제2 전극 패턴을 포함하고,
상기 제1 전극 패턴 및 제2 전극 패턴은 각각, 바디 패턴 및 상기 바디 패턴으로부터 돌출되는 복수의 서브 패턴을 포함하고, 복수의 서브 패턴들은 서로 이격되어 배치되되,
상기 제1 전극 패턴의 서브 패턴들 사이 공간에, 상기 제2 전극 패턴의 서브 패턴이 배치되도록, 상기 제1 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴은 서로 맞물리게 배치되는 것을 포함하는 압전 스피커의 제조 방법.
The method of claim 6,
The first electrode and the second electrode each include a first electrode pattern and a second electrode pattern disposed to face the first electrode pattern,
The first electrode pattern and the second electrode pattern each include a body pattern and a plurality of sub-patterns protruding from the body pattern, and the plurality of sub-patterns are disposed to be spaced apart from each other,
The method of manufacturing a piezoelectric speaker comprising the first electrode pattern and the second electrode pattern interdigitated with each other so that the sub-pattern of the second electrode pattern is disposed in a space between the sub-patterns of the first electrode pattern.
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062301A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same, substrate for magneto-optical recording medium, and mother die stamper and method of manufacturing the same |
| KR101542186B1 (en) * | 2014-04-18 | 2015-08-06 | 한국세라믹기술원 | Piezo-electric loudspeaker using piezo fiber composite structure |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2008269284A1 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Agency For Science, Technology And Research | A method of making a secondary imprint on an imprinted polymer |
| KR101111423B1 (en) * | 2009-10-01 | 2012-02-15 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Stack chip package having heat emission means |
| KR101028832B1 (en) | 2010-10-22 | 2011-04-12 | 부산대학교 산학협력단 | Method for fabricating of heatsink by ac anodizing |
| KR20140073201A (en) * | 2012-12-06 | 2014-06-16 | 한국전자통신연구원 | Piezoelectric Energy Harvesting Device and Method of Fabricating the Same |
| KR101523523B1 (en) | 2014-07-03 | 2015-05-29 | 에스텍 주식회사 | Diaphragm and speaker using the same |
| KR101673201B1 (en) * | 2015-04-23 | 2016-11-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | Manufacturing method of hyper-lens and manufacturing apparatus for hyper-lens |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062301A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same, substrate for magneto-optical recording medium, and mother die stamper and method of manufacturing the same |
| KR101542186B1 (en) * | 2014-04-18 | 2015-08-06 | 한국세라믹기술원 | Piezo-electric loudspeaker using piezo fiber composite structure |
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