KR102132909B1 - 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치 - Google Patents

슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치 Download PDF

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Abstract

슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치가 제공되며, 일측에 제 1 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region), 적어도 하나의 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 1 언테이퍼 영역(Untapered Region), 일측에 제 3 포트가 형성되어 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 2 테이퍼 영역을 포함한다.

Description

슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치{STANDARD FIELDS GENERATION CELL FOR EMC TESTING AND CALIBRATION USING SLIT STRUCTURE}
본 발명은 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치에 관한 것으로, 슬릿 구조를 이용하여 전자기파 진행 방향에 존재하는 불필요한 성분을 제거할 수 있는 장치에 관한 것이다.
최근 전기, 전자 및 정보화 기술의 급속한 발전으로 생활 속에서 많은 전자 기기가 존재한다. 이들 장비에서 발생하는 전자파는 인체에 장해를 일으킬 뿐 아니라, 전자기기 간에도 영향을 주기 때문에 오동작 또는 고장을 유발하기도 한다.
이때, 불필요한 전자파의 방출을 규제치 이하로 억제하고, 일정한 규제치의 전자파 환경 속에서 정상적인 동작을 할 수 있도록 내성을 강화시키는 표준전자파 발생장치의 개발이 활발하게 진행되고 있다. 표준전자파 발생장치와 관련하여, 선행기술인 제2013-0003369호(2013.01.09 공개)에는 TEM 셀의 테이퍼 영역이나 GTEM 셀 설계 및 성능 분석에 이용되도록, TEM 모드 분포를 모드 정합 기법을 이용하여 해석하는 알고리즘이 개시되어 있다.
다만, 표준전자파 발생장치를 제공함에 있어서, 불필요한 전계 성분을 제거하는 기술은 개시되어 있지 않다. 즉, 전자파의 진행 방향에 해당하는 불필요한 전계 성분이 크게 발생할 수 있으므로, TEM 모드 뿐만 아니라, 근역장 모드를 생성하는데 문제점이 발생하게 되는데, 이러한 문제점을 해결하기 위한 내용은 개시되어 있지 않다.
한국공개특허 제2013-0003369호(2013.01.09 공개)에는 "전자파 표준 발생장치의 해석 알고리즘 생성 장치 및 방법"이 개시되어 있다.
본 발명의 일 실시예는, TEM 셀의 상부 격벽과 하부 격벽에 슬릿을 형성함으로써, TEM 셀 내에서 발생할 수 있는 불필요한 전계 성분을 제거할 수 있는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치를 제공할 수 있다. 다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는, 일측에 제 1 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region), 적어도 하나의 제 1 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 1 언테이퍼 영역(Untapered Region), 및 일측에 제 3 포트가 형성되어 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 2 테이퍼 영역으로 형성되는 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 상부 격벽(Septum); 및 일측에 제 2 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 3 테이퍼 영역(Tapered Region), 적어도 하나의 제 2 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 2 언테이퍼 영역(Untapered Region) 및 일측에 제 4 포트가 형성되어 상기 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 4 테이퍼 영역으로 형성되는 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 하부 격벽(Septum)을 포함하고, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 포트는 서로 마주보는 위치에 형성되고, 상기 제 2 포트와 상기 제 4 포트는 서로 마주보는 위치에 형성된다.
이 때, 적어도 하나의 제 1 슬릿의 길이(Length)는 상기 제 1 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%일 수 있다.
이 때, 적어도 하나의 제 1 슬릿의 폭(Width)은 상기 제 1 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%일 수 있다.
이 때, 적어도 하나의 제 1 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.
이 때, 제 1 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파는 상기 제 1 포트로부터 제 3 포트 방향으로 진행하고, 상기 적어도 하나의 제 1 슬릿의 길이방향은 상기 제 1 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파와 수직되도록 형성될 수 있다.
이 때, 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 상부 격벽(Septum)을 형성할 수 있다.
이 때, 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역의 폭은 동일할 수 있다.
이 때, 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 하부 격벽(Septum)을 형성할 수 있다.
이 때, 적어도 하나의 제 2 슬릿의 길이(Length)는 상기 제 2 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%일 수 있다.
이 때, 적어도 하나의 제 2 슬릿의 폭(Width)은 상기 제 2 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%일 수 있다.
이 때, 적어도 하나의 제 2 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.
이 때, 제 3 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파는 상기 제 2 포트로부터 제 4 포트 방향으로 진행하고, 상기 적어도 하나의 제 2 슬릿의 길이방향은 상기 상기 제 3 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파와 수직되도록 형성될 수 있다.
이 때, 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은, 상기 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역과 대칭될 수 있다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 전자기파 진행 방향에 형성되는 불필요한 전계 성분을 제거함으로써, TEM 셀 내부의 전자파 분포를 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 정면도이다.
도 2는 도 1의 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 정단면도 및 측단면도이다.
도 3은 도 1의 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 상부 격벽 및 하부 격벽의 평면도이다.
도 4는 도 3의 상부 격벽 및 하부 격벽의 다른 일 실시예에 따른 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 전계강도를 도시한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 전계강도를 도시한 그래프이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 정면도이고, 도 2는 도 1의 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 정단면도 및 측단면도이다. 다만, 이러한 도 1 및 도 2의 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 본 발명의 일 실시예에 불과하므로, 도 1 및 도 2를 통해 본 발명이 한정 해석되는 것은 아니다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 전자파 적합성(Electro Magnetic Compatibility) 분야에서 사용되는 장치일 수 있다. 이때, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 2 개의 격벽(Septum)을 가지는 TEM(Transvers Electro Magnetic) 셀의 불필요한 전자파 분포 현상을 개선할 수 있는 장치일 수 있다. 또한, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 불필요한 전자파의 방출을 규제치 이하로 억제하고, 일정한 규제치의 전자파 환경 속에서 장해를 받지 않고, 정상적인 동작을 할 수 있도록 내성을 강화시키는 EMC 연구에 활용될 수 있다.
도 2를 참조하면, (a)는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 정면에 대한 단면도이고, (b)는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 측면에 대한 단면도이다. (a) 및 (b)를 참조하면, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는, 상부 격벽(Upper Septum, 100), 제 1 포트(110), 제 3 포트(130), 테스트 볼륨(300), 하부 격벽(Lower Septum, 200), 제 2 포트(220), 제 4 포트(240)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 포트(110)로부터 제 3 포트(130) 방향으로 전자기파가 출력되고, 제 2 포트(220)로부터 제 4 포트(240) 방향으로 전자기파가 출력될 수 있다. 2 개의 격벽(100, 200)을 가진 TEM 셀의 외부는 제로 포텐셜(Zero Potential)의 완전 도체로 이루어질 수 있다. 또한, TEM 셀의 내부는 상부 격벽(100) 및 하부 격벽(200) 도체가 휘지 않도록 형성될 수 있고, 급전 단자를 일정 거리 만큼 이격시켜 임피던스 정합이 용이하도록 구현될 수 있으며, Q 팩터가 높은 주파수 창을 발생시켜 사용 주파수 대역을 넓힐 수 있는 구조일 수 있다.
이때, 상부 격벽(100)과 하부 격벽(200)은 직선형 구조로 형성되므로, TEM 셀은 상부 격벽(100)과 하부 격벽(200) 사이에 TEM(Transverse Electro Magnetic) 평면파를 생성할 수 있다. 여기서, TEM 셀은 외부의 전파 환경에 무관하게 내성력 시험이 가능한 환경을 제공할 수 있고, 근역장(Near-Field) 발생이 가능한 장치일 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 상부 격벽 및 하부 격벽에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 도 1의 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 상부 격벽 및 하부 격벽의 평면도이고, 도 4는 도 3의 상부 격벽 및 하부 격벽의 다른 일 실시예에 따른 평면도이다.
도 3의 (a)를 참조하면, (a)는 슬릿을 이용한 표준 전자파 발생장치(1)의 상부 격벽(100)을 도시한다. 이때, 슬릿을 이용한 표준 전자파 발생장치(1)는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region), 제 1 언테이퍼 영역(Untapered Region) 및 제 2 테이퍼 영역을 포함한다.
제 1 테이퍼 영역은 제 1 포트(110)부터 제 1 언테이퍼 영역까지의 영역일 수 있다. 테이퍼라는 것은 서로 상대하는 양측면이 대칭적으로 경사가 져 있을 때의 용어로서, 어떤 부분에서 지름이 점점 작아지거나 커지고 있을 때 테이퍼가 되어 있다고 지칭한다. 따라서, 제 1 테이퍼 영역은 제 1 포트(110)로부터 지름이 점점 커지는 영역일 수 있다. 또한, 제 1 테이퍼 영역은 일측에 제 1 포트(110)가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 영역일 수 있다.
제 1 언테이퍼 영역은 서로 상대하는 양측면이 대칭적으로 경사가 져 있지 않은 영역일 수 있다. 제 1 언테이퍼 영역은 적어도 하나의 슬릿(150)이 홀(Hole)로 형성될 수 있다. 이때, 적어도 하나의 슬릿(150)의 길이(Wx)는 제 1 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%일 수 있다. 또한, 적어도 하나의 슬릿(150)의 폭(Wz)은 제 1 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%일 수 있다. 이때, 적어도 하나의 슬릿(150)의 길이 방향은 전자기파가 흐르는 방향과 수직되도록 형성될 수 있다. 여기서, 전자기파는 제 1 포트(110)로부터 제 2 포트(130) 방향으로 진행될 수 있다. 즉, 적어도 하나의 슬릿(150)의 길이 방향은 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 정면을 기준으로 후면 방향(x방향)일 수 있고, 적어도 하나의 슬릿(150)은 직사각형의 홀 형상으로 형성될 수 있다.
제 2 테이퍼 영역은 제 1 언테이퍼 영역으로부터 제 3 포트(130)까지의 영역일 수 있다. 또한, 제 2 테이퍼 영역은 일측에 제 3 포트(130)가 형성되어 제 1 포트(110)로부터 생성된 전자기파가 출력되는 영역일 수 있다.
여기서, 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 TEM 셀의 상부 격벽(100)을 형성할 수 있고, 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역의 폭은 동일할 수 있다.
(b)는 슬릿을 이용한 표준 전자파 발생장치(1)의 하부 격벽(200)을 도시한다. 이때, 슬릿을 이용한 표준 전자파 발생장치(1)는 제 3 테이퍼 영역(Tapered Region), 제 2 언테이퍼 영역(Untapered Region) 및 제 4 테이퍼 영역을 포함한다.
제 3 테이퍼 영역은 제 2 포트(220)부터 제 2 언테이퍼 영역까지의 영역일 수 있다. 이때, 제 3 테이퍼 영역은 제 2 포트(220)로부터 지름이 점점 커지는 영역일 수 있다. 또한, 제 3 테이퍼 영역은 일측에 제 2 포트(220)가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 영역일 수 있다.
제 2 언테이퍼 영역은 서로 상대하는 양측면이 대칭적으로 경사가 져 있지 않은 영역일 수 있다. 제 2 언테이퍼 영역은 적어도 하나의 슬릿(250)이 홀(Hole)로 형성될 수 있다. 이때, 적어도 하나의 슬릿(250)의 길이(Wx)는 제 2 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%일 수 있다. 또한, 적어도 하나의 슬릿(250)의 폭(Wz)은 제 1 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%일 수 있다. 이때, 적어도 하나의 슬릿(250)의 길이 방향은 전자기파가 흐르는 방향과 수직되도록 형성될 수 있다. 여기서, 전자기파는 제 1 포트(110)로부터 제 2 포트(130) 방향으로 진행될 수 있다. 즉, 적어도 하나의 슬릿(250)의 길이 방향은 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 정면을 기준으로 후면 방향(x방향)일 수 있고, 적어도 하나의 슬릿(250)은 직사각형의 홀 형상으로 형성될 수 있다.
제 4 테이퍼 영역은 제 2 언테이퍼 영역으로부터 제 4 포트(240)까지의 영역일 수 있다. 또한, 제 2 테이퍼 영역은 일측에 제 4 포트(240)가 형성되어 제 2 포트(220)로부터 생성된 전자기파가 출력되는 영역일 수 있다.
여기서, 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 TEM 셀의 하부 격벽(200)을 형성할 수 있고, 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역의 폭은 동일할 수 있다.
상부 격벽(100)과 하부 격벽(200)은 대칭 구조를 이룰 수 있고, 테스트 볼륨(300)을 기준으로 상부와 하부에 각각 위치할 수 있다.
도 4를 참조하면, (a)는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 상부 격벽(100)의 일 실시예를 도시하고, (b)는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 하부 격벽(200)의 일 실시예를 도시한다. (a)와 (b)는 대칭되는 구조로써 그 명칭만이 다를 뿐, 그 형상이나 구조는 동일하므로, (a)를 기준으로 설명하기로 한다.
(a)를 참조하면, 적어도 하나의 슬릿(150)은 일정 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 이때, 일정 간격(Wz_space)은 적어도 하나의 슬릿(150)의 폭(Wz)과 동일하거나 작을 수 있다. 또는, 일정 간격(Wz_space)은 적어도 하나의 슬릿(150)의 폭(Wz)과 동일하거나 클 수 있다. (a)에서는 슬릿(150)의 개수가 3 개(150(1), 150(2), 150(3))로만 도시되어 있으나, 이보다 더 적을 수도 있고, 이보다 더 많을 수도 있다. 슬릿의 개수(150)는, 진행 방향(z축)에 대한 불필요한 전계 필드(Ey)가 어느 정도로 형성이 되어 있는지에 따라 가감될 수 있다.
이때, TEM 모드는, 즉 전계(Electric Field)와 자계(Magnetic Field)가 수직한 방향으로 형성되고, 전자기파의 진행방향은 전계 및 자계와 모두 수직한 방향으로 진행되는 상태를 일컫는다. (a)의 전자기파의 진행방향은 z 축 방향이고, 전계는 y 축 방향으로 형성되고, 자계는 x 축 방향으로 형성된다. 이때, 전계가 x 축 방향이나 z 축 방향으로 형성되는 경우, 의도하지 않은 전계이므로 해당 필드 성분은 제거되어야 한다. 마찬가지로, 자계가 y 축 방향이나 z 축 방향으로 형성되는 경우, 이 역시 의도하지 않은 자계이므로, 해당 필드 성분은 제거되어야 한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 전자기파의 진행 방향에 해당하는 z 축 방향에, 불필요한 전계 강도(Electric Field Intensity) 성분이 발생하지 않도록 하고, TEM 모드와 근역장 모드를 불필요한 성분 없이 생성할 수 있도록 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 전계강도를 도시한 그래프이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 전계강도를 도시한 그래프이다.
도 5를 참조하면, 도 5는 주파수의 크기에 따른 y 축 방향의 전계 필드(Ey) 강도를 도시한다. 이때, y축 방향의 전계 필드(Ey)는 의도된 필드이므로, 슬릿의 존재 유무에 관계없이 Ey 필드 성분은 가능한 한 변하지 않는 것이 바람직하다. 이때, 도 5를 참조하면, Ey 필드 성분은 슬릿이 형성되지 않은 경우(No slit), 슬릿이 1 개 형성된 경우(1 Slit), 2 개 형성된 경우(2 Slit), 3 개 형성된 경우(3 Slit), 슬릿의 길이가 증가한 경우(1 Slit(Wx=400mm)) 모두 동일한 세기의 필드가 형성된 것을 알 수 있다.
도 6을 참조하면, 도 6은 주파수 크기에 따른 z 축 방향의 전계 필드(Ez) 강도를 도시한다. 이때, z 축 방향의 전계 필드(Ez)는 의도하지 않은 필드이므로, 슬릿이 존재할 경우 Ez 필드 성분은 제거되는 것이 바람직하다. 이때, 도 6을 참조하면, Ez 필드 성분은 0.15GHz를 기준으로 하였을 때, 슬릿이 형성되지 않은 경우(No Slit)와 길이가 400mm인 슬릿이 1 개 형성된 경우(1 Slit(Wx=400mm))를 비교하면, 약 4.1dBV/m의 차이를 보인다. 또한, 슬릿이 형성되지 않은 경우(No Slit) 보다 1 개라도 형성된 경우가 Ez 필드 성분이 낮은 것을 확인할 수 있다. 또한, 슬릿의 길이가 동일하다면, 슬릿의 개수가 많아질수록, 의도하지 않은 필드 성분은 더 많이 제거될 수 있으며, 슬릿의 개수가 동일하다면, 슬릿의 길이가 길어질수록, 의도하지 않은 필드 성분은 더 많이 제거되는 것을 알 수 있다.
또한, 0.15GHz를 기준으로 슬릿의 길이를 300mm, 350mm, 400mm로 형성한 경우, 슬릿을 형성하지 않은 경우보다 Ez 전계 강도는 약 1.9dBV/m, 3.3dBV/m, 5.3dBV/m 감소하는 것을 알 수 있다.
이와 같이 주파수를 각각 다르게 변경하였을 때의 Ez 필드 감소량을 정리하면 아래 표 1과 같다.
Figure 112013047605145-pat00001
본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치는, 표준전자파 발생장치로 사용하는 2 개의 격벽을 가진 TEM 셀의 단점 중 하나인 불필요한 진행 방향 성분을 줄일 수 있다. 또한, 슬릿 구조의 내부 격벽에 대한 CST 시뮬레이션을 통하여 원하는 필드 성분의 변화없이 불필요한 진행 방향 필드 성분을 감소시킬 수 있으며, TEM 셀 내부의 전자파 분포를 개선할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (14)

  1. 표준전자파 발생장치에 있어서,
    일측에 제 1 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region);
    적어도 하나의 제 1 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 1 언테이퍼 영역(Untapered Region); 및
    일측에 제 3 포트가 형성되어 상기 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 2 테이퍼 영역으로 형성되는 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 상부 격벽(Septum); 및
    일측에 제 2 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 3 테이퍼 영역(Tapered Region), 적어도 하나의 제 2 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 2 언테이퍼 영역(Untapered Region) 및 일측에 제 4 포트가 형성되어 상기 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 4 테이퍼 영역으로 형성되는 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 하부 격벽(Septum)
    을 포함하고,
    상기 제 1 포트와 상기 제 3 포트는 서로 마주보는 위치에 형성되고, 상기 제 2 포트와 상기 제 4 포트는 서로 마주보는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 1 슬릿의 길이(Length)는 상기 제 1 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 1 슬릿의 폭(Width)은 상기 제 1 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 1 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파는 상기 제 1 포트로부터 제 3 포트 방향으로 진행하고,
    상기 적어도 하나의 제 1 슬릿의 길이방향은 상기 제 1 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파와 수직되도록 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 상부 격벽(Septum)을 형성하는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역의 폭은 동일한 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 하부 격벽(Septum)을 형성하는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 2 슬릿의 길이(Length)는 상기 제 2 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 2 슬릿의 폭(Width)은 상기 제 2 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 2 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파는 상기 제 2 포트로부터 제 4 포트 방향으로 진행하고,
    상기 적어도 하나의 제 2 슬릿의 길이방향은 상기 제 3 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파와 수직되도록 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은, 상기 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역과 대칭되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109917217A (zh) * 2019-04-24 2019-06-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于电磁兼容标准测试的参数补偿方法、***及相关组件
CN111521892A (zh) * 2020-03-18 2020-08-11 江铃汽车股份有限公司 一种电动尾门控制***emc测试方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4312231A (en) * 1979-07-06 1982-01-26 Nippon Steel Corporation Apparatus for generating and detecting an electromagnetic ultrasonic wave
KR950011835A (ko) 1993-10-09 1995-05-16 정몽원 발진기를 이용한 차량용 배전기
KR100243090B1 (ko) 1997-11-29 2000-02-01 정선종 와이형티이엠셀
KR100289618B1 (ko) * 1998-09-29 2001-05-02 정선종 결합전송선로셀
US6900765B2 (en) * 2003-07-23 2005-05-31 The Boeing Company Method and apparatus for forming millimeter wave phased array antenna
US20050235814A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Roger Diebold Electromagnetic security system
KR20130003369A (ko) 2011-06-30 2013-01-09 한국전자통신연구원 전자파 표준 발생장치의 해석 알고리즘 생성 장치 및 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Generation of Standard EM Fields Using TEM Transmission Cells(MYRON L. CRAWFORD. 1974.11월)*
IEC/SC 77B의 전자파 방사 및 내성 테스트를 위한 4포트 TEM셀 연구 동향(최성웅, 전상봉, 박승근. 2012.1월)*

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