KR102131933B1 - Apparatus for atomic layer deposition and method for depositing atomic layer using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 원자층 증착 장치는, 기판에 원자층을 형성하기 위한 원자층 증착 장치에 있어서, 기판이 안착되며, 상기 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 상기 기판을 이송하는 기판 이송부; 및 상기 기판 이송부에 의하여 이송되는 상기 기판의 상방에 배치되며, 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 모듈과, 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 모듈과, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 사이에 배치되는 퍼지 가스 공급 모듈을 포함하는 가스 공급부; 및 상기 소스 가스 공급 모듈과 소스 가스 공급원을 연결하는 소스 가스 공급 파이프와, 상기 반응 가스 공급 모듈과 반응 가스 공급원을 연결하는 반응 가스 공급 파이프를 포함하는 가스 공급 파이프부;를 포함하고, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는, 상기 기판 이송부의 기판 이송 방향에 따라 기판에 대한 가스 공급 방향을 가변할 수 있는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus and an atomic layer deposition method using the same.
Atomic layer deposition apparatus according to the present invention, in the atomic layer deposition apparatus for forming an atomic layer on a substrate, the substrate is seated, the substrate in the first direction and the second direction different from the first direction and the substrate A substrate transfer unit for transferring; And a source gas supply module for supplying a source gas, a reaction gas supply module for supplying a reaction gas, and a source gas supply module for supplying a reaction gas, and the reaction gas supply module disposed above the substrate transferred by the substrate transfer unit. Gas supply unit including a purge gas supply module disposed in; And a gas supply pipe part including a source gas supply pipe connecting the source gas supply module and a source gas supply source, and a reaction gas supply pipe connecting the reaction gas supply module and the reaction gas supply source. At least one of the supply module and the reaction gas supply module is characterized in that the gas supply direction to the substrate can be varied according to the substrate transfer direction of the substrate transfer part.

Description

원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법{APPARATUS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND METHOD FOR DEPOSITING ATOMIC LAYER USING THE SAME}Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same{APPARATUS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND METHOD FOR DEPOSITING ATOMIC LAYER USING THE SAME}

본 발명은 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus and an atomic layer deposition method.

일반적으로, 반도체 기판이나 글라스 등의 기판 상에 소정 두께의박막을 증착하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등이 있다.In general, as a method of depositing a thin film having a predetermined thickness on a substrate such as a semiconductor substrate or glass, physical vapor deposition (PVD) using physical collision such as sputtering and chemistry using chemical reaction And vapor deposition (chemical vapor deposition, CVD).

최근, 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐에 따라 미세 패턴의 박막이 요구되고 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커지고 있어 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 원자층 증착 방법(atomic layer deposition: ALD)의 사용이 증대되고 있다.Recently, as the design rules of semiconductor devices are rapidly becoming fine, a thin film having a fine pattern is required, and the step in the region where the thin film is formed is also very large, so that a fine pattern having an atomic layer thickness can be formed very uniformly. In addition, the use of atomic layer deposition (ALD), which has excellent step coverage, is increasing.

이러한 원자층 증착 방법은 기체 분자들 간의 화학반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착 방법과 유사하다. 하지만, 통상의 CVD가 복수의 기체 분자들을 동시에 프로세스 챔버 내로 주입하여 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 것과 달리, 원자층 증착 방법은 하나의 소스 물질을 포함하는 가스를 프로세스 챔버 내로 주입하여 가열된 기판에 흡착시키고 이후 다른 소스 물질을 포함하는 가스를 프로세스 챔버에 주입함으로써 기판 표면에서 소스 물질 사이의 반응에 의한 생성물이 증착된다는 점에서 차이가 있다.This atomic layer deposition method is similar to a general chemical vapor deposition method in that it uses a chemical reaction between gas molecules. However, unlike conventional CVD to deposit a reaction product generated by injecting a plurality of gas molecules into a process chamber at the same time, the atomic layer deposition method injects a gas containing one source material into a process chamber and is heated. The difference is that the product by reaction between the source materials is deposited on the substrate surface by adsorbing to the substrate and then injecting a gas containing other source materials into the process chamber.

다만, 원자층 증착 공정에 의할 경우, 소스 가스와 반응 가스 간 반응성의 한계로 인하여, 증착 시간이 오래 걸리는 문제점이 있다.However, when using the atomic layer deposition process, due to a limitation in reactivity between the source gas and the reaction gas, there is a problem that the deposition time is long.

이에, 원자층 증착 공정에서 증착 시간을 감소시키기 위하여, 기판을 프로세스 챔버 내에서 이동시키며 각 증착 영역별로 소스 가스 또는 반응 가스를 공급하여 원자층 증착을 수행하는 공간 분할 방식 등의 원자층 증착 방법이 제안되고 있다.Accordingly, in order to reduce the deposition time in the atomic layer deposition process, atomic layer deposition methods such as a space division method in which atomic substrate deposition is performed by moving a substrate in a process chamber and supplying source gas or reactive gas for each deposition area Is being proposed.

대한민국 등록특허공보 제10-1407068호(2014.06.13)Republic of Korea Registered Patent Publication No. 10-1407068 (2014.06.13)

본 발명은 원자층 증착 성능을 향상시켜, 고품질의 원자층을 보다 빠르게 형성할 수 있는 원자층 증차 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법을 제공하고자 한다.The present invention is to improve the atomic layer deposition performance, to provide an atomic layer increasing apparatus capable of forming a high-quality atomic layer more quickly and an atomic layer deposition method using the same.

본 발명의 실시예의 일 측면에 따른 원자층 증착 장치는, 기판에 원자층을 형성하기 위한 원자층 증착 장치에 있어서, 기판이 안착되며, 상기 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 상기 기판을 이송하는 기판 이송부; 및 상기 기판 이송부에 의하여 이송되는 상기 기판의 상방에 배치되며, 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 모듈과, 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 모듈과, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 사이에 배치되는 퍼지 가스 공급 모듈을 포함하는 가스 공급부; 및 상기 소스 가스 공급 모듈과 소스 가스 공급원을 연결하는 소스 가스 공급 파이프와, 상기 반응 가스 공급 모듈과 반응 가스 공급원을 연결하는 반응 가스 공급 파이프를 포함하는 가스 공급 파이프부;를 포함하고, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는, 상기 기판 이송부의 기판 이송 방향에 따라 기판에 대한 가스 공급 방향을 가변할 수 있다.An atomic layer deposition apparatus according to an aspect of an embodiment of the present invention, in the atomic layer deposition apparatus for forming an atomic layer on a substrate, the substrate is seated, the substrate in a first direction and a second different from the first direction A substrate transfer unit transferring the substrate in a direction; And a source gas supply module for supplying a source gas, a reaction gas supply module for supplying a reaction gas, and a source gas supply module for supplying a reaction gas, and the reaction gas supply module disposed above the substrate transferred by the substrate transfer unit. Gas supply unit including a purge gas supply module disposed in; And a gas supply pipe part including a source gas supply pipe connecting the source gas supply module and a source gas supply source, and a reaction gas supply pipe connecting the reaction gas supply module and the reaction gas supply source. At least one of the supply module and the reaction gas supply module may vary the gas supply direction to the substrate according to the substrate transfer direction of the substrate transfer part.

또한, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는, 내부에 상기 소스 가스 공급 파이프 및 상기 반응 가스 공급 파이프 중 하나와 연결되는 제1 말단 가스 공급 유로 및 제2 말단 가스 공급 유로가 형성되는 가스 공급 노즐 몸체를 포함하고, 상기 제1 말단 가스 공급 유로는 상기 기판이 형성되는 평면과 직교하며 상기 가스 공급부로부터 상기 기판을 향하는 제3 방향에 대하여 기설정된 제1 공급 각도로 기울어지는 방향으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 기판에 대하여 공급하며, 상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로는 상기 기판의 이송 방향에 따라서 교번하여 활성화될 수 있다.In addition, at least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module has a first end gas supply passage and a second end gas supply passage connected to one of the source gas supply pipe and the reaction gas supply pipe therein. A gas supply nozzle body is formed, and the first end gas supply flow passage is orthogonal to a plane on which the substrate is formed and inclined at a first supply angle preset with respect to a third direction from the gas supply part toward the substrate. By supplying any one of the source gas and the reaction gas to the substrate, the first end gas supply flow path and the second end gas supply flow path may be alternately activated according to the transfer direction of the substrate.

또한, 상기 제2 말단 가스 공급 유로는, 상기 기판이 형성되는 평면과 직교하는 상기 제3 방향에 대하여 기설정된 제2 공급 각도로 기울어지는 방향으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 기판에 대하여 공급하고, 상기 제1 말단 가스 공급 유로에 의한 제1 가스 공급 방향은 상기 제1 방향과 나란한 제1 수평 공급 벡터 성분 및 상기 제3 방향과 나란한 제1 수직 공급 벡터 성분을 포함하고, 상기 제2 말단 가스 공급 유로에 의한 제2 가스 공급 방향은 상기 제2 방향과 나란한 제2 수평 공급 벡터 성분 및 제3 방향과 나란한 제2 수직 공급 벡터 성분을 포함하고, 상기 제1 수직 공급 벡터 성분 및 상기 제2 수직 공급 벡터 성분은 동일할 수 있다.In addition, the second end gas supply flow passage, either one of the source gas and the reaction gas to the substrate in a direction inclined at a predetermined second supply angle with respect to the third direction orthogonal to the plane on which the substrate is formed And the first gas supply direction by the first end gas supply flow path includes a first horizontal supply vector component parallel to the first direction and a first vertical supply vector component parallel to the third direction. The second gas supply direction by the two end gas supply flow paths includes a second horizontal supply vector component parallel to the second direction and a second vertical supply vector component parallel to the third direction, wherein the first vertical supply vector component and the The second vertical feed vector component may be the same.

또한, 상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로는, 상기 제1 공급 각도로 기울어지도록 형성되는 제1 노즐 유닛 및 상기 제2 공급 각도로 기울어지도록 형성되는 제2 노즐 유닛을 각각 포함할 수 있다.In addition, the first end gas supply flow path and the second end gas supply flow path each include a first nozzle unit formed to incline at the first supply angle and a second nozzle unit formed to incline at the second supply angle. It can contain.

또한, 상기 기판 이송부가 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송하는 경우, 상기 제2 말단 가스 공급 유로가 활성화되며, 상기 기판 이송부가 상기 기판을 제2 방향으로 이송하는 경우, 상기 제1 말단 가스 공급 유로가 활성화될 수 있다.In addition, when the substrate transfer unit transfers the substrate in the first direction, the second end gas supply flow path is activated, and when the substrate transfer unit transfers the substrate in the second direction, the first end gas supply The euro can be activated.

또한, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는, 상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로에 선택적으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 공급하기 위한 밸브 유닛부를 포함할 수 있다.Further, at least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module is configured to selectively supply any one of the source gas and the reaction gas to the first end gas supply flow path and the second end gas supply flow path. It may include a valve unit portion.

또한, 상기 밸브 유닛부는, 상기 제1 말단 가스 공급 유로 상에 배치되는 제1 말단밸브 유닛 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로 상에 배치되는 제2 말단 밸브 유닛을 포함할 수 있다.In addition, the valve unit unit may include a first end valve unit disposed on the first end gas supply flow path and a second end valve unit disposed on the second end gas supply flow path.

또한, 상기 밸브 유닛부는 상기 소스 가스 공급 파이프 및 상기 반응 가스 공급 파이프 중 어느 하나로부터 상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로가 분기되는 지점에 설치될 수 있다.In addition, the valve unit unit may be installed at a point where the first end gas supply flow path and the second end gas supply flow path branch from any one of the source gas supply pipe and the reaction gas supply pipe.

또한, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 어느 하나는, 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 공급하기 위한 말단 가스 공급 유로와, 상기 말단 가스 공급 유로를 사이에 두고 상호 이격되며, 상기 가스 공급부 및 상기 기판 사이의 잉여 가스를 외부로 배출시키기 위한 제1 배기 유로 및 제2 배기 유로를 포함하고, 상기 제1 배기 유로의 제1 배기 압력과 상기 제2 배기 유로의 제2 배기 압력은 상호 간에 독립적일 수 있다.In addition, at least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module is spaced apart from each other with an end gas supply flow path for supplying any one of the source gas and the reaction gas, and the end gas supply flow path therebetween. And a first exhaust flow path and a second exhaust flow path for discharging surplus gas between the gas supply part and the substrate to the outside, the first exhaust pressure of the first exhaust flow path and the second of the second exhaust flow path The exhaust pressure can be independent of each other.

또한, 상기 기판 이송부가 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송하는 경우, 상기 제2 배기 유로를 기준으로 상기 제1 방향으로 이격되어 배치되는 상기 제1 배기 유로에서 제공하는 상기 제1 배기 압력이 상기 제2 배기 유로에서 제공하는 상기 제2 배기 압력보다 크며, 상기 기판 이송부가 상기 기판을 상기 제2 방향으로 이송하는 경우, 상기 제2 배기 유로에서 제공하는 상기 제2 배기 압력이 상기 제1 배기 유로에서 제공하는 제1 배기 압력보다 작게 형성될 수 있다.In addition, when the substrate transfer part transfers the substrate in the first direction, the first exhaust pressure provided by the first exhaust flow path spaced apart in the first direction based on the second exhaust flow path is the When the second exhaust pressure is greater than the second exhaust pressure provided by the second exhaust channel, and the substrate transfer unit transfers the substrate in the second direction, the second exhaust pressure provided by the second exhaust channel is the first exhaust channel It may be formed smaller than the first exhaust pressure provided by.

또한, 상기 제1 배기 유로와 연결되는 제1 펌핑 모듈과, 상기 제2 배기 유로와 연결되는 제2 펌핑 모듈을 포함하는 펌핑 모듈부; 및 상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제1 배기 유로를 연결시키는 제1 배기 파이프 및 상기 제2 펌핑 모듈과 상기 제2 배기 유로를 연결시키는 제2 배기 파이프를 포함하는 배기 파이브부;를 더 포함하고, 상기 제1 펌핑 모듈은 상기 제1 배기 유로에 상기 제1 배기 압력을 제공하며, 상기 제2 펌핑 모듈은 상기 제2 배기 유로에 상기 제2 배기 압력을 제공하고, 상기 제1 펌핑 모듈 및 상기 제2 펌핑 모듈은 제1 배기 압력 및 상기 제2 배기 압력을 상기 기판의 이송 방향에 따라 가변하여 상기 제1 배기 유로 및 상기 제2 배기 유로에 제공할 수 있다.In addition, a pumping module unit including a first pumping module connected to the first exhaust channel and a second pumping module connected to the second exhaust channel; And an exhaust pipe part including a first exhaust pipe connecting the first pumping module and the first exhaust flow passage and a second exhaust pipe connecting the second pumping module and the second exhaust flow passage; The first pumping module provides the first exhaust pressure to the first exhaust passage, and the second pumping module provides the second exhaust pressure to the second exhaust passage, and the first pumping module and the first The 2 pumping module may vary the first exhaust pressure and the second exhaust pressure according to the transfer direction of the substrate and provide the first exhaust passage and the second exhaust passage.

또한, 상기 제1 배기 유로 및 상기 제2 배기 유로와 연결되는 제1 펌핑 모듈과, 상기 제1 배기 유로 및 상기 제2 배기 유로와 연결되는 제2 펌핑 모듈을 포함하는 펌핑 모듈부;와, 상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제1 배기 유로 사이에 배치되는 제1 가변 밸브 유닛과, 상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제2 배기 유로 사이에 배치되는 제2 가변 밸브 유닛과, 상기 제2 펌핑 모듈과 상기 제1 배기 유로 사이에 배치되는 제3 가변 밸브 유닛과, 상기 제2 펌핑 모듈과 상기 제2 배기 유로 사이에 배치되는 제4 가변 밸브 유닛을 포함하는 가변 밸브부;를 더 포함하고, 상기 제1 펌핑 모듈 및 상기 제2 펌핑 모듈에서 각각 제공하는 배기 압력은 가변 가능하지 않으며, 상기 제1 펌핑 모듈 및 상기 제2 펌핑 모듈 중 어느 하나의 펌핑 모듈의 상기 배기 압력은 다른 하나의 펌핑 모듈의 배기 압력보다 크게 형성되고, 상기 제1 가변 밸브 및 상기 제4 가변 밸브가 개방된 경우, 상기 제2 가변 밸브 및 상기 제3 가변 밸브가 폐쇄되고, 상기 제1 가변 밸브 및 상기 제4 가변 밸브가 폐쇄된 경우, 상기 제2 가변 밸브 및 상기 제3 가변 밸브는 개방될 수 있다.In addition, a pumping module unit including a first pumping module connected to the first exhaust channel and the second exhaust channel, and a second pumping module connected to the first exhaust channel and the second exhaust channel; and, A first variable valve unit disposed between the first pumping module and the first exhaust flow path, a second variable valve unit disposed between the first pumping module and the second exhaust flow path, the second pumping module and the A variable valve unit including a third variable valve unit disposed between the first exhaust flow path and a fourth variable valve unit disposed between the second pumping module and the second exhaust flow path; and further comprising the first The exhaust pressure provided by each of the pumping module and the second pumping module is not variable, and the exhaust pressure of any one of the first pumping module and the second pumping module is the exhaust pressure of the other pumping module If it is formed larger, and the first variable valve and the fourth variable valve are opened, the second variable valve and the third variable valve are closed, and the first variable valve and the fourth variable valve are closed. In this case, the second variable valve and the third variable valve may be opened.

또한, 상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제1 가변 밸브 및 상기 제2 가변 밸브 사이에는, 상기 제1 가변 밸브 또는 제2 가변 밸브를 거쳐 상기 제1 펌핑 모듈로 상기 반응 가스 및 상기 소스 가스의 응축을 억제하기 위한 제1 트랩부가 배치되며, 상기 제2 펌핑 모듈과 상기 제3 가변 밸브 및 상기 제4 가변 밸브 사이에는, 상기 제3 가변 밸브 또는 상기 제4 가변 밸브를 거쳐 상기 제2 펌핑 모듈로 유동되는 상기 반응 가스 및 상기 소스 가스의 응축을 억제하기 위한 제2 트랩부가 배치될 수 있다.Further, between the first pumping module and the first variable valve and the second variable valve, condensation of the reaction gas and the source gas to the first pumping module via the first variable valve or the second variable valve A first trap portion for suppression is disposed, and flows to the second pumping module through the third variable valve or the fourth variable valve between the second pumping module and the third variable valve and the fourth variable valve. A second trap portion for suppressing condensation of the reactant gas and the source gas may be disposed.

또한, 상기 소스 가스 공급 파이프 및 상기 반응 가스 파이프 중 적어도 하나에는, 상기 가스 공급부를 향하여 유동되는 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스에 전압을 제공하여 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스를 플라즈마화 시키기 위한 플라즈마 전극부가 마련되며, 상기 플라즈마 전극부는, 상기 소스 가스 공급 파이프 또는 상기 반응 가스 공급 파이프와 연결되는 제1 전극 및 상기 소스 가스 공급 파이프 또는 상기 반응 가스 공급 파이프 내에 마련되는 제2 전극을 포함할 수 있다.Further, at least one of the source gas supply pipe and the reaction gas pipe, a plasma electrode for supplying a voltage to the source gas or the reaction gas flowing toward the gas supply part to plasma the source gas or the reaction gas An additional portion may be provided, and the plasma electrode part may include a first electrode connected to the source gas supply pipe or the reaction gas supply pipe, and a second electrode provided in the source gas supply pipe or the reaction gas supply pipe.

또한, 상기 플라즈마 전극부의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나는 RF 발진기와 연결되며, 다른 하나는 접지 전극이며, 상기 제2 전극은, 상기 소스 가스 공급 파이프 또는 상기 반응 가스 공급 파이프 내에서 유동되는 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스의 유동 방향과 나란한 방향으로 연장 형성될 수 있다.In addition, one of the first electrode and the second electrode of the plasma electrode part is connected to an RF oscillator, the other is a ground electrode, and the second electrode is in the source gas supply pipe or the reaction gas supply pipe It may be formed extending in a direction parallel to the flow direction of the source gas or the reaction gas flowing in.

본 발명의 실시예의 다른 측면에 따른 원자층 증착 장치는, 기판에 원자층을 형성하기 위한 원자층 증착 장치에 있어서, 기판이 안착되며, 상기 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 상기 기판을 이송하는 기판 이송부; 및 상기 기판 이송부에 의하여 이송되는 상기 기판의 상방에 배치되며, 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 모듈과, 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 모듈과, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 사이에 배치되는 퍼지 가스 공급 모듈을 포함하는 가스 공급부; 및 상기 소스 가스 공급 모듈과 소스 가스 공급원을 연결하는 소스 가스 공급 파이프와, 상기 반응 가스 공급 모듈과 반응 가스 공급원을 연결하는 반응 가스 공급 파이프를 포함하는 가스 공급 파이프부;를 포함하고,상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 어느 하나는, 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 공급하기 위한 말단 가스 공급 유로와, 상기 말단 가스 공급 유로를 사이에 두고 상호 이격되며, 상기 가스 공급부 및 상기 기판 사이의 잉여 가스를 외부로 배출시키기 위한 제1 배기 유로 및 제2 배기 유로를 포함하고, 상기 제1 배기 유로의 제1 배기 압력과 상기 제2 배기 유로의 제2 배기 압력은 상호 간에 독립적이다.An atomic layer deposition apparatus according to another aspect of an embodiment of the present invention, in the atomic layer deposition apparatus for forming an atomic layer on a substrate, the substrate is seated, the substrate in a first direction and a second different from the first direction A substrate transfer unit transferring the substrate in a direction; And a source gas supply module for supplying a source gas, a reaction gas supply module for supplying a reaction gas, and a source gas supply module for supplying a reaction gas, and the reaction gas supply module disposed above the substrate transferred by the substrate transfer unit. Gas supply unit including a purge gas supply module disposed in; And a gas supply pipe part including a source gas supply pipe connecting the source gas supply module and a source gas supply source, and a reaction gas supply pipe connecting the reaction gas supply module and the reaction gas supply source. At least one of the supply module and the reaction gas supply module is spaced apart from each other with an end gas supply flow path for supplying any one of the source gas and the reaction gas, and the end gas supply flow path therebetween. And a first exhaust flow path and a second exhaust flow path for discharging the surplus gas between the substrates to the outside, wherein the first exhaust pressure of the first exhaust flow path and the second exhaust pressure of the second exhaust flow path are mutually mutual. Is independent.

또한, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는, 내부에 상기 소스 가스 공급 파이프 및 상기 반응 가스 공급 파이프 중 하나와 연결되는 상기 말단 가스 공급 유로가 형성되는 가스 공급 노즐 몸체를 포함하고, 상기 말단 가스 공급 유로는, 제1 말단 가스 공급 유로 및 제2 말단 가스 공급 유로를 포함하고, 상기 제1 말단 가스 공급 유로는 상기 기판이 형성되는 평면과 직교하며 상기 가스 공급부로부터 상기 기판을 향하는 제3 방향에 대하여 기설정된 제1 공급 각도로 기울어지는 방향으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 기판에 대하여 공급하며, 상기 제2 말단 가스 공급 유로는, 상기 기판이 형성되는 평면과 직교하는 상기 제3 방향에 대하여 기설정된 제2 공급 각도로 기울어지는 방향으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 기판에 대하여 공급하고, 상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로는 상기 기판의 이송 방향에 따라서 교번하여 활성화될 수 있다.In addition, at least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module includes a gas supply nozzle body in which the end gas supply flow path connected to one of the source gas supply pipe and the reaction gas supply pipe is formed. And, the end gas supply flow path includes a first end gas supply flow path and a second end gas supply flow path, and the first end gas supply flow path is orthogonal to a plane on which the substrate is formed, and the substrate is supplied from the gas supply unit. Any one of the source gas and the reaction gas is supplied to the substrate in a direction inclined at a predetermined first supply angle with respect to the third direction to the substrate, and the second end gas supply flow passage includes a plane on which the substrate is formed. Supplying any one of the source gas and the reaction gas to a substrate in a direction inclined at a second supply angle preset with respect to the orthogonal third direction, and supplying the first end gas supply flow path and the second end gas The flow path may be activated alternately according to the transfer direction of the substrate.

본 발명의 실시예의 또 다른 측면에 따른 원자층 증착 방법은, 원자층 증착 장치를 이용하여 기판에 원자층을 증착시키는 원자층 증착 방법에 있어서, 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 이송시키기 위한 기판 이송부에 장착시키는 기판 장착 단계; 상기 기판이 상기 기판 이송부에 장착된 상태에서, 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송하면서 상기 기판에 대하여 원자층을 형성하는 제1 증착 모드 단계; 및 상기 기판이 상기 기판 이송부에 장착된 상태에서, 상기 기판을 상기 제2 방향으로 이송하면서, 상기 기판에 대하여 원자층을 형성하는 제2 증착 모드 단계;를 포함하고, 상기 기판에 대하여 반응 가스 또는 소스 가스를 공급하기 위한 가스 공급 모듈과 상기 기판 사이에 형성되는 증착 영역에서, 상기 증착 영역의 중심을 기준으로 상기 제1 방향에 위치되며 잔여 가스를 배기시키는 제1 배기 영역의 제1 배기 압력과 상기 증착 영역의 상기 기준을 중심으로 상기 제2 방향에 위치되는 제2 배기 영역의 제2 배기 압력을 서로 다르게 형성된다.An atomic layer deposition method according to another aspect of an embodiment of the present invention, in the atomic layer deposition method for depositing an atomic layer on a substrate using an atomic layer deposition apparatus, the substrate in a first direction and the first different from the first direction A substrate mounting step of mounting on a substrate transfer unit for transferring in two directions; A first deposition mode step of forming an atomic layer with respect to the substrate while transferring the substrate in the first direction while the substrate is mounted on the substrate transfer unit; And a second deposition mode step of forming an atomic layer with respect to the substrate while transferring the substrate in the second direction while the substrate is mounted on the substrate transfer unit. In a deposition region formed between a gas supply module for supplying a source gas and the substrate, a first exhaust pressure of a first exhaust region located in the first direction based on the center of the deposition region and exhausting residual gas and The second exhaust pressure of the second exhaust region positioned in the second direction is formed differently based on the reference of the deposition region.

또한, 상기 제1 증착 모드 단계에서, 상기 제2 배기 압력은 상기 제1 배기 압력보다 크며, 상기 제2 증착 모드 단계에서, 상기 제2 배기 압력은 상기 제1 배기 압력보다 작을 수 있다.Further, in the first deposition mode step, the second exhaust pressure may be greater than the first exhaust pressure, and in the second deposition mode step, the second exhaust pressure may be less than the first exhaust pressure.

또한, 상기 제2 증착 모드 단계에서, 상기 가스 공급 모듈은, 상기 기판을 향하여 수직한 방향인 제3 방향과 나란한 제1 수직 공급 벡터 성분과 상기 제1 방향과 나란한 제1 수평 공급 벡터 성분을 갖는 제1 가스 공급 방향으로 상기 기판에 대하여 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스를 공급하고, 상기 제1 증착 모드 단계에서, 상기 가스 공급 모듈은, 상기 제1 수직 공급 벡터 성분과 상기 제2 방향과 나란한 제2 수평 공급 벡터 성분을 갖는 제2 가스 공급 방향으로 상기 기판에 대하여 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스를 공급할 수 있다.Further, in the second deposition mode step, the gas supply module has a first vertical supply vector component parallel to the third direction, which is a vertical direction toward the substrate, and a first horizontal supply vector component parallel to the first direction. Supplying the source gas or the reaction gas to the substrate in a first gas supply direction, and in the first deposition mode step, the gas supply module comprises: a first parallel supply vector component and a second parallel to the second direction The source gas or the reaction gas may be supplied to the substrate in a second gas supply direction having two horizontal supply vector components.

제안되는 실시예에 의하면, 고품질의 원자층을 보다 신속하게 형성할 수 있다.According to the proposed embodiment, a high-quality atomic layer can be formed more quickly.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 원자층 증착 장치가 제1 증착 모드로 동작되는 과정에서, 원자층 증착 장치의 II 부분을 확대한 도면이다.
도 3은 도 1의 원자층 증착 장치에 의하여 원자층이 형성되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 원자층 증착 장치가 제2 증착 모드로 동작되는 과정에서, 원자층 증착 장치의 II 부분을 확대한 도면이다.
도 5는 도 1의 원자층 증착 장치의 가스 공급 파이프의 내부를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 1의 원자층 증착 장치를 이용한 원자층 증착 방법을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 원자층 증착 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of part II of the atomic layer deposition device in the process of operating the atomic layer deposition device of FIG. 1 in a first deposition mode.
3 is a view showing a process of forming an atomic layer by the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1.
FIG. 4 is an enlarged view of part II of the atomic layer deposition device in the process of operating the atomic layer deposition device of FIG. 1 in a second deposition mode.
5 is a view showing the interior of the gas supply pipe of the atomic layer deposition apparatus of Figure 1;
6 is a view illustrating an atomic layer deposition method using the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1.
7 is a view showing an atomic layer deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다. 또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts not related to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and the same reference numerals are attached to the same or similar elements throughout the specification. In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to what is illustrated.

본 발명에 있어서 "~상에"라 함은 대상부재의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력방향을 기준으로 상부에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다. 또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한 본 명세서에서 "부(部")란 하드웨어에 의해 실현되는 유닛, 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 또는 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1개의 유닛이 2개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현될 수 있으며, 2개 이상의 유닛이 1개의 하드웨어에 의해 실현될 수 있다.In the present invention, "~ on" means that it is located above or below the target member, and does not necessarily mean that it is located above the gravity direction. Also, in the specification, when a part “includes” a certain component, it means that the component may further include other components, not to exclude other components, unless otherwise stated. In addition, in this specification, a "unit" includes a unit realized by hardware, a unit realized by software, or a unit realized by using both. Further, one unit can be realized using two or more hardware, and two or more units can be realized by one hardware.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치를 보여주는 도면이며, 도 2는 도 1의 원자층 증착 장치가 제1 증착 모드로 동작되는 과정에서, 원자층 증착 장치의 II 부분을 확대한 도면이며, 도 3은 도 1의 원자층 증착 장치에 의하여 원자층이 형성되는 과정을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 4는 도 1의 원자층 증착 장치가 제2 증착 모드로 동작되는 과정에서, 원자층 증착 장치의 II 부분을 확대한 도면이며, 도 5는 도 1의 원자층 증착 장치의 가스 공급 파이프의 내부를 보여주는 도면이다.1 is a view showing an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is an atomic layer deposition apparatus of Figure 1 in the process of operating in the first deposition mode, the enlarged portion II of the atomic layer deposition apparatus 3 is a view showing a process of forming an atomic layer by the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1. And, FIG. 4 is an enlarged view of part II of the atomic layer deposition apparatus in the process of operating the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1 in a second deposition mode, and FIG. 5 is a gas supply pipe of the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1 It is a drawing showing the interior of.

먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)는, 기판 이송부(100)와, 가스 공급부(210 ~ 230, 310, 320, 410 ~ 460)와, 가스 공급원(110, 120, 130)과, 가스 공급 파이프부(510, 520, 530)와, 복수의 펌핑 모듈(610, 620, 630, 640)과, 복수의 트랩부(710, 720, 730, 740)를 포함한다.First, referring to Figure 1, the atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, the substrate transfer unit 100, the gas supply unit (210 ~ 230, 310, 320, 410 ~ 460), a gas supply source (110, 120, 130), gas supply pipe portion (510, 520, 530), a plurality of pumping modules (610, 620, 630, 640), and a plurality of trap portions (710, 720, 730, 740) It includes.

본 실시예에 따른 원자층 증착 장비 가스 모듈은 다양한 박막층을 형성할 수 있으며, 예시적으로 금속 박막층, 산화물 박막층, 질화물 박막층, 탄화물 박막층, 황화물 박막층 중 적어도 하나의 박막층을 형성할 수 있다.The atomic layer deposition equipment gas module according to the present embodiment may form various thin film layers, for example, at least one thin film layer of a metal thin film layer, an oxide thin film layer, a nitride thin film layer, a carbide thin film layer, and a sulfide thin film layer.

보다 상세히, 원자층 증착 장치(1)는, 내부에 형성되는 프로세스 챔버 내에서, 기판(S)이 기판 이송부(100)에 안착된 상태에서, 제1 방향(D1) 또는 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 이동되며, 기판(S)의 상방에 배치되는 가스 공급부(210 ~ 230, 310, 320, 410 ~ 460)에서 소스 가스(gs), 반응 가스(gr) 및 퍼지 가스(gs)을 각각 분사하여, 해당 위치에 형성되는 각각의 증착 영역에서 기판(S)에 소스 물질 및 반응 물질이 각각 증착되도록 하는 공간 분할 타입의 원자층 증착 장치이다.In more detail, the atomic layer deposition apparatus 1, in a process chamber formed therein, in a state where the substrate S is seated on the substrate transfer unit 100, the first direction D 1 or the first direction D The source gas (g s ), the reaction gas (from the gas supply units 210 to 230, 310, 320, 410 to 460) which are moved in a second direction D 2 different from 1 ) and disposed above the substrate S g r ) and a purge gas (g s ) are injected, respectively, so that a source material and a reactive material are respectively deposited on the substrate S in each deposition region formed at a corresponding location.

제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)은 예시적으로 서로 반대되는 방향일 수 있으며, 원자층 증착 장치(1)는 내부를 선형으로 움직이는 기판(S)에 대하여 원자층을 형성할 수 있다. 이때, 원자층 증착 장치(1) 내부의 상기 프로세스 챔버는, 대기압 보다 낮은 기압을 갖는 진공 원자층 증착 장치이거나, 대기압과 동일 또는 유사한 압력을 갖는 상압 원자층 증착 장치일 수 있다.The first direction D 1 and the second direction D 2 may be, for example, opposite directions to each other, and the atomic layer deposition apparatus 1 forms an atomic layer with respect to the substrate S moving linearly inside. can do. In this case, the process chamber inside the atomic layer deposition apparatus 1 may be a vacuum atomic layer deposition apparatus having an atmospheric pressure lower than atmospheric pressure, or an atmospheric pressure atomic layer deposition apparatus having a pressure equal to or similar to atmospheric pressure.

본 실시예와 같이, 공간 분할 타입의 원자층 증착 장치(1)의 경우, 소스 가스(gs)가 증착되는 상기 증착 영역과 반응 가스(gr)가 증착되는 상기 증착 영역 사이에는, 소스 가스(gs) 및 반응 가스(gr)가 상호 간에 혼합되는 것을 방지하기 위한 퍼지 가스(gp)가 공급된다.As in the present embodiment, in the case of the atomic layer deposition apparatus 1 of the spatial division type, a source gas is provided between the deposition region where the source gas g s is deposited and the deposition region where the reaction gas g r is deposited. A purge gas (g p ) for preventing (g s ) and reaction gas (g r ) from mixing with each other is supplied.

예시적으로, 금속 박막층을 형성하기 위한, 소스 가스(gs)는, TMA(TriMethyl Aluminium), TEA(Tri Ethyl Aluminium) 및 DMACl(Di Methyl Aluminum Chloride) 중 하나이고, 반응 가스(gr)는, 산소 가스 및 오존 가스 중 하나일 수 있다. 이때 퍼지 가스(gp)는, 아르곤(Ar)이나 질소(N2), 헬륨(He) 중 어느 하나의 가스 또는 둘 이상 혼합된 가스가 사용될 수 있다. 또한, 실리콘 박막층을 형성하기 위한, 소스 가스(gs)는, 리콘을 포함하는 실란(Silane, SiH4), 디실란(Disilane, Si2H6) 및 사불화 실리콘(SiF4) 중 하나일 수 있고, 반응 가스(gr)는, 산소 가스 및 오존 가스 중 하나일 수 있다. 이 때 퍼지 가스는, 아르곤(Ar)이나 질소(N2), 헬륨(He) 중 어느 하나의 가스 또는 둘 이상 혼합된 가스가 사용될 수 있다. 이 때, 소스 가스(gs), 퍼지 가스(gp), 반응 가스(gr)는 상기 예시에 한정되는 것은 아니며 당업자의 요구에 따라 변경될 수 있다.For example, the source gas (g s ) for forming a metal thin film layer is one of TriMethyl Aluminum (TMA), Tri Ethyl Aluminum (TEA) and Di Methyl Aluminum Chloride (DMACl), and the reaction gas (g r ) is , Oxygen gas and ozone gas. At this time, the purge gas (g p ), argon (Ar), nitrogen (N2), helium (He) any one gas or a mixture of two or more gases may be used. In addition, for forming the silicon thin film layer, the source gas (g s ) may be one of silane (Silane, SiH4), disilane (Disilane, Si2H6), and silicon tetrafluoride (SiF4) containing recon, and a reaction gas (g r ) may be one of oxygen gas and ozone gas. In this case, as the purge gas, any one of argon (Ar), nitrogen (N2), and helium (He) or a mixture of two or more gases may be used. At this time, the source gas (g s ), the purge gas (g p ), the reaction gas (g r ) is not limited to the above example and may be changed according to the needs of those skilled in the art.

기판 이송부(100)는, 기판(S)이 안착된 상태에서 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)으로 이동하여, 기판(S)을 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)을 이송시킨다. 기판 이송부(100)는 예시적으로 슬라이딩 이동 가능한 스테이지 또는 컨베이어 벨트 일 수 있다.The substrate transfer unit 100 moves in the first direction D 1 or the second direction D 2 in a state where the substrate S is seated to move the substrate S in the first direction D 1 or second The direction D 2 is transferred. The substrate transfer unit 100 may be, for example, a sliding movable stage or a conveyor belt.

가스 공급원(110, 120, 130)은, 퍼지 가스(gp)를 공급하는 퍼지 가스 공급원(110)과, 반응 가스(gr)를 공급하는 반응 가스 공급원(120)과 소스 가스(gs)를 공급하는 소스 가스 공급원(130)을 포함한다.The gas sources 110, 120, and 130 include a purge gas source 110 that supplies purge gas g p , a reaction gas source 120 that supplies reaction gas g r , and a source gas g s It includes a source gas source 130 for supplying.

가스 공급부(210 ~ 230, 310, 320, 410 ~ 460)는, 기판 이송부(100)에 의하여 이송되는 기판(S)의 상방에 배치되며 소스 가스(gs)를 공급하는 소스 가스 공급 모듈(310, 320)과, 반응 가스(gr)를 공급하는 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230)과, 소스 가스 공급 모듈(310, 320) 및 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 사이에 배치되는 퍼지 가스 공급 모듈(410, 420, 430, 440, 450, 460)을 포함한다.The gas supply units 210 to 230, 310, 320, 410 to 460 are disposed above the substrate S transferred by the substrate transfer unit 100, and the source gas supply module 310 for supplying the source gas g s , 320), between the reaction gas supply module (210, 220, 230) for supplying the reaction gas (g r ), the source gas supply module (310, 320) and the reaction gas supply module (210, 220, 230) It includes a purge gas supply module (410, 420, 430, 440, 450, 460) disposed.

본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)는, 예시적으로 제1 반응 가스 공급 모듈(210), 제2 반응 가스 공급 모듈(220), 제3 반응 가스 공급 모듈(230)과, 제1 반응 가스 공급 모듈(210) 및 제2 반응 가스 공급 모듈(220) 사이에 배치되는 제1 소스 가스 공급 모듈(310)과, 제2 반응 가스 공급 모듈(220) 및 제3 반응 가스 공급 모듈(230) 사이에 배치되는 제2 소스 가스 공급 모듈(320)을 포함한다. 그리고, 원자층 증착 장치(1)는 제1 반응 가스 공급 모듈(210)을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격된 위치에 배치되는 제1 퍼지 가스 공급 모듈(410)과, 제3 반응 가스 공급 모듈(230)을 기준으로 제2 방향(D2)으로 이격된 위치에 배치되는 제6 퍼지 가스 공급 모듈(460)과, 각각의 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230)들과 소스 가스 공급 모듈(310, 320)들 사이에 배치되는 제2 퍼지 가스 공급 모듈(420) 내지 제5 퍼지 가스 공급 모듈(450)을 포함한다.The atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes, for example, a first reaction gas supply module 210, a second reaction gas supply module 220, a third reaction gas supply module 230, The first source gas supply module 310 and the second reaction gas supply module 220 and the third reaction gas supply module disposed between the first reaction gas supply module 210 and the second reaction gas supply module 220 It includes a second source gas supply module 320 disposed between (230). And, the atomic layer deposition apparatus 1 is a first purge gas supply module 410 disposed at a position spaced apart in the first direction (D 1 ) with respect to the first reaction gas supply module 210, the third reaction The sixth purge gas supply module 460 disposed at a position spaced apart in the second direction D 2 based on the gas supply module 230, and the respective reaction gas supply modules 210, 220, and 230 and a source And a second purge gas supply module 420 to a fifth purge gas supply module 450 disposed between the gas supply modules 310 and 320.

제2 퍼지 가스 공급 모듈(420) 내지 제5 퍼지 가스 공급 모듈(450)에서 기판(S) 측으로 공급되는 퍼지 가스(gp)는 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs)가 서로 혼합되는 것을 방지하며, 제1 퍼지 가스 공급 모듈(410) 및 제6 퍼지 가스 공급 모듈(460)에서 기판(100) 측으로 공급되는 퍼지 가스(gp)는 반응 가스(gr)가 예시적으로 외부로부터 유입되는 공기와 혼합되는 것을 방지한다.In the second purge gas supply module 420 to the fifth purge gas supply module 450, the purge gas g p supplied to the substrate S side has a reaction gas g r and a source gas g s mixed with each other. The purge gas (g p ) supplied from the first purge gas supply module 410 and the sixth purge gas supply module 460 to the substrate 100 is exemplified by the reaction gas g r . It prevents mixing with the air flowing in.

가스 공급 파이프부(510, 520, 530)는 퍼지 가스 공급원(110)과 연결되는 퍼지 가스 공급 파이프(510)와, 반응 가스 공급원(120)과 연결되는 반응 가스 공급 파이프(520)와, 소스 가스 공급원(130)과 연결되는 소스 가스 공급 파이프(530)를 포함한다. 퍼지 가스 공급 파이프(510)는 제1 퍼지 가스 공급 모듈(410) 내지 제6 퍼지 가스 공급 모듈(460)과 연결되어, 제1 퍼지 가스 공급 모듈(410) 내지 제6 퍼지 가스 공급 모듈(460) 측으로 퍼지 가스(gp)를 공급하며, 반응 가스 공급 파이프(520)는 제1 반응 가스 공급 모듈(210) 내지 제3 반응 가스 공급 모듈(230) 측으로 반응 가스(gr)를 공급한다. 그리고, 소스 가스 공급 파이프(530)는 제1 소스 가스 공급 모듈(310) 및 제2 소스 가스 공급 모듈(320) 측으로 소스 가스(gs)를 공급한다.The gas supply pipe parts 510, 520, and 530 are purge gas supply pipes 510 connected to the purge gas supply source 110, reaction gas supply pipes 520 connected to the reaction gas supply source 120, and source gas It includes a source gas supply pipe 530 connected to the source 130. The purge gas supply pipe 510 is connected to the first purge gas supply module 410 to the sixth purge gas supply module 460, so that the first purge gas supply module 410 to the sixth purge gas supply module 460 The purge gas (g p ) is supplied to the side, and the reaction gas supply pipe 520 supplies the reaction gas (g r ) to the first reaction gas supply module 210 to the third reaction gas supply module 230. Then, the source gas supply pipe 530 supplies the source gas g s to the first source gas supply module 310 and the second source gas supply module 320.

본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)는 상기와 같이 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 및 소스 가스 공급 모듈(310, 320)이 상호 교번하여 배치되며, 기판(100)이 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)으로 움직이면서, 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 및 소스 가스 공급 모듈(310, 320)과 대향되는 기판(S)의 일면에서 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs)의 흡착 및 반응이 연속적으로 수행되어, 원자층 증착이 보다 신속하게 수행될 수 있다.In the atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, the reactive gas supply modules 210, 220 and 230 and the source gas supply modules 310 and 320 are alternately arranged as described above, and the substrate 100 While moving in the first direction (D 1 ) or the second direction (D 2 ), at one surface of the substrate (S) facing the reaction gas supply modules (210, 220, 230) and the source gas supply modules (310, 320) Adsorption and reaction of the reaction gas (g r ) and the source gas (gs) are continuously performed, so that atomic layer deposition can be performed more quickly.

한편, 펌핑 모듈(610, 620, 630, 640)은, 기판(S)에 대하여 흡착 또는 반응되지 않은 소스 가스(gs) 및 반응 가스(gr)을 상기 프로세스 챔버 내에서 외부로 배출시키기 위한 배기 압력을 제공하며, 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230)과 연결되는 제1 펌핑 모듈(610), 제2 펌핑 모듈(620)과, 소스 가스 공급 모듈(310, 320)과 연결되는 제3 펌핑 모듈(630) 및 제4 펌핑 모듈(640)을 포함한다. 본 실시예에 따른 펌핑 모듈(610, 620, 630, 640)은 배기 압력을 제공하기 위한 컴프레서일 수 있으며, 펌핑 모듈(610, 620, 630, 640)은 제어 신호에 의하여 상기 배기 압력을 가변할 수 있다.On the other hand, the pumping module (610, 620, 630, 640), the source gas (g s ) and the reaction gas (g r ) that is not adsorbed or reacted to the substrate (S) for discharging to the outside in the process chamber A first pumping module 610, a second pumping module 620 connected to the reactant gas supply modules 210, 220, and 230, which provides exhaust pressure, and a source gas supply module 310, 320. It includes a 3 pumping module 630 and a fourth pumping module 640. The pumping modules 610, 620, 630, 640 according to the present embodiment may be compressors for providing exhaust pressure, and the pumping modules 610, 620, 630, 640 may vary the exhaust pressure by a control signal. Can.

트랩부(710, 720, 730, 740)는, 펌핑 모듈(610, 620, 630, 640)과 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 및 소스 가스 공급 모듈(310, 320)을 연결시키는 배기 파이프부(541, 542, 543, 543)에 배치되며, 배기 파이프부(541, 542, 543, 543)를 통하여 펌핑 모듈(610, 620, 630, 640) 측으로 유동되는 반응 가스(gr) 또는 소스 가스(gs)의 응축을 억제하여, 배기 효율을 향상시킨다.The trap portions 710, 720, 730, and 740 exhaust the pumping modules 610, 620, 630, and 640, and the reaction gas supply modules 210, 220, 230, and source gas supply modules 310, 320. Reaction gas (g r ) disposed in the pipe parts 541, 542, 543, 543 and flowing toward the pumping modules 610, 620, 630, 640 through the exhaust pipe parts 541, 542, 543, 543 or Condensation of the source gas g s is suppressed to improve exhaust efficiency.

예시적으로, 트랩부(710, 720, 730, 740)는 배기 유로(541, 542, 543, 543)에 열 에너지를 가하여, 반응 가스(gr) 또는 소스 가스(gs)의 응축을 억제할 수 있다.For example, the trap portions 710, 720, 730, and 740 apply thermal energy to the exhaust passages 541, 542, 543, and 543, thereby suppressing condensation of the reaction gas g r or the source gas g s . can do.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)는 기판(S)이 상기 프로세싱 챔버 내부를 선형으로 이동하게 된다. 기판(S)이 상기 프로세싱 챔버 내부를 선형으로 이동하게 됨에 따라, 하나의 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 또는 소스 가스 공급 모듈(310, 320)과 마주보는 기판(S)의 일부 영역 사이의 상기 증착 영역에서는 소스 가스(gs) 또는 공급 가스(gr)의 밀도가 다르게 나타나며, 과소 또는 과도한 소스 가스(gs) 또는 공급 가스(gr)의 밀도에 의하여 원자층 증착 품질이 저해되는 문제가 발생된다. 즉, 기판(S)의 표면과 소스 가스(gs) 또는 공급 가스(gr) 사이의 표면 장력에 의하여, 하나의 상기 증착 영역 중 기판(S)의 진행 방향 쪽에 위치되는 부분의 가스 밀도보다 기판(S)의 진행 방향의 반대 쪽에 위치되는 부분의 가스 밀도가 높게 나타난다.On the other hand, in the atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, the substrate S moves linearly inside the processing chamber. As the substrate S moves linearly inside the processing chamber, some regions of the substrate S facing one reactive gas supply module 210, 220, 230 or source gas supply modules 310, 320 In the deposition region between, the density of the source gas (g s ) or the feed gas (g r ) is different, and the atomic layer deposition quality is caused by the density of the under or excessive source gas (g s ) or the feed gas (g r ). The problem is hindered. That is, by the surface tension between the surface of the substrate S and the source gas (g s ) or the supply gas (g r ), than the gas density of the portion of the deposition region located on the side of the substrate S in the traveling direction The gas density of the portion located on the opposite side of the traveling direction of the substrate S is high.

또한, 기판(S)에 비아 홀(Via hole) 또는 트렌치(Trench)와 같이 종횡비(Aspect ratio)가 큰 구조가 형성되는 경우, 기판(S)을 향하여 기판(S)과 수직한 방향으로 형성되는 제3 방향(D3)으로 소스 가스(gs) 또는 반응 가스(gr)가 공급된다면, 상기 구조의 표면에 상기 소스 물질 또는 상기 반응 물질이 원활하게 흡착 또는 증착될 수 없는 문제가 발생된다.In addition, when a structure having a large aspect ratio, such as a via hole or a trench, is formed on the substrate S, it is formed in a direction perpendicular to the substrate S toward the substrate S If the source gas (g s ) or the reaction gas (g r ) is supplied in the third direction (D 3 ), a problem occurs that the source material or the reaction material cannot be smoothly adsorbed or deposited on the surface of the structure. .

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)는, 상기 증착 영역 중기판(S)의 진행 방향 쪽에 위치되는 부분에 대한 배기 압력과 상기 증착 영역 중기판(S)의 진행 방향의 반대 쪽에 위치되는 부분에 대한 배기 압력이 서로 다르게 형성되도록 함으로써, 상기 증착 영역에서 균일한 가스 밀도가 형성될 수 있도록 한다.Therefore, the atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, the exhaust pressure for the portion located on the side of the deposition region intermediate substrate (S) and the traveling direction of the deposition region intermediate substrate (S) By allowing the exhaust pressures for the portions located on opposite sides to be formed differently, it is possible to form a uniform gas density in the deposition region.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)는 소스 가스 공급 모듈(310, 320) 및 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230)이, 기판 이송부(100)의 기판 이송 방향에 따라 기판에 대한 가스 공급 방향을 가변함으로써, 원자층 증착 품질이 향상될 수 있도록 한다.In addition, the atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, the source gas supply module (310, 320) and the reaction gas supply module (210, 220, 230), the substrate transfer direction of the substrate transfer unit 100 Accordingly, by varying the gas supply direction to the substrate, it is possible to improve the atomic layer deposition quality.

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)의 가스 공급 모듈의 구성을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the configuration of the gas supply module of the atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 2는 도 1의 원자층 증착 장치가 제1 증착 모드로 동작되는 과정에서, 원자층 증착 장치의 II 부분을 확대한 도면이며, 도 3은 도 1의 원자층 증착 장치에 의하여 원자층이 형성되는 과정을 보여주는 도면이며, 도 4는 도 1의 원자층 증착 장치가 제2 증착 모드로 동작되는 과정에서, 원자층 증착 장치의 II 부분을 확대한 도면이다.FIG. 2 is an enlarged view of part II of the atomic layer deposition apparatus in the process of operating the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1 in a first deposition mode, and FIG. 3 shows an atomic layer formed by the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1. FIG. 4 is an enlarged view of part II of the atomic layer deposition apparatus in a process in which the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1 is operated in a second deposition mode.

도 1 내지 4를 참조하면, 원자층 증착 장치(1)의 제1 반응 가스 공급 모듈(210)은, 내부에 반응 가스 공급 파이프(520) 와 연결되는 제1 말단 가스 공급 유로(216) 및 제2 말단 가스 공급 유로(217)가 형성되는 가스 공급 노즐 몸체(211)와, 제1 말단 가스 공급 유로(216) 및 제2 말단 가스 공급 유로(217)을 사이에 두고 상호 이격되는 제1 배기 유로(212) 및 제2 배기 유로(213)를 포함한다.1 to 4, the first reaction gas supply module 210 of the atomic layer deposition apparatus 1 includes a first end gas supply passage 216 and a first end gas supply passage 216 connected to the reaction gas supply pipe 520 therein. A first exhaust flow path spaced apart from the gas supply nozzle body 211 in which the second end gas supply flow path 217 is formed, and the first end gas supply flow path 216 and the second end gas supply flow path 217 are interposed therebetween. 212 and a second exhaust flow path 213.

제1 말단 가스 공급 유로(216)는, 기판(S)이 형성되는 평면과 직교하며 가스 공급부, 예시적으로 기판(S)의 상방에 배치되는 제1 반응 가스 공급 모듈(210)로부터 기판(S)을 향하는 제3 방향(D3)에 대하여 기설정된 제1 공급 각도(θ1)로 기울어지는 방향으로 반응 가스(gr) 를 기판(S)에 대하여 공급한다.The first end gas supply flow passage 216 is orthogonal to the plane on which the substrate S is formed, and the substrate S from the gas supply unit, for example, the first reaction gas supply module 210 disposed above the substrate S The reaction gas g r is supplied to the substrate S in a direction inclined at a predetermined first supply angle θ 1 with respect to the third direction D 3 toward ).

그리고, 제2 말단 가스 공급 유로(217)는, 제3 방향(D3)에 대하여 기설정된 제2 공급 각도(θ2)로 기울어지는 방향으로 반응 가스(gr) 를 기판(S)에 대하여 공급한다.In addition, the second end gas supply flow passage 217 moves the reaction gas g r with respect to the substrate S in a direction inclined at a second supply angle θ 2 preset with respect to the third direction D 3 . To supply.

따라서, 제1 말단 가스 공급 유로(216)에 의한 제1 가스 공급 방향은 제1 방향(D1)과 나란한 제1 수평 공급 벡터 성분(VD1) 및 제3 방향(D3)과 나란한 제1 수직 공급 벡터 성분(VD31)을 포함한다. 그리고, 제2 말단 가스 공급 유로(217)에 의한 제2 가스 공급 방향은 제2 방향(D2)과 나란한 제2 수평 공급 벡터 성분(VD2) 및 제3 방향과 나란한 제2 수직 공급 벡터 성분(VD32)을 포함한다. Therefore, the first gas supply direction by the first end gas supply flow passage 216 is the first horizontal supply vector component VD 1 parallel to the first direction D1 and the first vertical parallel to the third direction D 3 . Feed vector component (VD 31 ). Then, the second terminal the second gas supply direction by the gas supply passage 217 in the second direction (D 2) and parallel to the second horizontal feed vector component (VD 2) and the third direction and parallel to the second vertical feed vector component (VD 32 ).

이때, 제1 수직 공급 벡터 성분(VD31) 및 제2 수직 공급 벡터 성분(VD32)은 동일하며, 제1 수직 공급 벡터 성분(VD31) 및 제2 수직 공급 벡터 성분(VD32)은 수직 공급 벡터 성분(VD3)이라고 할 수 있다.In this case, the first vertical supply vector component VD 31 and the second vertical supply vector component VD 32 are the same, and the first vertical supply vector component VD 31 and the second vertical supply vector component VD 32 are vertical. It can be referred to as a supply vector component (VD 3 ).

그리고, 제1 말단 가스 공급 유로(216) 및 제2 말단 가스 공급 유로(217)는, 제1 공급 각도(θ1)로 기울어지도록 형성되는 제1 노즐 유닛(214) 및 제2 공급 각도(θ2)로 기울어지도록 형성되는 제2 노즐 유닛(215)을 각각 포함할 수 있다. 따라서, 제1 노즐 유닛(214)을 통하여 반응 가스(gr)가 공급되는 경우, 반응 가스(gr)는 제1 공급 각도(θ1)로 기울어지는 방향으로 상기 증착 영역으로 공급되며, 제2 노즐 유닛(214)을 통하여 반응 가스(gr)가 공급되는 경우, 반응 가스(gr)는 제2 공급 각도(θ2)로 기울어지는 방향으로 상기 증착 영역으로 공급된다.In addition, the first end gas supply flow passage 216 and the second end gas supply flow passage 217 are provided with a first nozzle unit 214 and a second supply angle θ formed to be inclined at a first supply angle θ 1 . 2 ) may include a second nozzle unit 215 each formed to be inclined. Thus, when the reaction gas (g r) are supplied through the first nozzle unit 214, a reactive gas (g r) are supplied to the deposition zone in a direction inclined at a first feed angle (θ 1), the when the reaction gas (g r) are supplied through the second nozzle unit 214, a reactive gas (g r) are supplied to the deposition zone in a direction which is inclined at a second feed angle (θ 2).

그리고, 제1 반응 가스 공급 모듈(210)은, 제1 말단 가스 공급 유로(216) 및 제2 말단 가스 공급 유로(217)에 선택적으로 반응 가스(gr) 를 공급하기 위한 밸브 유닛부(218, 219)를 포함한다. 밸브 유닛부(218, 219)는, 제1 말단 가스 공급 유로(216) 상에 배치되는 제1 말단 밸브 유닛(218) 및 제2 말단 가스 공급 유로(217) 상에 배치되는 제2 말단 밸브 유닛(219)을 포함한다.Then, the first reaction gas supply module 210, the valve unit unit 218 for selectively supplying the reaction gas (g r ) to the first end gas supply flow path 216 and the second end gas supply flow path 217 , 219). The valve unit parts 218 and 219 include a first end valve unit 218 disposed on the first end gas supply flow passage 216 and a second end valve unit disposed on the second end gas supply flow passage 217. (219).

제1 말단 밸브 유닛(218) 및 제2 말단 밸브 유닛(219)은 제어부(미도시)의 제어 신호에 따라 선택적으로 제1 말단 가스 공급 유로(216) 및 제2 말단 가스 공급 유로(217)를 개폐한다.The first end valve unit 218 and the second end valve unit 219 selectively select the first end gas supply flow passage 216 and the second end gas supply flow passage 217 according to a control signal from a control unit (not shown). Open and close.

따라서, 본 실시예에 따른 제1 말단 가스 공급 유로(216) 및 제2 말단 가스 공급 유로(217)는 기판(S)의 이송 방향에 따라서 교번하여 활성화되어, 반응 가스(gr)를 제1 반응 가스 공급 모듈(210)과 기판(S) 사이의 상기 증착 영역에 공급할 수 있다.Therefore, the first end gas supply flow passage 216 and the second end gas supply flow passage 217 according to the present embodiment are alternately activated according to the transfer direction of the substrate S, so that the reaction gas g r is first It can be supplied to the deposition region between the reaction gas supply module 210 and the substrate (S).

예시적으로, 기판 이송부(100)가 기판(S)을 제1 방향(D1)으로 이송하는 경우, 제2 말단 가스 공급 유로(217)가 활성화되어, 반응 가스(gs)를 기판(S)에 대하여 제2 공급 각도(θ2)로 공급한다. 이때, 활성화되지 않는 제1 말단 가스 공급 유로(216)의 제1 말단 밸브 유닛(218)는, 제1 말단 가스 공급 유로(216)를 폐쇄하여 제1 말단 가스 공급 유로(216)에서의 반응 가스(gs) 유동을 억제한다(제1 증착 모드).For example, when the substrate transfer unit 100 transfers the substrate S in the first direction D 1 , the second end gas supply flow path 217 is activated to transfer the reaction gas g s to the substrate S ) At a second supply angle θ 2 . At this time, the first end valve unit 218 of the first end gas supply flow passage 216 that is not activated closes the first end gas supply flow passage 216 to react gas in the first end gas supply flow passage 216. (g s ) Inhibit flow (first deposition mode).

따라서, 기판(S)의 이송 방향과 반대 방향의 제2 수평 공급 벡터 성분(VD2)을 갖는 반응 가스(gr)의 반응 물질(P)이 종횡비가 큰 트렌치(T) 또는 비아와 같은 구조의 벽면에 용이하게 흡착 또는 증착되거나, 상기 벽면에 바운스된 다음 보다 깊은 트렌치(T) 또는 상기 비아의 바닥면에 용이하게 흡착 또는 증착될 수 있다.Therefore, the reaction material P of the reaction gas g r having the second horizontal supply vector component VD 2 in the direction opposite to the transport direction of the substrate S is a structure such as a trench T or a via having a large aspect ratio. It can be easily adsorbed or deposited on the wall surface of, or can be easily adsorbed or deposited on the bottom surface of the deeper trench (T) or via after being bounced on the wall surface.

반대로, 기판 이송부(100)가 기판(S)을 제2 방향(D2)으로 이송하는 경우, 제1 말단 가스 공급 유로(216)가 활성화되어, 반응 가스(gs)를 기판(S)에 대하여 제1 공급 각도(θ1)로 공급한다. 이때, 활성화되지 않는 제2 말단 가스 공급 유로(217)의 제2 말단 밸브 유닛(219)는, 제2 말단 가스 공급 유로(217)를 폐쇄하여 제2 말단 가스 공급 유로(217)에서의 반응 가스(gs) 유동을 억제한다(제2 증착 모드).Conversely, when the substrate transfer unit 100 transfers the substrate S in the second direction D 2 , the first end gas supply flow passage 216 is activated, so that the reaction gas g s is transferred to the substrate S. With respect to the first supply angle θ 1 . At this time, the second end valve unit 219 of the second end gas supply flow passage 217 that is not activated closes the second end gas supply flow passage 217 to react gas in the second end gas supply flow passage 217. (g s ) Inhibit flow (second deposition mode).

본 실시예에서는, 밸브 유닛부(218, 219)가 제1 말단 밸브 유닛(218) 및 제2 말단 가스 공급 유로(217) 상에 배치되는 제1 말단 밸브 유닛(218) 및 제2 말단 밸브 유닛(219)을 포함하는 구성으로 설명되고 있으나, 밸브 유닛부가 반응 가스 공급 파이프(520)로부터 제1 말단 가스 공급 유로(218) 및 제2 말단 가스 공급 유로(219)가 분기되는 지점에 설치되는 구성 또한 가능하다.In this embodiment, the first end valve unit 218 and the second end valve unit in which the valve unit portions 218 and 219 are disposed on the first end valve unit 218 and the second end gas supply passage 217 Although described as a configuration including (219), the valve unit portion is installed at a point where the first end gas supply flow path 218 and the second end gas supply flow path 219 branch from the reaction gas supply pipe 520 It is also possible.

한편, 제1 배기 유로(212) 및 제2 배기 유로(213)는, 제1 반응 가스 공급 모듈(210)과 기판 사이의 잉여 가스를 외부로 배출시키며, 제1 배기 유로(212)의 제1 배기 압력(P1)과 제2 배기 유로(213)의 제2 배기 압력(P2)은 상호 간에 독립적으로 형성될 수 있다.On the other hand, the first exhaust flow path 212 and the second exhaust flow path 213 discharge the excess gas between the first reaction gas supply module 210 and the substrate to the outside, and the first exhaust flow path 212 first exhaust pressure (P 1) and a second exhaust pressure in the exhaust passage (213) (P 2) can be formed independently of each other.

기판 이송부(100)가 기판(S)을 제1 방향(D1)으로 이송하는 경우(제1 증착 모드), 제1 배기 유로(212)를 기준으로 제2 방향(D2)으로 이격되어 배치되는 제2 배기 유로(213)에서 제공하는 제2 배기 압력(P2)이 제1 배기 유로(212)에서 제공하는 상제1 배기 압력(P1)보다 크게 형성된다. When the substrate transfer unit 100 transfers the substrate S in the first direction D 1 (first deposition mode), it is arranged to be spaced apart in the second direction D 2 based on the first exhaust flow path 212 The second exhaust pressure P 2 provided by the second exhaust flow path 213 is formed to be larger than the upper first exhaust pressure P 1 provided by the first exhaust flow path 212.

즉, 기판(S)이 제1 방향(D1)으로 이송되는 경우, 기판(S)의 표면 장력과 제2 퍼지 가스 공급 모듈(420)에서 공급되는 퍼지 가스(gp)에 의하여, 제2 배기 유로(213)가 위치된 영역에서의 반응 가스(gr)의 밀도가 제1 배기 유로(212)가 위치된 영역에서의 반응 가스(gr)의 밀도보다 크게 형성되는데, 제2 배기 유로(213)의 제2 배기 압력(P2)을 제1 배기 유로(212)의 제1 배기 압력(P1)보다 크게 형성함으로써, 제2 배기 유로(213)에서 보다 큰 압력으로 잔여 반응 가스(gr)를 상기 증착 영역으로부터 외부로 배출 시킬 수 있다. 따라서, 제1 반응 가스 공급 모듈(210)과 기판(S) 사이의 상기 증착 영역의 전 구간에 걸쳐 반응 가스(gr)의 밀도가 균일하게 유지되도록 할 수 있다.That is, when the substrate S is transferred in the first direction D 1 , the surface tension of the substrate S and the purge gas g p supplied from the second purge gas supply module 420 may cause the second The density of the reaction gas g r in the region where the exhaust flow path 213 is located is greater than the density of the reaction gas g r in the region where the first exhaust flow path 212 is located, and the second exhaust flow path By forming the second exhaust pressure P 2 of 213 larger than the first exhaust pressure P 1 of the first exhaust flow path 212, the residual reaction gas at a greater pressure in the second exhaust flow path 213 ( g r ) may be discharged from the deposition region to the outside. Accordingly, the density of the reaction gas g r may be maintained uniformly over the entire section of the deposition region between the first reaction gas supply module 210 and the substrate S.

반대로, 기판 이송부(100)가 기판(S)을 제2 방향(D2)으로 이송하는 경우(제2 증착 모드), 제1 배기 유로(212)에서 제공하는 제1 배기 압력(P1)이 제2 배기 유로(213)에서 제공하는 제2 배기 압력(P2)보다 크게 형성될 수 있다.Conversely, when the substrate transfer unit 100 transfers the substrate S in the second direction D 2 (second deposition mode), the first exhaust pressure P 1 provided by the first exhaust flow path 212 is It may be formed to be larger than the second exhaust pressure (P 2 ) provided by the second exhaust flow path (213).

한편, 펌핑 모듈(610, 620, 630, 640)의 제1 펌핑 모듈(610)은 제1 배기 파이프(541)를 통하여 제1 배기 유로(212)와 연결되며, 제2 펌핑 모듈(620)은 제2 배기 파이프(542)를 통하여 제2 배기 유로(213)와 연결된다. Meanwhile, the first pumping module 610 of the pumping modules 610, 620, 630, and 640 is connected to the first exhaust channel 212 through the first exhaust pipe 541, and the second pumping module 620 is The second exhaust pipe 542 is connected to the second exhaust flow path 213.

제1 펌핑 모듈(610) 및 제2 펌핑 모듈(620)은, 기판(S)의 이송 방향에 따라 각각 제1 배기 압력(P1) 및 제2 배기 압력(P2)을 제공하며, 제1 펌핑 모듈(610) 및 제2 펌핑 모듈(620)에 의하여 제공되는 제1 배기 압력(P1) 및 제2 배기 압력(P2)은 가변된다. 예시적으로, 제1 증착 모드에서, 제1 배기 압력(P1)이 P일 경우, 제2 배기 압력(P2)은 2P로 형성될 수 있으며, 반대로 제2 증착 모드에서, 제1 배기 압력(P1)이 2P일 경우, 제2 배기 압력(P2)은 P로 형성될 수 있다. The first pumping module 610 and the second pumping module 620 provide a first exhaust pressure (P 1 ) and a second exhaust pressure (P 2 ), respectively, according to the transport direction of the substrate (S), The first exhaust pressure P 1 and the second exhaust pressure P 2 provided by the pumping module 610 and the second pumping module 620 are variable. For example, in the first deposition mode, when the first exhaust pressure P 1 is P, the second exhaust pressure P 2 may be formed as 2P, and conversely, in the second deposition mode, the first exhaust pressure When (P 1 ) is 2P, the second exhaust pressure P 2 may be formed of P.

제2 반응 가스 공급 모듈(220) 및 제3 반응 가스 공급 모듈(230)은, 제1 반응 가스 공급 모듈(210)의 구성과 동일하므로 이에 대하 상세한 설명은 생략한다.Since the second reaction gas supply module 220 and the third reaction gas supply module 230 are the same as those of the first reaction gas supply module 210, detailed description thereof will be omitted.

또한, 제1 소스 가스 공급 모듈(310) 및 제2 소스 가스 공급 모듈(320)은, 잔여되는 소스 가스(gs)를 배출시키기 위한 제3 펌핑 모듈(630) 및 제4 펌핑 모듈(640)과 연결되는 구성에 있어서 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 제1 반응 가스 공급 모듈(210)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.In addition, the first source gas supply module 310 and the second source gas supply module 320, the third pumping module 630 and the fourth pumping module 640 for discharging the remaining source gas (g s ) There is only a difference in configuration to be connected to, and in other configurations, since it is substantially the same as the first reaction gas supply module 210, detailed description thereof will be omitted.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)는 반응 가스(gr) 또는 소스 가스(gs)를 플라즈마화하여, 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs) 간의 반응률을 향상시킬 수 있다. 이하에서는 반응 가스(gr) 또는 소스 가스(gs)를 플라즈마화시키기 위한 구성에 대하여 상세하게 설명한다.On the other hand, the reactivity between the atomic layer deposition apparatus 1 includes a reactive gas (g r), or the plasma source gas (g s), the reactive gas (g r), and a source gas (g s) in accordance with an embodiment of the present invention Improve it. Hereinafter, a configuration for plasmaizing the reaction gas g r or the source gas g s will be described in detail.

도 5는 도 1의 원자층 증착 장치의 가스 공급 파이프의 내부를 보여주는 도면이다.5 is a view showing the interior of the gas supply pipe of the atomic layer deposition apparatus of Figure 1;

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반응 가스 파이프(520)에는, 상기 가스 공급부, 예시적으로 제1 반응 가스 공급 모듈(210)을 향하여 유동되는 상기 반응 가스(gr)에 전압을 제공하여, 반응 가스(gr)를 플라즈마화 시키기 위한 플라즈마 전극부(526, 527)가 마련된다. 이때, 플라즈마 전극부(526, 527)는 제1 반응 가스 공급 모듈(210)에 인접한 위치 또는 제1 반응 가스 공급 모듈(210) 내에 마련될 수 있다.Referring to FIG. 5, in the reaction gas pipe 520 according to the embodiment of the present invention, a voltage is applied to the reaction gas g r flowing toward the gas supply unit, for example, the first reaction gas supply module 210. By providing, plasma electrode portions 526 and 527 for plasmatizing the reaction gas g r are provided. At this time, the plasma electrode units 526 and 527 may be provided in a position adjacent to the first reaction gas supply module 210 or in the first reaction gas supply module 210.

플라즈마 전극부(526, 527)는, 도전성 재질로 형성되는 반응 가스 공급 파이프(520)와 연결되는 제1 전극(527)과, 반응 가스 공급 파이프(520) 내에 마련되는 제2 전극(526)을 포함한다. 본 실시예에서, 제1 전극(527)은 접지 전극이며, 제2 전극(526)는 고주파 전압을 제공하는 RF 발진기(700)와 연결된다. 제2 전극(526)은 반응 가스 공급 파이프(520) 내에서 유동되는 반응 가스(gr)의 유동 방향과 나란한 방향으로 연장 형성된다. 이때, 제2 전극(527)과 RF 발진기(700)를 연결시키기 위한 와이어는 반응 가스 공급 파이프(520)에 대하여 절연된 상태로, 반응 가스 공급 파이프(520)를 관통할 수 있다.The plasma electrode units 526 and 527 include a first electrode 527 connected to a reaction gas supply pipe 520 formed of a conductive material, and a second electrode 526 provided in the reaction gas supply pipe 520. Includes. In this embodiment, the first electrode 527 is a ground electrode, and the second electrode 526 is connected to an RF oscillator 700 providing a high frequency voltage. The second electrode 526 is formed to extend in a direction parallel to the flow direction of the reaction gas g r flowing in the reaction gas supply pipe 520. At this time, the wire for connecting the second electrode 527 and the RF oscillator 700 may be insulated from the reaction gas supply pipe 520 and penetrate the reaction gas supply pipe 520.

본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)에 의하면, 기둥 형상으로 형성되는 제2 전극(526)과 마주보는 가스 공급 파이프(520)의 내면 사이의 공간에서, 유동되는 반응 가스(gr)가 플라즈마화 됨에 따라서, 플라즈마 효율이 향상될 수 있는 장점이 있다.According to the atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, in the space between the second electrode 526 formed in a columnar shape and the inner surface of the gas supply pipe 520 facing each other, the reactant gas (g) flowing As r ) becomes plasma, there is an advantage that plasma efficiency can be improved.

본 실시예에서는 제1 전극(527)이 금속 재질로 형성되는 반응 가스 공급 파이프(520)와 연결되는 구성으로 설명되고 있으나, 제1 전극(527)이 절연 재질로 형성되는 반응 가스공급 파이프(520)의 내면에 형성되는 금속 재질의 코팅부 또는 원형 실린더로 형성되는 구성 또한 가능하다. 또한, 제1 전극(527)이 RF 발진기와 연결되며 제2 전극(526)이 접지 전극으로 형성되는 구성 또한 가능하다.In this embodiment, the first electrode 527 is described as being connected to the reaction gas supply pipe 520 formed of a metal material, but the reaction gas supply pipe 520 of the first electrode 527 is formed of an insulating material. ) It is also possible to form a metal material formed on the inner surface of the coating or circular cylinder. In addition, a configuration in which the first electrode 527 is connected to the RF oscillator and the second electrode 526 is formed as a ground electrode is also possible.

또한, 소스 가스 공급 파이프(530)에 플라즈마 전극부(526, 527)이 형성되는 구성 또한 가능하다.In addition, a configuration in which plasma electrode parts 526 and 527 are formed in the source gas supply pipe 530 is also possible.

이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)를 이용한 원자층 증착 방법을 상세하게 설명한다.Hereinafter, an atomic layer deposition method using the atomic layer deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 6은 도 1의 원자층 증착 장치를 이용한 원자층 증착 방법을 보여주는 도면이다.6 is a view illustrating an atomic layer deposition method using the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1.

도 6을 참조하면, 먼저, 기판(S)을 기판 이송부(100)에 장착시키는 기판 장착 단계(S110)가 수행된다.Referring to FIG. 6, first, a substrate mounting step S110 of mounting the substrate S to the substrate transfer unit 100 is performed.

그 다음, 기판(S)이 기판 이송부(100)에 장착된 상태에서, 기판(S)을 제1 방향(D1)으로 이송하면서, 기판(S)에 대하여 원자층을 형성하는 제1 증착 모드 단계(S120)가 수행된다.Then, while the substrate S is mounted on the substrate transfer unit 100, while transferring the substrate S in the first direction D 1 , a first deposition mode for forming an atomic layer with respect to the substrate S Step S120 is performed.

이때, 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 및 소스 가스 공급 모듈(310, 320)은, 수직 공급 벡터 성분(VD3)과 제2 수평 공급 벡터 성분(VD2)을 갖는 상기 제2 가스 공급 방향으로 기판(S)에 대하여 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs)를 공급한다.At this time, the reaction gas supply module 210, 220, 230 and the source gas supply module 310, 320, the second gas having a vertical supply vector component (VD 3 ) and a second horizontal supply vector component (VD 2 ) The reaction gas g r and the source gas g s are supplied to the substrate S in the supply direction.

그리고, 기판(S)에 대하여 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs)를 공급하기 위한 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 및 소스 가스 공급 모듈(310, 320)과 기판(S) 사이에 형성되는 상기 증착 영역들에서, 각각의 상기 증착 영역의 중심을 기준으로 제1 방향(D1)에 위치되며 잔여 가스를 배기시키는 제1 배기 영역의 제1 배기 압력(P1)과 상기 증착 영역의 상기 기준을 중심으로 제2 방향(D2)에 위치되는 제2 배기 영역의 제2 배기 압력(P2)은 서로 다르게 형성될 수 있다. 제1 증착 모드 단계(S120)에서의 제1 배기 압력(P1)은 제2 배기 압력(P2)보다 작게 형성된다.And, the reaction gas supply module (210, 220, 230) and the source gas supply module (310, 320) and the substrate (S) for supplying the reaction gas (g r ) and the source gas (g s ) to the substrate (S) ) In the deposition regions formed between the first exhaust pressure (P 1 ) of the first exhaust region which is located in the first direction (D 1 ) with respect to the center of each of the deposition regions and exhausts residual gas. The second exhaust pressure P 2 of the second exhaust region positioned in the second direction D 2 around the reference of the deposition region may be formed differently. The first exhaust pressure P 1 in the first deposition mode step S120 is formed to be smaller than the second exhaust pressure P 2 .

기설정된 거리만큼 기판(S)이 제1 방향(D1)으로 이송된 다음, 기판 이송부(100)의 이송 방향이 반전되어, 기판(S)을 제2 방향(D2)으로 이송하면서, 기판(S)에 대하여 원자층을 형성하는 제2 증착 모드 단계(S130)가 수행된다.After the substrate S is transferred in the first direction D 1 by a predetermined distance, the transfer direction of the substrate transfer unit 100 is reversed, while transferring the substrate S in the second direction D 2 , the substrate A second deposition mode step (S130) of forming an atomic layer with respect to (S) is performed.

이때, 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 및 소스 가스 공급 모듈(310, 320)은, 수직 공급 벡터 성분(VD3)과 제1 수평 공급 벡터 성분(VD1)을 갖는 상기 제1 가스 공급 방향으로 기판(S)에 대하여 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs)를 공급한다.At this time, the reaction gas supply modules 210, 220, 230 and the source gas supply modules 310, 320, the first gas having a vertical supply vector component (VD 3 ) and a first horizontal supply vector component (VD 1 ) The reaction gas g r and the source gas g s are supplied to the substrate S in the supply direction.

그리고, 제2 증착 모드 단계(S130)에서의 제1 배기 압력(P1)은 제2 배기 압력(P2)보다 크게 형성된다.In addition, the first exhaust pressure P 1 in the second deposition mode step S130 is formed larger than the second exhaust pressure P 2 .

본 실시예에서는, 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 및 소스 가스 공급 모듈(310, 320)의 제1 배기 압력(P1) 및 제2 배기 압력(P2)이 서로 다른 것으로 설명되고 있으나, 반응 가스 공급 모듈(210, 220, 230) 및 소스 가스 공급 모듈(310, 320) 중 어느 한 종류의 가스 공급 모듈의 제1 배기 압력(P1) 및 제2 배기 압력(P2)은 서로 다르게 형성되지만, 다른 종류의 가스 공급 모듈에서는 제1 배기 압력(P1) 및 제2 배기 압력(P2) 구분없이 잔여 가스의 배기를 수행할 수 있다.In this embodiment, the first and second exhaust pressures P 1 and P 2 of the reactive gas supply modules 210 and 220 and the source gas supply modules 310 and 320 are described as being different. However, the first exhaust pressure (P 1 ) and the second exhaust pressure (P 2 ) of any one of the gas supply modules of the reactive gas supply modules (210, 220, 230) and the source gas supply modules (310, 320) are Although formed differently, other types of gas supply modules may exhaust the residual gas without distinguishing between the first exhaust pressure P 1 and the second exhaust pressure P 2 .

기설정된 거리만큼 기판(S)이 제2 방향(D2)으로 이송된 다음, 증착 종료 여부를 판단(S140)하고, 원자층 증착 공정이 종료되지 않은 경우, 다시 제1 증착 모드 단계(S120)를 수행하고, 상기 원자층 증착 공정이 종료된 경우, 제어를 종료한다.After the substrate S is transferred in the second direction D 2 by a predetermined distance, it is determined whether the deposition is finished (S140), and if the atomic layer deposition process is not finished, the first deposition mode step (S120) again When the atomic layer deposition process is finished, control is ended.

상기 제1 증착 모드 및 상기 제2 증착 모드에 따른, 상기 제1 말단 공급유로, 상기 제2 말단 공급 유로와, 제1 배기 압력(P1) 및 제2 배기 압력(P2)의 제어는 이하와 같다.Control of the first end supply flow path, the second end supply flow path, the first exhaust pressure (P 1 ), and the second exhaust pressure (P 2 ) according to the first deposition mode and the second deposition mode is as follows. Same as

기판 이송
방향Substrate transfer
direction 제1 말단
공급유로First end
Supply 제2 말단
공급 유로Second end
Supply euro 제1 배기
압력First exhaust
pressure 제2 배기
압력Second exhaust
pressure 제1 증착모드First deposition mode 제1 방향(D1)First direction (D 1 ) 비활성화Disabled 활성화Activation 작음littleness 큼greatness 제2 증착모드Second deposition mode 제2 방향(D2)Second direction (D 2 ) 활성화Activation 비활성화Disabled 큼greatness 작음littleness

한편, 제1 증착 모드 단계(S120) 및 제2 증착 모드 단계(S130)에서, 제1 배기 압력(P1) 및 제2 배기 압력(P2)을 미세하게 조정하여, 상기 가스 공급 모듈에서 공급되는 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs) 공급 각도를, 기설정된 제1 공급 각도(θ1) 및 제2 공급 각도(θ2)를 기준으로, 미세하게 조정할 수 있다.Meanwhile, in the first deposition mode step (S120) and the second deposition mode step (S130), the first exhaust pressure (P 1 ) and the second exhaust pressure (P 2 ) are finely adjusted to be supplied by the gas supply module. The supplied reaction gas (g r ) and source gas (g s ) supply angles can be finely adjusted based on the preset first supply angle (θ 1 ) and the second supply angle (θ 2 ).

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 원자층 증착 장치를 보여주는 도면이다.7 is a view showing an atomic layer deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 실시예는 펌핑 모듈과 배기 유로 연결 구성에 있어서 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 1 내지 도 6의 원자층 증착 장치의 구성과 동일하므로, 이하에서는 본 실시예의 특징적인 부분을 중심으로 설명한다.This embodiment differs only in the configuration of connecting the pumping module and the exhaust passage, and in other configurations, it is the same as the configuration of the atomic layer deposition apparatus of FIGS. do.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 원자층 증착 장치(1)의 제1 펌핑 모듈(650) 및 제2 펌핑 모듈(660)은, 반응 가스 공급모듈(210, 220, 230)의 소스 가스 공급 모듈(310, 320)의 제1 배기 유로 및 제2 배기 유로와 모두 연결된다.Referring to FIG. 7, the first pumping module 650 and the second pumping module 660 of the atomic layer deposition apparatus 1 according to this embodiment are source gases of the reaction gas supply modules 210, 220, and 230 Both the first exhaust passage and the second exhaust passage of the supply modules 310 and 320 are connected.

또한, 원자층 증착 장치(1)는, 제1 펌핑 모듈(650)과 상기 제1 배기 유로 사이에 배치되는 제1 가변 밸브 유닛(810)과, 제1 펌핑 모듈(650)과 상기 제2 배기 유로 사이에 배치되는 제2 가변 밸브 유닛(820)과, 제2 펌핑 모듈(660)과 상기 제1 배기 유로 사이에 배치되는 제4 가변 밸브 유닛(840)과, 제2 펌핑 모듈(660)과 상기 제2 배기 유로 사이에 배치되는 제3 가변 밸브 유닛(830)을 포함하는 가변 밸브부를 포함한다.In addition, the atomic layer deposition apparatus 1 includes a first variable valve unit 810 disposed between a first pumping module 650 and the first exhaust passage, a first pumping module 650 and the second exhaust A second variable valve unit 820 disposed between the flow passages, a fourth variable valve unit 840 disposed between the second pumping module 660 and the first exhaust passage, and a second pumping module 660 And a variable valve unit including a third variable valve unit 830 disposed between the second exhaust passages.

그리고, 제1 펌핑 모듈(650) 및 제2 펌핑 모듈(660)에서 각각 제공하는 배기 압력은 가변 가능하지 않으며, 제1 펌핑 모듈(650) 및 제2 펌핑 모듈(660) 중 어느 하나의 펌핑 모듈의 상기 배기 압력은 다른 하나의 펌핑 모듈의 배기 압력보다 크게 형성될 수 있다. 예시적으로 제1 펌핑 모듈(650)은 고압 컴프레서, 제2 펌핑 모듈(660)은 저압 컴프레서로 형성될 수 있다.And, the exhaust pressure provided by each of the first pumping module 650 and the second pumping module 660 is not variable, and any one of the pumping modules of the first pumping module 650 and the second pumping module 660 The exhaust pressure of may be greater than the exhaust pressure of the other pumping module. For example, the first pumping module 650 may be formed of a high pressure compressor, and the second pumping module 660 may be formed of a low pressure compressor.

즉, 본 실시예에서는, 제1 펌핑 모듈(650) 및 제2 펌핑 모듈(660)에서 제공하는 상기 배기 압력이 고정된 상태에서, 상기 가변 밸브부의 가변 밸브 유닛들(810, 820, 830, 840)을 제어하여, 기판(S)의 이송 방향에 따라 상기 제1 배기 유로 및 상기 제2 배기 유로에서 서로 다른 배기 압력을 제공할 수 있다.That is, in the present embodiment, in the state in which the exhaust pressure provided by the first pumping module 650 and the second pumping module 660 is fixed, the variable valve units 810, 820, 830, and 840 of the variable valve unit ) To provide different exhaust pressures in the first exhaust flow path and the second exhaust flow path according to the transport direction of the substrate S.

예시적으로, 상기 제1 증착 모드에서는, 제2 가변 밸브 유닛(820) 및 제4 가변 밸브 유닛(840)을 개방하여, 고압의 제1 펌핑 모듈(650)은 상기 제2 배기 유로와 연결되도록 하며, 저압의 제2 펌핑 모듈(660)은 상기 제1 배기 유로와 연결되도록 한다. 그리고, 제1 가변 밸브 유닛(810) 및 제3 가변 밸브 유닛(830)은 폐쇄시켜, 저압의 제2 펌핑 모듈(660)과 상기 제2 배기 유로가 단절되도록 하며, 고압의 제1 펌핑 모듈(650)과 상기 제1 배기 유로가 단절되도록 한다.For example, in the first deposition mode, the second variable valve unit 820 and the fourth variable valve unit 840 are opened so that the high pressure first pumping module 650 is connected to the second exhaust flow path. And, the low pressure second pumping module 660 is connected to the first exhaust flow path. Then, the first variable valve unit 810 and the third variable valve unit 830 are closed to allow the low pressure second pumping module 660 and the second exhaust flow path to be cut off, and the high pressure first pumping module ( 650) and the first exhaust flow path are disconnected.

따라서, 상기 제1 증착 모드에서, 상기 제1 배기 유로의 제1 배기 압력(P1)은 상기 제2 배기 유로의 제2 배기 압력(P2)보다 작게 형성된다.Therefore, in the first deposition mode, the first exhaust pressure P 1 of the first exhaust passage is formed smaller than the second exhaust pressure P 2 of the second exhaust passage.

반대로, 상기 제2 증착 모드에서는, 제1 가변 밸브 유닛(810) 및 제3 가변 밸브 유닛(830)을 개방하여, 고압의 제1 펌핑 모듈(650)은 상기 제1 배기 유로와 연결되도록 하며, 저압의 제2 펌핑 모듈(660)은 상기 제2 배기 유로와 연결되도록 한다. 그리고, 제2 가변 밸브 유닛(820) 및 제4 가변 밸브 유닛(840)은 폐쇄시켜, 저압의 제2 펌핑 모듈(660)과 상기 제1 배기 유로가 단절되도록 하며, 고압의 제1 펌핑 모듈(650)과 상기 제2 배기 유로가 단절되도록 한다.Conversely, in the second deposition mode, the first variable valve unit 810 and the third variable valve unit 830 are opened, so that the high pressure first pumping module 650 is connected to the first exhaust flow path, The low pressure second pumping module 660 is connected to the second exhaust flow path. Then, the second variable valve unit 820 and the fourth variable valve unit 840 are closed to allow the low pressure second pumping module 660 and the first exhaust flow path to be cut off, and the high pressure first pumping module ( 650) and the second exhaust flow path are disconnected.

본 실시예에 의하면, 펌핑 모듈(650, 660)이 제공하는 배기 압력이 고정된 상태로 펌핑 모듈(650, 660)을 동작시킴으로써, 펌핑 모듈(650, 660)의 동작 신뢰성을 향상시키며, 보다 단순한 구조의 펌핑 모듈(650, 660)을 채용할 수 있는 장점이 있다.According to this embodiment, by operating the pumping modules (650, 660) in a state in which the exhaust pressure provided by the pumping modules (650, 660) is fixed, it improves the operational reliability of the pumping modules (650, 660), simpler There is an advantage that can be used to the structure of the pumping module (650, 660).

한편, 본 실시에에 따른 원자층 증착 장치(1)의 상기 제1 배기 유로와 연결되는 제1 배기 파이프 및 상기 제2 배기 유로와 연결되는 제2 배기 파이프 내에서는 소스 가스(gs) 및 반응 가스(gr)가 혼합되어 펌핑 모듈(650, 660) 측으로 전달된다. Meanwhile, the source gas g s and the reaction in the first exhaust pipe connected to the first exhaust flow path and the second exhaust pipe connected to the second exhaust flow path of the atomic layer deposition apparatus 1 according to the present embodiment Gas g r is mixed and transferred to the pumping modules 650 and 660.

소스 가스(gs) 및 반응 가스(gr)가 혼합되는 경우, 소스 가스(gs) 및 반응 가스(gr)의 응축된 반응물에 의하여 배기 효율이 저하될 수 있어, 원자층 증착 장치(1)는 소스 가스(gs) 및 반응 가스(gr)의 응축을 억제하기 위한 트랩부(910, 920)을 포함한다.When the source gas (g s ) and the reaction gas (g r ) are mixed, the exhaust efficiency may be lowered by the condensed reactants of the source gas (g s ) and the reaction gas (g r ), and the atomic layer deposition apparatus ( 1) includes trap portions 910 and 920 for suppressing condensation of the source gas g s and the reaction gas g r .

트랩부(910, 920)는, 제1 트랩부(910) 및 제2 트랩부(920)를 포함한다.The trap parts 910 and 920 include a first trap part 910 and a second trap part 920.

제1 트랩부(910)는 제1 펌핑 모듈(650)과 제1 가변 밸브(810) 및 제2 가변 밸브(820) 사이에 배치되며, 제1 가변 밸브(810) 또는 제2 가변 밸브(820)를 거쳐 제1 펌핑 모듈(650)로 유동되는 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs)의 응축을 억제한다.The first trap unit 910 is disposed between the first pumping module 650 and the first variable valve 810 and the second variable valve 820, and the first variable valve 810 or the second variable valve 820 ) To suppress the condensation of the reaction gas (g r ) and the source gas (g s ) flowing to the first pumping module 650.

제2 트랩부(920)는, 제2 펌핑 모듈(660)과 제3 가변 밸브(830) 및 제4 가변 밸브(840) 사이에 배치되며, 제3 가변 밸브(830) 또는 제4 가변 밸브(840)를 거쳐 제2 펌핑 모듈(660)로 유동되는 반응 가스(gr) 및 소스 가스(gs)의 응축을 억제한다.The second trap portion 920 is disposed between the second pumping module 660 and the third variable valve 830 and the fourth variable valve 840, and the third variable valve 830 or the fourth variable valve ( Condensation of the reaction gas (g r ) and the source gas (g s ) flowing to the second pumping module 660 through 840 is suppressed.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.As described above, although the embodiments have been described by a limited embodiment and drawings, those skilled in the art can make various modifications and variations from the above description. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or the components of the described system, structure, device, circuit, etc. are combined or combined in a different form from the described method, or other components Alternatively, even if replaced or substituted by equivalents, appropriate results can be achieved. Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

1 : 원자층 증착 장치 100 : 기판 이송부
110, 120, 130 : 가스 공급원
210, 220, 230 : 반응 가스 공급 모듈 310, 320 : 소스 가스 공급 모듈
410, 420, 430, 440, 450, 460 : 퍼지 가스 공급 모듈
510 : 퍼지 가스 공급 파이프 520 : 반응 가스 공급 파이프
530 : 소스 가스 공급 파이프
610, 620, 630, 640, 650, 660 : 펌핑 모듈DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Atomic layer deposition apparatus 100 Substrate transfer part
110, 120, 130: gas supply
210, 220, 230: reactive gas supply module 310, 320: source gas supply module
410, 420, 430, 440, 450, 460: purge gas supply module
510: purge gas supply pipe 520: reactive gas supply pipe
530: source gas supply pipe
610, 620, 630, 640, 650, 660: pumping module

Claims (20)

기판에 원자층을 형성하기 위한 원자층 증착 장치에 있어서,
기판이 안착되며, 상기 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 상기 기판을 이송하는 기판 이송부; 및
상기 기판 이송부에 의하여 이송되는 상기 기판의 상방에 배치되며, 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 모듈과, 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 모듈과, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 사이에 배치되는 퍼지 가스 공급 모듈을 포함하는 가스 공급부; 및
상기 소스 가스 공급 모듈과 소스 가스 공급원을 연결하는 소스 가스 공급 파이프와, 상기 반응 가스 공급 모듈과 반응 가스 공급원을 연결하는 반응 가스 공급 파이프를 포함하는 가스 공급 파이프부;를 포함하고,
상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는, 상기 기판 이송부의 기판 이송 방향에 따라 기판에 대한 가스 공급 방향을 가변할 수 있고,
상기 소스 가스 공급 파이프 및 상기 반응 가스 파이프 중 적어도 하나에는, 상기 가스 공급부를 향하여 유동되는 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스에 전압을 제공하여 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스를 플라즈마화 시키기 위한 플라즈마 전극부가 마련되며,
상기 플라즈마 전극부는, 상기 소스 가스 공급 파이프 또는 상기 반응 가스 공급 파이프와 연결되는 제1 전극 및 상기 소스 가스 공급 파이프 또는 상기 반응 가스 공급 파이프 내에 마련되는 제2 전극을 포함하고,
상기 플라즈마 전극부의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나는 RF 발진기와 연결되며, 다른 하나는 접지 전극이며,
상기 제2 전극은, 상기 소스 가스 공급 파이프 또는 상기 반응 가스 공급 파이프 내에서 유동되는 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스의 유동 방향과 나란한 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.In the atomic layer deposition apparatus for forming an atomic layer on a substrate,
A substrate transfer portion on which the substrate is seated and transferring the substrate in a first direction and a second direction different from the first direction; And
It is disposed above the substrate transferred by the substrate transfer unit, and between a source gas supply module for supplying a source gas, a reaction gas supply module for supplying a reaction gas, and the source gas supply module and the reaction gas supply module A gas supply unit including a purge gas supply module disposed; And
It includes; a gas supply pipe part including a source gas supply pipe connecting the source gas supply module and a source gas supply source, and a reaction gas supply pipe connecting the reaction gas supply module and the reaction gas supply source,
At least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module may vary a gas supply direction to the substrate according to the substrate transport direction of the substrate transfer part,
A plasma electrode part is provided on at least one of the source gas supply pipe and the reaction gas pipe to provide a voltage to the source gas or the reaction gas flowing toward the gas supply portion to plasma the source gas or the reaction gas. And
The plasma electrode part includes a first electrode connected to the source gas supply pipe or the reaction gas supply pipe and a second electrode provided in the source gas supply pipe or the reaction gas supply pipe,
One of the first electrode and the second electrode of the plasma electrode part is connected to the RF oscillator, the other is a ground electrode,
The second electrode, the atomic layer deposition apparatus, characterized in that extending in a direction parallel to the flow direction of the source gas or the reaction gas flowing in the source gas supply pipe or the reaction gas supply pipe. 제1 항에 있어서,
상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는,
내부에 상기 소스 가스 공급 파이프 및 상기 반응 가스 공급 파이프 중 하나와 연결되는 제1 말단 가스 공급 유로 및 제2 말단 가스 공급 유로가 형성되는 가스 공급 노즐 몸체를 포함하고, 상기 제1 말단 가스 공급 유로는 상기 기판이 형성되는 평면과 직교하며 상기 가스 공급부로부터 상기 기판을 향하는 제3 방향에 대하여 기설정된 제1 공급 각도로 기울어지는 방향으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 기판에 대하여 공급하며,
상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로는 상기 기판의 이송 방향에 따라서 교번하여 활성화되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.According to claim 1,
At least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module,
And a gas supply nozzle body in which a first end gas supply flow path and a second end gas supply flow path are connected to one of the source gas supply pipe and the reaction gas supply pipe, and wherein the first end gas supply flow path is Orthogonal to a plane on which the substrate is formed and supplying any one of the source gas and the reaction gas to the substrate in a direction inclined at a first supply angle preset with respect to a third direction toward the substrate from the gas supply unit,
The first end gas supply flow path and the second end gas supply flow path are atomic layer deposition apparatus, characterized in that activated alternately according to the transfer direction of the substrate. 제2 항에 있어서,
상기 제2 말단 가스 공급 유로는, 상기 기판이 형성되는 평면과 직교하는 상기 제3 방향에 대하여 기설정된 제2 공급 각도로 기울어지는 방향으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 기판에 대하여 공급하고,
상기 제1 말단 가스 공급 유로에 의한 제1 가스 공급 방향은 상기 제1 방향과 나란한 제1 수평 공급 벡터 성분 및 상기 제3 방향과 나란한 제1 수직 공급 벡터 성분을 포함하고, 상기 제2 말단 가스 공급 유로에 의한 제2 가스 공급 방향은 상기 제2 방향과 나란한 제2 수평 공급 벡터 성분 및 제3 방향과 나란한 제2 수직 공급 벡터 성분을 포함하고, 상기 제1 수직 공급 벡터 성분 및 상기 제2 수직 공급 벡터 성분은 동일한 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.According to claim 2,
The second end gas supply flow path supplies any one of the source gas and the reaction gas to the substrate in a direction inclined at a second predetermined supply angle relative to the third direction orthogonal to the plane on which the substrate is formed. and,
The first gas supply direction by the first end gas supply flow path includes a first horizontal supply vector component parallel to the first direction and a first vertical supply vector component parallel to the third direction, and the second end gas supply The second gas supply direction by the flow path includes a second horizontal supply vector component parallel to the second direction and a second vertical supply vector component parallel to the third direction, wherein the first vertical supply vector component and the second vertical supply Atomic layer deposition apparatus characterized in that the vector component is the same. 제3 항에 있어서,
상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로는, 상기 제1 공급 각도로 기울어지도록 형성되는 제1 노즐 유닛 및 상기 제2 공급 각도로 기울어지도록 형성되는 제2 노즐 유닛을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.According to claim 3,
The first end gas supply flow passage and the second end gas supply flow passage each include a first nozzle unit formed to incline at the first supply angle and a second nozzle unit formed to incline at the second supply angle. Atomic layer deposition apparatus characterized in that. 제3 항에 있어서,
상기 기판 이송부가 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송하는 경우, 상기 제2 말단 가스 공급 유로가 활성화되며, 상기 기판 이송부가 상기 기판을 제2 방향으로 이송하는 경우, 상기 제1 말단 가스 공급 유로가 활성화되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.According to claim 3,
When the substrate transfer portion transfers the substrate in the first direction, the second end gas supply flow path is activated, and when the substrate transfer portion transfers the substrate in the second direction, the first end gas supply flow path is Atomic layer deposition apparatus characterized in that it is activated. 제2 항에 있어서,
상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는, 상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로에 선택적으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 공급하기 위한 밸브 유닛부를 포함하는 원자층 증착 장치.According to claim 2,
At least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module, a valve unit for selectively supplying any one of the source gas and the reaction gas to the first end gas supply passage and the second end gas supply passage Atomic layer deposition apparatus comprising a part. 제6 항에 있어서,
상기 밸브 유닛부는, 상기 제1 말단 가스 공급 유로 상에 배치되는 제1 말단밸브 유닛 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로 상에 배치되는 제2 말단 밸브 유닛을 포함하는 것을 하는 원자층 증착 장치.The method of claim 6,
The valve unit unit, the atomic layer deposition apparatus comprising a first end valve unit disposed on the first end gas supply flow path and a second end valve unit disposed on the second end gas supply flow path. 제6 항에 있어서,
상기 밸브 유닛부는 상기 소스 가스 공급 파이프 및 상기 반응 가스 공급 파이프 중 어느 하나로부터 상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로가 분기되는 지점에 설치되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.The method of claim 6,
The valve unit unit is an atomic layer deposition apparatus characterized in that it is installed at a point where the first end gas supply flow path and the second end gas supply flow path branch from any one of the source gas supply pipe and the reaction gas supply pipe. 기판에 원자층을 형성하기 위한 원자층 증착 장치에 있어서,
기판이 안착되며, 상기 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 상기 기판을 이송하는 기판 이송부; 및
상기 기판 이송부에 의하여 이송되는 상기 기판의 상방에 배치되며, 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 모듈과, 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 모듈과, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 사이에 배치되는 퍼지 가스 공급 모듈을 포함하는 가스 공급부; 및
상기 소스 가스 공급 모듈과 소스 가스 공급원을 연결하는 소스 가스 공급 파이프와, 상기 반응 가스 공급 모듈과 반응 가스 공급원을 연결하는 반응 가스 공급 파이프를 포함하는 가스 공급 파이프부;를 포함하고,
상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는, 상기 기판 이송부의 기판 이송 방향에 따라 기판에 대한 가스 공급 방향을 가변할 수 있고,
상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 어느 하나는, 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 공급하기 위한 말단 가스 공급 유로와, 상기 말단 가스 공급 유로를 사이에 두고 상호 이격되며, 상기 가스 공급부 및 상기 기판 사이의 잉여 가스를 외부로 배출시키기 위한 제1 배기 유로 및 제2 배기 유로를 포함하고,
상기 제1 배기 유로의 제1 배기 압력과 상기 제2 배기 유로의 제2 배기 압력은 상호 간에 독립적이고,
상기 기판 이송부가 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송하는 경우, 상기 제2 배기 유로를 기준으로 상기 제1 방향으로 이격되어 배치되는 상기 제1 배기 유로에서 제공하는 상기 제1 배기 압력이 상기 제2 배기 유로에서 제공하는 상기 제2 배기 압력보다 작으며,
상기 기판 이송부가 상기 기판을 상기 제2 방향으로 이송하는 경우, 상기 제1 배기 유로에서 제공하는 상기 제1 배기 압력이 상기 제2 배기 유로에서 제공하는 제2 배기 압력보다 크고,
상기 제1 배기 유로 및 상기 제2 배기 유로와 연결되는 제1 펌핑 모듈과, 상기 제1 배기 유로 및 상기 제2 배기 유로와 연결되는 제2 펌핑 모듈을 포함하는 펌핑 모듈부;와,
상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제1 배기 유로 사이에 배치되는 제1 가변 밸브 유닛과, 상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제2 배기 유로 사이에 배치되는 제2 가변 밸브 유닛과, 상기 제2 펌핑 모듈과 상기 제1 배기 유로 사이에 배치되는 제3 가변 밸브 유닛과, 상기 제2 펌핑 모듈과 상기 제2 배기 유로 사이에 배치되는 제4 가변 밸브 유닛을 포함하는 가변 밸브부;를 더 포함하고,
상기 제1 펌핑 모듈 및 상기 제2 펌핑 모듈에서 각각 제공하는 배기 압력은 가변 가능하지 않으며, 상기 제1 펌핑 모듈 및 상기 제2 펌핑 모듈 중 어느 하나의 펌핑 모듈의 상기 배기 압력은 다른 하나의 펌핑 모듈의 배기 압력보다 크게 형성되고,
상기 제1 가변 밸브 및 상기 제3 가변 밸브가 개방된 경우, 상기 제2 가변 밸브 및 상기 제4 가변 밸브가 폐쇄되고,
상기 제1 가변 밸브 및 상기 제3 가변 밸브가 폐쇄된 경우, 상기 제2 가변 밸브 및 상기 제4 가변 밸브는 개방되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.In the atomic layer deposition apparatus for forming an atomic layer on a substrate,
A substrate transfer portion on which the substrate is seated and transferring the substrate in a first direction and a second direction different from the first direction; And
It is disposed above the substrate transferred by the substrate transfer unit, and between a source gas supply module for supplying a source gas, a reaction gas supply module for supplying a reaction gas, and the source gas supply module and the reaction gas supply module A gas supply unit including a purge gas supply module disposed; And
It includes; a gas supply pipe part including a source gas supply pipe connecting the source gas supply module and a source gas supply source, and a reaction gas supply pipe connecting the reaction gas supply module and the reaction gas supply source,
At least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module may vary a gas supply direction to the substrate according to the substrate transport direction of the substrate transfer part,
At least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module is spaced apart from each other with an end gas supply flow path for supplying any one of the source gas and the reaction gas, and the end gas supply flow path therebetween, And a first exhaust flow path and a second exhaust flow path for discharging excess gas between the gas supply part and the substrate to the outside,
The first exhaust pressure of the first exhaust passage and the second exhaust pressure of the second exhaust passage are independent of each other,
When the substrate transfer part transfers the substrate in the first direction, the first exhaust pressure provided by the first exhaust flow path spaced apart in the first direction based on the second exhaust flow path is the second Less than the second exhaust pressure provided by the exhaust passage,
When the substrate transfer unit transfers the substrate in the second direction, the first exhaust pressure provided by the first exhaust flow path is greater than the second exhaust pressure provided by the second exhaust flow path,
A pumping module unit including a first pumping module connected to the first exhaust channel and the second exhaust channel, and a second pumping module connected to the first exhaust channel and the second exhaust channel; and,
A first variable valve unit disposed between the first pumping module and the first exhaust passage, a second variable valve unit disposed between the first pumping module and the second exhaust passage, and the second pumping module It further includes a variable valve unit including a third variable valve unit disposed between the first exhaust flow path, and a fourth variable valve unit disposed between the second pumping module and the second exhaust flow path,
The exhaust pressure provided by each of the first pumping module and the second pumping module is not variable, and the exhaust pressure of any one of the first pumping module and the second pumping module is different from the other pumping module Is formed larger than the exhaust pressure,
When the first variable valve and the third variable valve are opened, the second variable valve and the fourth variable valve are closed,
An atomic layer deposition apparatus characterized in that when the first variable valve and the third variable valve are closed, the second variable valve and the fourth variable valve are opened. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 어느 하나는, 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 공급하기 위한 말단 가스 공급 유로와, 상기 말단 가스 공급 유로를 사이에 두고 상호 이격되며, 상기 가스 공급부 및 상기 기판 사이의 잉여 가스를 외부로 배출시키기 위한 제1 배기 유로 및 제2 배기 유로를 포함하고,
상기 제1 배기 유로의 제1 배기 압력과 상기 제2 배기 유로의 제2 배기 압력은 상호 간에 독립적이고,
상기 기판 이송부가 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송하는 경우, 상기 제2 배기 유로를 기준으로 상기 제1 방향으로 이격되어 배치되는 상기 제1 배기 유로에서 제공하는 상기 제1 배기 압력이 상기 제2 배기 유로에서 제공하는 상기 제2 배기 압력보다 작으며,
상기 기판 이송부가 상기 기판을 상기 제2 방향으로 이송하는 경우, 상기 제1 배기 유로에서 제공하는 상기 제1 배기 압력이 상기 제2 배기 유로에서 제공하는 제2 배기 압력보다 크고,
상기 제1 배기 유로와 연결되는 제1 펌핑 모듈과, 상기 제2 배기 유로와 연결되는 제2 펌핑 모듈을 포함하는 펌핑 모듈부; 및
상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제1 배기 유로를 연결시키는 제1 배기 파이프 및 상기 제2 펌핑 모듈과 상기 제2 배기 유로를 연결시키는 제2 배기 파이프를 포함하는 배기 파이브부;를 더 포함하고,
상기 제1 펌핑 모듈은 상기 제1 배기 유로에 상기 제1 배기 압력을 제공하며, 상기 제2 펌핑 모듈은 상기 제2 배기 유로에 상기 제2 배기 압력을 제공하고, 상기 제1 펌핑 모듈 및 상기 제2 펌핑 모듈은 제1 배기 압력 및 상기 제2 배기 압력을 상기 기판의 이송 방향에 따라 가변하여 상기 제1 배기 유로 및 상기 제2 배기 유로에 제공하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.According to claim 1,
At least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module is spaced apart from each other with an end gas supply flow path for supplying any one of the source gas and the reaction gas, and the end gas supply flow path therebetween, And a first exhaust flow path and a second exhaust flow path for discharging excess gas between the gas supply part and the substrate to the outside,
The first exhaust pressure of the first exhaust passage and the second exhaust pressure of the second exhaust passage are independent of each other,
When the substrate transfer part transfers the substrate in the first direction, the first exhaust pressure provided by the first exhaust flow path spaced apart in the first direction based on the second exhaust flow path is the second Less than the second exhaust pressure provided by the exhaust passage,
When the substrate transfer unit transfers the substrate in the second direction, the first exhaust pressure provided by the first exhaust flow path is greater than the second exhaust pressure provided by the second exhaust flow path,
A pumping module unit including a first pumping module connected to the first exhaust channel and a second pumping module connected to the second exhaust channel; And
It further includes an exhaust pipe portion including a first exhaust pipe connecting the first pumping module and the first exhaust passage, and a second exhaust pipe connecting the second pumping module and the second exhaust passage;
The first pumping module provides the first exhaust pressure to the first exhaust passage, and the second pumping module provides the second exhaust pressure to the second exhaust passage, and the first pumping module and the first 2 The pumping module is characterized in that the first exhaust pressure and the second exhaust pressure is variable according to the transfer direction of the substrate to provide the first exhaust passage and the second exhaust passage, characterized in that the atomic layer deposition apparatus. 삭제delete 제9 항에 있어서,
상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제1 가변 밸브 및 상기 제2 가변 밸브 사이에는, 상기 제1 가변 밸브 또는 제2 가변 밸브를 거쳐 상기 제1 펌핑 모듈로 상기 반응 가스 및 상기 소스 가스의 응축을 억제하기 위한 제1 트랩부가 배치되며,
상기 제2 펌핑 모듈과 상기 제3 가변 밸브 및 상기 제4 가변 밸브 사이에는, 상기 제3 가변 밸브 또는 상기 제4 가변 밸브를 거쳐 상기 제2 펌핑 모듈로 유동되는 상기 반응 가스 및 상기 소스 가스의 응축을 억제하기 위한 제2 트랩부가 배치되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.The method of claim 9,
Between the first pumping module and the first variable valve and the second variable valve, suppressing condensation of the reaction gas and the source gas to the first pumping module via the first variable valve or the second variable valve The first trap portion is disposed,
Between the second pumping module and the third variable valve and the fourth variable valve, condensation of the reaction gas and the source gas flowing through the third variable valve or the fourth variable valve to the second pumping module An atomic layer deposition apparatus characterized in that the second trap portion for suppressing the arrangement. 삭제delete 삭제delete 기판에 원자층을 형성하기 위한 원자층 증착 장치에 있어서,
기판이 안착되며, 상기 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 상기 기판을 이송하는 기판 이송부; 및
상기 기판 이송부에 의하여 이송되는 상기 기판의 상방에 배치되며, 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 모듈과, 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 모듈과, 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 사이에 배치되는 퍼지 가스 공급 모듈을 포함하는 가스 공급부; 및
상기 소스 가스 공급 모듈과 소스 가스 공급원을 연결하는 소스 가스 공급 파이프와, 상기 반응 가스 공급 모듈과 반응 가스 공급원을 연결하는 반응 가스 공급 파이프를 포함하는 가스 공급 파이프부;를 포함하고,
상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 어느 하나는,
상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 공급하기 위한 말단 가스 공급 유로와, 상기 말단 가스 공급 유로를 사이에 두고 상호 이격되며, 상기 가스 공급부 및 상기 기판 사이의 잉여 가스를 외부로 배출시키기 위한 제1 배기 유로 및 제2 배기 유로를 포함하고,
상기 제1 배기 유로의 제1 배기 압력과 상기 제2 배기 유로의 제2 배기 압력은 상호 간에 독립적인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.In the atomic layer deposition apparatus for forming an atomic layer on a substrate,
A substrate transfer portion on which the substrate is seated and transferring the substrate in a first direction and a second direction different from the first direction; And
It is disposed above the substrate transferred by the substrate transfer unit, and between a source gas supply module for supplying a source gas, a reaction gas supply module for supplying a reaction gas, and the source gas supply module and the reaction gas supply module A gas supply unit including a purge gas supply module disposed; And
It includes; a gas supply pipe part including a source gas supply pipe connecting the source gas supply module and a source gas supply source, and a reaction gas supply pipe connecting the reaction gas supply module and the reaction gas supply source,
At least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module,
An end gas supply flow path for supplying any one of the source gas and the reaction gas, and spaced apart from each other with the end gas supply flow path interposed therebetween, and for discharging excess gas between the gas supply part and the substrate to the outside It includes a first exhaust passage and a second exhaust passage,
An atomic layer deposition apparatus, characterized in that the first exhaust pressure of the first exhaust flow path and the second exhaust pressure of the second exhaust flow path are independent of each other. 제16 항에 있어서,
상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 중 적어도 하나는,
내부에 상기 소스 가스 공급 파이프 및 상기 반응 가스 공급 파이프 중 하나와 연결되는 상기 말단 가스 공급 유로가 형성되는 가스 공급 노즐 몸체를 포함하고,
상기 말단 가스 공급 유로는, 제1 말단 가스 공급 유로 및 제2 말단 가스 공급 유로를 포함하고,
상기 제1 말단 가스 공급 유로는 상기 기판이 형성되는 평면과 직교하며 상기 가스 공급부로부터 상기 기판을 향하는 제3 방향에 대하여 기설정된 제1 공급 각도로 기울어지는 방향으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 기판에 대하여 공급하며,
상기 제2 말단 가스 공급 유로는, 상기 기판이 형성되는 평면과 직교하는 상기 제3 방향에 대하여 기설정된 제2 공급 각도로 기울어지는 방향으로 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 기판에 대하여 공급하고,
상기 제1 말단 가스 공급 유로 및 상기 제2 말단 가스 공급 유로는 상기 기판의 이송 방향에 따라서 교번하여 활성화되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.The method of claim 16,
At least one of the source gas supply module and the reaction gas supply module,
And a gas supply nozzle body in which the end gas supply flow path connected to one of the source gas supply pipe and the reaction gas supply pipe is formed,
The end gas supply flow path includes a first end gas supply flow path and a second end gas supply flow path,
The first end gas supply flow passage is orthogonal to the plane on which the substrate is formed, and any of the source gas and the reaction gas in a direction inclined at a first predetermined supply angle with respect to a third direction from the gas supply portion toward the substrate. Supply one to the substrate,
The second end gas supply flow path supplies any one of the source gas and the reaction gas to the substrate in a direction inclined at a second predetermined supply angle relative to the third direction orthogonal to the plane on which the substrate is formed. and,
The first end gas supply flow path and the second end gas supply flow path are atomic layer deposition apparatus, characterized in that activated alternately according to the transfer direction of the substrate. 원자층 증착 장치를 이용하여 기판에 원자층을 증착시키는 원자층 증착 방법에 있어서,
기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 이송시키기 위한 기판 이송부에 장착시키는 기판 장착 단계;
상기 기판이 상기 기판 이송부에 장착된 상태에서, 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송하면서 상기 기판에 대하여 원자층을 형성하는 제1 증착 모드 단계; 및
상기 기판이 상기 기판 이송부에 장착된 상태에서, 상기 기판을 상기 제2 방향으로 이송하면서, 상기 기판에 대하여 원자층을 형성하는 제2 증착 모드 단계;를 포함하고,
상기 기판에 대하여 반응 가스 또는 소스 가스를 공급하기 위한 가스 공급 모듈과 상기 기판 사이에 형성되는 증착 영역에서, 상기 증착 영역의 중심을 기준으로 상기 제1 방향에 위치되며 잔여 가스를 배기시키는 제1 배기 영역의 제1 배기 압력과 상기 증착 영역의 상기 기준을 중심으로 상기 제2 방향에 위치되는 제2 배기 영역의 제2 배기 압력을 서로 다르게 형성되고,
상기 제2 증착 모드 단계에서, 상기 가스 공급 모듈은, 상기 기판을 향하여 수직한 방향인 제3 방향과 나란한 제1 수직 공급 벡터 성분과 상기 제1 방향과 나란한 제1 수평 공급 벡터 성분을 갖는 제1 가스 공급 방향으로 상기 기판에 대하여 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스를 공급하고,
상기 제1 증착 모드 단계에서, 상기 가스 공급 모듈은, 상기 제1 수직 공급 벡터 성분과 상기 제2 방향과 나란한 제2 수평 공급 벡터 성분을 갖는 제2 가스 공급 방향으로 상기 기판에 대하여 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.In the atomic layer deposition method for depositing an atomic layer on a substrate using an atomic layer deposition apparatus,
A substrate mounting step of mounting the substrate in a first direction and a substrate transfer unit for transferring in a second direction different from the first direction;
A first deposition mode step of forming an atomic layer with respect to the substrate while transferring the substrate in the first direction while the substrate is mounted on the substrate transfer unit; And
The second deposition mode step of forming an atomic layer with respect to the substrate while transferring the substrate in the second direction while the substrate is mounted on the substrate transfer unit; includes,
In a deposition region formed between a gas supply module for supplying a reaction gas or a source gas to the substrate and the substrate, a first exhaust gas located in the first direction based on the center of the deposition region and exhausting residual gas The first exhaust pressure of the region and the second exhaust pressure of the second exhaust region positioned in the second direction with respect to the reference of the deposition region are formed differently,
In the second deposition mode step, the gas supply module comprises: a first having a first vertical supply vector component parallel to the third direction and a first horizontal supply vector component parallel to the first direction toward the substrate. Supplying the source gas or the reaction gas to the substrate in a gas supply direction,
In the first deposition mode step, the gas supply module may supply the source gas to the substrate in a second gas supply direction having a first horizontal supply vector component and a second horizontal supply vector component parallel to the second direction. Atomic layer deposition method characterized in that to supply the reaction gas. 제18 항에 있어서,
상기 제1 증착 모드 단계에서, 상기 제2 배기 압력은 상기 제1 배기 압력보다 크며,
상기 제2 증착 모드 단계에서, 상기 제2 배기 압력은 상기 제1 배기 압력보다 작은 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.The method of claim 18,
In the first deposition mode step, the second exhaust pressure is greater than the first exhaust pressure,
In the second deposition mode step, the second exhaust pressure is less than the first exhaust pressure, atomic layer deposition method. 삭제delete
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