KR102134212B1 - Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

임프린트 장치(IMP)는, 기판(101) 상의 임프린트재에 형을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시킴으로써 해당 기판(101) 상에 패턴을 형성한다. 임프린트 장치(IMP)는, 기판(101)을 유지하는 기판 척(102)와, 상기 기판 척(102)의 주변에 배치된 기판 주변 부재(113)와, 형(100)을 유지하는 형 척(110)과, 상기 형 척(110)의 주변에 배치된 형 주변 부재(161)와, 상기 기판 주변 부재(113)와 상기 형 주변 부재(161) 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 공급하는 전원(PS)을 구비한다.The imprint apparatus IMP forms a pattern on the substrate 101 by contacting a mold with the imprint material on the substrate 101 to cure the imprint material. The imprint apparatus IMP includes a substrate chuck 102 holding the substrate 101, a substrate peripheral member 113 disposed around the substrate chuck 102, and a mold chuck holding the mold 100 ( 110), a power supply for supplying a voltage including an AC component between the mold peripheral member 161 disposed around the mold chuck 110 and the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 (PS) is provided.

Figure R1020187026955
Figure R1020187026955

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method

본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method and an article manufacturing method.

기판 상에 배치된 임프린트재에 형(몰드)을 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 기술이 주목받고 있다. 형에는, 오목부를 포함하는 패턴이 형성되어 있고, 기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시키면, 모세관 현상에 의해 오목부에 임프린트재가 충전된다. 오목부에 대하여 충분히 임프린트재가 충전된 시점에서, 임프린트재에 광 또는 열 등의 에너지가 부여된다. 이에 의해 임프린트재가 경화되고, 형에 형성된 오목부를 포함하는 패턴이 기판 상의 임프린트재에 전사된다. 임프린트재가 경화된 후에 임프린트재로부터 형이 분리된다.The imprint technology that forms a pattern on a substrate by curing the imprint material in a state where a mold (mold) is brought into contact with the imprint material disposed on the substrate has attracted attention. A pattern including a recess is formed in the mold, and when the mold is brought into contact with the imprint material on the substrate, the imprint material is filled in the recess by capillary action. When the imprint material is sufficiently filled with respect to the concave portion, energy such as light or heat is applied to the imprint material. Thereby, the imprint material is cured, and a pattern including a recess formed in the mold is transferred to the imprint material on the substrate. After the imprint material is cured, the mold is separated from the imprint material.

기판 상의 경화된 임프린트재로부터 형을 분리할 때에 형이 대전될 수 있다. 이 대전에 의해 형성되는 전계에 의해 파티클에 대하여 정전기력(쿨롱력)이 작용하고, 이에 의해 파티클이 형으로 끌어당겨져 형에 부착될 수 있다. 파티클은, 임프린트 장치의 챔버의 외부로부터 침입되는 경우도 있고, 챔버 내에 있어서, 기계 요소의 상호의 마찰, 기계 요소와 기판 또는 형의 마찰 등에 의해 발생하는 경우도 있다. 또는, 기판 상에 미경화의 임프린트재를 배치하기 위해 토출구로부터 임프린트재가 토출될 때에 임프린트재의 미스트가 발생하고, 이 임프린트재가 고화됨으로써 파티클이 발생하는 경우도 있을 수 있다. 특허문헌 1에는, 몰드에 이물 포착 영역을 형성하고, 그 이물 포착 영역을 대전시킴으로써 전사 위치로의 기판의 반송 시에, 분위기 중 및/또는 기판 상에 존재하는 이물을 제거하는 것이 기재되어 있다.When separating the mold from the cured imprint material on the substrate, the mold may be charged. An electrostatic force (coulomb force) acts on the particle by the electric field formed by this charging, whereby the particle can be attracted to the mold and attached to the mold. Particles may invade from the outside of the chamber of the imprint apparatus, and may occur in the chamber due to mutual friction of the mechanical elements, friction between the mechanical elements and the substrate or mold. Alternatively, in order to place the uncured imprint material on the substrate, when the imprint material is discharged from the discharge port, mist of the imprint material occurs and particles may be generated by solidifying the imprint material. Patent Document 1 discloses that a foreign matter trapping region is formed in a mold, and the foreign matter trapping region is charged to remove foreign substances present in the atmosphere and/or on the substrate during transport of the substrate to the transfer position.

형 또는 기판에 파티클이 부착된 상태에서, 형을 기판 상의 임프린트재에 접촉시켜 패턴의 형성을 행하면, 결함을 갖는 패턴이 형성되거나, 기판 및/또는 형이 파손되거나 할 수 있다. 여기서, 기판의 주변에 배치되어 있는 부재의 표면에 견고하게 부착되어 있는 파티클은, 형과의 사이에 작용하는 정전기력에 따라서는 해당 표면으로부터 이탈되기 어렵지만, 해당 표면에 약하게 부착되어 있는 파티클은, 정전기력에 의해 해당 표면으로부터 용이하게 이탈될 수 있다. 이탈된 파티클은 형 또한 기판에 부착될 수 있다. 또한, 형의 주변에 배치되어 있는 부재의 표면에 견고하게 부착되어 있는 파티클은, 기판 상의 임프린트재와의 사이에 작용하는 정전기력에 따라서는 해당 표면으로부터 이탈되기 어렵다. 한편, 해당 표면에 약하게 부착되어 있는 파티클은, 정전기력에 의해 해당 표면으로부터 용이하게 이탈될 수 있다. 이탈된 파티클은 기판 또는 형에 부착될 수 있다.If a pattern is formed by contacting the mold with the imprint material on the substrate while the particles are attached to the mold or the substrate, a pattern having defects may be formed, or the substrate and/or the mold may be damaged. Here, the particles firmly attached to the surface of the member disposed around the substrate are difficult to detach from the surface depending on the electrostatic force acting between the mold, but the particles weakly attached to the surface are electrostatic forces. It can be easily removed from the surface. The detached particles can also adhere to the substrate. In addition, particles that are firmly attached to the surface of the member disposed around the mold are unlikely to detach from the surface depending on the electrostatic force acting between the imprint material on the substrate. On the other hand, particles weakly attached to the surface can be easily detached from the surface by electrostatic force. The detached particles can be attached to the substrate or mold.

일본 특허 공개 제2014-175340호 공보Japanese Patent Publication No. 2014-175340

본 발명은 상기 과제 인식을 계기로 하여 이루어진 것이며, 기판 및/또는 기판의 주변 부재로부터 이탈되기 쉬운 파티클에 기인하여 발생할 수 있는 패턴 결함이나 기판 및/또는 형의 파손을 저감시키기 위해 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made on the basis of the above subject recognition, and provides an advantageous technique for reducing pattern defects or damage to the substrate and/or mold that may occur due to particles that are likely to escape from the substrate and/or the peripheral members of the substrate. It aims to do.

본 발명의 하나의 측면은, 기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시킴으로써 해당 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치에 관계되고, 상기 임프린트 장치는, 기판을 유지하는 기판 척과, 상기 기판 척의 주변에 배치된 기판 주변 부재와, 형을 유지하는 형 척과, 상기 형 척의 주변에 배치된 형 주변 부재와, 상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재의 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 공급하는 전원을 구비한다.One aspect of the present invention relates to an imprint apparatus that forms a pattern on a substrate by contacting a mold with the imprint material on the substrate to cure the imprint material, the imprint apparatus comprising: a substrate chuck holding the substrate; Supply a voltage including an AC component between the substrate peripheral member disposed around the substrate chuck, the mold chuck holding the mold, the mold peripheral member disposed around the mold chuck, and the substrate peripheral member and the mold peripheral member. It is equipped with the power supply.

본 발명에 따르면, 기판 및/또는 기판의 주변 부재로부터 이탈되기 쉬운 파티클에 기인하여 발생할 수 있는 패턴 결함이나 기판 및/또는 형의 파손을 저감시키기 위해 유리한 기술이 제공된다.According to the present invention, advantageous techniques are provided to reduce pattern defects or breakage of the substrate and/or mold that may occur due to particles that are likely to escape from the substrate and/or peripheral members of the substrate.

도 1은 본 발명의 하나의 실시 형태의 임프린트 장치의 일부의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 하나의 실시 형태의 임프린트 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
도 3은 변형예를 나타내는 도면.
도 4a는 전원에 의해 기판 주변 부재와 형 주변 부재 사이에 공급되는 전압을 예시하는 도면.
도 4b는 전원에 의해 기판 주변 부재와 형 주변 부재 사이에 공급되는 전압을 예시하는 도면.
도 5a는 전원에 의해 기판 주변 부재와 형 주변 부재 사이에 공급되는 전압을 예시하는 도면.
도 5b는 전원에 의해 기판 주변 부재와 형 주변 부재 사이에 공급되는 전압을 예시하는 도면.
도 6은 본 발명의 하나의 실시 형태의 임프린트 장치의 동작 방법을 예시하는 도면.
도 7은 본 발명의 하나의 실시 형태의 임프린트 장치의 동작 방법 또는 운용 방법을 예시하는 도면.
도 8a는 실험 방법을 설명하는 도면.
도 8b는 실험 조건 A를 설명하는 도면.
도 8c는 실험 조건 B를 설명하는 도면.
도 9는 실험 조건 A를 위해 준비된 샘플을 설명하는 도면.
도 10a는 실험 조건 A 하에서의 결과를 나타내는 도면.
도 10b는 실험 조건 A 하에서의 결과를 나타내는 도면.
도 10c는 실험 조건 A 하에서의 결과를 나타내는 도면.
도 11은 실험 조건 B를 위해 준비된 샘플을 설명하는 도면.
도 12a는 실험 조건 B 하에서의 결과를 나타내는 도면.
도 12b는 실험 조건 B 하에서의 결과를 나타내는 도면.
도 12c는 실험 조건 B 하에서의 결과를 나타내는 도면.
도 13은 형 주변 부재의 구성예를 나타내는 도면.
도 14는 형 주변 부재의 다른 구성예로서의 분할된 형 주변 부재를 나타내는 도면.
도 15는 분할된 형 주변 부재의 이용예를 설명하는 도면.
도 16은 분할된 형 주변 부재의 이용예를 설명하는 도면.
도 17은 분할된 형 주변 부재의 이용예를 설명하는 도면.1 is a diagram schematically showing a configuration of a part of an imprint apparatus according to one embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically showing a configuration of an imprint apparatus according to one embodiment of the present invention.
3 is a diagram showing a modification.
4A is a diagram illustrating a voltage supplied between a substrate peripheral member and a mold peripheral member by a power source.
4B is a diagram illustrating a voltage supplied between a substrate peripheral member and a mold peripheral member by a power source.
5A is a diagram illustrating a voltage supplied between a substrate peripheral member and a mold peripheral member by a power source.
5B is a diagram illustrating a voltage supplied between a substrate peripheral member and a mold peripheral member by a power source.
6 is a diagram illustrating an operation method of an imprint apparatus according to one embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating an operation method or an operation method of the imprint apparatus of one embodiment of the present invention.
8A is an explanatory diagram of an experimental method.
8B is a diagram for explaining experimental condition A;
8C is a diagram for explaining experimental condition B.
9 is a diagram illustrating a sample prepared for experimental condition A.
Fig. 10A shows the results under experimental condition A.
10B is a diagram showing the results under experimental condition A.
Fig. 10C shows the results under experimental condition A.
11 is a diagram for explaining a sample prepared for experimental condition B.
Fig. 12A shows the results under experimental condition B.
Fig. 12B shows the results under experimental condition B.
Fig. 12C shows the results under experimental condition B.
13 is a view showing a configuration example of a mold peripheral member.
14 is a view showing a divided mold peripheral member as another configuration example of the mold peripheral member.
15 is a view for explaining an example of use of a divided peripheral member.
16 is a view for explaining an example of use of a divided peripheral member.
17 is a view for explaining an example of use of a divided peripheral member.

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 임프린트 장치 및 그의 동작 방법을 그의 예시적인 실시 형태를 통해 설명한다.Hereinafter, the imprint apparatus of the present invention and an operation method thereof will be described with reference to the accompanying drawings through exemplary embodiments thereof.

도 2에는, 본 발명의 하나의 실시 형태의 임프린트 장치(IMP)의 구성이 예시되어 있다. 임프린트 장치(IMP)는, 형(100)의 패턴을 임프린트에 의해 기판(101)에 전사한다. 다른 표현을 하면, 임프린트 장치(IMP)는, 형(100)의 패턴을 기판(101) 상의 임프린트재(피전사재)에 임프린트에 의해 전사한다. 이 명세서에서는, 임프린트란, 임프린트재와 형을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시키고, 그 후, 해당 임프린트재와 형을 분리하는 것을 의미한다. 형(100)은, 오목부를 포함한 패턴을 갖는다. 기판(101) 상의 임프린트재(미경화 상태의 수지)에 형(100)을 접촉시킴으로써 패턴의 오목부에 임프린트재가 충전된다. 이 상태에서, 임프린트재에 대하여 그것을 경화시키는 에너지를 부여함으로써, 임프린트재가 경화된다. 이에 의해 형(100)의 패턴이 임프린트재에 전사되고, 경화된 임프린트재를 포함하는 패턴이 기판(101) 상에 형성된다.2, the structure of the imprint apparatus IMP of one Embodiment of this invention is illustrated. The imprint apparatus IMP transfers the pattern of the mold 100 to the substrate 101 by imprint. In other words, the imprint apparatus IMP transfers the pattern of the mold 100 to the imprint material (transferred material) on the substrate 101 by imprint. In this specification, an imprint means contacting an imprint material with a mold to cure the imprint material, and then separating the imprint material from the mold. The mold 100 has a pattern including a concave portion. The imprint material is filled in the concave portion of the pattern by bringing the mold 100 into contact with the imprint material (resin in an uncured state) on the substrate 101. In this state, the imprint material is cured by applying energy to cure it to the imprint material. Thereby, the pattern of the mold 100 is transferred to the imprint material, and a pattern including the cured imprint material is formed on the substrate 101.

임프린트재는, 그것을 경화시키는 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물이다. 임프린트재는, 경화된 상태를 의미하는 경우도 있고, 미경화의 상태를 의미하는 경우도 있다. 경화용 에너지로서는, 예를 들어 전자파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자파는, 예를 들어 그 파장이 10nm 이상 1mm 이하의 범위로부터 선택되는 광(예를 들어, 적외선, 가시광선, 자외선)일 수 있다.The imprint material is a curable composition that is cured by applying energy to cure it. The imprint material may mean a cured state, or may mean an uncured state. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, and the like can be used, for example. The electromagnetic wave may be, for example, light having a wavelength of 10 nm or more and 1 mm or less (eg, infrared light, visible light, or ultraviolet light).

경화성 조성물은 전형적으로는 광의 조사에 의해 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이들 중 광에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 함유할 수 있다. 또한, 광경화성 조성물은 부가적으로 비중합성 화합물 또는 용제를 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 예를 들어 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 폴리머 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종일 수 있다.Curable compositions are typically compositions that are cured by irradiation of light or by heating. Of these, the photocurable composition cured by light may contain at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator. Further, the photocurable composition may additionally contain a non-polymerizable compound or solvent. The non-polymerizable compound may be, for example, at least one selected from the group of sensitizers, hydrogen donors, internal addition type release agents, surfactants, antioxidants, and polymer components.

본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판(101)의 표면에 평행한 방향을 XY 평면으로 하는 XYZ 좌표계에 있어서 방향을 나타낸다. XYZ 좌표계에 있어서의 X축, Y축, Z축에 각각 평행한 방향을 X 방향, Y 방향, Z 방향으로 하고, X축 주위의 회전, Y축 주위의 회전, Z축 주위의 회전을 각각 θX, θY, θZ라 한다. X축, Y축, Z축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행한 방향, Y축에 평행한 방향, Z축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, θX축, θY축, θZ축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행한 축의 주위의 회전, Y축에 평행한 축의 주위의 회전, Z축에 평행한 축의 주위의 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, 위치는, X축, Y축, Z축의 좌표에 기초하여 특정될 수 있는 정보이며, 자세는, θX축, θY축, θZ축에 대한 상대적인 회전에서 특정될 수 있는 정보이다. 위치 결정은, 위치 및/또는 자세를 제어하는 것을 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「A 및/또는 B」와 같은 표현은, 「A 및 B의 적어도 한쪽」을 의미한다.In the present specification and the accompanying drawings, a direction is shown in an XYZ coordinate system in which the direction parallel to the surface of the substrate 101 is an XY plane. In the XYZ coordinate system, the directions parallel to the X axis, the Y axis, and the Z axis are respectively set to the X direction, the Y direction, and the Z direction, and the rotation around the X axis, the rotation around the Y axis, and the rotation around the Z axis are respectively θX. , θY, θZ. Control or drive for the X-axis, Y-axis, and Z-axis means control or drive in a direction parallel to the X-axis, a direction parallel to the Y-axis, and a direction parallel to the Z-axis, respectively. In addition, the control or drive for the θX axis, the θY axis, and the θZ axis is controlled for rotation around an axis parallel to the X axis, rotation around an axis parallel to the Y axis, and rotation around an axis parallel to the Z axis, respectively. Or means driving. In addition, the position is information that can be specified based on the coordinates of the X-axis, Y-axis, and Z-axis, and the posture is information that can be specified in rotation relative to the θX-axis, θY-axis, and θZ-axis. Positioning means controlling the position and/or posture. In addition, in this specification, the expression "A and/or B" means "at least one of A and B."

임프린트 장치(IMP)는, 기판(101)을 위치 결정하는 기판 구동 기구(SDM)룰 구비하고, 기판 구동 기구(SDM)는, 예를 들어 기판 척(102), 기판 주변 부재(113), 미동 기구(114), 조동 기구(115) 및 베이스 구조체(116)를 포함할 수 있다. 기판 척(102)은, 기판(101)을 유지하는 기판 보유 지지 영역을 가지고, 기판(101)을 흡착(예를 들어, 진공 흡착, 정전 흡착) 또는 기계적 수단에 의해 유지할 수 있다. 미동 기구(114)는, 기판 척(102) 및 기판 주변 부재(113)를 지지하는 미동 스테이지 및 해당 미동 스테이지를 구동하는 구동 기구를 포함할 수 있다. 기판 주변 부재(113)는 기판 척(102)의 주변에 배치된다. 기판 주변 부재(113)는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(101)의 측면을 둘러싸도록 기판(101)이 배치되는 영역의 주변에 배치되어 있다. 기판 주변 부재(113)는 기판(101)의 상면과 거의 동등한 높이의 상면을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판 주변 부재(113)는 기판(101)의 상면과 동등하거나, 기판(101)의 상면보다 약간 낮은 상면(예를 들어, 기판(101)의 상면과의 고저차가 1mm 이하인 상면)을 가질 수 있다. 또한, 기판 주변 부재(113)는 일체가 아니라, 분할되어 구성되어 있어도 된다.The imprint apparatus IMP includes a substrate driving mechanism (SDM) for positioning the substrate 101, and the substrate driving mechanism (SDM) includes, for example, a substrate chuck 102, a substrate peripheral member 113, and fine motion It may include an instrument 114, a coarse mechanism 115 and a base structure 116. The substrate chuck 102 has a substrate holding area for holding the substrate 101, and can hold the substrate 101 by adsorption (eg, vacuum adsorption, electrostatic adsorption) or mechanical means. The fine movement mechanism 114 may include a fine movement stage that supports the substrate chuck 102 and the substrate peripheral member 113 and a driving mechanism that drives the fine movement stage. The substrate peripheral member 113 is disposed around the substrate chuck 102. The substrate peripheral member 113 is disposed around a region where the substrate 101 is disposed so as to surround the side surface of the substrate 101, for example, as shown in FIG. 1. The substrate peripheral member 113 may have an upper surface having a height almost equal to the upper surface of the substrate 101. For example, the substrate peripheral member 113 is equal to or equal to the upper surface of the substrate 101, or slightly lower than the upper surface of the substrate 101 (for example, an upper surface with a height difference of 1 mm or less from the upper surface of the substrate 101) Can have In addition, the substrate peripheral member 113 may be divided and not integral.

미동 기구(114)는, 기판 척(102)을 미(微)구동함으로써 기판(101)을 미구동시키는 기구이다. 조동 기구(115)는 미동 기구(114)를 조(粗)구동함으로써 기판(101)을 조구동시키는 기구이다. 베이스 구조체(116)는 조동 기구(115), 미동 기구(114), 기판 척(102) 및 기판 주변 부재(113)를 지지한다. 기판 구동 기구(SDM)는, 예를 들어 기판(101)을 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, θZ축의 3축)에 대하여 구동하도록 구성될 수 있다. 미동 기구(114)에 있어서의 기판 척(102)과 일체화된 부분(미동 스테이지)의 위치는, 간섭계 등의 계측기(117)에 의해 모니터된다.The fine movement mechanism 114 is a mechanism for finely driving the substrate 101 by finely driving the substrate chuck 102. The coarse movement mechanism 115 is a mechanism for coarse driving the substrate 101 by coarse driving the fine movement mechanism 114. The base structure 116 supports the coarse movement mechanism 115, the fine movement mechanism 114, the substrate chuck 102 and the substrate peripheral member 113. The substrate driving mechanism SDM may be configured to drive the substrate 101 about a plurality of axes (for example, three axes of the X axis, the Y axis, and the θZ axis). The position of the portion (fine motion stage) integrated with the substrate chuck 102 in the fine motion mechanism 114 is monitored by a measuring instrument 117 such as an interferometer.

임프린트 장치(IMP)는, 형(100)을 위치 결정하는 형 구동 기구(MDM)를 구비하고, 형 구동 기구(MDM)는 형 척(110), 구동 기구(109) 및 형 주변 부재(161)를 포함할 수 있다. 형 주변 부재(161)는 형(100)의 측면을 둘러싸도록, 형(100)이 배치되는 영역의 주변에 배치되어 있다. 형 구동 기구(MDM) 및 형 주변 부재(161)는 지지 구조체(108)에 의해 지지될 수 있다. 형 척(110)은 형(100)을 흡착(예를 들어, 진공 흡착, 정전 흡착) 또는 기계적 수단에 의해 유지할 수 있다. 구동 기구(109)는 형 척(110)을 구동함으로써 형(100)을 구동시킨다. 형 구동 기구(MDM)는, 예를 들어 형(100)을 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, Z축, θX축, θY축, θZ축의 6축)에 대하여 구동하도록 구성될 수 있다.The imprint apparatus IMP includes a mold drive mechanism MDM for positioning the mold 100, and the mold drive mechanism MDM includes a mold chuck 110, a drive mechanism 109, and a mold peripheral member 161 It may include. The mold peripheral member 161 is disposed around a region where the mold 100 is disposed so as to surround the side surface of the mold 100. The mold drive mechanism MDM and the mold peripheral member 161 may be supported by the support structure 108. The mold chuck 110 can hold the mold 100 by adsorption (eg, vacuum adsorption, electrostatic adsorption) or mechanical means. The driving mechanism 109 drives the mold 100 by driving the mold chuck 110. The mold drive mechanism MDM, for example, is configured to drive the mold 100 about a plurality of axes (eg, X-axis, Y-axis, Z-axis, θX-axis, θY-axis, and θZ-axis 6 axes). Can.

기판 구동 기구(SDM) 및 형 구동 기구(MDM)는, 기판(101)과 형(100)의 상대적인 위치 결정을 행하는 구동부를 구성한다. 구동부는, X축, Y축, θX축, θY축 및 θZ축에 대하여 기판(101)과 형(100)의 상대 위치를 조정하는 것 이외에도, Z축에 대해서도 기판(101)과 형(100)의 상대 위치를 조정한다. Z축에 관한 기판(101)과 형(100)의 상대 위치의 조정은, 기판(101) 상의 임프린트재와 형(100)의 접촉 및 분리의 동작을 포함한다.The substrate driving mechanism SDM and the mold driving mechanism MDM constitute a driving unit that performs relative positioning of the substrate 101 and the mold 100. In addition to adjusting the relative positions of the substrate 101 and the mold 100 with respect to the X-axis, Y-axis, θX-axis, θY-axis, and θZ-axis, the drive section also includes a substrate 101 and a mold 100 for the Z-axis. Adjust the relative position. Adjustment of the relative positions of the substrate 101 and the mold 100 with respect to the Z axis includes the operation of contacting and separating the imprint material on the substrate 101 and the mold 100.

임프린트 장치(IMP)는, 기판(101) 상에 미경화의 임프린트재를 도포, 배치 또는 공급하는 디스펜서(공급부)(111)를 구비할 수 있다. 디스펜서(111)는, 예를 들어 기판(101) 상에 임프린트재를 복수의 액적의 형태로 배치하도록 구성될 수 있다. 디스펜서(111)는 지지 구조체(108)에 의해 지지될 수 있다.The imprint apparatus IMP may include a dispenser (supply unit) 111 that applies, disposes, or supplies an uncured imprint material on the substrate 101. The dispenser 111 may be configured, for example, to arrange the imprint material on the substrate 101 in the form of a plurality of droplets. Dispenser 111 may be supported by support structure 108.

임프린트 장치(IMP)는, 기판(101) 상의 임프린트재에 UV광 등의 광을 조사함으로써 해당 임프린트재를 경화시키는 경화부(104)를 구비할 수 있다. 임프린트 장치(IMP)는 또한, 임프린트의 모습을 관찰하기 위한 카메라(103)를 구비할 수 있다. 경화부(104)로부터 사출된 광은, 미러(105)에서 반사되고, 형(100)을 투과하여 임프린트재에 조사될 수 있다. 카메라(103)는 형(100) 및 미러(105)를 통해 임프린트의 모습, 예를 들어 임프린트재와 형(100)의 접촉 상태 등을 관찰하도록 구성될 수 있다.The imprint apparatus IMP may include a curing unit 104 that cures the imprint material by irradiating light such as UV light onto the imprint material on the substrate 101. The imprint apparatus IMP may also include a camera 103 for observing the appearance of the imprint. The light emitted from the curing unit 104 is reflected by the mirror 105 and can pass through the mold 100 to be irradiated to the imprint material. The camera 103 may be configured to observe the shape of the imprint, for example, the contact state of the imprint material and the mold 100 through the mold 100 and the mirror 105.

임프린트 장치(IMP)는, 기판(101)의 마크와 형(100)의 마크의 상대 위치를 검출하기 위한 얼라인먼트 스코프(107a, 107b)를 구비할 수 있다. 얼라인먼트 스코프(107a, 107b)는, 지지 구조체(108)에 의해 지지된 상부 구조체(106)에 배치될 수 있다. 임프린트 장치(IMP)는, 기판(101)의 복수의 마크의 위치를 검출하기 위한 오프 액시스 스코프(112)를 구비할 수 있다. 오프 액시스 스코프(112)는 지지 구조체(108)에 의해 지지될 수 있다.The imprint apparatus IMP may include alignment scopes 107a and 107b for detecting the relative positions of the marks on the substrate 101 and the marks on the mold 100. The alignment scopes 107a and 107b may be disposed on the superstructure 106 supported by the support structure 108. The imprint apparatus IMP may include an off-axis scope 112 for detecting the positions of a plurality of marks on the substrate 101. The off axis scope 112 may be supported by the support structure 108.

임프린트 장치(IMP)는 1개 또는 복수의 기체 공급부(118)를 구비할 수 있다. 기체 공급부(118)는 형 척(110)을 둘러싸도록 형 척(110)의 주위에 배치될 수 있다. 기체 공급부(118)는 기판(101)과 형(100) 사이의 공간에 기체를 공급함으로써 커튼 형상의 기류(118a)를 형성한다. 기체 공급부(118)는 기류(118a)에 의해, 기판(101)과 형(100) 사이의 공간에 대한 파티클의 침입을 억제한다. 기체 공급부(118)는, 예를 들어 지지 구조체(108)에 의해 지지될 수 있다. 기체 공급부(118)가 공급하는 기체는, 예를 들어 클린 드라이 에어일 수 있지만, 질소 또는 헬륨 등의 다른 기체여도 된다. 기체 공급부(118)로부터의 기체의 분출구(도시하지 않음)는 환상인 것이 바람직하지만, 형성되는 기류(118a)가 기판(101)과 형(100) 사이의 공간을 둘러싸는 것이라면, 분출구 자체는 환상이 아니어도 된다. 임프린트 장치(IMP)는, 기판(101)과 형(100) 사이의 공간에 기판(101)에 따른 기체(131)의 흐름이 형성되도록, 해당 공간을 향해 기체(131)를 공급하는 기체 공급부(130)를 구비할 수 있다.The imprint apparatus IMP may include one or a plurality of gas supply units 118. The gas supply unit 118 may be disposed around the mold chuck 110 to surround the mold chuck 110. The gas supply unit 118 forms a curtain airflow 118a by supplying gas to the space between the substrate 101 and the mold 100. The gas supply unit 118 suppresses particle intrusion into the space between the substrate 101 and the mold 100 by the air flow 118a. The gas supply unit 118 may be supported, for example, by the support structure 108. The gas supplied by the gas supply unit 118 may be, for example, clean dry air, but may be another gas such as nitrogen or helium. The gas outlet from the gas supply unit 118 (not shown) is preferably annular, but if the formed airflow 118a surrounds the space between the substrate 101 and the mold 100, the outlet itself is annular This is not necessary. The imprint apparatus IMP is a gas supply unit that supplies the gas 131 toward the space so that a flow of the gas 131 along the substrate 101 is formed in the space between the substrate 101 and the mold 100 ( 130).

임프린트 장치(IMP)는, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에, 교류 성분을 포함하는 전압 V를 공급하는 전원(PS)을 구비하고 있다. 도 2에 도시된 예에서는, 기판 주변 부재(113)가 접지되고, 형 주변 부재(161)에 대하여 전원(PS)로부터 교류 성분을 포함하는 전압 V가 공급된다. 전압 V는 부의 전압 또는 정의 전압일 수 있다. 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전원(PS)에 의해 교류 성분을 포함하는 전압 V가 공급됨으로써 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전계가 형성된다. 이 전계가 기판 주변 부재(113) 상의 파티클에 대하여 정전기의 힘을 작용시킴으로써 기판 주변 부재(113) 상의 파티클의 적어도 일부가 제거된다.The imprint apparatus IMP is provided with a power source PS that supplies a voltage V containing an AC component between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. In the example shown in Fig. 2, the substrate peripheral member 113 is grounded, and a voltage V containing an AC component is supplied from the power source PS to the mold peripheral member 161. The voltage V can be a negative voltage or a positive voltage. An electric field is formed between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 by supplying a voltage V including an AC component by the power source PS between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. . At least a part of the particles on the substrate peripheral member 113 are removed by the electric field exerting a force of static electricity on the particles on the substrate peripheral member 113.

임프린트 장치(IMP)는 챔버(190)를 구비하고, 상기 각 구성 요소는 챔버(190) 내에 배치될 수 있다. 임프린트 장치(IMP)는, 그 밖에도 주제어부(제어부)(126), 임프린트 제어부(120), 조사 제어부(121), 스코프 제어부(122), 디스펜서 제어부(123), 커튼 제어부(124), 기판 제어부(125)를 구비할 수 있다. 주제어부(126)는 임프린트 제어부(120), 조사 제어부(121), 스코프 제어부(122), 디스펜서 제어부(123), 커튼 제어부(124), 기판 제어부(125) 및 전원(PS)을 제어한다. 임프린트 제어부(120)는 형 구동 기구(MDM)를 제어한다. 조사 제어부(121)는 경화부(104)를 제어한다. 스코프 제어부(122), 얼라인먼트 스코프(107a, 107b) 및 오프 액시스 스코프(112)를 제어한다. 디스펜서 제어부(123)는 디스펜서(111)를 제어한다. 커튼 제어부(124)는 기체 공급부(118)를 제어한다. 기판 제어부(125)는 기판 구동 기구(SDM)를 제어한다.The imprint apparatus IMP includes a chamber 190, and each of the components can be disposed in the chamber 190. The imprint apparatus IMP may further include a main control unit (control unit) 126, an imprint control unit 120, an irradiation control unit 121, a scope control unit 122, a dispenser control unit 123, a curtain control unit 124, and a substrate control unit. It may be provided with (125). The main control unit 126 controls the imprint control unit 120, the irradiation control unit 121, the scope control unit 122, the dispenser control unit 123, the curtain control unit 124, the substrate control unit 125, and the power source PS. The imprint control unit 120 controls the mold drive mechanism MDM. The irradiation control unit 121 controls the curing unit 104. The scope control unit 122, the alignment scopes 107a and 107b, and the off-axis scope 112 are controlled. The dispenser control unit 123 controls the dispenser 111. The curtain control unit 124 controls the gas supply unit 118. The substrate control unit 125 controls the substrate driving mechanism SDM.

도 1에는, 도 2의 임프린트 장치(IMP)의 일부가 모식적으로 도시되어 있다. 기판 주변 부재(113)는 기판(101)의 상면과 동등한 높이의 상면을 가질 수 있다. 형 주변 부재(161)는 형(100)의 하면과 동등한 높이의 하면을 가질 수 있다. 기판 주변 부재(113) 및 형 주변 부재(161)는, 기체 공급부(130)로부터 공급되는 기체(131)의 흐름 혼란을 억제하게 기능할 수 있다. 기판 주변 부재(113)는 평탄한 상면을 가질 수 있다. 형 주변 부재(161)는 평탄한 하면을 가질 수 있다.1, a part of the imprint apparatus IMP of FIG. 2 is schematically illustrated. The substrate peripheral member 113 may have an upper surface having a height equal to that of the upper surface of the substrate 101. The mold peripheral member 161 may have a lower surface having a height equal to that of the lower surface of the mold 100. The substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 may function to suppress the flow disturbance of the gas 131 supplied from the gas supply unit 130. The substrate peripheral member 113 may have a flat top surface. The mold peripheral member 161 may have a flat bottom surface.

챔버(190)의 내부 공간에는, 파티클(150)이 침입될 수 있다. 또한, 챔버(190) 중에서는, 기계 요소의 상호의 마찰, 기계 요소와 기판(101) 또는 형(100)의 마찰 등에 의해 파티클(150)이 발생할 수 있다. 또는, 디스펜서(111)가 기판(101) 상에 미경화의 임프린트재를 배치하기 위해 토출구로부터 임프린트재를 토출했을 때에 임프린트재의 미스트가 발생하고, 이 임프린트재가 고화됨으로써 파티클(150)이 발생할 수 있다.In the interior space of the chamber 190, particles 150 may be intruded. In addition, in the chamber 190, particles 150 may be generated due to mutual friction of mechanical elements, friction between the mechanical elements and the substrate 101 or the mold 100, or the like. Alternatively, when the dispenser 111 discharges the imprint material from the discharge port in order to place the uncured imprint material on the substrate 101, mist of the imprint material occurs, and the imprint material is solidified to generate particles 150. .

파티클(150)은 기판 주변 부재(113) 및 형 주변 부재(161) 등의 부재의 표면에 부착될 수 있다. 기판 주변 부재(113) 및 형 주변 부재(161) 중, 특히 하방에 위치하는 기판 주변 부재(113)에 대하여 파티클(150)이 낙하하여, 부착될 가능성이 높다. 파티클(150)은 입경, 형상, 재질 등이 다양하다. 따라서, 기판 주변 부재(113)의 상면에 대한 파티클(150)의 부착력도 다양하다. 기판 주변 부재(113)의 상면에 대한 부착력이 약한 파티클(150)은, 외적 자극(진동, 기류, 정전기) 등에 의해 용이하게 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈될 수 있다. 형(100)은 임프린트를 통해 대전되므로, 기판 주변 부재(113)와 형(100) 사이에 강한 전계가 형성될 수 있다. 이 전계에 의해, 기판 주변 부재(113) 상의 파티클(150)에 대하여 정전기력이 작용한다. 따라서, 기판 주변 부재(113)의 상면에 약한 부착력으로 부착되어 있는 파티클(150)은, 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 용이하게 이탈될 수 있다. 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈된 파티클(150)은 형(100)으로 끌어당겨져 형(100)에 부착되거나, 기판(101)에 부착되거나 할 수 있다. 따라서, 형(100)과 기판(101) 사이에 파티클(150)이 끼는 경우가 있을 수 있다. 이 때문에, 결함을 갖는 패턴이 형성되거나, 기판 및/또는 형이 파손되거나 할 수 있다.The particle 150 may be attached to surfaces of members such as the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. Among the substrate peripheral members 113 and the molded peripheral members 161, the particle 150 is likely to drop and adhere to the substrate peripheral member 113 located below, in particular. The particle 150 has various particle sizes, shapes, materials, and the like. Therefore, the adhesion force of the particle 150 to the upper surface of the substrate peripheral member 113 also varies. The particle 150 having weak adhesion to the upper surface of the substrate surrounding member 113 can be easily separated from the upper surface of the substrate surrounding member 113 by external stimuli (vibration, airflow, static electricity) or the like. Since the mold 100 is charged through the imprint, a strong electric field may be formed between the substrate surrounding member 113 and the mold 100. By this electric field, an electrostatic force acts on the particle 150 on the substrate peripheral member 113. Therefore, the particle 150 attached to the upper surface of the substrate peripheral member 113 with weak adhesion can be easily separated from the upper surface of the substrate peripheral member 113. Particles 150 separated from the upper surface of the substrate peripheral member 113 may be attracted to the mold 100 and attached to the mold 100 or attached to the substrate 101. Therefore, there may be a case where the particle 150 is sandwiched between the mold 100 and the substrate 101. For this reason, a pattern having defects may be formed, or the substrate and/or mold may be damaged.

그래서, 기판 주변 부재(113)에 약한 부착력으로 부착되어 있는 파티클(150)이 의도하지 않은 타이밍에 기판 주변 부재(113)로부터 이탈되지 않도록, 파티클(150)을 기판 주변 부재(113)로부터 미리 강제적으로 제거할 것이 요망된다. 이것을 실현하기 위해서, 임프린트 장치(IMP)는 전원(PS)을 구비하고 있다. 전원(PS)는, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 교류 성분을 포함하는 전압 V를 공급한다. 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 공급된 전압 V에 의해 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전계가 발생하고, 이 전계에 의해 파티클(150)에 정전기력이 작용한다. 기판 주변 부재(113)의 상면에 부착되어 있는 파티클(150) 중 약한 부착력으로 부착되어 있는 파티클(150)은, 이 정전기력에 의해 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈된다. 전원(PS)는 적어도, 기판 주변 부재(113)가 기류(118a)와 기판(101)으로 둘러싸인 공간 내로 진입하기 전에, 교류 성분을 포함하는 전압 V를 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 공급하는 것이 바람직하다. 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈된 파티클(150)이 기류(118a)를 타고 흘러, 나아가 기체(131)의 흐름을 타고 형(100)으로부터 멀어지는 방향으로 배출될 수 있다. 기판 주변 부재(113) 및 형 주변 부재(161)는, 전원(PS)에 의해 전압이 인가되는 도전체를 포함한다. 이에 의해, 의도하지 않은 타이밍, 특히 기류(118a)로 둘러싸인 공간 내에서 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈된 파티클(150)이 형(100)에 부착되는 것을 억제할 수 있다.Thus, the particle 150 is forcibly forced from the substrate peripheral member 113 in advance so that the particle 150 attached to the substrate peripheral member 113 with a weak adhesive force does not deviate from the substrate peripheral member 113 at an unintended timing. It is desired to remove. In order to realize this, the imprint apparatus IMP is provided with a power source PS. The power source PS supplies a voltage V including an AC component between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. An electric field is generated between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 by the voltage V supplied between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161, and the electric field is generated by the electric field. Electrostatic force acts. Of the particles 150 attached to the upper surface of the substrate peripheral member 113, the particles 150 attached with a weak adhesion force are separated from the upper surface of the substrate peripheral member 113 by this electrostatic force. The power source PS, at least before the substrate peripheral member 113 enters into a space surrounded by the air flow 118a and the substrate 101, the voltage V containing the AC component is applied to the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member ( 161). Particles 150 separated from the upper surface of the substrate peripheral member 113 flow through the air stream 118a, and further, may be discharged in a direction away from the mold 100 by the flow of the gas 131. The substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 include conductors to which voltage is applied by the power source PS. Thereby, it is possible to suppress unintended timing, in particular, the particle 150 detached from the upper surface of the substrate peripheral member 113 in the space surrounded by the air flow 118a from adhering to the mold 100.

여기서, 일례로서, 기판(101) 상의 경화된 임프린트재로부터 형(100)을 분리함으로써, 형(100)이 -3kV로 대전되는 경우를 생각할 수 있다. 기판 주변 부재(113)는 접지되어 있고, 그 전위가 접지 전위인 것으로 한다. 기판 주변 부재(113)와 형(100)의 간극은 1mm인 것으로 한다. 이 경우의 전계 방향은 상향(Z축의 정의 방향)이며, 전계의 강도(절댓값)는 3kV/mm이다. 이 예에서는, 형 주변 부재(161)의 전압 V의 평균값이 -3kV보다 낮은 전위(V<-3kV)가 되게, 전원(PS)에 의해 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전압 V를 공급하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기판 주변 부재(113)의 상면에 대하여 약한 힘으로 부착되어 있던 파티클(150)은, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이의 전계에 의한 정전기력에 의해 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈될 수 있다. 기판 주변 부재(113)로부터 이탈된 파티클(150)은, 기체(131)의 흐름을 타고 배출될 수 있다.Here, as an example, a case where the mold 100 is charged at -3 kV can be considered by separating the mold 100 from the cured imprint material on the substrate 101. It is assumed that the substrate peripheral member 113 is grounded, and its potential is a ground potential. It is assumed that the gap between the substrate peripheral member 113 and the mold 100 is 1 mm. In this case, the electric field direction is upward (positive direction of the Z axis), and the intensity (absolute value) of the electric field is 3 kV/mm. In this example, between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 by the power source PS, the average value of the voltage V of the mold peripheral member 161 becomes a potential (V<-3kV) lower than -3 kV. It is preferable to supply the voltage V to the. Thereby, the particle 150 attached to the upper surface of the substrate peripheral member 113 with a weak force is caused by the electrostatic force due to the electric field between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 (the substrate peripheral member ( 113). Particles 150 separated from the substrate peripheral member 113 may be discharged through the flow of the gas 131.

기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 공급되는 전압 V는, 본 발명자에 의한 실험의 결과, 교류 성분을 포함하는 전압인 경우쪽이, 일정 전압인 경우보다도, 파티클(150)을 기판 주변 부재(113)로부터 이탈시키는 효과가 높은 것을 알았다.The voltage V supplied between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 is the result of the experiment by the present inventors. As a result, when the voltage including the AC component is higher than the constant voltage, the particle 150 It was found that the effect of separating the substrate from the peripheral member 113 is high.

이하, 도 8a 내지 도 12c를 참조하면서 상기 실험에 대하여 설명한다. 도 8a에는, 실험계가 나타나 있다. 이 실험계에서는, 2장의 웨이퍼(301, 302)가 이격되어 서로 평행하게 배치되어 있다. 웨이퍼(301)는, 클린 룸 중에 부유하고 있는 파티클(300)이 부착된 웨이퍼이며, 전기적으로 접지되어 있다. 웨이퍼(302)는 평가용 웨이퍼이며, 전원(303)에 의해 전압이 인가되고 있다.Hereinafter, the experiment will be described with reference to FIGS. 8A to 12C. 8A, the experimental system is shown. In this experimental system, two wafers 301 and 302 are spaced apart and arranged parallel to each other. The wafer 301 is a wafer with particles 300 floating in a clean room, and is electrically grounded. The wafer 302 is an evaluation wafer, and a voltage is applied by the power supply 303.

실험 조건 A에서는, 도 8b에 나타내고 있는 바와 같이, -1kV의 일정한 전압이 웨이퍼(302)에 인가된다. 실험 조건 B에서는, 도 8c에 나타내고 있는 바와 같이, 웨이퍼(302)에 인가되는 전압이 10sec마다 ON/OFF된다. 실험 조건 B는, 교류 성분을 포함하는 전압을 웨이퍼(301, 302) 사이에 공급하는 예로서 이해된다. 실험 조건 A, B의 양쪽에 있어서, 웨이퍼(301)에 부착되어 있던 파티클(300)이 웨이퍼(301)로부터 이탈되어 웨이퍼(302)에 부착되는 것이 확인되었다. 실험 조건 A, B의 결과의 평가는, 웨이퍼(302)에 부착되는 파티클(300)의 개수를 카운트함으로써 행해졌다.Under experimental condition A, a constant voltage of -1 kV is applied to the wafer 302, as shown in Fig. 8B. Under the experimental condition B, as shown in FIG. 8C, the voltage applied to the wafer 302 is turned on/off every 10 sec. Experimental condition B is understood as an example of supplying a voltage including an alternating current component between wafers 301 and 302. In both of the experimental conditions A and B, it was confirmed that the particles 300 attached to the wafer 301 detached from the wafer 301 and adhered to the wafer 302. Evaluation of the results of the experimental conditions A and B was performed by counting the number of particles 300 attached to the wafer 302.

도 9에는, 실험 조건 A에 의한 실험을 위해 준비된 웨이퍼(301)에 부착되어 있던 파티클의 위치 및 직경이 나타나 있다. 웨이퍼(301)에 부착되어 있던 파티클의 수는 736개였다. 1장째의 웨이퍼(302)를 도 8a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(301)에 대향시켜 배치하고, 실험 조건 A에 따라서 웨이퍼(301, 302) 사이에 일정 전압을 인가하였다. 이어서, 1장째의 웨이퍼(302) 대신에 2장째의 웨이퍼(302)를 도 8a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(301)에 대향시켜 배치하고, 실험 조건 A에 따라서 웨이퍼(301, 302) 사이에 일정 전압을 인가하였다. 이어서, 2장째의 웨이퍼(302) 대신에 3장째의 웨이퍼(302)를 도 8a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(301)에 대향시켜 배치하고, 실험 조건 A에 따라서 웨이퍼(301, 302) 사이에 일정 전압을 인가하였다.9, the position and diameter of particles attached to the wafer 301 prepared for the experiment under the experimental condition A are shown. The number of particles attached to the wafer 301 was 736. The first wafer 302 was placed facing the wafer 301 as shown in Fig. 8A, and a constant voltage was applied between the wafers 301 and 302 according to the experimental condition A. Subsequently, instead of the first wafer 302, the second wafer 302 is placed opposite to the wafer 301 as shown in Fig. 8A, and according to the experimental conditions A, the wafers 301 and 302 are constant. Voltage was applied. Subsequently, instead of the second wafer 302, the third wafer 302 is placed opposite to the wafer 301 as shown in Fig. 8A, and constant between the wafers 301 and 302 according to the experimental condition A. Voltage was applied.

그 후, 1장째, 2장째, 3장째의 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 개수를 카운트하였다. 도 10a는, 1장째의 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 위치 및 개수를 나타내고, 개수는 9개였다. 도 10b는, 2장째의 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 위치 및 개수를 나타내고, 개수는 1개였다. 도 10c는, 3장째의 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 위치 및 개수를 나타내고, 개수는 0개였다.Thereafter, the number of particles attached to the wafer 302 of the first, second, and third sheets was counted. 10A shows the position and number of particles attached to the first wafer 302, and the number was nine. 10B shows the position and number of particles attached to the second wafer 302, and the number was one. 10C shows the position and number of particles attached to the wafer 302 of the third sheet, and the number was zero.

즉, 1장째의 웨이퍼(302)를 사용한 1회째의 실험에 있어서, 웨이퍼(301)에 대한 부착력이 약한 9개의 파티클이 웨이퍼(301)로부터 이탈되어 웨이퍼(302)에 부착되었다. 2장째의 웨이퍼(302)를 사용한 2회째의 실험에 있어서, 웨이퍼(301)에 대한 부착력이 약한 하나의 파티클이 웨이퍼(301)로부터 이탈되어 웨이퍼(302)에 부착되었다. 3장째의 웨이퍼(302)를 사용한 3회째의 실험에 있어서는, 웨이퍼(302)에 부착된 파티클이 0개였다. 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 수가 1회째의 실험에 비해 2회째의 실험에서 줄어든 것은, 1회째의 실험에 의해, 약한 부착력으로 웨이퍼(301)에 부착된 파티클이 줄어들었기 때문이라고 이해된다. 3회째의 실험에 있어서 웨이퍼(302)에 부착된 파티클이 0개였던 것은, 2회째까지의 실험에 있어서, 약한 흡착력으로 웨이퍼(301)에 부착된 파티클이 모두 제거되었기 때문이라고 이해된다. 1회째, 2회째 및 3회째의 실험을 통해서, 736개의 파티클 중 10개(736개에 대하여 1.4％)가 웨이퍼(301)로부터 제거되었다.That is, in the first experiment using the first wafer 302, nine particles having weak adhesion to the wafer 301 were detached from the wafer 301 and adhered to the wafer 302. In the second experiment using the second wafer 302, one particle having weak adhesion to the wafer 301 was detached from the wafer 301 and adhered to the wafer 302. In the third experiment using the third wafer 302, the number of particles attached to the wafer 302 was zero. It is understood that the number of particles attached to the wafer 302 was reduced in the second experiment compared to the first experiment because the particles attached to the wafer 301 were reduced by weak adhesion due to the first experiment. It is understood that, in the third experiment, the number of particles attached to the wafer 302 was 0 because the particles attached to the wafer 301 were all removed by the weak adsorption force in the experiment up to the second. Through the first, second, and third experiments, ten of the 736 particles (1.4% for 736) were removed from the wafer 301.

도 11에는, 실험 조건 B에 의한 실험을 위해 준비된 웨이퍼(301)에 부착되어 있던 파티클의 위치 및 직경이 나타나 있다. 웨이퍼(301)에 부착되어 있던 파티클의 수는 650개였다. 1장째의 웨이퍼(302)를 도 8a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(301)에 대향시켜 배치하고, 실험 조건 B에 따라서 웨이퍼(301, 302) 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 인가하였다. 이어서, 1장째의 웨이퍼(302) 대신에 2장째의 웨이퍼(302)를 도 8a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(301)에 대향시켜 배치하고, 실험 조건 B에 따라서 웨이퍼(301, 302) 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 인가하였다. 이어서, 3장째의 웨이퍼(302) 대신에 3장째의 웨이퍼(302)를 도 8a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(301)에 대향시켜 배치하고, 실험 조건 B에 따라서 웨이퍼(301, 302) 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 인가하였다.In FIG. 11, the position and diameter of particles attached to the wafer 301 prepared for the experiment under the experimental condition B are shown. The number of particles attached to the wafer 301 was 650. The first wafer 302 was placed facing the wafer 301 as shown in Fig. 8A, and a voltage including an alternating current component was applied between the wafers 301 and 302 according to the experimental condition B. Subsequently, instead of the first wafer 302, the second wafer 302 is placed facing the wafer 301 as shown in Fig. 8A, and exchanges between the wafers 301, 302 according to the experimental condition B. A voltage containing the component was applied. Subsequently, instead of the third wafer 302, the third wafer 302 is placed facing the wafer 301 as shown in Fig. 8A, and is exchanged between the wafers 301, 302 according to the experimental condition B. A voltage containing the component was applied.

그 후, 1장째, 2장째, 3장째의 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 개수를 카운트하였다. 도 12a는, 1장째의 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 위치 및 개수를 나타내고, 개수는 27개였다. 도 12b는, 2장째의 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 위치 및 개수를 나타내고, 개수는 9개였다. 도 12c는, 3장째의 웨이퍼(302)에 부착된 파티클의 위치 및 개수를 나타내고, 개수는 12개였다.Thereafter, the number of particles attached to the wafer 302 of the first, second, and third sheets was counted. 12A shows the position and number of particles attached to the first wafer 302, and the number was 27. 12B shows the position and number of particles attached to the second wafer 302, and the number was nine. 12C shows the position and number of particles attached to the third wafer 302, and the number was 12 pieces.

즉, 1장째의 웨이퍼(302)를 사용한 1회째의 실험에 있어서, 웨이퍼(301)에 대한 부착력이 약한 27개의 파티클이 웨이퍼(301)로부터 이탈되어 웨이퍼(302)에 부착되었다. 2장째의 웨이퍼(302)를 사용한 2회째의 실험에 있어서, 웨이퍼(301)에 대한 부착력이 약한 9개의 파티클이 웨이퍼(301)로부터 이탈되어 웨이퍼(302)에 부착되었다. 3장째의 웨이퍼(302)를 사용한 2회째의 실험에 있어서, 웨이퍼(301)에 대한 부착력이 약한 12개의 파티클이 웨이퍼(301)로부터 이탈되어 웨이퍼(302)에 부착되었다.That is, in the first experiment using the first wafer 302, 27 particles with weak adhesion to the wafer 301 were detached from the wafer 301 and adhered to the wafer 302. In the second experiment using the second wafer 302, nine particles with weak adhesion to the wafer 301 detached from the wafer 301 and adhered to the wafer 302. In the second experiment using the third wafer 302, twelve particles with weak adhesion to the wafer 301 detached from the wafer 301 and adhered to the wafer 302.

실험 조건 B에서는, 1회째, 2회째 및 3회째의 실험을 통해서, 650개의 파티클 중 48개(650개에 대하여 7.4％)가 웨이퍼(301)로부터 제거되었다. 실험 조건 B에서는, 실험 조건 A보다도, 많은 파티클을 웨이퍼(301)로부터 제거할 수 있다. 또한, 실험 조건 B에서는, 2회째, 3회째의 실험에서도, 많은 파티클을 웨이퍼(301)로부터 제거할 수 있다. 이와 같이, 실험 A와 같이 일정한 힘을 파티클에 작용시키는 것보다도, 실험 B와 같이 변동되는 힘을 파티클에 작용시키는 쪽이, 부재의 표면에 대한 파티클의 부착을 약화시키기 위한 효과가 높은 결과가 얻어졌다.In Experimental Condition B, 48 of the 650 particles (7.4% for 650) were removed from the wafer 301 through the first, second, and third experiments. In the experimental condition B, more particles can be removed from the wafer 301 than in the experimental condition A. In addition, under the experimental condition B, even in the second and third experiments, many particles can be removed from the wafer 301. As described above, rather than applying a constant force to the particles as in Experiment A, the effect of applying a variable force to the particles as in Experiment B has a higher effect for weakening the adhesion of particles to the surface of the member. lost.

도 4a에는, 전원(PS)에 의해 형 주변 부재(161)에 공급되는 전압 V가 예시적으로 나타나 있다. 전압 V는, 교류 성분을 포함하는 전압(예를 들어, 교류 성분과 일정값의 합으로 표시되는 전압)이다. 전압 V는 복수의 펄스를 포함하는 펄스파(펄스 전압)일 수 있다. 또는, 전압 V의 파형은 구형파(방형파), 삼각파, 사다리꼴파, 계단파(계단 형상으로 전압이 변화되는 파형) 및 정현파의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도 5a에는, 전압 V의 파형의 일례로서의 6주기분의 정현파가 나타나 있다. 이와 같이, 교류 성분을 포함하는 전압 V는, 복수의 주기에 걸쳐 크기가 변동되는 전압일 수 있다.In FIG. 4A, the voltage V supplied to the mold peripheral member 161 by the power source PS is exemplarily shown. The voltage V is a voltage including an AC component (for example, a voltage represented by the sum of the AC component and a constant value). The voltage V may be a pulse wave (pulse voltage) including a plurality of pulses. Alternatively, the waveform of the voltage V may include at least one of a square wave (square wave), a triangular wave, a trapezoidal wave, a staircase wave (a waveform whose voltage changes in a stepped shape) and a sinusoidal wave. In Fig. 5A, a sinusoidal wave for 6 cycles is shown as an example of the waveform of the voltage V. As such, the voltage V including the AC component may be a voltage whose magnitude varies over a plurality of periods.

전압 V는, 전형적으로는 극성이 변화되지 않는 전압일 수 있지만, 극성이 변화되어도 된다. 전압 V가, 극성이 변화되지 않는 전압인 경우, 전압 V의 극성은, 기판(101)과 형(100) 사이에 형(100)의 대전에 의해 형성되는 전계의 방향과 동일한 방향의 전계가 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 형성되는 극성으로 될 수 있다. 이 경우, 교류 성분을 포함하는 전압 V가 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 부여되어 있는 기간에는, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 형성되는 전계의 방향이 바뀌지 않는 상태 그대로 당해 전계의 크기만이 변동된다. 전압 V가, 극성이 변화되는 전압인 경우, 예를 들어 기판 주변 부재(113)에 부착되어 있는 파티클(150)에 작용하는 힘의 평균이 기판 주변 부재(113)로부터 파티클(150)을 이탈시키는 방향으로 작용하게 형 주변 부재(161)에 공급되는 전압 V의 극성의 변화가 결정될 수 있다.The voltage V may typically be a voltage whose polarity does not change, but the polarity may change. When the voltage V is a voltage in which the polarity is not changed, the polarity of the voltage V is the electric field in the same direction as the direction of the electric field formed by charging of the mold 100 between the substrate 101 and the mold 100. It may be of a polarity formed between the peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. In this case, the electric field formed between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 during a period when the voltage V including the AC component is applied between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 Only the size of the electric field fluctuates without changing the direction of. When the voltage V is a voltage whose polarity is changed, for example, the average of the forces acting on the particles 150 attached to the substrate peripheral member 113 causes the particle 150 to deviate from the substrate peripheral member 113. A change in the polarity of the voltage V supplied to the mold peripheral member 161 to act in the direction may be determined.

기판(101) 상의 경화된 임프린트재로부터 형(100)을 분리함으로써, 형(100)이 -V0 내지 0V(V0은 정의 값)의 범위의 전압으로 대전되는 경우, 전압 V의 피크값 -V1(V1은 정의 값)은, -V0보다 낮은 전압인 것이 바람직하다. 이에 의해, 형(100)의 대전에 의해 파티클(150)에 작용하는 정전기력보다도 강한 정전기력을 발생하는 전계를 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 발생시킬 수 있다. 그 때문에, 기판 주변 부재(113)에 부착되어 있는 파티클을 미리 제거할 수 있다. 전압 V가 최댓값으로부터 최솟값으로 전이하는 시간, 및/또는 최솟값으로부터 최댓값으로 전이하는 시간은, 1초 이하인 것이 바람직하다.By separating the mold 100 from the cured imprint material on the substrate 101, when the mold 100 is charged with a voltage in the range of -V0 to 0V (where V0 is a positive value), the peak value of the voltage V is -V1( V1 is a positive value) is preferably a voltage lower than -V0. As a result, an electric field that generates a stronger electrostatic force than the electrostatic force acting on the particle 150 due to the charging of the mold 100 can be generated between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. Therefore, particles adhering to the substrate peripheral member 113 can be removed in advance. It is preferable that the time at which the voltage V transitions from the maximum value to the minimum value and/or the time to transition from the minimum value to the maximum value is 1 second or less.

전압 V의 절댓값의 최댓값은, 형(100)의 대전에 의해 형성되는 전계의 최대 강도보다도 강한 전계가 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 형성되도록 결정되는 것이 유리하다. 그러나, 이것은 필수 조건이 아니며, 형(100)의 대전에 의해 형성되는 전계의 최대 강도보다도 약한 전계가 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 형성되어도 된다. 이 경우에 있어서도, 기판 주변 부재(113)로부터 적어도 일부의 파티클을 제거할 수 있고, 단위 시간당 전압 V의 변화율을 높게 함으로써 기판 주변 부재(113)로부터의 파티클의 제거 효과를 높일 수 있다.It is advantageous that the maximum value of the absolute value of the voltage V is determined such that an electric field stronger than the maximum strength of the electric field formed by charging of the mold 100 is formed between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. However, this is not an essential condition, and an electric field weaker than the maximum strength of the electric field formed by charging of the mold 100 may be formed between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. Also in this case, at least a part of the particles can be removed from the substrate peripheral member 113, and the effect of removing particles from the substrate peripheral member 113 can be enhanced by increasing the rate of change of the voltage V per unit time.

도 6에는, 임프린트 장치(IMP)의 동작 방법이 예시적으로 나타나 있다. 이 동작 방법은 주제어부(제어부)(216)에 의해 제어된다. 공정 S201에서는, 주제어부(126)는, 기판(101) 상의 임프린트 대상의 샷 영역이 디스펜서(111) 아래로 이동하도록 기판 구동 기구(SDM)를 제어한다. 공정 S202에서는, 주제어부(126)는, 기판(101) 상의 임프린트 대상의 샷 영역에 임프린트재가 배치되도록 기판 구동 기구(SDM) 및 디스펜서(111)를 제어한다. 여기서, 샷 영역으로의 임프린트재의 배치는, 예를 들어 기판 구동 기구(SDM)에 의해 기판(101)을 이동시키면서 디스펜서(111)로부터 임프린트재를 토출함으로써 이루어질 수 있다. 샷 영역에 대한 임프린트재의 배치 형식은 임의적이지만, 예를 들어 복수의 액적의 배열 형식으로 샷 영역에 임프린트재가 배치될 수 있다.6, an operation method of the imprint apparatus IMP is exemplarily illustrated. This operation method is controlled by the main control unit (control unit) 216. In step S201, the main control unit 126 controls the substrate driving mechanism SDM so that the shot area to be imprinted on the substrate 101 moves below the dispenser 111. In step S202, the main control unit 126 controls the substrate driving mechanism (SDM) and the dispenser 111 so that the imprint material is disposed in the shot area of the imprint object on the substrate 101. Here, the arrangement of the imprint material in the shot area can be achieved by discharging the imprint material from the dispenser 111 while moving the substrate 101 by, for example, a substrate driving mechanism (SDM). The arrangement format of the imprint material with respect to the shot area is arbitrary, but the imprint material may be arranged in the shot area in an arrangement form of a plurality of droplets, for example.

공정 S203에서는, 주제어부(126)는, 기판(101) 상의 임프린트 대상의 샷 영역이 형(100) 아래로 이동하도록, 보다 상세하게는, 해당 샷 영역과 형(100)이 위치 정렬되도록 기판 구동 기구(SDM) 및 형 구동 기구(MDM)의 제어를 개시한다. 공정 S204에서는, 주제어부(126)는, 기판 주변 부재(113)가 형 주변 부재(161)와 대향하기 전에 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이로의 교류 성분을 포함하는 전압 V의 공급이 개시되도록 전원(PS)을 제어한다. 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 교류 성분을 포함하는 전압 V가 공급됨으로써, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 크기가 변동되는 전계가 형성된다. 이 전계에 의해 기판 주변 부재(113)의 상면에 약한 부착력으로 부착되어 있는 파티클이 이탈되고, 기류(118a)에 의해 기판 주변 부재(113)의 부근으로부터 멀어지는 방향으로 배출된다. 이러한 기능 및 처리를 각각 클리닝 기능 및 클리닝 처리라 칭할 수 있다. 클리닝 기능이 유효(ON)로 됨으로써, 예를 들어 공정 S201 내지 S203에 있어서 기판 주변 부재(113)에 부착된 파티클(통상은, 부착력이 여전히 약하다고 생각됨)이 즉시 이탈될 수 있다. 여기서, 공정 S204(전압 V의 공급의 개시)는, 공정 S203이 종료되기 전에 실행되어도 된다. 단, 디스펜서(공급부)(111)가 기판(101)(의 샷 영역)에 임프린트재를 공급하고 있는 동안에는, 전원(PS)에 의한 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이로의 전압 V의 공급이 이루어지지 않는 것이 바람직하다. 이것은, 전압 V에 의해 형성되는 전계가 디스펜서(111)에 의한 기판(101) 상의 적정 위치로의 임프린트재의 공급을 방해할 수 있기 때문이다.In step S203, the main control unit 126 drives the substrate such that the shot area of the imprint object on the substrate 101 moves below the mold 100, and more specifically, the shot area and the mold 100 are aligned. Control of the mechanism SDM and the mold drive mechanism MDM is started. In step S204, the main control unit 126 includes a voltage V including an AC component between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 before the substrate peripheral member 113 faces the mold peripheral member 161. The power source (PS) is controlled to start supplying. By supplying a voltage V including an alternating current component between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161, an electric field of varying size is formed between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. Particles adhered to the upper surface of the substrate peripheral member 113 with a weak adhesion force are separated by this electric field, and discharged in a direction away from the vicinity of the substrate peripheral member 113 by the air flow 118a. These functions and processes can be referred to as cleaning functions and cleaning processes, respectively. When the cleaning function is enabled (ON), particles attached to the substrate peripheral member 113 (normally, the adhesive force is still considered to be weak) can be immediately released, for example, in steps S201 to S203. Here, step S204 (start of supply of voltage V) may be executed before step S203 ends. However, while the dispenser (supply unit) 111 is supplying the imprint material to the substrate 101 (shot area of), the voltage between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 by the power source PS It is preferable that V is not supplied. This is because the electric field formed by the voltage V can interfere with the supply of the imprint material by the dispenser 111 to the proper position on the substrate 101.

공정 S205에서는, 주제어부(126)는, 임프린트 대상의 샷 영역에 임프린트가 이루어지도록, 관련되는 구성 요소, 예를 들어 기판 구동 기구(SDM), 형 구동 기구(MDM), 경화부(104), 얼라인먼트 스코프(107a, 107b) 등을 제어한다. 구체적으로는, 공정 S205에서는, 기판(101) 상의 임프린트 대상의 샷 영역 상의 임프린트재에 형(100)을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시키고, 그 후, 해당 임프린트재로부터 형(100)을 분리하는 임프린트 처리가 이루어진다. 도 6에 도시된 예에서는, 공정 S205는, 클리닝 기능이 ON된 상태를 포함한다. 즉, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전압 V가 공급된 상태에서, 기판(101) 상의 임프린트재에 형(100)을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시키고, 해당 임프린트재로부터 형(100)을 분리하는 동작이 이루어진다.In step S205, the main control unit 126 includes related components such as a substrate driving mechanism (SDM), a mold driving mechanism (MDM), and a curing unit 104 so that imprinting is performed on a shot area to be imprinted, The alignment scopes 107a and 107b are controlled. Specifically, in step S205, the mold 100 is brought into contact with the imprint material on the shot area to be imprinted on the substrate 101 to cure the imprint material, and thereafter, the mold 100 is separated from the imprint material. Imprint processing is performed. In the example shown in Fig. 6, step S205 includes a state in which the cleaning function is turned on. That is, while the voltage V is supplied between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161, the imprint material on the substrate 101 is brought into contact with the mold 100 to cure the imprint material, and the imprint material The operation of separating the mold 100 from is made.

공정 S206에서는, 주제어부(126)는, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이로의 전압 V의 공급이 정지되도록 전원(PS)을 제어한다. 즉, 주제어부(126)는 공정 S206에 있어서, 클리닝 기능을 정지(OFF)시킨다.In step S206, the main control unit 126 controls the power source PS so that the supply of the voltage V between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 is stopped. That is, in step S206, the main control unit 126 stops the cleaning function (OFF).

공정 S207에서는, 주제어부(126)는, 기판(101)의 모든 샷 영역에 대한 임프린트가 종료되었는지 여부를 판단하여, 미처리의 샷 영역이 남아있는 경우에는, 당해 미처리의 샷 영역에 대한 임프린트가 이루어지도록 공정 S201로 되돌아간다. 한편, 모든 샷 영역에 대한 임프린트가 종료된 경우에는, 공정 S208로 진행한다. 공정 S208에서는, 주제어부(126)는, 처리해야 할 모든 기판(101)에 대한 임프린트가 종료되었는지 여부를 판단하여, 미처리의 기판(101)이 남아있는 경우에는, 당해 미처리의 기판(101)에 대한 임프린트가 이루어지도록 공정 S201로 되돌아간다. 한편, 모든 기판(101)에 대한 임프린트가 종료된 경우에는, 도 6에 도시된 일련의 처리가 종료된다.In step S207, the main control unit 126 determines whether imprinting for all shot areas of the substrate 101 has been completed, and when an unprocessed shot area remains, imprinting of the unprocessed shot area is performed. The process returns to step S201. On the other hand, when the imprint for all shot areas is finished, the process proceeds to step S208. In step S208, the main control unit 126 determines whether or not imprinting of all the substrates 101 to be processed has ended, and when the unprocessed substrates 101 remain, the unprocessed substrates 101 The process returns to step S201 to effect imprinting. On the other hand, when the imprints for all the substrates 101 are finished, the series of processing shown in Fig. 6 ends.

상기 처리에 있어서, 공정 S201 도중으로부터 S203 도중까지에 있어서, 형(100)에 대하여 기판 주변 부재(113)의 일부의 영역이 대향할 수 있다. 그러나, 기판 주변 부재(113)는 공정 S205에 있어서의 임프린트와 병행하여 클리닝 처리를 받고 있으므로, 약한 부착력으로 기판 주변 부재(113)의 당해 영역에 부착되어 있는 파티클은 기판 주변 부재(113)로부터 이탈되어, 기류(118a)나 기류(113)에 의해 배출될 가능성이 높다.In the above process, in the middle of step S201 to the middle of S203, a region of a part of the substrate peripheral member 113 may face the mold 100. However, since the substrate peripheral member 113 is subjected to a cleaning process in parallel with the imprint in step S205, particles adhered to the area of the substrate peripheral member 113 with weak adhesion force are separated from the substrate peripheral member 113 It is highly likely to be discharged by the air stream 118a or the air stream 113.

도 3에는, 도 1, 도 2에 도시된 구성의 변형예가 기재되어 있다. 도 3에 도시된 예에서는, 형 주변 부재(161)가 접지되고, 기판 주변 부재(113)에 대하여 전원(PS)으로부터 교류 성분을 포함하는 전압 V가 공급된다. 전압 V는 부의 전압 또는 정의 전압일 수 있다. 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전원(PS)에 의해 교류 성분을 포함하는 전압 V가 공급됨으로써 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전계가 형성된다. 이 전계가 기판 주변 부재(113) 상의 파티클에 대하여 정전기의 힘을 작용시킴으로써 기판 주변 부재(113)로부터 파티클이 제거된다.3, a modified example of the configuration shown in FIGS. 1 and 2 is described. In the example shown in Fig. 3, the mold peripheral member 161 is grounded, and a voltage V containing an AC component is supplied from the power source PS to the substrate peripheral member 113. The voltage V can be a negative voltage or a positive voltage. An electric field is formed between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 by supplying a voltage V including an AC component by the power source PS between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. . The electric field exerts a force of static electricity on particles on the substrate surrounding member 113 to remove particles from the substrate surrounding member 113.

여기서, 상술한 예와 동일하게, 기판(101) 상의 경화된 임프린트재로부터 형(100)을 분리함으로써, 형(100)이 -3kV로 대전되는 경우를 생각할 수 있다. 형 주변 부재(161)는 접지되어 있고, 그 전위가 접지 전위인 것으로 한다. 기판 주변 부재(113)와 형(100)의 간극은 1mm인 것으로 한다. 이 경우의 전계 방향은 상향(Z축의 정의 방향)이며, 전계의 강도(절댓값)는 3kV/mm이다. 이 예에서는, 기판 주변 부재(113)의 전압 V가 +3kV보다 높은 전위(V>+3kV)가 되게, 전원(PS)에 의해 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전압 V를 공급하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기판 주변 부재(113)의 상면에 약한 힘으로 부착되어 있던 파티클(150)은, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이의 전계에 의한 정전기력에 의해 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈될 수 있다. 기판 주변 부재(113)로부터 이탈될 수 있다. 기판 주변 부재(113)로부터 이탈된 파티클(150)은, 기체(131)의 흐름을 타고 배출될 수 있다.Here, as in the above-described example, a case where the mold 100 is charged at -3 kV can be considered by separating the mold 100 from the cured imprint material on the substrate 101. It is assumed that the mold peripheral member 161 is grounded, and its potential is a ground potential. It is assumed that the gap between the substrate peripheral member 113 and the mold 100 is 1 mm. In this case, the electric field direction is upward (positive direction of the Z axis), and the intensity (absolute value) of the electric field is 3 kV/mm. In this example, the voltage between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 is applied by the power source PS so that the voltage V of the substrate peripheral member 113 becomes a potential (V>+3kV) higher than +3 kV. It is preferred to supply V. As a result, the particle 150 attached to the upper surface of the substrate peripheral member 113 with a weak force is caused by the electrostatic force by the electric field between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161, and the substrate peripheral member 113 ). It may be detached from the substrate peripheral member 113. Particles 150 separated from the substrate peripheral member 113 may be discharged through the flow of the gas 131.

이상의 설명으로부터 명백해진 바와 같이, 기판 주변 부재(113) 및 형 주변 부재(161)의 한쪽에 접지 전위가 공급되고, 기판 주변 부재(113) 및 형 주변 부재(161)의 다른 쪽에 전압 V가 공급될 수 있다. 또는, 다른 형식에 있어서는, 전원(PS)는, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전압 V가 공급되도록, 기판 주변 부재(113) 및 형 주변 부재(161)의 양쪽에 대하여 접지 전위와는 다른 전위를 공급해도 된다.As apparent from the above description, the ground potential is supplied to one of the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161, and the voltage V is supplied to the other of the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. Can be. Alternatively, in another form, the power source PS is provided on both sides of the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 such that a voltage V is supplied between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. In contrast, a potential different from the ground potential may be supplied.

여기까지의 설명은, 기판 주변 부재(113)에 부착되어 있는 파티클의 제거에 주목하여 이루어졌지만, 형 주변 부재(161)에 부착되어 있는 파티클에 대해서도 정전기력이 작용하여, 형 주변 부재(161)로부터 제거될 수 있다. 이에 의해, 형 주변 부재(161)에 약한 부착력으로 부착되어 있는 파티클이 기판(101) 상으로 낙하되는 것이 억제될 수 있다.Although the description so far has been made by focusing on the removal of particles adhering to the substrate peripheral member 113, electrostatic force acts on the particles adhering to the mold peripheral member 161, and from the mold peripheral member 161, Can be removed. Thereby, it can be suppressed that the particle adhering to the mold peripheral member 161 with a weak adhesion force falls on the substrate 101.

도 4b에는, 전원(PS)에 의해 기판 주변 부재(113)에 공급되는 전압 V가 예시적으로 나타나 있다. 전압 V는, 교류 성분을 포함하는 전압(예를 들어, 교류 성분과 일정값의 합으로 표시되는 전압)이다. 전압 V는 복수의 펄스를 포함하는 펄스파일 수 있다. 또는, 전압 V는 구형파(방형파), 삼각파, 사다리꼴파, 계단파일 수 있다. 또는, 전압 V는 도 5b에 나타낸 바와 같은 정현파일 수 있다. 전원(PS)에 의해 기판 주변 부재(113)에 공급되는 전압 V는, 복수의 주기에 걸쳐 크기가 변동되는 전압일 수 있다. 또한, 교류 성분을 포함하는 전압 V는, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 해당 전압 V가 부여되는 동안에, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 형성되는 전계의 방향이 변하지 않은 상태에서 당해 전계의 크기만을 변동시키는 전압을 포함할 수 있다.In FIG. 4B, the voltage V supplied to the peripheral member 113 by the power source PS is exemplarily shown. The voltage V is a voltage including an AC component (for example, a voltage represented by the sum of the AC component and a constant value). The voltage V may be a pulse file including a plurality of pulses. Alternatively, the voltage V may be a square wave (square wave), a triangular wave, a trapezoidal wave, or a stepped file. Alternatively, the voltage V may be a sine file as shown in FIG. 5B. The voltage V supplied to the substrate peripheral member 113 by the power source PS may be a voltage whose magnitude varies over a plurality of periods. In addition, the voltage V including the alternating current component is formed between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 while the voltage V is applied between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. It may include a voltage that changes only the size of the electric field in a state in which the direction of the electric field is not changed.

도 7에는, 임프린트 장치(IMP)의 동작 방법 또는 운용 방법이 예시적으로 나타나 있다. 공정 S211에서는, 메인터넌스가 이루어진다. 메인터넌스는 작업자에 의해 이루어지는 경우도 있고, 임프린트 장치(IMP)가 갖는 기능에 의해 이루어지는 경우도 있다. 메인터넌스는, 예를 들어 디스펜서(111), 기판 척(102) 또는 형 척(110)의 점검, 수리, 클리닝 또는 교환을 포함할 수 있다. 이 메인터넌스에 있어서, 기판 주변 부재(113) 및/또는 형 주변 부재(161)에 파티클이 부착될 수 있다.7, an operation method or an operation method of the imprint apparatus IMP is exemplarily illustrated. In step S211, maintenance is performed. In some cases, maintenance is performed by an operator, or in some cases by a function of the imprint apparatus IMP. Maintenance may include, for example, inspection, repair, cleaning, or replacement of dispenser 111, substrate chuck 102, or mold chuck 110. In this maintenance, particles may be attached to the substrate peripheral member 113 and/or the mold peripheral member 161.

그래서, 메인터넌스가 종료된 후 또한 임프린트 처리가 재개될 때까지의 사이에, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전원(PS)에 의해 교류 성분을 포함하는 전압 V가 공급된다. 구체적으로는, 공정 S11에 이어서, 공정 S212, S213이 실시될 수 있다. 공정 S212에서는, 주제어부(126)는, 기판 주변 부재(113)가 형 주변 부재(161)에 대응하도록 기판 구동 기구(SDM)를 제어한다. 주제어부(126)는, 메인터넌스의 종료를 나타내는 신호가 입력됨에 따라서 공정 S212를 실행할 수 있다. 공정 S212에 이어서, 공정 S213에서는, 주제어부(126)는, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이로의 전압 V의 공급이 개시되게 전원(PS)을 제어한다. 이에 의해, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 전압 V가 공급되고, 기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에, 크기가 변동되는 전계가 형성된다. 이 전계에 의해 기판 주변 부재(113)의 상면에 약한 부착력으로 부착되어 있는 파티클이 기판 주변 부재(113) 상으로부터 제거된다.Thus, the voltage V containing the AC component is supplied by the power source PS between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 after the maintenance is finished and until the imprint process is resumed. . Specifically, steps S212 and S213 may be performed following step S11. In step S212, the main control unit 126 controls the substrate driving mechanism SDM such that the substrate peripheral member 113 corresponds to the mold peripheral member 161. The main control unit 126 can execute the process S212 as a signal indicating the end of maintenance is input. Subsequent to step S212, in step S213, the main control unit 126 controls the power source PS so that supply of the voltage V between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 is started. As a result, a voltage V is supplied between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161, and an electric field having a variable size is formed between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161. Particles attached to the upper surface of the substrate peripheral member 113 with a weak adhesion by this electric field are removed from the substrate peripheral member 113.

이러한 동작 방법 또는 운용 방법에 의하면, 메인터넌스를 통해 기판 주변 부재(113) 및/또는 형 주변 부재(161)에 부착될 수 있는 파티클(통상은, 부착력이 아직 약하다고 생각됨)이 즉시 제거될 수 있다.According to this operation method or operation method, particles that can be attached to the substrate peripheral member 113 and/or the mold peripheral member 161 through maintenance (usually, the adhesive force is still considered weak) can be immediately removed.

기판 주변 부재(113)와 형 주변 부재(161) 사이에 공급하는 교류 성분을 포함하는 전압 V의 정부나 대소는, 임프린트 장치(IMP) 내에 배치된 전위계에 의해 형(100)의 전위를 계측한 결과에 기초하여 결정되어도 된다. 또는, 해당 전압 V의 정부나 대소는, 정기적으로 형(100)을 취출하여 형(100)의 전위를 계측한 결과에 기초하여 결정되어도 된다.The potential of the voltage V including the alternating current component supplied between the substrate peripheral member 113 and the mold peripheral member 161 is measured by measuring the electric potential of the mold 100 by an electrometer disposed in the imprint apparatus IMP. You may decide based on the result. Alternatively, the positive or negative magnitude of the voltage V may be determined based on the results of periodically taking out the mold 100 and measuring the potential of the mold 100.

형 주변 부재(161)는, 도 13에 예시되는 바와 같이, 형(100)의 측면을 전방위에 걸쳐 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 그러나, 형 주변 부재(161)는, 도 14에 예시되는 바와 같이, 형(100)이 배치되는 영역의 주변에 분할하여 배치된 형 주변 부재(330a, 330b, 330c)에 의해 구성되어도 된다. 이와 같은 구성을 채용함으로써, 형(100)의 주변에 기구를 배치하기 위한 자유도를 향상시킬 수 있다. 형(100)의 주변에 배치될 수 있는 기구로서는, 예를 들어 형(100)의 측면에 힘을 가해서 형(100)을 목표 형상으로 변형시키는 기구, 임프린트재와 형(100)의 접촉 및 분리하기를 위해 형(100)을 Z 방향으로 이동시키는 구동 기구, 형(100)의 기울기를 조정하는 구동 기구 등을 들 수 있다. 또한, 분할된 형 주변 부재(330a, 330b, 333c)를 채용하고, 형 주변 부재(330a, 330b, 333c)에 대하여 전원(PS)으로부터 전압 V를 공급함으로써, 기판 주변 부재(113)의 전체가 아니라 국소 영역에 전계를 발생시킬 수 있다. 기판 주변 부재(113) 상에는 기판(101)이나 미동 스테이지의 위치의 캘리브레이션에 사용하는 기준 마크나, 임프린트재를 경화시키기 위한 노광 광의 조도를 계측하는 조도 센서 등이 전계에 노출되고, 기준 마크를 사용한 계측이나 조도 센서의 계측 결과에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.As illustrated in FIG. 13, the mold peripheral member 161 may have a shape surrounding a side surface of the mold 100 over all directions. However, as illustrated in FIG. 14, the mold peripheral members 161 may be formed of mold peripheral members 330a, 330b, and 330c that are divided and arranged around the area where the mold 100 is disposed. By adopting such a configuration, the degree of freedom for arranging the mechanism around the mold 100 can be improved. As a mechanism that can be disposed around the mold 100, for example, a mechanism for deforming the mold 100 into a target shape by applying a force to the side surface of the mold 100, the contact and separation of the imprint material and the mold 100 For the following, there may be mentioned a driving mechanism for moving the mold 100 in the Z direction, a driving mechanism for adjusting the inclination of the mold 100, and the like. Further, by employing the divided mold peripheral members 330a, 330b, and 333c, and supplying the voltage V from the power source PS to the mold peripheral members 330a, 330b, and 333c, the entirety of the substrate peripheral member 113 is In addition, it can generate an electric field in the local area. On the substrate peripheral member 113, a reference mark used for calibrating the position of the substrate 101 or the fine moving stage, an illuminance sensor measuring the illuminance of the exposure light for curing the imprint material, etc. are exposed to the electric field, and using the reference mark It is possible to prevent the measurement or illuminance sensor from affecting the measurement result.

형 주변 부재(330a, 330b, 330c) 각각의 배치 및 역할에 대하여 설명한다. 형 주변 부재(330a)는 형(100)에 대하여 -X 방향으로 배치될 수 있다. 즉, 형 주변 부재(330a)는 평면에서 볼 때(+Z 방향으로부터 보았을 때의 도면), 형(100)으로부터 디스펜서(111)를 향한 방향과는 반대 방향으로 배치될 수 있다. 형 주변 부재(330a)의 길이 방향의 길이는, 형(100)의 패턴이 형성되어 있는 부분(100a)의 길이 방향보다도 긴 것이 바람직하다.The arrangement and role of each of the mold peripheral members 330a, 330b, and 330c will be described. The mold peripheral member 330a may be disposed in the -X direction with respect to the mold 100. That is, the mold peripheral member 330a may be disposed in a direction opposite to the direction from the mold 100 toward the dispenser 111 when viewed in a plan view (as viewed from the +Z direction). It is preferable that the length in the longitudinal direction of the mold peripheral member 330a is longer than the longitudinal direction of the portion 100a in which the pattern of the mold 100 is formed.

형 주변 부재(330a)는 도 6에 도시된 흐름도의 처리를 실행할 때에 사용된다. 도 15에 예시되는 바와 같이, 형 주변 부재(330a)는, 임프린트 처리에 있어서 형(100)이 기판(101) 및 기판 주변 부재(113)와 대향하는 영역을 포함하는 영역(320)과 대향한다. 형 주변 부재(330a)에 전술한 타이밍에 교류 전압을 포함하는 전압 V를 공급함으로써, 기판 주변 부재(113) 상에 약하게 부착되어 있는 파티클을 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈시킬 수 있다.The mold peripheral member 330a is used when performing the processing of the flowchart shown in FIG. As illustrated in FIG. 15, the mold peripheral member 330a faces an area 320 including an area where the mold 100 faces the substrate 101 and the substrate peripheral member 113 in the imprint process. . By supplying the voltage V including the alternating voltage to the mold peripheral member 330a at the above-described timing, particles weakly attached on the substrate peripheral member 113 can be released from the upper surface of the substrate peripheral member 113.

형 주변 부재(330b, 330c)는, 형(100)에 대하여 +X 방향측, 또한 형 주변 부재(330a)보다도 ±Y 방향측에 배치될 수 있다. 형 주변 부재(330b, 330c)는 도 7에 나타난 흐름도의 처리 시에 사용된다. 주변 부재(330b)를 사용하여 도 16에 나타난 영역(340), 형 주변 부재(330c)를 사용하여, 도 17에 나타난 영역(350)에 약하게 부착되어 있는 파티클을 기판 주변 부재(113)의 상면으로부터 이탈시킬 수 있다. 영역(320, 330, 350)을 합친 영역에서, 적어도 기판 주변 부재(113)의 상면에 부착되어 있는 파티클을 정기적으로 이탈시킴으로써, 의도하지 않은 타이밍에 형(100)으로 파티클이 끌어당겨져 패턴 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The mold peripheral members 330b and 330c can be disposed on the +X direction side with respect to the mold 100 and on the ±Y direction side of the mold peripheral members 330a. The mold peripheral members 330b and 330c are used in processing the flowchart shown in FIG. 7. The region 340 shown in FIG. 16 using the peripheral member 330b and the particle weakly attached to the region 350 shown in FIG. 17 using the molded peripheral member 330c are used to form the upper surface of the substrate peripheral member 113. You can deviate from. In the region where the regions 320, 330, and 350 are joined, at least the particles attached to the upper surface of the substrate peripheral member 113 are periodically released, thereby causing the particles to be pulled into the mold 100 at unintended timing to cause pattern defects. It can be prevented from occurring.

이하, 물품 제조 방법에 대하여 설명한다. 여기에서는, 일례로서, 물품으로서 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자 등)를 제조하는 물품 제조 방법을 설명한다. 물품 제조 방법은, 상술한 임프린트 장치를 사용하여 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름형 기판)에, 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 해당 제조 방법은, 패턴이 형성된 기판을 처리(예를 들어, 에칭)하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 패턴드 미디어(기록 매체)나 광학 소자 등의 다른 물품을 제조하는 경우에는, 해당 제조 방법은, 에칭 대신에 패턴이 형성된 기판을 가공하는 다른 처리를 포함할 수 있다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용의 적어도 하나에 있어서 유리하다.Hereinafter, an article manufacturing method will be described. Here, as an example, an article manufacturing method for manufacturing a device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) as an article will be described. The article manufacturing method includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate) using the above-described imprint apparatus. Further, the manufacturing method may include a step of processing (eg, etching) the substrate on which the pattern is formed. Further, in the case of manufacturing other articles such as patterned media (recording media) or optical elements, the manufacturing method may include other processing of processing the substrate on which the pattern is formed instead of etching. The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of performance, quality, productivity, and production cost of the article, compared to the conventional method.

본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것이 아니며, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈되지 않고, 각종 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 명백하게 하기 위해서, 이하의 청구항을 첨부한다.The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the following claims are appended to clarify the scope of the present invention.

본원은, 2016년 2월 29일자로 출원된 일본 특허 출원 제2016-037999호 및 2016년 11월 16일자로 출원된 일본 특허 출원 제2016-223348호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 그 기재 내용의 모두를 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2016-037999 filed on February 29, 2016 and Japanese Patent Application No. 2016-223348 filed on November 16, 2016, and describes We use all of contents here.

IMP: 임프린트 장치, 100: 형, 101: 기판, 102: 기판 척, 113: 기판 주변 부재, 150: 파티클, 161: 형 주변 부재, PS: 전원IMP: Imprint device, 100: type, 101: substrate, 102: substrate chuck, 113: substrate peripheral member, 150: particles, 161: type peripheral member, PS: power

Claims (18)

기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시킴으로써 해당 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
기판을 유지하는 기판 척과,
상기 기판 척의 주변에 배치된 기판 주변 부재와,
상기 기판 척 및 상기 기판 주변 부재를 지지하여 구동하는 기판 구동 기구와,
형을 유지하는 형 척과,
상기 형 척에 의해 유지되는 형의 주변에 배치된 형 주변 부재와,
상기 형 척 및 상기 형 주변 부재를 지지하는 형 지지부와,
상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 공급하는 전원
을 구비하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.It is an imprint device that forms a pattern on a substrate by contacting a mold to the substrate and curing the imprint material.
A substrate chuck holding the substrate,
A substrate peripheral member disposed around the substrate chuck,
A substrate driving mechanism for supporting and driving the substrate chuck and the substrate peripheral member;
Pretending to keep the older brother,
A mold peripheral member disposed around the mold held by the mold chuck,
A mold support portion supporting the mold chuck and the mold peripheral member,
A power supply for supplying a voltage including an alternating current component between the substrate peripheral member and the type peripheral member.
Imprint apparatus comprising a. 제1항에 있어서, 상기 전압은 복수의 펄스 전압을 포함하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The method of claim 1, wherein the voltage comprises a plurality of pulse voltage
Imprint apparatus characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 전압의 파형은 구형파, 삼각파, 사다리꼴파, 계단파 및 정현파의 적어도 하나를 포함하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The method of claim 1, wherein the waveform of the voltage includes at least one of a square wave, a triangular wave, a trapezoidal wave, a stepped wave and a sinusoidal wave.
Imprint apparatus characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 전압은 정 및 부의 어느 한쪽 극성을 갖는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The method of claim 1, wherein the voltage has a positive or negative polarity
Imprint apparatus characterized in that. 제4항에 있어서, 상기 전압의 극성은, 상기 기판과 상기 형 사이에 상기 형의 대전에 의해 형성되는 전계의 방향과 동일한 방향의 전계가 상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 형성되는 극성인
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.5. The polarity of claim 4, wherein the polarity of the voltage is such that an electric field in the same direction as the direction of an electric field formed by charging of the mold between the substrate and the mold is formed between the substrate peripheral member and the mold peripheral member. sign
Imprint apparatus characterized in that. 제5항에 있어서, 상기 전압의 절댓값의 최댓값은, 상기 형의 대전에 의해 형성되는 전계의 최대 강도보다도 강한 전계가 상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 형성되는 값인
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The maximum value of the absolute value of the voltage is a value in which an electric field stronger than the maximum strength of the electric field formed by charging of the mold is formed between the substrate peripheral member and the mold peripheral member.
Imprint apparatus characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 전원은 상기 기판 주변 부재 및 상기 형 주변 부재의 한쪽을 접지하고, 상기 기판 주변 부재 및 상기 형 주변 부재의 다른 쪽에 상기 전압을 공급하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The power supply of claim 1, wherein the power source grounds one of the substrate peripheral member and the mold peripheral member, and supplies the voltage to the other of the substrate peripheral member and the mold peripheral member.
Imprint apparatus characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 형 사이의 공간으로부터 그 공간의 외측으로 향하는 기류를 형성하는 기체를 공급하는 기체 공급부를 더 구비하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.According to claim 1, further comprising a gas supply unit for supplying a gas that forms an air flow toward the outside of the space from the space between the substrate and the mold
Imprint apparatus characterized in that. 제1항에 있어서, 기판 상에 임프린트재를 공급하는 공급부를 더 구비하고,
상기 전원은, 상기 공급부에 의해 상기 기판 상에 임프린트재가 공급되고 있는 동안에는, 상기 전압을 상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 공급하지 않는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The method of claim 1, further comprising a supply unit for supplying the imprint material on the substrate,
The power does not supply the voltage between the substrate peripheral member and the mold peripheral member while the imprint material is being supplied to the substrate by the supply unit.
Imprint apparatus characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 상기 전원에 의해 상기 전압이 공급된 상태에서, 상기 기판 상의 임프린트재에 상기 형을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시키고, 해당 임프린트재로부터 상기 형을 분리하는 동작이 이루어지는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.According to claim 1, In the state in which the voltage is supplied by the power between the substrate peripheral member and the mold peripheral member, by contacting the mold to the imprint material on the substrate to cure the imprint material, the imprint material The operation to separate the mold from
Imprint apparatus characterized in that. 제1항에 있어서, 메인터넌스가 종료된 후 또한 임프린트 처리가 재개될 때까지의 사이에, 상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 상기 전원에 의해 상기 전압이 공급되는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The voltage is supplied by the power supply between the substrate peripheral member and the mold peripheral member between the substrate peripheral member and the mold peripheral member until the imprint process is resumed.
Imprint apparatus characterized in that. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 척 및 상기 기판 주변 부재를 지지하여 구동하는 구동 기구를 더 구비하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.12. The method of any one of claims 1 to 11, further comprising a drive mechanism for supporting and driving the substrate chuck and the substrate peripheral member.
Imprint apparatus characterized in that. 기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시킴으로써 해당 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
기판을 유지하는 기판 척과,
상기 기판 척의 주변에 배치된 기판 주변 부재와,
형을 유지하는 형 척과,
상기 형 척에 의해 유지되는 형의 주변에 배치된 형 주변 부재와,
상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 공급하는 전원과,
상기 기판과 상기 형 사이의 공간으로부터 그 공간의 외측으로 향하는 기류를 형성하는 기체를 공급하는 기체 공급부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.It is an imprint device that forms a pattern on a substrate by contacting a mold to the substrate and curing the imprint material.
A substrate chuck holding the substrate,
A substrate peripheral member disposed around the substrate chuck,
Pretending to keep the older brother,
A mold peripheral member disposed around the mold held by the mold chuck,
A power supply supplying a voltage including an alternating current component between the substrate peripheral member and the type peripheral member,
Gas supply unit for supplying a gas that forms an air flow from the space between the substrate and the mold to the outside of the space
Imprint apparatus comprising a. 기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시킴으로써 해당 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
기판을 유지하는 기판 척과,
상기 기판 척의 주변에 배치된 기판 주변 부재와,
형을 유지하는 형 척과,
상기 형 척에 의해 유지되는 형의 주변에 배치된 형 주변 부재와,
상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 공급하는 전원을 구비하고,
상기 전압은 정 및 부의 어느 한쪽 극성을 가지며,
상기 전압의 극성은, 상기 기판과 상기 형 사이에 상기 형의 대전에 의해 형성되는 전계의 방향과 동일한 방향의 전계가 상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에 형성되는 극성인
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.It is an imprint device that forms a pattern on a substrate by contacting a mold to the substrate and curing the imprint material.
A substrate chuck holding the substrate,
A substrate peripheral member disposed around the substrate chuck,
Pretending to keep the older brother,
A mold peripheral member disposed around the mold held by the mold chuck,
And a power supply for supplying a voltage including an alternating current component between the substrate peripheral member and the type peripheral member,
The voltage has a positive or negative polarity,
The polarity of the voltage is a polarity in which an electric field in the same direction as the direction of the electric field formed by charging of the mold between the substrate and the mold is formed between the substrate peripheral member and the mold peripheral member.
Imprint apparatus characterized in that. 기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시켜 해당 임프린트재를 경화시킴으로써 해당 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 기판을 유지하는 기판 척 및 해당 기판 척의 주변에 배치된 기판 주변 부재를 지지하여 구동하는 기판 구동 기구와, 상기 형을 유지하는 형 척 및 해당 형 척의 주변에 배치된 형 주변 부재를 지지하는 형 지지부의 사이에 교류 성분을 포함하는 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.It is an imprint method of forming a pattern on a substrate by contacting a mold to the substrate and curing the imprint material.
A substrate driving mechanism for supporting and driving a substrate chuck holding the substrate and a substrate peripheral member disposed around the substrate chuck, and a mold supporting a mold chuck holding the mold and a mold peripheral member disposed around the mold chuck. An imprint method comprising supplying a voltage including an alternating current component between support portions. 제15항에 있어서, 상기 교류 성분을 포함하는 전압은, 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하지 않는 동안에 공급하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.16. The imprint method according to claim 15, wherein the voltage including the AC component is supplied while the imprint material is not supplied to the substrate. 제15항에 있어서, 메인터넌스가 종료된 후 또한 임프린트 처리가 재개될 때까지 동안에, 상기 기판 주변 부재와 상기 형 주변 부재 사이에, 상기 교류 성분을 포함하는 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The imprinting method according to claim 15, wherein a voltage including the alternating current component is supplied between the substrate peripheral member and the mold peripheral member, after maintenance is completed and until an imprint process is resumed. 물품 제조 방법이며,
제1항에 기재된 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.How to manufacture the goods,
The process of forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus of claim 1,
Process for processing the substrate on which the pattern is formed
The article manufacturing method comprising the.
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