KR102132981B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

액정 표시 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하고 액정을 포함하는 액정층, 상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 절연층을 사이에 두고 중첩하는 제2 전극 그리고 상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 배향막을 포함하고, 상기 제1 배향막은 광배향막을 포함하고, 상기 액정은 음의 유전율 이방성을 갖는다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치 표시 품질을 높이기 위하여, 높은 대비비(contrast ratio)와 우수한 광시야각, 빠른 응답 속도를 가질 수 있고, 압력 등과 같은 외부의 영향에 의해, 액정 분자의 배열이 흐트러짐에 따라 얼룩 등의 표시 품질 저하를 방지할 수 있는 액정 표시 장치를 구현하는 것이 필요하다.
액정의 종류에는 유전율 이방성이 양(+)인 액정과 유전율 이방성이 음(-)인 액정이 있다. 음의 유전율 이방성인 액정은 양의 유전율 이방성인 액정 대비하여 주변 액정의 퍼짐(splay) 각도가 작아 회전 탄성에너지가 크기 때문에 투과율이 상대적으로 높다.
하지만, 음의 유전율 이방성인 액정은 양의 유전율 이방성인 액정 대비하여 이온 불순물을 더 많이 포함하기 때문에 잔상이 심하다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 잔상이 개선된 액정 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하고 액정을 포함하는 액정층, 상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 절연층을 사이에 두고 중첩하는 제2 전극 그리고 상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 배향막을 포함하고, 상기 제1 배향막은 광배향막을 포함하고, 상기 액정은 음의 유전율 이방성을 갖는다.
상기 광배향막은 하기 화학식 (A)로 표현되는 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 및 하기 화학식 (B)로 표현되는 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나 그리고 상기 디아민(diamine)을 중합 반응하여 형성될 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00001
화학식 (A)
Figure 112014005226093-pat00002
화학식 (B)
상기 화학식 (B)에서 X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 수소, 불소 또는 유기 화합물이고, X1, X2, X3 및 X4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
상기 제1 배향막은 하기 화학식 (C), 하기 화학식 (D) 및 하기 화학식 (D)로 표현되는 반복단위 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00003
화학식 (C)
Figure 112014005226093-pat00004
화학식 (D)
Figure 112014005226093-pat00005
화학식 (E)
상기 화학식 (C), 상기 화학식 (D), 및 상기 화학식 (E)에서 X5, X6, X7, X8은 각각 디아민에서 2개의 아미노기(-NH2)에 결합된 몸체이고, A, B, C 및 D는 각각 유닛 1 또는 유닛 2이고, 상기 화학식 (D) 및 상기 화학식 (E)에서 X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 수소, 불소 또는 유기 화합물이고, X1, X2, X3 및 X4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
상기 제1 전극은 복수의 가지 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 면 형상(planar shape)을 가질 수 있다.
상기 복수의 가지 전극은 상기 면 형상의 제2 전극과 중첩할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터와 상기 제2 전극 사이에 위치하는 보호막을 더 포함하고, 상기 보호막과 상기 절연층을 관통하는 접촉 구멍에 의해 상기 박막 트랜지스터와 상기 제1 전극이 연결될 수 있다.
상기 액정은 하기 화학식 (1), 하기 화학식 (2), 하기 화학식 (3), 하기 화학식 (4), 하기 화학식 (5), 하기 화학식 (6), 화학식 (7), 하기 화학식 (8), 하기 화학식 (9), 하기 화학식 (10), 하기 화학식 (11), 및 하기 화학식 (12)로 각각 표현되는 제1 화합물, 제2 화합물, 제3 화합물, 제4 화합물, 제5 화합물, 제6 화합물, 제7 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 제10 화합물, 제11 화합물, 및 제12 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00006
화학식 (1)
Figure 112014005226093-pat00007
화학식 (2)
Figure 112014005226093-pat00008
화학식 (3)
Figure 112014005226093-pat00009
화학식 (4)
Figure 112014005226093-pat00010
화학식 (5)
Figure 112014005226093-pat00011
화학식 (6)
Figure 112014005226093-pat00012
화학식 (7)
Figure 112014005226093-pat00013
화학식 (8)
Figure 112014005226093-pat00014
화학식 (9)
Figure 112014005226093-pat00015
화학식 (10)
Figure 112014005226093-pat00016
화학식 (11)
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화학식 (12)
여기서, R 및 R'는 독립적으로 이중결합을 포함하는 알케닐기, 알킬기 또는 알콕시기이다.
상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제3 화합물, 상기 제4 화합물, 상기 제5 화합물, 상기 제6 화합물, 상기 제7 화합물, 및 상기 제8 화합물을 포함할 수 있다.
상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제2 화합물, 상기 제5 화합물, 상기 제7 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제9 화합물, 및 상기 제12 화합물을 포함할 수 있다.
상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제2 화합물, 상기 제3 화합물, 상기 제5 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제9 화합물, 및 상기 제10 화합물을 포함할 수 있다.
상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제3 화합물, 상기 제4 화합물, 상기 제5 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제9 화합물, 상기 제10 화합물, 및 상기 제12 화합물을 포함할 수 있다.
상기 액정은 하기 화학식 (1), 하기 화학식 (8), 하기 화학식 (13), 하기 화학식 (14), 하기 화학식 (15), 하기 화학식 (16), 화학식 (17), 하기 화학식 (18), 및 하기 화학식 (19)로 각각 표현되는 제1 화합물, 제8 화합물, 제13 화합물, 제14 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 제17 화합물, 제18 화합물, 및 제19 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00018
화학식 (1)
Figure 112014005226093-pat00019
화학식 (8)
Figure 112014005226093-pat00020
화학식 (13)
Figure 112014005226093-pat00021
화학식 (14)
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화학식 (15)
Figure 112014005226093-pat00023
화학식 (16)
Figure 112014005226093-pat00024
화학식 (17)
Figure 112014005226093-pat00025
화학식 (18)
Figure 112014005226093-pat00026
화학식 (19)
여기서, R 및 R'는 독립적으로 이중결합을 포함하는 알케닐기, 알킬기 또는 알콕시기이다.
상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제14 화합물, 상기 제15 화합물, 상기 제16 화합물, 및 상기 제17 화합물을 포함할 수 있다.
상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제13 화합물, 상기 제14 화합물, 상기 제15 화합물, 상기 제16 화합물 및 상기 제17 화합물을 포함할 수 있다.
상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제15 화합물, 상기 제16 화합물, 상기 제17 화합물, 상기 제18 화합물, 및 상기 제19 화합물을 포함할 수 있다.
상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제15 화합물, 상기 제16 화합물, 상기 제17 화합물, 상기 제18 화합물, 및 상기 제19 화합물을 포함할 수 있다.
상기 광배향막은 광분해 타입의 광배향막일 수 있다.
상기 제2 기판 위에 위치하는 제2 배향막을 더 포함하고, 상기 제2 배향막은 광배향막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 러빙 공정이 없는 광배향막을 사용하고, 광배향막과 조합하여 유효하게 작용할 수 있는 음의 유전율 이방성을 갖는 액정을 사용함으로써 액정 표시 장치의 잔상을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 자른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 배향막에서 폴리이미드가 분해되는 것을 나타내는 구조식이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 배향막에서 등방성에서 이방성으로 변화되는 과정을 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 잔상 수준을 비교예에 따른 액정 표시 장치의 잔상 수준과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 8a는 비교예에 따른 액정 표시 장치의 선잔상을 나타내는 사진이고, 도 8b는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 선잔상을 나타내는 사진이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "위"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)과 그 사이 주입되어 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 제1 기판(110) 위에 게이트선(121)을 포함하는 게이트 도전체가 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 전극(124) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 게이트선(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 게이트선(121)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트선(121) 위에는 규소 질화물(SiNx) 또는 규소 산화물(SiOx) 등으로 이루어지는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어진 반도체층(154)이 위치한다. 반도체층(154)은 산화물 반도체로 형성될 수도 있다.
반도체층(154) 위에는 저항성 접촉 부재(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 인(phosphorus) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 쌍을 이루어 반도체층(154) 위에 배치될 수 있다. 반도체층(154)이 산화물 반도체인 경우, 저항성 접촉 부재(163, 165)는 생략 가능하다.
저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171)과 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다. 데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다.
이 때, 데이터선(171)은 액정 표시 장치의 최대 투과율을 얻기 위해서 굽어진 형상을 갖는 굴곡부를 가질 수 있으며, 굴곡부는 화소 영역의 중간 영역에서 서로 만나 V자 형태를 이룰 수 있다.
소스 전극(173)은 데이터선(171)의 일부이고, 데이터선(171)과 동일선 상에 배치된다. 드레인 전극(175)은 소스 전극(173)과 나란하게 뻗도록 형성되어 있다. 따라서, 드레인 전극(175)은 데이터선(171)의 일부와 나란하다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층(154) 부분에 형성된다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 데이터선(171)과 동일선 상에 위치하는 소스 전극(173)과 데이터선(171)과 나란하게 뻗어 있는 드레인 전극(175)을 포함함으로써, 데이터 도전체가 차지하는 면적을 넓히지 않고도 박막 트랜지스터의 폭을 넓힐 수 있게 되고, 이에 따라 액정 표시 장치의 개구율이 증가할 수 있다.
데이터선(171)과 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다.
데이터 도전체(171, 173, 175), 게이트 절연막(140), 그리고 반도체(154)의 노출된 부분 위에는 제1 보호막(180a)이 배치되어 있다. 제1 보호막(180a)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질 등으로 이루어질 수 있다.
제1 보호막(180a) 위에는 제2 보호막(180b)이 형성되어 있다. 제2 보호막(180b)은 유기 절연물로 이루어질 수 있다.
제2 보호막(180b)은 색필터일 수 있다. 제2 보호막(180b)이 색필터인 경우, 제2 보호막(180b)은 기본색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시할 수 있으며, 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색 또는 황색(yellow), 청록색(cyan), 자홍색(magenta) 등을 들 수 있다. 도시하지는 않았지만, 색필터는 기본색 외에 기본색의 혼합색 또는 백색(white)을 표시하는 색필터를 더 포함할 수 있다. 제2 보호막(180b)이 색필터인 경우에는 후술한 상부 표시판(200)에서 색필터(230)는 생략할 수 있다. 본 실시예와 달리 제2 보호막(180b)은 유기 절연 물질로 형성하고, 제1 보호막(180a)과 제2 보호막(180b) 사이에 색필터(미도시)를 형성할 수도 있다.
제2 보호막(180b) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 면형(planar shape)으로서 기판(110) 전면 위에 통판으로 형성되어 있을 수 있고, 드레인 전극(175) 주변에 대응하는 영역에 배치되어 있는 개구부(138)를 가진다. 즉, 공통 전극(270)은 판 형태의 평면 형태를 가질 수 있다.
인접 화소에 위치하는 공통 전극(270)은 서로 연결되어, 표시 영역 외부에서 공급되는 일정한 크기의 공통 전압을 전달 받을 수 있다.
공통 전극(270) 위에는 절연막(180c)이 위치한다. 절연막(180c)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질 등으로 이루어질 수 있다.
절연막(180c) 위에는 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 데이터선(171)의 굴곡부와 거의 나란한 굴곡변(curved edge)을 포함한다. 화소 전극(191)은 복수의 절개부(91)를 가지며, 이웃하는 절개부(91)에 사이에 위치하는 복수의 가지 전극(192)을 포함한다.
화소 전극(191)은 제1 전기장 생성 전극 또는 제1 전극이고, 공통 전극(270)은 제2 전기장 생성 전극 또는 제2 전극이다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 프린지 필드 등을 형성할 수 있다.
제1 보호막(180a), 제2 보호막(180b), 그리고 절연막(180c)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 제1 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결되어, 드레인 전극(175)으로부터 전압을 인가 받는다.
화소 전극(191)과 절연층(180c) 위에는 제1 배향막(alignment layer)(11)이 형성되어 있다. 제1 배향막(11)은 광배향막을 포함한다.
본 실시예에서 제1 배향막(11)은 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 및 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나가 중합하여 형성된다. 예를 들어, 제1 배향막(11)은 하기 화학식 (A)로 표현되는 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 및 하기 화학식 (B)로 표현되는 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나와 디아민(diamine)을 중합 반응하여 형성할 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00027
화학식 (A)
Figure 112014005226093-pat00028
화학식 (B)
상기 화학식 (B)에서 X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 수소, 불소 또는 유기 화합물이고, X1, X2, X3 및 X4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
본 실시예에서 디아민(diamine)은 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,5-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 4,4′-디아미노비페닐, 3,3′-디메틸-4,4′-디아미노비페닐, 3,3′-디메톡시-4,4′-디아미노비페닐, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐에테르, 2,2′-디아미노디페닐프로판, 비스(3,5-디에틸4-아미노페닐)메탄, 디아미노디페닐술폰, 디아미노벤조페논, 디아미노나프탈렌, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4′-비스(4-아미노페녹시)디페닐술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등의 방향족 디아민, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 비스(4-아미노-3-메틸시클로헥실)메탄 등의 지환식 디아민 및 테트라메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 지방족 디아민 등일 수 있으나, 이에 특별히 한정되는 것은 아니다.
본 실시예에서 제1 배향막(11)은 하기 화학식 (C), 화학식 (D) 또는 화학식(E)로 표현되는 반복단위를 포함할 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00029
화학식 (C)
Figure 112014005226093-pat00030
화학식 (D)
Figure 112014005226093-pat00031
화학식 (E)
상기 화학식 (C), 상기 화학식 (D), 및 상기 화학식 (E)에서 X5, X6, X7, X8은 각각 디아민에서 2개의 아미노기(-NH2)에 결합된 몸체이고, A, B, C, D, E, 및 F는 각각 유닛 1 또는 유닛 2이고, 상기 화학식 (D) 및 상기 화학식 (E)에서 X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 수소, 불소 또는 유기 화합물이고, X1, X2, X3 및 X4 중 적어도 하나는 수소가 아닐 수 있다.
디아민은 하기 화학식 (F), 화학식 (G) 및 화학식 (H)로 표현되는 화합물 중 어느 하나일 수 있고, 이에 제한되지는 않는다. 화학식 (G)에서 X는 알킬 그룹(alkyl group), 화학식 (H)에서 X는 알킬렌 그룹(alkylene group) 또는 -S-, -CO-, -NH- 일 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00032
화학식 (F)
Figure 112014005226093-pat00033
화학식 (G)
Figure 112014005226093-pat00034
화학식 (H)
여기서, 배향막을 형성하는 방법을 설명하기로 한다.
화소 전극(191) 위에 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 및 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA) 유도체 중 적어도 하나와 디아민을 중합하여 형성된 광배향제를 도포한다. 이후, 도포된 광배향제를 베이크(bake)한다. 베이크하는 단계는 프리 베이크(pre bake)와 하드 베이크(hard bake)의 2 단계로 진행할 수 있다.
이후, 광배향제에 편광된 광을 조사하여 제1 배향막(11)을 형성할 수 있다. 이 때, 조사되는 광은 240 나노미터 이상 380 나노미터 이하의 범위를 갖는 자외선을 사용할 수 있다. 바람직하게는 254 나노미터의 자외선을 사용할 수 있다. 배향성을 증가시키기 위해 제1 배향막(11)을 한번 더 베이크(bake)할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 배향막에서 폴리이미드가 분해되는 것을 나타내는 구조식이다. 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 배향막에서 등방성에서 이방성으로 변화되는 과정을 도시한 도면이다.
도 3을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 베이크 공정을 통해 사이클로부탄디안하이드라이드(Cyclobutanedianhydride; CBDA)와 디아민(diamine)이 중합 반응하여 폴리이미드(Unit 1)를 형성하고, 폴리이미드를 UV 조사하면 말레이미드(Unit 1')를 형성한다.
도 4는 도 3에 도시한 폴리이미드(Unit 1)를 포함하는 고분자 주쇄가 편광된 UV 조사에 따라 분해되어 배향하는 것을 나타낸다. 도 4를 참고하면, 등방성 고분자 주쇄에 편광된 UV를 조사하면 편광 방향(흡수축 방향)으로 광분해가 일어나서 편광에 수직한 방향으로 광배향막은 배향될 수 있다. 여기서, 노광량이 너무 작으면 분해율이 작아 배향성이 저하될 수 있다. 반대로, 노광량이 너무 커지면 분해율이 커져 편광 방향뿐만 아니라 다른 방향으로도 분해가 일어나서 배향성이 저하될 수 있다.
그러면, 다시 도 1 및 도 2를 참고하여, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제2 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛샘을 막아준다.
제2 기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있다. 하부 표시판(100)의 제2 보호막(180b)이 색필터인 경우, 또는 하부 표시판(100)에 색필터를 형성한 경우에 상부 표시판(200)의 색필터(230)는 생략될 수 있다. 또한, 상부 표시판(200)의 차광 부재(220) 역시 하부 표시판(100)에 형성될 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 덮개막(250)은 생략할 수 있다.
덮개막(250) 위에는 제2 배향막(21)이 형성되어 있다. 제2 배향막(21)은 광반응 물질을 포함한다. 제2 배향막(21)은 앞에서 설명한 제1 배향막(11)과 동일한 물질 및 방법으로 형성할 수 있다.
본 실시예에서 액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지는 액정을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 실시예에 따른 액정은 하기 화학식 (1), 하기 화학식 (2), 하기 화학식 (3), 하기 화학식 (4), 하기 화학식 (5), 하기 화학식 (6), 화학식 (7), 하기 화학식 (8), 하기 화학식 (9), 하기 화학식 (10), 하기 화학식 (11), 및 하기 화학식 (12)로 각각 표현되는 제1 화합물, 제2 화합물, 제3 화합물, 제4 화합물, 제5 화합물, 제6 화합물, 제7 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 제10 화합물, 제11 화합물, 및 제12 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 싱글 A군일 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00035
화학식 (1)
Figure 112014005226093-pat00036
화학식 (2)
Figure 112014005226093-pat00037
화학식 (3)
Figure 112014005226093-pat00038
화학식 (4)
Figure 112014005226093-pat00039
화학식 (5)
Figure 112014005226093-pat00040
화학식 (6)
Figure 112014005226093-pat00041
화학식 (7)
Figure 112014005226093-pat00042
화학식 (8)
Figure 112014005226093-pat00043
화학식 (9)
Figure 112014005226093-pat00044
화학식 (10)
Figure 112014005226093-pat00045
화학식 (11)
Figure 112014005226093-pat00046
화학식 (12)
여기서, R 및 R'는 독립적으로 이중결합을 포함하는 알케닐기, 알킬기 또는 알콕시기이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 싱글 A군은 제1 화합물, 제3 화합물, 제4 화합물, 제5 화합물, 제6 화합물, 제7 화합물, 및 제8 화합물을 포함한다. 액정의 함량 전체를 100wt%라고 할 때, 제1 화합물, 제3 화합물, 제4 화합물, 제5 화합물, 제6 화합물, 제7 화합물, 및 제8 화합물의 합은 100wt%가 될 수 있다. 본 실시예에서 제1 화합물은 대략 37wt%, 제3 화합물은 대략 4wt%, 제4 화합물은 대략 7wt%, 제5 화합물은 대략 28wt%, 제6 화합물은 대략 6wt%, 제7 화합물은 대략 13wt%, 제8 화합물은 대략 5wt%의 함량을 가질 수 있다. 앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 34w%, 제3 화합물은 대략 4wt%, 제4 화합물은 대략 9wt%, 제5 화합물은 대략 30wt%, 제6 화합물은 대략 6wt%, 제7 화합물은 대략 13wt%, 제8 화합물은 대략 4wt%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 싱글 A군은 제1 화합물, 제2 화합물, 제5 화합물, 제7 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 및 제12 화합물을 포함한다. 액정의 함량 전체를 100wt%라고 할 때, 제1 화합물, 제2 화합물, 제5 화합물, 제7 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 및 제12 화합물의 합은 100wt%가 될 수 있다. 본 실시예에서 제1 화합물은 대략 34wt%, 제2 화합물은 대략 7wt%, 제5 화합물은 대략 6wt%, 제7 화합물은 대략 23wt%, 제8 화합물은 대략 7wt%, 제9 화합물은 대략 13wt%, 제12 화합물은 대략 10wt%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 싱글 A군은 제1 화합물, 제2 화합물, 제3 화합물, 제5 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 및 제10 화합물을 포함한다. 액정의 함량 전체를 100w%라고 할 때, 제1 화합물, 제2 화합물, 제3 화합물, 제5 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 및 제10 화합물의 합은 100wt%가 될 수 있다. 본 실시예에서 제1 화합물은 대략 35wt%, 제2 화합물은 대략 11wt%, 제3 화합물은 대략 13wt%, 제5 화합물은 대략 15wt%, 제8 화합물은 대략 8wt%, 제9 화합물은 대략 8wt%, 제10 화합물은 대략 10wt%의 함량을 가질 수 있다. 앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 35w%, 제2 화합물은 대략 9wt%, 제3 화합물은 대략 6wt%, 제5 화합물은 대략 23wt%, 제8 화합물은 대략 14wt%, 제9 화합물은 대략 11wt%, 제10 화합물은 대략 3wt%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 싱글 A군은 제1 화합물, 제3 화합물, 제4 화합물, 제5 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 제10 화합물 및 제12 화합물을 포함한다. 액정의 함량 전체를 100wt%라고 할 때, 제1 화합물, 제2 화합물, 제3 화합물, 제5 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 및 제10 화합물의 합은 100wt%가 될 수 있다. 본 실시예에서 제1 화합물은 대략 35wt%, 제3 화합물은 대략 9wt%, 제4 화합물은 대략 1wt%, 제5 화합물은 대략 23wt%, 제8 화합물은 대략 5wt%, 제9 화합물은 대략 13wt%, 제10 화합물은 대략 3wt%, 제12 화합물은 대략 11wt%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정은 하기 화학식 (1), 하기 화학식 (8), 하기 화학식 (13), 하기 화학식 (14), 하기 화학식 (15), 하기 화학식 (16), 화학식 (17), 하기 화학식 (18), 및 하기 화학식 (19)로 각각 표현되는 제1 화합물, 제8 화합물, 제13 화합물, 제14 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 제17 화합물, 제18 화합물, 및 제19 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 싱글 B군일 수 있다.
Figure 112014005226093-pat00047
화학식 (1)
Figure 112014005226093-pat00048
화학식 (8)
Figure 112014005226093-pat00049
화학식 (13)
Figure 112014005226093-pat00050
화학식 (14)
Figure 112014005226093-pat00051
화학식 (15)
Figure 112014005226093-pat00052
화학식 (16)
Figure 112014005226093-pat00053
화학식 (17)
Figure 112014005226093-pat00054
화학식 (18)
Figure 112014005226093-pat00055
화학식 (19)
여기서, R 및 R'는 독립적으로 이중결합을 포함하는 알케닐기, 알킬기 또는 알콕시기이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 싱글 B군은 제1 화합물, 제8 화합물, 제14 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 및 제17 화합물을 포함한다. 액정의 함량 전체를 100wt%라고 할 때, 제1 화합물, 제8 화합물, 제14 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 및 제17 화합물의 합은 100wt%가 될 수 있다. 본 실시예에서 제1 화합물은 대략 35.5wt%, 제8 화합물은 대략 0.5wt%, 제14 화합물은 대략 13wt%, 제15 화합물은 대략 10wt%, 제16 화합물은 대략 23wt%, 제17 화합물은 대략 18wt%의 함량을 가질 수 있다. 앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 34w%, 제8 화합물은 대략 3wt%, 제14 화합물은 대략 15wt%, 제15 화합물은 대략 8wt%, 제16 화합물은 대략 22wt%, 제17 화합물은 대략 18wt%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 싱글 B군은 제1 화합물, 제8 화합물, 제13 화합물, 제14 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물 및 제17 화합물을 포함한다. 액정의 함량 전체를 100wt%라고 할 때, 제1 화합물, 제8 화합물, 제13 화합물, 제14 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 및 제17 화합물의 합은 100wt%가 될 수 있다. 본 실시예에서 제1 화합물은 대략 26.5wt%, 제8 화합물은 대략 2.5wt%, 제13 화합물은 9wt%, 제14 화합물은 대략 10wt%, 제15 화합물은 대략 8wt%, 제16 화합물은 대략 26wt%, 제17 화합물은 대략 18wt%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 싱글 B군은 제1 화합물, 제8 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 제17 화합물, 제18 화합물 및 제19 화합물을 포함한다. 액정의 함량 전체를 100wt%라고 할 때, 제1 화합물, 제8 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 제17 화합물, 제18 화합물 및 제19 화합물의 합은 100wt%가 될 수 있다. 본 실시예에서 제1 화합물은 대략 38wt%, 제8 화합물은 대략 2wt%, 제15 화합물은 대략 12wt%, 제16 화합물은 대략 13wt%, 제17 화합물은 대략 18wt%, 제18 화합물은 대략 10wt%, 제19 화합물은 대략 7wt%의 함량을 가질 수 있다.
앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 33wt%, 제8 화합물은 대략 10.5wt%, 제15 화합물은 대략 15wt%, 제16 화합물은 대략 7wt%, 제17 화합물은 대략 18.5wt%, 제18 화합물은 대략 11wt%, 제19 화합물은 대략 5wt%의 함량을 가질 수 있다.
앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 34wt%, 제8 화합물은 대략 7wt%, 제15 화합물은 대략 15wt%, 제16 화합물은 대략 11.5wt%, 제17 화합물은 대략 20.5wt%, 제18 화합물은 대략 10wt%, 제19 화합물은 대략 2wt%의 함량을 가질 수 있다.
앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 34wt%, 제8 화합물은 대략 7wt%, 제15 화합물은 대략 15.5wt%, 제16 화합물은 대략 12wt%, 제17 화합물은 대략 19.5wt%, 제18 화합물은 대략 10wt%, 제19 화합물은 대략 2wt%의 함량을 가질 수 있다.
앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 33wt%, 제8 화합물은 대략 12wt%, 제15 화합물은 대략 10wt%, 제16 화합물은 대략 7.5wt%, 제17 화합물은 대략 20wt%, 제18 화합물은 대략 10wt%, 제19 화합물은 대략 7.5wt%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 싱글 B군은 제1 화합물, 제제15 화합물, 제16 화합물, 제17 화합물, 제18 화합물 및 제19 화합물을 포함한다. 액정의 함량 전체를 100wt%라고 할 때, 제1 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 제17 화합물, 제18 화합물 및 제19 화합물의 합은 100wt%가 될 수 있다. 본 실시예에서 제1 화합물은 대략 37.5wt%, 제15 화합물은 대략 13.5wt%, 제16 화합물은 대략 17wt%, 제17 화합물은 대략 18wt%, 제18 화합물은 대략 10wt%, 제19 화합물은 대략 4wt%의 함량을 가질 수 있다.
앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 39wt%, 제15 화합물은 대략 12wt%, 제16 화합물은 대략 13wt%, 제17 화합물은 대략 20wt%, 제18 화합물은 대략 10wt%, 제19 화합물은 대략 6wt%의 함량을 가질 수 있다.
앞의 동일한 조성에서 함량의 다른 실시예로, 제1 화합물은 대략 38wt%, 제15 화합물은 대략 11.5wt%, 제16 화합물은 대략 16wt%, 제17 화합물은 대략 20wt%, 제18 화합물은 대략 10wt%, 제19 화합물은 대략 4.5wt%의 함량을 가질 수 있다.
액정층(3)의 액정은 그 장축 방향이 표시판(100, 200)에 수직하게 또는 평행하게 배열될 수 있다.
화소 전극(191)은 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받고, 공통 전극(270)은 표시 영역 외부에 배치되어 있는 공통 전압 인가부로부터 일정한 크기의 공통 전압을 인가 받는다.
전기장 생성 전극인 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 전기장을 생성함으로써 두 전기장 생성 전극(191, 270) 위에 위치하는 액정층(3)의 액정은 전기장의 방향과 수직한 방향으로 회전할 수 있다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 회전 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 달라진다.
이처럼, 하나의 표시판(100) 위에 두 개의 전기장 생성 전극(191, 270)을 형성함으로써, 액정 표시 장치의 투과율을 높아지고, 광시야각을 구현할 수 있다.
도시한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 공통 전극(270)이 면형의 평면 형태를 가지고, 화소 전극(191)이 복수의 가지 전극을 가지지만, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 화소 전극(191)이 면형이 평면 형태를 가지고, 공통 전극(270)이 복수의 가지 전극을 가질 수도 있다.
본 발명은 두 개의 전기장 생성 전극이 제1 기판(110) 위에 절연층을 사이에 두고 중첩하며, 절연층 아래에 형성되어 있는 제1 전기장 생성 전극이 면형의 평면 형태를 가지고, 절연층 위에 형성되어 있는 제2 전기장 생성 전극이 복수의 가지 전극을 가지는 모든 다른 경우에 적용 가능하다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 잔상 수준을 비교예에 따른 액정 표시 장치의 잔상 수준과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 5 내지 도 7에서 비교에에 따른 액정 표시 장치는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치와 대체로 동일하지만, 광배향막 대신에 종래의 러빙 방법으로 배향막을 형성한 점에 차이가 있다.
도 5는 60Hz로 측정한 전압 보전율(VHR)을 나타내고, 도 6은 1Hz로 측정한 전압 보전율(VHR)을 나타낸다. 도 5를 참고하면, 비교예에서 전압 보전율은 99.74%이고, 실시예에서 전압 보전율은 99.85%이다. 도 6을 참고하면, 비교예에서 전압 보전율은 98.32%이고, 실시예에서 전압 보전율은 99.34%이다. 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는, 절연층을 사이에 두고 중첩하는 면형의 전기장 생성 전극과 선형의 전기장 생성 전극에 의한 액정 구동 방식인 PLS 모드이면서 음의 유전율 이방성을 갖는 액정을 적용할 뿐만 아니라, 광배향막을 포함한다. 러빙 방법으로 배향막을 형성한 비교예 대비하여 본 발명의 일실시예에서의 전압 보전율이 상승하는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 이온 불순물이 줄어든 것을 간접적으로 해석할 수 있다.
도 7은 음의 유전율 이방성을 갖는 액정을 사용한 PLS 모드에서 광배향막을 사용한 본 발명의 일실시예와 광배향막을 사용하지 않은 비교예에 따른 선잔상 발생 매수를 나타낸다.
도 7을 참고하면, 비교예의 경우에는 2.5시간(2.5hr) 경과시 5매 중에서 2매에서 선잔상이 발생하였지만, 본 발명의 일실시예에서는 6시간(6hr)이 경과하여도 선잔상이 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다.
도 8a는 비교예에 따른 액정 표시 장치의 선잔상을 나타내는 사진이고, 도 8b는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 선잔상을 나타내는 사진이다.
도 8a 및 도 8b를 참고할 때, 비교예 대비하여 본 발명의 일실시예에 따른 선잔상 정도가 약한 것을 눈으로 확인할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, PLS 모드에서 양의 유전율 이방성을 갖는 액정 대신에 음의 유전율 이방성을 갖는 액정을 사용함으로써 투과율을 개선할 수 있고, 이러한 기술에 광배향막 기술을 접목시킴으로써 음의 유전율 이방성이 이온 불순물을 많이 포함하기 때문에 발생할 수 있는 선잔상 문제를 개선할 수 있다. 본 명세서에서 제시된 액정 종류들은 본 명세서에서 설명한 광배향막 기술과 조합하여 잔상 개선 효과를 나타낸다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
154: 반도체층 163, 165: 저항성 접촉 부재
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180a, 180b, 180c: 보호막
191: 화소 전극 270: 공통 전극

Claims (18)

  1. 제1 기판,
    상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하고 액정을 포함하는 액정층,
    상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터에 연결되는 제1 전극,
    상기 제1 전극과 절연층을 사이에 두고 중첩하는 제2 전극 그리고
    상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 배향막을 포함하고,
    상기 제1 배향막은 광배향막을 포함하고, 상기 액정은 음의 유전율 이방성을 갖고,
    상기 제1 배향막은 하기 화학식 (E)로 표현되는 반복단위를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure 112020007686216-pat00091

    화학식 (E)
    (상기 (E)에서 X5, X6, X7, 은 각각 디아민에서 2개의 아미노기(-NH2)에 결합된 몸체 부분이고, A, B는 각각 유닛 1 또는 유닛 2이고, X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 수소, 불소 또는 유기 화합물이고, X1, X2, X3 및 X4 중 적어도 하나는 수소가 아니다).
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 복수의 가지 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 면 형상(planar shape)을 가지고 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 복수의 가지 전극은 상기 면 형상의 제2 전극과 중첩하는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 박막 트랜지스터와 상기 제2 전극 사이에 위치하는 보호막을 더 포함하고, 상기 보호막과 상기 절연층을 관통하는 접촉 구멍에 의해 상기 박막 트랜지스터와 상기 제1 전극이 연결되는 액정 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 액정은 하기 화학식 (1), 하기 화학식 (2), 하기 화학식 (3), 하기 화학식 (4), 하기 화학식 (5), 하기 화학식 (6), 화학식 (7), 하기 화학식 (8), 하기 화학식 (9), 하기 화학식 (10), 하기 화학식 (11), 및 하기 화학식 (12)로 각각 표현되는 제1 화합물, 제2 화합물, 제3 화합물, 제4 화합물, 제5 화합물, 제6 화합물, 제7 화합물, 제8 화합물, 제9 화합물, 제10 화합물, 제11 화합물, 및 제12 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure 112020007686216-pat00061
    화학식 (1)
    Figure 112020007686216-pat00062
    화학식 (2)
    Figure 112020007686216-pat00063
    화학식 (3)
    Figure 112020007686216-pat00064
    화학식 (4)
    Figure 112020007686216-pat00065
    화학식 (5)
    Figure 112020007686216-pat00066
    화학식 (6)
    Figure 112020007686216-pat00067
    화학식 (7)
    Figure 112020007686216-pat00068
    화학식 (8)
    Figure 112020007686216-pat00069
    화학식 (9)
    Figure 112020007686216-pat00070
    화학식 (10)
    Figure 112020007686216-pat00071
    화학식 (11)
    Figure 112020007686216-pat00072
    화학식 (12)
    (여기서, R 및 R'는 독립적으로 이중결합을 포함하는 알케닐기, 알킬기 또는 알콕시기이다).
  8. 제7항에서,
    상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제3 화합물, 상기 제4 화합물, 상기 제5 화합물, 상기 제6 화합물, 상기 제7 화합물, 및 상기 제8 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제2 화합물, 상기 제5 화합물, 상기 제7 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제9 화합물, 및 상기 제12 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제7항에서,
    상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제2 화합물, 상기 제3 화합물, 상기 제5 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제9 화합물, 및 상기 제10 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  11. 제7항에서,
    상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제3 화합물, 상기 제4 화합물, 상기 제5 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제9 화합물, 상기 제10 화합물, 및 상기 제12 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 액정은 하기 화학식 (1), 하기 화학식 (8), 하기 화학식 (13), 하기 화학식 (14), 하기 화학식 (15), 하기 화학식 (16), 화학식 (17), 하기 화학식 (18), 및 하기 화학식 (19)로 각각 표현되는 제1 화합물, 제8 화합물, 제13 화합물, 제14 화합물, 제15 화합물, 제16 화합물, 제17 화합물, 제18 화합물, 및 제19 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure 112020007686216-pat00073
    화학식 (1)
    Figure 112020007686216-pat00074
    화학식 (8)
    Figure 112020007686216-pat00075
    화학식 (13)
    Figure 112020007686216-pat00076
    화학식 (14)
    Figure 112020007686216-pat00077
    화학식 (15)
    Figure 112020007686216-pat00078
    화학식 (16)
    Figure 112020007686216-pat00079
    화학식 (17)
    Figure 112020007686216-pat00080
    화학식 (18)
    Figure 112020007686216-pat00081
    화학식 (19)
    (여기서, R 및 R'는 독립적으로 이중결합을 포함하는 알케닐기, 알킬기 또는 알콕시기이다).
  13. 제12항에서,
    상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제14 화합물, 상기 제15 화합물, 상기 제16 화합물, 및 상기 제17 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  14. 제12항에서,
    상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제13 화합물, 상기 제14 화합물, 상기 제15 화합물, 상기 제16 화합물 및 상기 제17 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  15. 제12항에서,
    상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제8 화합물, 상기 제15 화합물, 상기 제16 화합물, 상기 제17 화합물, 상기 제18 화합물, 및 상기 제19 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  16. 제12항에서,
    상기 액정은 상기 제1 화합물, 상기 제15 화합물, 상기 제16 화합물, 상기 제17 화합물, 상기 제18 화합물, 및 상기 제19 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  17. 제1항에서,
    상기 광배향막은 광분해 타입의 광배향막인 액정 표시 장치.
  18. 제1항에서,
    상기 제2 기판 위에 위치하는 제2 배향막을 더 포함하고, 상기 제2 배향막은 광배향막을 포함하는 액정 표시 장치.
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