KR102139614B1 - Substrate treating apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 열처리 챔버로부터 공정가스를 배기하는 배기라인과 액처리 챔버로 공기를 공급하는 공급라인 사이에 단열부재를 배치하여, 액처리 챔버로 공급되는 공기의 온도와 습도를 적정치로 유지하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, by arranging an insulating member between an exhaust line for exhausting process gas from a heat treatment chamber and a supply line for supplying air to a liquid processing chamber, the temperature and humidity of air supplied to the liquid processing chamber It relates to a substrate processing apparatus for maintaining a proper value.

Figure R1020180083260
Figure R1020180083260

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}Substrate processing device {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 처리 유닛으로 가스를 공급하는 공급라인과, 처리 유닛으로부터 가스를 배기하는 배기라인을 단열하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus for insulating a supply line for supplying gas to a processing unit and an exhaust line for exhausting gas from the processing unit.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 다양한 패턴을 형성하여야 한다. 반도체 패턴 형성은 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 그리고 식각 공정(etching process)을 연속적으로 수행됨으로써 이루어진다.In order to manufacture a semiconductor device, various patterns must be formed on a substrate such as a semiconductor wafer. The semiconductor pattern is formed by successively performing a deposition process, a lithography process, and an etching process.

종래와 같이 패턴들 사이의 간격이 넓을 경우에 사진 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하여 웨이퍼 상에 포토레지스트 층(photoresist layer)을 형성하고, 노광 장비를 통해 레티클(reticle)에 형성된 패턴을 포토레지스트 층 상에 전사하여 회로를 형성하고, 이후 현상액을 웨이퍼의 포토레지스트 층에 공급하여 노광된 영역 또는 그 반대 영역을 선택적으로 제거하는 방식으로 수행되었다.When the distance between the patterns is wide as in the prior art, the photo process applies a photoresist on the wafer to form a photoresist layer on the wafer, and the pattern formed on the reticle is exposed through exposure equipment. The transfer was performed on a resist layer to form a circuit, and then a developer was supplied to the photoresist layer of the wafer to selectively remove the exposed areas or vice versa.

그러나 최근에는 패턴이 미세화됨에 따라 포토레지스트 층 아래에 희생막을 형성하는 공정이 요구되며, 희생막으로는 스핀 온 하드마스크(SOH, spin on hardmask) 막이 사용되고 있다. However, recently, as the pattern is refined, a process of forming a sacrificial film under the photoresist layer is required, and a spin on hardmask (SOH) film is used as the sacrificial film.

스핀 온 하드 마스크 막은 액처리 챔버를 통해 기판에 형성된다. 도 1을 참조하면 액처리 유닛(1)은, 회전하는 지지대(2)에 놓인 기판(W)에 처리액을 공급한 뒤, 하우징(3) 내부에 하강 기류(f)를 형성해 스핀 온 마스크 막이 기판(W) 상면에 균일한 두께로 형성될 수 있도록 유도하고 있다. 액 처리 유닛(1)에 기판이 반입되거나 반출된 직후 기판(W)은 열처리 챔버(4)를 통해 가열되는 것이 일반적이다.The spin-on hard mask film is formed on the substrate through a liquid processing chamber. Referring to FIG. 1, the liquid processing unit 1 supplies a processing liquid to the substrate W placed on the rotating support 2, and then forms a descending air flow f inside the housing 3 to prevent a spin-on mask film. It is induced to be formed to a uniform thickness on the upper surface of the substrate (W). It is common that the substrate W is heated through the heat treatment chamber 4 immediately after the substrate is brought into or out of the liquid processing unit 1.

그러나 열처리 챔버(4)로부터 배기가스를 배출하는 배기라인(5)과 액처리 챔버(1)로 가스를 공급하는 공급라인(6) 사이에 열교환이 발생됨에 따라, 액처리 챔버(1)에 하강 기류(f)를 형성하는 가스의 온도 및 습도가 변경된다. 가스의 온도 및 습도가 변경되면 기판(W) 상면에 형성된 스핀 온 마스크 막의 두께가 기판 영역별로 동일하지 못한 결과를 얻게 된다.However, as the heat exchange is generated between the exhaust line 5 for discharging exhaust gas from the heat treatment chamber 4 and the supply line 6 for supplying gas to the liquid treatment chamber 1, it descends to the liquid treatment chamber 1 The temperature and humidity of the gas forming the airflow f are changed. When the temperature and humidity of the gas are changed, the thickness of the spin-on mask film formed on the upper surface of the substrate W is not the same for each substrate area.

대한민국 공개특허공보 제10-2018-0025448호(2018.03.09.)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2018-0025448 (2018.03.09.)

본 발명은 액처리를 통해 기판에 형성된 막의 두께 균일도를 증대하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. The present invention provides a substrate processing apparatus for increasing the thickness uniformity of a film formed on a substrate through liquid processing.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼유닛 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되, 처리 모듈은, 기판을 가열 또는 액처리하는 제1 처리 유닛과, 기판을 버퍼유닛 모듈, 제1 처리 유닛 간에 반송하는 반송유닛과, 제1 처리 유닛과 연결된 복수의 배관을 가지는 덕트유닛을 포함하며, 덕트유닛은, 제1 처리 유닛으로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기라인과, 제1 처리 유닛으로 공급되는 가스가 흐르는 공급라인과, 배기라인과 공급라인을 단열하는 단열부재를 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes an index module, a buffer unit module, and a processing module sequentially arranged along a first direction, wherein the processing module includes a first processing unit for heating or liquid processing the substrate, and a buffer unit module for the substrate. , A conveying unit for conveying between the first processing units, and a duct unit having a plurality of pipes connected to the first processing unit, wherein the duct unit includes an exhaust line through which gas exhausted from the first processing unit flows, and a first treatment It includes a supply line through which gas supplied to the unit flows, and an insulating member insulating the exhaust line and the supply line.

상기 제1 처리 유닛은, 기판을 열처리 하는 제1 열처리 챔버와, 기판을 액처리하는 제1 액처리 챔버를 포함하며, 제1 처리 유닛에서 배기되는 가스는, 제1 열처리 챔버로부터 배기되는 처리 가스이고, 제1 처리 유닛으로 공급되는 가스는, 제1 액처리 챔버 내에 하강 기류를 형성하는 가스일 수 있다.The first processing unit includes a first heat treatment chamber for heat-treating the substrate, and a first liquid processing chamber for liquid-processing the substrate, and the gas exhausted from the first processing unit is a processing gas exhausted from the first heat treatment chamber , And the gas supplied to the first processing unit may be a gas forming a descending air stream in the first liquid processing chamber.

상기 단열부재는, 배기라인과 공급라인 사이에 배치된 단열벽일 수 있다.The heat insulating member may be an insulating wall disposed between the exhaust line and the supply line.

상기 단열벽 내부에는 가스가 충진될 수 있다.Gas may be filled in the insulating wall.

상기 제1 열처리 챔버 및 제2 액처리 챔버는, 각각 복수개가 적층된 형태로 처리 유닛에 제공되고, 배기라인 및 공급라인은, 각각의 제1 열처리 챔버 또는 제2 액처리 챔버와 연결되는 복수의 서브라인과, 복수의 서브라인이 하나로 연결된 메인라인을 포함할 수 있다.The first heat treatment chamber and the second liquid treatment chamber are provided to the processing unit in a plurality of stacked forms, and the exhaust line and the supply line are connected to each of the first heat treatment chamber or the second liquid processing chamber. The subline may include a main line in which a plurality of sublines are connected to one.

상기 배기라인에 흐르는 가스는 섭씨 100도 이상의 온도일 수 있다.The gas flowing in the exhaust line may be at a temperature of 100 degrees Celsius or more.

상기 공급라인에 흐르는 가스와 배기라인을 흐르는 가스의 온도 차이는 섭씨 200도 이상일 수 있다.The temperature difference between the gas flowing in the supply line and the gas flowing in the exhaust line may be 200 degrees Celsius or more.

상기 처리 모듈은, 제1 방향을 따라 순차적으로 반송 유닛, 제1 액처리 챔버가 배치되고, 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 반송 유닛 일측에 제1 열처리 챔버가 배치되고, 제2 방향을 따라 제1 액처리 챔버 일측에 덕트유닛이 배치될 수 있다.In the processing module, a transport unit and a first liquid processing chamber are sequentially arranged along a first direction, and a first heat treatment chamber is disposed on one side of the transport unit in a second direction perpendicular to the first direction, and in a second direction. A duct unit may be disposed on one side of the first liquid processing chamber.

상기 덕트유닛을 이루는 면들 중, 제1 방향 및 제2 방향과 모두 수직한 제3 방향을 따라 제공된 면들 중 중 제1 면이 제1 열처리 챔버와 인접하고, 배기라인은 그 길이방향이 제1 면에 인접한 위치에서 제3 방향을 따라 제공되고, 공급라인은 그 길이방향이 제1 면과 대향하는 제2 면에 인접한 위치에서 제3 방향을 따라 제공되고, 단열부재는, 그 길이 방향이 제3 방향을 따라 제공될 수 있다.Among the surfaces constituting the duct unit, a first surface of the surfaces provided along a third direction perpendicular to both the first direction and the second direction is adjacent to the first heat treatment chamber, and the exhaust line has a first surface in its longitudinal direction. Is provided along the third direction at a position adjacent to, and the supply line is provided along the third direction at a position adjacent to the second surface whose longitudinal direction is opposite to the first surface, and the heat insulating member has a third longitudinal direction It can be provided along the direction.

본 발명의 일실시예에 의하면, 단열부재를 통해 공급라인과 배기라인이 단열되므로, 액처리 챔버로 공급되는 가스의 온도 및 습도가 변경되지 않게 되는 효과가 발생 된다. 이에 따라, 액처리 챔버 내부에 형성되는 하강 기류의 온도 및 습도가 균일해지고, 기판에 액처리를 통해 형성된 막의 두께 균일도가 향상된다.According to an embodiment of the present invention, since the supply line and the exhaust line are insulated through the heat insulating member, the effect of not changing the temperature and humidity of the gas supplied to the liquid processing chamber occurs. Accordingly, the temperature and humidity of the downdraft formed inside the liquid processing chamber become uniform, and the thickness uniformity of the film formed through the liquid processing on the substrate is improved.

본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 액처리 챔버의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명이 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1 액처리 챔버를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 2의 단열부재를 보여주는 부분 측면도이다.
도 5는 도 2의 단열부재를 보여주는 부분 후면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a liquid processing chamber.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing the first liquid processing chamber of FIG. 2.
4 is a partial side view showing the heat insulating member of FIG. 2.
FIG. 5 is a partial rear view showing the heat insulating member of FIG. 2.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer explanation.

도 2는 본 발명이 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 제1 액처리 챔버를 보여주는 사시도이다. 도 4는 도 2의 단열부재를 보여주는 부분 측면도이다. 도 5는 도 2의 단열부재를 보여주는 부분 후면도이다.2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a perspective view showing the first liquid processing chamber of FIG. 2. 4 is a partial side view showing the heat insulating member of FIG. 2. FIG. 5 is a partial rear view showing the heat insulating member of FIG. 2.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(index module; 100)과 버퍼유닛 모듈 그리고 처리 모듈(process treating module; 200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)과 버퍼유닛 모듈 그리고, 처리 모듈(200)은 나란히 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(100)과, 버퍼유닛 모듈 그리고 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1 방향(X1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(X1)과 수직한 방향을 제2 방향(X2)이라 하고, 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(X3)이라 한다.2 to 5, the substrate processing apparatus includes an index module (100), a buffer unit module, and a process treating module (200). The index module 100, the buffer unit module, and the processing module 200 are arranged side by side. Hereinafter, the direction in which the index module 100, the buffer unit module, and the processing module 200 are arranged is referred to as a first direction (X1), and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction (X1) is second. The direction X2 is referred to as a direction perpendicular to both the first direction X1 and the second direction X2 as the third direction X3.

인덱스 모듈(100)은 버퍼 유닛 모듈 및 처리 모듈(200)의 전단부에 설치된다. 인덱스 모듈(100)은 그 길이 방향이 제2 방향(X2)으로 배치된다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(110)와 이송 프레임(120)을 가진다. 이송 프레임(120)을 기준으로 로드포트(110)는 처리 모듈(200)의 반대 측에 위치된다. 로드포트(110)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(110)는 제2 방향(X2)을 따라 배치될 수 있다. 기판들이 수용된 용기(C)는 로드포트(110)에 놓이고, 기판은 이송 프레임(120)에 제공된 인덱스 로봇(122)에 의해 용기(C)와 처리 모듈(200) 간에 반송된다.The index module 100 is installed at the front end of the buffer unit module and the processing module 200. The index module 100 has a longitudinal direction in the second direction X2. The index module 100 has a load port 110 and a transfer frame 120. The load port 110 based on the transfer frame 120 is located on the opposite side of the processing module 200. A plurality of load ports 110 may be provided, and the plurality of load ports 110 may be arranged along the second direction X2. The container C in which the substrates are accommodated is placed in the load port 110, and the substrate is transferred between the container C and the processing module 200 by the index robot 122 provided in the transfer frame 120.

용기(C)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드 포트(110)에 놓일 수 있다.As the container C, a sealing container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container C may be placed in the load port 110 by an operator (not shown) or an operator such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. Can.

이송 프레임(120)의 내부에는 인덱스 로봇(122)이 제공된다. 인덱스 로봇(122)은 제2 방향(X1)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(122)은 기판이 놓이는 핸드(123)를 포함하며, 핸드(123)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(X3)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제2 방향(X2) 또는 제3 방향(X3)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 122 is provided inside the transfer frame 120. The index robot 122 may be provided to be movable along the second direction X1. The index robot 122 includes a hand 123 on which the substrate is placed, and the hand 123 moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction X3, and the second direction X2 or It may be provided to be movable along the third direction (X3).

처리 모듈(200)은 기판 상에 하드마스크 막을 형성하는 공정을 수행할 수 있다. 기판은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 처리 모듈(200)은 제1 처리 유닛(B1)과 제2 처리 유닛(B2)을 포함한다. 제1 처리 유닛(B1)과 제2 처리 유닛(B2)은 제2 방향(X2)으로 배열될 수 있다. 제1 처리 유닛(B1)과 제2 처리 유닛(B2)은 서로 동일한 구조로 제공되고, 서로 동일한 공정들을 수행할 수 있다. 기판은 제1 처리 유닛(X1)과 제2 처리 유닛(X2) 중 선택된 어느 하나의 처리 유닛에서 처리될 수 있다. The processing module 200 may perform a process of forming a hard mask film on the substrate. The substrate can be a semiconductor wafer. The processing module 200 includes a first processing unit B1 and a second processing unit B2. The first processing unit B1 and the second processing unit B2 may be arranged in the second direction X2. The first processing unit B1 and the second processing unit B2 are provided with the same structure and can perform the same processes with each other. The substrate may be processed in any one processing unit selected from the first processing unit X1 and the second processing unit X2.

버퍼유닛 모듈은 인덱스 모듈(100)과 처리 모듈(200) 사이에서 기판을 반송한다. 버퍼유닛 모듈은 인덱스 모듈(100)과 제1 처리 유닛(B1) 사이에서 기판을 반송하는 제1 버퍼 유닛(1000)과, 인덱스 모듈(100)과 제2 처리 유닛(B2) 사이에서 기판을 반송하는 제2 버퍼 유닛(1001)을 포함한다.The buffer unit module transports the substrate between the index module 100 and the processing module 200. The buffer unit module transports the substrate between the index module 100 and the second processing unit B2, and the first buffer unit 1000 that transports the substrate between the index module 100 and the first processing unit B1. It includes a second buffer unit 1001.

제1 버퍼유닛(1000)과 제2 버퍼유닛(1001)은 인덱스 모듈(100)의 일 측에 제2 방향(X2)을 따라 나란히 배열된다. 일 예에 의하면, 인덱스 모듈(100), 제1 버퍼유닛(1000), 그리고 후설할 제1 반송 유닛(2000), 및 제1 액처리 챔버(3200)는 제1 방향(X1)을 따라 순차적으로 배치되고, 인덱스 모듈(100), 제2 버퍼유닛(1001), 그리고 후설할 제2 반송 유닛(2001) 및 제2 액처리 챔버(3201)도 제1 방향(X1)을 따라 순차적으로 배치된다. 또한, 제1 열처리 챔버(3100), 제1 반송 유닛(2000), 제2 반송 유닛(2001), 그리고 제2 열처리 챔버(3101)는 제2 방향(X2)을 따라 순차적으로 배치된다. The first buffer unit 1000 and the second buffer unit 1001 are arranged side by side along the second direction X2 on one side of the index module 100. According to an example, the index module 100, the first buffer unit 1000, and the first transport unit 2000 to be installed, and the first liquid processing chamber 3200 are sequentially along the first direction X1. It is arranged, the index module 100, the second buffer unit 1001, and the second conveying unit 2001 and the second liquid processing chamber 3201 to be installed are also sequentially arranged along the first direction X1. In addition, the first heat treatment chamber 3100, the first transfer unit 2000, the second transfer unit 2001, and the second heat treatment chamber 3101 are sequentially arranged along the second direction X2.

제1 버퍼유닛(1000)과 제2 버퍼유닛(1001)은 기판이 머무르는 공간을 제공한다. 제1 처리 유닛(B1)으로 반입된 기판 또는 제1 처리 유닛(B1)으로부터 반출될 기판은 제1 버퍼유닛(1000)에 머무르고, 제2 처리 유닛(B2)으로 반입된 기판 또는 제2 처리 유닛(B2)으로부터 반출될 기판은 제2 버퍼유닛(1001)에 머무른다. 제1 버퍼유닛(1000)과 제2 버퍼유닛(1001)은 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The first buffer unit 1000 and the second buffer unit 1001 provide a space where the substrate stays. The substrate carried into the first processing unit B1 or the substrate to be carried out from the first processing unit B1 remains in the first buffer unit 1000 and the substrate or second processing unit carried into the second processing unit B2 The substrate to be carried out from (B2) remains in the second buffer unit 1001. The first buffer unit 1000 and the second buffer unit 1001 may be provided with the same structure.

제1 처리 유닛(B1)은 제1 버퍼유닛(1000) 후단부에 위치된다. 제1 처리 유닛(B1)은 제1 반송 유닛(2000), 제1 처리챔버(3000), 제1 덕트유닛(4000)를 가지고, 제2 처리 유닛(B2)은 제2 버퍼유닛(1001), 제2 반송 유닛(2001), 제2 처리챔버(3001), 제2 덕트유닛(4001)를 가진다. 제1 처리챔버(3000)는 제1 반송 유닛(2000)의 둘레에 배치되고, 제2 처리챔버(3001)는 제2 반송 유닛(2001)의 둘레에 배치된다. 일 예에 의하면, 제1 처리챔버(3000)는 제1 열처리 챔버(3100)와 제1 액처리 챔버(3200)를 포함하고, 제2 처리챔버(3001)는 제2 열처리 챔버(3101)와 제1 액 처리 챔버(3201)를 포함한다. 제1 열처리 챔버(3100), 제1 액처리 챔버(3200), 제2 열처리 챔버(3101), 제2 액처리 챔버(3201)는 각각 복수 개가 제공되고, 서로 적층되도록 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 액처리 챔버(3200)들은 제1 반송 유닛(2000)의 한 측면에 서로 적층되도록 제공되고, 제1 열처리 챔버(3100)들은 제1 반송 유닛(2000)의 다른 측면에 서로 적층되도록 제공될 수 있다.The first processing unit B1 is located at the rear end of the first buffer unit 1000. The first processing unit B1 has a first transport unit 2000, a first processing chamber 3000, and a first duct unit 4000, and the second processing unit B2 is a second buffer unit 1001, It has a second conveying unit 2001, a second processing chamber 3001, and a second duct unit 4001. The first processing chamber 3000 is disposed around the first transport unit 2000, and the second processing chamber 3001 is disposed around the second transport unit 2001. According to an example, the first treatment chamber 3000 includes a first heat treatment chamber 3100 and a first liquid treatment chamber 3200, and the second treatment chamber 3001 comprises a second heat treatment chamber 3101 and a first heat treatment chamber 3101. It includes a one-liquid processing chamber 3201. A plurality of first heat treatment chambers 3100, a first liquid treatment chamber 3200, a second heat treatment chamber 3101, and a second liquid treatment chamber 3201 may be provided and may be disposed to be stacked with each other. For example, the first liquid processing chambers 3200 are provided to be stacked with each other on one side of the first transfer unit 2000, and the first heat treatment chambers 3100 are stacked with each other on the other side of the first transfer unit 2000. Can be provided.

제1 반송 유닛(2000)은 제1 버퍼유닛(1000), 제1 액처리 챔버(3200), 그리고 제1 열처리 챔버(3100) 간에 기판을 반송하고, 제2 반송 유닛(2001)는 제2 버퍼유닛(1001), 제2 액처리 챔버(3201), 그리고 제2 열처리 챔버(3101) 간에 기판을 반송한다. 제1 반송 유닛(2000)과 제2 반송 유닛(2001)은 동일한 구조로 제공될 수 있다.The first transport unit 2000 transports the substrate between the first buffer unit 1000, the first liquid processing chamber 3200, and the first heat treatment chamber 3100, and the second transport unit 2001 includes a second buffer The substrate is transferred between the unit 1001, the second liquid processing chamber 3201, and the second heat treatment chamber 3101. The first transport unit 2000 and the second transport unit 2001 may be provided with the same structure.

제1 열처리 챔버(3100)는 기판이 제1 액처리 챔버(3200)에 반입되기 전에 또는 기판이 제1 액처리 챔버(3200)로부터 반출된 후에 기판을 열처리한다. 예컨대, 제1 열처리 챔버(3100)는 기판을 가열하여 제1 액처리 챔버(3200)에서 도포된 막을 경화시키는 하드 베이크 공정(hard bake process)을 수행할 수 있다. 제2 열처리 챔버(3101)는 제1 열처리 챔버(3100)와 동일한 구조를 가질 수 있다.The first heat treatment chamber 3100 heat-treats the substrate before the substrate is brought into the first liquid treatment chamber 3200 or after the substrate is taken out of the first liquid treatment chamber 3200. For example, the first heat treatment chamber 3100 may perform a hard bake process by heating the substrate to cure the film applied in the first liquid processing chamber 3200. The second heat treatment chamber 3101 may have the same structure as the first heat treatment chamber 3100.

도 3을 참조하면, 제1 액처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 컵(3220), 지지유닛(3230), 그리고 노즐유닛(3240)을 포함한다. 하우징(3210))의 상부벽에는 하우징(3210) 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터 유닛(3250)이 설치된다. 컵(3220)은 하우징(3210) 내에 배치된다. 컵(3210)은 내부에 상부가 개방된 처리공간을 가진다. 지지유닛(3230)은 컵(3220) 내부의 처리공간에서 기판을 지지한다. 지지유닛(3230)은 지지판(3231) 및 회전 구동기(3232)를 가진다. 도포 공정시 기판은 지지판(3231) 상에 놓인다. 지지판(3231)은 원판 형상으로 제공되며, 기판보다 작은 직경을 가질 수 있다. 회전구동기(3232)는 제3 방향(X1)에 따른 지지판(3231)의 중심축을 기준으로 지지판(3231)을 회전시키도록 제공된다. 노즐유닛(3240)은 기판 상으로 도포하고자 하는 액을 공급한다. 노즐유닛(3240)으로부터 액이 토출될 때 기판은 회전된다. Referring to FIG. 3, the first liquid processing chamber 3200 includes a housing 3210, a cup 3220, a support unit 3230, and a nozzle unit 3240. A fan filter unit 3250 is formed on the upper wall of the housing 3210 to form a descending air stream inside the housing 3210. Cup 3220 is disposed within housing 3210. The cup 3210 has a treatment space with an open top therein. The support unit 3230 supports the substrate in the processing space inside the cup 3220. The support unit 3230 has a support plate 3231 and a rotation driver 332. During the application process, the substrate is placed on the support plate 3231. The support plate 3231 is provided in a disc shape and may have a smaller diameter than the substrate. The rotary actuator 3232 is provided to rotate the support plate 3231 based on the central axis of the support plate 3231 along the third direction X1. The nozzle unit 3240 supplies a liquid to be applied onto the substrate. When the liquid is discharged from the nozzle unit 3240, the substrate is rotated.

도 2, 도 4, 도 5를 참조하면, 제1 덕트유닛(4000)은 제2 방향(X1)을 따라 제1 액처리 챔버(3200) 일측에 배치된다. 제1 덕트유닛(4000)은 배기라인(4100), 공급라인(4200), 단열부재(4300)을 포함한다. 배기라인(4100)은 제1 열처리 챔버(3100), 제2 열처리 챔버(3101)로부터 공정시 발생한 고열의 가스를 배기한다. 공급라인(4200)은 제1 액처리 챔버(3200), 제2 액처리 챔버(3201)로 하강기류를 형성하기 위한 가스를 공급한다. 2, 4, and 5, the first duct unit 4000 is disposed on one side of the first liquid processing chamber 3200 along the second direction X1. The first duct unit 4000 includes an exhaust line 4100, a supply line 4200, and a heat insulating member 4300. The exhaust line 4100 exhausts high-temperature gas generated during the process from the first heat treatment chamber 3100 and the second heat treatment chamber 3101. The supply line 4200 supplies gas for forming a descending air stream to the first liquid processing chamber 3200 and the second liquid processing chamber 3201.

공급라인(4200)을 통해 제1 액처리 챔버(3200), 제2 액처리 챔버(3201)로 공급되는 가스는 공기이다. 배기라인(4100)을 통해 제1 열처리 챔버(3100), 제2 열처리 챔버(3101)에서 배기되는 공정 가스의 온도는 섭씨 100도 이상이다. 공급라인(4200)을 통해 공급되는 가스와 배기라인(4100)에 흐르는 가스의 온도 차이는 섭씨 200도 이상이다. 배기라인(4100, 4101)은 적층된 복수개의 제1 열처리 챔버(3100), 제2 열처리 챔버(3101) 각각으로부터 제1 방향(X1)으로 연장된 복수의 서브라인(4110)과, 복수의 서브라인(4110)들이 하나로 연결된 메인라인(4120)을 포함한다. 공급라인(4200)은 적층된 복수개의 제1 액처리 챔버(3200), 제2 액처리 챔버(3201) 각각으로부터 제2 방향(X2)으로 연장된 복수의 서브라인(4210)과, 복수의 서브라인(4210)들이 하나로 연결된 메인라인(4220)을 포함한다. The gas supplied to the first liquid processing chamber 3200 and the second liquid processing chamber 3201 through the supply line 4200 is air. The temperature of the process gas exhausted from the first heat treatment chamber 3100 and the second heat treatment chamber 3101 through the exhaust line 4100 is 100 degrees Celsius or more. The temperature difference between the gas supplied through the supply line 4200 and the gas flowing through the exhaust line 4100 is 200 degrees Celsius or more. The exhaust lines 4100 and 4101 include a plurality of sub-line lines 4110 extending in a first direction X1 from each of the plurality of stacked first heat treatment chambers 3100 and each of the second heat treatment chambers 3101, and a plurality of subs. The line 4110 includes a main line 4120 connected as one. The supply line 4200 includes a plurality of sub-line 4210 extending in a second direction X2 from each of the stacked first liquid processing chamber 3200 and each of the second liquid processing chamber 3201, and the plurality of subs. The line 4210 includes a main line 4220 connected as one.

제1 덕트유닛(4000)은, 제3 방향을 따라 제공된 면들 중 제1 면(S1)이 제1 열처리 챔버와 인접한다. 배기라인(4100)은 그 길이방향이 제1 면(S1)에 인접한 위치에서 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. 공급라인(4200)은 그 길이방향이 제1 면과(S1)과 대향하는 제2 면(S2)에 인접한 위치에서 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. 배기라인(4100) 및 공급라인(4200)은 기판 처리설비가 놓여진 바닥 아래 공간에 위치된 공급장치 또는 배기장치와 연결된다.In the first duct unit 4000, the first surface S1 of the surfaces provided along the third direction is adjacent to the first heat treatment chamber. The exhaust line 4100 is provided along the third direction X3 at a position whose length direction is adjacent to the first surface S1. The supply line 4200 is provided along the third direction X3 at a position where its longitudinal direction is adjacent to the second surface S2 facing the first surface S1. The exhaust line 4100 and the supply line 4200 are connected to a supply device or an exhaust device located in a space under the floor where the substrate processing equipment is placed.

단열부재(4300)는 배기라인(4100)과 공급라인(4200) 사이에 배치된다. 단열부재(4300)는 그 길이방향이 제3 방향을 따라 제공된다. 단열부재(4300)는 미리 정해진 소정의 두께를 갖는 단열벽이다. 단열부재(4300) 내부는 비워져 있으며, 내부에 가스가 충진 된다. 가스는 공기이다. The insulating member 4300 is disposed between the exhaust line 4100 and the supply line 4200. The heat insulating member 4300 is provided in the longitudinal direction along the third direction. The insulating member 4300 is an insulating wall having a predetermined thickness. The interior of the heat insulating member 4300 is empty, and the gas is filled therein. Gas is air.

제1 열처리 챔버(3100)로 공정 가스를 공급하는 공급라인(4203)은, 제1 덕트유닛(4000)의 제1 면(S1)과 대향되는 제1 열처리 챔버(3100)의 일측면에 인접한 위치에서 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. The supply line 4203 for supplying a process gas to the first heat treatment chamber 3100 is positioned adjacent to one side of the first heat treatment chamber 3100 facing the first surface S1 of the first duct unit 4000. In the third direction (X3).

제2 덕트유닛(4001)은 제1 방향(X1)과 수평한 임의 축을 기준으로 제1 덕트유닛(4000)과 대칭되도록 제2 방향(X1)을 따라 제2 액처리 챔버(3201) 일측에 배치된다. 제1 덕트유닛(4000)의 제1 면(S1)과 대응되는 제2 덕트유닛(4001)의 일면에 인접한 위치에서 제2 열처리 챔버(3001)로부터 배기되는 공정가스를 배기하는 배기라인(4101)이 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. The second duct unit 4001 is disposed on one side of the second liquid processing chamber 3201 along the second direction X1 so as to be symmetric with the first duct unit 4000 based on an arbitrary axis horizontal to the first direction X1. do. Exhaust line 4101 for exhausting the process gas exhausted from the second heat treatment chamber 3001 at a position adjacent to one surface of the second duct unit 4001 corresponding to the first surface S1 of the first duct unit 4000 It is provided along the third direction X3.

제2 열처리 챔버(3101)로 공정 가스를 공급하는 공급라인(4204)은, 제1 방향(X1)과 수평한 임의 축을 기준으로 제1 열처리 챔버(3100)로 공정 가스를 공급하는 공급라인(4203)과 대칭을 이루도록 제2 열처리 챔버(3101)의 일면에 제공된다. 제2 열처리 챔버(3101)로 공정 가스를 공급하는 공급라인(4204)은 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. The supply line 4204 for supplying the process gas to the second heat treatment chamber 3101 is a supply line 4203 for supplying the process gas to the first heat treatment chamber 3100 based on an arbitrary axis horizontal to the first direction X1. ) Is provided on one surface of the second heat treatment chamber 3101 to be symmetrical. A supply line 4204 for supplying a process gas to the second heat treatment chamber 3101 is provided along the third direction X3.

제3 방향(X3)을 따라 기립된 제2 덕트유닛(4001)의 면들 중 제3 면(S3)이 제2 액처리 챔버(3201)와 인접한다. 제2 액처리 챔버(3201)로부터 공정 가스를 배기하는 배기라인(4102)은 제3 면(S3)과 인접한 위치에서 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. 배기라인(4101)과 배기라인(4102)은 기판 처리설비가 놓여진 바닥 아래 공간에 위치된 배기장치와 연결된다.A third surface S3 of the surfaces of the second duct unit 4001 standing along the third direction X3 is adjacent to the second liquid processing chamber 3201. The exhaust line 4102 for exhausting the process gas from the second liquid processing chamber 3201 is provided along the third direction X3 at a position adjacent to the third surface S3. The exhaust line 4101 and the exhaust line 4102 are connected to an exhaust device located in a space under the floor where the substrate processing equipment is placed.

위와 같이 구성되는 본 발명의 일실시예의 기판 처리 장치에 따르면, 단열부재(4300)를 통해 공급라인(4200)과 배기라인(4100)이 단열되므로, 제1 액처리 챔버(3200), 제2 액처리 챔버(3201)로 공급되는 가스의 온도 및 습도가 배기라인(4100)으로부터 발생하는 복사열에 의해 변경되지 않게 되는 효과가 발생 된다. 이에 따라, 액처리 챔버에 발생된 하강기류가 모두 동일한 습도 및 온도를 유지하게 되고, 일정한 하강 속도를 이루게 된다. 액처리 챔버에 발생된 하강기류가 일정한 하강속도를 이루게 되므로, 기판에 액처리를 통해 형성된 막의 두께 균일도가 향상된다.According to the substrate processing apparatus of one embodiment of the present invention configured as described above, since the supply line 4200 and the exhaust line 4100 are insulated through the heat insulating member 4300, the first liquid processing chamber 3200, the second liquid The effect that the temperature and humidity of the gas supplied to the processing chamber 3201 is not changed by radiant heat generated from the exhaust line 4100 is generated. Accordingly, all descending air streams generated in the liquid processing chamber maintain the same humidity and temperature, and achieve a constant descending speed. Since the descending air stream generated in the liquid processing chamber achieves a constant descending speed, the thickness uniformity of the film formed through the liquid processing on the substrate is improved.

이상 상세한 설명은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 바탕으로 상세히 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 기판을 처리하는 모든 장치에 적용 가능하다.The detailed description above has been described in detail based on the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the above-described example, and can be applied to any device for processing a substrate.

앞서 상세한 설명에서는, 단열부재(4300)가 미리 정해진 소정의 두께를 갖고 내부에 공기가 채워진 단열벽인 것으로 설명하였으나, 단열부재(4300) 상단 및 하단이 개구된 형태로도 제공될 수 있을 것이다. 이러한 경우, 필요에 따라 제1 덕트유닛(4000)에 공기를 순환시켜 단열부재(4300) 내부에 존재하는 공기의 온도를 조절할 수도 있을 것이다.In the foregoing detailed description, the insulating member 4300 has been described as being an insulating wall filled with air having a predetermined predetermined thickness, but the upper and lower ends of the insulating member 4300 may also be provided in an open form. In this case, the temperature of the air existing inside the heat insulating member 4300 may be adjusted by circulating air to the first duct unit 4000 as necessary.

3100: 제1 열처리 챔버 3101: 제2 열처리 챔버
3200: 제1 액처리 챔버 3201: 제2 액처리 챔버
4000: 제1 덕트유닛 4001: 제2 덕트유닛
4100: 배기라인 4101: 배기라인
4102: 배기라인 4110: 서브라인
4120: 메인라인 4200: 공급라인
4210: 서브라인 4220: 메인라인
4300: 단열부재 S1: 제1 면
S2: 제2 면 S3: 제3 면3100: first heat treatment chamber 3101: second heat treatment chamber
3200: first liquid processing chamber 3201: second liquid processing chamber
4000: first duct unit 4001: second duct unit
4100: exhaust line 4101: exhaust line
4102: exhaust line 4110: sub line
4120: main line 4200: supply line
4210: Sub line 4220: Main line
4300: insulating member S1: first side
S2: Second side S3: Third side

Claims (9)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼유닛 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되,
상기 처리 모듈은,
상기 기판을 가열 또는 액처리하는 제1 처리 유닛과;
상기 기판을 상기 버퍼유닛 모듈, 상기 제1 처리 유닛 간에 반송하는 반송유닛과;
상기 제1 처리 유닛과 연결된 복수의 배관을 가지는 덕트유닛을 포함하며,
상기 제1 처리 유닛은,
상기 기판을 가열 처리하는 제1 열처리 챔버와;
상기 기판을 액 처리하는 제1 액처리 챔버를 포함하고,
상기 덕트유닛은,
상기 제1 열처리 챔버로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기라인과;
상기 제1 액처리 챔버로 공급되는 가스가 흐르는 공급라인과;
상기 배기라인과 상기 공급라인 간의 열교환을 차단하는 단열부재를 포함하는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
Including the index module, the buffer unit module, and the processing module sequentially arranged in the first direction,
The processing module,
A first processing unit for heating or liquid-processing the substrate;
A transfer unit for transferring the substrate between the buffer unit module and the first processing unit;
It includes a duct unit having a plurality of pipes connected to the first processing unit,
The first processing unit,
A first heat treatment chamber for heating the substrate;
It includes a first liquid processing chamber for liquid processing the substrate,
The duct unit,
An exhaust line through which gas exhausted from the first heat treatment chamber flows;
A supply line through which gas supplied to the first liquid processing chamber flows;
And a heat insulating member that blocks heat exchange between the exhaust line and the supply line.
제1항에 있어서,
상기 제1 액처리 챔버로 공급되는 가스는, 상기 제1 액처리 챔버 내에 하강 기류를 형성하는 가스인 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The gas supplied to the first liquid processing chamber is a substrate processing apparatus that is a gas forming a descending air stream in the first liquid processing chamber.
제2항에 있어서,
상기 단열부재는,
상기 배기라인과 공급라인 사이에 배치된 단열벽인 기판 처리 장치.
According to claim 2,
The heat insulating member,
A substrate processing apparatus that is an insulating wall disposed between the exhaust line and the supply line.
제3항에 있어서,
상기 단열벽 내부에는 가스가 충진된 기판 처리 장치.
According to claim 3,
A substrate processing apparatus filled with gas inside the insulating wall.
제4항에 있어서,
상기 제1 열처리 챔버 및 상기 제1 액처리 챔버는, 각각 복수개가 적층된 형태로 상기 처리 유닛에 제공되고,
상기 배기라인 및 상기 공급라인은,
각각의 상기 제1 열처리 챔버 또는 상기 제1 액처리 챔버와 연결되는 복수의 서브라인과;
상기 복수의 서브라인이 하나로 연결된 메인라인을 포함하는 기판 처리 장치.
According to claim 4,
The first heat treatment chamber and the first liquid processing chamber are provided to the processing unit in a plurality of stacked forms, respectively.
The exhaust line and the supply line,
A plurality of sublines connected to each of the first heat treatment chambers or the first liquid processing chambers;
A substrate processing apparatus including a main line in which the plurality of sub lines are connected to one.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배기라인에 흐르는 가스는 섭씨 100도 이상의 온도인 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The gas flowing in the exhaust line is a substrate processing apparatus having a temperature of 100 degrees Celsius or more.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공급라인에 흐르는 가스와 상기 배기라인을 흐르는 가스의 온도 차이는 섭씨 200도 이상인 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The temperature difference between the gas flowing in the supply line and the gas flowing in the exhaust line is a substrate processing apparatus of 200 degrees Celsius or more.
제5항에 있어서,
상기 처리 모듈은,
제1 방향을 따라 순차적으로 반송 유닛, 상기 제1 액처리 챔버가 배치되고,
상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 상기 반송 유닛의 일측에 상기 제1 열처리 챔버가 배치되고,
상기 제2 방향을 따라 상기 제1 액처리 챔버의 일측에 상기 덕트유닛이 배치된 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
The processing module,
A conveying unit and the first liquid processing chamber are sequentially arranged along a first direction,
The first heat treatment chamber is disposed on one side of the transport unit along a second direction perpendicular to the first direction,
A substrate processing apparatus in which the duct unit is disposed on one side of the first liquid processing chamber along the second direction.
제8항에 있어서,
상기 덕트유닛을 이루는 면들 중, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 모두 수직한 제3 방향을 따라 제공된 면들 중 중 제1 면이 상기 제1 열처리 챔버와 인접하고,
상기 배기라인은 그 길이방향이 상기 제1 면에 인접한 위치에서 상기 제3 방향을 따라 제공되고,
상기 공급라인은 그 길이방향이 상기 제1 면과 대향하는 제2 면에 인접한 위치에서 상기 제3 방향을 따라 제공되고,
상기 단열부재는, 그 길이 방향이 상기 제3 방향을 따라 제공된 기판 처리 장치.The method of claim 8,
Among the surfaces constituting the duct unit, a first one of the surfaces provided along a third direction perpendicular to the first direction and the second direction is adjacent to the first heat treatment chamber,
The exhaust line is provided along the third direction at a position where the longitudinal direction is adjacent to the first surface,
The supply line is provided along the third direction at a position where the longitudinal direction is adjacent to the second surface opposite to the first surface,
The heat insulating member, the substrate processing apparatus is provided in the longitudinal direction along the third direction.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574140B1 (en) * 1999-07-02 2006-04-25 동경 엘렉트론 주식회사 Semiconductor manufacture equipment, and method and apparatus for semiconductor manufacture
JP2010087115A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd Substrate processing apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102444876B1 (en) * 2015-11-12 2022-09-19 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus
KR20180025448A (en) 2016-08-31 2018-03-09 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
JP6844263B2 (en) * 2017-01-05 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 Board processing equipment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574140B1 (en) * 1999-07-02 2006-04-25 동경 엘렉트론 주식회사 Semiconductor manufacture equipment, and method and apparatus for semiconductor manufacture
JP2010087115A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd Substrate processing apparatus

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